JP7108347B2 - Deposition equipment - Google Patents

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Description

本願は、スパッタリングによって基板に薄膜を形成する成膜装置に関する。 The present application relates to a film forming apparatus that forms a thin film on a substrate by sputtering.

現在、真空容器内でプラズマ化された反応性ガスを用いて、基板上の薄膜形成、形成された薄膜の表面改質、エッチングなどのプラズマ処理を行う。例えば、スパッタ技術を用いて基板上にイオン化生成物からなる膜を形成し、このイオン化生成物からなる生成物とプラズマ化した反応性ガスとを接触させて、金属化合物からなる生成膜を形成する技術が知られている。
図１は、スパッタ成膜装置における成膜処理領域（成膜領域）の構成模式図である。成膜装置の真空容器内に成膜領域と反応領域を備える。成膜領域では、金属からなるターゲット４を、作動ガスの雰囲気下でスパッタし、スパッタ粒子の堆積とプラズマのスパッタによるプラズマ処理を行い、中間膜を形成する。反応領域では、反応性ガスを含む雰囲気で発生するプラズマ中の電気的に中性な反応性ガスの活性物質を移動してきた基板の中間膜に接触させて反応させ、中間膜を金属の完全反応物からなる連続的な超薄膜に変換する。At present, plasma processing such as thin film formation on a substrate, surface modification of the formed thin film, and etching is performed using a reactive gas that has been plasmatized in a vacuum vessel. For example, a film composed of ionized products is formed on a substrate using a sputtering technique, and the product composed of ionized products is brought into contact with a reactive gas converted into plasma to form a generated film composed of a metal compound. technology is known.
FIG. 1 is a structural schematic diagram of a film formation processing area (film formation area) in a sputtering film formation apparatus. A film forming area and a reaction area are provided in a vacuum vessel of a film forming apparatus. In the film-forming region, a target 4 made of metal is sputtered in an atmosphere of a working gas, deposition of sputtered particles and plasma processing by plasma sputtering are performed to form an intermediate film. In the reaction zone, the active substance of the electrically neutral reactive gas in the plasma generated in the atmosphere containing the reactive gas is brought into contact with the intermediate film of the transferred substrate and reacted, and the intermediate film is completely reacted with the metal. Transforms into a continuous ultra-thin film of material.

真空容器の内部には、反応領域と成膜領域とを空間的および圧力的にそれぞれ隔てるために、真空容器の内壁面に、通常、隔離カバー（Shield）が設けられている。ここに、反応領域と成膜領域には、ともに隔離カバーが設けられることによって、真空容器の内部では相対的に独立している。また、真空容器には異なる成膜領域が設けられ、異なる２種類の物質をスパッタする場合もあり、同様に真空容器の内部で２つの成膜領域を空間的および圧力的にそれぞれ隔てるためには、真空容器の内部でも同様に隔離カバーにより反応領域を独立させる必要がある。
従来の隔離カバーにより、真空容器の内部の領域（反応領域と成膜領域、または異なる成膜領域との間）を隔離し、各工程の間の独立的な運転を維持し、異なる工程の間の相互干渉で、成膜品質に影響を与えることを回避する。同時に、薄膜の散乱増大を抑制するために、成膜領域において斜めの入射成分を減少させる必要がある。隔離カバーを用いることで、隔離カバーにより直進するスパッタ粒子が斜めの入射成分として薄膜中に混入することを防止することによって、薄膜の散乱増大を抑制することができる。
しかしながら、従来の成膜装置で形成された薄膜に、隔離カバーからの元素粒子がドープされやすく、薄膜の品質が低下するという問題がある。Inside the vacuum vessel, an isolation cover (Shield) is usually provided on the inner wall surface of the vacuum vessel in order to separate the reaction area and the film formation area spatially and pressure-wise. Here, the reaction area and the film formation area are both relatively independent inside the vacuum chamber by providing isolation covers. In some cases, the vacuum chamber is provided with different film formation regions, and two different types of substances are sputtered. Similarly, it is necessary to isolate the reaction area inside the vacuum vessel by means of an isolation cover.
A conventional isolation cover isolates the regions inside the vacuum vessel (between the reaction region and the deposition region, or between different deposition regions), maintains independent operation between each process, and to avoid affecting film formation quality due to mutual interference of At the same time, it is necessary to reduce the oblique incident component in the deposition region in order to suppress the thin film scattering increase. By using the isolation cover, it is possible to suppress an increase in scattering in the thin film by preventing the straight-ahead sputtered particles from being mixed into the thin film as an obliquely incident component.
However, there is a problem that the thin film formed by the conventional film forming apparatus is easily doped with elemental particles from the isolation cover, and the quality of the thin film deteriorates.

従来の隔離カバーは真空容器に溶接され、異なるロットの成膜過程で隔離カバーを交換することができず、長期間の使用過程で隔離カバーの受けたスパッタからの影響が次第に強くなって、隔離カバー自体の元素粒子を放出して薄膜に入りやすくなり、薄膜に不純物を混入し、薄膜の品質が低下している。また、隔離カバーからの元素粒子も薄膜元素の通常の成膜に影響を与え、成膜過程で異常な成膜現象を形成し、薄膜品質を低下させている。 The conventional isolation cover is welded to the vacuum vessel, and the isolation cover cannot be replaced during the deposition process of different lots. The elemental particles of the cover itself are easily released into the thin film, causing impurities to be mixed into the thin film and degrading the quality of the thin film. In addition, the elemental particles from the isolation cover also affect the normal deposition of thin film elements, forming abnormal deposition phenomena during the deposition process, and degrading the thin film quality.

本発明は以下のような構成で上記課題を解決することができる。
本発明に係る成膜装置は、
真空容器と、
軸線の回りを回動し、複数の基板を保持可能な基板保持手段と、
前記真空容器の内部に位置する成膜領域であって、スパッタリングによってターゲットからスパッタイオンを放出して前記基板に到達可能な成膜領域と、
前記成膜領域を前記真空容器内の他の領域から隔てる隔離手段と、
前記基板保持手段を搬送するための搬送機構とを含み、
前記搬送機構は、昇降可能な操作ステーションを備え、前記操作ステーションは、前記基板保持手段および前記隔離手段を載置するために用いられ、前記隔離手段が前記操作ステーションに載置された状態で、前記搬送機構とともに移動する。
また本発明において、前記搬送機構は、前記隔離手段を着脱可能に取り付け、かつ、前記基板保持手段を載置した状態で、前記真空容器内に前記基板保持手段及び前記隔離手段を搬入または搬出する。
本発明において、前記隔離手段は、前記真空容器の内側壁に着脱可能に取り付けられてもよい。
また本発明において、前記隔離手段は、前記真空容器の内側壁から前記基板保持手段に向かって延在し、前記隔離手段の延在方向が前記基板保持手段の軸方向に平行するように構成されてよい。
また本発明において、前記隔離手段は、対向して設けられた２つの隔離カバーを含み、前記成膜領域は２つの前記隔離カバーの間に位置する。
好ましい実施形態として、前記隔離手段は、前記基板保持手段が前記真空容器内に搬入または搬出される際に着脱されるように設けられている。
また本発明において、前記隔離手段は、前記基板保持手段が前記真空容器内に搬入または搬出される際に着脱されるように、前記搬送機構は、前記隔離手段と協働するように構成されてもよい。
また本発明において、前記搬送機構は前記隔離手段を着脱するように前記隔離手段を昇降させるように構成されてもよい。
また本発明において、前記搬送機構は、前記隔離手段を真空容器内に搬入する際に隔離手段と接続を保持するとともに、前記隔離手段が真空容器の側壁に取り付けられる際に隔離手段から離脱するように構成されてもよい。
また本発明において、前記搬送機構は、昇降可能な操作ステーションを備え、前記操作ステーションは、前記基板保持手段および前記隔離手段を載置するために用いられ、前記隔離手段が前記操作ステーションに載置された状態で、前記搬送機構とともに移動するように構成されてもよい。
また本発明において、前記隔離手段は係止部材を備え、前記真空容器の側壁には、前記係止部材に係合する支持部材が設けられ、前記係止部材が前記支持部材に係止された状態から、前記係止部材が上方へ移動することで前記支持部材から離れるように構成されてもよい。
また本発明において、前記操作ステーションに、前記隔離手段が前記隔離手段の延在方向に沿って挿入される挿入スロットが設けられている。
また本発明において、前記挿入スロットは前記操作ステーションの周縁に近接して設けられてもよい。 The present invention can solve the above problems with the following configuration.
The film forming apparatus according to the present invention is
a vacuum vessel;
a substrate holding means capable of rotating about an axis and holding a plurality of substrates;
a film forming region located inside the vacuum vessel, the film forming region being capable of reaching the substrate by emitting sputtered ions from a target by sputtering;
isolating means for separating the deposition region from other regions in the vacuum vessel;
a transport mechanism for transporting the substrate holding means,
The transport mechanism includes an operating station that can be raised and lowered, and the operating station is used to place the substrate holding means and the isolating means. With the isolating means placed on the operating station, It moves together with the transport mechanism.
Further, in the present invention, the transfer mechanism carries the substrate holding means and the separating means into or out of the vacuum vessel in a state in which the separating means is detachably attached and the substrate holding means is mounted. .
In the present invention, the isolating means may be detachably attached to the inner wall of the vacuum vessel.
Further, in the present invention, the separating means extends from the inner wall of the vacuum vessel toward the substrate holding means, and the extending direction of the separating means is parallel to the axial direction of the substrate holding means. you can
Further, in the present invention, the isolation means includes two isolation covers provided facing each other, and the film forming area is positioned between the two isolation covers.
As a preferred embodiment, the isolating means is provided so as to be detachable when the substrate holding means is carried into or out of the vacuum vessel.
Further, in the present invention, the transport mechanism is configured to cooperate with the isolation means so that the isolation means is detached when the substrate holding means is carried into or out of the vacuum vessel. good too.
Further, in the present invention, the transport mechanism may be configured to lift and lower the isolating means so as to attach and detach the isolating means.
Further, in the present invention, the transfer mechanism is configured to maintain connection with the isolating means when the isolating means is carried into the vacuum vessel, and to separate from the isolating means when the isolating means is attached to the side wall of the vacuum vessel. may be configured to
Further, in the present invention, the transport mechanism includes an operation station that can be raised and lowered, the operation station is used to place the substrate holding means and the isolation means, and the isolation means is placed on the operation station. It may be configured to move together with the transport mechanism in the state of being held.
Further, in the present invention, the isolating means includes a locking member, a side wall of the vacuum vessel is provided with a supporting member that engages with the locking member, and the locking member is locked to the supporting member. From the state, the locking member may move upward to separate from the supporting member.
Further, in the present invention, the operation station is provided with an insertion slot into which the isolating means is inserted along the extending direction of the isolating means .
Also in the present invention, the insertion slot may be provided close to the periphery of the operating station.

