JP7005170B2 - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
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Description
本発明のエポキシ樹脂組成物によれば、非常に良好な耐熱性、低い線膨張係数、及び高い耐湿信頼性(耐水性)を有する硬化物を提供することができる。この硬化物は、従来の液状フェノール樹脂を使用した液状エポキシ樹脂組成物及び硬化物では対応できなかった極めて厳しい環境下でも好適に用いることが可能なので、産業上の利用可能性が極めて高い。
本発明のエポキシ樹脂組成物に含まれるフェノール樹脂は、分子構造中に少なくとも一つの不飽和二重結合を含む官能基を有している。この官能基は、フェノール樹脂の主鎖に結合しているものであってもよく、あるいはフェノール樹脂のベンゼン環に結合しているものであってもよい。特に官能基は、フェノール性水酸基を有するベンゼン環に結合していることが、フェノール樹脂自体の低粘性及びエポキシ樹脂組成物としたときの低粘性の点から好ましい。
本発明で使用されるエポキシ樹脂は、分子中に二つ以上のグリシジルエーテル基を有するものである。エポキシ樹脂の種類に特に制限はなく、当該技術分野において公知のエポキシ樹脂が使用できる。エポキシ樹脂は、本発明のエポキシ樹脂組成物から得られる硬化体の具体的な用途に応じて適切なものを選択すればよい。具体的には、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキルノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、及びビスフェノールF型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂や、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びハロゲン化エポキシ樹脂等の1分子中にエポキシ基を2個以上有するエポキシ樹脂が挙げられる。これらエポキシ樹脂は一種を単独で使用してもよく、二種以上を組み合わせて使用してもよい。例えば液状封止材やアンダーフィル材の用途においては、エポキシ樹脂は常温(25℃)で液状であることが好ましく、特に常温(25℃)で液状であるビスフェノールA型エポキシ樹脂及びビスフェノールF型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
本発明で使用されるスルホニウム塩化合物は、特定の構造を有するスルホニウムイオン(カチオン)とテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ素イオン((C6F5)4B-)(アニオン)とからなる塩であり、先に述べた式(1)で表される。このスルホニウム塩化合物は、本発明のエポキシ樹脂組成物において触媒として作用し、エポキシ樹脂を硬化させるために用いられる。このスルホニウム塩化合物を用いることで、得られる硬化物においては、該硬化物に含まれるアリル基等の不飽和二重結合を含む官能基及び水酸基の量が減少し、そのことに起因して該硬化物の耐熱性が高くなり、線膨張性が低くなり、かつ耐湿信頼性(低吸水性)が向上する。推論ではあるが、本発明者はこの理由を以下のとおりに考えている。エポキシ樹脂の硬化によって生成した2級水酸基が、スルホニウム塩化合物の触媒作用によって、アリル基等の不飽和二重結合を含む官能基と反応して不飽和二重結合が開裂するとともに、水酸基が消失する。不飽和二重結合が開裂することは、架橋構造が形成されることと自由体積の大きな基が消失することを意味するので、硬化物の耐熱性が高くなり、また線膨張係数が小さくなる。水酸基が消失することは、硬化物の耐湿信頼性(耐水性)の向上に寄与する。
なお、エポキシ樹脂組成物の硬化性は、例えば硬化に伴う発熱の開始温度や発熱のピーク温度を尺度に評価することができる。通常は低い温度で硬化させることが可能となることから、発熱の開始温度や発熱のピーク温度は低い方が好ましい。発熱の開始温度については、200℃以下であることが好ましく、170℃以下であることが更に好ましい。発熱のピーク温度に関しては、220℃以下であることが好ましく、210℃以下であることが更に好ましい。また、エポキシ樹脂組成物の取扱性の容易さや保存安定性等の観点から、発熱の開始温度に関しては50℃以上が好ましく、60℃以上がより好ましく、100℃以上が更に好ましい。同様の観点から、発熱のピーク温度に関しては、95℃以上が好ましく、100℃以上がより好ましく、140℃以上が更に好ましい。発熱の開始温度及びピーク温度の測定方法の詳細は、後述する実施例において説明する。
(a)半導体素子と回路基板との隙間に本発明のエポキシ樹脂組成物からなるアンダーフィル材を流し込んで硬化させる方法。
(b)半導体素子と回路基板との隙間及び半導体素子の周囲に本発明のエポキシ樹脂組成物からなる封止材を流し込んで硬化させる方法。
このように、前記の半導体装置は、半導体素子と回路基板との隙間にアンダーフィル材を流し込む工程と、アンダーフィル材を硬化させる工程とを含む方法によって好適に製造することができる。あるいは前記の半導体装置は、半導体素子と回路基板との隙間及び半導体素子の周囲に封止材を流し込む工程と、封止材を硬化させる工程とを含む方法によって好適に製造することができる。
エポキシ樹脂硬化物のIR分析は、パーキンエルマー社製のフーリエ変換赤外分光計 FT-IR分析装置 Spectrumを用いて行った。
(2)熱機械分析(TMA)によるガラス転移点(Tg):熱機械分析装置(日立製作所製 TMA-7100)を用い、窒素雰囲気下に、昇温速度5℃/minの条件で測定した。
(3)線膨張係数(α1、α2):熱機械分析装置(日立製作所製 TMA-7100)を用い、窒素雰囲気下に、昇温速度5℃/minの条件で測定した。
(4)示差走査熱量測定(DSC)によるガラス転移点(Tg): 示差走査熱量測定装置(TAインスツルメンツ製 Q2000)を用い、窒素雰囲気下に、昇温速度10℃/minの条件で測定した。
(5)吸水率:硬化物を95℃×24hrの条件で煮沸し、煮沸前後の質量増加測定により吸水率を測定した。吸水率(%)=〔煮沸後の質量-煮沸前の質量〕/煮沸後の質量×100
エポキシ樹脂として、液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学株式会社製 828EL エポキシ当量:186g/eq)を100.00部用いた。フェノール樹脂として、液状アリルフェノール樹脂(明和化成株式会社製 MEH-8000H 水酸基当量:144g/eq)を78.14部用いた。エポキシ樹脂及びフェノール樹脂は25℃において液状のものであった。これらを50℃で撹拌し、均一に混合した。次いで硬化促進剤として、ベンジル(4-ヒドロキシフェニル)(メチル)スルホニウム=テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(三新化学株式会社製 SI-B3、x=水酸基、y=ベンジル基、z=メチル基)1.08部を加え、均一に混合した。このようにしてエポキシ樹脂組成物を得た。
実施例1において、硬化促進剤を4-アセトキシフェニル(ジメチル)スルホニウム=テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(三新化学株式会社製 SI-B5、x=アセトキシ基、y=z=メチル基)1.00部に変更した。これ以外は実施例1の操作と同様にし、エポキシ樹脂硬化物を得た。得られたエポキシ樹脂硬化物について、実施例1と同様の測定をした。それらの結果を以下の表1及び図2に示す。
実施例1において、硬化促進剤を(4-アセトキシフェニル)メチル(2-メチルベンジル)スルホニウム=テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(三新化学株式会社製 SI-B2A、x=アセトキシ基、y=2-メチルベンジル基、z=メチル基)1.04部に変更し、硬化時間を180℃×2hrの1段階の条件で硬化を行った以外は実施例1の操作と同様にし、本発明のエポキシ樹脂硬化物を得た。得られたエポキシ樹脂硬化物について、FT-IR分析及びDSCによるガラス転移点の測定を実施例1と同様に行った。それらの結果を以下の表1及び図3に示す。
実施例1において、硬化促進剤を(4-アセトキシフェニル)ベンジル(メチル)スルホニウム=テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(三新化学株式会社製 SI-B3A、x=アセトキシ基、y=ベンジル基、z=メチル基)1.02部に変更し、硬化時間を180℃×2hrの1段階の条件で硬化を行った以外は実施例1の操作と同様にし、本発明のエポキシ樹脂硬化物を得た。得られたエポキシ樹脂硬化物について、FT-IR分析及びDSCによるガラス転移点の測定を実施例1と同様に行った。それらの結果を以下の表1及び図4に示す。
実施例1において、ポットライフ安定剤(三新化学株式会社製 SI助剤(SI-S))を0.03部追加した。それ以外は実施例1の操作と同様にし、エポキシ樹脂硬化物を得た。得られたエポキシ樹脂硬化物について、TMA及びDSCによるガラス転移点、線膨張係数、及び吸水率を実施例1と同様に測定した。それらの結果を以下の表1に示す。
実施例1において、硬化促進剤を2-エチルー4-イミダゾール(四国化成株式会社製2E4MZ)0.25部に変更した。これ以外は実施例1の操作と同様にし、エポキシ樹脂硬化物を得た。得られたエポキシ樹脂硬化物について、実施例1と同様の測定をした。それらの結果を以下の表1及び図5に示す。
実施例1において、硬化促進剤を(4-ヒドロキシフェニル)(メチル)スルホニウム=ヘキサフルオロホスファート(三新化学株式会社製 SI-110、x=水酸基、y=ベンジル基、z=メチル基)0.40部に変更した。これ以外は実施例1の操作と同様にし、エポキシ樹脂組成物を得た。
そこで、硬化条件を、150℃×5hr、200℃×8hrの2段階に変更したところ、目的のエポキシ樹脂硬化物を得られた。
得られたエポキシ樹脂硬化物について、FT-IR分析を行った。結果を以下の図6に示す。
Claims (6)
- 分子構造中に少なくとも一つの不飽和二重結合を含む官能基を有するフェノール樹脂と、分子中に二つ以上のグリシジルエーテル基を有するエポキシ樹脂と、下記一般式(1)で表されるスルホニウム塩化合物と、からなり、
前記フェノール樹脂に含まれる水酸基と前記エポキシ樹脂に含まれるグリシジルエーテル基とのモル比〔フェノール樹脂に含まれる水酸基のモル数/エポキシ樹脂に含まれるグリシジルエーテル基のモル数〕が、0.8以上1.6以下であり、
前記スルホニウム塩化合物の配合量が、前記エポキシ樹脂100質量部に対して、0.01質量部以上10質量部以下である、エポキシ樹脂組成物。
式中、Xは水酸基又はアセトキシ基であり、Y及びZはそれぞれ独立にメチル基又はベンジル基を示す。 - 前記フェノール樹脂が、25℃において液状であり、
前記エポキシ樹脂が、25℃において液状である、請求項1又は2に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物を含むアンダーフィル材又は液状封止材。
- 請求項1ないし3のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物。
- 請求項5に記載の硬化物を含む半導体装置。
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