JP7104266B1 - 希土類含有SiC基板及びSiC複合基板 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明による希土類含有SiC基板は、希土類元素及びホウ素(B)を含む二軸配向SiC層を備える。二軸配向SiC層は、Bの濃度CBの、希土類元素の濃度CREに対する比CB/CREが、1.0×10-2~1.0×105である。このように、希土類含有SiC基板(具体的には二軸配向SiC層)にホウ素(B)を所定の濃度比で含有させることで、基板加工時の割れ及びクラックを低減することができる。したがって、本発明の希土類含有SiC基板は高い歩留まりで製造及び加工することができる。
本発明の希土類含有SiC基板はSiC複合基板の形態であるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、SiC単結晶基板と、SiC単結晶基板上の上述した希土類含有SiC基板とを備えた、SiC複合基板が提供される。このように、希土類元素及びホウ素(B)を所定の濃度比で含む二軸配向SiC層を備えた希土類含有SiC基板をSiC複合基板が備えることで、基板加工時の割れ及びクラックを低減することができる。
本発明の希土類含有SiC基板を備えるSiC複合基板は、(a)SiC単結晶基板上に所定の配向前駆体層を形成し、(b)SiC単結晶基板上で配向前駆体層を熱処理してその少なくともSiC単結晶基板近くの部分を希土類含有SiC基板(二軸配向SiC層)に変換し、所望により(c)研削や研磨等の加工を施して二軸配向SiC層の表面を露出させることにより好ましく製造することができる。しかしながら、SiC複合基板の製造方法には限定がなく、希土類元素を含有するSiC基板を得ることができればよい。例えば、CVDや昇華法のような気相法でもよいし、溶液法のような液相法でもよい。二軸配向SiC層中のBの濃度は、原料に添加するホウ素やホウ素化合物(例えば炭化ホウ素)の量を調節したり、原料を仮焼したり、SiC単結晶へ金属ホウ素を蒸着することにより、制御することができる。このような製造方法によれば、希土類元素とBの濃度比が制御された二軸配向SiC層を備えた希土類含有SiC基板を好ましく作製することができ、希土類含有SiC基板ないしそれを用いたSiC複合基板加工時の割れ及びクラックを効果的に低減することができる。
配向前駆体層40は、後述の熱処理により希土類含有SiC基板(二軸配向SiC層)30となるものである。配向前駆体層40の形成工程では、SiC単結晶基板20の結晶成長面に配向前駆体層40を形成する。
熱処理工程では、SiC単結晶基板20上に配向前駆体層40が積層又は載置された積層体を熱処理することにより希土類含有SiC基板30を生成させる。熱処理方法は、SiC単結晶基板20を種としたエピタキシャル成長が生じるかぎり特に限定されず、管状炉やホットプレート等、公知の熱処理炉で実施することができる。また、これらの常圧(プレスレス)での熱処理だけでなく、ホットプレスやHIPなどの加圧熱処理や、常圧熱処理と加圧熱処理の組み合わせも用いることができる。熱処理の雰囲気は真空、窒素、及び不活性ガス雰囲気から選択することができる。熱処理温度は、好ましくは1700~2700℃である。温度を高くすることで、SiC単結晶基板20を種結晶として配向前駆体層40がc軸及びa軸に配向しながら成長しやすくなる。したがって、熱処理温度は、好ましくは1700℃以上、より好ましくは1800℃以上、さらに好ましくは1900℃以上、特に好ましくは2200℃以上である。一方、温度が過度に高いと、SiCの一部が昇華により失われたり、SiCが塑性変形して反り等の不具合が生じたりする可能性がある。したがって、熱処理温度は、好ましくは2700℃以下、より好ましくは2500℃以下である。しかしながら、熱処理条件は、二軸配向SiC層中の希土類元素やBの含有量に影響を与えるため、その条件(例えば熱処理温度や保持時間)を適宜制御するのが好ましい。このような観点から、熱処理温度は、好ましくは1900~2700℃、より好ましくは2200~2600℃、さらに好ましくは2400~2500℃である。また、その保持時間は2~30時間が好ましく、より好ましくは4~20時間である。また、熱処理は複数の段階に分けて行ってもよい。例えば、窒素雰囲気中で1950℃にて3時間熱処理し、その後アルゴン雰囲気中で2400℃にて3時間熱処理する等の条件で実施してもよい。このような場合であっても、熱処理温度及び合計保持時間は、上記範囲内であることが好ましい。さらに、熱処理温度や保持時間はエピタキシャル成長で生じる希土類含有SiC基板30の厚さにも関係しており、適宜調整することができる。
研削工程では、熱処理工程後に希土類含有SiC基板30上に残った配向前駆体層40を研削除去して、希土類含有SiC基板30の表面を露出させ、露出した表面をダイヤモンド砥粒を用いて研磨加工し、更にCMP(化学機械研磨)仕上げを行う。こうすることにより、SiC複合基板10を得る。
(1)配向前駆体層の作製
市販の微細β-SiC粉末(体積基準D50粒径:0.7μm)100重量%に対して、酸化イットリウム粉末(体積基準D50粒径:0.1μm)9.0重量%、炭化ホウ素粉末(体積基準D50粒径:0.5μm)15.0重量%を、SiCボールを使用してエタノール中で24時間ボールミル混合し、乾燥することで混合粉末(原料粉体)を得た。SiC単結晶層として市販のSiC単結晶基板(n型4H-SiC、直径約100mm(4インチ)、Si面、(0001)面、オフ角4°、厚さ0.35mm、オリフラなし)を用意し、図3に示すAD装置50によりSiC単結晶基板上に混合粉末を噴射してAD膜(配向前駆体層)を形成した。
配向前駆体層であるAD膜を形成したSiC単結晶基板をAD装置から取り出し、N2雰囲気中で1950℃にて3時間アニールし、その後アルゴン雰囲気中で2400℃にて3時間アニールした。すなわち、配向前駆体層を熱処理して熱処理層とした。
得られた熱処理層の表面全域が裏面(SiC単結晶基板の底面)と平行となるようにグラインダ(1000~6000番手のダイヤモンドホイール)で平面研削を行った。続いて熱処理層の表面全域を、ダイヤモンド砥粒(粒度3.0μm、1.0μm、0.5μm及び0.1μmのもの)を粒度の大きい順に用いて研磨加工した後、化学機械研磨(CMP)仕上げをし、目標の厚さ及び面状態にして、研削及び研磨加工を終了した。このようにしてSiC基板を得た。
(4-1)研磨後の割れ及びクラック発生率
工業用顕微鏡(ニコン製、ECLIPSE、LV150N)を用いて、接眼レンズを10倍、対物レンズを5倍とした。偏光モード及び微分干渉モードにてSiC基板の表面全体を観察し、割れやクラックが確認された場合は割れやクラックが存在する基板とみなした。このとき、割れ及びクラックは長さが100μm以上のもののみを、割れ及びクラックとしてカウントした。上記のように作製したSiC基板と同一条件で作製したSiC基板100枚のうち、長さが100μm以上の割れ及びクラックがあるSiC基板の数を求めることで、割れ及びクラックの発生率(%)を算出した。
上記(4-1)の評価後、作製した100枚のSiC基板から1枚抜き取り、SiC基板の研磨面に対してダイナミック二次イオン質量分析(D-SIMS)を行った。希土類元素(本例ではY)とBの分析装置はCAMECA社製IMS-7fを用い、一次イオン種O2 +、及び加速電圧11.0kvにて測定を実施した。この測定は、熱処理層(二軸配向SiC層)の研磨面上で10箇所実施した。この10箇所の各箇所において、希土類元素の濃度の最大値及びBの濃度の最大値を測定し、これら10箇所の各最大値の平均値を算出した。この平均値を、二軸配向SiC層中の希土類元素の濃度CRE(atoms/cm3)及びBの濃度CB(atoms/cm3)とした。また、Bの濃度CBの希土類元素の濃度CREに対する比CB/CREも求めた。得られた結果を表1に示す。
上記(4-2)の評価後、SiC基板を板面と直交する方向で基板の中心部を通るように切断した。切断した試料に対してダイヤモンド砥粒を用いたラップ加工にて断面を平滑化し、化学機械研磨(CMP)により鏡面仕上げとした。
(6-1)二軸配向性
EBSD(Electron Back Scatter Diffraction Patterns)法を用いて、以下に示す条件により、上記(5)にて作製した熱処理層の表面(板面)及び板面と直交する断面の逆極点図マッピングを測定したところ、傾斜角度分布は略法線方向及び略板面方向ともに0.01°以下であったため、熱処理層はc軸とa軸に配向した二軸配向SiC層であると判断した。
・加速電圧:15kv
・スポット強度:70
・ワーキングディスタンス:22.5mm
・ステップサイズ:0.5μm
・試料傾斜角:70°
・測定プログラム:Aztec(version 3.3)
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を10.0重量%、炭化ホウ素粉末を35.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を10.0重量%、炭化ホウ素粉末を34.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を10.0重量%、炭化ホウ素粉末を30.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を11.0重量%、炭化ホウ素粉末を30.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を10.0重量%、炭化ホウ素粉末を15.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を6.0重量%、炭化ホウ素粉末を15.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を5.0重量%、炭化ホウ素粉末を15.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を2.0重量%、炭化ホウ素粉末を15.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を1.0重量%、炭化ホウ素粉末を15.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を7.0重量%、炭化ホウ素粉末を21.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を7.0重量%、炭化ホウ素粉末を19.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を7.0重量%、炭化ホウ素粉末を9.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を7.0重量%、炭化ホウ素粉末を8.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を7.0重量%、炭化ホウ素粉末を7.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を7.0重量%、炭化ホウ素粉末を6.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を15.0重量%、炭化ホウ素粉末を20.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を16.0重量%、炭化ホウ素粉末を20.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を25.0重量%、炭化ホウ素粉末を20.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を26.0重量%、炭化ホウ素粉末を20.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、α-SiC粉末(体積基準D50粒径:0.7μm)100重量%に対して、酸化イットリウム粉末を9.0重量%、炭化ホウ素粉末を15.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
上記(1)において、β-SiC粉末100重量%に対して、酸化セリウム粉末(体積基準D50粒径:0.5μm)を9.0重量%、炭化ホウ素粉末を15.0重量%含む原料粉体を用いたこと以外は、例1と同様にしてSiC基板の作製及び評価を行った。得られた熱処理層は二軸配向SiC層であることが確認された。結果は表1に示されるとおりであった。
Claims (9)
- Bの濃度CBの、希土類元素の濃度CREに対する比CB/CREが、1.0×10-2~1.0×105であり、かつ、前記希土類元素の濃度C RE が3.0×10 13 ~9.0×10 15 atoms/cm 3 である二軸配向SiC層を備えた、希土類含有SiC基板。
- 前記比CB/CREが、1.0×100~1.0×104である、請求項1に記載の希土類含有SiC基板。
- 前記希土類元素の濃度CREが1.0×1014~9.0×1015atoms/cm3である、請求項1又は2に記載の希土類含有SiC基板。
- 前記Bの濃度CBが4.5×1014~1.0×1018atoms/cm3である、請求項1~3のいずれか一項に記載の希土類含有SiC基板。
- 前記Bの濃度CBが1.0×1015~1.0×1018atoms/cm3である、請求項1~4のいずれか一項に記載の希土類含有SiC基板。
- 前記希土類元素が、Y及び/又はCeである、請求項1~5のいずれか一項に記載の希土類含有SiC基板。
- 前記希土類元素が、Yである、請求項1~6のいずれか一項に記載の希土類含有SiC基板。
- 前記二軸配向SiC層が、c軸方向及びa軸方向に配向している、請求項1~7のいずれか一項に記載の希土類含有SiC基板。
- SiC単結晶基板と、前記SiC単結晶基板上の請求項1~8のいずれか一項に記載の希土類含有SiC基板とを備えた、SiC複合基板。
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WO2021149235A1 (ja) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | 日本碍子株式会社 | 希土類含有SiC基板及びSiCエピタキシャル層の製法 |
WO2021149598A1 (ja) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | 日本碍子株式会社 | 二軸配向SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004533720A (ja) * | 2001-05-11 | 2004-11-04 | クリー インコーポレイテッド | 高い降伏電圧を有する半導体デバイスのための高抵抗率炭化珪素基板 |
WO2021149235A1 (ja) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | 日本碍子株式会社 | 希土類含有SiC基板及びSiCエピタキシャル層の製法 |
WO2021149598A1 (ja) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | 日本碍子株式会社 | 二軸配向SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板 |
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