JP7112387B2 - 分布帰還型レーザーダイオード - Google Patents
分布帰還型レーザーダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP7112387B2 JP7112387B2 JP2019503952A JP2019503952A JP7112387B2 JP 7112387 B2 JP7112387 B2 JP 7112387B2 JP 2019503952 A JP2019503952 A JP 2019503952A JP 2019503952 A JP2019503952 A JP 2019503952A JP 7112387 B2 JP7112387 B2 JP 7112387B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- localized
- waveguide
- laser diode
- resonator
- diode according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1237—Lateral grating, i.e. grating only adjacent ridge or mesa
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0654—Single longitudinal mode emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
- レーザーダイオードは、上記ローカライズドレゾネータを備える導波路の光閉じ込め係数が、誘起透明化現象を可能にするように調整されるように、設定される。及び/又は
- 上記要素は、上記導波路の主軸に沿った周期格子の形で分布する。及び/又は
- 上記分布する要素により形成される格子により誘起されるフィードバックの特性周波数は、上記ローカライズドレゾネータの共鳴周波数に対して20%未満の差異がある。及び/又は、
- 上記ローカライズドレゾネータは、上記導波路の主軸に実質的に垂直な方向において、光速cとレーザー発光周波数fとの比において1/5~1/20の間の寸法を有する少なくとも1つの要素を含む。及び/又は、
- 上記共鳴ローカライズドレゾネータを形成する要素は、その最大辺が導波の非ヌル型電界のうちのひとつにおける方向に配向するように配置されている。及び/又は、
- 上記共鳴ローカライズドレゾネータを形成する要素は、その最大辺が導波の支配電界の方向、例えば導波軸に垂直な方向に配向するように、配置されている。及び/又は、
- 上記共鳴ローカライズドレゾネータを形成する要素は、その最大辺が導波軸に垂直な方向に配向するように、配置されている。及び/又は、
- 上記ローカライズドレゾネータは、上記導波路の主軸に実質的に垂直な方向に沿って配置されており、上記方向に沿うローカライズドレゾネータの長さ以下の間隔、例えばc/fにおいて1/10から1/50の間である間隔で離隔されている。及び/又は、
- 上記導波路に最も近いローカライズドレゾネータと、上記導波路の側面との間の距離は、c/fにおいて1/10以下であり、好ましくは、上記導波路の一側縁に接触している。及び/又は、
- 上記ローカライズドレゾネータは、少なくとも一部が上記導波路の内側にあること。及び/又は、
- 上記周期格子の各周期は、1~10個の上記ローカライズドレゾネータを含む。及び/又は、
- 上記ローカライズドレゾネータは、絶縁性、金属性、または金属絶縁性等のメタマテリアルからなっている。及び/又は、
- 上記ローカライズドレゾネータの品質係数は、金属のような、レーザー発光周波数にて散逸性の物質を用いて10~100の間で調節される。
- 半導体基板12、
- 横方向ガイド構造体13、
- 半導体基板12上に並んだ活性層14、
- いわゆる分離閉じ込めヘテロ構造「SCH」を形成する薄い層16と16’に囲まれている活性層14、
- 層16’上に並んだ半導体層18、
- 層12,14,16,16’,18の組み合わせと、横方向ガイド構造体13による導波と電流の横方向の制限により形成される導波路(構造体13は、典型的には、周りの材料をエッチングして得られるが、それが唯一の方法ではない)、及び
- 導波路の両側に並んだ格子20。
12・・・半導体基板
13・・・横方向ガイド構造体
14・・・活性層
16、16’・・・薄い層
17・・・レーザーのミラー
18・・・半導体層
19・・・レーザーのミラー
20・・・格子
22・・・要素
24・・・ローカライズドレゾネータ
Claims (13)
- メタマテリアルからなっており、導波路の主軸に沿って分布するローカライズドレゾネータ(24)を含むサブセットを含む要素(22)の周期的分布により形成された格子により補助される利得媒体付きの導波路を含む分布帰還型レーザーダイオード(10)であって、
前記要素の空間分布により前記導波路上で誘起されるフィードバックの特性周波数は、前記ローカライズドレゾネータの共鳴周波数に対して50%未満の差異があり、
前記要素は、前記導波路の主軸に沿って周期格子の形で分布しており、
前記格子は、前記導波路の各々の側縁側に配置されており、
前記ローカライズドレゾネータを備える導波路の光閉じ込め係数は、誘起透明化現象を可能にするように調整されており、
結合された共振発振器間の相殺的干渉効果に相当する前記誘起透明化現象は、吸収帯の中央に狭いウインドウの透明度が現れる結果をもたらす、
ことを特徴とする分布帰還型レーザーダイオード(10)。 - 前記分布する要素により形成された格子により誘起されるフィードバックの特性周波数は、前記ローカライズドレゾネータ自体の共鳴周波数に対して20%未満の差異がある、請求項1に記載のレーザーダイオード。
- 前記ローカライズドレゾネータは、前記導波路の主軸に実質的に垂直な方向において、光速cとレーザー発光周波数fとの比において1/5~1/20の間の寸法を有する少なくとも1つの要素を含む、請求項1又は2に記載のレーザーダイオード。
- 共鳴した前記ローカライズドレゾネータを形成する要素は、その最大辺が導波の非ヌル型電界のうちのひとつにおける方向に配向するように配置されている、請求項1~3のいずれか1項に記載のレーザーダイオード。
- 共鳴した前記ローカライズドレゾネータを形成する要素は、その最大辺が導波の支配電界の方向に配向するように配置されている、請求項1~4のいずれか1項に記載のレーザーダイオード。
- 前記ローカライズドレゾネータは、前記導波路の主軸に実質的に垂直な方向に沿って配置されており、前記方向に沿うローカライズドレゾネータの寸法以下の間隔で離隔されている、請求項1~5のいずれか1項に記載のレーザーダイオード。
- 前記導波路に最も近いローカライズドレゾネータと、前記導波路の側面との間の距離は、光速cとレーザー発光周波数fとの比c/fにおいて1/10以下である、請求項5又は6に記載のレーザーダイオード。
- 前記ローカライズドレゾネータは、少なくとも一部が前記導波路の内側にある、請求項5又は6に記載のレーザーダイオード。
- 前記周期格子の各周期は、1~10個の前記ローカライズドレゾネータを含む、請求項5~7のいずれか1項に記載のレーザーダイオード。
- 前記メタマテリアルは、絶縁性、金属性または金属絶縁性の性質を有している、請求項1~9のいずれか1項に記載のレーザーダイオード。
- 前記ローカライズドレゾネータの品質係数は、レーザー発光周波数にて散逸性の物質を用いて10~100の間で調節される、請求項1~10のいずれか1項に記載のレーザーダイオード。
- 光源として、請求項1~11のいずれか1項に記載のレーザーダイオードを含む電気通信デバイス。
- 光アイソレータを含まない、請求項12に記載の電気通信デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1657217A FR3054734B1 (fr) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | Diode laser a retroaction repartie |
FR1657217 | 2016-07-27 | ||
PCT/EP2017/069069 WO2018019955A1 (fr) | 2016-07-27 | 2017-07-27 | Diode laser à rétroaction répartie |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019522379A JP2019522379A (ja) | 2019-08-08 |
JP7112387B2 true JP7112387B2 (ja) | 2022-08-03 |
Family
ID=56855742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019503952A Active JP7112387B2 (ja) | 2016-07-27 | 2017-07-27 | 分布帰還型レーザーダイオード |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10658816B2 (ja) |
JP (1) | JP7112387B2 (ja) |
CN (1) | CN109643881B (ja) |
FR (1) | FR3054734B1 (ja) |
WO (1) | WO2018019955A1 (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168353A (ja) | 1999-09-28 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | 光素子 |
WO2005011076A1 (en) | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Bookham Technology Plc | Weakly guiding ridge waveguides with vertical gratings |
JP2007184511A (ja) | 2005-12-09 | 2007-07-19 | Fujitsu Ltd | 光導波路を伝搬する光と回折格子とを結合させた光素子 |
JP2008204999A (ja) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 光素子及びその製造方法 |
WO2009055894A1 (en) | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Onechip Photonics Inc. | Enhanced efficiency laterally-coupled distributed feedback laser |
JP2010278278A (ja) | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
JP2012526375A (ja) | 2009-05-05 | 2012-10-25 | ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ | 大出力パワー用の横結合を持つdfbレーザダイオード |
JP2013165152A (ja) | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズモン薄膜レーザ |
JP2016513933A (ja) | 2013-03-12 | 2016-05-16 | シナジー マイクロウェーブ コーポレーションSynergy Microwave Corporation | 集積自己注入同期型自己位相同期ループ光電子発振器 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0319292A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
US6031243A (en) * | 1996-10-16 | 2000-02-29 | Geoff W. Taylor | Grating coupled vertical cavity optoelectronic devices |
FR2769924B1 (fr) * | 1997-10-20 | 2000-03-10 | Centre Nat Rech Scient | Procede de realisation d'une couche epitaxiale de nitrure de gallium, couche epitaxiale de nitrure de gallium et composant optoelectronique muni d'une telle couche |
JP3450169B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2003-09-22 | Necエレクトロニクス株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ |
US6501783B1 (en) * | 2000-02-24 | 2002-12-31 | Lucent Technologies Inc. | Distributed feedback surface plasmon laser |
EP1283573A3 (en) * | 2001-07-27 | 2005-02-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | A distributed bragg reflector semiconductor laser |
US6900920B2 (en) * | 2001-09-21 | 2005-05-31 | The Regents Of The University Of California | Variable semiconductor all-optical buffer using slow light based on electromagnetically induced transparency |
US6970490B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-11-29 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting devices based on the formation of an electron-hole plasma |
KR20040098421A (ko) * | 2003-05-15 | 2004-11-20 | 한국전자통신연구원 | 광대역 파장 가변 추출 격자 분포 궤환 레이저 다이오드 |
US7460746B2 (en) * | 2005-01-13 | 2008-12-02 | Oewaves, Inc. | Tunable multi-loop opto-electronic oscillator with tunable RF or microwave filter based on optical filtering |
US7796656B2 (en) * | 2007-11-05 | 2010-09-14 | Onechip Photonics Inc. | Enhanced efficiency laterally-coupled distributed feedback laser |
JP5182362B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-04-17 | 富士通株式会社 | 光素子及びその製造方法 |
WO2011046244A1 (ko) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | 서울대학교산학협력단 | Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체 |
CN102738701A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-10-17 | 中国科学院半导体研究所 | 分布式反馈激光器及其制备方法 |
CN102969423A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-03-13 | 党随虎 | 银耦合增强GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 |
KR102370069B1 (ko) * | 2012-12-25 | 2022-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
DE112014004277T5 (de) * | 2013-09-18 | 2016-06-16 | Suzhou Institute Of Nano-Tech And Nano-Bionics (Sinano), Chinese Academy Of Sciences | Terahertz-Lichtquellenchip, Lichtquellenvorrichtung, Lichtquellenanordnung und ihr Herstellungsverfahren |
CN103545711B (zh) * | 2013-10-22 | 2015-12-30 | 中国科学院半导体研究所 | 分布反馈式激光器及其制备方法 |
-
2016
- 2016-07-27 FR FR1657217A patent/FR3054734B1/fr active Active
-
2017
- 2017-07-27 US US16/320,758 patent/US10658816B2/en active Active
- 2017-07-27 WO PCT/EP2017/069069 patent/WO2018019955A1/fr active Application Filing
- 2017-07-27 CN CN201780046711.4A patent/CN109643881B/zh active Active
- 2017-07-27 JP JP2019503952A patent/JP7112387B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168353A (ja) | 1999-09-28 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | 光素子 |
WO2005011076A1 (en) | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Bookham Technology Plc | Weakly guiding ridge waveguides with vertical gratings |
JP2007184511A (ja) | 2005-12-09 | 2007-07-19 | Fujitsu Ltd | 光導波路を伝搬する光と回折格子とを結合させた光素子 |
JP2008204999A (ja) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 光素子及びその製造方法 |
WO2009055894A1 (en) | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Onechip Photonics Inc. | Enhanced efficiency laterally-coupled distributed feedback laser |
JP2012526375A (ja) | 2009-05-05 | 2012-10-25 | ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ | 大出力パワー用の横結合を持つdfbレーザダイオード |
JP2010278278A (ja) | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
JP2013165152A (ja) | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズモン薄膜レーザ |
JP2016513933A (ja) | 2013-03-12 | 2016-05-16 | シナジー マイクロウェーブ コーポレーションSynergy Microwave Corporation | 集積自己注入同期型自己位相同期ループ光電子発振器 |
Non-Patent Citations (13)
Title |
---|
CHEN, Y. et al.,Tunable out-of-plane slow light in resonance induced transparent grating waveguide structures,APPLIED PHYSICS LETTERS,米国,2013年08月,Vol.103,pp.061109-1 - 061109-5 |
DUBROVINA, N. et al.,Local parity-time symmetry functional devices for integrated optics,2016 18th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON),IEEE,2016年07月10日,We.B5.3,https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7550554,DOI: 10.1109/ICTON.2016.7550554 |
HUANG, Y. et al.,Subwavelength slow-light waveguides based on a plasmonic analogue of electromagnetically induced transparency,APPLIED PHYSICS LETTERS,米国,2011年10月,Vol.99,pp.143117-1 - 143117-3 |
HUI, R. et al.,External Feedback Sensitivity of Partly Gain-Coupled DFB Semiconductor Lasers,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,米国,1994年08月,VOL.6, NO.8,pp.897-899 |
KIM, K. Y. et al.,Grating-Induced Dual Mode Couplings in the Negative-Index Slab Waveguide,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,米国,2009年09月,VOL.21, NO.20,pp.1502-1504 |
