JP7071609B2 - ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ - Google Patents
３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7071609B2 JP7071609B2 JP2018544793A JP2018544793A JP7071609B2 JP 7071609 B2 JP7071609 B2 JP 7071609B2 JP 2018544793 A JP2018544793 A JP 2018544793A JP 2018544793 A JP2018544793 A JP 2018544793A JP 7071609 B2 JP7071609 B2 JP 7071609B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- ceramic
- substrate
- capacitive device
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 73
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 11
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 5
- 239000006090 Foturan Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical group [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N diarsenic trioxide Chemical compound O1[As](O2)O[As]3O[As]1O[As]2O3 KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical group 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/129—Ceramic dielectrics containing a glassy phase, e.g. glass ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0002—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for manufacturing artworks for printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
本発明は、感光性ガラス内セラミック基板中に三次元キャパシタ構造を創成すること（creating）、特に、電子、マイクロ波、及びラジオ周波数に関するフィルタ、サージ保護装置（surge protectors）、及び貯蔵装置を目的として、他の受動部品と共にキャパシタを製造することに関する。
集積電子素子といったいくつかのマイクロマシニング（micromachining）及びマイクロファブリケーションプロセス（microfabrication processes）を目的として、他の素子システム又はサブシステムと共に、感光性ガラス構造が提案されている。従来のガラスのシリコンマイクロファブリケーションは、高価及び低収量であり、さらに射出モデリング又はエンボス加工プロセスによって不整合な形状を生成する。シリコンマイクロファブリケーション処理は、高価な基礎装備、各々に１００万ドルを超える費用が一般的にかかる、フォトリソグラフィ、及び反応性イオンエッチング又はイオンビームミリング器具に依拠し、さらに数百万から数十億の費用がかかる超清浄で高生産なシリコンファブリケーション設備を必要とする。射出成形及びエンボス加工は、より安価な三次元形状の生成方法であるが、転写において欠陥が生じるか、又は確率的な硬化プロセスに起因する差異が存在する。
本発明は、費用効率の高いガラスセラミック三次元キャパシタ構造又は三次元キャパシタアレイデバイスを創成する。本発明において、ガラスセラミック基板は、垂直平面及び水平平面の両方を、個別に、又は同時に加工するステップを通してそのような構造を形成し、二次元又は三次元容量性デバイス（capacitive device）を形成する能力を示した。
本発明は、ビア又はポストを有する感光性ガラス基板を調製するステップ、さらに導電層（通常は金属）、誘電体材料、及び最上層導電層（通常は金属）を、１又は２以上被覆、又は充填するステップによって、二次元又は三次元キャパシタデバイスを１又は２以上有する基板を作製する方法を含む。
シリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムを少なくとも含む感光性ガラスセラミック複合基板を調製するステップ、感光性ガラス基板中に、二次元又は三次元キャパシタデバイスを１又は２以上含むデザインレイアウトをマスキングするステップ、感光性ガラス基板の少なくとも一部分を活性エネルギー源に露光するステップ、感光性ガラス基板を、そのガラス転移温度を上回る、少なくとも１０分間の加熱相にさらすステップ、感光性ガラス基板を冷却し、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性材料へ転換して結晶性ガラス基板を形成するステップ、並びに結晶性ガラス基板をエッチング溶液でエッチングし、その後容量性デバイスの製造に使用される傾斜チャネル（angled channels）又は貫通孔を１又は２以上形成するステップによって作製する方法、並びに調製されるデバイス。
本発明は、第１の結晶性ガラス基板であって、第１の結晶性ガラス基板中の１又は２以上の電気伝導路、及び１又は２以上の電気伝導路に塗布される金属被覆を含み、第１の結晶性ガラス基板が、シリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムを少なくとも含む、第１の結晶性ガラス基板、第２の結晶性ガラス基板であって、第２の結晶性ガラス基板中の１又は２以上の第２の電気伝導路、及び１又は２以上の第２の電気伝導路に塗布される第２の金属被覆を含み、第２の結晶性ガラス基板が、シリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムを少なくとも含む、第２の結晶性ガラス基板、第１の結晶性ガラス基板と第２の結晶性ガラス基板の間に位置する誘電体材料の層、並びに第１の結晶性ガラス基板と第２の結晶性ガラス基板を接続する１又は２以上のビア、ポスト、チャネル、又はそれらの組合せを含む、ガラスセラミック容量性デバイスを提供する。第１の末端は、第１の結晶性ガラス基板に接続されてもよく、第２の末端は、第２の結晶性ガラス基板に接続されてもよい。ガラスセラミック容量性デバイスが、電圧貯蔵装置として機能してもよい。金属被覆、第２の金属被覆、又はその両方が、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｗ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ、Ａｌ２Ｏ３、又はそれらの混合物及び合金であってもよい。誘電体層が、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、又はＡｌ２Ｏ３を含むがそれに限定されない他の気相誘電体であってもよい。
本発明は、シリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムを少なくとも含む感光性ガラスセラミック基板を用意するステップ、感光性ガラスセラミック基板上のデザインレイアウトをマスキングするステップであって、デザインレイアウトが、１又は２以上の電気伝導路を形成する１又は２以上の構造を含む、ステップ、感光性ガラスセラミック基板の少なくとも一部分を活性エネルギー源に露光するステップ、感光性ガラスセラミック基板を、そのガラス転移温度を上回る、少なくとも１０分間の加熱相まで加熱するステップ、感光性ガラスセラミック基板を冷却し、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性材料へ転換して結晶性ガラス基板を形成するステップ、結晶性ガラス基板をエッチング溶液でエッチングし、１又は２以上のエッチングされた三次元構造を結晶性ガラス基板中に形成するステップ、エッチングされた三次元構造に隣接する結晶性ガラス基板の一部分をセラミック相へ変換する任意のステップ、結晶性ガラス基板を希釈ガラスエッチング液でリンスし、ガラス領域に高表面積のテクスチャ（texture）を形成するステップ、ビア又はポストチャネルを第１の金属で被覆し、底部電極を形成するステップ、構造の少なくとも一部分を誘電体媒体で被覆するステップ、ビア又はポストチャネルを第２の金属で被覆し、上部電極を形成するステップ、上部及び誘電体媒体の少なくとも一部分を除去し、電気接点又は独立デバイスを提供するステップ、並びに第１の金属、第２の金属、又はその両方を、表面又は埋設接点を介して回路に接続するステップを含む、感光性ガラスセラミックの中又は上に創成される容量性デバイスを製作する方法を提供する。
第１の金属、第２の金属、又はその両方の被覆が、原子層堆積（ＡＬＤ，atomic layer deposition）を用いる。ガラスセラミック容量性デバイスが、電圧貯蔵装置として機能する。第１の金属、第２の金属、又はその両方が、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｗ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ、Ａｌ２Ｏ３、又はそれらの混合物及び合金を含む。誘電体層が、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、又は他の気相誘電体であってもよい。
本発明のさらなる利益及び利点は、添付の図面を参照し、例として与えられる以下のさまざまな実施形態の記載から、より明らかになる。
直径が６５ｕｍ、中心間のピッチが７２ｕｍの貫通孔ビアを示す図である。
１ｍｍ厚の基板中のブラインドビアであって、ビア深さが４４０μｍ、頂部の直径が４１μｍ、底部の直径が１９μｍのブラインドビアである。
APEX（登録商標）ガラス中／上の、表面積が広く、アスペクト比が大きいデバイスの平面図である。
APEX（登録商標）ガラス中／上の、充填貫通孔ビアの側面図である。
ＡＤＬキャパシタ構造を有するブラインドビアの分解図を示すカラーの図である。
本発明のさまざまな実施形態の製作及び使用が以下に詳細に検討されるが、本発明は、幅広いさまざまな具体的状況で具現化され得る、応用可能な多くの発明概念を提供すると理解されるべきである。本明細書で検討される具体的な実施形態は、本発明をなす及び使用する特定の方法の例示に過ぎず、発明の範囲を定めるものではない。
本発明を容易に理解するために、多くの用語を以下に定義する。本明細書において定義される用語は、本発明に関する分野の当業者が通常理解する意味を有する。「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」といった用語は、単数の実体のみを意味することを意図せず、説明のために使用され得る具体例の一般的な分類を含む。本明細書における専門用語は、本発明の具体的な実施形態を説明するために使用されるが、それらの用法は、特許請求の範囲において概説される場合を除き、発明の範囲を定めない。
これらの需要に応えるため、本発明者らは、半導体、ＲＦ電子装置、マイクロ波電子装置、及び光学イメージングのための、新規の実装及び基板材料として、ガラスセラミック（APEX（登録商標））ガラスセラミック）を開発した。APEX（登録商標）ガラスセラミックは、第１世代半導体装置を使用し、簡単な３段階のプロセスで加工され、最終材料は、ガラス、セラミックの何れかに構成することができるか、又はガラス及びセラミックの両方の領域を含有することができる。APEX（登録商標）ガラスセラミックは、高密度のビアが容易に作製される、マイクロ流体能を示す、マイクロレンズ又はマイクロレンズアレイ、より硬質な実装体のための高いヤング率、ハロゲンを用いない製造、及び安価な製造が挙げられる、既存の材料に対するいくつかの利益を有する。フォトエッチング可能なガラスは、各種のマイクロシステム構成要素の作製に関し、いくつかの長所を有する。微細構造は、従来の半導体加工装置を使用し、これらのガラスを用いて比較的安価に生産されている。一般的に、ガラスは、高い温度安定性、良好な機械及び電気特性を有し、プラスチック及び多くの金属よりも良好な耐化学性を有する。我々の知る限り、唯一の市販のフォトエッチング可能なガラスは、Schott Corporation社が製作し、Invenios Inc.社のみによって米国に輸入されるFOTURAN（登録商標）である。FOTURAN（登録商標）は、微量な銀イオンに加えて微量な他の元素を含有するリチウムアルミニウムケイ酸塩ガラス、具体的には７５～８５重量％の酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、７～１１重量％の酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、３～６重量％の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、１～２重量％の酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、０．２～０．５重量％の三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）又は酸化ヒ素（Ａｓ２Ｏ３）、０．０５～０．１５重量％の酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、及び０．０１～０．０４重量％の酸化セリウム（ＣｅＯ２）を含む。本明細書で使用される場合、「APEX（登録商標）ガラスセラミック」、「APEX（登録商標）ガラス」又は単なる「APEX（登録商標）」という用語は、本発明のガラスセラミック組成物の一実施形態を表すために用いられる。
酸化セリウムは、酸化セリウムの吸収バンド範囲内のＵＶ光に露光されると増感剤として作用し、光子を吸収し、電子を失って、例えば
［化１］
Ce3+ + Ag+ = Ce4+ + Ag0
Ce3+ + Ag+ = Ce4+ + Ag0
のように、隣接する酸化銀を還元して銀原子を形成させる。
焼成プロセスにおいて、銀原子は、合体して銀ナノクラスターとなり、周囲のガラスの結晶化のための核生成部位を誘導する。マスクを通してＵＶ光に露光される場合、ガラスの露光された領域のみが、続く熱処理において結晶化する。
この熱処理は、ガラス転換温度付近の（例えば、FOTURAN（登録商標）に関しては空気中で４６５℃より高い）温度で行う必要がある。結晶相は、未露光のガラス質非晶質領域よりも、フッ化水素酸（ＨＦ）といったエッチング液に対する溶解度が高い。特に、FOTURAN（登録商標）の結晶領域は、非晶質領域よりも約２０倍速く１０％ＨＦ中でエッチングされ、露光された領域が除去された際に、約２０：１の壁面斜面比（wall slopes ratios）の微細構造を可能とする。
一般的に、性能、均一性、他者の利便性、及び有効性の問題に悩まされる微細構造形成において、ガラスセラミック材料の収める成功は限られている。過去のガラスセラミック材料で得られるエッチングアスペクト比は、およそ１５：１であるのに対し、APEX（登録商標）ガラスの平均エッチングアスペクト比は、５０：１を超える。これにより使用者は、より小さく、より深いフィーチャ（features）の創成が可能となる。さらに、我々の製造方法は、９０％を超える製品収量を可能とする（伝来のガラスの収量は５０％前後である）。最後に、伝来のガラスセラミックにおいては、ガラスのおよそ３０％のみがセラミック状態へ変換するのに対し、APEX（商標）ガラスセラミックを用いる場合、この変換率は７０％前後である。
APEX（登録商標）ガラス組成物は、その性能の向上に関し、３つの主要な機構を与える：（１）より多量の銀により、粒界でより速くエッチングされる、より小さいセラミック結晶の形成がもたらされる、（２）シリカ含有量（ＨＦ酸によりエッチングされる主要成分）の低減により、未露光材料の不要なエッチングが低減される、並びに（３）アルカリ金属及び酸化ホウ素のより高い総重量パーセントにより、格段に均一なガラスが製造時に生じる。
ガラスのセラミック化は、およそ２０Ｊ／ｃｍ２の３１０ｎｍの光でガラス基板全体を露光することによって成し遂げられる。セラミック内部にガラス区域を創成しようとする場合、使用者は、ガラスをガラスのまま残すべき箇所を除き、全ての材料を露光する。一実施形態において、本発明は、異なる直径のさまざまな同心円を含有する石英／クロムマスクを提供する。
本発明は、電子、マイクロ波、及びラジオ周波数用途のガラスセラミック構造の中又は上の誘導デバイスを作製する方法を含む。ガラスセラミック基板は、６０～７６重量％のシリカ、Ｋ２ＯとＮａ２Ｏの組合せが６重量％～１６重量％となる少なくとも３重量％のＫ２Ｏ、０．００３～１重量％の、Ａｇ２Ｏ、及びＡｕ２Ｏからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物、０．００３～２重量％のＣｕ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３の組合せが１３重量％を超えない０．７５重量％～７重量％のＢ２Ｏ３及び６～７重量％のＡｌ２Ｏ３、８～１５重量％のＬｉ２Ｏ、並びに０．００１～０．１重量％のＣｅＯ２を含むがそれらに限定されない、広範な組成変動を有する感光性ガラス基板であってもよい。この組成物、及び他の多様な組成物は、一般的にAPEX（登録商標）ガラスと称される。
露光部分は、ガラス基板をガラス転換温度付近の温度まで加熱することによって結晶性材料へ転換され得る。ガラス基板をフッ化水素酸といったエッチング液でエッチングする場合、ガラスを広域スペクトル中間紫外線（broad spectrum mid-ultraviolet flood lamp）（約３０８～３１２ｎｍ）フラッドランプで露光する際の、未露光部分に対する露光部分の異方性エッチング比は、少なくとも３０：１であり、少なくとも３０：１のアスペクト比を有する成形ガラス構造（shaped glass structure）が生じ、誘導構造が創成される。露光用のマスクは、誘導構造／デバイスを創成するために、連続するグレースケール（grey scale）の露光をもたらして湾曲構造を形成する、ハーフトーンマスクであり得る。フラッド露光（flood exposure）と共にデジタルマスクを使用することもでき、デジタルマスクは、誘導構造／デバイスの創成をもたらすために使用され得る。次いで、露光されたガラスは、通常２段階のプロセスで焼成される。銀イオンを銀ナノ粒子へ合体させることを目的として、４２０℃～５２０℃の間の温度範囲で１０分～２時間の間加熱し、５２０℃～６２０℃の間の温度範囲で１０分～２時間の間加熱し、銀ナノ粒子周囲に酸化リチウムを形成させる。ガラスプレートは、次いでエッチングされる。ガラス基板は、通常５体積％～１０体積％のＨＦ溶液からなるエッチング液でエッチングされ、露光部分の未露光部分に対するエッチング比は、広域スペクトル中間紫外線フラッドライトで露光する場合、少なくとも３０：１であり、レーザーで露光する場合、３０：１を超え、異方性エッチング比が少なくとも３０：１の成形ガラス構造が生じる。
本発明は、ガラスセラミック基板の複数のビア又はポスト中に創成される誘導構造を含み、そのようなプロセスは、二次元又は三次元キャパシタデバイスを１又は２以上少なくとも含有する感光性ガラス構造を使用する。容量性デバイスは、ビアが貫通孔又はブラインドビアである、１つのビア、又は一連のビア、原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いる底部電極、誘電体、及び上部電極の堆積によって形成される。ビアは、希釈ＨＦといったエッチング液を用いて追加の低濃度リンスをさらに受けてもよい。希釈ＨＦは、ビアのセラミック壁面に模様を形成するか、又はテクスチャを付与する。セラミック壁面へのテクスチャの付与は、デバイスの電気容量を直接増大させる構造の表面積を著しく増大させる。
容量性デバイスは、ガラスに良好に付着する導電層、誘電体層、上部導電層、及び最終バリア層からなる。APEX（登録商標）ガラスの次元構造（dimensional structure）は、２ミクロン未満のＴｉＮ層、又は他の電極材料層で被覆され、その後に２ミクロン以下のＴａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、又はＡｌ２Ｏ３を含むがそれに限定されない他の気相誘電体の誘電体層が続く。ＴＭＡ及びＯ３を用いる３８０℃のＡｌ２Ｏ３－サイクル時間：３．５ｓ。次いでＡｌ２Ｏ３層は、酸素環境中で５分間３００℃に加熱され、誘電体層は完全に酸化される。次いで、２ミクロン未満のＴｉＮ上部電極をＡＬＤによって堆積させる。誘電体中の空間電荷の形成を防ぐため、上部及び底部電極は、同一の材料から構築される必要がある。仕事関数差の大きさに依存し、空間電荷は、誘電体層を破壊することなく外部電圧によって除去可能なものより大きくなり得、キャパシタが有用でなくなる。仕事関数の問題の解決は、電極と誘電体の間に抵抗接点を設置することによって達成され得る。電気容量を増大させるために、追加の金属層及び絶縁体層を追加してもよい。
好ましい実施形態。好ましい構造は、ビア又はポストを希釈ＨＦ洗浄し、底部電極には高度にテクスチャが付与された表面積で被覆されたＴｉＷメタライゼーション（metallization）を、誘電体には五酸化タンタルを、及び上部電極にはＴｉＷメタライゼーションを創成するキャパシタ構造を創成することである。ＴｉＷ底部電極は、２段階のＡＤＬプロセスを必要とする。第１段階は、３００℃～４００℃の基板温度において、約１．８ｓのサイクル時間で１．６７Å／サイクルのＴｉＣｌ４速度を使用してＴｉを堆積させることである。第２段階は、パージ前に基板の表面上に混在するＳｉ－Ｈ及びＷ－Ｆを使用してタングステン（Ｗ）を堆積させることである。Ｗの直線的な成長速度は、ＡＬＤサイクルの間、各反応物の割合が均等であることを必要とする。タングステンについての典型的なＡＬＤ成長は、３．５ｓのサイクル時間、１７７℃～３２５℃の間の基板温度で、６Åサイクルである。両金属の堆積の達成に必要な基板温度でＡＬＤサイクルをＷからＴｉへ入れ替えることで、ＴｉＷ層の形成がもたらされる。プロセスは、ＴｉＷ構造が２０Åに達するまで繰り返される。次に、水素原子の存在下でＴａＣｌ５前駆体を使用し、ＡＬＤによってＴａ２Ｏ５が形成される。タンタル膜は、１．８ｓのＡＬＤサイクル時間、２５～４００℃の基板温度で堆積される。各ＡＬＤサイクルの後、基板が４００℃である間に、タンタル膜は、３０秒間Ｏ２にさらされる。これにより、金属タンタル膜は、Ｔａ２Ｏ５へ変換される。デバイスは、底部電極と同様にしてＴｉＷからなる上部電極を付与することによって完成する。ＡＬＤ法のまさにこの性質により、高密度コンフォーマル被膜（conformal coatings）が可能となる。
キャパシタ構造の仕上げは、キャパシタの両接点への電気的接続が可能となるよう、底部電極に至るまでのエッチングを必要とする。これは、構造を標準的なポジ型フォトレジストで被覆することによって成し遂げられる。キャパシタ構造の長方形上部部品を用いてフォトレジストを露光する。次いで、キャパシタ上のフォトレジストを現像、及び除去し、上部ＴｉＷフォトレジスト電極を露出させる。ＴｉＷ電極は、Tegal 804プラズマエッチングシステムを使用し、ＳＦ６／Ｈｅプラズマでエッチングされる。このエッチング速度は、２００Ｗの進行波電力で２００Å／分である。このエッチングは、Ｔａ２Ｏ５層に優先的に行われ、Ｔａ２Ｏ５層を有効なエッチング停止層とする。Ｔａ２Ｏ５、プラズマエッチングは、３００Ｗの進行波電力、１２００Å／分のエッチング速度でＡｒ／Ｃｌ（１０％／９０％）混合物を使用する。Ａｒ／Ｃｌプラズマは、ＴｉＷ底部電極を攻撃／エッチングしない。これにより、キャパシタ用の上部及び底部電極は、多くの標準的な厚膜及び薄膜プロセスによって、回路の他の部分に接続可能となる。
第２の実施形態は、容量性構造用のベース基板として、片面又は両面上にテクスチャが付与された高表面積を創成してガラスセラミックを部分的又は完全に除去する、希釈ＨＦ溶液でエッチングされたセラミック相を有し得る、貫通孔ビアを使用する。第３の実施形態は、高表面積容量性構造を創成する、希釈ＨＦでエッチングされたセラミック相を有し得る、APEX（登録商標）ガラス基板の片面又は両面上のポストを使用する。
本発明及びその利点を詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲により定義される本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、本明細書においてさまざまな変更、置換、及び代替が可能であると理解されるべきである。さらに、本出願の範囲は、本明細書に説明されるプロセス、機械、製造された物、組成物、手段、方法、及びステップの特定の実施形態に限定されることを意図するものではない。本発明の開示から当業者が容易に理解するように、現在存在するか又は後に開発される、本明細書に説明される、対応する実施形態と実質的に同じ機能を果たすか又は実質的に同じ結果を達成するプロセス、機械、製造された物、組成物、手段、方法、又はステップが、本発明に従って利用されてもよい。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造された物、組成物、手段、方法、又はステップをそれらの範囲内に含むよう意図される。
Claims (6)
- 感光性ガラスセラミック基板内にエッチングされた三次元構造内に創成されるガラスセラミック容量性デバイスであって、前記ガラスセラミック容量性デバイス中の電気容量を増大させる増大した表面積を有する、形成された１又は２以上のビア又はポストチャネルを備え、前記エッチングされた三次元構造の異方性エッチング比が、少なくとも３０：１である、前記ガラスセラミック容量性デバイス。
- 感光性ガラスセラミック基板内にエッチングされた三次元構造内に創成されるガラスセラミック容量性デバイスを創成する方法であって、前記ガラスセラミック容量性デバイスが、前記ガラスセラミック容量性デバイス中の電気容量を増大させる増大した表面積を有する、形成された１又は２以上のビア又はポストチャネルを備え、前記エッチングされた三次元構造の異方性エッチング比が、少なくとも３０：１であり、
シリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムを少なくとも含む感光性ガラスセラミック基板を調製するステップ、
１又は２以上の電気伝導路を前記感光性ガラスセラミック基板上に形成する１又は２以上の構造を含むデザインレイアウトをマスキングするステップ、
前記感光性ガラスセラミック基板の少なくとも一部分を活性エネルギー源に露光するステップ、
前記感光性ガラスセラミック基板を、そのガラス転移温度を上回る、少なくとも１０分間の加熱相にさらすステップ、
前記感光性ガラスセラミック基板を冷却し、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性材料へ転換して結晶性ガラス基板を形成するステップ、
前記結晶性ガラス基板をエッチング溶液でエッチングし、前記１又は２以上のエッチングされた三次元構造を前記結晶性ガラス基板中に形成するステップであって、前記１又は２以上のエッチングされた三次元構造の一部分が、異方性エッチング比が少なくとも３０：１であるビア又はポストチャネルであるステップ、
前記エッチングされた三次元構造の前記ビア又はポストチャネルに隣接する前記結晶性ガラス基板を、セラミック相へ変換するステップ、
前記ビア又はポストチャネルに隣接するセラミック相の表面を希釈ガラスエッチング液でリンスし、前記セラミック相の前記表面積を増大させて前記ガラスセラミック容量性デバイスの電気容量を増大させるステップ、
原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて、前記ビア又はポストチャネルを底部電極用金属で被覆するステップ、
原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて、前記構造の全部又は一部を誘電体媒体で被覆するステップ、
原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて、前記ビア又はポストチャネルを上部電極用金属で被覆するステップ、並びに
前記上部電極及び前記誘電体媒体の少なくとも一部分を除去し、前記容量性デバイスと回路との間の電気的接続を成す電気接点を提供するステップ、から構成され、
前記底部電極用金属、前記上部電極用金属、又はその両方が、前記容量性デバイスの表面又は前記容量性デバイス中に埋設された電気接点を介して回路に接続される、前記方法。 - 感光性ガラスセラミック基板内にエッチングされた三次元構造内に創成されるガラスセラミック容量性デバイスを作製する方法であって、前記ガラスセラミック容量性デバイスが、前記ガラスセラミック容量性デバイス中の電気容量を増大させる増大した表面積を有する、形成された１又は２以上のビア又はポストチャネルを備え、前記エッチングされた三次元構造の異方性エッチング比が、少なくとも３０：１であり、
シリカ、酸化リチウム、酸化アルミニウム、及び酸化セリウムを少なくとも含む感光性ガラスセラミック基板を用意するステップ、
前記感光性ガラスセラミック基板上のデザインレイアウトをマスキングするステップであって、前記デザインレイアウトが、１又は２以上の電気伝導路を形成する１又は２以上の構造を含む、ステップ、
前記感光性ガラスセラミック基板の少なくとも一部分を活性エネルギー源に露光するステップ、
前記感光性ガラスセラミック基板を、そのガラス転移温度を上回る、少なくとも１０分間の加熱相まで加熱するステップ、
前記感光性ガラスセラミック基板を冷却し、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性材料へ転換して結晶性ガラス基板を形成するステップ、
前記結晶性ガラス基板をエッチング溶液でエッチングし、１又は２以上のエッチングされた三次元構造を前記結晶性ガラス基板中に形成するステップであって、前記１又は２以上のエッチングされた三次元構造の一部分が、異方性エッチング比が少なくとも３０：１であるビア又はポストチャネルであるステップ、
前記エッチングされた三次元構造の前記ビア又はポストチャネルに隣接する前記結晶性ガラス基板の一部分をセラミック相へ変換するステップ、
前記ビア又はポストチャネルに隣接するセラミック相の表面を希釈ガラスエッチング液でリンスし、前記セラミック相の前記表面積を増大させて前記ガラスセラミック容量性デバイスの電気容量を増大させるステップ、
前記ビア又はポストチャネルを第１の金属で被覆し、底部電極を形成するステップ、
前記構造の少なくとも一部分を誘電体媒体で被覆するステップ、
前記ビア又はポストチャネルを第２の金属で被覆し、上部電極を形成するステップ、
前記上部電極及び前記誘電体媒体の少なくとも一部分を除去し、前記ガラスセラミック容量性デバイスと回路との間の電気的接続を成す電気接点を提供するステップ、並びに
前記第１の金属、前記第２の金属、又はその両方を、前記ガラスセラミック容量性デバイスの表面又は前記ガラスセラミック容量性デバイス中に埋設された電気接点を介して回路に接続するステップ
を含む、前記方法。 - 第１の金属、第２の金属、又はその両方の被覆が、原子層堆積（ＡＬＤ）を用いる、請求項３に記載の方法。
- 第１の金属、第２の金属、又はその両方が、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｗ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ、Ａｌ２Ｏ３、又はそれらの混合物及び合金を含む、請求項３に記載の方法。
- 誘電体媒体が、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、又は気相誘電体を含む、請求項３に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022003207A JP7237390B2 (ja) | 2016-02-25 | 2022-01-12 | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662299641P | 2016-02-25 | 2016-02-25 | |
| US62/299,641 | 2016-02-25 | ||
| PCT/US2017/019483 WO2017147511A1 (en) | 2016-02-25 | 2017-02-24 | 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020159288A Division JP7129104B2 (ja) | 2016-02-25 | 2020-09-24 | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ |
| JP2022003207A Division JP7237390B2 (ja) | 2016-02-25 | 2022-01-12 | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019512169A JP2019512169A (ja) | 2019-05-09 |
| JP7071609B2 true JP7071609B2 (ja) | 2022-05-19 |
Family
ID=59686662
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018544793A Active JP7071609B2 (ja) | 2016-02-25 | 2017-02-24 | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ |
| JP2020159288A Active JP7129104B2 (ja) | 2016-02-25 | 2020-09-24 | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ |
| JP2022003207A Active JP7237390B2 (ja) | 2016-02-25 | 2022-01-12 | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020159288A Active JP7129104B2 (ja) | 2016-02-25 | 2020-09-24 | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ |
| JP2022003207A Active JP7237390B2 (ja) | 2016-02-25 | 2022-01-12 | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11264167B2 (ja) |
| EP (1) | EP3420571A4 (ja) |
| JP (3) | JP7071609B2 (ja) |
| KR (3) | KR20200010598A (ja) |
| AU (1) | AU2017223993B2 (ja) |
| CA (1) | CA3015525C (ja) |
| WO (1) | WO2017147511A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3920200A1 (en) | 2014-05-05 | 2021-12-08 | 3D Glass Solutions, Inc. | 2d and 3d inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates |
| US10070533B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-09-04 | 3D Glass Solutions, Inc. | Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane |
| WO2017147511A1 (en) | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 3D Glass Solutions, Inc. | 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates |
| WO2017177171A1 (en) | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 3D Glass Solutions, Inc. | Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler |
| JP7150342B2 (ja) | 2017-04-28 | 2022-10-11 | スリーディー グラス ソリューションズ，インク | Ｒｆサーキュレータ |
| EP3649733A1 (en) | 2017-07-07 | 2020-05-13 | 3D Glass Solutions, Inc. | 2d and 3d rf lumped element devices for rf system in a package photoactive glass substrates |
| WO2019118761A1 (en) | 2017-12-15 | 2019-06-20 | 3D Glass Solutions, Inc. | Coupled transmission line resonate rf filter |
| WO2019136024A1 (en) | 2018-01-04 | 2019-07-11 | 3D Glass Solutions, Inc. | Impedance matching conductive structure for high efficiency rf circuits |
| CN108390065A (zh) * | 2018-01-25 | 2018-08-10 | 湖北师范大学 | 一种在锂离子电极材料表面包覆氧化铈的方法 |
| US11076489B2 (en) | 2018-04-10 | 2021-07-27 | 3D Glass Solutions, Inc. | RF integrated power condition capacitor |
| KR102475010B1 (ko) | 2018-05-29 | 2022-12-07 | 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 | 저 삽입 손실 rf 전송 라인 |
| EP3637448A4 (en) * | 2018-08-21 | 2020-10-07 | Shenzhen Weitongbo Technology Co., Ltd. | CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD FOR IT |
| AU2019344542B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-02-24 | 3D Glass Solutions, Inc. | High efficiency compact slotted antenna with a ground plane |
| WO2020139951A1 (en) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 3D Glass Solutions, Inc. | Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates |
| WO2020139955A1 (en) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 3D Glass Solutions, Inc. | Annular capacitor rf, microwave and mm wave systems |
| EP3948954B1 (en) * | 2019-04-18 | 2023-06-14 | 3D Glass Solutions, Inc. | High efficiency die dicing and release |
| KR20220142535A (ko) * | 2020-03-11 | 2022-10-21 | 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 | 초고표면적 집적 커패시터 |
| EP4121988A4 (en) | 2020-04-17 | 2023-08-30 | 3D Glass Solutions, Inc. | BROADBAND INDUCTOR |
| EP4352766A1 (en) * | 2021-06-04 | 2024-04-17 | 3D Glass Solutions, Inc. | Ceramic phase capacitors for rf system in photoactive glass substrates |
| WO2022265783A1 (en) * | 2021-06-15 | 2022-12-22 | 3D Glass Solutions, Inc. | Radio frequency (rf) integrated power-conditioning capacitor |
| WO2023034600A1 (en) * | 2021-09-03 | 2023-03-09 | 3D Glass Solutions, Inc. | Power amplifier system in a package |
| WO2023146729A1 (en) * | 2022-01-26 | 2023-08-03 | 3D Glass Solutions, Inc. | 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates |
| US20230275004A1 (en) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | Qualcomm Incorporated | Capacitor embedded 3d resonator for broadband filter |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165025A (ja) | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびそれを用いた半導体モジュール、ならびに半導体装置の製造方法 |
| JP2014505354A (ja) | 2010-12-09 | 2014-02-27 | テッセラ，インコーポレイテッド | 高密度３次元集積コンデンサ |
Family Cites Families (231)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2515941A (en) | 1946-09-09 | 1950-07-18 | Corning Glass Works | Photosensitive opal glass |
| NL71886C (ja) | 1946-09-09 | |||
| BE513836A (ja) | 1951-08-30 | |||
| US2628160A (en) | 1951-08-30 | 1953-02-10 | Corning Glass Works | Sculpturing glass |
| US2971853A (en) | 1953-03-05 | 1961-02-14 | Corning Glass Works | Ceramic body and method of making it |
| JPS5321827B2 (ja) | 1973-02-12 | 1978-07-05 | ||
| US3993401A (en) | 1975-02-10 | 1976-11-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Retroreflective material including geometric fresnel zone plates |
| US3985531A (en) | 1975-03-19 | 1976-10-12 | Corning Glass Works | Spontaneously-formed fluormica glass-ceramics |
| US4029605A (en) | 1975-12-08 | 1977-06-14 | Hercules Incorporated | Metallizing compositions |
| US4131516A (en) | 1977-07-21 | 1978-12-26 | International Business Machines Corporation | Method of making metal filled via holes in ceramic circuit boards |
| US4413061A (en) | 1978-02-06 | 1983-11-01 | International Business Machines Corporation | Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper |
| JPS56155587A (en) | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Fujitsu Ltd | Printed circuit board |
| JPS57200042A (en) | 1981-06-02 | 1982-12-08 | Hoya Corp | Exposure method for chemically machinable photosensitive glass |
| US4537612A (en) | 1982-04-01 | 1985-08-27 | Corning Glass Works | Colored photochromic glasses and method |
| US4647940A (en) | 1982-09-27 | 1987-03-03 | Rogers Corporation | Parallel plate waveguide antenna |
| US5078771A (en) | 1989-02-07 | 1992-01-07 | Canyon Materials, Inc. | Method of making high energy beam sensitive glasses |
| US4514053A (en) | 1983-08-04 | 1985-04-30 | Corning Glass Works | Integral photosensitive optical device and method |
| JPS61149905A (ja) | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Fujitsu Ltd | 光合分波器 |
| JPS61231529A (ja) | 1985-04-08 | 1986-10-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 光制御型光スイツチ装置 |
| JPS62202840A (ja) | 1986-03-03 | 1987-09-07 | Toshiba Corp | 感光性ガラスの加工方法 |
| US4692015A (en) | 1986-03-14 | 1987-09-08 | Xerox Corporation | Short focal lens array with multi-magnification properties |
| JPS63128699A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | 株式会社日立製作所 | 感光性ガラス−セラミツク多層配線基板 |
| US4788165A (en) | 1987-10-07 | 1988-11-29 | Corning Glass Works | Copper-exuding, boroaluminosilicate glasses |
| CA1320507C (en) | 1987-10-07 | 1993-07-20 | Elizabeth A. Boylan | Thermal writing on glass or glass-ceramic substrates and copper-exuding glasses |
| US4942076A (en) | 1988-11-03 | 1990-07-17 | Micro Substrates, Inc. | Ceramic substrate with metal filled via holes for hybrid microcircuits and method of making the same |
| JP2737292B2 (ja) | 1989-09-01 | 1998-04-08 | 富士通株式会社 | 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法 |
| US5147740A (en) | 1990-08-09 | 1992-09-15 | Rockwell International Corporation | Structure and process for fabricating conductive patterns having sub-half micron dimensions |
| US5215610A (en) | 1991-04-04 | 1993-06-01 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating superconductor packages |
| BE1004844A7 (fr) | 1991-04-12 | 1993-02-09 | Laude Lucien Diego | Methodes de metallisation de surfaces a l'aide de poudres metalliques. |
| US5212120A (en) | 1991-06-10 | 1993-05-18 | Corning Incorporated | Photosensitive glass |
| US5395498A (en) | 1991-11-06 | 1995-03-07 | Gombinsky; Moshe | Method for separating biological macromolecules and means therfor |
| JPH05139787A (ja) | 1991-11-19 | 1993-06-08 | Seikosha Co Ltd | 感光性ガラスの加工方法 |
| US5374291A (en) | 1991-12-10 | 1994-12-20 | Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Method of processing photosensitive glass |
| US5371466A (en) | 1992-07-29 | 1994-12-06 | The Regents Of The University Of California | MRI RF ground breaker assembly |
| US6258497B1 (en) | 1992-07-29 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Precise endpoint detection for etching processes |
| US6017681A (en) | 1992-11-09 | 2000-01-25 | Fujitsu Limited | Method of coupling optical parts and method of forming a mirror |
| GB2290171B (en) | 1994-06-03 | 1998-01-21 | Plessey Semiconductors Ltd | Inductor chip device |
| JPH0826767A (ja) | 1994-07-13 | 1996-01-30 | Nippon Glass Kk | ソーダ石灰シリカ系感光性ガラス及びその製造方法 |
| JPH08179155A (ja) | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Ricoh Co Ltd | レンズと光ファイバとの結合方法及びレンズ基板の作成方法 |
| JP3438383B2 (ja) | 1995-03-03 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 研磨方法およびこれに用いる研磨装置 |
| WO1996028538A1 (en) | 1995-03-10 | 1996-09-19 | Meso Scale Technologies, Llc | Multi-array, multi-specific electrochemiluminescence testing |
| US5919607A (en) | 1995-10-26 | 1999-07-06 | Brown University Research Foundation | Photo-encoded selective etching for glass based microtechnology applications |
| US5733370A (en) | 1996-01-16 | 1998-03-31 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing a bicrystal cluster magnetic recording medium |
| JPH107435A (ja) | 1996-06-26 | 1998-01-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガラスセラミック配線基板およびその製造方法 |
| WO1998013850A1 (fr) | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Plaque de protection d'ecran a plasma et son procede de fabrication |
| US6562523B1 (en) | 1996-10-31 | 2003-05-13 | Canyon Materials, Inc. | Direct write all-glass photomask blanks |
| JPH10199728A (ja) | 1997-01-07 | 1998-07-31 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜型コイル部品及びその製造方法 |
| US5850623A (en) | 1997-03-14 | 1998-12-15 | Eastman Chemical Company | Method for standardizing raman spectrometers to obtain stable and transferable calibrations |
| WO1998049698A2 (en) * | 1997-04-25 | 1998-11-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an enveloped multilayer capacitor and an envelope multilayer capacitor |
| US5998224A (en) | 1997-05-16 | 1999-12-07 | Abbott Laboratories | Magnetically assisted binding assays utilizing a magnetically responsive reagent |
| US6287965B1 (en) * | 1997-07-28 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co, Ltd. | Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor |
| JPH11176815A (ja) | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | ドライエッチングの終点判定方法およびドライエッチング装置 |
| US6598291B2 (en) | 1998-03-20 | 2003-07-29 | Viasystems, Inc. | Via connector and method of making same |
| US6115521A (en) | 1998-05-07 | 2000-09-05 | Trw Inc. | Fiber/waveguide-mirror-lens alignment device |
| US6686824B1 (en) | 1998-05-29 | 2004-02-03 | Nissha Printing Co., Ltd. | Toroidal printed coil |
| US6171886B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-01-09 | Eastman Kodak Company | Method of making integrated hybrid silicon-based micro-actuator devices |
| JP2000199827A (ja) | 1998-10-27 | 2000-07-18 | Sony Corp | 光導波装置およびその製造方法 |
| US6136210A (en) | 1998-11-02 | 2000-10-24 | Xerox Corporation | Photoetching of acoustic lenses for acoustic ink printing |
