JP7047331B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、図3Aに示されるように、半導体基板10を準備する。半導体基板10には、ドリフト領域12、ボディ領域13、ボディコンタクト領域14及びソース領域15が形成されている。半導体基板10は、4H-SiCであり、その表面10aの面方位が(0001)面である。次に、半導体基板10の表面10a上にパターン転写したマスク42を形成する。マスク42の材料は、例えば酸化シリコンである。次に、異方性ドライエッチング法を利用して、そのマスク42から露出する半導体基板10の表面10aからソース領域15及びボディ領域13を貫通してドリフト領域12に侵入するトレンチ30Tを形成する。半導体基板10の表面10aに直交する方向から観測したときに(平面視したときに)、トレンチ30Tの長手方向(図3Aの紙面奥行方向)は、<11-20>方向である。
まず、図4Aに示されるように、半導体基板10を準備する。半導体基板10には、ドリフト領域12、ボディ領域13、ボディコンタクト領域14及びソース領域15が形成されている。半導体基板10は、4H-SiCである。なお、半導体基板10の表面10aの面方位は、特に限定されるものではない。次に、半導体基板10の表面10a上にパターン転写したマスク44を形成する。マスク44の材料は、例えば酸化シリコンである。次に、異方性ドライエッチング法を利用して、そのマスク44から露出する半導体基板10の表面10aからソース領域15及びボディ領域13を貫通してドリフト領域12に達するトレンチ30Tを形成する。
10:半導体基板
11:ドレイン領域
12:ドリフト領域
13:ボディ領域
14:ボディコンタクト領域
15:ソース領域
16:電界緩和領域
22:ドレイン電極
24:ソース電極
30:絶縁ゲート部
32:ゲート絶縁膜
34:ゲート電極
52,54:保護膜
Claims (1)
- 半導体装置の製造方法であって、
4H-SiCの半導体基板の表層部にトレンチを形成する、トレンチ形成工程と、
前記トレンチの底面及び側面に熱酸化技術を利用して保護膜を形成する工程であって、前記底面の前記保護膜の厚みが前記側面の前記保護膜の厚みよりも薄くなる、保護膜形成工程と、
前記保護膜が残存した状態で、イオン注入によって前記トレンチの底面直下にp型不純物を導入して電界緩和領域を形成する、電界緩和領域形成工程と、を備え、
前記トレンチの前記底面の面方位が(0001)であり、
前記保護膜形成工程では、熱酸化温度が1200℃よりも低い、半導体装置の製造方法。
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WO2015104949A1 (ja) | 2014-01-10 | 2015-07-16 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2017174961A (ja) | 2016-03-23 | 2017-09-28 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子の製造方法 |
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