JP7007817B2 - Liquid crystal display device - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示装置にかかり、特に、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の設けられるＴＦＴアレイ基板と、遮光膜およびカラーフィルタの設けられるカラーフィルタ基板とが対向配置されてなる液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which a TFT array substrate provided with a TFT (Thin Film Transistor) and a color filter substrate provided with a light-shielding film and a color filter are arranged to face each other.

液晶表示装置は、アレイ状に配列するＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と画素電極を備えるＴＦＴアレイ基板（以下、アレイ基板）とカラーフィルタなどを備える対向基板（カラーフィルタ基板:以下、ＣＦ基板）との一対の基板間に挟持された液晶材料を備えた液晶パネルにより構成されている。また、アレイ基板上に設けられるスイッチング素子であるＴＦＴは、能動層となる半導体層に光が入射されるとリーク電流が発生し、ＴＦＴの保持特性が悪化し、結果として表示品位が低下することから、通常、このＴＦＴの半導体層には、光が入射しないように、バックライト側には、ＴＦＴを構成するゲート電極が遮光層により設けられ、外光の入射される可能がある表示面側には、ＴＦＴと対向する位置のＣＦ基板表面に格子状の遮光層であるブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ：ＢＭ）が、それぞれ設けられ、上記のリーク電流などの発生を防いでいる。 The liquid crystal display device includes TFTs (Thin Film Transistors) arranged in an array, a TFT array substrate having pixel electrodes (hereinafter referred to as an array substrate), and a facing substrate including a color filter (hereinafter referred to as a CF substrate). It is composed of a liquid crystal panel provided with a liquid crystal material sandwiched between a pair of substrates. Further, in the TFT which is a switching element provided on the array substrate, a leakage current is generated when light is incident on the semiconductor layer which is an active layer, the holding characteristics of the TFT deteriorate, and as a result, the display quality deteriorates. Therefore, normally, a gate electrode constituting the TFT is provided by a light-shielding layer on the backlight side so that light is not incident on the semiconductor layer of the TFT, and the display surface side on which external light may be incident. Black Matrix (BM), which is a grid-like light-shielding layer, is provided on the surface of the CF substrate at a position facing the TFT, respectively, to prevent the above-mentioned leakage current and the like from being generated.

一方、近年、液晶表示装置においては、用途が多岐にわたっており、特に屋外用途など外光の入る箇所で使用するものに関しては、反射画素電極を備えた半透過タイプの液晶表示装置を用いることで視認性を確保する場合や、透過タイプの液晶表示装置にて、バックライトの光量を上げて高輝度化し、視認性を確保する場合も多くなってきている。また、高画質化の要求から、明表示の輝度を高くしコントラストの高い画像を表示するためにも、バックライトの光量が増大して来ている。また、車載用途では、フロントガラスに液晶パネルを介した映像を投影するヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置も汎用されるようになり、このヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置においても、高い輝度のバックライト（投影光）が液晶パネルに照射されることになる。特に、バックライトの光量が大きくなると、上記説明のとおり、本来はアレイ基板側のゲート電極やＢＭで遮光されて半導体層に入射されないか、或いは、殆ど無視できる程度であった光が、例えば、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面で反射される反射光など、半導体層に間接的に入射される光が、表示品位に影響を与えるレベルのリーク電流を生ずる強度になる場合がある。 On the other hand, in recent years, liquid crystal display devices have a wide variety of uses, and especially those used in places where external light enters, such as outdoor applications, can be visually recognized by using a semi-transmissive type liquid crystal display device equipped with a reflective pixel electrode. In many cases, the visibility is ensured by increasing the amount of light of the backlight to increase the brightness in the transmissive type liquid crystal display device. Further, due to the demand for higher image quality, the amount of light from the backlight is increasing in order to increase the brightness of the bright display and display an image with high contrast. In addition, head-up display type liquid crystal display devices that project images through a liquid crystal panel on the windshield have become widely used in in-vehicle applications, and even in this head-up display type liquid crystal display device, a high-brightness back is used. A light (projected light) will be applied to the liquid crystal panel. In particular, when the amount of light of the backlight becomes large, as described above, the light that was originally shielded by the gate electrode or BM on the array substrate side and is not incident on the semiconductor layer or is almost negligible is, for example, Light indirectly incident on the semiconductor layer, such as reflected light reflected on the BM surface at a position facing the TFT, may have an intensity that causes a level of leakage current that affects the display quality.

また、近年の液晶表示装置の高精細化と同時に高開口率化（遮光部の比率を低くする）の流れから、ゲート配線から別途ゲート電極を設けることなく、ゲート配線の一部をゲート電極に兼ねることで、ゲート配線に重なって半導体層およびＴＦＴが配置される構成が採用される場合が多くなっている。このような構成では、遮光領域となるゲート電極およびゲート配線の形成領域の面積を減らし、画素内において、表示に寄与する透過領域（開口領域）の占める割合を増やすことに対応する高開口率化が可能である。一方、そのような配置の場合、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面以外に、隣接する画素のＴＦＴ間に位置するゲート配線と対向する位置のＢＭ表面で反射される反射光もＴＦＴの半導体層に入射し易い構造となる。つまり、上記説明の半導体層に間接的に入射される光によるリーク電流が大きくなり易く、表示品位の低下を招き易い。 In addition, due to the recent trend toward higher definition and higher aperture ratio (lowering the ratio of light-shielding parts) of liquid crystal display devices, part of the gate wiring can be used as the gate electrode without installing a separate gate electrode from the gate wiring. In many cases, a configuration in which the semiconductor layer and the TFT are arranged so as to overlap the gate wiring is adopted. In such a configuration, the area of the gate electrode and the gate wiring forming area that becomes the light-shielding area is reduced, and the aperture ratio is increased corresponding to increasing the proportion of the transmission area (opening area) that contributes to the display in the pixel. Is possible. On the other hand, in such an arrangement, in addition to the BM surface at the position facing the TFT, the reflected light reflected on the BM surface at the position facing the gate wiring located between the TFTs of the adjacent pixels is also reflected on the semiconductor layer of the TFT. The structure is easy to enter. That is, the leakage current due to the light indirectly incident on the semiconductor layer described above tends to be large, which tends to cause deterioration of the display quality.

このような状況において、液晶表示装置においてバックライトを高輝度化することに伴って生ずる問題である特にＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面で反射される反射光を防止する方法としては、特許文献１において、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面に赤色や緑色より相対的に輝度が低い青色を含む色材層（青色単層の色材層あるいは青色の色材層を含む複数色の色材層の積層膜）を設けることで、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面の反射光を防ぐことについて開示されている。また、特許文献２において、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面に複数色の色材層の積層膜）を設けることで、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面の反射光を防ぐことについて開示されている。また、特許文献２では、当該ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面に設ける色材層の積層膜について、特許文献１と同様の観点で相対的に輝度が低い青色を含んだ積層膜を望ましいとしたうえで、色材層の積層膜を設けるＢＭに対して、単純に左右に隣接する色材層を積層した構成へ変更することについても開示されている。 In such a situation, Patent Document 1 is a method for preventing reflected light reflected on the BM surface at a position facing the TFT, which is a problem caused by increasing the brightness of the backlight in a liquid crystal display device. In the BM surface at a position facing the TFT, a color material layer containing blue, which has a relatively lower brightness than red or green (a single blue color material layer or a plurality of color material layers including a blue color material layer). It is disclosed that the reflected light on the BM surface at the position facing the TFT is prevented by providing the laminated film). Further, Patent Document 2 discloses that by providing a laminated film of a plurality of color material layers on the BM surface at a position facing the TFT, the reflected light on the BM surface at the position facing the TFT is prevented. .. Further, in Patent Document 2, it is desirable that the laminated film of the color material layer provided on the BM surface at a position facing the TFT is a laminated film containing blue having a relatively low brightness from the same viewpoint as in Patent Document 1. Further, it is also disclosed that the BM provided with the laminated film of the color material layer is simply changed to the structure in which the color material layers adjacent to the left and right are laminated.

特開２００９－１９２７９５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-192795 特開２００５－９９３９３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-99393

しかしながら、特許文献１や特許文献２においては、ＴＦＴと対向する位置のＢＭ表面からの反射光を防ぐ方法については開示されているものの、ＴＦＴと対向する位置以外のＢＭからの反射光（具体的には、例えば、ゲート配線と対向する位置のＢＭ）については、対応がされていない。特に、特許文献２においては、ゲート配線と対向する位置へのＢＭの配置自体が省略されている。更に、上記説明したようにゲート配線と対向する位置のＢＭ表面からの反射光によって表示品位の低下を招き易い構成となるゲート配線に重なって半導体層およびＴＦＴが配置される構成に関する記載が無いことから、当該ゲート配線に重なって半導体層およびＴＦＴが配置される構成において顕著となる表示品位の低下については、そもそも課題として認識されておらず、上記のとおり、全く解決策が開示されていない。 However, although Patent Document 1 and Patent Document 2 disclose a method for preventing reflected light from the BM surface at a position facing the TFT, reflected light from a BM other than the position facing the TFT (specifically). For example, BM) at a position facing the gate wiring is not supported. In particular, in Patent Document 2, the arrangement of the BM itself at the position facing the gate wiring is omitted. Further, as described above, there is no description regarding the configuration in which the semiconductor layer and the TFT are arranged so as to overlap the gate wiring, which is a configuration in which the reflected light from the BM surface at the position facing the gate wiring tends to deteriorate the display quality. Therefore, the remarkable deterioration of the display quality in the configuration in which the semiconductor layer and the TFT are arranged so as to overlap the gate wiring is not recognized as a problem in the first place, and as described above, no solution is disclosed.

また、特許文献１や特許文献２にも記載されるとおり、３色のカラーフィルタは、一般的には、３行を繰り返し周期として、順番に異なる色のカラーフィルタの色材パターンの列が並んで配置されることとなるが、特定の１色のカラーフィルタを必ずＴＦＴの形成領域に設ける場合、当該特定の１色のカラーフィルタの列から離れた位置のＴＦＴに対しては、当該特定の１色のカラーフィルタの色材パターンをＴＦＴの形成領域に対応した比較的小さい面積の孤立パターンで配置する必要がある。また、特定の２色のカラーフィルタをＴＦＴの形成領域に積層して設ける場合にも、同様に、ＴＦＴの形成領域に対応した比較的小さい面積の孤立パターンで配置する必要が出てくる。実際、特許文献１と特許文献２の双方ともに、ＴＦＴの形成領域に対応した比較的小さい面積の孤立パターンの色材パターンが設けられている。 Further, as described in Patent Document 1 and Patent Document 2, in a three-color color filter, generally, columns of color material patterns of color filters of different colors are arranged in order with three rows as a repetition cycle. However, when a specific one-color color filter is always provided in the TFT formation region, the specific one-color filter for the TFT located away from the row of the specific one-color filter is specified. It is necessary to arrange the color material pattern of the one-color filter in an isolated pattern having a relatively small area corresponding to the formation region of the TFT. Further, when the color filters of two specific colors are laminated and provided in the TFT forming region, it is also necessary to arrange them in an isolated pattern having a relatively small area corresponding to the TFT forming region. In fact, both Patent Document 1 and Patent Document 2 are provided with a color material pattern having a relatively small area corresponding to a TFT forming region.

このような比較的小さい面積の孤立パターンの色材パターンは、各カラーフィルタの色材パターンを形成するプロセスにおいて、色材パターンそのもののハガレやマスクパターンとなるレジスト膜のハガレなどにより、形成不良を生じ易い。つまり、製造歩留りが悪くなり、製造コストの増加を招くことになる。一方、特許文献２で変形例として例示されるように、必ず配置する特定色を設けずに左右に隣接する色材層を積層した構成とする場合には、上記の比較的小さい面積の孤立パターンの色材パターンを設けないようにすることも可能であるが、任意の２色を積層した場合には、反射光に対する充分な防止作用が得られないことが懸念される。 In the process of forming the color material pattern of each color filter, the color material pattern of the isolated pattern having such a relatively small area causes poor formation due to the peeling of the color material pattern itself or the peeling of the resist film which becomes the mask pattern. It is easy to occur. That is, the manufacturing yield is deteriorated, which leads to an increase in manufacturing cost. On the other hand, as illustrated as a modification in Patent Document 2, in the case of a configuration in which adjacent color material layers are laminated on the left and right without providing a specific color to be always arranged, the above-mentioned isolation pattern having a relatively small area is used. Although it is possible not to provide the color material pattern of the above, there is a concern that a sufficient preventive action against reflected light cannot be obtained when any two colors are laminated.

本発明は、上記説明の様な課題を解決するためになされたものであり、その目的は、製造コストの増加を抑えながら、バックライトの高輝度化や、画素の高開口率化に好適であって、ＴＦＴへ光が入射されることに伴う、表示品位の低下を改善することが可能な液晶表示装置を提供するものである。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is suitable for increasing the brightness of a backlight and increasing the aperture ratio of pixels while suppressing an increase in manufacturing cost. Therefore, the present invention provides a liquid crystal display device capable of improving the deterioration of display quality due to light incident on the TFT.

本発明の液晶表示装置においては、表示領域内において互いに交差して設けられるゲート配線およびソース配線、当該ゲート配線上に配置される薄膜トランジスタ、並びに薄膜トランジスタに接続される画素電極がそれぞれ複数配列して設けられるアレイ基板と、このアレイ基板と液晶層を介して対向配置され、ブラックマトリクスおよび３色の色材パターンを備えたカラーフィルタ基板とを備え、前記の３色の色材パターンのうちの１色よりなる特定色の色材パターンが、前記のブラックマトリクスのゲート配線の形成領域に重なる領域の表面を覆って延在して設けられる連続パターンを備えるものである。 In the liquid crystal display device of the present invention, a plurality of gate wiring and source wiring provided so as to intersect each other in the display region, a thin film arranged on the gate wiring, and a plurality of pixel electrodes connected to the thin film are arranged and provided. The array substrate is provided with a black matrix and a color filter substrate having a black matrix and a color material pattern of three colors arranged opposite to each other via the liquid crystal layer, and one color of the above three color material patterns is provided. The color material pattern of a specific color is provided with a continuous pattern extending over the surface of the region overlapping the formation region of the gate wiring of the black matrix.

液晶表示装置において、製造コストの増加を抑えながら、カラーフィルタ基板上のブラックマトリクス表面の反射を減らし、ＴＦＴへ光が入射されることを抑える。 In the liquid crystal display device, while suppressing the increase in manufacturing cost, the reflection on the surface of the black matrix on the color filter substrate is reduced, and the light is suppressed from being incident on the TFT.

本発明の実施の形態１の液晶表示装置における液晶パネルの断面図である。It is sectional drawing of the liquid crystal panel in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の液晶表示装置における液晶パネルの平面図である。It is a top view of the liquid crystal panel in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図である。It is a main part plan view of the color filter substrate in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部断面図である。It is sectional drawing of the main part of the color filter substrate in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板およびアレイ基板の要部斜視図である。It is a perspective view of the main part of the color filter substrate and the array substrate in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるアレイ基板の要部平面図である。It is a main part plan view of the array substrate in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図である。It is a main part plan view of the color filter substrate in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の液晶パネルの製造工程におけるパネル組み立て工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the panel assembly process in the manufacturing process of the liquid crystal panel of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の変形例の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部断面図である。It is sectional drawing of the main part of the color filter substrate in the liquid crystal display device of the modification of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の変形例の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図である。It is a main part plan view of the color filter substrate in the liquid crystal display device of the modification of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図および断面図である。2 is a plan view and a cross-sectional view of a main part of a color filter substrate in the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態３の液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板の要部平面図および断面図である。3 is a plan view and a cross-sectional view of a main part of a color filter substrate in the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention.

実施の形態１．
本実施形態１の液晶表示装置に用いられる液晶パネル１０の構成について図１～図６を用いて説明する。図１および図２は、液晶パネル全体の構成の断面図と平面図をそれぞれ示しており、図１は、図２におけるＡ－Ｂ断面線における断面図に対応する。また、図３および図４は、発明の主要部となるカラーフィルタ基板上に設けられるブラックマトリクスの遮光パターンと色材パターンを示す詳細説明図であり、図３（ａ）および図３（ｂ）は、ブラックマトリクスの遮光パターンと色材パターンのそれぞれの平面配置を示す平面図、図４（ａ）および図４（ｂ）は、図３（ｂ）におけるＸ１－Ｘ２断面線、Ｘ３－Ｘ４断面線のそれぞれにおける断面図に対応する。また、図５（ａ）および図５（ｂ）は、カラーフィルタ基板側のブラックマトリクスとアレイ基板側の各パターンの位置関係を示すための斜視図である。更に、図６および図７は、アレイ基板側の具体的な各パターンの平面配置と、これらアレイ基板側の各パターンとカラーフィルタ基板上に設けられるブラックマトリクスの遮光パターンと色材パターンの平面配置の位置関係を示す平面図を示している。 Embodiment 1.
The configuration of the liquid crystal panel 10 used in the liquid crystal display device of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6. 1 and 2 show a cross-sectional view and a plan view of the configuration of the entire liquid crystal panel, respectively, and FIG. 1 corresponds to a cross-sectional view taken along the line AB in FIG. 3 and 4 are detailed explanatory views showing a light-shielding pattern and a color material pattern of a black matrix provided on a color filter substrate, which is a main part of the invention, and FIGS. 3 (a) and 3 (b) show. Is a plan view showing the respective planar arrangements of the light-shielding pattern and the color material pattern of the black matrix, and FIGS. 4 (a) and 4 (b) are X1-X2 cross-sectional lines and X3-X4 cross-sections in FIG. Corresponds to the cross-sectional view of each of the lines. Further, FIGS. 5A and 5B are perspective views for showing the positional relationship between the black matrix on the color filter substrate side and each pattern on the array substrate side. Further, FIGS. 6 and 7 show the planar arrangement of each specific pattern on the array substrate side, and the planar arrangement of each pattern on the array substrate side and the light-shielding pattern and the color material pattern of the black matrix provided on the color filter substrate. The plan view which shows the positional relationship of is shown.

なお、図は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。特に、ＣＦ基板とアレイ基板間に配置される構成については、説明の便宜上、双方の基板の厚みに比べて、基板間の距離や基板面に垂直方向の長さなどを誇張して図示している。また、図面が煩雑とならないよう、発明の主要部以外の省略や構成の一部簡略化などを適宜行っている。以下の図においても同様とする。更に、以下の図においては、図中、既出の図において説明したものと同一の構成要素には同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。 It should be noted that the figure is a schematic one and does not reflect the exact size of the indicated components. In particular, regarding the configuration arranged between the CF board and the array board, for convenience of explanation, the distance between the boards and the length in the direction perpendicular to the board surface are exaggerated and illustrated as compared with the thickness of both boards. There is. In addition, in order not to make the drawings complicated, omissions other than the main part of the invention and partial simplification of the configuration are appropriately performed. The same shall apply in the following figure. Further, in the following figures, the same components as those described in the above-mentioned figures are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.

ここでは、一例として、液晶の動作モードがＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードで、スイッチング素子に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた液晶パネルに本発明を適用した場合について説明する。 Here, as an example, a case where the operation mode of the liquid crystal is TN (Twisted Nematic) mode and the present invention is applied to a liquid crystal panel using a thin film transistor (TFT) as a switching element will be described.

