JP6971438B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の発光素子を有する電気光学装置が知られている。この種の装置では、一般に、例えば、特許文献１に開示されるように、発光素子からの光のうち所定の波長域の光を透過させるカラーフィルターが設けられる。

特許文献１には、観察方向による色変化のばらつきを抑えることを目的として、隣り合う２つのサブ画素間における発光素子の発光領域の間隔を一定とするための技術が開示される。

特開２０１９−１１７９４１号公報

特許文献１に記載の技術において、隣り合う２つのサブ画素間における発光素子の発光領域の形状または面積を互いに異ならせると、十分な視野角特性を得ることができない虞があった。また、特許文献１に記載の技術では、隣り合う２つのサブ画素間における発光素子の発光領域の配光特性が相違する場合も、十分な視野角特性を得ることができないという虞があった。

本発明の電気光学装置の一態様は、第１発光領域から第１光を出射する第１発光素子と、第２発光領域から第２光を出射する第２発光素子と、前記第１光のうち第１波長域の光を透過させる第１フィルターと、前記第２光のうち前記第１波長域とは異なる第２波長域の光を透過させる第２フィルターと、を有し、前記第１発光領域の面積が前記第２発光領域の面積よりも小さく、第１軸に沿う前記第１発光領域の長さをＬｅ１１とし、前記第１軸に沿う前記第２発光領域の長さをＬｅ２１とし、前記第１軸に沿う前記第１フィルターの長さをＬｆ１１とし、前記第１軸に沿う前記第２フィルターの長さをＬｆ２１とするとき、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たす。

本発明の電気光学装置の他の一態様は、第１発光領域から第１光を出射する第１発光素子と、第２発光領域から第２光を出射する第２発光素子と、前記第１光のうち第１波長域の光を透過させる第１フィルターと、前記第２光のうち前記第１波長域とは異なる第２波長域の光を透過させる第２フィルターと、を有し、第１軸に沿う前記第１発光領域の長さをＬｅ１１とし、前記第１軸に直交する第２軸に沿う前記第１発光領域の長さをＬｅ１２とし、前記第１軸に沿う前記第２発光領域の長さをＬｅ２１とし、前記第２軸に沿う前記第２発光領域の長さをＬｅ２２とし、前記第１軸に沿う前記第１フィルターの長さをＬｆ１１とし、前記第１軸に沿う前記第２フィルターの長さをＬｆ２１とするとき、Ｌｅ１１＜Ｌｅ２１の関係と、Ｌｅ１２＞Ｌｅ２２の関係と、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係と、を満たす。

本発明の電気光学装置の他の一態様は、第１発光領域から第１光を出射する第１発光素子と、第２発光領域から第２光を出射する第２発光素子と、前記第１光のうち第１波長域の光を透過させる第１フィルターと、前記第２光のうち前記第１波長域とは異なる第２波長域の光を透過させる第２フィルターと、を有し、前記第１光の拡がり角は、前記第２光の拡がり角よりも小さく、第１軸に沿う前記第１発光領域の長さをＬｅ１１とし、前記第１軸に沿う前記第２発光領域の長さをＬｅ２１とし、前記第１軸に沿う前記第１フィルターの長さをＬｆ１１とし、前記第１軸に沿う前記第２フィルターの長さをＬｆ２１とするとき、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たす。

本発明の電子機器の一態様は、前述の態様の電気光学装置と、前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。

第１実施形態に係る電気光学装置を模式的に示す平面図である。 図１に示すサブ画素の等価回路図である。 第１実施形態における素子基板の一部を示す平面図である。 図３中のＡ−Ａ線断面図である。 図３中のＢ−Ｂ線断面図である。 観察方向と色差との関係を示すグラフである。 第２実施形態における画素を示す平面図である。 第３実施形態における画素を示す平面図である。 第４実施形態における画素を示す平面図である。 第４実施形態における各サブ画素の発光スペクトルの一例を示す図である。 第４実施形態における各サブ画素の配光特性を示す図である。 第５実施形態における素子基板の断面図である。 電子機器の一例である虚像表示装置を模式的に示す図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．電気光学装置
１Ａ．第１実施形態
１Ａ−１．電気光学装置の概要
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００を模式的に示す平面図である。電気光学装置１００は、有機ＥＬを利用して画像を表示する装置である。電気光学装置１００は、例えば、ヘッドマウントディスプレイ等に好適に用いられるマイクロディスプレイである。

以下、電気光学装置１００について説明する。なお、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜に用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。また、Ｚ１方向またはＺ２方向でみることを「平面視」という。本実施形態では、Ｘ軸が第１軸の一例であり、Ｙ軸が第２軸の一例である。

電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の周囲を囲む周辺領域Ａ２０と、を有する。図１に示す例では、表示領域Ａ１０の平面視での形状が四角形である。なお、表示領域Ａ１０の平面視での形状は、図１に示す例に限定されず、他の形状でもよい。

表示領域Ａ１０は、複数の画素Ｐで構成される。各画素Ｐは、画像の表示における最小単位である。複数の画素Ｐは、例えば、Ｘ軸およびＹ軸に沿って行列状に配置される。各画素Ｐは、青色の波長域の光が得られるサブ画素ＰＢと、緑色の波長域の光が得られるサブ画素ＰＧと、赤色の波長域の光が得られるサブ画素ＰＲと、を有する。なお、以下では、サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲを区別しない場合、サブ画素Ｐ０という。

図１に示すように、電気光学装置１００は、素子基板２００と、光透過性を有する透光性基板３００と、を有する。電気光学装置１００は、いわゆるトップエミッション構造である。電気光学装置１００は、透光性基板３００から光を出射させる。なお、光透過性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

素子基板２００は、データ線駆動回路１０１と走査線駆動回路１０２と制御回路１０３と複数の外部端子１０４とを有する。データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、制御回路１０３および複数の外部端子１０４は、周辺領域Ａ２０に配置される。データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０２は、複数のサブ画素Ｐ０の駆動を制御する周辺回路である。制御回路１０３は、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０２の駆動を制御する。制御回路１０３には、図示しない上位回路から画像データが供給される。制御回路１０３は、当該画像データに基づく各種信号をデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０２に供給する。図示しないが、外部端子１０４には、上位回路との電気的な接続のためのＦＰＣ（Flexible printed circuits）基板等が接続される。また、素子基板２００には、図示しない電源回路が電気的に接続される。

透光性基板３００は、素子基板２００等を保護するカバーである。透光性基板３００は、例えば、ガラス基板または石英基板で構成される。透光性基板３００は、図示しない接着剤を介して素子基板２００に接合される。当該接着剤は、例えば、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂等の樹脂材料を用いた透明な接着剤である。

図２は、図１に示すサブ画素Ｐ０の等価回路図である。素子基板２００には、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２と複数の給電線１１３と複数の給電線１１４とが設けられる。図２では、１つのサブ画素Ｐ０とこれに対応する要素とが代表的に図示される。

走査線１１１はＸ軸に沿って延び、データ線１１２はＹ軸に沿って延びる。図示しないが、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２は、格子状に配列される。また、図示しないが、走査線１１１は、図１に示す走査線駆動回路１０２に接続され、データ線１１２は、図１に示すデータ線駆動回路１０１に接続される。

図２に示すように、素子基板２００は、サブ画素Ｐ０ごとに、発光素子１２０と、発光素子１２０に電流を供給する画素回路１３０と、を有する。発光素子１２０は、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）で構成される。後に詳述するが、発光素子１２０は、画素電極２２６と、共通電極２２９と、これらの間に配置される有機層２２８と、を有する。

画素電極２２６には、画素回路１３０を介して給電線１１３が電気的に接続される。一方、共通電極２２９には、給電線１１４が電気的に接続される。ここで、給電線１１３には、図示しない電源回路から高位側の電源電位Ｖelが供給される。給電線１１４には、図示しない電源回路から低位側の電源電位Ｖctが供給される。このため、画素電極２２６が陽極として機能し、共通電極２２９が陰極として機能する。発光素子１２０では、画素電極２２６から供給される正孔と、共通電極２２９から供給される電子とが有機層２２８で再結合することにより、有機層２２８が光を発生させる。

画素回路１３０は、スイッチング用トランジスター１３１と駆動用トランジスター１３２と保持容量１３３とを有する。スイッチング用トランジスター１３１のゲートは、走査線１１１に電気的に接続される。スイッチング用トランジスター１３１のソースおよびドレインのうち、一方がデータ線１１２に電気的に接続され、他方が駆動用トランジスター１３２のゲートに電気的に接続される。駆動用トランジスター１３２のソースおよびドレインのうち、一方が給電線１１３に電気的に接続され、他方が画素電極２２６に電気的に接続される。保持容量１３３の両電極のうち、一方が駆動用トランジスター１３２のゲートに接続され、他方が給電線１１３に接続される。

以上の画素回路１３０では、走査線駆動回路１０２が走査信号をアクティブにすることで走査線１１１が選択されると、選択されるサブ画素Ｐ０に設けられるスイッチング用トランジスター１３１がオンする。すると、データ線１１２からデータ信号が、選択される走査線１１１に対応する駆動用トランジスター１３２に供給される。駆動用トランジスター１３２は、供給されるデータ信号の電位、すなわちゲートおよびソース間の電位差に応じた電流を発光素子１２０に対して供給する。この結果、発光素子１２０は、駆動用トランジスター１３２から供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する。その後、走査線駆動回路１０２が走査線１１１の選択を解除してスイッチング用トランジスター１３１がオフした場合、駆動用トランジスター１３２のゲートの電位は、保持容量１３３により保持される。このため、スイッチング用トランジスター１３１がオフした後も、発光素子１２０の発光を維持することができる。

なお、前述の画素回路１３０の構成は、図示の構成に限定されない。例えば、画素回路１３０は、画素電極２２６と駆動用トランジスター１３２との間の導通を制御するトランジスターをさらに備えてもよい。

１Ａ−２．素子基板の詳細
図３は、第１実施形態における素子基板２００の一部を示す平面図である。図４は、図３中のＡ−Ａ線断面図である。図５は、図３中のＢ−Ｂ線断面図である。図３では、素子基板２００を構成する要素のうち、１つの画素Ｐにおける要素が代表的に図示される。

図３に示すように、素子基板２００は、画素Ｐごとに、発光素子１２０Ｒ、１２０Ｇ１、１２０Ｇ２および１２０Ｂの組を有する。発光素子１２０Ｒは、サブ画素ＰＲに設けられる発光素子１２０である。発光素子１２０Ｇ１および１２０Ｇ２のそれぞれは、サブ画素ＰＧに設けられる発光素子１２０である。発光素子１２０Ｂは、サブ画素ＰＢに設けられる発光素子１２０である。

ここで、発光素子１２０Ｒが第１発光素子の一例であり、発光素子１２０Ｇ１および１２０Ｇ２が第２発光素子の一例であり、発光素子１２０Ｂが第３発光素子の一例である。なお、発光素子１２０Ｇ１および１２０Ｇ２は、サブ画素ＰＧごとに、１つの画素回路１３０を共用する。したがって、発光素子１２０Ｇ１および１２０Ｇ２は、サブ画素ＰＧごとに、１つの発光素子１２０Ｇとして捉えてもよい。なお、発光素子１２０Ｇ１および１２０Ｇ２で個別の画素回路１３０が設けられてもよい。

本実施形態では、発光素子１２０Ｒ、１２０Ｇ１、１２０Ｇ２および１２０ＢがＸ軸およびＹ軸に沿って行列状に配置される。ここで、発光素子１２０Ｒに対して、Ｘ１方向には発光素子１２０Ｇ１が配置され、Ｙ２方向には発光素子１２０Ｂが配置される。発光素子１２０Ｇ１に対してＹ２方向、かつ、発光素子１２０Ｂに対してＸ１方向には、発光素子１２０Ｇ２が配置される。

発光素子１２０Ｒは、サブ画素ＰＲのための光ＬＬＲを発する発光領域ＲＲを第１発光領域の一例として有する。発光素子１２０Ｇ１は、サブ画素ＰＧのための光ＬＬＧ１を発する発光領域ＲＧ１を有する。発光素子１２０Ｇ２は、サブ画素ＰＧのための光ＬＬＧ２を発する発光領域ＲＧ２を有する。発光素子１２０Ｂは、サブ画素ＰＢのための光ＬＬｂを発する発光領域ＲＢを有する。なお、光ＬＬＲが第１光の一例であり、光ＬＬＧ１およびＬＬＧ２からなる光ＬＬＧが第２光の一例であり、光ＬＬＢが第３光の一例である。また、発光領域ＲＧ１およびＲＧ２は、サブ画素ＰＧごとに、１つの発光領域ＲＧとして捉えてもよい。

図３に示す例では、発光領域ＲＲ、ＲＧ１、ＲＧ２およびＲＢのそれぞれが平面視で８角形をなす。発光領域ＲＲの面積は、発光領域ＲＢおよびＲＧのそれぞれの面積よりも小さい。また、発光領域ＲＲの面積は、発光領域ＲＧ１の面積に等しい。また、発光領域ＲＢの面積は、発光領域ＲＧ２の面積に等しい。ここで、発光領域ＲＲの面積は、発光領域ＲＧ１およびＲＧ２の面積の合計よりも小さい。すなわち、発光領域ＲＲの面積は、発光領域ＲＧの面積よりも小さい。なお、これらの各領域の「面積」とは、平面視での面積をいう。また、発光領域ＲＲの面積は、発光領域ＲＧ１の面積と異なってもよい。また、発光領域ＲＲ、ＲＧ１、ＲＧ２およびＲＢのそれぞれの形状は、８角形に限定されず、他の形状でもよい。また、発光領域ＲＲ、ＲＧ１、ＲＧ２およびＲＢの平面視での形状は、互いに異なってもよい。

本実施形態では、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＲの長さＬｅ１１は、Ｙ軸に沿う発光領域ＲＲの長さＬｅ１２よりも長い。Ｘ軸に沿う発光領域ＲＧの長さＬｅ２１は、Ｙ軸に沿う発光領域ＲＧの長さＬｅ２２よりも短い。Ｘ軸に沿う発光領域ＲＢの長さＬｅ３１は、Ｙ軸に沿う発光領域ＲＢの長さＬｅ３２よりも短い。

図４および図５に示すように、素子基板２００は、基板２１０と発光素子層２２０と保護層２３０とカラーフィルター２４０とを有する。これらの層は、この順でＺ１方向に積層される。なお、素子基板２００を構成する各層は、公知の成膜法を適宜に用いて形成される。

基板２１０は、例えばシリコン基板である。図示しないが、基板２１０には、前述の画素回路１３０およびこれに接続される各種配線等が形成される。なお、基板２１０は、シリコン基板に限定されず、例えば、ガラス基板、樹脂基板またはセラミックス基板でもよい。本実施形態では、電気光学装置１００がトップエミッション型であるため、基板２１０は光透過性を有しなくてもよい。画素回路１３０が有する前述の各トランジスターは、ＭＯＳ型トランジスター、薄膜トランジスターまたは電界効果トランジスターのいずれでもよい。画素回路１３０が有するトランジスターがアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターである場合、当該アクティブ層は、シリコン基板で構成されてもよい。また、画素回路１３０を構成する各部および各種配線の材料としては、例えば、ポリシリコン、金属、金属シリサイドおよび金属化合物等の導電材料が挙げられる。

発光素子層２２０は、発光素子１２０Ｒ、１２０Ｇ１、１２０Ｇ２および１２０Ｂが設けられる層である。具体的には、発光素子層２２０は、絶縁層２２１と反射層２２２と増反射層２２３と絶縁層２２４と距離調整層２２５と複数の画素電極２２６Ｒ、２２６Ｇ１、２２６Ｇ２および２２６Ｂと素子分離層２２７と有機層２２８と共通電極２２９とを有する。これらの層は、この順でＺ１方向に積層される。

絶縁層２２１は、基板２１０と反射層２２２との間に配置される層間絶縁膜である。絶縁層２２１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等の絶縁材料で構成される。

反射層２２２は、有機層２２８で発生した光をＺ１方向に反射する光反射性を有する層である。図示しないが、反射層２２２は、平面視で、複数のサブ画素Ｐ０に対応して行列状に配置される複数の部分に分割される。反射層２２２の構成材料としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）等の金属またはこれらのいずれかの金属の合金等が挙げられる。例えば、反射層２２２は、Ｔｉで構成される膜とＡｌおよびＣｕを含む合金で構成される膜との積層体で構成される。図４および図５に示す例では、反射層２２２は、配線としても機能する。当該配線は、図示しないが、例えば、前述の画素回路１３０と電気的に接続される。なお、反射層２２２は、当該配線として機能しなくてもよい。この場合、反射層２２２とは別途配線が設けられる。また、光反射性とは、可視光に対する反射性を意味し、好ましくは可視光の反射率が５０％以上であることをいう。

増反射層２２３は、反射層２２２の光反射性を高めるための光透過性および絶縁性を有する層である。増反射層２２３は、平面視で反射層２２２の全域にわたる範囲に配置される。増反射層２２３は、例えば、酸化シリコン膜で構成される。

絶縁層２２４は、第１絶縁層２２４ａおよび第２絶縁層２２４ｂを有する。第１絶縁層２２４ａは、反射層２２２および増反射層２２３の分割された複数の部分の間を埋めるとともに、増反射層２２３上の全域にわたり配置される。第２絶縁層２２４ｂは、第１絶縁層２２４ａ上の全域にわたり配置される。第１絶縁層２２４ａおよび第２絶縁層２２４ｂのそれぞれは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜で構成される。

距離調整層２２５は、サブ画素Ｐ０ごとに、反射層２２２と共通電極２２９との間の距離を調整するための光透過性および絶縁性を有する層である。距離調整層２２５は、第１距離調整層２２５ａおよび第２距離調整層２２５ｂを有する。第１距離調整層２２５ａおよび第２距離調整層２２５ｂのそれぞれは、例えば、酸化シリコン膜で構成される。

第１距離調整層２２５ａは、サブ画素ＰＲ、ＰＧおよびＰＢのうち、サブ画素ＰＲに配置され、サブ画素ＰＧおよびＰＢに配置されない。第２距離調整層２２５ｂは、サブ画素ＰＲ、ＰＧおよびＰＢのうち、サブ画素ＰＲおよびＰＧに配置され、サブ画素ＰＢに配置されない。したがって、サブ画素ＰＲには、第１距離調整層２２５ａおよび第２距離調整層２２５ｂが配置される。サブ画素ＰＧには、第１距離調整層２２５ａおよび第２距離調整層２２５ｂのうち第２距離調整層２２５ｂが配置される。サブ画素ＰＢには、第１距離調整層２２５ａおよび第２距離調整層２２５ｂのいずれも配置されない。

画素電極２２６Ｒ、２２６Ｇ１、２２６Ｇ２および２２６Ｂのそれぞれは、サブ画素Ｐ０ごとに設けられ、導電性および光透過性を有する層である。ただし、画素電極２２６Ｇ１および２２６Ｇ２は、サブ画素ＰＧで共用される。画素電極２２６Ｒ、２２６Ｇ１、２２６Ｇ２および２２６Ｂのそれぞれの構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）およびＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料が挙げられる。

画素電極２２６Ｒは、サブ画素ＰＲに設けられる画素電極２２６である。画素電極２２６Ｇ１および２２６Ｇ２は、サブ画素ＰＧに設けられる画素電極２２６である。画素電極２２６Ｂは、サブ画素ＰＢに設けられる画素電極２２６である。

素子分離層２２７は、画素電極２２６Ｒ、２２６Ｇ１、２２６Ｇ２および２２６Ｂのそれぞれの外縁を覆う絶縁性の層である。素子分離層２２７は、例えば、酸化シリコン等の絶縁材料で構成される。素子分離層２２７には、画素電極２２６Ｒ、２２６Ｇ１、２２６Ｇ２および２２６Ｂの所定領域を有機層２２８に接触させるための複数の開口が設けられる。当該複数の開口により、発光領域ＲＲ、ＲＧ１、ＲＧ２およびＲＢが規定される。

有機層２２８は、有機化合物を主材料として構成される層である。具体的には、有機層２２８は、通電により発光する発光層を含む。本実施形態では、当該発光層は、例えば、赤色の発光色が得られる発光層と、緑色の発光色が得られる発光層と、青色の発光色が得られる発光層と、を有し、これらが適宜に積層される。このため、有機層２２８で白色またはこれに近似した色の発光が実現される。なお、有機層２２８は、公知の構成および材料を適用可能である。図示しないが、有機層２２８は、発光層のほか、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層または電子注入層等を適宜に含む。また、有機層２２８は、必要に応じて、金属等の無機材料で構成される層を含んでもよい。

共通電極２２９は、サブ画素ＰＲ、ＰＧおよびＰＢに共通して設けられ、光反射性、光透過性および導電性を有する層である。共通電極２２９の構成材料としては、例えば、Ａｇを含むＭｇＡｇ等の合金が挙げられる。

以上の発光素子層２２０において、発光素子１２０Ｒは、絶縁層２２１と反射層２２２と増反射層２２３と絶縁層２２４と第１距離調整層２２５ａと第２距離調整層２２５ｂと画素電極２２６Ｒと素子分離層２２７と有機層２２８と共通電極２２９とを有する。発光素子１２０Ｇ１は、第１距離調整層２２５ａが省略されるとともに、画素電極２２６Ｒに代えて画素電極２２６Ｇ１を有する以外は、発光素子１２０Ｒと同様の層構成を有する。発光素子１２０Ｇ２は、第１距離調整層２２５ａが省略されるとともに、画素電極２２６Ｒに代えて画素電極２２６Ｇ２を有する以外は、発光素子１２０Ｒと同様の層構成を有する。発光素子１２０Ｂは、第１距離調整層２２５ａおよび第２距離調整層２２５ｂが省略されるとともに、画素電極２２６Ｒに代えて画素電極２２６Ｂを有する以外は、発光素子１２０Ｒと同様の層構成を有する。

ここで、反射層２２２と共通電極２２９との間の距離は、サブ画素Ｐ０ごとに異なる。具体的には、サブ画素ＰＲにおける当該距離は、赤色の波長域に対応して設定される。サブ画素ＰＧにおける当該距離は、緑色の波長域に対応して設定される。サブ画素ＰＢにおける当該距離は、青色の波長域に対応して設定される。

このため、サブ画素ＰＲでは、反射層２２２と共通電極２２９との間で赤色の波長の光を共振させる光共振構造が実現される。サブ画素ＰＧでは、反射層２２２と共通電極２２９との間で緑色の波長の光を共振させる光共振構造が実現される。サブ画素ＰＢでは、反射層２２２と共通電極２２９との間で青色の波長の光を共振させる光共振構造が実現される。

ここで、前述の光共振構造における共振波長は、反射層２２２と共通電極２２９との間の距離によって決まる。当該距離をＬ０とし、当該共振波長をλ０とするとき、次のような関係式［１］が成り立つ。なお、関係式［１］中のΦ（ラジアン）は、反射層２２２と共通電極２２９との間での透過および反射の際に生じる位相シフトの総和を表す。
｛（２×Ｌ０）／λ０＋Φ｝／（２π）＝ｍ０（ｍ０は整数）・・・・・［１］

取り出したい波長域の光のピーク波長が波長λ０となるよう、距離Ｌ０が設定される。この設定により、取り出したい所定の波長域の光が増強され、当該光の高強度化およびスペクトルの狭幅化を図ることができる。

前述のように、本実施形態では、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲごとに距離調整層２２５の厚さを異ならせることにより、距離Ｌ０が調整される。なお、距離Ｌ０の調整方法は、距離調整層２５５の厚さによる調整方法に限定されない。例えば、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲごとに画素電極２２６の厚さを異ならせることにより、距離Ｌ０が調整されてもよい。

保護層２３０は、発光素子層２２０を外部の水分または酸素等から保護するためのガスバリア性および光透過性を有する層である。具体的には、保護層２３０は、第１層２３１と第２層２３２と第３層２３３とを有する。これらの層は、この順でＺ１方向に積層される。第１層２３１および第３層２３３のそれぞれは、ガスバリア性を高めるための光透過性を有する層である。第１層２３１および第３層２３３のそれぞれは、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜で構成される。第２層２３２は、第３層２３３に平坦な面を提供するための光透過性を有する層である。第２層２３２は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料で構成される。

カラーフィルター２４０は、発光素子１２０からの光のうち所定の波長域の光を選択的に透過させる層である。カラーフィルター２４０を用いることで、カラーフィルター２４０を用いない場合に比べて、各サブ画素Ｐ０から出射される光の所望の色における色純度を高めることができる。カラーフィルター２４０は、例えば、色材を含むアクリル系の感光性樹脂材料等の樹脂材料で構成される。

具体的には、カラーフィルター２４０は、サブ画素ＰＲに設けられるフィルター２４１Ｒと、サブ画素ＰＧに設けられるフィルター２４１Ｇと、サブ画素ＰＢに設けられるフィルター２４１Ｂと、を有する。ここで、フィルター２４１Ｒが第１フィルターの一例であり、フィルター２４１Ｇが第２フィルターの一例であり、フィルター２４１Ｂが第３フィルターの一例である。

フィルター２４１Ｒは、発光素子１２０Ｒからの光のうち赤色の波長域の光を選択的に透過させる着色層である。フィルター２４１Ｇは、発光素子１２０Ｇ１および１２Ｇ２からの光のうち緑色の波長域の光を選択的に透過させる着色層である。フィルター２４１Ｂは、発光素子１２０Ｂからの光のうち青色の波長域の光を選択的に透過させる着色層である。

図３に示すように、フィルター２４１Ｒとフィルター２４１ＢとがＹ軸に沿って並ぶ。フィルター２４１Ｒとフィルター２４１ＧとがＸ軸に沿って並ぶ。フィルター２４１Ｂとフィルター２４１ＧとがＸ軸に沿って並ぶ。ここで、フィルター２４１Ｒは、平面視でＸ軸に沿う長辺を有する長方形をなす。フィルター２４１Ｂは、平面視でＹ軸に沿う長辺を有する長方形をなす。フィルター２４１Ｇは、平面視でＹ軸に沿って延びる形状をなす。より具体的には、フィルター２４１Ｇは、Ｘ軸に沿う長さの異なる第１部分２４１Ｇ１および第２部分２４１Ｇ２を有し、これらがＹ軸に沿って並ぶ。ここで、Ｘ軸に沿う第１部分２４１Ｇ１の長さＬｆ２１ａは、Ｘ軸に沿う第２部分２４１Ｇ２の長さＬｆ２１ｂよりも短い。また、第１部分２４１Ｇ１は、Ｘ軸に沿ってフィルター２４１Ｒに隣り合う。第２部分２４１Ｇ２は、Ｘ軸に沿ってフィルター２４１Ｂに隣り合う。

Ｘ軸に沿うフィルター２４１Ｒの長さＬｆ１１は、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＲの長さＬｅ１１よりも長い。Ｘ軸に沿うフィルター２４１Ｇの長さＬｆ２１は、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＧの長さＬｅ２１よりも長い。Ｘ軸に沿うフィルター２４１Ｂの長さＬｆ３１は、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＢの長さＬｅ３１よりも長い。なお、各フィルターの「長さ」とは、フィルターとして機能する領域の長さを意味し、異なる波長域のフィルター同士が重なる部分の長さを含まない長さである。

