JP6948350B2 - セラミックス回路基板の製造方法 - Google Patents
セラミックス回路基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6948350B2 JP6948350B2 JP2018563339A JP2018563339A JP6948350B2 JP 6948350 B2 JP6948350 B2 JP 6948350B2 JP 2018563339 A JP2018563339 A JP 2018563339A JP 2018563339 A JP2018563339 A JP 2018563339A JP 6948350 B2 JP6948350 B2 JP 6948350B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- metal layer
- layer
- aluminum
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/02—Compacting only
- B22F3/04—Compacting only by applying fluid pressure, e.g. by cold isostatic pressing [CIP]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C21/00—Alloys based on aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
- C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0126—Dispenser, e.g. for solder paste, for supplying conductive paste for screen printing or for filling holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/086—Using an inert gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
アルミニウム粒子又はアルミニウム合金粒子のうち少なくとも一方を含む第一金属粉体を不活性ガスとともにノズルからセラミックス基材の表面に対して吹き付けることにより、前記セラミックス基材に接する前記第一金属層を形成させる工程であって、前記第一金属粉体が10〜270℃に加熱されてから前記ノズルから噴出され、前記ノズルの入口における前記不活性ガスのゲージ圧力が1.5〜5.0MPaである、工程と、
前記セラミックス基材上に形成された前記第一金属層を不活性ガス雰囲気下で加熱処理する工程と、
銅粒子又は銅合金粒子のうち少なくとも一方を含む第二金属粉体を不活性ガスとともにノズルから前記第一金属層の表面に対して吹き付けることにより、前記第一金属層に接する前記第二金属層を形成させる工程であって、前記第二金属粉体が10〜650℃に加熱されてから前記ノズルから噴出され、前記ノズルの入口における前記不活性ガスのゲージ圧力が1.5〜5.0MPaであり、前記第一金属層の端面と前記第二金属層の端面とが面一となる、又は、前記第一金属層の端面が前記第二金属層の端面よりも外側にはみ出るように、前記第二金属層が形成される、工程と、
前記第一金属層上に形成された前記第二金属層を不活性ガス雰囲気下で加熱処理する工程と、を含むことができる。
窒化アルミニウム基材の一部を鉄製のマスク材でマスキングした。そこに、アルミニウム粉体(高純度化学研究所社製ガスアトマイズ粉、メジアン径:24μm)を用い、図3と同様の構成を有する粉体スプレー装置によって、縦56mm、横46mm、厚み0.2mmのアルミニウム層(第一金属層)を、窒化アルミニウム基材の表裏それぞれにおいて基材端面から2mm内側の範囲に形成した。アルミニウム層の成膜は、作動ガスとして窒素を用い、アルミニウム粉体の温度を20℃、スプレーガンのノズル入口における作動ガスの圧力を1.5MPaとする条件で行った。
形成されたアルミニウム層を、窒素雰囲気下において500℃を3時間保持することで加熱処理した。
次に、アルミニウム層の一部を鉄製のマスク材でマスキングし、銅粉体(福田金属箔粉工業社製水アトマイズ粉、メジアン径:17μm)を用い、図3と同様の構成を有する粉体スプレー装置によって、アルミニウム層の端面から50μm内側の範囲に銅層(第二金属層、縦55.9、横45.9、厚さ0.4mm)を形成した。銅層の成膜は、作動ガスとして窒素を用い、銅粉体の温度を20℃、ノズル入口における作動ガスの圧力を1.5MPaとする条件で行った。アルミニウム層の端面は、銅層の端面よりも50μmの幅で外側にはみ出していた。
形成された銅層を、窒素雰囲気下において300℃を1時間保持することで加熱処理した。
以上の手順で、窒化アルミニウム基材の両面上に、アルミニウム層及び銅層からなる回路層が形成されている試験体を得た。
窒化ケイ素基材の一部を鉄製のマスク材でマスキングした。そこに、アルミニウム粉体(高純度化学研究所社製ガスアトマイズ粉、メジアン径:24μm)を用い、図3と同様の構成を有する粉体スプレー装置によって、縦56mm、横46mm、厚み0.2mmのアルミニウム層(第一金属層)を、窒化アルミニウム基材の表裏それぞれにおいて基材端面から2mm内側の範囲に形成した。アルミニウム層の成膜は、作動ガスとして窒素を用い、アルミニウム粉体の温度を260℃、ノズル入口における作動ガスの圧力を1.5MPaとする条件で行った。
形成されたアルミニウム層を、窒素雰囲気下において500℃を3時間保持することで加熱処理した。
次に、アルミニウム層の一部を鉄製のマスク材でマスキングし、銅粉末(福田金属箔粉工業社製水アトマイズ粉、メジアン径:17μm)を用い、図3と同様の構成を有する粉体スプレー装置によって、アルミニウム層の端面から50μm内側の範囲に銅層(第二金属層、縦55.9、横45.9、厚さ0.4mm)を形成した。銅層の成膜は、作動ガスとして窒素を用い、銅粉体の温度を640℃、ノズル入口における作動ガスの圧力を1.5MPaとする条件で行った。アルミニウム層の端面は、銅層の端面よりも50μmの幅で外側にはみ出していた。
形成された銅層を、窒素雰囲気下において300℃を1時間保持することで加熱処理した。
以上の手順で、窒化ケイ素基材の両面上に、アルミニウム層及び銅層からなる回路層が形成されている試験体を得た。
実施例2と同様の手順で試験体を作製した。ただし、アルミニウム層の成膜を、アルミニウム粉体の温度が20℃、ノズル入口における作動ガス圧力が5.0MPaの条件に変更し、銅層の成膜を、銅粉体の温度が20℃、ノズル入口における作動ガス圧力が5.0MPaの条件に変更した。
実施例1と同様の手順で試験体を作製した。ただし、アルミニウム層の成膜を、アルミニウム粉体の温度が260℃、ノズル入口における作動ガス圧力が5.0MPaの条件に変更し、銅層の成膜を、銅粉体の温度が640℃、ノズル入口における作動ガス圧力が5.0MPaの条件に変更した。
実施例1と同様の手順で試験体を作製した。ただし、アルミニウム層の成膜を、アルミニウム粉体の温度が200℃、ノズル入口における作動ガス圧力が3.0MPaの条件に変更し、銅層の成膜を、銅粉体の温度が350℃、ノズル入口における作動ガス圧力が3.0MPaの条件に変更した。
実施例2と同様の手順で試験体を作製した。ただし、アルミニウム層の成膜を、アルミニウム粉体の温度が200℃、ノズル入口における作動ガス圧力が3.0MPaの条件に変更し、銅層の成膜を、銅粉体の温度が350℃、ノズル入口における作動ガス圧力が3.0MPaの条件に変更した。
実施例5と同様の手順で試験体を作製した。ただし、銅層の端面とアルミニウム層の端面とが面一となるように銅層を形成させた。
実施例6と同様の手順で試験体を作製した。ただし、銅層の端面とアルミニウム層の端面とが面一となるように銅層を形成させた。
銅層形成後に銅層を加熱処理しなかったこと以外は実施例5と同様にして、試験体を作製した。
銅層形成後に銅層を加熱処理しなかったこと以外は実施例6と同様にして、試験体を作製した。
ノズル入口における作動ガス圧力を1.0MPaの条件に変更したこと以外は実施例5と同様の条件で銅層の成膜を試みたが、銅粉末がアルミニウム層に付着せず、銅層を形成することができなかった。
ノズル入口における作動ガス圧力を5.5MPaの条件に変更したこと以外は実施例6と同様の条件で銅層の成膜を試みたが、銅粉末がアルミニウム層に付着せず、銅層を形成することができなかった。
銅粉体の温度を0℃としたこと以外は実施例5と同様の条件で銅層の成膜を試みたが、銅粉末がアルミニウム層に付着せず、銅層を形成することができなかった。
銅粉体の温度を660℃としたこと以外は実施例6と同様の条件で銅層の成膜を試みたが、銅粉末がアルミニウム層に付着せず、銅層を形成することができなかった。
実施例5と同様の条件でアルミニウム層を形成させた。その後、アルミニウム層を加熱することなく、実施例5と同様の条件で銅層の成膜を試みたが、銅層を形成する間にアルミニウム層が窒化ケイ素基材から剥離し、試験体を作製することができなかった。
実施例6と同様の条件でアルミニウム層を形成させた。その後、アルミニウム層を加熱することなく、実施例6と同様の条件で銅層の成膜を試みたが、銅層を形成する間にアルミニウム層が窒化ケイ素基材から剥離し、試験体を作製することができなかった。
ノズル入口における作動ガス圧力を1.0MPaの条件に変更したこと以外は実施例5と同様の条件でアルミニウム層の成膜を試みたが、アルミニウム粉体が窒化アルミニウム基材に付着せず、アルミニウム層を形成することができなかった。
ノズル入口における作動ガス圧力を5.5MPaの条件に変更したこと以外は実施例6と同様の条件でアルミニウム層の成膜を試みたが、アルミニウム粉体が窒化ケイ素基材に付着せず、アルミニウム層を形成することができなかった。
アルミニウム粉体の温度を0℃に変更したこと以外は実施例5と同様の条件でアルミニウム層の成膜を試みたが、アルミニウム粉体が窒化アルミニウム基材に付着せず、アルミニウム層を形成することができなかった。
アルミニウム粉体の温度を280℃に変更したこと以外は実施例6と同様の条件でアルミニウム層の成膜を試みたが、ノズル先細部にアルミニウム粉体が詰まり、アルミニウム層を形成することができなかった。
実施例1〜8、及び比較例1、2の試験体関して、渦電流法による金属回路層の導電率測定を行った。実施例1〜8の試験体は、導電率90IACS%以上の高い導電性を示した。比較例1、2の試験体の導電率は60IACS%と低かった。
導電性が良好であった実施例1〜8の試験体に対し、「180℃の環境に30分放置した後に−45℃の環境に30分放置」を1サイクルとして、1000サイクルのヒートサイクル試験を実施した。ヒートサイクル試験後、実施例1〜8の試験体においてはアルミニウム層、銅層の剥離等の異常は確認されなかった。
Claims (5)
- セラミックス基材と、該セラミックス基材上に形成された金属回路とを備え、前記金属回路がアルミニウム又はアルミニウム合金のうち少なくとも一方を含む第一金属層と銅又は銅合金のうち少なくとも一方を含む第二金属層とを有する、セラミックス回路基板を製造する方法であって、当該方法が、
アルミニウム粒子又はアルミニウム合金粒子のうち少なくとも一方を含む第一金属粉体を不活性ガスとともにノズルからセラミックス基材の表面に対して吹き付けることにより、前記セラミックス基材に接する前記第一金属層を形成させる工程であって、前記第一金属粉体が10〜270℃に加熱されてから前記ノズルから噴出され、前記ノズルの入口における前記不活性ガスのゲージ圧力が1.5〜5.0MPaである、工程と、
前記セラミックス基材上に形成された前記第一金属層を不活性ガス雰囲気下で加熱処理する工程と、
銅粒子又は銅合金粒子のうち少なくとも一方を含む第二金属粉体を不活性ガスとともにノズルから前記第一金属層の表面に対して吹き付けることにより、前記第一金属層に接する前記第二金属層を形成させる工程であって、前記第二金属粉体が10〜650℃に加熱されてから前記ノズルから噴出され、前記ノズルの入口における前記不活性ガスのゲージ圧力が1.5〜5.0MPaであり、前記第一金属層の端面と前記第二金属層の端面とが面一となる、又は、前記第一金属層の端面が前記第二金属層の端面よりも外側にはみ出るように、前記第二金属層が形成される、工程と、
前記第一金属層上に形成された前記第二金属層を不活性ガス雰囲気下で加熱処理する工程と、
を含む、方法。 - 前記第一金属層を不活性ガス雰囲気下で加熱処理する前記工程において、前記第一金属層が400〜600℃に加熱される、請求項1に記載の方法。
- 前記第一金属層を不活性ガス雰囲気下で加熱処理する前記工程において、前記第二金属層が250〜350℃に加熱される、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第一金属粉体及び前記第二金属粉体の平均粒径が10〜70μmである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一金属層を形成させる工程、及び前記第二金属層を形成させる工程において、前記セラミックス基材上にその表面の一部を覆うマスク材を配置することにより、パターンを有する前記第一金属層及び前記第二金属層を形成させる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017006089 | 2017-01-17 | ||
JP2017006089 | 2017-01-17 | ||
PCT/JP2018/001022 WO2018135490A1 (ja) | 2017-01-17 | 2018-01-16 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018135490A1 JPWO2018135490A1 (ja) | 2019-12-19 |
JP6948350B2 true JP6948350B2 (ja) | 2021-10-13 |
Family
ID=62908504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018563339A Active JP6948350B2 (ja) | 2017-01-17 | 2018-01-16 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11160172B2 (ja) |
EP (1) | EP3573436B1 (ja) |
JP (1) | JP6948350B2 (ja) |
CN (1) | CN110169213B (ja) |
WO (1) | WO2018135490A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102559148B1 (ko) * | 2018-08-10 | 2023-07-24 | 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 | 적층체의 제조 방법 |
JP7299141B2 (ja) * | 2019-11-21 | 2023-06-27 | デンカ株式会社 | 複合基板及びその製造方法、並びに、回路基板及びその製造方法 |
CN111672650B (zh) * | 2020-06-22 | 2022-03-08 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 一种喷涂装置、喷涂方法及显示面板 |
WO2022153891A1 (ja) * | 2021-01-12 | 2022-07-21 | デンカ株式会社 | 積層体、及びその製造方法、並びに、パワーモジュール |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3734359B2 (ja) | 1998-03-03 | 2006-01-11 | 電気化学工業株式会社 | 回路基板 |
US20040101620A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Elmoursi Alaa A. | Method for aluminum metalization of ceramics for power electronics applications |
JP4595665B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2010-12-08 | 富士電機システムズ株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP2009197294A (ja) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Honda Motor Co Ltd | 積層体の製造方法 |
KR101172815B1 (ko) * | 2010-09-20 | 2012-08-09 | (주)태광테크 | 인쇄회로기판 및 저온분사 방식을 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
JP5548167B2 (ja) | 2011-07-11 | 2014-07-16 | 日本発條株式会社 | 積層体及び積層体の製造方法 |
JP6066759B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2017-01-25 | 三菱重工業株式会社 | 成膜方法 |
JP6096094B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2017-03-15 | 日本発條株式会社 | 積層体、絶縁性冷却板、パワーモジュールおよび積層体の製造方法 |
DE102013113736B4 (de) | 2013-12-10 | 2019-11-14 | Rogers Germany Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
JPWO2016021561A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2017-05-25 | 日本発條株式会社 | 複合基板及びパワーモジュール |
JP6400501B2 (ja) * | 2015-02-18 | 2018-10-03 | Dowaメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 |
JP6811719B2 (ja) * | 2015-11-11 | 2021-01-13 | 日本発條株式会社 | 積層体の製造方法 |
-
2018
- 2018-01-16 US US16/477,628 patent/US11160172B2/en active Active
- 2018-01-16 WO PCT/JP2018/001022 patent/WO2018135490A1/ja unknown
- 2018-01-16 CN CN201880006597.7A patent/CN110169213B/zh active Active
- 2018-01-16 JP JP2018563339A patent/JP6948350B2/ja active Active
- 2018-01-16 EP EP18741472.7A patent/EP3573436B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2018135490A1 (ja) | 2019-12-19 |
CN110169213A (zh) | 2019-08-23 |
US20200128677A1 (en) | 2020-04-23 |
WO2018135490A1 (ja) | 2018-07-26 |
CN110169213B (zh) | 2022-05-27 |
US11160172B2 (en) | 2021-10-26 |
EP3573436A1 (en) | 2019-11-27 |
EP3573436A4 (en) | 2019-12-18 |
EP3573436B1 (en) | 2021-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6948350B2 (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
JP5359644B2 (ja) | パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6811719B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
JP2009026953A (ja) | パワーモジュールの製造方法、パワーモジュール、車両用インバータ、及び車両 | |
JP2006278558A (ja) | 絶縁伝熱構造体及びパワーモジュール用基板 | |
JP6991516B2 (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
JP4645464B2 (ja) | 電子部材の製造方法 | |
WO2013047330A1 (ja) | 接合体 | |
JP2009038162A (ja) | 放熱部品、その製造方法及びパワーモジュール | |
JP2012153581A (ja) | セラミックスとアルミニウムとの接合方法 | |
JP6999117B2 (ja) | アルミニウム回路基板の製造方法 | |
JP2008147307A (ja) | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール | |
JP2010189754A (ja) | 金属被膜の成膜方法、伝熱部材、パワーモジュール、及び車両用インバータ | |
WO2016056567A1 (ja) | 放熱部材用積層体、ヒートシンク付き基板、および放熱部材用積層体の製造方法 | |
JP6378247B2 (ja) | 積層体、パワーモジュールおよび積層体の製造方法 | |
WO2022153891A1 (ja) | 積層体、及びその製造方法、並びに、パワーモジュール | |
WO2021100616A1 (ja) | 複合基板及びその製造方法、並びに、回路基板及びその製造方法 | |
JP5940589B2 (ja) | 積層体、及びパワーモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20190711 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210824 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6948350 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |