JP6963269B1 - 放熱基板及びその製造方法 - Google Patents
放熱基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6963269B1 JP6963269B1 JP2021531260A JP2021531260A JP6963269B1 JP 6963269 B1 JP6963269 B1 JP 6963269B1 JP 2021531260 A JP2021531260 A JP 2021531260A JP 2021531260 A JP2021531260 A JP 2021531260A JP 6963269 B1 JP6963269 B1 JP 6963269B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- heating element
- heat radiating
- heat
- conductive pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
ールにおいて、フレキシブル配線基板を貫通して設けられ、発光ダイオードのダイスを搭載するヒートスプレッダを備え、ダイスとフレキシブル配線基板が接続される接続部の範囲まで、ヒートスプレッダが延長されている発光ダイオード照明モジュールが知られている(特許文献1)。
樹脂からなり導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
前記基材の前記導電性パターンが配置された面に配置され、前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備えた、、
ことを特徴とする。
樹脂からなり導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備え、
前記放熱体は、前記樹脂体の側面に配置されている、
ことを特徴とする。
樹脂からなる変形可能なフィルムであり、立体的な形状に賦形され、導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備えた、
ことを特徴とする。
前記樹脂体は、光透過性を有する、
ことを特徴とする。
前記基材の一面と前記放熱体との間に熱伝導性接着層が配置されている、
ことを特徴とする。
前記基材の一面と前記樹脂体との間にバインダー層が設けられている、
ことを特徴とする。
前記発熱体と前記放熱体との間に熱伝導性接着層が設けられている、
ことを特徴とする。
樹脂からなり導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
熱伝導率が1W/m・K以上の熱伝導性樹脂からなり、前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備えた、
ことを特徴とする。
樹脂からなり導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
前記基材の前記導電性パターンが配置された面に配置され、前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備える放熱基板の製造方法であって、
前記基材を準備する工程と、
前記基材に貫通孔を形成する工程と、
前記基材上に前記導電性パターンを配置する工程と、
前記貫通孔が形成され前記導電性パターンが配置された前記基材と前記発熱体と前記放熱体を金型に載置して前記樹脂体を射出成形する工程と、
前記導電性パターンと前記発熱体とを電気的に接合する工程と、を含む、
ことを特徴とする。
前記発熱体は、発光素子、半導体デバイス、コンデンサ、抵抗チップのいずれかを含む、
ことを特徴とする。
尚、以下の図面を使用した説明において、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきであり、理解の容易のために説明に必要な部材以外の図示は適宜省略されている。
(1)放熱基板の全体構成
図1Aは本実施形態に係る放熱基板1を発熱体側に視点を置いて示す斜視図、図1Bは本実施形態に係る放熱基板1の一例を示す断面模式図、図2Aは発熱体4の一例を示す平面模式図、図2Bは断面模式図である。
以下、図面を参照しながら、本実施形態に係る放熱基板1の構成について説明する。
本実施形態において使用する導電性パターン3が形成される基材2は、絶縁性を有し、後述する樹脂体6との接着性を有する基材が好ましく、樹脂からなる基材(以下樹脂基材という)を使用することができる。なお、樹脂基材には、下記の変形可能なフィルム基材も含まれる。
特にポリエステルがより好ましく、さらにその中でもポリエチレンテレフタレート(PET)が経済性、電気絶縁性、耐薬品性等のバランスが良く最も好ましい。
ここで、「変形可能なフィルム基材」は、導電性パターン3を配置後に変形できる、すなわち、熱成形、真空成形または圧空成形等によって実質的に平坦な2次元形状から実質的に3次元形状に形成されることができる基材を意味する。
特にフィルム基材では、0.005〜0.25mmが好ましく、0.01〜0.2mmがより好ましく、0.05〜0.188mmが最も好ましい。基材2の厚みが薄すぎる場合、強度が不十分になるとともに、導電性パターン3のめっき工程時に基材2の歪みが大きくなる虞がある。
基材2の表面に導電性パターン3を配置する場合、さきに、金属めっき成長のきっかけとなる金属ナノ粒子等の触媒からなる下地層(不図示)を所定のパターン状に形成する。
下地層は、基材2上に金属ナノ粒子等の触媒インクを塗布したあと、乾燥および焼成を行うことにより形成する。
放熱対象となる発熱体としては、特に限定されないが、放熱基板1に実装された、例えば、発光素子としてのLED、半導体デバイス、ディスプレイ、、電灯、自動車用パワーモジュール及び産業用パワーモジュール、コンデンサ、抵抗チップ等を挙げることができる。
放熱体5は、基材2の導電性パターン3が配置された面とは反対側の一面2a側に配置されている。
放熱体5としては、例えば、アルミ又は銅のフィン、板等を利用したヒートシンク、ヒートパイプに接続されているアルミ又は銅のブロック、内部に冷却液体をポンプで循環させているアルミ又は銅のブロック、及びペルチェ素子ならびにこれを備えたアルミ又は銅のブロック等が挙げられる。
本実施形態においては、図1Bに示すように、放熱体5は、発熱体4としてのLED4Aの金属ベース41と接触してLED4Aで発生する熱を熱伝導によって受け取るベース体51と、ベース体51に短冊状に立設された放熱フィン42からなる、アルミニウム、銅等の金属製ヒートシンクである。
図3Aは変形例1に係る放熱基板1を発熱体側に視点を置いて示す斜視図、図3Bは変形例1に係る放熱基板1の一例を示す断面模式図である。
放熱体5Aは、図3に示すように、基材2の導電性パターン3が配置された一面2b側に配置されてもよい。放熱体5Aは、発熱体としてのLED4Aの金属ベース41と接触してLED4Aで発生する熱を熱伝導によって受け取るベース体51と、ベース体51から側方に延びて基材2の導電性パターン3が配置された一面2bから上方に突出するように短冊状に立設された放熱フィン52Aからなる、アルミニウム、銅等の金属製ヒートシンクである。
図4Aは変形例2に係る放熱基板1を発熱体側に視点を置いて示す斜視図、図4Bは変形例2に係る放熱基板1の一例を示す断面模式図である。
放熱体5Bは、図4に示すように、放熱フィン52Bが放熱基板1の側部1aから突出するように配置されてもよい。放熱体5Bは、発熱体としてのLED4Aの金属ベース41と接触してLED4Aで発生する熱を熱伝導によって受け取るベース体51と、ベース体51から側方に延びて樹脂体6の端面6aから突出するように短冊状に形成された放熱フィン52Bからなる、アルミニウム、銅等の金属製ヒートシンクである。
樹脂体6は、基材2の一面2aを覆い放熱体5を発熱体4に密着して接触するように基材2に一体的に固定している。具体的には、図1Bに示すように、放熱体5のベース体51の発熱体4の金属ベース41と接触する方向と交差する方向に突出して形成された鍔部51aと嵌り合う鉤部61を有し、全体が基材2の一面2aを覆うように形成されている。
例えば、基材2がPET樹脂フィルムで、二次成形される樹脂体6がPC、PET、PMMA、PA、ABS、PE、PP、m−PPE、m−PPO、COC、COPからなる群より選択される材料を含む場合、それぞれの樹脂材料と相溶性が高い樹脂として、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリウレタン系樹脂等からなる群より選択して使用することもできる。また、バインダー層ADの厚みは0.5〜50μmが好ましい。尚、バインダー層ADに代えて、コロナ処理、プラズマ処理、溶剤処理、プライマー処理を施してもよい。これにより、基材2と樹脂体6の接着強度を高めることができる。
図5Aは変形例3に係る放熱基板1を発熱体側に視点を置いて示す斜視図、図5Bは変形例3に係る放熱基板1の一例を示す断面模式図である。
樹脂体6は光透過性の熱可塑性樹脂材料からなる熱可塑性樹脂で構成してもよい。この場合、図5Aに示すように、発熱体としてのLED4Aは発光面が基材2に対して横向きになるように配置し、LED4Aに対して、LED4Aが発する光を受けて外部へ出射するレンズ体6Aを樹脂体6と一体に形成するようにしてもよい。これにより、放熱体5を発熱体としてのLED4Aに密着して接触するように、基材2と一体的に固定する樹脂体6にLED4Aの発する光を外部に導くレンズ体6を一体化することによりレンズ等の部品を削減することができる。なお、図5Bにおいて、放熱体5としては、放熱フィン52Bが放熱基板1の側部1aから突出するように配置されている例を示しているが、放熱体5としては、放熱基板1の使用態様に応じて、放熱フィンの配置を変更してもよい。
図6は変形例4に係る放熱基板1の一例を示す断面模式図である。
放熱基板1は、図6に示すように、発熱体としてのLED4AとLED4Aから伝達される熱を外部に放出する放熱体5が、立体的に賦形された基材2と樹脂体6からなる屈曲部1bで連結されている。
基材2が熱成形等で賦形可能な熱可塑性樹脂からなるフィルムである場合は、基材2を3次元形状に賦形した状態で樹脂体6で基材2の一面2aを覆うとともに、放熱体5をLED4Aに密着して接触するように基材2と一体的に固定することで、複数の発熱体4と放熱体5を備えた立体的な放熱基板1を構成することができる。
接合体7は、導電性の線材7Aが挙げられる。導電性の線材7Aは、図2Bに示すように、発熱体としてのLEDチップ43の金属配線44の一端部44aと基材2上に配置された導電パターン3とをワイヤーボンディングにより電気的に接合する導線であり、具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム又はこれらの合金の金属線を用いることができる。特に、熱抵抗などに優れる金線が好ましい。
図7は放熱基板1の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図8は導電性パターン3が配置された基材2、発熱体4及び放熱体5を樹脂体6を充填する金型にセットした状態を示す断面模式図、図9は基材2の準備工程から発熱体4と導電性パターン3を電気的に接合するまでの各工程を示す図、図10は導電性パターン3が配置された基材2、複数の発熱体4及び放熱体5を樹脂体6を充填する金型にセットして基材2の連結部2aを3次元形状に賦形した状態を示す断面模式図である。
基材の準備工程S11においては、まず、所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材2に放熱体5のベース体51が基材2の導電性パターン3が形成された側に露出するように所定の貫通孔2cを形成する(図9A 参照)。また、図3に示す変形例1に係る放熱基板1においては、放熱フィン52Aが貫通して露出するように所定の貫通孔(不図示)を形成する。
焼成温度は、100°C〜300°Cが好ましく、150°C〜200°Cがより好ましい。焼成温度が低すぎると、金属ナノ粒子同士の焼結が不十分となるとともに、金属ナノ粒子以外の成分が残ることで、密着性が得られない虞がある。また、焼成温度が高すぎると、基材2の劣化や歪みが発生する虞がある。
基材2上に形成された下地層に対し、電解めっきまたは無電解めっきを行うことにより、下地層の表面および内部にめっき金属を析出させ導電性パターン3を配置する(図9B 参照)。めっき方法は公知のめっき液およびめっき処理と同様であり、具体的に無電解銅めっき、電解銅めっきが挙げられる。
樹脂充填工程S13では、まず、配線用めっき工程S12で基材2の導電性パターン3が配置された面とは反対側の一面2aに基材2と樹脂体6の樹脂素材の組み合わせに応じてバインダー層ADを形成するバインダーインクを塗布する(図9C 参照)。バインダーインクは、接着性樹脂を含み、スクリーン印刷、インクジェット印刷、スプレーコート、筆塗り等で塗布され、基材2と二次モールドされる樹脂体6との接着性を向上させる。
電気的接合工程S14では、導電性パターン3とLEDチップ43の金属配線44の一端部44a(図2B 参照)を接合体7としての導電性の線材7Aで超音波利用のワイヤーボンディング方法で電気的及び機械的に接合する(図9E 参照)。導電性の線材としては、金ワイヤー、アルミワイヤーなどを使用することができるが、アルミニウムを主成分とするアルミワイヤーを用いることで、ワイヤーボンディング時の熱によって、基材2が溶融したり変形することを抑制することができる。
図11Aは本実施形態に係る放熱基板1Aを発熱体側に視点を置いて示す斜視図、図11Bは放熱基板1Aの一例を示す断面模式図である。
本実施形態に係る放熱基板1Aは、発熱体4を、基材2を貫通して配置された放熱体5の一面となるベース体51に密着して接触するように後実装して導電性パターン3と電気的に接合する点で、発熱体4が先に実装される第1実施形態に係る放熱基板1とは異なっている。従って、第1実施形態に係る放熱基板1と共通する構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
放熱基板1Aは、図11Aに示すように、樹脂からなり導電性パターン3が配置された基材2と、基材2を貫通して配置された放熱体5と、基材2の一面を覆い放熱体5の一面が基材2から露出するように放熱体5を基材2と一体的に固定する樹脂体6と、放熱体5の一面と密着して接触し導電性パターン3と電気的に接合された発熱体4と、を備えて構成されている。
本実施形態においては、発熱体4の一例として、パワーLED4B(以降単にLEDと記す)を実装している。LED4Bは、図11Bに示すように、反射キャビティを有するケース体41Bと、LEDチップ43を支えるチップ取付け部42Bと、金属リードフレーム44Bと、チップ取付け部42Bの表面上に実装されたLEDチップ43と、チップ取付け部42Bと接触してLEDチップ43の熱を熱伝導によって受け取る伝熱部45Bと、金属リードフレーム44Bの一端に設けられた外部端子46と、LEDチップ43を覆うドーム状の封止体47とを備えて構成されている。
放熱体5は、発熱体としてのLED4Bの伝熱部45Bと接触してLED4Bで発生する熱を熱伝導によって受け取るベース体51と、ベース体51に短冊状に立設された放熱フィン42からなる、アルミニウム、銅等の金属製ヒートシンクである。
また、放熱体5は、熱伝導率が1(W/m・K)以上の熱伝導性樹脂からなるヒートシンクであってもよい。
