JP6952523B2

JP6952523B2 - Sputtering equipment

Info

Publication number: JP6952523B2
Application number: JP2017140564A
Authority: JP
Inventors: 博文高倉; 松田　英幸; 英幸松田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2017-07-20
Filing date: 2017-07-20
Publication date: 2021-10-20
Anticipated expiration: 2037-07-20
Also published as: JP2019019392A

Description

本発明は、スパッタ装置が備えるシャッターに関するものである。 The present invention relates to a shutter included in a sputtering apparatus.

スパッタ装置は、開口部を介して対向する被処理ウエハと成膜材料となるターゲットが配置されるスパッタチャンバーと、開口部を開閉するシャッターとを備えている。シャッターは、板状であって、開口部の外側に位置する回転軸を中心とする回転運動を利用して開口部を開閉する。 The sputtering apparatus includes a sputtering chamber in which a wafer to be processed and a target as a film forming material are arranged so as to face each other through the opening, and a shutter for opening and closing the opening. The shutter has a plate shape and opens and closes the opening by utilizing a rotational movement about a rotation axis located outside the opening.

装置をコンパクトなものとするため、チャンバーの大きさが制限されるような場合、シャッターの可動範囲が制限されることになる。そのため、シャッターが開いた状態でも、開口部にシャッターの一部が位置するようになっていた。なお、シャッターの一部が開口部に位置する範囲は、被処理ウエハ全面における一様な成膜に影響が生じない範囲である。 In order to make the device compact, if the size of the chamber is limited, the movable range of the shutter will be limited. Therefore, even when the shutter is open, a part of the shutter is located in the opening. The range in which a part of the shutter is located in the opening is a range in which uniform film formation on the entire surface of the wafer to be processed is not affected.

例えば特許文献１には、基板に逆スパッタを行い、ターゲットにはプレスパッタを行うシャッターと、成膜時に基板上の膜厚を均等にするための膜厚補正板とを備えたスパッタリング装置が開示されている。この装置では、成膜時には、基板とターゲットとの間からシャッターを退避させ、基板とターゲットとの間に膜厚補正板を配置させる。 For example, Patent Document 1 discloses a sputtering apparatus including a shutter that reverse-sputters a substrate and pre-sputters a target, and a film thickness correction plate for equalizing the film thickness on the substrate during film formation. Has been done. In this apparatus, at the time of film formation, the shutter is retracted from between the substrate and the target, and the film thickness correction plate is arranged between the substrate and the target.

特開平４−１７３９７２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-173972

上記の装置では、シャッターを動作させ、シャッターが開いた状態でウエハに成膜を行っているが、上記の構造の場合、シャッターが開いた状態でシャッターにおける開口部に位置する部分に、成膜時に膜が付着する。膜が付着、堆積することでこの部分が盛り上がる。開口部と被処理ウエハとの間において開口部の周縁部に渡って、接地されたシールド板が設けられている場合がある。この場合、膜が付着し盛り上がった部分とシールド板が接触し、発塵および搬送トラブルを発生する可能性があった。これは、一回の処理で成膜する膜の厚さが厚くなることに伴って顕在化する傾向にあった。 In the above device, the shutter is operated to form a film on the wafer with the shutter open, but in the case of the above structure, the film is formed on the portion located at the opening of the shutter with the shutter open. Sometimes the film adheres. This part rises as the film adheres and accumulates. A grounded shield plate may be provided between the opening and the wafer to be processed over the peripheral edge of the opening. In this case, there is a possibility that the shield plate may come into contact with the portion where the film adheres and rises, causing dust generation and transport trouble. This tends to become apparent as the thickness of the film formed in one treatment increases.

特許文献１に記載の装置では、シャッターに膜が付着しないものの膜厚補正板に膜が付着するため、上記の装置の場合と同様の問題が発生する可能性があった。 In the device described in Patent Document 1, although the film does not adhere to the shutter, the film adheres to the film thickness correction plate, so that the same problem as in the case of the above device may occur.

そこで、本発明は、シャッターの開閉時にシャッターとシールド板との接触を抑制することができるスパッタ装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a sputtering apparatus capable of suppressing contact between the shutter and the shield plate when the shutter is opened and closed.

本発明に係るスパッタ装置は、開口部を有し、かつ、前記開口部を介して対向する被処理ウエハとターゲットが配置されるスパッタチャンバーと、前記開口部を開閉するシャッターと、前記シャッターの開閉を駆動する駆動部とを備え、前記シャッターは、前記開口部を覆うことが可能な平板状の本体部と、前記本体部と一体的に設けられかつ前記本体部を回動可能に支持する軸部とを有し、前記軸部は、前記駆動部から前記本体部に渡って延在し、前記シャッターが開いた状態で前記本体部の一部が前記開口部に位置し、前記シャッターが開いた状態で前記本体部における前記開口部に位置する部分に、前記本体部の他の部分の厚みより薄い薄肉部が２つ設けられ、一方の前記薄肉部は前記本体部の表面に設けられ、他方の前記薄肉部は前記本体部の裏面に設けられ、２つの前記薄肉部は、前記シャッターの開閉時に、前記開口部と前記被処理ウエハとの間において前記開口部の周縁部に設けられたシールド板との接触を抑制可能な厚みを有し、かつ、前記軸部の延在方向に延びる中心線を中心に線対称となる位置に位置するものである。
The sputtering apparatus according to the present invention has an opening, a sputtering chamber in which a wafer to be processed and a target are arranged via the opening, a shutter for opening and closing the opening, and opening and closing of the shutter. The shutter includes a flat plate-shaped main body that can cover the opening, and a shaft that is integrally provided with the main body and rotatably supports the main body. The shaft portion extends from the drive portion to the main body portion, and a part of the main body portion is located in the opening in the state where the shutter is open, and the shutter is opened. Two thin-walled portions thinner than the thickness of the other portion of the main body portion are provided in the portion of the main body portion located at the opening, and one of the thin-walled portions is provided on the surface of the main body portion. The other thin-walled portion is provided on the back surface of the main body portion, and the two thin-walled portions are provided on the peripheral edge portion of the opening between the opening and the wafer to be processed when the shutter is opened and closed. It has a thickness that can suppress contact with the shield plate, and is located at a position that is line-symmetrical with respect to the center line extending in the extending direction of the shaft portion.

本発明によれば、シャッターが開いた状態で本体部の一部が開口部に位置し、シャッターが開いた状態で本体部における開口部に位置する部分に、本体部の他の部分の厚みより薄い薄肉部が設けられた。 According to the present invention, a part of the main body is located in the opening when the shutter is open, and the portion located in the opening in the main body when the shutter is open is larger than the thickness of the other part of the main body. A thin thin wall was provided.

したがって、シャッターが開いた状態で本体部における開口部に位置する部分に膜が付着しても、この部分が本体部の他の部分の厚みより厚くなることを抑制するため、シャッターの開閉時にシャッターとシールド板との接触を抑制することができる。 Therefore, even if a film adheres to a portion of the main body located at the opening when the shutter is open, the shutter is prevented from becoming thicker than the thickness of other parts of the main body when the shutter is opened or closed. And contact with the shield plate can be suppressed.

実施の形態１に係るスパッタ装置の平面図である。It is a top view of the sputtering apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態１に係るスパッタ装置におけるシャッターを閉じた状態の開口部の拡大正面図である。FIG. 5 is an enlarged front view of an opening in a state in which the shutter is closed in the sputtering apparatus according to the first embodiment. 実施の形態１に係るスパッタ装置におけるシャッターを開けた状態の開口部の拡大正面図である。FIG. 5 is an enlarged front view of an opening in a state in which the shutter is opened in the sputtering apparatus according to the first embodiment. 実施の形態１に係るスパッタ装置のシャッターの正面図である。It is a front view of the shutter of the sputtering apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態１に係るスパッタ装置のシャッターの断面図である。It is sectional drawing of the shutter of the sputtering apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態１の変形例１に係るスパッタ装置のシャッターの正面図である。It is a front view of the shutter of the sputtering apparatus which concerns on the modification 1 of Embodiment 1. FIG. 実施の形態１の変形例２に係るスパッタ装置のシャッターの断面図である。It is sectional drawing of the shutter of the sputtering apparatus which concerns on modification 2 of Embodiment 1. FIG. 実施の形態１の変形例３に係るスパッタ装置のシャッターの正面図である。It is a front view of the shutter of the sputtering apparatus which concerns on the modification 3 of Embodiment 1. FIG. 実施の形態１の変形例３に係るスパッタ装置のシャッターの断面図である。It is sectional drawing of the shutter of the sputtering apparatus which concerns on modification 3 of Embodiment 1. FIG. 実施の形態１の変形例４に係るスパッタ装置のシャッターの正面図である。It is a front view of the shutter of the sputtering apparatus which concerns on the modification 4 of Embodiment 1. FIG. 実施の形態１の変形例５に係るスパッタ装置のシャッターの断面図である。It is sectional drawing of the shutter of the sputtering apparatus which concerns on modification 5 of Embodiment 1. FIG. 実施の形態２に係るスパッタ装置の遮蔽板の正面図である。It is a front view of the shielding plate of the sputtering apparatus which concerns on Embodiment 2. FIG. 前提技術に係るスパッタ装置のシャッターの断面図である。It is sectional drawing of the shutter of the sputtering apparatus which concerns on a prerequisite technology.

＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係るスパッタ装置１００の平面図である。 <Embodiment 1>
Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of the sputtering apparatus 100 according to the first embodiment.

図１に示すように、スパッタ装置１００は、ロードロックチャンバー１、ツインローダーチャンバー２、クリーニングチャンバー３、およびスパッタチャンバー４を備えている。 As shown in FIG. 1, the sputtering apparatus 100 includes a load lock chamber 1, a twin loader chamber 2, a cleaning chamber 3, and a sputtering chamber 4.

スパッタチャンバー４は、ＤＣカソード部５，６，７、アーム８、およびシャッター１４，１５，１６を備えている。ＤＣカソード部５はスパッタチャンバー４の前面の外側に設けられている。ＤＣカソード部６はスパッタチャンバー４の右側面の外側に設けられている。また、ＤＣカソード部７はスパッタチャンバー４の後面の外側に設けられている。アーム８は、スパッタチャンバー４の内部に設けられている。アーム８は十字状であり、アーム８の４つの先端に４つのウエハ１０，１１，１２，１３がそれぞれ保持されている。なお、ウエハ１０，１１，１２，１３が被処理ウエハに相当する。 The sputtering chamber 4 includes DC cathode portions 5, 6 and 7, arms 8 and shutters 14, 15 and 16. The DC cathode portion 5 is provided on the outside of the front surface of the sputtering chamber 4. The DC cathode portion 6 is provided on the outside of the right side surface of the sputtering chamber 4. Further, the DC cathode portion 7 is provided on the outside of the rear surface of the sputtering chamber 4. The arm 8 is provided inside the sputter chamber 4. The arm 8 has a cross shape, and four wafers 10, 11, 12, and 13 are held at four tips of the arm 8, respectively. Wafers 10, 11, 12, and 13 correspond to wafers to be processed.

ＤＣカソード部５，６，７の内部にターゲットが配置されている。スパッタチャンバー４の前面、右側面、および後面には円形状の開口部が設けられ、ウエハ１０，１１，１２と、ＤＣカソード部５，６，７の内部に配置されたターゲットは、開口部を介して対向している。また、開口部とウエハ１０，１１，１２，１３との間において開口部の周縁部には、接地されたシールド板が設けられている。 The target is arranged inside the DC cathode portions 5, 6 and 7. Circular openings are provided on the front surface, the right side surface, and the rear surface of the sputter chamber 4, and the targets arranged inside the wafers 10, 11 and 12 and the DC cathode portions 5, 6 and 7 have openings. They are facing each other through. Further, a grounded shield plate is provided on the peripheral edge of the opening between the opening and the wafers 10, 11, 12, and 13.

次に、スパッタ装置１００で行われる処理について簡単に説明する。はじめにカセット投入口から被処理ウエハが収納されたウエハカセットをロードロックチャンバー１内に取り込み、ロードロックチャンバー１内を真空状態にする。その後、ロードロックチャンバー１からツインローダーチャンバー２のＩＮ側として設けられた収納部に全ウエハが１枚ずつベルト搬送される。ツインローダーチャンバー２のＩＮ側の収納部からクリーニングチャンバー３内のアーム１７に１枚ずつベルト搬送される。ここで、ベルト搬送は、ロードロックチャンバー１、ツインローダーチャンバー２、クリーニングチャンバー３、およびスパッタチャンバー４に渡って設けられたベルト１８を動作させることで行われる。ベルト１８の両端部、すなわちロードロックチャンバー１およびスパッタチャンバー４に配置された部分の両サイドにはガイド１９が設けられている。ベルト１８におけるスパッタチャンバー４に配置された部分の端部には一対のストッパ１９ａが設けられている。アーム１７に搬送（セット）されたウエハは、アーム１７が時計回り（図中矢印方向）、または反時計回りで９０度回転することでクリーニングチャンバー３内の加熱領域Ｈまたはスパッタエッチング領域Ｅのいずれかに移送され、スパッタ膜形成の前処理が行われる。この前処理について、加熱領域Ｈではウエハに付着している残留ガス等を除くためにウエハが加熱処理され、スパッタエッチング領域Ｅではウエハ表面に形成される自然酸化膜を取り除くためにウエハ表面がエッチング処理される。なお、加熱処理は主に単層、または多層金属配線の第１層目を形成する際に行い、エッチング処理は主に多層金属配線の第２層目以降を形成する際に行う。前処理が完了するとアーム１７が９０度回転し、前処理を終えたウエハがスパッタチャンバー４内のアーム８にベルト搬送される。このとき、図１ではアーム８がウエハを鉛直に立てた状態で保持しているが、クリーニングチャンバー３との間でウエハが搬送される際は、水平な状態でウエハの授受が行われ、そのための機構をアーム８は備えている。そして、アーム８に搬送、保持されたウエハに対してスパッタ膜形成のため、アーム８が反時計回り９０度単位で回転し、ＤＣカソード部５，６，７の３箇所にてスパッタリングされる。スパッタリングされたウエハは、クリーニングチャンバー３を通ってツインローダーチャンバー２のＯＵＴ側収納部に搬送される。ツインローダーチャンバー２のＩＮ側収納部内全ウエハについてスパッタ膜が形成され、ＯＵＴ側収納部に全ウエハが搬送されたら、次にロードロックチャンバー１内のウエハカセットに搬送され、全ウエハが搬送された後、ロードロックチャンバー１内を大気圧にしてウエハカセットを取り出して一連の処理が完了する。 Next, the processing performed by the sputtering apparatus 100 will be briefly described. First, the wafer cassette containing the wafer to be processed is taken into the load lock chamber 1 from the cassette input port, and the inside of the load lock chamber 1 is evacuated. After that, all the wafers are belt-conveyed one by one from the load lock chamber 1 to the storage portion provided as the IN side of the twin loader chamber 2. One belt is conveyed from the storage portion on the IN side of the twin loader chamber 2 to the arm 17 in the cleaning chamber 3. Here, the belt transfer is performed by operating the belt 18 provided over the load lock chamber 1, the twin loader chamber 2, the cleaning chamber 3, and the sputter chamber 4. Guides 19 are provided at both ends of the belt 18, that is, on both sides of the portions arranged in the load lock chamber 1 and the sputter chamber 4. A pair of stoppers 19a are provided at the end of the portion of the belt 18 arranged in the sputter chamber 4. The wafer conveyed (set) to the arm 17 is either a heating region H or a spatter etching region E in the cleaning chamber 3 when the arm 17 is rotated 90 degrees clockwise (in the direction of the arrow in the figure) or counterclockwise. It is transferred to a wafer and pretreated for forming a sputter film. Regarding this pretreatment, in the heating region H, the wafer is heat-treated to remove residual gas and the like adhering to the wafer, and in the sputter etching region E, the wafer surface is etched to remove the natural oxide film formed on the wafer surface. It is processed. The heat treatment is mainly performed when the first layer of the single-layer or multi-layer metal wiring is formed, and the etching treatment is mainly performed when the second and subsequent layers of the multi-layer metal wiring are formed. When the pretreatment is completed, the arm 17 rotates 90 degrees, and the wafer after the pretreatment is belt-conveyed to the arm 8 in the sputtering chamber 4. At this time, in FIG. 1, the arm 8 holds the wafer in a vertically upright state, but when the wafer is conveyed to and from the cleaning chamber 3, the wafer is transferred and transferred in a horizontal state. The arm 8 is provided with the above mechanism. Then, in order to form a sputtering film on the wafer conveyed and held by the arm 8, the arm 8 rotates in units of 90 degrees counterclockwise and is sputtered at three locations of the DC cathode portions 5, 6 and 7. The sputtered wafer is conveyed to the OUT side storage portion of the twin loader chamber 2 through the cleaning chamber 3. A sputter film was formed on all the wafers in the IN side storage part of the twin loader chamber 2, and after all the wafers were conveyed to the OUT side storage part, they were then transferred to the wafer cassette in the load lock chamber 1 and all the wafers were conveyed. After that, the pressure inside the load lock chamber 1 is adjusted to atmospheric pressure, and the wafer cassette is taken out to complete a series of processes.

