JP7001154B2 - 伝送線路及びその実装構造 - Google Patents
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Description
外部にそれぞれ接続される複数の接続部と、当該接続部同士の間に位置する本体部と、で構成される。前記接続部は、外部の電極に接続される端子電極と、信号導体と、グランド導体と、を有し、前記本体部は信号導体とグランド導体とを有し、前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、端子電極を含む第1領域と、信号伝搬経路に沿って第1領域に隣接する第2領域と、当該第2領域と本体部との間に位置する第3領域とで構成される。そして、第1領域は、本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、第2領域は、前記本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、前記端子電極と前記グランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きく、第3領域は、本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、信号導体に生じるインダクタンス成分が大きい。
図1(A)は第1の実施形態に係る伝送線路101の斜視図であり、図1(B)は伝送線路101の断面図である。
第2の実施形態では伝送線路の実装構造の例を示す。
第3の実施形態では、コネクタ付き伝送線路及びその実装構造の例について示す。
第4の実施形態では、第1の実施形態で示した伝送線路とは第3領域の構造が異なる伝送線路について示す。
A2…第2領域
A3…第3領域
A11,A12…領域
AP…開口
B1…開口
BA…本体部
P0…基準点
S1~S4…絶縁基材
TA…接続部
V…層間接続導体
3…カバーフィルム
4…同軸コネクタ
10…信号導体
10E…信号導体の端部
10M…信号導体のインダクタ部
11…端子電極
21,22…グランド導体
23…補助グランド導体
24,25…電極
40…信号導体
41…中心導体
42…外導体
51…基板側グランド導体
61…基板側接続電極
101,103,104…伝送線路
201…基板
202a,202b…回路基板
206…バッテリーパック
210…筐体
301…電子機器
302…携帯電子機器
Claims (10)
- 外部にそれぞれ接続される複数の接続部と、当該接続部同士の間に位置する本体部と、で構成される伝送線路であって、
前記接続部は、外部の電極に接続される端子電極と、信号導体と、グランド導体と、を有し、
前記本体部は信号導体とグランド導体とを有し、
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記端子電極を含む第1領域と、信号伝搬経路に沿って前記第1領域に隣接する第2領域と、当該第2領域と前記本体部との間に位置する第3領域とで構成され、
前記第1領域は、前記本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、前記信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、
前記第2領域は、前記本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、前記端子電極と前記グランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きく、
前記第3領域は、前記本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、前記信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、
前記第1領域は、前記端子電極と前記信号導体とを接続する層間接続導体を含み、前記第2領域は、前記層間接続導体を含まず、補助グランド導体を有し、
前記補助グランド導体は、前記層間接続導体と重ならず、
前記第2領域の前記信号導体と前記補助グランド導体との間隔は、前記本体部の前記信号導体と前記グランド導体との間隔よりも小さい、
伝送線路。 - 外部にそれぞれ接続される複数の接続部と、当該接続部同士の間に位置する本体部と、で構成される伝送線路であって、
前記接続部は、外部の電極に接続される端子電極と、信号導体と、グランド導体と、を有し、
前記本体部は信号導体とグランド導体とを有し、
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記端子電極を含む第1領域と、信号伝搬経路に沿って前記第1領域に隣接する第2領域と、当該第2領域と前記本体部との間に位置する第3領域とで構成され、
前記第1領域は、前記本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、前記信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、
前記第2領域は、前記本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、前記端子電極と前記グランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きく、
前記第3領域は、前記本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、前記信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、
前記第3領域の前記信号導体の線幅は前記本体部の前記信号導体の線幅よりも細く、前記第3領域の前記信号導体はミアンダライン状である、
伝送線路。 - 外部にそれぞれ接続される複数の接続部と、当該接続部同士の間に位置する本体部と、で構成される伝送線路であって、
前記接続部は、外部の電極に接続される端子電極と、信号導体と、グランド導体と、を有し、
前記本体部は信号導体とグランド導体とを有し、
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記端子電極を含む第1領域と、信号伝搬経路に沿って前記第1領域に隣接する第2領域と、当該第2領域と前記本体部との間に位置する第3領域とで構成され、
前記第1領域は、前記本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、前記信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、
前記第2領域は、前記本体部に生じるキャパシタンス成分に比べて、前記端子電極と前記グランド導体との間に生じるキャパシタンス成分が大きく、
前記第3領域は、前記本体部に生じるインダクタンス成分に比べて、前記信号導体に生じるインダクタンス成分が大きく、
前記グランド導体は、前記第2領域の前記信号導体とは重なり、前記第3領域の前記信号導体に対向する位置には開口が形成されている、
伝送線路。 - 前記複数の接続部の全てが、前記第1領域、前記第2領域及び前記第3領域で構成される、
請求項1から3のいずれかに記載の伝送線路。 - 前記接続部及び前記本体部は、多層基板を構成する絶縁基材及び導体パターンで構成される、
請求項1から4のいずれかに記載の伝送線路。 - 補助グランド導体を有し、前記第2領域の前記信号導体と前記補助グランド導体との間隔は、前記本体部の前記信号導体と前記グランド導体との間隔よりも小さい、
請求項2又は3に記載の伝送線路。 - 前記第3領域の前記信号導体の線幅は前記本体部の前記信号導体の線幅よりも細い、
請求項1又は3に記載の伝送線路。 - 前記グランド導体の、前記第3領域の前記信号導体に対向する位置に開口が形成されている、
請求項1又は2に記載の伝送線路。 - 前記端子電極及び前記グランド導体にそれぞれ導通し、前記外部の電極に接続されるコネクタを備える、
請求項1から8のいずれかに記載の伝送線路。 - 請求項1から9のいずれかに記載の伝送線路と、当該伝送線路が実装される回路基板とを備え、
前記伝送線路の前記端子電極は、前記回路基板の表面に形成されている電極に接続されている、
伝送線路の実装構造。
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