JP6988460B2 - 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター - Google Patents

発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター Download PDF

Info

Publication number
JP6988460B2
JP6988460B2 JP2017248943A JP2017248943A JP6988460B2 JP 6988460 B2 JP6988460 B2 JP 6988460B2 JP 2017248943 A JP2017248943 A JP 2017248943A JP 2017248943 A JP2017248943 A JP 2017248943A JP 6988460 B2 JP6988460 B2 JP 6988460B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
substrate
emitting device
conductive member
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017248943A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019114739A (ja
JP2019114739A5 (ja
Inventor
浩康 加▲瀬▼谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2017248943A priority Critical patent/JP6988460B2/ja
Priority to US16/228,871 priority patent/US11081519B2/en
Priority to EP18215349.4A priority patent/EP3506354B1/en
Priority to CN201811588200.8A priority patent/CN110034222B/zh
Publication of JP2019114739A publication Critical patent/JP2019114739A/ja
Publication of JP2019114739A5 publication Critical patent/JP2019114739A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6988460B2 publication Critical patent/JP6988460B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/20—Lamp housings
    • G03B21/2006—Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2033—LED or laser light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクターに関する。
半導体レーザーや発光ダイオードなどの発光素子として、ナノ構造体（ナノコラム）を適用した発光素子が注目されている。ナノ構造体を適用した発光素子では、発光素子を構成する半導体層に発生する転位や欠陥を低減することができ、高い品質の結晶を得ることができる。したがって、ナノ構造体を適用した発光素子では、優れた発光特性を有することができる。
発光素子の実装方法としてジャンクションダウン実装が知られている。発光素子をジャンクションダウン実装することで、発光素子で発生した熱を効率よく放熱できる。
例えば特許文献１では、ナノコラムを有する発光素子をセラミックパッケージにフリップチップ実装する手法が開示されている。具体的には、複数のナノコラム上にｐ型電極層（透明導電膜）を形成し、ｐ型電極層をセラミックパッケージに設けられたｐ型配線にＡｕバンプで接合する。このように、特許文献１では、ナノコラムを有する発光素子がセラミックパッケージにジャンクションダウン実装されている。
特開２００９−９９７８号公報
ここで、ナノ構造体を適用した発光素子では、ナノ構造体の径や周期を変えることで、波長の制御が可能である。そのため、１つの基板上に形成された複数のナノ構造体から異なる波長の光を出射することができ、１つの基板で多色発光する発光素子を実現できる。
しかしながら、このような発光素子では、同一基板上に形成されたナノ構造体の径や周期を変えることで、ナノ構造体の高さが異なってしまう場合がある。そのため、このような発光素子を実装基板にジャンクションダウン実装する場合、高さの低いナノ構造体と実装基板との間の隙間が、高さの高いナノ構造体と実装基板との間の隙間よりも大きくなる。これにより、高さの低いナノ構造体と実装基板との間において接触不良が起こる可能性が高くなってしまう。
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、発光素子と実装基板との間の接続安定性を高めることができる発光装置を提供することにある。あるいは、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、発光素子と実装基板との間の接続安定性を高めることができる発光装置の製造方法を提供することにある。あるいは、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置を含むプロジェクターを提供することにある。
本発明に係る発光装置は、
第１基体、および前記第１基体に設けられた積層体を含む発光素子と、
前記発光素子が設けられている第２基体と、
を含み、
前記積層体は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
を含み、
前記積層体は、
第１の高さを有する第１柱状部と、
前記第１の高さよりも小さい第２の高さを有する第２柱状部と、
を含み、
前記積層体と前記第２基体との間において、第１導電部材を介して、前記第１柱状部と前記第２基体とが電気的に接続され、
前記積層体と前記第２基体との間において、第２導電部材を介して、前記第２柱状部と前記第２基体とが電気的に接続され、
前記第１導電部材は、第３の高さを有し、
前記第２導電部材は、前記第３の高さよりも大きい第４の高さを有している。
このような発光装置では、第２導電部材の高さが第１導電部材の高さよりも大きいため、第２柱状部と第２基体との間において接触不良が起こる可能性を低減できる。したがって、このような発光装置では、発光素子と第２基体（実装基板）との間の接続安定性を高めることができる。
なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ａ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｂ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ部材とＢ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ａ部材とＢ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。
本発明に係る発光装置において、
前記第１柱状部および前記第２柱状部は、前記第１半導体層、前記第２半導体層、および前記発光層を含んでいてもよい。
このような発光装置では、結晶欠陥や転位が低減された第１半導体層、第２半導体層、および発光層を得ることができ、高効率な発光装置を実現できる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１基体と前記第２基体との間には、第１絶縁層が設けられ、
前記第１絶縁層に設けられた第１開口部に、前記第１導電部材が設けられ、
前記第１絶縁層に設けられた第２開口部に、前記第２導電部材が設けられていてもよい。
このような発光装置では、第１導電部材と第２導電部材が電気的に短絡する可能性を低減できる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１柱状部と前記第２柱状部との間には、第２絶縁層が設けられていてもよい。
このような発光装置では、第２絶縁層によって、第１柱状部の発光層で発生した光の拡散および第２柱状部の発光層で発生した光の拡散を低減できる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１柱状部において前記発光層が発する光の波長と前記第２柱状部において前記発光層が発する光の波長とは、異なってもよい。
このような発光装置では、１つの基板（第１基体）で多色発光が可能である。
本発明に係る発光装置の製造方法は、
第１の高さを有する第１柱状部と、前記第１の高さよりも小さい第２の高さを有する第２柱状部と、を含む積層体を第１基体に形成して発光素子を形成する工程と、
前記第１柱状部上に第３の高さを有する第１導電部材を形成し、前記第２柱状部上に前記第３の高さよりも大きい第４の高さを有する第２導電部材を形成する工程と、
第２基体に前記発光素子を実装する工程と、
を含み、
前記積層体は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
を含み、
前記第２基体に前記発光素子を実装する工程では、
前記積層体と前記第２基体との間において第１導電部材を介して前記第１柱状部と前記第２基体とを電気的に接続し、前記積層体と前記第２基体との間において第２導電部材を介して前記第２柱状部と前記第２基体とを電気的に接続する。
このような発光装置の製造方法では、第２導電部材の高さが第１導電部材の高さよりも大きく形成されるため、第２柱状部と第２基体との間において接触不良が起こる可能性を低減できる。したがって、このような発光装置の製造方法では、発光素子と第２基体との間の接続安定性が高い発光装置を製造できる。
なお、本発明に係る記載では、「上」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ｃ」という）上に他の特定のもの（以下、「Ｄ」という）を形成する」などと用いる場合に、Ｃ上に直接Ｄを形成するような場合と、Ｃ上に他のものを介してＤを形成するような場合と、が含まれるものとして「上」という文言を用いている。
本発明に係るプロジェクターは、本発明に係る発光装置を含む。
このようなプロジェクターでは、本発明に係る発光装置を含むことができる。
第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャート 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例を示すフローチャート。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャート。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例を示すフローチャート。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第３実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャート。 第３実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第４実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１． 第１実施形態
１．１． 発光装置
まず、第１実施形態に係る発光装置について図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す断面図である。
発光装置１００は、図１に示すように、発光素子１０と、発光素子１０が設けられている第２基体２０と、を含む。発光装置１００では、発光素子１０は第２基体２０（実装基板）にジャンクションダウン実装されている。
発光素子１０は、図１に示すように、第１基体１１０と、積層体１２０と、第１電極１３０と、第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃと、を含む。
第１基体１１０は、例えば、板状の形状を有している。第１基体１１０は、例えば、サファイア基板である。第１基体１１０は、発光層１２６で発生した光Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃに対して透明である。そのため、発光層１２６で発生した光Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃは、第１基体１１０を透過して外部に出射される。すなわち、発光装置１００は、第１基体１１０側から光Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃを出射する。なお、第１基体１１０は、サファイア基板に限定されず、その他のセラミックス基板やガラス基板などを用いることができる。
積層体１２０は、第１基体１１０に設けられている。積層体１２０は、第１基体１１０と第２基体２０との間に位置している。
積層体１２０は、第１基体１１０の主面１１２に積層された複数の層で構成されている。積層体１２０は、バッファー層１２１と、マスク層１２２と、第１半導体層１２４と、発光層１２６と、第２半導体層１２８と、を含む。積層体１２０の積層方向（以下単に「積層方向」ともいう）は、第１基体１１０の主面１１２に垂直である。
バッファー層１２１は、第１基体１１０の主面１１２に設けられている。バッファー層１２１は、マスク層１２２と第１基体１１０との間、および第１半導体層１２４と第１基体１１０との間に設けられている。バッファー層１２１は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）の窒化ガリウム（ＧａＮ）層である。なお、本実施形態において、バッファー層１２１は、アンドープのＧａＮ層と第１導電型（例えばｎ型）のＧａＮ層とが、基板側からこの順で積層された２層構造であってもよい。
マスク層１２２は、バッファー層１２１に設けられている。マスク層１２２は、第２絶
縁層６とバッファー層１２１との間、および絶縁層１２９とバッファー層１２１との間に設けられている。マスク層１２２は、例えば、チタン層、酸化チタン層、酸化シリコン層などである。マスク層１２２は、バッファー層１２１に、第１半導体層１２４、発光層１２６、第２半導体層１２８を選択的に成長させて柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃを形成するためのマスクとなる層である。
第１半導体層１２４は、バッファー層１２１に設けられている。第１半導体層１２４は、バッファー層１２１と発光層１２６との間に設けられている。第１半導体層１２４は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＮ層である。第１半導体層１２４は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。
発光層１２６は、第１半導体層１２４と第２半導体層１２８との間に設けられている。発光層１２６は、例えば、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）を含む。発光層１２６は、例えば、ＧａＮ層とＩｎＧａＮ層とから構成された量子井戸構造を有している。発光層１２６を構成するＧａＮ層およびＩｎＧａＮ層の数は、特に限定されない。発光層１２６は、電流が注入されることで光を発することが可能な層である。
第２半導体層１２８は、発光層１２６と第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃとの間に設けられている。第２半導体層１２８は、第１半導体層１２４と導電型の異なる層である。第２半導体層１２８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＮ層である。第２半導体層１２８は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＮ層である。半導体層１２４，１２８は、発光層１２６付近の光の強度を高める（発光層１２６から光が漏れることを抑制する）機能を有するクラッド層である。なお、第２半導体層１２８は、第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃとオーミックコンタクトするコンタクト層を有していてもよい。
積層体１２０は、複数の第１柱状部１０２ａと、複数の第２柱状部１０２ｂと、複数の第３柱状部１０２ｃと、を含む。柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃは、第１半導体層１２４、発光層１２６、および第２半導体層１２８を含む。
複数の第１柱状部１０２ａは、第１発光部１０４ａを構成している。複数の第２柱状部１０２ｂは、第２発光部１０４ｂを構成している。複数の第３柱状部１０２ｃは、第３発光部１０４ｃを構成している。
第１発光部１０４ａでは、ｐ型の第２半導体層１２８、不純物がドーピングされていない発光層１２６、およびｎ型の第１半導体層１２４により、ｐｉｎダイオードが形成される。第１半導体層１２４および第２半導体層１２８の各々は、発光層１２６よりもバンドギャップが大きい層である。第１電極１３０と第２電極１４０ａとの間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると（電流を注入すると）、発光層１２６において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。発光層１２６において発生した光は、半導体層１２４，１２８により平面方向（積層方向と直交する方向）に伝搬し、複数の第１柱状部１０２ａにて平面方向に定在波を形成し、発光層１２６において利得を受けてレーザー発振する。そして、第１発光部１０４ａは、＋１次回折光および−１次回折光を光Ｌａ（レーザー光）として、積層方向に出射する。光Ｌａは、第１基体１１０を透過して出射される。
第２発光部１０４ｂおよび第３発光部１０４ｃについても、第１発光部１０４ａと同様である。すなわち、第２発光部１０４ｂでは、第１電極１３０と第２電極１４０ｂとの間に電圧を印加することで、光Ｌｂが第１基体１１０を透過して出射される。また、第３発光部１０４ｃでは、第１電極１３０と第２電極１４０ｃとの間に電圧を印加することで、
光Ｌｃが第１基体１１０を透過して出射される。
図示はしないが、第１発光部１０４ａは複数設けられていてもよい。同様に、第２発光部１０４ｂは複数設けられていてもよい。同様に、第３発光部１０４ｃは複数設けられていてもよい。
第１柱状部１０２ａ、第２柱状部１０２ｂ、および第３柱状部１０２ｃは、異なる径を有している。図示の例では、第３柱状部１０２ｃの径は、第２柱状部１０２ｂの径よりも大きい。また、第２柱状部１０２ｂの径は、第１柱状部１０２ａの径よりも大きい。
なお、「径」とは、柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの平面形状が円の場合は、直径であり、柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの平面形状が多角形の場合は、該多角形を内部に含む最小の円（最小包含円）の直径である。
このように、第１柱状部１０２ａ、第２柱状部１０２ｂ、および第３柱状部１０２ｃにおいて、径を異ならせることにより、第１柱状部１０２ａにおいて発光層１２６が発する光の波長、第２柱状部１０２ｂにおいて発光層１２６が発する光の波長、第３柱状部１０２ｃにおいて発光層１２６が発する光の波長を異ならせることができる。すなわち、第１発光部１０４ａから出射される光Ｌａの波長と、第２発光部１０４ｂから出射される光Ｌｂの波長と、第３発光部１０４ｃから出射される光Ｌｃの波長とは、互いに異なる。
また、第１発光部１０４ａにおける第１柱状部１０２ａの周期、第２発光部１０４ｂにおける第２柱状部１０２ｂの周期、および第３発光部１０４ｃにおける第３柱状部１０２ｃの周期が、異なっていてもよい。ここで、第１発光部１０４ａでは、第１柱状部１０２ａが所定の間隔で規則的に配列されており、第１柱状部１０２ａの周期とは、規則的に配列された第１柱状部１０２ａの間隔をいう。第２柱状部１０２ｂの周期、および第３柱状部１０２ｃの周期も同様である。各柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの周期を制御することによっても、各発光部１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃから出射される光の波長（色）を制御することができる。すなわち、発光素子１０では、柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの径や周期を制御することで、多色発光を実現することができる。
発光素子１０では、例えば、第１発光部１０４ａから出射される光Ｌａは青色光であり、第２発光部１０４ｂから出射される光Ｌｂは緑色光であり、第３発光部１０４ｃから出射される光Ｌｃは赤色光である。
ここで、発光素子１０では、後述するように、マスク層１２２をマスクとして、各柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃをＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法や、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などで同時に成長させる。このとき、各柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの径や周期を異ならせることによって、各柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの高さも異なって形成される。
そのため、第１柱状部１０２ａ、第２柱状部１０２ｂ、および第３柱状部１０２ｃは、異なる高さを有している。図示の例では、第１柱状部１０２ａの高さＨ１０２ａは、第２柱状部１０２ｂの高さＨ１０２ｂよりも大きい。また、第２柱状部１０２ｂの高さＨ１０２ｂは、第３柱状部１０２ｃの高さＨ１０２ｃよりも大きい。
