JP6970701B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関する。

従来の液晶表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層、第１基板および第２基板と、第１基板の液晶層側に設けられた第１電極および第２基板の液晶層側に設けられた第２電極と、液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜とを有する。画素領域は、電圧が印加されたときの液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が予め決められた第１方向である第１液晶ドメインを有し、第１液晶ドメインは第１電極のエッジの少なくとも一部と近接し、少なくとも一部は、それに直交し第１電極の内側に向かう方位角方向が第１方向と９０°超の角をなす第１エッジ部を含み、第１基板または第２基板は遮光部材を有し、遮光部材は第１エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第１遮光部を含む。

国際公開第２００６／１３２３６９号公報

上記した特許文献１に記載された液晶表示装置における副画素電極の中央部には、ドレイン引出し配線の延設部とＣＳバスラインの延設部とこれらの間の絶縁層（例えばゲート絶縁層）によって構成される補助容量（ＣＳ）が形成されている。ＣＳバスラインの延設部は、ドレイン引出し配線の延設部よりも幅広となっており、ドレイン引出し配線の延設部における両側縁からそれぞれ外側にはみ出す部分を有している。このはみ出す部分によって、製造時にＣＳバスラインとドレイン引出し配線とに生じる位置ずれを吸収することが可能となっている。しかしながら、ＣＳバスラインの延設部の幅が大きくなりがちであり、ＣＳバスラインの延設部による遮光範囲が広くなってしまい、副画素電極の透過光量を十分に確保できなくなるおそれがあった。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、遮光範囲を狭くしつつ静電容量の変動を抑制することを目的とする。

（１）本発明の一実施形態は、液晶分子を含む液晶層と、前記液晶層に電圧が印加されたときの前記液晶分子の配向方向が異なる複数のドメインと、前記複数のドメインの境界に位置する配向境界部と、前記液晶分子を配向させる配向膜と、画素電極と、前記画素電極に接続されていて前記配向境界部の少なくとも一部と重畳するよう配される接続部と、前記接続部の一部に対して絶縁膜を介して一部が重畳するよう配されていて前記接続部との間に静電容量を形成する容量形成部と、を備え、前記接続部及び前記容量形成部は、いずれも前記配向境界部の少なくとも一部に沿って延在し、その延在方向と交差する交差方向について互いに非重畳となる非重畳部をそれぞれ有していて、前記延在方向について片側とその反対側とで前記非重畳部における前記交差方向についての配置が入れ替わるよう設けられている表示装置である。

（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、前記接続部及び前記容量形成部は、前記延在方向について片側とその反対側とで前記非重畳部における前記延在方向についての寸法が等しくなるよう設けられている表示装置である。

（３）また、本発明のある実施形態は、上記（１）または上記（２）の構成に加え、前記接続部及び前記容量形成部は、前記延在方向について片側とその反対側とで前記非重畳部における前記交差方向についての寸法が等しくなるよう設けられている表示装置である。

（４）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（３）のいずれか１つの構成に加え、前記接続部及び前記容量形成部は、実質的に回転対称形状とされる表示装置である。

（５）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（４）のいずれか１つの構成に加え、前記画素電極は、長手状とされており、前記接続部及び前記容量形成部は、前記延在方向が前記画素電極の長手方向と一致するよう設けられている表示装置である。

（６）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（５）のいずれか１つの構成に加え、前記配向境界部は、前記延在方向に沿って延在していて前記接続部に対して重畳する第１配向境界部と、前記交差方向に沿って延在する第２配向境界部と、を含むよう構成されており、前記交差方向に沿って延在し前記第２配向境界部に対して重畳するよう配される遮光部を備える表示装置である。

（７）また、本発明のある実施形態は、上記（６）の構成に加え、前記遮光部には、前記接続部と同じ導電膜により構成されていて前記接続部に連ねられる第１遮光部が含まれる表示装置である。

（８）また、本発明のある実施形態は、上記（７）の構成に加え、前記遮光部には、前記容量形成部と同じ導電膜により構成されていて前記容量形成部に連ねられるとともに前記第１遮光部の少なくとも一部に対して重畳するよう配される第２遮光部が含まれる表示装置である。

（９）また、本発明のある実施形態は、上記（８）の構成に加え、前記第１遮光部及び前記第２遮光部は、前記延在方向について互いに非重畳となる第２の非重畳部をそれぞれ有していて、前記交差方向について片側とその反対側とで前記第２の非重畳部における前記延在方向についての配置が入れ替わるよう設けられている表示装置である。

（１０）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（９）のいずれか１つの構成に加え、前記画素電極の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ前記画素電極の内側に向かう方位角方向が、前記液晶層に電圧が印加されたときの前記液晶層の厚さ方向における中央付近の前記液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されるエッジ遮光部を備える表示装置である。

（１１）また、本発明のある実施形態は、上記（１０）の構成に加え、前記エッジ遮光部は、前記接続部と同じ導電膜により構成されていて前記接続部に連ねられる表示装置である。

（１２）また、本発明のある実施形態は、上記（１０）の構成に加え、前記接続部を有するスイッチング素子と、前記延在方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記スイッチング素子を駆動する信号を伝送する走査配線と、を備えており、前記エッジ遮光部は、前記走査配線の一部からなる表示装置である。

（１３）また、本発明のある実施形態は、上記（１２）の構成に加え、前記走査配線は、前記画素電極に対して絶縁膜を介して前記液晶層とは反対側に配される表示装置である。

（１４）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（１３）のいずれか１つの構成に加え、前記配向境界部は、前記延在方向に沿って延在していて前記接続部に対して重畳する第１配向境界部と、前記交差方向に沿って延在する第２配向境界部と、を含むよう構成されており、前記接続部は、前記画素電極の一部に対して絶縁膜を介して重畳していて前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記画素電極に接続される接続電極を有しており、前記接続電極は、前記第１配向境界部と前記第２配向境界部との交差位置に配されている表示装置である。

（１５）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（１４）のいずれか１つの構成に加え、前記接続部を有するスイッチング素子と、前記延在方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記スイッチング素子を駆動する信号を伝送する走査配線と、前記交差方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記画素電極を充電する信号を伝送する画像配線と、を備えており、前記容量形成部は、前記走査配線と同じ導電膜により構成され、前記接続部は、前記画像配線と同じ導電膜により構成される表示装置である。

（１６）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（１５）のいずれか１つの構成に加え、前記配向膜には、前記液晶分子の配向方向を異ならせる複数の配向処理が為されており、前記複数の配向処理が為された部分の境界が、前記配向境界部に対応する表示装置である。

本発明によれば、遮光範囲を狭くしつつ静電容量の変動を抑制することができる。

本発明の実施形態１に係る液晶パネルの断面図 液晶パネルを構成するアレイ基板における画素配列を示す平面図 アレイ基板における図２のＡ−Ａ線断面図 液晶パネルにおける図２のＢ−Ｂ線断面図 液晶パネルにおける図２のＣ−Ｃ線断面図 液晶パネルにおける図２のＤ−Ｄ線断面図 アレイ基板の配向膜における配向処理を説明するための図面 液晶パネルを構成するＣＦ基板の配向膜における配向処理を説明するための図面 液晶パネルの１つの画素部における液晶分子のチルト方向などを説明するための図面 アレイ基板における接続部及び容量形成部付近を拡大した平面図 本発明の実施形態２に係る液晶パネルを構成するアレイ基板における画素配列を示す平面図 本発明の実施形態３に係る液晶パネルを構成するアレイ基板における画素配列を示す平面図 アレイ基板における接続部及び容量形成部付近を拡大した平面図 本発明の実施形態４に係る液晶パネルを構成するアレイ基板における画素配列を示す平面図 アレイ基板におけるゲート配線付近を拡大した平面図 液晶パネルにおける図２のＣ−Ｃ線断面図 液晶パネルにおける図２のＤ−Ｄ線断面図 本発明の他の実施形態（１１）に係る液晶パネルを構成するアレイ基板における画素配列を示す平面図

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図１０によって説明する。本実施形態では、液晶パネル（表示装置）１０を構成するアレイ基板１０Ａについて例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図１，図３，図４，図５及び図６の上側を表側とし、下側を裏側とする。

図１は、液晶パネル１０の概略的な断面図である。液晶パネル１０は、図１に示すように、アレイ基板１０Ａと、アレイ基板１０Ａと対向するよう配されるＣＦ基板（対向基板）１０Ｂと、両基板１０Ａ，１０Ｂの間に介在する液晶層１０Ｃと、液晶層１０Ｃを取り囲んでこれをシールするシール部１０Ｄと、一対の基板１０Ａ，１０Ｂのうちの液晶層１０Ｃに臨む最内面に設けられる一対の配向膜１０Ｅと、を備える。また、両基板１０Ａ，１０Ｂの外面側にはそれぞれ偏光板が貼り付けられている。

液晶パネル１０は、その表示面が画像を表示可能な表示領域と、表示領域を取り囲む非表示領域と、に区分されている。図２は、アレイ基板１０Ａの表示領域における画素配列を表す平面図である。なお、図２には、ＣＦ基板１０Ｂ側の構成も一部図示されている。アレイ基板１０Ａにおける表示領域には、図２に示すように、ＴＦＴ（スイッチング素子、薄膜トランジスタ）１１及びＴＦＴ１１に接続される画素電極１２がそれぞれＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って複数ずつマトリクス状（行列状）に並んで設けられる。ＴＦＴ１１及び画素電極１２の周りには、略格子状をなすゲート配線（走査配線）１３及びソース配線（画像配線、データ配線）１４が取り囲むようにして配設されている。ＴＦＴ１１は、ゲート配線１３に接続されるゲート電極１１Ａと、ソース配線１４に接続されるソース電極１１Ｂと、画素電極１２に接続されるドレイン電極１１Ｃと、を少なくとも有している。ＴＦＴ１１は、画素電極１２（ソース配線１４）に対してＸ軸方向について図２に示す左右に偏在している。ＴＦＴ１１は、画素電極１２（ソース配線１４）に対して左側に偏在するものと、画素電極１２（ソース配線１４）に対して右側に偏在するものと、がＹ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。なお、アレイ基板１０Ａには、ゲート配線１３に走査信号を供給するためのゲート回路部がモノリシックに設けられるのが好ましい。また、アレイ基板１０Ａには、ソース配線１４に画像信号を供給するためのドライバがＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。

画素電極１２は、図２に示すように、平面に視て横長の長手状、具体的には略長方形状とされており、長手方向がＸ軸方向と一致し、短手方向がＹ軸方向と一致している。画素電極１２における短手寸法に対する長手寸法の比率は例えば約３である。短手方向（Ｙ軸方向）について隣り合う画素電極１２の間にゲート配線１３が介在するのに対し、長手方向（Ｘ軸方向）について隣り合う画素電極１２の間にソース配線１４が介在している。画素電極１２は、ゲート配線１３及びソース配線１４とは平面に視て非重畳となるよう配されている。ゲート配線１３は、画素電極１２の長手方向（Ｘ軸方向）に沿って延在し、短手方向について画素電極１２の短手寸法程度の間隔を空けて複数が並んで配されている。ゲート配線１３は、ソース配線１４との交差箇所に平面に視て横長の方形の環状をなす部分（以下、環状部１３Ａという）を有している。環状部１３Ａにより、ゲート配線１３とソース配線１４との交差箇所において、ゲート配線１３とソース配線１４とが短絡する不良が生じた場合に、ゲート配線１３から短絡部分をレーザ照射等で分離することができる。ゲート配線１３の設置数は、Ｙ軸方向についての画素電極１２の並び数と一致している。ソース配線１４は、画素電極１２の短手方向に沿って延在し、長手方向について画素電極１２の長手寸法程度の間隔を空けて複数が並んで配されている。ソース配線１４は、ゲート配線１３に対してほぼ直交（交差）している。ソース配線１４の設置数は、Ｘ軸方向についての画素電極１２の並び数と一致している。このような構成によれば、仮に画素電極を縦長の長手状とした場合に比べると、ソース配線１４の配列間隔が、画素電極１２の短手寸法を長手寸法にて除した比率（例えば約１／３）程度となり、それに伴ってＸ軸方向についての単位長さ当たりのソース配線１４の設置数が上記と同様の比率（例えば約１／３）程度となる。なお、仮に画素電極を縦長の長手状とした場合に比べると、ゲート配線１３の配列間隔が、画素電極１２の長手寸法を短手寸法にて除した比率（例えば約３）程度となり、それに伴ってＸ軸方向についての単位長さ当たりのゲート配線１３の設置数が上記と同様の比率（例えば約３）程度となる。これにより、ソース配線１４の設置数を削減することができるので、ソース配線１４に供給される画像信号の数が削減される。従って、ソース配線１４に信号を供給するためのドライバの設置数を削減したり、安価なドライバを用いたりすることができるので、液晶パネル１０の高精細化が進行した場合でも液晶パネル１０の狭額縁化や低コスト化を図ることができる。

図３は、アレイ基板１０Ａにおける図２のＡ−Ａ線断面図である。図２及び図３を用いてＴＦＴ１１の構成を詳しく説明する。ＴＦＴ１１は、図２及び図３に示すように、接続対象とされる画素電極１２に対してＸ軸方向について図２に示す左側または右側に隣り合う配置とされる。ＴＦＴ１１は、ゲート配線１３に連なるゲート電極１１Ａを有する。ゲート電極１１Ａは、ゲート配線１３における環状部１３Ａから図２に示す下向きに突き出すよう分岐されていて、平面に視て縦長の方形とされる。ＴＦＴ１１は、ソース配線１４に連なるソース電極１１Ｂを有する。ソース電極１１Ｂは、ゲート電極１１Ａにおける３つの辺に沿って屈曲されて平面に視て図２に示す下側に向けて開口するチャンネル型をなしている。ＴＦＴ１１は、ソース電極１１Ｂとの間に間隔を空けた位置に配されるドレイン電極１１Ｃを有する。ドレイン電極１１Ｃは、ソース電極１１Ｂにおける３つの辺部と対向状をなすとともに、ソース電極１１Ｂの開口部分からＹ軸方向に沿って延出してから屈曲されてＸ軸方向に沿って延在する。ドレイン電極１１ＣにおけるＸ軸方向に沿って延在する部分は、画素電極１２の一部と平面に視て重畳していてその部分に対して接続されており、画素電極１２に対する接続部２８を構成している。この接続部２８の詳しい構成については後に改めて説明する。ＴＦＴ１１は、ゲート電極１１Ａと重畳していて、ソース電極１１Ｂ及びドレイン電極１１Ｃに接続されるチャネル部１１Ｄを有する。チャネル部１１Ｄは、ゲート電極１１Ａと同様に平面形状が方形とされており、その３つの辺部がソース電極１１Ｂに、残りの１辺部を含む部分がドレイン電極１１Ｃに、それぞれ接続されている。そして、ゲート配線１３に伝送される走査信号がゲート電極１１Ａに供給されることでＴＦＴ１１が駆動されると、ソース配線１４に伝送される画像信号（データ信号）がソース電極１１Ｂからチャネル部１１Ｄを介してドレイン電極１１Ｃへと供給される。その結果、画素電極１２が画像信号に基づいた電位に充電される。

図４は、液晶パネル１０における図２のＢ−Ｂ線断面図である。図５は、液晶パネル１０における図２のＣ−Ｃ線断面図である。図６は、液晶パネル１０における図２のＤ−Ｄ線断面図である。ＣＦ基板１０Ｂの表示領域には、図４から図６に示すように、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ１５が設けられている。カラーフィルタ１５は、アレイ基板１０Ａ側の各画素電極１２と平面に視て重畳するようＸ軸方向及びＹ軸方向について複数個ずつマトリクス状に並んで配列されている。カラーフィルタ１５は、互いに異なる色を呈するものがソース配線１４（Ｙ軸方向）に沿って繰り返し並んでおり、同色を呈するものがゲート配線１３（Ｘ軸方向）に沿って続けて並んでいる。この液晶パネル１０においては、Ｙ軸方向に沿って並ぶＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１５と、各カラーフィルタ１５と対向する３つの画素電極１２と、が３色の画素部ＰＸをそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル１１においては、Ｙ軸方向に沿って隣り合うＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素部ＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。ＣＦ基板１０Ｂの表示領域には、隣り合うカラーフィルタ１５の間を仕切る略格子状のブラックマトリクス（画素間遮光部）１６が設けられている。このブラックマトリクス１６により隣り合う画素部ＰＸの間を光が行き来し難くなり、それにより混色などが防止されている。また、カラーフィルタ１５の内面側には、対向電極１７が形成されている。対向電極１７は、少なくとも表示領域においてベタ状に設けられており、全ての画素電極１２に対して液晶層１０Ｃを挟んで対向している。対向電極１７には、基準電位（共通電位）が供給されることで、ＴＦＴ１１によって充電された画素電極１２との間に電位差を生じさせる。この電位差に基づいて液晶層１０Ｃの液晶分子の配向状態が変化し、それにより画素部ＰＸ毎に所定の階調表示を行うことが可能とされる。また、カラーフィルタ１５と対向電極１７との間には、平坦化のためにオーバーコート膜が形成されるのが好ましい。

アレイ基板１０Ａは、図３から図６に示すように、ガラス基板（基板）の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。具体的には、アレイ基板１０Ａは、第１金属膜（導電膜、ゲート金属膜）１８と、第１金属膜１８の上層側に配されるゲート絶縁膜（第１絶縁膜）１９と、ゲート絶縁膜１９の上層側に配される半導体膜２０と、半導体膜２０の上層側に配される第２金属膜（導電膜、ソース金属膜）２１と、第２金属膜２１の上層側に配される層間絶縁膜（絶縁膜、第２絶縁膜）２２と、層間絶縁膜２２の上層側に配される平坦化膜（絶縁膜、第３絶縁膜）２３と、平坦化膜２３の上層側に配される透明電極膜２４と、透明電極膜２４の上層側に配される配向膜１０Ｅと、を有する。

第１金属膜１８及び第２金属膜２１は、いずれも１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜１８は、図３から図６に示すように、ゲート配線１３やＴＦＴ１１のゲート電極１１Ａなどを構成する。第２金属膜２１は、ソース配線１４やＴＦＴ１１のソース電極１１Ｂなどを構成する。半導体膜２０は、材料として例えば酸化物半導体を用いた酸化物半導体膜とされる。半導体膜２０は、ＴＦＴ１１のチャネル部１１Ｄなどを構成する。透明電極膜２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明電極材料からなり、画素電極１２などを構成している。

ゲート絶縁膜１９及び層間絶縁膜２２は、いずれも無機絶縁材料（無機樹脂材料）の一種であるＳｉＯ_２（酸化シリコン、シリコン酸化物）やＳｉＮ_ｘ（窒化シリコン）などからなる。平坦化膜２３は、有機絶縁材料（有機材料）の一種であるＰＭＭＡ（アクリル樹脂）などからなる。ゲート絶縁膜１９は、第１金属膜１８と半導体膜２０との間に介在してこれらを絶縁する。特に、ゲート絶縁膜１９のうち、第１金属膜１８からなるゲート配線１３と第２金属膜２１からなるソース配線１４との交差部間に介在する部分は、両配線１３，１４間を絶縁する。層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３は、半導体膜２０及び第２金属膜２１と透明電極膜２４との間に介在してこれらを絶縁する。このうちの平坦化膜２３は、その膜厚が無機樹脂材料からなる他の絶縁膜１９，２２よりも大きくなっており、アレイ基板１０Ａの表面を平坦化するのに機能する。層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３のうち、ＴＦＴ１１のドレイン電極１１Ｃと画素電極１２との重畳箇所に対して重畳する位置には、コンタクトホールＣＨが開口形成されている。従って、互いに重畳するドレイン電極１１Ｃの接続部２８と、画素電極１２の一部と、は、コンタクトホールＣＨを通して接続されている。

ここで、配向膜１０Ｅに関して図７から図９を用いて詳しく説明する。図７は、アレイ基板１０Ａの配向膜１０Ｅにおける配向処理を説明するための図面であり、アレイ基板１０Ａを液晶層１０Ｃ側から見た図面である。図８は、ＣＦ基板１０Ｂの配向膜１０Ｅにおける配向処理を説明するための図面であり、ＣＦ基板１０Ｂを液晶層１０Ｃ側とは逆側、すなわち偏光板が貼り付けられる側から見た図面である。図９は、液晶パネル１０の１つの画素部ＰＸにおける液晶分子のチルト方向（配向方向）などを説明するための図面であり、アレイ基板１０Ａを下にし、ＣＦ基板１０Ｂを上にして、ＣＦ基板１０Ｂ側から見た図面である。両基板１０Ａ，１０Ｂのそれぞれの最内面に設けられた配向膜１０Ｅは、液晶層１０Ｃに電圧が印加されていない状態において、いずれも液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子の長軸を基板の膜面に対してほぼ垂直に配向させる垂直配向膜とされる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１０は、表示モードがＶＡ（Vertical Alignment）モードであり、より詳しくは画素部ＰＸを区分する４つのドメインＰＸＤ毎に液晶分子の配向が異なっていて例えば４Ｄ−ＲＴＮ（4-Domain Reverse Twisted Nematic）モードとされる。具体的には、配向膜１０Ｅは、その表面に光配向処理が行われることで液晶分子に配向規制力を付与することが可能となる光配向膜とされており、光配向処理が上記した複数のドメインＰＸＤに応じたものとなっている。すなわち、アレイ基板１０Ａ側の配向膜１０Ｅには、図７に示すように、製造過程において各画素部ＰＸにおけるＸ軸方向についての中央位置を境界にしてＸ軸方向に沿って並ぶ２つの領域に対してＹ軸方向に沿って互いに逆向きとなる配向処理光（偏光紫外線）がそれぞれ照射されている。図７には、配向処理光の照射方向が白抜きの矢印により図示され、液晶分子のチルト方向（配向方向、液晶層に電圧が印加されたときに液晶分子が倒れる方向）が実線の矢印により図示されている。本実施形態では、図７に示す左側の領域に対しては同図の上向きの配向処理光が、図７に示す右側の領域に対しては同図の下向きの配向処理光が、それぞれ照射されている。なお、互いに逆向きとなる配向処理光を照射する際に、マスクを用いて、不要な部分に配向処理光が照射されないようする。一方、ＣＦ基板１０Ｂ側の配向膜１０Ｅには、図８に示すように、製造過程において各画素部ＰＸにおけるＹ軸方向についての中央位置を境界にしてＹ軸方向について並ぶ２つの領域に対してＸ軸方向に沿って互いに逆向きとなる配向処理光がそれぞれ照射されている。図８には、配向処理光の照射方向が白抜きの矢印により図示され、液晶分子のチルト方向が実線の矢印により図示されている。本実施形態では、図８に示す上側の領域に対しては同図の左向きの配向処理光が、図８に示す下側の領域に対しては同図の右向きの配向処理光が、それぞれ照射されている。

このような光配向処理が行われる一対の配向膜１０Ｅによって画素部ＰＸは、図９に示すように、液晶分子のチルト方向が互いに異なる４つのドメインＰＸＤに分割されている。図９には、液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が実線の矢印により図示されている。４つのドメインＰＸＤは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向についてマトリクス状に２つずつ並ぶ配置となっている。４つのドメインＰＸＤの境界位置では、液晶分子の配向が４つのドメインＰＸＤのいずれとも異なっており、ここが配向境界部２５とされる。配向膜１０Ｅは、平面に視て略十字型の配向境界部２５を有している。配向境界部２５は、Ｘ軸方向に沿って延在する第１配向境界部２５Ａと、Ｙ軸方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂと、を含む構成とされる。なお、図２及び図９では、４つのドメインＰＸＤの配向境界部２５を一点鎖線にて図示している。この配向境界部２５は、液晶分子の配向状態を適切に制御するのが難しく、光量が局所的に少ない暗部となり易い傾向とされる。なお、図９では、暗部の発生領域を網掛け状にして図示している。本実施形態では、４つのドメインＰＸＤにおける液晶分子のチルト方向が、互いに９０度の整数倍ずつ異なるよう設定されている。すなわち、図９に示す右上のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が左斜め上向きとされ、図９に示す左上のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が左斜め下向きとされ、図９に示す左下のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が右斜め下向きとされ、図９に示す右下のドメインＰＸＤでは、液晶分子のチルト方向が右斜め上向きとされる。このように、各ドメインＰＸＤに配される液晶分子が一対の配向膜１０Ｅによってそれぞれ異なる向きに配向規制されるので、液晶パネル１０に表示される画像に係る視野角特性が平均化され、もって良好な表示性能が得られる。

本実施形態に係る液晶パネル１０を構成するアレイ基板１０Ａには、図２及び図５に示すように、容量配線２６が設けられている。容量配線２６は、Ｘ軸方向、つまり画素電極１２の長手方向に沿って延在しており、言い換えるとゲート配線１３に並行するよう延在している。容量配線２６は、画素電極１２に対して層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３（絶縁膜）を介して重畳する容量形成部２７を有する。容量配線２６は、Ｘ軸方向に沿って並んでいて１つの列をなす複数の画素電極１２を全て横切っており、これらの画素電極１２に対してそれぞれ重畳するよう複数の容量形成部２７を有している。１つの容量配線２６が有する容量形成部２７の数は、画素電極１２におけるＸ軸方向についての並び数と一致している。容量配線２６は、Ｙ軸方向について画素電極１２の短手寸法程度の間隔を空けて複数が並んで配されている。容量配線２６の配列間隔は、ゲート配線１３の配列間隔及びＹ軸方向についての画素電極１２の配列間隔とほぼ等しい。容量配線２６の設置数は、ゲート配線１３の設置数及びＹ軸方向についての画素電極１２の並び数と一致している。容量配線２６は、基準電位（例えば対向電極１７と同じ電位であってもよいし、対向電極１７に対して特定の電位差を保つ電位であってもよい）に保たれるとともに、容量形成部２７と重畳する画素電極１２及び画素電極１２と接続された接続部２８との間には静電容量が形成されるので、画素電極１２が充電されるとその電位が保持されるようになっている。また、容量配線２６は、ゲート配線１３と同じ第１金属膜１８からなる。これにより、仮に容量配線をゲート配線１３とは別の金属膜により構成した場合に比べて製造コストの低廉化を図ることができる。また、ゲート配線１３及び容量配線２６は、共にＸ軸方向に沿って延在していてソース配線１４に対して交差する関係であるものの、ソース配線１４との間にゲート絶縁膜１９が介在する第１金属膜１８により構成されているので、ソース配線１４との短絡が避けられている。

ここで、ドレイン電極１１Ｃが有する接続部２８について改めて説明する。ドレイン電極１１Ｃは、図２に示すように、画素電極１２に接続される接続部２８が、配向境界部２５の少なくとも一部に対して重畳するよう配されている。詳しくは、接続部２８は、Ｘ軸方向に沿って延在する所定幅の帯状（線状）をなしており、配向境界部２５のうち接続部２８の延在方向（Ｘ軸方向）に並行する形で延在する第１配向境界部２５Ａに対して重畳するよう配されている。この配向境界部２５は、既述した通り、液晶分子の配向状態を適切に制御するのが難しく、光量が局所的に少ない暗部となり易い傾向にある。特に、配向境界部２５に起因する暗部は、アレイ基板１０Ａに形成した配向膜１０Ｅの表面に光配向処理する際に使用するマスクのアライメント精度に起因して位置や幅が変動する場合があり、表示領域において暗部の幅が異なる部分があると表示ムラとして視認され易い傾向にある。このような配向境界部２５の第１配向境界部２５Ａに対して接続部２８を重畳配置することで、接続部２８によって第１配向境界部２５Ａに起因する表示ムラが視認され難くなるとともに、接続部２８が画素電極１２に対して重畳配置されることに起因する輝度低下が抑制される。その上で、接続部２８は、図３に示すように、ソース配線１４と同じ第２金属膜２１からなる。これにより、仮に接続部をソース配線１４とは別の金属膜により構成した場合に比べて製造コストの低廉化を図ることができる。接続部２８は、図２に示すように、自身の延在方向についての長さ寸法が、画素電極１２の長手寸法及び第１配向境界部２５Ａの長さ寸法と同等とされている。従って、接続部２８は、第１配向境界部２５Ａに対してほぼ全長にわたって重畳配置されている。接続部２８は、画素電極１２におけるＹ軸方向についての中央部に対して重畳配置されており、図３に示すように、画素電極１２に対して間に層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３を介して重畳するよう配されている。

接続部２８は、図２及び図３に示すように、画素電極１２の一部に対して接続される接続電極２９を有している。接続電極２９は、接続部２８におけるＸ軸方向についての中央位置に配されている。接続電極２９と画素電極１２との間に介在する層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３のうち、接続電極２９及び画素電極１２の重畳位置には、コンタクトホールＣＨが開口形成されている。接続電極２９及びコンタクトホールＣＨは、画素電極１２におけるＸ軸方向及びＹ軸方向についての中央位置、言い換えると配向境界部２５を構成する第１配向境界部２５Ａと第２配向境界部２５Ｂとの交差位置に配されている。接続部２８と画素電極１２の一部とを接続するコンタクトホールＣＨの周辺は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子の配向が乱れ易いため、本来的に表示への寄与度が低い傾向にある。一方、配向境界部２５のうち、第１配向境界部２５Ａと第２配向境界部２５Ｂとの交差位置では、液晶分子の配向状態を適切に制御するのが特に難しい傾向にある。これに対し、接続電極２９は、第１配向境界部２５Ａと第２配向境界部２５Ｂとの交差位置に配されているので、仮に接続電極が第１配向境界部２５Ａと第２配向境界部２５Ｂとの交差位置からオフセットされた配置とされた場合に比べると、画素電極１２において表示に有効に利用される範囲が広く確保される。これにより、表示品位が良好に保たれる。

このような構成の接続部２８の一部には、図２及び図５に示すように、容量形成部２７の一部が重畳するよう配されている。容量形成部２７は、接続部２８の延在方向であるＸ軸方向に沿って延在する所定幅の帯状（線状）をなしている。容量形成部２７は、接続部２８と同様に、配向境界部２５の少なくとも一部、具体的には第１配向境界部２５Ａに対して重畳するよう配されている。容量形成部２７は、接続部２８と同様に、第１配向境界部２５Ａに対してほぼ全長にわたって重畳配置されている。容量形成部２７は、接続部２８と同様に、画素電極１２におけるＹ軸方向についての中央部に対して重畳配置されており、画素電極１２に対して間にゲート絶縁膜１９、層間絶縁膜２２、平坦化膜２３及び接続部２８の一部を介して重畳するよう配されている。なお、本実施形態では、Ｘ軸方向が「容量形成部２７及び接続部２８の延在方向」であり、Ｙ軸方向が「容量形成部２７及び接続部２８の延在方向と交差する交差方向」である。

容量形成部２７は、図５，図６及び図１０に示すように、接続部２８に対してＹ軸方向について部分的にオフセットするよう配されている。図１０は、アレイ基板１０Ａにおける容量形成部２７及び接続部２８付近を拡大した平面図である。従って、容量形成部２７及び接続部２８は、互いに重畳する重畳部をそれぞれ有するとともに、互いに非重畳となる非重畳部２７Ａ，２８Ａをそれぞれ有している。非重畳部２７Ａ，２８Ａには、容量形成部２７の一部である容量形成部側非重畳部２７Ａと、接続部２８の一部である接続部側非重畳部２８Ａと、が含まれる。容量形成部側非重畳部２７Ａ及び接続部側非重畳部２８Ａは、それぞれ容量形成部２７及び接続部２８のうちのＸ軸方向に沿って延在する側縁部からなる。容量形成部側非重畳部２７Ａ及び接続部側非重畳部２８Ａは、容量形成部２７及び接続部２８における重畳部をＹ軸方向について間に挟み込むよう配されている。つまり、容量形成部側非重畳部２７Ａ及び接続部側非重畳部２８Ａのうちの一方は、上記した重畳部に対してＹ軸方向について一方側に配されるのに対し、他方は、上記した重畳部に対してＹ軸方向について他方側に配される。容量形成部側非重畳部２７Ａ及び接続部側非重畳部２８Ａは、容量形成部２７及び接続部２８が設計通りの位置に設けられる場合に生じるものであり、実際の製造に際して容量形成部２７及び接続部２８が設計された位置からＹ軸方向について位置ずれした場合には、その一部が容量形成部２７や接続部２８に対して重畳し得る。同様に、容量形成部２７及び接続部２８が設計通りの位置に設けられる場合に重畳する重畳部は、上記のようなＹ軸方向についての位置ずれが生じた場合には、その一部が容量形成部２７や接続部２８に対して非重畳となり得る。

そして、容量形成部側非重畳部２７Ａ及び接続部側非重畳部２８Ａは、図５，図６及び図１０に示すように、容量形成部２７及び接続部２８においてＸ軸方向についての片側とその反対側とでＹ軸方向についての配置が入れ替わるよう配されている。詳しくは、容量形成部側非重畳部２７Ａ及び接続部側非重畳部２８Ａは、接続部２８及び容量形成部２７のうち、Ｘ軸方向についての中央位置を境界にした図１０に示す左側と右側とでＹ軸方向について図１０に示す上下の配置が入れ替わっている。なお、以下では容量形成部側非重畳部２７Ａ及び接続部側非重畳部２８Ａを区別する場合には、図１０に示す左側に配されるものを「第１容量形成部側非重畳部２７Ａ１及び第１接続部側非重畳部２８Ａ１」としてその符号に添え字「１」を、図１０に示す右側に配されるものを「第２容量形成部側非重畳部２７Ａ２及び第２接続部側非重畳部２８Ａ２」としてその符号に添え字「２」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。具体的には、第１容量形成部側非重畳部２７Ａ１は、接続部２８に対してＹ軸方向について図１０に示す上側に位置ずれしているのに対し、第１接続部側非重畳部２８Ａ１は、容量形成部２７に対してＹ軸方向について図１０に示す下側に位置ずれしている。第２容量形成部側非重畳部２７Ａ２は、接続部２８に対してＹ軸方向について図１０に示す下側に位置ずれしているのに対し、第２接続部側非重畳部２８Ａ２は、容量形成部２７に対してＹ軸方向について図１０に示す上側に位置ずれしている。第１容量形成部側非重畳部２７Ａ１及び第２容量形成部側非重畳部２７Ａ２は、接続部２８に対してＹ軸方向について互いに反対側に位置ずれしている。第１接続部側非重畳部２８Ａ１及び第２容量形成部側非重畳部２７Ａ２は、容量形成部２７に対してＹ軸方向について互いに反対側に位置ずれしている。

以上のような構成によれば、図１０に示すように、製造上の理由から容量形成部２７及び接続部２８が設計された位置からＹ軸方向について位置ずれするのに伴ってＸ軸方向について片側において容量形成部２７及び接続部２８の重畳面積が増加または減少しても、延在方向についてその反対側においては容量形成部２７及び接続部２８の重畳面積が減少または増加することになる。なお、図１０には、接続部２８が設計された位置からＹ軸方向について位置ずれした状態が二点鎖線により図示されている。例えば、接続部２８が容量形成部２７に対して設計された位置からＹ軸方向について上側に位置ずれした場合には、容量形成部２７及び接続部２８におけるＸ軸方向についての図１０に示す左側部分では、第１容量形成部側非重畳部２７Ａ１及び第１接続部側非重畳部２８Ａ１の各幅が狭まるとともに重畳部の幅が増加する。一方、容量形成部２７及び接続部２８におけるＸ軸方向についての図１０に示す右側部分では、第２容量形成部側非重畳部２７Ａ２及び第２接続部側非重畳部２８Ａ２の各幅が広がるとともに重畳部の幅が減少する。上記とは逆に、接続部２８が容量形成部２７に対して設計された位置からＹ軸方向について下側に位置ずれした場合には、容量形成部２７及び接続部２８におけるＸ軸方向についての図１０に示す左側部分では、第１容量形成部側非重畳部２７Ａ１及び第１接続部側非重畳部２８Ａ１の各幅が広がるとともに重畳部の幅が減少する。一方、容量形成部２７及び接続部２８におけるＸ軸方向についての図１０に示す右側部分では、第２容量形成部側非重畳部２７Ａ２及び第２接続部側非重畳部２８Ａ２の各幅が狭まるとともに重畳部の幅が増加する。従って、製造上の理由から容量形成部２７及び接続部２８が設計された位置からＹ軸方向について位置ずれしても、容量形成部２７及び接続部２８の全体の重畳面積が変動することが避けられる。これにより、容量形成部２７と接続部２８との間に形成される静電容量も変動することが避けられる。そして、従来のように、ＣＳバスラインの延設部がドレイン引出し配線の延設部における両側縁からそれぞれはみ出す部分を有する場合に比べると、容量形成部２７及び接続部２８による遮光範囲が狭くなっている。

容量形成部２７及び接続部２８は、図２に示すように、Ｘ軸方向について片側とその反対側とで非重畳部２７Ａ，２８ＡにおけるＸ軸方向についての寸法が等しくなるよう設けられている。しかも、容量形成部２７及び接続部２８は、Ｘ軸方向について片側とその反対側とで非重畳部２７Ａ，２８ＡにおけるＹ軸方向についての寸法が等しくなるよう設けられている。詳しくは、第１容量形成部側非重畳部２７Ａ１及び第２容量形成部側非重畳部２７Ａ２は、長さ寸法及び幅寸法がそれぞれほぼ等しい。同様に、第１接続部側非重畳部２８Ａ１及び第２接続部側非重畳部２８Ａ２、長さ寸法及び幅寸法がそれぞれほぼ等しい。さらには、容量形成部２７及び接続部２８は、実質的に回転対称形状とされる。詳しくは、容量形成部２７及び接続部２８は、Ｘ軸方向についての中央部（接続電極２９付近）を除いては、全体として概ね回転対称形状である。このような構成によれば、製造上の理由から容量形成部２７及び接続部２８が設計された位置からＹ軸方向について位置ずれしても、容量形成部２７及び接続部２８の全体の重畳面積が一定に保たれるので、容量形成部２７と接続部２８との間に形成される静電容量も一定に保たれる。それに加えて、容量形成部２７及び接続部２８がＹ軸方向について位置ずれする際に許容される位置ずれ許容寸法が、Ｙ軸方向について片側とその反対側とで同等になる。

本実施形態に係る液晶パネル１０を構成するアレイ基板１０Ａには、図２及び図４に示すように、Ｙ軸方向に沿って延在していて配向境界部２５のうちの第２配向境界部２５Ｂに対して重畳するよう配される遮光部３０が設けられている。遮光部３０は、画素電極１２におけるＸ軸方向についてのほぼ中央位置に配されており、配向境界部２５のうちのＹ軸方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂの殆どに対して重畳するよう配されている。第２配向境界部２５Ｂは、第１配向境界部２５Ａと同様に、生じる暗部の位置や幅がＣＦ基板１０Ｂに形成した配向膜１０Ｅの表面に光配向処理する際に使用するマスクのアライメント精度に起因して変動して表示ムラが視認され易い。このような第２配向境界部２５Ｂに対して遮光部３０を重畳配置することで、遮光部３０によって第２配向境界部２５Ｂに起因する表示ムラが視認され難くなるとともに、遮光部３０が画素電極１２に対して重畳配置されることに起因する輝度低下が抑制される。その上で、本実施形態に係る遮光部３０は、接続部２８と同じ第２金属膜２１により構成されていて接続部２８に連ねられる第１遮光部３０Ａにより構成されている。このようにすれば、仮に第１遮光部を接続部２８との間に絶縁膜が介在する別の金属膜（導電膜）により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールにより遮光部と接続部２８とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。

ここで、画素電極１２の外周縁部と、液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向と、の関係について図９を参照しつつ詳しく説明する。画素電極１２の外周縁部は、図９に示すように、画素部ＰＸの４つのドメインＰＸＤにおける配向境界部２５側の２辺ずつを除いた外側の２辺ずつを構成している。これに対し、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子のチルト方向は、既述した通り、各ドメインＰＸＤにおいて互いに９０度の整数倍ずつ異なっている。従って、図９に示す右上のドメインＰＸＤでは、画素電極１２の短手側の縁部１２Ｓに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角（９０度を超えない角度）をなすのに対し、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角（９０度を超える角度）をなしている。同様に、図９に示す左上のドメインＰＸＤでは、画素電極１２の短手側の縁部１２Ｓに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなすのに対し、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなしている。同様に、図９に示す左下のドメインＰＸＤでは、画素電極１２の短手側の縁部１２Ｓに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなすのに対し、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなしている。図９に示す右下のドメインＰＸＤでは、画素電極１２の短手側の縁部１２Ｓに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなすのに対し、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなしている。ところで、画素電極１２の外周縁部付近には、ゲート配線１３やソース配線１４と画素電極１２との間に発生する電界が存在しており、その電界は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子に対して配向規制力を作用させ得る。画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部付近に生じる電界は、上記したチルト方向に対して逆向きの配向規制力を液晶分子に作用させるため、当該縁部付近では液晶分子の配向が乱れ易く、暗部として視認されるおそれがある。特に、上記した液晶分子の配向乱れに起因する暗部は、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部付近に生じる電界の強度に応じて幅が多少変動し得る。上記した電界の強度は、画素電極１２の縁部とゲート配線１３やソース配線１４の側縁部との距離や層間絶縁膜２２や平坦化膜２３の膜厚などに応じて変動するものである。このため、表示領域において暗部の幅が異なる部分があると、表示ムラとして視認され易い傾向にある。

そこで、本実施形態に係る液晶パネル１０を構成するアレイ基板１０Ａには、図２，図５及び図６に示すように、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶層１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されるエッジ遮光部３１が設けられている。エッジ遮光部３１は、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向がチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌの少なくとも一部と重畳するよう配されている。具体的には、エッジ遮光部３１は、図２に示す右上のドメインＰＸＤにおける画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌと、図２に示す左下のドメインＰＸＤにおける画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌと、に対してそれぞれ重畳するよう２つ配されている。エッジ遮光部３１は、Ｘ軸方向に沿って延在していて上記した画素電極１２の長手側の各縁部１２Ｌにおけるほぼ全域にわたって重畳している。このような構成によれば、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌとゲート配線１３との間に生じる電界によって液晶分子に作用する配向規制力に起因して液晶分子の配向に乱れが生じた場合であっても、上記した液晶分子のチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌに対して重畳配置されるエッジ遮光部３１によって配向乱れに起因する暗部が視認され難くなる。これにより、表示領域において暗部の幅が異なる部分が生じたとしても、表示ムラとして視認され難くなり、表示品位が良好に保たれる。しかも、上記した液晶分子のチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌは、短手側の縁部１２Ｓに比べると、形成範囲が広いため、暗部の発生範囲も広くなる傾向にあるものの、エッジ遮光部３１が長手側の縁部１２Ｌに対して重畳配置されることで、長手側の縁部１２Ｌ付近に広範囲にわたって生じ得る暗部が視認され難くなる。これにより、表示品位がより良好に保たれる。なお、図２に示す左上のドメインＰＸＤ及び右下のドメインＰＸＤにおける短手側の各縁部１２Ｓには、エッジ遮光部３１が重畳配置されていないものの、長手側の縁部１２Ｌに比べると、発生し得る暗部の範囲が比較的狭いため、表示品位を著しく劣化させることはない。また、暗部をブラックマトリクス１６で隠すことで表示品位を改善する場合においても、長手側の縁部１２Ｌに比べると、短手側の各縁部１２Ｓで発生し得る暗部の範囲が比較的狭いため、輝度低下に与える影響は小さい。

エッジ遮光部３１は、図２，図５及び図６に示すように、接続部２８と同じ第２金属膜２１により構成されていて接続部２８に連ねられている。エッジ遮光部３１は、遮光部３０を構成する第１遮光部３０Ａに対して直接的に連ねられており、接続部２８に対しては第１遮光部３０Ａを介して間接的に連ねられている。エッジ遮光部３１は、接続部２８に電気的に接続されているので、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、上記したチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌ付近に生じる電界を遮蔽することができる。これにより、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌ付近に液晶分子の配向乱れがより生じ難くなるので、暗部がより視認され難くなって表示品位の改善に資する。また、仮にエッジ遮光部を接続部２８との間に絶縁膜が介在する別の金属膜（導電膜）により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールによりエッジ遮光部と接続部２８とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。

エッジ遮光部３１は、図２，図５及び図６に示すように、ゲート配線１３とは非重畳となり且つゲート配線１３の側縁部１３Ｅに隣接するよう配されている。このようにすれば、ゲート配線１３の側縁部１３Ｅと、画素電極１２における長手側の縁部１２Ｌと、の間に発生し得る電界を、ゲート配線１３の側縁部１３Ｅに隣接するよう配されるエッジ遮光部３１によって遮蔽することができる。これにより、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす長手側の縁部１２Ｌ付近に液晶分子の配向乱れがさらに生じ難くなるので、暗部がさらに視認され難くなって表示品位の改善に資する。また、エッジ遮光部３１は、ゲート配線１３とは非重畳となるよう配されているので、ゲート配線１３と接続部２８との間に生じ得る寄生容量が抑制される。

以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）１０は、液晶分子を含む液晶層１０Ｃと、液晶層１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶分子の配向方向が異なる複数のドメインＰＸＤと、複数のドメインＰＸＤの境界に位置する配向境界部２５と、液晶分子を配向させる配向膜１０Ｅと、画素電極１２と、画素電極１２に接続されていて配向境界部２５の少なくとも一部と重畳するよう配される接続部２８と、接続部２８の一部に対してゲート絶縁膜（絶縁膜）１９を介して一部が重畳するよう配されていて接続部２８との間に静電容量を形成する容量形成部２７と、を備え、接続部２８及び容量形成部２７は、いずれも配向境界部２５の少なくとも一部に沿って延在し、その延在方向と交差する交差方向について互いに非重畳となる非重畳部２７Ａ，２８Ａをそれぞれ有していて、延在方向について片側とその反対側とで非重畳部２７Ａ，２８Ａにおける交差方向についての配置が入れ替わるよう設けられている。

このようにすれば、画素電極１２に接続される接続部２８の一部には、ゲート絶縁膜１９を介して容量形成部２７の一部が重畳するよう配されることで、接続部２８と容量形成部２７との間に静電容量が形成される。これにより、画素電極１２の電位が保持される。接続部２８は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子の配向方向が異なる複数のドメインＰＸＤの境界に位置する配向境界部２５の少なくとも一部に対して重畳するよう配されている。この配向境界部２５は、液晶分子の配向状態を適切に制御するのが難しく、光量が局所的に少ない暗部となり易い。このような配向境界部２５の少なくとも一部に対して接続部２８を重畳配置すれば、接続部２８によって配向境界部２５付近に生じる暗部の幅などのばらつきに起因する表示ムラが視認され難くなる。

ところで、接続部２８及び容量形成部２７は、いずれも配向境界部２５の少なくとも一部に沿って延在し、その延在方向と交差する交差方向について互いに非重畳となる非重畳部２７Ａ，２８Ａをそれぞれ有する。この非重畳部２７Ａ，２８Ａは、接続部２８及び容量形成部２７が設計通りの位置に設けられる場合に生じるものであり、接続部２８及び容量形成部２７が設計された位置から交差方向について位置ずれした場合には、その一部が接続部２８や容量形成部２７に対して重畳し得る。同様に、接続部２８及び容量形成部２７が設計通りの位置に設けられる場合に重畳する部分は、上記のような交差方向についての位置ずれが生じた場合には、その一部が接続部２８や容量形成部２７に対して非重畳となり得る。接続部２８及び容量形成部２７は、延在方向について片側とその反対側とで非重畳部２７Ａ，２８Ａにおける交差方向についての配置が入れ替わるよう設けられているので、上記のような交差方向についての位置ずれが生じるのに伴って延在方向について片側において接続部２８及び容量形成部２７の重畳面積が増加または減少しても、延在方向についてその反対側においては接続部２８及び容量形成部２７の重畳面積が減少または増加することになる。従って、上記のような交差方向についての位置ずれが生じても、接続部２８及び容量形成部２７の全体の重畳面積が変動し難くなり、それにより、接続部２８と容量形成部２７との間に形成される静電容量も変動し難くなる。そして、従来のように、ＣＳバスラインの延設部がドレイン引出し配線の延設部における両側縁からそれぞれはみ出す部分を有する場合に比べると、接続部２８及び容量形成部２７による遮光範囲が狭くなっている。

また、接続部２８及び容量形成部２７は、延在方向について片側とその反対側とで非重畳部２７Ａ，２８Ａにおける延在方向についての寸法が等しくなるよう設けられている。このようにすれば、上記したように接続部２８及び容量形成部２７が交差方向について位置ずれしたとき、延在方向について片側とその反対側とで接続部２８及び容量形成部２７の重畳面積の増減が同等になる。従って、上記のような交差方向についての位置ずれが生じても、接続部２８及び容量形成部２７の全体の重畳面積が一定に保たれるので、接続部２８と容量形成部２７との間に形成される静電容量も一定に保たれる。

また、接続部２８及び容量形成部２７は、延在方向について片側とその反対側とで非重畳部２７Ａ，２８Ａにおける交差方向についての寸法が等しくなるよう設けられている。このようにすれば、上記したように接続部２８及び容量形成部２７が交差方向について位置ずれする際に許容される位置ずれ許容寸法が、交差方向について片側とその反対側とで同等になる。

また、接続部２８及び容量形成部２７は、実質的に回転対称形状とされる。このようにすれば、接続部２８及び容量形成部２７は、延在方向について片側とその反対側とで非重畳部２７Ａ，２８Ａにおける延在方向についての寸法が等しくなるとともに、延在方向について片側とその反対側とで非重畳部２７Ａ，２８Ａにおける交差方向についての寸法が等しくなる。従って、上記のような交差方向についての位置ずれが生じても、接続部２８及び容量形成部２７の全体の重畳面積が一定に保たれるので、接続部２８と容量形成部２７との間に形成される静電容量も一定に保たれる。それに加えて、接続部２８及び容量形成部２７が交差方向について位置ずれする際に許容される位置ずれ許容寸法が、交差方向について片側とその反対側とで同等になる。

また、画素電極１２は、長手状とされており、接続部２８及び容量形成部２７は、延在方向が画素電極１２の長手方向と一致するよう設けられている。このようにすれば、接続部２８は、配向境界部２５のうちの画素電極１２の長手方向に沿って延在する部分に対して重畳するよう配される。従って、配向境界部２５に起因する暗部を接続部２８によって広範囲にわたって視認され難くすることができる。

また、配向境界部２５は、延在方向に沿って延在していて接続部２８に対して重畳する第１配向境界部２５Ａと、交差方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂと、を含むよう構成されており、交差方向に沿って延在し第２配向境界部２５Ｂに対して重畳するよう配される遮光部３０を備える。このようにすれば、接続部２８及び容量形成部２７の延在方向に沿って延在する第１配向境界部２５Ａと、交差方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂと、により液晶分子の配向方向が異なる４つのドメインＰＸＤが区画されることになるので、視野角特性の向上を図る上で好適となる。配向境界部２５のうち、第１配向境界部２５Ａには、接続部２８が重畳するよう配されることで、第１配向境界部２５Ａ付近に生じる暗部の幅などのばらつきに起因する表示ムラが視認され難くなる。これに対し、第２配向境界部２５Ｂには、遮光部３０が重畳するよう配されることで、第２配向境界部２５Ｂ付近に生じる暗部の幅などのばらつきに起因する表示ムラが視認され難くなる。これにより、配向境界部２５付近に生じる暗部の幅などのばらつきに起因する表示ムラが視認され難くなる。

また、遮光部３０には、接続部２８と同じ第２金属膜（導電膜）２１により構成されていて接続部２８に連ねられる第１遮光部３０Ａが含まれる。このようにすれば、仮に第１遮光部を接続部２８との間に絶縁膜が介在する別の導電膜により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールにより第１遮光部と接続部２８とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。

また、画素電極１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶層１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されるエッジ遮光部３１を備える。画素電極１２の外周縁部付近には、他の導電体との間に発生する電界が存在し、その電界は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子に対して配向規制力を作用させ得る。画素電極１２の外周縁部には、次のような縁部が含まれる。すなわち、その縁部は、当該縁部に直交し且つ画素電極１２の内側に向かう方位角方向が、液晶層１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶層１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなしている。この縁部付近に生じる電界は、上記したチルト方向に対して逆向きの配向規制力を液晶分子に作用させるため、当該縁部付近では液晶分子の配向が乱れ易くなっている。その点、エッジ遮光部３１は、画素電極１２の外周縁部のうち、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されているから、上記した電界による配向規制力が作用することで液晶分子の配向に乱れが生じたとしても、液晶分子の配向乱れに起因する表示不良が視認され難くなる。これにより、表示品位が良好に保たれる。

また、エッジ遮光部３１は、接続部２８と同じ第２金属膜（導電膜）２１により構成されていて接続部２８に連ねられる。このようにすれば、画素電極１２の外周縁部のうち、上記したチルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす縁部の少なくとも一部付近に生じる電界は、接続部２８に連なるエッジ遮光部３１によって遮蔽される。これにより、チルト方向に対して上記した方位角方向が鈍角をなす縁部付近に液晶分子の配向乱れがより生じ難くなるので、表示不良がより視認され難くなって表示品位の改善に資する。また、仮にエッジ遮光部を接続部２８との間に絶縁膜が介在する別の導電膜により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールによりエッジ遮光部と接続部２８とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。

また、配向境界部２５は、延在方向に沿って延在していて接続部２８に対して重畳する第１配向境界部２５Ａと、交差方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂと、を含むよう構成されており、接続部２８は、画素電極１２の一部に対して層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３（絶縁膜）を介して重畳していて層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３に開口形成されたコンタクトホールＣＨを通して画素電極１２に接続される接続電極２９を有しており、接続電極２９は、第１配向境界部２５Ａと第２配向境界部２５Ｂとの交差位置に配されている。このようにすれば、接続部２８及び容量形成部２７の延在方向に沿って延在する第１配向境界部２５Ａと、交差方向に沿って延在する第２配向境界部２５Ｂと、により液晶分子の配向方向が異なる４つのドメインＰＸＤが区画されることになるので、視野角特性の向上を図る上で好適となる。接続部２８は、接続電極２９が画素電極１２に対して間に介在する層間絶縁膜２２及び平坦化膜２３に開口形成されたコンタクトホールＣＨを通して接続されている。ここで、接続部２８と画素電極１２の一部とを接続するコンタクトホールＣＨの周辺は、液晶層１０Ｃに含まれる液晶分子の配向が乱れ易いため、本来的に表示への寄与度が低い傾向にある。一方、配向境界部２５のうち、第１配向境界部２５Ａと第２配向境界部２５Ｂとの交差位置では、液晶分子の配向状態を適切に制御するのが特に難しい傾向にある。これに対し、接続電極２９は、第１配向境界部２５Ａと第２配向境界部２５Ｂとの交差位置に配されているので、仮に接続電極が第１配向境界部２５Ａと第２配向境界部２５Ｂとの交差位置からオフセットされた配置とされた場合に比べると、画素電極１２において表示に有効に利用される範囲が広く確保される。これにより、表示品位が良好に保たれる。

また、接続部２８を有するＴＦＴ１１と、延在方向に沿って延在しＴＦＴ１１に接続されてＴＦＴ１１を駆動する信号を伝送するゲート配線１３と、交差方向に沿って延在しＴＦＴ１１に接続されて画素電極１２を充電する信号を伝送するソース配線（画像配線）１４と、を備えており、容量形成部２７は、ゲート配線１３と同じ第１金属膜（導電膜）１８により構成され、接続部２８は、ソース配線１４と同じ第２金属膜（導電膜）２１により構成される。ゲート配線１３は、容量形成部２７の延在方向に沿って延在するので、これらが同じ第１金属膜１８により構成されていても短絡することが避けられる。これに対し、ソース配線１４は、接続部２８の延在方向と交差する交差方向に沿って延在するものの、接続部２８の形成範囲が限定的であるため、これらが同じ第２金属膜２１により構成されていても短絡が避けられる。このように、容量形成部２７及びゲート配線１３と、接続部２８及びソース配線１４と、がそれぞれ同じ第１金属膜１８及び第２金属膜２１により構成されることで、製造コストの低廉化を図る上で好適となる。

また、配向膜１０Ｅには、液晶分子の配向方向を異ならせる複数の配向処理が為されており、複数の配向処理が為された部分の境界が、配向境界部２５に対応する。配向膜１０Ｅに配向処理が為されると、その配向処理が為された部分により液晶分子が特定の方向に配向される。配向膜１０Ｅには、液晶分子の配向方向が異なるよう複数の配向処理が為されていて、複数の配向処理が為された部分の境界と、複数のドメインＰＸＤの境界と、が対応する関係とされる。

＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図１１によって説明する。この実施形態２では、上記した実施形態１に記載されたエッジ遮光部３１を省略したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る接続部１２８には、図１１に示すように、遮光部１３０を構成する第１遮光部１３０Ａが連ねられているものの、上記した実施形態１に記載されたエッジ遮光部３１については省略されていて非接続とされる。エッジ遮光部３１が非形成とされると、画素電極１１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極１１２の内側に向かう方位角方向が、液晶層に電圧が印加されたときの液晶層の厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部１１２Ｌとゲート配線１１３との間に生じる電界によって液晶分子に作用する配向規制力に起因して液晶分子の配向に乱れが生じた場合、その配向乱れに起因する暗部が視認され易くなる。その一方、画素電極１１２に対して重畳する遮光構造物が減少することになるので、画素電極１１２の透過光量については増加する。これにより、輝度の向上を図る上で好適となる。

＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１２または図１３によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態２から遮光部２３０の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る遮光部２３０には、図１２に示すように、上記した実施形態１に記載された第１遮光部２３０Ａに加えて、容量形成部２２７と同じ第１金属膜（導電膜）２１８により構成されていて容量形成部２２７に連ねられる第２遮光部２３０Ｂが含まれている。第２遮光部２３０Ｂは、第１遮光部２３０Ａの延在方向であるＹ軸方向に沿って延在していて配向境界部２２５のうちの第２配向境界部２２５Ｂに対して重畳するよう配されている。そして、第２遮光部２３０Ｂは、第１遮光部２３０Ａの少なくとも一部に対して重畳するよう配されている。このようにすれば、容量形成部２２７と接続部２２８との間に形成される静電容量が多くなる。これにより、画素電極２１２の電位がより良好に保持される。また、仮に第２遮光部を容量形成部２２７との間に絶縁膜が介在する別の導電膜により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールにより第２遮光部と容量形成部２２７とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。

第２遮光部２３０Ｂは、図１３に示すように、第１遮光部２３０Ａに対してＸ軸方向について部分的にオフセットするよう配されている。従って、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂは、互いに重畳する重畳部をそれぞれ有するとともに、互いに非重畳となる第２の非重畳部３２，３３をそれぞれ有している。第２の非重畳部３２，３３には、第１遮光部２３０Ａの一部である第１遮光部側非重畳部３２と、第２遮光部２３０Ｂの一部である第２遮光部側非重畳部３３と、が含まれる。第１遮光部側非重畳部３２及び第２遮光部側非重畳部３３は、それぞれ第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０ＢのうちのＹ軸方向に沿って延在する側縁部からなる。第１遮光部側非重畳部３２及び第２遮光部側非重畳部３３は、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂにおける重畳部をＸ軸方向について間に挟み込むよう配されている。つまり、第１遮光部側非重畳部３２及び第２遮光部側非重畳部３３のうちの一方は、上記した重畳部に対してＸ軸方向について一方側に配されるのに対し、他方は、上記した重畳部に対してＸ軸方向について他方側に配される。第１遮光部側非重畳部３２及び第２遮光部側非重畳部３３は、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂが設計通りの位置に設けられる場合に生じるものであり、実際の製造に際して第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂが設計された位置からＸ軸方向について位置ずれした場合には、その一部が第１遮光部２３０Ａや第２遮光部２３０Ｂに対して重畳し得る。同様に、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂが設計通りの位置に設けられる場合に重畳する重畳部は、上記のようなＸ軸方向についての位置ずれが生じた場合には、その一部が第１遮光部２３０Ａや第２遮光部２３０Ｂに対して非重畳となり得る。

そして、第１遮光部側非重畳部３２及び第２遮光部側非重畳部３３は、図１３に示すように、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０ＢにおいてＹ軸方向についての片側とその反対側とでＸ軸方向についての配置が入れ替わるよう配されている。詳しくは、第１遮光部側非重畳部３２及び第２遮光部側非重畳部３３は、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂのうち、Ｙ軸方向についての中央位置を境界にした図１３に示す上側と下側とでＸ軸方向について図１３に示す左右の配置が入れ替わっている。なお、以下では第１遮光部側非重畳部３２及び第２遮光部側非重畳部３３を区別する場合には、図１３に示す上側に配されるものを「一方の第１遮光部側非重畳部３２Ａ及び一方の第２遮光部側非重畳部３３Ａ」としてその符号に添え字「Ａ」を、図１３に示す下側に配されるものを「他方の第１遮光部側非重畳部３２Ｂ及び他方の第２遮光部側非重畳部３３Ｂ」としてその符号に添え字「Ｂ」を付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。具体的には、一方の第１遮光部側非重畳部３２Ａは、第２遮光部２３０Ｂに対してＸ軸方向について図１３に示す右側に位置ずれしているのに対し、一方の第２遮光部側非重畳部３３Ａは、第１遮光部２３０Ａに対してＸ軸方向について図１３に示す左側に位置ずれしている。他方の第１遮光部側非重畳部３２Ｂは、第２遮光部２３０Ｂに対してＸ軸方向について図１３に示す左側に位置ずれしているのに対し、他方の第２遮光部側非重畳部３３Ｂは、第１遮光部２３０Ａに対してＸ軸方向について図１３に示す右側に位置ずれしている。一方の第１遮光部側非重畳部３２Ａ及び他方の第２遮光部側非重畳部３３Ｂは、第２遮光部２３０Ｂに対してＸ軸方向について互いに反対側に位置ずれしている。一方の第２遮光部側非重畳部３３Ａ及び他方の第２遮光部側非重畳部３３Ｂは、第１遮光部２３０Ａに対してＸ軸方向について互いに反対側に位置ずれしている。

以上のような構成によれば、図１３に示すように、製造上の理由から第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂが設計された位置からＸ軸方向について位置ずれするのに伴ってＸ軸方向について片側において第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂの重畳面積が増加または減少しても、延在方向についてその反対側においては第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂの重畳面積が減少または増加することになる。なお、図１３には、第１遮光部２３０Ａが設計された位置からＸ軸方向について位置ずれした状態が二点鎖線により図示されている。例えば、第１遮光部２３０Ａが第２遮光部２３０Ｂに対して設計された位置からＸ軸方向について左側に位置ずれした場合には、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０ＢにおけるＹ軸方向についての図１３に示す上側部分では、一方の第１遮光部側非重畳部３２Ａ及び一方の第２遮光部側非重畳部３３Ａの各幅が狭まるとともに重畳部の幅が増加する。一方、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０ＢにおけるＹ軸方向についての図１３に示す下側部分では、他方の第１遮光部側非重畳部３２Ｂ及び他方の第２遮光部側非重畳部３３Ｂの各幅が広がるとともに重畳部の幅が減少する。上記とは逆に、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂに対して設計された位置からＸ軸方向について右側に位置ずれした場合には、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０ＢにおけるＹ軸方向についての図１３に示す上側部分では、一方の第１遮光部側非重畳部３２Ａ及び一方の第２遮光部側非重畳部３３Ａの各幅が広がるとともに重畳部の幅が減少する。一方、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０ＢにおけるＹ軸方向についての図１３に示す下側部分では、他方の第１遮光部側非重畳部３２Ｂ及び他方の第２遮光部側非重畳部３３Ｂの各幅が狭まるとともに重畳部の幅が増加する。従って、製造上の理由から第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂが設計された位置からＸ軸方向について位置ずれしても、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂの全体の重畳面積が変動することが避けられる。これにより、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂとの間に形成される静電容量も変動することが避けられる。

以上説明したように本実施形態によれば、遮光部２３０には、容量形成部２２７と同じ第１金属膜（導電膜）２１８により構成されていて容量形成部２２７に連ねられるとともに第１遮光部２３０Ａの少なくとも一部に対して重畳するよう配される第２遮光部２３０Ｂが含まれる。このようにすれば、仮に第２遮光部を容量形成部２２７との間に絶縁膜が介在する別の導電膜により構成し、その絶縁膜に開口形成したコンタクトホールにより第２遮光部と容量形成部２２７とを接続した場合に比べると、そのようなコンタクトホールに起因する暗部が生じるのが避けられる。しかも、容量形成部２２７に連なる第２遮光部２３０Ｂは、接続部２２８に連なる第１遮光部２３０Ａの少なくとも一部に対して重畳するよう配されているので、容量形成部２２７と接続部２２８との間に形成される静電容量が多くなる。これにより、画素電極２１２の電位がより良好に保持される。

また、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂは、延在方向について互いに非重畳となる第２の非重畳部３２，３３をそれぞれ有していて、交差方向について片側とその反対側とで第２の非重畳部３２，３３における延在方向についての配置が入れ替わるよう設けられている。上記した第２の非重畳部３２，３３は、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂが設計通りの位置に設けられる場合に生じるものであり、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂが設計された位置から延在方向について位置ずれした場合には、その一部が第１遮光部２３０Ａや第２遮光部２３０Ｂに対して重畳し得る。同様に、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂが設計通りの位置に設けられる場合に重畳する部分は、上記のような延在方向についての位置ずれが生じた場合には、その一部が第１遮光部２３０Ａや第２遮光部２３０Ｂに対して非重畳となり得る。第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂは、交差方向について片側とその反対側とで第２の非重畳部３２，３３における延在方向についての配置が入れ替わるよう設けられているので、上記のような延在方向についての位置ずれが生じるのに伴って交差方向について片側において第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂの重畳面積が増加または減少しても、交差方向についてその反対側においては第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂの重畳面積が減少または増加することになる。従って、上記のような延在方向についての位置ずれが生じても、第１遮光部２３０Ａ及び第２遮光部２３０Ｂの全体の重畳面積が変動し難くなり、それにより、接続部２２８と容量形成部２２７との間に形成される静電容量も変動し難くなる。

＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図１４から図１７によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１からエッジ遮光部３３１の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るエッジ遮光部３３１は、図１４に示すように、ゲート配線３１３の一部からなる。詳しくは、ゲート配線３１３は、図１５に示すように、画素電極３１２におけるＸ軸方向についての中央位置付近と、ソース配線３１４との交差位置付近と、でそれぞれクランク状に屈曲されており、全体としてはジグザグ状に配索されている。ゲート配線３１３のうち、Ｘ軸方向に沿って延在する部分がエッジ遮光部３３１を構成している。エッジ遮光部３３１は、画素電極３１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極３１２の内側に向かう方位角方向が、液晶層３１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶層３１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部３１２Ｌに対して重畳するよう配されている。ゲート配線３１３の一部からなるエッジ遮光部３３１により、画素電極３１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極３１２の内側に向かう方位角方向が、液晶層３１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶層３１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす長手側の縁部３１２Ｌとゲート配線３１３との間に生じる電界によって液晶分子に作用する配向規制力に起因して液晶分子の配向に乱れが生じた場合、その配向乱れに起因する暗部が視認され難くなる。

ゲート配線３１３は、図１６及び図１７に示すように、重畳対象である画素電極３１２に対してゲート絶縁膜３１９、層間絶縁膜３２２及び平坦化膜３２３を介して下層側、つまり液晶層３１０Ｃとは反対側に配されている。このようにすれば、ゲート配線３１３付近に生じる電界が画素電極３１２により遮蔽されて液晶層３１０Ｃに影響し難くなる。これにより、液晶層３１０Ｃに含まれる液晶分子に配向乱れが生じ難くなる。

以上説明したように本実施形態によれば、接続部３２８を有するＴＦＴ（スイッチング素子）３１１と、延在方向に沿って延在しＴＦＴ３１１に接続されてＴＦＴ３１１を駆動する信号を伝送するゲート配線（走査配線）３１３と、を備えており、エッジ遮光部３３１は、ゲート配線３１３の一部からなる。このようにすれば、ゲート配線３１３に伝送される信号に基づいてＴＦＴ３１１が駆動されると、ＴＦＴ３１１の接続部３２８に接続された画素電極３１２が充電される。ゲート配線３１３の一部からなるエッジ遮光部３３１により、画素電極３１２の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ画素電極３１２の内側に向かう方位角方向が、液晶層３１０Ｃに電圧が印加されたときの液晶層３１０Ｃの厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部付近に生じる液晶分子の配向乱れに起因する表示不良が視認され難くなる。

また、ゲート配線３１３は、画素電極３１２に対してゲート絶縁膜３１９、層間絶縁膜３２２及び平坦化膜３２３（絶縁膜）を介して液晶層３１０Ｃとは反対側に配される。このようにすれば、ゲート配線３１３と画素電極３１２との間に生じる電界が液晶層３１０Ｃに影響し難くなる。これにより、液晶層３１０Ｃに含まれる液晶分子に配向乱れが生じ難くなる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

（１）上記した各実施形態以外にも、画素部の各ドメインにおける液晶分子のチルト方向の設定については適宜に変更可能である。例えば、画素部を構成する４つのドメインの液晶層に電圧が印加されたときの液晶層の厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、上記した実施形態１とは逆の配置となるよう設定されていても構わない。

（２）上記した（１）以外にも、４つのドメインにおいて液晶分子のチルト方向が、画素部の中心へ向かうような設定であっても構わない。その場合、画素電極の外周縁部が全域にわたって、その縁部に直交し且つ画素電極の内側に向かう方位角方向が液晶分子のチルト方向に対して鋭角をなすため、外周縁部付近には全周にわたって暗部が生じ難くなる。従って、この構成は、エッジ遮光部を省略するのに好ましいと言える。

（３）上記した（１），（２）以外にも、４つのドメインにおいて液晶分子のチルト方向が、画素部の中心から放射状に外側へ向かうような設定であっても構わない。その場合、画素電極の外周縁部が全域にわたって液晶分子のチルト方向に対して、その縁部に直交し且つ画素電極の内側に向かう方位角方向が鈍角をなすため、外周縁部付近には全周にわたって暗部が生じ易くなる。このような構成では、エッジ遮光部を画素電極の外周縁部に対して全周にわたって重畳するよう配するのが最も好ましいが、画素電極の長手側の縁部に対して全長にわたって重畳するようにしても十分に暗部の視認を抑制することができて好ましい。

（４）上記した各実施形態での図示以外にも、容量形成部及び接続部における非重畳部の具体的な配置は適宜に変更可能である。また、容量形成部及び接続部の幅や重畳部の幅に対する非重畳部の幅（容量形成部及び接続部の位置ずれ量）の具体的な比率についても適宜に変更可能である。

（５）上記した各実施形態では、容量形成部及び接続部がほぼ同じ幅とされる場合を例示したが、容量形成部及び接続部の幅が互いに異なっていても構わない。同様に、容量形成部側非重畳部及び接続部側非重畳部の幅が互いに異なっていても構わない。

（６）上記した各実施形態では、容量形成部及び接続部が実質的に回転対称形状とされる場合を示したが、容量形成部及び接続部が回転非対称形状であっても構わない。例えば、容量形成部及び接続部がＸ軸方向について片側とその反対側とで非重畳部におけるＸ軸方向についての寸法が異なっていても構わない。また、容量形成部及び接続部がＸ軸方向について片側とその反対側とで非重畳部におけるＹ軸方向についての寸法が異なっていても構わない。

（７）上記した各実施形態では、容量形成部及び接続部がＸ軸方向について片側とその反対側とでＹ軸方向についての位置がそれぞれ異なるよう形成される場合を示したが、容量形成部及び接続部のうちの一方がＸ軸方向について片側とその反対側とでＹ軸方向についての位置が不変とされ、他方がＸ軸方向について片側とその反対側とでＹ軸方向についての位置が異なるよう形成されていても構わない。

（８）上記した各実施形態では、ドレイン電極及び容量形成部が全長にわたって非重畳部をそれぞれ有する場合を示したが、ドレイン電極と容量形成部との一部同士が非重畳部を有することなく重畳する関係であっても構わない。

（９）上記した実施形態３に記載した構成を、上記した実施形態１の構成に組み合わせることも可能である。

（１０）上記した実施形態４に記載した構成を、上記した実施形態３の構成に組み合わせることも可能である。

（１１）上記した実施形態１，４では、エッジ遮光部が画素電極の外周縁部のうちの長手側の縁部に対してのみ重畳するよう配される場合を示したが、エッジ遮光部が画素電極の外周縁部のうちの短手側の縁部に対して重畳するよう配されていても構わない。その場合、エッジ遮光部を画素電極の外周縁部のうちの短手側の縁部に対してのみ重畳するよう配することもできるが、エッジ遮光部を画素電極の外周縁部のうちの長手側の縁部及び短手側の縁部の双方に対して重畳するよう配することもできる。例えば、図１８に示すように、容量形成部２７に連ねられてＹ軸方向に沿って延在するとともに画素電極１２の短手側の縁部１２Ｓに対して重畳するよう配される第２のエッジ遮光部（エッジ遮光部）３１Ａが、画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに対して重畳するエッジ遮光部３１と共に併設されていても構わない。第２のエッジ遮光部３１Ａは、容量形成部２７と同じ第１金属膜からなる。第２のエッジ遮光部３１Ａは、Ｙ軸方向についてゲート配線１３を挟んで隣り合う２つの容量形成部２７のそれぞれに設けられており、各容量形成部２７からＹ軸方向に沿ってゲート配線１３に近づく向きに延出している。これらのエッジ遮光部３１Ａは、ゲート配線１３を跨ぎつつＹ軸方向に沿って延在するブリッジ電極３４に対してそれぞれ接続されている。ブリッジ電極３４は、好ましくは画素電極１２と同じ透明電極膜からなる。透明電極膜からなるブリッジ電極３４は、第１金属膜からなるゲート配線１３の他にも第２金属膜からなるエッジ遮光部３１についても横切っているが、これらに対して短絡することが避けられている。エッジ遮光部３１Ａとブリッジ電極３４との間に介在するゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び平坦化膜には、エッジ遮光部３１Ａ及びブリッジ電極３４を接続するためのコンタクトホール３５が開口形成されている。このような構成によれば、容量配線２６の冗長性が向上し、表示領域における容量配線２６の抵抗分布が大きくなるのを抑制することができる。なお、図１８に示される構成から画素電極１２の長手側の縁部１２Ｌに対して重畳するエッジ遮光部３１を省略することも可能である。また、ブリッジ電極３４がエッジ遮光部３１を横切らない配置とされる場合には、ブリッジ電極３４を第２金属膜により構成することも可能である。また、第２のエッジ遮光部３１Ａは、必ずしも容量形成部２７に連ねられるとは限らず、エッジ遮光部３１と同様に接続部２８に連ねられていてもよい。

（１２）上記した各実施形態では、遮光部が接続部（ドレイン電極）と同じ第２金属膜からなる場合を示したが、遮光部が接続部とは異なる金属膜や透明電極膜、半導体膜（特に、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜より低抵抗化になるように処理した半導体膜）により構成されていても構わないし、これらを積層しても構わない。例えば、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜より低抵抗になるように処理した半導体膜を用いて第２の遮光部を形成し、その第２の遮光部を実施形態１などにて説明した遮光部３０（図２を参照）に連ねるようにしてもよい。このとき、第２の遮光部は、絶縁膜を介さずに遮光部３０の直ぐ下層に形成されることで遮光部３０との導通がとられている。上記と同様に、実施形態１，４に記載したエッジ遮光部が接続部とは異なる金属膜や透明電極膜、半導体膜（特に、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜より低抵抗化になるように処理した半導体膜）により構成されていても構わないし、これらを積層しても構わない。なお、接続部とは異なる金属膜からなる遮光部やエッジ遮光部を接続部に接続するには、接続部との間に介在する絶縁膜にコンタクトホールを開口形成すればよい。遮光部やエッジ遮光部を透明電極膜等で構成したとしても、静電容量を大きくし、ゲート配線やソース配線と画素電極との間に発生する電界を遮蔽する効果を得ることができる。

（１３）上記した各実施形態では、遮光部が接続部に電気的に接続される場合を示したが、遮光部が接続部とは電気的に非接続とされていても構わない。上記と同様に、実施形態１，４に記載したエッジ遮光部が接続部とは電気的に非接続とされていても構わない。その場合、接続部とは非接続とされる遮光部やエッジ遮光部については、接続部とは別の金属膜（導電膜）により構成することも可能であるが、接続部と同じ第２金属膜により構成されていても構わない。

（１４）上記した各実施形態以外にも、遮光部を省略することも可能である。同様に、実施形態１，４に記載したエッジ遮光部を省略することも可能である。

（１５）上記した各実施形態では、画素部におけるドメインに数が４とされる場合を示したが、画素部におけるドメインの数は４以外（例えば２や６や８など）であっても構わない。

（１６）上記した各実施形態では、配向膜が光配向処理がなされることで液晶分子に対する配向規制力を発揮する光配向膜とされる場合を示したが、配向膜が光配向膜ではない垂直配向膜であっても構わない。その場合は、例えばアレイ基板やＣＦ基板の表面にリブ（凸部）やスリット（凹部）を形成し、そのリブやスリットによって液晶分子に対する配向規制力を得るようにするのが好ましい。

（１７）上記した各実施形態では、アレイ基板及びＣＦ基板の双方に配向膜が設けられた場合を示したが、アレイ基板及びＣＦ基板のうちのいずれか一方のみに配向膜が設けられていても構わない。

（１８）上記した各実施形態では、アレイ基板においてＴＦＴがジグザグ状に平面配置された場合を示したが、ＴＦＴがマトリクス状に平面配置されていても構わない。

（１９）上記した各実施形態では、アレイ基板にゲート回路部が設けられた場合を示したが、ゲート回路部を省略し、アレイ基板にゲート回路部と同様の機能を有するゲートドライバを実装するようにしても構わない。

（２０）上記した各実施形態では、アレイ基板にドライバがＣＯＧ実装される場合を示したが、ドライバがフレキシブル基板に対してＣＯＦ（Chip On Film）実装されていても構わない。その場合は、フレキシブル基板がアレイ基板に対してＦＯＧ（Film On Glass）実装される。

（２１）上記した各実施形態では、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜が酸化物半導体からなる場合を示したが、半導体膜がアモルファスシリコンからなるようにしてもよい。また、半導体膜はポリシリコンであってもよく、その場合は、ＴＦＴをボトムゲート型とするか、チャネル部の下層（アレイ基板側の偏光板が貼り付けられる側）に遮光膜を備えるトップゲート型とするのが好ましい。

（２２）上記した各実施形態では、画素電極が横長の長手状とされる場合を示したが、画素電極が縦長の長手状であっても構わない。また、画素電極が正方形などの非長手状の平面形状であっても構わない。

（２３）上記した各実施形態では、透過型の液晶パネルを備える液晶表示装置を例示したが、反射型の液晶パネルや半透過型の液晶パネルを備える液晶表示装置であっても構わない。

１０…液晶パネル（表示装置）、１０Ｃ，３１０Ｃ…液晶層、１０Ｅ…配向膜、１１，３１１…ＴＦＴ（スイッチング素子）、１２，１１２，２１２，３１２…画素電極、１３，１１３，３１３…ゲート配線（走査配線）、１４，３１４…ソース配線（画像配線）、１８，２１８…第１金属膜（導電膜）、１９，３１９…ゲート絶縁膜（絶縁膜）、２１…第２金属膜（導電膜）、２２，３２２…層間絶縁膜（絶縁膜）、２３，３２３…平坦化膜（絶縁膜）、２５，２２５…配向境界部、２５Ａ…第１配向境界部、２５Ｂ，２２５Ｂ…第２配向境界部、２７，２２７…容量形成部、２７Ａ…容量形成部側非重畳部（非重畳部）、２８，１２８，２２８…接続部、２８Ａ…接続部側非重畳部（非重畳部）、２９…接続電極、３０，１３０，２３０…遮光部、３０Ａ，１３０Ａ，２３０Ａ…第１遮光部、３１，３３１…エッジ遮光部、３１Ａ…第２のエッジ遮光部（エッジ遮光部）、３２…第１遮光部側非重畳部（第２の非重畳部）、３３…第２遮光部側非重畳部（第２の非重畳部）、２３０Ｂ…第２遮光部、ＣＨ…コンタクトホール、ＰＸＤ…ドメイン

Claims (15)

1. 液晶分子を含む液晶層と、
   前記液晶層に電圧が印加されたときの前記液晶分子の配向方向が異なる複数のドメインと、
   前記複数のドメインの境界に位置する配向境界部と、
   前記液晶分子を配向させる配向膜と、
   画素電極と、
   前記画素電極に接続されていて前記配向境界部の少なくとも一部と重畳するよう配される接続部と、
   前記接続部の一部に対して絶縁膜を介して一部が重畳するよう配されていて前記接続部との間に静電容量を形成する容量形成部と、を備え、
   前記接続部及び前記容量形成部は、いずれも前記配向境界部の少なくとも一部に沿って延在方向に延在し、且つ互いに重畳する重畳部をそれぞれ有し、
   前記接続部は、前記延在方向と交差する交差方向において前記接続部の重畳部と並んで設けられた、前記容量形成部と非重畳となる接続部側非重畳部を有し、
   前記容量形成部は、前記交差方向において前記容量形成部の重畳部と並んで設けられた、前記接続部と非重畳となる容量形成部側非重畳部を有し、
   前記接続部は、前記画素電極に接続される接続電極を有し、
   前記接続部側非重畳部は、前記接続電極を基準として、前記延在方向について片側に延びる第１接続部側非重畳部と、前記延在方向について反対側に延びる第２接続部側非重畳部とを含み、
   前記容量形成部側非重畳部は、前記接続電極と重畳する位置を基準として、前記片側に延びる第１容量形成部側非重畳部と、前記反対側に延びる第２容量形成部側非重畳部とを含み、
   前記第１接続部側非重畳部と前記第１容量形成部側非重畳部とにおける前記交差方向の配置と、前記第２接続部側非重畳部と前記第２容量形成部側非重畳部とにおける前記交差方向の配置とは、互いに入れ替わる、
   表示装置。
2. 前記第１接続部側非重畳部と前記第２接続部側非重畳部とは、前記延在方向についての寸法が等しく、
   前記第１容量形成部側非重畳部と前記第２容量形成部側非重畳部とは、前記延在方向についての寸法が等しい
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記第１接続部側非重畳部と前記第２接続部側非重畳部とは、前記交差方向についての寸法が等しく、
   前記第１容量形成部側非重畳部と前記第２容量形成部側非重畳部とは、前記交差方向についての寸法が等しい
   請求項１または請求項２記載の表示装置。
4. 前記接続部及び前記容量形成部は、実質的に回転対称形状とされる請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記画素電極は、長手状とされており、
   前記接続部及び前記容量形成部は、前記延在方向が前記画素電極の長手方向と一致するよう設けられている請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記配向境界部は、前記延在方向に沿って延在していて前記接続部に対して重畳する第１配向境界部と、前記交差方向に沿って延在する第２配向境界部と、を含むよう構成されており、
   前記交差方向に沿って延在し前記第２配向境界部に対して重畳するよう配される遮光部を備える請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記遮光部には、前記接続部と同じ導電膜により構成されていて前記接続部に連ねられる第１遮光部が含まれる請求項６記載の表示装置。
8. 前記遮光部には、前記容量形成部と同じ導電膜により構成されていて前記容量形成部に連ねられるとともに前記第１遮光部の少なくとも一部に対して重畳するよう配される第２遮光部が含まれる請求項７記載の表示装置。
9. 前記第１遮光部及び前記第２遮光部は、前記延在方向について互いに非重畳となる第２の非重畳部をそれぞれ有していて、前記交差方向について片側とその反対側とで前記第２の非重畳部における前記延在方向についての配置が入れ替わるよう設けられている請求項８記載の表示装置。
10. 前記画素電極の外周縁部に含まれる縁部であって、当該縁部に直交し且つ前記画素電極の内側に向かう方位角方向が、前記液晶層に電圧が印加されたときの前記液晶層の厚さ方向における中央付近の前記液晶分子のチルト方向に対して鈍角をなす縁部の少なくとも一部に対して重畳するよう配されるエッジ遮光部を備える請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記エッジ遮光部は、前記接続部と同じ導電膜により構成されていて前記接続部に連ねられる請求項１０記載の表示装置。
12. 前記接続部を有するスイッチング素子と、
    前記延在方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記スイッチング素子を駆動する信号を伝送する走査配線と、を備えており、
    前記エッジ遮光部は、前記走査配線の一部からなる請求項１０記載の表示装置。
13. 前記走査配線は、前記画素電極に対して絶縁膜を介して前記液晶層とは反対側に配される請求項１２記載の表示装置。
14. 前記配向境界部は、前記延在方向に沿って延在していて前記接続部に対して重畳する第１配向境界部と、前記交差方向に沿って延在する第２配向境界部と、を含むよう構成されており、
    前記接続電極は、前記画素電極の一部に対して絶縁膜を介して重畳していて前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記画素電極に接続され、
    前記接続電極は、前記第１配向境界部と前記第２配向境界部との交差位置に配されている請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置。
15. 前記接続部を有するスイッチング素子と、
    前記延在方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記スイッチング素子を駆動する信号を伝送する走査配線と、
    前記交差方向に沿って延在し前記スイッチング素子に接続されて前記画素電極を充電する信号を伝送する画像配線と、を備えており、
    前記容量形成部は、前記走査配線と同じ導電膜により構成され、前記接続部は、前記画像配線と同じ導電膜により構成される請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置。

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