本発明は、成膜領域と真空容器内の他の領域とを隔てる隔離手段を設けるとともに、隔離手段を真空容器の内壁に着脱可能に取り付けることで、ロットの薄膜の形成後に真空容器から搬出して、次のロットの基板の成膜が必要なときに新たな隔離手段を交換できる。これにより、隔離手段がスパッタ成膜の過程で自体の元素粒子を放出することを回避でき、薄膜の品質を高めることができる。 According to the present invention, by providing isolation means for separating a film-forming area from other areas in the vacuum vessel, and by detachably attaching the isolation means to the inner wall of the vacuum vessel, a lot of thin films are carried out from the vacuum vessel after being formed. Thus, a new isolation means can be replaced when deposition of the next lot of substrates is required. As a result, the isolating means can be prevented from emitting its own elemental particles during the sputter deposition process, and the quality of the thin film can be improved.

後述の説明と図面を参照して、本発明の特定の実施形態が詳しく開示されており、本発明の原理が採用され得る態様が明示されている。本発明の実施形態は範囲上で規制されないと考えられるべきである。添付した請求項の精神と条項の範囲内で、本発明の実施形態には、多くの変更、修正及び同等が含まれる。
一つの実施形態に記載および/または示される特徴について、同一又は類似の態様で、一つ又は複数のほかの実施形態で使用され、ほかの実施形態における特徴と組み合わせ、又はほかの実施形態における特徴を代替することができる。
「含む/含める」という用語は、本文で使用される場合、特徴、部材全体、ステップ或いは部材の存在を指すが、一つ又は複数の他の特徴、部材全体、ステップ或いは部材の存在/付加を除外しない。DETAILED DESCRIPTION Certain embodiments of the invention are disclosed in detail with reference to the following description and drawings to illustrate the manner in which the principles of the invention may be employed. Embodiments of the invention should not be considered limited in scope. Embodiments of the invention include many variations, modifications and equivalents within the spirit and terms of the appended claims.
Features described and/or shown in one embodiment may be used in the same or similar manner in one or more other embodiments, combined with features in other embodiments, or features in other embodiments. can be substituted for
The term "comprises" as used herein refers to the presence of a feature, whole member, step or member, but does not include the presence/addition of one or more other features, whole members, steps or members. Do not exclude.

成膜状態での一部の成膜装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a part of a film forming apparatus in a film forming state; FIG. 本願の実施形態で提供しているシールドカバーを搬送した状態での成膜装置の模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram of a film forming apparatus in which a shield cover provided in an embodiment of the present application is transported; 図２がシールドカバーを搭載している状態での模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram of the state in which the shield cover is mounted. 図３の搭載終了の状態での模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram of FIG. 3 at the end of mounting; 図２の支持手段の模式図である。Figure 3 is a schematic diagram of the support means of Figure 2;

当業者が本発明における技術内容をより良好に理解するために、以下、本発明の実施形態における図面を結び付けて、本発明の実施形態における技術内容を明確で完全に説明する。説明する実施形態は本発明の全部の実施形態ではなく、一部の実施形態に過ぎないことが明らかである。本発明における実施形態に基づいて、当業者が進歩的な労力を払わずに取得したほかの実施形態の全ては、本発明の保護範囲に属するべきである。
なお、素子がほかの素子に「設けられる」と称される場合、ほかの素子に直接に位置してもよく、又は真ん中にほかの素子が存在してもよい。一つの素子がほかの素子に「接続される」と考えられる場合、ほかの素子に直接に接続されてもよく、又は真ん中にほかの素子が同時に存在する可能性もある。本文で使用される用語である「垂直な」、「水平な」、「左」、「右」及び類似する表現は説明のためのものに過ぎず、唯一の実施形態であることを表すものではない。
特に定義のない限り、本文で使用される全ての技術と科学用語は、当業者が一般的に理解する意味と同一である。本文において、本発明の明細書で使用される用語は、具体的な実施形態を説明することを目的とするだけで、本発明を規制するためではない。本文で使用される用語である「及び/又は」は、一つ又は複数の関連の列記された項目の任意及び全部の組み合わせを含む。In order for those skilled in the art to better understand the technical content of the present invention, the following clearly and completely describes the technical content of the embodiments of the present invention in conjunction with the drawings of the embodiments of the present invention. Apparently, the described embodiments are merely some rather than all embodiments of the present invention. All other embodiments obtained by persons skilled in the art without progressive efforts based on the embodiments in the present invention shall fall within the protection scope of the present invention.
It should also be noted that when an element is referred to as being “provided” with another element, it may be located directly on the other element or there may be the other element in between. Where an element is considered to be "connected" to another element, it may be directly connected to the other element, or there may be other elements in between at the same time. The terms "vertical", "horizontal", "left", "right" and similar expressions used herein are for the purpose of description only and do not represent the only embodiments. do not have.
Unless otherwise defined, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. As used herein, the terminology used in the specification of the present invention is for the purpose of describing particular embodiments only and is not for the purpose of regulating the present invention. As used herein, the term "and/or" includes any and all combinations of one or more of the associated listed items.

図１～図５を参照し、以下、本実施形態を説明する。本実施形態は、真空容器１と、垂直軸の回りを回動する、複数の基板を保持可能な基板保持手段２と、真空容器の内部に位置する成膜領域であって、スパッタリングによってターゲット４からスパッタイオンを放出して基板に到達可能な成膜領域と、成膜領域を真空容器１内の他の領域から隔てる、真空容器１内に着脱可能に取り付けられた隔離手段と、を含む成膜装置を提供している。 The present embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. This embodiment comprises a vacuum vessel 1, a substrate holding means 2 capable of holding a plurality of substrates and rotating around a vertical axis, and a film forming area located inside the vacuum vessel, where a target 4 is formed by sputtering. a deposition region capable of emitting sputtered ions from the vacuum vessel 1 to reach the substrate; We are offering membrane equipment.

本願の実施形態は、成膜領域と真空容器１内の他の領域とを隔てる隔離手段を設け、隔離手段を真空容器１の内壁に着脱可能に取り付けることで、ロットの薄膜の形成後に基板保持手段２とともに真空容器１から搬出し、次のロットの基板の成膜が必要なときに新たな隔離手段を交換し、ロットの基板の成膜過程に新たな隔離手段を用いることで、隔離手段がスパッタ成膜の過程で自体の元素粒子を放出することを回避し、薄膜に入る不純物を減少させ、異常成膜が発生する確率を低減し、薄膜の品質を高めることができる。 In the embodiment of the present application, by providing isolation means for separating the film formation area from other areas in the vacuum vessel 1 and detachably attaching the isolation means to the inner wall of the vacuum vessel 1, the substrate can be held after the thin film formation of the lot. It is carried out from the vacuum vessel 1 together with the means 2, replaced with a new isolating means when film formation on the substrate of the next lot is required, and is used in the film forming process of the substrate of the lot. can avoid emitting its own elemental particles in the process of sputtering deposition, reduce impurities entering the thin film, reduce the probability of abnormal deposition, and improve the quality of the thin film.

本実施形態において、成膜装置に、反応領域、カソード電極、スパッタ電源、プラズマ発生手段がさらに設けられてもよい。ここに、反応領域は真空容器１内に形成され、成膜領域と空間的に分離するように配置されている。通常、成膜領域および反応領域は、基板保持手段２の移動方向に上流と下流に配置されている。基板保持手段２の移動は、通常、循環または往復動であると考えられるため、成膜領域および反応領域の具体的な上下流の配置順序は、本実施形態では特に限定されない。 In this embodiment, the film forming apparatus may further include a reaction region, a cathode electrode, a sputtering power supply, and plasma generating means. Here, the reaction area is formed inside the vacuum vessel 1 and arranged so as to be spatially separated from the film forming area. Usually, the film forming area and the reaction area are arranged upstream and downstream in the moving direction of the substrate holding means 2 . Since the movement of the substrate holding means 2 is generally considered to be circulatory or reciprocating motion, the specific upstream and downstream arrangement order of the film formation region and the reaction region is not particularly limited in this embodiment.

本実施形態では、成膜装置は、ターゲット４をカソード電極に搭載してスパッタ電源を投入し、プラズマ発生手段を作動させるとともに、基板保持手段２の外周面に複数の基板を保持した状態で基板保持手段２を回転させることにより、ターゲット４から放出されたスパッタ粒子を、成膜領域に移動した基板に到達させて堆積し、スパッタプラズマ中のイオンを基板やスパッタ粒子の堆積物に衝突させるプラズマ処理を行い、中間膜を形成した後、スパッタプラズマ以外の他のプラズマ中のイオンを、反応領域に移動した基板の中間膜に衝突させるプラズマ再処理を行い、中間膜を超薄膜に変換した後、この超薄膜を複数層に積層して薄膜を形成するように構成されてもよい。 In this embodiment, the film forming apparatus mounts the target 4 on the cathode electrode, turns on the sputtering power supply, operates the plasma generating means, and simultaneously holds a plurality of substrates on the outer peripheral surface of the substrate holding means 2, thereby forming a substrate. By rotating the holding means 2, the sputtering particles emitted from the target 4 are caused to reach and deposit on the substrate moved to the film-forming region, and the ions in the sputtering plasma collide with the substrate and deposits of the sputtering particles. After processing to form an intermediate film, plasma reprocessing is performed in which ions in plasma other than the sputtering plasma collide with the intermediate film of the substrate that has moved to the reaction region, and the intermediate film is converted to an ultra-thin film. Alternatively, the ultra-thin film may be laminated in a plurality of layers to form a thin film.

本実施形態では、上記成膜装置はさらに駆動手段（不図示）を含んでもよい。駆動手段は、基板保持手段２を回転させ、駆動手段によって基板保持手段２を回転させることで、成膜領域内の所定の位置と反応領域内の所定の位置との間で基板を繰り返し移動させることができる。成膜領域は、スパッタプラズマによってターゲット４から放出するスパッタ粒子が到達する領域であり、反応領域は、スパッタプラズマ以外の他のプラズマに露出される領域である。 In this embodiment, the film forming apparatus may further include driving means (not shown). The driving means rotates the substrate holding means 2, and by rotating the substrate holding means 2 by the driving means, the substrate is repeatedly moved between a predetermined position within the film forming region and a predetermined position within the reaction region. be able to. The deposition region is a region where sputtered particles emitted from the target 4 by the sputtering plasma reach, and the reaction region is a region exposed to plasma other than the sputtering plasma.

上記発明でいう「移動」には、曲線の移動（例えば、円周移動）のほか、直線移動も含まれる。そのため、「基板を成膜領域から反応領域に移動させる」には、ある中心軸の回りを公転移動する形態のほか、ある２点を結ぶ直線軌道上を往復移動する形態も含まれる。
上記実施形態でいう「回転」には、自転のほか公転も含まれる。そのため、単に「中心軸の回りを回転する」と呼ばれる場合、ある中心軸の回りを自転する形態のほか、公転する形態も含まれる。
上記実施形態でいう「中間膜」とは、成膜領域を通過して形成された膜をいう。また、「薄膜」とは、超薄膜を何度も堆積して最終的な薄膜となるものを意味するため、「超薄膜」とは、この「薄膜」と混同されないように使用する用語であり、最終的な「薄膜」よりも十分薄い意味である。"Movement" as used in the above invention includes linear movement as well as curved movement (for example, circumferential movement). Therefore, "moving the substrate from the deposition area to the reaction area" includes reciprocating movement on a linear trajectory connecting two points in addition to revolving movement around a central axis.
"Rotation" as used in the above embodiments includes rotation as well as revolution. Therefore, when it is simply called "rotating around a central axis", it includes not only the form of rotating around a certain central axis but also the form of revolving.
The "intermediate film" in the above embodiment refers to a film formed by passing through the film formation region. In addition, "thin film" means a final thin film formed by depositing ultra-thin films many times. , meaning much thinner than the final "thin film".

図２～図４に示すように、本実施形態では、真空容器１は搬送機構が格納できる容器の本体である。該室ありの本体は鉛直方向（図３の紙面の上下方向である。以下同じ）に延びる側壁で平面方向（鉛直方向に対して垂直な方向。図２、図４の上下左右方向と図３の垂直紙面方向、以下同じ）を周回して構成されている。 As shown in FIGS. 2 to 4, in this embodiment, the vacuum container 1 is a container body in which a transfer mechanism can be accommodated. The main body with the chamber has side walls extending in the vertical direction (up and down direction on the paper surface of FIG. 3; the same shall apply hereinafter) in the plane direction (direction perpendicular to the vertical direction. Up and down and left and right directions in FIGS. , the same applies hereinafter).

本実施形態では、室ありの本体の平面方向での断面を矩形形状に形成したが、他の形状（例えば、円形など）でもよく、本発明は特に限定されない。真空容器１は、例えば、ステンレス鋼などの金属で構成することができる。 In the present embodiment, the cross section of the main body with the chamber in the plane direction is formed in a rectangular shape, but other shapes (for example, circular) may be used, and the present invention is not particularly limited. The vacuum vessel 1 can be made of metal such as stainless steel, for example.

本実施形態では、真空容器１の上方に軸（図３参照）を貫通させるための孔を形成してもよく、該真空容器１を電気的に接地して接地電位にすることができる。駆動手段は、該軸を回動させるように駆動することで、基板保持手段２を回動させるように駆動することができ、基板保持手段２は、該軸を中心に回動することによって、基板を成膜領域と反応領域とに切り替えて移動させることができる。具体的には、駆動手段はモータでもよい。 In this embodiment, a hole for passing a shaft (see FIG. 3) may be formed above the vacuum container 1, and the vacuum container 1 can be electrically grounded to a ground potential. The driving means can drive the substrate holding means 2 to rotate by driving the shaft to rotate. By rotating the substrate holding means 2 about the shaft, The substrate can be switched and moved between the deposition area and the reaction area. Specifically, the driving means may be a motor.

本実施形態では、軸は略管状部材で形成され、真空容器１の上方に形成された孔部分に配設された絶縁部材（不図示）を介して、真空容器１に対して回転可能に支持されている。軸は、インシュレータ、樹脂などからなる絶縁部材を介して真空容器１に支持されていることにより、真空容器１と電気的に絶縁された状態で真空容器１に対して回転することができる。 In this embodiment, the shaft is formed of a substantially tubular member, and is rotatably supported with respect to the vacuum vessel 1 via an insulating member (not shown) disposed in a hole formed above the vacuum vessel 1. It is Since the shaft is supported by the vacuum vessel 1 via an insulating member made of insulator, resin, or the like, it can rotate with respect to the vacuum vessel 1 while being electrically insulated from the vacuum vessel 1 .

本実施形態では、軸の真空容器１の外側に位置する上端側には、モータの出力側の第２ギア（不図示）と噛合する第１ギア（不図示）が固接されている。このため、モータの駆動により、回転駆動力が第２ギアを介して第１ギアに伝達されることで、軸を回転させる。 In this embodiment, a first gear (not shown) that meshes with a second gear (not shown) on the output side of the motor is fixed to the upper end of the shaft located outside the vacuum vessel 1 . Therefore, by driving the motor, rotational driving force is transmitted to the first gear via the second gear, thereby rotating the shaft.

図２から図４に示す実施形態では、軸の真空容器１の内側に位置するの下端部に筒状の回転体（回転ドラム）が固接されている。
本実施形態では、回転ドラムは、その円筒方向に延びる軸線Zが真空容器１の鉛直方向を向くように真空容器１内に配設されている。本実施形態では、回転ドラムを円筒状に形成したが、該形状に限定されるものではなく、横断面が多角形の多角柱状や円錐状でもよい。回転ドラムはモータの駆動により実現される軸の回転で、軸線Zを中心に回転する。
回転ドラムの外側（外周）には、基板保持手段２が装着されている。基板保持手段２の外周面には、複数の基板保持部（例えば、凹部。図示省略）が設けられており、該基板保持部で複数の成膜対象となる基板を裏面（成膜面とは反対側の面を指す）から支持することができる。In the embodiment shown in FIGS. 2 to 4, a cylindrical rotating body (rotating drum) is fixed to the lower end portion of the shaft located inside the vacuum vessel 1 .
In this embodiment, the rotary drum is arranged in the vacuum vessel 1 so that the axis Z extending in the cylindrical direction thereof faces the vertical direction of the vacuum vessel 1 . In the present embodiment, the rotating drum is formed in a cylindrical shape, but the shape is not limited to this shape, and may be a polygonal prism shape with a polygonal cross section or a conical shape. The rotary drum rotates about the axis Z by the rotation of the shaft realized by driving the motor.
A substrate holding means 2 is attached to the outside (periphery) of the rotating drum. A plurality of substrate holding portions (for example, concave portions; not shown) are provided on the outer peripheral surface of the substrate holding means 2, and a plurality of substrates to be film-formed are held in the substrate holding portions on the rear surface (film-forming surface). pointing to the opposite side).

本実施形態では、基板保持手段２の軸線（図示省略）は、回転ドラムの軸線Zと一致している。したがって、回転ドラムを、軸線Zを中心に回転させることで、基板保持手段２は回転ドラムの回転と同期して回転ドラムと一体となって該ドラムの軸線Zを中心に回転する。 In this embodiment, the axis (not shown) of the substrate holding means 2 coincides with the axis Z of the rotating drum. Therefore, by rotating the rotating drum about the axis Z, the substrate holding means 2 rotates about the axis Z of the drum in synchronism with the rotation of the rotating drum.

本実施形態では、排気機構は真空ポンプを含んでもよい。ここに、排気用の配管は真空容器１に接続されている。真空容器１内を排気するための真空ポンプは配管に接続されており、該真空ポンプとコントローラ（図示省略）によって真空容器１内の真空度を調節することができる。真空ポンプは、例えばロータリポンプやターボ分子ポンプ（TMP：turbo molecular pump）などで構成されてもよい。
真空容器１内に配置された基板保持手段２の周囲には、スパッタ源とプラズマ源（上記プラズマ発生手段の一具体例）が配設されている。図１に示す本実施形態では、２つのスパッタ源と１つのプラズマ源が配設されているが、本実施形態では、少なくとも１つのスパッタ源があればよく、これを基準として、後述する成膜領域も少なくとも１つあればよい。In this embodiment, the evacuation mechanism may include a vacuum pump. Here, an evacuation pipe is connected to the vacuum vessel 1 . A vacuum pump for evacuating the inside of the vacuum vessel 1 is connected to a pipe, and the degree of vacuum inside the vacuum vessel 1 can be adjusted by the vacuum pump and a controller (not shown). The vacuum pump may be composed of, for example, a rotary pump or a turbo molecular pump (TMP).
A sputtering source and a plasma source (a specific example of the plasma generation means) are arranged around the substrate holding means 2 arranged in the vacuum chamber 1 . In the embodiment shown in FIG. 1, two sputtering sources and one plasma source are provided. At least one area is sufficient.

本実施形態では、各スパッタ源の前面に成膜領域がそれぞれ形成されている。同様に、プラズマ源の前面には反応領域が形成されている。 In this embodiment, a film formation region is formed in front of each sputtering source. Similarly, a reaction zone is formed in front of the plasma source.

本実施形態では、成膜領域が真空容器１の内壁面、隔離手段、基板保持手段２の外周面および各スパッタ源の前面に囲まれた領域に形成されていることにより、隔離手段は成膜領域を真空容器１の内部でそれぞれ空間的および圧力的に分離させ、互いに独立した空間を確保している。異なる２種類の物質をスパッタすることを想定した実施形態では、２対のマグネトロンを設けて電極をスパッタしてもよい。
反応領域も成膜領域と同様に真空容器１の内壁面と、該内壁面から基板保持手段２に突出した隔壁と、基板保持手段２の外周面と、プラズマ源の前面とに囲まれた領域に形成されていることにより、反応領域も真空容器１の内部で成膜領域から空間的および圧力的に分離され、独立した空間が確保される。本実施形態では、各領域での処理をそれぞれ独立して制御できるように構成されている。In this embodiment, the film forming region is formed in a region surrounded by the inner wall surface of the vacuum vessel 1, the separating means, the outer peripheral surface of the substrate holding means 2, and the front surface of each sputtering source. The regions are separated spatially and pressure-wise inside the vacuum vessel 1 to secure mutually independent spaces. In an embodiment intended to sputter two different materials, two pairs of magnetrons may be provided to sputter the electrodes.
Similarly to the film forming area, the reaction area is an area surrounded by the inner wall surface of the vacuum chamber 1, the partition projecting from the inner wall surface to the substrate holding means 2, the outer peripheral surface of the substrate holding means 2, and the front surface of the plasma source. As a result, the reaction area is also spatially and pressure-separated from the film-forming area inside the vacuum chamber 1, and an independent space is secured. This embodiment is configured so that processing in each area can be independently controlled.

本実施形態では、隔離手段は真空容器１内に着脱可能に取り付けられている。ここに、好ましい実施形態として、隔離手段は、真空容器１の内壁に着脱可能に取り付けられている。真空容器１の内壁は、真空容器１の上部と底部との間の内側壁でもよい（上記の内壁面と理解されてもよい）。勿論、本実施形態では、隔離手段が真空容器１の上部および/または底部に着脱可能に接続され真空容器１内に固定される状況は除外されない。 In this embodiment, the isolating means is detachably attached inside the vacuum vessel 1 . Here, as a preferred embodiment, the isolation means are detachably attached to the inner wall of the vacuum vessel 1 . The inner wall of the vacuum container 1 may be the inner wall between the top and bottom of the vacuum container 1 (which may be understood as the inner wall above). Of course, in this embodiment the situation is not excluded in which the isolating means are detachably connected to the top and/or bottom of the vacuum vessel 1 and fixed within the vacuum vessel 1 .

また、隔離手段も、真空容器１内に着脱可能に架設されてもよく、例えば、あるブラケットが上記軸に取り付けられ、該ブラケットと軸との間が軸受を介して接続でき、該ブラケットを真空容器１に対して静止にし、軸の回動に影響しないようにし、隔離手段は該ブラケットに着脱可能に取り付けられてもよい。なお、該ブラケットは真空容器１の内側壁に取り付けられ、隔離手段が取り付けられるようにしてもよい。 The isolating means may also be detachably installed within the vacuum vessel 1. For example, a certain bracket is attached to the shaft, the bracket and the shaft can be connected via a bearing, and the bracket is connected to the vacuum chamber. The isolating means may be detachably attached to said bracket so as to remain stationary with respect to the container 1 and not affect pivoting of the shaft. The bracket may be attached to the inner wall of the vacuum vessel 1 and may be attached with isolation means.

隔離手段は真空容器１内に着脱可能に取り付けられる態様が多種あり、実際の製造取付では実際の状況に応じて自在に設置でき、隔離手段は真空容器１内で成膜領域を他の領域から分離（あるいは離間）できればよく、所望どおりに取外し交換が可能であることがわかる。 The isolation means can be detachably installed in the vacuum vessel 1 in various ways, and in actual manufacturing installation, it can be freely installed according to the actual situation. It is understood that it is sufficient to be able to separate (or separate) and that removal and replacement are possible as desired.

本実施形態では、隔離手段は、成膜領域を密閉空間に形成させるために、成膜領域の周囲を囲繞して設けられ、隔離手段は基板保持手段２と真空容器１の内壁との間に位置する。隔離手段は、図１に示すように、真空容器１の内壁から離れた一端（または片側）が基板保持手段２における基板に近接しているが、基板との間には一定の隙間があり、基板保持手段２による基板の往復移動と干渉するのを回避する。ゆえに、成膜領域の位置する密閉空間は相対的に密閉され、空間的および圧力的に他の領域から離間させればよい。 In this embodiment, the isolating means is provided so as to surround the film forming area in order to form the film forming area in a closed space, and the isolating means is provided between the substrate holding means 2 and the inner wall of the vacuum vessel 1. To position. As shown in FIG. 1, one end (or one side) of the isolating means away from the inner wall of the vacuum chamber 1 is close to the substrate in the substrate holding means 2, but there is a certain gap between it and the substrate. To avoid interfering with the reciprocating movement of the substrate by the substrate holding means 2. - 特許庁Therefore, the sealed space in which the film formation region is located should be relatively sealed and separated from the other regions in terms of space and pressure.

ここに、隔離手段は真空容器１の内側壁から基板保持手段２に向かって延在してもよく、例示的に、隔離手段は直線に沿って延びてもよく、曲線に沿って延びてもよい。可能な手段として、隔離手段は、基板保持手段２と真空容器１の内壁との間で斜めに延びてもよく、例えば、図２から図４において、隔離手段の延在方向と紙面の上下方向（長手方向）との間に０度より大きく９０度より小さい角度を有してもよい。 Here, the isolating means may extend from the inner wall of the vacuum vessel 1 toward the substrate holding means 2, and illustratively, the isolating means may extend along a straight line or along a curved line. good. As a possible measure, the isolating means may extend obliquely between the substrate holding means 2 and the inner wall of the vacuum vessel 1, for example in FIGS. (longitudinal direction) may have an angle greater than 0 degrees and less than 90 degrees.

本実施形態では、隔離手段は真空容器１の内側壁から基板保持手段２まで直線に延びてもよい。このときに、隔離手段の水平面での横断面は、ほぼ図２～図４に示すような長尺状であり、該長尺状の横断面の長手方向に平行な直線が存在する。
選択可能に、上記の説明に続いて、該隔離手段の真空容器１の内側壁から基板保持手段２までの延在方向と紙面の上下方向との間は平行でもよく、一定の角度を有してもよい。
該実施形態では、隔離手段は、位置する真空容器１の内側壁または内壁面に対して垂直であることが好ましい。このときの隔離手段は、図２、図４に示すように、真空容器１の内壁から基板保持手段２までの延在方向が紙面の上下方向と平行である。隔離手段は、長尺構造であり、具体的には、隔離手段の長手方向は、基板保持手段２の軸方向と平行である。In this embodiment, the isolation means may extend straight from the inner wall of the vacuum vessel 1 to the substrate holding means 2 . At this time, the horizontal cross-section of the isolation means is substantially elongated as shown in FIGS. 2 to 4, and there is a straight line parallel to the longitudinal direction of the elongated cross-section.
Optionally, following the above description, the extending direction of the isolating means from the inner wall of the vacuum vessel 1 to the substrate holding means 2 and the vertical direction of the paper surface may be parallel or have a certain angle. may
In said embodiment, the isolation means are preferably perpendicular to the inner wall or inner wall surface of the vacuum vessel 1 in which they are located. As shown in FIGS. 2 and 4, the isolating means at this time extends in parallel with the vertical direction of the paper surface from the inner wall of the vacuum chamber 1 to the substrate holding means 2 . The separating means has an elongated structure, and specifically, the longitudinal direction of the separating means is parallel to the axial direction of the substrate holding means 2 .

本実施形態では、隔離手段は、対向して設けられた２つの隔離カバー３を含んでもよい。隔離カバー３は、スペーサ、隔離板、シールド板、間隔板、遮蔽カバーとも呼ばれる。成膜領域は、２つの隔離カバー３の間に位置する。ここに、隔離カバー３は、単一の部材で構成されてもよいし、複数の部材を組み立てて形成されてもよい。例えば、隔離カバー３は矩形板でもよく、または、隔離カバー３は複数の遮蔽板が配置されて形成されてもよい。 In this embodiment, the isolating means may comprise two isolating covers 3 provided facing each other. The isolation cover 3 is also called a spacer, isolation plate, shield plate, spacing plate, or shield cover. The deposition area is located between two isolation covers 3 . Here, the isolation cover 3 may be composed of a single member, or may be formed by assembling a plurality of members. For example, the isolation cover 3 may be a rectangular plate, or the isolation cover 3 may be formed by arranging a plurality of shielding plates.

なお、本実施形態では、隔離手段が他の隔離部分を有することを除外するものではなく、２つの隔離カバー３の上端および下端がともに隔離板（または、ストライプ状の隔離構造、同じく隔離手段の一部）を介して接続され、「口」字状の構造の隔離手段を形成でき、このとき、隔離手段は成膜領域を囲むことによって、成膜領域を真空容器１内で他の領域から隔てる。ここに、真空容器１内において、ストライプ状の隔離構造は、同様に成膜領域と成膜領域の外部とを連通ように配置されてもよく、本発明は具体的に限定されない。 In this embodiment, it is not excluded that the isolation means has other isolation portions, and the upper and lower ends of the two isolation covers 3 are both isolation plates (or striped isolation structures, like isolation means). part of the vacuum vessel 1) to form an isolating means having a structure in the shape of a square. Separate. Here, in the vacuum vessel 1, the striped isolation structure may be similarly arranged so as to communicate between the film forming region and the outside of the film forming region, and the present invention is not specifically limited.

好ましい実施形態では、隔離手段は、対向して設けられた２つの隔離カバー３（shield）を含む。成膜領域は、２つの隔離カバー３の間に位置する。隔離カバー３は矩形板体の構造であり、それに応じて隔離カバー３はシールド板とも呼ばれる。
ロットの基板を交換する際に、対応する隔離手段を交換し易くするために、隔離手段は、基板保持手段２が真空容器１内に搬入または搬出される際に着脱されるように設けられている。これにより、薄膜の形成品質を向上できる。ここに、基板保持手段２の搬送動作と、隔離手段の着脱動作（取付・取外し動作）とを協働させることで、基板と隔離カバー３とを一緒に容易に交換できる。In a preferred embodiment, the isolating means comprises two isolating covers 3 (shield) provided oppositely. The deposition area is located between two isolation covers 3 . The isolating cover 3 is of rectangular plate construction, accordingly the isolating cover 3 is also called a shield plate.
In order to facilitate the replacement of the corresponding isolating means when replacing the lot of substrates, the isolating means is provided so as to be detachable when the substrate holding means 2 is carried into or out of the vacuum vessel 1. there is Thereby, the formation quality of the thin film can be improved. Here, by cooperating the conveying operation of the substrate holding means 2 and the attachment/detachment operation (attachment/removal operation) of the isolation means, the substrate and the isolation cover 3 can be easily replaced together.

なお、本願の「ロット」は、基板保持手段２に同時に成膜された複数の基板と理解でき、該複数の基板は同時にロード・アンロード（搬送、取り出し）される。隔離手段は真空容器１に着脱可能に取り付けられることで、所望のタイミングに交換することも可能であり、基板のロットと関連付けなくてもよい。また、隔離手段は真空容器１に着脱可能に取り付けられることで、隔離手段に対する操作やメンテナンスの利便性が向上される。 A "lot" in the present application can be understood as a plurality of substrates on which films are simultaneously formed on the substrate holding means 2, and the plurality of substrates are loaded/unloaded (transported and taken out) at the same time. The isolator is detachably attached to the vacuum container 1, so that it can be replaced at a desired timing and does not have to be associated with the substrate lot. In addition, since the isolation means is detachably attached to the vacuum vessel 1, convenience of operation and maintenance of the isolation means is improved.

具体的には、成膜装置は、基板保持手段２を搬送するための搬送機構５を含んでもよい。隔離手段と基板保持手段２が真空容器１内に搬入または搬出される際に着脱されるように、搬送機構５は、隔離手段と協働する。 Specifically, the film forming apparatus may include a transport mechanism 5 for transporting the substrate holding means 2 . The transfer mechanism 5 cooperates with the isolation means so that the isolation means and the substrate holding means 2 are detached when being carried into or out of the vacuum vessel 1 .

本実施形態では、真空容器１にロード室が接続されてもよい。基板保持手段２は、ロード室で基板の着脱作業を行う。基板保持手段２は、ロード室で基板のロードが完了すると、ロード室を閉じて真空状態となるように排気する。そして、真空容器１が開き、搬送機構５が基板保持手段２をロード室から真空容器１に搬送する。それに応じ、搬送機構５は、ロード室で基板をロードするときに、隔離手段を一緒にロード（搬送）してもよい。搬送機構５は真空容器１に入って隔離手段を真空容器１の内壁に掛かりかけてから、移動して作動位置に位置決めされる。 In this embodiment, a load chamber may be connected to the vacuum vessel 1 . The substrate holding means 2 performs a substrate loading/unloading operation in the load chamber. When the loading of the substrate in the load chamber is completed, the substrate holding means 2 closes the load chamber and evacuates the load chamber to a vacuum state. Then, the vacuum container 1 is opened, and the transfer mechanism 5 transfers the substrate holding means 2 from the load chamber to the vacuum container 1 . Accordingly, the transport mechanism 5 may load (transport) the isolation means together when loading the substrate in the load chamber. The transfer mechanism 5 enters the vacuum vessel 1, hooks the separating means on the inner wall of the vacuum vessel 1, and then moves to be positioned at the operating position.

成膜が終了した後、搬送機構５は基板保持手段２を搬送する。搬送機構５は、隔離手段を真空容器１からアンロードする（取り出される）。ここに、搬送機構５が隔離手段をアンロードする動作は、隔離手段をロードする動作と逆である。搬送機構５で基板保持手段２の搬送と隔離手段の着脱とを結合させることで、ロット毎の薄膜形成に対して隔離手段を交換し、薄膜の品質を高めることができる。 After the film formation is completed, the transport mechanism 5 transports the substrate holding means 2 . The transport mechanism 5 unloads (takes out) the isolation means from the vacuum vessel 1 . Here, the operation of the transport mechanism 5 unloading the isolating means is opposite to the operation of loading the isolating means. By combining the transportation of the substrate holding means 2 and the attachment and detachment of the isolation means by the transportation mechanism 5, the isolation means can be exchanged for thin film formation for each lot, and the quality of the thin film can be improved.

具体的には、搬送機構５は、隔離手段を真空容器１内に搬入する際に隔離手段との接続を保持するとともに、隔離手段が真空容器１の側壁に取り付けられる際に隔離手段から離脱する。ここに、搬送機構５と隔離手段との接続は制御可能であり、所定の動作によって隔離手段と搬送機構５との接続/離脱を実現可能である。 Specifically, the transfer mechanism 5 maintains connection with the isolation means when the isolation means is carried into the vacuum vessel 1, and disconnects from the isolation means when the isolation means is attached to the side wall of the vacuum vessel 1. . Here, the connection between the transport mechanism 5 and the isolation means can be controlled, and connection/disconnection between the isolation means and the transport mechanism 5 can be realized by a predetermined operation.

図２から図５に示す実施形態では、搬送機構５は昇降可能な操作ステーション１０を備える。操作ステーション１０は、基板保持手段２および隔離手段を載置するために用いられる。隔離手段が操作ステーション１０に載置された状態で搬送機構５と共に移動する。操作ステーション１０は並進運動によって隔離手段を真空容器１の内壁に着脱する。
搬送機構５は隔離手段を着脱するように隔離手段を昇降させることができる。搬送機構５には油圧シリンダ１１が設けられており、油圧シリンダ１１の伸縮によって搬送機構５の昇降が実現されてもよい。搬送機構５は、具体的には、操作ステーション１０、油圧シリンダ１１及びベース１２を含んでもよい。ベース１２は、チェーン１３の連動によって水平移動が実現される。油圧シリンダ１１は、ベース１２上に位置し、操作ステーション１０を支持する。操作ステーション１０の表面は、基板保持手段２および隔離手段を支持するために用いられる。In the embodiment shown in Figures 2 to 5, the transport mechanism 5 comprises a manipulating station 10 which can be raised and lowered. The handling station 10 is used to mount the substrate holding means 2 and the isolating means. The isolating means are placed on the operating station 10 and moved together with the transport mechanism 5 . The operating station 10 attaches and detaches the isolation means to and from the inner wall of the vacuum vessel 1 by translational movement.
The transport mechanism 5 can lift and lower the isolating means so as to attach and detach the isolating means. A hydraulic cylinder 11 is provided in the conveying mechanism 5 , and the lifting and lowering of the conveying mechanism 5 may be realized by extending and contracting the hydraulic cylinder 11 . The transport mechanism 5 may specifically include an operating station 10 , a hydraulic cylinder 11 and a base 12 . Horizontal movement of the base 12 is realized by interlocking of the chain 13 . Hydraulic cylinders 11 are located on base 12 and support operating station 10 . A surface of the handling station 10 is used to support the substrate holding means 2 and the isolation means.

隔離カバー３は、係止部材６を備える。ここに、係止部材６は隔離カバー３の狭辺側に取り付けられてもよい。好ましくは、係止部材６は隔離カバー３の側辺に溶接されてもよく、係止部材６と隔離カバー３とは一体構造でもよい。真空容器１の側壁には、係止部材６に係合する支持部材７が設けられている。係止部材６が支持部材７に係止された状態から、係止部材６は上方へ移動することで、支持部材７から離れることができる。 The isolation cover 3 has a locking member 6 . Here, the locking member 6 may be attached to the narrow side of the isolation cover 3 . Preferably, the locking member 6 may be welded to the side edge of the isolation cover 3, and the locking member 6 and the isolation cover 3 may be of integral construction. A side wall of the vacuum vessel 1 is provided with a support member 7 that engages with the locking member 6 . The locking member 6 can be separated from the supporting member 7 by moving upward from the state in which the locking member 6 is locked to the supporting member 7 .

本実施形態では、係止部材６はフック構造（係止フック）でもよい。それに応じ、支持部材７も同様にフック構造（支持フック）となる。支持フックと真空容器１の内壁との間には挿入隙間が形成され、挿入隙間に係止フックが挿入され、支持フックと真空容器１の内壁との間を充填する。係止フックと支持部材７との係合する係止長さを適切に長くすることで、隔離カバー３のがたつきを回避することができる。これにより、隔離カバー３を真空容器１内に安定して取り付けることができる。 In this embodiment, the locking member 6 may have a hook structure (locking hook). Correspondingly, the support member 7 also has a hook structure (support hook). An insertion gap is formed between the support hook and the inner wall of the vacuum vessel 1 , and a locking hook is inserted into the insertion gap to fill the space between the support hook and the inner wall of the vacuum vessel 1 . By appropriately lengthening the locking length of engagement between the locking hook and the support member 7, the separation cover 3 can be prevented from rattling. Thereby, the isolation cover 3 can be stably attached inside the vacuum vessel 1 .

本実施形態では、隔離カバー３は、長手方向に沿って係止部材６が複数設けられてもよい。それに応じて、真空容器１の内壁には、複数の係止部材６に合う支持部材７が複数設けられてもよい。複数の支持部材７と係止部材６とは１対１で対応可能である。また、異なる支持部材７を係止することで、隔離カバー３の垂直方向の高さの調整を実現することもできるが、本願は唯一に限定されない。 In this embodiment, the isolation cover 3 may be provided with a plurality of locking members 6 along the longitudinal direction. Accordingly, the inner wall of the vacuum vessel 1 may be provided with a plurality of support members 7 that fit the plurality of locking members 6 . The plurality of supporting members 7 and locking members 6 can correspond to each other on a one-to-one basis. The vertical height adjustment of the isolation cover 3 can also be realized by locking different support members 7, but the present application is not the only one.

操作ステーション１０に、隔離手段が隔離手段の延在方向に沿って挿入される挿入スロット８が設けられている。隔離カバー３の下端には、挿入スロット８に挿入される挿入部９が設けられている。隔離カバー３は、スロット８に挿入され、垂直方向を保持できる。ここに、挿入スロット８は、基板保持手段２の搬入方向に沿って基板保持手段２の前側に位置する。具体的には、挿入スロット８は、操作ステージ１０の周縁に近接して設けられる。挿入スロット８の形状は、隔離カバー３の挿入部９の形状に合わせてもよい。図５に示すように、挿入スロット８の形状は矩形である。 The operating station 10 is provided with an insertion slot 8 into which the separating means are inserted along the direction of extension of the separating means. An insertion portion 9 to be inserted into the insertion slot 8 is provided at the lower end of the isolation cover 3 . The isolation cover 3 can be inserted into the slot 8 and kept vertical. Here, the insertion slot 8 is located on the front side of the substrate holding means 2 along the loading direction of the substrate holding means 2 . Specifically, the insertion slot 8 is provided close to the periphery of the manipulation stage 10 . The shape of the insertion slot 8 may match the shape of the insertion portion 9 of the isolation cover 3 . As shown in FIG. 5, the shape of the insertion slot 8 is rectangular.

もちろん、本実施形態の搬送機構５が隔離カバー３を着脱するには、上記係止部材６と支持部材７に限定されない。搬送機構５には、電子制御の把持機構が設けられてもよい。電子制御によりスペーサを所望のタイミングで解放したり把持したりすることを実現する。これによって、隔離カバー３の着脱が完了する。 Of course, the attachment and detachment of the isolation cover 3 by the transport mechanism 5 of this embodiment is not limited to the locking member 6 and the support member 7 described above. The transport mechanism 5 may be provided with an electronically controlled gripping mechanism. It is realized that the spacer is released or gripped at a desired timing by electronic control. This completes attachment and detachment of the isolation cover 3 .

具体的な適応場面では、図２から図５に示すものを参照する。ロード室では、搬送機構５が回転ドラム（基板保持手段２）を載置し、作業員が２つの新たな隔離カバー３を操作ステージ１０上の挿入スロット８に挿入して、２つの新たな隔離カバー３の取付を完成する。同時に、作業員は、複数の膜形成される基板を回転ドラムにおける基板保持手段２に取り付ける。このロットの基板と隔離カバー３の取付を完成し後、ロード室を閉じて真空引きする。そして、真空容器１を開放して搬送機構５は、チェーン１３の駆動により、ベース１２が操作ステージ１０を真空容器１内部の成膜室に進入させるように駆動する（図２を参照）。 For specific application scenarios, refer to FIGS. 2 to 5. FIG. In the load chamber, the transfer mechanism 5 places the rotating drum (substrate holding means 2), and the operator inserts two new isolation covers 3 into the insertion slots 8 on the operation stage 10 to create two new isolation covers. Complete the installation of the cover 3. At the same time, the operator attaches a plurality of substrates to be filmed to the substrate holding means 2 on the rotating drum. After completing the attachment of the substrates of this lot and the isolation cover 3, the load chamber is closed and evacuated. Then, the vacuum vessel 1 is opened and the transport mechanism 5 drives the base 12 by driving the chain 13 so that the operation stage 10 enters the film forming chamber inside the vacuum vessel 1 (see FIG. 2).

搬送機構５が真空容器１の内壁に接近するまで前進し続ける際、搬送機構５の油圧シリンダ１１が操作ステージ１０を押し上げ、隔離カバー３の係止部材６が真空容器１の内壁における支持体７よりも高くなるまで上昇させる（図３を参照）。そして、搬送機構５は、係止部材６が支持体７と真空容器１の内壁との間の挿入スロットを下方に位置するまで、真空容器１の内壁に接近して移動し続ける。油圧シリンダ１１が短縮し、下方に移動させるように操作ステージ１０を駆動する。隔離カバー３が操作ステージ１０に伴って下方に移動するのに伴い、係止部材６が支持体７に挿入され、隔離カバー３の係止を完成する。操作ステージ１０は下へ移動し続け、隔離カバー３は支持体７に位置規制されることによって、操作ステージ１０における挿入スロット８から外れ、操作ステージ１０からの離脱を完成する（図４を参照）。その後、搬送機構５が基板保持手段２を所定の位置に搬送し、基板保持手段２の取付を完成する。 When the transfer mechanism 5 continues to move forward until it approaches the inner wall of the vacuum vessel 1 , the hydraulic cylinder 11 of the transfer mechanism 5 pushes up the operation stage 10 and the locking member 6 of the isolation cover 3 engages the support 7 on the inner wall of the vacuum vessel 1 . (See Figure 3). The transport mechanism 5 then continues to move closer to the inner wall of the vacuum vessel 1 until the locking member 6 is positioned below the insertion slot between the support 7 and the inner wall of the vacuum vessel 1 . The hydraulic cylinder 11 shortens and drives the operation stage 10 to move downward. As the isolation cover 3 moves downward with the operating stage 10 , the locking member 6 is inserted into the support 7 to complete the locking of the isolation cover 3 . The operation stage 10 continues to move downward, and the isolation cover 3 is released from the insertion slot 8 in the operation stage 10 by being restrained by the support 7, completing the separation from the operation stage 10 (see FIG. 4). . After that, the transport mechanism 5 transports the substrate holding means 2 to a predetermined position, and the mounting of the substrate holding means 2 is completed.

該ロットの基板上での薄膜の成膜を完成した後、基板保持手段２の回転を停止する。ロード室を真空引きし、真空容器１を開放して、成膜室とロード室と連通する。
搬送機構５により回転ドラム（基板保持手段２）を載置し移動させる。そして、搬送機構５が基板保持手段２を載置し、挿入スロット８が隔離カバー３（挿入部９）の直下に位置するまで真空容器１の内壁に近接して移動する。搬送機構５の油圧シリンダ１１は、操作台１０を支持して上方に移動する。操作ステージ１０における挿入スロット８が上に移動する過程で隔離カバー３の挿入部９に挿入されることによって、隔離カバー３が搬送機構５に取り付けられる。搬送機構５の操作ステージ１０は、油圧シリンダ１１の押動により上昇し続け、係止部材６と支持体７を離脱させるまで両者を押動する。係止部材６が支持体７の上方に位置して支持体７から離脱した後、搬送機構５は、チェーン１３を介してベース１２を真空容器１から離れた（成膜領域が形成された）内壁に向かって、係止部材６と支持体７とが垂直方向に離脱するまで移動させるように駆動する。そして、搬送機構５は、油圧シリンダ１１を短縮することで操作ステージ１０を所定の高さまで下降させ、最後に、操作ステージ１０が基板保持手段２と隔離カバー３を載置してロード室に入り、真空容器１を閉じた後、ロード室を開放してめっきを完成した該ロットの基板を取り外すと同時に、新たな隔離カバー３を交換する。After completing the thin film deposition on the substrates of the lot, the rotation of the substrate holding means 2 is stopped. The load chamber is evacuated, the vacuum vessel 1 is opened, and the film forming chamber and the load chamber are communicated with each other.
A conveying mechanism 5 places and moves a rotating drum (substrate holding means 2 ). Then, the transfer mechanism 5 places the substrate holding means 2 and moves close to the inner wall of the vacuum vessel 1 until the insertion slot 8 is positioned directly below the isolation cover 3 (insertion portion 9). A hydraulic cylinder 11 of the transfer mechanism 5 moves upward while supporting the operation table 10 . The isolation cover 3 is attached to the transport mechanism 5 by being inserted into the insertion portion 9 of the isolation cover 3 while the insertion slot 8 in the operation stage 10 moves upward. The operation stage 10 of the transfer mechanism 5 continues to be raised by the pushing motion of the hydraulic cylinder 11, and pushes the locking member 6 and the support member 7 until both are separated. After the locking member 6 is positioned above the support 7 and separated from the support 7, the transport mechanism 5 separates the base 12 from the vacuum chamber 1 via the chain 13 (a film formation region is formed). Towards the inner wall, the locking member 6 and the support 7 are driven to disengage vertically until they are disengaged. Then, the transport mechanism 5 shortens the hydraulic cylinder 11 to lower the operation stage 10 to a predetermined height. After the vacuum vessel 1 is closed, the load chamber is opened to remove the substrates of the lot whose plating has been completed, and at the same time, the isolation cover 3 is replaced with a new one.

次のロットの基板の成膜を完成するまで、上記の手順を繰り返す。
なお、上記実施形態における搬送機構５は、並進する形態で隔離カバー３の着脱を実現する。搬送機構５は並進方式に限られず、回転、揺動、電子制御などの複数の動作形式、あるいは異なる動作形式の組み合わせでもよいが、本願は唯一に限定されない。
本文で引用されている何れかの数値は全て下限値から上限値まで１つの単位でアップする下位値と上位値の全ての値を含み、何れかの下位値と何れかの上位値との間に少なくとも２つの単位の間隔があればよい。例を挙げると、もし１つの部材の数または過程変数（例えば温度、圧力、時間等）の値は１から９０と記載すると、２０から８０が好ましく、３０から７０がより好ましく、該明細書にも、例えば１５から８５、２２から６８、４３から５１、３０から３２などの値も明確に列挙されていることを説明することを目的とする。１より小さい値について、１つの単位が０.０００１、０.００１、０.０１、０.１であると適宜に考えられる。こられは明確に記載しようとする例示に過ぎず、最低値と最高値との間に列挙されている数値の全ての可能な組合せは類似する方式で該明細書に明確に記載されていると考えられる。
特に説明されるほか、全ての範囲は端点及び端点間の全ての数字を含む。範囲とともに使用される「約」又は「近似」は該範囲の２つの端点に適合される。従って、「約２０から３０」は、「約２０から約３０」をカバーしようとし、少なくとも明記されている端点を含む。The above procedure is repeated until the deposition of the next lot of substrates is completed.
It should be noted that the transport mechanism 5 in the above embodiment realizes attachment and detachment of the isolation cover 3 in a form of translation. The conveying mechanism 5 is not limited to the translation method, and may be a combination of a plurality of operation types such as rotation, swing, and electronic control, or a combination of different operation types, but the present application is not limited to only one.
Any numerical value quoted in the text includes all values of lower and upper values incrementing by one unit from the lower value to the upper value, and between any lower value and any upper value. should be at least two units apart. By way of example, if the number of a member or the value of a process variable (e.g. temperature, pressure, time, etc.) is stated as 1 to 90, preferably 20 to 80, more preferably 30 to 70, as described herein. for example, values from 15 to 85, from 22 to 68, from 43 to 51, from 30 to 32 are also explicitly listed. For values less than one, one unit is arbitrarily considered to be 0.0001, 0.001, 0.01, 0.1. These are merely examples intended to be explicitly stated, and all possible combinations of numerical values recited between the minimum and maximum values are expressly stated herein in an analogous manner. Conceivable.
Unless specifically stated, all ranges include the endpoints and all numbers between the endpoints. "About" or "approximately" used with ranges applies to the two endpoints of the range. Thus, "about 20 to 30" is intended to cover "about 20 to about 30" and includes at least the specified endpoints.

開示された全ての文章及び参考資料（特許出願と出版物を含む）は、種々の目的のために引用によってここに記載されている。組み合わせを説明するための用語である「基本的に…からなる」は、確定した素子、成分、部品又はステップ及び実質的に該組み合わせの基本的な新規性要件に影響を及ぼさないほかの素子、成分、部品又はステップを含むと考えられる。用語である「含む」又は「含める」などでここの素子、成分、部品又はステップの組合せを説明することについて、基本的にこれらの素子、成分、部品又はステップからなる実施形態も考えられる。ここで、用語である「でもよい」を使用することによって、「でもよい」に含まれる説明したいかなる属性も選択可能であると説明することを図る。 All texts and references disclosed (including patent applications and publications) are hereby incorporated by reference for various purposes. The term "consisting essentially of" to describe a combination includes defined elements, components, parts or steps and other elements that do not materially affect the basic novelty requirement of the combination; It may be considered to include a component, part or step. For describing a combination of elements, components, components or steps herein, such as using the term "comprising" or "including", embodiments consisting essentially of these elements, components, components or steps are also contemplated. Here, by using the term may, we attempt to describe that any of the described attributes included in may be selectable.

複数の素子、成分、部品又はステップは単独な集積素子、成分、部品又はステップによって提供されることができる。又は、単独な集積素子、成分、部品又はステップは分離した複数の素子、成分、部品又はステップに分けることができる。素子、成分、部品又はステップを説明するために開示した「ある」又は「一つ」は、ほかの素子、成分、部品又はステップを除外するものではない。 A plurality of elements, components, parts or steps may be provided by a single integrated element, component, part or step. Alternatively, a single integrated element, component, part or step may be divided into separate plural elements, components, parts or steps. "A" or "a" disclosed to describe an element, component, component or step does not exclude other elements, components, components or steps.

以上の説明は規制するためのものではなく、図示して説明するためのものであると考えられる。上記説明を閲覧することによって、提供された例示以外の多くの実施形態及び多くの応用は、当業者にとって自明なものである。従って、本教示の範囲については、上記説明を参照して確定するものではなく、添付した請求項及びこれらの請求項に記載の相当物の範囲の全てを参照して確定すべきである。全面的になる目的から、全ての文章及び参考資料（特許出願と出版物を含む）は、引用によってここに記載されている。請求項で省略されるが、ここで開示された主題のいかなる面は、該主体内容を放棄するためのものではなく、発明者が該主題を開示の発明主題の一部に考慮しないと考えてはならない。 The foregoing description is to be considered illustrative and not restrictive. Many embodiments and many applications other than the examples provided will be apparent to those of skill in the art upon reviewing the above description. Accordingly, the scope of the present teachings should be determined not with reference to the above description, but rather should be determined with reference to the appended claims along with their full scope of equivalents. For the purpose of completeness, all texts and references (including patent applications and publications) are hereby incorporated by reference. Any aspect of the subject matter disclosed herein, although omitted in the claims, is not intended to disclaim that subject matter, nor is the subject matter considered by the inventors to be part of the inventive subject matter of the disclosure. should not.

１…真空容器
２…基板保持手段
３…隔離カバー
４…ターゲット
５…搬送機構
６…係止部材
７…支持体
８…挿入スロット
９…挿入部
１０…操作ステーション
１１…油圧シリンダ
１２…ベース
１３…チェーンREFERENCE SIGNS LIST 1 Vacuum vessel 2 Substrate holding means 3 Isolation cover 4 Target 5 Transfer mechanism 6 Locking member 7 Support member 8 Insertion slot 9 Insertion portion 10 Operation station 11 Hydraulic cylinder 12 Base 13 chain

Claims (5)

真空容器と、
軸線の回りを回動し、複数の基板を保持可能な基板保持手段と、
前記真空容器の内部に位置する成膜領域であって、スパッタリングによってターゲットからスパッタイオンを放出して前記基板に到達可能な成膜領域と、
前記成膜領域を前記真空容器内の他の領域から隔てる、前記真空容器内に着脱可能に取り付けられた隔離手段と、
前記基板保持手段を搬送するための搬送機構とを含み、
前記搬送機構は、昇降可能な操作ステーションを備え、
前記操作ステーションは、前記基板保持手段および前記隔離手段を載置するために用いられ、前記隔離手段が前記操作ステーションに載置された状態、前記搬送機構とともに移動することを特徴とする成膜装置。 a vacuum vessel;
a substrate holding means capable of rotating about an axis and holding a plurality of substrates;
a film forming region located inside the vacuum vessel, the film forming region being capable of reaching the substrate by emitting sputtered ions from a target by sputtering;
isolating means detachably attached within the vacuum vessel for isolating the deposition area from other areas within the vacuum vessel;
a transport mechanism for transporting the substrate holding means,
The transport mechanism includes an operation station that can be raised and lowered,
The film forming apparatus is characterized in that the operation station is used to mount the substrate holding means and the isolation means, and the isolation means moves together with the transport mechanism while being placed on the operation station. . 前記隔離手段は係止部材を備え、
前記真空容器の側壁には、前記係止部材に係合する支持部材が設けられ、前記係止部材が前記支持部材に係止された状態から、前記係止部材が上方へ移動することで前記支持部材から離れることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 the isolation means comprises a locking member;
A side wall of the vacuum container is provided with a support member that engages with the locking member. 2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the film forming apparatus is separated from the supporting member . 前記操作ステーションに、前記隔離手段が前記隔離手段の延在方向に沿って挿入される挿入スロットが設けられていることを特徴とする請求項２に記載の 成膜装置。 3. The method according to claim 2, wherein said operating station is provided with an insertion slot into which said isolating means is inserted along the extending direction of said isolating means. Deposition equipment. 前記挿入スロットは前記操作ステーションの周縁に近接して設けられることを特徴とする請求項３に記載の 成膜装置。 4. A device according to claim 3, wherein said insertion slot is provided proximate the periphery of said operating station. Deposition equipment. 前記隔離手段は、対向して設けられた２つの隔離カバーを含み、 The isolation means includes two isolation covers provided facing each other,
前記成膜領域は２つの前記隔離カバーの間に位置することを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の成膜装置。 5. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the film forming area is positioned between the two isolation covers.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115386853A (en) * 2022-08-16 2022-11-25 深圳市瑞泓塑胶五金镀膜技术有限公司 Coating device with adjustable coating rate for hardware processing

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012053171A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 株式会社アルバック Vacuum processing apparatus
JP2014222693A (en) 2013-05-13 2014-11-27 大陽日酸株式会社 Vapor growth device and component transfer method of the same
JP2018090867A (en) 2016-12-06 2018-06-14 東京エレクトロン株式会社 Method for forming film on substrate, and film deposition system

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06136517A (en) * 1992-10-26 1994-05-17 Sony Corp Formation of thin film and device therefor
JP6533511B2 (en) * 2015-06-17 2019-06-19 株式会社シンクロン Film forming method and film forming apparatus
CN108690963B (en) * 2017-04-10 2020-06-23 株式会社新柯隆 Film forming apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012053171A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 株式会社アルバック Vacuum processing apparatus
JP2014222693A (en) 2013-05-13 2014-11-27 大陽日酸株式会社 Vapor growth device and component transfer method of the same
JP2018090867A (en) 2016-12-06 2018-06-14 東京エレクトロン株式会社 Method for forming film on substrate, and film deposition system

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