なお、高さＨ１０２ａ，Ｈ１０２ｂ，Ｈ１０２ｃは、柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの積層方向の大きさである。高さＨ１０２ａ，Ｈ１０２ｂ，Ｈ１０２ｃは、例えば、柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃを構成している複数の層の膜厚の和であり、図示の例では、第１半導体層１２４の膜厚、発光層１２６の膜厚、および第２半導体層１２８の
膜厚の和である。
各発光部１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの面積は、異なっていてもよい。すなわち、各柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃが形成される領域の面積が異なっていてもよい。例えば、柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの発光効率に応じて発光部１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの面積を変えてもよい。
例えば、赤色光を発する第３柱状部１０２ｃの発光効率が青色光を発する第１柱状部１０２ａの発光効率よりも低い場合、第３発光部１０４ｃの面積（すなわち複数の第３柱状部１０２ｃが形成される領域の面積）を、第１発光部１０４ａの面積（すなわち複数の第１柱状部１０２ａが形成される領域の面積）よりも大きくする。これにより、発光素子１０から出射される赤色光と青色光の光量の均一化を図ることができる。なお、各発光部１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃの面積は同じであってもよい。
隣り合う第１柱状部１０２ａの間には、絶縁層１２９が設けられている。絶縁層１２９は、隣り合う第１柱状部１０２ａの間に埋め込まれている。絶縁層１２９は、マスク層１２２と第２電極１４０ａとの間に設けられている。絶縁層１２９は、例えば、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、酸化ハフニウム層、ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層などである。発光層１２６で発生した光は、絶縁層１２９を通って、平面方向に伝搬する。同様に、隣り合う第２柱状部１０２ｂの間、および隣り合う第３柱状部１０２ｃの間には、絶縁層１２９が設けられている。
第１電極１３０は、バッファー層１２１に設けられている。第１電極１３０は、導電部材８ｄとバッファー層１２１との間に設けられている。第１電極１３０は、第１半導体層１２４と電気的に接続されている。第１電極１３０とバッファー層１２１とは、オーミックコンタクトしている。第１電極１３０は、発光層１２６に電流を注入するための一方の電極である。第１電極１３０は、第１柱状部１０２ａ（第１発光部１０４ａ）、第２柱状部１０２ｂ（第２発光部１０４ｂ）、第３柱状部１０２ｃ（第３発光部１０４ｃ）に共通の電極である。第１電極１３０としては、例えば、例えば、Ａｕ層、Ａｇ層などの金属層や、バッファー層１２１側からＣｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順で積層したもの等を用いる。
第２電極１４０ａは、複数の第１柱状部１０２ａに設けられている。第２電極１４０ａは、複数の第１柱状部１０２ａ（第２半導体層１２８）と第１導電部材８ａとの間に設けられている。第２電極１４０ａは、第２半導体層１２８と電気的に接続されている。第２電極１４０ａは、複数の第１柱状部１０２ａに共通の電極である。第２電極１４０ａと第２半導体層１２８とは、オーミックコンタクトしている。第２電極１４０ａは、第１柱状部１０２ａの発光層１２６に電流を注入するための他方の電極である。
第２電極１４０ｂは、複数の第２柱状部１０２ｂに設けられている。第２電極１４０ｂは、複数の第２柱状部１０２ｂ（第２半導体層１２８）と第２導電部材８ｂとの間に設けられている。第２電極１４０ｂは、第２半導体層１２８と電気的に接続されている。第２電極１４０ｂは、複数の第２柱状部１０２ｂに共通の電極である。第２電極１４０ｂと第２半導体層１２８とは、オーミックコンタクトしている。第２電極１４０ｂは、第２柱状部１０２ｂの発光層１２６に電流を注入するための他方の電極である。
第２電極１４０ｃは、複数の第３柱状部１０２ｃに設けられている。第２電極１４０ｃは、複数の第３柱状部１０２ｃ（第２半導体層１２８）と第３導電部材８ｃとの間に設けられている。第２電極１４０ｃは、第２半導体層１２８と電気的に接続されている。第２電極１４０ｃは、複数の第３柱状部１０２ｃに共通の電極である。第２電極１４０ｃと第２半導体層１２８とは、オーミックコンタクトしている。第２電極１４０ｃは、第３柱状
部１０２ｃの発光層１２６に電流を注入するための他方の電極である。
第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃとしては、例えば、Ａｕ層、Ａｇ層などの金属層や、第２半導体層１２８側からＰｄ層、Ｐｔ層、Ａｕ層の順で積層したもの等を用いる。第１電極１３０の材質と第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃの材質とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
発光装置１００では、発光素子１０は第２基体２０にジャンクションダウン実装されている。すなわち、発光装置１００では、積層体１２０が第１基体１１０側とは反対側において第２基体２０に接続されている。
第２基体２０には、発光素子１０が設けられている。第２基体２０には、発光素子１０が実装されている。第２基体２０は、配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを有している。第２基体２０は、発光素子１０を実装するための実装基板である。
第２基体２０の熱膨張係数は、第１基体１１０の熱膨張係数に近いことが好ましい。これにより、発光素子１０を第２基体２０に実装する際の熱や発光素子１０の駆動時の発熱による第１基体１１０の反りを低減でき、発光素子１０に加わる応力を低減できる。また、第２基体２０の熱伝導率は、例えば積層体１２０の熱伝導率よりも高いことが好ましく、第１基体１１０の熱伝導率よりも高いことがさらに好ましい。また、第２基体２０の熱容量は、第１基体１１０の熱容量よりも大きいことが好ましい。これにより、発光素子１０（積層体１２０）で発生する熱の放熱性を高めることができる。
第２基体２０としては、例えば、ＳｉＣ基板などの半導体基板、ＡｌＮ基板などのセラミックス基板などを用いる。ＳｉＣなどの半導体材料、ＡｌＮなどのセラミックス材料は、熱伝導率が高く、かつ、電気絶縁性が高い。そのため、第２基体２０として、これらの基板を用いることにより、発光素子１０の放熱性を高めることができるとともに、配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄの絶縁が容易である。なお、第２基体２０として、ＣｕＷ基板、ＣｕＭｏ基板などの金属基板を用いてもよい。この場合、配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを絶縁するための絶縁層などを設ける。
第１導電部材８ａは、第１柱状部１０２ａの第２電極１４０ａと第２基体２０の配線２２ａとを電気的に接続するバンプである。第２導電部材８ｂは、第２柱状部１０２ｂの第２電極１４０ｂと第２基体２０の配線２２ｂとを電気的に接続するバンプである。第３導電部材８ｃは、第３柱状部１０２ｃの第２電極１４０ｃと第２基体２０の配線２２ｃとを電気的に接続するバンプである。導電部材８ｄは、第１電極１３０と第２基体２０の配線２２ｄとを電気的に接続するバンプである。
第１基体１１０と第２基体２０の間において、第１導電部材８ａを介して第１柱状部１０２ａ（第２電極１４０ａ）と第２基体２０の配線２２ａとが電気的に接続されている。また、第２導電部材８ｂを介して、第２柱状部１０２ｂ（第２電極１４０ｂ）と第２基体２０の配線２２ｂとが電気的に接続されている。また、第３導電部材８ｃを介して、第３柱状部１０２ｃ（第２電極１４０ｃ）と第２基体２０の配線２２ｃとが電気的に接続されている。また、導電部材８ｄを介して、第１電極１３０と第２基体２０の配線２２ｄとが電気的に接続されている。
導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの材質は、例えば、金や、ニッケル、銅、これらの金属の合金等である。導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄと配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄとは、接合部材７によって接合されている。接合部材７は、例えば、ハンダである。
第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂは、第１導電部材８ａの高さＨ ８ａ よりも大きい。第３導電部材８ｃの高さＨ８ｃは、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂよりも大きい。図示の例では、第１導電部材８ａの高さＨ８ａと第１柱状部１０２ａの高さＨ１０２ａの和と、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂと第２柱状部１０２ｂの高さＨ１０２ｂの和と、第３導電部材８ｃの高さＨ８ｃと第３柱状部１０２ｃの高さＨ１０２ｃの和とは、等しい。なお、高さ
Ｈ８ａ，Ｈ８ｂ，Ｈ８ｃは、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃの積層方向の大きさである。
第１基体１１０と第２基体２０との間には、第１絶縁層５および第２絶縁層６が設けられている。
第１絶縁層５は、隣り合う導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの間に設けられている。第１絶縁層５には、第１開口部５ａ、第２開口部５ｂ、第３開口部５ｃ、および開口部５ｄが設けられている。開口部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは、第１絶縁層５を貫通している。第１開口部５ａには、第１導電部材８ａが設けられている。第２開口部５ｂには、第２導電部材８ｂが設けられている。第３開口部５ｃには、第３導電部材８ｃが設けられている。開口部５ｄには、導電部材８ｄが設けられている。第１絶縁層５の材質は、例えば、ポリイミド、紫外線硬化樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどである。
第２絶縁層６は、第１柱状部１０２ａと第２柱状部１０２ｂとの間、第２柱状部１０２ｂと第３柱状部１０２ｃとの間に設けられている。すなわち、第２絶縁層６は、第１発光部１０４ａと第２発光部１０４ｂとの間、第２発光部１０４ｂと第３発光部１０４ｃとの間に設けられている。第２絶縁層６の材質は、例えば、ポリイミド、紫外線硬化樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどである。第１絶縁層５の材質と第２絶縁層６の材質は異なっていてもよいし、同じであってもよい。例えば、第２絶縁層６を無機材料とし、第１絶縁層５を有機材料としてもよい。
第１基体１１０と第２基体２０と間において、第１絶縁層５は、第２絶縁層６よりも第２基体２０側に位置している。なお、図示はしないが、第１絶縁層５と第２絶縁層６とは、同一層であってもよい。すなわち、第１基体１１０と第２基体２０との間には、１つの絶縁層のみが存在していてもよい。
なお、上記では、第１発光部１０４ａ、第２発光部１０４ｂ、第３発光部１０４ｃが、柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ（ナノ構造体）を用いた半導体レーザーである場合について説明したが、第１発光部１０４ａ、第２発光部１０４ｂ、第３発光部１０４ｃが、ナノ構造体を用いて部分的に共振する発光素子や、ナノ構造体を用いた発光ダイオード（light emitting diode、ＬＥＤ）であってもよい。
発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
発光装置１００では、積層体１２０は、高さＨ１０２ａを有する第１柱状部１０２ａと、高さＨ１０２ａよりも小さい高さＨ１０２ｂを有する第２柱状部１０２ｂと、高さＨ１０２ｂよりも小さい高さＨ１０２ｃを有する第３柱状部１０２ｃと、を含む。また、積層体１２０と第２基体２０との間において、第１導電部材８ａを介して第１柱状部１０２ａと第２基体２０とが電気的に接続され、第２導電部材８ｂを介して第２柱状部１０２ｂと第２基体２０とが電気的に接続され、第３導電部材８ｃを介して第３柱状部１０２ｃと第２基体２０とが電気的に接続されている。また、第３導電部材８ｃの高さＨ８ｃは、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂよりも大きく、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂは、第１導電部材８ａの高さＨ８ａよりも大きい。
このように発光装置１００では、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂは第１導電部材８ａの高さＨ８ａよりも大きいため、第２柱状部１０２ｂと第２基体２０との間において接触不良が起こる可能性を低減できる。さらに、第３導電部材８ｃの高さＨ８ｃは第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂよりも大きいため、第３柱状部１０２ｃと第２基体２０との間において接触不良が起こる可能性を低減できる。よって、発光装置１００では、発光素子１０と第２基体２０（実装基板）との間の接続安定性を高めることができる。
さらに、発光装置１００では、発光素子１０を第２基体２０に対して水平に実装することができる。例えば、各柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの高さＨ１０２ａ，Ｈ１０２ｂ，Ｈ１０２ｃが異なる場合に導電部材８ａ，８ｂ，８ｃの高さを同じにすると、発光素子１０が第２基体２０に対して傾いて実装されてしまう。これに対して、発光装置１００では、第３導電部材８ｃの高さＨ８ｃは第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂよりも大きく、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂは第１導電部材８ａの高さＨ８ａよりも大きいため、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃの高さが同じ場合と比べて、第２基体２０に対する発光素子１０の傾きを小さく、あるいは発光素子１０の傾きを無くすことができる。
発光装置１００では、第１柱状部１０２ａ、第２柱状部１０２ｂ、および第３柱状部１０２ｃは、第１半導体層１２４、第２半導体層１２８、および発光層１２６を含む。そのため、発光装置１００では、結晶欠陥や転位が低減された第１半導体層１２４、第２半導体層１２８、および発光層１２６を得ることができ、高効率な発光素子１０を実現できる。
発光装置１００では、第１基体１１０と第２基体２０との間には、第１絶縁層５が設けられ、第１絶縁層５に設けられた第１開口部５ａに第１導電部材８ａが設けられ、第１絶縁層５に設けられた第２開口部５ｂに第２導電部材８ｂが設けられ、第１絶縁層５に設けられた第３開口部５ｃに第３導電部材８ｃが設けられている。そのため、発光装置１００では、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃが電気的に短絡する可能性を低減できる。
発光装置１００では、第１柱状部１０２ａと第２柱状部１０２ｂとの間、および第２柱状部１０２ｂと第３柱状部１０２ｃとの間には、第２絶縁層６が設けられている。そのため、発光装置１００では、第２絶縁層６によって、柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃで発生した光の拡散を低減できる。なお、第２絶縁層６は、ＧａＮまたはＩｎＧａＮの屈折率より小さい屈折率を有することが好ましい。
発光装置１００では、第１柱状部１０２ａにおいて発光層１２６が発する光の波長と、第２柱状部１０２ｂにおいて発光層１２６が発する光の波長と、第３柱状部１０２ｃにおいて発光層１２６が発する光の波長とは、異なる。そのため、発光装置１００では、１つの基板（第１基体１１０）で多色発光が可能である。
１．２． 製造方法
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図３〜図５は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
まず、図３に示すように、発光素子１０を形成する（Ｓ１００）。
具体的には、まず、図３に示すように、第１基体１１０上に、バッファー層１２１をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）
法などが挙げられる。
次に、バッファー層１２１上にマスク層１２２を形成する。マスク層１２２には、第１柱状部１０２ａを形成するための貫通孔１２２ａ、第２柱状部１０２ｂを形成するための貫通孔１２２ｂ、および第３柱状部１０２ｃを形成するための貫通孔１２２ｃが形成される。貫通孔１２２ａの径は、貫通孔１２２ｂの径よりも大きく、貫通孔１２２ｂの径は貫通孔１２２ｃの径よりも大きい。マスク層１２２に貫通孔１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃが形成されることによって、バッファー層１２１が露出される。マスク層１２２は、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などによる成膜、ならびにフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によるパターニングによって形成される。
次に、マスク層１２２をマスクとして、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより、バッファー層１２１上に、第１半導体層１２４、発光層１２６、および第２半導体層１２８を、この順でエピタキシャル成長させる。ここで、マスク層１２２に形成された貫通孔１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃの径が大きいほど、形成される柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの径が大きくなり、高さが小さくなる。そのため、高さＨ１０２ａを有する第１柱状部１０２ａ、高さＨ１０２ｂを有する第２柱状部１０２ｂ、高さＨ１０２ｃを有する第３柱状部１０２ｃを同一工程で形成することができる。以上の工程により、第１基体１１０上に柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃを含む積層体１２０を形成することができる。
なお、積層体１２０を形成した後に、マスク層１２２を除去してもよい。この場合、発光素子１０は、マスク層１２２を含まない。
次に、隣り合う第１柱状部１０２ａの間、隣り合う第２柱状部１０２ｂの間、および隣り合う第３柱状部１０２ｃの間に、それぞれ絶縁層１２９を形成する。絶縁層１２９は、例えば、スピンコート法、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法などによって形成される。
次に、第１柱状部１０２ａの第２半導体層１２８上に第２電極１４０ａを形成し、第２柱状部１０２ｂの第２半導体層１２８上に第２電極１４０ｂを形成し、第３柱状部１０２ｃの第２半導体層１２８上に第２電極１４０ｃを形成する。
次に、バッファー層１２１上に第１電極１３０を形成する。第１電極１３０および第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃは、例えば、真空蒸着法などにより形成される。なお、第１電極１３０および第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃの形成順序は、特に限定されない。
以上の工程により、発光素子１０を形成することができる。
次に、図４に示すように、マスク層１２２上に第１絶縁層５および第２絶縁層６を形成する（Ｓ１０２）。
具体的には、まず、マスク層１２２上に第２絶縁層６を形成する。第２絶縁層６は、例えば、スピンコート法、ＡＬＤ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などによって形成される。次に、第２絶縁層６上に第１絶縁層５を形成する。第１絶縁層５には、開口部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが形成される。開口部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが形成されることによって、第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃおよび第１電極１３０が露出する。第１絶縁層５は、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを形成する際のマスクとして機能する。第１絶縁層５は、例えば、スピンコート法、ＡＬＤ法、ＣＶＤ法などによる成膜、ならびにフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によるパターニングによって形成
される。
なお、第１絶縁層５の材質および第２絶縁層６の材質が同じである場合、第１絶縁層５および第２絶縁層６の成膜を同時に行ってもよい。
次に、図５に示すように、第１柱状部１０２ａ上に第１導電部材８ａを形成し、第２柱状部１０２ｂ上に第２導電部材８ｂを形成し、第３柱状部１０２ｃ上に第３導電部材８ｃを形成し、第１電極１３０上に導電部材８ｄを形成する（Ｓ１０４）。
具体的には、第１絶縁層５をマスクとして、第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃ上に導電部材８ａ，８ｂ，８ｃを形成し、第１電極１３０上に導電部材８ｄを形成する。すなわち、第１導電部材８ａを第１絶縁層５の第１開口部５ａによって露出した第２電極１４０ａ上に形成する。同様に、第２導電部材８ｂを第１絶縁層５の第２開口部５ｂによって露出した第２電極１４０ｂ上に形成する。同様に、第３導電部材８ｃを第１絶縁層５の第３開口部５ｃによって露出した第２電極１４０ｃ上に形成する。同様に、導電部材８ｄを第１絶縁層５の開口部５ｄによって露出した第１電極１３０上に形成する。導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄは、例えば、電解めっき法、無電解めっき法、真空蒸着法、スパッタ法などによって形成される。なお、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを形成した後に、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの上面および第１絶縁層５の上面を、研削や切削加工により、平坦化してもよい。
本工程により、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂは、第１導電部材８ａの高さＨ ８ａ よりも大きく形成され、第３導電部材８ｃの高さＨ８ｃは、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂよりも大きく形成される。
次に、図１に示すように、第２基体２０に発光素子１０をジャンクションダウン実装する（Ｓ１０６）。
具体的には、積層体１２０と第２基体２０との間において第１導電部材８ａを介して第１柱状部１０２ａの第２電極１４０ａと第２基体２０の配線２２ａとを電気的に接続する。第１導電部材８ａと配線２２ａとは、ハンダなどの接合部材７で接合される。同様に、積層体１２０と第２基体２０との間において、第２導電部材８ｂを介して第２柱状部１０２ｂの第２電極１４０ｂと第２基体２０の配線２２ｂとを電気的に接続する。同様に、積層体１２０と第２基体２０との間において、第３導電部材８ｃを介して第３柱状部１０２ｃの第２電極１４０ｃと第２基体２０の配線２２ｃとを電気的に接続する。同様に、第１基体１１０と第２基体２０との間において、導電部材８ｄを介して第１電極１３０と第２基体２０の配線２２ｄとを電気的に接続する。
より具体的には、例えば、まず、第２基体２０上の配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ上に、印刷法などにより接合部材７（ハンダ）を形成する。次に、第１導電部材８ａが配線２２ａ上に配置され、第２導電部材８ｂが配線２２ｂ上に配置され、第３導電部材８ｃが配線２２ｃ上に配置され、導電部材８ｄが配線２２ｄ上に配置されるように発光素子１０を第２基体２０上に位置決めする。そして、この状態で接合部材７を加熱する。これにより、第１導電部材８ａと配線２２ａが接合され、第２導電部材８ｂと配線２２ｂが接合され、第３導電部材８ｃと配線２２ｃが接合され、導電部材８ｄと配線２２ｄが接合される。以上の工程により、第２基体２０に発光素子１０をジャンクションダウン実装することができる。
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、高さＨ１０２ａを有する第１柱状部１０２ａと、高さＨ１０２ａよりも小さい高さＨ１０２ｂを有する第２柱状部１０２ｂと、高さＨ１０２ｂよりも小さい高さＨ１０２ｃを有する第３柱状部１０２ｃと、を含む積層体１２０を第１基体１１０に形成して発光素子１０を形成する工程と、第１柱状部１０２ａ上に高さＨ８ａを有する第１導電部材８ａを形成し、第２柱状部１０２ｂ上に高さＨ８ａよりも大きい高さＨ８ｂを有する第２導電部材８ｂを形成し、第３柱状部１０２ｃ上に高さＨ８ｂよりも大きい高さＨ８ｃを有する第３導電部材８ｃを形成する工程と、第２基体２０に発光素子１０を実装する工程と、を含む。また、第２基体２０に発光素子１０を実装する工程では、積層体１２０と第２基体２０との間において第１導電部材８ａを介して第１柱状部１０２ａと第２基体２０とを電気的に接続し、第２導電部材８ｂを介して第２柱状部１０２ｂと第２基体２０とを電気的に接続し、第３導電部材８ｃを介して第３柱状部１０２ｃと第２基体２０とを電気的に接続する。
このように第１実施形態に係る発光装置の製造方法では、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂは第１導電部材８ａの高さＨ８ａよりも大きく形成されるため、第２柱状部１０２ｂと第２基体２０との間において接触不良が起こる可能性を低減できる。さらに、第３導電部材８ｃの高さＨ８ｃは第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂよりも大きく形成されるため、第３柱状部１０２ｃと第２基体２０との間において接触不良が起こる可能性を低減できる。よって、第１実施形態に係る発光装置の製造方法では、発光素子１０と第２基体２０（実装基板）との間の接続安定性を高めることができる。
さらに、第１実施形態に係る発光装置の製造方法では、第１絶縁層５を導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを形成する際のマスクとすることができるため、製造工程を簡略化することができる。
１．３． 変形例
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法の変形例について説明する。上述した実施形態では、第１絶縁層５を形成した後に、第１絶縁層５をマスクとして導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを形成した。これに対して、本変形例では、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを形成した後に、第１絶縁層５を形成する。以下では、上述した図２に示す第１実施形態に発光装置の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
図６は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例を示すフローチャートである。図７および図８は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の変形例を模式的に示す断面図である。
まず、図３に示すように、発光素子１０を形成する（Ｓ１１０）。
本工程Ｓ１１０は、上述した図２に示す工程Ｓ１００と同様に行われる。
次に、図７に示すように、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを形成する（Ｓ１１２）。
導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄは、電解めっき法、無電解めっき法、真空蒸着法、スパッタ法などによって形成される。導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを電解めっき法、無電解めっき法で形成する場合、例えば、マスク層（図示せず）を形成し、当該マスク層をマスクとして電解めっき法、無電解めっき法により導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを形成する。また、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを真空蒸着法やスパッタ法などで形成する場合、例えば、リフトオフ法などを用いる。
次に、図８に示すように、第１絶縁層５および第２絶縁層６を形成する（Ｓ１１４）。
具体的には、マスク層１２２上に第２絶縁層６を形成し、第２絶縁層６上に第１絶縁層５を形成する。第１絶縁層５および第２絶縁層６は、例えば、スピンコート法、ＡＬＤ法、ＣＶＤ法などにより形成される。
次に、図５に示すように、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの上面および第１絶縁層５の上面を研削や切削加工により、平坦化する（Ｓ１１６）。これにより、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂは、第１導電部材８ａの高さＨ ８ａ よりも大きく形成され、第３導電部材８ｃの高さＨ８ｃは、第２導電部材８ｂの高さＨ８ｂよりも大きく形成される。
次に、図１に示すように、第２基体２０に発光素子１０を実装する（Ｓ１１８）。
本工程Ｓ１１８は、上述した図２に示す工程Ｓ１０６と同様に行われる。
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
本変形例に係る発光装置の製造方法では、上述した第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。
２． 第２実施形態
２．１． 発光装置
次に、第２実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図９は、第２実施形態に係る発光装置２００を模式的に示す断面図である。以下、第２実施形態に係る発光装置２００において、上述した第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した発光装置１００では、第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃと第２基体２０の配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃとを電気的に接続する導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ、および第１電極１３０と第２基体２０の配線２２ｄとを電気的に接続する導電部材８ｄが電解めっき法や、無電解めっき法などで形成された金属バンプであった。
これに対して、発光装置１００では、第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃと第２基体２０の配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃとを電気的に接続する導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ、および第１電極１３０と第２基体２０の配線２２ｄとを電気的に接続する導電部材２０８ｄは、導電性ペーストを用いて形成される。
導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄを形成する際に用いられる導電性ペーストは、例えば、銀ペーストである。銀ペーストは、ナノサイズまたはマイクロメートルサイズの銀粒子が含まれているペーストである。なお、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄとして、銀粒子以外の金属粒子が含まれた金属ペーストを用いてもよい。
なお、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄを導電性ペーストを用いて形成する場合、後述するように製造工程において、焼成を行わなければならない。そのため、第１絶縁層５および第２絶縁層６は、導電性ペーストの焼成温度に耐えうる耐熱性を有する材質であることが好ましい。
第２導電部材２０８ｂの高さＨ２０８ｂは、第１導電部材２０８ａの高さＨ ２０８ａ よりも大きい。第３導電部材２０８ｃの高さＨ２０８ｃは、第２導電部材２０８ｂの高さＨ２０８ｂよりも大きい。図示の例では、第１導電部材２０８ａの高さＨ２０８ａと第１柱状部１０２ａの高さＨ１０２ａの和と、第２導電部材２０８ｂの高さＨ２０８ｂと第２柱状部１０２ｂの高さＨ１０２ｂの和と、第３導電部材２０８ｃの高さＨ２０８ｃと第３柱状部１０２ｃの高さＨ１０２ｃの和とは、等しい。なお、高さＨ２０８ａ，Ｈ２０８ｂ，Ｈ２０８ｃは、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃの積層方向の大きさである。
また、上述した発光装置１００では、導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄと配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄとを接合する接合部材７がハンダであった。
これに対して、発光装置２００では、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄと配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄとを接合する接合部材２０７は、例えば、導電性ペーストを用いて形成される。接合部材２０７を形成する際に用いられる導電性ペーストと、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄを形成する際に用いられる導電性ペーストとは、同じ材質であってもよい。
発光装置２００では、上述した発光装置１００と同様の作用効果を奏することができる。
２．２． 発光装置の製造方法
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１０は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図１１は、第２実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図である。以下では、上述した図２に示す第１実施形態に発光装置の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
まず、図３に示すように、発光素子１０を形成する（Ｓ２００）。
本工程Ｓ２００は、上述した図２に示す工程Ｓ１００と同様に行われる。
次に、図１１に示すように、第１絶縁層５および第２絶縁層６を形成する（Ｓ２０２）。
本工程Ｓ２０２は、上述した図２に示す工程Ｓ１０２と同様に行われる。
次に、導電性ペーストを用いて導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄを形成する（Ｓ２０４）。
具体的には、まず、導電性ペーストを第１絶縁層５の第１開口部５ａによって露出した第２電極１４０ａ上に形成する。同様に、導電性ペーストを第１絶縁層５の第２開口部５ｂによって露出した第２電極１４０ｂ上に形成する。同様に、導電性ペーストを第１絶縁層５の第３開口部５ｃによって露出した第２電極１４０ｃ上に形成する。同様に、導電性ペーストを第１絶縁層５の開口部５ｄによって露出した第１電極１３０上に形成する。これらの導電性ペーストは、例えば、印刷法により同時に形成される。次に、導電性ペーストを焼成する。これにより、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄが形成される。
次に、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄの上面および第１絶縁層５の上面を、研削や切削加工により平坦化する（Ｓ２０６）。これにより、第２導電部材２０８ｂの高さＨ２０８ｂは、第１導電部材２０８ａの高さＨ ２０８ａ よりも大きく形成され、第３導電部材２０８ｃの高さＨ２０８ｃは、第２導電部材２０８ｂの高さＨ２０８ｂよりも大きく形成される。
次に、第２基体２０に発光素子１０を実装する（Ｓ２０８）。
具体的には、まず、図９に示すように、第２基体２０上の配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ上に印刷法などにより導電性ペーストを形成する。次に、第１導電部材２０８ａが配線２２ａ上に配置され、第２導電部材２０８ｂが配線２２ｂ上に配置され、第３導電部材２０８ｃが配線２２ｃ上に配置され、導電部材２０８ｄが配線２２ｄ上に配置されるように発光素子１０を第２基体２０上に位置決めする。そして、この状態で導電性ペーストを焼成する。これにより、第１導電部材２０８ａと配線２２ａが接合部材２０７によって接合され、第２導電部材２０８ｂと配線２２ｂが接合部材２０７によって接合され、第３導電部材２０８ｃと配線２２ｃが接合部材２０７によって接合され、導電部材２０８ｄと配線２２ｄが接合部材２０７によって接合される。以上の工程により、第２基体２０に発光素子１０をジャンクションダウン実装することができる。
以上の工程により、発光装置２００を製造することができる。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法では、導電性ペーストの印刷および焼成により導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄを形成できるため、例えばめっき法や真空蒸着法等により導電部材を形成する場合と比べて、めっき液や真空装置が不要であり、製造工程の簡略化が可能である。
２．３． 変形例
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例について説明する。上述した「１．３． 変形例」で説明した第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法にも適用可能である。
すなわち、上述した第２実施形態では、第１絶縁層５を形成した後に、第１絶縁層５をマスクとして導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄを形成した。これに対して、本変形例では、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄを形成した後に、第１絶縁層５を形成する。以下では、上述した第２実施形態に発光装置の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
図１２は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例を示すフローチャートである。図１３および図１４は、第２実施形態に係る発光装置の製造工程の変形例を模式的に示す断面図である。
まず、図３に示すように、発光素子１０を形成する（Ｓ２１０）。
本工程Ｓ２１０は、上述した図１０に示す工程Ｓ２００と同様に行われる。
次に、図１３に示すように、導電性ペーストを用いて導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄを形成する（Ｓ２１２）。
具体的には、まず、導電性ペーストを第２電極１４０ａ上に形成する。同様に、導電性ペーストを第２電極１４０ｂ上に形成する。同様に、導電性ペーストを第２電極１４０ｃ上に形成する。同様に、導電性ペーストを第１電極１３０上に形成する。これらの導電性
ペーストは、例えば、印刷法により同時に形成される。次に、導電性ペーストを焼成する。これにより、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄが形成される。
次に、図１４に示すように、第１絶縁層５および第２絶縁層６を形成する（Ｓ２１４）。
具体的には、マスク層１２２上に第２絶縁層６を形成し、第２絶縁層６上に第１絶縁層５を形成する。第１絶縁層５および第２絶縁層６は、例えば、スピンコート法、ＡＬＤ法、ＣＶＤ法などにより形成される。
次に、図１１に示すように、導電部材２０８ａ，２０８ｂ，２０８ｃ，２０８ｄの上面および第１絶縁層５の上面を研削や切削加工により、平坦化する（Ｓ２１６）。これにより、第２導電部材２０８ｂの高さＨ２０８ｂは、第１導電部材２０８ａの高さＨ ２０８ａ よりも大きく形成され、第３導電部材２０８ｃの高さＨ２０８ｃは、第２導電部材２０８ｂの高さＨ２０８ｂよりも大きく形成される。
次に、図９に示すように、第２基体２０に発光素子１０を実装する（Ｓ２１８）。
本工程Ｓ２１８は、上述した図２に示す工程Ｓ２０８と同様に行われる。
以上の工程により、発光装置２００を製造することができる。
本変形例に係る発光装置の製造方法では、上述した第２実施形態に係る発光装置の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。
３． 第３実施形態
３．１． 発光装置
次に、第３実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１５は、第３実施形態に係る発光装置３００を模式的に示す断面図である。以下、第３実施形態に係る発光装置３００において、上述した第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した発光装置１００では、第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃと第２基体２０の配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃとを電気的に接続する導電部材８ａ，８ｂ，８ｃ、および第１電極１３０と第２基体２０の配線２２ｄとを電気的に接続する導電部材８ｄが電解めっき法や、無電解めっき法などで形成された金属バンプであった。
これに対して、発光装置３００では、第２電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃと第２基体２０の配線２２ａ，２２ｂ，２２ｃとを電気的に接続する導電部材３０８ａ，３０８ｂ，３０８ｃ、および第１電極１３０と第２基体２０の配線２２ｄとを電気的に接続する導電部材３０８ｄは、金属のボールを押しつけて電気的接続を得るバンプ（例えばスタッドバンプ）である。導電部材３０８ａ，３０８ｂ，３０８ｃ，３０８ｄとして用いられるバンプの材質は、例えば、金などの金属である。
第２導電部材３０８ｂの高さＨ３０８ｂは、第１導電部材３０８ａの高さＨ ３０８ａ よりも大きい。第３導電部材３０８ｃの高さＨ３０８ｃは、第２導電部材３０８ｂの高さＨ３０８ｂよりも大きい。図示の例では、第１導電部材３０８ａの高さＨ３０８ａと第１柱状部１０２ａの高さＨ１０２ａの和と、第２導電部材３０８ｂの高さＨ３０８ｂと第２柱状部１０２ｂの高さＨ１０２ｂの和と、第３導電部材３０８ｃの高さＨ３０８ｃと第３柱状部１０２ｃの高さＨ１０２ｃの和とは、等しい。なお、高さＨ３０８ａ，Ｈ３０８ｂ，Ｈ３０８ｃは、導電部材３０８ａ，３０８ｂ，３０８ｃの積層方向の大きさである。
発光装置３００では、上述した発光装置１００と同様の作用効果を奏することができる。
３．２． 発光装置の製造方法
次に、第３実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１６は、第３実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図１７は、第３実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図である。以下では、上述した図２に示す第１実施形態に発光装置の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