また、基材2と放熱体5との間にも熱伝導性接着層8が設けられ、基材2の熱を放熱体5へ効率よく伝導するようになっている。特に、基材2上に配置された導電性パターン3の熱は放熱体5へ伝導され外部へ放熱される。
後実装される発熱体4としてのLED4Bの外部端子46と導電性パターン3とを電気的に接合する接合体としては、はんだ7Bが挙げられる。はんだ7Bは、基材2の軟化点より低温の溶融温度を有する低温はんだが望ましく、例えば、錫(Sn)とビスマス(Bi)との合金(SnBi)、錫(Sn)とビスマス(Bi)とニッケル(Ni)と銅(Cu)との合金(SnBiNiCu)、錫(Sn)とビスマス(Bi)と銅(Cu)とアンチモン(Sb)との合金(SnBiCuSb)、錫(Sn)と銀(Ag)とビスマス(Bi)との合金(SnAgBi)、錫(Sn)とインジウム(In)との合金(SnIn)、錫(Sn)とインジウム(In)とビスマス(Bi)との合金(SnInBi)、又は、基材2の軟化点と比較して相対的に低い融点を持つその他の合金とビスマス(Bi)及び/又はインジウム(In)とのその他の組み合わせとすることができ、例えば基材2としてポリエチレンテレフタレート(PET)を使用する場合は、基材2の軟化点より低い120〜140℃の融点を有することが望ましい。
図12は本実施形態に係る放熱基板1Aの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図13は貫通孔2cが形成され導電性パターン3が配置された基材2、発熱体4及び放熱体5を樹脂体6を充填する金型にセットした状態を示す断面模式図、図14は基材2の準備工程から発熱体4と導電性パターン3を電気的に接合するまでの各工程を示す図である。
基材の準備工程S21においては、まず、所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材2に放熱体5のベース体51の一部が基材2の導電性パターン3が形成された側に露出するように所定の貫通孔2cを形成する(図14A 参照)。
基材2上に形成された下地層に対し、電解めっきまたは無電解めっきを行うことにより、下地層の表面および内部にめっき金属を析出させ導電性パターン3を配置する(図14B 参照)。めっき方法は公知のめっき液およびめっき処理と同様であり、具体的に無電解銅めっき、電解銅めっきが挙げられる。
樹脂充填工程S23では、まず、配線用めっき工程S22で基材2の導電性パターン3が配置された面とは反対側の一面2aに基材2と樹脂体6の樹脂素材の組み合わせに応じてバインダー層ADを形成するバインダーインクを塗布する(図14C 参照)。バインダーインクは、接着性樹脂を含み、スクリーン印刷、インクジェット印刷、スプレーコート、筆塗り等で塗布され、基材2と二次モールドされる樹脂体6との接着性を向上させる。また、基材2の一面2aが放熱体5のベース体51と接する領域には、熱伝導性接着層8を塗布することにより、基材2から放熱体5への熱伝導をより高め、基材2上に配置された導電性パターン3等の熱を放熱体5を介して放熱することが可能となる。
発熱体4としてのLED4Bは伝熱部45Bが基材2から露出する放熱体5のベース体51上に熱伝導性接着層8を介して接着される(図14E 参照)。本実施形態においては、熱伝導性接着層8として、アクリル系粘着剤を含む熱伝導性両面テープを用いてもよい。熱伝導性両面テープを用いることで、LED4Bの放熱体5のベース体51上への接着が容易となる。
電気的接合工程S25では、基材2上に形成された導電性パターン3上にLED4Bの外部端子46を接合体7としてのはんだ7Bで接合するために、まず、基材2の導電性パターン3が配置された一面2b側にソルダーレジストを例えばスクリーン印刷によって塗布する。
次に、導電性パターン3、LED4Bの外部端子46にはんだペーストを塗布する。はんだペーストの塗布は、ステンシル印刷装置、スクリーン印刷装置、ディスペンサー装置等の公知の装置を用いて行うことができる。本実施形態においては、ディスペンサー装置を用いてはんだペーストを塗布する。
基材2が熱成形等で変形可能な熱可塑性樹脂からなるフィルムである場合は、その軟化点が低いが、例えば、はんだ7Bとして低温はんだを用いてこてはんだ付けすることで、基材2は電気的接合工程S25の熱によって溶融又はその他の変形をすることはない。
また、はんだ付けは、レーザーはんだ付けや光焼成はんだ付けを用いてもよい。この場合は、非接触で基材2に負荷を与えないことから、はんだ7Bとしては特に低温はんだに限らず、通常のはんだでもよい。
2・・・基材
3・・・導電性パターン
4・・・発熱体
4A、4B・・・LED
41・・・金属ベース
45B・・・伝熱部
5、5A、5B・・・放熱体
51・・・ベース体
52、52B・・・放熱フィン
6・・・樹脂体
6A・・・レンズ体
7・・・接合体
7A・・・線材
7B・・・はんだ
8・・・熱伝導性接着層
AD・・・バインダー層
Claims (10)
- 樹脂からなり導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
前記基材の前記導電性パターンが配置された面に配置され、前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備えた、
ことを特徴とする放熱基板。 - 樹脂からなり導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備え、
前記放熱体は、前記樹脂体の側面に配置されている、
ことを特徴とする放熱基板。 - 樹脂からなる変形可能なフィルムであり、立体的な形状に賦形され、導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備えた、
ことを特徴とする放熱基板。 - 樹脂からなり導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
熱伝導率が1W/m・K以上の熱伝導性樹脂からなり、前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備えた、
ことを特徴とする放熱基板。 - 前記樹脂体は、光透過性を有する、
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の放熱基板 - 前記基材の一面と前記放熱体との間に熱伝導性接着層が配置されている、
ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の放熱基板。 - 前記基材の一面と前記樹脂体との間にバインダー層が設けられている、
ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の放熱基板。 - 前記発熱体と前記放熱体との間に熱伝導性接着層が設けられている、
ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の放熱基板。 - 前記発熱体は、発光素子、半導体デバイス、コンデンサ、抵抗チップのいずれかを含む、
ことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の放熱基板。 - 樹脂からなり導電性パターンが配置された基材と、
前記基材を貫通して配置された発熱体と、
前記基材の前記導電性パターンが配置された面に配置され、前記発熱体から伝達される熱を外部に放出する放熱体と、
前記基材の一面を覆い前記放熱体を前記発熱体に密着して接触するように前記基材と一体的に固定する樹脂体と、
前記発熱体と前記導電性パターンを電気的に接合する接合体と、を備える放熱基板の製造方法であって、
前記基材を準備する工程と、
前記基材に貫通孔を形成する工程と、
前記基材上に前記導電性パターンを配置する工程と、
前記貫通孔が形成され前記導電性パターンが配置された前記基材と前記発熱体と前記放熱体を金型に載置して前記樹脂体を射出成形する工程と、
前記導電性パターンと前記発熱体とを電気的に接合する工程と、を含む、
ことを特徴とする放熱基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/049094 WO2022144955A1 (ja) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 放熱基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6963269B1 true JP6963269B1 (ja) | 2021-11-05 |
JPWO2022144955A1 JPWO2022144955A1 (ja) | 2022-07-07 |
Family
ID=78409747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021531260A Active JP6963269B1 (ja) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 放熱基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6963269B1 (ja) |
WO (1) | WO2022144955A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897329A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載装置 |
JPH11284094A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2005135969A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Nec Semicon Package Solutions Ltd | 放熱板付きbga型半導体装置および製造方法 |
JP2011124251A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2020
- 2020-12-28 WO PCT/JP2020/049094 patent/WO2022144955A1/ja active Application Filing
- 2020-12-28 JP JP2021531260A patent/JP6963269B1/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897329A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載装置 |
JPH11284094A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2005135969A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Nec Semicon Package Solutions Ltd | 放熱板付きbga型半導体装置および製造方法 |
JP2011124251A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2022144955A1 (ja) | 2022-07-07 |
WO2022144955A1 (ja) | 2022-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7566591B2 (en) | Method and system for secure heat sink attachment on semiconductor devices with macroscopic uneven surface features | |
US20140029201A1 (en) | Power package module and manufacturing method thereof | |
KR20190018812A (ko) | 반도체 패키지와 이를 구비하는 전자 기기 | |
JP2013243341A (ja) | 電子部品および電子機器 | |
US10718497B2 (en) | Electronic product with light emitting function and method for manufacturing the same | |
KR20150035251A (ko) | 외부접속단자부와 외부접속단자부를 갖는 반도체 패키지 및 그들의 제조방법 | |
JP5262983B2 (ja) | モールドパッケージおよびその製造方法 | |
US11166369B2 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing same | |
JP6963269B1 (ja) | 放熱基板及びその製造方法 | |
JP6839427B1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP6738077B1 (ja) | 電子装置 | |
KR20180083789A (ko) | 회로 부품의 제조 방법 및 회로 부품 | |
JP4590294B2 (ja) | 三次元成形回路部品の製造方法 | |
TWI659510B (zh) | 電子裝置及其製造方法 | |
KR101154592B1 (ko) | 방열회로기판 및 그의 제조 방법 | |
JP6111284B2 (ja) | 中空パッケージの製造方法、固体撮像素子の製造方法、中空パッケージおよび固体撮像素子 | |
JP6651699B2 (ja) | 側面発光型発光装置の製造方法 | |
US7589402B2 (en) | Semiconductor module and manufacturing method thereof | |
TWI683405B (zh) | 電子裝置及其製造方法 | |
JP6903300B1 (ja) | 電子装置及びその製造方法 | |
CN217643497U (zh) | 感光组件及摄像头模组 | |
WO2023203757A1 (ja) | 実装部品の位置決め固定構造及び製造方法 | |
CN216698339U (zh) | 一种芯片封装组件 | |
JP7288286B1 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP7117706B1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210531 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210531 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210907 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211005 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211006 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6963269 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |