JP6979016B2 - セラミックヒータ - Google Patents
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Description
円板状のセラミックプレートの上面にウエハを載置するためのウエハ載置面を有し、前記セラミックプレートの内周領域に1以上の内周側ヒータエレメントが埋設され、外周領域に1以上の外周側ヒータエレメントが埋設されたセラミックヒータであって、
前記セラミックプレートのうち所定領域の厚さは、前記セラミックプレートの直径の3.9%以下であり、
前記所定領域は、前記内周領域と前記外周領域とのゾーン境界線を含む領域である、
ものである。
実験例1では、図1のセラミックヒータ20を作製した。但し、平板電極28は省略した。具体的には、セラミックプレート22として、直径φが330mm(半径rが165mm)の窒化アルミニウム焼結体製のプレートを用いた。ゾーン境界線LZは、直径260mm(セラミックプレート22の直径φの79%)の円で、セラミックプレート22と同心円とした。シャフト接合部22aの直径は74mm、シャフト接合部22aの厚さは18mmとした。プレート主要部22bの厚さtは13mm(厚さt/直径φの比率は3.9%)とした。各ヒータエレメント24,26は、モリブデン製のコイルスプリング形状のものを用いた。実験例1で用いたセラミックプレート22の寸法を図9のテーブルに示す。
実験例2では、プレート主要部22bの厚さtを11mm(厚さt/直径φの比率は3.3%)とした以外は、実験例1と同様にしてセラミックヒータ20を作製し、実験例1と同様にして測温を行った。その結果を図9のテーブル及び図10のグラフに示す。実験例2では、プラズマ処理を行わない状態でウエハ載置面20aに載置されたウエハWの中心温度と温度境界線LTの温度との差は2.7℃(≦3.0℃)であり、評価は良好であった。実験例2の温度勾配プロファイルは、図10に示すとおりであった。すなわち、温度境界内側領域TAinの温度分布は実験例1と比べてよりフラットに近く、温度境界外側領域TAoutの温度分布は外周に行くほど温度が高くなった。
実験例3では、プレート主要部22bの厚さtを9mm(厚さt/直径φの比率は2.7%)とした以外は、実験例1と同様にしてセラミックヒータ20を作製し、実験例1と同様にして測温を行った。その結果を図9のテーブル及び図10のグラフに示す。実験例3では、プラズマ処理を行わない状態でウエハ載置面20aに載置されたウエハWの中心温度と温度境界線LTの温度との差は2.2℃(≦3.0℃)であり、評価は良好であった。実験例3の温度勾配プロファイルは、図10に示すとおりであった。すなわち、温度境界内側領域TAinの温度分布は実験例1,2と比べてよりフラットに近く、温度境界外側領域TAoutの温度分布は外周に行くほど温度が高くなった。
実験例4では、プレート主要部22bの厚さtを6mm(厚さt/直径φの比率は1.8%)とした以外は、実験例1と同様にしてセラミックヒータ20を作製し、実験例1と同様にして測温を行った。その結果を図9のテーブル及び図10のグラフに示す。実験例4では、プラズマ処理を行わない状態でウエハ載置面20aに載置されたウエハWの中心温度と温度境界線LTの温度との差は1.4℃(≦3.0℃)であり、評価は良好であった。実験例4の温度勾配プロファイルは、図10に示すとおりであった。すなわち、温度境界内側領域TAinの温度分布は実験例1〜3と比べてよりフラットに近く、温度境界外側領域TAoutの温度分布は外周に行くほど温度が高くなった。
実験例5では、プレート主要部22bの厚さtを19mm(厚さt/直径φの比率は5.8%)とした以外は、実験例1と同様にしてセラミックヒータ20を作製し、実験例1と同様にして測温を行った。その結果を図9のテーブル及び図10のグラフに示す。実験例5では、プラズマ処理を行わない状態でウエハ載置面20aに載置されたウエハWの中心温度と温度境界線LTの温度との差は4.9℃(>3.0℃)であり、評価は不良であった。実験例5の温度勾配プロファイルは、図10に示すとおり、ウエハWの中心から最外周にかけてほぼリニアに温度が上昇した。
実験例6では、プレート主要部22bの厚さtを15mm(厚さt/直径φの比率は4.5%)とした以外は、実験例1と同様にしてセラミックヒータ20を作製し、実験例1と同様にして測温を行った。その結果を図9のテーブル及び図10のグラフに示す。実験例6では、プラズマ処理を行わない状態でウエハ載置面20aに載置されたウエハWの中心温度と温度境界線LTの温度との差は3.8℃(>3.0℃)であり、評価は不良であった。実験例6の温度勾配プロファイルは、図10に示すとおり、ウエハWの中心から最外周にかけてほぼリニアに温度が上昇した。
実験例7では、外周領域Aoutのうちセラミックプレート22のウエハ載置面20aとは反対側の面20bに環状の溝52を備えた薄肉部(図5参照)を設けた以外は、実験例2と同様にしてセラミックヒータ20を作製し、実験例2と同様にして測温を行った。溝52の内周エッジは、直径260mmの円とし、ゾーン境界線LZと一致させた。溝52の深さは3mm、溝52の幅は10mm、薄肉部の厚さt’は8mmとした。その結果を図9のテーブル及び図11のグラフに示す。実験例7では、プラズマ処理を行わない状態でウエハ載置面20aに載置されたウエハWの中心温度と温度境界線LTの温度との差は2.0℃であり、評価は良好であった。実験例7の温度勾配プロファイルは、図11に示すとおりであった。すなわち、温度境界内側領域TAinの温度分布は溝52のない実験例2と比べてよりフラットに近く、温度境界外側領域TAoutの温度分布は外周に行くほど温度が高くなった。
実験例8では、外周領域Aoutのうちセラミックプレート22のウエハ載置面20aとは反対側の面20bに環状の段差54を備えた薄肉部(図6参照)を設けた以外は、実験例2と同様にしてセラミックヒータ20を作製し、実験例2と同様にして測温を行った。段差54の段差境界線54aは、直径260mmの円とし、ゾーン境界線LZと一致させた。段差54の深さは3mm、薄肉部の厚さt’は8mmとした。その結果を図9のテーブル及び図11のグラフに示す。実験例8では、プラズマ処理を行わない状態でウエハ載置面20aに載置されたウエハWの中心温度と温度境界線LTの温度との差は1.7℃であり、評価は良好であった。実験例8の温度勾配プロファイルは、図11に示すとおりであった。すなわち、温度境界内側領域TAinの温度分布は段差54のない実験例2や溝52を備えた実験例7と比べてよりフラットに近く、温度境界外側領域TAoutの温度分布は外周に行くほど温度が高くなった。
実験例9では、外周領域Aoutのうちセラミックプレート22のウエハ載置面20aとは反対側の面20bに環状の溝152を備えた薄肉部(図7参照)を設けた以外は、実験例6と同様にしてセラミックヒータ20を作製し、実験例6と同様にして測温を行った。溝152の内周エッジは直径215mmの円とした。溝152の深さは5mm、溝152の幅は32.5mm、薄肉部の厚さt’は10mmとした。その結果を図12のテーブル及び図13のグラフに示す。実験例9では、プラズマ処理を行わない状態でウエハ載置面20aに載置されたウエハWの中心温度と温度境界線LTの温度との差は3.0℃であり、評価は良好であった。実験例9の温度勾配プロファイルは、図13に示すとおりであった。すなわち、温度境界内側領域TAinの温度分布は溝152のない実験例6と比べてよりフラットに近く、温度境界外側領域TAoutの温度分布は外周に行くほど温度が高くなった。
実験例10では、外周領域Aoutのうちセラミックプレート22のウエハ載置面20aとは反対側の面20bに環状の段差154を備えた薄肉部(図8参照)を設けた以外は、実験例6と同様にしてセラミックヒータ20を作製し、実験例6と同様にして測温を行った。段差154の段差境界線は直径165mmの円とした。段差154の深さは5mm、薄肉部の厚さt’は10mmとした。その結果を図12のテーブル及び図13のグラフに示す。実験例10では、プラズマ処理を行わない状態でウエハ載置面20aに載置されたウエハWの中心温度と温度境界線LTの温度との差は2.8℃であり、評価は良好であった。実験例10の温度勾配プロファイルは、図13に示すとおりであった。すなわち、温度境界内側領域TAinの温度分布は段差154のない実験例6と比べてよりフラットに近く、温度境界外側領域TAoutの温度分布は外周に行くほど温度が高くなった。
Claims (8)
- 円板状のセラミックプレートの上面にウエハを載置するためのウエハ載置面を有し、前記セラミックプレートの内周領域に1以上の内周側ヒータエレメントが埋設され、外周領域に1以上の外周側ヒータエレメントが埋設されたセラミックヒータであって、
前記内周領域のうち中心に近い領域に、シャフトに接合されるシャフト接合部が設けられ、
前記セラミックプレートのうち前記シャフト接合部よりも外側の全領域が所定領域であり、
前記所定領域の厚さは、前記シャフト接合部よりも薄く、前記セラミックプレートの直径の3.9%以下であり、
前記所定領域は、前記内周領域と前記外周領域とのゾーン境界線を含む領域であり、
前記ゾーン境界線は、前記セラミックプレートと同心円であって、前記同心円の直径は、前記セラミックプレートの直径の75〜85%の範囲に設定され、
前記外周領域のうち前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面には、環状の溝又は段差を備えた薄肉部が設けられている、
セラミックヒータ。 - 前記セラミックヒータは、前記ウエハの表面処理をプラズマ処理にて行うのに用いられるものであり、前記内周側ヒータエレメント及び前記外周側ヒータエレメントは、予めプラズマ処理を行わない状態で前記ウエハ載置面に載置された前記ウエハの中心温度が目標温度となり、前記ウエハの最外周の温度が中心温度よりも所定温度差だけ高い又は低い温度となるように、制御装置によって電力供給が個別に制御される、
請求項1に記載のセラミックヒータ。 - 前記薄肉部は、前記環状の溝を備え、前記環状の溝の内周エッジは前記ゾーン境界線と一致するように構成され、前記環状の溝の深さが前記所定領域の厚さの10%以上30%以下である、
請求項1又は2に記載のセラミックヒータ。 - 前記薄肉部は、前記環状の段差を備え、前記環状の段差の境界線は前記ゾーン境界線と一致するように構成され、前記環状の段差の深さが前記所定領域の厚さの10%以上30%以下である、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミックヒータ。 - 前記所定領域の厚さは、前記セラミックプレートの直径の3.3%以下である、
請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミックヒータ。 - 前記所定領域の厚さは、前記セラミックプレートの直径の1.8%以上である、
請求項1〜5のいずれか1項に記載のセラミックヒータ。 - 前記内周領域と前記外周領域との間には、ヒータエレメントのない非加熱領域が設けられている、
請求項1〜6のいずれか1項に記載のセラミックヒータ。 - 前記非加熱領域は、前記セラミックプレートの直径の4.0%以上7.6%以下の幅を有する環状の領域である、
請求項7に記載のセラミックヒータ。
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US6423949B1 (en) * | 1999-05-19 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
JP2002198302A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用ホットプレート |
CN1460094A (zh) * | 2001-04-12 | 2003-12-03 | 揖斐电株式会社 | 陶瓷接合体、其制造方法以及半导体晶片用陶瓷结构体 |
JP3534738B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2004-06-07 | 日本碍子株式会社 | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプター用支持部材 |
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JP5117146B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2013-01-09 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
US8294069B2 (en) * | 2007-03-28 | 2012-10-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating device for heating a wafer |
CN202230996U (zh) * | 2011-09-01 | 2012-05-23 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 温度可分区调控的静电吸盘 |
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US9984866B2 (en) * | 2012-06-12 | 2018-05-29 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Multiple zone heater |
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