まず、図３に示すように、発光素子１０を形成する（Ｓ３００）。
本工程Ｓ３００は、上述した図２に示す工程Ｓ１００と同様に行われる。
次に、図１７に示すように、Ａｕボール３０１ａ，３０１ｂ，３０１ｃ，３０１ｄを形成する（Ｓ３０２）。
具体的には、まず、例えばＡｕボール３０１ａを第２電極１４０ａ上に形成する。同様に、Ａｕボール３０１ｂを第２電極１４０ｂ上に形成する。同様に、Ａｕボール３０１ｃを第２電極１４０ｃ上に形成する。同様に、Ａｕボール３０１ｄを第１電極１３０上に形成する。これらのＡｕボール３０１ａ，３０１ｂ，３０１ｃ，３０１ｄは、例えば、ワイヤボンディングの技術を用いて形成される。
このとき、Ａｕボール３０１ａ，３０１ｂ，３０１ｃは、柱状部１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの高さＨ１０２ａ，Ｈ１０２ｂ，Ｈ１０２ｃに応じた大きさに形成される。すなわち、発光素子１０では、第１柱状部１０２ａの高さＨ１０２ａは、第２柱状部１０２ｂの高さＨ１０２ｂよりも大きいため、Ａｕボール３０１ａは、Ａｕボール３０１ｂよりも小さく形成される。また、第２柱状部１０２ｂの高さＨ１０２ｂは、第３柱状部１０２ｃの高さＨ１０２ｃよりも大きいため、Ａｕボール３０１ｂは、Ａｕボール３０１ｃよりも小さく形成される。これにより、接触不良が起こる可能性を低減できる。
次に、図１５に示すように、第２基体２０に発光素子１０を実装する（Ｓ３０４）。
具体的には、まず、Ａｕボール３０１ａが配線２２ａ上に配置され、Ａｕボール３０１ｂが配線２２ｂ上に配置され、Ａｕボール３０１ｃが配線２２ｃ上に配置され、Ａｕボール３０１ｄが配線２２ｄ上に配置されるように発光素子１０を第２基体２０上に位置決めする。次に、発光素子１０を第２基体２０に押しつけてＡｕボール３０１ａ，３０１ｂ，３０１ｃ，３０１ｄに圧力を加え、かつ、Ａｕボール３０１ａ，３０１ｂ，３０１ｃ，３０１ｄを加熱する（加熱圧着）。これにより、導電部材３０８ａ，３０８ｂ，３０８ｃ，３０８ｄが形成される。
次に、第１絶縁層５および第２絶縁層６を形成する。第１絶縁層５および第２絶縁層６は、例えば、エポキシ樹脂などの液状硬化樹脂（アンダーフィル材）である。積層体１２０と第２基体２０との間に液状硬化樹脂を供給して硬化させることで、第１絶縁層５および第２絶縁層６を形成することができる。この場合、第１絶縁層５および第２絶縁層６は、一体に形成される。
以上の工程により、第２基体２０に発光素子１０をジャンクションダウン実装することができる。
なお、第２基体２０に発光素子１０を実装する工程Ｓ３０４の前に第２絶縁層６を形成し、第２基体２０に発光素子１０を実装する工程Ｓ３０４で第１絶縁層５を形成してもよい。
以上の工程により、発光装置３００を製造することができる。
４． 第４実施形態
次に、第４実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１８は、第４実施形態に係るプロジェクター４００を模式的に示す図である。なお、便宜上、図１８では、プロジェクター４００を構成する筐体を省略して図示している。
プロジェクター４００は、本発明に係る発光装置を含む。以下では、図１８に示すように、発光装置１００を含むプロジェクター４００について説明する。
プロジェクター４００は、図１８に示すように、発光装置１００と、投射レンズ４０４と、を含む。
発光装置１００は、青色光Ｌａを出射する第１発光部１０４ａ、緑色光Ｌｂを出射する第２発光部１０４ｂ、および赤色光Ｌｃを出射する第３発光部１０４ｃを、それぞれ複数有している。複数の第１発光部１０４ａ、複数の第２発光部１０４ｂ、および複数の第３発光部１０４ｃは、同一の基体（第１基体１１０）に設けられている。
発光装置１００は、複数の第１発光部１０４ａ、複数の第２発光部１０４ｂ、および複数の第３発光部１０４ｃを映像の画素とし、複数の第１発光部１０４ａ、複数の第２発光部１０４ｂ、および複数の第３発光部１０４ｃは画像情報に応じて制御される。これにより、プロジェクター４００では、例えば液晶ライトバルブ（光変調装置）を用いずに、直接的に映像を形成することができる。
投射レンズ４０４は、発光装置１００によって形成された映像を拡大して、図示しないスクリーン（表示面）に投射する。
プロジェクター４００では、発光装置１００から出射された光は、直接、投射レンズ４０４に入射し、発光装置１００によって形成された映像が拡大されてスクリーン（表示面）に表示される。このようにプロジェクター４００では、１つの発光装置１００で、フルカラーの像表示が可能である。
プロジェクター４００では、発光装置１００を含む。そのため、プロジェクター４００では、例えば、液晶ライトバルブ（光変調装置）を用いずに、直接的に映像を形成することができる。したがって、プロジェクター４００では、液晶ライトバルブにおける透過ロス（光の一部が液晶ライトバルブを透過しないこと）を低減でき、高輝度化を図ることができる。さらに、プロジェクター４００では、部品数を減らすことができ、低コスト化を図ることができる。
本発明に係る発光装置の用途は、上述した実施形態に限定されず、プロジェクター以外にも、屋内外の照明、ディスプレイのバックライト、レーザープリンター、スキャナー、車載用ライト、光を用いるセンシング機器、通信機器等の光源としても用いることが可能である。
本発明は、本願に記載の特徴や効果を有する範囲で一部の構成を省略したり、各実施形態や変形例を組み合わせたりしてもよい。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
５…第１絶縁層、５ａ…第１開口部、５ｂ…第２開口部、５ｃ…第３開口部、５ｄ…開口部、６…第２絶縁層、７…接合部材、８ａ…第１導電部材、８ｂ…第２導電部材、８ｃ…第３導電部材、８ｄ…導電部材、１０…発光素子、２０…第２基体、２２ａ…配線、２２ｂ…配線、２２ｃ…配線、２２ｄ…配線、１００…発光装置、１０２ａ…第１柱状部、１０２ｂ…第２柱状部、１０２ｃ…第３柱状部、１０４ａ…第１発光部、１０４ｂ…第２発光部、１０４ｃ…第３発光部、１１０…第１基体、１１２…主面、１２０…積層体、１２１…バッファー層、１２２…マスク層、１２２ａ…貫通孔、１２２ｂ…貫通孔、１２２ｃ…貫通孔、１２４…第１半導体層、１２６…発光層、１２８…第２半導体層、１２９…絶縁層、１３０…第１電極、１４０ａ…第２電極、１４０ｂ…第２電極、１４０ｃ…第２電極、２００…発光装置、２０７…接合部材、２０８ａ…第１導電部材、２０８ｂ…第２導電部材、２０８ｃ…第３導電部材、２０８ｄ…導電部材、３００…発光装置、３０１ａ…Ａｕボール、３０１ｂ…Ａｕボール、３０１ｃ…Ａｕボール、３０１ｄ…Ａｕボール、３０８ａ…第１導電部材、３０８ｂ…第２導電部材、３０８ｃ…第３導電部材、３０８ｄ…導電部材、４００…プロジェクター、４０４…投射レンズ

Claims (9)

  1. 第１基体、および前記第１基体に設けられた積層体を含む発光素子と、
    前記発光素子が設けられている第２基体と、
    を含み、
    前記積層体は、
    第１半導体層と、
    前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、
    前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
    を含み、
    前記積層体は、
    第１の高さを有する第１柱状部と、
    前記第１の高さよりも小さい第２の高さを有する第２柱状部と、
    を含み、
    前記積層体と前記第２基体との間において、第１導電部材を介して、前記第１柱状部と前記第２基体とが電気的に接続され、
    前記積層体と前記第２基体との間において、第２導電部材を介して、前記第２柱状部と前記第２基体とが電気的に接続され、
    前記第１導電部材は、第３の高さを有し、
    前記第２導電部材は、前記第３の高さよりも大きい第４の高さを有している、発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１柱状部および前記第２柱状部は、前記第１半導体層、前記第２半導体層、および前記発光層を含む、発光装置。
  3. 請求項１または２において、
    前記第１基体と前記第２基体との間には、第１絶縁層が設けられ、
    前記第１絶縁層に設けられた第１開口部に、前記第１導電部材が設けられ、
    前記第１絶縁層に設けられた第２開口部に、前記第２導電部材が設けられている、発光
    装置。
  4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
    前記第１柱状部と前記第２柱状部との間には、第２絶縁層が設けられている、発光装置。
  5. 請求項１ないし４のいずれか１項において、
    前記第１柱状部において前記発光層が発する光の波長と前記第２柱状部において前記発光層が発する光の波長とは、異なる、発光装置。
  6. 請求項１ないし５のいずれか１項において、
    前記第２基体は、基板である、発光装置。
  7. 請求項６において、
    前記第２基体に、第１配線および第２配線が設けられ、
    前記第１導電部材を介して、前記第１配線と、前記第１柱状部と、が電気的に接続され、
    前記第２導電部材を介して、前記第２配線と、前記第２柱状部と、が電気的に接続されている、発光装置。
  8. 第１の高さを有する第１柱状部と、前記第１の高さよりも小さい第２の高さを有する第２柱状部と、を含む積層体を第１基体に形成して発光素子を形成する工程と、
    前記第１柱状部上に第３の高さを有する第１導電部材を形成し、前記第２柱状部上に前記第３の高さよりも大きい第４の高さを有する第２導電部材を形成する工程と、
    第２基体に前記発光素子を実装する工程と、
    を含み、
    前記積層体は、
    第１半導体層と、
    前記第１半導体層とは導電型の異なる第２半導体層と、
    前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
    を含み、
    前記第２基体に前記発光素子を実装する工程では、
    前記積層体と前記第２基体との間において第１導電部材を介して前記第１柱状部と前記第２基体とを電気的に接続し、前記積層体と前記第２基体との間において第２導電部材を介して前記第２柱状部と前記第２基体とを電気的に接続する、発光装置の製造方法。
  9. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発光装置を含む、プロジェクター。
JP2017248943A 2017-12-26 2017-12-26 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター Active JP6988460B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017248943A JP6988460B2 (ja) 2017-12-26 2017-12-26 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター
US16/228,871 US11081519B2 (en) 2017-12-26 2018-12-21 Light emitting device, projector, and method of manufacturing light emitting device
EP18215349.4A EP3506354B1 (en) 2017-12-26 2018-12-21 Light emitting device, and method of manufacturing light emitting device
CN201811588200.8A CN110034222B (zh) 2017-12-26 2018-12-25 发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017248943A JP6988460B2 (ja) 2017-12-26 2017-12-26 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019114739A JP2019114739A (ja) 2019-07-11
JP2019114739A5 JP2019114739A5 (ja) 2020-11-26
JP6988460B2 true JP6988460B2 (ja) 2022-01-05

Family

ID=64901368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017248943A Active JP6988460B2 (ja) 2017-12-26 2017-12-26 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11081519B2 (ja)
EP (1) EP3506354B1 (ja)
JP (1) JP6988460B2 (ja)
CN (1) CN110034222B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019200328A (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
JP7232465B2 (ja) * 2019-03-26 2023-03-03 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP7232464B2 (ja) * 2019-03-26 2023-03-03 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2022542736A (ja) * 2019-07-26 2022-10-07 泉州三安半導体科技有限公司 発光装置パッケージデバイス及びディスプレイ装置
JP6966144B1 (ja) * 2020-03-30 2021-11-10 国立大学法人福井大学 光ビーム放射装置およびそれを用いた光ビーム投影装置
JP2022073095A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003158296A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Sharp Corp 窒化物半導体発光デバイスチップとその製造方法
US20070170444A1 (en) 2004-07-07 2007-07-26 Cao Group, Inc. Integrated LED Chip to Emit Multiple Colors and Method of Manufacturing the Same
JP5097460B2 (ja) 2007-06-26 2012-12-12 パナソニック株式会社 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法
JP5309386B2 (ja) * 2007-08-20 2013-10-09 国立大学法人北海道大学 半導体発光素子アレー、その製造方法、及び光送信機器
JP5145120B2 (ja) 2008-05-26 2013-02-13 パナソニック株式会社 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体発光素子の製造方法
CN103022282B (zh) * 2008-07-07 2016-02-03 格罗有限公司 纳米结构led
BRPI0823194A2 (pt) 2008-10-17 2015-06-23 Univ Hokkaido Nat Univ Corp Arranjo de elementos emissores de luz semicondutores e método em fabricação do mesmo
JP2010166036A (ja) * 2008-12-15 2010-07-29 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および表示装置
JP5299251B2 (ja) * 2009-12-09 2013-09-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2012204373A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
CN102903804B (zh) * 2011-07-25 2015-12-16 财团法人工业技术研究院 发光元件的转移方法以及发光元件阵列
US9306117B2 (en) * 2011-07-25 2016-04-05 Industrial Technology Research Institute Transfer-bonding method for light emitting devices
JP2014072278A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 発光素子の製造方法、その装置および発光素子
KR102022266B1 (ko) * 2013-01-29 2019-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
DE112015004543T5 (de) * 2014-10-01 2017-06-22 Ngk Insulators, Ltd. Lichtemittierendes Element und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Elements
KR101688160B1 (ko) * 2015-01-27 2016-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
EP3453050B1 (en) * 2016-05-04 2022-06-15 Nanosys, Inc. Light emitting device containing different color leds and method of making an array of such light emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019114739A (ja) 2019-07-11
CN110034222A (zh) 2019-07-19
CN110034222B (zh) 2023-08-11
US20190198560A1 (en) 2019-06-27
EP3506354B1 (en) 2023-12-20
EP3506354A1 (en) 2019-07-03
US11081519B2 (en) 2021-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6988460B2 (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター
TWI621249B (zh) 微型發光二極體及顯示面板
JP3745763B2 (ja) フリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法
US7956364B2 (en) Thin film light emitting diode
JP4805831B2 (ja) 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表面実装部品、および表示装置
US7897981B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP5377985B2 (ja) 半導体発光素子
JP2008160046A (ja) 発光素子パッケージ及びその製造方法
KR102018615B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2011254102A (ja) 発光素子
JP2014160736A (ja) 半導体発光装置及び発光装置
JP6692155B2 (ja) 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具
US11621370B2 (en) Single chip multi band led and application thereof
JP2009094408A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
US11398715B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP2007335462A (ja) 半導体複合素子およびその製造方法
CN217641390U (zh) 像素模块及显示装置
CN215896431U (zh) 单元像素及显示器装置
CN215869440U (zh) 发光元件、单元像素及显示装置
CN215933632U (zh) 单元像素及显示装置
JP2022152162A (ja) 発光装置の製造方法、発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ
JP2023121348A (ja) 半導体発光素子及び半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201013

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201013

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211027

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211102

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211115

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6988460

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150