JP7071483B2 - Lithography equipment, pattern forming method and article manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、リソグラフィ装置、パターン形成方法及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a lithography apparatus, a pattern forming method, and a method for manufacturing an article.
半導体や液晶パネルなどは、フォトリソグラフィ工程により製造される。フォトリソグラフィ工程では、マスクやレチクルと呼ばれる原版上のパターンを、投影光学系を介してレジスト(感光剤)が塗布された基板(ガラス基板やウエハ)上に投影する露光装置が使用されている。 Semiconductors, liquid crystal panels, etc. are manufactured by a photolithography process. In the photolithography process, an exposure apparatus is used in which a pattern on an original plate called a mask or a reticle is projected onto a substrate (glass substrate or wafer) coated with a resist (photosensitive agent) via a projection optical system.
露光工程では、複数の露光装置を用いて1つの基板上に面積が互いに異なる複数の露光領域を露光することが行われることがある。初めに第1露光装置を用いて基板の第1領域を露光し、基板を第1露光装置から搬出する。次に、第2露光装置に基板を搬入して、第2露光装置を用いて基板の未露光領域における第2領域を露光する。第2露光装置を用いて第2領域を露光するときに、既に露光された第1領域に対する第2領域の相対位置を保証することが望ましい。 In the exposure step, a plurality of exposure regions having different areas may be exposed on one substrate using a plurality of exposure devices. First, the first region of the substrate is exposed using the first exposure apparatus, and the substrate is carried out from the first exposure apparatus. Next, the substrate is carried into the second exposure apparatus, and the second region in the unexposed region of the substrate is exposed using the second exposure apparatus. When the second region is exposed using the second exposure apparatus, it is desirable to guarantee the relative position of the second region with respect to the already exposed first region.
特許文献1には、基板搬出前後で露光される複数の露光領域の相対位置を保証するためのアライメントマークを形成することが記載されている。具体的には、第1領域を露光する前に露光装置内で基板上のレジストの一部分にレーザー光を照射してレジストを除去することによって基板上にアライメントマークを形成する。そして、形成されたアライメントマークの位置に基づいて原版に対して基板を位置合せして、基板の第1領域と第2領域を露光している。 Patent Document 1 describes forming an alignment mark for guaranteeing the relative positions of a plurality of exposed areas to be exposed before and after the substrate is carried out. Specifically, an alignment mark is formed on the substrate by irradiating a part of the resist on the substrate with a laser beam to remove the resist before exposing the first region. Then, the substrate is aligned with respect to the original plate based on the position of the formed alignment mark, and the first region and the second region of the substrate are exposed.
しかし、特許文献1に記載の発明では、アライメントマークの形成ために除去されたレジストが周囲に飛散して異物となるため、基板を露光して形成される回路パターンに欠陥が生じるおそれがある。 However, in the invention described in Patent Document 1, the resist removed for forming the alignment mark scatters around and becomes a foreign substance, so that there is a possibility that a defect may occur in the circuit pattern formed by exposing the substrate.
そこで、本発明は、基板に形成されるパターンへの影響を抑えるためのアライメントマークを形成するリソグラフィ装置又はパターン形成方法を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a lithography apparatus or a pattern forming method for forming an alignment mark in order to suppress an influence on a pattern formed on a substrate.
上記課題を解決する本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板上の層の第一の露光領域に潜像パターンを形成するリソグラフィ装置であり、該リソグラフィ装置とは別のリソグラフィ装置で前記第一の露光領域とは異なる、前記基板上の前記層の第二の露光領域に潜像パターンを形成する前に、前記第一の露光領域に潜像パターンを形成するリソグラフィ装置であって、基材上に第1材料が配置され、該第1材料上に感光剤が塗布された前記基板に位置合せ用マークを形成する形成部と、前記感光剤に露光光を照明して前記基板に潜像パターンを転写する転写部と、を有し、前記形成部は、前記露光光とは異なる波長の照射光を前記第1材料に照射し、前記照射光のエネルギーで前記第1材料を加工して前記第1材料に位置合せ用マークを形成し、前記位置合せ用マークは、前記第一の露光領域の位置に対する、前記第二の露光領域の位置を決定するためのマークであることを特徴とする。 A lithography device as one aspect of the present invention that solves the above problems is a lithography device that forms a latent image pattern in a first exposure region of a layer on a substrate , and is a lithography device different from the lithography device. A lithography device that forms a latent image pattern in the first exposed area before forming a latent image pattern in the second exposed area of the layer on the substrate, which is different from the one exposed area . A forming portion for forming an alignment mark on the substrate in which the first material is arranged on the material and the photosensitive agent is applied on the first material, and the substrate by illuminating the photosensitive agent with exposure light. It has a transfer portion that transfers a latent image pattern to the first material, and the forming portion irradiates the first material with irradiation light having a wavelength different from that of the exposure light, and uses the energy of the irradiation light to irradiate the first material. The alignment mark is formed on the first material by processing, and the alignment mark is a mark for determining the position of the second exposure region with respect to the position of the first exposure region. It is characterized by.
本発明によれば、基板に形成されるパターンへの影響を抑えるためのアライメントマークを形成するリソグラフィ装置又はパターン形成方法を提供することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a lithography apparatus or a pattern forming method for forming an alignment mark in order to suppress an influence on a pattern formed on a substrate.
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
<第1実施形態>
本実施形態では、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置の一例として、フラットパネルディスプレイ(FPD)製造用の露光装置を説明する。露光装置は、マスク(原版、レチクル)を照明し、マスクのパターンを基板(ウエハ、ガラス基板等)に露光する装置である。露光装置は、例えば、投影光学系を用いてマスクのパターンを、感光剤(レジスト)が塗布された基板に投影して、感光剤に潜像パターンを形成する。
<First Embodiment>
In this embodiment, an exposure apparatus for manufacturing a flat panel display (FPD) will be described as an example of a lithography apparatus for forming a pattern on a substrate. The exposure device is a device that illuminates a mask (original plate, reticle) and exposes a mask pattern to a substrate (wafer, glass substrate, etc.). The exposure apparatus uses, for example, a projection optical system to project a mask pattern onto a substrate coated with a photosensitive agent (resist) to form a latent image pattern on the photosensitive agent.
図1は、第1実施形態の露光装置の概略図である。基板16の表面に対して垂直な方向(鉛直方向)をZ方向として、Z方向に対して垂直な方向をそれぞれX、Y方向とする。本実施形態の露光装置は、照明系1、原版3のパターンを基板16に投影する投影光学系4を有する。また、露光装置は原版3と基板16のアライメントマークを検出するアライメントスコープを有する。照明系1は、例えば、光源やレンズやミラーを含む。光源は、例えば、水銀ランプと楕円ミラーを含みうる。照明系1は所定の形状の照明領域を形成し、原版3の一部を照明する。投影光学系4は、照明系1によって照明される原版3のパターンの像を基板16上に投影する。原版3は投影光学系4の物体面の位置に、基板16は投影光学系4の像面の位置に配置される。原版3は不図示のステージに保持されている。投影光学系4は、等倍、拡大及び縮小の結像光学系のいずれとしても構成されうる。図1には、ミラー14、凹面鏡12及び凸面鏡15を有する投影光学系を示す。照明系1によって照明される原版3のパターンの像は、投影光学系4内のミラー14、凹面鏡12、凸面鏡15、再度凹面鏡12、ミラー14を経て基板16に等倍で結像する。なお、投影光学系は、主にレンズを用いた投影レンズや、反射屈折光学系としても構成され、複数の結像光学系としても構成されうる。ステージ17は基板16を保持するための保持機構を有する。基板16はステージ17の保持機構に保持される。また、ステージ17は、ステージ16上において基板16のX、Y位置やZ軸周りの角度を調整するための調整機構を有する。ステージ17は主制御部18からの駆動指令に基づいて駆動され、基板16の位置が制御される。主制御部18は、干渉計やエンコーダ等のポジションセンサによって計測されたステージ17の位置や角度に基づいて、X、Y及びZ方向におけるステージ17の位置やそれらの方向周りの回転角度の制御を行う。そして、露光装置は原版3に対して基板16の位置合せを行って、原版3と基板16を所定の方向に同期して移動させながら基板16に対して原版3のパターンを露光する。このとき、照明系1による照明領域が原版3上を移動して原版3のパターン全体が照明され、投影光学系4による投影領域が基板16上を移動して基板16が露光される。このように原版3と基板16を同期して移動させながら基板16が露光される領域を露光領域とする。
FIG. 1 is a schematic view of the exposure apparatus of the first embodiment. The direction perpendicular to the surface of the substrate 16 (vertical direction) is defined as the Z direction, and the directions perpendicular to the Z direction are defined as the X and Y directions, respectively. The exposure apparatus of the present embodiment has a projection
照明系1、投影光学系4、ステージ17、主制御部18は、基板にマスクのパターンを転写する転写部として機能する。なお、主制御部18はステージ制御だけでなく、シーケンス制御など露光装置の各部の動作の制御を行っている。また、主制御部18は、マーク形成手段19を制御するための制御部20も制御する。
The illumination system 1, the projection
本実施形態の露光装置はマーク形成手段19(形成部)を有する。制御部20は主制御部18からの指令に基づいてマーク形成手段19を制御する。主制御部18は所定の位置にステージ17を移動させた後に照射指令を制御部20に送信する。そして、制御部20によってマーク形成手段19が制御されて、基板16が照射される。
The exposure apparatus of this embodiment has a mark forming means 19 (forming portion). The
マーク形成手段19は、投影光学系4を支持する構造体に固定して配置される。マーク形成手段19は、レーザー等の光源を用いて、ステージ17上に保持されている基板16に向かってレーザー光等のスポット状の光束を照射する。そして、マーク形成手段19は光の照射によって位置合せ用のアライメントマークを基板16に形成する。照射光の波長、強度、照射時間や光量などの照射条件は制御部20により決定される。制御部20は、決定した照射条件で照射するようにマーク形成手段19を制御する。マーク形成手段19は、光源が射出する光の波長、強度(出力)や出力時間を調整する調整部を用いて照射条件を変更してもよい。また、マーク形成手段19が波長フィルタ、NDフィルタ又はシャッタ(遮光板)を用いて、照射光の波長、強度、照射時間や光量を調整することもできる。
The
マーク形成手段19によって基板16上に形成されたアライメントマークは計測部21により計測される。計測部21は、投影光学系4を支持する構造体に固定して配置される。マーク形成手段19と計測部21との相対位置は既知の関係に配置されている。なお、マーク形成手段19と計測部21は移動可能に構成されていてもよい。計測部21は光源を用いてアライメントマークを照明する照明系と、計測部21はアライメントマークを撮像するセンサ(撮像部)を有する。図1において計測部21からの計測光を点線で示す。計測光の波長は例えば500~600nmである。センサとして、受光した光を電気信号に光電変換するエリアイメージセンサを用いることができる。計測部21又は制御部20は、撮像されたアライメントマークを含む画像を取得して記憶する記憶部(メモリなど)と、取得した画像のデータを用いてアライメントマークの位置を算出する演算部(CPUなど)を有する。主制御部18は、その演算部によって算出されたアライメントマークの位置(計測結果)のデータを取得し、その計測結果に基づいて、X、Y方向におけるステージ17の位置やZ方向周りの回転の制御を行い、原版3に対して基板16の位置合せを行う。そして、主制御部18は、照明系1、投影光学系4、ステージ17等を制御して、位置合せされた基板16に対して原版3のパターンを露光する。
The alignment mark formed on the
図2(a)、(b)に、マーク形成手段19を用いたアライメントマークMの形成の様子を示す。マーク形成手段19は、レーザー等の光源を用いてスポット状の光束を基板16に向かって照射する。図2(a)、(b)において照射光を点線で示す。基板16は、ガラス16aと、ガラス16aの上部に蒸着された金属膜16b(第1材料)と、第1材料上に塗布されたレジスト(感光剤)16cを含む。平坦な板状のガラス16aに金属膜16bを蒸着し、金属膜16bの上にレジストを塗布することによって基板16が得られる。金属膜16bは、レジスト16cの下地の材料であって、例えば、エッチングなどの後処理によって加工して、トランジスタなど半導体デバイスの配線パターンを形成するための膜である。金属膜16bの材料は、例えば、銅、クロム、アルミニウム合金などである。レジスト16cの材料は、例えば樹脂を主成分とする感光性材料であり、樹脂としてノボラック型やレゾール型のフェノール樹脂が挙げられる。
FIGS. 2A and 2B show the formation of the alignment mark M using the
図2(a)に示す例において、マーク形成手段19は、マスクのパターンを転写すべき領域R1(露光領域)の外側にある、位置合せ用マークを形成すべき領域R2に光を照射する。マーク形成手段19は、レジスト16cを透過する波長の光を射出する。マーク形成手段19からの照射光の波長に対する、金属膜16bの吸収率よりもレジスト16cの吸収率が低くなるように、当該波長が設定される。マーク形成手段19からの光は、レジスト16cでの光吸収率が低いためレジスト16cを透過して、レジスト16cとの境界面を形成する金属膜16bを照射する。マーク形成手段19からの光は金属膜16bでの吸収率が高いため、金属膜16bは照射された光のエネルギーによって熱で加工されて、金属膜16bにアライメントマークMが形成される。金属膜16bには、例えば、スポット状の照射光束によって、上面から見て円形状のマークが形成される。例えば、アライメントマークMは黒色に変色した部分であり、計測部21によってレジスト16cを介してアライメントマークを撮像したときに、撮像画像において周囲よりも光強度が低くなる。制御部20は、この光強度の差(コントラスト)を利用してアライメントマークの位置を算出する。図2(a)に示す例において、レジスト16cを除去することなく、金属膜16bにアライメントマークMを形成する。
In the example shown in FIG. 2A, the
図2(b)に示す例において、基板16において、マスクのパターンを転写すべき領域R1にはレジスト16cが塗布され、位置合せ用マークを形成すべき領域R2にはレジスト16cが塗布されていない。領域R2にレジスト16cが塗布されないようにマスクで覆うことによって、領域R1だけにレジスト16cを塗布することができる。マーク形成手段19は、レジスト16cが塗布されていない領域R2において金属膜16bの表面を直接、照射する。つまり、マーク形成手段19は、レジスト16cを介さないで金属膜16bを照射する。金属膜16bは照射された光のエネルギーによって熱で加工されて、金属膜16bにアライメントマークMが形成される。このとき、金属膜16bを照射する光の波長は、レジスト16cを透過する波長とは異なる波長、レジスト16cに対して感度を有する波長でもよい。例えば、マスクのパターンを転写すべき領域R1を露光する露光光と同じ波長でもよい。また、ガラス、金属膜やレジストの材料は、図2(a)の例に示すガラス、金属膜やレジストの材料とは異なる材料でもよい。図2(b)のように金属膜16bに形成されたアライメントマークMは、計測部21によってレジスト16cを介さないで撮像される。
In the example shown in FIG. 2B, in the
なお、金属膜を熱加工して金属膜にアライメントマークを形成する例を説明したが、図2(a)の例において、金属膜に熱負荷をかけることで金属表面上のレジストを炭化(変質)させて、レジストにアライメントマークを形成してもよい。つまり、レジスト自体がアライメントマークを有することもある。 An example of heat-processing the metal film to form an alignment mark on the metal film has been described. However, in the example of FIG. 2A, the resist on the metal surface is carbonized (altered) by applying a heat load to the metal film. ) To form an alignment mark on the resist. That is, the resist itself may have an alignment mark.
次に、照射条件を決定する制御部20について説明する。制御部20は照射対象物の物性の情報を取得する取得部を有し、取得した情報に基づいて照射する光束の波長、強度(出力)、時間を決定する。波長は、照射対象物となるレジスト及び金属膜の少なくとも一方の、波長に対する吸収率の情報に基づき予め決定する。例えば、金属膜に対して吸収率が高く(感度を有し)、レジストを透過する波長を選択する。レジストを透過する波長は、i線(波長365nm)を露光光として用いて基板上のレジストを露光する露光装置ではi線(露光光)以外の波長である。また、例えば、g(436nm)、h(405nm)、i線を露光光として用いて基板上のレジストを露光する露光装置ではg、h、i線(露光光)以外の波長であって、金属膜における吸収率が20%以上ある波長を用いる。露光光の波長に分布が存在する場合は、少なくとも露光光の波長分布のピーク位置の波長とは異なる波長の光を金属膜に照射してもよい。また、一例として金属膜の物質が銅である場合は532nmの波長を用いることができる。
Next, the
照射光の強度(出力)や時間は、事前にテストして決めることができる。例えば、マーク形成手段19を用いて照射光の強度(出力)や時間の値を変更しながら、実際にデバイス等の回路パターンを露光する基板と同様の材料のテスト基板を照射して、形成された複数のマークを計測して、計測結果に基づいて決定することができる。制約条件としてマークを再現性良く計測できる条件、レジストを介して金属膜を照射する場合はレジストへの影響が少ない条件、金属膜へのダメージが少ない条件、又は、ガラス基板への影響が少ない条件などに基づいて、照射条件を設定することができる。なお、基板へのダメージを少なくするためには照射出力(強度)は低く、照射時間は短いほうが望ましい。しかし、アライメントマークの計測再現性を高くするためには適切な強度と照射時間を設定する必要がある。これらの照射条件は基板のガラス、金属膜やレジストの材料(物性)によって変更することができる。図2において、マーク形成手段19の照射光の集光点は金属膜16の表面上にあるが、これに限らない。マーク形成手段19の照射光の集光点の位置をフォーカス方向に変更することによって金属膜の表面から集光点をデフォーカスさせるといった照射条件の変更もありえる。
The intensity (output) and time of the irradiation light can be determined by testing in advance. For example, it is formed by irradiating a test substrate made of the same material as the substrate that actually exposes a circuit pattern of a device or the like while changing the intensity (output) and time value of the irradiation light using the
図3に、マーク形成手段を用いて図2(a)に示す基板を照射したときに形成されるアライメントマークMの画像の例を示す。図3(a)は、マーク形成手段からの光で照射したときの画像である。照射された領域の金属膜が変質し、レジストが炭化し、照射領域にマークが形成されている。図3(b)は、図3(a)の場合より弱い光で照射したときの画像であるが、照射光が弱く、金属膜やレジストには変化が現れていない。図3(c)は、図3(a)の場合より強い光で照射したきの画像である。照射光の強度が強すぎて金属膜に穴が形成されている。画像上ではマークの計測は可能であるが、金属膜への損傷がある。 FIG. 3 shows an example of an image of the alignment mark M formed when the substrate shown in FIG. 2A is irradiated with the mark forming means. FIG. 3A is an image when irradiated with light from the mark forming means. The metal film in the irradiated area is altered, the resist is carbonized, and marks are formed in the irradiated area. FIG. 3B is an image when irradiated with a weaker light than in the case of FIG. 3A, but the irradiation light is weak and no change appears in the metal film or the resist. FIG. 3 (c) is an image of the light irradiated with stronger light than in the case of FIG. 3 (a). The intensity of the irradiation light is too strong and holes are formed in the metal film. It is possible to measure the mark on the image, but there is damage to the metal film.
図4は、基板の露光領域とアライメントマークのレイアウトを示す図である。本実施形態では、露光装置内においてマーク形成手段19を2個配置し、マーク形成手段19が基板16の角部付近に3つのアライメントマーク31、32、33を形成する。2つのマーク形成手段19は、基板露光時に基板を移動させるY方向に対して垂直なX方向に互いに離れて配置されている。まず、主制御部18がステージ17の位置を制御してステージ17を所定の位置に移動させ、アライメントマーク31、32を形成すべき領域を2つのマーク形成手段19の直下に位置決めする。基板の位置決めが完了した後、主制御部18は照射タイミングを制御部20に指令する。そして、制御部20は2つのマーク形成手段19が基板に向かって光を照射するように制御して、2つのマーク形成手段19からの照射により基板にアライメントマーク31、32を形成する。次に、ステージ17をY方向に移動させて、同様に、マーク形成手段19が基板にアライメントマーク33を形成する。なお、マーク形成手段19は露光領域のレイアウトに合わせて1個でも3個以上でもよく、アライメントマークは4個以上形成してもよい。基板のX、Y方向における位置と、Z方向周りの回転角度を計測するためには、アライメントマークは互いに離れた位置に3個以上必要である。
FIG. 4 is a diagram showing an exposure area of a substrate and a layout of alignment marks. In the present embodiment, two
計測部21は、アライメントマークが基板に形成された後に、アライメントマーク31、32、33のX、Y方向の位置をより計測する。露光装置は、計測部21による計測結果に基づき、基板上の露光すべき複数の露光領域のそれぞれの位置を決定する。本実施形態では、共通のアライメントマークの位置計測結果に基づいて複数の露光領域を決定しているため、各露光領域の相対位置関係を保証することができる。
After the alignment mark is formed on the substrate, the measuring
図4では、基板上に2つの第一の露光領域と3つの第二の露光領域のレイアウトを決定して、露光する例を示す。2つの第一の露光領域のそれぞれは互いに面積が同じで、3つの第二の露光領域のそれぞれも互いに面積が同じである。第一の露光領域と第二の露光領域とは互いに面積が異なる。そのため、第一の露光領域の幅に合わせた照明領域で基板を露光することができる第一の露光装置を用いて、基板をY方向に移動させながら2つの第一の露光領域を露光する。次に、第二の露光領域の幅に合わせた照明領域で基板を露光することができる第二の露光装置を用いて、基板をX方向に移動させながら3つの第二の露光領域を露光する。なお、第一の露光装置と第二の露光装置は別の装置、つまり、それぞれの露光装置がチャンバー(筐体)で覆われている装置として説明した。ただし、同じチャンバー内に、1つの照明系と1つの投影系を一組(1ステーション)として複数組の光学系を配置して、複数組の光学系を用いて第一の露光領域と第二の露光領域を露光してもよい。または、同一の露光装置に、搬出した基板を90度回転して再度搬入して、90度回転した状態で露光してもよい。 FIG. 4 shows an example in which the layout of two first exposure regions and three second exposure regions is determined and exposed on the substrate. Each of the two first exposed areas has the same area as each other, and each of the three second exposed areas also has the same area as each other. The first exposed area and the second exposed area have different areas from each other. Therefore, using a first exposure apparatus capable of exposing the substrate in an illumination region that matches the width of the first exposure region, the two first exposure regions are exposed while moving the substrate in the Y direction. Next, using a second exposure apparatus capable of exposing the substrate in an illumination region that matches the width of the second exposure region, the three second exposure regions are exposed while moving the substrate in the X direction. .. The first exposure device and the second exposure device have been described as different devices, that is, devices in which each exposure device is covered with a chamber (housing). However, in the same chamber, one illumination system and one projection system are set as one set (one station), and a plurality of sets of optical systems are arranged, and the first exposure region and the second are used by using the plurality of sets of optical systems. The exposed area may be exposed. Alternatively, the carried-out substrate may be rotated 90 degrees and carried back into the same exposure apparatus, and exposed in a state of being rotated 90 degrees.
このように、互いに異なる面積の第一の露光領域と第二の露光領域を露光することによって、これらの露光領域からそれぞれ互いに異なるサイズのデバイスやカラーフィルタなどの物品を製造することができる。このように、複数種類のデバイス等の物品を1枚の基板から製造することによって、多様な生産ニーズに応じた効率的な生産を行うことができる。 In this way, by exposing the first exposure region and the second exposure region having different areas from each other, it is possible to manufacture articles such as devices and color filters having different sizes from these exposure regions. As described above, by manufacturing articles such as a plurality of types of devices from one substrate, efficient production can be performed according to various production needs.
次に、図5に基づいて、基板にパターンを形成するパターン形成方法の一例として露光方法について説明する。図5は露光方法のフローチャートである。まず、上述の露光装置としての第一の露光装置に露光すべき基板が搬入され、ステージ17上に保持される。ステージ17上には、基板16の位置や角度を調整するための調整機構があり、ステージ17上に保持された基板は調整機構によって位置や角度が調整される。また、第一の露光装置において、露光すべき基板に対する露光条件(レシピ)が設定される。
Next, an exposure method will be described as an example of a pattern forming method for forming a pattern on a substrate based on FIG. FIG. 5 is a flowchart of the exposure method. First, the substrate to be exposed is carried into the first exposure apparatus as the above-mentioned exposure apparatus and held on the
ステップS401では、マーク形成手段19の照射条件を決定する。決定する照射条件として、照射光の波長、強度、時間等がある。波長は、制御部20の取得部が基板の金属膜及びレジストの少なくとも一方の物性の情報を取得し、これらの情報に基づいて決定することができる。物性の情報は、露光装置のユーザーによってユーザーインターフェイスを介して入力されてもよいし、制御部が管理サーバーから取得してもよい。または、露光を行う基板に形成された金属膜やレジストの物性の波長に対する吸収率の情報に基づいてユーザーが照射光の波長を決定し、決定した波長をユーザーが露光装置の制御部に入力してもよい。照射光の強度や時間も同様に、基板の金属膜やレジストの物性の情報に基づいて決定することができる。ただし、本露光装置で露光したことがない材料を有する基板の場合は、露光前に、その基板と同様の材料でできたテスト基板を用いて上述のように照射条件を変えながら複数のマークを形成してみて、マークの計測結果に基づいて照射条件を決定することができる。照射条件が決まったら制御部20や主制御部18のメモリに、基板(レジストや金属膜)の材料と照射条件を対応させて記憶してもよい。その場合、次回以降に同じ材料の基板を露光する場合に、メモリから当該材料に対応した照射条件を呼び出して設定することができる。また、基板のガラス、金属膜やレジストの材料が変更になった場合は、変更前後の基板の材料の物性値に基づいて照射強度や照射時間を設定してもよい。例えば、変更前の基板の材料と、変更後の基板の材料との情報を取得して、照射波長に対するそれぞれの材料の吸収率の比率を求め、その比率に基づいて、例えば比率を掛けるなどして照射強度や照射時間を算出してもよい。
In step S401, the irradiation conditions of the
ステップS402では、マーク形成手段19を用いて基板にアライメントマークを形成する。まず、基板にアライメントマークを形成すべき位置がマーク形成手段の直下にくるように、基板を保持しているステージの位置を制御する。そして、S401で決定した照射条件となるように制御部20よりマーク形成手段19を制御し、マーク形成手段19が金属膜を照射して金属膜にアライメントマークを形成する。照射光の位置、照射タイミングは主制御部18からの指令に基づいて制御する。
In step S402, an alignment mark is formed on the substrate by using the
ステップS403では、S402で形成したアライメントマークの位置を計測部21を用いて計測する。まず、計測部21の計測視野内にアライメントマークが入るように、アライメントマークが形成された基板を保持しているステージを移動させる。なお、上述のように計測部21とマーク形成手段19との相対位置が予め固定されているので、計測部21とマーク形成手段19の相対位置の分だけ基板を移動させれば、計測部21の計測視野内にアライメントマークを配置することができる。そして、計測部21が計測視野内のアライメントマークを計測する。また、同一の露光装置内に計測部21とマーク形成手段19が配置されていることによって、マーク形成手段19によって形成されたアライメントマークの異常の有無を計測部21で迅速に検出することができる。
In step S403, the position of the alignment mark formed in S402 is measured by using the measuring
ステップS404では、制御部がアライメントマークの位置の計測結果に基づいて、基板において露光すべき第一の露光領域の位置を決定する。ステップS405では、S404にて決定した第一の露光領域の位置の情報をもとにステージ17を主制御部18にて制御し、基板の位置決めを行い、マスク、照明系と投影系を用いて第一の露光領域を露光する。
In step S404, the control unit determines the position of the first exposure region to be exposed on the substrate based on the measurement result of the position of the alignment mark. In step S405, the
ステップS406では、基板の余白部分に別の露光領域を形成するため、第一の露光領域が露光された基板を第一の露光装置から搬出する。搬出された基板は第二の露光領域を露光するための第二の露光装置に搬入する。このように、本露光方法では2つの露光装置を用いて基板を露光する例を説明する。 In step S406, in order to form another exposure region in the margin portion of the substrate, the substrate exposed to the first exposure region is carried out from the first exposure apparatus. The carried-out substrate is carried into a second exposure apparatus for exposing the second exposure region. As described above, in this exposure method, an example of exposing a substrate using two exposure devices will be described.
ステップS407では、第二の露光装置に搬入された基板に形成されたアライメントマークを、第二の露光装置に設けられたアライメントマークの計測部で計測する。第二の露光装置のアライメントマーク計測部は、第一の露光装置の計測部21と同様の構成を有する。なお、基板には既にアライメントマークが形成されているため、再度、基板にアライメントマークを形成する工程を実施しない。そのため、第二の露光装置には、第一の露光装置のマーク形成手段がなくてもよい。
In step S407, the alignment mark formed on the substrate carried into the second exposure apparatus is measured by the alignment mark measuring unit provided in the second exposure apparatus. The alignment mark measuring unit of the second exposure apparatus has the same configuration as the measuring
ステップS408では、第二の露光装置の制御部が、第二の露光装置のアライメントマーク計測部で計測したアライメントマークの位置の計測結果に基づいて、基板上において露光すべき第二の露光領域の位置を決定する。ステップS409では、S408にて決定した第二の露光領域の位置の情報をもとに第二の露光装置の基板ステージを制御部にて制御して基板の位置決めを行い、第二の露光装置のマスク、照明系と投影系を用いて第二の露光領域を露光する。 In step S408, the control unit of the second exposure apparatus determines the second exposure region to be exposed on the substrate based on the measurement result of the position of the alignment mark measured by the alignment mark measurement unit of the second exposure apparatus. Determine the position. In step S409, the substrate stage of the second exposure apparatus is controlled by the control unit based on the information on the position of the second exposure region determined in S408 to position the substrate, and the second exposure apparatus is used. A mask, an illumination system and a projection system are used to expose the second exposure area.
第一の露光領域と第二の露光領域は、基板に形成された同じアライメントマークを基準にして互いの相対位置が決定されているので、これらの露光領域の相対的な位置ずれを低減することができる。なお、本露光方法では2つの露光領域の相対位置を保証する方法について説明したが、3つ以上の露光領域の場合でもS406~S409を繰り返すことで複数の露光領域の相対位置を保証することができる。例えば、3種類のサイズの露光領域を露光する場合、第3の露光装置を用いて第3の露光領域を露光する。 Since the positions of the first exposure area and the second exposure area are determined relative to each other with reference to the same alignment mark formed on the substrate, the relative misalignment of these exposure areas should be reduced. Can be done. Although the method of guaranteeing the relative positions of the two exposure regions has been described in this exposure method, it is possible to guarantee the relative positions of a plurality of exposure regions by repeating S406 to S409 even in the case of three or more exposure regions. can. For example, when exposing exposure regions of three different sizes, a third exposure region is exposed using a third exposure apparatus.
以上のように、基板の感光剤を除去することなく、マーク形成手段19を用いて感光剤とは異なる材料に位置合せ用のマークを形成することで、不要なレジストなどの異物の発生を低減することができる。また、異物の発生を低減した状態で基板上にパターンを形成することによって、基板に形成するデバイス等のパターンの欠陥を低減することができる。
As described above, by forming the alignment mark on the material different from the photosensitive agent by using the
<第2実施形態>
次に、図6に基づいて第2実施形態のアライメントマークMの形成について説明する。図6は、第2実施形態のマーク形成手段190と基板22を示す。第1実施形態と同様の構成、方法については説明を省略する。本実施形態のマーク形成手段190は、第1実施形態と同じ場所に配置される。
<Second Embodiment>
Next, the formation of the alignment mark M of the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows the
基板22は、ガラス22a(第1材料)と、ガラス22aの上部に塗布されたレジスト(感光剤)22cを含む。レジスト22cは、露光装置によって露光され、現像装置で現像されることによって、ガラス22a上にレジストのパターンを形成するための材料である。本実施形態では、レジスト22cとの境界面にあたるガラス22aに対してマーク形成手段190より光を照射して、ガラス22aにアライメントマークMを形成する。図6(a)では、レジスト22cを介して、レジスト22cを透過した光束がガラス22aの表面を照射してガラス22aを熱加工している。
The
図6(b)では、基板において、マスクのパターンを転写すべき領域にはレジスト22cが塗布され、位置合せ用マークを形成すべき領域にはレジスト22cが塗布されていない。マーク形成手段190は、レジスト22cが塗布されていない領域におけるガラス22aの表面に直接、光を照射してもよい。つまり、マーク形成手段190がレジスト22cを介さないでガラス22aの表面を照射して、ガラス22aにアライメントマークMを形成する。
In FIG. 6B, the resist 22c is applied to the region where the mask pattern is to be transferred, and the resist 22c is not applied to the region where the alignment mark is to be formed. The
図6(b)の例では、基板を露光装置に搬入する前に、基板において位置合せ用マークを形成すべき領域にレジスト22cを塗布せず、基板においてパターンを転写すべき領域にレジスト22cを塗布する工程を行う。そして、第一の露光装置に基板が搬入され、ステージ上に保持され、第一の露光装置において、露光すべき基板に対する露光条件(レシピ)が設定される。これ以降は、第1実施形態の露光方法と同様に、マーク形成手段19の照射条件を決定し、基板にアライメントマークMが形成される。
In the example of FIG. 6B, before the substrate is carried into the exposure apparatus, the resist 22c is not applied to the region where the alignment mark should be formed on the substrate, and the resist 22c is applied to the region where the pattern should be transferred on the substrate. Perform the coating process. Then, the substrate is carried into the first exposure apparatus, held on the stage, and the exposure conditions (recipe) for the substrate to be exposed are set in the first exposure apparatus. After that, the irradiation conditions of the
マーク形成手段190が照射する光の波長は、当該波長に対するガラス22aの吸収率が高く、レジスト22cを透過するような波長に決定する。例えば、マーク形成手段190からの光の波長に対する、ガラス22aの吸収率よりもレジスト22cの吸収率が低くなるように、波長が設定される。例えば、CO2レーザーの10600nmの波長が望ましい。マーク形成手段190の照射光の強度や照射時間は、第1実施形態と同様に、テスト基板を用いてマークを形成して計測した結果に基づいて決定してもよい。または、露光装置が、基板のレジストや基板の物性の情報を取得し、これらの情報に基づいて決定することができる。
The wavelength of the light emitted by the
本実施形態によれば、基板に金属膜がない状態でも、基板に塗布されたレジストを除去することなく、マーク形成手段19を用いて基板に位置合せ用のマークを形成することができる。これにより、露光装置内において不要なレジストなどの異物の発生を低減することができ、基板に形成するデバイス等のパターンの欠陥を低減することができる。
According to this embodiment, even when there is no metal film on the substrate, the marking for alignment can be formed on the substrate by using the
<物品の製造方法>
物品の製造方法について説明する。物品は半導体デバイス、表示デバイス、カラーフィルタ、光学部品、MEMS等である。例えば、半導体デバイスは、基板に回路パターンを作る前工程と、前工程で作られた回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布された基板を露光する工程と、感光剤を現像する工程を含む。現像された感光剤のパターンをマスクとしてエッチング工程やイオン注入工程等が行われ、ウエハ上に回路パターンが形成される。これらの露光、現像、エッチング等の工程を繰り返して、基板上に複数の層からなる回路パターンが形成される。後工程で、回路パターンが形成された基板に対してダイシングを行い、チップのマウンティング、ボンディング、検査工程を行う。表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、露光された感光剤を現像する工程を含む。本実施形態の製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
<Manufacturing method of goods>
A method of manufacturing an article will be described. The articles are semiconductor devices, display devices, color filters, optical components, MEMS and the like. For example, a semiconductor device is manufactured by going through a pre-process of forming a circuit pattern on a substrate and a post-process of completing a circuit chip produced in the pre-process as a product. The pre-step includes a step of exposing the substrate coated with the photosensitive agent using the above-mentioned exposure apparatus and a step of developing the photosensitive agent. An etching step, an ion implantation step, or the like is performed using the developed photosensitive agent pattern as a mask, and a circuit pattern is formed on the wafer. By repeating these steps such as exposure, development, and etching, a circuit pattern composed of a plurality of layers is formed on the substrate. In the post-process, dicing is performed on the substrate on which the circuit pattern is formed, and chip mounting, bonding, and inspection processes are performed. The display device is manufactured by going through a process of forming a transparent electrode. The steps of forming the transparent electrode include a step of applying a photosensitive agent to a glass substrate on which a transparent conductive film is vapor-deposited, a step of exposing the glass substrate coated with the photosensitive agent using the above-mentioned exposure apparatus, and a step of exposing the glass substrate. Includes the step of developing the photosensitive agent. According to the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to manufacture a high-quality article as compared with the conventional case.
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and modifications can be made within the scope of the gist thereof.
上記の実施形態ではリソグラフィ装置として露光装置を説明したが、これに限らず、型を用いて基板にパターンを形成するインプリント装置や、電子線で基板にパターンを描画する電子線露光装置にも適用することができる。また、投影光学系を介さずにマスクと基板を近接させて露光する近接場露光装置にも適用することができる。 In the above embodiment, the exposure apparatus has been described as a lithography apparatus, but the present invention is not limited to this, and it is also applicable to an imprint apparatus that forms a pattern on a substrate using a mold and an electron beam exposure apparatus that draws a pattern on a substrate with an electron beam. Can be applied. It can also be applied to a near-field exposure apparatus that exposes a mask and a substrate in close proximity to each other without using a projection optical system.
インプリント装置を用いて物品を製造する方法では、基板上の未硬化樹脂などの成形材料に型のパターンを押印することによって成形材料にパターンを形成する。そして、形成されたパターンをマスクとしてエッチング工程等をへることにより、基板に回路パターンを形成することができる。 In the method of manufacturing an article using an imprint device, a pattern is formed on a molding material by imprinting a pattern of a mold on a molding material such as an uncured resin on a substrate. Then, a circuit pattern can be formed on the substrate by using the formed pattern as a mask and performing an etching process or the like.
また、上述のマーク形成手段19をリソグラフィ装置のチャンバー(筐体)外に配置して、リソグラフィ装置外のステージ上において上述のアライメントマーク形成方法と同じように基板にアライメントマークを形成することも可能である。そして、アライメントマークが形成された基板をリソグラフィ装置内に搬入して、リソグラフィ装置によって基板にパターンを形成することができる。
Further, it is also possible to arrange the above-mentioned
Claims (11)
基材上に第1材料が配置され、該第1材料上に感光剤が塗布された前記基板に位置合せ用マークを形成する形成部と、
前記感光剤に露光光を照明して前記基板に潜像パターンを転写する転写部と、を有し、
前記形成部は、前記露光光とは異なる波長の照射光を前記第1材料に照射し、前記照射光のエネルギーで前記第1材料を加工して前記第1材料に位置合せ用マークを形成し、
前記位置合せ用マークは、前記第一の露光領域の位置に対する、前記第二の露光領域の位置を決定するためのマークであることを特徴とするリソグラフィ装置。 A lithography device that forms a latent image pattern in the first exposure region of a layer on a substrate, and is a lithography device different from the lithography device in a second exposure region different from the first exposure region in the layer. A lithography device that forms a latent image pattern in the first exposure region before forming a latent image pattern.
A forming portion in which the first material is arranged on the base material and an alignment mark is formed on the substrate on which the photosensitive agent is applied.
It has a transfer unit that illuminates the photosensitive agent with exposure light and transfers a latent image pattern to the substrate.
The forming portion irradiates the first material with irradiation light having a wavelength different from that of the exposure light, and processes the first material with the energy of the irradiation light to form an alignment mark on the first material. ,
The lithography apparatus, wherein the alignment mark is a mark for determining the position of the second exposure region with respect to the position of the first exposure region.
前記複数の位置合せ用マークの状態に基づいて、前記照射光の強度及び照射時間の少なくとも一方を決定する制御部を有することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載のリソグラフィ装置。 The forming portion forms a plurality of alignment marks on the substrate while changing at least one of the intensity of the irradiation light and the irradiation time.
The lithography according to any one of claims 1 to 7 , wherein the lithography unit has a control unit for determining at least one of the intensity and the irradiation time of the irradiation light based on the state of the plurality of alignment marks. Device.
前記第一の露光装置において、基材上に第1材料が配置され、前記第1材料上に感光剤が塗布された前記基板に位置合せ用マークを形成する形成工程と、
前記第一の露光装置において、前記感光剤に第一の露光光を照明して前記基板の第一の露光領域に潜像パターンを転写する第1転写工程と、
前記第二の露光装置において、前記感光剤に第二の露光光を照明して、前記第一の露光領域とは異なる、前記基板の第二の露光領域に潜像パターンを転写する第2転写工程と、を有し、
前記形成工程において、前記第一の露光光とは異なる波長の照射光を前記第1材料に照射し、前記照射光のエネルギーで前記第1材料を加工して前記第1材料に位置合せ用マークを形成し、
前記第2転写工程において、前記位置合せ用マークの位置に基づいて、前記第一の露光領域の位置に対する、前記第二の露光領域の位置を決定する、ことを特徴とするパターン形成方法。 It is a pattern forming method for forming a latent image pattern on one layer on a substrate by using a first exposure apparatus and a second exposure apparatus.
In the first exposure apparatus, a forming step of forming an alignment mark on the substrate in which the first material is arranged on a substrate and a photosensitive agent is applied on the first material.
In the first exposure apparatus, the first transfer step of illuminating the photosensitive agent with the first exposure light to transfer the latent image pattern to the first exposure region of the substrate.
In the second exposure apparatus, the photosensitive agent is illuminated with the second exposure light, and the latent image pattern is transferred to the second exposure region of the substrate, which is different from the first exposure region. With the process,
In the forming step , the first material is irradiated with irradiation light having a wavelength different from that of the first exposure light, and the first material is processed with the energy of the irradiation light to mark the first material for alignment. Form and
A pattern forming method, characterized in that, in the second transfer step , the position of the second exposed region is determined with respect to the position of the first exposed region based on the position of the alignment mark.
パターンの潜像が形成された前記基板を現像する工程と、を含み、
現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 A step of forming a latent image pattern on a substrate by using the pattern forming method according to claim 10 .
Including the step of developing the substrate on which the latent image of the pattern is formed.
A method for manufacturing an article, which comprises manufacturing the article from the developed substrate.
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001203146A (en) | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Toshiba Corp | Method for forming pattern |
JP2003059105A (en) | 2001-08-23 | 2003-02-28 | Sony Corp | Optical disk and method of manufacturing the same |
JP2003251937A (en) | 2002-03-05 | 2003-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Marking method, marking device and photosensitive material |
JP2005092137A (en) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Nikon Corp | Aligner and exposure method |
JP2006017975A (en) | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Ricoh Co Ltd | Moving body, image forming apparatus, method for forming mark of the moving body |
US20070269740A1 (en) | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Blank David H | Methods of marking and related structures and compositions |
JP2008153638A (en) | 2006-11-24 | 2008-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Substrate with marker, manufacturing method of same, laser irradiation device and method, exposure system, and manufacturing method of semiconductor device |
US20180259862A1 (en) | 2017-03-08 | 2018-09-13 | SK Hynix Inc. | Imprint templates with alignment marks and methods of forming imprint patterns using the same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1012521A (en) * | 1996-06-21 | 1998-01-16 | Nikon Corp | Coating method of resist and its apparatus, and method of alignment |
-
2020
- 2020-12-04 JP JP2020201675A patent/JP7071483B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001203146A (en) | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Toshiba Corp | Method for forming pattern |
JP2003059105A (en) | 2001-08-23 | 2003-02-28 | Sony Corp | Optical disk and method of manufacturing the same |
JP2003251937A (en) | 2002-03-05 | 2003-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Marking method, marking device and photosensitive material |
JP2005092137A (en) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Nikon Corp | Aligner and exposure method |
JP2006017975A (en) | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Ricoh Co Ltd | Moving body, image forming apparatus, method for forming mark of the moving body |
US20070269740A1 (en) | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Blank David H | Methods of marking and related structures and compositions |
JP2008153638A (en) | 2006-11-24 | 2008-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Substrate with marker, manufacturing method of same, laser irradiation device and method, exposure system, and manufacturing method of semiconductor device |
US20180259862A1 (en) | 2017-03-08 | 2018-09-13 | SK Hynix Inc. | Imprint templates with alignment marks and methods of forming imprint patterns using the same |
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