| JP2000228615A (ja) | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Tokin Corp | Ｌｃバンドパスフィルタ |
| US6942978B1 (en) | 1999-03-03 | 2005-09-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Transmembrane serine protease overexpressed in ovarian carcinoma and uses thereof |
| US6511793B1 (en) | 1999-03-24 | 2003-01-28 | Lg Electronics Inc. | Method of manufacturing microstructure using photosensitive glass substrate |
| US6485690B1 (en) | 1999-05-27 | 2002-11-26 | Orchid Biosciences, Inc. | Multiple fluid sample processor and system |
| JP3756041B2 (ja) | 1999-05-27 | 2006-03-15 | Ｈｏｙａ株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
| FR2795745B1 (fr) | 1999-06-30 | 2001-08-03 | Saint Gobain Vitrage | Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu |
| JP2001033664A (ja) | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Hitachi Cable Ltd | 光ファイバブロック |
| US6278352B1 (en) | 1999-07-26 | 2001-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High efficiency thin film inductor |
| US7179638B2 (en) | 1999-07-30 | 2007-02-20 | Large Scale Biology Corporation | Microarrays and their manufacture by slicing |
| US6538775B1 (en) | 1999-09-16 | 2003-03-25 | Reveo, Inc. | Holographically-formed polymer dispersed liquid crystals with multiple gratings |
| US6403286B1 (en) | 1999-11-04 | 2002-06-11 | Corning Incorporated | High aspect ratio patterning of glass film |
| JP2001206735A (ja) | 2000-01-25 | 2001-07-31 | Central Glass Co Ltd | めっき方法 |
| US6579817B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and method for producing the same, and device for communication apparatus using the same |
| US6329702B1 (en) | 2000-07-06 | 2001-12-11 | Tyco Electronics Corporation | High frequency carrier |
| US6495411B1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-12-17 | Promos Technology Inc. | Technique to improve deep trench capacitance by increasing surface thereof |
| US6510264B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-01-21 | Corning Incorporated | Bulk internal bragg gratings and optical devices |
| US7829348B2 (en) | 2000-09-22 | 2010-11-09 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Raman-active reagents and the use thereof |
| CA2425476C (en) | 2000-10-10 | 2011-02-01 | Biotrove, Inc. | Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof |
| US7033821B2 (en) | 2000-11-08 | 2006-04-25 | Surface Logix, Inc. | Device for monitoring cell motility in real-time |
| KR100392956B1 (ko) | 2000-12-30 | 2003-07-28 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법 |
| US6932933B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-08-23 | The Aerospace Corporation | Ultraviolet method of embedding structures in photocerams |
| US6824974B2 (en) | 2001-06-11 | 2004-11-30 | Genorx, Inc. | Electronic detection of biological molecules using thin layers |
| WO2003001889A2 (en) | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Meso Scale Technologies, Llc. | Assay plates reader systems and methods for luminescence test measurements |
| US20040246692A1 (en) | 2001-07-12 | 2004-12-09 | Toshiya Satoh | Electronic circuit component |
| US6843902B1 (en) | 2001-07-20 | 2005-01-18 | The Regents Of The University Of California | Methods for fabricating metal nanowires |
| US20030025227A1 (en) | 2001-08-02 | 2003-02-06 | Zograph, Llc | Reproduction of relief patterns |
| EP1469903A2 (en) | 2001-09-28 | 2004-10-27 | BioValve Technologies, Inc. | Microneedle with membrane |
| KR100814806B1 (ko) | 2001-10-15 | 2008-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 스페이서 제조 방법 및 이 스페이서를 갖는 평판 표시 소자 |
| US20040171076A1 (en) | 2001-12-20 | 2004-09-02 | Dejneka Matthew J. | Detectable micro to nano sized structures, methods of manufacture and use |
| US7064103B2 (en) | 2002-01-04 | 2006-06-20 | Becton, Dickinson And Company | Binding protein as biosensors |
| US6867089B2 (en) * | 2002-01-28 | 2005-03-15 | Nanya Technology Corporation | Method of forming a bottle-shaped trench in a semiconductor substrate |
| US7470518B2 (en) | 2002-02-12 | 2008-12-30 | Cellectricon Ab | Systems and method for rapidly changing the solution environment around sensors |
| US20030156819A1 (en) | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Mark Pruss | Optical waveguide |
| JP2005520202A (ja) | 2002-03-14 | 2005-07-07 | コーニング インコーポレイテッド | ファイバーアレイおよびファイバーアレイ作製方法 |
| JP2005524084A (ja) | 2002-04-30 | 2005-08-11 | ユニバーシティ オブ メリーランド，ボルチモア | 蛍光検出法 |
| JP2003329877A (ja) | 2002-05-14 | 2003-11-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光モジュール |
| US6580054B1 (en) | 2002-06-10 | 2003-06-17 | New Wave Research | Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser |
| JP2004047891A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| EP1546696B1 (en) | 2002-09-11 | 2012-02-29 | Synamem Corporation | Membrane-based assays |
| US6875544B1 (en) | 2002-10-03 | 2005-04-05 | Sandia Corporation | Method for the fabrication of three-dimensional microstructures by deep X-ray lithography |
| US20040184705A1 (en) | 2003-01-08 | 2004-09-23 | Mikihiro Shimada | Optical waveguide component and method of manufacturing the same |
| US6783920B2 (en) | 2003-01-15 | 2004-08-31 | The Aerospace Corporation | Photosensitive glass variable laser exposure patterning method |
| DE10304606B3 (de) | 2003-02-05 | 2004-06-03 | Magnet-Physik Dr. Steingroever Gmbh | Transformator zur Erzeugung hoher elektrischer Ströme |
| US7601491B2 (en) | 2003-02-06 | 2009-10-13 | Becton, Dickinson And Company | Pretreatment method for extraction of nucleic acid from biological samples and kits therefor |
| US7142086B2 (en) | 2003-02-11 | 2006-11-28 | Oplink Communications, Inc. | Ultra broadband inductor assembly |
| US7150569B2 (en) | 2003-02-24 | 2006-12-19 | Nor Spark Plug Co., Ltd. | Optical device mounted substrate assembly |
| TWI238513B (en) | 2003-03-04 | 2005-08-21 | Rohm & Haas Elect Mat | Coaxial waveguide microstructures and methods of formation thereof |
| US20040198582A1 (en) | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Borrelli Nicholas F. | Optical elements and methods of making optical elements |
| US6909137B2 (en) | 2003-04-07 | 2005-06-21 | International Business Machines Corporation | Method of creating deep trench capacitor using a P+ metal electrode |
| US7579077B2 (en) | 2003-05-05 | 2009-08-25 | Nanosys, Inc. | Nanofiber surfaces for use in enhanced surface area applications |
| US7335972B2 (en) | 2003-11-13 | 2008-02-26 | Sandia Corporation | Heterogeneously integrated microsystem-on-a-chip |
| US20050170670A1 (en) | 2003-11-17 | 2005-08-04 | King William P. | Patterning of sacrificial materials |
| US7316063B2 (en) | 2004-01-12 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating substrates including at least one conductive via |
| JP4153442B2 (ja) | 2004-02-02 | 2008-09-24 | シャープ株式会社 | 光モジュールの製造方法 |
| EP1738378A4 (en) | 2004-03-18 | 2010-05-05 | Nanosys Inc | NANOFIBRE SURFACE BASED CAPACITORS |
| JP4394999B2 (ja) | 2004-04-12 | 2010-01-06 | 大日本印刷株式会社 | 受動素子内蔵配線基板およびその製造方法 |
| CN1262500C (zh) | 2004-04-16 | 2006-07-05 | 武汉理工大学 | 制备纳米孔微晶玻璃/玻璃载体材料的方法 |
| US7176152B2 (en) | 2004-06-09 | 2007-02-13 | Ferro Corporation | Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes |
| DE102004059252A1 (de) | 2004-06-09 | 2006-01-19 | Schott Ag | Aufbau diffraktiver Optiken durch strukturierte Glasbeschichtung |
| JP4622359B2 (ja) | 2004-07-22 | 2011-02-02 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
| US7132054B1 (en) | 2004-09-08 | 2006-11-07 | Sandia Corporation | Method to fabricate hollow microneedle arrays |
| US20060147344A1 (en) | 2004-09-30 | 2006-07-06 | The University Of Cincinnati | Fully packed capillary electrophoretic separation microchips with self-assembled silica colloidal particles in microchannels and their preparation methods |
| JP4843611B2 (ja) | 2004-10-01 | 2011-12-21 | デ，ロシェモント，エル．，ピエール | セラミックアンテナモジュール及びその製造方法 |
| JP2006179564A (ja) | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Nec Corp | 半導体接続基板、半導体装置、半導体デバイス及び半導体基板並びに半導体接続基板の製造方法 |
| DE102005003594B4 (de) | 2004-12-31 | 2016-02-18 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils, verfahrensgemäß hergestelltes Bauteil sowie derartige Bauteile umfassende Einrichtung |
| US7714688B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-05-11 | Avx Corporation | High Q planar inductors and IPD applications |
| KR100682919B1 (ko) | 2005-01-20 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 미세 금속 박막 패턴 형성 방법, 이를 채용한 생체물질고정용 기판 및 바이오칩 |
| JP2006236516A (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Hitachi Ltd | 光へッド、光情報再生装置及びその製造方法 |
| CN101160733B (zh) | 2005-04-18 | 2011-10-05 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
| US7355704B2 (en) | 2005-06-13 | 2008-04-08 | Solaris Nanosciences, Inc. | Chemical and biological sensing using metallic particles in amplifying and absorbing media |
| JP2006352750A (ja) | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Denso Corp | アンテナコイル、それを用いた共振アンテナ及びカード型無線機 |
| DE102005039323B4 (de) | 2005-08-19 | 2009-09-03 | Infineon Technologies Ag | Leitbahnanordnung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren |
| US7410763B2 (en) | 2005-09-01 | 2008-08-12 | Intel Corporation | Multiplex data collection and analysis in bioanalyte detection |
| TW200721064A (en) | 2005-11-29 | 2007-06-01 | Novatek Microelectronics Corp | Timing controller chip |
| US8003408B2 (en) | 2005-12-29 | 2011-08-23 | Intel Corporation | Modification of metal nanoparticles for improved analyte detection by surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) |
| GB2434913A (en) | 2006-02-02 | 2007-08-08 | Xsil Technology Ltd | Support for wafer singulation |
| US7812416B2 (en) | 2006-05-22 | 2010-10-12 | Cardiomems, Inc. | Methods and apparatus having an integrated circuit attached to fused silica |
| JP2007318002A (ja) | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US8192795B2 (en) | 2006-06-28 | 2012-06-05 | Northwestern University | Etching and hole arrays |
| US7990679B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-08-02 | Dais Analytic Corporation | Nanoparticle ultracapacitor |
| US8061017B2 (en) | 2006-08-28 | 2011-11-22 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Methods of making coil transducers |
| US7847669B2 (en) | 2006-12-06 | 2010-12-07 | Georgia Tech Research Corporation | Micro-electromechanical switched tunable inductor |
| US7556440B2 (en) | 2006-12-22 | 2009-07-07 | Lightwire Inc. | Dual-lensed unitary optical receiver assembly |
| KR100849791B1 (ko) | 2007-03-12 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 내장형 인쇄회로기판 |
| JP2008225339A (ja) | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Hitachi Cable Ltd | 光学系接続構造、光学部材及び光伝送モジュール |
| WO2008119080A1 (en) | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Life Bioscience Inc. | Compositions and methods to fabricate a photoactive substrate suitable for shaped glass structures |
| JP4458296B2 (ja) | 2007-03-30 | 2010-04-28 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体共振器、誘電体フィルタ及びその特性調整方法 |
| US8143431B2 (en) | 2007-06-05 | 2012-03-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature thermal conductive inks |
| WO2008154931A1 (en) | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Danmarks Tekniske Universitet (Technical University Of Denmark) | Adsorbent beads suitable for use in separation of biological molecules |
| TW200905703A (en) | 2007-07-27 | 2009-02-01 | Delta Electronics Inc | Magnetic device and manufacturing method thereof |
| US8492315B2 (en) | 2007-08-28 | 2013-07-23 | Life Bioscience, Inc. | Method of providing a pattern of biological-binding areas for biological testing |
| WO2009062011A1 (en) | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Masachusetts Institute Of Technology | Method of forming a locally periodic 3d structure with larger-scale variation in periodic properties and applications thereof |
| JP5133047B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-01-30 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| US7792823B2 (en) | 2008-01-15 | 2010-09-07 | International Business Machines Corporation | Maintained symbol table only index |
| WO2009111583A1 (en) | 2008-03-04 | 2009-09-11 | The Regents Of The University Of California | Microlens arrays for enhanced light concentration |
| WO2009113168A1 (ja) | 2008-03-12 | 2009-09-17 | 大日本印刷株式会社 | 三次元加工用加飾シート |
| WO2009126649A2 (en) | 2008-04-07 | 2009-10-15 | Life Bioscience, Inc. | Method of providing particles having biological-binding areas for biological applications |
| US7948342B2 (en) | 2008-07-24 | 2011-05-24 | Cutt-A-Watt Enterprises, Llc | Electromotive rectification system |
| US20100022416A1 (en) | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Life Bioscience, Inc. | Assay plates, methods and systems having one or more etched features |
| KR101031134B1 (ko) | 2008-09-11 | 2011-04-27 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 컨택 및 그 제조 방법 |
| JP5263528B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2013-08-14 | 日本電気株式会社 | キャパシタ構造体及びその製造方法 |
| US20100237462A1 (en) | 2009-03-18 | 2010-09-23 | Benjamin Beker | Package Level Tuning Techniques for Propagation Channels of High-Speed Signals |
| EP2417427A4 (en) | 2009-04-03 | 2012-08-08 | Res Triangle Inst | OPTICAL MEMS SCANNING DEVICE WITH SUPPORT ARM AND SYSTEM AND METHOD THEREFOR |
| KR100941691B1 (ko) | 2009-04-10 | 2010-02-12 | (주)제이스 | 감광성 유리 기판, 이의 제조 방법 및 반도체 프로브 칩 |
| US7989248B2 (en) | 2009-07-02 | 2011-08-02 | Advanced Microfab, LLC | Method of forming monolithic CMOS-MEMS hybrid integrated, packaged structures |
| CN102762573B (zh) | 2009-07-24 | 2015-09-16 | 阿马曾提斯公司 | 用于在神经退行性障碍中保护脑部健康的化合物、组合物和方法 |
| TWI410380B (zh) | 2009-11-11 | 2013-10-01 | Ind Tech Res Inst | 光敏玻璃微結構之製造方法及用以製造該微結構之系統 |
| US8479375B2 (en) | 2010-01-13 | 2013-07-09 | The Aerospace Corporation | Method of making an embedded electromagnetic device |
| DE112011100505T5 (de) | 2010-02-10 | 2013-03-28 | Life Bioscience, Inc. | Verfahren zur herstellung eines fotoaktiven substrats, das zur mikrofertigung geeignet ist |
| US20110217657A1 (en) | 2010-02-10 | 2011-09-08 | Life Bioscience, Inc. | Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication |
| CN102947931A (zh) | 2010-03-03 | 2013-02-27 | 佐治亚技术研究公司 | 无机中介片上的贯通封装过孔（tpv）结构及其加工方法 |
| US8411459B2 (en) | 2010-06-10 | 2013-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Interposer-on-glass package structures |
| US9564320B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-02-07 | Soraa, Inc. | Large area nitride crystal and method for making it |
| US8492818B2 (en) | 2010-09-14 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | High capacitance trench capacitor |
| JP5644340B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2014-12-24 | 株式会社デンソー | キャパシタ構造体およびその製造方法 |
| WO2012075267A1 (en) | 2010-12-03 | 2012-06-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Inks and processes for preparing copper indium gallium sulfide/selenide coatings and films |
| US8835217B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-09-16 | Intel Corporation | Device packaging with substrates having embedded lines and metal defined pads |
| JP2012194455A (ja) | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Enplas Corp | レンズアレイ |
| KR101167691B1 (ko) * | 2011-08-09 | 2012-07-20 | 주식회사 비티엔아이티솔루션스 | 감광성 유리 기판을 구비한 적층형 캐패시터, 이의 제조방법 및 이의 용도 |
| US9287614B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-03-15 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromachined millimeter-wave frequency scanning array |
| JP2013062473A (ja) | 2011-09-15 | 2013-04-04 | Toppan Printing Co Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
| JP5541425B2 (ja) | 2012-01-16 | 2014-07-09 | 株式会社村田製作所 | Ｒｆ信号用遮断装置 |
| US9293269B2 (en) | 2012-02-08 | 2016-03-22 | Dais Analytic Corporation | Ultracapacitor tolerating electric field of sufficient strength |
| JP6011958B2 (ja) | 2012-03-28 | 2016-10-25 | 株式会社エンプラス | 光レセプタクルおよびこれを備えた光モジュール |
| JP2013217989A (ja) | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | 光ファイバコネクタ |
| US8896521B2 (en) | 2012-04-24 | 2014-11-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Metal-insulator-metal capacitors on glass substrates |
| US20130308906A1 (en) | 2012-05-21 | 2013-11-21 | LaXense, Inc. | System and method for dense coupling between optical devices and an optical fiber array |
| US8815638B2 (en) | 2012-06-19 | 2014-08-26 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing thick-film electrode |
| US20140035935A1 (en) | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Passives via bar |
| US10115671B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-10-30 | Snaptrack, Inc. | Incorporation of passives and fine pitch through via for package on package |
| WO2014028022A1 (en) | 2012-08-16 | 2014-02-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Diagonal openings in photodefinable glass |
| US9755305B2 (en) | 2012-08-16 | 2017-09-05 | Ethertronics, Inc. | Active antenna adapted for impedance matching and band switching using a shared component |
| US8872349B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-28 | Intel Corporation | Bridge interconnect with air gap in package assembly |
| WO2014043267A1 (en) | 2012-09-12 | 2014-03-20 | Life Bioscience, Inc. | Methods of fabricating photoactive substrates suitable for electromagnetic transmission and filtering applications |
| US20140104284A1 (en) | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Through substrate via inductors |
| EP3603956A1 (en) | 2012-10-19 | 2020-02-05 | Rutgers, The State University of New Jersey | Graphene-reinforced polymer matrix composite by an in situ exfoliation method |
| US20140144681A1 (en) | 2012-11-27 | 2014-05-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Adhesive metal nitride on glass and related methods |
| US9035457B2 (en) | 2012-11-29 | 2015-05-19 | United Microelectronics Corp. | Substrate with integrated passive devices and method of manufacturing the same |
| TWI565989B (zh) | 2012-12-14 | 2017-01-11 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 光纖連接器 |
| US20140247269A1 (en) | 2013-03-04 | 2014-09-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | High density, low loss 3-d through-glass inductor with magnetic core |
| US20140272688A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Photronics, Inc. | Grayscale lithography of photo definable glass |
| JP6015567B2 (ja) | 2013-06-12 | 2016-10-26 | 株式会社デンソー | 貫通型コンデンサ |
| US20150079738A1 (en) | 2013-06-18 | 2015-03-19 | Stephen P. Barlow | Method for producing trench high electron mobility devices |
| US9093975B2 (en) | 2013-08-19 | 2015-07-28 | Harris Corporation | Microelectromechanical systems comprising differential inductors and methods for making the same |
| US9449753B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-09-20 | Qualcomm Incorporated | Varying thickness inductor |
| JPWO2015033826A1 (ja) | 2013-09-04 | 2017-03-02 | Hoya株式会社 | ケイ酸塩セラミックス、板状基板および板状基板の製造方法 |
| KR20160036666A (ko) | 2013-09-27 | 2016-04-04 | 인텔 코포레이션 | 수동 부품용 중첩체 기판을 구비한 다이 패키지 |
| SG11201602499TA (en) | 2013-10-07 | 2016-04-28 | Koninkl Philips Nv | Precision batch production method for manufacturing ferrite rods |
| CN105849607B (zh) | 2013-12-19 | 2019-10-15 | 3M创新有限公司 | 多模光学连接器 |
| KR20150074872A (ko) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 전자부품연구원 | 인터포저 기판 및 그의 제조 방법 |
| KR101519760B1 (ko) | 2013-12-27 | 2015-05-12 | 전자부품연구원 | 금속 배선의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 금속 배선 기판 |
| US20150201495A1 (en) | 2014-01-14 | 2015-07-16 | Qualcomm Incorporated | Stacked conductive interconnect inductor |
