JP7038666B2 - 測定システム、較正方法、リソグラフィ装置及びポジショナ - Google Patents
測定システム、較正方法、リソグラフィ装置及びポジショナ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7038666B2 JP7038666B2 JP2018555543A JP2018555543A JP7038666B2 JP 7038666 B2 JP7038666 B2 JP 7038666B2 JP 2018555543 A JP2018555543 A JP 2018555543A JP 2018555543 A JP2018555543 A JP 2018555543A JP 7038666 B2 JP7038666 B2 JP 7038666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- stroke module
- free end
- sensor plate
- fiber optic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本願は、2016年4月26日出願の欧州出願第16167055.9号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
センサプレートと、
ディテクタエリアのアレイを備えるディテクタと、
ランダムに順序付けされた光ファイババンドルと、
投影システムによって投影されるパターン付き放射ビームにおいてセンサプレートを位置決めするためのポジショナと、
センサプレートの位置決めを制御するため及びディテクタの出力から測定データを取得するための制御ユニットと、を備え、
光ファイババンドルの第1の自由端が、センサプレートから光を受け取るように配置され、
光ファイババンドルの第1の自由端の反対側にある光ファイババンドルの第2の自由端が、第2の自由端にある光ファイババンドルのファイバから発する光がディテクタを照明するように配置され、
各ファイバは、ディテクタの異なるディテクタエリアを照明し、
制御ユニットは、投影システムに対するセンサプレートの異なる位置に対応する測定データを収集することによって、各ディテクタエリアを投影システムの瞳面内の対応するロケーションと一致させるように構成される。
a)請求項1に従った投影システム及び測定システムを備える、リソグラフィ装置を提供するステップと、
b)投影システムに対する異なる位置内にセンサプレートを位置決めするステップと、
c)異なる位置に対応する測定データを収集するステップと、
d)収集された測定データを使用して、ディテクタの各ディテクタエリアを、投影システムの瞳面内の対応するロケーションと一致させるステップと、
を含む、較正方法が提供される。
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、パターニングデバイスは、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することが可能である、サポートと、
複数のターゲット部分が軸に平行な1つ以上のコラム内に配置された基板を保持するように構築された、基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
本発明に従った測定システムと、
を備える、リソグラフィ装置が提供される。
基準に対して基板テーブルを粗動位置決めするためのロングストロークモジュールと、
基準に対して基板テーブルを微動位置決めするための、ロングストロークモジュールによって支持されるショートストロークモジュールと、
ショートストロークモジュール上に配置されるセンサプレートと、
ロングストロークモジュール上に配置されるディテクタと、
ロングストロークモジュール上に配置される光ファイババンドルであって、光ファイババンドル内のファイバの断面が外径を有する、光ファイババンドルと、
基準に対して基板テーブルを位置決めするために、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを制御するように構成された、制御ユニットと、を備え、
光ファイババンドルの第1の自由端が、センサプレートから光を受け取るように配置され、
光ファイババンドルの第1の自由端の反対側にある光ファイババンドルの第2の自由端が、第2の自由端にある光ファイババンドルのファイバから発する光がディテクタを照明するように配置され、
制御ユニットは、ロングストロークモジュールに対するショートストロークモジュールの移動範囲を、少なくとも所定の測定期間の間、光ファイバの断面の外径の多くとも半分内に維持するように構成される、
リソグラフィ装置の基板テーブルのためのポジショナが提供される。
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、パターニングデバイスは、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することが可能である、サポートと、
複数のターゲット部分が軸に平行な1つ以上のコラム内に配置された基板を保持するように構築された、基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
基板テーブルを位置決めするための、本発明に従ったポジショナと、
を備える、リソグラフィ装置が提供される。
放射ビームB(例えばUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTa又はWTbと、
パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、
を備える。
Claims (11)
- リソグラフィ装置の投影システムのための測定システムであって、前記投影システムはパターン付き放射ビームを投影するように構成され、前記測定システムは、
基準に対して基板テーブルを粗動位置決めするためのロングストロークモジュールと、
前記基準に対して前記基板テーブルを微動位置決めするための、前記ロングストロークモジュールによって支持されるショートストロークモジュールと、
前記ショートストロークモジュール上に配置されるセンサプレートと、
ディテクタエリアのアレイを備え、前記ロングストロークモジュール上に配置されるディテクタと、
複数のファイバを有する光ファイババンドルと、
前記センサプレートの前記位置決めを制御するため及び前記ディテクタの出力から測定データを取得するための制御ユニットと、を備え、
前記ロングストロークモジュール及び前記ショートストロークモジュールは、前記投影システムによって投影される前記パターン付き放射ビームにおいて前記センサプレートを位置決めするためのポジショナの部分を形成し、
前記光ファイババンドルの第1の自由端における前記ファイバの配列と、前記第1の自由端の反対側にある前記光ファイババンドルの第2の自由端における前記ファイバの配列と、の対応関係が事前に定められておらず、
前記第1の自由端が、前記センサプレートから光を受け取るように配置され、
前記第2の自由端が、前記第2の自由端にある前記光ファイババンドルの前記ファイバから発する光が前記ディテクタを照明するように配置され、
前記ファイバの各々は、前記ディテクタの異なるディテクタエリアを照明し、
前記ディテクタは、前記光ファイババンドルを介して前記センサプレートに接続されることにより、前記ディテクタが前記ショートストロークモジュールから離れて配置されており、
前記制御ユニットは、前記光ファイババンドルについて、前記ディテクタエリアの各々を前記投影システムの瞳面内の対応するロケーションと一致させるように構成される、測定システム。 - 前記センサプレートからの光の波長範囲を、前記光ファイババンドル及び前記ディテクタの両方によって取り扱うことが可能な異なる波長範囲に変換するために、前記センサプレートと前記光ファイババンドルの前記第1の自由端との間に配置された波長変換プレートを更に備える、請求項1に記載の測定システム。
- 前記投影システムによって前記センサプレート上に結像するために、前記投影システムの反対側に配置される更なるセンサプレートを更に備える、請求項1に記載の測定システム。
- 第2のセンサプレートと、複数のファイバを有する第2の光ファイババンドルと、を更に備え、
前記第2の光ファイババンドルの第1の自由端における前記ファイバの配列と、前記第1の自由端の反対側にある前記第2の光ファイババンドルの第2の自由端における前記ファイバの配列と、の対応関係が事前に定められておらず、
前記第1の自由端が、前記第2のセンサプレートからの光を受け取るように配置され、
前記第2の自由端が、前記第2の自由端にある前記第2の光ファイババンドルの前記ファイバから発する光が前記ディテクタを照明するように配置され、
前記第2の光ファイババンドルの前記ファイバの各々は、前記ディテクタの異なるディテクタエリアを照明し、
前記制御ユニットは、前記第2の光ファイババンドルについて、前記ディテクタエリアの各々を前記投影システムの瞳面内の対応するロケーションと一致させるように構成される、請求項1に記載の測定システム。 - 前記センサプレートは、1つ以上の格子を備える、請求項1に記載の測定システム。
- 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、前記パターニングデバイスは、パターン付き放射ビームを形成するために前記放射ビームの断面にパターンを付与することが可能である、サポートと、
複数のターゲット部分が軸に平行な1つ以上のコラム内に配置された基板を保持するように構築された、基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
請求項1に記載の測定システムと、
を備える、リソグラフィ装置。 - 前記測定システムは、パターニングデバイス上に配置された更なるセンサプレート、又は、前記パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートを備える、請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置の基板テーブルのためのポジショナであって、
基準に対して基板テーブルを粗動位置決めするためのロングストロークモジュールと、
前記基準に対して前記基板テーブルを微動位置決めするための、前記ロングストロークモジュールによって支持されるショートストロークモジュールと、
前記ショートストロークモジュール上に配置されるセンサプレートと、
前記ロングストロークモジュール上に配置されるディテクタと、
前記ロングストロークモジュール上に配置され複数のファイバを有する光ファイババンドルであって、前記光ファイババンドル内の前記ファイバの断面が外径を有する、光ファイババンドルと、
前記基準に対して前記基板テーブルを位置決めするために、前記ロングストロークモジュール及び前記ショートストロークモジュールを制御するように構成された制御ユニットと、を備え、
前記光ファイババンドルの第1の自由端における前記ファイバの配列と、前記第1の自由端の反対側にある前記光ファイババンドルの第2の自由端における前記ファイバの配列と、の対応関係が事前に定められておらず、
前記第1の自由端が、前記センサプレートから光を受け取るように配置され、
前記第2の自由端が、前記第2の自由端にある前記光ファイババンドルの前記ファイバから発する光が前記ディテクタを照明するように配置され、
前記ファイバの各々は、前記ディテクタの異なるディテクタエリアを照明し、
前記ディテクタは、前記光ファイババンドルを介して前記センサプレートに接続されることにより、前記ディテクタが前記ショートストロークモジュールから離れて配置されており、
前記制御ユニットは、前記光ファイババンドルについて、前記ディテクタエリアの各々を前記投影システムの瞳面内の対応するロケーションと一致させるように構成されるとともに、前記ロングストロークモジュールに対する前記ショートストロークモジュールの移動範囲を、少なくとも所定の測定期間の間、前記ファイバの前記断面の前記外径の多くとも半分内に維持するように構成される、ポジショナ。 - 前記センサプレートからの光の波長範囲を、前記光ファイババンドル及び前記ディテクタの両方によって取り扱うことが可能な異なる波長範囲に変換するために、前記センサプレートと前記光ファイババンドルの前記第1の自由端との間に配置された波長変換プレートを更に備える、請求項8に記載のポジショナ。
- 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、前記パターニングデバイスは、パターン付き放射ビームを形成するために前記放射ビームの断面にパターンを付与することが可能である、サポートと、
複数のターゲット部分が軸に平行な1つ以上のコラム内に配置された基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
前記基板テーブルを位置決めするための請求項8に記載のポジショナと、
を備える、リソグラフィ装置。 - パターニングデバイス上に配置された更なるセンサプレート、又は、前記パターニングデバイスを支持するように構築された前記サポートを更に備える、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16167055.9 | 2016-04-26 | ||
EP16167055 | 2016-04-26 | ||
PCT/EP2017/057927 WO2017186458A1 (en) | 2016-04-26 | 2017-04-04 | Measurement system, calibration method, lithographic apparatus and positioner |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019518233A JP2019518233A (ja) | 2019-06-27 |
JP7038666B2 true JP7038666B2 (ja) | 2022-03-18 |
Family
ID=55854633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018555543A Active JP7038666B2 (ja) | 2016-04-26 | 2017-04-04 | 測定システム、較正方法、リソグラフィ装置及びポジショナ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10520835B2 (ja) |
JP (1) | JP7038666B2 (ja) |
NL (1) | NL2018639A (ja) |
WO (1) | WO2017186458A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE1650816A1 (en) * | 2016-06-10 | 2017-11-21 | Bomill Ab | A detector system comprising a plurality of light guides and a spectrometer comprising the detector system |
DE102018202096A1 (de) | 2018-02-12 | 2019-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Bildsensor für eine positionssensorvorrichtung, positionssensorvorrichtung mit einem bildsensor, lithographieanlage mit einer positionssensorvorrichtung und verfahren zum betreiben eines bildsensors |
EP3696605A1 (en) | 2019-02-13 | 2020-08-19 | ASML Netherlands B.V. | Method and lithograph apparatus for measuring a radiation beam |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009113544A1 (ja) | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 株式会社ニコン | 蛍光膜、蛍光膜の成膜方法、誘電体多層膜、光学素子、光学系、撮像ユニット、光学特性計測装置、光学特性測定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 |
JP5018249B2 (ja) | 2007-06-04 | 2012-09-05 | 株式会社ニコン | クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59214818A (ja) * | 1983-05-21 | 1984-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置 |
DE4318140C2 (de) | 1993-06-01 | 1996-07-18 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Zuordnung der einkoppelseitigen Enden der einzelnen Lichtleitfasern eines Lichtleiterbündels zu den auskoppelseitigen Enden dieser Lichtleitfasern |
US5477057A (en) | 1994-08-17 | 1995-12-19 | Svg Lithography Systems, Inc. | Off axis alignment system for scanning photolithography |
JP3521544B2 (ja) * | 1995-05-24 | 2004-04-19 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH09115820A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び露光方法 |
JPH09171956A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH09237755A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3709904B2 (ja) * | 1996-11-14 | 2005-10-26 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
KR970072024A (ko) * | 1996-04-09 | 1997-11-07 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
TWI282909B (en) * | 1999-12-23 | 2007-06-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method for manufacturing a device |
EP1111473A3 (en) | 1999-12-23 | 2004-04-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with vacuum chamber and interferometric alignment system |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7242475B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-07-10 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining aberration of a projection system of a lithographic apparatus |
JP4625734B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2011-02-02 | 株式会社ナノシステムソリューションズ | 露光パターン形成方法 |
NL1036025A1 (nl) | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Asml Netherlands Bv | Method of transferring a substrate, transfer system and lithographic projection apparatus. |
SG174005A1 (en) * | 2008-04-30 | 2011-09-29 | Nikon Corp | Stage device, pattern formation apparatus, exposure apparatus, stage drive method, exposure method, and device manufacturing method |
US8817236B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
NL1036898A1 (nl) | 2008-05-21 | 2009-11-24 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, sensor and method. |
US8773635B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP2010206047A (ja) | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Nikon Corp | 波面収差計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2011049285A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Nikon Corp | マスク形状計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2011049286A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Nikon Corp | 計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2011049284A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Nikon Corp | 計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
NL2006773A (en) * | 2010-06-23 | 2011-12-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
JP2013046048A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、基板テーブル及びデバイス製造方法 |
JP2014126786A (ja) | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Nikon Corp | 集光装置 |
-
2017
- 2017-04-04 JP JP2018555543A patent/JP7038666B2/ja active Active
- 2017-04-04 US US16/096,520 patent/US10520835B2/en active Active
- 2017-04-04 NL NL2018639A patent/NL2018639A/en unknown
- 2017-04-04 WO PCT/EP2017/057927 patent/WO2017186458A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5018249B2 (ja) | 2007-06-04 | 2012-09-05 | 株式会社ニコン | クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2009113544A1 (ja) | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 株式会社ニコン | 蛍光膜、蛍光膜の成膜方法、誘電体多層膜、光学素子、光学系、撮像ユニット、光学特性計測装置、光学特性測定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL2018639A (en) | 2017-11-01 |
US10520835B2 (en) | 2019-12-31 |
JP2019518233A (ja) | 2019-06-27 |
US20190129314A1 (en) | 2019-05-02 |
WO2017186458A1 (en) | 2017-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20180341188A1 (en) | Level sensor, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP6101348B2 (ja) | 位置決めシステム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2013502592A (ja) | メトロロジ方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセル、およびメトロロジターゲットを備える基板 | |
JP6957692B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP6069509B2 (ja) | 定量的レチクル歪み測定システム | |
TWI519904B (zh) | 感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法 | |
JP2009156862A (ja) | 位置測定システムおよびリソグラフィ装置 | |
JP2011209278A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2017516124A (ja) | パターニングデバイスの変型および/またはその位置の変化の推測 | |
JP6770641B2 (ja) | 高さセンサ、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造するための方法 | |
TWI417679B (zh) | 微影裝置及圖案化元件 | |
JP7038666B2 (ja) | 測定システム、較正方法、リソグラフィ装置及びポジショナ | |
KR20110049821A (ko) | 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP6534750B2 (ja) | 位置測定システム及びリソグラフィ装置 | |
JP5369143B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP6817468B2 (ja) | センサ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 | |
JP5128576B2 (ja) | リソグラフィ装置のための方法 | |
US10359708B2 (en) | Position measurement system, calibration method, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
CN108292111B (zh) | 用于在光刻设备中处理衬底的方法和设备 | |
JP2006179907A (ja) | 自動焦点システムを備えたリソグラフィ機器 | |
KR20210020027A (ko) | 다수의 위치에 있는 대상물을 결상하기 위한 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191029 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201013 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210407 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210407 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210415 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210416 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20210528 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20210601 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20211012 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20211214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220113 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20220117 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20220210 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20220210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7038666 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |