JP6967708B2 - High frequency heating device - Google Patents
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Description
本開示は、電子レンジなどの高周波加熱装置に関する。 The present disclosure relates to a high frequency heating device such as a microwave oven.
従来、表面波伝送線路にマイクロ波を供給して、食品などの加熱対象物を加熱する高周波加熱装置が開発されている。 Conventionally, a high-frequency heating device has been developed in which microwaves are supplied to a surface wave transmission line to heat an object to be heated such as food.
例えば、特許文献1は、表面波伝送線路に直接的にマイクロ波を供給することで、表面波伝送線路に載置された冷凍寿司を解凍する高周波加熱装置を開示する。
For example,
高周波加熱装置の分野では、加熱対象物をより均一に加熱することが長年の課題である。本開示は、上記課題の解決に寄与する高周波加熱装置を提供することを目的とする。 In the field of high frequency heating equipment, it has been a long-standing problem to heat the object to be heated more uniformly. It is an object of the present disclosure to provide a high frequency heating device that contributes to solving the above problems.
本開示の一態様の高周波加熱装置は、第1生成部と表面波励振体と第1結合部とを備える。第1生成部はマイクロ波を生成する。表面波励振体は、マイクロ波の伝播方向に所定間隔で周期的に配置された複数の金属板を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱する。第1結合部は、第1生成部により生成されたマイクロ波が第1結合部を介して表面波励振体に供給されるように、マイクロ波の伝播方向における表面波励振体の中間部に設けられた第1結合部と、を備え、前記第1結合部は、前記第1結合部から前記表面波励振体の一方の端部まで、および前記第1結合部から前記表面波励振体の他方の端部まで表面波を伝播させる。
The high frequency heating device of one aspect of the present disclosure includes a first generation unit, a surface wave exciter, and a first coupling unit. The first generator generates microwaves. The surface wave exciter has a plurality of metal plates periodically arranged at predetermined intervals in the propagation direction of the microwave, and propagates the microwave in the surface wave mode to heat the object to be heated. The first coupling portion is provided in the middle portion of the surface wave exciter in the propagation direction of the microwave so that the microwave generated by the first generation portion is supplied to the surface wave exciter via the first coupling portion. The first coupling portion comprises the surface wave exciter from the first coupling portion to one end of the surface wave exciter, and from the first coupling portion to the other of the surface wave exciter. Ru to propagate surface waves to the end.
本開示の高周波加熱装置によれば、加熱対象物をより均一に加熱することができる。 According to the high frequency heating device of the present disclosure, the object to be heated can be heated more uniformly.
本開示の第1の態様の高周波加熱装置は、第1生成部と表面波励振体と第1結合部とを備える。 The high frequency heating device of the first aspect of the present disclosure includes a first generation unit, a surface wave exciter, and a first coupling unit.
第1生成部はマイクロ波を生成する。表面波励振体は、マイクロ波の伝播方向に所定間隔で周期的に配置された複数の金属板を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱する。第1結合部は、第1生成部により生成されたマイクロ波が第1結合部を介して表面波励振体に供給されるように、マイクロ波の伝播方向における表面波励振体の中間部に設けられた第1結合部と、を備え、前記第1結合部は、前記第1結合部から前記表面波励振体の一方の端部まで、および前記第1結合部から前記表面波励振体の他方の端部まで表面波を伝播させる。 The first generator generates microwaves. The surface wave exciter has a plurality of metal plates periodically arranged at predetermined intervals in the propagation direction of the microwave, and propagates the microwave in the surface wave mode to heat the object to be heated. The first coupling portion is provided in the middle portion of the surface wave exciter in the propagation direction of the microwave so that the microwave generated by the first generation portion is supplied to the surface wave exciter via the first coupling portion. The first coupling portion comprises the surface wave exciter from the first coupling portion to one end of the surface wave exciter, and from the first coupling portion to the other of the surface wave exciter. Ru to propagate surface waves to the end.
本開示の第2の態様の高周波加熱装置は、第1の態様に加えて、第2結合部と第3結合部とを備える。第2結合部は、マイクロ波の伝播方向における表面波励振体の一方の端部に設けられる。第3結合部は、マイクロ波の伝播方向における表面波励振体の他方の端部に設けられる。 The high frequency heating device of the second aspect of the present disclosure includes a second coupling portion and a third coupling portion in addition to the first aspect. The second coupling portion is provided at one end of the surface wave exciter in the direction of microwave propagation. The third coupling portion is provided at the other end of the surface wave exciter in the direction of microwave propagation.
本開示の第3の態様の高周波加熱装置は、第2の態様に加えて、分配器をさらに備える。分配器は、第1生成部により生成されたマイクロ波を、第1結合部と第2結合部と第3結合部とに分配する。 The high frequency heating device of the third aspect of the present disclosure further comprises a distributor in addition to the second aspect. The distributor distributes the microwave generated by the first generation unit to the first coupling unit, the second coupling portion, and the third coupling portion.
本開示の第4の態様の高周波加熱装置は、第2の態様に加えて、第2生成部と第3生成部とをさらに備える。第2生成部は、第1生成部により生成されたマイクロ波とは異なる周波数を有するマイクロ波を生成し、第2結合部に供給する。第3生成部は、第1生成部により生成されたマイクロ波とは異なる周波数を有するマイクロ波を生成し、第3結合部に供給する。 The high-frequency heating device of the fourth aspect of the present disclosure further includes a second generation unit and a third generation unit in addition to the second aspect. The second generation unit generates a microwave having a frequency different from that of the microwave generated by the first generation unit, and supplies the microwave to the second coupling unit. The third generation unit generates a microwave having a frequency different from that of the microwave generated by the first generation unit, and supplies the microwave to the third coupling unit.
本開示の第5の態様の高周波加熱装置によれば、第4の態様において、第2生成部により生成されたマイクロ波が、第3生成部により生成されたマイクロ波と異なる周波数を有する。 According to the high frequency heating device of the fifth aspect of the present disclosure, in the fourth aspect, the microwave generated by the second generation unit has a different frequency from the microwave generated by the third generation unit.
本開示の第6の態様の高周波加熱装置は、第2の態様に加えて、第2生成部と分配器とをさらに備える。第2生成部は、第1生成部により生成されたマイクロ波とは異なる周波数を有するマイクロ波を生成する。分配器は、第2生成部により生成されたマイクロ波を、第2結合部と第3結合部とに分配する。 The high frequency heating device of the sixth aspect of the present disclosure further includes a second generator and a distributor in addition to the second aspect. The second generation unit generates a microwave having a frequency different from that of the microwave generated by the first generation unit. The distributor distributes the microwave generated by the second generation unit to the second coupling unit and the third coupling unit.
本開示の第7の態様の高周波加熱装置によれば、第6の態様において、第2生成部により生成されたマイクロ波が、第1生成部により生成されたマイクロ波と異なる周波数を有する。 According to the high frequency heating device of the seventh aspect of the present disclosure, in the sixth aspect, the microwave generated by the second generation unit has a different frequency from the microwave generated by the first generation unit.
以下、本開示に係る高周波加熱装置の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。本開示の高周波加熱装置は、具体的には電子レンジである。しかし、本開示の高周波加熱装置はこれに限定されるものではなく、誘電加熱を利用した加熱装置、生ゴミ処理機、半導体製造装置などを含む。 Hereinafter, preferred embodiments of the high frequency heating device according to the present disclosure will be described with reference to the accompanying drawings. The high frequency heating device of the present disclosure is specifically a microwave oven. However, the high-frequency heating device of the present disclosure is not limited to this, and includes a heating device using dielectric heating, a swill processing machine, a semiconductor manufacturing device, and the like.
以下の説明において、同一または同等の構成要素には同じ参照符号を付し、重複する説明を省略する。 In the following description, the same or equivalent components are designated by the same reference numerals, and duplicate description is omitted.
(実施の形態1)
<全体構成>
図1、図2はそれぞれ、本開示の実施の形態1に係る高周波加熱装置1aの構成を模式的に示す縦断面図、横断面図である。(Embodiment 1)
<Overall configuration>
1 and 2 are a vertical sectional view and a horizontal sectional view schematically showing the configuration of the high
図1、図2に示すように、高周波加熱装置1aは、加熱室2と生成部8と表面波励振体9と結合部12と制御部14とを備える。表面波励振体9は、中間部に設けられた結合部12と、結合部12を挟んで設けられた表面波励振体9aと表面波励振体9bとを含む。
As shown in FIGS. 1 and 2, the high-
高周波加熱装置1aは、表面波励振体9の表面を表面波モードで伝播するマイクロ波を用いて、載置台4の上に載置された加熱対象物6(本実施の形態では加熱対象物6a、6b)を加熱するように構成される。
The high-
以下、それぞれの構成要素について説明する。 Hereinafter, each component will be described.
<生成部>
生成部8は、マグネトロンとインバータとを有し、制御部14に制御されてマイクロ波を生成するように構成される。生成部8は、マグネトロンとインバータとの代わりに、例えば、固体発振器と電力増幅器とを有してもよい。本実施の形態において、生成部8は第1生成部に相当する。<Generator>
The
なお、図2は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体9を伝播する様子、および、載置台4(図2では不図示)上の加熱対象物6の載置位置を模式的に示している。
Note that FIG. 2 schematically shows how microwaves in the surface wave mode propagate through the surface wave exciter 9 and the placement position of the
<表面波励振体>
表面波励振体9は、載置台4の下方に設けられる。表面波励振体9は、マイクロ波を表面波モードで伝播させて、載置台4に載置された加熱対象物6を加熱する。<Surface wave exciter>
The
表面波励振体9は、周期構造を有するスタブ型表面波励振体である。表面波励振体9は、金属板13上に所定間隔で配置された複数の金属板11を有する。
The
表面波励振体9の励振周波数は、材料、寸法などに依存する。スタブ型表面波励振体の場合、金属板11の高さ、間隔などを適切に選択することで、励振周波数を所望の値に設定することができる。一般的に、表面波励振体9の励振周波数は、金属板11の高さが低いほど高く、金属板11の間隔が狭いほど高い。
The excitation frequency of the surface wave exciter 9 depends on the material, dimensions, and the like. In the case of a stub-type surface wave exciter, the excitation frequency can be set to a desired value by appropriately selecting the height, spacing, and the like of the
金属板11の各々は、互いに平行に配置される。表面波励振体9a、9bは、金属板11に垂直な方向、すなわち金属板11の配列方向に表面波を伝播させる。表面波励振体9a、9b上を、表面波モードで伝播するマイクロ波の伝播方向D(図中の左右方向)は、金属板11の配列方向と一致する。
Each of the
<結合部>
表面波励振体9a、9bの間には間隙が設けられる。その間隙に、表面波励振体9a、9bにマイクロ波を供給するための結合部12が設けられる。表面波励振体9a、9bの間の間隙は、マイクロ波の伝播方向Dにおける表面波励振体9の中間部に位置する。<Join part>
A gap is provided between the
本実施の形態では、結合部12が設けられた中間部は、マイクロ波の伝播方向Dにおける表面波励振体9のちょうど真ん中に位置する。しかし、中間部は、マイクロ波の伝播方向Dにおける表面波励振体9全体の端部を除く部分であればよい。本実施の形態において、結合部12は第1結合部に相当する。
In the present embodiment, the intermediate portion provided with the
本実施の形態では、マイクロ波は、結合部12を介して表面波励振体9aの右端と表面波励振体9bの左端とに供給される。
In the present embodiment, the microwave is supplied to the right end of the
図1、図2は、箱形状の形状を有する結合部12を示す。しかし、表面波励振体9にマイクロ波を供給できるものであれば、結合部12の形状は任意である。
1 and 2 show a
<表面波励振体の作用>
表面波励振体9の作用について、図3を用いて説明する。図3は、図2に示す横断面図において、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体9を伝播する様子、および、載置台4(図3では不図示)上の加熱対象物6の載置位置を模式的に示している。<Action of surface wave exciter>
The action of the
図3に示すように、生成部8により生成されたマイクロ波は、結合部12を介して表面波励振体9a、9bに供給される。
As shown in FIG. 3, the microwave generated by the
表面波励振体9aは、表面波励振体9bから離れる方向(伝播方向D1)に、表面波S1を伝播させる。表面波励振体9bは、表面波励振体9aから離れる方向(伝播方向D2)に表面波S2を伝播させる。すなわち、伝播方向D1、D2は互いに反対方向である。
The
マイクロ波の伝播方向Dにおける表面波励振体9の中間部にマイクロ波を供給することにより、互いに離れる方向に伝播する二つの表面波S1、S2が発生する。
By supplying microwaves to the intermediate portion of the
表面波励振体9aを伝播する表面波S1が、表面波励振体9aに近接して載置された加熱対象物6aを加熱する。表面波励振体9bを伝播する表面波S2が、表面波励振体9bに近接して載置された加熱対象物6bを加熱する。
The surface wave S1 propagating on the
表面波S1、S2の一部が加熱対象物6に吸収されたり、結合部12からの距離が遠くなったりすることで、表面波S1、S2の強度は低下する。しかし、基本的に表面波S1、S2は略同程度の強度分布を有し、加熱対象物6a、6bを同程度に加熱する。
When a part of the surface waves S1 and S2 is absorbed by the
従来の高周波加熱装置は、マイクロ波の伝播方向における表面波励振体の端部のみからマイクロ波を供給する構成を有する。従来の構成では、表面波は伝播方向に進むにつれて、マイクロ波の強度は指数関数的に低下し、加熱ムラが大きくなる。 The conventional high-frequency heating device has a configuration in which microwaves are supplied only from the end of the surface wave exciter in the direction of microwave propagation. In the conventional configuration, as the surface wave travels in the propagation direction, the intensity of the microwave decreases exponentially and the heating unevenness increases.
この現象は、大きな加熱対象物を加熱する場合、および、図1、図2に示すような複数の加熱対象物を同時に加熱する場合に顕著である。 This phenomenon is remarkable when a large object to be heated is heated and when a plurality of objects to be heated as shown in FIGS. 1 and 2 are heated at the same time.
本実施の形態では、マイクロ波の伝播方向Dにおける表面波励振体9の中間部に、結合部12が設けられる。表面波励振体9は、マイクロ波が結合部12を介して供給されると、中間部から一方の端部に伝播する表面波S1と、中間部から他方の端部に伝播する表面波S2とを生成する。
In the present embodiment, the
本実施の形態によれば、表面波励振体9の一方の端部のみからマイクロ波を供給する場合に比べて、表面波S1、S2により加熱対象物6a、6bをより均一に加熱することができる。
According to the present embodiment, the surface waves S1 and S2 can heat the
(実施の形態2)
本開示の実施の形態2に係る高周波加熱装置1bについて、実施の形態1との相違点を中心に説明する。図4は、高周波加熱装置1bの構成を模式的に示す横断面図である。図4は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体9を伝播する様子、および、載置台4(図4では不図示)上の加熱対象物6の載置位置を模式的に示している。(Embodiment 2)
The high
図4に示すように、高周波加熱装置1bは、実施の形態1の構成に加えて、結合部22、24と分配器26とをさらに備える。
As shown in FIG. 4, the high-
結合部22、24は、生成部8により生成されたマイクロ波が表面波励振体9に供給されるように、マイクロ波の伝播方向Dにおける表面波励振体9の両端にそれぞれ設けられる。本実施の形態において、結合部22、24は第2、3結合部にそれぞれ相当する。
The
具体的には、結合部22は、マイクロ波が表面波励振体9aに供給されるように、表面波励振体9aの表面波励振体9bと反対側の端部に設けられる。結合部24は、マイクロ波が表面波励振体9bに供給されるように、表面波励振体9bの表面波励振体9aと反対側の端部に設けられる。
Specifically, the
結合部22を介して供給されたマイクロ波は、表面波励振体9a上を表面波励振体9aの左端から結合部12に向かう伝播方向D2に伝播する表面波S3となる。結合部24を介して供給されたマイクロ波は、表面波励振体9b上を表面波励振体9bの右端から結合部12に向かう伝播方向D1に伝播する表面波S4となる。
The microwave supplied through the
分配器26は、生成部8により生成されたマイクロ波を分配する。図4に示すように、分配器26はマイクロ波を分配し、結合部12、22、24に供給する。すなわち、結合部12、22、24には、同一周波数のマイクロ波が供給される。分配器26の具体例には、ウィルキンソン型分配器、ハイブリッドカプラ、抵抗分配器などが含まれる。
The
本実施の形態によれば、表面波S1、S3により加熱対象物6aが加熱され、表面波S2、S4により加熱対象物6bが加熱される。その結果、加熱対象物6a、6bは、実施の形態1に比べて、より均一に加熱される。 According to the present embodiment, the surface waves S1 and S3 heat the object to be heated 6a, and the surface waves S2 and S4 heat the object to be heated 6b. As a result, the objects to be heated 6a and 6b are heated more uniformly as compared with the first embodiment.
本実施の形態では、生成部8により生成されたマイクロ波が、結合部12、22、24を介して表面波励振体9に供給される。このため、一つの結合部に専用の生成部が設けられる場合に比べて構成を簡素化することができ、製造コストを低減することができる。
In the present embodiment, the microwave generated by the
(実施の形態3)
本開示の実施の形態3に係る高周波加熱装置1cについて、実施の形態2との相違点のみ説明する。図5は、高周波加熱装置1cの構成を模式的に示す横断面図である。図5は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体9を伝播する様子、および、載置台4(図5では不図示)上の加熱対象物6の載置位置を模式的に示している。(Embodiment 3)
Only the difference between the high frequency heating device 1c according to the third embodiment of the present disclosure and the second embodiment will be described. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the high frequency heating device 1c. FIG. 5 schematically shows how microwaves in the surface wave mode propagate through the
図5に示すように、高周波加熱装置1cは、生成部32と生成部34とをさらに備える。高周波加熱装置1cは、制御部14の代わりに、生成部8、32、34を制御するように構成された制御部36を備える。
As shown in FIG. 5, the high frequency heating device 1c further includes a
高周波加熱装置1cは、分配器26を備えず、生成部32と生成部34とにそれぞれ接続された結合部22、24を備える。本実施の形態において、生成部32、34は第2、第3生成部にそれぞれ相当する。
The high-frequency heating device 1c does not include the
本実施の形態によれば、結合部12を介して供給されたマイクロ波に由来する表面波S1、S2に加え、結合部22、24を介して供給されたマイクロ波に由来する表面波S3、S4により、加熱対象物6a、6bが加熱される。
According to the present embodiment, in addition to the surface waves S1 and S2 derived from the microwave supplied via the
本実施の形態では、生成部8、32、34が、結合部12、22、24にそれぞれ接続される。このため、生成部8、32、34により生成された互いに異なる周波数のマイクロ波を、結合部12、22、24にそれぞれ供給することができる。表面波S3は、表面波S1、S2とは異なる周波数を有することができ、表面波S4は、表面波S1、S2とは異なる周波数を有することができる。
In the present embodiment, the
これにより、表面波S1と表面波S3とは互いに干渉を起こさず、定在波の発生が抑制される。表面波S2と表面波S4とは互いに干渉を起こさず、定在波の発生が抑制される。各周波数における加熱特性が合成されて、加熱対象物6をより効率的に加熱する加熱特性を得ることができる。
As a result, the surface wave S1 and the surface wave S3 do not interfere with each other, and the generation of a standing wave is suppressed. The surface wave S2 and the surface wave S4 do not interfere with each other, and the generation of a standing wave is suppressed. The heating characteristics at each frequency are synthesized, and the heating characteristics for heating the
(実施の形態4)
本開示の実施の形態4に係る高周波加熱装置1dについて、実施の形態3との相違点のみ説明する。図6は、高周波加熱装置1dの構成を模式的に示す横断面図である。図6は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体9を伝播する様子、および、載置台4(図6では不図示)上の加熱対象物6の載置位置を模式的に示している。(Embodiment 4)
Only the differences between the high
図6に示すように、高周波加熱装置1dは、生成部32、34の代わりに生成部42を備える。高周波加熱装置1dは、制御部36の代わりに、生成部8、42を制御するように構成された制御部46を備える。
As shown in FIG. 6, the high
高周波加熱装置1dは、生成部42により生成されたマイクロ波を分配し、結合部22,24に供給するように構成された分配器44を備える。本実施の形態において、生成部42は第2生成部に相当する。
The high
本実施の形態によれば、結合部12により供給されたマイクロ波に由来する表面波S1、S2に加え、結合部22、24により供給されたマイクロ波に由来する表面波S3、S4により、加熱対象物6a、6bが加熱される。
According to the present embodiment, in addition to the surface waves S1 and S2 derived from the microwave supplied by the
本実施の形態では、生成部8が結合部12に接続され、生成部42が、分配器44を介して結合部22、24に接続される。このため、生成部8、42により生成された互いに異なる周波数のマイクロ波を、結合部12と、結合部22、24とにそれぞれ供給することができる。表面波S3、S4は、表面波S1、S2とは異なる周波数を有することができる。
In the present embodiment, the
これにより、表面波S1と表面波S3とは互いに干渉を起こさず、定在波の発生が抑制される。表面波S2と表面波S4とは互いに干渉を起こさず、定在波の発生が抑制される。各周波数における加熱特性が合成されて、加熱対象物6をより効率的に加熱する加熱特性を得ることができる。
As a result, the surface wave S1 and the surface wave S3 do not interfere with each other, and the generation of a standing wave is suppressed. The surface wave S2 and the surface wave S4 do not interfere with each other, and the generation of a standing wave is suppressed. The heating characteristics at each frequency are synthesized, and the heating characteristics for heating the
本実施の形態では、結合部12に対応して生成部8が設けられ、結合部22、24に対応して生成部42が設けられる。このため、一つの結合部に専用の生成部が設けられる場合に比べて構成を簡素化することができ、製造コストを低減することができる。
In the present embodiment, the
以上、実施の形態1〜4について説明したが、本開示はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
Although the
実施の形態1〜4では、マイクロ波の伝播方向Dにおける表面波励振体9の中間部に、結合部12が設けられる。しかし、複数の結合部が、表面波励振体9の中間部に設けられてもよい。
In the first to fourth embodiments, the
実施の形態1〜4では、表面波励振体9が、その中間部の間隙に設けられた結合部12を有する。しかし、結合部12が表面波励振体の中間部に設けられさえすれば、表面波励振体9は、必ずしも中間部に間隙を有する必要はない。
In the first to fourth embodiments, the
実施の形態2〜4では、結合部22、24が、表面波励振体9の両端にそれぞれ設けられる。しかし、一つの結合部が、表面波励振体9の片側の端部のみに設けられてもよい。
In the second to fourth embodiments, the
実施の形態3では、生成部8、32、34が、互いに周波数の異なるマイクロ波を生成する。しかし、これらのマイクロ波が同一の周波数を有する場合もあり得る。
In the third embodiment, the
上述の通り、本開示は、電子レンジ、乾燥装置、陶芸用加熱装置、生ゴミ処理機、半導体製造装置などに適用可能である。 As described above, the present disclosure is applicable to microwave ovens, drying devices, ceramic heating devices, swill processing machines, semiconductor manufacturing devices, and the like.
1a,1b,1c,1d 高周波加熱装置
2 加熱室
4 載置台
6,6a,6b 加熱対象物
8 生成部(第1生成部)
9,9a,9b 表面波励振体
11,13 金属板
12 結合部(第1結合部)
14,36,46 制御部
22 結合部(第2結合部)
24 結合部(第3結合部)
26,44 分配器
32 生成部(第2生成部)
34 生成部(第3生成部)
42 生成部(第2生成部)1a, 1b, 1c, 1d High
9,9a, 9b
14, 36, 46
24 Joint part (3rd joint part)
26,44
34 Generation unit (3rd generation unit)
42 Generation unit (second generation unit)
Claims (7)
前記マイクロ波の伝播方向に所定間隔で周期的に配置された複数の金属板を有し、前記マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱するように構成された表面波励振体と、
前記第1生成部により生成された前記マイクロ波が前記表面波励振体に供給されるように、前記マイクロ波の伝播方向における前記表面波励振体の中間部に設けられた第1結合部と、を備え、
前記第1結合部は、前記第1結合部から前記表面波励振体の一方の端部まで、および前記第1結合部から前記表面波励振体の他方の端部まで表面波を伝播させる高周波加熱装置。 A first generator configured to generate microwaves,
A surface wave exciter having a plurality of metal plates periodically arranged at predetermined intervals in the propagation direction of the microwave, and configured to propagate the microwave in the surface wave mode to heat an object to be heated. When,
A first coupling portion provided in the middle portion of the surface wave exciter in the propagation direction of the microwave so that the microwave generated by the first generation unit is supplied to the surface wave exciter. Equipped with
The first coupling portion is a high frequency heating that propagates a surface wave from the first coupling portion to one end of the surface wave exciter and from the first coupling portion to the other end of the surface wave exciter. Device.
前記マイクロ波の伝播方向における前記表面波励振体の他方の端部に設けられた第3結合部と、をさらに備えた請求項1に記載の高周波加熱装置。 A second coupling portion provided at one end of the surface wave exciter in the direction of microwave propagation, and a second coupling portion.
The high frequency heating device according to claim 1, further comprising a third coupling portion provided at the other end of the surface wave exciter in the direction of microwave propagation.
前記第1生成部により生成された前記マイクロ波とは異なる周波数を有するマイクロ波を生成し、前記第3結合部に供給するように構成された第3生成部と、をさらに備えた請求項2に記載の高周波加熱装置。 A second generation unit configured to generate a microwave having a frequency different from that of the microwave generated by the first generation unit and supply the microwave to the second coupling unit.
2. Claim 2 further comprising a third generation unit configured to generate a microwave having a frequency different from that of the microwave generated by the first generation unit and supply the microwave to the third coupling unit. The high frequency heating device described in.
前記第2生成部により生成された前記マイクロ波を、前記第2結合部と前記第3結合部とに分配するように構成された分配器と、をさらに備えた請求項2に記載の高周波加熱装置。 A second generation unit that generates a microwave having a frequency different from that of the microwave generated by the first generation unit, and a second generation unit.
The high frequency heating according to claim 2, further comprising a distributor configured to distribute the microwave generated by the second generation unit to the second coupling portion and the third coupling portion. Device.
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