次に、シャッター１４，１５，１６について説明する。図２は、スパッタ装置１００におけるシャッター１４を閉じた状態の開口部２０の拡大正面図である。図３は、スパッタ装置１００におけるシャッター１４を開けた状態の開口部２０の拡大正面図である。いずれの図も、ＤＣカソード部５側から開口部２０を視たもので、開口部２０は円形状である。図４は、スパッタ装置１００のシャッター１４の正面図である。図５は、スパッタ装置１００のシャッター１４の断面図であり、図４のＡ−Ａ線断面図である。 Next, the shutters 14, 15 and 16 will be described. FIG. 2 is an enlarged front view of the opening 20 in the sputtering apparatus 100 with the shutter 14 closed. FIG. 3 is an enlarged front view of the opening 20 in the sputtering apparatus 100 with the shutter 14 opened. In each figure, the opening 20 is viewed from the DC cathode portion 5 side, and the opening 20 has a circular shape. FIG. 4 is a front view of the shutter 14 of the sputtering apparatus 100. FIG. 5 is a cross-sectional view of the shutter 14 of the sputtering apparatus 100, and is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

図１に示すように、シャッター１４は、スパッタチャンバー４の内部におけるＤＣカソード部５に対向する開口部とウエハ１０との間に設けられている。シャッター１５は、スパッタチャンバー４の内部におけるＤＣカソード部６に対向する開口部とウエハ１１との間に設けられている。シャッター１６は、スパッタチャンバー４の内部におけるＤＣカソード部７に対向する開口部とウエハ１２との間に設けられている。 As shown in FIG. 1, the shutter 14 is provided between the wafer 10 and the opening facing the DC cathode portion 5 inside the sputtering chamber 4. The shutter 15 is provided between the opening facing the DC cathode portion 6 and the wafer 11 inside the sputtering chamber 4. The shutter 16 is provided between the wafer 12 and the opening facing the DC cathode portion 7 inside the sputtering chamber 4.

次にシャッター１４，１５，１６の構造について説明するが、シャッター１４，１５，１６は同じ構造であるため、ここではシャッター１４について説明する。 Next, the structures of the shutters 14, 15 and 16 will be described. However, since the shutters 14, 15 and 16 have the same structure, the shutter 14 will be described here.

図２と図３に示すように、シャッター１４は、スパッタチャンバー４の前面に設けられた開口部２０を開閉する部材である。図４と図５に示すように、シャッター１４は、本体部１４ａ、軸部１４ｂ、および薄肉部１４ｃを備えている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the shutter 14 is a member that opens and closes the opening 20 provided on the front surface of the sputter chamber 4. As shown in FIGS. 4 and 5, the shutter 14 includes a main body portion 14a, a shaft portion 14b, and a thin-walled portion 14c.

本体部１４ａは、スパッタチャンバー４の前面に設けられた開口部２０を覆うことが可能なように円形状かつ平板状である。軸部１４ｂは、本体部１４ａと一体的に設けられ、本体部１４ａを回動可能に支持する。開口部２０の周辺部には、シャッター１４の開閉を駆動する駆動部（図示省略）が設けられている。軸部１４ｂの一端部は駆動部に連結されており、軸部１４ｂは駆動部から本体部１４ａに渡って延在している。 The main body 14a has a circular shape and a flat plate shape so as to cover the opening 20 provided on the front surface of the sputter chamber 4. The shaft portion 14b is provided integrally with the main body portion 14a and rotatably supports the main body portion 14a. A drive unit (not shown) for driving the opening and closing of the shutter 14 is provided around the opening 20. One end of the shaft portion 14b is connected to the drive portion, and the shaft portion 14b extends from the drive portion to the main body portion 14a.

シャッター１４が開いた状態で本体部１４ａの一部が開口部２０に位置する。より具体的には、シャッター１４が開いた状態で本体部１４ａの周縁部の一部が開口部２０に位置する（図３参照）。 A part of the main body 14a is located in the opening 20 with the shutter 14 open. More specifically, with the shutter 14 open, a part of the peripheral edge of the main body 14a is located at the opening 20 (see FIG. 3).

次に、薄肉部１４ｃを設けた意義について前提技術と対比しながら説明する。図１３は、前提技術に係るスパッタ装置のシャッター２４の断面図である。なお、図１３は、図５に示す断面図と同じ位置で切断した断面図であり、他の断面図においても同様である。 Next, the significance of providing the thin-walled portion 14c will be described in comparison with the prerequisite technology. FIG. 13 is a cross-sectional view of the shutter 24 of the sputtering apparatus according to the prerequisite technique. Note that FIG. 13 is a cross-sectional view cut at the same position as the cross-sectional view shown in FIG. 5, and the same applies to other cross-sectional views.

図１３に示すように、前提技術に係るスパッタ装置では、シャッター２４の本体部２４ａは、均一な厚みを有する平板状である。シャッター２４の本体部２４ａもシャッター１４の本体部１４ａの場合と同様に、シャッター２４が開いた状態で本体部２４ａの周縁部の一部が開口部２０に位置する。シャッター２４を動作させ、シャッター２４が開いた状態でウエハ１０に成膜を行っているが、シャッター２４が開いた状態で本体部２４ａの周縁部の一部に、成膜時に膜２５が付着しこの部分が盛り上がる。膜２５が付着し盛り上がった部分とシールド板が接触し、発塵および搬送トラブルを発生する可能性があった。 As shown in FIG. 13, in the sputtering apparatus according to the prerequisite technique, the main body portion 24a of the shutter 24 has a flat plate shape having a uniform thickness. Similar to the case of the main body 14a of the shutter 14, a part of the peripheral edge of the main body 24a of the shutter 24 is located in the opening 20 with the shutter 24 open. The shutter 24 is operated to form a film on the wafer 10 with the shutter 24 open, but the film 25 adheres to a part of the peripheral edge of the main body 24a with the shutter 24 open during the film formation. This part gets excited. There is a possibility that the shield plate may come into contact with the portion where the film 25 adheres and rises, causing dust generation and transport trouble.

このような問題を解消するために、シャッター１４が開いた状態で本体部１４ａにおける開口部２０に位置する部分に、本体部１４ａの他の部分の厚みより薄い薄肉部１４ｃが設けられた。また、薄肉部１４ｃの厚みは一様である。 In order to solve such a problem, a thin portion 14c thinner than the thickness of the other portion of the main body portion 14a is provided at a portion located at the opening 20 in the main body portion 14a with the shutter 14 open. Further, the thickness of the thin portion 14c is uniform.

以上のように、実施の形態１に係るスパッタ装置１００では、シャッター１４が開いた状態で本体部１４ａの一部が開口部２０に位置し、シャッター１４が開いた状態で本体部１４ａにおける開口部２０に位置する部分に、本体部１４ａの他の部分の厚みより薄い薄肉部１４ｃが設けられた。また、薄肉部１４ｃの厚みは一様である。 As described above, in the sputtering apparatus 100 according to the first embodiment, a part of the main body 14a is located in the opening 20 when the shutter 14 is open, and the opening in the main body 14a when the shutter 14 is open. A thin portion 14c thinner than the thickness of the other portion of the main body portion 14a was provided at the portion located at 20. Further, the thickness of the thin portion 14c is uniform.

したがって、シャッター１４が開いた状態で本体部１４ａにおける開口部２０に位置する部分に膜が付着しても、この部分が本体部１４ａの他の部分の厚みより厚くなることを抑制するため、シャッター１４の開閉時にシャッター１４とシールド板との接触を抑制することができる。 Therefore, even if the film adheres to the portion of the main body 14a located at the opening 20 when the shutter 14 is open, the shutter is prevented from becoming thicker than the thickness of the other portion of the main body 14a. Contact between the shutter 14 and the shield plate can be suppressed when the 14 is opened and closed.

次に、実施の形態１の変形例について説明する。図６は、実施の形態１の変形例１に係るスパッタ装置１００のシャッター１４の正面図である。図６に示すように、薄肉部１４ｃは、軸部１４ｂの延在方向の側端部の延長線上に位置し直線状であってもよい。この場合、薄肉部１４ｃを形成するための加工が簡単になり、シャッター１４の歩留り向上を図ることができる。 Next, a modified example of the first embodiment will be described. FIG. 6 is a front view of the shutter 14 of the sputtering apparatus 100 according to the first modification of the first embodiment. As shown in FIG. 6, the thin-walled portion 14c may be located on an extension line of the side end portion in the extending direction of the shaft portion 14b and may be linear. In this case, the processing for forming the thin-walled portion 14c becomes simple, and the yield of the shutter 14 can be improved.

また、図７に示すように、薄肉部１４ｃを断面視で斜めに加工してもよい。図７は、実施の形態１の変形例２に係るスパッタ装置１００のシャッター１４の断面図である。 Further, as shown in FIG. 7, the thin portion 14c may be processed diagonally in a cross-sectional view. FIG. 7 is a cross-sectional view of the shutter 14 of the sputtering apparatus 100 according to the second modification of the first embodiment.

薄肉部１４ｃは、本体部１４ａの周縁部の一部に設けられ、薄肉部１４ｃにおける本体部１４ａの外周側に対応する部分の厚みは、薄肉部１４ｃにおける本体部１４ａの内周側に対応する部分の厚みより薄くてもよい。この場合、シャッター１４における必要な強度を維持しつつ、シャッター１４の開閉時にシャッター１４とシールド板との接触を抑制することができる。 The thin-walled portion 14c is provided on a part of the peripheral edge of the main body 14a, and the thickness of the portion of the thin-walled portion 14c corresponding to the outer peripheral side of the main body 14a corresponds to the inner peripheral side of the main body 14a of the thin-walled portion 14c. It may be thinner than the thickness of the portion. In this case, the contact between the shutter 14 and the shield plate can be suppressed when the shutter 14 is opened and closed while maintaining the required strength of the shutter 14.

また、実施の形態１の変形例１と変形例２とを組み合わせて、薄肉部１４ｃは、軸部１４ｂの延在方向の側端部の延長線上に位置し直線状であり、かつ、薄肉部１４ｃにおける本体部１４ａの外周側に対応する部分の厚みは、薄肉部１４ｃにおける本体部１４ａの内周側に対応する部分の厚みより薄くてもよい。この場合、薄肉部１４ｃを形成するための加工が簡単になり、シャッター１４の歩留り向上を図ることができる。さらに、シャッター１４における必要な強度を維持しつつ、シャッター１４の開閉時にシャッター１４とシールド板との接触を抑制することができる。 Further, by combining the modified example 1 and the modified example 2 of the first embodiment, the thin-walled portion 14c is located on the extension line of the side end portion in the extending direction of the shaft portion 14b, is linear, and has a thin-walled portion. The thickness of the portion of the 14c corresponding to the outer peripheral side of the main body portion 14a may be thinner than the thickness of the portion of the thin-walled portion 14c corresponding to the inner peripheral side of the main body portion 14a. In this case, the processing for forming the thin-walled portion 14c becomes simple, and the yield of the shutter 14 can be improved. Further, it is possible to suppress the contact between the shutter 14 and the shield plate when the shutter 14 is opened and closed while maintaining the required strength of the shutter 14.

また、図８と図９に示すように、薄肉部１４ｃを本体部１４ａの両面に設けてもよい。図８は、実施の形態１の変形例３に係るスパッタ装置１００のシャッター１４の正面図である。図９は、実施の形態１の変形例３に係るスパッタ装置１００のシャッター１４の断面図である。 Further, as shown in FIGS. 8 and 9, thin-walled portions 14c may be provided on both sides of the main body portion 14a. FIG. 8 is a front view of the shutter 14 of the sputtering apparatus 100 according to the third modification of the first embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view of the shutter 14 of the sputtering apparatus 100 according to the third modification of the first embodiment.

薄肉部１４ｃは本体部１４ａにおける両面に設けられ、２つの薄肉部１４ｃは、軸部１４ｂの延在方向に延びる中心線を中心に線対称となる位置に位置する。この場合、シャッター１４を裏返しでも使用できるため、シャッター１４を交換することなく長期使用可能である。 The thin-walled portions 14c are provided on both sides of the main body portion 14a, and the two thin-walled portions 14c are located at positions symmetrical with respect to the center line extending in the extending direction of the shaft portion 14b. In this case, since the shutter 14 can be used upside down, it can be used for a long time without replacing the shutter 14.

また、図１０に示すように、２つの薄肉部１４ｃは、軸部１４ｂの延在方向の側端部の延長線上に位置し直線状であり、かつ、軸部１４ｂの延在方向に延びる中心線を中心に線対称となる位置に位置してもよい。図１０は、実施の形態１の変形例４に係るスパッタ装置１００のシャッター１４の正面図である。この場合、薄肉部１４ｃを形成するための加工が簡単になり、シャッター１４の歩留り向上を図ることができる。さらに、シャッター１４を交換することなく長期使用可能である。 Further, as shown in FIG. 10, the two thin-walled portions 14c are located on the extension line of the side end portion of the shaft portion 14b in the extending direction, are linear, and have a center extending in the extending direction of the shaft portion 14b. It may be located at a position that is line-symmetrical with respect to the line. FIG. 10 is a front view of the shutter 14 of the sputtering apparatus 100 according to the fourth modification of the first embodiment. In this case, the processing for forming the thin-walled portion 14c becomes simple, and the yield of the shutter 14 can be improved. Further, it can be used for a long time without replacing the shutter 14.

また、図１１に示すように、薄肉部１４ｃにおける本体部１４ａの外周側に対応する部分の厚みは、薄肉部１４ｃにおける本体部１４ａの内周側に対応する部分の厚みより薄く、かつ、薄肉部１４ｃは、軸部１４ｂの延在方向に延びる中心線を中心に線対称となる位置に位置してもよい。図１１は、実施の形態１の変形例４に係るスパッタ装置１００のシャッター１４の断面図である。この場合、シャッター１４における必要な強度を維持しつつ、シャッター１４の開閉時にシャッター１４とシールド板との接触を抑制することができる。さらに、シャッター１４を交換することなく長期使用可能である。 Further, as shown in FIG. 11, the thickness of the portion of the thin-walled portion 14c corresponding to the outer peripheral side of the main body portion 14a is thinner and thinner than the thickness of the portion of the thin-walled portion 14c corresponding to the inner peripheral side of the main body portion 14a. The portion 14c may be located at a position symmetrical with respect to the center line extending in the extending direction of the shaft portion 14b. FIG. 11 is a cross-sectional view of the shutter 14 of the sputtering apparatus 100 according to the fourth modification of the first embodiment. In this case, the contact between the shutter 14 and the shield plate can be suppressed when the shutter 14 is opened and closed while maintaining the required strength of the shutter 14. Further, it can be used for a long time without replacing the shutter 14.

また、実施の形態１の変形例４と変形例５とを組み合わせて、２つの薄肉部１４ｃは、軸部１４ｂの延在方向の側端部の延長線上に位置し直線状であり、薄肉部１４ｃにおける本体部１４ａの外周側に対応する部分の厚みは、薄肉部１４ｃにおける本体部１４ａの内周側に対応する部分の厚みより薄く、かつ、薄肉部１４ｃは、軸部１４ｂの延在方向に延びる中心線を中心に線対称となる位置に位置してもよい。この場合、薄肉部１４ｃを形成するための加工が簡単になり、シャッター１４の歩留り向上を図ることができる。さらに、シャッター１４における必要な強度を維持しつつ、シャッター１４の開閉時にシャッター１４とシールド板との接触を抑制することができる。さらに、シャッター１４を交換することなく長期使用可能である。 Further, by combining the modified example 4 and the modified example 5 of the first embodiment, the two thin-walled portions 14c are located on the extension line of the side end portion in the extending direction of the shaft portion 14b and are linear and have a thin-walled portion. The thickness of the portion corresponding to the outer peripheral side of the main body portion 14a in 14c is thinner than the thickness of the portion corresponding to the inner peripheral side of the main body portion 14a in the thin-walled portion 14c, and the thin-walled portion 14c is in the extending direction of the shaft portion 14b. It may be located at a position that is line-symmetrical with respect to the center line extending to. In this case, the processing for forming the thin-walled portion 14c becomes simple, and the yield of the shutter 14 can be improved. Further, it is possible to suppress the contact between the shutter 14 and the shield plate when the shutter 14 is opened and closed while maintaining the required strength of the shutter 14. Further, it can be used for a long time without replacing the shutter 14.

＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係るスパッタ装置について説明する。図１２は、実施の形態２に係るスパッタ装置の遮蔽板３０の正面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。 <Embodiment 2>
Next, the sputtering apparatus according to the second embodiment will be described. FIG. 12 is a front view of the shielding plate 30 of the sputtering apparatus according to the second embodiment. In the second embodiment, the same components as those described in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

図１２に示すように、実施の形態２では、シャッター１４の代わりに前提技術のシャッター２４を備え、さらに開口部２０の周縁部に設けられたシールド板とは別の遮蔽板３０を備えている。このシールド板は、開口部２０の周縁部に渡って設けられており、開口部２０からは露出していない。 As shown in FIG. 12, in the second embodiment, the shutter 24 of the prerequisite technology is provided instead of the shutter 14, and a shielding plate 30 different from the shielding plate provided on the peripheral edge of the opening 20 is provided. .. This shield plate is provided over the peripheral edge of the opening 20, and is not exposed from the opening 20.

遮蔽板３０は、シャッターが開いた状態で本体部２４ａが開口部２０に位置する部分に対応する位置に設けられている。より具体的には、遮蔽板３０は、開口部２０とシャッター２４との間に取り付けられるリング状部材３１の内周部に設けられている。遮蔽板３０は、シャッター２４が開いた状態で開口部２０に位置する本体部２４ａの部分を覆うことが可能に、この本体部２４ａの部分より大きい。 The shielding plate 30 is provided at a position corresponding to a portion where the main body portion 24a is located at the opening 20 when the shutter is open. More specifically, the shielding plate 30 is provided on the inner peripheral portion of the ring-shaped member 31 attached between the opening 20 and the shutter 24. The shielding plate 30 is larger than the portion of the main body 24a so that the portion of the main body 24a located in the opening 20 can be covered with the shutter 24 open.

以上のように、実施の形態２に係るスパッタ装置では、遮蔽板３０は、シャッター２４が開いた状態で本体部２４ａが開口部２０に位置する部分に対応する位置に設けられた。 As described above, in the sputtering apparatus according to the second embodiment, the shielding plate 30 is provided at a position corresponding to the portion where the main body portion 24a is located at the opening 20 when the shutter 24 is open.

したがって、遮蔽板３０により本体部２４ａに膜が付着することを抑制することができるため、シャッター２４が開いた状態で本体部２４ａにおける開口部２０に位置する部分が本体部２４ａの他の部分の厚みより厚くなることを抑制できる。これにより、シャッター２４の開閉時にシャッター２４とシールド板との接触を抑制することができる。 Therefore, since it is possible to prevent the film from adhering to the main body portion 24a by the shielding plate 30, the portion located at the opening 20 in the main body portion 24a with the shutter 24 open is the other portion of the main body portion 24a. It is possible to prevent the thickness from becoming thicker than the thickness. As a result, contact between the shutter 24 and the shield plate can be suppressed when the shutter 24 is opened and closed.

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 In the present invention, each embodiment can be freely combined, and each embodiment can be appropriately modified or omitted within the scope of the invention.

４スパッタチャンバー、１０，１１，１２，１３ウエハ、１４，１５，１６シャッター、１４ａ本体部、１４ｂ軸部、１４ｃ薄肉部、２０開口部、３０遮蔽板、１００スパッタ装置。 4 Sputtering chambers, 10, 11, 12, 13 wafers, 14, 15, 16 shutters, 14a main body, 14b shaft, 14c thin wall, 20 openings, 30 shielding plates, 100 sputtering equipment.

Claims

開口部を有し、かつ、前記開口部を介して対向する被処理ウエハとターゲットが配置されるスパッタチャンバーと、
前記開口部を開閉するシャッターと、
前記シャッターの開閉を駆動する駆動部と、
を備え、
前記シャッターは、前記開口部を覆うことが可能な平板状の本体部と、前記本体部と一体的に設けられかつ前記本体部を回動可能に支持する軸部とを有し、
前記軸部は、前記駆動部から前記本体部に渡って延在し、
前記シャッターが開いた状態で前記本体部の一部が前記開口部に位置し、
前記シャッターが開いた状態で前記本体部における前記開口部に位置する部分に、前記本体部の他の部分の厚みより薄い薄肉部が２つ設けられ、
一方の前記薄肉部は前記本体部の表面に設けられ、
他方の前記薄肉部は前記本体部の裏面に設けられ、
２つの前記薄肉部は、前記シャッターの開閉時に、前記開口部と前記被処理ウエハとの間において前記開口部の周縁部に設けられたシールド板との接触を抑制可能な厚みを有し、かつ、前記軸部の延在方向に延びる中心線を中心に線対称となる位置に位置する、スパッタ装置。 A sputtering chamber having an opening and arranging a wafer to be processed and a target facing each other through the opening.
A shutter that opens and closes the opening,
A drive unit that drives the opening and closing of the shutter,
With
The shutter has a flat plate-shaped main body that can cover the opening, and a shaft that is integrally provided with the main body and rotatably supports the main body.
The shaft portion extends from the drive portion to the main body portion.
With the shutter open, a part of the main body is located in the opening.
Two thin parts thinner than the thickness of the other parts of the main body are provided in the portion of the main body located at the opening in the state where the shutter is open.
One of the thin-walled portions is provided on the surface of the main body portion.
The other thin-walled portion is provided on the back surface of the main body portion.
The two thin-walled portions have a thickness capable of suppressing contact between the opening and the wafer to be processed with a shield plate provided on the peripheral edge of the opening when the shutter is opened and closed. , A sputtering apparatus located at a position symmetrical with respect to a center line extending in the extending direction of the shaft portion.

前記薄肉部の厚みは一様である、請求項１記載のスパッタ装置。 The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the thin portion has a uniform thickness.

前記薄肉部は、前記本体部の周縁部の一部に設けられ、
前記薄肉部における前記本体部の外周側に対応する部分の厚みは、前記薄肉部における前記本体部の内周側に対応する部分の厚みより薄い、請求項１記載のスパッタ装置。 The thin-walled portion is provided on a part of the peripheral edge portion of the main body portion.
The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the thickness of the portion of the thin-walled portion corresponding to the outer peripheral side of the main body portion is thinner than the thickness of the portion of the thin-walled portion corresponding to the inner peripheral side of the main body portion.

前記薄肉部は、前記軸部の延在方向の側端部の延長線上に位置し直線状である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のスパッタ装置。 The sputtering apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the thin portion is located on an extension line of a side end portion in the extending direction of the shaft portion and has a linear shape.