| WO2015112903A1 (en) | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 3D Glass Solutions, Inc | Methods of fabricating photoactive substrates for micro-lenses and arrays |
| EP3920200A1 (en) | 2014-05-05 | 2021-12-08 | 3D Glass Solutions, Inc. | 2d and 3d inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates |
| KR102233579B1 (ko) | 2014-08-12 | 2021-03-30 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 리소그래피용 펠리클 |
| US10201901B2 (en) | 2015-01-29 | 2019-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Robot apparatus, method for controlling robot, program, and recording medium |
| US9647306B2 (en) | 2015-03-04 | 2017-05-09 | Skyworks Solutions, Inc. | RF filter comprising N coaxial resonators arranged in a specified interdigitation pattern |
| US20160265974A1 (en) | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Corning Incorporated | Glass waveguide spectrophotometer |
| US9385083B1 (en) | 2015-05-22 | 2016-07-05 | Hrl Laboratories, Llc | Wafer-level die to package and die to die interconnects suspended over integrated heat sinks |
| US9853624B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-12-26 | Qorvo Us, Inc. | SAW resonator with resonant cavities |
| US9712131B2 (en) | 2015-09-15 | 2017-07-18 | Karl L. Thorup | High isolation power combiner/splitter and coupler |
| US10070533B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-09-04 | 3D Glass Solutions, Inc. | Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane |
| KR20180097179A (ko) | 2016-01-21 | 2018-08-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 실리콘 관통 비아들의 도금의 프로세스 및 케미스트리 |
| CA3013205C (en) | 2016-01-31 | 2021-07-27 | 3D Glass Solutions, Inc. | Multi-layer photo definable glass with integrated devices |
| WO2017147511A1 (en) | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 3D Glass Solutions, Inc. | 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates |
| US9819991B1 (en) | 2016-02-29 | 2017-11-14 | Amazon Technologies, Inc. | Adaptive impedance matching interface |
| WO2017177171A1 (en) | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 3D Glass Solutions, Inc. | Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler |
| US9635757B1 (en) | 2016-08-11 | 2017-04-25 | Unimicron Technology Corp. | Circuit board and manufacturing method thereof |
| EP3327806B1 (en) | 2016-11-24 | 2021-07-21 | Murata Integrated Passive Solutions | Integrated electronic component suitable for broadband biasing |
| US10367243B2 (en) | 2017-05-02 | 2019-07-30 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Miniature LTCC coupled stripline resonator filters for digital receivers |
| JP7083600B2 (ja) | 2017-05-25 | 2022-06-13 | 凸版印刷株式会社 | キャパシタ内蔵ガラス回路基板及びその製造方法 |
| JP2019106429A (ja) | 2017-12-11 | 2019-06-27 | 凸版印刷株式会社 | ガラス配線基板、その製造方法及び半導体装置 |
| CN210668058U (zh) | 2019-12-09 | 2020-06-02 | 梅州市成就电子科技有限公司 | 一种宽频锥形电感 |
-
2017
- 2017-02-24 WO PCT/US2017/019483 patent/WO2017147511A1/en active Application Filing
- 2017-02-24 JP JP2018544793A patent/JP7071609B2/ja active Active
- 2017-02-24 KR KR1020207001866A patent/KR20200010598A/ko not_active IP Right Cessation
- 2017-02-24 EP EP17757365.6A patent/EP3420571A4/en active Pending
- 2017-02-24 AU AU2017223993A patent/AU2017223993B2/en active Active
- 2017-02-24 CA CA3015525A patent/CA3015525C/en active Active
- 2017-02-24 KR KR1020217037723A patent/KR102479144B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-24 KR KR1020187027782A patent/KR20180134868A/ko not_active IP Right Cessation
- 2017-02-24 US US16/079,033 patent/US11264167B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-24 JP JP2020159288A patent/JP7129104B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-12 JP JP2022003207A patent/JP7237390B2/ja active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165025A (ja) | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびそれを用いた半導体モジュール、ならびに半導体装置の製造方法 |
| JP2014505354A (ja) | 2010-12-09 | 2014-02-27 | テッセラ，インコーポレイテッド | 高密度３次元集積コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180134868A (ko) | 2018-12-19 |
| EP3420571A4 (en) | 2020-03-25 |
| KR20200010598A (ko) | 2020-01-30 |
| CA3015525C (en) | 2022-04-26 |
| KR20210145301A (ko) | 2021-12-01 |
| KR102479144B1 (ko) | 2022-12-20 |
| JP2022058587A (ja) | 2022-04-12 |
| US20190074136A1 (en) | 2019-03-07 |
| EP3420571A1 (en) | 2019-01-02 |
| WO2017147511A1 (en) | 2017-08-31 |
| JP7237390B2 (ja) | 2023-03-13 |
| US11264167B2 (en) | 2022-03-01 |
| AU2017223993A1 (en) | 2018-09-13 |
| JP2021013024A (ja) | 2021-02-04 |
| AU2017223993B2 (en) | 2019-07-04 |
| JP2019512169A (ja) | 2019-05-09 |
| CA3015525A1 (en) | 2017-08-31 |
| JP7129104B2 (ja) | 2022-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7071609B2 (ja) | ３ｄキャパシタ、及び光活性基板を作製するキャパシタアレイ | |
| US11929199B2 (en) | 2D and 3D inductors fabricating photoactive substrates | |
| US10201091B2 (en) | Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane | |
| JP7245547B2 (ja) | Ｒｆ集積電力調整コンデンサ | |
| AU2018383659B2 (en) | Coupled transmission line resonate RF filter | |
| US20220157524A1 (en) | 3D Capacitor and Capacitor Array Fabricating Photoactive Substrates | |
| CA3168516C (en) | Ultra high surface area integrated capacitor | |
| WO2023146729A1 (en) | 3d capacitor and capacitor array fabricating photoactive substrates | |
| CA3051140A1 (en) | Rf integrated power condition capacitor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200212 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200525 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200924 |
|
| C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20200924 |
|
| C11 | Written invitation by the commissioner to file amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C11 Effective date: 20201005 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210324 |
|
| C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210329 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20210423 |
|
| C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20210510 |
|
| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210726 |
|
| C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20210913 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20211210 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220112 |
|
| C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20220214 |
|
| C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20220322 |
|
| C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20220322 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220331 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7071609 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |