JP7023255B2 - 磁気テープ読取装置、磁気テープ読取装置の作動方法、及びプログラム - Google Patents

Description

本開示の技術は、磁気テープ読取装置、磁気テープ読取装置の作動方法、及びプログラムに関する。

特許文献１には、記録された情報を繰り返し再生して加算平均することで信号対ノイズ比を高める磁気記録再生装置が開示されている。

しかし、特許文献１には、再生信号が欠落した場合の対策は開示されていない。欠落したデータは複数回の再生により補完することが可能である。これに関連する技術として、特許文献２には、ヘリカルスキャン方式で、各トラックを複数回再生し、再生して得た再生信号からトラックの各々について１トラック分の再生データを再構築するデジタルデータ再生装置が開示されている。

特開平３－１３２９０１号公報 特開平９－１７１６０５号公報

しかしながら、特許文献２に記載の技術は、ヘリカルスキャン方式を前提とした技術であるため、磁気テープに対するデータの読み取りとトラッキング制御とを同期して行うことができない。そのため、ヘリカルスキャン方式は、リニアスキャン方式に比べ、オフトラックが高頻度で発生する。オフトラックが発生すると、磁気テープからデータを読み取ることで得られる再生信号が欠落してしまう。再生信号の欠落は、再生信号の時系列である再生信号系列の信号対ノイズ比の低下の一因となる。また、磁気テープの変形、急峻な振動、及び磁気テープの走行時のジッタ等に起因して生じるオフトラックも、再生信号の信号対ノイズ比の低下の一因となる。

本発明の一つの実施形態は、トラックからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、トラックからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる磁気テープ読取装置、磁気テープ読取装置の作動方法、及びプログラムを提供する。

本開示の技術に係る第１の態様の磁気テープ読取装置は、磁気テープに含まれる単一トラックに対して対応する位置に配置される読取部を有する読取ヘッドと、読取部に対して、単一トラックのうちの磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを複数回読み取らせる制御を行う制御部と、読取部により特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成する合成部と、を含む。これにより、トラックからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、トラックからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

本開示の技術に係る第２の態様の磁気テープ読取装置は、磁気テープに含まれる複数のトラックに対して各々対応する位置に配置される複数の読取部を有する読取ヘッドと、複数の読取部の各々に対して、複数のトラックのうちの位置が対応する単一トラックのうちの磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを複数回読み取らせる制御を行う制御部と、複数の読取部の各々により特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成する合成部と、を含む。これにより、トラックからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、トラックからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

本開示の技術に係る第３の態様の磁気テープ読取装置は、読取ヘッドを磁気テープの幅方向に移動可能な第１移動機構を含み、磁気テープは、複数のトラックを幅方向に複数組有し、制御部は、複数組のうちの指定された組の複数のトラックに複数の読取部を配置させる位置に読取ヘッドを移動させる制御を第１移動機構に対して行い、かつ、複数の読取部の各々に対して、指定された組の単一トラックの特定範囲からデータを複数回読み取らせる制御を行う第２の態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、トラックからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、磁気テープが複数のトラックを幅方向に複数組有する場合であっても、トラックからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

本開示の技術に係る第４の態様の磁気テープ読取装置は、読取部による特定範囲に対する複数回の読み取りの各読取経路は、特定範囲内において、複数回の読み取り毎の磁気テープ及び読取部のうちの少なくとも一方に対して影響を与える環境条件に起因して互いに異なる読取経路である第１の態様から第３の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、読取部による特定範囲に対する複数回の読み取りの各読取経路が完全に一致している場合に比べ、データが読み取られることで得られた再生信号の信号対ノイズ比を高くすることができる。

本開示の技術に係る第５の態様の磁気テープ読取装置は、読取ヘッドを磁気テープの幅方向に移動可能な第２移動機構を含み、制御部は、読取ヘッドを幅方向に移動させることで読取部による特定範囲に対する複数回の読み取りの各読取経路を異ならせる制御を第２移動機構に対して行う第１の態様から第４の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、単一の読取素子により単一トラックのデータの読み取りが行われる場合に比べ、単一トラックの幅方向でのデータの読み取り範囲を広げることができる。

本開示の技術に係る第６の態様の磁気テープ読取装置は、読取部は、単一トラックに対して磁気テープの走行方向に沿って複数の読取素子を有し、制御部は、複数の読取素子の各々に対して特定範囲からデータを読み取らせることで読取部に対して特定範囲からデータを複数回読み取らせる制御を行う第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、単一の読取素子のみで特定範囲のデータを複数回読み取らせる場合に比べ、特定範囲のデータを短時間で複数回読み取らせることができる。

本開示の技術に係る第７の態様の磁気テープ読取装置は、読取部は、単一トラックにつき１つの読取素子を有し、制御部は、読取素子に対して特定範囲からデータを複数回読み取らせる制御を行う第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、単一トラックからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、単一トラックからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

本開示の技術に係る第８の態様の磁気テープ読取装置は、再生信号系列に対して信号処理を施す信号処理部を含む第１の態様から第７の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、再生信号系列に対して信号処理が施されない場合に比べ、磁気テープ読取装置１０から出力される最終的な信号の信頼性を高めることができる。

本開示の技術に係る第９の態様の磁気テープ読取装置は、信号処理は、再生信号系列の走行方向についての位相を同期させる位相同期処理を含む処理である第８の態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、再生信号系列に対して位相同期処理が行われない場合に比べ、磁気テープ読取装置から出力される最終的な信号の信頼性を高めることができる。

本開示の技術に係る第１０の態様の磁気テープ読取装置は、信号処理は、複数の再生信号系列の各々に対する波形等化処理を含む処理である第８の態様又は第９の態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、複数の再生信号系列の各々に対して波形等化処理が施されない場合に比べ、磁気テープ読取装置から出力される最終的な信号の信頼性を高めることができる。

本開示の技術に係る第１１の態様の磁気テープ読取装置は、波形等化処理は、２次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理、又は２次元ＩＩＲフィルタによる波形等化処理である第１０の態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、データが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列のうちの１つの再生信号系列のみに対して１次元ＦＩＲフィルタ又はＩＩＲフィルタによる波形等化処理が施される場合に比べ、磁気テープ読取装置から出力される最終的な信号の信頼性を高めることができる。

本開示の技術に係る第１２の態様の磁気テープ読取装置は、２次元ＦＩＲフィルタ及び２次元ＩＩＲフィルタで用いられるパラメータは、単一トラックと読取部との位置のずれ量に応じて定められている第１１の態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、タップ係数がずれ量とは関連性のないパラメータに応じて定められる場合に比べ、２次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理の精度及び２次元ＩＩＲフィルタによる波形等化処理の精度を高めることができる。

本開示の技術に係る第１３の態様の磁気テープ読取装置は、読取ヘッドは、サーボ素子を有し、ずれ量は、磁気テープに予め付与されたサーボパターンがサーボ素子によって読み取られることで得られた結果に応じて定められる第１２の態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、磁気テープにサーボパターンが付与されていない場合に比べ、容易にずれ量を定めることができる。

本開示の技術に係る第１４の態様の磁気テープ読取装置は、サーボ素子による読取動作に同期して読取ヘッドによる読取動作が行われる第１３の態様に係る磁気テープ読取装置である。これにより、サーボパターンとデータとを同期して読み取ることができないヘリカルスキャン方式に比べ、オフトラックの発生頻度を低くすることができる。

本開示の技術に係る第１５の態様の磁気テープ読取装置の作動方法は、磁気テープに含まれる単一トラックに対して対応する位置に配置される読取部を有する読取ヘッドを含む磁気テープ読取装置の作動方法であって、読取部に対して、単一トラックのうちの磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを複数回読み取らせる制御を行わせ、読取部により特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成することを含む。これにより、トラックからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、トラックからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

本開示の技術に係る第１６の態様の磁気テープ読取装置の作動方法は、磁気テープに含まれる複数のトラックの各々に対して対応する位置に配置される複数の読取部を有する読取ヘッドを含む磁気テープ読取装置の作動方法であって、複数の読取部の各々に対して、複数のトラックのうちの位置が対応する単一トラックのうちの磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを読み取らせることで読取ヘッドに対してデータを複数回読み取らせる制御を行い、読取ヘッドにより特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成することを含む。これにより、トラックからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、トラックからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

本開示の技術に係る第１７の態様のプログラムは、第１の態様から第１４の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープ読取装置に含まれる制御部及び合成部として機能させるためのプログラムである。これにより、トラックからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、トラックからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

本開示の技術に係る第１８の態様の磁気テープ読取装置は、磁気テープに含まれる単一トラックに対して対応する位置に配置される読取部を有する読取ヘッドと、プロセッサとを含み、プロセッサは、読取部に対して、単一トラックのうちの磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを複数回読み取らせる制御を行い、読取部により特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成する。

本開示の技術に係る第１９の態様の磁気テープ読取装置は、磁気テープに含まれる複数のトラックに対して各々対応する位置に配置される複数の読取部を有する読取ヘッドと、プロセッサとを含み、プロセッサは、複数の読取部の各々に対して、複数のトラックのうちの位置が対応する単一トラックのうちの磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを複数回読み取らせる制御を行い、複数の読取部の各々により特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成する。

本発明の一つの実施形態によれば、トラックからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、トラックからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる、という効果が得られる。

第１～第３実施形態に係る磁気テープ読取装置の全体構成の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる読取ヘッドと磁気テープとの平面視の構成の一例を示す概略平面図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる読取ヘッドの読取部と磁気テープとの平面視の構成の一例を示す概略平面図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる上流側読取ヘッド、下流側読取ヘッド、上流側移動機構、下流側移動機構、モータ、及び制御装置の相互関係の一例を示すブロック図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる上流側サーボ素子対、下流側サーボ素子対、制御装置、上流側移動機構、下流側移動機構、及びモータの相互関係の一例を示すブロック図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる上流側読取素子、下流側読取素子、上流側サーボ素子対、下流側サーボ素子対、制御装置、及びコンピュータの相互関係の一例を示すブロック図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる位相同期回路、上流側サーボ素子対、下流側サーボ素子対、増幅器、Ａ／Ｄ変換器、コントローラ、合成部、復号部、及びコンピュータの相互関係の一例を示すブロック図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる上流側読取素子の読取経路と単一トラックの中心との関係を示す平面視概念図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる上流側読取素子及び下流側読取素子の各々によってデータが読み取られて得られた各再生信号系列が合成されるまでの処理の流れの一例を示す概念図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる制御装置によって実行される磁気テープ読取処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる上流側読取ヘッド及び下流側読取ヘッドの位置関係を調節した形態例を示す平面視概念図である。 第２実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる読取ヘッドと磁気テープとの平面視の構成の一例を示す概略平面図である。 第２実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる制御装置によって実行される読取領域変更処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第３実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる読取ヘッドと磁気テープとの平面視の構成の一例を示す概略平面図である。 第３実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる読取素子、サーボ素子対、制御装置、及びコンピュータの相互関係の一例を示すブロック図である。 第３実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる合成部及びその周辺の構成の一例を示すブロック図である。 第３実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる制御装置によって実行される磁気テープ読取処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図１７Ａに示すフローチャートの続きである。 磁気テープ読取プログラム及び読取領域変更プログラムが記憶された記憶媒体から、磁気テープ読取プログラム及び読取領域変更プログラムが磁気テープ読取装置のコンピュータにインストールされる態様の一例を示す概念図である。 第１実施形態に係る磁気テープ読取装置に含まれる制御装置によって実行される磁気テープ読取処理の流れの変形例を示すフローチャートである。

以下、添付図面に従って本開示の技術に係る実施形態の一例について説明する。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＣＰＵとは、“Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ”の略称を指す。Ａ／Ｄとは、“Ａｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ”の略称を指す。ＦＩＲとは、“Ｆｉｎｉｔｅ Ｉｍｐｕｌｓｅ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ”の略称を指す。ＩＩＲとは、“Ｉｎｆｉｎｉｔｅ Ｉｍｐｕｌｓｅ Ｒｅａｐｏｎｓｅ”の略称を指す。ＳＮＲとは、“Ｓｉｇｎａｌ－ｔｏ－Ｎｏｉｓｅ－Ｒａｔｉｏ”の略称を指す。ＳｏＣとは、“Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－ｃｈｉｐ”の略称を指す。

［第１実施形態］
一例として図１に示すように、磁気テープ読取装置１０は、磁気テープカートリッジ１２、搬送装置１４、読取ヘッド１６、及び制御装置１８を備えている。

磁気テープ読取装置１０は、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴから読取ヘッド１６を用いてデータをリニアスキャン方式で読み取る装置である。なお、本開示の技術に係る第１実施形態において、データの読み取りとは、換言すると、データの再生を指す。以下の説明では、読取ヘッド１６によって読み取られたデータを「再生信号」とも称する。

上記磁気テープＭＴは、一般的に、非磁性支持体上に強磁性粉末および任意に一種類以上の添加剤を含む磁性層を形成することによって作製される。磁性層には無配向、長手配向、垂直配向を適用することができる。磁性層等について、詳細に説明する。

＜磁性層＞
（強磁性粉末）
磁性層は、強磁性粉末を含む。磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気テープＭＴの磁性層において用いられる強磁性粉末として公知の強磁性粉末を一種または二種以上組み合わせて使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。

六方晶フェライト粉末
強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。

本開示の技術および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライト型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライト型の結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライト型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライト型の結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本開示の技術および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいい、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。

以下に、六方晶フェライト粉末の一態様である六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、更に詳細に説明する。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００～１５００ｎｍ^３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化された六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープＭＴの作製のために好適である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００ｎｍ^３以上であり、例えば８５０ｎｍ^３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ^３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ^３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ^３以下であることがより一層好ましい。

「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本開示の技術および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁力計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。なお異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０^－１Ｊ／ｍ^３である。

Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］^１／２｝

［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ^３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ^３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ^－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］

熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０^５Ｊ／ｍ^３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含んでいてもよく、含まなくてもよい。六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、鉄原子１００原子％に対して、０．５～５．０原子％の含有率（バルク含有率）で希土類原子を含むことが好ましい。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、希土類原子表層部偏在性を有することができる。本開示の技術および本明細書における「希土類原子表層部偏在性」とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により部分溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子表層部含有率」または希土類原子に関して単に「表層部含有率」と記載する。）が、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により全溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子バルク含有率」または希土類原子に関して単に「バルク含有率」と記載する。）と、土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本開示の技術および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、希土類原子含有率（バルク含有率）は、鉄原子１００原子％に対して０．５～５．０原子％の範囲であることが好ましい。上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることは、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することに寄与すると考えられる。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることにより、異方性定数Ｋｕを高めることができるためと推察される。異方性定数Ｋｕは、この値が高いほど、いわゆる熱揺らぎと呼ばれる現象の発生を抑制すること（換言すれば熱的安定性を向上させること）ができる。熱揺らぎの発生が抑制されることにより、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の粒子表層部に希土類原子が偏在することが、表層部の結晶格子内の鉄（Ｆｅ）のサイトのスピンを安定化することに寄与し、これにより異方性定数Ｋｕが高まるのではないかと推察される。

また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープＭＴの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。

繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。

上記バルク含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる含有率である。なお本開示の技術および本明細書において、特記しない限り、原子について含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められるバルク含有率をいうものとする。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子として一種の希土類原子のみ含んでもよく、二種以上の希土類原子を含んでもよい。二種以上の希土類原子を含む場合の上記バルク含有率とは、二種以上の希土類原子の合計について求められる。この点は、本開示の技術および本明細書における他の成分についても同様である。即ち、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく、二種以上用いてもよい。二種以上用いられる場合の含有量または含有率とは、二種以上の合計についていうものとする。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、含まれる希土類原子は、希土類原子のいずれか一種以上であればよい。繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点から好ましい希土類原子としては、ネオジム原子、サマリウム原子、イットリウム原子およびジスプロシウム原子を挙げることができ、ネオジム原子、サマリウム原子およびイットリウム原子がより好ましく、ネオジム原子が更に好ましい。

希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、偏在の程度は限定されるものではない。例えば、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は１．０超であり、１．５以上であることができる。「表層部含有率／バルク含有率」が１．０より大きいことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。また、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は、例えば、１０．０以下、９．０以下、８．０以下、７．０以下、６．０以下、５．０以下、または４．０以下であることができる。ただし、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、上記の「表層部含有率／バルク含有率」は、例示した上限または下限に限定されるものではない。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の部分溶解および全溶解について、以下に説明する。粉末として存在している六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、部分溶解および全溶解する試料粉末は、同一ロットの粉末から採取する。一方、磁気テープＭＴの磁性層に含まれている六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、磁性層から取り出した六方晶ストロンチウムフェライト粉末の一部を部分溶解に付し、他の一部を全溶解に付す。磁性層からの六方晶ストロンチウムフェライト粉末の取り出しは、例えば、特開２０１５－９１７４７号公報の段落００３２に記載の方法によって行うことができる。

上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。

上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。

試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。

一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。

試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。

磁気テープＭＴに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープＭＴに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本開示の技術および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）で測定される値とする。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の構成原子の含有率（バルク含有率）に関して、ストロンチウム原子含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば２．０～１５．０原子％の範囲であることができる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、この粉末に含まれる二価金属原子がストロンチウム原子のみであることができる。また他の一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、ストロンチウム原子に加えて一種以上の他の二価金属原子を含むこともできる。例えば、バリウム原子および／またはカルシウム原子を含むことができる。ストロンチウム原子以外の他の二価金属原子が含まれる場合、六方晶ストロンチウムフェライト粉末におけるバリウム原子含有率およびカルシウム原子含有率は、それぞれ、例えば、鉄原子１００原子％に対して、０．０５～５．０原子％の範囲であることができる。

六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または二種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ_１２Ｏ_１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表し、六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、ストロンチウム原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。更に、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、これら原子以外の原子を含んでもよく、含まなくてもよい。一例として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、アルミニウム原子（Ａｌ）を含むものであってもよい。アルミニウム原子の含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば０．５～１０．０原子％であることができる。繰り返し再生における再生出力低下をより一層抑制する観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子を含み、これら原子以外の原子の含有率が、鉄原子１００原子％に対して、１０．０原子％以下であることが好ましく、０～５．０原子％の範囲であることがより好ましく、０原子％であってもよい。即ち、一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子以外の原子を含まなくてもよい。上記の原子％で表示される含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる各原子の含有率（単位：質量％）を、各原子の原子量を用いて原子％表示の値に換算して求められる。また、本開示の技術および本明細書において、ある原子について「含まない」とは、全溶解してＩＣＰ分析装置により測定される含有率が０質量％であることをいう。ＩＣＰ分析装置の検出限界は、通常、質量基準で０．０１ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。上記の「含まない」とは、ＩＣＰ分析装置の検出限界未満の量で含まれることを包含する意味で用いるものとする。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、ビスマス原子（Ｂｉ）を含まないものであることができる。

金属粉末
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３７～０１４１および特開２００５－２５１３５１号公報の段落０００９～００２３を参照できる。

ε－酸化鉄粉末
強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε－酸化鉄粉末を挙げることもできる。本開示の技術および本明細書において、「ε－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε－酸化鉄型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε－酸化鉄型の結晶構造に帰属される場合、ε－酸化鉄型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε－酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε－酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ． Ｊｐｎ． Ｓｏｃ． Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ Ｖｏｌ． ６１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， ｐｐ． Ｓ２８０－Ｓ２８４、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． Ｃ， ２０１３， １， ｐｐ．５２００－５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気テープＭＴの磁性層において強磁性粉末として使用可能なε－酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。

ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００～１５００ｎｍ^３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化されたε－酸化鉄粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープＭＴの作製のために好適である。ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００ｎｍ^３以上であり、例えば５００ｎｍ^３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ^３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ^３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ^３以下であることがより一層好ましい。

熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。ε－酸化鉄粉末は、好ましくは３．０×１０^４Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは８．０×１０^４Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができる。また、ε－酸化鉄粉末のＫｕは、例えば３．０×１０^５Ｊ／ｍ^３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し、好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。

磁気テープＭＴに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープＭＴに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、一態様では、ε－酸化鉄粉末のσｓは、８Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることができ、１２Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることもできる。一方、ε－酸化鉄粉末のσｓは、ノイズ低減の観点からは、４０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることが好ましく、３５Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることがより好ましい。

本開示の技術および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。

粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントするか、ディスプレイに表示する等して、粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。

以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本開示の技術および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。

粒子サイズ測定のために磁気テープＭＴから試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。

本開示の技術および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。

また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。

そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。

磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。磁性層は、強磁性粉末を含み、結合剤を含むことができ、任意に一種以上の更なる添加剤を含むこともできる。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。

（結合剤、硬化剤）
上記磁気テープＭＴは塗布型磁気テープであることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤は、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気テープの結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１も参照できる。磁性層の結合剤の含有量は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～３０．０質量部であることができる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。

また、結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。磁性層形成用組成物の硬化剤の含有量は、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部であることができ、磁性層の強度向上の観点からは５０．０～８０．０質量部であることができる。

（添加剤）磁性層には、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。潤滑剤としては、例えば境界潤滑剤として機能し得る脂肪酸アミドを使用することができる。境界潤滑剤は、粉末（例えば強磁性粉末）の表面に吸着し強固な潤滑膜を形成することで接触摩擦を下げることのできる潤滑剤と考えられている。脂肪酸アミドとしては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等の各種脂肪酸のアミド、具体的にはラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。磁性層の脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３.０質量部であり、好ましくは０～２．０質量部であり、より好ましくは０～１．０質量部である。また、非磁性層にも脂肪酸アミドが含まれていてもよい。非磁性層の脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０～３．０質量部であり、好ましくは０～１．０質量部である。分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。分散剤を非磁性層形成用組成物に添加してもよい。非磁性層形成用組成物に添加し得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。また、磁性層に含まれ得る非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末等が挙げられる。研磨剤としては、磁性層の研磨剤として通常使用される物質であるアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭化ケイ素、ボロンカーバイド（Ｂ_４Ｃ）、ＴｉＣ、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）、酸化セリウム、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化鉄、ダイヤモンド等の粉末を挙げることができ、中でもα－アルミナ等のアルミナ、炭化ケイ素、およびダイヤモンドの粉末が好ましい。磁性層の研磨剤含有量は、強磁性粉末１００．０質量部に対して１．０～２０．０質量部であることが好ましく、３．０～１５．０質量部であることがより好ましく、４．０～１０．０質量部であることが更に好ましい。研磨剤の平均粒子サイズは、例えば３０～３００ｎｍの範囲であり、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲である。突起形成剤としては、カーボンブラック、コロイド粒子等を挙げることができる。磁性層の突起形成剤含有量は、強磁性粉末１００．０質量部に対して０．１～１０．０質量部であることが好ましく、０．１～５．０質量部であることがより好ましく、０．５～５．０質量部であることが更に好ましい。コロイド粒子の平均粒子サイズは、例えば９０～２００ｎｍの範囲であることが好ましく、１００～１５０ｎｍの範囲であることがより好ましい。カーボンブラックの平均粒子サイズは、５～２００ｎｍの範囲であることが好ましく、１０～１５０ｎｍの範囲であることがより好ましい。

以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。

＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープＭＴは、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体表面上に非磁性粉末を含む非磁性層を介して磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機粉末でも有機粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機粉末としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０～００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。

非磁性層は、非磁性粉末および結合剤を含む層であることができ、一種以上の添加剤を更に含むことができる。非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。

本開示の技術および本明細書において、非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が１００Ｏｅ以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が１００Ｏｅ以下である層をいうものとする。１［ｋＯｅ］＝１０^６／４π［Ａ／ｍ］である。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。

一態様では、式１で表されるアルキルエステルアニオンのアンモニウム塩構造を有する化合物は、非磁性層に含まれ得る。式１で表されるアルキルエステルアニオンのアンモニウム塩構造を有する化合物は、非磁性層に非磁性粉末１００．０質量部に対して０．０１質量部以上含まれることが好ましく、 ０．１質量部以上含まれることがより好ましく、０．５質量部以上含まれることが更に好ましい。また、非磁性層の上記化合物の含有量は、非磁性粉末１００．０質量部に対して１５．０質量部以下であることが好ましく、１０．０質量部以下であることがより好ましく、８．０質量部以下であることが更に好ましい。また、非磁性層を形成するために使用される非磁性層形成用組成物の上記化合物の含有量の好ましい範囲も同様である。非磁性層に含まれる上記化合物は、磁性層に移動することができ、更に磁性層表面に移動して液膜を形成することもできる。非磁性層または非磁性層形成用組成物に含まれ得る上記化合物の詳細は、先に記載した通りである。

＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）について説明する。非磁性支持体としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。

＜バックコート層＞
上記磁気テープＭＴは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層は、非磁性粉末および結合剤を含む層であることができ、一種以上の添加剤を更に含むことができる。バックコート層の結合剤および任意に含まれ得る各種添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。

＜各種厚み＞非磁性支持体の厚みは、例えば３．０～８０．０μｍであり、好ましくは３．０～２０．０μｍ、より好ましくは３．０～１０．０μｍ、更に好ましくは３．０～６．０μｍである。

磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等に応じて最適化することができる。磁性層の厚みは、高密度記録化の観点から、好ましくは１０ｎｍ～１５０ｎｍであり、より好ましくは２０ｎｍ～１２０ｎｍであり、更に好ましくは３０ｎｍ～１００ｎｍである。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する二層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。二層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。

非磁性層の厚みは、例えば０．１～３．０μｍであり、０．１～２．０μｍであることが好ましく、０．１～１．５μｍであることが更に好ましい。

バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１～０．７μｍの範囲であることが更に好ましい。

磁気テープＭＴの各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡によって断面観察を行う。断面観察において任意の１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。

制御装置１８は、磁気テープ読取装置１０の全体を制御する。本開示の技術に係る第１実施形態において、制御装置１８は、ＡＳＩＣを含むデバイスによって実現される。ここでは、ＡＳＩＣを含むデバイスを例示しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置１８は、ＦＰＧＡ又はＰＬＤを含むデバイスによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置１８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータを含むデバイスによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置１８は、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせたデバイスによって実現されるようにしてもよい。

搬送装置１４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ２０、巻取リール２２、巻取モータ２４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置１８を備えている。

磁気テープカートリッジ１２内には、カートリッジリールＣＲが設けられている。カートリッジリールＣＲには磁気テープＭＴが巻き掛けられている。送出モータ２０は、制御装置１８の制御下で、磁気テープカートリッジ１２内のカートリッジリールＣＲを回転駆動させる。制御装置１８は、送出モータ２０を制御することで、カートリッジリールＣＲの回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール２２によって巻き取られる場合には、制御装置１８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ２０を回転させる。送出モータ２０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール２２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

巻取モータ２４は、制御装置１８の制御下で、巻取リール２２を回転駆動させる。制御装置１８は、巻取モータ２４を制御することで、巻取リール２２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール２２によって巻き取られる場合には、制御装置１８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように巻取モータ２４を回転させる。巻取モータ２４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール２２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

このようにして送出モータ２０及び巻取モータ２４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド１６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。

磁気テープＭＴをカートリッジリールＣＲに巻き戻す場合には、制御装置１８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ２０及び巻取モータ２４を回転させる。

本開示の技術に係る第１実施形態では、送出モータ２０及び巻取モータ２４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、磁気テープカートリッジ１２と巻取リール２２との間の数箇所（図１に示す例では、３箇所）で磁気テープＭＴが張り掛けられることによって定められている。

読取ヘッド１６は、上流側読取ヘッド１６Ａ及び下流側読取ヘッド１６Ｂを備えている。上流側読取ヘッド１６Ａ及び下流側読取ヘッド１６Ｂは、磁気テープＭＴの走行方向（以下、単に「走行方向」とも称する）に沿って並んで配置されている。走行方向は、磁気テープＭＴの順方向に相当する方向である。上流側読取ヘッド１６Ａは、下流側読取ヘッド１６Ｂよりも走行方向の上流側に配置されている。換言すると、下流側読取ヘッド１６Ｂは、上流側読取ヘッド１６Ａよりも走行方向の下流側に配置されている。上流側読取ヘッド１６Ａは、磁気テープＭＴからのデータの読み取りが可能な位置にホルダ２８Ａによって保持されている。下流側読取ヘッド１６Ｂは、磁気テープＭＴからのデータの読み取りが可能な位置にホルダ２８Ｂによって保持されている。なお、図１に示す例では、走行方向上において、１個のガイドローラＧＲを挟んで上流側にホルダ２８Ａが配置され、下流側にホルダ２８Ｂが配置されている。

一例として図２に示すように、磁気テープＭＴは、トラック領域３０及びサーボパターン３２を備えている。サーボパターン３２は、磁気テープＭＴに対する読取ヘッド１６の位置の検出に用いられるパターンである。サーボパターン３２は、磁気テープＭＴの幅方向（以下、単に「テープ幅方向」とも称する）の両端部に、各々第１既定角度（例えば、６度）の複数の第１斜線３２Ａと、各々第２既定角度（例えば、１７４度）の複数の第２斜線３２Ｂとが磁気テープＭＴの走行方向に沿って交互に配置されたパターンである。

具体的には、例えば、図２の拡大図に示すように、第１斜線３２Ａとしては、５本の第１斜線３２Ａと４本の第１斜線３２Ａとが存在し、第２斜線３２Ｂとしては、５本の第２斜線３２Ｂと４本の第２斜線３２Ｂとが存在する。すなわち、磁気テープＭＴの走行方向に沿って５本の第１斜線３２Ａ、５本の第２斜線３２Ｂ、４本の第１斜線３２Ａ、及び４本の第２斜線３２Ｂの順に配置されている。図２に示す磁気テープＭＴ内のサーボパターン３２は、説明の便宜上、簡略化されて示されている。図２に示す磁気テープＭＴ内に図示されている第１斜線３２Ａは、１つのサーボパターン３２内の複数本の第１斜線３２Ａのうち、走行方向の最下流側の第１斜線３２Ａである。図２に示す磁気テープＭＴ内に図示されている第２斜線３２Ｂは、１つのサーボパターン３２内の複数本の第２斜線３２Ｂのうち、走行方向の最下流側の第２斜線３２Ｂである。

トラック領域３０は、読取対象とされるデータが書き込まれた領域であり、磁気テープＭＴのテープ幅方向の中央部に形成されている。ここで言う「テープ幅方向の中央部」とは、例えば、磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端部のサーボパターン３２と他端部のサーボパターン３２との間の領域を指す。

上流側読取ヘッド１６Ａは、上流側サーボ素子対３６を備えている。下流側読取ヘッド１６Ｂは、下流側サーボ素子対３８を備えている。

上流側サーボ素子対３６は、上流側サーボ素子３６Ａ，３６Ｂを備えている。上流側サーボ素子３６Ａは、磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端部のサーボパターン３２に対向する位置に配置されており、上流側サーボ素子３６Ｂは、磁気テープＭＴのテープ幅方向の他端部のサーボパターン３２に対向する位置に配置されている。なお、ここでは、上流側サーボ素子３６Ａ，３６Ｂを例示しているが、上流側サーボ素子３６Ａ，３６Ｂの何れかのみを使用しても本開示の技術は成立する。すなわち、上流側読取ヘッド１６Ａによるリニアスキャン方式のデータの読み取りを実現するために必要な個数のサーボ素子が上流側読取ヘッド１６Ａに対して用いられていればよい。

下流側サーボ素子対３８は、下流側サーボ素子３８Ａ，３８Ｂを備えている。下流側サーボ素子３８Ａは、上流側サーボ素子３６Ａよりも走行方向の下流側にて、磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端部のサーボパターン３２に対向する位置に配置されている。下流側サーボ素子３８Ｂは、上流側サーボ素子３６Ｂよりも走行方向の下流側にて、磁気テープＭＴのテープ幅方向の他端部のサーボパターン３２に対向する位置に配置されている。なお、ここでは、下流側サーボ素子３８Ａ，３８Ｂを例示しているが、下流側サーボ素子３８Ａ，３８Ｂの何れかのみを使用しても本開示の技術は成立する。すなわち、下流側読取ヘッド１６Ｂによるリニアスキャン方式のデータの読み取りを実現するために必要な個数のサーボ素子が下流側読取ヘッド１６Ｂに対して用いられていればよい。

読取ヘッド１６は、複数の読取部２６を備えている。読取部２６は、本開示の技術に係る「読取部」の一例である。複数の読取部２６は、磁気テープ読取装置１０がデフォルトの状態で、トラック領域３０に対向する位置に配置されている。

ここで、磁気テープ読取装置１０がデフォルトの状態とは、磁気テープＭＴが変形することなく、かつ、磁気テープＭＴと読取ヘッド１６との位置関係が正しい位置関係にある状態を指す。ここで、正しい位置関係とは、例えば、トラック領域３０のテープ幅方向の中心と読取ヘッド１６の長手方向の中心とが一致する位置関係を指す。なお、本開示の技術に係る第１実施形態での「一致」の意味には、完全な一致の意味の他に、設計上及び製造上において許容される誤差を含む略一致の意味も含まれる。

トラック領域３０は、複数のトラックを備えており、複数のトラックは、テープ幅方向に等間隔に配置されている。トラックの本数は、例えば、読取部２６の個数の数倍から数十倍である。読取部２６は、例えば、テープ幅方向に沿ってトラックの数本分又は数十本分毎にテープ幅方向に等間隔に配置されている。本開示の技術に係る第１実施形態では、３２個の読取部２６が採用されている。

すなわち、読取部２６は、磁気テープＭＴに含まれる３２個のトラックに対して各々対応する位置に配置される。換言すると、読取部２６は、磁気テープＭＴに含まれる３２個のトラックの各々の単一トラックに対して対応する位置に配置される。ここでは、トラック及び読取部２６の各々の個数として３２個を例示しているが、これはあくまでも一例に過ぎず、個数は３２個よりも多くてもよいし、少なくてもよい。なお、本開示の技術に係る第１実施形態での「等間隔」の意味には、完全な等間隔の意味の他に、設計上及び製造上において許容される誤差を含む略等間隔の意味も含まれる。

読取部２６とは、上流側読取素子２６Ａ及び下流側読取素子２６Ｂを指す。上流側読取素子２６Ａ及び下流側読取素子２６Ｂは、本開示の技術に係る「複数の読取素子」の一例である。上流側読取素子２６Ａは、上流側読取ヘッド１６Ａに設けられており、下流側読取素子２６Ｂは、下流側読取ヘッド１６Ｂに設けられている。

上流側読取ヘッド１６Ａの端部には、上流側移動機構４０が設けられている。上流側移動機構４０は、外部から付与された動力に応じて上流側読取ヘッド１６Ａをテープ幅方向に移動させる。具体的には、上流側移動機構４０は、外部から付与された動力に応じて上流側読取ヘッド１６Ａをテープ幅方向の一方側と他方側とに選択的に移動させる。図２に示す例において、テープ幅方向の一方側と他方側とは、矢印Ａ方向を指す。

下流側読取ヘッド１６Ｂの端部には、下流側移動機構４２が設けられている。下流側移動機構４２は、外部から付与された動力に応じて下流側読取ヘッド１６Ｂをテープ幅方向に移動させる。具体的には、下流側移動機構４２は、外部から付与された動力に応じて下流側読取ヘッド１６Ｂをテープ幅方向の一方側と他方側とに選択的に移動させる。図２に示す例において、テープ幅方向の一方側と他方側とは、矢印Ｂ方向を指す。

なお、上流側移動機構４０及び下流側移動機構４２は、本開示の技術に係る「第２移動機構」の一例である。

一例として図３に示すように、上流側読取素子２６Ａ及び下流側読取素子２６Ｂは、トラック領域３０に含まれる複数のトラック３０Ａのうちの読取部２６が割り当てられる１つのトラック３０Ａに対して、走行方向に対して配置されている。トラック領域３０に含まれる複数のトラック３０Ａのうちの読取部２６が割り当てられる１つのトラック３０Ａは、本開示の技術に係る「単一トラック」の一例である。なお、以下では、説明の便宜上、トラック領域３０に含まれる複数のトラック３０Ａのうち、１つの読取部２６が割り当てられる１つのトラック３０Ａを「単一トラック３０Ａ」とも称する。

本開示の技術に係る第１実施形態では、磁気テープＭＴが制御装置１８（図１参照）の制御下で走行している状態において、読取ヘッド１６によって、単一トラック３０Ａのうちの磁気テープＭＴの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータの読み取りが行われる。具体的には、磁気テープＭＴが一方向へ１回走行する間に読取ヘッド１６によって、単一トラック３０Ａのうちの磁気テープＭＴの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータの読み取りが複数回行われる。データの読み取りが複数回行われるということは、換言すると、同一の読取対象に対して異なる時間軸でデータの読み取りが行われることを意味する。本開示の技術に係る第１実施形態では、同一の読取対象に対してデータの読み取りが２回行われる。なお、「２回」は、あくまでも一例に過ぎず、データの読み取りが３回以上行われる場合であっても本開示の技術は成立する。

以下では、説明の便宜上、単一トラック３０Ａのうちの磁気テープＭＴの走行方向の特定範囲を、単に「特定範囲」と称する。なお、本開示の技術に係る第１実施形態では、「特定範囲」としては、磁気テープＭＴの走行方向の範囲のうち、ユーザによって指定された一部の範囲が採用されている。なお、一部の範囲が「特定範囲」であるということは、あくまでも一例に過ぎず、磁気テープＭＴの走行方向の全範囲が「特定範囲」とされてもよい。

磁気テープＭＴが制御装置１８（図１参照）の制御下で走行している状態において、上流側読取素子２６Ａ及び下流側読取素子２６Ｂの各々は、特定範囲からリニアスキャン方式でデータを読み取る。これは、読取部２６という１つのデバイスが、制御装置１８の制御下で、特定範囲からリニアスキャン方式で２回読み取ることを意味する。つまり、制御装置１８は、上流側読取素子２６Ａ及び下流側読取素子２６Ｂの各々に対して特定範囲からデータを読み取らせることで読取部２６に対して単一トラック３０Ａからデータを複数回読み取らせる。

リニアスキャン方式では、読取部２６の読取動作と同期して、上流側サーボ素子対３６及び下流側サーボ素子対３８によってサーボパターン３２が読み取られる。すなわち、本開示の技術に係る第１実施形態に係るリニアスキャン方式では、読取部２６、上流側サーボ素子対３６、及び下流側サーボ素子対３８によって磁気テープＭＴに対する読み取りが並行して行われる。

一例として図４に示すように、上流側読取ヘッド１６Ａ及び下流側読取ヘッド１６Ｂの各々は制御装置１８に接続されている。読取部２６によって単一トラック３０Ａから得られた再生信号は、制御装置１８に出力される。また、上流側サーボ素子対３６及び下流側サーボ素子対３８の各々によってサーボパターン３２が読み取られて得られたアナログのサーボ信号（以下、「アナログサーボ信号」と称する）は、制御装置１８に出力される。

制御装置１８には、モータ４４，４６が接続されている。モータ４４，４６の一例としては、ボイスコイルモータが挙げられる。ボイスコイルモータは、磁石のエネルギーを媒体として、コイルに流れる電流に基づく電気エネルギーが運動エネルギーに変換されることによって動力を生成する。モータ４４は、上流側移動機構４０に接続されており、モータ４６は、下流側移動機構４２に接続されている。上流側移動機構４０は、制御装置１８の制御下で、モータ４４から動力が付与されることにより、上流側読取ヘッド１６Ａをテープ幅方向に移動させる。下流側移動機構４２は、制御装置１８の制御下で、モータ４６から動力が付与されることにより、下流側読取ヘッド１６Ｂをテープ幅方向に移動させる。

なお、ここでは、モータ４４，４６の一例としてボイスコイルモータが挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、例えば、ボイスコイルモータとは異なる種類のモータであってもよい。また、モータではなく、圧電素子及び／又はソレノイドを用いてもよい。また、上流側読取ヘッド１６Ａ及び／又は下流側読取ヘッド１６Ｂに対して付与される動力は、モータ、圧電素子、及びソレノイド等のうちの複数を組み合わせたデバイスによって生成された動力であってもよい。

一例として図５に示すように、制御装置１８は、コントローラ１８Ａ、増幅器５４，５８、及びＡ／Ｄ変換器５６，６０を備えている。上流側サーボ素子対３６は、増幅器５４及びＡ／Ｄ変換器５６を介してコントローラ１８Ａに接続されている。コントローラ１８Ａは、モータ４４に接続されている。

増幅器５４には、上流側サーボ素子対３６からアナログサーボ信号が入力され、入力されたアナログサーボ信号を増幅し、増幅したアナログサーボ信号をＡ／Ｄ変換器５６に出力する。Ａ／Ｄ変換器５６は、増幅器５４から入力されたアナログサーボ信号をデジタル信号に変換する。Ａ／Ｄ変換器５６によって得られたデジタル信号は、サーボ信号（以下、「上流側サーボ信号」と称する）としてＡ／Ｄ変換器５６によってコントローラ１８Ａに出力される。

単一トラック３０Ａ（図３参照）と上流側読取素子２６Ａ（図３参照）との位置のずれ量（以下、「上流側ずれ量」と称する）は、サーボパターン３２を上流側サーボ素子対３６が読み取って得た結果である上流側サーボ信号に応じて定められる。

なお、単一トラック３０Ａと上流側読取素子２６Ａとの位置のずれとは、例えば、単一トラック３０Ａのテープ幅方向の中心と上流側読取素子２６Ａのテープ幅方向の中心とのずれを指す。

コントローラ１８Ａは、モータ４４を制御することで、上流側ずれ量に応じた動力を上流側移動機構４０に付与する。上流側移動機構４０は、モータ４４から付与された動力に応じて上流側読取ヘッド１６Ａをテープ幅方向に変動させ、上流側読取ヘッド１６Ａの位置を正常な位置に調整する。ここで、上流側読取ヘッド１６Ａについての「正常な位置」とは、例えば、単一トラック３０Ａのテープ幅方向の中心と上流側読取素子２６Ａのテープ幅方向の中心とのずれが“０”になる位置を指す。

上流側ずれ量は、例えば、第１距離に対する第２距離の割合に基づいて算出される。第２距離とは、例えば、１つのサーボパターン３２内において最下流側の第１斜線３２Ａ（図２及び図３参照）と最下流側の第２斜線３２Ｂ（図２及び図３参照）とが上流側サーボ素子３６Ａによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。第１距離とは、例えば、隣接するサーボターン３２のうちの一方のサーボパターン３２内の最下流側の第２斜線３２Ｂと他方のサーボパターン３２内の最下流側の第２斜線３２Ｂとが上流側サーボ素子３６Ａによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。

具体的には、例えば、次の数式（１）を用いて上流側ずれ量が算出される。数式（１）の「斜線の角度α」としては、上述の第１既定角度と第２既定角度とが適用される。第１既定角度は、第１斜線３２Ａのテープ幅方向に沿う直線と成す角度であり、第２既定角度は、第２斜線３２Ｂのテープ幅方向に沿う直線と成す角度である。換言すると、第１既定角度は、第１斜線３２Ａがテープ幅方向に沿う直線に対して、図中の正面視時計回りの方向に成す角度であり、第２既定角度は、“１８０度－第１既定角度”である。

下流側サーボ素子対３８は、増幅器５８及びＡ／Ｄ変換器６０を介してコントローラ１８Ａに接続されている。コントローラ１８Ａは、モータ４６に接続されている。

増幅器５８には、下流側サーボ素子対３８からアナログサーボ信号が入力され、入力されたアナログサーボ信号を増幅し、増幅したアナログサーボ信号をＡ／Ｄ変換器６０に出力する。Ａ／Ｄ変換器６０は、増幅器５８から入力されたアナログサーボ信号をデジタル信号に変換する。Ａ／Ｄ変換器６０によって得られたデジタル信号は、サーボ信号（以下、「下流側サーボ信号」と称する）としてＡ／Ｄ変換器６０によってコントローラ１８Ａに出力される。

単一トラック３０Ａ（図３参照）と下流側読取素子２６Ｂ（図３参照）との位置のずれ量（以下、「下流側ずれ量」と称する）は、サーボパターン３２を下流側サーボ素子対３８が読み取って得た結果である下流側サーボ信号に応じて定められる。

なお、単一トラック３０Ａと下流側読取素子２６Ｂとの位置のずれとは、例えば、単一トラック３０Ａのテープ幅方向の中心と下流側読取素子２６Ｂのテープ幅方向の中心とのずれを指す。

コントローラ１８Ａは、モータ４６を制御することで、下流側ずれ量に応じた動力を下流側移動機構４２に付与する。下流側移動機構４２は、下流側ずれ量に応じた動力を下流側読取ヘッド１６Ｂ（図２～図４参照）に付与することで、下流側読取ヘッド１６Ｂをテープ幅方向に変動させ、下流側読取ヘッド１６Ｂの位置を正常な位置に調整する。ここで、下流側読取ヘッド１６Ｂについての「正常な位置」とは、例えば、単一トラック３０Ａのテープ幅方向の中心と下流側読取素子２６Ｂの中心とのずれが“０”になる位置を指す。

下流側ずれ量は、例えば、第３距離に対する第４距離の割合に基づいて算出される。第４距離とは、例えば、１つのサーボパターン３２内において最下流側の第１斜線３２Ａ（図２及び図３参照）と最下流側の第２斜線３２Ｂ（図２及び図３参照）とが下流側サーボ素子３８Ａによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。第３距離とは、例えば、隣接するサーボターン３２のうちの一方のサーボパターン３２内の最下流側の第２斜線３２Ｂと他方のサーボパターン３２内の最下流側の第２斜線３２Ｂとが下流側サーボ素子３８Ａによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。

具体的には、下流側ずれ量も、上流側ずれ量と同様に、上述した数式（１）を用いて算出される。この場合、数式（１）において、“ｙ＾”は、下流側ずれ量であり、“ｄ”は、サーボパターン３２の走行方向のピッチ幅であり、“α”は、斜線の角度であり、“Ａ_ｉ”は、第４距離であり、“Ｂ_ｉ”は、第３距離である。

一例として図６に示すように、制御装置１８は、信号処理回路１８Ｂを備えている。信号処理回路１８Ｂは、本開示の技術の「信号処理部」の一例である。信号処理回路１８Ｂは、単一トラック３０Ａから上流側読取素子２６Ａによって読み取られたデータであるアナログの再生信号、及び単一トラック３０Ａから下流側読取素子２６Ｂによって読み取られたデータであるアナログの再生信号に対して信号処理を施す。以下では、説明の便宜上、「アナログの再生信号」を「再生信号」と称する。

信号処理回路１８Ｂは、増幅器６２，６８、Ａ／Ｄ変換器６４，７０、第１バッファ６６、第２バッファ７２、合成部７４、及び復号部７６を備えている。なお、バッファ６６、第２バッファ７２で行われる信号処理、合成部７４で行われる信号処理、及び復号部７６で行われる信号処理は、本開示の技術に係る「信号処理」の一例である。

上流側読取素子２６Ａは、増幅器６２、Ａ／Ｄ変換器６４、及び第１バッファ６６を介して合成部７４に接続されている。下流側読取素子２６Ｂは、増幅器６８、Ａ／Ｄ変換器７０、及び第２バッファ７２を介して合成部７４に接続されている。コントローラ１８Ａも合成部７４に接続されている。合成部７４は、復号部７６に接続されている。制御装置１８の外部にはコンピュータ７８が設けられており、復号部７６は、コンピュータ７８に接続されている。

上流側読取素子２６Ａは、単一トラック３０Ａから読み取ったデータである再生信号を増幅器６２に出力する。増幅器６２は、入力された再生信号を増幅し、増幅した再生信号をＡ／Ｄ変換器６４に出力する。Ａ／Ｄ変換器６４は、入力された再生信号をデジタル信号に変換する。Ａ／Ｄ変換器６４によって得られたデジタル信号は、ＡＤ変換後上流側再生信号系列としてＡ／Ｄ変換器６４によって第１バッファ６６に出力される。ＡＤ変換後上流側再生信号系列は第１バッファ６６によって一時的に保持される。

下流側読取素子２８Ａは、単一トラック３０Ａから読み取ったデータである再生信号を増幅器６８に出力する。増幅器６８は、入力された再生信号を増幅し、増幅した再生信号をＡ／Ｄ変換器７０に出力する。Ａ／Ｄ変換器７０は、入力された再生信号をデジタル信号に変換する。Ａ／Ｄ変換器７０によって得られたデジタル信号は、ＡＤ変換後下流側再生信号系列としてＡ／Ｄ変換器７０によって第２バッファ７２に出力される。ＡＤ変換後下流側再生信号系列は第２バッファ７２によって一時的に保持される。

なお、本開示の技術に係る第１実施形態において、以下では、説明の便宜上、ＡＤ変換後上流側再生信号系列及びＡＤ変換後下流側再生信号系列を区別して説明する必要がない場合、「ＡＤ変換後再生信号系列」と称する。また、本開示の技術に係る第１実施形態において、以下では、説明の便宜上、ＡＤ変換後再生信号系列、第１位相同期処理後再生信号系列（後述）、第２位相同期処理後再生信号系列（後述）、第１波形等化処理後再生信号系列（後述）、及び第２波形等化処理後再生信号系列（後述）を区別して説明する必要がない場合、「再生信号系列」と称する。また、本開示の技術に係る第１実施形態において、以下では、説明の便宜上、第１位相同期処理後再生信号系列と、第２位相同期処理後再生信号系列とを区別して説明する必要がない場合、「位相同期処理後再生信号系列」と称する。また、本開示の技術に係る第１実施形態において、以下では、説明の便宜上、第１波形等化処理後再生信号系列と第２波形等化処理後再生信号系列とを区別して説明する必要がない場合、「波形等化処理後再生信号系列」と称する。また、本開示の技術に係る第１実施形態において、以下では、説明の便宜上、ＡＤ変換後上流側再生信号系列と、第１位相同期処理後再生信号系列と、第１波形等化処理後再生信号系列とを区別して説明する必要がない場合、「上流側再生信号系列」と称する。また、本開示の技術に係る第１実施形態において、以下では、説明の便宜上、ＡＤ変換後下流側再生信号系列と、第２位相同期処理後再生信号系列と、第２波形等化処理後再生信号系列とを区別して説明する必要がない場合、「下流側再生信号系列」と称する。

一例として図７に示すように、合成部７４は、第１位相同期回路７４Ａ、第２位相同期回路７４Ｂ、第１等化器７４Ｃ、第２等化器７４Ｄ、及び加算器７４Ｅを備えている。合成部７４では、第１等化器７４Ｃ、第２等化器７４Ｄ、及び加算器７４Ｅによって２次元ＦＩＲフィルタが実現される。合成部７４は、読取部２６により特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成する。本開示の技術に係る第１実施形態では、合成部７４が、読取部２６により特定範囲からデータが２回読み取られて得られた２つの再生信号系列、すなわち、第１波形等化処理後再生信号系列（後述）と第２波形等化再生信号系列（後述）とを合成する。

第１バッファ６６は、第１位相同期回路７４Ａを介して第１等化器７４Ｃに接続されている。第２バッファ７２は、第２位相同期回路７４Ｂを介して第２等化器７４Ｄに接続されている。第１等化器７４Ｃ及び第２等化器７４Ｄの各々にはコントローラ１８Ａが接続されている。第１等化器７４Ｃ及び第２等化器７４Ｄの各々は加算器７４Ｅに接続されている。

ところで、磁気テープＭＴの変形、磁気テープＭＴ及び／又は読取ヘッド１６等に与えられる急峻な振動、及び磁気テープＭＴの走行時のジッタ等に起因して、上流側再生信号系列に走行方向の位相のずれが生じる場合がある。

そこで、第１位相同期回路７４Ａは、第１バッファ６６からＡＤ変換後上流側再生信号系列を取得し、取得したＡＤ変換後上流側再生信号系列に対して位相同期処理を行う。第１位相同期回路７４Ａでの位相同期処理とは、ＡＤ変換後上流側再生信号系列の走行方向についての位相のずれを、復号器７６での復号結果に基づいて許容可能な一定誤差範囲内に収める処理を指す。

第１位相同期回路７４Ａには、過去の上流側再生信号系列（例えば、数ビット分だけ過去の上流側再生信号系列）の復号部７６での復号結果がフィードバックされる。そして、第１位相同期回路７４Ａは、フィードバックされた復号結果から、過去に生じていた位相のずれを特定し、特定した位相のずれを現在に至る数ビット分の遅延を行うことで修正する。このように、第１位相同期回路７４Ａでは、フィードバックと遅延を行うことによる修正とが繰り返されることによって、位相のずれが、許容可能な一定誤差範囲内に維持される。

なお、ここでは、復号部７６の復号結果を利用した位相同期処理が第１位相同期回路７４Ａによって実行される形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴ及び／又は上流側読取素子２６Ａ等に与えられる急峻な振動及び／又はジッタ等に起因して走行方向に生じる微小なずれ等によってずれる位相を、制御装置１８に対して予め定められた基準クロック（以下、単に「基準クロック」と称する）の位相に同期させる処理が行われるようにしてもよい。

第１等化器７４Ｃは、第１位相同期回路７４ＡによってＡＤ変換後上流側再生信号系列に対して位相同期処理が行われることで得られた第１位相同期処理後上流側再生信号系列を取得し、取得した第１位相同期処理後上流側再生信号系列に対して波形等化処理を施す。すなわち、第１等化器７４Ｃは、第１位相同期処理後上流側再生信号系列に対して、コントローラ１８Ａによって導出されたタップ係数（後述）を畳み込み演算し、畳み込み演算後の上流側再生信号系列を加算器７４Ｅに出力する。

第１等化器７４Ｃは、１次元ＦＩＲフィルタである。ＦＩＲフィルタ自体は、正負を含む実数値の系列であり、系列の行数はタップ数と称され、実数値自体はタップ係数と称される。第１等化器７４Ｃでの波形等化処理とは、第１位相同期回路７４Ａから得られた第１位相同期処理後上流側再生信号系列に対して、上記の実数値の系列、すなわち、タップ係数を畳み込み演算（積和算）する処理を指す。

ここでは、第１位相同期回路７４Ａでの処理後に第１等化器７４Ｃでの処理が実行される形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、第１等化器７４Ｃでの処理後に第１位相同期回路７４Ａでの処理が行われるようにしてもよい。この場合、第１等化器７４Ｃが第１バッファ６６からＡＤ変換後上流側再生信号系列を取得し、取得したＡＤ変換後上流側再生信号系列に対して波形等化処理を施し、ＡＤ変換後上流側波形等化処理を施して得た第１波形等化処理後上流側再生信号系列を第１位相同期回路７４Ａに出力するようにすればよい。なお、本開示の技術に係る第１実施形態では、第１等化器７４ＣによってＡＤ変換後上流側再生信号系列又は第１位相同期処理後上流側再生信号系列に対して波形等化処理が施されることで得られた上流側再生信号系列を、単に「第１波形等化処理後上流側再生信号系列」と称する。

ところで、上流側再生信号系列と同様に、磁気テープＭＴの変形、磁気テープＭＴ及び／又は読取ヘッド１６等に与えられる急峻な振動、及び磁気テープＭＴの走行時のジッタ等に起因して、下流側再生信号系列に走行方向の位相のずれが生じる場合がある。

そこで、第２位相同期回路７４Ｂは、第２バッファ７２からＡＤ変換後下流側再生信号系列を取得し、取得したＡＤ変換後下流側再生信号系列に対して位相同期処理を行う。第２位相同期回路７４Ｂでの位相同期処理とは、ＡＤ変換後下流側再生信号系列の走行方向についての位相のずれを、復号器７６での復号結果に基づいて許容可能な一定誤差範囲内に収める処理を指す。

第２位相同期回路７４Ｂには、過去の下流側再生信号系列（例えば、数ビット分だけ過去の下流側再生信号系列）の復号部７６での復号結果がフィードバックされる。そして、第２位相同期回路７４Ｂは、フィードバックされた復号結果から、過去に生じていた位相のずれを特定し、特定した位相のずれを現在に至る数ビット分の遅延を行うことで修正する。このように、第２位相同期回路７４Ｂでは、フィードバックと遅延を行うことによる修正とが繰り返されることによって、位相のずれが、許容可能な一定誤差範囲内に維持される。

なお、ここでは、復号部７６の復号結果を利用した位相同期処理が第２位相同期回路７４Ｂによって実行される形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴ及び／又は下流側読取素子２６Ｂ等に与えられる急峻な振動及び／又はジッタ等に起因して走行方向に生じる微小なずれ等によってずれる位相を基準クロックの位相に同期させる処理が行われるようにしてもよい。

第２等化器７４Ｄは、第２位相同期回路７４ＢによってＡＤ変換後下流側再生信号系列に対して位相同期処理が行われることで得られた第２位相同期処理後下流側再生信号系列を取得し、取得した第２位相同期処理後下流側再生信号系列に対して波形等化処理を施す。第２等化器７４Ｄも、第１等化器７４Ｃと同様に、１次元ＦＩＲフィルタである。第２等化器７４Ｄでの波形等化処理とは、第２位相同期回路７４Ｂから得られた第２位相同期処理後下流側再生信号系列に対して、タップ係数を畳み込み演算する処理を指す。第２等化器７４Ｄは、第２位相同期処理後下流側再生信号系列に対して、第１位相同期処理後上流側再生信号系列と同様の方法で、タップ係数を畳み込み演算し、畳み込み演算後の下流側再生信号系列を加算器７４Ｅに出力する。

ここでは、第２位相同期回路７４Ｂでの処理後に第２等化器７４Ｄでの処理が実行される形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、第２等化器７４Ｄでの処理後に第２位相同期回路７４Ｂでの処理が行われるようにしてもよい。この場合、第２等化器７４Ｄが第２バッファ７２からＡＤ変換後下流側再生信号系列を取得し、取得したＡＤ変換後下流側再生信号系列に対して波形等化処理を施し、波形等化処理を施して得た第２波形等化処理後下流側再生信号系列を第２位相同期回路７４Ｂに出力するようにすればよい。なお、本開示の技術に係る第１実施形態では、第２等化器７４ＤによってＡＤ変換後下流側再生信号系列又は第２位相同期処理後下流側再生信号系列に対して波形等化処理が施されることで得られた下流側再生信号系列を、単に「第２波形等化処理後上流側再生信号系列」と称する。

コントローラ１８Ａは、対応テーブル１８Ａ１を保持している。対応テーブル１８Ａ１には、ずれ量と、第１等化器７４Ｃ及び第２等化器７４Ｄで用いられるタップ係数とが対応付けられている。ずれ量は、上流側ずれ量と下流側ずれ量とに大別される。つまり、対応テーブル１８Ａ１には、上流側ずれ量と第１等化器７４Ｃで用いられるタップ係数とが対応付けられており、下流側ずれ量と第２等化器７４Ｄで用いられるタップ係数とが対応付けられている。第１等化器７４Ｃで用いられるタップ係数及び第２等化器７４Ｄで用いられるタップ係数には互いに異なる重みが付与されている。重みは、固定値であってもよいし、磁気テープ読取装置１０に対して入力デバイス（図示省略）を介してユーザ等から与えられた指示に従って変化する可変値であってもよい。第１等化器７４Ｃで用いられるタップ係数、及び第２等化器７４Ｄで用いられるタップ係数は、本開示の技術に係る「２次元ＦＩＲフィルタで用いられるパラメータ」の一例である。なお、以下では、説明の便宜上、上流側ずれ量と下流側ずれ量とを区別して説明する必要がない場合、単に「ずれ量」と称する。

対応テーブル１８Ａ１でのずれ量とタップ係数との組み合わせは、例えば、実機による試験及び／又はシミュレーションが実施された結果に基づいて、加算器７４Ｅ（後述）によって最良の合成データが得られるずれ量とタップ係数との組み合わせとして予め得られた組み合わせである。

ここで言う「最良の合成データ」とは、例えば、信号対ノイズ比（ＳＮＲ）が既定値（例えば、事前に想定される最大値として予め定められた値）以上になる合成データ、すなわち、許容される範囲内にノイズが抑えられた合成データを指す。ＳＮＲが既定値以上になる合成データの生成は、例えば、タップ係数の組み合わせの中で既定値以上のＳＮＲが得られるタップ係数の組み合わせが算出され、算出されたタップ係数の組み合わせが採用されることによって実現される。なお、既定値以上のＳＮＲが得られるタップ係数の組み合わせを算出する方法としては、例えば、Ｗｅｉｎｅｒ－Ｈｏｐｆ方程式を解くという方法が挙げられる。

また、既定値以上になるＳＮＲが得られるタップ係数の組み合わせを決定する他の方法としては、例えば、適応型フィルタを用いて決定する方法が考えられる。この場合、教師データとリアルタイム再生信号系列との差分が誤差として定義され、定義された誤差を埋めるようにＦＩＲのタップ係数を修正するフィードバックが適応型フィルタに対して行われる。このように適応型フィルタに対して誤差をフィードバックさせることで適応型フィルタのタップ係数が最適値に収束され、これによって得られたタップ係数が対応テーブル１８Ａ１のタップ係数として用いられる。ここで言う「最適値」とは、例えば、許容可能な誤差範囲内の値を指す。また、ここで言う「教師データ」とは、例えば、実機による試験及び／又はコンピュータ・シミュレーション等によって理想的な再生信号系列として予め定められた理想信号を指す。また、ここで言う「リアルタイム再生信号系列」とは、磁気テープ読取装置１０によってリアルタイムで得られた波形等化後再生信号系列を指す。

なお、ここでは、対応テーブル１８Ａ１を例示しているが、本開示の技術はこれに限らず、対応テーブル１８Ａ１に代えて演算式を採用してもよい。ここで言う「演算式」とは、例えば、独立変数をずれ量とし、従属変数をタップ係数とした演算式を指す。

コントローラ１８Ａは、Ａ／Ｄ変換器５６から入力された上流側サーボ信号に基づいて上流側ずれ量を導出し、導出した上流側ずれ量に対応するタップ係数を対応テーブル１８Ａ１から取得する。すなわち、第１等化器７４Ｃで用いられるタップ係数は、上流側ずれ量に応じて定められる。コントローラ１８Ａは、上流側ずれ量に対応するタップ係数を第１等化器７４Ｃに出力する。第１等化器７４Ｃは、コントローラ１８Ａから入力されたタップ係数を用いて、第１位相同期処理後再生信号系列に対して波形等化処理を施す。

コントローラ１８Ａは、Ａ／Ｄ変換器６０から入力された下流側サーボ信号に基づいて下流側ずれ量を導出し、導出した下流側ずれ量に対応するタップ係数を対応テーブル１８Ａ１から取得する。すなわち、第２等化器７４Ｄで用いられるタップ係数は、下流側ずれ量に応じて定められる。コントローラ１８Ａは、下流側ずれ量に対応するタップ係数を第１等化器７４Ｄに出力する。第１等化器７４Ｄは、コントローラ１８Ａから入力されたタップ係数を用いて、第２位相同期処理後再生信号系列に対して波形等化処理を施す。

加算器７４Ｅは、第１等化器７４Ｃから入力された第１波形等化処理後再生信号系列と、第２等化器７４Ｄから入力された第２波形等化処理後再生信号系列とを加算することで合成し、合成して得た合成データを復号部７６に出力する。なお、ここでは、加算器７４Ｅによって第１波形等化処理後再生信号系列と第２波形等化処理後再生信号系列とが単純に加算される。そのため、第１等化器７４Ｃ及び第２等化器７４Ｄの各々での１次元ＦＩＲフィルタで用いられるタップ係数は、加算器７４Ｅによって第１波形等化処理後再生信号系列と第２波形等化処理後再生信号系列とが単純に加算されることを前提として調整されて定められている。ここでは、加算器７４Ｅによる単純な加算を例示しているが、本開示の技術はこれに限定されず、例えば、第１波形等化処理後再生信号系列と第２波形等化処理後再生信号系列とが加算平均されてもよい。この場合も、加算器７４Ｅによって加算平均されることを前提として第１等化器７４Ｃ及び第２等化器７４Ｄの各々での１次元ＦＩＲフィルタで用いられるタップ係数が調整されて定められるようにすればよい。

このように、合成部７４では、第１波形等化処理後再生信号系列及び第２波形等化処理後再生信号系列に対して２次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理が行われ、波形等化処理が行われることで得られた合成データが復号部７６に出力される。

復号部７６は、加算器７４Ｅから入力された合成データを復号し、復号して得た復号信号をコンピュータ７８に出力する。コンピュータ７８は、復号部７６から入力された復号信号に対して各種処理を施す。

一例として図８に示すように、上流側読取素子２６Ａは、単一トラック３０Ａから脱落しない位置に配置されている。つまり、換言すると、上流側読取素子２６Ａは、単一トラック３０Ａの幅内に収まるように配置されている。上流側読取素子２６Ａの大きさは、単一トラック３０Ａに収まる大きさである。図８に示す例では、上流側読取素子２６Ａの幅（テープ幅方向の長さ）は、単一トラック３０Ａの幅の１／５程度である。上流側読取素子２６Ａの幅は、単一トラック３０Ａの幅の１／３から１未満であればよい。なお、下流側読取素子２６Ｂと単一トラック３０Ａとの関係についても、上流側読取素子２６Ａと単一トラック３０Ａとの関係と同様のことが言える。

ところで、一例として図８に示すように、上流側サーボ素子３６Ａは、磁気テープＭＴ及び／又は読取ヘッド１６に対する外部から与えられる振動及び／又は磁気テープＭＴの変形等（以下、「環境条件」と称する）が原因で、読取経路Ｐ１が蛇行する。これに伴って、上流側読取素子２６Ａによる単一トラック３０Ａからのデータの読取経路（以下、「上流側読取素子経路」とも称する）も蛇行する。本発明者等は、単一トラック３０Ａの幅が１．０μｍという条件下で、単一トラック３０Ａのテープ幅方向の中心ＣＬ１と上流側読取素子経路の平均的な位置ＣＬ２とのずれ量（トラックオフセット）Ｔ_ｏｆｆ毎に１回読み取りのＳＮＲと２回読み取りのＳＮＲとを比較した。ここで言う「１回読み取りのＳＮＲ」とは、例えば、第１等化器７４Ｃによって波形等化処理が施された第１波形等化処理後再生信号系列のＳＮＲを指し、２回読み取りのＳＮＲとは、例えば、加算器７４Ｅから得られた合成データのＳＮＲを指す。

上記のように１回読み取りのＳＮＲと２回読み取りのＳＮＲとの比較を行ったところ、本発明者等は、２回読み取りのＳＮＲが１回読み取りのＳＮＲに比べ、最大で２．５ｄＢ（デシベル）程度大きいことを確認した。また、本発明者等は、トラックオフセットの絶対値が大きい場合、すなわち、単一トラック３０Ａの端部において生じる急峻なＳＮＲの低下も、１回読み取りのＳＮＲに比べ２回読み取りのＳＮＲの方が緩和されることも確認した。なお、本発明者等は、単一トラック３０Ａの幅が０．５μｍ等の場合であっても同様の結果が得られることも確認した。

このように、２回読み取りのＳＮＲが１回読み取りのＳＮＲに比べ良好になる一因としては、一例として図９に示すように、単一トラック３０Ａの幅方向の範囲内でデータの読取経路が上流側読取素子２６Ａと下流側読取素子２６Ｂとで異なることが挙げられる。

図９に示す例でも、上流側サーボ素子３６Ａと同様に、下流側サーボ素子３６Ｂは、環境条件が原因で、読取経路Ｐ２が蛇行する。これに伴って、下流側読取素子２６Ｂによる単一トラック３０Ａからのデータの読取経路（以下、「下流側読取素子経路」とも称する）も蛇行する。特定範囲内で、上流側読取素子２６Ａによるデータの読み取りが行われる場合の環境条件と下流側読取素子２６Ｂによるデータの読み取りが行われる場合の環境条件とは異なる。そのため、上流側読取素子経路と下流側読取素子経路とが異なる。すなわち、環境条件に起因して上流側読取素子経路と下流側読取素子経路とが互いに異なる読取経路となる。

上流側読取素子経路と下流側読取素子経路とが異なるということは、上流側読取素子２６Ａ又は下流側読取素子２６Ｂによってデータの読み取りが行われる場合に比べ、単一トラック３０Ａの幅方向について広い範囲でデータの読み取りが行われることを意味する。また、一般的に、単一トラック３０Ａの幅方向において磁性体の不均一性及び／又は表面形状の不均一性が原因となり、再生信号の品質がばらつくことが知られている。

しかし、読取部２６によってデータの読み取りが行われることにより、上流側読取素子２６Ａ及び下流側読取素子２６Ｂのうちの一方ではデータの読み取りが不十分であったとしても、他方で不足分を補うことが可能となる。

なお、上記の「再生信号の品質」は、例えば、再生信号の振幅の大きさ及び／又は再生信号に対するノイズ（例えば、高周波ノイズ）の割合等によって定められる。ここで、高品質の再生信号とは、例えば、振幅の大きさが設計上及び製造上許容された誤差範囲内であり、かつ、設計上及び製造上許容不可のノイズが重畳されていない再生信号を指す。一方、低品質の再生信号とは、例えば、振幅の大きさが設計上及び製造上許容された誤差範囲から外れており、かつ、設計上及び製造上許容不可のノイズが重畳されている再生信号を指す。ここで説明した品質の基準は、あくまでも一例に過ぎず、品質の基準は様々であることは言うまでもない。

一例として図９に示すように、上流側読取素子経路で読み取られた再生信号は、増幅され、Ａ／Ｄ変換される。これによって得られたＡＤ変換後上流側再生信号系列に対して位相同期処理が施される。位相同期処理が施された第１位相同期処理後再生信号系列は第１等化器７４Ｃに出力される。第１等化器７４Ｃでは、入力された第１位相同期処理後再生信号系列に対して１次元ＦＩＲフィルタによって波形等化処理が施される。

一方、下流側読取素子経路で読み取られた再生信号も、増幅され、Ａ／Ｄ変換される。これによって得られたＡＤ変換後下流側再生信号系列に対して位相同期処理が施される。位相同期処理が施された第２位相同期処理後再生信号系列は第２等化器７４Ｄに出力される。第２等化器７４Ｄでは、入力された第２位相同期処理後再生信号系列に対して１次元ＦＩＲフィルタによって波形等化処理が施される。

加算器７４Ｅは、第１等化器７４Ｃで波形等化処理が施された第１位相同期処理後再生信号系列と第２等化器７４Ｄで波形等化処理が施された第２位相同期処理後再生信号系列とを加算することで合成データを生成する。

次に、磁気テープ読取装置１０の本開示の技術に係る部分の作用について図１０を参照しながら説明する。

図１０には、磁気テープＭＴが制御装置１８の制御下で走行方向に沿って走行している状態において制御装置１８によって実行される磁気テープ読取処理の流れの一例が示されている。なお、以下では、上流側サーボ信号と下流側サーボ信号とを区別して説明する必要がない場合、単に「サーボ信号」と称する。また、以下では、現時点での読取ヘッド１６の単一トラック３０Ａ内での位置がコントローラ１８Ａによってサーボ信号に基づいて特定されることを前提として説明する。また、ここでは、説明の便宜上、特定範囲が数十メートルから数百メートルの範囲であることを前提として説明する。

図１０に示す磁気テープ読取処理では、先ず、ステップＳＴ１０で、コントローラ１８Ａは、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲のスタート位置に到達したか否かを判定する。ステップＳＴ１０において、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲のスタート位置に到達していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１０の判定が再び行われる。ステップＳＴ１０において、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲のスタート位置に到達した場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１２へ移行する。

ステップＳＴ１２で、信号処理回路１８Ｂは、上流側読取素子２６Ａ及び下流側読取素子２６Ｂの各々から再生信号を取得し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１４へ移行する。

ステップＳＴ１４で、信号処理回路１８Ｂは、ステップＳＴ１２で取得した再生信号に対してデジタル化処理を施し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１６へ移行する。本ステップＳＴ１４では、上流側読取素子２６Ａからの再生信号に対して増幅及びＡ／Ｄ変換が行われることでＡＤ変換後上流側再生信号系列が生成される。また、本ステップＳＴ１４では、下流側読取素子２６Ｂからの再生信号に対して増幅及びＡ／Ｄ変換が行われることでＡＤ変換後下流側再生信号系列が生成される。

ステップＳＴ１６で、第１位相同期回路７４Ａは、ＡＤ変換後上流側再生信号系列に対して位相同期処理を行い、第２位相同期回路７４Ｂは、ＡＤ変換後下流側再生信号系列に対して位相同期処理を行い、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１８へ移行する。ＡＤ変換後上流側再生信号系列に対して位相同期処理が行われることで第１位相同期処理後再生信号系列が得られ、ＡＤ変換後下流側再生信号系列に対して位相同期処理が行われることで第２位相同期処理再生信号系列が得られる。

ステップＳＴ１８で、コントローラ１８Ａは、サーボ信号に基づいてずれ量を導出し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ２０へ移行する。

ステップＳＴ２０で、コントローラ１８Ａは、ステップＳＴ１８で導出したずれ量に対応するタップ係数を対応テーブル１８Ａ１から導出し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ２２へ移行する。すなわち、ステップＳＴ２０では、上流側ずれ量に対応するタップ係数と下流側ずれ量に対応するタップ係数とが導出される。

ステップＳＴ２２で、第１等化器７４Ｃは、上流側ずれ量に対応するタップ係数をコントローラ１８Ａから取得する。また、ステップＳＴ２２で、第２等化器７４Ｄは、下流側ずれ量に対応するタップ係数をコントローラ１８Ａから取得し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ２４へ移行する。

ステップＳＴ２４で、第１等化器７４Ｃは、第１位相同期処理後再生信号系列に対して、上流側ずれ量に対応するタップ係数を用いて１次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理を行う。また、ステップＳＴ２４で、第２等化器７４Ｄは、第２位相同期処理後再生信号系列に対して、下流側ずれ量に対応するタップ係数を用いて１次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理を行い、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ２６へ移行する。

ステップＳＴ２６で、加算器７４Ｅは、第１等化器７４Ｃによって第１位相同期処理後再生信号系列に対して波形等化処理が施されることで得られた第１波形等化処理後再生信号系列と第２等化器７４Ｄによって第２位相同期処理後再生信号系列に対して波形等化処理が施されることで得られた第２波形等化処理後再生信号系列とを加算することで合成データを生成する。そして、加算器７４Ｅは、生成した合成データを復号部７６に出力し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ２８へ移行する。

ステップＳＴ２８で、コントローラ１８Ａは、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲の終了位置に到達したか否かを判定する。ステップＳＴ１６において、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲の終了位置に到達していない場合は、判定が否定されて、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１２へ移行する。ステップＳＴ２８において、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲の終了位置に到達した場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理が終了する。

以上説明したように、磁気テープ読取装置１０では、読取部２６によりリニアスキャン方式でデータの読み取りが複数回行われる。そして、読取部２６によりリニアスキャン方式でデータが複数回読み取られて得られた上流側再生信号系列及び下流側再生信号系列が合成部７４によって合成される。

磁気テープ読取装置１０によれば、読取部２６によりリニアスキャン方式での読み取りが行われるので、ヘリカルスキャン方式に比べ、オフトラックの発生頻度が抑制される。そのため、磁気テープ読取装置１０の合成部７４によって得られた合成データは、ヘリカルスキャン方式によるデータの読み取りで得られる再生信号系列に比べ、信号対ノイズが高い。また、単一トラック３０Ａの特定範囲内での１回目のデータの読み取りと２回目のデータの読み取りとでは読取経路が異なるので、１回のみのデータの読み取りの場合に比べ、単一トラック３０Ａのテープ幅方向においてデータが幅広く読み取られる。これも、信号対ノイズ比の向上に寄与する。従って、磁気テープ読取装置１０によれば、単一トラック３０Ａからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、単一トラック３０Ａからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、複数の読取部２６の各々によりリニアスキャン方式でデータの読み取りが複数回行われる。そして、読取部２６毎に、リニアスキャン方式でデータが複数回読み取られて得られた上流側再生信号系列及び下流側再生信号系列が合成部７４によって合成される。

磁気テープ読取装置１０によれば、読取部２６によりリニアスキャン方式での読み取りが行われるので、ヘリカルスキャン方式に比べ、オフトラックの発生頻度が抑制される。そのため、磁気テープ読取装置１０の合成部７４によって得られた合成データは、ヘリカルスキャン方式によるデータの読み取りで得られる再生信号系列に比べ、信号対ノイズが高い。また、各読取部２６に各々対応する単一トラック３０Ａの特定範囲内での１回目のデータの読み取りと２回目のデータの読み取りとでは読取経路が異なるので、１回のみのデータの読み取りの場合に比べ、各読取部２６に各々対応する単一トラック３０Ａのテープ幅方向においてデータが幅広く読み取られる。これも、信号対ノイズ比の向上に寄与する。従って、磁気テープ読取装置１０によれば、各読取部２６の各々に対応する単一トラック３０Ａからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、各読取部２６の各々に対応する単一トラック３０Ａからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、上流側読取素子経路と下流側読取素子経路とが、単一トラック３０Ａの特定範囲内において、磁気テープＭＴ及び／又は読取部２６に対して影響を与える環境条件に起因して互いに異なる読取経路となる。環境条件は、上流側読取素子２６Ａによる読み取り及び下流側読取素子２６Ｂによる読み取りの各々で不可抗力的に変動する。環境条件が不可効力的に変動することで、上流側読取素子経路と下流側読取素子経路とが互いに異なる読取経路となる。上流側読取素子経路と下流側読取素子経路とが互いに異なる読取経路となることで、上流側読取素子経路と下流側読取素子経路との読取経路が完全一致している場合に比べ、単一トラック３０Ａのテープ幅方向においてデータが幅広く読み取られる。従って、上流側読取素子経路と下流側読取素子経路との読取経路が完全一致している場合に比べ、データが読み取られることで得られた再生信号系列の信号対ノイズ比を高くすることができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、上流側読取素子２６Ａ及び下流側読取素子２６Ｂの各々に対して特定範囲からデータを読み取らせることで結果的に読取部２６に対して特定範囲からデータを複数回読み取らせている。従って、単一の読取素子のみで特定範囲のデータを複数回読み取らせる場合に比べ、特定範囲のデータを短時間で複数回読み取らせることができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、信号処理回路１８Ｂによって再生信号系列に対して信号処理が施される。従って、再生信号系列に対して信号処理が施されない場合に比べ、磁気テープ読取装置１０から出力される最終的な信号の信頼性を高めることができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、ＡＤ変換後上流側再生信号系列及びＡＤ変換後下流側再生信号系列の各々の磁気テープＭＴの走行方向についての位相を同期させる位相同期処理が行われる。従って、位相同期処理が行われない場合に比べ、磁気テープ読取装置１０から出力される最終的な信号の信頼性を高めることができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、第１位相同期処理後再生信号系列及び第２位相同期処理後再生信号系列の各々に対して波形等化処理が施される。従って、上流側再生信号系列及び下流側再生信号系列の各々に対して波形等化処理が施されない場合に比べ、磁気テープ読取装置１０から出力される最終的な信号の信頼性を高めることができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、第１位相同期処理後再生信号系列及び第２位相同期処理後再生信号系列の各々に対して２次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理が施される。従って、第１位相同期処理後再生信号系列又は第２位相同期処理後再生信号系列のみに対して１次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理が施される場合に比べ、磁気テープ読取装置１０から出力される最終的な信号の信頼性を高めることができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、波形等化処理で用いられるタップ係数はずれ量に応じて定められる。従って、磁気テープ読取装置１０は、タップ係数がずれ量とは関連性のないパラメータに応じて定められる場合に比べ、２次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理の精度を高めることができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、ずれ量は、サーボパターン３２をサーボ素子対３６が読み取ることで得た結果に応じて定められる。従って、磁気テープ読取装置１０は、磁気テープＭＴにサーボパターン３２が付与されていない場合に比べ、容易にずれ量を定めることができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、サーボ素子対３６による読取動作に同期して読取部による読取動作が行われる。従って、磁気テープ読取装置１０は、サーボパターンとデータとを同期して読み取ることができないヘリカルスキャン方式に比べ、オフトラックの発生頻度を低くすることができる。

また、磁気テープ読取装置１０では、第１バッファ６６及び第２バッファ７２を介して合成部７４により第１波形等化処理後再生信号系列と第２波形等化処理後再生信号系列とが合成される。従って、バッファを介さずに合成が行われる場合に比べ、得られる合成データの精度を高めることができる。

なお、上記第１実施形態では、図１０に示すように、読取部２６が特定範囲のスタート位置に到達してから特定範囲の終了位置に到達するまでの間、再生信号が取得される毎に、ステップＳＴ１４～ステップＳＴ２６の処理が繰り返し行われる形態例を挙げて説明したが本開示の技術はこれに限定されない。例えば、読取部２６が特定範囲のスタート位置に到達してから特定範囲の終了位置に到達するまでの間にステップＳＴ１２～ステップＳＴ１８のまでの処理が繰り返し行われ、その後に、ステップＳＴ２０以降の処理が行われるようにしてもよい。この場合、ステップＳＴ１２～ステップＳＴ１８のまでの処理が繰り返し行われることによって得られた上流側再生信号系列、下流側再生信号系列、上流側ずれ量、及び下流側ずれ量の各々が時系列でバッファ（図示省略）等によって保持されるようにする。そして、時系列で保持されている上流側ずれ量の各々に対応するタップ係数、及び時系列で保持されている下流側ずれ量の各々に対応するタップ係数が、対応テーブル１８Ａ１に基づいて導出されるようにすればよい。

また、本開示の技術はこれに限定されず、例えば、読取部２６が特定範囲のスタート位置に到達してから特定範囲の終了位置に到達するまでの間にステップＳＴ１２～ステップＳＴ２０のまでの処理が繰り返し行われるようにしてもよい。この場合、ステップＳＴ１２～ステップＳＴ２０のまでの処理が繰り返し行われることによって得られた上流側ずれ量に対応するタップ係数、及び下流側ずれ量に対応するタップ係数の各々が時系列でバッファ（図示省略）等によって保持されるようにする。そして、時系列で保持されているタップ係数に基づいて第１位相同期処理後再生信号系列及び第２位相同期処理後再生信号系列の各々に対して波形等化処理が行われるようにすればよい。

また、上記第１実施形態では、不可抗力的に生じる環境条件の変動を利用して上流側読取素子経路と下流側読取素子経路との互いの読取経路を異ならせる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、上流側読取ヘッド１６Ａ及び／又は下流側読取ヘッド１６Ｂをテープ幅方向に移動させることで上流側読取素子経路と下流側読取素子経路との互いの読取経路を異ならせるようにしてもよい。

この場合、一例として図１１に示すように、コントローラ１８Ａの制御下で、上流側移動機構４０及び／又は下流側移動機構４２を作動させることで、上流側読取素子経路と下流側読取素子経路をテープ幅方向に移動させる。すなわち、上流側移動機構４０及び／又は下流側移動機構４２を作動させることで、上流側読取素子２６Ａと下流側読取素子２６Ｂとが単一トラック３０Ａから脱落しない範囲内で上流側読取素子２６Ａと下流側読取素子２６Ｂとのテープ幅方向の位置を変える。これにより、単一の読取素子により単一トラック３０Ａのデータの読み取りが行われる場合に比べ、単一トラック３０Ａのテープ幅方向でのデータの読み取り範囲を広げることができる。

また、上記第１実施形態では、図１０に示す磁気テープ読取処理において、ステップＳＴ１０からステップＳＴ２８の間において、ステップＳＴ１６、ステップＳＴ２２、ステップＳＴ２４、及びステップＳＴ２６の各処理が実行される形態例を挙げて説明したが、これはあくまでも一例に過ぎず、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、一例として図１９に示すように、ステップＳＴ２８の判定が肯定された場合に、ステップＳＴ１６に相当するステップＳＴ３０、ステップＳＴ２２に相当するステップＳＴ３２、ステップＳＴ２４に相当するステップＳＴ３４、及びステップＳＴ２６に相当するステップＳＴ３６の各処理が実行されるようにしてもよい。なお、図１０及び図１９に示す磁気テープ読取処理に含まれる各処理はあくまでも一例であり、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

［第２実施形態］
上記第１実施形態では、読取ヘッド１６によるデータの読取対象領域がトラック領域３０のみの場合について説明したが、本開示の技術に係る第２実施形態では、複数のトラック領域３０がデータの読取対象領域の場合について説明する。なお、本開示の技術に係る第２実施形態では、上記第１実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。以下では、上記第１実施形態と異なる部分について説明する。

一例として図１２に示すように、本開示の技術に係る第２実施形態に係る磁気テープＭＴは、上記第１実施形態に係る磁気テープＭＴに比べ、テープ幅方向に複数のトラック領域３０を有する点が異なる。本開示の技術に係る第２実施形態に係る磁気テープＭＴ（本開示の技術に係る第２実施形態では、単に「磁気テープＭＴ」と称する）では、サーボパターン３２が形成されている領域（以下、「サーボパターン領域」と称する）を介して等間隔にトラック領域３０が形成されている。トラック領域３０は、複数のトラックを有しているので、磁気テープＭＴが複数のトラック領域３０を有するということは、磁気テープＭＴが、複数のトラックをテープ幅方向に複数組有するということを意味する。

本開示の技術に係る第２実施形態に係る磁気テープ読取装置１０は、上記第１実施形態に係る磁気テープ読取装置１０に比べ、上流側移動機構４０に代えて上流側移動機構１００を有する点が異なる。また、本開示の技術に係る第２実施形態に係る磁気テープ読取装置１０（本開示の技術に係る第２実施形態では、単に「磁気テープ読取装置１０」と称する）は、上記第１実施形態に係る磁気テープ読取装置１０に比べ、下流側移動機構４２に代えて下流側移動機構１０２を有する点が異なる。なお、上流側移動機構１００及び下流側移動機構１０２は、本開示の技術に係る「第１移動機構」の一例である。

上流側移動機構１００及び下流側移動機構１０２の各々は、磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端側から他端側にかけて磁気テープＭＴを横断するように磁気テープＭＴを跨いで配置されている。

上流側移動機構１００には、上流側読取ヘッド１６Ａが磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端側から他端側にかけて移動可能に取り付けられている。また、下流側移動機構１０２には、下流側読取ヘッド１６Ｂが磁気テープＭＴのテープ幅方向の一端側から他端側にかけて移動可能に取り付けられている。

コントローラ１８Ａは、モータ４４を制御することで、上流側移動機構１００を作動させ、上流側読取ヘッド１６Ａをテープ幅方向に移動させる。上流側読取ヘッド１６Ａの移動先は、コントローラ１８Ａによって指定されたトラック領域３０上である。すなわち、上流側移動機構１００は、複数の上流側読取素子２６Ａの各々がコントローラ１８Ａによって指定されたトラック領域３０内の対応する単一トラック３０Ａ上に位置するように上流側読取ヘッド１６Ａをテープ幅方向に移動させる。コントローラ１８Ａの制御の下、磁気テープＭＴが走行している状態で、上流側読取ヘッド１６Ａに含まれる各上流側読取素子２６Ａは、移動先のトラック領域３０内の対応する単一トラック３０Ａからデータを読み取る。

コントローラ１８Ａは、モータ４６を制御することで、下流側移動機構１０２を作動させ、下流側読取ヘッド１６Ｂをテープ幅方向に移動させる。下流側読取ヘッド１６Ｂの移動先は、コントローラ１８Ａによって指定されたトラック領域３０上である。すなわち、下流側移動機構１０２は、複数の下流側読取素子２６Ｂの各々がコントローラ１８Ａによって指定されたトラック領域３０内の対応する単一トラック３０Ａ上に位置するように下流側読取ヘッド１６Ｂをテープ幅方向に移動させる。コントローラ１８Ａの制御の下、磁気テープＭＴが走行している状態で、下流側読取ヘッド１６Ｂに含まれる各下流側読取素子２６Ｂは、移動先のトラック領域３０内の対応する単一トラック３０Ａからデータを読み取る。なお、複数のトラック領域３０Ａ間において、下流側読取ヘッド１６Ｂは、コントローラ１８Ａの制御下で、上流側読取ヘッド１６Ａと同方向に同距離だけ移動する。すなわち、複数のトラック領域３０Ａ間において、上流側読取ヘッド１６Ａ及び下流側読取ヘッド１６Ｂは、コントローラ１８Ａの制御下で、一方が他方に追従する。

次に、磁気テープ読取装置１０の本開示の技術に係る部分の作用について図１３を参照しながら説明する。

図１３には、磁気テープＭＴが制御装置１８の制御下で走行方向に沿って走行している状態において制御装置１８によって実行される読取領域変更処理の流れの一例が示されている。

図１３に示す読取領域変更処理では、先ず、ステップＳＴ５０で、コントローラ１８Ａは、入力されたサーボ信号に基づいて、読取ヘッド１６によるデータの読取領域であるトラック領域３０を変更する位置（以下、「読取領域変更位置」と称する）に到達したか否かを判定する。読取領域変更位置は、コントローラ１８Ａによって指定された位置である。例えば、上記第１実施形態で説明した特定範囲がトラック領域３０毎に走行方向において異なる位置に定められている場合、読取領域変更位置としては、例えば、１つのトラック領域３０の特定範囲の終了位置が挙げられる。

ステップＳＴ５０において、読取部２６が読取領域変更位置に到達していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ５０の判定が再び行われる。ステップＳＴ５０において、読取部２６が読取領域変更位置に到達した場合は、判定が肯定されて、読取領域変更処理はステップＳＴ５２へ移行する。

ステップＳＴ５２で、コントローラ１８Ａは、モータ４４，４６を制御することで、読取ヘッド１６を次の読取領域に移動させる。次の読取領域とは、コントローラ１８Ａによって指定されたトラック領域３０である。すなわち、コントローラ１８Ａは、モータ４４，４６を制御することで、現時点で読取ヘッド１６が位置しているトラック領域３０とは異なり、かつ、コントローラ１８Ａによって指定されたトラック領域３０上に読取ヘッド１６を移動させる。

ステップＳＴ５２の処理が実行されることで読取ヘッド１６によるデータの読取領域であるトラック領域３０が変更されると、上記第１実施形態で説明した磁気テープ読取処理が読取部２６単位で制御装置１８によって実行される。

ステップＳＴ５４で、コントローラ１８Ａは、読取領域変更処理を終了する条（以下、「読取領域変更処理終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。読取領域変更処理終了条件としては、例えば、磁気テープＭＴの終点に達したとの条件、又は、読取領域変更処理を終了する指示が磁気テープ読取装置１０に対して与えられたとの条件等が挙げられる。ステップＳＴ５４において、読取領域変更処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、読取領域変更処理はステップＳＴ５０へ移行する。ステップＳＴ５４において、読取領域変更処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、読取領域変更処理が終了する。

以上説明したように、磁気テープ読取装置１０では、コントローラ１８Ａが、複数のトラック領域３０のうちの指定されたトラック領域３０内の複数のトラックに複数の読取部２６が配置されるように読取ヘッド１６を移動させている。そして、読取部２６の各々について上記第１実施形態で説明した磁気テープ読取処理が実行される。従って、磁気テープＭＴが複数のトラック領域３０を有する場合であっても、各トラック領域３０内の各トラックについて、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。

なお、上記第２実施形態では、コントローラ１８Ａによって指定されたトラック領域３０上に上流側読取ヘッド１６Ａ及び下流側読取ヘッド１６Ｂを配置させてデータを読み取らせる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴのテープ幅方向の全トラック領域３０の各々に対して上流側読取ヘッド１６Ａ及び下流側読取ヘッド１６Ｂを配置させて各トラック領域３０のデータを上流側読取ヘッド１６Ａ及び下流側読取ヘッド１６Ｂに読み取らせるようにしてもよい。全トラック領域３０の各々に対して上流側読取ヘッド１６Ａ及び下流側読取ヘッド１６Ｂを配置させてデータを読み取らせる場合、例えば、テープ幅方向の一端側から他端側にかけて上流側読取ヘッド１６Ａ及び下流側読取ヘッド１６Ｂを各トラック領域３０上に配置させてデータを読み取らせればよい。

［第３実施形態］

上記第２実施形態では、上流側読取素子２６Ａ及び下流側読取素子２６Ｂによりデータの読み取りを行わせることで複数回の読み取りが実現される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術に係る第３実施形態では、単一の読取素子で複数回の読み取りが行われる場合について説明する。なお、本開示の技術に係る第３実施形態では、上記第２実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。以下では、上記第２実施形態と異なる部分について説明する。

本開示の技術に係る第３実施形態に係る磁気テープ読取装置１０は、上記第２実施形態に係る磁気テープ読取装置１０に比べ、読取ヘッド１６に代えて読取ヘッド１６０を有する点が異なる。読取ヘッド１６０は、読取ヘッド１６に比べ、下流側読取ヘッド１６Ｂを有しない点が異なる。また、読取ヘッド１６０は、上流側読取ヘッド１６Ａの上流側読取素子２６Ａに相当する読取素子２６Ａ１を有する。本開示の技術に係る第３実施形態に係る磁気テープ読取装置１０では、単一トラック３０Ａにつき１つの読取素子２６Ａ１が割り当てられる。読取素子２６Ａ１は、本開示の技術に係る「１つの読取素子」の一例である。

読取ヘッド１６０は、上流側読取ヘッド１６Ａの上流側サーボ素子対３６に相当するサーボ素子対３６０を有する。サーボ素子対３６０は、上流側サーボ素子対３６の上流側サーボ素子３６Ａに相当するサーボ素子３６Ａ１を有し、かつ、上流側サーボ素子対３６の上流側サーボ素子３６Ｂに相当するサーボ素子３６Ｂ１を有する。

本開示の技術に係る第３実施形態に係る磁気テープ読取装置１０（本開示の技術に係る第３実施形態では、単に「磁気テープ読取装置１０」と称する）では、コントローラ１８Ａが、送出モータ２０及び巻取モータ２４を制御することで、磁気テープＭＴを走行させる。磁気テープＭＴの走行方向は、読取走行方向と巻戻し走行方向とに大別される。読取走行方向は、磁気テープＭＴの順方向に相当する方向であり、巻戻し走行方向は、磁気テープＭＴの逆方向に相当する方向である。コントローラ１８Ａは、読取ヘッド１６０によるデータの読み取りを行う場合は読取走行方向に沿って磁気テープＭＴを走行させ、磁気テープＭＴを巻き戻す場合は巻戻し走行方向に沿って磁気テープＭＴを走行させる。そして、コントローラ１８Ａは、特定範囲内で磁気テープＭＴを読取走行方向に沿って２回走行させることで、読取素子２６Ａ１に対して、単一トラック３０Ａについての特定範囲内で２回のデータの読み取りを行わせる。

一例として図１５に示すように、磁気テープ読取装置１０は、制御装置３００を有する。制御装置３００は、図６に示す制御装置１８に比べ、信号処理回路１８Ｂに代えて信号処理回路３１８Ｂを有する点が異なる。信号処理回路３１８Ｂは、信号処理回路１８Ｂに比べ、増幅器６８、Ａ／Ｄ変換器７０、及び第２バッファ７２を有しない点が異なる。また、信号処理回路３１８Ｂは、信号処理回路１８Ｂに比べ、第１バッファ６６に代えてバッファ３６６を有する点が異なる。更に、信号処理回路３１８Ｂは、信号処理回路１８Ｂに比べ、合成部７４に代えて合成部３０２を有する点が異なる。

Ａ／Ｄ変換器６４は、増幅器６２から入力された再生信号をＡ／Ｄ変換する。Ａ／Ｄ変換器６４は、再生信号をＡ／Ｄ変換することで得たデジタル信号をＡＤ変換後再生信号系列としてバッファ３６６に出力する。バッファ３６６は、Ａ／Ｄ変換器６４から入力されたＡＤ変換後再生信号系列を一時的に保持する。

本開示の技術に係る第３実施形態において、ＡＤ変換後再生信号系列は、ＡＤ変換後第１再生信号系列とＡＤ変換後第２再生信号系列とに大別される。ＡＤ変換後第１再生信号系列は、上記第１実施形態で説明した上ＡＤ変換後流側第１再生信号系列に相当する再生信号系列であり、ＡＤ変換後第２再生信号系列は、上記第１実施形態で説明したＡＤ変換後下流側再生信号系列に相当する再生信号系列である。

ＡＤ変換後第１再生信号系列は、１回目のデータの読み取りで得られた再生信号系列であり、ＡＤ変換後第２再生信号系列は、２回目のデータの読み取りで得られた再生信号系列である。１回目のデータの読み取りとは、単一トラック３０Ａについての特定範囲内で読取ヘッド１６０を用いて２回のデータの読み取りを行った場合の１回目のデータの読み取りを指す。２回目のデータの読み取りとは、単一トラック３０Ａについての特定範囲内で読取ヘッド１６０を用いて２回のデータの読み取りを行った場合の２回目のデータの読み取りを指す。

一例として図１６に示すように、合成部３０２は、図７に示す合成部７４に比べ、第１位相同期回路７４Ａに代えて第１位相同期回路３０２Ａを有する点、及び第２位相同期回路７４Ｂに代えて第２位相同期回路３０２Ｂを有する点が異なる。第１位相同期回路３０２Ａは、バッファ３６６からＡＤ変換後第１再生信号系列を取得し、取得したＡＤ変換後第１再生信号系列に対して、上記第１実施形態で説明した方法で位相同期処理を行う。第２位相同期回路３０２Ｂは、バッファ３６６からＡＤ変換後第２再生信号系列を取得し、取得した第ＡＤ変換後第２再生信号系列に対して、上記第１実施形態で説明した方法で位相同期処理を行う。ＡＤ変換後第１再生信号系列に対して位相同期処理が行われることで位相同期処理後第１再生信号系列が得られ、ＡＤ変換後第２再生信号系列に対して位相同期処理が行われることで位相同期処理後第２再生信号系列が得られる。位相同期処理後第１再生信号系列は、上記第１実施形態で説明した第１位相同期処理後再生信号系列に相当し、位相処理後第２再生信号系列は、上記第１実施形態で説明した第２位相同期処理後再生信号系列に相当する。

位相同期処理後第１再生信号系列に対しては、上記第１実施形態と同様に、第１等化器７４Ｃによって波形等化処理が行われる。位相処理後第２再生信号系列に対しては、上記第１実施形態と同様に、第２等化器７４Ｄによって波形等化処理が行われる。位相同期処理後第１再生信号系列に対して波形等化処理が行われることで波形等化処理後第１再生信号系列が得られ、位相同期処理後第２再生信号系列に対して波形等化処理が行われることで波形等化処理後第２再生信号系列が得られる。波形等化処理後第１再生信号系列は、上記第１実施形態で説明した第１波形等化処理後再生信号系列に相当し、波形等化処理後第２再生信号系列は、上記第１実施形態で説明した第２波形等化処理後再生信号系列に相当する。

次に、磁気テープ読取装置１０の本開示の技術に係る部分の作用について図１７Ａ及び図１７Ｂを参照しながら説明する。

図１７Ａ及び図１７Ｂには、磁気テープＭＴが制御装置１８の制御下で読取走行方向に沿って走行している状態において制御装置１８によって実行される磁気テープ読取処理の流れの一例が示されている。なお、ここでは、説明の便宜上、特定範囲は、単一トラック３０Ａのうちの走行方向における一部の範囲であることを前提として説明する。また、ここでは、説明の便宜上、特定範囲が数十メートルから数百メートルの範囲であることを前提として説明する。

図１７Ａに示す磁気テープ読取処理では、先ず、ステップＳＴ１００で、コントローラ１８Ａは、読取部２６Ａ１が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲のスタート位置に到達したか否かを判定する。ステップＳＴ１００において、読取部２６Ａ１が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲のスタート位置に到達していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１００の判定が再び行われる。ステップＳＴ１００において、読取部２６Ａ１が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲のスタート位置に到達した場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１０２へ移行する。

ステップＳＴ１０２で、信号処理回路３１８Ｂは、読取素子２６Ａ１から再生信号を取得し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１０４へ移行する。

ステップＳＴ１０４で、信号処理回路３１８Ｂは、ステップＳＴ１０２で取得した再生信号に対してデジタル化処理を施し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１０６へ移行する。本ステップＳＴ１０４では、読取素子２６Ａ１からの再生信号に対して増幅及びＡ／Ｄ変換が行われることでＡＤ変換後第１再生信号系列が生成される。

ステップＳＴ１０６で、コントローラ１８Ａは、サーボ信号に基づいてずれ量を導出し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１０８へ移行する。

ステップＳＴ１０８で、コントローラ１８Ａは、ステップＳＴ１０６で導出したずれ量に対応するタップ係数を対応テーブル１８Ａ１から導出し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１１４へ移行する。

ステップＳＴ１１４で、コントローラ１８Ａは、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲の終了位置に到達したか否かを判定する。ステップＳＴ１１４において、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲の終了位置に到達していない場合は、判定が否定されて、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１０２へ移行する。ステップＳＴ１１４において、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲の終了位置に到達した場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理は図１７Ｂに示すステップＳＴ１１６へ移行する。

図１７Ｂに示すステップＳＴ１１６で、コントローラ１８Ａは、送出モータ２０及び巻取モータ２４を制御することで、磁気テープＭＴを巻戻し走行方向に沿って走行させることで磁気テープＭＴを巻き戻し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１１８へ移行する。

ステップＳＴ１１８で、コントローラ１８Ａは、読取素子２６Ａ１が単一トラック３０Ａのうちの巻戻し完了位置に到達したか否かを判定する。巻戻し完了位置は、単一トラック３０Ａの特定範囲外のうち、特定範囲のスタート位置の手間の位置を指す。特定範囲のスタート位置の手間の位置とは、磁気テープＭＴを巻き戻すことによって読取素子２６Ａ１が特定範囲のスタート位置を超えた位置を指す。巻戻し完了位置は、磁気テープＭＴの読取走行方向に沿った走行が再開された場合に、読取素子２６Ａ１が特定範囲のスタート位置に到達する位置であればよい。

ステップＳＴ１１８において、読取素子２６Ａ１が単一トラック３０Ａのうちの巻戻し完了位置に到達していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１１８の判定が再び行われる。ステップＳＴ１１８において、読取素子２６Ａ１が単一トラック３０Ａのうちの巻戻し完了位置に到達した場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１２０へ移行する。

ステップＳＴ１２０で、コントローラ１８Ａは、送出モータ２０及び巻取モータ２４を制御することで、磁気テープＭＴを読取走行方向に沿って走行させ、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１２２へ移行する。

ステップＳＴ１２２で、コントローラ１８Ａは、読取素子２６Ａ１が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲のスタート位置に到達したか否かを判定する。ステップＳＴ１２２において、読取素子２６Ａ１が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲のスタート位置に到達していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１２２の判定が再び行われる。ステップＳＴ１２２において、読取素子２６Ａ１が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲のスタート位置に到達した場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１２４へ移行する。

ステップＳＴ１２４で、信号処理回路１８Ｂは、読取素子２６Ａ１から再生信号を取得し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１２６へ移行する。

ステップＳＴ１２６で、信号処理回路１８Ｂは、ステップＳＴ１２４で取得した再生信号に対してデジタル化処理を施し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１２８へ移行する。本ステップＳＴ１２６では、読取素子２６Ａ１からの再生信号に対して増幅及びＡ／Ｄ変換が行われることでＡＤ変換後第２再生信号系列が生成される。

ステップＳＴ１２８で、コントローラ１８Ａは、サーボ信号に基づいてずれ量を導出し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１３０へ移行する。

ステップＳＴ１３０で、コントローラ１８Ａは、ステップＳＴ１２８で導出したずれ量に対応するタップ係数を対応テーブル１８Ａ１から導出し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１３６へ移行する。

ステップＳＴ１３６で、コントローラ１８Ａは、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲の終了位置に到達したか否かを判定する。ステップＳＴ１３６において、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲の終了位置に到達していない場合は、判定が否定されて、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１２４へ移行する。ステップＳＴ１３６において、読取部２６が単一トラック３０Ａのうちの特定範囲の終了位置に到達した場合は、判定が肯定されて、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１３８へ移行する。

ステップＳＴ１３８で、第１位相同期回路３０２Ａは、ＡＤ変換後第１再生信号系列に対して位相同期処理を行い、第２位相同期回路３０２Ｂは、ＡＤ変換後第２再生信号系列に対して位相同期処理を行い、その後、読取テープ読取処理はステップＳＴ１４０へ移行する。ＡＤ変換後第１再生信号系列に対して位相同期処理が行われることによって位相同期処理後第１再生信号系列が得られ、ＡＤ変換後第２再生信号系列に対して位相同期処理が行われることによって位相同期処理後第２再生信号系列が得られる。

ステップＳＴ１４０で、第１等化器７４Ｃは、ステップＳＴ１０８で導出されたずれ量に対応するタップ係数をコントローラ１８Ａから取得し、第２等化器７４Ｄは、ステップＳＴ１３０で導出されたずれ量に対応するタップ係数をコントローラ１８Ａから取得し、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１４２へ移行する。

ステップＳＴ１４２で、第１等化器７４Ｃは、位相同期処理後第１再生信号系列に対して、ステップＳＴ１４０で取得したタップ係数を用いて１次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理を行い、第２等化器７４Ｄは、位相同期処理後第２再生信号系列に対して、ステップＳＴ１４０で取得したタップ係数を用いて１次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理を行い、その後、磁気テープ読取処理はステップＳＴ１４４へ移行する。位相同期処理後第１再生信号系列に対して波形等化処理が行われることによって波形等化処理後第１再生信号系列が得られ、位相同期処理後第２再生信号系列に対して波形等化処理が行われることによって波形等化処理後第２再生信号系列が得られる。

ステップＳＴ１４４で、加算器７４Ｅは、波形等化処理後第１再生信号系列と波形等化処理後第２再生信号系列とを加算することで合成データを生成する。そして、加算器７４Ｅは、生成した合成データを復号部７６に出力し、その後、磁気テープ読取処理が終了する。

なお、上記の磁気テープ読取処理では、１つの読取素子２６Ａ１が、対応する単一トラック３０Ａに対してデータの読み取りを行う場合が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されない。すなわち、読取ヘッド１６０には複数の読取素子２６Ａ１が設けられており、全ての読取素子２６Ａ１の各々によるデータの読み取りについても図１７Ａ及び図１７Ｂに示す磁気テープ読取処理が適用される。

以上説明したように、磁気テープ読取装置１０では、読取素子２６Ａ１に対して特定範囲からデータを２回読み取らせる制御が行われる。１回目のデータの読取経路と２回目のデータの読取経路とは、環境条件に起因して異なるので、１回のみのデータの読み取りの場合に比べ、各読取部２６に各々対応する単一トラック３０Ａのテープ幅方向においてデータが幅広く読み取られる。従って、単一トラック３０Ａからリニアスキャン方式で１回のみの読み取りによってデータが読み取られる場合に比べ、単一トラック３０Ａからリニアスキャン方式で読み取られるデータの信頼性の低下を抑制することができる。

なお、上記第３実施形態では、２回のデータの読み取りを例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、３回以上のデータの読み取りが行われるようにしてもよい。この場合、読取回数分の再生信号系列が生成され、加算器７４Ｅによって合成される。

また、上記第３実施形態では、図１７Ａに示すように、読取部２６Ａ１が特定範囲のスタート位置に到達してから特定範囲の終了位置に到達するまでの間、再生信号が取得される毎に、ステップＳＴ１０４～ステップＳＴ１０８の処理が繰り返し行われる形態例を挙げて説明したが本開示の技術はこれに限定されない。例えば、読取部２６Ａ１が特定範囲のスタート位置に到達してから特定範囲の終了位置に到達するまでの間にステップＳＴ１０２～ステップＳＴ１０６のまでの処理が繰り返し行われ、その後に、ステップＳＴ１０８以降の処理が行われるようにしてもよい。この場合、ステップＳＴ１０２～ステップＳＴ１０６のまでの処理が繰り返し行われることによって得られた第１再生信号系列及びずれ量の各々が時系列でバッファ（図示省略）等によって保持されるようにする。そして、時系列で保持されているずれ量の各々に対応するタップ係数が、対応テーブル１８Ａ１に基づいて導出されるようにすればよい。

また、上記第３実施形態では、図１７Ｂに示すように、読取部２６Ａ１が特定範囲のスタート位置に到達してから特定範囲の終了位置に到達するまでの間、再生信号が取得される毎に、ステップＳＴ１２６～ステップＳＴ１３０の処理が繰り返し行われる形態例を挙げて説明したが本開示の技術はこれに限定されない。例えば、読取部２６Ａ１が特定範囲のスタート位置に到達してから特定範囲の終了位置に到達するまでの間にステップＳＴ１２４～ステップＳＴ１２８のまでの処理が繰り返し行われ、その後に、ステップＳＴ１３０以降の処理が行われるようにしてもよい。この場合、ステップＳＴ１２４～ステップＳＴ１２８のまでの処理が繰り返し行われることによって得られた第２再生信号系列及びずれ量の各々が時系列でバッファ（図示省略）等によって保持されるようにする。そして、時系列で保持されているずれ量の各々に対応するタップ係数が、対応テーブル１８Ａ１に基づいて導出されるようにすればよい。

また、本開示の技術はこれに限定されず、例えば、２回目のデータの読み取りについて読取部２６Ａ１が特定範囲のスタート位置に到達してから特定範囲の終了位置に到達するよりも前に、すなわち、２回目のデータの読み取りの完了を待たずに、ステップＳＴ１３８以降の各ステップの処理を開始してもよい。この場合、ステップＳＴ１３８以降の各ステップの処理が開始されてから、特定範囲の終了位置に到達するまでに生成された再生信号系列、ずれ量、及びずれ量に対応するタップ係数が時系列で一時的にバッファ（図示省略）等によって保持されるようにする。そして、ステップＳＴ１３８以降の各ステップの処理に進む上で必要なだけの再生信号系列、ずれ量、及びずれ量に対応するタップ係数がデータバッファに蓄積された段階で、順次、位相同期処が行われるようにすればよい。例えば、１回目のデータの読み取りで得られた再生信号系列、ずれ量、及びずれ量に対応するタップ係数がバッファに格納されていれば（図１７Ａに示す処理が終了した後であれば）、２回目のデータの全ての読み取りが完了するのを待たずに（ステップＳＴ１３６の判定が肯定されるのを待たずに）ステップＳＴ１３８以降の各ステップの処理に進むことが可能である。これにより、２回目のデータの読み取りで使用されるバッファのサイズを小さくすることが可能となり、ステップＳＴ１３８以降の各ステップの処理が開始されるまでの遅延も小さくすることができる。

また、上記各実施形態では、２次元ＦＩＲフィルタを例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、２次元ＦＩＲフィルタに代えて２次元ＩＩＲフィルタを適用してもよい。この場合、タップ係数に代えて、ＩＩＲフィルタで用いられる係数を用いればよい。ここで言う「係数」は、本開示の技術に係る「パラメータ」のこのように、２次元ＦＩＲフィルタに代えて２次元ＩＩＲフィルタを適用したとしても、上記各実施形態で説明した効果と同様の効果を得ることができる。

また、上記各実施形態では、制御装置１８，３００（以下、符号を付さずに「制御装置」と称する）としてＡＳＩＣを含むデバイスを例示してが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置は、コンピュータによるソフトウェア構成により実現されるようにしてもよい。

この場合、例えば、図１８に示すように、磁気テープ読取装置１０に代えて磁気テープ読取装置８００を用いればよい。磁気テープ読取装置８００は、磁気テープ読取装置１０に比べ、制御装置に代えてコンピュータ８５２を含むデバイスを有する点が異なる。図１８に示す例では、記憶媒体９００に磁気テープ読取プログラム９０２及び読取領域変更プログラム９０４が記憶されている。磁気テープ読取プログラム９０２は、コンピュータ８５２に上述した磁気テープ読取処理を実行させるためのプログラムである。読取領域変更プログラム９０４は、コンピュータ８５２に上述した読取領域変更処理を実行させるためのプログラムである。

コンピュータ８５２は、ＣＰＵ８５２Ａ、ＲＯＭ８５２Ｂ、及びＲＡＭ８５２Ｃを備えている。記憶媒体９００に記憶されている磁気テープ読取プログラム９０２及び読取領域変更プログラム９０４は、コンピュータ８５２にインストールされ、ＣＰＵ８５２Ａは、磁気テープ読取プログラム９０２に従って、上述した磁気テープ読取処理を実行する。また、ＣＰＵ８５２Ａは、読取領域変更プログラム９０４に従って、上述した読取領域変更処理を実行する。

図１８に示す例では、ＣＰＵ８５２Ａは、単数のＣＰＵであるが、本開示の技術はこれに限定されず、複数のＣＰＵを採用してもよい。なお、記憶媒体９００の一例としては、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。

また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ８５２に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部に磁気テープ読取プログラム９０２及び／又は読取領域変更プログラム９０４を記憶させておき、磁気テープ読取装置８００の要求に応じて磁気テープ読取プログラム９０２及び／又は読取領域変更プログラム９０４がコンピュータ８５２にダウンロードされるようにしてもよい。この場合、ダウンロードされた磁気テープ読取プログラム９０２及び／又は読取領域変更プログラム９０４がコンピュータ８５２のＣＰＵ８５２Ａによって実行される。

上記の磁気テープ読取処理及び／又は読取領域変更処理（以下、「各種処理」と称する）実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、上述したように、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、各種処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。

各種処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、各種処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。

１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、クライアント及びサーバなどのコンピュータに代表されるように、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、各種処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、各種処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、各種処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。

また、上述した各種処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

１０，８００ 磁気テープ読取装置
１２ 磁気テープカートリッジ
１４ 搬送装置
１６，１６０ 読取ヘッド
１６Ａ 上流側読取ヘッド
１６Ｂ 下流側読取ヘッド
１８，３００ 制御装置
１８Ａ コントローラ
１８Ａ１ 対応テーブル
１８Ｂ，３１８Ｂ 信号処理回路
２０ 送出モータ
２２ 巻取リール
２４ 巻取モータ
２６ 読取部
２６Ａ 上流側読取素子
２６Ｂ 下流側読取素子
２６Ａ１ 読取素子
２８ ホルダ
３０ トラック領域
３０Ａ 単一トラック
３２ サーボパターン
３２Ａ 第１斜線
３２Ｂ 第２斜線
３６ 上流側サーボ素子対
３８ 下流側サーボ素子対
３６Ａ，３６Ｂ，３６Ａ１，３６Ｂ１ サーボ素子
４０，１００ 上流側移動機構
４２，１０２ 下流側移動機構
４４，４６ モータ
５４，５８，６２，６８ 増幅器
５６，６０，６４，７０ Ａ／Ｄ変換器
６６ 第１バッファ
７２ 第２バッファ
７４，３０２ 合成部
７４Ａ，３０２Ａ 第１位相同期回路
７４Ｂ，３０２Ｂ 第２位相同期回路
７４Ｃ 第１等化器
７４Ｄ 第２等化器
７４Ｅ 加算器
７６ 復号器
７８，８５２ コンピュータ
３６０ サーボ素子対
３６６ バッファ
８５２Ａ ＣＰＵ
８５２Ｂ ＲＯＭ
８５２Ｃ ＲＡＭ
９００ 記憶媒体
９０２ 磁気テープ読取プログラム
９０４ 読取領域変更プログラム
Ａ，Ｂ 矢印
ＣＬ１ 中心
ＣＬ２ 位置
ＣＲ カートリッジリール
ＧＲ ガイドローラ
ＭＴ 磁気テープ
Ｐ１，Ｐ２ 読取経路

Claims (14)

1. 磁気テープに含まれる単一トラックに対して対応する位置に配置される読取部を有する読取ヘッドと、
   前記読取部に対して、前記単一トラックのうちの前記磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを複数回読み取らせる制御を行う制御部と、
   前記読取部により前記特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成する合成部と、
   前記再生信号系列に対して信号処理を施す信号処理部と、を含み、
   前記信号処理は、前記複数の再生信号系列の各々に対する波形等化処理を含む処理を含み、
   前記波形等化処理は、２次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理、又は２次元ＩＩＲフィルタによる波形等化処理である
   磁気テープ読取装置。
2. 磁気テープに含まれる複数のトラックに対して各々対応する位置に配置される複数の読取部を有する読取ヘッドと、
   前記複数の読取部の各々に対して、前記複数のトラックのうちの位置が対応する単一トラックのうちの前記磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを複数回読み取らせる制御を行う制御部と、
   前記複数の読取部の各々により前記特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成する合成部と、
   前記再生信号系列に対して信号処理を施す信号処理部と、を含み、
   前記信号処理は、前記複数の再生信号系列の各々に対する波形等化処理を含む処理を含み、
   前記波形等化処理は、２次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理、又は２次元ＩＩＲフィルタによる波形等化処理である
   磁気テープ読取装置。
3. 前記読取ヘッドを前記磁気テープの幅方向に移動可能な第１移動機構を含み、
   前記磁気テープは、前記複数のトラックを前記幅方向に複数組有し、
   前記制御部は、前記複数組のうちの指定された組の前記複数のトラックに前記複数の読取部を配置させる位置に前記読取ヘッドを移動させる制御を前記第１移動機構に対して行い、かつ、前記複数の読取部の各々に対して、前記指定された組の前記単一トラックの前記特定範囲からデータを複数回読み取らせる制御を行う請求項２に記載の磁気テープ読取装置。
4. 前記読取部による前記特定範囲に対する複数回の読み取りの各読取経路は、前記特定範囲内において、前記複数回の読み取り毎の前記磁気テープ及び前記読取部のうちの少なくとも一方に対して影響を与える環境条件に起因して互いに異なる読取経路である請求項１から請求項３の何れか一項に記載の磁気テープ読取装置。
5. 前記読取ヘッドを前記磁気テープの幅方向に移動可能な第２移動機構を含み、
   前記制御部は、前記読取ヘッドを前記幅方向に移動させることで前記読取部による前記特定範囲に対する複数回の読み取りの各読取経路を異ならせる制御を前記第２移動機構に対して行う請求項１から請求項４の何れか一項に記載の磁気テープ読取装置。
6. 前記読取部は、前記単一トラックに対して前記磁気テープの走行方向に沿って複数の読取素子を有し、
   前記制御部は、前記複数の読取素子の各々に対して前記特定範囲から前記データを読み取らせることで前記読取部に対して前記特定範囲からデータを複数回読み取らせる制御を行う請求項１から請求項５の何れか一項に記載の磁気テープ読取装置。
7. 前記読取部は、前記単一トラックにつき１つの読取素子を有し、
   前記制御部は、前記読取素子に対して前記特定範囲からデータを複数回読み取らせる制御を行う請求項１から請求項５の何れか一項に記載の磁気テープ読取装置。
8. 前記信号処理は、前記再生信号系列の前記走行方向についての位相を同期させる位相同期処理を含む処理である請求項１から請求項７の何れか一項に記載の磁気テープ読取装置。
9. 前記２次元ＦＩＲフィルタ及び前記２次元ＩＩＲフィルタで用いられるパラメータは、前記単一トラックと前記読取部との位置のずれ量に応じて定められている請求項１から請求項８の何れか一項に記載の磁気テープ読取装置。
10. 前記読取ヘッドは、サーボ素子を有し、
    前記ずれ量は、前記磁気テープに予め付与されたサーボパターンが前記サーボ素子によって読み取られることで得られた結果に応じて定められる請求項９に記載の磁気テープ読取装置。
11. 前記サーボ素子による読取動作に同期して前記読取ヘッドによる読取動作が行われる請求項１０に記載の磁気テープ読取装置。
12. 磁気テープに含まれる単一トラックに対して対応する位置に配置される読取部を有する読取ヘッドを含む磁気テープ読取装置の作動方法であって、
    前記読取部に対して、前記単一トラックのうちの前記磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを複数回読み取らせる制御を行わせ、
    前記読取部により前記特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成し、
    前記再生信号系列に対して信号処理を施すことを含み、
    前記信号処理は、前記複数の再生信号系列の各々に対する波形等化処理を含む処理を含み、
    前記波形等化処理は、２次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理、又は２次元ＩＩＲフィルタによる波形等化処理である
    磁気テープ読取装置の作動方法。
13. 磁気テープに含まれる複数のトラックの各々に対して対応する位置に配置される複数の読取部を有する読取ヘッドを含む磁気テープ読取装置の作動方法であって、
    前記複数の読取部の各々に対して、前記複数のトラックのうちの位置が対応する単一トラックのうちの前記磁気テープの走行方向の特定範囲からリニアスキャン方式でデータを読み取らせることで前記読取ヘッドに対して前記データを複数回読み取らせる制御を行い、
    前記読取ヘッドにより前記特定範囲からデータが複数回読み取られて得られた複数の再生信号系列を合成し、
    前記再生信号系列に対して信号処理を施すことを含み、
    前記信号処理は、前記複数の再生信号系列の各々に対する波形等化処理を含む処理を含み、
    前記波形等化処理は、２次元ＦＩＲフィルタによる波形等化処理、又は２次元ＩＩＲフィルタによる波形等化処理である
    磁気テープ読取装置の作動方法。
14. コンピュータを、
    請求項１から請求項１１の何れか一項に記載の磁気テープ読取装置に含まれる前記制御部、前記合成部、及び前記信号処理部として機能させるためのプログラム。

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