JP7024900B1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子を含む構成要素を樹脂で封止し、前記構成要素が積み重ねられる積層方向での周囲に対する絶縁層を構成する樹脂封止部と、を備え、
前記樹脂封止部の前記積層方向の両端部のうちの少なくとも一方の端部の外面から内側に向かう方向に形成される第1の凹部が設けられ、
前記第1の凹部は、複数あり、
前記複数の前記第1の凹部は、前記少なくとも一方の端面の全体に亘って配置される、
半導体装置が提供される。
まず、図1を参照して、本実施形態に係る半導体装置1の第1例について説明する。
次に、図2を参照して、本実施形態に係る半導体装置1の第2例について説明する。以下、上述の第1例と同じ或いは対応する構成要素には、同一の符号を付し、異なる部分を中心に説明を行う。そのため、上述の第1例と同じ或いは対応する内容の説明を簡略化或いは省略する場合がある。
次に、図3、図4を参照して、本実施形態に係る半導体装置1の第3例について説明する。以下、上述の第1例等と同じ或いは対応する構成要素には、同一の符号を付し、異なる部分を中心に説明を行う。そのため、上述の第1例等と同じ或いは対応する内容の説明を簡略化或いは省略する場合がある。
次に、図5を参照して、本実施形態に係る半導体装置1の第4例について説明する。以下、上述の第1例等と同じ或いは対応する構成要素には、同一の符号を付し、異なる部分を中心に説明を行う。そのため、上述の第1例等と同じ或いは対応する内容の説明を簡略化或いは省略する場合がある。
次に、図6、図7を参照して、本実施形態に係る半導体装置1の第5例について説明する。以下、上述の第1例等と同じ或いは対応する構成要素には、同一の符号を付し、異なる部分を中心に説明を行う。そのため、上述の第1例等と同じ或いは対応する内容の説明を簡略化或いは省略する場合がある。
次に、半導体装置の他の例について説明する。
次に、本実施形態に係る半導体装置1の作用について説明する。
10,11,12 半導体素子
11s,12s はんだ
20,21~24 配線部
20r 凹部(第2の凹部)
21t~24t 外部端子
30 樹脂封止部
31 凹部(第1の凹部)
40 放熱樹脂シート(他の部材)
50 係止部材
51 凹部(第1の凹部)
60 放熱部材
Claims (13)
- 複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子を含む構成要素を樹脂で封止し、前記構成要素が積み重ねられる積層方向での周囲に対する絶縁層を構成する樹脂封止部と、を備え、
前記樹脂封止部の前記積層方向の両端部のうちの少なくとも一方の端部の外面から内側に向かう方向に形成される第1の凹部が設けられ、
前記第1の凹部は、複数あり、
前記複数の前記第1の凹部は、前記少なくとも一方の端面の全体に亘って配置される、
半導体装置。 - 前記第1の凹部は、前記積層方向において、前記外面を基準とする前記絶縁層の厚さより深く設けられている、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記樹脂封止部の前記少なくとも一方の端部に設けられる放熱部材を備える、
請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記放熱部材は、前記第1の凹部に挿入される凸部を有する、
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記放熱部材は、前記樹脂封止部の前記積層方向の両端部の双方に設けられる、
請求項3又は4に記載の半導体装置。 - 前記樹脂封止部の前記積層方向の両端部に金属箔が設けられる、
請求項1乃至5の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記樹脂封止部の前記積層方向の前記少なくとも一方には、前記樹脂封止部よりも相対的に高い熱伝導性を有する他の部材が取り付けられる、
請求項1乃至6の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記積層方向と垂直な方向において、並列配置される複数の構成要素群は、前記積層方向での一端部又は他端部の位置が略一致するように配置される、
請求項1乃至7の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記樹脂封止部は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂を含む樹脂組成物により構成される、
請求項1乃至8の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記樹脂封止部は、熱硬化性樹脂及び熱伝導フィラを含む樹脂組成物により構成される、
請求項1乃至9の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記樹脂組成物は、複数の種類の前記熱伝導フィラを含む、
請求項10に記載の半導体装置。 - 前記熱伝導フィラには、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、及び窒化ケイ素の少なくとも一つが含まれる、
請求項10又は11に記載の半導体装置。 - 前記樹脂封止部により封止される前記構成要素の前記積層方向に沿う平面に第2の凹部が設けられる、
請求項1乃至12の何れか一項に記載の半導体装置。
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