JP7110044B2 - 修正パターン生成装置、パターン欠陥修正システム、修正パターン生成方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態にかかるパターン欠陥修正システム1の構成の一例を示すブロック図である。図1に示すように、実施形態のパターン欠陥修正システム1は、欠陥検出装置100、修正パターン生成装置200、及び欠陥修正装置300を備える。パターン欠陥修正システム1において、欠陥検出装置100、修正パターン生成装置200、及び欠陥修正装置300は、相互に通信可能に接続されている。
次に、図3および図4を用いて、修正パターン生成装置200の機能について詳細に説明する。図3は、実施形態にかかる欠陥検出装置100によるパターン欠陥の検出について説明する図である。
次に、図5を用い、実施形態にかかる半導体装置の製造処理としてのパターン欠陥修正処理について説明する。図5は、実施形態にかかるパターン欠陥修正システム1におけるパターン欠陥修正処理の手順の一例を示すフロー図である。
上述のように、微細化の進むフォトマスクのパターンは、OPCやILT等の導入により、補助パターン等を含む複雑なパターンとなっている。このようなパターンにおいて、欠陥検出装置で検出された欠陥を如何に修正するかの判定が困難となっている。欠陥の種類も、上記に挙げたパターン欠損のほか、膜残り、パターンの倒壊、あるいは、これらの複合的な欠陥が検出されるなど多岐に亘っている。
Claims (6)
- 基板にパターンを転写するマスクの前記パターンの欠陥情報を取得する取得部と、
前記欠陥を修正する修正パターンの候補を少なくとも1つ生成する修正パターン生成部と、
前記修正パターンの前記候補の修正難度を算出する演算部と、
前記修正難度に基づき前記修正パターンの前記候補の中から修正パターンを選定する修正パターン選定部と、を備え、
前記修正難度は、前記欠陥の修正に要する時間、前記欠陥の種類、前記欠陥の修正にかかわる修正対象膜の材料、前記欠陥の修正プロセス、及び修正の成功率のうち少なくとも1つを含む、
修正パターン生成装置。 - 前記演算部は、前記修正パターンの前記修正難度および前記修正パターンによる露光尤度を算出し、
前記修正パターン選定部は、前記修正難度および前記露光尤度に基づき前記修正パターンの前記候補の中から修正パターンを選定する、
請求項1に記載の修正パターン生成装置。 - 前記修正パターン生成部は、光学シミュレーションを用いて前記修正パターンの前記候補を生成する、
請求項1または請求項2に記載の修正パターン生成装置。 - 基板にパターンを転写するマスクの前記パターンの欠陥を検出する欠陥検出装置と、
前記パターンの前記欠陥を修正する修正パターンを生成する修正パターン生成装置と、
前記修正パターンに基づき前記パターンの前記欠陥を修正する欠陥修正装置と、を備え、
前記修正パターン生成装置は、
前記パターンの欠陥情報を取得する取得部と、
前記欠陥を修正する修正パターンの候補を少なくとも1つ生成する修正パターン生成部と、
前記修正パターンの前記候補の修正難度を算出する演算部と、
前記修正難度に基づき前記修正パターンの前記候補の中から修正パターンを選定する修正パターン選定部と、を備え、
前記修正難度は、前記欠陥の修正に要する時間、前記欠陥の種類、前記欠陥の修正にかかわる修正対象膜の材料、前記欠陥の修正プロセス、及び修正の成功率のうち少なくとも1つを含む、
パターン欠陥修正システム。 - 基板にパターンを転写するマスクの前記パターンの欠陥情報を取得する取得ステップと、
前記欠陥を修正する修正パターンの候補を少なくとも1つ生成する修正パターン生成ステップと、
前記修正パターンの前記候補の修正難度を算出する演算ステップと、
前記修正難度に基づき前記修正パターンの前記候補の中から修正パターンを選定する修正パターン選定ステップと、を含み、
前記修正難度は、前記欠陥の修正に要する時間、前記欠陥の種類、前記欠陥の修正にかかわる修正対象膜の材料、前記欠陥の修正プロセス、及び修正の成功率のうち少なくとも1つを含む、
修正パターン生成方法。 - 第1基板にパターンを転写するフォトマスクの前記パターンの欠陥を検出する欠陥検出ステップと、
前記パターンの欠陥情報を取得する取得ステップと、
前記欠陥を含む前記パターンの領域を抽出し、抽出した前記領域に対応する第2基板上の所望のパターン及び前記欠陥情報により前記欠陥を修正する修正パターンの候補を少なくとも1つ生成する修正パターン生成ステップと、
前記修正パターンの修正難度を算出する演算ステップと、
前記修正難度に基づき前記修正パターンの前記候補の中から修正パターンを選定する修正パターン選定ステップと、
前記修正パターンに基づき前記パターンの前記欠陥を修正する欠陥修正ステップと、を含み、
前記修正難度は、前記欠陥の修正に要する時間、前記欠陥の種類、前記欠陥の修正にかかわる修正対象膜の材料、前記欠陥の修正プロセス、及び修正の成功率のうち少なくとも1つを含む、
半導体装置の製造方法。
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