ここで、フィルター２４１Ｒの長さＬｆ１１と発光領域ＲＲの長さＬｅ１１との差（２×ＬｘＲ）は、フィルター２４１Ｇの長さＬｆ２１と発光領域ＲＧの長さＬｅ２１との差（２×ＬｘＧ）よりも長い。より具体的には、差（２×ＬｘＲ）は、第１部分２４１Ｇ１の長さＬｆ２１ａと発光領域ＲＧの長さＬｅ２１との差（２×ＬｘＧ１）よりも長い。また、差（２×ＬｘＲ）は、第２部分２４１Ｇ２の長さＬｆ２１ｂと発光領域ＲＧの長さＬｅ２１との差（２×ＬｘＧ２）よりも長い。なお、長さＬｘＲは、平面視におけるフィルター２４１Ｒの外縁と発光領域ＲＲの外縁との間の距離に相当する。長さＬｘＧは、平面視におけるフィルター２４１Ｇの外縁と発光領域ＲＧの外縁との間の距離に相当する。

また、フィルター２４１Ｂの長さＬｆ３１と発光領域ＲＢの長さＬｅ３１との差（２×ＬｘＢ）は、差（２×ＬｘＧ２）に等しい。なお、長さＬｘＢは、平面視におけるフィルター２４１Ｂの外縁と発光領域ＲＢの外縁との間の距離に相当する。

前述のような差（２×ＬｘＲ）と差（２×ＬｘＧ）との大小関係は、フィルター２４１Ｒとフィルター２４１Ｇとの間の中点を、発光領域ＲＲと発光領域ＲＧとの間の中点よりもＸ１方向に距離ΔＬｘずらすことで実現される。

図６は、観察方向と色差との関係を示すグラフである。図６では、距離ΔＬｘが０μｍである場合が一点鎖線で示され、距離ΔＬｘが０．４μｍである場合が実線で示され、距離ΔＬｘが０．７μｍである場合が破線で示される。図６からわかるように、距離ΔＬｘを０μｍよりも大きくすることで、視野角が向上する。なお、図６中の横軸「観察方向」は、電気光学装置１００の表示面の法線方向を基準とし、Ｘ軸に沿って視点を変更したときの当該法線方向とのなす角度である。また、図６中の縦軸「色差」は、電気光学装置１００を白色発光させ、基準となる観察方向における表示色との差を示す。

以上の電気光学装置１００は、前述のように、第１発光素子の一例である発光素子１２０Ｒと、第２発光素子の一例である発光素子１２０Ｇと、第１フィルターの一例であるフィルター２４１Ｒと、第２フィルターの一例であるフィルター２４１Ｇと、を有する。発光素子１２０Ｒは、第１発光領域の一例である発光領域ＲＲから、第１光の一例である光ＬＬＲを出射する。発光素子１２０Ｇは、第２発光領域の一例である発光領域ＲＧから、第２光の一例である光ＬＬＧを出射する。フィルター２４１Ｒは、光ＬＬＲのうち第１波長域の光を透過させる。フィルター２４１Ｇは、光ＬＬＧのうち第１波長域とは異なる第２波長域の光を透過させる。

ここで、発光領域ＲＲの面積が発光領域ＲＧの面積よりも小さい。また、第１軸の一例であるＸ軸に沿う発光領域ＲＲの長さをＬｅ１１とし、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＧの長さをＬｅ２１とし、Ｘ軸に沿うフィルター２４１Ｒの長さをＬｆ１１とし、Ｘ軸に沿うフィルター２４１Ｇの長さをＬｆ２１とするとき、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たす。

発光領域ＲＲの面積が発光領域ＲＧの面積よりも小さい場合、仮に（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＝（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たすと、Ｘ軸に沿って視点を変化させることにより、表示領域Ａ１０に沿う表示面の法線に対して傾斜する観察方向で発光領域ＲＲおよびＲＧを観察したとき、光ＬＬＲの強度の減衰割合が光ＬＬＧの強度の減衰割合よりも大きくなる。

これに対し、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たすことで、このような観察方向における光ＬＬＲの強度の減衰割合と光ＬＬＧの強度の減衰割合との差を低減することができる。このため、観察方向による色変化を低減することができ、この結果、従来に比べて視野角を大きくすることができる。

本実施形態では、発光領域ＲＲと発光領域ＲＧとがＸ軸に沿って互いに隣り合う。このため、フィルター２４１Ｒの長さＬｆ１１を従来よりも長くした分、フィルター２４１Ｇの長さＬｆ２１を従来よりも短くすればよい。この結果、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たすことが容易である。

また、電気光学装置１００は、発光素子１２０Ｒおよび１２０Ｇとフィルター２４１Ｒおよび２４１Ｇに加えて、第３発光素子の一例である発光素子１２０Ｂと、第３フィルターの一例であるフィルター２４１Ｂと、をさらに有する。発光素子１２０Ｂは、第３発光領域の一例である発光領域ＲＢから、第３光の一例である光ＬＬＢを出射する。フィルター２４１Ｂは、光ＬＬＢのうち第１波長域および第２波長域とは異なる第３波長域の光を透過させる。

ここで、発光領域ＲＲと発光領域ＲＢとが、Ｘ軸に直交する第２軸の一例であるＹ軸に沿って互いに隣り合う。また、発光領域ＲＲおよびＲＢのそれぞれと発光領域ＲＧとがＸ軸に沿って互いに隣り合う。このように発光領域ＲＲ、ＲＧおよびＲＢが配置されることにより、第１波長域、第２波長域および第３波長域で赤色、緑色および青色をバランスよく表示することができる。

具体的には、第１波長域は、赤色に対応する波長域であり、第２波長域は、青色に対応する波長域であり、第３波長域は、緑色に対応する波長域である。このため、フルカラー表示を行うことができる。

また、発光領域ＲＢの面積は、発光領域ＲＲの面積よりも大きく、かつ、発光領域ＲＧの面積よりも小さい。ここで、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＢの長さをＬｅ３１とし、Ｘ軸に沿うフィルター２４１Ｂの長さをＬｆ３１とするとき、
（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ３１−Ｌｅ３１）の関係を満たす。この関係を満たすことにより、観察方向による光ＬＬＧの強度の減衰割合を低減することができる。また、この関係を満たすことにより、観察方向による光ＬＬＲ、ＬＬＧおよびＬＬＢのバランスをとりやすいという利点もある。

さらに、Ｙ軸に沿う発光領域ＲＲの長さをＬｅ１２とし、Ｙ軸に沿うフィルター２４１Ｒの長さをＬｆ１２とするとき、
（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ１２−Ｌｅ１２）の関係を満たす。この関係を満たすことにより、光ＬＬＲと光ＬＬＢとの強度のバランスをとりやすいという利点がある。

また、フィルター２４１Ｇは、第１部分２４１Ｇ１および第２部分２４１Ｇ２を有する。ここで、Ｘ軸に沿う第１部分２４１Ｇ１の長さは、Ｘ軸に沿う第２部分２４１Ｇ２の長さよりも短い。また、第１部分２４１Ｇ１は、Ｘ軸に沿ってフィルター２４１Ｒに隣り合い、第２部分２４１Ｇ２は、Ｘ軸に沿ってフィルター２４１Ｂに隣り合う。このような第１部分２４１Ｇ１および第２部分２４１Ｇ２により、光ＬＬＧの強度不足を防止することができる。

さらに、フィルター２４１Ｒを構成する層とフィルター２４１Ｇを構成する層とのうちの一方の層の端が他方の層に重なる。このため、フィルター２４１Ｒおよび２４１Ｇが重ならない場合に比べて、フィルター２４１Ｒおよび２４１Ｇを容易に製造することができる。例えば、フィルター２４１Ｒおよび２４１Ｇをスピンコート法等の塗布法により形成する場合、これらの層がいずれも存在しない領域が形成されてしまうのを低減することができる。また、フィルター２４１Ｒおよび２４１Ｇの重なる部分が遮光性を有するため、斜め方向からみたときに所望の色からずれた光が観察されるのを低減することもできる。

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図７は、第２実施形態における画素Ｐを示す平面図である。図７では、説明の便宜上、フィルター同士が重なり合う部分の図示が省略され、各フィルターと各発光領域との平面視での位置関係が模式的に図示される。

図７に示す例では、発光領域ＲＲ、ＲＢおよびＲＧがこの順でＸ１方向に並ぶ。ここで、Ｙ軸に沿う発光領域ＲＲ、ＲＢおよびＲＧの長さは、互いに等しいが、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＲ、ＲＢおよびＲＧの長さは、互いに異なる。具体的には、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＲの長さＬｅ１１、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＧの長さＬｅ２１、およびＸ軸に沿う発光領域ＲＢの長さＬｅ３１は、Ｌｅ１１＜Ｌｅ２１＜Ｌｅ３１の関係にある。

したがって、発光領域ＲＲ、ＲＢおよびＲＧのうち、発光領域ＲＲの面積が最も小さい。そこで、前述の第１実施形態と同様、フィルター２４１Ｒの長さＬｆ１１と発光領域ＲＲの長さＬｅ１１との差（２×ＬｘＲ）は、フィルター２４１Ｇの長さＬｆ２１と発光領域ＲＧの長さＬｅ２１との差（２×ＬｘＧ）よりも長い。

ここで、本実施形態では、Ｘ軸に沿ってフィルター２４１Ｂの中点が発光領域ＲＢの中点よりもＸ１方向にずれている。このため、平面視におけるフィルター２４１Ｒの外縁と発光領域ＲＢの外縁との間の距離ＬｘＢ１は、平面視におけるフィルター２４１Ｇの外縁と発光領域ＲＢの外縁との間の距離ＬｘＢ２よりも小さい。言い換えると、距離ＬｘＢ２が距離ＬｘＢ１よりも大きい。このため、フィルター２４１Ｂの必要な面積を容易に確保することができる。

以上の第２実施形態によっても、前述の第１実施形態と同様の効果が得られる。

１Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図８は、第３実施形態における画素Ｐを示す平面図である。図８では、説明の便宜上、フィルター同士が重なり合う部分の図示が省略され、各フィルターと各発光領域との平面視での位置関係が模式的に図示される。

図８に示す例では、発光領域ＲＲ、ＲＢおよびＲＧの面積が互いに等しい。ここで、発光領域ＲＲおよびＲＢの形状も互いに等しい。また、発光領域ＲＲおよびＲＢのそれぞれは、Ｘ軸に沿う長辺を有する長方形をなす。発光領域ＲＲおよびＲＢは、Ｙ軸に沿って隣り合う。これに対し、発光領域ＲＢは、Ｙ軸に沿う長辺を有する長方形をなす。発光領域ＲＢと発光領域ＲＲおよびＲＢのそれぞれは、Ｘ軸に沿って隣り合う。

本実施形態では、発光領域ＲＧが第１発光領域の一例であり、発光領域ＲＲおよびＲＢのそれぞれが第２発光領域の一例である。ここで、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＧの長さＬｅ１１は、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＲの長さＬｅ２１とＸ軸に沿う発光領域ＲＢの長さＬｅ３１
とのそれぞれよりも短い。また、Ｙ軸に沿う発光領域ＲＧの長さＬｅ１２は、Ｙ軸に沿う発光領域ＲＲの長さＬｅ２２とＹ軸に沿う発光領域ＲＢの長さＬｅ３２とのそれぞれよりも長い。

また、本実施形態では、フィルター２４１Ｇが第１フィルターの一例であり、フィルター２４１Ｒおよび２４１Ｂのそれぞれが第２フィルターの一例である。ここで、フィルター２４１Ｇの長さＬｆ１１と発光領域ＲＧの長さＬｅ１１との差（２×ＬｘＧ）は、フィルター２４１Ｒの長さＬｆ２１と発光領域ＲＲの長さＬｅ２１との差（２×ＬｘＲ）よりも長い。同様に、フィルター２４１Ｇの長さＬｆ１１と発光領域ＲＧの長さＬｅ１１との差（２×ＬｘＧ）は、フィルター２４１Ｂの長さＬｆ３１と発光領域ＲＢの長さＬｅ３１との差（２×ＬｘＢ）よりも長い。

以上のように、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＧの長さをＬｅ１１とし、Ｙ軸に沿う発光領域ＲＧの長さをＬｅ１２とし、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＲの長さをＬｅ２１とし、Ｙ軸に沿う発光領域ＲＲの長さをＬｅ２２とし、Ｘに沿うフィルター２４１Ｇの長さをＬｆ１１とし、Ｘ軸に沿うフィルター２４１Ｒの長さをＬｆ２１とするとき、Ｌｅ１１＜Ｌｅ２１の関係と、Ｌｅ１２＞Ｌｅ２２の関係と、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係と、を満たす。

Ｌｅ１１＜Ｌｅ２１の関係と、Ｌｅ１２＞Ｌｅ２２の関係と、を満たす場合、仮に（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＝（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たすと、発光領域ＲＧおよびＲＲの面積が互いに等しくても、Ｘ軸に沿って視点を変化させることにより観察方向を変化させて発光領域ＲＧおよびＲＲを観察したとき、発光領域ＲＧからの第１光の強度の減衰割合が発光領域ＲＲからの第２光の強度の減衰割合よりも大きくなる。

これに対し、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たすことで、このような観察方向における第１光の強度の減衰割合と第２光の強度の減衰割合との差を低減することができる。このため、観察方向による色変化を低減することができ、この結果、従来に比べて視野角を大きくすることができる。

１Ｄ．第４実施形態
第４実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図９は、第４実施形態における画素Ｐを示す平面図である。図９では、説明の便宜上、フィルター同士が重なり合う部分の図示が省略され、各フィルターと各発光領域との平面視での位置関係が模式的に図示される。

図９に示す例では、発光領域ＲＲ、ＲＢおよびＲＧがこの順でＸ１方向に並ぶ。ここで、発光領域ＲＲ、ＲＢおよびＲＧの面積および形状は、互いに等しい。

本実施形態では、発光領域ＲＢが第１光を出射する第１発光領域の一例であり、発光領域ＲＲおよびＲＧのそれぞれが第２光を出射する第２発光領域の一例である。フィルター２４１Ｂが第１フィルターの一例であり、フィルター２４１Ｇおよび２４１Ｒのそれぞれが第２フィルターの一例である。

発光領域ＲＢからの光の拡がり角は、発光領域ＲＲおよびＲＧのそれぞれからの光の拡がり角よりも小さい。そこで、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＢの長さをＬｅ１１とし、Ｘ軸に沿う発光領域ＲＧの長さをＬｅ２１とし、Ｘ軸に沿うフィルター２４１Ｂの長さをＬｆ１１とし、Ｘ軸に沿うフィルター２４１Ｇの長さをＬｆ２１とするとき、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たす。

第１光の拡がり角が第２光の拡がり角よりも小さい場合、仮に（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＝（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たすと、Ｘ軸に沿って視点を変化させることにより観察方向を変化させて発光領域ＲＢおよびＲＧを観察したとき、発光領域ＲＢからの第１光の強度の減衰割合が発光領域ＲＧからの第２光の強度の減衰割合よりも大きくなる。

これに対し、（Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たすことで、このような観察方向における第１光の強度の減衰割合と第２光の強度の減衰割合との差を低減することができる。このため、観察方向による色変化を低減することができ、この結果、従来に比べて視野角を大きくすることができる。

ここで、第１光は、第２光よりも第１波長域に近い波長域の光である。また、第２光は、第１光よりも第２波長域に近い波長域の光である。この場合、第１光の拡がり角が第２光の拡がり角よりも小さくなりやすい。

例えば、発光領域ＲＢを有する第１発光素子と、発光領域ＲＧまたはＲＲを有する第２発光素子とが互いに異なる発光層を有する場合、第１光の拡がり角が第２光の拡がり角よりも小さくなりやすい。この場合、具体的には、発光領域ＲＢを有する第１発光素子は、青色発光の発光層を備えるが、緑色発光および赤色発光の発光層を備えない。発光領域ＲＧを有する第２発光素子は、緑色発光の発光層を備えるが、青色発光および赤色発光の発光層を備えない。発光領域ＲＲを有する第２発光素子は、赤色発光の発光層を備えるが、青色発光および緑色発光の発光層を備えない。

図１０は、第４実施形態における各サブ画素Ｐ０の発光スペクトルの一例を示す図である。図１０では、赤色発光の発光素子の発光スペクトルＳｐＲが二点鎖線で示され、緑色発光の発光素子の発光スペクトルＳｐＧが破線で示され、青色発光の発光素子の発光スペクトルＳｐＢが実線で示される。図１０に示すように、発光スペクトルＳｐＢの線幅は、発光スペクトルＳｐＲおよびＳｐＧのそれぞれの線幅よりも狭い。このような線幅の関係にある場合、青色発光の発光素子からの光の拡がり角は、緑色発光または赤色発光の発光素子からの光の拡がり角よりも小さくなりやすい。

また、例えば、発光領域ＲＢを有する第１発光素子と、発光領域ＲＧまたはＲＲを有する第２発光素子とが互いに異なる共振構造を有する場合、第１光の拡がり角が第２光の拡がり角よりも小さくなりやすい。この場合、具体的には、前述の第１実施形態のようにサブ画素ごとに異なる共振構造が設けられる。

図１１は、第４実施形態における各サブ画素Ｐ０の配光特性を示す図である。図１１では、図中における上段に、サブ画素ＰＲの発光素子の光軸からの拡がり角における発光強度分布が示され、図中における中段に、サブ画素ＰＧの発光素子の光軸からの拡がり角における発光強度分布が示され、図中における下段に、サブ画素ＰＢの発光素子の光軸からの拡がり角における発光強度分布が示される。図１１に示すように、サブ画素ＰＢの発光素子からの光の拡がり角は、サブ画素ＰＲまたはＰＧの発光素子からの光の拡がり角よりも小さい。

１Ｅ．第５実施形態
第５実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１２は、第５実施形態における素子基板２００Ａの断面図である。素子基板２００Ａは、カラーフィルター２４０に代えて、カラーフィルター２４０Ａを有する以外は、前述の第１実施形態の素子基板２００と同様である。カラーフィルター２４０Ａは、壁部２４２をさらに有する以外は、前述の第１実施形態のカラーフィルター２４０と同様である。

壁部２４２は、フィルター２４１Ｒ、２４１Ｇおよび２４１Ｂを区分する凸状の部材である。壁部２４２は、透明な樹脂材料で構成される。当該樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂等が挙げられる。

以上のように、素子基板２００Ａは、フィルター２４１Ｒとフィルター２４１Ｇとの間に配置され、透明な樹脂材料で構成される壁部２４２をさらに有する。このため、壁部２４２を有しない場合に比べて、各フィルターを容易に製造することができる。例えば、フィルター２４１Ｒおよび２４１Ｇをインクジェット法により形成する場合、壁部２４２を隔壁として用いて各フィルターを形成することができる。また、各フィルターの厚さを調整しやすいという利点もある。

１Ｆ．変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。また、以下に示す第１実施形態の各変形の態様は、相互に矛盾しない範囲で第２実施形態に適宜適用される。

第１実施形態では、発光素子１２０は、色ごとに異なる共振波長を有する光共振構造を備えるが、光共振構造を備えなくてもよい。また、発光素子層２２０は、例えば、有機層２２８を、発光素子１２０ごとに仕切る隔壁を備えてもよい。また、発光素子１２０は、サブ画素Ｐ０ごとに異なる発光材料を含んでもよい。また、画素電極２２６は、光反射性を有してもよい。その場合、反射層２２２は省略してもよい。また、複数の発光素子１２０で共通電極２２９は共通であるが、発光素子１２０ごとに個別の陰極が設けられてもよい。

また、カラーフィルター２４０のフィルター同士の間には、いわゆるブラックマトリックスが介在していてもよい。

また、前述の形態では、Ｘ軸に沿って視点が変化する場合の視野角を向上させる構成が例示されるが、この例示に限定されない。例えば、Ｘ軸に沿って視点が変化する場合の視野角を向上させたい場合、前述の構成をＸ軸まわりに９０°回転させた構成とすればよい。

また、前述の形態では、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲの各平面視での形状がほぼ四角形であるが、他の形状でもよい。また、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲの配列は、特に限定されない。当該配列としては、例えば、ストライプ配列、レクタングル配列、ベイヤー配列、またはデルタ配列が挙げられる。

２．電子機器
前述の実施形態の電気光学装置１００は、各種の電子機器に適用することができる。

２−１．ヘッドマウントディスプレイ
図１３は、電子機器の一例である虚像表示装置７００の一部を模式的に示す平面図である。図１３に示す虚像表示装置７００は、観察者の頭部に装着されて画像の表示を行うヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）である。虚像表示装置７００は、前述した電気光学装置１００と、コリメーター７１と、導光体７２と、第１反射型体積ホログラム７３と、第２反射型体積ホログラム７４と、制御部７９と、を備える。なお、電気光学装置１００から出射される光は、映像光ＬＬとして出射される。また、電気光学装置１００の代わりに電気光学装置１００Ａが用いられてもよい。

制御部７９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。コリメーター７１は、電気光学装置１００と導光体７２との間に配置される。コリメーター７１は、電気光学装置１００から出射された光を平行光にする。コリメーター７１は、コリメーターレンズ等で構成される。コリメーター７１で平行光に変換された光は、導光体７２に入射する。

導光体７２は、平板状をなし、コリメーター７１を介して入射する光の方向と交差する方向に延在して配置される。導光体７２は、その内部で光を反射して導光する。導光体７２のコリメーター７１と対向する面７２１には、光が入射する光入射口と、光を出射する光出射口が設けられる。導光体７２の面７２１とは反対側の面７２２には、回折光学素子としての第１反射型体積ホログラム７３および回折光学素子としての第２反射型体積ホログラム７４が配置される。第１反射型体積ホログラム７３は、第２反射型体積ホログラム７４よりも光出射口側に設けられる。第１反射型体積ホログラム７３および第２反射型体積ホログラム７４は、所定の波長域に対応する干渉縞を有し、所定の波長域の光を回折反射させる。

かかる構成の虚像表示装置７００では、光入射口から導光体７２内に入射した映像光ＬＬが、反射を繰り返して進み、光出射口から観察者の瞳ＥＹに導かれることで、映像光ＬＬにより形成された虚像で構成される画像を観察者が観察することができる。

以上の虚像表示装置７００は、電気光学装置１００と、電気光学装置１００の動作を制御する制御部７９と、を有する。このため、従来よりも優れた視野角特性の虚像表示装置７００を提供することができる。

なお、虚像表示装置７００は、電気光学装置１００から出射される光を合成するダイクロイックプリズム等の合成素子を備えてもよい。その場合、虚像表示装置７００は、例えば、青色の波長域の光を出射する電気光学装置１００、緑色の波長域の光を出射する電気光学装置１００および赤色の波長域の光を出射する電気光学装置１００を備えることができる。

２−２．パーソナルコンピューター
図１４は、本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューター４００を示す斜視図である。図１４に示すパーソナルコンピューター４００は、電気光学装置１００と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、制御部４０９とを備える。制御部４０９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。パーソナルコンピューター４００は、前述の電気光学装置１００を備えるため、品質に優れる。なお、電気光学装置１００の代わりに電気光学装置１００Ａが用いられてもよい。

なお、電気光学装置１００を備える「電子機器」としては、図１３に例示した虚像表示装置７００および図１４に例示したパーソナルコンピューター４００の他、デジタルスコープ、デジタル双眼鏡、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなど眼に近接して配置する機器が挙げられる。また、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、携帯電話機、スマートフォン、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、カーナビゲーション装置、および車載用の表示部として適用される。さらに、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、光を照らす照明として適用される。

以上、本発明について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。また、本発明は、前述した各実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。

１００…電気光学装置、１００Ａ…電気光学装置、１２０…発光素子、１２０Ｂ…発光素子、１２０Ｇ…発光素子、１２０Ｇ１…発光素子、１２０Ｇ２…発光素子、１２０Ｒ…発光素子、２４１Ｂ…フィルター、２４１Ｇ…フィルター、２４１Ｇ１…第１部分、２４１Ｇ２…第２部分、２４１Ｒ…フィルター、２４２…壁部、４００…パーソナルコンピューター、７００…虚像表示装置、ＬＬＢ…光、ＬＬＧ…光、ＬＬＧ１…光、ＬＬＧ２…光、ＬＬＲ…光、ＬＬｂ…光、ＲＢ…発光領域、ＲＧ…発光領域、ＲＧ１…発光領域、ＲＧ２…発光領域、ＲＲ…発光領域。

Claims (7)

1. 第１発光領域から第１光を出射する第１発光素子と、
   第２発光領域から第２光を出射する第２発光素子と、
   第３発光領域から第３光を出射する第３発光素子と、
   前記第１光のうち第１波長域の光を透過させる第１フィルターと、
   前記第２光のうち前記第１波長域とは異なる第２波長域の光を透過させる第２フィルターと、
   前記第３光のうち前記第１波長域および前記第２波長域とは異なる第３波長域の光を透過させる第３フィルターと、を有し、
   前記第１発光領域の面積が前記第２発光領域の面積よりも小さく、
   第１軸に沿う前記第１発光領域の長さをＬｅ１１とし、
   前記第１軸に沿う前記第２発光領域の長さをＬｅ２１とし、
   前記第１軸に沿う前記第１フィルターの長さをＬｆ１１とし、
   前記第１軸に沿う前記第２フィルターの長さをＬｆ２１とするとき、
   （Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ２１−Ｌｅ２１）の関係を満たし、
   前記第１発光領域および前記第２発光領域は、前記第１軸に沿って互いに隣り合い、
   前記第１発光領域および前記第３発光領域は、前記第１軸に直交する第２軸に沿って互いに隣り合い、
   前記第１発光領域および前記第３発光領域はそれぞれ、前記第２発光領域と前記第１軸に沿って互いに隣り合い、
   前記第２フィルターは、第１部分および第２部分を有し、
   前記第１軸に沿う前記第１部分の長さは、前記第１軸に沿う前記第２部分の長さよりも短く、
   前記第１部分は、前記第１軸に沿って前記第１フィルターと隣り合い、
   前記第２部分は、前記第１軸に沿って前記第３フィルターと隣り合う、
   電気光学装置。
2. 前記第３発光領域の面積は、前記第１発光領域の面積よりも大きく、かつ、前記第２発光領域の面積よりも小さく、
   前記第１軸に沿う前記第３発光領域の長さをＬｅ３１とし、
   前記第１軸に沿う前記第３フィルターの長さをＬｆ３１とするとき、
   （Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ３１−Ｌｅ３１）の関係を満たす、
   請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第２軸に沿う前記第１発光領域の長さをＬｅ１２とし、
   前記第２軸に沿う前記第１フィルターの長さをＬｆ１２とするとき、
   （Ｌｆ１１−Ｌｅ１１）＞（Ｌｆ１２−Ｌｅ１２）の関係を満たす、
   請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１波長域は、赤色に対応する波長域であり、
   前記第２波長域は、青色に対応する波長域であり、
   前記第３波長域は、緑色に対応する波長域である、
   請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記第１フィルターを構成する層と前記第２フィルターを構成する層とのうちの一方の層の端が他方の層に重なる、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記第１フィルターと前記第２フィルターとの間に配置され、透明な樹脂材料で構成される壁部をさらに有する、
   請求項１から５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
   前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する、
   電子機器。

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