JP6988460B2 - 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 179
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 80
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 28
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 14
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016525 CuMo Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
第1基体、および前記第1基体に設けられた積層体を含む発光素子と、
前記発光素子が設けられている第2基体と、
を含み、
前記積層体は、
第1半導体層と、
前記第1半導体層とは導電型の異なる第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
を含み、
前記積層体は、
第1の高さを有する第1柱状部と、
前記第1の高さよりも小さい第2の高さを有する第2柱状部と、
を含み、
前記積層体と前記第2基体との間において、第1導電部材を介して、前記第1柱状部と前記第2基体とが電気的に接続され、
前記積層体と前記第2基体との間において、第2導電部材を介して、前記第2柱状部と前記第2基体とが電気的に接続され、
前記第1導電部材は、第3の高さを有し、
前記第2導電部材は、前記第3の高さよりも大きい第4の高さを有している。
前記第1柱状部および前記第2柱状部は、前記第1半導体層、前記第2半導体層、および前記発光層を含んでいてもよい。
前記第1基体と前記第2基体との間には、第1絶縁層が設けられ、
前記第1絶縁層に設けられた第1開口部に、前記第1導電部材が設けられ、
前記第1絶縁層に設けられた第2開口部に、前記第2導電部材が設けられていてもよい。
前記第1柱状部と前記第2柱状部との間には、第2絶縁層が設けられていてもよい。
前記第1柱状部において前記発光層が発する光の波長と前記第2柱状部において前記発光層が発する光の波長とは、異なってもよい。
第1の高さを有する第1柱状部と、前記第1の高さよりも小さい第2の高さを有する第2柱状部と、を含む積層体を第1基体に形成して発光素子を形成する工程と、
前記第1柱状部上に第3の高さを有する第1導電部材を形成し、前記第2柱状部上に前記第3の高さよりも大きい第4の高さを有する第2導電部材を形成する工程と、
第2基体に前記発光素子を実装する工程と、
を含み、
前記積層体は、
第1半導体層と、
前記第1半導体層とは導電型の異なる第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
を含み、
前記第2基体に前記発光素子を実装する工程では、
前記積層体と前記第2基体との間において第1導電部材を介して前記第1柱状部と前記第2基体とを電気的に接続し、前記積層体と前記第2基体との間において第2導電部材を介して前記第2柱状部と前記第2基体とを電気的に接続する。
1.1. 発光装置
まず、第1実施形態に係る発光装置について図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す断面図である。
縁層6とバッファー層121との間、および絶縁層129とバッファー層121との間に設けられている。マスク層122は、例えば、チタン層、酸化チタン層、酸化シリコン層などである。マスク層122は、バッファー層121に、第1半導体層124、発光層126、第2半導体層128を選択的に成長させて柱状部102a,102b,102cを形成するためのマスクとなる層である。
光Lcが第1基体110を透過して出射される。
膜厚の和である。
部102cの発光層126に電流を注入するための他方の電極である。
H8a,H8b,H8cは、導電部材8a,8b,8cの積層方向の大きさである。
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図2は、第1実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図3〜図5は、第1実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
法などが挙げられる。
される。
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法の変形例について説明する。上述した実施形態では、第1絶縁層5を形成した後に、第1絶縁層5をマスクとして導電部材8a,8b,8c,8dを形成した。これに対して、本変形例では、導電部材8a,8b,8c,8dを形成した後に、第1絶縁層5を形成する。以下では、上述した図2に示す第1実施形態に発光装置の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
2.1. 発光装置
次に、第2実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図9は、第2実施形態に係る発光装置200を模式的に示す断面図である。以下、第2実施形態に係る発光装置200において、上述した第1実施形態に係る発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、第2実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図10は、第2実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図11は、第2実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図である。以下では、上述した図2に示す第1実施形態に発光装置の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
次に、第2実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例について説明する。上述した「1.3. 変形例」で説明した第1実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例は、第2実施形態に係る発光装置の製造方法にも適用可能である。
ペーストは、例えば、印刷法により同時に形成される。次に、導電性ペーストを焼成する。これにより、導電部材208a,208b,208c,208dが形成される。
3.1. 発光装置
次に、第3実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図15は、第3実施形態に係る発光装置300を模式的に示す断面図である。以下、第3実施形態に係る発光装置300において、上述した第1実施形態に係る発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、第3実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図16は、第3実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図17は、第3実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図である。以下では、上述した図2に示す第1実施形態に発光装置の製造方法と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
次に、第4実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図18は、第4実施形態に係るプロジェクター400を模式的に示す図である。なお、便宜上、図18では、プロジェクター400を構成する筐体を省略して図示している。
Claims (9)
- 第1基体、および前記第1基体に設けられた積層体を含む発光素子と、
前記発光素子が設けられている第2基体と、
を含み、
前記積層体は、
第1半導体層と、
前記第1半導体層とは導電型の異なる第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
を含み、
前記積層体は、
第1の高さを有する第1柱状部と、
前記第1の高さよりも小さい第2の高さを有する第2柱状部と、
を含み、
前記積層体と前記第2基体との間において、第1導電部材を介して、前記第1柱状部と前記第2基体とが電気的に接続され、
前記積層体と前記第2基体との間において、第2導電部材を介して、前記第2柱状部と前記第2基体とが電気的に接続され、
前記第1導電部材は、第3の高さを有し、
前記第2導電部材は、前記第3の高さよりも大きい第4の高さを有している、発光装置。 - 請求項1において、
前記第1柱状部および前記第2柱状部は、前記第1半導体層、前記第2半導体層、および前記発光層を含む、発光装置。 - 請求項1または2において、
前記第1基体と前記第2基体との間には、第1絶縁層が設けられ、
前記第1絶縁層に設けられた第1開口部に、前記第1導電部材が設けられ、
前記第1絶縁層に設けられた第2開口部に、前記第2導電部材が設けられている、発光
装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記第1柱状部と前記第2柱状部との間には、第2絶縁層が設けられている、発光装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記第1柱状部において前記発光層が発する光の波長と前記第2柱状部において前記発光層が発する光の波長とは、異なる、発光装置。 - 請求項1ないし5のいずれか1項において、
前記第2基体は、基板である、発光装置。 - 請求項6において、
前記第2基体に、第1配線および第2配線が設けられ、
前記第1導電部材を介して、前記第1配線と、前記第1柱状部と、が電気的に接続され、
前記第2導電部材を介して、前記第2配線と、前記第2柱状部と、が電気的に接続されている、発光装置。 - 第1の高さを有する第1柱状部と、前記第1の高さよりも小さい第2の高さを有する第2柱状部と、を含む積層体を第1基体に形成して発光素子を形成する工程と、
前記第1柱状部上に第3の高さを有する第1導電部材を形成し、前記第2柱状部上に前記第3の高さよりも大きい第4の高さを有する第2導電部材を形成する工程と、
第2基体に前記発光素子を実装する工程と、
を含み、
前記積層体は、
第1半導体層と、
前記第1半導体層とは導電型の異なる第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで光を発することが可能な発光層と、
を含み、
前記第2基体に前記発光素子を実装する工程では、
前記積層体と前記第2基体との間において第1導電部材を介して前記第1柱状部と前記第2基体とを電気的に接続し、前記積層体と前記第2基体との間において第2導電部材を介して前記第2柱状部と前記第2基体とを電気的に接続する、発光装置の製造方法。 - 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の発光装置を含む、プロジェクター。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017248943A JP6988460B2 (ja) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター |
US16/228,871 US11081519B2 (en) | 2017-12-26 | 2018-12-21 | Light emitting device, projector, and method of manufacturing light emitting device |
EP18215349.4A EP3506354B1 (en) | 2017-12-26 | 2018-12-21 | Light emitting device, and method of manufacturing light emitting device |
CN201811588200.8A CN110034222B (zh) | 2017-12-26 | 2018-12-25 | 发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017248943A JP6988460B2 (ja) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019114739A JP2019114739A (ja) | 2019-07-11 |
JP2019114739A5 JP2019114739A5 (ja) | 2020-11-26 |
JP6988460B2 true JP6988460B2 (ja) | 2022-01-05 |
Family
ID=64901368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017248943A Active JP6988460B2 (ja) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11081519B2 (ja) |
EP (1) | EP3506354B1 (ja) |
JP (1) | JP6988460B2 (ja) |
CN (1) | CN110034222B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019200328A (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | セイコーエプソン株式会社 | プロジェクター |
JP7232465B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-03-03 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP7232464B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-03-03 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP2022542736A (ja) * | 2019-07-26 | 2022-10-07 | 泉州三安半導体科技有限公司 | 発光装置パッケージデバイス及びディスプレイ装置 |
JP6966144B1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-11-10 | 国立大学法人福井大学 | 光ビーム放射装置およびそれを用いた光ビーム投影装置 |
JP2022073095A (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003158296A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光デバイスチップとその製造方法 |
US20070170444A1 (en) | 2004-07-07 | 2007-07-26 | Cao Group, Inc. | Integrated LED Chip to Emit Multiple Colors and Method of Manufacturing the Same |
JP5097460B2 (ja) | 2007-06-26 | 2012-12-12 | パナソニック株式会社 | 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
JP5309386B2 (ja) * | 2007-08-20 | 2013-10-09 | 国立大学法人北海道大学 | 半導体発光素子アレー、その製造方法、及び光送信機器 |
JP5145120B2 (ja) | 2008-05-26 | 2013-02-13 | パナソニック株式会社 | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体発光素子の製造方法 |
CN103022282B (zh) * | 2008-07-07 | 2016-02-03 | 格罗有限公司 | 纳米结构led |
BRPI0823194A2 (pt) | 2008-10-17 | 2015-06-23 | Univ Hokkaido Nat Univ Corp | Arranjo de elementos emissores de luz semicondutores e método em fabricação do mesmo |
JP2010166036A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-07-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および表示装置 |
JP5299251B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2013-09-25 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP2012204373A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
CN102903804B (zh) * | 2011-07-25 | 2015-12-16 | 财团法人工业技术研究院 | 发光元件的转移方法以及发光元件阵列 |
US9306117B2 (en) * | 2011-07-25 | 2016-04-05 | Industrial Technology Research Institute | Transfer-bonding method for light emitting devices |
JP2014072278A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 発光素子の製造方法、その装置および発光素子 |
KR102022266B1 (ko) * | 2013-01-29 | 2019-09-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 제조방법 |
DE112015004543T5 (de) * | 2014-10-01 | 2017-06-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Lichtemittierendes Element und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Elements |
KR101688160B1 (ko) * | 2015-01-27 | 2016-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
EP3453050B1 (en) * | 2016-05-04 | 2022-06-15 | Nanosys, Inc. | Light emitting device containing different color leds and method of making an array of such light emitting devices |
-
2017
- 2017-12-26 JP JP2017248943A patent/JP6988460B2/ja active Active
-
2018
- 2018-12-21 EP EP18215349.4A patent/EP3506354B1/en active Active
- 2018-12-21 US US16/228,871 patent/US11081519B2/en active Active
- 2018-12-25 CN CN201811588200.8A patent/CN110034222B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019114739A (ja) | 2019-07-11 |
CN110034222A (zh) | 2019-07-19 |
CN110034222B (zh) | 2023-08-11 |
US20190198560A1 (en) | 2019-06-27 |
EP3506354B1 (en) | 2023-12-20 |
EP3506354A1 (en) | 2019-07-03 |
US11081519B2 (en) | 2021-08-03 |
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|
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