JP7070010B2 - キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法 - Google Patents
キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7070010B2 JP7070010B2 JP2018078691A JP2018078691A JP7070010B2 JP 7070010 B2 JP7070010 B2 JP 7070010B2 JP 2018078691 A JP2018078691 A JP 2018078691A JP 2018078691 A JP2018078691 A JP 2018078691A JP 7070010 B2 JP7070010 B2 JP 7070010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- thickness
- polishing
- semiconductor wafer
- holding hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
(1)半導体ウェーハを保持する保持孔を有する両面研磨用のキャリアにおいて、
前記保持孔を画定する内壁の位置での前記キャリアの厚みと、前記内壁から前記保持孔の径方向外側6mmの位置での前記キャリアの厚みとの差が1μm以下であることを特徴とするキャリア。
所定の材料からなる原板を所定の形状に加工してキャリアの中間構造体を形成する加工工程と、前記キャリアの中間構造体を所定の厚みおよび平坦度に調整してキャリアを得る厚み調整工程とを備え、
前記厚み調整工程は研削加工工程と研磨加工工程とからなり、
前記研削加工工程の加工代が前記研磨加工工程における加工代よりも大きいことを特徴とするキャリアの製造方法。
前記保持孔を画定する内壁でのキャリアの厚み、および前記内壁から前記保持孔の径方向外側6mmの位置でのキャリアの厚みを測定し、両厚みの差が1μm以下である場合には良品であると判定することを特徴とするキャリアの評価方法。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本発明によるキャリアは、半導体ウェーハを保持する保持孔を有する両面研磨用のキャリアである。ここで、保持孔を画定する内壁の位置でのキャリアの厚みと、内壁から保持孔の径方向外側6mmの位置でのキャリアの厚みとの差(以下、「キャリア保持孔のダレ量」とも言う。)が1μm以下であることを特徴とする。
次に、本発明によるキャリアの製造方法について説明する。本発明によるキャリアの製造方法は、上記本発明によるキャリアを製造する方法であり、所定の材料からなる原板を所定の形状に加工してキャリアの中間構造体を形成する加工工程(ステップS1)と、上記キャリアの中間構造体を所定の厚みおよび平坦度に調整してキャリアを得る厚み調整工程(ステップS2)とを備える。ここで、上記厚み調整工程は研削加工工程と研磨加工工程とからなり、研削加工工程の加工代が研磨加工工程における加工代よりも大きいことを特徴とする。
続いて、本発明によるキャリアの評価方法について説明する。本発明によるキャリアの評価方法は、半導体ウェーハを保持する保持孔を有し、半導体ウェーハの両面研磨用のキャリアを評価する方法である。ここで、上記キャリアの、保持孔を画定する内壁での厚み、および内壁から保持孔の径方向外側6mmの位置での厚みを測定し、両厚みの差(キャリア保持孔のダレ量)が1μm以下である場合には良品であると判定することを特徴とする。
次に、本発明による半導体ウェーハの研磨方法について説明する。本発明による半導体ウェーハの研磨方法は、上記した本発明によるキャリア、本発明によるキャリアの製造方法によって製造されたキャリア、または本発明によるキャリアの評価方法によって良品であると判定されたキャリアを用いて、半導体ウェーハの両面を研磨することを特徴とする。
(発明例1)
300mmウェーハの目標設定厚みに合わせた、760~820μmの間で設定された最終厚みを有するキャリアを以下のように製造した。まず、ガラス繊維を含有するエポキシ樹脂からなる原板を切断してキャリアの形状に加工し、キャリアの中間構造体を得た。次いで、両面研削装置により、寸法精度及び形状精度の向上を目的として研削加工工程を行い、研磨液として粒度#200の砥粒を用い、荷重Lを250g/cm程度に設定して、サンギアとインターナルギアを回転させることによって、キャリア内に収納したダミー用シリコン基板とキャリアの中間構造体の両面を研削した。そして上記キャリアの中間構造体を、研削加工代26μmとなるように研削した後、洗浄を行った。続いて、両面研磨装置により、公知の技術による1次研磨(粗研磨)及び2次研磨(仕上げ研磨)を行い、研磨加工代15μmだけ両面研磨した。合計の加工代は41μmであった。
発明例1と同様に最終厚みが設定されたキャリアを製造した。ただし、研削加工工程における加工代を32μm、研磨加工工程における加工代を9μmとし、合計の加工代は41μmであった。その他の条件は、発明例1と全て同じである。
発明例1と同様に最終厚みが設定されたキャリアを製造した。ただし、キャリア本体としての金属部と、環状の樹脂部(インサーター)とを備えたキャリアを製造した。具体的には、アラミド樹脂からなる原板を切断して、キャリア本体の金属と嵌合するように環状形状に加工した。キャリア本体としての金属部は、研削加工工程および研磨加工工程において、厚みが減じないため、インサータの厚みより金属部の厚みを40μm薄く設定した。そして、発明例1と同様に、両面研削加工および両面研磨加工を施した。加工後にキャリア本体としての金属部およびインサーターの厚みは同一となった。
発明例1と同様に最終厚みが設定されたキャリアを製造した。ただし、原板の厚みを発明例1より20μm薄いものを選択し、研削加工工程を行わず、研磨加工工程における加工代を21μmとし、合計の加工代は21μmであった。その他の条件は、発明例1と全て同じである。
比較例1と同様にキャリアを製造した。ただし、原板の厚みが発明例1より20μm薄いものを選択し、研磨加工代は11μmとし、合計の加工代は11μmであった。その他の条件は比較例1と全て同じである。
発明例1~3および比較例1、2により製造されたキャリアについて、キーエンス社製:レーザー変位計により、キャリア保持孔のダレ量を測定した。その結果、キャリア保持孔のダレ量は、発明例1は1.0μm、発明例2は0.2μm、発明例3は1.0μm、比較例1は1.9μm、比較例2は1.2μmであった。得られた結果を図5に示す。
発明例1~3および比較例1、2で製造されたキャリアを用いて、シリコンウェーハ(直径:300mm)に対して両面研磨を施した。次いで、平坦度測定器(KLA-Tencor社製:WaferSight)を用いて、両面研磨後のシリコンウェーハのESFQRを測定した。具体的には、測定除外領域(エッジ除外領域)を1mmとして、ウェーハ全周を5度間隔で72分割し、セクター長を30mmとしたセクター内を測定した。測定されたESFQRの最大値を図6に示す。
11 金属部
12,22 保持孔
12a,13a,21a 内壁
13 樹脂部
21 キャリア本体
Claims (7)
- 半導体ウェーハを保持する保持孔を有する両面研磨用のキャリアを製造する方法であって、
所定の材料からなる原板を所定の形状に加工してキャリアの中間構造体を形成する加工工程と、前記キャリアの中間構造体を所定の厚みおよび平坦度に調整してキャリアを得る厚み調整工程とを備え、
前記キャリアが、キャリア本体としての金属部と、該金属部に設けられた開口部を画定する内壁に沿って配置され、前記半導体ウェーハの外周部を保護する環状の樹脂部とを備え、該樹脂部に設けられた開口部が前記保持孔を構成する金属製のキャリア、または樹脂製のキャリアであり、
前記厚み調整工程は、研磨パッドを有しない両面研削装置を用いた研削加工工程と、上定盤と下定盤とを備え、前記上定盤および前記下定盤に研磨パッドが取り付けられた両面研磨装置を用いた研磨加工工程とからなり、
前記キャリアが前記金属製のキャリアの場合には、前記厚み調整工程において、前記金属製のキャリアの中間構造体における樹脂部のみの厚みおよび平坦度を調整し、
前記研磨加工工程における加工代が10μm以下であり、
前記研削加工工程の加工代を前記研磨加工工程における加工代よりも大きくして、前記保持孔を画定する内壁の位置での厚みと、前記内壁から前記保持孔の径方向外側6mmの位置での厚みとの差が1μm以下であるキャリアを得ることを特徴とするキャリアの製造方法。 - 前記研削加工工程前の前記キャリアの中間構造体の厚みは、前記研磨加工工程後の前記キャリアの中間構造体の厚みよりも10μm以上大きく、前記キャリアが前記金属製のキャリアの場合には、前記キャリアの中間構造体の厚みは、その樹脂部の厚みである、請求項1に記載のキャリアの製造方法。
- 前記キャリアが前記金属製のキャリアであり、
前記加工工程において、金属からなる前記原板を前記金属部に加工し、前記金属部に設けられた前記開口部を画定する前記内壁に沿って前記樹脂部を設けて前記キャリアの中間構造体を得る、請求項1または2に記載のキャリアの製造方法。 - 前記キャリアが前記樹脂製のキャリアであり、
前記加工工程において、樹脂からなる前記原板を前記キャリアの形状に加工して前記キャリアの中間構造体を得る、請求項1または2に記載のキャリアの製造方法。 - 請求項1~4のいずれかに記載のキャリアの製造方法によってキャリアを製造し、製造された前記キャリアを用いて、半導体ウェーハの両面を研磨することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。
- 両面研磨後に、前記保持孔を画定する内壁でのキャリアの厚み、および前記内壁から前記保持孔の径方向外側6mmの位置でのキャリアの厚みを測定し、両厚みの差が1μmを超える場合には、上記両厚みの差が1μm以下である別のキャリアに交換して、次回の両面研磨を行う、請求項5に記載の半導体ウェーハの研磨方法。
- 前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、請求項5または6に記載の半導体ウェーハの研磨方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018078691A JP7070010B2 (ja) | 2018-04-16 | 2018-04-16 | キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法 |
TW108107193A TWI696518B (zh) | 2018-04-16 | 2019-03-05 | 載具的評估方法及半導體晶圓的研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018078691A JP7070010B2 (ja) | 2018-04-16 | 2018-04-16 | キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019186490A JP2019186490A (ja) | 2019-10-24 |
JP7070010B2 true JP7070010B2 (ja) | 2022-05-18 |
Family
ID=68337617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018078691A Active JP7070010B2 (ja) | 2018-04-16 | 2018-04-16 | キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7070010B2 (ja) |
TW (1) | TWI696518B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7425411B2 (ja) | 2020-10-12 | 2024-01-31 | 株式会社Sumco | キャリア測定装置、キャリア測定方法、及びキャリア管理方法 |
CN112435954B (zh) * | 2020-11-25 | 2024-01-26 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种晶圆载体的处理方法和晶圆载体 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004148497A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Wacker Siltronic Ag | ワークを同時に両面で加工するためのキャリヤおよび方法 |
JP2006205265A (ja) | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Speedfam Co Ltd | 研磨方法および研磨用組成物 |
JP2010023217A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Kyocera Chemical Corp | 被研磨物保持用キャリアディスク |
JP2011143477A (ja) | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
JP2015174168A (ja) | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨装置用キャリア並びに両面研磨方法 |
JP2017170536A (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法 |
JP2018015877A (ja) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社Sumco | ウェーハの両面研磨方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6454635B1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-09-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for a wafer carrier having an insert |
JP4154526B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2008-09-24 | 株式会社村田製作所 | ラップ加工用キャリアの厚み加工方法 |
JP5233888B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2013-07-10 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法 |
JP5648623B2 (ja) * | 2011-12-01 | 2015-01-07 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
-
2018
- 2018-04-16 JP JP2018078691A patent/JP7070010B2/ja active Active
-
2019
- 2019-03-05 TW TW108107193A patent/TWI696518B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004148497A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Wacker Siltronic Ag | ワークを同時に両面で加工するためのキャリヤおよび方法 |
JP2006205265A (ja) | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Speedfam Co Ltd | 研磨方法および研磨用組成物 |
JP2010023217A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Kyocera Chemical Corp | 被研磨物保持用キャリアディスク |
JP2011143477A (ja) | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
JP2015174168A (ja) | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨装置用キャリア並びに両面研磨方法 |
JP2017170536A (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法 |
JP2018015877A (ja) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社Sumco | ウェーハの両面研磨方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
安永暢男,はじめての研磨加工,日本,東京電機大学出版局,2011年04月20日,40-41頁、78-79頁 |
安永暢男、高木純一郎,精密機械加工の原理,日本,工業調査会,2002年10月25日,160-163頁 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201943496A (zh) | 2019-11-16 |
JP2019186490A (ja) | 2019-10-24 |
TWI696518B (zh) | 2020-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI541884B (zh) | Double-sided grinding method | |
TWI523094B (zh) | Double-sided grinding method | |
US9033764B2 (en) | Method of polishing object to be polished | |
TWI577500B (zh) | Method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus and a double-sided polishing method for a wafer | |
JP7070010B2 (ja) | キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法 | |
CN105834859A (zh) | 一种高精度光学透镜冷加工工艺 | |
JP2007036225A (ja) | 半導体ウェーハを加工する方法、キャリア及び半導体ウェーハ | |
CN103809371B (zh) | 矩形形成模具用基板 | |
KR20120101146A (ko) | 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
TWI532091B (zh) | Double-sided grinding method | |
WO2013080453A1 (ja) | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 | |
US20140264765A1 (en) | Semiconductor wafer and method of producing same | |
US11453098B2 (en) | Carrier for double-side polishing apparatus, double-side polishing apparatus, and double-side polishing method | |
JP6870623B2 (ja) | キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 | |
JP5507799B2 (ja) | 半導体ウェーハ研磨装置および研磨方法 | |
KR102336943B1 (ko) | 캐리어의 제조 방법 및 웨이퍼의 연마 방법 | |
JP5134863B2 (ja) | 導電性ローラの製造方法 | |
JP6471686B2 (ja) | シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
KR20190058667A (ko) | 웨이퍼의 제조 방법 및 웨이퍼 | |
JP7088125B2 (ja) | 被覆物の厚さ測定方法及び研削方法 | |
JP6939752B2 (ja) | シリコンウェーハのヘリカル面取り加工方法 | |
JP2007319994A (ja) | 研磨パッド | |
JP2024088539A (ja) | Soiウェーハの片面研磨方法 | |
KR20210089770A (ko) | 양두 연삭 방법 | |
JP2005325022A (ja) | ガラスレンズ成形用型及びその製造方法並びにガラスレンズ成形方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200416 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210406 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7070010 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |