JP6984511B2 - After heater - Google Patents

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Description

本発明は、高周波誘導加熱方式による単結晶育成に用いられるアフターヒーターに関する。 The present invention relates to an afterheater used for growing a single crystal by a high frequency induction heating method.

タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の単結晶の育成方法としては、結晶引き上げ法が挙げられる、例えば、原料を充填したルツボを高周波誘導加熱方式により加熱して原料を溶融した後に、原料融液の表面へ、ある結晶方位に従って切り出された種結晶と呼ばれる単結晶の先端を接触させ、続いて種結晶を回転させつつ上昇させながら原料融液を引き上げると共に固化させることで、種結晶の性質を伝播しながら大口径化して単結晶の育成を行うチョクラルスキー法が広く普及している。 Examples of the method for growing single crystals such as lithium tantalate and lithium niobate include a crystal pulling method. For example, a rutsubo filled with a raw material is heated by a high-frequency induction heating method to melt the raw material, and then the raw material melt is used. The properties of the seed crystal are propagated by contacting the surface with the tip of a single crystal called a seed crystal cut out according to a certain crystal orientation, and then pulling up and solidifying the raw material melt while rotating and raising the seed crystal. However, the chokralski method, which grows a single crystal by increasing the diameter, is widely used.

単結晶の育成では、投入した原料からできるだけ長尺の単結晶を育成して固化率（投入した原料重量に対する育成された単結晶の重量比）を大きくした方が経済的である。しかし、長尺の単結晶を育成すると、多結晶化しやすい課題がある。 In the growth of a single crystal, it is more economical to grow a single crystal as long as possible from the charged raw material to increase the solidification rate (the weight ratio of the grown single crystal to the weight of the charged raw material). However, growing a long single crystal has a problem that it tends to be polycrystallized.

多結晶化の原因として、育成中の結晶内部の温度差に起因した熱ひずみが考えられる。また、結晶育成中の結晶と融液の固液界面形状が不安定となり、育成中の結晶内部に欠陥が導入されることが、多結晶化の原因として考えられる。 The cause of polycrystallization is considered to be thermal strain caused by the temperature difference inside the crystal during growth. Further, it is considered that the cause of polycrystallization is that the solid-liquid interface shape between the crystal being grown and the melt becomes unstable and defects are introduced inside the crystal being grown.

育成中の結晶内部の温度差を低減させるためには、引上げられた結晶が位置する原料融液の上方の温度差(温度勾配)を小さくすることが有効である。しかし、結晶育成中の固液界面では、結晶化に伴う固化潜熱が発生するため、固化潜熱を結晶成長界面から放出することが、結晶育成を進行させるためには重要である。そのため、原料融液の上方は、温度差が均一の場合には固化潜熱が放出されにくいおそれがあるため、ある程度の温度勾配が必要となる。 In order to reduce the temperature difference inside the crystal during growth, it is effective to reduce the temperature difference (temperature gradient) above the raw material melt in which the pulled crystal is located. However, since latent heat of solidification is generated at the solid-liquid interface during crystal growth, it is important to release the latent heat of solidification from the crystal growth interface in order to proceed with crystal growth. Therefore, if the temperature difference is uniform, the latent heat of solidification may not be easily released above the raw material melt, so that a certain temperature gradient is required.

また、固液界面の形状は、熱が逃げる方向（熱流速ベクトル）に垂直方向に形成される。そのため、結晶の外周方向に熱が逃げた場合には、固液界面の形状は融液下方に対して凹形状となり、結晶成長に伴い伝播する転位が結晶内で集積し多結晶化するおそれがある。そこで、育成中の結晶の外周部を加熱し、外周方向へ熱が逃げることを抑制し、熱流束ベクトルを結晶の引上げ方向に一致させるような温度分布とすることが重要である。 Further, the shape of the solid-liquid interface is formed in the direction perpendicular to the direction in which heat escapes (heat flow velocity vector). Therefore, when heat escapes toward the outer periphery of the crystal, the shape of the solid-liquid interface becomes concave with respect to the lower part of the melt, and there is a risk that dislocations propagating with crystal growth will accumulate in the crystal and polycrystallize. be. Therefore, it is important to heat the outer peripheral portion of the crystal being grown, suppress heat from escaping in the outer peripheral direction, and make the temperature distribution so that the heat flux vector coincides with the pulling direction of the crystal.

そこで、チョクラルスキー法に代表される結晶引上げ法においては、原料融液上方の空間の温度勾配を制御するために、アフターヒーターが使用されるのが一般的である（例えば、特許文献１）。そして、アフターヒーター形状をドーム状やテーパー形状とすることで、結晶育成に適した温度勾配を作り込むことが行われている（例えば、特許文献２）。また、アフターヒーターとルツボの直径比を規定する方法も提案されている（例えば、特許文献３）。 Therefore, in the crystal pulling method represented by the Czochralski method, an afterheater is generally used to control the temperature gradient of the space above the raw material melt (for example, Patent Document 1). .. Then, by making the afterheater shape a dome shape or a tapered shape, a temperature gradient suitable for crystal growth is created (for example, Patent Document 2). Further, a method of defining the diameter ratio between the afterheater and the crucible has also been proposed (for example, Patent Document 3).

特開昭６３−５０３９０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-50390 特開昭５４−１２８９８７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 54-128987 特開平７−１８７８８０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-187880 特開２０１４−０５５３２５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-0553225

これらの方法により、アフターヒーターが原料融液上方の空間の温度勾配を制御することで、多結晶化を抑制することができ、単結晶の育成が可能となった。しかしながら、イリジウム製またはイリジウム合金製のアフターヒーターを用いて単結晶の育成を繰り返すと、イリジウムの酸化と昇華によりアフターヒーターが徐々に消耗する場合がある。この消耗に伴うアフターヒーター上部の板厚の減滅に伴い、高周波誘導加熱方式によるアフターヒーターの発熱挙動が変わることで徐々に原料融液上方の空間の温度勾配が変化し、単結晶化率（歩留まり）が低下する現象が見られた。 By these methods, the afterheater controls the temperature gradient of the space above the raw material melt, so that polycrystallization can be suppressed and single crystals can be grown. However, when the growth of a single crystal is repeated using an afterheater made of iridium or an iridium alloy, the afterheater may be gradually consumed due to the oxidation and sublimation of iridium. As the thickness of the upper part of the afterheater decreases due to this wear, the heat generation behavior of the afterheater by the high frequency induction heating method changes, and the temperature gradient of the space above the raw material melt gradually changes, resulting in a single crystallization rate (single crystallization rate). A phenomenon was observed in which the yield) decreased.

歩留まりを回復させるためには、消耗したアフターヒーターを交換することが有効であり、これにより原料融液上方の空間の温度分布を元に戻すことで、歩留まりを元に戻すことが出来る。しかしながら、イリジウムやイリジウム合金で形成されているアフターヒーターは高価であり、歩留まり向上と比較すると費用対効果が悪いという問題があった。 In order to recover the yield, it is effective to replace the exhausted afterheater, and by doing so, the temperature distribution in the space above the raw material melt can be restored to restore the yield. However, the afterheater made of iridium or an iridium alloy is expensive, and has a problem that it is not cost-effective as compared with the improvement of the yield.

本発明は、上記事情に鑑み、単結晶化率の低下を安価に防止することで、安価に単結晶を供給できるアフターヒーターを提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide an afterheater capable of supplying a single crystal at a low cost by preventing a decrease in the single crystal rate at a low cost.

上記課題を解決するため、本発明のアフターヒーターは、イリジウム製またはイリジウム合金製の第１円筒部と、イリジウム製またはイリジウム合金製の第２円筒部と、を備え、前記第２円筒部の下端部は、前記第１円筒部の上端部に載置され、前記第１円筒部の内周面と前記第２円筒部の内周面が面一であり、前記第１円筒部の外周面と前記第２円筒部の外周面が面一である。 In order to solve the above problems, the after-heater of the present invention includes a first cylindrical portion made of iridium or an iridium alloy and a second cylindrical portion made of iridium or an iridium alloy, and the lower end of the second cylindrical portion. The portion is placed on the upper end portion of the first cylindrical portion, the inner peripheral surface of the first cylindrical portion and the inner peripheral surface of the second cylindrical portion are flush with each other, and the outer peripheral surface of the first cylindrical portion. The outer peripheral surface of the second cylindrical portion is flush with each other.

前記第１円筒部の円筒の高さと、前記第２円筒部の円筒の高さとの比が、９５：５〜７０：３０であってもよい。 The ratio of the height of the cylinder of the first cylinder portion to the height of the cylinder of the second cylinder portion may be 95: 5 to 70:30.

前記第１円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下であり、前記第２円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下であり、前記第１円筒部の円筒厚みおよび前記第２円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下であってもよい。 The difference between the maximum value and the minimum value of the cylinder thickness of the first cylinder portion is 0.5 mm or less, and the difference between the maximum value and the minimum value of the cylinder thickness of the second cylinder portion is 0.5 mm or less. The difference between the maximum value and the minimum value of the cylinder thickness of the first cylindrical portion and the cylindrical thickness of the second cylindrical portion may be 0.5 mm or less.

前記第２円筒部の下端部は、凹部または凸部を有し、前記第１円筒部の上端部は、前記第２円筒部の下端部にある凹部または凸部に対応する凸部または凹部を有してもよい。 The lower end portion of the second cylindrical portion has a concave portion or a convex portion, and the upper end portion of the first cylindrical portion has a convex portion or a concave portion corresponding to the concave portion or the convex portion at the lower end portion of the second cylindrical portion. You may have.

本発明によれば、単結晶化率の低下を安価に防止することで、安価に単結晶を供給できるアフターヒーターを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an afterheater capable of supplying a single crystal at a low cost by preventing a decrease in the single crystal formation rate at a low cost.

本発明のアフターヒーターの概略斜視断面図である。It is a schematic perspective sectional view of the after heater of this invention. 第２円筒部の下端部の形状と第１円筒部の上端部の形状の一例を示す概略断面図である。It is schematic cross-sectional view which shows an example of the shape of the lower end part of the 2nd cylinder part and the shape of the upper end part of a 1st cylinder part. 本発明のアフターヒーターを備える単結晶育成装置の一例を示す断面模式図である。It is sectional drawing which shows an example of the single crystal growth apparatus provided with the after heater of this invention.

以下、本発明の一実施形態にかかるアフターヒーターについて説明する。 Hereinafter, the afterheater according to the embodiment of the present invention will be described.

本発明のアフターヒーターは、イリジウム製またはイリジウム合金製の第１円筒部と、イリジウム製またはイリジウム合金製の第２円筒部とを備え、第２円筒部の下端部は、第１円筒部の上端部に載置される。すなわち、第１円筒部の上に第２円筒部が乗せられて、アフターヒーターとなる。 The afterheater of the present invention includes a first cylindrical portion made of iridium or an iridium alloy and a second cylindrical portion made of iridium or an iridium alloy, and the lower end portion of the second cylindrical portion is the upper end portion of the first cylindrical portion. It is placed in the department. That is, the second cylindrical portion is placed on the first cylindrical portion to serve as an afterheater.

例えば、タンタル酸リチウム等の単結晶を育成する際には、育成中の単結晶はタンタル酸リチウムの融点（１６５０℃）に近い温度であるため、アフターヒーターとしてはより融点が高い耐熱金属材料が用いられる。具体的には、イリジウム製や、イリジウムと白金との合金製のアフターヒーターが用いられる。イリジウムは、融点が２４４３℃と高く、不活性ガス雰囲気では高温でも安定である。 For example, when growing a single crystal such as lithium tantalate, the temperature of the growing single crystal is close to the melting point of lithium tantalate (1650 ° C.), so that a heat-resistant metal material having a higher melting point is used as an afterheater. Used. Specifically, an afterheater made of iridium or an alloy of iridium and platinum is used. Iridium has a high melting point of 2443 ° C. and is stable even at high temperatures in an inert gas atmosphere.

ただし、高周波誘導加熱方式により加熱する場合、対象物の端部に発熱が集中しやすく、特にアフターヒーターの場合は上端部に発熱が集中する。この状態で、タンタル酸リチウムを育成するために単結晶育成装置の炉内の雰囲気が酸化雰囲気である場合、イリジウムはより蒸気圧が高い酸化物へ酸化され、やがて昇華してしまう。例えば、高温酸化雰囲気では、イリジウム酸化物が生成し、１０９６℃以上で生成したＩｒＯ２が主にＩｒＯ３となって揮発する場合がある（例えば、特許文献４）。 However, when heating by the high frequency induction heating method, heat generation tends to concentrate on the end portion of the object, and particularly in the case of an after heater, heat generation concentrates on the upper end portion. In this state, if the atmosphere in the furnace of the single crystal growing apparatus for growing lithium tantalate is an oxidizing atmosphere, iridium is oxidized to an oxide having a higher vapor pressure and is eventually sublimated. For example, in a high-temperature oxidizing atmosphere, iridium oxide may be generated, and IrO 2 produced at 1096 ° C. or higher may mainly become IrO 3 and volatilize (for example, Patent Document 4).

そのため、単結晶の育成を繰り返すごとに昇華がおこり、特に発熱が集中するアフターヒーターの上端部が優先して消耗してしまい、薄膜化してしまう。高周波誘導加熱方式では、誘導電流の電気抵抗によりアフターヒーターを発熱させるため、昇華により薄くなった上端部の電気抵抗が上昇し、発熱が促進されより昇華が起こることになる。つまり、アフターヒーターの上端部は、単結晶の育成を繰り返すごとに薄くなる。 Therefore, sublimation occurs every time the growth of a single crystal is repeated, and the upper end portion of the afterheater, in which heat generation is particularly concentrated, is preferentially consumed and becomes a thin film. In the high-frequency induction heating method, since the afterheater is heated by the electric resistance of the induced current, the electric resistance of the upper end portion thinned by sublimation increases, the heat generation is promoted, and further sublimation occurs. That is, the upper end of the afterheater becomes thinner as the growth of the single crystal is repeated.

このような状態でアフターヒーターを使い続けると、アフターヒーター上端部の発熱量がますます増加していく方向に変化し、融液上方の温度勾配は小さくなっていく。そのため、当初設計した温度勾配からずれが生じる。このずれを補正するために、例えば高周波誘導コイルと、発熱体であるルツボ、リフレクター、アフターヒーター等の位置関係を変化させる方法が有効である。発熱体中の磁場分布を変化させるべく発熱分布を操作することで、発熱体の形状変化に伴う温度勾配の変化を極小として、育成中の単結晶への影響を抑えることが出来る。 If the afterheater is continued to be used in such a state, the calorific value at the upper end of the afterheater changes in the direction of increasing, and the temperature gradient above the melt becomes smaller. Therefore, there is a deviation from the originally designed temperature gradient. In order to correct this deviation, for example, a method of changing the positional relationship between the high frequency induction coil and the heating element such as a crucible, a reflector, and an afterheater is effective. By manipulating the heat generation distribution to change the magnetic field distribution in the heating element, it is possible to minimize the change in the temperature gradient due to the change in the shape of the heating element and suppress the influence on the growing single crystal.

しかし、この方法でも調整の限界が生じ、単結晶の育成が出来なくなる。そのため、従来はアフターヒーターを交換し、発熱分布を当初の状態に戻すことで歩留まりの確保が行われている。ただし、イリジウム製やイリジウム合金製のアフターヒーターは高価であるため、アフターヒーターの交換には非常に大きなコストがかかり経済的ではない。 However, even with this method, there is a limit to the adjustment, and it becomes impossible to grow a single crystal. Therefore, conventionally, the yield is secured by replacing the after heater and returning the heat generation distribution to the initial state. However, since afterheaters made of iridium or iridium alloy are expensive, replacement of the afterheater is very costly and uneconomical.

アフターヒーターを交換すること以外に、単結晶育成装置の耐火物の構成を変更することで、融液上方の温度勾配を制御することが考えられる。しかしながら、耐火物の構成の変更により急激な温度勾配の変化が生じる場合があるため、構成の変更後の単結晶育成が困難となるおそれがある。 In addition to replacing the afterheater, it is conceivable to control the temperature gradient above the melt by changing the configuration of the refractory of the single crystal growing device. However, since a sudden change in temperature gradient may occur due to a change in the composition of the refractory, it may be difficult to grow a single crystal after the change in the composition.

本発明者らは、アフターヒーターの上端部が消耗して優先的に薄くなることにより、上端部の発熱量がより大きくなって、融液上方の温度勾配が変化することに着目した。すなわち、本発明のアフターヒーターであれば、第１円筒部の上に第２円筒部が乗せられる構成となっているため、消耗した上端部を有する第２円筒部のみを交換し、第１円筒部はそのまま利用することができる。このようにすることで、アフターヒーターの部分的な交換で足りるため経済的であり、かつ、融液上方の温度分布を常に調整可能な範囲内に収めることができる。 The present inventors have focused on the fact that the upper end of the afterheater is consumed and preferentially thinned, so that the amount of heat generated at the upper end becomes larger and the temperature gradient above the melt changes. That is, since the afterheater of the present invention has a configuration in which the second cylinder portion is placed on the first cylinder portion, only the second cylinder portion having the worn upper end portion is replaced and the first cylinder portion is replaced. The part can be used as it is. By doing so, it is economical because partial replacement of the afterheater is sufficient, and the temperature distribution above the melt can always be kept within an adjustable range.

本発明のアフターヒーターにおいて、第１円筒部の内周面と第２円筒部の内周面が面一である。高周波誘導加熱方式によりアフターヒーターを加熱する場合、アフターヒーターの端部に発熱が集中しやすくなる。そこで、内周面において端部があることで発熱が集中しないよう、第１円筒部の内周面と第２円筒部の内周面を面一とする。 In the afterheater of the present invention, the inner peripheral surface of the first cylindrical portion and the inner peripheral surface of the second cylindrical portion are flush with each other. When the afterheater is heated by the high frequency induction heating method, heat generation tends to concentrate on the end of the afterheater. Therefore, the inner peripheral surface of the first cylindrical portion and the inner peripheral surface of the second cylindrical portion are made flush with each other so that heat generation is not concentrated due to the presence of the end portion on the inner peripheral surface.

また、本発明のアフターヒーターにおいて、上記した内周面の場合と同様に、外周面においても端部があることで発熱が集中しないよう、第１円筒部の外周面と第２円筒部の外周面を面一とする。 Further, in the after-heater of the present invention, as in the case of the inner peripheral surface described above, the outer peripheral surface of the first cylindrical portion and the outer peripheral surface of the second cylindrical portion are prevented from concentrating heat generation due to the presence of the end portion on the outer peripheral surface. Make the surface flush.

本発明のアフターヒーターにおいて、第１円筒部の円筒の高さと、第２円筒部の円筒の高さとの比が、９５：５〜７０：３０であることが好ましい。アフターヒーターの上端部が消耗するために、融液上方の温度勾配を調整可能な限度を超える段階まで単結晶の育成の繰り返し数が達した前後において、第２円筒部は交換することが前提となる。また、第１円筒部は、交換した新品の第２円筒部が載置されることで継続して使用される。そのため、第２円筒部の円筒の高さが低いほど、交換するイリジウムの量が少なくなるため、経済的である。 In the afterheater of the present invention, the ratio of the height of the cylinder of the first cylinder portion to the height of the cylinder of the second cylinder portion is preferably 95: 5 to 70:30. Since the upper end of the afterheater is consumed, it is assumed that the second cylindrical part will be replaced before and after the number of repetitions of single crystal growth reaches the stage where the temperature gradient above the melt exceeds the adjustable limit. Become. Further, the first cylindrical portion is continuously used by placing the replaced new second cylindrical portion on it. Therefore, the lower the height of the cylinder of the second cylinder portion, the smaller the amount of iridium to be exchanged, which is economical.

すなわち、単結晶の育成条件にもよるが、アフターヒーターの消耗する領域は、最も消耗する上端部から、円筒の高さ方向において下へ向かって円筒の高さの５％〜３０％程度である。つまり、第１円筒部の円筒の高さと、第２円筒部の円筒の高さとの比が、９５：５〜７０：３０であることにより、アフターヒーターの消耗部分を確実に交換できると共に、交換するイリジウム量が少なくなるため、経済的である。かかる比が、９５：５〜７０：３０の範囲内とならない場合には、アフターヒーターの消耗部分を全て交換できないことで、融液上方の温度勾配に不具合が生じて単結晶が育成できないおそれや、アフターヒーターの消耗していない部分まで交換することとなって不経済となるおそれがある。第１円筒部の円筒の高さと、第２円筒部の円筒の高さとの比が、９０：１０〜８０：２０であれば、単結晶の種々の育成条件に柔軟に対応でき、経済的であるため、より好ましい。 That is, although it depends on the growing conditions of the single crystal, the area where the afterheater is consumed is about 5% to 30% of the height of the cylinder downward from the upper end where the afterheater is consumed most in the height direction of the cylinder. .. That is, since the ratio of the height of the cylinder of the first cylinder portion to the height of the cylinder of the second cylinder portion is 95: 5 to 70:30, the consumable part of the afterheater can be reliably replaced and replaced. It is economical because the amount of iridium is reduced. If such a ratio is not within the range of 95: 5 to 70:30, all the consumable parts of the afterheater cannot be replaced, which may cause a problem in the temperature gradient above the melt and prevent single crystals from growing. , There is a risk that it will be uneconomical to replace the part of the afterheater that is not consumed. If the ratio of the height of the cylinder of the first cylinder to the height of the cylinder of the second cylinder is 90: 10 to 80:20, it is economical because it can flexibly cope with various growing conditions of a single crystal. Therefore, it is more preferable.

本発明のアフターヒーターにおいて、前記第１円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下であり、前記第２円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下であり、前記第１円筒部の円筒厚みおよび前記第２円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下であることが好ましい。単結晶の育成回数が増えることでイリジウムが消耗していくことにより、アフターヒーターの円筒厚みが変わることで融液上方の温度勾配が変わってしまう。ただし、厚みの差がこれらの範囲内であれば、高周波誘導コイル、ルツボ、リフレクターおよびアフターヒーター等の位置関係を変化させることで発熱分布を操作することにより、単結晶を問題なく育成することができる。 In the afterheater of the present invention, the difference between the maximum value and the minimum value of the cylindrical thickness of the first cylindrical portion is 0.5 mm or less, and the difference between the maximum value and the minimum value of the cylindrical thickness of the second cylindrical portion is. It is preferably 0.5 mm or less, and the difference between the maximum value and the minimum value of the cylindrical thickness of the first cylindrical portion and the cylindrical thickness of the second cylindrical portion is preferably 0.5 mm or less. As the number of times a single crystal grows increases, iridium is consumed, and the thickness of the cylinder of the afterheater changes, so that the temperature gradient above the melt changes. However, if the difference in thickness is within these ranges, it is possible to grow a single crystal without problems by manipulating the heat generation distribution by changing the positional relationship of the high frequency induction coil, crucible, reflector, afterheater, etc. can.

また、本発明の新品のアフターヒーターの円筒厚みは、ワークコイルとアフターヒーターの距離により発熱量は変化するが、例えば通常の育成条件を考慮すれば、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍであればよく、単結晶の育成の連続数やイリジウムの原料費、アフターヒーターの交換コストを考慮すると、０．８ｍｍ〜１．２ｍｍの円筒厚みのものを使用することが好ましい。 The calorific value of the new afterheater of the present invention varies depending on the distance between the work coil and the afterheater, but may be 0.5 mm to 1.5 mm, for example, considering normal growing conditions. Considering the number of continuous growth of single crystals, the raw material cost of iridium, and the replacement cost of the afterheater, it is preferable to use a coil having a cylindrical thickness of 0.8 mm to 1.2 mm.

本発明のアフターヒーターにおいて、第２円筒部の下端部は、第１円筒部の上端部に載置するところ、第２円筒部の下端部と第１円筒部の上端部のいずれも円筒高さ方向と直交する方向において平滑な円筒断面であっても、載置のズレにより発熱が集中する端部が生じなければ、単結晶を問題なく育成することができる。ただし、本発明のアフターヒーターにおいて、第２円筒部の下端部は、凹部または凸部を有し、第１円筒部の上端部は、第２円筒部の下端部にある凹部または凸部に対応する凸部または凹部を有することが好ましい。第２円筒部の下端部と第１円筒部の上端部とが対応した形状となっていることにより、載置のズレがより発生し難くなるため、より安定して単結晶の育成を繰り返すことができる。 In the afterheater of the present invention, the lower end of the second cylindrical portion is placed on the upper end of the first cylinder, and both the lower end of the second cylinder and the upper end of the first cylinder have a cylindrical height. Even if the cross section of the cylinder is smooth in the direction orthogonal to the direction, a single crystal can be grown without any problem as long as the end portion where heat generation is concentrated is not generated due to the displacement of the placement. However, in the afterheater of the present invention, the lower end portion of the second cylindrical portion has a concave portion or a convex portion, and the upper end portion of the first cylindrical portion corresponds to the concave portion or the convex portion at the lower end portion of the second cylindrical portion. It is preferable to have a convex portion or a concave portion to be formed. Since the lower end of the second cylinder and the upper end of the first cylinder correspond to each other, it is less likely that the placement will be displaced, so that the growth of the single crystal will be repeated more stably. Can be done.

なお、第２円筒部の下端部や第１円筒部の上端部が凹部形状または凸部形状である場合には、これらの端部があることにより、第１円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差や、第２円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差、第１円筒部の円筒厚みおよび第２円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下とならない場合がある。ただし、第１円筒部へ第２円筒部が載置された状態で、融液上方の温度勾配に不具合が生じることがなく、単結晶の育成を安定して繰り返すことができるように、アフターヒーター全体として上記したこれらの０．５ｍｍ以下の差であれば足りる。 When the lower end of the second cylinder and the upper end of the first cylinder have a concave shape or a convex shape, the presence of these ends causes the maximum value of the cylinder thickness of the first cylinder. The difference from the minimum value, the difference between the maximum and minimum values of the cylinder thickness of the second cylinder, the difference between the maximum and minimum values of the cylinder thickness of the first cylinder and the second cylinder, is 0. It may not be less than 5.5 mm. However, in the state where the second cylindrical portion is placed on the first cylindrical portion, the afterheater can stably repeat the growth of the single crystal without causing a problem in the temperature gradient above the melt. As a whole, a difference of 0.5 mm or less as described above is sufficient.

以下、本発明の一実施形態にかかるアフターヒーターについて、図面を参照しつつ、より具体的に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変更可能である。 Hereinafter, the after-heater according to the embodiment of the present invention will be described more specifically with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following examples, and can be arbitrarily modified without departing from the gist of the present invention.

図１は、本発明のアフターヒーターの概略斜視断面図であり、アフターヒーター１００の中心軸を通るように高さＨの方向に切断したものを図示している。イリジウム製またはイリジウム合金製のアフターヒーター１００は、円筒形状の第１円筒部１１０と、円筒形状の第２円筒部１２０を備えており、第２円筒部１２０の下端部１２１が、第１円筒部１１０の上端部１１１に載置されている。 FIG. 1 is a schematic perspective sectional view of the afterheater of the present invention, which is cut in the direction of height H so as to pass through the central axis of the afterheater 100. The afterheater 100 made of iridium or an iridium alloy includes a first cylindrical portion 110 having a cylindrical shape and a second cylindrical portion 120 having a cylindrical shape, and the lower end portion 121 of the second cylindrical portion 120 is a first cylindrical portion. It is mounted on the upper end portion 111 of the 110.

酸化雰囲気において高周波誘導加熱方式によりアフターヒーター１００を加熱すると、第２円筒部１２０の上端部１２２に発熱が集中しやすく、イリジウムが酸化物となって昇華してしまい、上端部１２２から下端部１２１へ向かって第２円筒部１２０が徐々に薄膜化する。 When the afterheater 100 is heated by the high frequency induction heating method in an oxidizing atmosphere, heat generation tends to concentrate on the upper end 122 of the second cylindrical portion 120, iridium becomes an oxide and sublimates, and the upper end 122 to the lower end 121 The second cylindrical portion 120 is gradually thinned toward.

一方で、第１円筒部１１０は、第２円筒部１２０の上端部１２２から離れているため、発熱の集中の影響を受けにくく、単結晶の育成条件にもよるが、薄膜化し難い。なお、第１円筒部１１０の下端部１１２は、未図示のリフレクターに乗せられることで、アフターヒーター１００はリフレクターに載置される。 On the other hand, since the first cylindrical portion 110 is separated from the upper end portion 122 of the second cylindrical portion 120, it is not easily affected by the concentration of heat generation, and it is difficult to make a thin film depending on the growing conditions of the single crystal. The lower end 112 of the first cylindrical portion 110 is placed on a reflector (not shown), so that the afterheater 100 is placed on the reflector.

従来のアフターヒーターであれば、融液上方の温度勾配のずれを回復させるべく、アフターヒーターをそっくり交換するところ、本発明のアフターヒーター１００であれば、消耗により薄膜化した第２円筒部１２０を新品に交換すれば、引き続き単結晶を育成することができる。 In the case of the conventional afterheater, the afterheater is completely replaced in order to recover the deviation of the temperature gradient above the melt. However, in the case of the afterheater 100 of the present invention, the second cylindrical portion 120 thinned due to wear is used. If you replace it with a new one, you can continue to grow single crystals.

アフターヒーター１００は、第１円筒部１１０の内周面１１３と第２円筒部１２０の内周面１２３の間に段差が無くフラットな状態、すなわち面一である。同様に、第１円筒部１１０の外周面１１４と第２円筒部１２０の外周面１２４が面一である。 The afterheater 100 is in a flat state with no step between the inner peripheral surface 113 of the first cylindrical portion 110 and the inner peripheral surface 123 of the second cylindrical portion 120, that is, flush with each other. Similarly, the outer peripheral surface 114 of the first cylindrical portion 110 and the outer peripheral surface 124 of the second cylindrical portion 120 are flush with each other.

また、アフターヒーター１００の円筒の高さＨにおいて、第１円筒部１１０の円筒の高さＨ１と第２円筒部１２０の円筒の高さＨ２との比は、Ｈ１：Ｈ２＝７０：３０である。 Further, at the height H of the cylinder of the afterheater 100, the ratio of the height H1 of the cylinder of the first cylinder portion 110 to the height H2 of the cylinder of the second cylinder portion 120 is H1: H2 = 70:30. ..

次に、第１円筒部１１０の上端部１１１と第２円筒部１２０の下端部１２１の形状について説明する。図１に示すように、上端部１１１と下端部１２１のいずれも、円筒の高さＨの方向と直交する方向において平滑な円筒断面形状であってもよい。 Next, the shapes of the upper end portion 111 of the first cylindrical portion 110 and the lower end portion 121 of the second cylindrical portion 120 will be described. As shown in FIG. 1, both the upper end portion 111 and the lower end portion 121 may have a smooth cylindrical cross-sectional shape in a direction orthogonal to the direction of the height H of the cylinder.

また、図１の領域Ａを拡大した図である、上端部１１１と下端部１２１の形状の一例を示す概略断面図（図２）のように、上端部１１１の形状が下端部１２１の形状と対応する凹凸形状であってもよい。例えば、図２（ａ）に示すように、１１５ａ〜ｃの３枚のイリジウム製の板を板１１５ａと１１５ｃとの間に挟まれる板１１５ｂが凹部となるように隙間なく重ね併せて第１円筒部１１０を形成し、１２５ａ〜ｃの３枚のイリジウム製の板を板１２５ａと１２５ｃとの間に挟まれる板１２５ｂが凹部と隙間なく密着可能な凸部となるように隙間なく重ね併せて第２円筒部１２０を形成することができる。なお、上記と同様の凹部を第２円筒部１２０の下端部１２１に形成してもよく、この場合には、上記と同様の凸部を第１円筒部１１０の上端部１１１に形成してもよい。 Further, as shown in a schematic cross-sectional view (FIG. 2) showing an example of the shapes of the upper end portion 111 and the lower end portion 121, which is an enlarged view of the region A in FIG. 1, the shape of the upper end portion 111 is the shape of the lower end portion 121. It may have a corresponding uneven shape. For example, as shown in FIG. 2A, the first cylinder is made by stacking three iridium plates 115a to c with each other without a gap so that the plate 115b sandwiched between the plates 115a and 115c becomes a recess. A portion 110 is formed, and three iridium plates 125a to c are laminated without a gap so that the plate 125b sandwiched between the plates 125a and 125c becomes a convex portion that can be closely adhered to the concave portion. 2 Cylindrical portion 120 can be formed. A concave portion similar to the above may be formed in the lower end portion 121 of the second cylindrical portion 120, and in this case, a convex portion similar to the above may be formed in the upper end portion 111 of the first cylindrical portion 110. good.

また、図２（ｂ）に示すように、１１５ｄおよび１１５ｅの２枚のイリジウム製の板を板１１５ｅが板１１５ｄよりも突出するように隙間なく重ね併せて第１円筒部１１０を形成し、１２５ｄおよび１２５ｅの２枚のイリジウム製の板を板１２５ｅが板１２５ｄよりも凹むことで板１１５ｅと板１１５ｄにより形成される突出形状と隙間なく密着可能なように隙間なく重ね併せて第２円筒部１２０を形成することができる。なお、板１１５ｄが板１１５ｅよりも突出するように上端部１１１を形成してもよく、この場合には、板１２５ｄが板１２５ｅよりも凹むように下端部１２１を形成してもよい。 Further, as shown in FIG. 2 (b), two iridium plates 115d and 115e are superposed without a gap so that the plate 115e protrudes from the plate 115d to form the first cylindrical portion 110 to form 125d. The second cylindrical portion 120 is made by superimposing two iridium plates of 125e on top of each other so that the plate 125e is recessed from the plate 125d so that the plate 115e and the plate 115d can be closely adhered to each other. Can be formed. The upper end portion 111 may be formed so that the plate 115d protrudes from the plate 115e, and in this case, the lower end portion 121 may be formed so that the plate 125d is recessed from the plate 125e.

図２（ａ）、（ｂ）に例示するように、下端部１２１が凹部または凸部を有し、上端部１１１が下端部１２１の凹部または凸部に対応する凸部または凹部を有することで、単結晶育成中の第２円筒部１２０載置のズレを防止することができる。 As illustrated in FIGS. 2A and 2B, the lower end portion 121 has a concave portion or a convex portion, and the upper end portion 111 has a convex portion or a concave portion corresponding to the concave portion or the convex portion of the lower end portion 121. , It is possible to prevent the displacement of the second cylindrical portion 120 placed during the growth of the single crystal.

（単結晶育成装置）
次に、アフターヒーター１００の使用例として、アフターヒーター１００を設置した単結晶育成装置１０００について、図３の断面模式図を参照して説明する。 (Single crystal growing device)
Next, as an example of use of the afterheater 100, the single crystal growing apparatus 1000 in which the afterheater 100 is installed will be described with reference to the schematic cross-sectional view of FIG.

単結晶育成装置１０００は、第１円筒部１１０と第２円筒部１２０を備える円筒状のアフターヒーター１００およびドーナツ板状のリフレクター１５０を備える装置であり、さらに、高周波誘導加熱方式の加熱手段として加熱コイル２００、イリジウム製ルツボ３００、ルツボ３００を載置するアルミナ製の載置台４００、耐火物５００、回転機構を備えた引き上げ軸６００、炉体７００、単結晶育成装置１０００の動作を制御する不図示の制御手段、および高周波誘導コイルに高周波電力を供給するための電源を備える。なお、図３においては、タンタル酸リチウムの種結晶をＡ、タンタル酸リチウムの原料融液をＢの符号で示している。 The single crystal growing device 1000 is a device provided with a cylindrical afterheater 100 having a first cylindrical portion 110 and a second cylindrical portion 120 and a donut plate-shaped reflector 150, and is further heated as a heating means of a high frequency induction heating method. The coil 200, the crucible 300 made of iridium, the mounting table 400 made of alumina on which the crucible 300 is placed, the refractory material 500, the pulling shaft 600 equipped with a rotation mechanism, the furnace body 700, and the single crystal growing device 1000 are not shown. It is equipped with a control means for supplying high frequency power to the high frequency induction coil. In FIG. 3, the seed crystal of lithium tantalate is indicated by the reference numeral A, and the raw material melt of lithium tantalate is indicated by the reference numeral B.

（タンタル酸リチウム単結晶の育成方法）
次に、アフターヒーター１００を備える単結晶育成装置１０００の使用例として、タンタル酸リチウム単結晶の育成方法を説明する。 (Method for growing lithium tantalate single crystal)
Next, a method for growing a lithium tantalate single crystal will be described as an example of use of the single crystal growing device 1000 provided with the afterheater 100.

まず、イリジウム製ルツボ３００に、原料融液Ｂの原料を充填して、高温酸化雰囲気にて加熱コイル２００によりルツボ３００を加熱して、ルツボ３００内の原料を融点以上に加熱して融解することにより、原料融液Ｂを得る。次に、引き上げ軸６００の種結晶保持治具に取り付けられた、タンタル酸リチウムの種結晶Ａを、ルツボ３００内の原料融液Ｂの上面に接触させる。これを、シーディングという。その後、引き上げ軸６００の引き上げ軸駆動手段（未図示）により、種結晶Ａを回転させながら徐々に上方へ引き上げ軸６００を引き上げる。単結晶の育成中は、加熱コイル２００によるルツボ３００、アフターヒーター１００およびリフレクター１５０の加熱温度や、引き上げ軸６００の回転数および引き上げ速度等を制御手段等により制御することにより、単結晶に肩部および直胴部を育成する。直胴部が所定の長さになったところで、引き上げ軸６００の引き上げ速度等を制御して、原料融液Ｂの上面と育成した単結晶の下端とを切り離し、その後冷却してタンタル酸リチウム単結晶が完成する。なお、単結晶の育成方法は特に限定されず、チョクラルスキー法等の公知の技術を利用できる。 First, the crucible 300 made of iridium is filled with the raw material of the raw material melt B, the crucible 300 is heated by the heating coil 200 in a high-temperature oxidizing atmosphere, and the raw material in the crucible 300 is heated to a melting point or higher and melted. To obtain the raw material melt B. Next, the seed crystal A of lithium tantalate attached to the seed crystal holding jig of the pulling shaft 600 is brought into contact with the upper surface of the raw material melt B in the rutsubo 300. This is called seeding. After that, the pulling shaft 600 is gradually pulled upward while rotating the seed crystal A by the pulling shaft driving means (not shown) of the pulling shaft 600. During the growth of the single crystal, the heating temperature of the rutsubo 300, the afterheater 100 and the reflector 150 by the heating coil 200, the rotation speed and the pulling speed of the pulling shaft 600, etc. are controlled by a control means or the like, so that the shoulder portion of the single crystal is formed. And nurture the straight body. When the straight body reaches a predetermined length, the pulling speed of the pulling shaft 600 is controlled to separate the upper surface of the raw material melt B from the lower end of the grown single crystal, and then cooled to monolithium tantalate. The crystal is completed. The method for growing a single crystal is not particularly limited, and a known technique such as the Czochralski method can be used.

以下、本発明について、実施例および比較例を挙げてさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例１および比較例１では、一例としてアフターヒーター１００を備える単結晶育成装置１０００を用いて、タンタル酸リチウムの単結晶を育成した場合についての実験内容を説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples. In the following Examples 1 and Comparative Example 1, the experimental contents in the case of growing a single crystal of lithium tantalate by using a single crystal growing device 1000 equipped with an afterheater 100 as an example will be described.

［実施例１］
イリジウム製のルツボ３００に、タンタル酸リチウムの原料を充填し、ルツボ３００を銅製の高周波誘導コイル（加熱コイル２００）によって加熱して原料融液Ｂを得た。次に、タンタル酸リチウムの種結晶Ａを、原料融液Ｂの上面に接触させてシーディングを行い、その後、イリジウム製の引上げ軸６００を１〜２０ｒｐｍで回転させながら、１〜５ｍｍ／ｈの速度で垂直に引き上げることによって、種結晶Ａから連続的にタンタル酸リチウムの単結晶を得た。 [Example 1]
The crucible 300 made of iridium was filled with a raw material of lithium tantalate, and the crucible 300 was heated by a copper high-frequency induction coil (heating coil 200) to obtain a raw material melt B. Next, the seed crystal A of lithium tantalate is brought into contact with the upper surface of the raw material melt B for seeding, and then the pull-up shaft 600 made of iridium is rotated at 1 to 20 rpm to 1 to 5 mm / h. By pulling vertically at a rate, a single crystal of lithium tantalate was continuously obtained from the seed crystal A.

ここで、単結晶を育成するにあたり、ルツボ３００の上部にはリフレクター１５０を設置し、その上にさらにアフターヒーター１００を設置した。アフターヒーター１００は、高さＨが１６０ｍｍ、外径１４０ｍｍ、厚みＴ１およびＴ２が１．０ｍｍであり、重量は３３００ｇである。そして、第１円筒部１１０（重量は２３１０ｇ）および第２円筒部１２０（重量は９９０ｇ）からなる２分割可能な構造とし、分割位置はアフターヒーター１００の上端部１２２から円筒の高さＨ方向において下へ向かって円筒の高さＨの３０％の位置とした。すなわち、Ｈ１：Ｈ２＝７０：３０とした。また、アフターヒーター１００としては、上端部１１１と下端部１２１のいずれも、円筒の高さＨの方向と直交する方向において平滑な円筒断面形状のものを使用した。 Here, in growing a single crystal, a reflector 150 was installed on the upper part of the crucible 300, and an afterheater 100 was further installed on the reflector 150. The afterheater 100 has a height H of 160 mm, an outer diameter of 140 mm, thicknesses T1 and T2 of 1.0 mm, and a weight of 3300 g. The structure is divisible into two, consisting of a first cylindrical portion 110 (weight is 2310 g) and a second cylindrical portion 120 (weight is 990 g), and the split position is in the height H direction of the cylinder from the upper end portion 122 of the afterheater 100. The position was set to 30% of the height H of the cylinder toward the bottom. That is, H1: H2 = 70:30. Further, as the afterheater 100, both the upper end portion 111 and the lower end portion 121 have a cylindrical cross-sectional shape that is smooth in the direction orthogonal to the direction of the height H of the cylinder.

単結晶育成装置１０００の各部材は、新品のものを使用して炉内を構成した。アフターヒーター１００についても新品を使用して単結晶の育成を開始し、アフターヒーター１００を交換せずに連続的に単結晶の育成を行った。育成回数が増えることに応じて、融液Ｂの上方、すなわちアフターヒーター１００の内部の温度勾配が緩くなるに従い、加熱コイル２００、アフターヒーター１００、リフレクター１５０、ルツボ３００の位置を適宜調整して単結晶の育成を継続した。 As each member of the single crystal growing apparatus 1000, a new one was used to construct the inside of the furnace. As for the afterheater 100, a new single crystal was started to grow, and the single crystal was continuously grown without replacing the afterheater 100. As the number of times of growing increases, the positions of the heating coil 200, the afterheater 100, the reflector 150, and the crucible 300 are adjusted appropriately as the temperature gradient above the melt B, that is, inside the afterheater 100 becomes loose. Continued to grow crystals.

単結晶の育成回数が３００回を超えると、加熱コイル２００の位置調整では、温度勾配が調整できなくなったために、多結晶化した。多結晶化したときのアフターヒーター１００の円筒厚みＴ１およびＴ２を測定したところ、円筒厚みＴ１の最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下であったものの、円筒厚みＴ２の最大値と最小値との差が０．５ｍｍを越えており、結果として円筒厚みＴ１および円筒厚みＴ２の最大値と最小値との差が０．５ｍｍを越えた。そこで、連続の育成を中断し、アフターヒーター１００の上部である第２円筒部１２０のみを交換し、第１円筒部１１０に新品の第２円筒部１２０を載置して単結晶の育成を再開したところ、再び単結晶を育成することができた。すなわち、第２円筒部１２０のみを交換したことにより、交換費用はアフターヒーターそのもの全てを交換する場合の３０％程度に留まり、単結晶を育成するためのランニングコストを低く抑えられた。 When the number of times the single crystal was grown exceeded 300 times, the temperature gradient could not be adjusted by adjusting the position of the heating coil 200, so that the single crystal was polycrystallized. When the cylindrical thicknesses T1 and T2 of the afterheater 100 at the time of polycrystallization were measured, the difference between the maximum value and the minimum value of the cylindrical thickness T1 was 0.5 mm or less, but the maximum value and the minimum value of the cylindrical thickness T2. The difference from the value exceeds 0.5 mm, and as a result, the difference between the maximum value and the minimum value of the cylinder thickness T1 and the cylinder thickness T2 exceeds 0.5 mm. Therefore, continuous growth was interrupted, only the second cylindrical portion 120, which is the upper part of the afterheater 100, was replaced, and a new second cylindrical portion 120 was placed on the first cylindrical portion 110 to resume the growth of the single crystal. Then, the single crystal could be grown again. That is, by replacing only the second cylindrical portion 120, the replacement cost was only about 30% of the case where the entire afterheater itself was replaced, and the running cost for growing a single crystal was kept low.

［比較例１］
アフターヒーター１００に代えて、高さ１６０ｍｍ、外径１４０ｍｍ、厚みが１．０ｍｍの円筒状で一体型であり、重量は３３００ｇの既知のアフターヒーターの新品を使用した。アフターヒーターの他は、実施例１と同様の条件により単結晶の育成操作を行った。 [Comparative Example 1]
Instead of the afterheater 100, a new known afterheater having a height of 160 mm, an outer diameter of 140 mm, and a thickness of 1.0 mm, which is a cylindrical and integrated type and weighs 3300 g, was used. Other than the after heater, the single crystal growth operation was performed under the same conditions as in Example 1.

単結晶の育成回数が３００回を超えると、加熱コイル２００の位置調整では、温度勾配が調整できなくなり、多結晶化した。多結晶化したときの比較例１のアフターヒーターの円筒厚みを測定したところ、最大値と最小値との差が０．５ｍｍを越えた。そこで、アフターヒーターを交換して単結晶の育成を再開したところ、再び単結晶を育成することができた。しかしながら、使用したアフターヒーターは一体型であり分割できないために、アフターヒーターそのもの全てを新品のものに交換したため、単結晶を育成するためのランニングコストを抑えることはできず、通常通りのコストが必要となった。 When the number of times the single crystal was grown exceeded 300 times, the temperature gradient could not be adjusted by adjusting the position of the heating coil 200, resulting in polycrystallization. When the cylindrical thickness of the afterheater of Comparative Example 1 when polycrystallized was measured, the difference between the maximum value and the minimum value exceeded 0.5 mm. Therefore, when the afterheater was replaced and the growth of the single crystal was restarted, the single crystal could be grown again. However, since the after-heater used is an integrated type and cannot be divided, the running cost for growing a single crystal cannot be suppressed because the after-heater itself is replaced with a new one, and the usual cost is required. It became.

本発明によれば、分割可能な第１円筒部と第２円筒部を備えることで、単結晶の育成に応じて消耗する第２円筒部のみを交換すれば単結晶の育成を再開可能であり、アフターヒーターの維持費を削減可能である。そのため、表面弾性波素子等に用いられるタンタル酸リチウム単結晶等の育成に利用することができ、産業上の利用可能性を有している。 According to the present invention, by providing the first cylindrical portion and the second cylindrical portion that can be divided, it is possible to restart the growth of the single crystal by replacing only the second cylindrical portion that is consumed according to the growth of the single crystal. , It is possible to reduce the maintenance cost of the after heater. Therefore, it can be used for growing a lithium tantalate single crystal or the like used for a surface acoustic wave device or the like, and has industrial applicability.

１００ アフターヒーター
１１０ 第１円筒部
１１１ 上端部
１１２ 下端部
１１３ 内周面
１１４ 外周面
１１５ａ 板
１１５ｂ 板
１１５ｃ 板
１１５ｄ 板
１１５ｅ 板
１２０ 第２円筒部
１２１ 下端部
１２２ 上端部
１２３ 内周面
１２４ 外周面
１２５ａ 板
１２５ｂ 板
１２５ｃ 板
１２５ｄ 板
１２５ｅ 板
１５０ リフレクター
２００ 加熱コイル
３００ ルツボ
４００ 載置台
５００ 耐火物
６００ 引き上げ軸
７００ 炉体
１０００ 単結晶育成装置
Ａ 種結晶
Ｂ 原料融液
Ｈ 高さ
Ｈ１ 円筒の高さ
Ｈ２ 円筒の高さ
Ｔ１ 円筒厚み
Ｔ２ 円筒厚み 100 Afterheater 110 First cylindrical part 111 Upper end part 112 Lower end part 113 Inner peripheral surface 114 Outer peripheral surface 115a Plate 115b Plate 115c Plate 115d Plate 115e Plate 120 Second cylindrical part 121 Lower end part 122 Upper end 123 Inner peripheral surface 124 Outer peripheral surface 125a Plate 125b Plate 125c Plate 125d Plate 125e Plate 150 Reflector 200 Heating coil 300 Crucible 400 Mounting stand 500 Fireproof 600 Pull-up shaft 700 Furnace 1000 Single crystal growing device Type A Crystal B Raw material melt H Height H1 Cylinder height H2 Cylinder Height T1 Cylindrical thickness T2 Cylindrical thickness

Claims (3)

イリジウム製またはイリジウム合金製の第１円筒部と、
イリジウム製またはイリジウム合金製の第２円筒部と、を備え、
前記第２円筒部の下端部は、前記第１円筒部の上端部に載置され、
前記第１円筒部の内周面と前記第２円筒部の内周面が面一であり、
前記第１円筒部の外周面と前記第２円筒部の外周面が面一であり、
前記第１円筒部の円筒の高さと、前記第２円筒部の円筒の高さとの比が、９５：５〜７０：３０である、アフターヒーター。 A first cylinder made of iridium or iridium alloy, and
With a second cylindrical section made of iridium or iridium alloy,
The lower end of the second cylinder is placed on the upper end of the first cylinder.
The inner peripheral surface of the first cylindrical portion and the inner peripheral surface of the second cylindrical portion are flush with each other.
Ri outer peripheral surface flush der of the outer peripheral surface and the second cylindrical portion of the first cylindrical portion,
An afterheater in which the ratio of the height of the cylinder of the first cylinder portion to the height of the cylinder of the second cylinder portion is 95: 5 to 70:30 . 前記第１円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下であり、前記第２円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下であり、前記第１円筒部の円筒厚みおよび前記第２円筒部の円筒厚みの最大値と最小値との差が０．５ｍｍ以下である、請求項１に記載のアフターヒーター。 The difference between the maximum value and the minimum value of the cylinder thickness of the first cylinder portion is 0.5 mm or less, and the difference between the maximum value and the minimum value of the cylinder thickness of the second cylinder portion is 0.5 mm or less. The after-heater according to claim 1, wherein the difference between the maximum value and the minimum value of the cylindrical thickness of the first cylindrical portion and the cylindrical thickness of the second cylindrical portion is 0.5 mm or less. 前記第２円筒部の下端部は、凹部または凸部を有し、前記第１円筒部の上端部は、前記第２円筒部の下端部にある凹部または凸部に対応する凸部または凹部を有する、請求項１または２に記載のアフターヒーター。 The lower end portion of the second cylindrical portion has a concave portion or a convex portion, and the upper end portion of the first cylindrical portion has a convex portion or a concave portion corresponding to the concave portion or the convex portion at the lower end portion of the second cylindrical portion. The after-heater according to claim 1 or 2.
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