LEE, S. G. et al.,Polarization-independent electromagnetically induced transparency-like transmission in coupled guided-mode resonance structures,APPLIED PHYSICS LETTERS,米国,2017年03月,Vol.110,pp.111106-1 - 111106-5 |
SADEGHI, S. M. et al.,Purely gain-coupled distributed feedback laser via a bright optical lattice,APPLIED PHYSICS LETTERS,米国,2006年05月,Vol.88,p.211111-1 - p.211111-3 |
WANG, B. et al.,A dynamic and ultrafast group delay tuning mechanism in two microcavities side-coupled with a waveguide system,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,米国,2014年10月,Vol.116,pp.133101-1 - 133101-9 |
WANG, B. et al.,Low-power, ultrafast, and dynamic all-optical tunable plasmonic analog to electromagnetically induced transparency in two resonators side-coupled with a waveguide system,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,米国,2015年06月,Vol.117,pp.213106-1 - 213106-9 |
WIEDMANN, J. et al.,GaInAsP/InP Distributed Reflector Lasers Consisting of Deeply Etched Vertical Gratings,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.40, Part 1, No.12,JSAP,2001年12月01日,6845-6851,DOI: 10.1143/JJAP.40.6845 |
WU, J. et al.,Polarization-Independent Absorber Based on a Cascaded Metal-Dielectric Grating Structure,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,米国,2014年03月,VOL.26, NO.9,pp.949-952 |
XU, L. et al.,Metasurface external cavity laser,APPLIED PHYSICS LETTERS,米国,2015年12月,Vol.107,pp.221105-1 - 221105-5 |
ZHANG, Z. et al.,Conversion between EIT and Fano spectra in a microring-Bragg grating coupled-resonator system,APPLIED PHYSICS LETTERS,米国,2017年08月,Vol.111,pp.081105-1 - 081105-5 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019522379A (ja) | 2019-08-08 |
WO2018019955A1 (fr) | 2018-02-01 |
FR3054734B1 (fr) | 2018-09-07 |
FR3054734A1 (fr) | 2018-02-02 |
US20190165545A1 (en) | 2019-05-30 |
US10658816B2 (en) | 2020-05-19 |
CN109643881A (zh) | 2019-04-16 |
CN109643881B (zh) | 2021-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4643794B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5717726B2 (ja) | 大出力パワー用の横結合を持つdfbレーザダイオード | |
JP7072516B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
WO2009116140A1 (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
JPH0652820B2 (ja) | エッチング方法 | |
JP2004179274A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2982422B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2017107958A (ja) | 半導体レーザ | |
JP3682367B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
WO2020145128A1 (ja) | 半導体光素子 | |
JP2014017347A (ja) | 半導体レーザ | |
JP5310533B2 (ja) | 光半導体装置 | |
KR100594108B1 (ko) | 단일 모드 분포 귀환 레이저 | |
JP7277825B2 (ja) | 半導体光素子 | |
JPH09232625A (ja) | 端面発光型光半導体素子及びその製造方法 | |
JP7112387B2 (ja) | 分布帰還型レーザーダイオード | |
JP4906053B2 (ja) | フォトニック結晶光半導体デバイス | |
JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
CN110376766B (zh) | 一种反射装置及可调谐激光器 | |
CN115280609A (zh) | 光学器件 | |
Akiba | Distributed Feedback Laser | |
JP5286198B2 (ja) | 分布帰還形半導体レーザ | |
JP2010278278A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2010199169A (ja) | 半導体光素子 | |
JPH08274406A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190424 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210907 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20211117 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7112387 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |