JP7029404B2

JP7029404B2 - Organic electroluminescence devices and materials for organic electroluminescence

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Publication number: JP7029404B2
Application number: JP2018547514A
Authority: JP
Inventors: 信也大津; 元昭杉野; 邦夫谷
Original assignee: メルクパテントゲーエムベーハー
Priority date: 2016-10-28
Filing date: 2017-10-04
Publication date: 2022-03-03
Anticipated expiration: 2037-10-04
Also published as: WO2018079211A1; JPWO2018079211A1

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス用材料に関する。より詳しくは、駆動電圧及び耐久性が改善された有機エレクトロルミネッセンス素子等に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence device and a material for organic electroluminescence. More specifically, the present invention relates to an organic electroluminescence device or the like having improved drive voltage and durability.

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう。）は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有する。これに、電界を印加することにより、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子を発光層内で再結合させることで励起子（エキシトン）を生成させる。このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用した発光素子である。また、有機ＥＬ素子は、電極と電極の間を厚さが僅かサブミクロン程度である有機材料の膜で構成する全固体素子であり、数Ｖ～数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であることから、次世代の平面ディスプレイや照明への利用が期待されている。 The organic electroluminescence device (hereinafter, also referred to as an organic EL device) has a structure in which a light emitting layer containing a light emitting compound is sandwiched between a cathode and an anode. By applying an electric field to this, excitons are generated by recombination of holes injected from the anode and electrons injected from the cathode in the light emitting layer. It is a light emitting device that utilizes the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when the excitons are deactivated. Further, the organic EL element is an all-solid-state element composed of a film of an organic material having a thickness of only about submicron between the electrodes, and can emit light at a voltage of about several V to several tens of V. Therefore, it is expected to be used for next-generation flat displays and lighting.

有機エレクトロルミネッセンス用材料（以下、有機ＥＬ用材料ともいう。）は、絶縁性の有機分子であることから、陽極と陰極から直接ドーパントに電子と正孔を注入することができない（いわゆるオーム則に従う電荷注入ができない）。
すなわち、陽極と発光層の間のエネルギー障壁が大きいために、直接正孔注入できず、この絶縁物である有機物に電荷を注入・輸送するためには、超薄膜（１００ｎｍ以下）にすることと、エネルギー障壁を小さくすることが必要である。
したがって、陽極と発光層の間に、中間のエネルギーを持つ薄膜の正孔注入輸送層が必要となる。また、電子側にも同じように、電子注入・輸送層が必要である。
さらに、電荷は有機分子のπ共役部位間をホッピング移動することが大原則であるため、全ての有機ＥＬ材料はベンゼンやピリジンなどを代表とする芳香族化合物を組み合わせた化学構造を持つ化合物が採用されている（例えば、特許文献１参照。）。Since the material for organic electroluminescence (hereinafter, also referred to as the material for organic EL) is an insulating organic molecule, electrons and holes cannot be directly injected into the dopant from the anode and the cathode (according to the so-called Ohm's law). Charge injection is not possible).
That is, since the energy barrier between the anode and the light emitting layer is large, holes cannot be directly injected, and in order to inject and transport charges into this insulating organic substance, an ultrathin film (100 nm or less) is used. , It is necessary to reduce the energy barrier.
Therefore, a thin film hole injection transport layer with intermediate energy is required between the anode and the light emitting layer. Similarly, an electron injection / transport layer is required on the electron side.
Furthermore, since it is a general principle that the charge moves by hopping between the π-conjugated sites of the organic molecule, all organic EL materials are selected from compounds having a chemical structure that combines aromatic compounds such as benzene and pyridine. (See, for example, Patent Document 1).

具体的には、図１で示すように陰極から有機分子のＬＵＭＯエネルギー準位に電子が注入され、アニオンラジカルが形成されると考えられている。アニオンラジカルは不安定であるため隣接する分子に電子を受け渡す。この過程を連続的に繰り返すと、あたかも電子だけが模式図の右側から中央に移動しているように見える。このように、有機ＥＬ素子を低電圧で駆動させるには、特に、電子輸送材料に、電子ホッピングが速い材料が求められている。
例えば、特許文献２には、窒素含有芳香族化合物を用いることが記載されているが、さらに性能を向上させることができる化合物が求められている。Specifically, as shown in FIG. 1, it is considered that electrons are injected from the cathode into the LUMO energy level of the organic molecule to form an anion radical. Since anion radicals are unstable, they transfer electrons to adjacent molecules. When this process is repeated continuously, it seems as if only the electrons are moving from the right side to the center of the schematic diagram. As described above, in order to drive the organic EL element at a low voltage, a material having a high electron hopping is particularly required as an electron transport material.
For example, Patent Document 2 describes the use of a nitrogen-containing aromatic compound, but a compound capable of further improving the performance is required.

特開２０１０－１６６０７０号公報JP-A-2010-166070 国際公開第２０１３／１６１６０２号International Publication No. 2013/161602

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、駆動電圧及び耐久性が改善された有機エレクトロルミネッセンス素子及び当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる有機エレクトロルミネッセンス用材料を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems and situations, and the solution thereof is to provide an organic electroluminescence element having improved drive voltage and durability, and an organic electroluminescence material used for the organic electroluminescence element. It is to be.

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、特定構造の化合物を有機機能層に含有することで電子ホッピングの速度を向上させることができ、駆動電圧及び耐久性の改善につながることを見いだし本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。In order to solve the above problems, the present inventor can improve the speed of electron hopping by containing a compound having a specific structure in the organic functional layer in the process of examining the cause of the above problems, and can improve the driving voltage and the driving voltage. We have found that it leads to improvement of durability and have reached the present invention.
That is, the above-mentioned problem according to the present invention is solved by the following means.

１．陽極と、発光層を含む複数の有機機能層と、陰極とをこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機機能層が、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。1. 1. An organic electroluminescence device having an anode, a plurality of organic functional layers including a light emitting layer, and a cathode in this order.
An organic electroluminescence device in which the organic functional layer contains a compound having a structure represented by the following general formula (1).

（式中、Ｌは、少なくとも一つのアリール環又はヘテロアリール環を表し、キナゾリニル基及びＡ ₁ との連結部位以外の部位に置換基としてアリール環、ヘテロアリール環、アルキル基、シアノ基又は－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（ＣＨ ₃ ） ₂ 基を有してもよい。
Ｒ₁₁～Ｒ₁₆は、水素原子又は置換基を表し、Ｌと連結しない置換基のうち少なくとも一つが、下記に示す含窒素ヘテロアリール環基を表し、かつ、Ｌと連結しない置換基のうち、前記含窒素ヘテロアリール環基を表さないものはアルキル基、又はアリール基を表す。
Ａ₁は、少なくとも一つの５員又は６員のヘテロアリール環基を表し、置換基としてアリール環、ヘテロアリール環を有してもよい。
前記含窒素ヘテロアリール環基が、ピラジン環、トリアジン環、ピリミジン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、インドール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環及びベンゾイソキノリン環のうちから選ばれるヘテロ環基である。） (In the formula, L represents at least one aryl ring or heteroaryl ring , and an aryl ring, a heteroaryl ring, an alkyl group, a cyano group or-as a substituent at a site other than the quinazolinyl group and the linking site with A ₁ . It may have _two C (= O) N (CH ₃ ) groups.
R ₁₁ to R ₁₆ represent a hydrogen atom or a substituent, and at least one of the substituents not linked to L represents a nitrogen-containing heteroaryl ring group shown below , and among the substituents not linked to L. , The above-mentioned nitrogen-containing heteroaryl ring group does not represent an alkyl group or an aryl group.
A ₁ represents at least one 5-membered or 6-membered heteroaryl ring group, and may have an aryl ring or a heteroaryl ring as a substituent.
The nitrogen-containing heteroaryl ring group is a pyrazine ring, a triazole ring, a pyrimidine ring, an azadibenzofuran ring, an azadibenzothiophene ring, an azacarbazole ring, an indole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a quinoline. It is a heterocyclic group selected from a ring, a quinoxalin ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a benzoquinoline ring and a benzoisoquinoline ring. )

２．前記Ｒ₁₁、前記Ｒ₁₂、前記Ｒ₁₃、前記Ｒ₁₄、前記Ｒ₁₅、又は前記Ｒ₁₆が、Ｌと連結する第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 2 . The organic electroluminescence device according to item 1, wherein the R ₁₁ , the R ₁₂ , the R ₁₃ , the R ₁₄ , the R ₁₅ , or the R ₁₆ is connected to L.

３．前記Ｒ₁₁～Ｒ₁₆のうち、Ｌと連結しない置換基のうち少なくとも一つが、トリアジン環、アザジベンゾフラン環、アザカルバゾール環、アザジベンゾチオフェン環、キナゾリン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環及びピラゾール環から選ばれる置換基である第１項又は第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 3 . Of the above R ₁₁ to R ₁₆ , at least one of the substituents not linked to L is a triazine ring, an azadibenzofuran ring, an azacarbazole ring, an azadibenzothiophene ring, a quinazoline ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, an imidazole ring and the like. The organic electroluminescence element according to the first or second term, which is a substituent selected from the pyrazole ring.

４．前記発光層と、前記陰極との間に前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する前記有機機能層を有する第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 4 . The item according to any one of items 1 to 3 , wherein the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1) between the light emitting layer and the cathode is provided. Organic electroluminescence element.

５．前記陰極が、銀を主成分としており、前記有機機能層が、前記陰極に隣接して設けられている第１項から第４項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 5 . The organic electroluminescence device according to any one of items 1 to 4 , wherein the cathode contains silver as a main component, and the organic functional layer is provided adjacent to the cathode.

６．前記陰極の厚さが、１５ｎｍ以下である第１項から第５項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 6 . The organic electroluminescence device according to any one of items 1 to 5 , wherein the cathode has a thickness of 15 nm or less.

７．前記陰極の透過率が、５０％以上であり、かつ
当該陰極のシート抵抗が、２５Ω以下である第１項から第６項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 7 . The organic electroluminescence device according to any one of Items 1 to 6 , wherein the cathode has a transmittance of 50% or more and the sheet resistance of the cathode is 25 Ω or less.

８．前記有機機能層として、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物及び電子注入材料を含有する前記有機機能層を有する第１項から第７項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 8 . Item 6. The organic according to any one of Items 1 to 7 , which has the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1) and the electron-injected material as the organic functional layer. Electroluminescence element.

９．前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する前記有機機能層、電子注入材料を含有する電子注入層及び前記陰極の順に積層されていること特徴とする第１項から第８項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 9 . Items 1 to 8 are characterized in that the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1), the electron injection layer containing the electron injection material, and the cathode are laminated in this order. The organic electroluminescence device according to any one of the items up to the above item.

１１．下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス用材料。 11. A material for organic electroluminescence containing a compound having a structure represented by the following general formula (1).

本発明によれば、駆動電圧及び耐久性が改善された有機エレクトロルミネッセンス素子及び当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる有機エレクトロルミネッセンス用材料を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescence device having improved drive voltage and durability, and a material for organic electroluminescence used for the organic electroluminescence device.

本発明の効果の発現機構又は作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる一般式（１）で表される構造を有する化合物は、分子内に窒素原子を含有する芳香族複素環を有することで、電子ホッピングの速度向上に寄与することを見いだした。
つまり、分子内に、Ｎ原子含有の芳香族縮合複素環を導入することにより、分子間相互作用を大きくして、電子ホッピングを強化した。
これは、広い電子雲を有する縮合環を利用したπ－π相互作用と、Ｎ原子の不対電子とπ電子間のｎ－π相互作用の両方を活用して、電子ホッピングを速くすることを達成できたものと考えている。Although the mechanism of expression or mechanism of action of the effect of the present invention has not been clarified, it is inferred as follows.
The compound having the structure represented by the general formula (1) used in the organic electroluminescence device of the present invention contributes to the improvement of the electron hopping speed by having an aromatic heterocycle containing a nitrogen atom in the molecule. I found that.
That is, by introducing an N-atom-containing aromatic condensed heterocycle into the molecule, the intramolecular interaction was increased and electron hopping was enhanced.
This is to accelerate electron hopping by utilizing both π-π interaction using a fused ring with a wide electron cloud and n-π interaction between unpaired electrons and π electrons of N atom. I think I was able to achieve it.

電荷の輸送・注入機構を示す模式図Schematic diagram showing charge transport / injection mechanism 有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図Schematic diagram showing an example of a display device composed of an organic EL element 表示部Ａの模式図Schematic diagram of display unit A 画素の回路図Pixel schematic パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図Schematic diagram of a passive matrix full-color display device 照明装置の概略図Schematic diagram of lighting equipment 照明装置の模式図Schematic diagram of lighting equipment

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、発光層を含む複数の有機機能層と、陰極とをこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機機能層が、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする。前記一般式（１）中、Ｌは、アリール環又はヘテロアリール環を表す。Ｒ_１１～Ｒ_１６は、水素原子又は置換基を表し、Ｌと連結しない置換基のうち少なくとも一つが、含窒素ヘテロアリール環基を表す。Ａ_１は、５員又は６員のヘテロアリール環基を表す。この特徴は、下記の本発明の実施態様に共通する技術的特徴である。The organic electroluminescence element of the present invention is an organic electroluminescence element having an anode, a plurality of organic functional layers including a light emitting layer, and a cathode in this order, and the organic functional layer has the general formula (1). It is characterized by containing a compound having the structure represented. In the general formula (1), L represents an aryl ring or a heteroaryl ring. R ₁₁ to R ₁₆ represent a hydrogen atom or a substituent, and at least one of the substituents not linked to L represents a nitrogen-containing heteroaryl ring group. A ₁ represents a 5- or 6-membered heteroaryl ring group. This feature is a technical feature common to the following embodiments of the present invention.

本発明の実施態様としては、前記含窒素ヘテロアリール環基が、ピラジン環、トリアジン環、ピリミジン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、インドール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環及びベンゾイソキノリン環のうちから選ばれるヘテロ環基であることが、本発明の効果発現の観点から好ましい。 In an embodiment of the present invention, the nitrogen-containing heteroaryl ring group is a pyrazine ring, a triazine ring, a pyrimidine ring, an azadibenzofuran ring, an azadibenzothiophene ring, an azacarbazole ring, an indole ring, an imidazole ring , a pyrazole ring, and the like. A heterocyclic group selected from a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a quinazoline ring, a quinoxalin ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a benzoquinoline ring and a benzoisoquinoline ring is preferable from the viewpoint of exhibiting the effect of the present invention. ..

また、前記Ｒ_１１、前記Ｒ_１２、前記Ｒ_１３、前記Ｒ_１４、前記Ｒ_１５が、又は前記Ｒ_１６が、Ｌと連結することが本発明の効果発現の観点から好ましい。Further, it is preferable that the R ₁₁ , the R ₁₂ , the R ₁₃ , the R ₁₄ , or the R ₁₆ are linked to L from the viewpoint of _exhibiting the effect of the present invention.

また、前記Ｒ₁₁～Ｒ₁₆のうち、Ｌと連結しない置換基のうち少なくとも一つが、トリアジン環、アザジベンゾフラン環、アザカルバゾール環、アザジベンゾチオフェン環、キナゾリン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環及びピラゾール環から選ばれる置換基であることが、本発明の効果発現の観点から好ましい。 Further, among the above R ₁₁ to R ₁₆ , at least one of the substituents not linked to L is a triazine ring, an azadibenzofuran ring, an azacarbazole ring, an azadibenzothiophene ring, a quinazoline ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, or an imidazole. A substituent selected from the ring and the pyrazole ring is preferable from the viewpoint of exhibiting the effect of the present invention.

また、前記発光層と、前記陰極との間に前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する前記有機機能層を有することが、本発明の効果発現の観点から好ましい。 Further, it is preferable to have the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1) between the light emitting layer and the cathode from the viewpoint of exhibiting the effect of the present invention.

また、前記陰極が、銀を主成分としており、前記有機機能層が、前記陰極に隣接して設けられていることが、陰極の膜質を向上させることができるため好ましい。 Further, it is preferable that the cathode contains silver as a main component and the organic functional layer is provided adjacent to the cathode because the film quality of the cathode can be improved.

また、前記陰極の厚さが、１５ｎｍ以下であることが、光透過率を向上させる観点から好ましい。 Further, it is preferable that the thickness of the cathode is 15 nm or less from the viewpoint of improving the light transmittance.

また、前記陰極の透過率が、５０％以上であり、かつ当該陰極のシート抵抗が、２５Ω以下であることが、本発明の効果発現の観点から好ましい。 Further, it is preferable that the transmittance of the cathode is 50% or more and the sheet resistance of the cathode is 25 Ω or less from the viewpoint of exhibiting the effect of the present invention.

また、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物及び電子注入材料を含有する前記有機機能層を有することが、分子間の相互作用がより強まるため好ましい。 Further, it is preferable to have the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1) and the electron injection material because the interaction between the molecules is further strengthened.

前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する前記有機機能層、電子注入材料を含有する電子注入層及び前記陰極の順に積層されていることが、分子間の相互作用がより強まるため好ましい。 The organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1), the electron injection layer containing the electron injection material, and the cathode are laminated in this order, so that the interaction between the molecules is more favorable. It is preferable because it strengthens.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス用材料は、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することが、本発明の効果発現の観点から好ましい。 It is preferable that the material for organic electroluminescence of the present invention contains a compound having a structure represented by the general formula (1) from the viewpoint of exhibiting the effect of the present invention.

以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。 Hereinafter, the present invention, its constituent elements, and modes and embodiments for carrying out the present invention will be described in detail. In the present application, "-" is used to mean that the numerical values described before and after the value are included as the lower limit value and the upper limit value.

《一般式（１）で表される構造を有する化合物》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、発光層を含む複数の有機機能層と、陰極とをこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機機能層が、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有するものである。<< Compound having a structure represented by the general formula (1) >>
The organic electroluminescence element of the present invention is an organic electroluminescence element having an anode, a plurality of organic functional layers including a light emitting layer, and a cathode in this order, and the organic functional layer is represented by the following general formula (1). It contains a compound having the structure represented.

式中、Ｌは、少なくとも一つのアリール環又はヘテロアリール環を表し、キナゾリニル基及びＡ ₁ との連結部位以外の部位に置換基としてアリール環、ヘテロアリール環、アルキル基、シアノ基又は－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（ＣＨ ₃ ） ₂ 基を有してもよい。
Ｒ₁₁～Ｒ₁₆は、水素原子又は置換基を表し、Ｌと連結しない置換基のうち少なくとも一つが、下記に示す含窒素ヘテロアリール環基を表し、かつ、Ｌと連結しない置換基のうち、前記含窒素ヘテロアリール環基を表さないものはアルキル基、又はアリール基を表す。
Ａ₁は、少なくとも一つの５員又は６員のヘテロアリール環基を表し、置換基としてアリール環、ヘテロアリール環を有してもよい。
前記含窒素ヘテロアリール環基が、ピラジン環、トリアジン環、ピリミジン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、インドール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環及びベンゾイソキノリン環のうちから選ばれるヘテロ環基である。
Ｌが表すアリール環（基）としては、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）が挙げられる。
また、Ｌが表すヘテロアリール環（基）としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４－トリアゾール－１－イル基、１，２，３－トリアゾール－１－イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。 In the formula, L represents at least one aryl ring or heteroaryl ring , and an aryl ring, a heteroaryl ring, an alkyl group, a cyano group or -C as a substituent at a site other than the quinazolinyl group and the linking site with A ₁ . It may have _two (= O) N (CH ₃ ) groups.
R ₁₁ to R ₁₆ represent a hydrogen atom or a substituent, and at least one of the substituents not linked to L represents a nitrogen-containing heteroaryl ring group shown below , and among the substituents not linked to L. , The above-mentioned nitrogen-containing heteroaryl ring group does not represent an alkyl group or an aryl group.
A ₁ represents at least one 5-membered or 6-membered heteroaryl ring group, and may have an aryl ring or a heteroaryl ring as a substituent.
The nitrogen-containing heteroaryl ring group is a pyrazine ring, a triazole ring, a pyrimidine ring, an azadibenzofuran ring, an azadibenzothiophene ring, an azacarbazole ring, an indole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a quinoline. It is a heterocyclic group selected from a ring, a quinoxalin ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a benzoquinoline ring and a benzoisoquinoline ring.
Examples of the aryl ring (group) represented by L include a phenyl group, a p-chlorophenyl group, a mesityl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group, an anthryl group, an azulenyl group, an acenaphthenyl group, a fluorenyl group, a phenanthryl group and an indenyl group. , Pyrenyl group, biphenylyl group, etc.).
Examples of the heteroaryl ring (group) represented by L include a pyridyl group, a pyrimidinyl group, a fryl group, a pyrrolyl group, an imidazolyl group, a benzoimidazolyl group, a pyrazolyl group, a pyrazinyl group and a triazolyl group (for example, 1, 2, 4). -Triazole-1-yl group, 1,2,3-triazole-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isooxazolyl group, isothiazolyl group, frazanyl group, thienyl group, quinolyl group, Benzofuryl group, dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbazolyl group was replaced with a nitrogen atom. ), Kinoxalinyl group, pyridadinyl group, triazinyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group and the like.

一般式（１）で表される構造を有する化合物の代表構造の一部分を以下に示すが、多数の共鳴構造を有していることがわかる。つまり、分子内に多様な分極構造（＋、－）が存在する。本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物は、下記パーツを二つ以上有する場合もあるので、更に多様な分極構造を有する。多数の共鳴構造を持つため、異なる構造の分子が多数存在することとなり、マクロでは乱雑な膜を形成しているが、ミクロの分子間相互作用が強まる。
これは、分子間で＋電荷と－電荷が強く相互作用し、更に分子間スタックを強化する。
つまり、エントロピー効果が高まるため、有機機能層内の膜質変動を抑制することができ、駆動時の電圧上昇を抑制することができる。
以上より、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物は、（Ｉ）π－π相互作用、（II）ｎ－π相互作用、（III）分子内分極を利用した静電相互作用の三つを
利用して、分子間相互作用を強化し、電子ホッピングを速くすることを達成したものと考えている。A part of the representative structure of the compound having the structure represented by the general formula (1) is shown below, and it can be seen that it has a large number of resonance structures. That is, there are various polarization structures (+,-) in the molecule. Since the compound having the structure represented by the general formula (1) according to the present invention may have two or more of the following parts, it has a more diverse polarization structure. Since it has a large number of resonance structures, a large number of molecules with different structures exist, and although a disordered film is formed on a macro scale, microscopic intramolecular interactions are strengthened.
This is because the positive and negative charges interact strongly between the molecules, further strengthening the intermolecular stack.
That is, since the entropy effect is enhanced, the fluctuation of the film quality in the organic functional layer can be suppressed, and the voltage increase during driving can be suppressed.
From the above, the compound having the structure represented by the general formula (1) according to the present invention is statically utilizing (I) π-π interaction, (II) n-π interaction, and (III) intramolecular polarization. We believe that we have achieved the enhancement of intramolecular interaction and the acceleration of electron hopping by utilizing the three types of electrical interaction.

また、剛直な縮合環を導入することで、ガラス転移点の上昇も起こり、更に、上記に記載した多数の共鳴構造を有することから、エントロピー効果により有機機能層内における膜質変動も抑制することができ、駆動時の電圧上昇を抑えることを達成した。
さらには、上記記載のように、多様な分子内分極を有することから、電子注入材料（フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）、リチウムキノラート錯体（ＬｉＱ）等）との相互作用も大きく、電子注入材料と併用することで、電子注入材料から本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物へ電子供与し、更なる低電圧駆動が可能となる。In addition, by introducing a rigid condensed ring, the glass transition point also rises, and since it has a large number of resonance structures described above, it is possible to suppress film quality fluctuations in the organic functional layer by the entropy effect. It was possible to suppress the voltage rise during driving.
Furthermore, as described above, since it has various intramolecular polarizations, it interacts with electron-injected materials (lithium fluoride (LiF), potassium fluoride (KF), lithium quinolate complex (LiQ), etc.). When used in combination with the electron-injected material, electrons are donated from the electron-injected material to the compound having the structure represented by the general formula (1) according to the present invention, and further low voltage drive becomes possible.

さらに、違う観点からも、国際公開第２０１３／１６１６０２号に記載しているように、銀を主成分とする電極に対しても有用である。これは、上記特許文献に記載しているように、窒素含有の本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物と銀原子の相互作用が強いことに加えて、多様な分子内分極を有することから銀原子との相互作用も強まるためである。
これにより、さらに銀原子の拡散距離が減少し、銀の凝集を抑えることができ、銀を主成分とした電極の均一膜を達成することもできる。これは、銀原子との相互作用が強い窒素原子を多く含むことが好ましい。
なお、本発明における「主成分」とは、膜又は層中の５０質量％以上含有されていることを表し、好ましくは８０質量％以上、更に好ましくは９０質量％以上含有されていることを表す。Further, from a different point of view, it is also useful for electrodes containing silver as a main component, as described in International Publication No. 2013/161602. As described in the above patent document, this is due to the strong interaction between the silver atom and the nitrogen-containing compound having the structure represented by the general formula (1) according to the present invention, as well as various molecules. This is because the interaction with the silver atom is strengthened because it has internal polarization.
As a result, the diffusion distance of silver atoms can be further reduced, the aggregation of silver can be suppressed, and a uniform film of an electrode containing silver as a main component can be achieved. This preferably contains a large amount of nitrogen atoms that have a strong interaction with silver atoms.
The "main component" in the present invention means that the film or layer contains 50% by mass or more, preferably 80% by mass or more, and more preferably 90% by mass or more. ..

また、一般式（１）中、前記含窒素ヘテロアリール環基は、ピラジン環、トリアジン環、ピリミジン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、インドール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環及びベンゾイソキノリン環のうちから選ばれるヘテロ環基であることが、多数の共鳴構造を有する点から好ましい。 Further, in the general formula (1), the nitrogen-containing heteroaryl ring group includes a pyrazine ring, a triazine ring, a pyrimidine ring, an azadibenzofuran ring, an azadibenzothiophene ring, an azacarbazole ring, an indole ring, an imidazole ring , and a pyrazole ring. , Triazole ring, oxazole ring, thiazole ring, quinazoline ring, quinoxalin ring, quinoline ring, isoquinoline ring, benzoquinoline ring and benzoisoquinoline ring. preferable.

また、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５、又はＲ_１６は、Ｌと連結することが好ましい。Further, it is preferable that R ₁₁ , R ₁₂ , R ₁₃ , R ₁₄ , R ₁₅ or R ₁₆ are connected to L.

また、Ｒ₁₁～Ｒ₁₆のうち、Ｌと連結しない置換基のうち少なくとも一つが、トリアジン環、アザジベンゾフラン環、アザカルバゾール環、アザジベンゾチオフェン環、キナゾリン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環及びピラゾール環から選ばれる置換基であることが、多数の共鳴構造を有する点から好ましい。 Further, among R ₁₁ to R ₁₆ , at least one of the substituents not linked to L is a triazine ring, an azadibenzofuran ring, an azacarbazole ring, an azadibenzothiophene ring, a quinazoline ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, and an imidazole ring. And a substituent selected from the pyrazole ring is preferable because it has a large number of resonance structures.

本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物は、有機エレクトロルミネッセンス用材料として用いることも好ましい。 The compound having the structure represented by the general formula (1) according to the present invention is also preferably used as a material for organic electroluminescence.

《一般式（１）で表される構造を有する化合物の合成例》
本発明の一般式（１）で表される構造を有する化合物の合成方法について、例示化合物Ｍ－５１を例に説明する。<< Synthesis example of a compound having a structure represented by the general formula (1) >>
The method for synthesizing the compound having the structure represented by the general formula (1) of the present invention will be described by taking the exemplary compound M-51 as an example.

（中間体１の合成）
窒素雰囲気下で、３５．３ｇのピコリノニトリルをメタノール５００ｍＬに溶解し、６５．５ｇのナトリウムメトキシドの２８％メタノール溶液を、滴下し室温で２時間撹拌したのち、氷冷下で６時間撹拌した。さらに氷冷下で酢酸４１ｍＬを滴下し１時間撹拌した。その後、反応液にアントラニル酸４９．３ｇを添加し加熱還流を１２時間行った。反応液を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し、メタノールで洗浄し、中間体１を３７．９ｇ得た（収率５０％）。(Synthesis of Intermediate 1)
Under a nitrogen atmosphere, 35.3 g of picorinonitrile was dissolved in 500 mL of methanol, 65.5 g of a 28% methanol solution of sodium methoxide was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and then stirred under ice-cooling for 6 hours. did. Further, 41 mL of acetic acid was added dropwise under ice-cooling, and the mixture was stirred for 1 hour. Then, 49.3 g of anthranilic acid was added to the reaction solution, and the mixture was heated under reflux for 12 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature, the precipitated solid was collected by filtration and washed with methanol to obtain 37.9 g of Intermediate 1 (yield 50%).

（中間体２の合成）
２０ｇの中間体１をトルエン１４０ｍＬに溶解し、１２．９ｇの三塩化リンを加え、さらに１３．０ｇのＮ，Ｎ－ジメチルアニリンを加え、加熱還流を３時間行った。反応液に炭酸カリウム水溶液を加え、弱アルカリ性とし、塩化メチレンで抽出した。有機相は水洗したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下で溶媒を留去して得られる粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体２を１１．７ｇ得た（収率５４％）。(Synthesis of Intermediate 2)
20 g of Intermediate 1 was dissolved in 140 mL of toluene, 12.9 g of phosphorus trichloride was added, 13.0 g of N, N-dimethylaniline was further added, and the mixture was heated under reflux for 3 hours. An aqueous potassium carbonate solution was added to the reaction solution to make it weakly alkaline, and the mixture was extracted with methylene chloride. The organic phase was washed with water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The obtained crude product was purified by silica gel column chromatography to obtain 11.7 g of Intermediate 2 (yield 54%). ).

（例示化合物Ｍ－５１の合成）
窒素雰囲気下、６．５ｇの中間体２、３．６ｇの中間体３、炭酸カリウム７．５ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．５ｇ、をジオキサン１５０ｍＬと水４５ｍＬからなる混合溶媒中で加熱還流を７時間行った。反応液を塩化メチレンで抽出し、有機相は水洗したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下で溶媒を留去して得られる粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、例示化合物Ｍ－５１を２．７ｇ得た（収率５１％）。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，４００ＭＨｚ）：８．９３（ｄ，２Ｈ），８．７９（ｄ，２Ｈ），８．４２－８．３９（ｍ，３Ｈ），８．２７（ｄ，２Ｈ），８．１４（ｄｄ，２Ｈ），７．９９－７．８４（ｍ，５Ｈ），７．６８－７．６４（ｍ，２Ｈ），７．４４－７．４２（ｍ，２Ｈ）．(Synthesis of Exemplified Compound M-51)
Under a nitrogen atmosphere, 6.5 g of intermediate 2, 3.6 g of intermediate 3, 7.5 g of potassium carbonate, and 1.5 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium are heated in a mixed solvent consisting of 150 mL of dioxane and 45 mL of water. Reflux was performed for 7 hours. The reaction mixture was extracted with methylene chloride, the organic phase was washed with water, dried over anhydrous magnesium sulfate, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography. 2.7 g was obtained (yield 51%).
^{1 1} H-NMR (CD ₂ Cl ₂ , 400 MHz): 8.93 (d, 2H), 8.79 (d, 2H), 8.42-8.39 (m, 3H), 8.27 (d, 2H), 8.14 (dd, 2H), 7.99-7.84 (m, 5H), 7.68-7.64 (m, 2H), 7.44-7.42 (m, 2H) ..

《一般式（１）で表される構造を有する化合物及び参考例とされる化合物の具体例》
一般式（１）で表される構造を有する化合物及び参考例とされる化合物の具体例を以下に示す。これらの化合物は一例であって、本発明はこれに限定されるものではない。 << Specific examples of a compound having a structure represented by the general formula (1) and a compound used as a reference example >>
Specific examples of the compound having the structure represented by the general formula (1) and the compound used as a reference example are shown below. These compounds are examples, and the present invention is not limited thereto.

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。本発明の有機ＥＬ素子において、陽極と陰極との間に挟持される各種有機機能層の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
（ｉ）陽極／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極<< Constituent layer of organic EL element >>
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described. In the organic EL device of the present invention, preferable specific examples of the layer structure of various organic functional layers sandwiched between the anode and the cathode are shown below, but the present invention is not limited thereto.
(I) Anodic / light emitting layer unit / electron transport layer / cathode (ii) anode / hole transport layer / light emitting layer unit / electron transport layer / cathode (iii) anode / hole transport layer / light emitting layer unit / hole blocking Layer / electron transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / light emitting layer unit / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emission Layer unit / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode

更に、発光層ユニットは複数の発光層の間に非発光性の中間層を有していてもよく、該中間層が電荷発生層であるようなマルチフォトンユニット構成であってもよい。この場合、電荷発生層としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ_２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯｘ、ＶＯｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ_２、ＣｕＧａＯ_２、ＳｒＣｕ_２Ｏ_２、ＬａＢ_６、ＲｕＯ_２等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３等の２層膜や、ＳｎＯ_２／Ａｇ／ＳｎＯ_２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３／Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２／ＴｉＮ／ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＺｒＮ／ＴｉＯ_２等の多層膜、またＣ_６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン類、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子における発光層としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。Further, the light emitting layer unit may have a non-light emitting intermediate layer between the plurality of light emitting layers, and may have a multiphoton unit configuration in which the intermediate layer is a charge generation layer. In this case, the charge generating layer includes ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO ₂ , TiN, ZrN, HfN, TiOx, VOx, CuI, InN, GaN, CuAlO ₂ , and CuGaO. ₂ , SrCu ₂ O ₂ , LaB ₆ , RuO ₂ and other conductive inorganic compound layers, Au / Bi ₂ O ₃ and other two-layer films, SnO ₂ / Ag / SnO ₂ , ZnO / Ag / ZnO, Bi ₂ Multilayer films such as O ₃ / Au / Bi ₂ O ₃ , TiO ₂ / TiN / TiO ₂ , TiO ₂ / ZrN / TiO ₂ , and fullerenes such as C60, _{oligothiophenes} , metallic phthalocyanins, and metal-free phthalocyanins. , Metallic porphyrins, conductive organic compound layers such as non-metal porphyrins, and the like.
The light emitting layer in the organic EL element of the present invention is preferably a white light emitting layer, and a lighting device using these is preferable.
Each layer constituting the organic EL element of the present invention will be described.

《有機機能層》
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と、発光層を含む複数の有機機能層と、陰極とをこの順に有する。すなわち、本発明に係る有機機能層は、陽極と陰極の間に位置することを特徴とする。
本発明の有機ＥＬ素子は、複数の有機機能層を有し、当該有機機能層は、発光層を含んでいる。発光層は一つであっても複数であってもよい。《Organic functional layer》
The organic EL element of the present invention has an anode, a plurality of organic functional layers including a light emitting layer, and a cathode in this order. That is, the organic functional layer according to the present invention is characterized in that it is located between the anode and the cathode.
The organic EL element of the present invention has a plurality of organic functional layers, and the organic functional layer includes a light emitting layer. The number of light emitting layers may be one or a plurality.

また、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物及び電子注入材料を含有する有機機能層を有することが好ましい。すなわち、電子注入層に一般式（１）で表される構造を有する化合物が含まれていることも好ましい。
また、一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する前記有機機能層、電子注入材料を含有する電子注入層及び前記陰極の順に積層されていることも好ましい。Further, it is preferable to have an organic functional layer containing a compound having a structure represented by the general formula (1) and an electron injection material. That is, it is also preferable that the electron injection layer contains a compound having a structure represented by the general formula (1).
Further, it is also preferable that the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1), the electron injection layer containing the electron injection material, and the cathode are laminated in this order.

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極又は電子輸送層及び正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の層厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加することを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、好ましくは２ｎｍ～５μｍの範囲に調整され、更に好ましくは２～２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは５～１００ｎｍの範囲に調整される。《Light emitting layer》
The light emitting layer according to the present invention is a layer in which electrons and holes injected from an electrode or an electron transport layer and a hole transport layer recombine and emit light, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May also be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
The total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but from the viewpoint of film homogeneity, prevention of applying an unnecessary high voltage during light emission, and improvement of emission color stability with respect to drive current. It is preferably adjusted in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably in the range of 2 to 200 nm, and particularly preferably in the range of 5 to 100 nm.

発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を用いて、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（ＬａｎｇｍｕｉｒＢｌｏｄｇｅｔｔ法））等を挙げることができる。）等により成膜して形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ドーパント（リン光発光性ドーパントや蛍光発光性ドーパント等）化合物と、ホスト化合物とを含有することが好ましい。The light emitting layer is produced by using a light emitting dopant or a host compound described later, for example, a vacuum vapor deposition method, a wet method (also referred to as a wet process, for example, a spin coating method, a casting method, a die coating method, a blade coating method, or a roll coating method). It can be formed by forming a film by a method, an inkjet method, a printing method, a spray coating method, a curtain coating method, an LB method (Langmuir Bloodgett method, etc.) and the like.
The light emitting layer of the organic EL element of the present invention preferably contains a light emitting dopant (phosphorescent light emitting dopant, fluorescent light emitting dopant, etc.) compound and a host compound.

（１）発光性ドーパント
発光性ドーパント（発光ドーパント、ドーパント化合物、単にドーパントともいう。）について説明する。
発光性ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント（蛍光ドーパント、蛍光性化合物、蛍光発光性化合物ともいう。）、リン光発光性ドーパント（リン光ドーパント、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう。）を用いることができる。(1) Luminous Dopant A luminescent dopant (light emitting dopant, dopant compound, also simply referred to as dopant) will be described.
Examples of the luminescent dopant include a fluorescent luminescent dopant (also referred to as a fluorescent dopant, a fluorescent compound, or a fluorescent luminescent compound) and a phosphorescent luminescent dopant (also referred to as a phosphorescent dopant, a phosphorescent compound, a phosphorescent luminescent compound, or the like). .) Can be used.

（１．１）リン光ドーパント
リン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明で用いられるリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。(1.1) Phosphorescent dopant The phosphorescent dopant is a compound in which light emission from the excited triplet is observed, specifically, a compound that emits phosphorescent light at room temperature (25 ° C.), and has a phosphorescent quantum yield. Is defined as a compound of 0.01 or more at 25 ° C., but a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.
The phosphorus photon yield can be measured by the method described on page 398 (1992 edition, Maruzen) of Spectroscopy II of the 4th edition Experimental Chemistry Course 7. The phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, but the phosphorescence dopant used in the present invention achieves the above-mentioned phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any of any solvents. Just do it.

リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こって発光ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。 There are two types of light emission of the phosphorescent dopant in principle. One is that carrier recombination occurs on the host compound to which the carrier is transported to generate an excited state of the light emitting host compound, and this energy is used as the phosphorescent dopant. It is an energy transfer type that obtains light emission from a phosphorescent dopant by moving it. The other is a carrier trap type in which the phosphorescent dopant becomes a carrier trap, carriers are recombined on the phosphorescent dopant, and light emission from the phosphorescent dopant is obtained. In either case, the excited state energy of the phosphorescent dopant is required to be lower than the excited state energy of the host compound.

（１．２）蛍光ドーパント
蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。(1.2) Fluorescent dopant Examples of the fluorescent dopant include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, and pyrylium dyes. Examples thereof include perylene-based dyes, fluorescein-based dyes, polythiophene-based dyes, rare earth complex-based phosphors, and compounds having a high fluorescence quantum yield represented by laser dyes.

［従来公知のドーパントとの併用］
本発明に用いられる発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いてもよく、構造の異なるリン光ドーパント同士の組み合わせや、リン光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いてもよい。
ここで、発光ドーパントとして、従来公知の国際公開第２０１３／０６１８５０号に記載の化合物を好適に用いることができるが、本発明はこれらに限定されない。[Combination with conventionally known dopant]
The light emitting dopant used in the present invention may be used in combination with a plurality of types of compounds, may be used in combination with phosphorescent dopants having different structures, or may be used in combination with phosphorescent dopants and fluorescent dopants.
Here, as the light emitting dopant, the conventionally known compound described in International Publication No. 2013/061850 can be preferably used, but the present invention is not limited thereto.

［ホスト化合物］
本発明に用いることができるホスト化合物（発光ホスト、発光ホスト化合物ともいう。）は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、かつ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。[Host compound]
The host compound (also referred to as a light emitting host or a light emitting host compound) that can be used in the present invention has a mass ratio of 20% or more in the light emitting layer among the compounds contained in the light emitting layer, and is at room temperature (also referred to as a light emitting host). A compound having a phosphorescent quantum yield of less than 0.1 at 25 ° C.) is defined. Preferably, the phosphorus photon yield is less than 0.01. Further, among the compounds contained in the light emitting layer, the mass ratio in the layer is preferably 20% or more.

本発明に用いることができるホスト化合物としては、特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子で用いられる化合物を用いることができる。代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、又は、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。）等が挙げられる。 The host compound that can be used in the present invention is not particularly limited, and compounds conventionally used in organic EL devices can be used. Typically, a carbazole derivative, a triarylamine derivative, an aromatic derivative, a nitrogen-containing heterocyclic compound, a thiophene derivative, a furan derivative, an oligoarylene compound or the like having a basic skeleton, or a carboline derivative or a diazacarbazole derivative (here). The diazacarbazole derivative means that at least one carbon atom of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring of the carboline derivative is replaced with a nitrogen atom.) And the like.

本発明に用いることができる公知のホスト化合物としては正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
また、本発明においては、従来公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、従来公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。As the known host compound that can be used in the present invention, a compound having hole transporting ability and electron transporting ability, preventing the wavelength of light emission from being lengthened, and having a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
Further, in the present invention, conventionally known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the transfer of electric charges, and it is possible to improve the efficiency of the organic EL device. Further, by using a plurality of conventionally known compounds, it is possible to mix different emission colors, and thus an arbitrary emission color can be obtained.

また、本発明に用いられるホスト化合物としては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（重合性ホスト化合物）でもよく、このような化合物を１種又は複数種用いても良い。 Further, the host compound used in the present invention may be a low molecular weight compound, a high molecular weight compound having a repeating unit, or a low molecular weight compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (polymerizable host compound). Often, one or more such compounds may be used.

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載の化合物が挙げられる。
特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報等である。Specific examples of known host compounds include the compounds described in the following documents.
Japanese Patent Laid-Open Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357977, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75445, 2002-338579, 2002. 2002-105445, 2002-343568, 2002-141173, 2002-352957, 2002-203683, 2002-363227, 2002-231453, 2003. -3165, 2002-234888, 2003-27048, 2002-255934, 2002-260861, 2002-280183, 2002-299060, 2002- 302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837 and the like.

《陰極》
陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する。）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものも用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
特に、銀を主成分として構成されていることが好ましく、銀を主成分とする合金は、例えば、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）などが挙げられる。"cathode"
As the cathode, a metal having a small work function (4 eV or less) (referred to as an electron-injectable metal), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof as an electrode material is also used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al ₂ O). ₃ ) Examples include mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the viewpoint of electron injectability and durability against oxidation and the like, a mixture of an electron injectable metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, for example, a magnesium / silver mixture. A magnesium / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) mixture, a lithium / aluminum mixture, aluminum and the like are suitable.
In particular, it is preferably composed mainly of silver, and the alloy containing silver as a main component is, for example, silver magnesium (AgMg), silver copper (AgCu), silver palladium (AgPd), silver palladium copper (AgPdCu). , Silver indium (AgIn) and the like.

銀を主成分とする合金を用いる陰極は、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
陰極の膜厚は、通常１０ｎｍ～５μｍ、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。銀を主成分とする合金を用いる場合は、膜厚が、１５ｎｍ以下であることが好ましく、４～１２ｎｍの範囲内であることが好ましい。膜厚が当該範囲内であることにより、膜が吸収又は反射する光の成分を低減することができ、光透過率を維持することができ、かつ層の導電性も確保できる。The cathode using an alloy containing silver as a main component may be divided into a plurality of layers and laminated, if necessary.
The film thickness of the cathode is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm. When an alloy containing silver as a main component is used, the film thickness is preferably 15 nm or less, and preferably in the range of 4 to 12 nm. When the film thickness is within the range, the component of light absorbed or reflected by the film can be reduced, the light transmittance can be maintained, and the conductivity of the layer can be ensured.

前述のとおり、陰極が銀を主成分とする場合、一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機機能層に隣接することが好ましい。
一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機機能層は、陰極に隣接していることが好ましく、当該有機機能層上に陰極を形成する場合であっても、陰極上に当該有機機能層を形成してもよい。更には、有機機能層上に陰極を形成し、さらに当該陰極上に有機機能層を形成し、陰極を２層の有機機能層で挟持する構成であってもよい。As described above, when the cathode contains silver as a main component, it is preferably adjacent to the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1).
The organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1) is preferably adjacent to the cathode, and even when the cathode is formed on the organic functional layer, it is on the cathode. The organic functional layer may be formed. Further, the cathode may be formed on the organic functional layer, the organic functional layer may be further formed on the cathode, and the cathode may be sandwiched between the two organic functional layers.

有機機能層の上部に、銀を主成分とする陰極を成膜する際、陰極を構成する銀原子が有機機能層に含有されている一般式（１）で表される構造を有する化合物と相互作用し、有機機能層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集（マイグレーション）を抑制することができる。
すなわち、銀原子は、まず銀原子と親和性のある原子を有する有機機能層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎｄｅｒＭｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。When a cathode containing silver as a main component is formed on the upper part of the organic functional layer, the silver atoms constituting the cathode are contained in the organic functional layer and interact with a compound having a structure represented by the general formula (1). It acts, the diffusion distance of silver atoms on the surface of the organic functional layer is reduced, and the aggregation (migration) of silver at specific points can be suppressed.
That is, the silver atom first forms a two-dimensional nucleus on the surface of the organic functional layer having an atom having an affinity for the silver atom, and then forms a two-dimensional single crystal layer around it, which is a layered growth type (a layered growth type). The film is formed by the film growth of Frank-van der Merwe (FM type).

なお、一般的には、有機機能層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合して３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により、島状に成膜しやすいと考えられる。
しかし、本発明においては、有機機能層に含有されている一般式（１）で表される構造を有する化合物により、島状成長が抑制され、層状成長が促進されると推察される。
したがって、薄い膜厚でありながらも均一な膜厚の陰極が得られるようになる。その結果、その薄い膜厚により光透過性を保ちつつも、導電性が確保された透明電極とすることができる。In general, an island-like growth type (Volumer) in which silver atoms attached on the surface of an organic functional layer are bonded while diffusing the surface to form a three-dimensional nucleus and grow into a three-dimensional island shape. -It is considered that it is easy to form an island-like film due to the film growth in Weber: VW type).
However, in the present invention, it is presumed that the compound having the structure represented by the general formula (1) contained in the organic functional layer suppresses the island-like growth and promotes the layered growth.
Therefore, a cathode having a thin film thickness but a uniform film thickness can be obtained. As a result, it is possible to obtain a transparent electrode whose conductivity is ensured while maintaining light transmission due to its thin film thickness.

また、陰極の上部に有機機能層を成膜した場合、陰極を構成する銀原子が有機機能層に含有されている銀原子と親和性のある原子と相互作用し、運動性が抑制されるものと考えられる。これによって、陰極の表面平滑性が良化することで乱反射を抑制することができ、透過率を向上することが可能である。
このような相互作用によって、熱や温度といった物理刺激に対する陰極の膜質変化が抑制され、耐久性を向上させることができたものと推測している。Further, when an organic functional layer is formed on the upper part of the cathode, the silver atoms constituting the cathode interact with the atoms having an affinity for the silver atoms contained in the organic functional layer, and the motility is suppressed. it is conceivable that. As a result, the surface smoothness of the cathode is improved, diffused reflection can be suppressed, and the transmittance can be improved.
It is speculated that such interaction suppressed changes in the cathode film quality due to physical stimuli such as heat and temperature, and improved durability.

陰極は、銀を主成分とする合金の他、一般的な電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法で薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／ｓｑ．（本明細書において「Ω／ｓｑ．」は、単に「Ω」とも表現する。）以下が好ましく、特に２５Ω以下であることが好ましい。
なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合であり、陰極の透過率は、５０％以上であることが好ましい。
また、陰極に上記金属を１～２０ｎｍの膜厚で作製した後に、後述する陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。The cathode can be produced by forming a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering on a general electrode material in addition to an alloy containing silver as a main component. The sheet resistance as a cathode is several hundred Ω / sq. (In the present specification, "Ω / sq." Is also simply expressed as "Ω".) The following is preferable, and 25Ω or less is particularly preferable.
In order to transmit the emitted light, it is convenient if either the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the emission brightness is improved, and the transmittance of the cathode is 50% or more. Is preferable.
Further, a transparent or translucent cathode can be produced by producing the above metal on the cathode having a thickness of 1 to 20 nm and then producing a conductive transparent material described later in the description of the anode on the cathode. By applying this, it is possible to manufacture an element in which both the anode and the cathode are transparent.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、前述のとおり、一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することも好ましい。広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層若しくは複数層を設けることができる。さらに、後述する電子注入層に含まれる材料も含有する電子注入輸送層を設けてもよい。
電子輸送層は陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、電子輸送層の構成材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択し併用することも可能である。《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and as described above, it is also preferable to contain a compound having a structure represented by the general formula (1). In a broad sense, the electron injection layer and the hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer may be provided with a single layer or a plurality of layers. Further, an electron injection transport layer may be provided which also contains a material contained in the electron injection layer described later.
The electron transport layer may have a function of transferring electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and as the constituent material of the electron transport layer, any conventionally known compound may be selected and used in combination. Is also possible.

電子輸送層に用いられる従来公知の材料（以下、電子輸送材料という。）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の多環芳香族炭化水素、複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、又は、該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体等が挙げられる。
更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。
これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。Examples of conventionally known materials (hereinafter referred to as electron transport materials) used for the electron transport layer include polycyclic aromatic hydrocarbons such as nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, and naphthalene perylene. Heterocyclic tetracarboxylic acid anhydride, carbodiimide, fleolenilidene methane derivative, anthraquinodimethane and anthron derivative, oxadiazole derivative, carbolin derivative, or carbon atom of the hydrocarbon ring constituting the carbolin ring of the carbolin derivative. Examples thereof include a derivative having a ring structure in which at least one is substituted with a nitrogen atom, a hexaazatriphenylene derivative and the like.
Further, among the above oxadiazole derivatives, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is replaced with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as an electron transport material.
It is also possible to use a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain.

また、８－キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。
また、ｎ型－Ｓｉ、ｎ型－ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。Also, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum. , Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg, A metal complex replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as an electron transport material.
In addition, metal-free or metal phthalocyanines, or those whose terminals are substituted with an alkyl group, a sulfonic acid group, or the like can also be used as an electron transport material.
Inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC can also be used as electron transport materials.

電子輸送層は電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（ＬａｎｇｍｕｉｒＢｌｏｄｇｅｔｔ法）等を挙げることができる。））等により、薄膜化することで形成することが好ましい。 The electron transport layer can use the electron transport material, for example, a vacuum vapor deposition method, a wet method (also referred to as a wet process, for example, a spin coating method, a casting method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, an inkjet method, a printing method, or a spray method. It is preferably formed by thinning by a coating method, a curtain coating method, an LB method (Langmuir Bloodgett method or the like can be mentioned) or the like.

電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５～５０００ｎｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。この電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる１層構造であってもよい。
また、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントをドープして用いてもよい。The thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 to 5000 nm, preferably 5 to 200 nm. The electron transport layer may have a one-layer structure composed of one kind or two or more kinds of the above materials.
Further, an n-type dopant such as a metal compound such as a metal complex or a metal halide may be doped and used.

本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の電子輸送材料の一例として、国際公開第２０１３／０６１８５０号に記載の化合物を好適に用いることができるが、本発明はこれらに限定されない。 As an example of a conventionally known electron transport material preferably used for forming an electron transport layer of the organic EL element of the present invention, the compound described in International Publication No. 2013/061850 can be preferably used, and the present invention preferably uses these. Not limited to.

《注入層：電子注入層（陰極バッファー層）、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機機能層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。<< Injection layer: Electron injection layer (cathode buffer layer), hole injection layer >>
The injection layer may be provided as necessary, and may have an electron injection layer and a hole injection layer, and may be present between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. ..
The injection layer is a layer provided between the electrode and the organic functional layer in order to reduce the drive voltage and improve the emission brightness. "Organic EL element and its forefront of industrialization (November 30, 1998, NTS) It is described in detail in Volume 2, Chapter 2, "Electrode Materials" (pages 123 to 166) of "Issued)", and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、特表２００３－５１９４３２号公報や特開２００６－１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体層等が挙げられる。 The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, 9-2660062, 8-288609, etc., and as a specific example, copper phthalocyanine is used. Representative phthalocyanine buffer layer, hexaazatriphenylene derivative buffer layer as described in JP-A-2003-591432, JP-A-2006-135145, etc., oxide buffer layer typified by vanadium oxide, amorphous carbon. Examples thereof include a buffer layer, a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) and polythiophene, and an orthometallated complex layer typified by a tris (2-phenylpyridine) iridium complex.

陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウム、フッ化セシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ～５μｍの範囲が好ましい。 The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574A, JP-A-10-74586, etc., and specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer represented by, lithium metal fluoride, alkali metal compound buffer layer represented by potassium fluoride, magnesium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer represented by cesium fluoride, represented by aluminum oxide. Examples thereof include an oxide buffer layer. The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm, although it depends on the material.

《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記のごとく有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。<< Blocking layer: Hole blocking layer, Electron blocking layer >>
As described above, the blocking layer is provided as needed in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film. For example, it is described in JP-A No. 11-204258, JP-A-11-204359, and page 237 of "Organic EL element and its forefront of industrialization (published by NTS Co., Ltd., November 30, 1998)". There is a hole blocking (hole block) layer.

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げた、カルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン環を構成する炭素原子のいずれか一つが窒素原子で置き換わったものをいう。）を含有することが好ましい。The hole blocking layer has the function of an electron transporting layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material having a function of transporting electrons and a significantly small ability to transport holes, and is composed of a hole blocking material while transporting electrons. It is possible to improve the recombination probability of electrons and holes by blocking the above.
In addition, the above-mentioned electron transport layer configuration can be used as a hole blocking layer, if necessary.
The hole blocking layer of the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
In the hole blocking layer, a carbazole derivative, a carboline derivative, or a diazacarbazole derivative mentioned as the above-mentioned host compound (here, the diazacarbazole derivative is a nitrogen atom in any one of the carbon atoms constituting the carboline ring. It is preferable to contain () which has been replaced with.

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の層厚としては、好ましくは３～１００ｎｍであり、更に好ましくは５～３０ｎｍである。On the other hand, the electron blocking layer has the function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material having a function of transporting holes and a significantly small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.
Further, the structure of the hole transport layer described later can be used as an electron blocking layer as needed. The layer thickness of the hole blocking layer and the electron transporting layer according to the present invention is preferably 3 to 100 nm, more preferably 5 to 30 nm.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
また、特表２００３－５１９４３２号公報や特開２００６－１３５１４５号公報等に記載されているようなアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer may be provided as a single layer or a plurality of layers.
The hole transport material has any of hole injection or transport and electron barrier property, and may be either an organic substance or an inorganic substance. For example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amino-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, Examples thereof include a stillben derivative, a silazane derivative, an aniline-based copolymer, a conductive polymer oligomer, and particularly a thiophene oligomer.
Further, azatriphenylene derivatives as described in JP-A-2003-591432 and JP-A-2006-135145 can also be used as the hole transport material in the same manner.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（ＴＰＤ）；２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン；ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル；４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン；４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン；３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ－フェニルカルバゾール、更には米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが三つスターバースト型に連結された４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。As the hole transporting material, the above-mentioned ones can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
Typical examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds are N, N, N', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'-. Bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-Di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N' -Di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadri Phenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4'-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilben; 4-N, N-diphenyl Amino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostylben; N-phenylcarbazole, as well as the two fused aromatics described in US Pat. No. 5,061569. Those having a ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), triphenylamine described in JP-A-4-308688. Examples thereof include 4,4', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA) in which units are linked in a three-star burst type.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。Further, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
Inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as hole injection materials and hole transport materials.

また、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇｅｔ．ａｌ．著文献（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。 Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-251067, J. Mol. Hung et. al. So-called p-type hole transport materials as described in the authored literature (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light emitting device with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる１層構造であってもよい。The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an inkjet method, or an LB method. can.
The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm. The hole transport layer may have a one-layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。Further, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, and JP-A-2001-102175. Apple. Phys. , 95, 5773 (2004) and the like.
In the present invention, it is preferable to use such a hole transport layer having a high p property because a device having lower power consumption can be manufactured.

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。
また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、又はパターン精度を余り必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。"anode"
As the anode in the organic EL element, a metal having a large work function (4 eV or more), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof as an electrode material is preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au and conductive transparent materials such as CuI, ITO, SnO ₂ , and ZnO.
Further, a material such as IDIXO (In ₂ O ₃ -ZnO) that is amorphous and can produce a transparent conductive film may be used. For the anode, a thin film may be formed by forming a thin film of these electrode materials by a method such as thin film deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not required so much (about 100 μm or more). The pattern may be formed through a mask having a desired shape during vapor deposition or sputtering of the electrode material.

また、導電性有機化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等の湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／ｓｑ．以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０～１０００ｎｍ、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。 Further, when a coatable substance such as a conductive organic compound is used, a wet film forming method such as a printing method or a coating method can also be used. When emitting light from this anode, it is desirable to increase the transmittance to more than 10%, and the sheet resistance as the anode is several hundred Ω / sq. The following is preferable. Further, the film thickness depends on the material, but is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.

《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう。）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。<< Support board >>
The type of support substrate (hereinafter, also referred to as a substrate, substrate, substrate, support, etc.) that can be used for the organic EL element of the present invention is not particularly limited, and is transparent. It may be opaque. When light is taken out from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent. Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of imparting flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル又はポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等のフィルムを挙げることができる。 Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, and cellulose acetate propionate. CAP), cellulose acetate phthalate, cellulose esters such as cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyetherketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylates, Arton (trade name: JSR) or Appel. Examples thereof include films such as cycloolefin resins (trade name: manufactured by Mitsui Kagaku Co., Ltd.).

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳＫ７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％）が０．０１ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下のガスバリアー性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳＫ７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０^－３ｍＬ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ以下、水蒸気透過度が、１×１０^－５ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下の高ガスバリアー性フィルムであることが好ましい。A film of an inorganic substance, an organic substance, or a hybrid film thereof may be formed on the surface of the resin film, and the water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992 , Relative humidity (90 ± ² )%) is preferably 0.01 g / m 2.24 h or less, and moreover, oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987. However, it is preferable that the film has a high gas barrier property of 1 × 10 ^-3 mL / ^m 2.24 h · atm or less and a water vapor transmission rate of 1 × 10 ^-5 g / ^m 2.24 h or less.

ガスバリアー層を形成する材料としては、水分や酸素等の素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機機能層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。 As the material for forming the gas barrier layer, any material may be used as long as it is a material having a function of suppressing infiltration of a material that causes deterioration of the element such as moisture and oxygen, and for example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride and the like can be used. .. Further, in order to improve the vulnerability of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of an organic material. The stacking order of the inorganic layer and the organic functional layer is not particularly limited, but it is preferable to stack the inorganic layer and the organic functional layer alternately a plurality of times.

ガスバリアー層の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。The method for forming the gas barrier layer is not particularly limited, and for example, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight. Although legal, plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, coating method and the like can be used, the atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films and opaque resin substrates, and ceramic substrates.

本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し収率は、１％以上であることが好ましく、５％以上であるとより好ましい。
ここで、外部取り出し量子収率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。The external extraction yield of the light emitted from the organic EL device of the present invention at room temperature is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.
Here, the external extraction quantum yield (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons passed through the organic EL element × 100.
Further, a hue improving filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor may be used in combination. When a color conversion filter is used, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.

《有機ＥＬ素子の作製方法》
有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極からなる素子の作製方法について説明する。
まず、適当な基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０～２００ｎｍの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。
次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。<< Manufacturing method of organic EL element >>
As an example of a method for manufacturing an organic EL device, a method for manufacturing an element composed of an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / cathode. Will be explained.
First, a thin film made of a desired electrode substance, for example, an anode substance is formed on a suitable substrate so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm, to prepare an anode.
Next, a thin film containing an organic compound such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and a cathode buffer layer, which are element materials, is formed on this.

薄膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう。）等により成膜して形成することができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ｔｏ・ロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。As a method for forming the thin film, for example, a thin film can be formed by a vacuum vapor deposition method, a wet method (also referred to as a wet process), or the like.
Wet methods include spin coating method, casting method, die coating method, blade coating method, roll coating method, inkjet method, printing method, spray coating method, curtain coating method, LB method, etc., but a precise thin film can be formed. Moreover, from the viewpoint of high productivity, a method having high suitability for the roll-to-roll method such as a die coating method, a roll coating method, an inkjet method, and a spray coating method is preferable. Further, a different film forming method may be applied to each layer.

本発明に用いられる発光ドーパント等の有機ＥＬ材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing an organic EL material such as a light emitting dopant used in the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, and halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene. Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin and dodecane, and organic solvents such as dimethylformamide (DMF) and DMSO can be used.
Further, as the dispersion method, it can be dispersed by a dispersion method such as ultrasonic wave, high shear force dispersion or media dispersion.

これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
本発明の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。After forming these layers, a thin film made of a cathode substance is formed on the thin film so as to have a film thickness in the range of 1 μm or less, preferably 50 to 200 nm, and a cathode is provided to obtain a desired organic EL device. ..
It is also possible to reverse the order and prepare the cathode, the cathode buffer layer, the electron transport layer, the hole blocking layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order.
The organic EL device of the present invention is preferably manufactured from the hole injection layer to the cathode in a single vacuum, but it may be taken out in the middle and subjected to a different film forming method. At that time, it is preferable to carry out the work in a dry inert gas atmosphere.

《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。《Sealing》
Examples of the sealing means used in the present invention include a method of adhering a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive.
The sealing member may be arranged so as to cover the display area of the organic EL element, and may be intaglio-shaped or flat-plate-shaped. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等から形成されたものを挙げることができる。
金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。Specific examples thereof include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
Examples of the polymer plate include those formed of polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone and the like.
Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium and tantalum.

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
更には、ポリマーフィルムは、ＪＩＳＫ７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^－３ｍＬ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ以下、ＪＩＳＫ７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％）が、１×１０^－３ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。In the present invention, a polymer film or a metal film can be preferably used because the device can be made into a thin film.
Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability measured by a method conforming to JIS K 7126-1987 of 1 × 10 ^-3 mL / ^m 2.24 h · atm or less, and is measured by a method conforming to JIS K 7129-992. It is preferable that the water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± ² )%) is 1 × 10 ^-3 g / m 2.24 h or less.
Sandblasting, chemical etching, etc. are used to process the sealing member into a concave shape.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２－シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。 Specific examples of the adhesive include acrylic acid-based oligomers, photocurable and heat-curable adhesives having a reactive vinyl group of methacrylic acid-based oligomers, and moisture-curable adhesives such as 2-cyanoacrylic acid ester. be able to. In addition, heat and chemical curing type (two-component mixing) such as epoxy type can be mentioned. Further, hot melt type polyamide, polyester and polyolefin can be mentioned. Further, a cation-curable type ultraviolet-curable epoxy resin adhesive can be mentioned.

なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。 Since the organic EL element may be deteriorated by heat treatment, it is preferable that the organic EL element can be adhesively cured from room temperature to 80 ° C. Further, the desiccant may be dispersed in the adhesive. A commercially available dispenser may be used to apply the adhesive to the sealed portion, or printing may be performed as in screen printing.

また、有機機能層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に当該電極と有機機能層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、当該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
更に、当該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。It is also preferable to coat the electrode and the organic functional layer on the outside of the electrode on the side facing the support substrate with the organic functional layer sandwiched between them, and to form an inorganic or organic layer in contact with the support substrate to form a sealing film. Can be done. In this case, the material for forming the film may be any material having a function of suppressing infiltration of a material that causes deterioration of the element such as moisture and oxygen, and for example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride or the like may be used. can.
Further, in order to improve the vulnerability of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of an organic material. The method for forming these films is not particularly limited, and is, for example, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma. A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method and the like can be used.

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。In the gas phase and liquid phase, an inert gas such as nitrogen or argon or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil may be injected into the gap between the sealing member and the display region of the organic EL element. preferable. It is also possible to create a vacuum. Further, a hygroscopic compound can be enclosed inside.
Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (eg, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, etc.) and sulfates (eg, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate, etc.). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide, etc.), perchlorates (eg, perchloric acid) (Valium, magnesium perchlorate, etc.) and the like), and anhydrous salts are preferably used for sulfates, metal halides and perchlorates.

《保護膜、保護板》
有機機能層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、又は前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、又は保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。《Protective film, protective plate》
A protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film or the sealing film on the side facing the support substrate with the organic functional layer sandwiched in order to increase the mechanical strength of the element. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength thereof is not necessarily high, so it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As the material that can be used for this, a glass plate, a polymer plate / film, a metal plate / film, etc. similar to those used for the sealing can be used, but the polymer film is lightweight and thin. It is preferable to use.

《光取り出し》
有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７～２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５～２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。《Light extraction》
The organic EL element emits light inside a layer having a higher refractive index than air (refractive index is about 1.7 to 2.1), and can extract only about 15 to 20% of the light generated in the light emitting layer. Is generally said. This is because light incident on the interface (intersection between the transparent substrate and air) at an angle θ equal to or higher than the critical angle causes total internal reflection and cannot be taken out to the outside of the element, and the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light causes total internal reflection, the light is waveguideed through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes toward the side surface of the element.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４７７４４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３－３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１－２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２－１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１－２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（基板と外界間を含む。）に回折格子を形成する方法（特開平１１－２８３７５１号公報）等がある。 As a method for improving the efficiency of light extraction, for example, a method of forming irregularities on the surface of a transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (US Pat. No. 4,774,435), and condensing light on the substrate. A method of improving efficiency by imparting properties (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflective surface on the side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), between a substrate and a light emitter. A method of introducing a flat layer having an intermediate refractive index to form an antireflection film (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691), and introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter. Method (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), method of forming a refractive index between layers of a substrate, a transparent electrode layer or a light emitting layer (including between the substrate and the outside world) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283751), etc. There is.

本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、又は基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（基板と外界間を含む。）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度又は耐久性に優れた素子を得ることができる。In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL element of the present invention, but a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or the substrate, transparent. A method of forming a refractive index between layers of any of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside world) can be preferably used.
In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher brightness or excellent durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５～１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、更に１．３５以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚さは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。When a medium having a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light emitted from the transparent electrode has a higher efficiency of being taken out to the outside as the refractive index of the medium is lower. ..
Examples of the low refractive index layer include airgel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, it is preferable that the low refractive index layer has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is more preferably 1.35 or less.
Further, it is desirable that the thickness of the low refractive index medium is at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer diminishes when the thickness of the low refractive index medium becomes about the wavelength of light and the film thickness of the electromagnetic wave exuded by evanescent enters the substrate.

全反射を起こす界面若しくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が一次の回折や二次の回折といったいわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。 The method of introducing the diffraction grating into the interface where total reflection occurs or any medium is characterized by having a high effect of improving the light extraction efficiency. This method utilizes the property that the diffraction grid can change the direction of light to a specific direction different from the refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction, and among the light generated from the light emitting layer. Light that cannot go out due to total reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction lattice in either layer or in a medium (inside a transparent substrate or transparent electrode), and the light is emitted to the outside. It is something to take out.

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。It is desirable that the diffraction grating to be introduced has a two-dimensional periodic refractive index. This is because the light emitted by the light emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating that has a periodic refractive index distribution only in one direction, only the light traveling in a specific direction is diffracted. However, the efficiency of light extraction does not increase so much.
However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, the light traveling in all directions is diffracted, and the light extraction efficiency is improved.

回折格子を導入する位置としては前述のとおり、いずれかの層間若しくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２～３倍程度が好ましい。
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (inside the transparent substrate or in the transparent electrode), but it is desirable that the position is near the organic light emitting layer where light is generated.
At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of the light in the medium.
It is preferable that the arrangement of the diffraction grating is two-dimensionally repeated, such as a square lattice shape, a triangular lattice shape, and a honeycomb lattice shape.

《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、又はいわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は１０～１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。《Condensing sheet》
The organic EL element of the present invention is processed so as to provide a microlens array-like structure on the light extraction side of the substrate, or by combining with a so-called condensing sheet, in a specific direction, for example, with respect to the light emitting surface of the element. By condensing light in the front direction, the brightness in a specific direction can be increased.
As an example of a microlens array, a quadrangular pyramid having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees is arranged two-dimensionally on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 to 100 μm. If it is smaller than this, the effect of diffraction is generated and it is colored, and if it is too large, the thickness becomes thick, which is not preferable.

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。
プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。As the light collecting sheet, for example, a light-collecting sheet that has been put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a luminance increasing film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Ltd. can be used.
The shape of the prism sheet may be, for example, a base material having a Δ-shaped stripe having an apex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or a shape having a rounded apex angle and a random change in pitch. It may be a straightened shape or another shape.
Further, in order to control the light emission angle from the light emitting element, the light diffusing plate / film may be used in combination with the light collecting sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、電子デバイス、表示装置、ディスプレイ、各種発光装置として用いることができる。発光装置として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。《Use》
The organic EL element of the present invention can be used as an electronic device, a display device, a display, and various light emitting devices. Examples of the light emitting device include lighting devices (household lighting, interior lighting), clocks and LCD backlights, signage advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, and light. Examples include, but are not limited to, the light source of the sensor. In particular, it can be effectively used as a backlight of a liquid crystal display device and a light source for lighting.

本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよい。素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。 In the organic EL element of the present invention, if necessary, patterning may be performed by a metal mask, an inkjet printing method, or the like at the time of film formation. In the case of patterning, only the electrodes may be patterned, or the electrodes and the light emitting layer may be patterned. The entire layer of the device may be patterned, and a conventionally known method can be used in manufacturing the device.

本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図７．１６において、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ（株）製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
また、本発明の有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ^２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることをいう。The emission colors of the organic EL element of the present invention and the compound according to the present invention are shown in FIG. 7.16 on page 108 of the "New Color Science Handbook" (edited by the Japan Color Society, Tokyo University Press, 1985). It is determined by the color when the result measured by a total CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) is applied to the CIE radiance coordinates.
When the organic EL element of the present invention is a white element, white means that the chromaticity in the CIE 1931 color system at 1000 cd / m ² is X when the 2 degree viewing angle front luminance is measured by the above method. = 0.33 ± 0.07, Y = 0.33 ± 0.1.

《表示装置》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示装置に用いることもできる。表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。
多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。<< Display device >>
The organic EL element of the present invention can also be used in a display device. The display device may be monochromatic or multicolored, but here, a multicolor display device will be described.
In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided only when the light emitting layer is formed, and a film can be formed on one surface by a vapor deposition method, a casting method, a spin coating method, an inkjet method, a printing method, or the like.
When patterning only the light emitting layer, the method is not limited, but a vapor deposition method, an inkjet method, a spin coating method, or a printing method is preferable.

表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。
また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。
このようにして得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を－の極性として電圧２～４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が－の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。The configuration of the organic EL element provided in the display device is selected from the above-mentioned configuration examples of the organic EL element, if necessary.
Further, the method for manufacturing the organic EL device is as shown in the above-mentioned aspect of manufacturing the organic EL device of the present invention.
When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the anode as the positive polarity and the cathode as the negative polarity. Further, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. When an AC voltage is further applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state. The waveform of the alternating current to be applied may be arbitrary.

多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。The multicolor display device can be used as a display device, a display, and various light emitting light sources. Full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green emission in display devices and displays.
Examples of display devices and displays include televisions, personal computers, mobile devices, AV devices, teletext displays, information displays in automobiles, and the like. In particular, it may be used as a display device for reproducing a still image or a moving image, and the drive method when used as a display device for reproducing a moving image may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
Light sources include household lighting, interior lighting, backlights for clocks and liquid crystals, signboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. However, the present invention is not limited thereto.

以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図２は有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。Hereinafter, an example of the display device having the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a display device composed of an organic EL element. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone which displays image information by light emission of an organic EL element.

ディスプレイ１は複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ、表示部Ａと制御部Ｂとを電気的に接続する配線部Ｃ等を有する。
制御部Ｂは表示部Ａと配線部Ｃを介して電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線ごとの画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。The display 1 has a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that scans an image of the display unit A based on image information, a wiring unit C that electrically connects the display unit A and the control unit B, and the like.
The control unit B is electrically connected via the display unit A and the wiring unit C, sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside, and the scanning signal is used to send pixels for each scanning line. Lights up sequentially according to the image data signal, scans the image, and displays the image information on the display unit A.

図３はアクティブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部Ｃと複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
図３においては、画素３の発光した光（発光光Ｌ）が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。FIG. 3 is a schematic diagram of a display device using an active matrix method.
The display unit A has a wiring unit C including a plurality of scanning lines 5 and a data line 6 and a plurality of pixels 3 and the like on the substrate. The main members of the display unit A will be described below.
FIG. 3 shows a case where the light emitted by the pixel 3 (emitted light L) is taken out in the direction of the white arrow (downward).

配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。
画素３は走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。The scanning line 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning line 5 and the data line 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixel 3 at orthogonal positions (details are shown in the figure). Not).
When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.
Full-color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, pixels in the green region, and pixels in the blue region of the emission color on the same substrate.

次に、画素の発光プロセスを説明する。図４は画素の回路を示した概略図である。
画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサー１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色及び青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。Next, the light emitting process of the pixel will be described. FIG. 4 is a schematic diagram showing a pixel circuit.
The pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a drive transistor 12, a capacitor 13, and the like. As the organic EL element 10 for a plurality of pixels, red, green, and blue light emitting organic EL elements are used, and by arranging them side by side on the same substrate, full-color display can be performed.

図４において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサー１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。 In FIG. 4, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 via the data line 6. Then, when a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5, the switching transistor 11 is driven on, and the image data signal applied to the drain is the capacitor 13 and the driving transistor 12. It is transmitted to the gate of.

画像データ信号の伝達により、コンデンサー１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。 By transmitting the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive transistor 12 is driven on. In the drive transistor 12, the drain is connected to the power supply line 7, the source is connected to the electrode of the organic EL element 10, and the power supply line 7 is connected to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.

制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサー１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。When the scanning signal is transferred to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the drive of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 holds the potential of the charged image data signal, so that the drive of the drive transistor 12 is kept on and the next scan signal is applied. The light emission of the organic EL element 10 continues until. When the next scanning signal is applied by the sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
That is, for the light emission of the organic EL element 10, the switching transistor 11 and the drive transistor 12, which are active elements, are provided for the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels, and the light emission of the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3 is provided. It is carried out. Such a light emitting method is called an active matrix method.

ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサー１３の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-valued image data signal having a plurality of gradation potentials, or may be on or off of a predetermined light emission amount by a binary image data signal. good. Further, the potential of the capacitor 13 may be continuously maintained until the next scan signal is applied, or may be discharged immediately before the next scan signal is applied.
In the present invention, the present invention is not limited to the active matrix method described above, and may be a passive matrix type light emission drive in which the organic EL element emits light in response to the data signal only when the scanning signal is scanned.

図５は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図５において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
本発明の有機ＥＬ素子を用いることにより、発光効率が向上した表示装置が得られた。FIG. 5 is a schematic diagram of a display device using a passive matrix method. In FIG. 5, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a grid pattern so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
When the scanning signal of the scanning line 5 is applied by the sequential scanning, the pixel 3 connected to the applied scanning line 5 emits light according to the image data signal.
In the passive matrix method, the pixel 3 does not have an active element, and the manufacturing cost can be reduced.
By using the organic EL element of the present invention, a display device having improved luminous efficiency was obtained.

＜照明装置＞
本発明の有機ＥＬ素子は、照明装置に用いることもできる。
本発明の有機ＥＬ素子は、共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、パッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。<Lighting device>
The organic EL element of the present invention can also be used in a lighting device.
The organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure. The purpose of using the organic EL element having such a resonator structure includes a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processor, a light source of an optical sensor, and the like. Not limited. Further, it may be used for the above-mentioned applications by oscillating a laser.
Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp such as for lighting or an exposure light source, a projection device of a type for projecting an image, or a type for directly visually recognizing a still image or a moving image. It may be used as a display device (display).
When used as a display device for video reproduction, the drive method may be either a passive matrix method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more kinds of organic EL elements of the present invention having different emission colors.

例えば、複数の発光材料を用いる場合、複数の発光色を同時に発光させて、混色することで白色発光を得ることができる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色及び青色の三原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。 For example, when a plurality of light emitting materials are used, white light emission can be obtained by simultaneously emitting a plurality of light emitting colors and mixing the colors. The combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of the three primary colors of red, green and blue, or two emissions using the relation of complementary colors such as blue and yellow and blue-green and orange. It may contain a maximum wavelength.

また、本発明の有機ＥＬ素子の形成方法は、発光層、正孔輸送層又は電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよい。他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法及び印刷法等で、例えば、電極膜を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が発光白色である。Further, in the method for forming the organic EL element of the present invention, a mask may be provided only when the light emitting layer, the hole transport layer, the electron transport layer, or the like is formed, and the mask may be applied separately. Since the other layers are common, patterning such as a mask is not required, and for example, an electrode film can be formed on one surface by a vapor deposition method, a casting method, a spin coating method, an inkjet method, a printing method, or the like, and productivity is also improved.
According to this method, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array, the elements themselves are light emitting white.

［照明装置の一態様］
本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図６及び図７に示すような照明装置を形成することができる。
図６は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子（照明装置内の有機ＥＬ素子１０１）はガラスカバー１０２で覆われている（なお、ガラスカバーでの封止作業は、照明装置内の有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。）。
図７は、照明装置の断面図を示し、図７において、１０５は陰極、１０６は有機機能層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
本発明の有機ＥＬ素子を用いることにより、発光効率が向上した照明装置が得られた。[One aspect of lighting equipment]
The non-light emitting surface of the organic EL element of the present invention is covered with a glass case, a glass substrate having a thickness of 300 μm is used as a sealing substrate, and an epoxy-based photocurable adhesive (Lux manufactured by Toa Synthetic Co., Ltd.) is used as a sealing material around the glass substrate. Track LC0629B) is applied, which is placed on the cathode and brought into close contact with the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured, sealed, and illuminated as shown in FIGS. 6 and 7. The device can be formed.
FIG. 6 shows a schematic view of the lighting device, and the organic EL element (organic EL element 101 in the lighting device) of the present invention is covered with a glass cover 102 (note that the sealing work with the glass cover is lighting. The organic EL element 101 in the apparatus was carried out in a glove box under a nitrogen atmosphere (under an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more) without contacting the atmosphere.)
7A and 7B show a cross-sectional view of a lighting device, in which 105 is a cathode, 106 is an organic functional layer, and 107 is a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108, and a water catching agent 109 is provided.
By using the organic EL element of the present invention, a lighting device having improved luminous efficiency was obtained.

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り、「質量部」又は「質量％」を表す。
［実施例１］
（有機ＥＬ素子の作製）
＜有機ＥＬ素子１－１の作製＞
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで成膜し、パターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto. Although the display of "parts" or "%" is used in the examples, it represents "parts by mass" or "% by mass" unless otherwise specified.
[Example 1]
(Manufacturing of organic EL element)
<Manufacturing of organic EL element 1-1>
ITO (indium tin oxide) as an anode is formed on a glass substrate having a thickness of 50 mm × 50 mm and a thickness of 0.7 mm to a thickness of 150 nm, and after patterning, a transparent substrate to which the ITO transparent electrode is attached. Was ultrasonically washed with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone washed for 5 minutes, and then this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus.
Each of the crucibles for vapor deposition in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent materials of each layer in the optimum amount for manufacturing the device. As the crucible for vapor deposition, a crucible made of molybdenum or tungsten made of a resistance heating material was used.

真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、ＨＡＴ－ＣＮ（１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル）の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚１０ｎｍの正孔注入輸送層を形成した。After depressurizing to a vacuum degree of 1 × 10 ^-4 Pa, the crucible for vapor deposition containing HAT-CN (1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile) is energized and heated for vapor deposition. A hole injection transport layer having a layer thickness of 10 nm was formed by vapor deposition on an ITO transparent electrode at a rate of 0.1 nm / sec.

次いで、α－ＮＰＤ（４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に蒸着し、層厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。ホスト化合物としてＣＢＰ（４，４′－Ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、発光ドーパントとしてＩｒ（ｐｐｙ）_３を、それぞれ９０％、１０％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚３０ｎｍの発光層を形成した。Next, α-NPD (4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl) was deposited on the hole injection layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec, and the layer thickness was 40 nm. A hole transport layer was formed. CBP (4,4'-Bis (carbazole-9-yl) biphenyl) as a host compound and Ir (ppy) ₃ as a light emitting dopant are used at a vapor deposition rate of 0.1 nm / 90% and 10% by volume, respectively. Co-deposited in seconds to form a light emitting layer with a layer thickness of 30 nm.

その後、比較１化合物とＬｉＱ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏｌｉｔｈｉｕｍ）をそれぞれ５０％、５０％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。 Then, Comparative 1 compound and LiQ (8-hydroxyquinolinato lithium) were co-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec so as to be 50% and 50% by volume, respectively, to form an electron transport layer having a layer thickness of 30 nm.

さらに、ＬｉＱを膜厚２ｎｍで形成した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成した。 Further, after forming LiQ at a film thickness of 2 nm, 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode.

上記素子の非発光面側を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機ＥＬ素子１－１を作製した。 The non-light emitting surface side of the element was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and an electrode take-out wiring was installed to manufacture an organic EL element 1-1.

＜有機ＥＬ素子１－２～１－６６の作製＞
電子輸送層（１）、（２）及び電子注入層に含有させる化合物等を表１及び表２に示すように変えた以外は有機ＥＬ素子１－１と同様の方法で有機ＥＬ素子１－２～１－６６を作製した。<Manufacturing of organic EL elements 1-2 to 1-66>
The organic EL element 1-2 is the same as that of the organic EL element 1-1 except that the compounds contained in the electron transport layers (1) and (2) and the electron injection layer are changed as shown in Tables 1 and 2. ~ 1-66 was produced.

（評価）
（１）相対駆動電圧の測定
作製した各有機ＥＬ素子について、各有機ＥＬ素子の透明電極側（すなわち透明基板側）と、対向電極側（すなわち陰極側）との両側での正面輝度を測定し、その和が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を駆動電圧（Ｖ）として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ製）を用いた。
上記で得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機ＥＬ素子１－１の駆動電圧に対する、各有機ＥＬ素子の相対駆動電圧を求めた。
相対駆動電圧（％）＝（各有機ＥＬ素子の駆動電圧／有機ＥＬ素子１－１の駆動電圧）×１００
得られた数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。(evaluation)
(1) Measurement of relative drive voltage For each manufactured organic EL element, the front brightness of each organic EL element is measured on both sides of the transparent electrode side (that is, the transparent substrate side) and the counter electrode side (that is, the cathode side). The voltage at which the sum is 1000 cd / m ² was measured as the drive voltage (V). A spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta) was used for the measurement of the brightness.
By applying the drive voltage obtained above to the following equation, the relative drive voltage of each organic EL element with respect to the drive voltage of the organic EL element 1-1 was obtained.
Relative drive voltage (%) = (drive voltage of each organic EL element / drive voltage of organic EL element 1-1) × 100
The smaller the obtained numerical value, the more preferable the result.

（２）高温保存下での相対駆動電圧変化の測定
上記作製した有機ＥＬ素子を、温度８０℃で、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の駆動電圧と、開始１００時間後の駆動電圧を測定した。(2) Measurement of relative drive voltage change under high temperature storage The organic EL element produced above was made to emit light at a temperature of 80 ° C. under a constant current condition of 2.5 mA / cm ² , and the drive voltage immediately after the start of light emission and The drive voltage was measured 100 hours after the start.

得られた高温保存前と保存後の駆動電圧を比較して、駆動電圧の変化量（高温保存前の駆動電圧から高温保存後の駆動電圧を差し引いた値）を求めた。
上記で得られた駆動電圧の変化量を下記式に当てはめて、有機ＥＬ素子１－１の駆動電圧変化量に対する、各有機ＥＬ素子の駆動電圧変化量の相対値を高温保存下での相対駆動電圧変化として求めた。
高温保存による相対駆動電圧変化量（％）＝（各有機ＥＬ素子の駆動電圧変化量／有機ＥＬ素子１－１の駆動電圧変化量）×１００The obtained drive voltage before and after high-temperature storage was compared, and the amount of change in the drive voltage (value obtained by subtracting the drive voltage after high-temperature storage from the drive voltage before high-temperature storage) was obtained.
The amount of change in the drive voltage obtained above is applied to the following equation, and the relative value of the amount of change in the drive voltage of each organic EL element with respect to the amount of change in the drive voltage of the organic EL element 1-1 is relative drive under high temperature storage. Obtained as a voltage change.
Relative drive voltage change amount (%) due to high temperature storage = (drive voltage change amount of each organic EL element / drive voltage change amount of organic EL element 1-1) × 100

（３）色ずれ
作製した各有機ＥＬ素子について、初期の発光スペクトルを測定して、ＣＩＥ色度座標のｘ値及びｙ値を求めた。更に、駆動後（輝度が５０％となった時の）発光スペクトルから、ｘ値及びｙ値を求めた。この初期と駆動後のｘ値及びｙ値の差を、色度座標上の距離から求めて、有機ＥＬ素子１－１の素子の距離を１００として相対値で示した。(3) Color shift For each of the produced organic EL elements, the initial emission spectrum was measured to obtain the x value and y value of the CIE chromaticity coordinates. Further, the x value and the y value were obtained from the emission spectrum after driving (when the brightness became 50%). The difference between the x value and the y value at the initial stage and after the drive was obtained from the distance on the chromaticity coordinates, and the distance between the elements of the organic EL element 1-1 was set to 100 and shown as a relative value.

［実施例２］
（有機ＥＬ素子の作製）
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで成膜し、パターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。[Example 2]
(Manufacturing of organic EL element)
ITO (indium tin oxide) as an anode is formed on a glass substrate having a thickness of 50 mm × 50 mm and a thickness of 0.7 mm to a thickness of 150 nm, and after patterning, a transparent substrate to which the ITO transparent electrode is attached. Was ultrasonically washed with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone washed for 5 minutes, and then this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus.
Each of the crucibles for vapor deposition in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent materials of each layer in the optimum amount for manufacturing the device. As the crucible for vapor deposition, a crucible made of molybdenum or tungsten made of a resistance heating material was used.

次いで、α－ＮＰＤ（４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に蒸着し、層厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。 Next, α-NPD (4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl) was deposited on the hole injection layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec, and the layer thickness was 40 nm. A hole transport layer was formed.

ホスト化合物としてＣＢＰ、発光ドーパントとしてＩｒ（ｐｐｙ）_３を、それぞれ９０％、１０％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚３０ｎｍの発光層を形成した。CBP as a host compound and Ir (ppy) ₃ as a light emitting dopant were co-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec so as to be 90% and 10% by volume, respectively, to form a light emitting layer having a layer thickness of 30 nm.

その後、比較２化合物とＫＦをそれぞれ８５％、１５％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。 Then, the comparative 2 compounds and KF were co-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec so as to be 85% and 15% by volume, respectively, to form an electron transport layer having a layer thickness of 30 nm.

この後、銀を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、膜厚１３ｎｍの陰極を形成した。 After that, silver was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to form a cathode having a film thickness of 13 nm.

上記素子の非発光面側を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機ＥＬ素子２－１を作製した。 The non-light emitting surface side of the element was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and an electrode take-out wiring was installed to manufacture an organic EL element 2-1.

＜有機ＥＬ素子２－２～２－４２の作製＞
電子輸送層の化合物を、表３に記載のとおりに変更した。また、銀とマグネシウムを陰極に使用する場合は、銀とマグネシウムをそれぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１ｎｍ／秒で共蒸着し、膜厚を表３に記載のとおりに変更した以外は有機ＥＬ素子２－１と同様にして有機ＥＬ素子２－２～２－４２を作製した。<Manufacturing of organic EL elements 2-2-42>
The compounds in the electron transport layer were modified as shown in Table 3. When silver and magnesium are used for the cathode, silver and magnesium are co-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.01 nm / sec, respectively, except that the film thickness is changed as shown in Table 3. Organic EL elements 2-2-42 were manufactured in the same manner as the organic EL element 2-1.

（評価）
（１）相対駆動電圧の測定
作製した各有機ＥＬ素子について、各有機ＥＬ素子の透明電極側（すなわち透明基板側）と、対向電極側（すなわち陰極側）との両側での正面輝度を測定し、その和が１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの電圧を駆動電圧（Ｖ）として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ製）を用いた。(evaluation)
(1) Measurement of relative drive voltage For each manufactured organic EL element, the front brightness of each organic EL element is measured on both sides of the transparent electrode side (that is, the transparent substrate side) and the counter electrode side (that is, the cathode side). The voltage at which the sum is 1000 cd / m ² was measured as the drive voltage (V). A spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta) was used for the measurement of the brightness.

上記で得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機ＥＬ素子２－１の駆動電圧に対する、各有機ＥＬ素子の相対駆動電圧を求めた。
相対駆動電圧（％）＝（各有機ＥＬ素子の駆動電圧／有機ＥＬ素子２－１の駆動電圧）×１００
得られた数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。By applying the drive voltage obtained above to the following equation, the relative drive voltage of each organic EL element with respect to the drive voltage of the organic EL element 2-1 was obtained.
Relative drive voltage (%) = (drive voltage of each organic EL element / drive voltage of organic EL element 2-1) × 100
The smaller the obtained numerical value, the more preferable the result.

得られた高温保存前と保存後の駆動電圧を比較して、駆動電圧の変化量（高温保存前の駆動電圧から高温保存後の駆動電圧を差し引いた値）を求めた。
上記で得られた駆動電圧の変化量を下記式に当てはめて、有機ＥＬ素子２－１の駆動電圧変化量に対する、各有機ＥＬ素子の駆動電圧変化量の相対値を高温保存下での相対駆動電圧変化として求めた。
高温保存による相対駆動電圧変化量（％）＝（各有機ＥＬ素子の駆動電圧変化量／有機ＥＬ素子２－１の駆動電圧変化量）×１００The obtained drive voltage before and after high-temperature storage was compared, and the amount of change in the drive voltage (value obtained by subtracting the drive voltage after high-temperature storage from the drive voltage before high-temperature storage) was obtained.
The amount of change in the drive voltage obtained above is applied to the following equation, and the relative value of the amount of change in the drive voltage of each organic EL element with respect to the amount of change in the drive voltage of the organic EL element 2-1 is relative drive under high temperature storage. Obtained as a voltage change.
Relative drive voltage change amount (%) due to high temperature storage = (drive voltage change amount of each organic EL element / drive voltage change amount of organic EL element 2-1) × 100

［実施例３］
（有機ＥＬ素子の作製）
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで成膜し、パターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。[Example 3]
(Manufacturing of organic EL element)
ITO (indium tin oxide) as an anode is formed on a glass substrate having a thickness of 50 mm × 50 mm and a thickness of 0.7 mm to a thickness of 150 nm, and after patterning, a transparent substrate to which the ITO transparent electrode is attached. Was ultrasonically washed with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone washed for 5 minutes, and then this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus.
Each of the crucibles for vapor deposition in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent materials of each layer in the optimum amount for manufacturing the device. As the crucible for vapor deposition, a crucible made of molybdenum or tungsten made of a resistance heating material was used.

その後、Ａｌｑ_３を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。Then, Alq ₃ was deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to form an electron transport layer having a layer thickness of 30 nm.

その後、比較３化合物とＬｉＱをそれぞれ５０％、５０％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚２ｎｍの電子注入層を形成した。 Then, the comparative Ternary compound and LiQ were co-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec so as to be 50% and 50% by volume, respectively, to form an electron-injected layer having a layer thickness of 2 nm.

この後、銀とマグネシウムをそれぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１ｎｍ／秒で共蒸着し、膜厚８ｎｍの陰極を形成した。 After that, silver and magnesium were co-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.01 nm / sec, respectively, to form a cathode having a film thickness of 8 nm.

上記素子の非発光面側を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機ＥＬ素子３－１を作製した。 The non-light emitting surface side of the element was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and an electrode take-out wiring was installed to manufacture an organic EL element 3-1.

＜有機ＥＬ素子３－２～３－２０の作製＞
電子輸送層の化合物と、銀とマグネシウムの比率及び陰極の膜厚を、表４に記載のとおりに変更した以外は有機ＥＬ素子３－１と同様にして有機ＥＬ素子３－２～３－２０を作製した。<Manufacturing of organic EL elements 3-2 to 3-20>
The organic EL device 3-2-3-20 is the same as the organic EL device 3-1 except that the compound of the electron transport layer, the ratio of silver and magnesium, and the film thickness of the cathode are changed as shown in Table 4. Was produced.

上記で得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機ＥＬ素子３－１の駆動電圧に対する、各有機ＥＬ素子の相対駆動電圧を求めた。
相対駆動電圧（％）＝（各有機ＥＬ素子の駆動電圧／有機ＥＬ素子３－１の駆動電圧）×１００
得られた数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。By applying the drive voltage obtained above to the following equation, the relative drive voltage of each organic EL element with respect to the drive voltage of the organic EL element 3-1 was obtained.
Relative drive voltage (%) = (drive voltage of each organic EL element / drive voltage of organic EL element 3-1) × 100
The smaller the obtained numerical value, the more preferable the result.

得られた高温保存前と保存後の駆動電圧を比較して、駆動電圧の変化量（高温保存前の駆動電圧から高温保存後の駆動電圧を差し引いた値）を求めた。
上記で得られた駆動電圧の変化量を下記式に当てはめて、有機ＥＬ素子３－１の駆動電圧変化量に対する、各有機ＥＬ素子の駆動電圧変化量の相対値を高温保存下での相対駆動電圧変化として求めた。
高温保存による相対駆動電圧変化量（％）＝（各有機ＥＬ素子の駆動電圧変化量／有機ＥＬ素子３－１の駆動電圧変化量）×１００The obtained drive voltage before and after high-temperature storage was compared, and the amount of change in the drive voltage (value obtained by subtracting the drive voltage after high-temperature storage from the drive voltage before high-temperature storage) was obtained.
The amount of change in the drive voltage obtained above is applied to the following equation, and the relative value of the amount of change in the drive voltage of each organic EL element with respect to the amount of change in the drive voltage of the organic EL element 3-1 is relative drive under high temperature storage. Obtained as a voltage change.
Relative drive voltage change amount (%) due to high temperature storage = (drive voltage change amount of each organic EL element / drive voltage change amount of organic EL element 3-1) × 100

以上より、本発明の有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子よりも相対駆動電圧が低く、高温保存下での相対駆動電圧変化も小さいことから耐久性が優れていることがわかった。 From the above, it was found that the organic EL element of the present invention has excellent durability because the relative drive voltage is lower than that of the organic EL element of the comparative example and the relative drive voltage change under high temperature storage is small.

本発明の有機ＥＬ素子は、電子デバイス、表示装置、ディスプレイ、各種発光装置に用いることができる。発光装置として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス用材料は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることができる。The organic EL element of the present invention can be used in electronic devices, display devices, displays, and various light emitting devices. As the light emitting device, for example, a lighting device (household lighting, interior lighting), a clock or liquid crystal backlight, a signboard advertisement, a signal device, a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copier, a light source of an optical communication processor, light. Examples include the light source of the sensor.
Further, the organic electroluminescence material of the present invention can be used for the organic electroluminescence device of the present invention.

１ディスプレイ
３画素
５走査線
６データ線
７電源ライン
１０有機ＥＬ素子
１１スイッチングトランジスタ
１２駆動トランジスタ
１３コンデンサー
１０１照明装置内の有機ＥＬ素子
１０２ガラスカバー
１０５陰極
１０６有機機能層
１０７透明電極付きガラス基板
１０８窒素ガス
１０９捕水剤
Ａ表示部
Ｂ制御部
Ｃ配線部
Ｌ発光光1 Display 3 Pixels 5 Scanning line 6 Data line 7 Power supply line 10 Organic EL element 11 Switching transistor 12 Drive transistor 13 Condenser 101 Organic EL element in the lighting device 102 Glass cover 105 Cathode 106 Organic functional layer 107 Glass substrate with transparent electrode 108 Nitrogen Gas 109 Water trapping agent A Display unit B Control unit C Wiring unit L Emission light

Claims

陽極と、発光層を含む複数の有機機能層と、陰極とをこの順に有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機機能層が、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式中、Ｌは、少なくとも一つのアリール環又はヘテロアリール環を表し、キナゾリニル基及びＡ ₁ との連結部位以外の部位に置換基としてアリール環、ヘテロアリール環、アルキル基、シアノ基又は－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（ＣＨ ₃ ） ₂ 基を有してもよい。
Ｒ₁₁～Ｒ₁₆は、水素原子又は置換基を表し、Ｌと連結しない置換基のうち少なくとも一つが、下記に示す含窒素ヘテロアリール環基を表し、かつ、Ｌと連結しない置換基のうち、前記含窒素ヘテロアリール環基を表さないものはアルキル基、又はアリール基を表す。
Ａ₁は、少なくとも一つの５員又は６員のヘテロアリール環基を表し、置換基としてアリール環、ヘテロアリール環を有してもよい。
前記含窒素ヘテロアリール環基が、ピラジン環、トリアジン環、ピリミジン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、インドール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環及びベンゾイソキノリン環のうちから選ばれるヘテロ環基である。） An organic electroluminescence device having an anode, a plurality of organic functional layers including a light emitting layer, and a cathode in this order.
An organic electroluminescence device in which the organic functional layer contains a compound having a structure represented by the following general formula (1).

(In the formula, L represents at least one aryl ring or heteroaryl ring , and an aryl ring, a heteroaryl ring, an alkyl group, a cyano group or-as a substituent at a site other than the quinazolinyl group and the linking site with A ₁ . It may have _two C (= O) N (CH ₃ ) groups.
R ₁₁ to R ₁₆ represent a hydrogen atom or a substituent, and at least one of the substituents not linked to L represents a nitrogen-containing heteroaryl ring group shown below , and among the substituents not linked to L. , The above-mentioned nitrogen-containing heteroaryl ring group does not represent an alkyl group or an aryl group.
A ₁ represents at least one 5-membered or 6-membered heteroaryl ring group, and may have an aryl ring or a heteroaryl ring as a substituent.
The nitrogen-containing heteroaryl ring group is a pyrazine ring, a triazole ring, a pyrimidine ring, an azadibenzofuran ring, an azadibenzothiophene ring, an azacarbazole ring, an indole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a quinoline. It is a heterocyclic group selected from a ring, a quinoxalin ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a benzoquinoline ring and a benzoisoquinoline ring. )

前記Ｒ₁₁、前記Ｒ₁₂、前記Ｒ₁₃、前記Ｒ₁₄、前記Ｒ₁₅、又は前記Ｒ₁₆が、Ｌと連結する請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 1 , wherein the R ₁₁ , the R ₁₂ , the R ₁₃ , the R ₁₄ , the R ₁₅ , or the R ₁₆ is connected to L.

前記Ｒ₁₁～Ｒ₁₆のうち、Ｌと連結しない置換基のうち少なくとも一つが、トリアジン環、アザジベンゾフラン環、アザカルバゾール環、アザジベンゾチオフェン環、キナゾリン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、及びピラゾール環から選ばれる置換基である請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Of the above R ₁₁ to R ₁₆ , at least one of the substituents not linked to L is a triazine ring, an azadibenzofuran ring, an azacarbazole ring, an azadibenzothiophene ring, a quinazoline ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, an imidazole ring, and the like. The organic electroluminescence element according to claim 1 or 2, which is a substituent selected from the pyrazole ring.

前記発光層と、前記陰極との間に前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する前記有機機能層を有する請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The invention according to any one of claims 1 to 3 , wherein the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1) between the light emitting layer and the cathode is provided. Organic electroluminescence element.

前記陰極が、銀を主成分としており、
前記有機機能層が、前記陰極に隣接して設けられている請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The cathode contains silver as a main component.
The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 4, wherein the organic functional layer is provided adjacent to the cathode.

前記陰極の厚さが、１５ｎｍ以下である請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 5, wherein the cathode has a thickness of 15 nm or less.

前記陰極の透過率が、５０％以上であり、かつ
当該陰極のシート抵抗が、２５Ω以下である請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 6, wherein the cathode has a transmittance of 50% or more and the sheet resistance of the cathode is 25 Ω or less.

前記有機機能層として、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物及び電子注入材料を含有する前記有機機能層を有する請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic according to any one of claims 1 to 7, wherein the organic functional layer has the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1) and the electron-injected material. Electroluminescence element.

前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する前記有機機能層、電子注入材料を含有する電子注入層及び前記陰極の順に積層されていること特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Claim 1 to claim 1, wherein the organic functional layer containing the compound having the structure represented by the general formula (1), the electron injection layer containing the electron injection material, and the cathode are laminated in this order. 8. The organic electroluminescence element according to any one of up to 8.

下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス用材料。

（式中、Ｌは、少なくとも一つのアリール環又はヘテロアリール環を表し、キナゾリニル基及びＡ ₁ との連結部位以外の部位に置換基としてアリール環、ヘテロアリール環、アルキル基、シアノ基又は－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（ＣＨ ₃ ） ₂ 基を有してもよい。
Ｒ₁₁～Ｒ₁₆は、水素原子又は置換基を表し、Ｌと連結しない置換基のうち少なくとも一つが、下記に示す含窒素ヘテロアリール環基を表し、かつ、Ｌと連結しない置換基のうち、前記含窒素ヘテロアリール環基を表さないものはアルキル基、又はアリール基を表す。
Ａ₁は、少なくとも一つの５員又は６員のヘテロアリール環基を表し、置換基としてアリール環、ヘテロアリール環を有してもよい。
前記含窒素ヘテロアリール環基が、ピラジン環、トリアジン環、ピリミジン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザカルバゾール環、インドール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾキノリン環及びベンゾイソキノリン環のうちから選ばれるヘテロ環基である。） A material for organic electroluminescence containing a compound having a structure represented by the following general formula (1).