また、この液晶パネル１０は、ＴＦＴなどのスイッチング素子と画素電極がアレイ状に配列するアレイ基板であるＴＦＴアレイ基板（以下、アレイ基板）１１０と、このアレイ基板１１０と対向配置される対向基板であるカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）１２０と、表示領域１００に対応する領域を囲うように配置され、ＣＦ基板１２０とアレイ基板１１０との間の間隙を密封するシールパターン１３３を備えている。また、このシールパターン１３３により密封され、ＣＦ基板１２０とアレイ基板１１０との間の間隙の少なくとも表示領域１００に対応する領域に液晶層１３０が挟持されている。よって、シールパターン１３３は、表示領域１００に対応する領域の外側を額縁状に囲うように配置される額縁領域１０１に形成されることになる。 Further, the liquid crystal panel 10 is a TFT array substrate (hereinafter referred to as an array substrate) 110 which is an array substrate in which switching elements such as TFTs and pixel electrodes are arranged in an array, and a facing substrate which is arranged to face the array substrate 110. A seal pattern 133 is arranged so as to surround a certain color filter substrate (CF substrate) 120 and a region corresponding to the display region 100, and seals a gap between the CF substrate 120 and the array substrate 110. Further, the liquid crystal layer 130 is sealed by the seal pattern 133, and the liquid crystal layer 130 is sandwiched in a region corresponding to at least the display region 100 of the gap between the CF substrate 120 and the array substrate 110. Therefore, the seal pattern 133 is formed in the frame area 101 arranged so as to surround the outside of the area corresponding to the display area 100 in a frame shape.

また、アレイ基板１１０およびＣＦ基板１２０の外形は何れも矩形となっており、アレイ基板１１０の外形の方が、ＣＦ基板１２０の外形よりも大きく、ＣＦ基板１２０の外形端面より一部突出する突出部を有して重ね合わせ配置されている。 Further, the outer shapes of the array board 110 and the CF board 120 are both rectangular, and the outer shape of the array board 110 is larger than the outer shape of the CF board 120 and partially protrudes from the outer end face of the CF board 120. It has a portion and is arranged in an overlapping manner.

なお、図２の平面図では、ＣＦ基板１２０の下に配置されるアレイ基板１１０の構成を図示するために、図中左上の一部のみＣＦ基板１２０を図示し、それ以外の領域では、ＣＦ基板１２０の図示を省略してアレイ基板１１０の構成を図示している。実際の構成としては、ＣＦ基板１２０は、シールパターン１３３により囲まれる領域の外側の図中破線で示される領域まで設けられている。 In the plan view of FIG. 2, in order to illustrate the configuration of the array substrate 110 arranged under the CF substrate 120, the CF substrate 120 is shown only in a part of the upper left of the figure, and the CF is shown in the other regions. The configuration of the array board 110 is shown by omitting the illustration of the board 120. As an actual configuration, the CF substrate 120 is provided up to a region shown by a broken line in the figure outside the region surrounded by the seal pattern 133.

また、図中では、表示領域１００となる矩形領域を点線で囲み、額縁領域１０１との境界としている。なお、ここで使用した額縁領域１０１については、液晶パネル１０のアレイ基板１１０上、ＣＦ基板１２０上、或いは両基板間に挟まれる領域において、表示領域１００外側に位置する表示領域１００を取り囲む額縁状の領域、即ち表示領域１００を除く全ての領域のことを意味し、表示領域１００についても、液晶パネル１０のアレイ基板１１０上、ＣＦ基板１２０上、或いは両基板間に挟まれる領域の全てにおいて使用することとし、本明細書中においては全て同様の意味にて使用する。 Further, in the figure, a rectangular area to be the display area 100 is surrounded by a dotted line to be a boundary with the frame area 101. The frame area 101 used here has a frame shape that surrounds the display area 100 located outside the display area 100 in the area on the array substrate 110 of the liquid crystal panel 10, the CF board 120, or between the two substrates. , That is, all areas except the display area 100, and the display area 100 is also used in the array substrate 110 of the liquid crystal panel 10, the CF substrate 120, or all the regions sandwiched between the two substrates. In the present specification, all of them have the same meaning.

更にアレイ基板１１０とＣＦ基板１２０間には、基板間に所定の一定距離の間隙を形成し保持する柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓが表示領域１００内に多数配置される。このシールパターン１３３により密封され、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓにより保持されたＣＦ基板１２０とアレイ基板１１０との間の間隙の少なくとも表示領域１００に対応する領域に液晶層１４０が挟持されている。なお、基板間に所定の一定距離の間隙を形成し保持する柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについては、本発明の特徴的な構成であることから、別途詳細に説明を行う。 Further, between the array substrate 110 and the CF substrate 120, a large number of columnar spacers 134m and columnar spacers 134s that form and hold a gap of a predetermined constant distance between the substrates are arranged in the display area 100. The liquid crystal layer 140 is sandwiched in a region corresponding to at least the display region 100 of the gap between the CF substrate 120 and the array substrate 110, which is sealed by the seal pattern 133 and held by the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s. Since the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s that form and hold a gap of a predetermined constant distance between the substrates are characteristic configurations of the present invention, they will be described in detail separately.

上述のアレイ基板１１０は、透明基板であるガラス基板１１１の一方の面に液晶を配向させる配向膜１１２、配向膜１１２の下部に設けられ液晶を駆動する電圧を印加する画素電極１１３、画素電極１１３に電圧を供給するスイッチング素子であるＴＦＴ１１４、ＴＦＴ１１４を覆う絶縁膜１１５、ＴＦＴ１１４に信号を供給する配線である複数のゲート配線１１７およびソース配線１１８、ゲート配線１１７と並行して配置され共通電位が印加される共通配線１１９、ＴＦＴ１１４に供給される信号を外部から受け入れる端子１１６、端子１１６から入力された信号をＣＦ基板１２０側へ伝達するためのトランスファ電極（図示省略）、端子１１６から入力された信号をゲート配線１１７およびソース配線１１８やトランスファ電極へ伝達する周辺配線（図示省略）などを有している。 The array substrate 110 described above has an alignment film 112 for aligning liquid crystal on one surface of a glass substrate 111 which is a transparent substrate, a pixel electrode 113 provided below the alignment film 112 and applying a voltage for driving the liquid crystal, and a pixel electrode 113. A common potential is applied in parallel with the TFT 114, which is a switching element that supplies voltage to the TFT, the insulating film 115 that covers the TFT 114, and a plurality of gate wiring 117, source wiring 118, and gate wiring 117 that are wirings that supply signals to the TFT 114. Common wiring 119, terminal 116 for receiving signals supplied to TFT 114 from the outside, transfer electrode for transmitting the signal input from terminal 116 to the CF board 120 side (not shown), signal input from terminal 116. It has a gate wiring 117, a source wiring 118, and peripheral wiring (not shown) that transmits the above to the transfer electrode.

また、ＴＦＴ１１４については、アレイ基板１１０上の表示領域１００において、それぞれ縦横に複数本配列して設けられるゲート配線１１７とソース配線１１８の各交差部近傍に設けられる。画素電極１１３については、ゲート配線１１７とソース配線１１８により囲まれる各画素領域内にマトリクス状に配列して形成される。また、端子１１６、トランスファ電極、周辺配線については、額縁領域１０１に形成される。また、ガラス基板１１１の他方の面には偏光板１３１を有している。 Further, the TFT 114 is provided in the display area 100 on the array substrate 110 in the vicinity of each intersection of the gate wiring 117 and the source wiring 118, which are respectively arranged vertically and horizontally. The pixel electrodes 113 are formed by arranging them in a matrix in each pixel region surrounded by the gate wiring 117 and the source wiring 118. Further, the terminal 116, the transfer electrode, and the peripheral wiring are formed in the frame region 101. Further, the polarizing plate 131 is provided on the other surface of the glass substrate 111.

更に、ＴＦＴ１１４の詳細な構成としては、図５（ｂ）に示されるとおり、ゲート配線１１７上に、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１１５を介して形成され、チャネルとして機能する半導体層１１４ｃと、その上に配置され、半導体層１１４ｃに接続されるソース電極１１４ｓおよびドレイン電極１１４ｄより構成されている。つまり、ボトムゲート型のＴＦＴである。なお、ＴＦＴ１１４を構成するゲート電極１１４ｇは、ゲート配線１１７が兼ねていることになり、ＴＦＴ１１４の形成領域内にゲート電極１１４ｇを図示しているとおり、ゲート電極１１４ｇは、実質的には、ゲート配線１１７のうち、半導体層１１４ｃと重なる一部のみがゲート電極１１４ｇとして機能することになる。 Further, as a detailed configuration of the TFT 114, as shown in FIG. 5B, a semiconductor layer 114c formed on the gate wiring 117 via an insulating film 115 functioning as a gate insulating film and functioning as a channel. It is composed of a source electrode 114s and a drain electrode 114d arranged on the semiconductor layer 114c and connected to the semiconductor layer 114c. That is, it is a bottom gate type TFT. The gate electrode 114g constituting the TFT 114 also serves as the gate wiring 117, and as shown in the figure showing the gate electrode 114g in the formation region of the TFT 114, the gate electrode 114g is substantially the gate wiring. Of the 117, only a part of the 117 that overlaps with the semiconductor layer 114c functions as the gate electrode 114g.

また、チャネルとして機能する半導体層１１４ｃは、ここでは、非単結晶シリコン膜のうち、アモルファスシリコン膜を半導体材料として選択している。また、半導体層１１４ｃは、ゲート電極を兼ねるゲート配線１１７の形成領域内に平面的に重なって配置されていることとなり、ゲート配線１１７が遮光性の金属層で設けられることによって、ガラス基板１１１側からの直接光に対して、遮光されることになる。なお、ＴＦＴ１１４のドレイン電極１１４ｄには画素電極１１３が接続される。 Further, for the semiconductor layer 114c that functions as a channel, an amorphous silicon film is selected as the semiconductor material from the non-single crystal silicon films. Further, the semiconductor layer 114c is arranged so as to be planarly overlapped in the formation region of the gate wiring 117 that also serves as a gate electrode, and the gate wiring 117 is provided with a light-shielding metal layer on the glass substrate 111 side. It will be shielded from direct light from. The pixel electrode 113 is connected to the drain electrode 114d of the TFT 114.

一方、上述のＣＦ基板１２０は、透明基板である厚み０．７ｍｍ程度の一般的なガラスよりなるガラス基板１２１の一方の面に液晶を配向させる配向膜１２２、配向膜１２２の下部に配置され、ＴＦＴ基板１１０上の画素電極１１３との間に電界を生じ液晶を駆動する共通電極１２３、共通電極１２３下部に設けられるカラーフィルタとして機能する色材パターン（ここでは、三原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）として、それぞれ、１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂを付している）および色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂ間を遮光するため、或いは表示領域１００に対応する領域外側に配置される額縁領域１０１を遮光するために設けられる遮光層であるブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ：ＢＭ）１２５などを有しており、ＣＦ基板１２０のガラス基板１２１の他方の面、すなわち、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂ、ＢＭ１２５などの設けられる面と反対側の面には偏光板１３２を有している。 On the other hand, the above-mentioned CF substrate 120 is arranged below the alignment film 122 and the alignment film 122 for aligning the liquid crystal on one surface of the glass substrate 121 made of general glass having a thickness of about 0.7 mm, which is a transparent substrate. A common electrode 123 that drives a liquid crystal display by generating an electric field between the pixel electrode 113 on the TFT substrate 110, and a color material pattern that functions as a color filter provided under the common electrode 123 (here, red (R), which is the three primary colors, (124R, 124G, 124B are attached as green (G) and blue (B), respectively) and the color material patterns 124R to 124B are shielded from light, or are arranged outside the area corresponding to the display area 100. It has a black matrix (BM) 125 or the like which is a light shielding layer provided to shield the frame region 101 from light, and has the other surface of the glass substrate 121 of the CF substrate 120, that is, the color material patterns 124R to 124B. , BM125 and the like have a polarizing plate 132 on the surface opposite to the provided surface.

色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂとしては、樹脂中に顔料などを分散させた色材層が選択でき、赤、緑、青などの特定の波長範囲の光を選択的に透過するフィルタとして機能し、例えば、図２の平面図に示す様に、これら異なる色の色材層が規則的に配列して構成される（図中では、赤（Ｒ）の色材パターン１２４Ｒ、緑（Ｇ）の色材パターン１２４Ｇ、青（Ｂ）の色材パターン１２４Ｂに対応して、引き出し線で符号を付したもの以外も含め、それぞれ、Ｒ、Ｇ、Ｂの記号を付している。）。また、ＢＭ１２５については、樹脂中に黒色顔料などを分散させてなる、いわゆる樹脂ＢＭを用いても良いし、ある程度の反射防止機能を有した酸化Ｃｒ膜が表面に設けられた金属Ｃｒよりなる、いわゆるＣｒ－ＢＭを用いても良いが、本実施の形態１では、樹脂ＢＭからなるＢＭ１２５を選択した。なお、ＢＭ１２５の平面的な配置や、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの平面的な配置が、本発明の特徴的な構成であることから、以下で別途詳細説明を行なうとして、ここでは詳細説明を省略することとする。 As the color material patterns 124R to 124B, a color material layer in which a pigment or the like is dispersed in a resin can be selected, and functions as a filter that selectively transmits light in a specific wavelength range such as red, green, and blue, for example. , As shown in the plan view of FIG. 2, these different color material layers are regularly arranged and configured (in the figure, the red (R) color material pattern 124R and the green (G) color material. Corresponding to the pattern 124G and the blue (B) color material pattern 124B, the symbols R, G, and B are attached, respectively, including those other than those labeled with the leader line.) Further, for the BM125, a so-called resin BM in which a black pigment or the like is dispersed in the resin may be used, or the oxide Cr film having a certain degree of antireflection function is made of a metal Cr provided on the surface. So-called Cr-BM may be used, but in the first embodiment, BM125 made of resin BM was selected. Since the planar arrangement of the BM125 and the planar arrangement of the color material patterns 124R to 124B are characteristic configurations of the present invention, detailed explanations will be given below, but detailed description thereof will be omitted here. I decided to.

また、図中においては、ＣＦ基板１２０表面に形成される配向膜１２２について、主に表示領域１００内の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの形成部分以外の領域に形成された状態で図示されているが、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの形成後に配向膜１２２とする配向膜材料は塗布されることから、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの表面にも配向膜材料は塗布されていることになる。然しながら、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの表面に形成される配向膜材料自体は比較的薄く形成されることや、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの表面では配向処理された配向膜としての実質的な機能を有さないことから、配向膜１２２としての図示を省略している。 Further, in the drawing, the alignment film 122 formed on the surface of the CF substrate 120 is mainly shown in a state of being formed in a region other than the formed portions of the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s in the display region 100. However, since the alignment film material to be the alignment film 122 is applied after the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s are formed, the alignment film material is also applied to the surfaces of the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s. However, the alignment film material itself formed on the surfaces of the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s is formed relatively thin, and the surface of the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s is substantially as an alignment film treated with alignment. Since it has no function, the illustration as the alignment film 122 is omitted.

更に、この液晶パネル１０は、後述する製造フロー（製造方法）に関する説明部分において別途詳細に説明を行うが、この一対の基板であるアレイ基板１１０およびＣＦ基板１２０の何れか一方の基板表面に液晶が複数の液滴として配置された後に両方の基板間に挟まれることによりシールパターン１３３により囲まれる領域内に封止されて形成される滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌｉｎｇ）方式により製造される。 Further, the liquid crystal panel 10 will be described in detail separately in the description portion regarding the manufacturing flow (manufacturing method) described later, but the liquid crystal display is formed on the surface of either one of the array substrate 110 and the CF substrate 120, which are the pair of substrates. Is manufactured by a drop injection (ODF: One Drop Filling) method, which is formed by being sealed in a region surrounded by a seal pattern 133 by being sandwiched between both substrates after being arranged as a plurality of droplets.

従って、シールパターン１３３は、閉ループ形状であり真空注入方式で製造される液晶パネルのように液晶を注入するための開口部である注入口は形成されておらず、別途注入口を封止するための封止材も設けられていないといった構造的な特徴を備えている。また、シールパターン１３３の材質は、導電性粒子を混在させた光硬化型シール剤（光硬化型樹脂）によりなる。 Therefore, the seal pattern 133 has a closed loop shape and does not have an injection port which is an opening for injecting liquid crystal unlike the liquid crystal panel manufactured by the vacuum injection method, and the injection port is separately sealed. It has structural features such as no sealing material. The material of the seal pattern 133 is a photocurable sealant (photocurable resin) in which conductive particles are mixed.

更にトランスファ電極と共通電極１２３は、シールパターン１３３中に混在される導電性粒子により電気的に接続されており、端子１１６から入力された信号が共通電極１２３に伝達される。導電性粒子としては、弾性変形可能なものが導通の安定の点で好ましく、例えば、表面に金メッキがされた球形の樹脂を用いると良い。この他に、液晶パネル１０は、駆動信号を発生する制御基板１３５、制御基板１３５を端子１１６に電気的に接続するＦＦＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｆｌａｔ Ｃａｂｌｅ）１３６などを備えている。 Further, the transfer electrode and the common electrode 123 are electrically connected by the conductive particles mixed in the seal pattern 133, and the signal input from the terminal 116 is transmitted to the common electrode 123. As the conductive particles, elastically deformable particles are preferable in terms of stability of conduction, and for example, a spherical resin having a gold-plated surface thereof may be used. In addition, the liquid crystal panel 10 includes a control board 135 that generates a drive signal, an FFC (Flexible Flat Cable) 136 that electrically connects the control board 135 to the terminal 116, and the like.

更に、液晶パネル１０の表示面の反対側には、光源となるバックライトユニット（図示せず）がアレイ基板１１０に対向して配置されており、更に、液晶パネル１０とバックライトユニット間には光の偏光状態や指向性などを制御する光学シートが配置されている。なお、本実施の形態１では、バックライトユニットとして、本発明の効果がより発揮されるように、光源として、少なくともＬＥＤを用い、より望ましくは高輝度タイプのＬＥＤを用いた高輝度タイプのバックライトユニットを用いることとした。高輝度タイプのバックライトユニットの具体的な輝度については、最大輝度として、２００００ｃｄ／ｍ２以上の範囲を有することが望ましい。液晶パネル１０は、これら部材と共に表示面となる表示領域１００におけるＣＦ基板１２０の外側の部分が開放された筐体（図示せず）の中に収納され、本実施の形態１の液晶表示装置は構成される。 Further, on the opposite side of the display surface of the liquid crystal panel 10, a backlight unit (not shown) serving as a light source is arranged so as to face the array substrate 110, and further, between the liquid crystal panel 10 and the backlight unit. An optical sheet that controls the polarization state and directivity of light is arranged. In the first embodiment, as the backlight unit, at least an LED is used as a light source so that the effect of the present invention can be more exerted, and more preferably, a high-brightness type back using a high-brightness type LED. I decided to use a light unit. Regarding the specific brightness of the high-brightness type backlight unit, it is desirable that the maximum brightness has a range of 20000 cd / m 2 or more. The liquid crystal panel 10 is housed in a housing (not shown) in which the outer portion of the CF substrate 120 in the display area 100 which is a display surface together with these members is open, and the liquid crystal display device of the first embodiment is It is composed.

続いて、本発明での特徴的な構成の１つであるＣＦ基板１２０上に設けられるＢＭ１２５の遮光パターンと色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの詳細な平面配置について図３の平面図を用い、適宜、図４の断面図或いは図５の斜視図を参照しながら説明を行う。なお、先に説明したとおり、図５（ａ）および図５（ｂ）は、ＣＦ基板１２０側のＢＭの遮光パターンとアレイ基板１１０側の各パターンの位置関係を示すための斜視図であるが、対向配置されるアレイ基板１１０とＣＦ基板１２０において、図５（ａ）に図示されるＣＦ基板１２０は、裏面側（アレイ基板１１０との反対向面側）から見た斜視図であり、図５（ｂ）に図示されるアレイ基板１１０は、表面側（ＣＦ基板１２０との対向面側）から見た斜視図である。よって、基本的には、それぞれ図示される位置関係のまま、互いに対向配置されるものであり、図５（ａ）に図示される柱状スペーサ１３４ｍと図５（ｂ）に図示される柱状スペーサ１３４ｍは同じ位置を示していることになる。 Subsequently, the plan view of FIG. 3 is used as appropriate for the detailed plan arrangement of the light-shielding pattern of the BM 125 and the color material patterns 124R to 124B provided on the CF substrate 120, which is one of the characteristic configurations in the present invention. The description will be given with reference to the cross-sectional view of FIG. 4 or the perspective view of FIG. As described above, FIGS. 5A and 5B are perspective views for showing the positional relationship between the light-shielding pattern of the BM on the CF substrate 120 side and each pattern on the array substrate 110 side. In the array substrate 110 and the CF substrate 120 arranged to face each other, the CF substrate 120 shown in FIG. 5A is a perspective view seen from the back surface side (the side opposite to the array substrate 110). The array substrate 110 shown in 5 (b) is a perspective view seen from the front surface side (the side facing the CF substrate 120). Therefore, basically, the columnar spacers 134m shown in FIG. 5A and the columnar spacers 134m shown in FIG. 5B are arranged so as to face each other while maintaining the positional relationship shown in FIG. Will indicate the same position.

先ず、図３（ａ）を用いて、ＣＦ基板１２０上に設けられるＢＭ１２５の遮光パターンの平面配置について説明を行なう。なお、図３（ａ）は、ＣＦ基板１２０上に設けられるＢＭ１２５の遮光パターンの平面配置を示した平面図であるが、ＣＦ基板１２０と対向配置、つまり、平面的に重なって配置されるアレイ基板１１０上に設けられるＴＦＴ１１４の位置、特に半導体層１１４ｃの位置を点線で示している。 First, with reference to FIG. 3A, the planar arrangement of the light-shielding pattern of the BM 125 provided on the CF substrate 120 will be described. Note that FIG. 3A is a plan view showing the planar arrangement of the light-shielding pattern of the BM 125 provided on the CF substrate 120, but the array is arranged so as to face the CF substrate 120, that is, arranged so as to overlap in a plane. The position of the TFT 114 provided on the substrate 110, particularly the position of the semiconductor layer 114c, is shown by a dotted line.

本実施の形態１のＢＭ１２５は、図３（ａ）において示されるとおり、各画素の画素電極１１３に対応して配置される開口部が設けられ、格子状の遮光パターンよりなる。また、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すとおり、格子状の遮光パターンよりなるＢＭ１２５は、アレイ基板１１０上に設けられるゲート配線１１７の延在方向に沿って設けられる部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴとソース配線１１８の延在方向に沿って設けられる部分となるソース側遮光パターンが互いに交差して格子状の遮光パターンが構成される。より詳細には、ＢＭ１２５は、ゲート配線１１７の形成領域に重なって配置されるゲート側遮光パターン１２５ＧＴを格子状のパターンの一部において含むこと、つまり、ＢＭ１２５は、その一部においてゲート側遮光パターン１２５ＧＴを備えている。更に、ＢＭ１２５は、ソース配線１１８の形成領域に重なって配置されるソース側遮光パターンも備えることにより格子状の遮光パターンを構成することになる。なお、ソース側遮光パターンについては、アレイ基板１１０側にソース配線１１８の形成領域に沿って遮光層を配置することで代用することも可能であり、適宜、省略することも可能であり、その場合には、ＢＭ１２５は格子状の遮光パターンではなく、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴのみによるストライプ状の遮光パターンとなる。 As shown in FIG. 3A, the BM 125 of the first embodiment is provided with an opening arranged corresponding to the pixel electrode 113 of each pixel, and has a grid-like light-shielding pattern. Further, as shown in FIGS. 5A and 5B, the BM125 having a grid-like light-shielding pattern is a gate provided along the extending direction of the gate wiring 117 provided on the array substrate 110. The side light-shielding pattern 125GT and the source-side light-shielding pattern, which is a portion provided along the extending direction of the source wiring 118, intersect each other to form a grid-like light-shielding pattern. More specifically, the BM 125 includes a gate-side light-shielding pattern 125GT arranged so as to overlap the formation region of the gate wiring 117 in a part of the grid pattern, that is, the BM 125 has a gate-side light-shielding pattern in a part thereof. It is equipped with 125GT. Further, the BM 125 also includes a source-side light-shielding pattern that is arranged so as to overlap the formation region of the source wiring 118, thereby forming a grid-like light-shielding pattern. The source-side light-shielding pattern can be substituted by arranging a light-shielding layer along the formation region of the source wiring 118 on the array substrate 110 side, and can be omitted as appropriate. The BM 125 is not a grid-like light-shielding pattern, but a striped light-shielding pattern using only the gate-side light-shielding pattern 125GT.

また、図３（ａ）にＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃの形成領域が点線で示されているが、ＢＭ１２５を構成するゲート側遮光パターン１２５ＧＴがゲート配線１１７の形成領域に重なって配置されること、ＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃがゲート配線１１７の形成領域内に配置されることから明らかなとおり、ＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃは、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの形成領域内に重なって配置されることになる。 Further, although the formation region of the semiconductor layer 114c of the TFT 114 is shown by a dotted line in FIG. 3A, the gate-side light-shielding pattern 125GT constituting the BM 125 is arranged so as to overlap the formation region of the gate wiring 117, and the TFT 114. As is clear from the fact that the semiconductor layer 114c of the above is arranged in the formation region of the gate wiring 117, the semiconductor layer 114c of the TFT 114 is arranged so as to overlap in the formation region of the gate-side light-shielding pattern 125GT.

続いて、図３（ｂ）を用いて、ＣＦ基板１２０上に設けられる色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの平面配置について説明する。なお、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂについては、先に平面配置について説明を行なったＢＭ１２５上に設けられるが、ＢＭ１２５の遮光パターンの平面配置と色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの平面配置の位置関係については、図３（ｂ）において、ＢＭ１２５のパターン外形に対応する開口部の外形位置を点線で示していることから確認可能であり、逆に図３（ａ）においても、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの外形位置を点線で示しており、そちらからも確認可能である。 Subsequently, with reference to FIG. 3B, the planar arrangement of the color material patterns 124R to 124B provided on the CF substrate 120 will be described. The color material patterns 124R to 124B are provided on the BM125 for which the plane arrangement has been described above, but the positional relationship between the plane arrangement of the light-shielding pattern of the BM125 and the plane arrangement of the color material patterns 124R to 124B is described. In FIG. 3B, it can be confirmed from the fact that the outer shape position of the opening corresponding to the outer shape of the pattern of BM125 is shown by a dotted line, and conversely, in FIG. 3A, the outer shape of the color material patterns 124R to 124B is also confirmed. The position is shown by a dotted line, which can also be confirmed.

本実施の形態１の色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂについては、図３（ｂ）において示されるとおり、先ず、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについては、一般的なストライプ状の色材パターンと同様にソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する色材パターンとしている。なお、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇは、画素電極１１３に対応して配置されるＢＭ１２５に設けられた開口部を少なくとも覆う領域に設けられることになる。一方、色材パターン１２４Ｂについては、一般的なストライプ状の色材パターンよりなる色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと異なる格子状の連続パターン形状を有している。 As for the color material patterns 124R to 124B of the first embodiment, as shown in FIG. 3B, first, the color material pattern 124R and the color material pattern 124G are the same as the general striped color material pattern. The color material pattern is continuous in a stripe shape provided at least on the pixel electrode 113 along the extending direction of the source wiring 118. The color material pattern 124R and the color material pattern 124G are provided in a region that at least covers the opening provided in the BM 125 arranged corresponding to the pixel electrode 113. On the other hand, the color material pattern 124B has a grid-like continuous pattern shape different from the color material pattern 124R and the color material pattern 124G, which are made of a general striped color material pattern.

具体的には、色材パターン１２４Ｂは、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと同様のソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する青色の色材パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓをベースとして有するとともに、本発明の特徴的な構成として、先に説明したＢＭ１２５におけるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを有している。なお、ソース延在色材パターン１２４Ｂｓは、画素電極１１３に対応して配置されるＢＭ１２５に設けられた開口部を少なくとも覆う領域に設けられることになる。また、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇは、ゲート配線１１７の延在方向に沿って延在して配置されることから、このソース延在色材パターン１２４Ｂｓとゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとは、互いに交差して設けられ、ソース延在色材パターン１２４Ｂｓとゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが一体化されてなる格子状の連続パターンを構成している。つまり、色材パターン１２４Ｂは、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備えるとともに、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなることになる。 Specifically, the color material pattern 124B is a striped continuous blue color provided at least overlapping the pixel electrode 113 along the extending direction of the source wiring 118 similar to the color material pattern 124R and the color material pattern 124G. It has a source extending color material pattern 124Bs composed of a material pattern as a base, and as a characteristic configuration of the present invention, a blue color extending over the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT in the BM125 described above. It has a gate extending color material pattern 124Bg made of a color material pattern. The source extending color material pattern 124Bs is provided in a region that at least covers the opening provided in the BM 125 arranged corresponding to the pixel electrode 113. Further, since the gate extending color material pattern 124Bg is arranged extending along the extending direction of the gate wiring 117, the source extending color material pattern 124Bs and the gate extending color material pattern 124Bg are different from each other. They are provided so as to intersect each other, and form a continuous grid-like pattern in which the source extending color material pattern 124Bs and the gate extending color material pattern 124Bg are integrated. That is, the color material pattern 124B includes a gate extending color material pattern 124Bg composed of a continuous pattern extending over the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT, and at least along the extending direction of the source wiring 118. A source extending color material pattern 124Bs composed of a continuous pattern provided overlapping with the pixel electrode 113 is provided, and the gate extending color material pattern 124Bg and the source extending color material pattern 124Bs are provided intersecting with each other in a grid pattern. It will consist of patterns.

なお、色材パターン１２４Ｂにおけるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇは、ストライプ状に設けられる色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと、交差するとともに重なって設けられ、それぞれの交差部においては、図３（ｂ）の平面図および図４（ａ）の断面図にて図示されるとおり、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ上を覆うように、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇが重なって配置されている。つまり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面において、色材パターン１２４Ｒの配置される赤色の画素列では、青色の色材パターン１２４Ｂ（１２４Ｂｇ）と色材パターン１２４Ｒとが積層された積層膜により、色材パターン１２４Ｇの配置される緑色の画素列では、青色の色材パターン１２４Ｂ（１２４Ｂｇ）と緑色の色材パターン１２４Ｇとが積層された積層膜により、それぞれＢＭ１２５（ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ）表面が覆われることになる。一方、色材パターン１２４Ｂの配置される青色の画素列では、青色の色材パターン１２４Ｂの単層膜により、ＢＭ１２５（ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ）表面が覆われることになる。 The gate extending color material pattern 124Bg in the color material pattern 124B is provided so as to intersect and overlap with the color material pattern 124R and the color material pattern 124G provided in a stripe shape, and at each intersection, FIG. 3 ( As shown in the plan view of b) and the cross-sectional view of FIG. 4 (a), the color material pattern 124R and the color material pattern 124G are arranged so as to cover the gate extending color material pattern 124Bg. .. That is, on the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, in the red pixel array in which the color material pattern 124R is arranged, the color material is formed by the laminated film in which the blue color material pattern 124B (124Bg) and the color material pattern 124R are laminated. In the green pixel array in which the pattern 124G is arranged, the surface of the BM125 (gate-side light-shielding pattern 125GT) is covered with a laminated film in which the blue color material pattern 124B (124Bg) and the green color material pattern 124G are laminated. It will be. On the other hand, in the blue pixel array in which the color material pattern 124B is arranged, the surface of the BM125 (gate-side light-shielding pattern 125GT) is covered by the single-layer film of the blue color material pattern 124B.

続いて、本発明での特徴的な構成の１つである柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて図１或いは図４の断面図を用いて説明を行う。なお、ＣＦ基板１２０およびアレイ基板１１０の表面には実際には配向膜１２２および配向膜１１２が形成されており、更に、ＣＦ基板１２０の表面には共通電極１２３も設けられるが、ここでは、特に柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓと各色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂ或いはＢＭ１２５の遮光パターンとの配置関係、平面的な配置関係を説明するだけであることから、図４（ａ）および図４（ｂ）においては、説明の便宜上により図示を省略している。 Subsequently, the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s, which are one of the characteristic configurations of the present invention, will be described with reference to the cross-sectional view of FIG. 1 or FIG. The alignment film 122 and the alignment film 112 are actually formed on the surfaces of the CF substrate 120 and the array substrate 110, and a common electrode 123 is also provided on the surface of the CF substrate 120. In FIGS. 4A and 4B, only the arrangement relationship and the planar arrangement relationship between the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s and the light-shielding patterns of the coloring material patterns 124R to 124B or BM125 will be described. Is omitted for convenience of explanation.

まず、本実施の形態１の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについては、高温時の下膨れ不良、低温時の発泡不良の２つの不良を防止することと、表示面に対する外的衝撃に対する耐性を確保することを両立するために、相対的に高さの高いスペーサと相対的に高さの低いスペーサの異なる２種類の柱状スペーサ形態を混在して備えるデュアルスペーサ構造を用いている。なお、ここで言う高さとは、ＣＦ基板１２０の表面からの突起として設けられる柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの突起先端部のガラス基板１２１の表面からの高さとして、以下説明を行うこととする。従って、図１或いは図４の断面図に示されるとおり、ＣＦ基板１２０表面において、柱状スペーサ１３４ｍが相対的に高さの高いスペーサとなるデュアルスペーサ構造のメインスペーサとなり、柱状スペーサ１３４ｓが相対的に高さの低いスペーサとなるサブスペーサとなる。 First, with respect to the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s of the first embodiment, it is possible to prevent two defects, a downward swelling defect at a high temperature and a foaming defect at a low temperature, and to secure resistance to an external impact on the display surface. In order to achieve both of these, a dual spacer structure is used in which two types of columnar spacers having different types of spacers, a spacer having a relatively high height and a spacer having a relatively low height, are mixed and provided. The height referred to here will be described below as the height of the columnar spacer 134m provided as a protrusion from the surface of the CF substrate 120 and the height of the protrusion tip of the columnar spacer 134s from the surface of the glass substrate 121. .. Therefore, as shown in the cross-sectional view of FIG. 1 or 4, on the surface of the CF substrate 120, the columnar spacer 134m becomes the main spacer of the dual spacer structure in which the spacer has a relatively high height, and the columnar spacers 134s are relatively. It is a sub-spacer that is a low-height spacer.

具体的には、図１或いは図４の断面図においては、液晶パネル１０のアレイ基板１１０とＣＦ基板１２０の表面に、特に外圧などが印加されない状態、つまり、基板間隔が所定値（セルギャップ値）の状態を示しているものとするが、メインスペーサ部を示す図１或いは図４（ａ）中の柱状スペーサ１３４ｍについては、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０に当接した状態であり、更に、図示は省略するが、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０の表面に外圧などが印加されることによって、基板間隔が上記の所定値（セルギャップ値）より狭くなった場合にも、柱状スペーサ１３４ｍは、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０に当接されることとなる。つまり、柱状スペーサ１３４ｍは、常時、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０に当接して、基板間隔をセルギャップ値に保持することとなる。つまり、デュアルスペーサ構造におけるメインスペーサとして機能する。 Specifically, in the cross-sectional view of FIG. 1 or 4, a state in which no external pressure is particularly applied to the surfaces of the array substrate 110 and the CF substrate 120 of the liquid crystal panel 10, that is, the substrate spacing is a predetermined value (cell gap value). ), But the columnar spacer 134m in FIG. 1 or FIG. 4A showing the main spacer portion is in contact with the array substrate 110 and the CF substrate 120, and further. Although not shown, the columnar spacer 134m can be used even when the substrate spacing becomes narrower than the above-mentioned predetermined value (cell gap value) due to the application of external pressure or the like to the surfaces of the array substrate 110 and the CF substrate 120. It will come into contact with the array substrate 110 and the CF substrate 120. That is, the columnar spacer 134m is always in contact with the array substrate 110 and the CF substrate 120, and the substrate spacing is maintained at the cell gap value. That is, it functions as a main spacer in the dual spacer structure.

一方、特に外圧などが印加されない状態であるサブスペーサ部を示す図１或いは図４（ｂ）中の柱状スペーサ１３４ｓについては、アレイ基板１１０には当接されていないが、アレイ基板１１０とＣＦ基板１２０の表面に外圧などが印加されることによって、基板間隔が上記のセルギャップ値より狭くなった場合には、アレイ基板１１０に当接して、ある程度の範囲に基板間隔を保持する。つまり、デュアルスペーサ構造におけるサブスペーサとして機能する。 On the other hand, the columnar spacers 134s in FIGS. 1 or 4B showing the sub-spacer portion in which no external pressure is particularly applied are not in contact with the array substrate 110, but the array substrate 110 and the CF substrate are not in contact with each other. When the substrate spacing becomes narrower than the above cell gap value due to the application of external pressure or the like to the surface of the 120, the substrate spacing is maintained within a certain range by abutting against the array substrate 110. That is, it functions as a sub-spacer in the dual spacer structure.

また、本実施の形態１のメインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍについては、図３（ａ）の平面図に示されるとおり、ストライプ状の赤色の色材パターン１２４Ｒと、格子状の連続パターンよりなる青色の色材パターン１２４Ｂ（特にゲート延在色材パターン１２４Ｂｇの部分）の交差部分に配置している。一方、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓについては、格子状の連続パターンよりなる青色の色材パターン１２４Ｂにおける格子点部分、つまり、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとの交差部分に配置している。その結果、図４（ａ）の断面図にも示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍは、ＣＦ基板１２０のゲート側遮光パターン１２５ＧＴの設けられる表面において赤色の色材パターン１２４Ｒと青色の色材パターン１２４Ｂ（１２４Ｂｇ）とが積層された積層膜を介して配置される。一方、柱状スペーサ１３４ｓは、ＣＦ基板１２０のゲート側遮光パターン１２５ＧＴの設けられる表面において青色の色材パターン１２４Ｂ（１２４Ｂｇ）の単層膜を介して配置される。 Further, the columnar spacer 134m that functions as the main spacer of the first embodiment is composed of a striped red color material pattern 124R and a grid-like continuous pattern as shown in the plan view of FIG. 3A. It is arranged at the intersection of the blue color material pattern 124B (particularly the portion of the gate extending color material pattern 124Bg). On the other hand, regarding the columnar spacer 134s that functions as a sub-spacer, the grid point portion in the blue color material pattern 124B composed of a continuous grid pattern, that is, the gate extending color material pattern 124Bg and the source extending color material pattern 124Bs. It is placed at the intersection. As a result, as shown in the cross-sectional view of FIG. 4A, the columnar spacer 134m has a red color material pattern 124R and a blue color material pattern 124B (on the surface of the CF substrate 120 where the gate side light shielding pattern 125GT is provided). 124Bg) is arranged via a laminated film laminated with the laminated film. On the other hand, the columnar spacers 134s are arranged via a single-layer film of the blue color material pattern 124B (124Bg) on the surface of the CF substrate 120 where the gate-side light-shielding pattern 125GT is provided.

従って、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓのそれぞれが設けられるＣＦ基板１２０上におけるガラス基板１２１の基板面からの高さは異なっており、柱状スペーサ１３４ｍのほうが、赤色の色材パターン１２４Ｒの厚み分、柱状スペーサ１３４ｓと比べて、高い位置に設けられることになる。以上のことから、本実施の形態１では、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓを構成する柱状樹脂層に厚みの差を特に設けなくとも、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓについて、相対的に高さの高いスペーサと相対的に高さの低いスペーサの異なる２種類の柱状スペーサとし、デュアルスペーサ構造を設けることができる。そこで、本実施の形態１の柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓについて同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成している。なお、ここで言う同じ厚みという意味は、実際には樹脂層を塗布形成した際には、レベリング（表面平坦化）作用が生じ、柱状スペーサ１３４ｍを構成する柱状樹脂層が柱状スペーサ１３４ｓを構成する柱状樹脂層よりも多少薄く形成され、正確には同じ厚みとならない場合が多いが、その程度の差は無視したうえで、同じ厚みと解釈するものとする。 Therefore, the heights of the glass substrate 121 from the substrate surface on the CF substrate 120 provided with the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s are different, and the columnar spacers 134m have the thickness of the red color material pattern 124R. It will be provided at a higher position than the columnar spacer 134s. From the above, in the first embodiment, the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s have relatively high heights without any particular difference in thickness between the columnar spacers 134m and the columnar resin layers constituting the columnar spacers 134s. A dual spacer structure can be provided by using two types of columnar spacers having different heights, a high spacer and a relatively low spacer. Therefore, a columnar resin layer having the same thickness for the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s of the first embodiment is configured as a common member. The meaning of the same thickness here means that when the resin layer is actually applied and formed, a leveling (surface flattening) action occurs, and the columnar resin layer constituting the columnar spacer 134 m constitutes the columnar spacer 134s. It is formed slightly thinner than the columnar resin layer and often does not have the exact same thickness, but it shall be interpreted as the same thickness after ignoring the difference in degree.

また、メインスペーサである柱状スペーサ１３４ｍと、サブスペーサである柱状スペーサ１３４ｓの配置密度、更に両者の比率としては、柱状スペーサ１３４ｍの比率を柱状スペーサ１３４ｓの比率に比べて少ない割合に配置することが望ましい。従って、本実施の形態１では、一例として、図１或いは図３の平面図に示すとおり、柱状スペーサ１３４ｓについては、格子状の連続パターンよりなる青色の色材パターン１２４Ｂにおける全ての格子点部分に配置していることから、３画素あたり１ヶ所の画素の割合で配置されることとなる。一方、柱状スペーサ１３４ｍについては、ストライプ状の赤色の色材パターン１２４Ｒと、格子状の連続パターンよりなる青色の色材パターン１２４Ｂ（特にゲート延在色材パターン１２４Ｂｇの部分）の交差部分のうち、２行おきに配置したことから、６画素あたり１ヶ所の画素の割合で配置されている。 Further, as for the arrangement density of the columnar spacer 134m which is the main spacer and the columnar spacer 134s which is the sub spacer, the ratio of the columnar spacer 134m may be arranged in a smaller ratio than the ratio of the columnar spacer 134s. desirable. Therefore, in the first embodiment, as an example, as shown in the plan view of FIG. 1 or 3, the columnar spacers 134s are provided at all the grid point portions in the blue color material pattern 124B composed of the grid-like continuous pattern. Since they are arranged, they are arranged at a ratio of one pixel per three pixels. On the other hand, for the columnar spacer 134m, among the intersecting portions of the striped red color material pattern 124R and the blue color material pattern 124B (particularly the portion of the gate extending color material pattern 124Bg) composed of the continuous grid pattern, the columnar spacer 134m Since it is arranged every two rows, it is arranged at a ratio of one pixel per six pixels.

なお、ここでは、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の赤色の色材パターン１２４Ｒと青色の色材パターン１２４Ｂの交差部分に設ける例について説明を行ったが、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の緑色の色材パターン１２４Ｇと青色の色材パターン１２４Ｂの交差部分に設けるように変更しても良い。つまり、ストライプ状の緑色の色材パターン１２４Ｇと青色の色材パターン１２４Ｂの交差部分についても、柱状スペーサ１３４ｓの設けられる青色の色材パターン１２４Ｂにおける格子点部分と比べて、高い位置に設けられることになるので、柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の緑色の色材パターン１２４Ｇと青色の色材パターン１２４Ｂの交差部分に設けることで、実施の形態１の場合と同様に、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓを構成する柱状樹脂層に厚みの差を特に設けなくとも、柱状スペーサ１３４ｍと柱状スペーサ１３４ｓについて、相対的に高さの高いスペーサと相対的に高さの低いスペーサの異なる２種類の柱状スペーサとし、デュアルスペーサ構造を設けることができる。 Here, an example in which a columnar spacer 134 m functioning as a main spacer is provided at an intersection of a striped red color material pattern 124R and a blue color material pattern 124B has been described, but a columnar spacer functioning as a main spacer has been described. 134 m may be changed so as to be provided at the intersection of the striped green color material pattern 124G and the blue color material pattern 124B. That is, the intersection of the striped green color material pattern 124G and the blue color material pattern 124B is also provided at a higher position than the lattice point portion in the blue color material pattern 124B provided with the columnar spacers 134s. Therefore, by providing the columnar spacer 134m at the intersection of the striped green color material pattern 124G and the blue color material pattern 124B, the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s can be provided as in the case of the first embodiment. Even if there is no particular difference in the thickness of the constituent columnar resin layers, the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s are made of two types of columnar spacers, one with a relatively high height and the other with a relatively low height. A dual spacer structure can be provided.

続いて、図６および図７を用いて、アレイ基板１１０側の具体的な各パターンの平面配置とＣＦ基板１２０上に設けられるＢＭ１２５の遮光パターンと色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの平面配置の位置関係について説明を行う。なお、全体的な位置関係については、図３から図５を用いて説明したとおりであるが、ここでは、アレイ基板１１０側における詳細なパターン配置まで説明を加える。 Subsequently, using FIGS. 6 and 7, the positional relationship between the specific planar arrangement of each pattern on the array substrate 110 side, the light-shielding pattern of the BM 125 provided on the CF substrate 120, and the planar arrangement of the color material patterns 124R to 124B. Will be explained. The overall positional relationship is as described with reference to FIGS. 3 to 5, but here, detailed pattern arrangement on the array substrate 110 side will be described.

例えば、図３および図４を用いた説明においては、主要な構成として、ゲート配線１１７と、ゲート配線１１７に交差して配置されるソース配線に対応して、ＢＭ１２５が格子状の遮光パターンとして配置されることを説明したが、より詳細なアレイ基板１１０側の各パターンとしては、本実施の形態１のアレイ基板１１０においては、図１、図５、および図６に示すとおり、ゲート配線１１７と並行して、遮光パターンよりなる共通配線１１９が設けられる。 For example, in the description using FIGS. 3 and 4, as the main configuration, the BM 125 is arranged as a grid-like light-shielding pattern corresponding to the gate wiring 117 and the source wiring arranged intersecting the gate wiring 117. However, as each pattern on the array substrate 110 side in more detail, in the array substrate 110 of the first embodiment, as shown in FIGS. 1, 5, and 6, the gate wiring 117 is used. In parallel, a common wiring 119 composed of a light-shielding pattern is provided.

共通配線１１９は、共通電位が印加され、画素電極１１３と重なり部を有して容量を形成することで、当該容量に画素電極に所定の電位を保持することに寄与する。通常、ゲート配線１１７と共通配線１１９は同層で同一材料により共通のパターニング工程で設けられることと、ゲート配線１１７とは異なる電位が印加されることから、ショートを起さないように、ゲート配線１１７と共通配線１１９は図６に示されるとおり隙間を空けて配置される。また、図１および図５においては図示省略していたが、共通配線１１９は、図６に示すとおり、その一部に画素電極１１３の外周に沿って画素電極１１３と重なる方向に分岐して延在する共通配線枝部１１９ｂが設けられることで、上記説明の容量を形成する面積を確保している。また、何れも遮光パターンからなる共通配線１１９と、この共通配線枝部１１９ｂと、更に、画素電極１１３の外周に沿って延在して画素電極１１３と重なって設けられるドレイン電極１１４ｄとにより、画素電極１１３の外周を囲うことで、アレイ基板１１０側の開口領域（透過領域）を設定している。 The common wiring 119 is applied with a common potential and has an overlapping portion with the pixel electrode 113 to form a capacitance, thereby contributing to holding a predetermined potential in the pixel electrode in the capacitance. Normally, the gate wiring 117 and the common wiring 119 are provided in the same layer by the same material in a common patterning process, and a potential different from that of the gate wiring 117 is applied. Therefore, the gate wiring is prevented from causing a short circuit. The 117 and the common wiring 119 are arranged with a gap as shown in FIG. Further, although not shown in FIGS. 1 and 5, the common wiring 119 is partially branched along the outer periphery of the pixel electrode 113 in a direction overlapping with the pixel electrode 113 and extends as shown in FIG. By providing the existing common wiring branch portion 119b, an area forming the capacity described above is secured. Further, the common wiring 119 having a light-shielding pattern, the common wiring branch portion 119b, and the drain electrode 114d extending along the outer periphery of the pixel electrode 113 and overlapping with the pixel electrode 113 are used to form a pixel. By surrounding the outer periphery of the electrode 113, an opening region (transmission region) on the array substrate 110 side is set.

このように遮光パターンからなる共通配線１１９が設けられる構成の場合において、本実施の形態１のＢＭ１２５の格子状の遮光パターンの詳細な配置としては、図７（ａ）にＢＭ１２５の遮光パターンの配置を示しているとおり、ゲート配線１１７の形成領域に重なって配置されるゲート側遮光パターン１２５ＧＴについて、ゲート配線１１７の形成領域に加えて、共通配線１１９の形成領域、および、ゲート配線１１７と共通配線１１９間に設けられる隙間部も含めた領域に重なって設けている。つまり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴは、ゲート配線１１７の形成領域から共通配線１１９の形成領域に跨って配置されている。更に、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴは、画素電極１１３と重なって設けられて開口領域（透過領域）を設定する遮光パターンとなるドレイン電極１１４ｄの形成領域まで跨って配置される。また、ソース配線１１８に沿った方向に設けられるＢＭ１２５のソース側遮光パターンは、ソース配線１１８の形成領域と、ソース配線１１８と共通配線１１９から延在する共通配線枝部１１９ｂの間の隙間部と、上記共通配線枝部１１９ｂの一部に重なって設けられる。 In the case where the common wiring 119 composed of the light-shielding pattern is provided as described above, as the detailed arrangement of the grid-like light-shielding pattern of the BM125 of the first embodiment, the arrangement of the light-shielding pattern of the BM125 is shown in FIG. 7A. As shown in the above, regarding the gate-side light-shielding pattern 125GT that is arranged so as to overlap the formation region of the gate wiring 117, in addition to the formation region of the gate wiring 117, the formation region of the common wiring 119 and the common wiring with the gate wiring 117. It is provided so as to overlap the area including the gap provided between 119. That is, the gate-side light-shielding pattern 125GT is arranged so as to extend from the formation region of the gate wiring 117 to the formation region of the common wiring 119. Further, the gate-side light-shielding pattern 125GT is arranged so as to extend over the formation region of the drain electrode 114d, which is provided so as to overlap the pixel electrode 113 and is a light-shielding pattern for setting the opening region (transmission region). Further, the source-side shading pattern of the BM 125 provided in the direction along the source wiring 118 is a gap between the formation region of the source wiring 118 and the common wiring branch portion 119b extending from the source wiring 118 and the common wiring 119. , It is provided so as to overlap a part of the common wiring branch portion 119b.

一方、本実施の形態１の色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの詳細な配置としては、図７（ｂ）に色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの配置を示しているとおり、先ず、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについては、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する色材パターンとなっており、色材パターン１２４Ｂについては、格子状の連続パターン形状を有している。この点は、図３（ｂ）を用いて説明したとおりである。特に、図７（ｂ）に示した色材パターン１２４Ｂでは、図７（ｂ）において説明したとおり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴが、ゲート配線１１７の形成領域から共通配線１１９の形成領域およびドレイン電極１１４ｄの形成領域に跨って配置されているのに対応して、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇについても、同様に、ゲート配線１１７の形成領域のみならず、ゲート配線１１７の形成領域から共通配線１１９の形成領域およびドレイン電極１１４ｄの形成領域に跨って配置されることになる。 On the other hand, as for the detailed arrangement of the color material patterns 124R to 124B of the first embodiment, as shown in FIG. 7B, the arrangement of the color material patterns 124R to 124B is shown, first, the color material patterns 124R and the color material are arranged. The pattern 124G is a striped continuous color material pattern provided at least overlapping the pixel electrodes 113 along the extending direction of the source wiring 118, and the color material pattern 124B is a grid-like continuous pattern shape. have. This point is as described with reference to FIG. 3 (b). In particular, in the color material pattern 124B shown in FIG. 7B, as described in FIG. 7B, the gate-side light-shielding pattern 125GT extends from the formation region of the gate wiring 117 to the formation region of the common wiring 119 and the drain electrode 114d. Similarly, not only the formation region of the gate wiring 117 but also the gate extending color material pattern 124Bg provided over the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT corresponding to the arrangement straddling the formation region of the gate wiring 117. , It will be arranged so as to straddle the formation region of the gate wiring 117, the formation region of the common wiring 119, and the formation region of the drain electrode 114d.

なお、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇの形成領域としては、本実施の形態１では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ表面からの反射光を全面的に遮断するためにゲート側遮光パターン１２５ＧＴの形成領域、つまり、ゲート配線１１７の形成領域のみならず共通配線１１９の形成領域およびドレイン電極１１４ｄの形成領域までの殆ど全体に渡って配置した例について説明したが、少なくともＴＦＴ１１４の形成領域および各ＴＦＴ１１４間の領域に対応するゲート配線１１７の形成領域の全体に重なる領域を、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが形成される領域、つまり、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇがゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆う領域とすることで、本発明の基本的な効果については充分に得ることができる。 As the region for forming the gate extending color material pattern 124Bg, in the first embodiment, the region for forming the gate-side light-shielding pattern 125GT, that is, the region for forming the gate-side light-shielding pattern 125GT in order to completely block the reflected light from the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT. Although an example of arranging the gate wiring 117 not only in the formation region of the gate wiring 117 but also in almost the entire region up to the formation region of the common wiring 119 and the formation region of the drain electrode 114d has been described, at least in the formation region of the TFT 114 and the region between the TFTs 114. The region overlapping the entire formation region of the corresponding gate wiring 117 is defined as a region where the gate extending color material pattern 124Bg is formed, that is, a region where the gate extending color material pattern 124Bg covers the surface of the gate side light shielding pattern 125GT. Therefore, the basic effect of the present invention can be sufficiently obtained.

また、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが、少なくともＴＦＴ１１４の形成領域におけるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い形成されることに加えて、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンよりなることで、ＴＦＴ１１４と対向する領域におけるゲート側遮光パターン１２５ＧＴ表面からの反射光を抑えることに加えて、各ＴＦＴ１１４間の領域におけるゲート側遮光パターン１２５ＧＴ表面からの反射光についても抑えることができる点で、本発明の最低限の効果が得ることができることになる。 Further, the gate extending color material pattern 124Bg is provided so as to cover the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT at least in the formation region of the TFT 114 and extend over the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT. By forming a continuous pattern, in addition to suppressing the reflected light from the gate-side light-shielding pattern 125GT surface in the region facing the TFT 114, the reflected light from the gate-side light-shielding pattern 125GT surface in the region between the TFTs 114 is also suppressed. In that respect, the minimum effect of the present invention can be obtained.

＜液晶表示装置の製造フロー＞
本発明に係る実施の形態１の液晶表示装置の製造方法として、上記のような構成の液晶パネルを有する液晶表示装置の製造フローを、図８に示すフローチャートを用いて説明する。通常、液晶パネルは最終形状よりも大きなマザー基板から、液晶パネルを１枚或いは複数枚切り出して（多面取りとも呼ばれる）製造される。図８におけるステップＳ１～Ｓ８（Ｓ９途中まで）のプロセスは、マザー基板の状態でのプロセスである。 <Manufacturing flow of liquid crystal display device>
As a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, a manufacturing flow of a liquid crystal display device having a liquid crystal panel having the above configuration will be described with reference to the flowchart shown in FIG. Usually, a liquid crystal panel is manufactured by cutting out one or a plurality of liquid crystal panels (also called multi-chamfering) from a mother substrate larger than the final shape. The process of steps S1 to S8 (up to the middle of S9) in FIG. 8 is a process in the state of the mother substrate.

まず、基板準備工程においてマザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板に対して配線などの形成が行われる。すなわち、マザーアレイ基板においては、図２から図４に示したゲート配線１１７、ソース配線１１８、ＴＦＴ１１４および画素電極１１３などを作り込む工程を行うが、これらの作り込みは一般的な液晶パネルにおけるアレイ基板の製造方法と同様であるので、製造方法に関する詳細な説明は省略する。 First, in the substrate preparation process, wiring and the like are formed for the mother array substrate and the mother CF substrate. That is, in the mother array substrate, the steps of making the gate wiring 117, the source wiring 118, the TFT 114, the pixel electrode 113, etc. shown in FIGS. 2 to 4 are performed, and these are made in the array in a general liquid crystal panel. Since it is the same as the method for manufacturing a substrate, detailed description of the manufacturing method will be omitted.

一方、マザーＣＦ基板においては、図１、図３、或いは図４に示したＢＭ１２５、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂ、デュアルスペーサ構造の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓなどを作り込む工程を行うが、これらの作り込みは一般的な液晶パネルにおけるＣＦ基板の製造方法と同様であるので、製造方法に関する詳細な説明は省略する。例えば、ＢＭ１２５は、先に説明のとおり、樹脂ＢＭを選択したことから、一般的な樹脂中に黒色顔料などを分散させた樹脂ＢＭをパターニングして形成するプロセスを選択すれば良く、金属ＣｒをベースとしたＣｒ－ＢＭからなるＢＭ１２５を用いる場合にも、表層に酸化Ｃｒ膜を有した金属Ｃｒ膜との積層膜をパターニングして形成する一般的なプロセスを選択すれば良い。また、特に本発明の特徴的な構成となるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ或いは格子状の連続パターン形状を有した色材パターン１２４Ｂについても、パターン設計（マスク設計）を変更するのみで、一般的な色材パターンのパターニングプロセスを用いて製造することができる。但し、特に、本実施の形態１の色材パターン１２４Ｂは、格子状の連続パターン形状を有していることで、このパターニングプロセス時において、通常のストライプ状の色材パターンを形成するのに比べて、製造歩留りを低下することなく、逆に、より高い製造歩留りで製造することができる。 On the other hand, in the mother CF substrate, the steps of making the BM125, the color material patterns 124R to 124B, the columnar spacers 134 m and the columnar spacers 134s having a dual spacer structure shown in FIGS. 1, 3 or 4 are performed. Since the manufacturing method is the same as the method for manufacturing a CF substrate in a general liquid crystal panel, a detailed description of the manufacturing method will be omitted. For example, since the resin BM was selected for the BM125 as described above, a process of patterning and forming the resin BM in which a black pigment or the like is dispersed in a general resin may be selected, and the metal Cr may be selected. Even when BM125 made of Cr-BM as a base is used, a general process of patterning and forming a laminated film with a metal Cr film having a Cr oxide film on the surface layer may be selected. Further, particularly for the gate extending color material pattern 124Bg or the color material pattern 124B having a grid-like continuous pattern shape, which is a characteristic configuration of the present invention, it is general only by changing the pattern design (mask design). It can be manufactured by using a patterning process of various color material patterns. However, in particular, since the color material pattern 124B of the first embodiment has a grid-like continuous pattern shape, it is compared with forming a normal striped color material pattern at the time of this patterning process. Therefore, it is possible to manufacture with a higher manufacturing yield without lowering the manufacturing yield.

また、異なる高さに設けられる柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの形成プロセスとしては、本実施の形態１の場合においては、公知の異なる高さのデュアルスペーサ構造の形成方法であるハーフトーンマスク（或いはグレートーンマスク、その他、中間調露光マスクなどと言われる）技術を利用する必要がなく、ＢＭ１２５、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂを形成したマザーＣＦ基板上に単純に樹脂層を塗布形成した後に、先に説明した柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの形成位置に当該樹脂層が残るようにパターニングすれば良いことになる。 Further, as a process for forming the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s provided at different heights, in the case of the first embodiment, a halftone mask (or a halftone mask) which is a known method for forming a dual spacer structure having different heights is used. There is no need to use technology (called a gray tone mask or other halftone exposure mask), and after simply applying and forming a resin layer on the mother CF substrate on which the BM125 and color material patterns 124R to 124B are formed, the first step is performed. It suffices to pattern the resin layer so that the resin layer remains at the positions where the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s are formed as described above.

なお、以降で説明する本発明の変形例などでは、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて、異なる厚みの柱状樹脂層により構成する例もあるが、その場合には、公知の異なる高さのデュアルスペーサ構造の形成方法であるハーフトーンマスク（或いはグレートーンマスク、その他、中間調露光マスクなどと言われる）技術を利用して形成することができる。 In the modified examples of the present invention described below, there is an example in which the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s are composed of columnar resin layers having different thicknesses, but in that case, known dual spacers having different heights are used. It can be formed by using a halftone mask (or gray tone mask, or other halftone exposure mask) technique which is a method for forming a structure.

以上のとおり、マザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板を準備した後、まず、ステップＳ１の基板洗浄工程において、以上のように準備されたマザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板に対して、基板を洗浄する基板洗浄工程を行う。次に、ステップＳ１の配向膜材料塗布工程において、マザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板の片側表面に、配向膜材料の塗布形成を行う。この工程ではマザーアレイ基板およびマザーＣＦ基板の互いに向かい合う主面に、例えば、フレキソ印刷法により有機材で構成される配向膜材料を転写塗布し、ホットプレートなどにより焼成処理し乾燥させる工程を含んでいる。 As described above, after preparing the mother array substrate and the mother CF substrate, first, in the substrate cleaning step of step S1, the substrate cleaning for cleaning the mother array substrate and the mother CF substrate prepared as described above is performed. Perform the process. Next, in the alignment film material coating step of step S1, the alignment film material is coated and formed on one side surface of the mother array substrate and the mother CF substrate. This step includes a step of transferring and coating an alignment film material composed of an organic material on the main surfaces of the mother array substrate and the mother CF substrate facing each other by, for example, a flexographic printing method, baking the material with a hot plate, and drying the material. There is.

次に、ステップＳ３の配向処理工程において、配向膜材料に対して、例えばラビング処理を行い、配向膜材料表面を配向処理して配向膜１１２および配向膜１２２を形成する。なお、マザーＣＦ基板上に形成された柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓ上は配向膜１２２により覆われる。なお、先にも説明のとおり、柱状スペーサ１３４ｍの表面に塗布形成される配向膜１２２は、その他、平坦部に形成される配向膜１２２の厚みに比べて薄いことから、柱状スペーサ１３４ｍあるいは柱状スペーサ１３４ｓの表面に塗布された配向膜１２２は図示などを省略している。 Next, in the alignment treatment step of step S3, for example, a rubbing treatment is performed on the alignment film material, and the alignment treatment is performed on the surface of the alignment film material to form the alignment film 112 and the alignment film 122. The columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s formed on the mother CF substrate are covered with the alignment film 122. As described above, since the alignment film 122 applied and formed on the surface of the columnar spacer 134m is thinner than the thickness of the alignment film 122 formed on the flat portion, the columnar spacer 134m or the columnar spacer The alignment film 122 applied to the surface of 134s is not shown.

次に、ステップＳ４のシール剤塗布工程において、シールディスペンサ装置を用いて、マザーアレイ基板或いはマザーＣＦ基板の主面に、シール剤をペーストとしてディスペンサノズルより吐出して塗布する。シール剤は、液晶パネルの表示領域を囲うように塗布され、シールパターン１３３を形成する。次に、ステップＳ５の液晶滴下工程において、シールパターン１３３が形成された方の基板のシールパターン１３３で囲まれた領域内に液晶材料を滴下する。 Next, in the sealant application step of step S4, the sealant is dispensed as a paste from the dispenser nozzle and applied to the main surface of the mother array substrate or the mother CF substrate by using the seal dispenser device. The sealant is applied so as to surround the display area of the liquid crystal panel to form the seal pattern 133. Next, in the liquid crystal dropping step of step S5, the liquid crystal material is dropped into the region surrounded by the seal pattern 133 of the substrate on which the seal pattern 133 is formed.

次に、ステップＳ６の真空貼り合わせ工程において、マザーアレイ基板とマザーＣＦ基板とを真空状態で貼り合わせてマザーセル基板を形成する。次に、ステップＳ７のＵＶ（紫外線）照射工程でマザーセル基板に紫外線を照射し、シール剤を仮硬化させる。その後、ステップＳ８において加熱によりアフターキュアを行い、シール剤を完全に硬化させて、硬化したシールパターン１３３を得る。 Next, in the vacuum bonding step of step S6, the mother array substrate and the mother CF substrate are bonded together in a vacuum state to form a mother cell substrate. Next, in the UV (ultraviolet) irradiation step of step S7, the mother cell substrate is irradiated with ultraviolet rays to temporarily cure the sealant. Then, after-cure is performed by heating in step S8 to completely cure the sealant to obtain a cured seal pattern 133.

次に、ステップＳ９のセル分断工程において、マザーセル基板をスクライブラインに沿って切断し、個々の液晶セルに分断する。以上のように分断された個々の液晶セルに対して、ステップＳ１０の偏光板貼り付け工程、ステップＳ１１の制御基板実装工程などを実行し、一連の製造工程が完了し、図１および図２のとおり、液晶パネル１０が完成する。 Next, in the cell dividing step of step S9, the mother cell substrate is cut along the scribe line and divided into individual liquid crystal cells. The polarizing plate pasting step in step S10, the control substrate mounting step in step S11, and the like are executed for the individual liquid crystal cells divided as described above, and a series of manufacturing steps are completed. As you can see, the liquid crystal panel 10 is completed.

更に、液晶パネル１０の反視認側となるアレイ基板１１０の裏面側に位相差板などの光学フィルムを介して、バックライトユニットを配設し、樹脂や金属などよりなるフレーム（筐体）内に、液晶パネル１０およびこれら周辺部材を適宜収納し、最終的な本発明を適用した液晶表示装置が完成する。なお、本実施の形態１では、先に説明のとおり、バックライトユニットとして、少なくともＬＥＤを用い、より望ましくは高輝度タイプのＬＥＤを用いた高輝度タイプのバックライトユニットを組み合わせる。 Further, a backlight unit is arranged on the back surface side of the array substrate 110, which is the non-visual side of the liquid crystal panel 10, via an optical film such as a retardation plate, and is housed in a frame (housing) made of resin, metal, or the like. , The liquid crystal panel 10 and these peripheral members are appropriately housed, and the final liquid crystal display device to which the present invention is applied is completed. In the first embodiment, as described above, at least an LED is used as the backlight unit, and more preferably, a high-brightness type backlight unit using a high-brightness type LED is combined.

以上のように製造された液晶表示装置は次のように動作する。例えば、外部回路である制御基板１３５から画像信号や制御信号などの電気信号が入力されると、画素電極１１３および共通電極１２３に駆動電圧が加わり、駆動電圧に合わせて液晶の分子の方向が変わる。その結果、各画素の光透過率が制御される。そして、バックライトユニットの発する光がアレイ基板１１０、液晶層１３０およびＣＦ基板１２０を介することで、外部へ各画素の光透過率に応じて透過或いは遮断されることにより、液晶パネル１０の表示領域１００にカラー画像などが表示される。 The liquid crystal display device manufactured as described above operates as follows. For example, when an electric signal such as an image signal or a control signal is input from a control board 135 which is an external circuit, a drive voltage is applied to the pixel electrode 113 and the common electrode 123, and the direction of the liquid crystal molecule changes according to the drive voltage. .. As a result, the light transmittance of each pixel is controlled. Then, the light emitted by the backlight unit is transmitted or blocked to the outside through the array substrate 110, the liquid crystal layer 130, and the CF substrate 120 according to the light transmittance of each pixel, so that the display area of the liquid crystal panel 10 A color image or the like is displayed on the 100.

続いて、本実施の形態１の液晶表示装置における作用および効果について説明を行う。先ず、本実施の形態１の液晶表示装置においては、前提技術として、ゲート配線１１７に重なってＴＦＴ１１４および半導体層１１４ｃが配置され、ゲート配線１１７の一部をＴＦＴ１１４のゲート電極１１４ｇが兼ねる構成を備えていることから、遮光領域となるゲート電極１１４ｇおよびゲート配線１１７の形成領域の面積を減らし、画素内なおいて、表示に寄与する透過領域（開口領域）の占める割合を増やすことに対応する高開口率化が可能である。 Subsequently, the operation and effect of the liquid crystal display device of the first embodiment will be described. First, in the liquid crystal display device of the first embodiment, as a prerequisite technique, the TFT 114 and the semiconductor layer 114c are arranged so as to overlap the gate wiring 117, and a part of the gate wiring 117 is provided with the gate electrode 114g of the TFT 114. Therefore, the area of the gate electrode 114g and the gate wiring 117 forming region, which is the light-shielding region, is reduced, and the ratio of the transmission region (opening region) that contributes to the display is increased in the pixel. It is possible to rate.

一方、この構成は、半導体層１１４ｃおよびＴＦＴ１１４の両側に隣接してゲート配線１１７の形成領域と、それに対向配置されるＢＭ１２５が配置される構造となり、本来は、ＴＦＴ１１４と対向する位置のＢＭ１２５表面以外に、互いに隣接する画素のＴＦＴ１１４間（つまり、互いに隣接するＴＦＴ１１４間）に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面で反射される反射光もＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃに入射し易い構造となる。特にゲート配線１１７に重なってＴＦＴ１１４を配置する構成の場合、本実施の形態１のとおり、ゲート配線１１７の延在方向とＴＦＴ１１４のチャネル幅方向が基本的には一致して設けられることから、図５（ｂ）や図６に示されるとおり、半導体層１１４ｃの上部に互いに対向配置される一対の遮光パターンよりなるソース電極１１４ｓとドレイン電極１１４ｄ間に設けられる隙間の延在方向とゲート配線１１７の延在方向ＧＤ（図６中に方向を矢印で示している）が一致する関係となり、上記説明の互いに隣接して配置されるＴＦＴ１１４間に重なるＢＭ１２５表面からの反射光が半導体層１１４ｃに入り込み易い構造になる。 On the other hand, this configuration has a structure in which the formation region of the gate wiring 117 adjacent to both sides of the semiconductor layer 114c and the TFT 114 and the BM125 arranged opposite to the formation region are arranged, and originally, other than the surface of the BM125 at the position facing the TFT 114. In addition, the reflected light reflected on the surface of the BM 125 at the position facing the gate wiring 117 located between the TFTs 114 of the pixels adjacent to each other (that is, between the TFTs 114 adjacent to each other) also has a structure that easily enters the semiconductor layer 114c of the TFT 114. .. In particular, in the case of a configuration in which the TFT 114 is arranged so as to overlap the gate wiring 117, the extending direction of the gate wiring 117 and the channel width direction of the TFT 114 are basically provided in the same direction as in the first embodiment. As shown in 5 (b) and FIG. 6, the extending direction of the gap provided between the source electrode 114s and the drain electrode 114d, which are a pair of light-shielding patterns arranged opposite to each other on the upper part of the semiconductor layer 114c, and the gate wiring 117. The extending direction GD (direction is indicated by an arrow in FIG. 6) has a matching relationship, and the reflected light from the surface of the BM 125 overlapping between the TFTs 114 arranged adjacent to each other in the above description easily enters the semiconductor layer 114c. It becomes a structure.

しかしながら、本実施の形態１の構成では、この互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光が防がれていることになる。なお、上記説明した際におけるゲート配線１１７の延在方向ＧＤについては、ゲート配線１１７が完全な直線形状でない場合も有り得ることから、１本のゲート配線１１７に沿って配列する各画素の配列方向をゲート配線１１７の延在方向ＧＤと読み替えても良い。 However, in the configuration of the first embodiment, all of the light shielding on the gate side becomes the BM125 at the position facing the gate wiring 117, including the surface of the BM125 at the position facing the gate wiring 117 located between the TFTs 114 adjacent to each other. Since the gate extending color material pattern 124Bg consisting of a continuous pattern extending over the surface of the pattern 125GT is provided, the reflected light from the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT located between the TFTs 114 adjacent to each other is provided. This means that the light incident on the semiconductor layer 114c is prevented from being effectively blocked. Regarding the extension direction GD of the gate wiring 117 in the above description, since the gate wiring 117 may not have a perfect linear shape, the arrangement direction of each pixel arranged along one gate wiring 117 may be set. It may be read as the extension direction GD of the gate wiring 117.

また、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとして、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂのうちで、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが選択されていることで、より効果的に半導体層１１４ｃへの入射光を遮断することができる。つまり、本実施の形態１におけるＴＦＴ１１４の半導体層１１４ｃの材料として用いているアモルファスシリコン膜は、光が入射されることにより生ずるリーク電流について、当該入射光の波長に対する依存性が比較的少ないことから、上記のとおり、透過率の大小がリーク電流の大きさに影響し、上記のとおり、青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを選択することが有効となる。なお、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられる色材パターンについて、特定色として、青色の色材パターン１２４Ｂを選択することが有効となる同等の作用については、半導体層１１４ｃの材料が、アモルファスシリコン膜以外に、例えば、多結晶シリコンや微結晶シリコンなどの非単結晶シリコンを用いた場合に共通して得られることになる。 Further, as the gate extending color material pattern 124Bg provided so as to cover the surface of the gate side shading pattern 125GT, the gate extending is composed of a part of the blue color material pattern 124B having the lowest transmittance among the color material patterns 124R to 124B. By selecting the colored material pattern 124Bg, it is possible to more effectively block the incident light on the semiconductor layer 114c. That is, the amorphous silicon film used as the material of the semiconductor layer 114c of the TFT 114 in the first embodiment has relatively little dependence on the wavelength of the incident light with respect to the leakage current generated by the incident light. As described above, the magnitude of the transmittance affects the magnitude of the leak current, and as described above, it is effective to select the gate extending color material pattern 124Bg composed of a part of the blue color material pattern 124B. The material of the semiconductor layer 114c is amorphous for the same effect that it is effective to select the blue color material pattern 124B as the specific color for the color material pattern provided to cover the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT. In addition to the silicon film, it can be commonly obtained when non-single crystal silicon such as polycrystalline silicon or microcrystalline silicon is used.

また、本実施の形態１の液晶表示装置では、各色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂを構成する色材パターンについて、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇも含めて、ストライプ状の連続パターンおよび格子状の連続パターンの何れかの形状により設けられることから、先に説明を行なった各色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂを形成する際のパターニングプロセス時において、ＴＦＴ１１４の形成領域などの画素領域の一部程度の比較的狭い領域（比較的小さい面積）の孤立パターンを含む色材パターンを形成するのに比べて、製造歩留りを低下することなく、高い製造歩留りで製造することができる。つまり、製造コストの増加を抑えることができる。 Further, in the liquid crystal display device of the first embodiment, the color material patterns constituting the color material patterns 124R to 124B are striped including the gate extending color material pattern 124Bg provided so as to cover the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT. Since it is provided by either a continuous pattern in a shape or a continuous pattern in a grid pattern, pixels such as a region where the TFT 114 is formed during the patterning process when forming each of the color material patterns 124R to 124B described above. Compared with forming a color material pattern including an isolated pattern in a relatively narrow region (relatively small area) such as a part of the region, it is possible to manufacture with a high manufacturing yield without lowering the manufacturing yield. That is, it is possible to suppress an increase in manufacturing cost.

また、本実施の形態１の液晶表示装置では、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの配置について、本発明における色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの特徴的な平面配置を利用し、特に、ＣＦ基板１２０上におけるガラス基板１２１の基板面からの高さの異なる位置に、それぞれを配置することにより、ハーフトーンプロセスなどの特殊な製造方法を用いることなく、比較的容易に低コストにて、広い温度範囲で使用しても高い信頼性が得られるデュアルスペーサ構造を有した液晶表示装置を得ることができる。 Further, in the liquid crystal display device of the first embodiment, regarding the arrangement of the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s, the characteristic planar arrangement of the color material patterns 124R to 124B in the present invention is used, and particularly on the CF substrate 120. By arranging each of the glass substrates 121 at different heights from the substrate surface, it can be used in a wide temperature range relatively easily and at low cost without using a special manufacturing method such as a halftone process. However, it is possible to obtain a liquid crystal display device having a dual spacer structure that can obtain high reliability.

続いて、実施の形態１の液晶表示装置における色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂについて、特に本発明の特徴的な構成となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターン或いは格子状の連続パターン形状を有した色材パターンについて、青色の色材パターン１２４Ｂに加えて、他の色となる緑色の色材パターン１２４Ｇや赤色の色材パターン１２４Ｒについても同様のゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる色材パターンとした変形例２例について、図９を用いて説明を行う。なお、説明は実施の形態１との変更部分についてのみ行なうこととする。そこで、図９は、実施の形態１との主な変更部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる色材パターンと柱状スペーサの配置について説明する断面図であって、実施の形態１の図３（ｂ）に示されるＸ１－Ｘ２断面線における断面図となる図４（ａ）に対応し、図９（ａ）は１例目の変形例、図９（ｂ）は２例目の変形例、それぞれにおける断面図である。 Subsequently, with respect to the color material patterns 124R to 124B in the liquid crystal display device of the first embodiment, a continuous pattern or a lattice provided so as to cover the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, which is a characteristic configuration of the present invention. Regarding the color material pattern having a continuous pattern shape, in addition to the blue color material pattern 124B, the same gate side shading pattern 125GT is also applied to the green color material pattern 124G and the red color material pattern 124R which are other colors. Two examples of modifications in which the color material pattern is provided so as to cover the surface of the above will be described with reference to FIG. It should be noted that the description will be given only for the parts changed from the first embodiment. Therefore, FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating the arrangement of the color material pattern and the columnar spacer provided so as to cover the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, which is a main change from the first embodiment. 1 corresponds to FIG. 4 (a) which is a cross-sectional view of the X1-X2 cross-sectional line shown in FIG. 3 (b), FIG. 9 (a) is a modified example of the first example, and FIG. 9 (b) is an example of two. It is a cross-sectional view of each modified example of the eye.

先ず、１例目の変形例について、図９（ａ）を用いて説明する。図９（ａ）に示す変形例においては、実施の形態１の液晶表示装置における色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂについて、図示されるとおり、色材パターン１２４Ｂがゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備える点は実施の形態１と同じであるが、色材パターン１２４Ｇについてもゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる緑色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇを備えるよう変更されている。つまり、本変形例では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの形成領域の全体に渡る表面を覆って、色材パターン１２４Ｂと色材パターン１２４Ｇの２色の色材パターンによる２層の色材パターンからなる積層膜が設けられることになる。 First, a modified example of the first example will be described with reference to FIG. 9A. In the modified example shown in FIG. 9A, with respect to the color material patterns 124R to 124B in the liquid crystal display device of the first embodiment, as shown in the figure, the color material pattern 124B extends over the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT. The point that the gate extending color material pattern 124Bg composed of the existing blue color material pattern is provided is the same as that of the first embodiment, but the color material pattern 124G also covers the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT and extends. It has been modified to include a gate extending color material pattern of 124 Gg, which is composed of a green color material pattern that is presently provided. That is, in this modification, the surface covering the entire formation region of the gate-side light-shielding pattern 125GT is covered, and a stack consisting of two layers of color material patterns consisting of the color material pattern 124B and the color material pattern 124G is laminated. A membrane will be provided.

なお、図示は省略しているが、色材パターン１２４Ｂは、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなる点は実施の形態１と同じであり、本変形例では、色材パターン１２４Ｇについても色材パターン１２４Ｂと同様に格子状の連続パターンよりなる。また、色材パターン１２４Ｒについては、実施の形態１と変更なく、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する色材パターンとしており、図示されるとおり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、色材パターン１２４Ｂ（ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ）および色材パターン１２４Ｇ（ゲート延在色材パターン１２４Ｇｇ）と交差し、これらの上に重なって設けられる。 Although not shown, the color material pattern 124B includes a source extension color material pattern 124Bs composed of a continuous pattern provided at least overlapping the pixel electrode 113 along the extension direction of the source wiring 118. The point consisting of a grid-like continuous pattern provided by intersecting the gate extending color material pattern 124Bg and the source extending color material pattern 124Bs is the same as in the first embodiment, and in this modification, the coloring material pattern 124G Also, like the color material pattern 124B, it is composed of a continuous pattern in a grid pattern. Further, the color material pattern 124R is the same as that of the first embodiment, and is shown as a striped continuous color material pattern provided so as to overlap with at least the pixel electrode 113 along the extending direction of the source wiring 118. As shown above, on the gate-side light-shielding pattern 125GT, the color material pattern 124B (gate extending color material pattern 124Bg) and the coloring material pattern 124G (gate extending color material pattern 124Gg) intersect with each other and are provided so as to overlap each other.

また、図示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの配置としては、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の赤色の色材パターン１２４Ｒと色材パターン１２４Ｂ（ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ）および色材パターン１２４Ｇ（ゲート延在色材パターン１２４Ｇｇ）との交差部分（具体的には赤色の画素列）に配置し、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓを赤色の色材パターン１２４Ｒが設けられず、色材パターン１２４Ｂ（ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇ）および色材パターン１２４Ｇ（ゲート延在色材パターン１２４Ｇｇ）の積層膜が設けられる他の色（赤色以外の色）の画素列（具体的には、例えば、青の画素列）に配置している。また、実施の形態１と同様に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成している。 Further, as shown in the figure, as for the arrangement of the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s, the columnar spacer 134m functioning as the main spacer is arranged as a striped red color material pattern 124R and a color material pattern 124B (gate extending color material pattern 124Bg). ) And the columnar spacer 134s that are arranged at the intersection (specifically, the red pixel array) with the color material pattern 124G (gate extending color material pattern 124Gg) and function as a sub spacer, are provided by the red color material pattern 124R. A pixel string (specifically, a color other than red) of another color (a color other than red) on which a laminated film of the coloring material pattern 124B (gate extending color material pattern 124Bg) and the coloring material pattern 124G (gate extending color material pattern 124Gg) is provided. For example, it is arranged in a blue pixel string). Further, as in the first embodiment, the columnar resin layers having the same thickness for the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s are configured as a common member.

上記説明の変形例の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられること、また、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられるといった特徴は有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光について、より効果的に遮断することができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。 In the liquid crystal display device of the modification described above, as in the liquid crystal display device of the first embodiment, all the gate wiring including the BM125 surface at the position facing the gate wiring 117 located between the TFTs 114 adjacent to each other is used. A gate extending color material pattern 124Bg consisting of a continuous pattern extending over the surface of the gate side shading pattern 125GT which is a BM125 at a position facing 117 is provided, and the blue color having the lowest transmittance is provided. Since the gate extending color material pattern 124Bg, which is a part of the color material pattern 124B, is provided, the reflected light from the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT located between the TFTs 114 adjacent to each other is provided. It is possible to obtain the same effect as that obtained by the liquid crystal display device of the first embodiment, that is, it is effectively blocked and the light incident on the semiconductor layer 114c can be blocked more effectively.

また、本変形例では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面は、青色の色材パターン１２４Ｂに覆われるとともに、緑色の色材パターン１２４Ｇにも覆われる。緑色の色材パターン１２４Ｇは、青色の色材パターン１２４Ｂを透過する青色の波長帯域の光について、殆ど透過しない透過特性を有すること、逆に言えば、青色の色材パターン１２４Ｂは、緑色の色材パターン１２４Ｇを透過する緑色の波長帯域の光について、殆ど透過しない透過特性を有することから、緑色の色材パターン１２４Ｇと青色の色材パターン１２４Ｂの積層膜に覆われたゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面での反射光は殆ど生じない。つまり、実施の形態１と比べて、より反射率が抑制されることになる。 Further, in this modification, the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT is covered with the blue color material pattern 124B and also with the green color material pattern 124G. The green color material pattern 124G has a transmission characteristic that hardly transmits light in the blue wavelength band transmitted through the blue color material pattern 124B, and conversely, the blue color material pattern 124B is a green color. Since it has a transmission characteristic that hardly transmits light in the green wavelength band that passes through the material pattern 124G, the gate-side light-shielding pattern 125GT covered with a laminated film of the green color material pattern 124G and the blue color material pattern 124B. Almost no reflected light is generated on the surface. That is, the reflectance is further suppressed as compared with the first embodiment.

また、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて、同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成し、デュアルスペーサ構造を構成しており、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの特徴的な平面配置を利用し、特に、ＣＦ基板１２０上におけるガラス基板１２１の基板面からの高さの異なる位置に、それぞれを配置することにより、ハーフトーンプロセスなどの特殊な製造方法を用いることなく、比較的容易に低コストにて、広い温度範囲で使用しても高い信頼性が得られるデュアルスペーサ構造を有した液晶表示装置を得ることができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。 Further, similarly to the liquid crystal display device of the first embodiment, for the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s, a columnar resin layer having the same thickness is configured as a common member to form a dual spacer structure, and the coloring material patterns 124R to Utilizing the characteristic planar arrangement of 124B, in particular, by arranging each of the glass substrates 121 at different heights from the substrate surface on the CF substrate 120, a special manufacturing method such as a halftone process can be performed. The liquid crystal display device of the first embodiment, in which a liquid crystal display device having a dual spacer structure capable of obtaining high reliability even when used in a wide temperature range can be obtained relatively easily and at low cost without using the liquid crystal display device. It is possible to obtain the same effect as that obtained in.

なお、図９（ａ）に示す変形例においては、青色の色材パターン１２４Ｂと緑色の色材パターン１２４Ｇの２色の色材パターンにより、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる色材パターンを配置した例について説明したが、青色の色材パターン１２４Ｂと赤色の色材パターン１２４Ｒの２色の色材パターンにより、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる色材パターンを配置しても良く、上記変形例と同様の効果を得ることができる。特に、赤色の色材パターン１２４Ｒは、青色の色材パターン１２４Ｂを透過する青色の波長帯域の光について、より以上に殆ど透過しない透過特性を有すること、逆に言えば、青色の色材パターン１２４Ｂは、赤色の色材パターン１２４Ｒを透過する赤色の波長帯域の光について、より以上に殆ど透過しない透過特性を有することから、上記変形例と比べて、より反射率が抑制されることになる。 In the modified example shown in FIG. 9A, the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT is covered and extended by the two-color material pattern of the blue color material pattern 124B and the green color material pattern 124G. An example of arranging the provided color material pattern has been described, but the two color material patterns of the blue color material pattern 124B and the red color material pattern 124R cover the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT and extend. The provided color material pattern may be arranged, and the same effect as the above modification can be obtained. In particular, the red color material pattern 124R has a transmission characteristic that hardly transmits light in the blue wavelength band transmitted through the blue color material pattern 124B, and conversely, the blue color material pattern 124B. Has a transmission characteristic that hardly transmits light in the red wavelength band transmitted through the red color material pattern 124R, so that the reflectance is further suppressed as compared with the above-mentioned modification.

続いて、２例目の変形例について、図９（ｂ）を用いて説明する。図９（ｂ）に示す変形例においては、実施の形態１の液晶表示装置における色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂについて、図示されるとおり、色材パターン１２４Ｂがゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備える点は実施の形態１或いは先に説明を行なった１例目の変形例と同じであるが、色材パターン１２４Ｇおよび色材パターン１２４Ｒについても、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる緑色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇおよびゲート延在色材パターン１２４Ｒｇを備えるよう変更されている。つまり、本変形例では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの形成領域の全体に渡る表面を覆って、色材パターン１２４Ｂと色材パターン１２４Ｇと色材パターン１２４Ｒの３色全ての色材パターンによる３層の色材パターンからなる積層膜が設けられることになる。 Subsequently, a second modified example will be described with reference to FIG. 9 (b). In the modified example shown in FIG. 9B, with respect to the color material patterns 124R to 124B in the liquid crystal display device of the first embodiment, as shown in the figure, the color material pattern 124B extends over the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT. The point that the gate extending color material pattern 124Bg composed of the existing blue color material pattern is provided is the same as that of the first embodiment or the first modification described above, but the color material pattern 124G. The color material pattern 124R is also changed to include a gate extending color material pattern 124Gg and a gate extending color material pattern 124Rg made of a green color material pattern extending over the surface of the gate side shading pattern 125GT. Has been done. That is, in this modification, the surface covering the entire formation region of the gate-side light-shielding pattern 125GT is covered, and three layers of the three colors of the color material pattern 124B, the color material pattern 124G, and the color material pattern 124R are formed. A laminated film made of a color material pattern will be provided.

なお、図示は省略しているが、色材パターン１２４Ｂは、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなる点は実施の形態１と同じであり、本変形例では、色材パターン１２４Ｇおよび色材パターンＲについても色材パターン１２４Ｂと同様に格子状の連続パターンよりなる。つまり、青色、緑色、赤色の３色の色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂが、全て、格子状の連続パターンよりなることになる。 Although not shown, the color material pattern 124B includes a source extension color material pattern 124Bs composed of a continuous pattern provided at least overlapping the pixel electrode 113 along the extension direction of the source wiring 118. The point consisting of a grid-like continuous pattern provided by intersecting the gate extending color material pattern 124Bg and the source extending color material pattern 124Bs is the same as in the first embodiment, and in this modification, the coloring material pattern 124G The color material pattern R also has a continuous grid pattern as in the color material pattern 124B. That is, the three color material patterns 124R to 124B of blue, green, and red are all composed of continuous grid-like patterns.

また、図示されるとおり、柱状スペーサの配置としては、実施の形態１や上記説明した１例目の変形例と同様に、それぞれ、赤色の画素列と、青色の画素列に配置しているものの、本変形例の場合、特に、ＣＦ基板１２０上において、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍおよびサブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓｓを配置することとなるゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、全体的に３色の色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂからなる積層膜が設けられ、ガラス基板１２１の基板面からの高さに差が無いことから、実施の形態１や上記説明した１例目の変形例のように、ガラス基板１２１の基板面からの高さの差を利用して、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成することができない。 Further, as shown in the figure, the columnar spacers are arranged in the red pixel row and the blue pixel row, respectively, as in the first embodiment and the modified example of the first example described above. In the case of this modification, in particular, on the gate-side light-shielding pattern 125GT on which the columnar spacer 134m functioning as the main spacer and the columnar spacer 134ss functioning as the sub spacer are arranged on the CF substrate 120, 3 as a whole. Since the laminated film composed of the color material patterns 124R to 124B of the color is provided and there is no difference in the height of the glass substrate 121 from the substrate surface, as in the first embodiment and the modified example of the first example described above. It is not possible to form a difference in height between the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss by utilizing the difference in height from the substrate surface of the glass substrate 121.

従って、本変形例では、図示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓについて、単純に互いに異なる厚みの柱状樹脂層を用いて、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成し、デュアルスペーサ構造としている。なお、本変形例の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの形成方法については、先にも例示したとおり、公知の異なる高さのデュアルスペーサ構造の形成方法であるハーフトーンマスク（或いはグレートーンマスク、その他、中間調露光マスクなどと言われる）技術を利用して形成すれば良い。 Therefore, in this modification, as shown in the figure, the height difference between the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss is formed by simply using the columnar resin layers having different thicknesses for the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss. It has a dual spacer structure. As for the method of forming the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss in this modification, as illustrated above, a halftone mask (or a gray tone mask, etc.), which is a known method for forming a dual spacer structure having different heights, is used. , It may be formed by using a technique (called a halftone exposure mask, etc.).

上記説明の２例目の変形例の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられること、また、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられるといった特徴は有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光について、より効果的に遮断することができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。 In the liquid crystal display device of the second modification of the above description, similarly to the liquid crystal display device of the first embodiment, the surface of the BM125 at a position facing the gate wiring 117 located between the TFTs 114 adjacent to each other is included. A gate extending color material pattern 124Bg consisting of a continuous pattern extending over the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, which is a BM125 at a position facing the gate wiring 117, is provided, and the transmission rate is the highest. Since the gate extending color material pattern 124Bg composed of a part of the low blue color material pattern 124B is provided, the surface of the gate side light shielding pattern 125GT located between the TFTs 114 adjacent to each other is provided. It is possible to obtain the same effect as that obtained by the liquid crystal display device of the first embodiment, such that the reflected light of the above can be effectively blocked and the incident light to the semiconductor layer 114c can be blocked more effectively.

また、本変形例では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面は、青色の色材パターン１２４Ｂに覆われるとともに、緑色の色材パターン１２４Ｇおよび赤色の色材パターン１２４Ｒにも覆われる。これら青色の色材パターン１２４Ｂ、緑色の色材パターン１２４Ｇ、および赤色の色材パターン１２４Ｒは、透過光について、互いに異なる波長特性を有することから、これら３色の色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂからなる積層膜を介すると、殆ど全ての波長帯域の光について透過することができないことになる。従って、３色の色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂからなる積層膜に覆われたゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面での反射光は殆ど生じない。つまり、実施の形態１や上記説明した各変形例と比べて、より反射率が抑制されることになる。 Further, in this modification, the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT is covered with the blue color material pattern 124B, and is also covered with the green color material pattern 124G and the red color material pattern 124R. Since the blue color material pattern 124B, the green color material pattern 124G, and the red color material pattern 124R have different wavelength characteristics for transmitted light, the laminated layers of these three color material patterns 124R to 124B. Through the membrane, light in almost all wavelength bands cannot be transmitted. Therefore, almost no reflected light is generated on the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT covered with the laminated film composed of the three-color material patterns 124R to 124B. That is, the reflectance is further suppressed as compared with the first embodiment and each of the above-described modifications.

また、青色、緑色、赤色の３色の色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂが、全て、格子状の連続パターンよりなることから、全ての色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂにおいて、それらのパターニングプロセス時において、通常のストライプ状の色材パターンを形成するのに比べて、製造歩留りを低下することなく、逆に、より高い製造歩留りで製造することができる。 Further, since the three color material patterns 124R to 124B of blue, green, and red are all composed of continuous grid patterns, all the color material patterns 124R to 124B are normal during the patterning process. Compared with forming a striped color material pattern, it is possible to manufacture with a higher manufacturing yield without lowering the manufacturing yield.

続いて、実施の形態１の液晶表示装置におけるＴＦＴ１１４のチャネルとして機能する半導体層１１４ｃについて、半導体材料として、酸化物半導体を用いた酸化物半導体層１１４ｃｏｘをチャネルとして備えたＴＦＴ（酸化物半導体ＴＦＴ）１１４ｏｘに変更するとともに、特に本発明の特徴的な構成となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターン或いは格子状の連続パターン形状を有した特定色の色材パターンについて、青色の色材パターン１２４Ｂではなく、他の色となる緑色の色材パターン１２４Ｇや赤色の色材パターン１２４Ｒを、当該ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる特定色の色材パターンとした３例目の実施の形態１の変形例について、図１０を用いて説明を行う。 Subsequently, regarding the semiconductor layer 114c that functions as a channel of the TFT 114 in the liquid crystal display device of the first embodiment, a TFT (oxide semiconductor TFT) provided with an oxide semiconductor layer 114cox using an oxide semiconductor as a semiconductor material as a channel. In addition to changing to 114ox, a color material pattern of a specific color having a continuous pattern or a grid-like continuous pattern shape that is provided extending over the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, which is a characteristic configuration of the present invention. A specific color material pattern provided by covering the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT with a green color material pattern 124G or a red color material pattern 124R which is another color instead of the blue color material pattern 124B. A modified example of the first embodiment described in FIG. 10 will be described with reference to FIG.

図１０に示す３例目の変形例においては、液晶表示装置における能動素子が酸化物半導体を用いた酸化物半導体層１１４ｃｏｘをチャネルとして備えた酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘに変更されていることに加えて、実施の形態１の液晶表示装置における色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂについて、図示されるとおり、ある特定色となる１色の色材パターンについて、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇを備える点は実施の形態１と同じであるが、そのゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる色材パターンが、実施の形態１のように青色の色材パターン１２４Ｂではなく、緑色の色材パターン１２４Ｇよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇであることが変更されている。また、逆に、色材パターン１２４Ｂについては、色材パターン１２４Ｒとともに、一般的なストライプ状の色材パターンと同様にソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるストライプ状に連続する色材パターンとしている。 In the third modification shown in FIG. 10, in addition to the fact that the active element in the liquid crystal display device is changed to the oxide semiconductor TFT 114ox provided with the oxide semiconductor layer 114cox using the oxide semiconductor as a channel, the active element is changed to the oxide semiconductor TFT 114ox. As for the color material patterns 124R to 124B in the liquid crystal display device of the first embodiment, as shown in the figure, one color material pattern having a specific color is provided so as to cover the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT. The point that the gate extending color material pattern 124Gg composed of the color material pattern to be formed is provided is the same as that of the first embodiment, but the color material pattern extending over the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT is implemented. It is changed that the gate extending color material pattern 124Gg is composed of the green color material pattern 124G instead of the blue color material pattern 124B as in the first embodiment. On the contrary, the color material pattern 124B is provided together with the color material pattern 124R with a stripe that overlaps with at least the pixel electrode 113 along the extending direction of the source wiring 118 in the same manner as the general striped color material pattern. The color material pattern is continuous.

なお、図示されるとおり、色材パターン１２４Ｇは、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｇｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｇｇとソース延在色材パターン１２４Ｇｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなる。また、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓの配置としては、柱状スペーサ１３４ｍをストライプ状の青色の色材パターン１２４Ｂと、格子状の連続パターンよりなる緑色の色材パターン１２４Ｇ（特にゲート延在色材パターン１２４Ｇｇの部分）の交差部分に配置している。一方、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓについては格子状の連続パターンよりなる緑色の色材パターン１２４Ｇにおける格子点部分に配置している。また、実施の形態１と同様に、これら柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて、同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成し、デュアルスペーサ構造を構成している。 As shown in the figure, the color material pattern 124G includes a source extension color material pattern 124Gs composed of a continuous pattern provided at least overlapping the pixel electrode 113 along the extension direction of the source wiring 118, and the gate extends. It consists of a continuous grid-like pattern provided by intersecting the color material pattern 124 Gg and the source extending color material pattern 124 Gs. As for the arrangement of the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s, the columnar spacers 134m are arranged with a striped blue color material pattern 124B and a green color material pattern 124G composed of a grid-like continuous pattern (particularly, a gate extending color material pattern). It is arranged at the intersection of 124 Gg). On the other hand, the columnar spacers 134s that function as sub-spacers are arranged at the grid point portions in the green color material pattern 124G having a grid-like continuous pattern. Further, as in the first embodiment, the columnar spacers 134m and the columnar spacers 134s are configured by forming a columnar resin layer having the same thickness as a common member to form a dual spacer structure.

なお、以上のゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられる特定色の色材パターンにおける特定色として選択する色の変更は、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘが酸化物半導体を用いた酸化物半導体層１１４ｃｏｘをチャネルとして備えていることに伴う変更点となる。つまり、酸化物半導体層１１４ｃｏｘの材料として用いている酸化物半導体材料は、光が入射されることにより生ずるＴＦＴのリーク電流について、当該入射光の波長に対する依存性がある。具体的には、特に青色の波長帯域の光が入射された場合にリーク電流が大きくなる傾向を有している。よって、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘを用いる場合においては、実施の形態１のようにゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとして、青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを選択することは、リーク電流を低減する点において望ましい構成ではない。つまり、青色の色材パターン１２４Ｂは、青色の光を透過するフィルタ特性を有していることから、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘにおいてリーク電流を増大する青色の波長帯域の光を遮光するのに適さないことになる。 To change the color selected as the specific color in the color material pattern of the specific color provided so as to cover the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, the oxide semiconductor TFT 114ox channels the oxide semiconductor layer 114cox using the oxide semiconductor. It will be a change due to the provision as. That is, the oxide semiconductor material used as the material of the oxide semiconductor layer 114cox has a dependence on the wavelength of the incident light with respect to the leakage current of the TFT generated by the incident light. Specifically, the leakage current tends to increase particularly when light in the blue wavelength band is incident. Therefore, when the oxide semiconductor TFT 114ox is used, it is composed of a part of the blue color material pattern 124B as the gate extending color material pattern 124Bg provided so as to cover the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT as in the first embodiment. Selecting the gate extending color material pattern 124Bg is not a desirable configuration in terms of reducing leakage current. That is, since the blue color material pattern 124B has a filter characteristic that transmits blue light, it is not suitable for blocking light in the blue wavelength band that increases the leakage current in the oxide semiconductor TFT 114ox. become.

以上のことから、本変形例においては、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘを用いる場合において、酸化物半導体層１１４ｃｏｘに入射された場合に顕著なリーク電流を生ずることが懸念される青色の波長帯域の光を効果的に遮光するのに好適な緑色の色材パターンを特定色の色材パターンとして選択し、緑色の色材パターン１２４Ｇの一部によりゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇを構成している。 From the above, in this modification, when the oxide semiconductor TFT 114ox is used, the light in the blue wavelength band, which is feared to generate a remarkable leakage current when incident on the oxide semiconductor layer 114cox, is effective. A green color material pattern suitable for light-shielding is selected as a color material pattern of a specific color, and a gate extending color provided by covering the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT with a part of the green color material pattern 124G. It constitutes a material pattern of 124 Gg.

上記説明の３例目の変形例の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇが設けられること、また、酸化物半導体ＴＦＴ１１４ｏｘを用いる場合において、より好適となる緑色の色材パターン１２４Ｇの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇが設けられるといった特徴を有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について、特に酸化物半導体層１１４ｃｏｘに入射された場合に顕著なリーク電流を生ずることから有害となる青色の波長帯域の光をより効果的に遮断することができるといった効果を得ることができる。 In the liquid crystal display device of the third modification of the above description, similarly to the liquid crystal display device of the first embodiment, the surface of the BM125 at a position facing the gate wiring 117 located between the TFTs 114 adjacent to each other is included. A gate extending color material pattern 124Gg consisting of a continuous pattern extending over the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, which is a BM125 at a position facing the gate wiring 117, is provided, and an oxide semiconductor is provided. When the TFT 114ox is used, it is located between the TFTs 114 adjacent to each other because it has a feature that the gate extending color material pattern 124Gg which is a part of the green color material pattern 124G which is more suitable is provided. Regarding the reflected light from the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, it is necessary to more effectively block the light in the blue wavelength band, which is harmful because a remarkable leakage current is generated especially when the light is incident on the oxide semiconductor layer 114cox. You can get the effect that you can do it.

また、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓについて、同じ厚みの柱状樹脂層を共通部材として構成し、デュアルスペーサ構造を構成しており、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの特徴的な平面配置を利用し、特に、ＣＦ基板１２０上におけるガラス基板１２１の基板面からの高さの異なる位置に、それぞれを配置することにより、ハーフトーンプロセスなどの特殊な製造方法を用いることなく、比較的容易に低コストにて、広い温度範囲で使用しても高い信頼性が得られるデュアルスペーサ構造を有した液晶表示装置を得ることができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。 Further, similarly to the liquid crystal display device of the first embodiment, for the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134s, a columnar resin layer having the same thickness is configured as a common member to form a dual spacer structure, and the coloring material patterns 124R to Utilizing the characteristic planar arrangement of 124B, in particular, by arranging each of the glass substrates 121 at different heights from the substrate surface on the CF substrate 120, a special manufacturing method such as a halftone process can be performed. The liquid crystal display device of the first embodiment, in which a liquid crystal display device having a dual spacer structure capable of obtaining high reliability even when used in a wide temperature range can be obtained relatively easily and at low cost without using the liquid crystal display device. It is possible to obtain the same effect as that obtained in.

なお、上記説明の３例目の変形例においては、特に酸化物半導体層１１４ｃｏｘに入射された場合に有害となる青色の波長帯域の光を効果的に遮光するのに好適な緑色の色材パターンを選択し、緑色の色材パターン１２４Ｇの一部によりゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｇｇを構成した例について説明を行ったが、同様に青色の波長帯域の光を効果的に遮光するのに好適な赤色の色材パターンを選択し、赤色の色材パターン１２４Ｒの一部によりゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆うように変更しても良く、上記３例目の変形例と同様の効果を得ることができる。 In the third modification of the above description, a green color material pattern suitable for effectively blocking light in the blue wavelength band, which is particularly harmful when incident on the oxide semiconductor layer 114cox. Was selected, and an example in which a gate extending color material pattern 124 Gg provided by covering the surface of the gate-side light-shielding pattern 125 GT with a part of the green color material pattern 124 G was described was described. Similarly, the blue wavelength band was described. A red color material pattern suitable for effectively blocking the light of the above may be selected and changed so as to cover the surface of the gate side light shielding pattern 125GT with a part of the red color material pattern 124R. The same effect as the modified example of the example can be obtained.

実施の形態２．
続いて、先に説明を行った実施の形態１の液晶表示装置より、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂのうち、特に色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇの平面パターン配置についての変更と、それに伴う柱状スペーサの構成についての変更とを行った実施の形態２の液晶表示装置について、図１１を用いて説明を行う。以下、実施の形態１との変更部を重点的に説明することとする。 Embodiment 2.
Subsequently, from the liquid crystal display device of the first embodiment described above, among the color material patterns 124R to 124B, the change in the plane pattern arrangement of the color material pattern 124R and the color material pattern 124G, and the columnar columns accompanying the change. The liquid crystal display device of the second embodiment in which the configuration of the spacer is changed will be described with reference to FIG. Hereinafter, the changes from the first embodiment will be mainly described.

ここで、図１１(ａ)は、実施の形態１との主な変更部分となる色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇの平面パターン配置について説明する平面図である。図１１（ｂ）は、実施の形態１との別の主な変更部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる色材パターンと柱状スペーサの配置について説明する断面図であって、図１１(ａ)に示されるＸ１－Ｘ２断面線における断面図である。また、それぞれ、実施の形態１の図３（ｂ）の平面図と、図３（ｂ）に示されるＸ１－Ｘ２断面線における断面図となる図４（ａ）に対応する。 Here, FIG. 11A is a plan view illustrating the plane pattern arrangement of the color material pattern 124R and the color material pattern 124G, which are the main changes from the first embodiment. FIG. 11B is a cross-sectional view illustrating the arrangement of the color material pattern and the columnar spacer provided so as to cover the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, which is another main modification from the first embodiment. 11 is a cross-sectional view taken along the X1-X2 cross-sectional line shown in FIG. 11 (a). Further, they correspond to the plan view of FIG. 3 (b) of the first embodiment and FIG. 4 (a) which is a cross-sectional view of the X1-X2 cross-sectional line shown in FIG. 3 (b), respectively.

本実施の形態２においては、図１１(ａ)に示されるとおり、ＣＦ基板１２０上において、格子状の遮光パターンよりなるＢＭ１２５が設けられ、特に、色材パターン１２４Ｂが、アレイ基板１１０上に設けられるゲート配線１１７の延在方向に沿って設けられるＢＭ１２５の部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備えるとともに、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられる連続パターンよりなるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備え、当該ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇとソース延在色材パターン１２４Ｂｓとが交差して設けられた格子状の連続パターンよりなる点は、実施の形態１と同じである。 In the second embodiment, as shown in FIG. 11A, the BM 125 having a grid-like light-shielding pattern is provided on the CF substrate 120, and in particular, the color material pattern 124B is provided on the array substrate 110. The gate extending color material pattern 124Bg composed of a blue color material pattern extending over the surface of the gate side shading pattern 125GT which is a part of the BM 125 provided along the extending direction of the gate wiring 117 is provided. Along with this, a source extending color material pattern 124Bs composed of a continuous pattern provided at least overlapping with the pixel electrode 113 along the extending direction of the source wiring 118 is provided, and the gate extending color material pattern 124Bg and the source extending color material pattern are provided. It is the same as the first embodiment in that it consists of a continuous pattern in a grid pattern provided so as to intersect with 124Bs.

一方、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについては、図１１(ａ)に示されるとおり、実施の形態１のようにストライプ状に設けられるのではなく、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられ、互いに分離して設けられる複数の孤立パターンにより設けられている。また、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇの各孤立パターンは、各画素における画素電極１１３に対応して配置されるＢＭ１２５に設けられた開口部とその周辺部までを覆う領域に設けられることになり、更に、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において互いに分離し、色材パターン１２４Ｂと重なることなく、特にゲート延在色材パターン１２４Ｂｇと重なることなく設けられる。 On the other hand, as shown in FIG. 11A, the color material pattern 124R and the color material pattern 124G are not provided in a striped shape as in the first embodiment, but are provided along the extending direction of the source wiring 118. At least, it is provided so as to overlap with the pixel electrode 113, and is provided by a plurality of isolated patterns provided separately from each other. Further, each isolated pattern of the color material pattern 124R and the color material pattern 124G is provided in a region covering the opening provided in the BM 125 arranged corresponding to the pixel electrode 113 in each pixel and the peripheral portion thereof. Further, they are separated from each other on the gate-side light-shielding pattern 125GT, and are provided without overlapping with the color material pattern 124B, and particularly without overlapping with the gate extending color material pattern 124Bg.

また、柱状スペーサの配置としては、図１１(ａ)に示されるとおり、実施の形態１や上記説明した１例目の変形例と同様に、それぞれ、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍを赤色の画素列に配置し、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓｓを青色の画素列に配置している。一方、本実施の形態２の場合、図１１(ａ)および図１１(ｂ)の両者より明らかなとおり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇのみが設けられ、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについてはゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上に設けられてない。特に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓを配置することとなるＣＦ基板１２０上において、具体的には、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、色材パターン１２４Ｂの単層膜の色材パターンが設けられ、ガラス基板１２１の基板面からの高さに差が無いことから、実施の形態１や上記説明した１例目の変形例のように、ガラス基板１２１の基板面からの高さの差を利用して、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成することができない。 As for the arrangement of the columnar spacers, as shown in FIG. 11A, the columnar spacers 134m that function as the main spacers are red, as in the first embodiment and the first modification described above. The columnar spacer 134ss, which is arranged in the pixel array and functions as a sub spacer, is arranged in the blue pixel array. On the other hand, in the case of the second embodiment, as is clear from both FIGS. 11A and 11B, only the gate extending color material pattern 124Bg is provided on the gate side light-shielding pattern 125GT, and the color material is provided. The pattern 124R and the color material pattern 124G are not provided on the gate-side light-shielding pattern 125GT. In particular, on the CF substrate 120 on which the columnar spacer 134 m and the columnar spacer 134ss are arranged, specifically, on the gate side light-shielding pattern 125GT, the color material pattern of the single-layer film of the color material pattern 124B is provided. Since there is no difference in the height of the glass substrate 121 from the substrate surface, the difference in height of the glass substrate 121 from the substrate surface is used as in the first embodiment and the first modification described above. Therefore, it is not possible to form a difference in height between the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss.

従って、本実施の形態２では、図１１(ｂ)の断面図に示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓについて、実施の形態１の２例目の変形例の図９（ｂ）の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓと同様に単純に互いに異なる厚みの柱状樹脂層を用いて、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成し、デュアルスペーサ構造としている。なお、本実施の形態２の柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの形成方法については、実施の形態１の２例目の変形例を説明する際に例示したとおり、公知の異なる高さのデュアルスペーサ構造の形成方法であるハーフトーンマスク（或いはグレートーンマスク、その他、中間調露光マスクなどと言われる）技術を利用して形成すれば良い。 Therefore, in the second embodiment, as shown in the cross-sectional view of FIG. 11B, the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss are the columnar columns of FIG. 9B of the second modification of the first embodiment. Similar to the spacer 134m and the columnar spacer 134ss, the columnar resin layers having different thicknesses are simply used to form a difference in height between the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss to form a dual spacer structure. Regarding the method of forming the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss of the second embodiment, as illustrated in the description of the second modification of the first embodiment, there are known dual spacer structures having different heights. It may be formed by using a halftone mask (or a gray tone mask, or other halftone exposure mask) technique which is a method of forming the above.

上記説明の実施の形態２の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられること、また、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられるといった特徴は有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光について、より効果的に遮断することができること、或いは、各色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂを形成する際のパターニングプロセス時において高い製造歩留りで製造することができ、製造コストの増加を抑えることができるといった実施の形態１の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。 In the liquid crystal display device of the second embodiment described above, as in the liquid crystal display device of the first embodiment, all including the surface of the BM125 at the position facing the gate wiring 117 located between the TFTs 114 adjacent to each other. A gate extending color material pattern 124Bg consisting of a continuous pattern extending over the surface of the gate side shading pattern 125GT which is a BM125 at a position facing the gate wiring 117 is provided, and the transmittance is the lowest. Since the gate extending color material pattern 124Bg, which is a part of the blue color material pattern 124B, is provided, the reflection from the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT located between the TFTs 114 adjacent to each other is provided. It is possible to effectively block light and more effectively block light incident on the semiconductor layer 114c, or to manufacture with a high manufacturing yield during the patterning process when forming each color material pattern 124R to 124B. It is possible to obtain the same effect as that obtained by the liquid crystal display device of the first embodiment, such as being able to suppress an increase in manufacturing cost.

また、本実施の形態２の液晶表示装置では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇも含めて、各色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂを構成する色材パターンについて互いに重なることなく設けられることから、ＣＦ基板１２０の表面において、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの部分的な重なりや積層などによって生ずる比較的大きい段差が形成されることがなく、平坦性が高くなる。その結果、製造時におけるＣＦ基板１２０側の配向膜１２２を形成する際に行われるラビング処理などの配向処理が、段差を起因とする引き摺りムラなどを生ずることなく比較的均一に行えることから、当該配向ムラを起因とする表示ムラを抑制することができる。 Further, in the liquid crystal display device of the second embodiment, the color material patterns constituting the color material patterns 124R to 124B overlap with each other, including the gate extending color material pattern 124Bg provided to cover the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT. Since the CF substrate 120 is provided without any problem, relatively large steps caused by partial overlap or lamination of the color material patterns 124R to 124B are not formed on the surface of the CF substrate 120, and the flatness is improved. As a result, the alignment process such as the rubbing process performed when forming the alignment film 122 on the CF substrate 120 side at the time of manufacturing can be performed relatively uniformly without causing drag unevenness due to the step. Display unevenness caused by alignment unevenness can be suppressed.

実施の形態３．
続いて、先に説明を行った実施の形態２の液晶表示装置より、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂのうち、特に色材パターン１２４Ｂの平面パターン配置についての変更を行った実施の形態３の液晶表示装置について、図１２を用いて説明を行う。以下、実施の形態２との変更部或いは実施の形態１との変更部を重点的に説明することとする。 Embodiment 3.
Subsequently, the liquid crystal display of the third embodiment is changed from the liquid crystal display device of the second embodiment described above with respect to the plane pattern arrangement of the color material patterns 124B among the color material patterns 124R to 124B. The device will be described with reference to FIG. Hereinafter, the changed part with the second embodiment or the changed part with the first embodiment will be mainly described.

ここで、図１２(ａ)は、実施の形態２との主な変更部分となる色材パターン１２４Ｂの平面パターン配置、或いは、実施の形態１との主な変更部分となる色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇの平面パターン配置について説明する平面図である。図１２（ｂ）は、実施の形態２に対しては共通部分、一方、実施の形態１に対しては変更部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って設けられる色材パターンと柱状スペーサの配置について説明する断面図であって、図１２(ａ)に示されるＸ１－Ｘ２断面線における断面図である。また、それぞれ、実施の形態２の図１１（ａ）の平面図と、図１１（ａ）に示されるＸ１－Ｘ２断面線における断面図となる図１１（ｂ）に、或いは、実施の形態１の図３（ｂ）の平面図と、図３（ｂ）に示されるＸ１－Ｘ２断面線における断面図となる図４（ａ）に対応する。 Here, FIG. 12A shows the plane pattern arrangement of the color material pattern 124B which is the main change part from the second embodiment, or the color material pattern 124R and the color material pattern 124R which is the main change part from the first embodiment. It is a top view which explains the plane pattern arrangement of the color material pattern 124G. FIG. 12B shows a color material pattern and a columnar spacer provided so as to cover the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT, which is a common portion for the second embodiment and a modified portion for the first embodiment. It is a cross-sectional view explaining the arrangement of, and is the cross-sectional view in the X1-X2 cross-sectional line shown in FIG. 12 (a). Further, in FIG. 11 (b), which is a plan view of FIG. 11 (a) of the second embodiment and a cross-sectional view of the X1-X2 cross-sectional line shown in FIG. 11 (a), or in the first embodiment, respectively. Corresponds to the plan view of FIG. 3 (b) and FIG. 4 (a) which is a cross-sectional view of the X1-X2 cross-sectional line shown in FIG. 3 (b).

本実施の形態３においては、図１２(ａ)に示されるとおり、ＣＦ基板１２０上において、格子状の遮光パターンよりなるＢＭ１２５が設けられ、特に、色材パターン１２４Ｂが、アレイ基板１１０上に設けられるゲート配線１１７の延在方向に沿って設けられるＢＭ１２５の部分となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる青色の色材パターンよりなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇを備える点、更に、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられるソース延在色材パターン１２４Ｂｓを備える点については、実施の形態１と同じである。 In the third embodiment, as shown in FIG. 12A, the BM 125 having a grid-like light-shielding pattern is provided on the CF substrate 120, and in particular, the color material pattern 124B is provided on the array substrate 110. The gate extending color material pattern 124Bg composed of a blue color material pattern extending over the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT which is a part of the BM 125 provided along the extension direction of the gate wiring 117 is provided. The point is the same as that of the first embodiment in that the source extending color material pattern 124Bs provided at least overlapping the pixel electrode 113 along the extending direction of the source wiring 118 is provided.

但し、本実施の形態３の色材パターン１２４Ｂについては、特にソース配線１１８の延在方向に沿って設けられるソース延在色材パターン１２４Ｂｓについて、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられ、互いに分離して設けられる複数の孤立パターンにより設けられる点が異なっている。また、ソース延在色材パターン１２４Ｂｓを構成する各孤立パターンは、各画素における画素電極１１３に対応して配置されるＢＭ１２５に設けられた開口部とその周辺部までを覆う領域に設けられることになり、更に、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において互いに分離し、色材パターン１２４Ｂの他の一部となるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇと重なることなく設けられる。 However, with respect to the color material pattern 124B of the third embodiment, in particular, with respect to the source extending color material pattern 124Bs provided along the extending direction of the source wiring 118, at least the pixel electrodes are provided along the extending direction of the source wiring 118. The difference is that they are provided so as to overlap with 113 and are provided by a plurality of isolated patterns provided separately from each other. Further, each isolated pattern constituting the source extending color material pattern 124Bs is provided in a region covering the opening provided in the BM 125 arranged corresponding to the pixel electrode 113 in each pixel and the peripheral portion thereof. Further, it is provided on the gate-side light-shielding pattern 125GT without overlapping with the gate extending color material pattern 124Bg which is separated from each other and becomes another part of the color material pattern 124B.

一方、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについては、図１２(ａ)に示されるとおり、実施の形態２における色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと同様に、ソース配線１１８の延在方向に沿って少なくとも画素電極１１３と重なって設けられ、互いに分離して設けられる複数の孤立パターンにより設けられる。更に、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において互いに分離し、色材パターン１２４Ｂと重なることなく、特にゲート延在色材パターン１２４Ｂｇと重なることなく設けられる点においては、実施の形態２における色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇと同様であり、本実施の形態３における色材パターン１２４Ｂのソース延在色材パターン１２４Ｂｓを構成する各孤立パターンと同様である。 On the other hand, with respect to the color material pattern 124R and the color material pattern 124G, as shown in FIG. 12 (a), as in the case of the color material pattern 124R and the color material pattern 124G in the second embodiment, in the extending direction of the source wiring 118. It is provided along the line so as to overlap with at least the pixel electrode 113, and is provided by a plurality of isolated patterns provided separately from each other. Further, the color material pattern 124R and the color material pattern 124R in the second embodiment are provided in that they are separated from each other on the gate side light-shielding pattern 125GT and are provided without overlapping with the color material pattern 124B, particularly with the gate extending color material pattern 124Bg. It is the same as the color material pattern 124G, and is the same as each isolated pattern constituting the source extending color material pattern 124Bs of the color material pattern 124B in the third embodiment.

本実施の形態３の色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂは、以上のとおりの平面配置を有することから、図１２(ａ)の平面図からも明らかなとおり、色材パターン１２４Ｂのゲート延在色材パターン１２４Ｂｇに対して、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇを構成するソース配線１１８の延在方向に沿って配列される各孤立パターンと、色材パターン１２４Ｂのソース延在色材パターン１２４Ｂｓを構成するソース配線１１８の延在方向に沿って配列される各孤立パターンとが互いに重なることなく配置され、更に、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂが備える各孤立パターン間についても互いに重なることなく配置される。つまり、全ての色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂを構成する色材パターンが互いに重なることなく配置される。 Since the color material patterns 124R to 124B of the third embodiment have the above-mentioned plane arrangement, as is clear from the plan view of FIG. 12A, the gate extending color material pattern of the color material pattern 124B With respect to 124Bg, each isolated pattern arranged along the extending direction of the source wiring 118 constituting the coloring material pattern 124R and the coloring material pattern 124G constitutes the source extending coloring material pattern 124Bs of the coloring material pattern 124B. The isolated patterns arranged along the extending direction of the source wiring 118 are arranged without overlapping each other, and further, the isolated patterns included in the color material patterns 124R to 124B are arranged without overlapping with each other. That is, the color material patterns constituting all the color material patterns 124R to 124B are arranged so as not to overlap each other.

また、柱状スペーサの配置としては、図１２(ａ)に示されるとおり、上記説明した実施の形態１や実施の形態２と同様に、それぞれ、メインスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｍを赤色の画素列に配置し、サブスペーサとして機能する柱状スペーサ１３４ｓｓを青色の画素列に配置している。また、図１２(ａ)および図１２(ｂ)の両者より明らかなとおり、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、ゲート延在色材パターン１２４Ｂｇのみが設けられ、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇについてはゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上に設けられてない。特に、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓを配置することとなるＣＦ基板１２０上において、具体的には、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴ上において、色材パターン１２４Ｂの単層膜の色材パターンが設けられ、ガラス基板１２１の基板面からの高さに差が無い点は、実施の形態２と同様である。 As for the arrangement of the columnar spacers, as shown in FIG. 12A, the columnar spacers 134m functioning as the main spacers are arranged in red as in the first and second embodiments described above. The columnar spacer 134ss, which functions as a sub-spacer, is arranged in the blue pixel array. Further, as is clear from both FIGS. 12 (a) and 12 (b), only the gate extending color material pattern 124Bg is provided on the gate side light-shielding pattern 125GT, and the color material pattern 124R and the color material pattern 124G are provided. Is not provided on the gate side shading pattern 125GT. In particular, on the CF substrate 120 on which the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss are arranged, specifically, on the gate side light-shielding pattern 125GT, the color material pattern of the single-layer film of the color material pattern 124B is provided. The point that there is no difference in the height of the glass substrate 121 from the substrate surface is the same as that of the second embodiment.

従って、本実施の形態３においても、図１２(ｂ)の断面図に示されるとおり、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓについて、実施の形態２と同様に単純に互いに異なる厚みの柱状樹脂層を用いて、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの高さの差を形成し、デュアルスペーサ構造としている。なお、柱状スペーサ１３４ｍおよび柱状スペーサ１３４ｓｓの形成方法についても、実施の形態２と同様で良いことから説明を省略する。 Therefore, also in the third embodiment, as shown in the cross-sectional view of FIG. 12B, for the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss, columnar resin layers having different thicknesses are simply used as in the second embodiment. Therefore, a difference in height between the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss is formed to form a dual spacer structure. The method of forming the columnar spacer 134m and the columnar spacer 134ss may be the same as in the second embodiment, and thus the description thereof will be omitted.

上記説明の実施の形態３の液晶表示装置においては、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５表面も含めて、全て、ゲート配線１１７と対向する位置のＢＭ１２５となるゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆って延在して設けられる連続パターンからなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられること、また、最も透過率の低い青色の色材パターン１２４Ｂの一部からなるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇが設けられるといった特徴は有していることから、これら互いに隣接するＴＦＴ１１４間に位置するゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面からの反射光について有効に遮断され、半導体層１１４ｃへの入射光について、より効果的に遮断することができること、或いは、各色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂを形成する際のパターニングプロセス時において高い製造歩留りで製造することができ、製造コストの増加を抑えることができるといった実施の形態１或いは実施の形態２の液晶表示装置で得られる効果と同様の効果を得ることができる。 In the liquid crystal display device of the third embodiment described above, as in the liquid crystal display device of the first embodiment, all including the surface of the BM125 at the position facing the gate wiring 117 located between the TFTs 114 adjacent to each other. A gate extending color material pattern 124Bg consisting of a continuous pattern extending over the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT which is a BM125 at a position facing the gate wiring 117 is provided, and the transmission rate is the lowest. Since the gate extending color material pattern 124Bg, which is a part of the blue color material pattern 124B, is provided, the reflection from the surface of the gate-side light-shielding pattern 125GT located between the TFTs 114 adjacent to each other is provided. It is possible to effectively block light and more effectively block light incident on the semiconductor layer 114c, or to manufacture with a high manufacturing yield during the patterning process when forming each color material pattern 124R to 124B. It is possible to obtain the same effect as that obtained by the liquid crystal display device of the first embodiment or the second embodiment, such that the increase in manufacturing cost can be suppressed.

また、本実施の形態３の液晶表示装置では、ゲート側遮光パターン１２５ＧＴの表面を覆い設けられるゲート延在色材パターン１２４Ｂｇも含めて、各色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂを構成する色材パターンについて互いに重なることなく設けられることから、ＣＦ基板１２０の表面において、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂの部分的な重なりや積層などによって生ずる比較的大きい段差が形成されることがなく、平坦性が高くなる点においては、実施の形態２の液晶表示装置と同様である。その結果、実施の形態２と同様に、製造時におけるＣＦ基板１２０側の配向膜１２２を形成する際に行われるラビング処理などの配向処理が、段差を起因とする引き摺りムラなどを生ずることなく比較的均一に行えることから、当該配向ムラを起因とする表示ムラを抑制することができる。 Further, in the liquid crystal display device of the third embodiment, the color material patterns constituting the color material patterns 124R to 124B overlap with each other, including the gate extending color material pattern 124Bg provided to cover the surface of the gate side light-shielding pattern 125GT. Since it is provided without any problem, relatively large steps caused by partial overlap or lamination of the color material patterns 124R to 124B are not formed on the surface of the CF substrate 120, and the flatness is improved. , The same as the liquid crystal display device of the second embodiment. As a result, as in the second embodiment, the alignment treatment such as the rubbing treatment performed when forming the alignment film 122 on the CF substrate 120 side at the time of manufacturing is compared without causing dragging unevenness due to the step. Since it can be performed uniformly, it is possible to suppress display unevenness caused by the alignment unevenness.

更に、本実施の形態３の液晶表示装置では、色材パターン１２４Ｂを構成し、ソース配線１１８の延在方向に沿って設けられるソース延在色材パターン１２４Ｂｓが、孤立パターンよりなることから、色材パターン１２４Ｒおよび色材パターン１２４Ｇを構成するソース配線１１８の延在方向に沿って配列される各孤立パターンと、色材パターン１２４Ｂのソース延在色材パターン１２４Ｂｓを構成するソース配線１１８の延在方向に沿って配列される各孤立パターンとが同様の平面配置を有していることになる。つまり、ＣＦ基板１２０の表示領域１００の全域において、色材パターン１２４Ｒ～１２４Ｂでの各色材パターン間で色の違い（透過色の違い）があるものの、表面凹凸形状が決まるパターン配置に関しては、３画素単位での繰り返しパターン配置ではなく、１画素単位（或いは、３色が繰り返す色列単位）での繰り返しパターン配置となる。従って、ＣＦ基板１２０の表示領域１００の全域に渡って、色列ごとでの配向処理に違いが生じず、配向処理を均一化することができ、より高いレベルで配向ムラを起因とする表示ムラを抑制することができる。その結果、表示領域１００内における表示に統一感が得られることになる。 Further, in the liquid crystal display device of the third embodiment, the color material pattern 124B is configured, and the source extending color material pattern 124Bs provided along the extending direction of the source wiring 118 is composed of an isolated pattern. Each isolated pattern arranged along the extending direction of the source wiring 118 constituting the material pattern 124R and the coloring material pattern 124G, and the extending of the source wiring 118 constituting the source extending color material pattern 124Bs of the coloring material pattern 124B. Each isolated pattern arranged along the direction will have a similar planar arrangement. That is, although there is a color difference (difference in transmitted color) between the color material patterns 124R to 124B in the entire display area 100 of the CF substrate 120, the pattern arrangement in which the surface uneven shape is determined is 3. It is not a repeating pattern arrangement in a pixel unit, but a repeating pattern arrangement in a pixel unit (or a color string unit in which three colors are repeated). Therefore, there is no difference in the alignment process for each color sequence over the entire display area 100 of the CF substrate 120, the alignment process can be made uniform, and the display unevenness caused by the alignment unevenness at a higher level can be achieved. Can be suppressed. As a result, a sense of unity can be obtained in the display in the display area 100.

以上説明を行なった実施の形態１～実施の形態３およびその変形例或いは変形を示唆した構成を有した液晶表示装置は、特に、自動車などの乗り物のフロントガラスに液晶パネルを介した映像を投影するヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置に組み合わせることが望ましい。つまり、当該ヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置では、高輝度タイプのバックライトユニットが用いられることから、本願発明のＴＦＴへ光が入射されることを効果的に抑えた構成が好適に機能し、ヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置において、より顕著となるＴＦＴへ光が入射されることに伴う、表示品位の低下を改善することが可能となる。 The liquid crystal display device having the above-described embodiments 1 to 3 and a modified example thereof or a configuration suggesting the deformation projects an image through a liquid crystal panel on the windshield of a vehicle such as an automobile. It is desirable to combine it with a head-up display type liquid crystal display device. That is, since a high-brightness type backlight unit is used in the head-up display type liquid crystal display device, a configuration that effectively suppresses light from being incident on the TFT of the present invention functions suitably. In a head-up display type liquid crystal display device, it is possible to improve the deterioration of display quality due to light incident on the TFT, which becomes more prominent.

なお、本発明は上記説明を行った実施の形態１～実施の形態３およびその変形例或いは変形を示唆した構成に限られたものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、一部構成について適宜公知の構成に変更することが可能である。また、上記説明を行った実施の形態１～実施の形態３およびその変形例或いは変形を示唆したそれぞれの構成は、矛盾を生じない範囲で互いに組み合わせて適用することができ、それぞれの構成により生ずるそれぞれの効果や複合効果を得ることができる。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments 1 to 3 and modifications thereof or configurations suggesting modifications thereof, and is partially configured to the extent that the gist of the present invention is not deviated. It is possible to change to a known configuration as appropriate. Further, the above-described embodiments 1 to 3 and modifications thereof or configurations suggesting modifications thereof can be applied in combination with each other within a range that does not cause a contradiction, and are generated by the respective configurations. Each effect or combined effect can be obtained.

１０ 液晶パネル、１００ 表示領域、１０１ 額縁領域、
１１０ アレイ基板、１２０ ＣＦ基板、
１１１，１２１ ガラス基板、１１２，１２２ 配向膜、
１１３ 画素電極、１１４ ＴＦＴ、１１４ｃ 半導体層、
１１４ｏｘ ＴＦＴ(酸化物半導体ＴＦＴ)、１１４ｃｏｘ 酸化物半導体層、
１１４ｓ ソース電極、１１４ｄ ドレイン電極、１１４ｇ ゲート電極、
１１５ 絶縁膜、１１６ 端子、１１７ ゲート配線、１１８ ソース配線、
１１９ 共通配線、１１９ｂ 共通配線枝部、１２３ 共通電極、
１２４Ｒ, １２４Ｇ, １２４Ｂ 色材パターン、
１２４Ｂｇ，１２４Ｇｇ，１２４Ｒｇ ゲート延在色材パターン、
１２４Ｂｓ，１２４Ｇｓ ソース延在色材パターン、
１２５ ブラックマトリクス（ＢＭ）、１２５ＧＴ ゲート側遮光パターン、
１３０ 液晶層、１３１、１３２ 偏光板、１３３ シールパターン、
１３４ｍ，１３４ｓ，１３４ｓｓ 柱状スペーサ、
１３５ 制御基板、１３６ ＦＦＣ。 10 LCD panel, 100 display area, 101 picture frame area,
110 array board, 120 CF board,
111,121 glass substrate, 112,122 alignment film,
113 pixel electrode, 114 TFT, 114c semiconductor layer,
114ox TFT (Oxide Semiconductor TFT), 114cox Oxide Semiconductor Layer,
114s source electrode, 114d drain electrode, 114g gate electrode,
115 insulating film, 116 terminals, 117 gate wiring, 118 source wiring,
119 common wiring, 119b common wiring branch, 123 common electrode,
124R, 124G, 124B color material pattern,
124Bg, 124Gg, 124Rg Gate extending color material pattern,
124Bs, 124Gs Source Extended Color Material Pattern,
125 Black Matrix (BM), 125GT Gate side shading pattern,
130 liquid crystal layer, 131, 132 polarizing plate, 133 seal pattern,
134m, 134s, 134ss columnar spacer,
135 Control board, 136 FFC.

Claims (5)

画像を表示する表示領域を備え、前記表示領域内において互いに交差して設けられるゲート配線およびソース配線、当該ゲート配線上に重なって配置される半導体層を能動層とする薄膜トランジスタ、並びに前記薄膜トランジスタに接続される画素電極がそれぞれ複数配列して設けられるアレイ基板と、前記アレイ基板と液晶層を介して対向配置され、前記複数配列して設けられる画素電極間の領域に重なる遮光パターンよりなるブラックマトリクスおよび３色の色材パターンからなるカラーフィルタを備えたカラーフィルタ基板とを備え、
前記ブラックマトリクスは、前記ゲート配線の形成領域に重なるゲート側遮光パターンを備え、前記３色の色材パターンは、当該３色のうち１色よりなる特定色の色材パターンにおいて、前記ゲート側遮光パターンの表面を覆って延在して設けられる連続パターンよりなるゲート延在色材パターンを備えることを特徴とする液晶表示装置において、
前記３色の色材パターンのうち、前記特定色の色材パターンのみが、前記ゲート延在色材パターンを備え、
前記特定色以外の２色の前記色材パターンは、それぞれ、少なくとも前記画素電極と重なって設けられるとともに、前記ゲート延在色材パターンと重なることなく、前記ゲート側遮光パターン上において互いに分離し、更に、前記ソース配線の延在方向に沿って配列して設けられる複数の孤立パターンよりなるソース延在色材パターンを備え、
前記特定色の色材パターンは、前記ゲート延在色材パターンに加えて、少なくとも前記画素電極と重なって設けられるとともに、前記２色の色材パターンと重なることなく、前記ソース配線の延在方向に沿って設けられるソース延在色材パターンを備え、
前記特定色の色材パターンにおける前記ソース延在色材パターンは、前記ゲート延在色材パターンと重なることなく、前記ゲート側遮光パターン上において互いに分離し、更に、前記ソース配線の延在方向に沿って配列して設けられる複数の孤立パターンよりなることを特徴とする液晶表示装置。 A display area for displaying an image, gate wiring and source wiring provided so as to intersect each other in the display area, a thin film transistor having a semiconductor layer overlapped on the gate wiring as an active layer, and a thin film transistor connected to the thin film transistor. A black matrix consisting of an array substrate in which a plurality of pixel electrodes to be arranged are arranged and a light-shielding pattern arranged so as to face each other via the array substrate and a liquid crystal layer and overlapping in a region between the pixel electrodes provided in the plurality of arrangements. It is equipped with a color filter substrate equipped with a color filter composed of three color material patterns.
The black matrix is provided with a gate-side light-shielding pattern that overlaps the formation region of the gate wiring, and the three-color color material pattern is a specific color material pattern consisting of one of the three colors, and the gate-side light-shielding pattern is provided. A liquid crystal display device comprising a gate extending color material pattern composed of a continuous pattern extending over the surface of the pattern .
Of the three color material patterns, only the color material pattern of the specific color includes the gate extending color material pattern.
The color material patterns of two colors other than the specific color are provided so as to overlap with at least the pixel electrodes and are separated from each other on the gate-side light-shielding pattern without overlapping with the gate extending color material pattern. Further, the source extending color material pattern including a plurality of isolated patterns provided arranged along the extending direction of the source wiring is provided.
In addition to the gate extending color material pattern, the color material pattern of the specific color is provided so as to overlap with at least the pixel electrode, and does not overlap with the color material pattern of the two colors, and the extension direction of the source wiring. Equipped with a source extending color material pattern provided along
The source extending color material pattern in the specific color color material pattern is separated from each other on the gate side light-shielding pattern without overlapping with the gate extending color material pattern, and further, in the extending direction of the source wiring. A liquid crystal display device characterized by being composed of a plurality of isolated patterns arranged along the line . 前記半導体層は、非単結晶シリコン膜よりなり、前記特定色が青色であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the semiconductor layer is made of a non-single crystal silicon film, and the specific color is blue. 前記半導体層は、酸化物半導体膜よりなり、前記特定色が緑色および赤色の何れか一方であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the semiconductor layer is made of an oxide semiconductor film, and the specific color is either green or red. 前記薄膜トランジスタは、前記半導体層の上部に互いに対向配置される１対の遮光パターンからなるソース電極およびドレイン電極を備え、前記ソース電極および前記ドレイン電極間に設けられる隙間の延在方向と前記ゲート配線の延在方向が一致することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の液晶表示装置。 The thin film transistor includes a source electrode and a drain electrode having a pair of light-shielding patterns arranged opposite to each other on the upper part of the semiconductor layer, and has an extending direction of a gap provided between the source electrode and the drain electrode and the gate wiring. The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 3 , wherein the extending directions of the above are the same. ２００００ｃｄ／ｍ２以上の最大輝度を有する高輝度タイプのバックライトユニットを備え、前記アレイ基板と、前記液晶層と、前記カラーフィルタ基板を備えた液晶パネルを介して、乗り物のフロントガラスに映像を投影するヘッドアップディスプレイタイプの液晶表示装置であることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載の液晶表示装置。 A high-brightness type backlight unit having a maximum brightness of 20000 cd / m 2 or more is provided, and an image is displayed on the front glass of a vehicle via a liquid crystal panel provided with the array substrate, the liquid crystal layer, and the color filter substrate. The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the liquid crystal display device is a head-up display type liquid crystal display device for projecting.
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