JP7015321B2 - Ｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイの製造方法及びｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイ - Google Patents

Ｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイの製造方法及びｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイ Download PDF

Info

Publication number
JP7015321B2
JP7015321B2 JP2019562558A JP2019562558A JP7015321B2 JP 7015321 B2 JP7015321 B2 JP 7015321B2 JP 2019562558 A JP2019562558 A JP 2019562558A JP 2019562558 A JP2019562558 A JP 2019562558A JP 7015321 B2 JP7015321 B2 JP 7015321B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
lithium
manufacturing
oled display
zinc oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019562558A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020520538A (ja
Inventor
方▲梅▼ ▲劉▼
星宇 周
Original Assignee
深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 filed Critical 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司
Publication of JP2020520538A publication Critical patent/JP2020520538A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7015321B2 publication Critical patent/JP7015321B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

本発明はＯＬＥＤ表示装置製造プロセスの分野に関し、特にＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法及びＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイに関する。
表示技術分野では、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）と有機発光ダイオードディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）等の平板型表示装置は徐々に陰極線管ディスプレイ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）を代替ている。
ＯＬＥＤディスプレイは自己発光、低駆動電圧、高発光効率、短い応答時間、高解像度、高コントラスト、略１８０°の視野角、広い使用温度範囲や、柔軟性のある表示及び大画面フルカラー表示を実現できること等、多くの利点を有し、業界では最も有望な表示装置として認められている。
表示技術の発展に伴って、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ－Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）駆動回路をカラーフィルター層（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ、ＣＦ）の上に設置したＴＯＣ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｏｎ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）型ＯＬＥＤディスプレイが登場した。ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイは偏光片（Ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）を省くことができ、ＯＬＥＤ表示装置のさらなる軽量化及び薄型化を実現でき、製造コストがさらに低くなる。
ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造フローは、まず、ベース基板の上にＣＦを製造するステップと、次に、カラーフィルター層の上にＴＦＴを製造するステップと、を含む。
先にＣＦが製造されるため、後続のＴＦＴの製造は２３０℃未満の温度制約条件下で行わざるを得ない。
一方、従来のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイは通常、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）等の高価なレアメタルを含有する材料を用いてＴＦＴのチャネル層を製造するが、ＴＦＴの電気的性能を向上させることができるものの、生産コストをさらに削減することが期待される。
本発明の目的は、２３０℃未満の温度制約条件下でＴＦＴを製造でき、チャネル層の材料コスト及びＴＦＴの装置コストを効果的に削減させ、経済的で環境にやさしいＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法を提供することである。
本発明の別の目的は、内部のＴＦＴの電気的性能が比較的良く、生産コストが比較的低いＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイを提供することである。
上記目的を実現するために、本発明はまずＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法を提供し、以下のステップを含む。
ステップＳ１、ベース基板を提供し、ベース基板に洗浄及びプリベークを行う。
ステップＳ２、黒色遮光薄膜を堆積し、黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクスを形成する。
ステップＳ３、前記黒色マトリクス内に順に異なる色の色抵抗を堆積し、カラーフィルター層を形成する。
ステップＳ４、前記カラーフィルター層の上に平坦層を堆積して形成する。
ステップＳ５、前記平坦層の上に第１金属層を堆積し、第１金属層をパターニング処理し、ゲートを形成する。
ステップＳ６、前記ゲートと平坦層の上にゲート絶縁層を堆積して被覆する。
ステップＳ７、リチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛溶液をゲート絶縁層の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層を形成する。
ステップＳ８、エッチングバリア層を堆積し、且つエッチングバリア層をパターニング処理し、それぞれチャネル層の両側を露出させる第１ビア及び第２ビアを形成する。
ステップＳ９、前記エッチングバリア層の上に第２金属層を堆積し、且つ第２金属層をパターニング処理し、ソース及びドレインを形成し、前記ソース、ドレインはそれぞれ第１ビア、第２ビアを経由してチャネル層の両側に接触する。
ステップＳ１０、前記エッチングバリア層、ソース、及びドレインの上に順に保護層、陽極、画素定義層、ＯＬＥＤ発光層、及び陰極を製造する。
前記ステップＳ１では、前記ベース基板はガラス基板である。
前記ステップＳ３では、前記異なる色の色抵抗は赤色抵抗、緑色抵抗、及び青色抵抗を含む。
前記平坦層、ゲート絶縁層、エッチングバリア層、及び保護層の材料はいずれも酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は両方の組み合わせである。
前記第１金属層と第２金属層の材料はいずれもモリブデン、チタン、アルミニウム、銅のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせである。
前記ステップＳ７では、水酸化リチウムと水酸化亜鉛を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置する。
前記陽極の材料は酸化インジウム錫である。
本発明はＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイをさらに提供し、上記ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法によって製造され、その内部のチャネル層の材料はリチウムドープ酸化亜鉛である。
本発明はＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法をさらに提供し、以下のステップを含む。
ステップＳ１、ベース基板を提供し、ベース基板に洗浄及びプリベークを行う。
ステップＳ２、黒色遮光薄膜を堆積し、黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクスを形成する。
ステップＳ３、前記黒色マトリクス内に順に異なる色の色抵抗を堆積し、カラーフィルター層を形成する。
ステップＳ４、前記カラーフィルター層の上に平坦層を堆積して形成する。
ステップＳ５、前記平坦層の上に第１金属層を堆積し、第１金属層をパターニング処理し、ゲートを形成する。
ステップＳ６、前記ゲートと平坦層の上にゲート絶縁層を堆積して被覆する。
ステップＳ７、リチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛溶液をゲート絶縁層の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層を形成する。
ステップＳ８、エッチングバリア層を堆積し、且つエッチングバリア層をパターニング処理し、それぞれチャネル層の両側を露出させる第１ビア及び第２ビアを形成する。
ステップＳ９、前記エッチングバリア層の上に第２金属層を堆積し、且つ第２金属層をパターニング処理し、ソース及びドレインを形成し、前記ソース、ドレインはそれぞれ第１ビア、第２ビアを経由してチャネル層の両側に接触する。
ステップＳ１０、前記エッチングバリア層、ソース、及びドレインの上に順に保護層、陽極、画素定義層、ＯＬＥＤ発光層、及び陰極を製造する。
前記ステップＳ１では、前記ベース基板はガラス基板であり、
前記平坦層、ゲート絶縁層、エッチングバリア層、及び保護層の材料はいずれも酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は両方の組み合わせであり、
前記第１金属層と第２金属層の材料はいずれもモリブデン、チタン、アルミニウム、銅のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせであり、
前記ステップＳ７では、水酸化リチウムと水酸化亜鉛を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置する。
本発明の有益な効果は、以下のとおりである。本発明により提供されるＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法は、カラーフィルター層を製造した後、リチウムドープ酸化亜鉛溶液をスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理する方式によってＴＦＴのチャネル層を製造し、製造プロセス温度を２００℃まで低くすることができ、ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイ製造の温度制約条件を満たし、且つ操作がシンプルであり、高価な真空装置を使用する必要がなく、インジウム、ガリウム等の高価レアメタルのかわりにリチウムをチャネル層にドープすることで、ＴＦＴの電気的性能を向上させ、且つ材料コストが低く、さらに経済的で環境にやさしい。本発明により提供されるＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイは、その内部のチャネル層の材料がリチウムドープ酸化亜鉛であり、それによりＴＦＴの電気的性能が比較的良く、生産コストが比較的低い。
本発明の特徴及び技術内容をさらに理解するために、以下の本発明に関する詳細説明及び図面を参照できるが、図面は参考及び説明用のものに過ぎず、本発明を制限するためのものではない。
図１は、本発明のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法のフローチャートである。 図２は、本発明のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの断面構造模式図である。
本発明が採用する技術手段及びその効果をさらに説明するために、以下、本発明の好適な実施例及びその図面と組み合わせて詳細に説明する。
図１を図２と組み合わせて参照すると、本発明はまずＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法を提供し、ステップＳ１～Ｓ１０を含む。
ステップＳ１、ベース基板１を提供し、ベース基板１に洗浄及びプリベークを行う。
具体的には、前記ベース基板１は好適にはガラス基板である。
ステップＳ２、黒色遮光薄膜を堆積し、フォトマスクを用いて黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクス２を形成する。
ステップＳ３、前記黒色マトリクス２内に異なる色の色抵抗を順に堆積し、カラーフィルター層３を形成する。
具体的には、前記異なる色の色抵抗は少なくとも赤色抵抗Ｒ、緑色抵抗Ｇ、及び青色抵抗Ｂを含む。
ステップＳ４、前記カラーフィルター層３の上に平坦層４を堆積して形成する。
具体的には、前記平坦層４の材料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、又は両方の組み合わせである。
ステップＳ５、前記平坦層４の上に第１金属層を堆積し、フォトマスクを用いて第１金属層をパターニング処理し、ゲート５を形成する。
具体的には、前記第１金属層の材料はモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせである。
ステップＳ６、前記ゲート５と平坦層４の上にゲート絶縁層６を堆積して被覆する。
具体的には、前記ゲート絶縁層６の材料はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、又は両方の組み合わせである。
ステップＳ７、リチウム（Ｌｉ）ドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ）溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛（Ｌｉ－ ＺｎＯ）溶液をゲート絶縁層６の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにフォトマスクを用いてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層７を形成する。
具体的には、該ステップＳ７では、水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）と水酸化亜鉛（Ｚｎ（ＯＨ）２）を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置する。
ステップＳ８、エッチングバリア層８を堆積し、且つフォトマスクを用いてエッチングバリア層８をパターニング処理し、それぞれチャネル層７の両側を露出させる第１ビア８１及び第２ビア８２を形成する。
具体的には、前記エッチングバリア層８の材料はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、又は両方の組み合わせである。
ステップＳ９、前記エッチングバリア層８の上に第２金属層を堆積し、且つフォトマスクを用いて第２金属層をパターニング処理し、ソース９１及びドレイン９２を形成する。
具体的には、前記第２金属層の材料もＭｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの１種又は複数種のスタック組み合わせである。
前記ソース９１、ドレイン９２はそれぞれ第１ビア８１、第２ビア８２を経由してチャネル層７の両側に接触する。
前記ゲート５、ゲート絶縁層６、チャネル層７、ソース９１、及びドレイン９２からＴＦＴが構成される。
ステップＳ１０、前記エッチングバリア層８、ソース９１、及びドレイン９２の上に保護層１０、陽極１１、画素定義層１２、ＯＬＥＤ発光層１３、及び陰極１４を順に製造する。
具体的には、前記保護層１０の材料もＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、又は両方の組み合わせであり、前記陽極１１の材料は酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）であり、前記画素定義層１２の材料は有機フォトレジストであり、前記保護層１０はパターニング処理によって、ドレイン９２の表面の一部を露出させる第３ビア１０１を有し、前記画素定義層１２はパターニング処理によって、陽極１１の表面の一部を露出させる第４ビア１２１を有し、前記陽極１１は第３ビア１０１を経由してドレイン９２に接触し、前記ＯＬＥＤ発光層１３と陰極１４は順に第４ビア１２１内に位置する。
上記ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法は、カラーフィルター層３を製造した後、リチウムドープ酸化亜鉛溶液をスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理する方式によってＴＦＴのチャネル層７を製造し、製造プロセス温度を２００℃まで低くすることができ、ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイ製造の温度制約条件を満たし、且つ操作がシンプルであり、高価な真空装置を使用する必要がなく、インジウム、ガリウム等の高価なレアメタルのかわりにリチウムをチャネル層７にドープすることで、ＴＦＴの電気的性能を向上させることができるだけでなく、且つ材料コストが低く、さらに経済的で環境にやさしい。
同一の発明思想に基づき、本発明は上記ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法によって製造されたＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイであって、図２に示すように、ベース基板１と、前記ベース基板１の上に設置される黒色マトリクス２と、前記黒色マトリクス２内に充填されるカラーフィルター層３と、前記カラーフィルター層３に被覆される平坦層４と、前記平坦層４の上に設置されるゲート５と、前記ゲート５及び平坦層４に被覆されるゲート絶縁層６と、前記ゲート５の上方においてゲート絶縁層６の上に設置されるチャネル層７と、前記チャネル層７及びゲート絶縁層６に被覆されるエッチングバリア層８と、前記エッチングバリア層８の上に設置されるソース９１及びドレイン９２と、前記ソース９１、ドレイン９２、及びエッチングバリア層８に被覆される保護層１０と、前記保護層１０の上に設置される陽極１１と、前記陽極１１の上に設置される画素定義層１２と、前記画素定義層１２内において陽極１１の上に順に積層されるＯＬＥＤ発光層１３及び陰極１４と、を含むＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイをさらに提供する。
前記エッチングバリア層８はそれぞれチャネル層７の両側を露出させる第１ビア８１、及び第２ビア８２を有し、前記保護層１０はドレイン９２の表面の一部を露出させる第３ビア１０１を有し、前記画素定義層１２は陽極１１の表面の一部を露出させる第４ビア１２１を有し、前記ソース９１、ドレイン９２はそれぞれ第１ビア８１、第２ビア８２を経由してチャネル層７の両側に接触し、前記陽極１１は第３ビア１０１を経由してドレイン９２に接触し、前記ＯＬＥＤ発光層１３と陰極１４は順に第４ビア１２１内に位置し、前記チャネル層７の材料はリチウムドープ酸化亜鉛であり、それによりＴＦＴの電気的性能を向上させ、生産コストを削減させることができる。
上記のように、本発明のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法は、カラーフィルター層を製造した後、リチウムドープ酸化亜鉛溶液をスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理する方式によってＴＦＴのチャネル層を製造し、製造プロセス温度を２００℃まで低くすることができ、ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイ製造の温度制約条件を満たし、且つ操作がシンプルであり、高価な真空装置を使用する必要がなく、インジウム、ガリウム等の高価レアメタルのかわりにリチウムをチャネル層にドープすることで、ＴＦＴの電気的性能を向上させ、且つ材料コストが低く、さらに経済的で環境にやさしい。本発明のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイは、その内部のチャネル層の材料がリチウムドープ酸化亜鉛であり、それによりＴＦＴの電気的性能が比較的良く、生産コストが比較的低い。
上記について、当業者であれば、本発明の技術的手段及び技術的思想に基づきほかの各種の相応な変更や変形を行うことができ、これらの変更や変形はすべて本発明の、添付する特許請求の範囲の保護範囲に属する。
１ ベース基板
２ 黒色マトリクス
３ カラーフィルター層
４ 平坦層
５ ゲート
６ ゲート絶縁層
７ チャネル層
８ エッチングバリア層
１０ 保護層
１１ 陽極
１２ 画素定義層
１３ ＯＬＥＤ発光層
１４ 陰極
８１ 第１ビア
８２ 第２ビア
９１ ソース
９２ ドレイン
１０１ 第３ビア
１２１ 第４ビア

Claims (10)

  1. ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法であって、
    ベース基板を提供し、ベース基板に洗浄及びプリベークを行うステップＳ１と、
    黒色遮光薄膜を堆積し、黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクスを形成するステップＳ２と、
    前記黒色マトリクス内に順に異なる色の色抵抗を堆積し、カラーフィルター層を形成するステップＳ３と、
    前記カラーフィルター層の上に平坦層を堆積して形成するステップＳ４と、
    前記平坦層の上に第１金属層を堆積し、第１金属層をパターニング処理し、ゲートを形成するステップＳ５と、
    前記ゲートと平坦層の上にゲート絶縁層を堆積して被覆するステップＳ６と、
    リチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛溶液をゲート絶縁層の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、
    次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層を形成するステップＳ７と、
    エッチングバリア層を堆積し、且つエッチングバリア層をパターニング処理し、それぞれチャネル層の両側を露出させる第１ビア及び第２ビアを形成するステップＳ８と、
    前記エッチングバリア層の上に第２金属層を堆積し、且つ第２金属層をパターニング処理し、ソース及びドレインを形成し、前記ソース、ドレインはそれぞれ第１ビア、第２ビアを経由してチャネル層の両側に接触するステップＳ９と、
    前記エッチングバリア層、ソース、及びドレインの上に順に保護層、陽極、画素定義層、ＯＬＥＤ発光層、及び陰極を製造するステップＳ１０と、を含み、
    前記ステップＳ１～前記ステップＳ１０における温度条件が２３０℃未満である、ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
  2. 前記ステップＳ１では、前記ベース基板はガラス基板である請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
  3. 前記ステップＳ３では、前記異なる色の色抵抗は赤色抵抗、緑色抵抗、及び青色抵抗を含む請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
  4. 前記平坦層、ゲート絶縁層、エッチングバリア層、及び保護層の材料はいずれも酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は両方の組み合わせである請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
  5. 前記第１金属層と第２金属層の材料はいずれもモリブデン、チタン、アルミニウム、銅のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせである請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
  6. 前記ステップＳ７では、水酸化リチウムと水酸化亜鉛を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置する請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
  7. 前記陽極の材料は酸化インジウム錫である請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
  8. ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法であって、
    ベース基板を提供し、ベース基板に洗浄及びプリベークを行うステップＳ１と、
    黒色遮光薄膜を堆積し、黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクスを形成するステップＳ２と、
    前記黒色マトリクス内に順に異なる色の色抵抗を堆積し、カラーフィルター層を形成するステップＳ３と、
    前記カラーフィルター層の上に平坦層を堆積して形成するステップＳ４と、
    前記平坦層の上に第１金属層を堆積し、第１金属層をパターニング処理し、ゲートを形成するステップＳ５と、
    前記ゲートと平坦層の上にゲート絶縁層を堆積して被覆するステップＳ６と、
    リチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛溶液をゲート絶縁層の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層を形成するステップＳ７と、
    エッチングバリア層を堆積し、且つエッチングバリア層をパターニング処理し、それぞれチャネル層の両側を露出させる第１ビア及び第２ビアを形成するステップＳ８と、
    前記エッチングバリア層の上に第２金属層を堆積し、且つ第２金属層をパターニング処理し、ソース及びドレインを形成し、前記ソース、ドレインはそれぞれ第１ビア、第２ビアを経由してチャネル層の両側に接触するステップＳ９と、
    前記エッチングバリア層、ソース、及びドレインの上に順に保護層、陽極、画素定義層、ＯＬＥＤ発光層、及び陰極を製造するステップＳ１０と、を含み、
    前記ステップＳ１～前記ステップＳ１０における温度条件が２３０℃未満であり、
    前記ステップＳ１では、前記ベース基板はガラス基板であり、
    前記平坦層、ゲート絶縁層、エッチングバリア層、及び保護層の材料はいずれも酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は両方の組み合わせであり、
    前記第１金属層と第２金属層の材料はいずれもモリブデン、チタン、アルミニウム、銅のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせであり、
    前記ステップＳ７では、水酸化リチウムと水酸化亜鉛を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置するＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
  9. 前記ステップＳ３では、前記異なる色の色抵抗は赤色抵抗、緑色抵抗、及び青色抵抗を含む請求項８に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
  10. 前記陽極の材料は酸化インジウム錫である請求項８に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
JP2019562558A 2017-05-25 2017-07-13 Ｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイの製造方法及びｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイ Active JP7015321B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710389002.8 2017-05-25
CN201710389002.8A CN107221552A (zh) 2017-05-25 2017-05-25 Toc型oled显示器的制作方法及toc型oled显示器
PCT/CN2017/092874 WO2018214256A1 (zh) 2017-05-25 2017-07-13 Toc型oled显示器的制作方法及toc型oled显示器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020520538A JP2020520538A (ja) 2020-07-09
JP7015321B2 true JP7015321B2 (ja) 2022-02-02

Family

ID=59947018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019562558A Active JP7015321B2 (ja) 2017-05-25 2017-07-13 Ｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイの製造方法及びｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10153335B1 (ja)
EP (1) EP3640991B1 (ja)
JP (1) JP7015321B2 (ja)
KR (1) KR20200012914A (ja)
CN (1) CN107221552A (ja)
PL (1) PL3640991T3 (ja)
WO (1) WO2018214256A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107785405B (zh) * 2017-10-31 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法
CN108258086B (zh) * 2017-12-25 2020-05-12 五邑大学 一种ZnO微米/纳米柱LED的制备方法
CN109116605A (zh) * 2018-09-14 2019-01-01 惠科股份有限公司 一种显示面板及其制造方法
CN109616497A (zh) * 2018-11-30 2019-04-12 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108623A (ja) 2004-10-06 2006-04-20 Samsung Sdi Co Ltd ボトムゲート型薄膜トランジスタ、それを備える平板表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
US20070024186A1 (en) 2005-07-28 2007-02-01 Univision Technology, Inc Color Filter Conversion Apparatus and an Organic Electroluminescent Display Apparatus Thereof
JP2012013206A (ja) 2010-07-05 2012-01-19 Toyota Motor Corp ロックアップクラッチ付トルクコンバータ
JP2012019206A (ja) 2010-07-07 2012-01-26 Samsung Mobile Display Co Ltd ダブルゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた有機発光表示装置
JP2014038166A (ja) 2012-08-13 2014-02-27 Fujifilm Corp 着色硬化性組成物、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、及び表示装置
US20140273319A1 (en) 2011-06-28 2014-09-18 Chan-Long Shieh Full-color active matrix organic light emitting display with hybrid
US20150137115A1 (en) 2010-03-05 2015-05-21 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Metal oxide thin film, method for manufacturing the same, and solution for metal oxide thin film

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100725425B1 (ko) * 2000-07-19 2007-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
KR100855884B1 (ko) * 2001-12-24 2008-09-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 얼라인 키
CN103107288B (zh) * 2011-11-10 2016-02-03 乐金显示有限公司 白光有机发光器件和使用白光有机发光器件的显示装置
WO2014148830A1 (ko) * 2013-03-20 2014-09-25 Kim Hongdoo 산화아연 전구체의 제조방법, 이로부터 수득되는 산화아연 전구체 및 산화아연 박막
KR102342073B1 (ko) * 2014-11-28 2021-12-22 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
CN205900543U (zh) * 2016-05-18 2017-01-18 武汉华星光电技术有限公司 一种oled显示面板
CN106409871A (zh) * 2016-08-31 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108623A (ja) 2004-10-06 2006-04-20 Samsung Sdi Co Ltd ボトムゲート型薄膜トランジスタ、それを備える平板表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
US20070024186A1 (en) 2005-07-28 2007-02-01 Univision Technology, Inc Color Filter Conversion Apparatus and an Organic Electroluminescent Display Apparatus Thereof
JP2007035631A (ja) 2005-07-28 2007-02-08 Univision Technology Inc カラーフィルタ変換装置及びそれを応用した有機電界発光表示装置
US20150137115A1 (en) 2010-03-05 2015-05-21 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Metal oxide thin film, method for manufacturing the same, and solution for metal oxide thin film
JP2012013206A (ja) 2010-07-05 2012-01-19 Toyota Motor Corp ロックアップクラッチ付トルクコンバータ
JP2012019206A (ja) 2010-07-07 2012-01-26 Samsung Mobile Display Co Ltd ダブルゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた有機発光表示装置
US20140273319A1 (en) 2011-06-28 2014-09-18 Chan-Long Shieh Full-color active matrix organic light emitting display with hybrid
JP2014038166A (ja) 2012-08-13 2014-02-27 Fujifilm Corp 着色硬化性組成物、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、及び表示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Si Yun Park et. Al.，Low-Temperature, Solution-Processed and Alkali Metal Doped ZnO for High-Performance Thin-Film Transistors，ADVANCED MATERIALS，米国，John Willey & Sons，2012年01月09日，Vol.24,Issue 6，pp.834-838

Also Published As

Publication number Publication date
US20180342567A1 (en) 2018-11-29
US10153335B1 (en) 2018-12-11
EP3640991B1 (en) 2022-06-22
EP3640991A4 (en) 2020-06-03
EP3640991A1 (en) 2020-04-22
CN107221552A (zh) 2017-09-29
WO2018214256A1 (zh) 2018-11-29
KR20200012914A (ko) 2020-02-05
JP2020520538A (ja) 2020-07-09
PL3640991T3 (pl) 2022-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3444861B1 (en) Oled display panel, manufacturing method thereof and display device
CN104966723B (zh) 一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置
US10446633B2 (en) Transparent OLED display with transparent storage capacitor and manufacturing method thereof
CN103579532B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
JP7015321B2 (ja) Ｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイの製造方法及びｔｏｃ型ｏｌｅｄディスプレイ
CN102629585B (zh) 一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法
US10535722B2 (en) Organic light-emitting display apparatus having a pixel electrode and pixel-defining film and method of manufacturing the same
US20160370621A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof and liquid crystal display
CN107611280A (zh) 有机发光二极管基板及其制造方法
CN104953044A (zh) 柔性oled及其制作方法
CN104952791A (zh) Amoled显示器件的制作方法及其结构
CN104637438A (zh) 柔性显示器及其制造方法
CN104009186A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US9214476B1 (en) Pixel structure
CN110518053A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
KR102078022B1 (ko) 양 방향 표시형 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
TW201428958A (zh) 用於平面顯示器之背板及其製造方法
JP6373382B2 (ja) 有機発光ダイオードの陽極接続構造の製造方法
CN109390380A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109037277A (zh) 一种oled显示面板的制备方法及oled显示面板、显示装置
CN104157609B (zh) Tft基板的制作方法及其结构
US9640554B2 (en) Pixel structure
KR101545923B1 (ko) 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8927970B2 (en) Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
KR20080102665A (ko) 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210908

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220121