JP7049894B2 - Boron-based film film forming method and film forming equipment - Google Patents
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Description
本開示は、ボロン系膜の成膜方法および成膜装置に関する。 The present disclosure relates to a method for forming a boron-based film and a film forming apparatus.
近時、半導体製造技術の発展により、半導体装置の微細化が進み、14nm以下、さらには10nm以下のものが出現している。また、さらなる半導体装置の集積化のために半導体素子を立体的に構築する技術が進められている。このため、半導体ウエハ上に形成する薄膜の積層数が増加し、例えば3次元NANDを用いたフラッシュメモリにおいては、酸化珪素(SiO2)膜や窒化珪素(SiN)膜等を含む、厚さが1μm以上の厚い積層膜をドライエッチングにより微細加工する工程が必要となっている。 Recently, with the development of semiconductor manufacturing technology, the miniaturization of semiconductor devices has progressed, and those with a diameter of 14 nm or less and even 10 nm or less have appeared. Further, a technique for three-dimensionally constructing a semiconductor element is being advanced for further integration of semiconductor devices. Therefore, the number of thin films formed on the semiconductor wafer increases, and for example, in a flash memory using a three-dimensional NAND, the thickness includes a silicon oxide (SiO 2 ) film, a silicon nitride (SiN) film, and the like. A step of finely processing a thick laminated film of 1 μm or more by dry etching is required.
微細加工を行うためのハードマスクとしては、従来、アモルファスシリコン膜やアモルファスカーボン膜が用いられているが、エッチング耐性が低い。したがって、これらの膜をハードマスクとして用いた場合は膜厚を厚くせざるを得ず、1μm以上もの厚い膜を形成する必要がある。 Conventionally, an amorphous silicon film or an amorphous carbon film has been used as a hard mask for microfabrication, but the etching resistance is low. Therefore, when these films are used as a hard mask, the film thickness has to be increased, and it is necessary to form a film as thick as 1 μm or more.
さらに次世代のハードマスク材料として、アモルファスシリコン膜やアモルファスカーボン膜よりもエッチング耐性が高いタングステン等の金属材料膜が検討されている。しかし、非常にエッチング耐性が高いタングステン膜等の金属材料膜は、ドライエッチング加工後の剥離やメタル汚染等への対策が難しい。 Further, as a next-generation hard mask material, a metal material film such as tungsten, which has higher etching resistance than an amorphous silicon film or an amorphous carbon film, is being studied. However, it is difficult to take measures against peeling and metal contamination after dry etching for a metal material film such as a tungsten film having extremely high etching resistance.
このため、アモルファスシリコン膜やアモルファスカーボン膜よりもドライエッチング耐性が高く、SiO2膜等に対して高い選択比を有する新たなハードマスク材料としてボロン系膜が検討されている。特許文献1には、CVDにより成膜したボロン系膜をハードマスクとして使用できることが記載されている。一般的に、CVD等により成膜された膜は、下地に対する密着性が要求される。 Therefore, a boron-based film has been studied as a new hard mask material having higher dry etching resistance than an amorphous silicon film or an amorphous carbon film and having a high selectivity with respect to a SiO 2 film or the like. Patent Document 1 describes that a boron-based film formed by CVD can be used as a hard mask. Generally, a film formed by CVD or the like is required to have adhesion to a substrate.
本開示は、密着性が良好なボロン系膜を成膜することができるボロン系膜の成膜方法および成膜装置を提供する。 The present disclosure provides a method for forming a boron-based film and a film forming apparatus capable of forming a boron-based film having good adhesion.
本開示の一態様に係るボロン系膜の成膜方法は、基板上にボロンを主体とするボロン系膜を形成するボロン系膜の成膜方法であって、基板上にCVDにより初期ボロン系膜を成膜する第1工程と、次いで、成膜された前記初期ボロン系膜をプラズマ処理し、前記基板表面と前記初期ボロン系膜を反応させて界面密着層を形成する第2工程と、次いで、前記界面密着層の上にCVDにより主ボロン系膜を成膜する第3工程とを有し、前記初期ボロン系膜および前記主ボロン系膜は、ボロンと不可避的不純物とからなるボロン膜である。 The method for forming a boron-based film according to one aspect of the present disclosure is a method for forming a boron-based film mainly composed of boron on a substrate, and is an initial boron-based film formed on the substrate by CVD. The first step of forming a film, then the second step of plasma-treating the formed initial boron-based film and reacting the substrate surface with the initial boron-based film to form an interfacial adhesion layer, and then The initial boron-based film and the main boron-based film are formed of a boron film composed of boron and unavoidable impurities. There is .
本開示によれば、密着性が良好なボロン系膜を成膜することができるボロン系膜の成膜方法および成膜装置が提供される。 According to the present disclosure, there is provided a method for forming a boron-based film and a film forming apparatus capable of forming a boron-based film having good adhesion.
以下、添付図面を参照して実施の形態について説明する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
<経緯>
最初に、本開示のボロン系膜の成膜方法に至った経緯について説明する。
ボロン系膜はハードマスクとして有望視されており、従来、CVDにより成膜されている。ボロン系膜の中でも、特に、ボロン単独のボロン膜が優れた特性を有することがわかっている。
<Background>
First, the process leading to the method for forming a boron-based film of the present disclosure will be described.
Boron-based films are considered to be promising as hard masks, and have conventionally been formed by CVD. Among the boron-based membranes, it is known that the boron membrane of boron alone has excellent properties.
一方、CVDで成膜されたボロン系膜は、基板に対する密着性が必ずしも十分ではなく、デバイスのインテグレーション製造工程中の膜剥がれを防止する観点から、ボロン系膜の密着性を向上させることが要求される。 On the other hand, the boron-based film formed by CVD does not always have sufficient adhesion to the substrate, and it is required to improve the adhesion of the boron-based film from the viewpoint of preventing film peeling during the device integration manufacturing process. Will be done.
膜の密着性を改善する技術としては、一般的に、基板の表面処理(クリーニング、プラズマでの表面改質処理)、基板と対象膜との間に密着性の高い異なる材料の界面層を介装させる技術が存在するが、これらの技術によるボロン系膜の密着性改善効果は確認されていない。また、異なる材料の界面層を用いる場合は、ガスの追加が必要である。 Generally, techniques for improving the adhesion of a film include surface treatment of the substrate (cleaning, surface modification treatment with plasma), and interfacial layers of different materials having high adhesion between the substrate and the target film. Although there are techniques for dressing, the effect of these techniques on improving the adhesion of boron-based films has not been confirmed. Also, when using interface layers of different materials, it is necessary to add gas.
そこで、発明者らが検討した結果、ボロン系膜の本成膜に先立って、基板上に薄い初期ボロン系膜を形成した後、プラズマ処理を実施して中間層を形成し、その後本成膜することが有効であることが見出された。 Therefore, as a result of the examination by the inventors, prior to the main film formation of the boron-based film, a thin initial boron-based film is formed on the substrate, and then plasma treatment is performed to form an intermediate layer, and then the main film formation is performed. It was found to be effective to do.
<ボロン系膜の成膜方法>
次に、一実施形態に係るボロン系膜の成膜方法について説明する。図1は、一実施形態に係るボロン系膜の成膜方法を示すフローチャート、図2は一実施形態に係るボロン系膜の成膜方法の各工程を模式的に示す工程断面図である。
<Method of forming a boron-based film>
Next, a method for forming a boron-based film according to an embodiment will be described. FIG. 1 is a flowchart showing a method for forming a boron-based film according to an embodiment, and FIG. 2 is a process sectional view schematically showing each step of a method for forming a boron-based film according to an embodiment.
本実施形態のボロン系膜の成膜方法は、基板201上にCVDにより薄い初期ボロン系膜202を成膜する工程(ステップ1、図2の(a))と、次いで、成膜された初期ボロン系膜202をプラズマ処理し、基板表面と初期ボロン系膜を反応させて中間組成の界面密着層203を形成する工程(ステップ2、図2の(b))と、次いで、界面密着層203の上にCVDにより主ボロン系膜を成膜する工程(ステップ3、図2の(c))とを有する。
The method for forming a boron-based film of the present embodiment is a step of forming a thin initial boron-based
基板201としては、半導体基板(半導体ウエハ)、典型的にはシリコン基板を挙げることができる。シリコン基板の表面にSiO2膜等の膜が形成されたものであってもよい。表面に形成される膜としては、他にSi-N-O、Si-C-N、Si3N4等を挙げることができる。
Examples of the
ステップ1の初期ボロン系膜202の成膜およびステップ3の主ボロン系膜の成膜は、CVDにより行われる。熱CVD、プラズマCVDのいずれでもよいが、膜質が良好なボロン系膜が得られるプラズマCVDが好ましい。プラズマCVDのプラズマは特に限定されず、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、マイクロ波プラズマ等を用いることができる。これらの中では、低電子温度かつラジカル主体であり、低ダメージで高密度のプラズマを生成可能なマイクロ波プラズマCVDで成膜することが好ましい。
The film formation of the initial boron-based
初期ボロン系膜202と主ボロン系膜204とは、同じ成膜手法であることが好ましい。例えば、初期ボロン系膜202がマイクロ波プラズマCVDのときは、マイクロ波プラズマCVDで行うことが好ましい。
It is preferable that the initial boron-based
初期ボロン系膜202は、プラズマ中のイオンが被処理基板表面に届く程度に薄いことが好ましく、5nm以下、さらには2nm以下であることが好ましい。プラズマ中のイオンが被処理基板表面に届くことにより、被処理基板表面と初期ボロン系膜の反応が生じ、有効に界面密着層203を形成することができる。また、初期ボロン系膜202は、十分な厚さの界面密着層203が形成できる程度の厚さであることが好ましく、0.5nm以上であることが好ましい。
The initial boron-based
CVD、特にプラズマCVDにより成膜されたボロン系膜は、エッチング耐性が高いという特性を有している。主ボロン系膜204は、このような特性を生かしてハードマスクに適用することができる。主ボロン系膜204の膜厚は、用途に応じて適宜設定されるが、ハードマスクに適用される場合は、例えば、1μm以上と厚く形成される。
The boron-based film formed by CVD, particularly plasma CVD, has a characteristic of high etching resistance. The main boron-based
ボロン系膜は、ボロンを50at.%以上含有するボロンを主体とする膜であり、ボロンおよび不可避不純物からなるボロン膜であってもよいし、ボロンに意図的に窒素(N)、炭素(C)、珪素(Si)等の他の元素を添加した膜であってもよい。ただし、高いエッチング耐性を得る観点からは、他の添加元素を含まないボロン膜が好ましい。CVDで成膜されたボロン系膜には、膜中に成膜原料等に由来する不可避不純物として主に水素(H)が5~15at.%程度含まれる。 The boron-based membrane uses 50 at. Boron. It is a film mainly composed of boron containing% or more, and may be a boron film composed of boron and unavoidable impurities, and boron intentionally contains nitrogen (N), carbon (C), silicon (Si), etc. It may be a film to which the element of is added. However, from the viewpoint of obtaining high etching resistance, a boron film containing no other additive elements is preferable. The boron-based film formed by CVD contains mainly hydrogen (H) of 5 to 15 at. As an unavoidable impurity derived from the film-forming raw material in the film. % Is included.
CVDによりボロン系膜を成膜する際には、ボロン含有ガスを含む処理ガスが用いられる。プラズマCVDによりボロン系膜を成膜する際には、処理ガスとして、プラズマ励起用の希ガスを含むことが好ましい。ボロン系膜としてボロンに他の元素を添加したものを用いる場合には、処理ガスとして、さらに添加しようとする元素を含むガスを用いる。処理ガスとしては、他に水素ガスを含んでいてもよい。 When forming a boron-based film by CVD, a processing gas containing a boron-containing gas is used. When forming a boron-based film by plasma CVD, it is preferable to include a rare gas for plasma excitation as the processing gas. When a boron-based film obtained by adding another element to boron is used, a gas containing the element to be further added is used as the treatment gas. The treatment gas may also contain hydrogen gas.
ボロン含有ガスとしては、ジボラン(B2H6)ガス、三塩化ホウ素(BCl3)ガス、アルキルボランガス、デカボランガス等を挙げることができる。アルキルボランガスとしては、トリメチルボラン(B(CH3)3)ガス、トリエチルボラン(B(C2H5)3)ガスや、B(R1)(R2)(R3)、B(R1)(R2)H、B(R1)H2(R1,R2,R3はアルキル基)で表されるガス等を挙げることができる。これらの中ではB2H6ガスを好適に用いることができる。 Examples of the boron-containing gas include diborane (B 2 H 6 ) gas, boron trichloride (BCl 3 ) gas, alkyl borane gas, and decaborane gas. As the alkylborane gas, trimethylborane (B (CH 3 ) 3 ) gas, triethylborane (B (C 2 H 5 ) 3 ) gas, B (R1) (R2) (R3), B (R1) (R2) ) H, B (R1) H 2 (R1, R2, R3 are alkyl groups) and the like. Among these, B 2 H 6 gas can be preferably used.
ステップ1の初期ボロン系膜202の成膜条件と、ステップ3の主ボロン系膜204の成膜条件は基本的に同じでよいが、初期ボロン系膜202は薄く形成されるので、ボロン含有ガスの流量を相対的に少なくすることが好ましい。
The film forming conditions of the initial boron-based
初期ボロン系膜202および主ボロン系膜204を成膜する際には、圧力が0.67~133.3Pa(5~1000mTorr)の範囲、温度が500℃以下(より好ましくは、60~500℃の範囲、例えば300℃)が好ましい。
When the initial boron-based
ステップ2の界面密着層203を形成する際のプラズマ処理には、希ガスのプラズマを用いることができる。希ガスの中では、原子数が大きくイオンのスパッタ効果が大きいアルゴンガスが好ましい。このときのプラズマ処理により、基板201の表面と初期ボロン系膜202が反応して中間組成の界面密着層203が形成される。
Noble gas plasma can be used for the plasma treatment when forming the
この際のメカニズムを、図3を参照して説明する。
初期ボロン系膜202を成膜後、アルゴンプラズマを生成させると、プラズマ中のイオン(Ar+)がプラズマシースにより加速され、初期ボロン系膜202および基板201の表面をスパッタする。これにより、初期ボロン系膜202からボロン原子(B*)が叩き出され、基板201表面から表面原子(原子A(A*))が叩き出される。これらB*およびA*は、プラズマ中のイオン(Ar+)により後方散乱し、基板201上に再堆積する。これにより、ボロン原子と基板201の表面原子とが基板201上で再配列され、これら原子が混合されて、ボロン原子と基板201の表面原子とが反応して結合し(A-B結合)、基板201に強固に密着された界面密着層203が形成される。
The mechanism at this time will be described with reference to FIG.
When argon plasma is generated after the initial boron-based
このときの反応をまとめると以下のようになる。
基板表面がSiO2の場合、基板201の表面原子はSiおよびOとなり、以下のような反応により、Si-B-Oからなる界面密着層203が形成される。
ステップ2のプラズマ処理は、特に限定されず、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、マイクロ波プラズマ等を用いることができる。初期ボロン系膜202をプラズマCVDで行う場合は、初期ボロン系膜202の際と同じプラズマ源を用いることが好ましい。
The plasma treatment in
ステップ2の圧力および温度は、0.67~133.3Pa(5~1000mTorr)、60~500℃が好ましい。また、処理時間は10~200secが好ましい。
The pressure and temperature in
ステップ2のプラズマ処理は、基板201および初期ボロン系膜202に対するイオンの作用を高める観点から、基板201に高周波バイアスを印加して希ガスイオンを被処理基板に引き込むことが好ましい。このときの高周波バイアスのパワーは50~500W、パワー密度は71~710mW/cm2であることが好ましい。
In the plasma treatment of
以上のように、本実施形態では、基板201上に初期ボロン系膜202を成膜した後、プラズマ処理を行って界面密着層203を形成し、その上に主ボロン系膜204を成膜する。これにより、基板上に直接ボロン系膜を成膜する場合に比べて基板201に対して密着性が良好なボロン系膜を成膜することができる。
As described above, in the present embodiment, after the initial boron-based
つまり、ステップ2のプラズマ処理により界面密着層203が基板201の上に強固に密着した状態で形成され、しかも、界面密着層203とボロンは化学的に結合するので、主ボロン系膜204は界面密着層203と良好な密着性を有する。したがって、結果的に主ボロン系膜204は、基板201に対して良好な密着性を有することとなる。
That is, the
また、初期ボロン系膜201の成膜は、主ボロン系膜204と同じガス系で成膜することができ、また、ステップ2のプラズマ処理は、ボロン系膜を成膜する際の希ガスで行うことができるので、ガスの追加が不要である。
Further, the initial boron-based
ステップ1~3は、同一チャンバ内で連続して行うことが好ましい。これにより、高スループットでボロン系膜を形成することができる。特に、ボロン系膜をプラズマCVDで行う場合は、希ガスのプラズマを維持したまま、ボロン含有ガス等の成膜ガスのオン・オフのみで、ステップ1~3を同一チャンバ内で連続して行うことができる。 It is preferable that steps 1 to 3 are continuously performed in the same chamber. This makes it possible to form a boron-based film with a high throughput. In particular, when the boron-based film is subjected to plasma CVD, steps 1 to 3 are continuously performed in the same chamber only by turning on / off a film-forming gas such as a boron-containing gas while maintaining the plasma of a rare gas. be able to.
このとき、ステップ1~3は、いずれも圧力が0.67~133.3Pa(5~1000mTorr)の範囲内、温度が500℃以下の範囲内で行うことが好ましく、ステップ1~3を同一の温度で行うことが好ましい。 At this time, it is preferable that steps 1 to 3 are performed in a pressure range of 0.67 to 133.3 Pa (5 to 1000 mTorr) and a temperature range of 500 ° C. or lower, and steps 1 to 3 are the same. It is preferable to carry out at temperature.
<ボロン系膜の成膜装置の第1の例>
次に、ボロン系膜の成膜装置の第1の例について説明する。
図4は、ボロン系膜の成膜装置の第1の例を示す断面図である。本例の成膜装置100は、上記ステップ1~3を行ってボロン系膜としてのボロン膜を成膜するマイクロ波プラズマCVD装置として構成される。
<First example of a boron-based film forming apparatus>
Next, a first example of a boron-based film forming apparatus will be described.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first example of a boron-based film forming apparatus. The
この成膜装置100は、気密に構成され、接地された略円筒状のチャンバ1を有している。チャンバ1は、例えばアルミニウムおよびその合金等の金属材料によって構成されている。チャンバ1の上部にはマイクロ波プラズマ源20が設けられている。マイクロ波プラズマ源20は、例えばRLSA(登録商標)マイクロ波プラズマ源として構成される。
The
チャンバ1の底壁の略中央部には円形の開口部10が形成されており、底壁にはこの開口部10と連通し、下方に向けて突出する排気室11が設けられている。
A
チャンバ1内には、基板である半導体ウエハ(以下単にウエハと記す)Wを水平に支持するためのAlN等のセラミックスからなる円板状の載置台2が設けられている。この載置台2は、排気室11の底部中央から上方に延びる円筒状のAlN等のセラミックスからなる支持部材3により支持されている。また、載置台2には抵抗加熱型のヒーター5が埋め込まれており、このヒーター5はヒーター電源(図示せず)から給電されることにより発熱し、それにより載置台2を介してウエハWが所定の温度に加熱される。また、載置台2には電極7が埋め込まれており、電極7には整合器8を介してバイアス電圧印加用高周波電源9が接続されている。バイアス電圧印加用高周波電源9は、50kHz~13.56MHzの高周波電力(高周波バイアス)を載置台2に印加する。高周波バイアスのパワーは可変であり、例えば30~500Wの範囲で変化させることができる。整合器8は、バイアス電圧印加用高周波電源9の内部(または出力)インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるもので、チャンバ1内にプラズマが生成されているときにバイアス電圧印加用高周波電源9の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。
In the chamber 1, a disk-shaped mounting table 2 made of ceramics such as AlN for horizontally supporting a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a wafer) W as a substrate is provided. The mounting table 2 is supported by a support member 3 made of ceramics such as a cylindrical AlN extending upward from the center of the bottom of the
載置台2には、ウエハWを支持して昇降させるためのウエハ支持ピン(図示せず)が載置台2の表面に対して突没可能に設けられている。 The mounting table 2 is provided with a wafer support pin (not shown) for supporting and raising and lowering the wafer W so as to be retractable with respect to the surface of the mounting table 2.
排気室11の側面には排気管23が接続されており、この排気管23には真空ポンプや自動圧力制御バルブ等を含む排気装置24が接続されている。排気装置24の真空ポンプを作動させることによりチャンバ1内のガスが、排気室11の空間11a内へ均一に排出され、排気管23を介して排気され、自動圧力制御バルブによりチャンバ1内が所定の真空度に制御される。
An
チャンバ1の側壁には、成膜装置100に隣接する真空搬送室(図示せず)との間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口25が設けられており、この搬入出口25はゲートバルブ26により開閉される。
The side wall of the chamber 1 is provided with an carry-in / out
チャンバ1の上部は開口部となっており、その開口部の周縁部がリング状の支持部27となっている。マイクロ波プラズマ源20はこの支持部27に支持される。
The upper part of the chamber 1 is an opening, and the peripheral edge of the opening is a ring-shaped
マイクロ波プラズマ源20は、誘電体、例えば石英やAl2O3等のセラミックスからなる円板状のマイクロ波透過板28と、複数のスロットを有する平面スロットアンテナ31と、遅波材33と、同軸導波管37と、モード変換部38と、導波管39と、マイクロ波発生器40とを有している。
The
マイクロ波透過板28は、支持部27にシール部材29を介して気密に設けられている。したがって、チャンバ1は気密に保持される。
The
平面スロットアンテナ31は、マイクロ波透過板28に対応する円板状をなし、導電性材料で構成されており、マイクロ波透過板28に密着するように設けられている。この平面スロットアンテナ31はチャンバ1の側壁上端に係止されている。
The
平面スロットアンテナ31は、例えば表面が銀または金メッキされた銅板またはアルミニウム板からなり、マイクロ波を放射するための複数のスロット32が所定パターンで貫通するように形成された構成となっている。スロット32のパターンは、マイクロ波が均等に放射されるように適宜設定される。例えば、パターンの例としては、T字状に配置された2つのスロット32を一対として複数対のスロット32が同心円状に配置されているものを挙げることができる。スロット32の長さや配列間隔は、マイクロ波の実効波長(λg)に応じて決定され、例えばスロット32は、それらの間隔がλg/4、λg/2またはλgとなるように配置される。なお、スロット32は、円形状、円弧状等の他の形状であってもよい。さらに、スロット32の配置形態は特に限定されず、同心円状のほか、例えば、螺旋状、放射状に配置することもできる。
The
遅波材33は、平面スロットアンテナ31の上面に密着して設けられている。遅波材33は、真空よりも大きい誘電率を有する誘電体、例えば石英、セラミックス(Al2O3)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミドなどの樹脂からなる。遅波材33はマイクロ波の波長を真空中より短くして平面スロットアンテナ31を小さくする機能を有している。
The
マイクロ波透過板28および遅波材33の厚さは、遅波板33、平面スロットアンテナ31、マイクロ波透過板28、およびプラズマで形成される等価回路が共振条件を満たすように調整される。遅波材33の厚さを調整することにより、マイクロ波の位相を調整することができ、平面スロットアンテナ31の接合部が定在波の「はら」になるように厚さを調整することにより、マイクロ波の反射が極小化され、マイクロ波の放射エネルギーが最大となる。また、遅波材33とマイクロ波透過板28を同じ材質とすることにより、マイクロ波の界面反射を防止することができる。
The thickness of the
なお、平面スロットアンテナ31とマイクロ波透過板28との間、また、遅波材33と平面スロットアンテナ31との間は、離間して配置されていてもよい。
The
チャンバ1の上面には、これら平面スロットアンテナ31および遅波材33を覆うように、例えばアルミニウムやステンレス鋼、銅等の金属材からなる冷却ジャケット34が設けられている。冷却ジャケット34には、冷却水流路34aが形成されており、そこに冷却水を通流させることにより、遅波材33、平面スロットアンテナ31、マイクロ波透過板28を冷却するようになっている。
A cooling
同軸導波管37は、冷却ジャケット34の上壁の中央形成された開口部の上方からマイクロ波透過板28に向けて挿入されている。同軸導波管37は、中空棒状の内導体37aと円筒状の外導体37bが同心状に配置されてなる。内導体37aの下端は平面スロットアンテナ31に接続されている。同軸導波管37は上方に延びている。モード変換器38は、同軸導波管37の上端に接続されている。モード変換器38には、水平に延びる断面矩形状の導波管39の一端が接続されている。導波管39の他端にはマイクロ波発生器40が接続されている。導波管39にはマッチング回路41が介在されている。
The
マイクロ波発生器40は、例えば周波数が2.45GHzのマイクロ波を発生し、発生したマイクロ波はTEモードで導波管39を伝播し、モード変換器38でマイクロ波の振動モードがTEモードからTEMモードへ変換され、同軸導波管37を介して遅波材33に向けて伝播する。そして、マイクロ波は、遅波材33の内部を径方向外側に向かって放射状に広がり、平面スロットアンテナ31のスロット32から放射され、マイクロ波透過板28を透過してチャンバ1内のマイクロ波透過板28の直下領域に電界を生じさせ、マイクロ波プラズマを生成させる。マイクロ波透過板28の下面の一部には、導入されたマイクロ波による定在波の発生を容易にするためのテーパ上に凹んだ環状の凹部28aが形成されており、マイクロ波プラズマが効率よく生成可能となっている。
The
なお、マイクロ波の周波数としては、2.45GHzの他、8.35GHz、1.98GHz、860MHz、915MHz等、種々の周波数を用いることができる。また、マイクロ波パワーは2000~5000W、パワー密度は2.8~7.1W/cm2が好ましい。 As the microwave frequency, various frequencies such as 8.35 GHz, 1.98 GHz, 860 MHz, and 915 MHz can be used in addition to 2.45 GHz. Further, the microwave power is preferably 2000 to 5000 W, and the power density is preferably 2.8 to 7.1 W / cm 2 .
成膜装置100は、ボロン含有ガスを含む処理ガスを供給するためのガス供給機構6を有している。ボロン含有ガスとしては、上述したような、ジボラン(B2H6)ガス、三塩化ホウ素(BCl3)ガス、アルキルボランガス、デカボランガス等を挙げることができる。
The
また、処理ガスはプラズマ励起用の希ガスを含んでいる。さらにH2ガス等を含んでいてもよい。希ガスとしてはHeガスやArガスなどが用いられる。以下では、ボロン含有ガスとしてB2H6ガス、希ガスとしてArガスおよびHeガスを含む処理ガスを用いる場合を例にして説明する。 Further, the processing gas contains a rare gas for plasma excitation. Further, H 2 gas or the like may be contained. As the rare gas, He gas, Ar gas and the like are used. Hereinafter, a case where a treatment gas containing B 2 H 6 gas as the boron-containing gas and Ar gas and He gas as the rare gas is used will be described as an example.
ガス供給機構6は、ウエハWの中央に向かってガスを吐出する第1のガス供給部61と、ウエハWの外方からガスを吐出する第2のガス供給部62とを備えている。第1のガス供給部61は、モード変換器38および同軸導波管37の内導体37aの内部に形成されたガス流路63を含み、このガス流路63の先端のガス供給口64は、例えばマイクロ波透過板28の中央部において、チャンバ1内に開口している。ガス流路63には、配管65、66、および67が接続されている。配管65にはボロン含有ガスであるB2H6ガスを供給するB2H6ガス供給源68が接続されており、配管66には希ガスであるArガスを供給するArガス供給源69が接続されおり、配管67には希ガスであるHeガスを供給するHeガス供給源70が接続されている。配管65には、マスフローコントローラのような流量制御器65aおよび開閉バルブ65bが設けられ、配管66には、流量制御器66aおよび開閉バルブ66bが設けられ、配管67には、流量制御器67aおよび開閉バルブ67bが設けられている。
The
第2のガス供給部62は、チャンバ1の内壁に沿ってリング状に設けられたシャワーリング71を備えている。シャワーリング71には、環状に設けられたバッファ室72と、バッファ室72から等間隔でチャンバ1内に臨むように設けられた複数のガス吐出口73とが設けられている。配管65、66、および67からは、それぞれ配管74、75、および76が分岐しており、配管74、75、および76は合流してシャワーリング71のバッファ室72に接続されている。配管74には、流量制御器74aおよび開閉バルブ74bが設けられ、配管75には、流量制御器75aおよび開閉バルブ75bが設けられ、配管76には、流量制御器76aおよび開閉バルブ76bが設けられている。
The second
本例では、第1のガス供給部61および第2のガス供給部62には、同じガス供給源68、69、70から同じ種類のボロン含有ガスや希ガスが、それぞれ流量を調整された状態で供給され、それぞれ、マイクロ波透過板28の中央およびチャンバ1の周縁からチャンバ1内に吐出される。なお、第1のガス供給部61および第2のガス供給部62から別個のガスを供給することもでき、それらの流量比等を個別に調整することもできる。
In this example, the flow rates of the same type of boron-containing gas and rare gas from the same
第1、第2のガス供給部61、62からは、例えば1000~10000sccmの範囲、ボロン膜の成膜速度を向上させるため、好適には2000~10000sccmの範囲の流量の処理ガスが供給される。
From the first and second
ガス供給機構6は、第1、第2のガス供給部61、62、B2H6ガス供給源68、Arガス供給源69、Heガス供給源70、配管、流量制御器、バルブ等を全て含む。
The
成膜装置100は、制御部50を有している。制御部50は、成膜装置100の各構成部、例えばバルブ類、流量制御器、マイクロ波発生器40、ヒーター電源、バイアス電圧印加用高周波電源9等を制御する。制御部50は、CPUを有する主制御部と、入力装置、出力装置、表示装置、および記憶装置を有している。記憶装置には、成膜装置100で実行される処理を制御するためのプログラム、すなわち処理レシピが格納された記憶媒体がセットされ、主制御部は、記憶媒体に記憶されている所定の処理レシピを呼び出し、その処理レシピに基づいて成膜装置100に所定の処理を行わせるように制御する。
The
以上のように構成される成膜装置100においては、まず、ゲートバルブ26を開け、基板であるウエハWとして、例えばシリコン基体上にSiO2膜が形成されたものをチャンバ1に搬入し、載置台2に載置するとともにゲートバルブ26を閉じる。
In the
このとき、載置台2の温度は、500℃以下、好ましくは60~500℃、例えば300℃に設定される。チャンバ1を真空排気した後、ArガスおよびHeガスをチャンバ1内に流してサイクルパージを行い、ArガスおよびHeガスによるチャンバ1内の圧力を例えば53.3Pa(400mTorr)程度としてウエハWの温度を安定化させる。そして、マイクロ波発生器40から、2000~5000W(2.8~7.1W/cm2)、例えば3500W(5.0W/cm2)のマイクロ波を導入してプラズマ着火を行う。その後、マイクロ波パワーを着火時と同じ値に維持したまま、チャンバ1内の圧力を0.67~33.3Pa(5~250mTorr)、例えば6.7Pa(50mTorr)に調圧する。このとき、第1のガス供給部61および第2のガス供給部62から、B2H6ガスならびにArガスおよびHeガスを供給して、初期ボロン系膜として、厚さ5nm以下の初期ボロン膜の成膜を行う。このとき、B2H6ガス(B2H6濃度:例えば15vol%、Heガス希釈)を50~1000sccm、例えば70sccm(B2H6正味:10.5sccm)の流量で供給し、ArガスおよびHeガスを、合計で100~1000sccm、例えば500sccmの流量で供給する。初期ボロン膜の成膜の際には、ボロン膜の膜質および表面粗さの悪化や、界面付近からの膜剥がれを抑制するために、バイアス電圧印加用高周波電源9からの高周波バイアスは印加しないことが好ましい。
At this time, the temperature of the mounting table 2 is set to 500 ° C. or lower, preferably 60 to 500 ° C., for example, 300 ° C. After vacuum exhausting the chamber 1, Ar gas and He gas are flowed into the chamber 1 to perform cycle purging, and the pressure in the chamber 1 due to the Ar gas and He gas is set to, for example, about 53.3 Pa (400 mTorr) and the temperature of the wafer W. To stabilize. Then, from the
初期ボロン膜の成膜が終了後、B2H6ガスを停止し、チャンバ1内を排気しつつHeガスおよびArガスを導入してチャンバ1内のパージを行う。そして、ガスをArガスのみとし、初期ボロン膜の成膜の際と同様、所定パワーのマイクロ波を導入してArプラズマ処理を行う。このとき、バイアス電圧印加用高周波電源9から50~500W(71~710mW/cm2)、例えば300W(420mW/cm2)の高周波バイアスを印加してArイオンの作用を高めることが好ましい。このArプラズマによる処理により、例えばSi-B-Oからなる界面密着層を形成する。このとき圧力は、0.67~33.3Pa(5~250mTorr)の範囲、さらには0.67~26.7Pa(5~200mTorr)の範囲が好ましい。また、この際の温度は、初期ボロン膜成膜の際と同一であることが好ましい。
After the film formation of the initial boron film is completed, the B 2 H 6 gas is stopped, and He gas and Ar gas are introduced while exhausting the inside of the chamber 1 to purge the inside of the chamber 1. Then, the gas is only Ar gas, and the Ar plasma treatment is performed by introducing a microwave of a predetermined power as in the case of forming the initial boron film. At this time, it is preferable to apply a high frequency bias of 50 to 500 W (71 to 710 mW / cm 2 ), for example, 300 W (420 mW / cm 2 ) from the high
Arプラズマによる界面密着層の形成後、チャンバ1内を排気しつつHeガスおよびArガスを導入してチャンバ1内のパージを行う。そして、B2H6ガス、Arガス、Heガスを導入し、初期ボロン膜の成膜の際と同様、所定パワーのマイクロ波を導入してマイクロ波プラズマを生成し、例えば1μm以上の厚さの主ボロン膜を成膜する。主ボロン膜の成膜は、B2H6ガスの流量を初期ボロン膜よりも多くすることが好ましいが、それ以外の条件は、初期ボロン膜の成膜の際と同様とすることが好ましい。また、バイアス電圧印加用高周波電源109からのバイアス電圧(高周波バイアス)は印加しないことが好ましい。
After forming the interfacial adhesion layer by Ar plasma, He gas and Ar gas are introduced while exhausting the inside of the chamber 1 to purge the inside of the chamber 1. Then, B 2 H 6 gas, Ar gas, and He gas are introduced, and microwaves of a predetermined power are introduced to generate microwave plasma as in the case of forming the initial boron film, and the thickness is, for example, 1 μm or more. The main boron film is formed. For the film formation of the main boron film, it is preferable that the flow rate of the B 2 H 6 gas is larger than that of the initial boron film, but other conditions are preferably the same as for the film formation of the initial boron film. Further, it is preferable not to apply the bias voltage (high frequency bias) from the high
このように、初期ボロン膜の成膜、Arプラズマによる界面密着層の形成、および主ボロン膜の成膜を、ウエハWをチャンバ1内の載置台2上に載置したまま連続して行い、所望の膜厚のボロン膜を成膜する。このため、追加のガスラインを用いることなく、高スループットで、密着性が良好なボロン膜を成膜することができる。 In this way, the film formation of the initial boron film, the formation of the interfacial adhesion layer by Ar plasma, and the film formation of the main boron film are continuously performed while the wafer W is placed on the mounting table 2 in the chamber 1. A boron film having a desired film thickness is formed. Therefore, it is possible to form a boron film having high throughput and good adhesion without using an additional gas line.
<ボロン系膜の成膜装置の第2の例>
次に、ボロン系膜の成膜装置の第2の例について説明する。
図5は、ボロン系膜の成膜装置の第2の例を示す断面図である。本例の成膜装置200は、上記ステップ1~3を行ってボロン系膜としてのボロン膜を成膜する容量結合型平行平板プラズマCVD装置として構成される。
<Second example of a boron-based film forming apparatus>
Next, a second example of a boron-based film forming apparatus will be described.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second example of a boron-based film forming apparatus. The
この成膜装置200は、気密に構成され、接地された略円筒状のチャンバ101を有している。チャンバ101は、例えばアルミニウムおよびその合金等の金属材料によって構成されている。
The
チャンバ101内の底部には、基板であるウエハWを水平に支持するための、下部電極として機能する載置台102が設けられている。載置台102は、チャンバ101の底面に配置された金属製の支持部材103および絶縁部材104を介して支持されている。また、載置台102には抵抗加熱型のヒーター105が埋め込まれており、このヒーター105はヒーター電源(図示せず)から給電されることにより発熱し、それにより載置台102を介してウエハWが所定の温度に加熱される。
At the bottom of the
成膜装置200は、ボロン含有ガスを含む処理ガスを供給するためのガス供給機構136を有している。ボロン含有ガスとしては、上述したような、ジボラン(B2H6)ガス、三塩化ホウ素(BCl3)ガス、アルキルボランガス、デカボランガス等を挙げることができる。
The
また、処理ガスはプラズマ励起用の希ガスを含んでいる。さらにH2ガス等を含んでいてもよい。希ガスとしてはHeガスやArガスなどが用いられる。以下では、ボロン含有ガスとしてB2H6ガス、希ガスとしてArガスおよびHeガスを含む処理ガスを用いる場合を例にして説明する。 Further, the processing gas contains a rare gas for plasma excitation. Further, H 2 gas or the like may be contained. As the rare gas, He gas, Ar gas and the like are used. Hereinafter, a case where a treatment gas containing B 2 H 6 gas as the boron-containing gas and Ar gas and He gas as the rare gas is used will be described as an example.
ガス供給機構136は、ガスシャワーヘッド110、B2H6ガス供給源168、Arガス供給源169、Heガス供給源170、配管165、166、167を有している。
The
ガスシャワーヘッド110は、チャンバ101内の上部に、載置台102と対向するように設けられ、上部電極として機能する。ガスシャワーヘッド110は金属製であり、円板状をなしている。ガスシャワーヘッド110の内部にはガス拡散空間111が形成されている。ガスシャワーヘッド110の下面には多数のガス吐出孔112が形成されている。
The
ガスシャワーヘッド110の上面中央部には、ガス流路113が接続されている。ガス流路113を構成するガス配管113aは絶縁部材114を介してチャンバ101に固定されており、ガスシャワーヘッド110はガス配管113aによりチャンバ101に支持されている。
A
上記配管165、166、および167の一端は、ガス流路113に接続されている。B2H6ガス供給源168は、ボロン含有ガスであるB2H6ガスを供給するものであり、配管165に接続されている。Arガス供給源169は、希ガスであるArガスを供給するものであり、配管166に接続されている。Heガス供給源170は、希ガスであるHeガスを供給するものであり、配管167に接続されている。これらガス供給源168、169、170から配管165、166、167およびガス流路113を介してB2H6ガス、Arガス、Heガスがシャワーヘッド110のガス拡散空間111に至り、ガス吐出孔112からチャンバ101内のウエハWに向けて吐出される。
One end of the
配管165には、マスフローコントローラのような流量制御器165aおよび開閉バルブ165bが設けられ、配管166には、流量制御器166aおよび開閉バルブ166bが設けられ、配管167には、流量制御器167aおよび開閉バルブ167bが設けられている。
The
チャンバ101の側壁下部には排気口122を有し、排気口には排気管123が接続されている。排気管123には真空ポンプや自動圧力制御バルブ等を含む排気装置124が接続されている。排気装置124の真空ポンプを作動させることによりチャンバ101内のガスが排気管123を介して排気され、自動圧力制御バルブによりチャンバ101内が所定の真空度に制御される。
An
チャンバ101の側壁には、成膜装置200に隣接する真空搬送室(図示せず)との間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口125が設けられており、この搬入出口125はゲートバルブ126により開閉される。
The side wall of the
載置台102には、プラズマ生成用の第1周波数の第1高周波電力を供給するプラズマ生成用高周波電源107と、バイアス電圧印加用の、第1周波数よりも低い第2周波数の第2高周波電力を供給するバイアス電圧印加用高周波電源109とを有する。プラズマ生成用高周波電源107は、第1整合器106を介して載置台102に電気的に接続される。バイアス電圧印加用高周波電源109は、第2整合器108を介して載置台102に電気的に接続される。プラズマ生成用高周波電源107は、40MHz以上、例えば60MHzの第1高周波電力を載置台102に印加する。バイアス電圧印加用高周波電源109は、50kHz~13.56MHzの第2高周波電力を載置台102に印加する。なお、第1高周波電力は、ガスシャワーヘッド110に印加してもよい。ガスシャワーヘッド110には、インピーダンス調整回路130が接続されている。
The mounting table 102 is provided with a plasma generation high
第1整合器106は、プラズマ生成用高周波電源107の内部(または出力)インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるもので、チャンバ101内にプラズマが生成されている時にプラズマ生成用高周波電源107の出力インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。第2整合器108は、バイアス電圧印加用高周波電源109の内部(または出力)インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるもので、チャンバ101内にプラズマが生成されているときにバイアス電圧印加用高周波電源109の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。
The
プラズマ生成用高周波電源107の周波数を40MHz以上と高くし、かつインピーダンス調整回路130を設けることにより、ウエハWに対するイオンの衝撃を小さくすることができ、ボロン膜の表面粗さの増大を抑制することができる。
By increasing the frequency of the high
成膜装置200は、制御部150を有している。制御部150は、ボロン系膜形成装置200の各構成部、例えばバルブ類、流量制御器、ヒーター電源、高周波電源107、109等を制御する。制御部150は、CPUを有する主制御部と、入力装置、出力装置、表示装置、および記憶装置を有している。記憶装置には、成膜装置200で実行される処理を制御するためのプログラム、すなわち処理レシピが格納された記憶媒体がセットされ、主制御部は、記憶媒体に記憶されている所定の処理レシピを呼び出し、その処理レシピに基づいて成膜装置200に所定の処理を行わせるように制御する。
The
以上のように構成される成膜装置200においては、まず、ゲートバルブ126を開け、基板であるウエハWとして、例えばシリコン基体上にSiO2膜が形成されたものをチャンバ1に搬入し、載置台2に載置するとともにゲートバルブ26を閉じる。
In the
載置台102の温度を500℃以下、好ましくは60~500℃、例えば300℃に設定する。ArガスおよびHeガスをチャンバ101内に供給してチャンバ101内の圧力を、好ましくは0.67~133.3Pa(5~1000mTorr)、例えば50mTorr(6.7Pa)に調圧する。そして、B2H6ガスを所定流量でチャンバ101内に供給しつつ、プラズマ生成用高周波電源107から載置台102にプラズマ生成用の第1の高周波電力を印加する。これにより、上部電極であるガスシャワーヘッド110と下部電極である載置台102との間に高周波電界を形成し、容量結合プラズマを生成してプラズマCVDにより、初期ボロン系膜として、厚さ2nm以下の初期ボロン膜を成膜する。このとき、バイアス電圧印加用高周波電源109からのバイアス電圧(高周波バイアス)は印加しないことが好ましい。このときのガス流量は、第1の例の装置の場合と同様の範囲に設定すればよい。
The temperature of the mounting table 102 is set to 500 ° C. or lower, preferably 60 to 500 ° C., for example, 300 ° C. Ar gas and He gas are supplied into the
初期ボロン膜の成膜が終了後、B2H6ガスを停止し、チャンバ101内を排気しつつHeガスおよびArガスを導入してチャンバ101内のパージを行う。そして、ガスをArガスのみとし、初期ボロン膜の成膜の際と同様、容量結合プラズマを生成してArプラズマ処理を行う。このとき、バイアス電圧印加用高周波電源109から50~500W(71~710mW/cm2)、例えば300W(420mW/cm2)の高周波バイアスを印加してArイオンの作用を高めることが好ましい。このArプラズマによる処理により、例えばSi-B-Oからなる界面密着層を形成する。このとき圧力は、26.7~133.3Pa(200~1000mTorr)の範囲が好ましい。また、この際の温度は、初期ボロン膜成膜の際と同一であることが好ましい。
After the film formation of the initial boron film is completed, the B 2 H 6 gas is stopped, and He gas and Ar gas are introduced while exhausting the inside of the
Arプラズマによる界面密着層の形成後、チャンバ1内を排気しつつHeガスおよびArガスを導入してチャンバ1内のパージを行う。そして、B2H6ガス、Arガス、Heガスを導入し、初期ボロン膜の成膜の際と同様、容量結合プラズマを生成してプラズマCVDにより、例えば1μm以上の厚さの主ボロン膜を成膜する。主ボロン膜の成膜は、B2H6ガスの流量を初期ボロン膜よりも多くすることが好ましいが、それ以外の条件は、初期ボロン膜の成膜の際と同様とすることが好ましい。また、バイアス電圧印加用高周波電源109からのバイアス電圧(高周波バイアス)は印加しないことが好ましい。
After forming the interfacial adhesion layer by Ar plasma, He gas and Ar gas are introduced while exhausting the inside of the chamber 1 to purge the inside of the chamber 1. Then, B 2 H 6 gas, Ar gas, and He gas are introduced to generate capacitively coupled plasma as in the case of film formation of the initial boron film, and plasma CVD is performed to form a main boron film having a thickness of, for example, 1 μm or more. Form a film. For the film formation of the main boron film, it is preferable that the flow rate of the B 2 H 6 gas is larger than that of the initial boron film, but other conditions are preferably the same as for the film formation of the initial boron film. Further, it is preferable not to apply the bias voltage (high frequency bias) from the high
このように、第2の例の成膜装置においても、初期ボロン膜の成膜、Arプラズマによる界面密着層の形成、および主ボロン膜の成膜を、ウエハWをチャンバ1内の載置台2上に載置したまま連続して行い、所望の膜厚のボロン膜を成膜する。このため、追加のガスラインを用いることなく、高スループットで、密着性が良好なボロン膜を成膜することができる。 As described above, also in the film forming apparatus of the second example, the wafer W is placed on the mounting table 2 in the chamber 1 for the film formation of the initial boron film, the formation of the interfacial adhesion layer by Ar plasma, and the film formation of the main boron film. The process is continuously performed while the film is placed on the surface to form a boron film having a desired film thickness. Therefore, it is possible to form a boron film having high throughput and good adhesion without using an additional gas line.
<実験例>
次に、実験例について説明する。
ここでは、シリコン基体上にSiO2膜が形成されたウエハを基板として用い、上述した図4に示すマイクロ波プラズマCVD装置により、以下のケース1~3の手法でボロン膜の成膜を行った。
<Experimental example>
Next, an experimental example will be described.
Here, a wafer having a SiO 2 film formed on a silicon substrate was used as a substrate, and a boron film was formed by the following methods 1 to 3 by the microwave plasma CVD apparatus shown in FIG. 4 described above. ..
ケース1は、上記実施形態の成膜方法に従って、上述したステップ1~3によりボロン膜の成膜を行った。ステップ1では、マイクロ波パワーを3500Wとして膜厚2nmの初期ボロン膜を成膜した。ステップ2では、マイクロ波パワーを3500W、高周波バイアス(400kHz)パワー300WとしてArプラズマ処理を90sec行った。ステップ3では、マイクロ波パワーを3500Wとして膜厚1~1.5μmの主ボロン膜を成膜した。
In Case 1, the boron film was formed by the above-mentioned steps 1 to 3 according to the film forming method of the above-described embodiment. In step 1, an initial boron film having a film thickness of 2 nm was formed with a microwave power of 3500 W. In
ケース2では、ケース1のステップ3のみを実施した。また、ケース3では、最初にマイクロ波パワー3500WとしてArプラズマによる表面処理(表面汚染部やOHを除去する処理)を10sec行った後、ケース1のステップ3を実施した。
In
ケース1~3の各手法で成膜した膜について、m-ELT(modified - Edge Lift-off Test)法にて密着性を評価した。m-ELT法では、成膜した膜の表面にエポキシ樹脂を塗布した後、所定の大きさの試料に切断し、その後試料を冷却して、剥離開始温度とエポキシ樹脂の厚さから密着強度を求めた。また、そのときの試料の状況を観察した。その結果を表1に示す。なお、試料数は、各ケース20個ずつとした。 The adhesion of the films formed by each of the methods of Cases 1 to 3 was evaluated by the m-ELT (modified --Edge Lift-off Test) method. In the m-ELT method, an epoxy resin is applied to the surface of the film formed, cut into a sample of a predetermined size, and then the sample is cooled to determine the adhesion strength from the peeling start temperature and the thickness of the epoxy resin. I asked. In addition, the condition of the sample at that time was observed. The results are shown in Table 1. The number of samples was 20 for each case.
表1の「膜剥離試料数」は、試験により膜が剥離した試料の数を示し、「基板破壊試料数」は、試験により基板で破壊が生じた試料の数を示し、「混在剥離試料数」は、膜剥離と基板破壊が混在した試料の数を示す。基板で破壊が生じれば、得られた密着強度の数値は基板の破壊強度を反映していることとなり、膜界面の密着強度は基板破壊強度よりも強いと推定される。また、膜剥離と基板破壊が混在した試料は、膜剥離が発生する強度と基板破壊が発生する強度は近い値であったと推測される。 In Table 1, "number of film peeled samples" indicates the number of samples from which the film was peeled by the test, and "number of substrate broken samples" indicates the number of samples whose substrate was broken by the test, and "number of mixed peeled samples". ”Indicates the number of samples in which film peeling and substrate destruction are mixed. If the substrate is fractured, the obtained value of the adhesion strength reflects the fracture strength of the substrate, and it is presumed that the adhesion strength at the film interface is stronger than the fracture strength of the substrate. Further, in the sample in which the film peeling and the substrate destruction are mixed, it is presumed that the strength at which the film peeling occurs and the strength at which the substrate destruction occurs are close to each other.
表1に示すように、Arプラズマによる表面処理を行った後にボロン膜を形成したケース3では、膜剥離試料数が15個、混在剥離試料数が5個と膜剥離の試料数が多く、膜の密着強度は0.279MPa・m1/2と小さい値であった。また、単に基板上にボロン膜を形成したケース2では、膜剥離試料数が6個あり、膜の密着強度は0.335MPa・m1/2とケース3よりも密着強度は良好であるものの不十分な値であった。これに対して、上記実施形態の成膜方法に従ってステップ1~3によりボロン膜を成膜したケース1は、全ての試料が基板破壊か混在剥離であり、膜剥離試料が存在せず、密着強度が0.362MPa・m1/2と高い値であった。これらの結果から、上記実施形態の方法により密着性の高いボロン膜が得られることが確認された。
As shown in Table 1, in Case 3 in which a boron film was formed after surface treatment with Ar plasma, the number of film peeling samples was 15, the number of mixed peeling samples was 5, and the number of film peeling samples was large. The adhesion strength was as small as 0.279 MPa · m 1/2 . Further, in the
<他の適用>
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
<Other applications>
Although the embodiments have been described above, the embodiments disclosed this time should be considered to be exemplary in all respects and not restrictive. The above embodiments may be omitted, replaced or modified in various forms without departing from the scope of the appended claims and their gist.
例えば、上記実施形態では、ボロン系膜として主にボロン膜について説明したが、原理上、例えばボロンリッチなBN膜やボロンリッチなBC膜等、ボロンに他の添加元素を意図的に加えた他のボロン系膜であっても適用可能なことはいうまでもない。他の添加元素を意図的に加えたボロン系膜を成膜する際には、成膜の際の処理ガスとして添加元素を含むガスを加えればよい。 For example, in the above embodiment, the boron film has been mainly described as the boron-based film, but in principle, other additive elements such as a boron-rich BN film and a boron-rich BC film are intentionally added to boron. Needless to say, it can be applied even if it is a boron-based film. When forming a boron-based film to which other additive elements are intentionally added, a gas containing the additive element may be added as a processing gas at the time of film formation.
また、上記実施形態では、ボロン系膜の用途としてハードマスクを示したが、これに限らず、薄膜用途では拡散防止用のバリア膜等の他の用途にも適用可能である。 Further, in the above embodiment, the hard mask is shown as an application of the boron-based film, but the present invention is not limited to this, and in the thin film application, it can be applied to other applications such as a barrier membrane for preventing diffusion.
さらに、上記実施の形態においては、成膜装置としてマイクロ波プラズマCVD装置、容量結合型平行平板プラズマCVD装置を例にとって説明した。しかし、これに限るものでなく、他のプラズマ生成手段を用いたものであってもよく、プラズマを用いない熱CVDであってもよい。 Further, in the above-described embodiment, a microwave plasma CVD device and a capacitively coupled parallel plate plasma CVD device have been described as examples of the film forming apparatus. However, the present invention is not limited to this, and other plasma generation means may be used, or thermal CVD may be performed without using plasma.
201;基板
202;初期ボロン系膜
203;界面密着層
204;主ボロン系膜
201;
Claims (20)
基板上にCVDにより初期ボロン系膜を成膜する第1工程と、
次いで、成膜された前記初期ボロン系膜をプラズマ処理し、前記基板表面と前記初期ボロン系膜を反応させて界面密着層を形成する第2工程と、
次いで、前記界面密着層の上にCVDにより主ボロン系膜を成膜する第3工程と
を有し、
前記初期ボロン系膜および前記主ボロン系膜は、ボロンと不可避的不純物とからなるボロン膜である、ボロン系膜の成膜方法。 A method for forming a boron-based film on a substrate, which is mainly composed of boron.
The first step of forming an initial boron-based film on a substrate by CVD, and
Next, a second step of plasma-treating the formed initial boron-based film and reacting the substrate surface with the initial boron-based film to form an interfacial adhesion layer.
Next, it has a third step of forming a main boron-based film on the interfacial adhesion layer by CVD.
A method for forming a boron-based film , wherein the initial boron-based film and the main boron-based film are boron films composed of boron and unavoidable impurities .
基板上にCVDにより初期ボロン系膜を成膜する第1工程と、 The first step of forming an initial boron-based film on a substrate by CVD, and
次いで、成膜された前記初期ボロン系膜をプラズマ処理し、前記基板表面と前記初期ボロン系膜を反応させて界面密着層を形成する第2工程と、 Next, a second step of plasma-treating the formed initial boron-based film and reacting the substrate surface with the initial boron-based film to form an interfacial adhesion layer.
次いで、前記界面密着層の上にCVDにより主ボロン系膜を成膜する第3工程と Next, in the third step of forming a main boron-based film on the interfacial adhesion layer by CVD.
を有し、Have,
前記第2工程は、希ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ中のイオンによるスパッタにより、前記初期ボロン系膜からボロン原子が、前記基板表面から表面原子が叩き出され、前記ボロン原子および前記表面原子がプラズマ中のイオンにより後方散乱されて前記基板上に再堆積され、これら原子の反応により前記界面密着層を形成する、ボロン系膜の成膜方法。 In the second step, a plasma of a rare gas is generated, and boron atoms are ejected from the initial boron-based film and surface atoms are ejected from the substrate surface by sputtering by ions in the plasma, and the boron atoms and the surface thereof are ejected. A method for forming a boron-based film, in which atoms are backscattered by ions in plasma and redisposited on the substrate, and the interface-adhesive layer is formed by the reaction of these atoms.
基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内で基板を支持する載置台と、
前記チャンバ内にボロン含有ガスおよび希ガスを含む処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記ガス供給機構と前記プラズマ生成手段とを制御する制御部と
を有し、
前記制御部は、
前記ガス供給機構に、前記ボロン含有ガスを含むガスを供給させて、CVDにより基板上に初期ボロン系膜を成膜する第1工程を実行させ、
次いで、前記ガス供給機構に、希ガスを供給させ、前記プラズマ生成手段により希ガスのプラズマを生成させ、成膜された前記初期ボロン系膜をプラズマ処理し、前記基板表面と前記初期ボロン系膜を反応させて界面密着層を形成する第2工程を実行させ、
次いで、前記ガス供給機構に、前記ボロン含有ガスを含むガスを供給させて、CVDにより前記界面密着層上に主ボロン系膜を成膜する第3工程を実行させ、
前記第2工程は、希ガスのプラズマを生成させ、前記プラズマ中のイオンによるスパッタにより、前記初期ボロン系膜からボロン原子が、前記基板表面から表面原子が叩き出され、前記ボロン原子および前記表面原子がプラズマ中のイオンにより後方散乱されて前記基板上に再堆積され、これら原子の反応により前記界面密着層を形成する、
ボロン系膜の成膜装置。 It is a film forming apparatus that forms a boron-based film mainly composed of boron on a substrate.
The chamber that houses the board and
A mounting table that supports the substrate in the chamber,
A gas supply mechanism for supplying a processing gas containing a boron-containing gas and a rare gas into the chamber,
A plasma generating means for generating plasma in the chamber and
It has a control unit that controls the gas supply mechanism and the plasma generation means.
The control unit
The gas supply mechanism is supplied with a gas containing the boron-containing gas, and the first step of forming an initial boron-based film on the substrate by CVD is executed.
Next, a rare gas is supplied to the gas supply mechanism, plasma of the rare gas is generated by the plasma generation means, the formed initial boron-based film is plasma-treated, and the substrate surface and the initial boron-based film are subjected to plasma treatment. The second step of forming an interfacial adhesion layer is executed.
Next, the gas supply mechanism is supplied with a gas containing the boron-containing gas, and a third step of forming a main boron-based film on the interfacial adhesion layer by CVD is executed.
In the second step, a plasma of a rare gas is generated, and boron atoms are ejected from the initial boron-based film and surface atoms are ejected from the substrate surface by sputtering by ions in the plasma, and the boron atoms and the surface thereof are ejected. Atoms are backscattered by ions in the plasma and redisposited on the substrate, and the reaction of these atoms forms the interface-adhesive layer.
Boron-based film film forming equipment.
前記制御部は、前記第2工程の際に、前記バイアス電圧印加用高周波電源に、前記基板へ前記バイアス電圧を印加させる、請求項17から請求項19のいずれか1項に記載のボロン系膜の成膜装置。 It also has a high frequency power supply for applying a bias voltage that applies a bias voltage to the substrate on the above-mentioned table.
The boron-based film according to any one of claims 17 to 19 , wherein the control unit applies the bias voltage to the substrate to the high-frequency power supply for applying the bias voltage during the second step. Film forming equipment.
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