JP7071200B2 - Molding equipment and manufacturing method of articles - Google Patents
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Description
本発明は、成形装置及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a molding apparatus and a method for manufacturing an article.
半導体デバイスのパターンの微細化の要求が進み、基板上の未硬化の樹脂(インプリント材)をモールド(型)で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。かかる技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。 With the increasing demand for miniaturization of semiconductor device patterns, microfabrication technology that forms an uncured resin (imprint material) on a substrate with a mold and forms a resin pattern on the substrate has attracted attention. There is. Such a technique is also called an imprint technique, and can form a fine structure on the order of several nanometers on a substrate.
インプリント技術の1つとして、例えば、光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のショット領域(インプリント領域)に樹脂を供給(塗布)する。次いで、基板上の未硬化の樹脂とモールドとを接触させた状態で光を照射して樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。 As one of the imprint techniques, for example, there is a photocuring method. In the imprint apparatus adopting the photocuring method, first, the resin is supplied (coated) to the shot region (imprint region) on the substrate. Next, the uncured resin on the substrate and the mold are in contact with each other and irradiated with light to cure the resin, and the mold is separated from the cured resin to form a pattern on the substrate.
インプリント装置ではモールドと基板上の樹脂とを接触させるため、モールドに異物が付着していると、かかる異物がそのまま転写され、基板上に形成されるパターンに不良(欠陥など)が生じてしまう。また、モールドと基板との間に異物を噛み込み、モールドと基板上の樹脂とを接触させたときの圧力でモールドが破損することもある。 In the imprint device, the mold and the resin on the substrate are brought into contact with each other, so if foreign matter adheres to the mold, the foreign matter is transferred as it is, and defects (defects, etc.) occur in the pattern formed on the substrate. .. In addition, the mold may be damaged by the pressure when a foreign substance is caught between the mold and the substrate and the mold and the resin on the substrate are brought into contact with each other.
このような異物を除去する技術に関して従来から幾つか提案されている。特許文献1には、モールド上の異物を検出し、検出した結果をもとに異物のある箇所をクリーニングする技術が公開されている。 Several techniques have been conventionally proposed for removing such foreign substances. Patent Document 1 discloses a technique for detecting a foreign substance on a mold and cleaning a portion having a foreign substance based on the detected result.
特許文献1に記載の従来技術において、プラズマ又は光を照射して洗浄するドライ洗浄装置を用いた場合、異物のある箇所をクリーニングするために、プラズマ又は光を照射する照射部の電源をONにする。また、異物のある箇所とは異なる領域ではクリーニングをしないため、照射部をOFFにするなど、照射部のONとOFFを繰り返す。また、次の異物をクリーニングするために照射部の電源をONにした後クリーニングを開始するまでに照射部が所定の性能に達するまで待機時間を要する。また、クリーニングの回数や異物の数によっては頻繁にONとOFFを繰り返すことになり、照射部の寿命を短くなったりする場合がある。 In the prior art described in Patent Document 1, when a dry cleaning device that irradiates plasma or light for cleaning is used, the power of the irradiation unit that irradiates plasma or light is turned on in order to clean the portion where foreign matter is present. do. In addition, since cleaning is not performed in a region different from the location where foreign matter is present, the irradiation unit is repeatedly turned on and off, such as by turning off the irradiation unit. Further, it takes a waiting time until the irradiation unit reaches a predetermined performance before the cleaning is started after the power of the irradiation unit is turned on in order to clean the next foreign matter. Further, depending on the number of cleanings and the number of foreign substances, ON and OFF are frequently repeated, which may shorten the life of the irradiated portion.
そのため、異物のある箇所とは異なる領域においても照射部によってプラズマ又は光を照射してモールドを洗浄すると、異物のある箇所より広い領域を洗浄することになり、洗浄時間が長くなる。 Therefore, if the mold is washed by irradiating the mold with plasma or light even in a region different from the portion where the foreign matter is present, the region wider than the portion where the foreign matter is present is cleaned, and the cleaning time becomes long.
そこで、本発明は、モールドを洗浄するのに有利な技術を提供することを目的とする。 Therefore, it is an object of the present invention to provide an advantageous technique for cleaning a mold.
上記課題を解決する本発明の一側面としての成形装置は、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置であって、前記型にプラズマ又は光を照射して前記型を洗浄するドライ洗浄部と、前記ドライ洗浄部による前記プラズマ又は光の照射領域を前記型の表面上において移動させる移動部と、を有し、前記移動部が前記型の表面のうち異物に関する位置を含む第1部分領域において前記照射領域を第1速さで移動させながら、前記ドライ洗浄部によって前記第1部分領域を照射し、前記移動部が前記型の表面のうち前記第1部分領域とは異なる第2部分領域において前記照射領域を前記第1速さより速い第2速さで移動させながら、前記ドライ洗浄部によって前記第2部分領域を照射する、ことを特徴とする。 The molding apparatus as one aspect of the present invention that solves the above-mentioned problems is a molding apparatus that molds a composition on a substrate using a mold, and is a dry that irradiates the mold with plasma or light to clean the mold. A first unit comprising a cleaning unit and a moving unit that moves the plasma or light irradiation region of the dry cleaning unit on the surface of the mold, wherein the moving unit includes a position on the surface of the mold with respect to a foreign substance. While moving the irradiation area at the first speed in the partial region, the first partial region is irradiated by the dry cleaning portion, and the moving portion is different from the first partial region on the surface of the mold. It is characterized in that the second partial region is irradiated by the dry cleaning portion while moving the irradiation region at a second speed faster than the first speed in the partial region.
本発明によれば、モールドを洗浄するのに有利な技術を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an advantageous technique for cleaning the mold.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is given to the same member, and duplicate description is omitted.
<第1実施形態>
本実施形態では、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置としてインプリント装置を説明する。図1は、インプリント装置100の概略構成を示す図である。インプリント装置100は、モールド(型)3を用いて基板7上の樹脂(組成物、インプリント材)にパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。インプリント装置100は、モールド3を保持して移動するモールド保持部2と、基板7を保持して移動する基板ステージ6と、クリーニング部40と、モールド搬送部30と、制御部20とを有する。
<First Embodiment>
In this embodiment, an imprint device will be described as a molding device for molding a composition on a substrate using a mold. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an
制御部20は、CPU(演算装置)やメモリ(記憶部)で構成され、インプリント装置100の全体を制御する。例えば、制御部20は、インプリント装置100の各部を制御してインプリント処理を行う。インプリント処理では、基板上に樹脂を供給し、モールド3と基板上の樹脂とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールド3を引き離すことで基板上にパターンを形成する。
The
具体的には、インプリント処理において、まず、モールド保持部2を降下させて、基板上の樹脂にモールド3のパターン部3aを接触させる。そして、樹脂とパターン部3aが接触した状態で樹脂に光又は熱を与えて樹脂を硬化させる。硬化し終えた後、モールド保持部2を上昇させて、樹脂からパターン部3aを離す。これにより、基板上に樹脂のパターンを形成する。なお、インプリント処理において、モールド保持部2を上下動させる形態に限らず、基板ステージ6を上下動させてもよい。
Specifically, in the imprint process, first, the
インプリント処理においては、モールド3と基板上の樹脂とが同一の空間に存在し、且つ、それぞれを接触させるため、モールド3(パターン面3a)に異物4が付着してしまうことがある。例えば、モールド3と基板上の樹脂との接触や基板上の樹脂からのモールド3の引き離しによってモールド3が帯電し、モールド3の近傍に存在するパーティクルがモールド3に引き付けられて異物4として付着することがある。また、モールド3に残留した樹脂が堆積して異物4となることもある。モールド3、特にパターン面3aに異物4が付着したまま樹脂とパターン面3aを接触させると、基板上に形成されるパターンの不良やモールド3の破損が生じてしまう。
In the imprint process, the
そこで、本実施形態では、インプリント装置100内にあるクリーニング部40を用いてモールド3を洗浄する。クリーニング部40は、照射部41より照射されるプラズマ又は光によってモールド3のクリーニングを行うドライ洗浄部である。クリーニング部40は、モールド3を保持するモールドステージ42と、プラズマ、又は、紫外線などの光をクリーニング対象物に向けて照射する照射部41を有する。
Therefore, in the present embodiment, the
モールドステージ42(移動部)は、モールドの外周を保持するモールド保持部と、モールドを移動させる移動機構を有する。これらにより、照射部41に対して、モールドステージ42に保持されたモールド3が相対的に移動可能に構成されている。移動する部分は、モールドステージ42に限らず、照射部41が移動してもよい。
The mold stage 42 (moving portion) has a mold holding portion for holding the outer circumference of the mold and a moving mechanism for moving the mold. As a result, the
クリーニング部40は、モールドステージ42にモールド3が保持された状態において、モールド3を洗浄する。洗浄する部分は、例えば、モールド3のパターン面3a又はパターン面3aが形成されている凸部の側面である。モールド搬送部30は、モールド保持部2に保持されたモールド3を、クリーニング部40へ搬送するロボットハンドである。
The
インプリント装置100は、モールド3のパターン面3aの状態を観察して、モールド3のパターン面3aに付着した異物4を検出する検出部を有する。検出部は、例えば、モールド3のパターン面3aを撮像して画像を取得するカメラを含み、かかる画像からパターン面3aに付着した異物4を検出する方式がある。但し、この方式に限定されず、渦電流式、光学式、超音波式などの非接触型のセンサを含むようにしてもよい。検出部が非接触型のセンサを含む場合には、モールド3の基準となるデータ(例えば、高さ)を予め求めておくことで、かかるデータと任意のタイミングでの検出結果との差分からモールド3のパターン面3aに付着した異物4を検出することができる。また、異物4からの反射に起因してパターン面3aの状態が観察不可能となるような場合には、モールド3のパターン面3aへの異物4の付着が発生したことを検出することができる。また、検出部1は、非接触型のセンサではなく、トランス方式、スケール方式などの接触型のセンサを含むようにしてもよい。
The
制御部20は、特定部22と、生成部24と、処理部26とを含む。制御部20による制御フローを説明する。図3に、制御フローを示す。特定部22は、モールド3のパターン面3aに付着した異物4の位置等を特定する(S801)。特定部22は、例えば、モールド3のパターン面3aへ付着した異物4の情報を検出部から取得し、モールド3のパターン面3aへ異物4の付着が検出されたら、その異物4の位置を特定する。他に、モールドの画像を表示し、表示された画像を用いてユーザーが異物のある位置を含む領域を指定するユーザーインターフェイス(GUI)を用いて、異物の位置を特定してもよい。また、外部の検査装置によって検出された異物の位置の情報をネットワークを介して取得してもよい。
The
次に、生成部24は、特定部22によって特定された異物4に関する情報である異物情報12を生成する(S802)。異物情報12は、例えば、モールド3のパターン面3aにおける異物4の位置(座標)を表すデータ、異物4の大きさを表すデータ、異物4の高さを表すデータなどを含む。図1には、異物4a、4bが複数ある例を示す。
Next, the
次に、照射部41によって照射されうる領域がモールドの洗浄対象面に位置した後、照射部41によるプラズマ又は光の照射を開始する(S803)。本実施形態では、洗浄対象面をモールド3のパターン部3aとする。これ以降、モールド3を移動させながら、照射部41によるプラズマ又は光の照射によりクリーニングを行わせて異物4を除去する処理を行う。照射部41によってプラズマ又は光で同時に照射できる照射領域41aは、モールド3の表面全体よりも小さい。図2には、x方向に延びるライン状に形成される照射領域を示す。そのため、モールドステージ42を1方向(y方向)に移動させることによって、モールド3の表面上において照射部41による照射領域41aを移動させながら、モールド表面全体を洗浄する。
Next, after the region that can be irradiated by the
処理部26は、特定部22によって特定された異物4の位置に基づいてモールドステージ42を移動させる(S804、S805)。処理部26は、生成部24で生成された異物情報12に基づいて、異物のある第1部分領域を指定する。また、処理部26は、第1部分領域とは異なる第2部分領域も指定することができる。第2部分領域は、異物が検出されていない領域であるが、検出部により検出できない程度の異物が存在する可能性はある。
The
まず、照射部41による照射領域が異物4bのある領域に位置するまで、モールドステージ42を高速に移動させる(S804)。このとき、図1、2に示す異物4bのある領域よりも右側にある第2部分領域において照射領域を第1速さより速い第2速さでy方向に移動させて、照射部41により第2部分領域を照射する。このとき、制御部20は、第2部分領域において照射領域を移動させるときの、第1目標速さより速い第2目標速さを設定して、モールドステージ42を制御する。
First, the
次に、異物4bの位置を含む第1部分領域において照射領域を所定の速さ(第1速さ)で移動させるようにモールドステージ42をy方向に移動させて、照射部41により第1部分領域を照射して、異物を除去する(S805)。第1速さとして、例えば、異物除去に必要な照射量が確保できる速度で、第2速さよりも遅い速さに設定する。このとき、制御部20は、第1部分領域において照射領域を移動させるときの上記第1目標速さを設定して、モールドステージ42を制御する。
Next, the
次に、照射部41による照射領域がモールド3のパターン部3aの端部に達したかどうかを判定する(S806)。照射領域がモールド3のパターン部3aの端部に達した場合は、照射部41による照射を停止して(S807)、洗浄を終了する。なお、クリーニング効果を上げるために、モールド3のパターン部3aの端部で折り返して再度クリーニングを実施してもよい。
Next, it is determined whether or not the irradiation region by the
照射領域がモールド3のパターン部3aの端部に達していない場合は、S804へ戻る。図2の例では、異物が離れた位置に複数あり、つまり、異物のある第1部分領域が複数あり、複数の第1部分領域の間に第2部分領域が存在する。そのため、第2部分領域を照射した後、異物4aのある第1部分領域も洗浄する必要がある。そこで、第2部分領域において照射領域を第2速さで移動させた後、次の異物4aのある第1部分領域において照射領域を第1速さで移動させる。
If the irradiation region does not reach the end of the
このとき、異物4bのクリーニング後、異物4aの位置へ照射領域を移動させる際に照射部41の照射を一旦、OFFにすると異物4bをクリーニングする際に再度ONさせる必要がある。照射部の電源のOFF、ONを繰り返すと寿命を短くすることがある。このような理由から、OFF、ONは頻繁に行わないことが望ましい。
At this time, after cleaning the
そのため、異物4bのある位置を含む領域に照射領域がある状態から、異物4aのある位置を含む領域に照射領域がある状態になるまでの間、照射部41によってモールド3の第2部分領域を照射しながらモールドステージ42を高速な第2速さで移動させる。これにより、照射部41のOFF、ONの回数を減らすことができ、照射部41の延命ができる。また、照射部をOFFにした後にONにした場合の照射部が所定の性能に達するまでの待機時間、を減らすこともできる。
Therefore, the second partial region of the
モールドの全体領域において、異物を洗浄するための第1速さで照射領域を移動させると、洗浄時間が長くなる。本実施形態によれば、上記のように異物のある領域のクリーニング時は、予め設定された、異物除去に必要な照射量が確保できる速度にし、異物の検出されていない領域では高速に照射領域を移動させることにより、洗浄時間を短くすることができる。また、短い洗浄時間で、第1部分領域と第2部分領域を含む全体領域において異物の洗浄を行うことができるため、効率的な洗浄を行うことができる。 If the irradiation area is moved at the first speed for cleaning the foreign matter in the entire area of the mold, the cleaning time becomes long. According to the present embodiment, when cleaning the area with foreign matter as described above, the irradiation amount required for removing the foreign matter is set to a preset speed, and the irradiation area is high-speed in the area where foreign matter is not detected. The cleaning time can be shortened by moving the. Further, since the foreign matter can be washed in the entire region including the first partial region and the second partial region in a short cleaning time, efficient cleaning can be performed.
なお、照射部41による照射をしていないとき、例えば照射領域をモールド3のパターン部3aに位置させる前に、モールドステージ42を移動させる場合、第2部分領域を照射するとき(洗浄時)の第2速さよりも速い第3速さで移動させることも可能である。このように、第2速さと第3速さを設定することによって、さらに、洗浄のために要する時間を短くすることができる。
When the
<第2実施形態>
次に、図4に基づいて第2の実施形態のインプリント装置100について説明する。図4は外部装置とネットワークでつながったインプリント装置を示した図である。本実施形態のインプリント装置100は、異物に関する情報をネットワーク50を介して取得する入力部27を有する。他の装置であるインプリント装置100aは、異物に関する情報を記憶するメモリ(記憶部)28を有し、サーバ60は異物に関する情報をメモリに格納している。インプリント装置100の制御部20は、入力部27を用いて、インプリント装置100a又はサーバ60から異物に関する情報を取得することが可能である。制御部20は、取得した異物に関する情報に基づいて、モールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置100のクリーニング部40を制御する。クリーニング方法は実施形態1と同様であるため説明は省略する。
<Second Embodiment>
Next, the
<第3実施形態>
次に、図5に基づいて第3の実施形態のインプリント装置100について説明する。図5は、インプリント条件を格納するサーバとネットワークでつながったインプリント装置を示した図である。本実施形態のインプリント装置100は、インプリント条件に関する情報をネットワーク50を介して取得する入力部27を有する。
<Third Embodiment>
Next, the
サーバ70は、モールドのパターンの形状、線幅、密度などの情報、基板上においてパターンを形成すべき層の下地の層の凹凸の情報、を格納している。また、サーバ70は、基板上に塗布する樹脂の塗布量分布、モールドのパターンの凹凸の間に樹脂が充填する時間、モールドを樹脂から離す方法などの情報を格納している。
The
インプリント装置100の制御部20は、入力部27を用いて、サーバ70からインプリント条件に関する情報を取得する。生成部24は、取得したインプリント条件に関する情報に基づいて、モールドに付く異物の位置を予測し、異物に関する情報(異物情報)を生成する。制御部20は、生成した異物情報に基づいてモールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置100のクリーニング部40を制御する。クリーニング方法は実施形態1と同様であるため説明は省略する。
The
<第4実施形態>
次に、図6に基づいて第4の実施形態のインプリント装置100について説明する。図6は、インプリント装置100の制御部20の構成を示す図である。制御部20は、インプリント装置100において過去に使用したモールドの表面に付いた異物の位置の情報(異物履歴)をデータベースとして記憶する記憶部28を有する。生成部24は、記憶部28に記憶された情報を取得し、異物情報を生成する。制御部20は、生成した異物情報に基づいてモールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置100のクリーニング部40を制御する。クリーニング方法は実施形態1と同様であるため説明は省略する。
<Fourth Embodiment>
Next, the
<第5実施形態>
次に、図7に基づいて第5の実施形態のインプリント装置100について説明する。図7は、外部の洗浄装置101とネットワーク50でつながったインプリント装置100を示した図である。洗浄装置101は、インプリント装置100や他のインプリント装置で使用されたモールドに付着した異物を検出して、洗浄する。洗浄装置101は、検出した異物に関する情報を記憶するメモリ80を有する。インプリント装置100は、洗浄装置101のメモリ80に記憶された異物に関する情報をネットワーク50を介して取得する入力部27を有する。
<Fifth Embodiment>
Next, the
インプリント装置100の制御部20は、入力部27を用いて、洗浄装置101から異物に関する情報を取得する。制御部20は、取得した異物に関する情報に基づいてモールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置100のクリーニング部40を制御する。クリーニング方法は実施形態1と同様であるため説明は省略する。
The
<第6実施形態>
次に、図8に基づいて第6の実施形態のインプリント装置100について説明する。図8は、他のインプリント装置100aとネットワーク50でつながったインプリント装置100を示した図である。他のインプリント装置100aは、インプリント装置100aにおいて過去に使用したモールドの表面に付いた異物の位置の情報(異物履歴)をデータベースとして記憶する記憶部28を有する。インプリント装置100は、他のインプリント装置100aの記憶部28に記憶された異物に関する情報をネットワーク50を介して取得する入力部27を有する。
<Sixth Embodiment>
Next, the
インプリント装置100の制御部20は、入力部27を用いて、インプリント装置100aの記憶部28に記憶された異物に関する情報を取得する。インプリント装置100の生成部24は、取得した情報を用いて異物情報を生成する。制御部20は、生成した異物情報に基づいてモールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置100のクリーニング部40を制御する。クリーニング方法は実施形態1と同様であるため説明は省略する。
The
<第7実施形態>
第1実施形態では、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置としてインプリント装置を説明したが、本実施形態では、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置として平坦化装置を説明する。
<7th Embodiment>
In the first embodiment, the imprint device has been described as a molding device for molding a composition on a substrate using a mold, but in the present embodiment, it is flat as a molding device for molding a composition on a substrate using a mold. The conversion device will be described.
インプリント装置又は露光装置などのリソグラフィ装置によってウエハ上に形成されたパターンの層はショット領域又はウエハ全体としてみると凹凸(うねり)がある。そのため、平坦化装置は、パターン層の上に樹脂を塗布して、薄い平板状の型を樹脂に接触させて、樹脂を硬化させ、樹脂から型を離すことによって、樹脂の層を平坦化する装置である。 The pattern layer formed on the wafer by a lithography device such as an imprint device or an exposure device has unevenness (waviness) when viewed as a shot region or the entire wafer. Therefore, the flattening device flattens the resin layer by applying the resin on the pattern layer, bringing the thin flat mold into contact with the resin, curing the resin, and separating the mold from the resin. It is a device.
本実施形態では、平坦化装置内に実施形態1と同じクリーニング部40を備え、制御部20によって実施形態1と同様の制御フローに従い、型を洗浄する。また、制御部20としては、上述の各実施形態の構成を採用することができる。
In the present embodiment, the
(物品製造方法)
次に、実施形態1のインプリント装置を利用した物品(半導体IC素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、MEMS等)の製造方法を説明する。インプリント装置は、クリーニング部(ドライ洗浄部及び移動部)を用いて型を洗浄し、洗浄された型を用いて基板(ウェハ、ガラス基板等)上にパターンを形成する。そして、パターンが形成された基板を加工することによって物品を製造する。
(Product manufacturing method)
Next, a method of manufacturing an article (semiconductor IC element, liquid crystal display element, color filter, MEMS, etc.) using the imprint device of the first embodiment will be described. The imprint device cleans the mold using a cleaning unit (dry cleaning unit and moving unit), and forms a pattern on a substrate (wafer, glass substrate, etc.) using the cleaned mold. Then, the article is manufactured by processing the substrate on which the pattern is formed.
また、次に、実施形態7の平坦化装置を利用した物品の製造方法を説明する。平坦化装置は、クリーニング部(ドライ洗浄部及び移動部)を用いて型を洗浄し、洗浄された型を用いて基板上の組成物を平坦化する。次に、インプリント装置又は露光装置などのリソグラフィ装置によって、平坦化された組成物を有する基板上にパターンを形成する。そして、パターンが形成された基板を加工することによって物品を製造する。 Next, a method of manufacturing an article using the flattening device of the seventh embodiment will be described. The flattening device cleans the mold using a cleaning unit (dry cleaning unit and moving unit) and flattens the composition on the substrate using the cleaned mold. Next, a pattern is formed on the substrate having the flattened composition by a lithography device such as an imprint device or an exposure device. Then, the article is manufactured by processing the substrate on which the pattern is formed.
上記の基板の加工工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本製造方法によれば、異物を効率的に除去できるため、パターンの欠陥が少ない、高精度なパターン形成できるといった、高品位の物品を製造することができ、歩留りの高い製造方法を提供することができる。また、洗浄時間の短縮により、生産性の高い製造方法を提供することができる。 The substrate processing step described above includes etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging and the like. According to this manufacturing method, since foreign matter can be efficiently removed, it is possible to manufacture high-quality articles such as those having few pattern defects and high-precision pattern formation, and to provide a manufacturing method with a high yield. Can be done. Further, by shortening the cleaning time, it is possible to provide a highly productive manufacturing method.
Claims (16)
前記型にプラズマ又は光を照射して前記型を洗浄するドライ洗浄部と、
前記ドライ洗浄部による前記プラズマ又は光の照射領域を前記型の表面上において移動させる移動部と、を有し、
前記移動部が前記型の表面のうち異物に関する位置を含む第1部分領域において前記照射領域を第1速さで移動させながら、前記ドライ洗浄部によって前記第1部分領域を照射し、
前記移動部が前記型の表面のうち前記第1部分領域とは異なる第2部分領域において前記照射領域を前記第1速さより速い第2速さで移動させながら、前記ドライ洗浄部によって前記第2部分領域を照射する、ことを特徴とする成形装置。 A molding device that molds a composition on a substrate using a mold.
A dry cleaning unit that irradiates the mold with plasma or light to clean the mold,
It has a moving part that moves the plasma or light irradiation area by the dry cleaning part on the surface of the mold.
While the moving portion moves the irradiation region at the first speed in the first partial region including the position regarding the foreign matter on the surface of the mold, the dry cleaning portion irradiates the first partial region.
The second part of the surface of the mold is moved by the dry cleaning part while the moving part moves the irradiation area at a second speed faster than the first speed in the second part area different from the first part area. A molding device characterized by irradiating a partial area.
前記第1部分領域において前記照射領域を前記1方向に前記第1速さで移動させ、
前記第2部分領域において前記照射領域を前記1方向に前記第2速さで移動させることを特徴とする請求項1に記載の成形装置。 When moving the irradiation region in one direction in the region including the first partial region and the second partial region,
In the first partial region, the irradiation region is moved in the one direction at the first speed.
The molding apparatus according to claim 1, wherein in the second partial region, the irradiation region is moved in the one direction at the second speed.
複数の前記第1部分領域の1つにおいて、前記移動部が前記照射領域を第1速さで移動させてから、
前記第2部分領域において前記移動部が前記照射領域を前記第2速さで移動させた後、複数の前記第1部分領域の他の1つにおいて、前記移動部が前記照射領域を第1速さで移動させることを特徴とする請求項1又は2に記載の成形装置。 The second partial region lies between the plurality of the first partial regions.
In one of the plurality of the first partial regions, after the moving portion moves the irradiation region at the first speed,
After the moving portion moves the irradiation region at the second speed in the second partial region, the moving portion moves the irradiation region at the first speed in the other one of the plurality of first partial regions. The molding apparatus according to claim 1 or 2, wherein the molding apparatus is moved by a speed.
前記制御部は、
前記第1部分領域において前記照射領域を移動させるときの第1目標速さを設定して、
前記第2部分領域において前記照射領域を移動させるときの、前記第1目標速さより速い第2目標速さを設定する、ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の成形装置。 It has a control unit that controls the moving unit, and has a control unit.
The control unit
By setting the first target speed when moving the irradiation area in the first partial area,
The molding according to any one of claims 1 to 3, wherein a second target speed faster than the first target speed is set when the irradiation region is moved in the second partial region. Device.
前記ドライ洗浄部によって前記型に前記プラズマ又は光を照射していないときに、前記ドライ洗浄部と前記型とを相対的に前記第2速さよりも速い第3速さで移動させる、ことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の成形装置。 The moving portion moves the irradiation region at the first speed or the second speed by relatively moving the dry cleaning portion and the mold.
When the mold is not irradiated with the plasma or light by the dry cleaning unit, the dry cleaning unit and the mold are moved at a third speed relatively faster than the second speed. The molding apparatus according to any one of claims 1 to 4.
前記制御部は、前記記憶部に記憶された前記異物の位置に関する情報を取得する、ことを特徴とする請求項6又は7に記載の成形装置。 It has a storage unit that stores information about the position of the foreign substance, and has a storage unit.
The molding apparatus according to claim 6, wherein the control unit acquires information regarding the position of the foreign matter stored in the storage unit.
前記第1部分領域及び前記第2部分領域は前記パターン部にある、ことを特徴とする請求項1乃至11の何れか1項に記載の成形装置。 The mold has a pattern portion on which a pattern is formed.
The molding apparatus according to any one of claims 1 to 11, wherein the first partial region and the second partial region are located in the pattern portion.
パターンが形成された基板を加工することによって物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。 A step of forming a pattern on a substrate using a mold cleaned by the dry cleaning unit and the moving unit of the imprinting apparatus according to claim 13.
A method for manufacturing an article, which comprises a step of manufacturing an article by processing a substrate on which a pattern is formed.
平坦化された組成物を有する基板上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工することによって物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。 A step of flattening a composition on a substrate by using a mold cleaned by the dry cleaning portion and the moving portion of the flattening apparatus according to claim 15.
The process of forming a pattern on a substrate having a flattened composition and
A method for manufacturing an article, which comprises a step of manufacturing an article by processing a substrate on which a pattern is formed.
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