JP6946166B2 - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents
研磨装置および研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6946166B2 JP6946166B2 JP2017244169A JP2017244169A JP6946166B2 JP 6946166 B2 JP6946166 B2 JP 6946166B2 JP 2017244169 A JP2017244169 A JP 2017244169A JP 2017244169 A JP2017244169 A JP 2017244169A JP 6946166 B2 JP6946166 B2 JP 6946166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- slurry
- polished
- unit
- polishing slurry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
上流側で前記被研磨物の研磨を行う第1研磨ユニットと、
下流側で前記被研磨物の研磨を行う第2研磨ユニットと、
前記被研磨物に作用させるためのCMP研磨スラリーの新液を前記第2研磨ユニットに供給する新液スラリーノズルと、
前記第2研磨ユニットでの研磨に用いられた前記CMP研磨スラリーの旧液の回収機構と、
回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を前記第1研磨ユニットに供給する旧液スラリーノズルと、
を備える。
上流側で前記被研磨物の研磨を行う第1研磨ユニットと、
下流側で前記被研磨物の研磨を行う第2研磨ユニットと、
前記被研磨物に作用させるためのCMP研磨スラリーの新液を前記第2研磨ユニットに供給する新液スラリーノズルと、
前記第2研磨ユニットでの研磨に用いられた前記CMP研磨スラリーの旧液の回収機構と、
回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を前記第1研磨ユニットに供給する旧液スラリーノズルと、
を備える。
前記CMP研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を所定の濃度に調整する濃度調整ユニットと、
を更に備えてもよい。
前記CMP研磨スラリーの旧液の前記金属イオン成分が300g/Lを超えた場合に回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を廃棄する廃棄機構と、
を更に備えてもよい。
以下、本開示の実施の形態1に係る研磨装置100について、図1にて説明する。
図1は、本開示の実施の形態1に係る研磨装置100の構成を示した概略図である。この研磨装置100は、研磨剤と水などからなるCMP研磨スラリーを用いて、例えば、被研磨物101であるフィルム表面の金属箔を研磨するとともに、研磨後の研磨スラリーを回収して再利用する研磨装置である。この研磨装置100は、研磨スラリーが付着した連続するシート状被研磨物101を矢印の方向に搬送する搬送手段102と、上流側の第1研磨ユニット103と、下流側の第2研磨ユニット104と、から構成される。第1研磨ユニット103および第2研磨ユニット104は、それぞれ第1及び第2研磨工具105,108と、第1及び第2エアーノズル106,109と、第1及び第2シュート107,110と、を備える。第1及び第2研磨工具105,108によって、搬送されたシート状被研磨物101の表面の金属箔を研磨する。第1及び第2エアーノズル106,109によって、搬送手段102により搬送される連続するシート状被研磨物101に対して表面に付着している研磨後のCMP研磨スラリーをシート状被研磨物101の表面から除去する。第1及び第2シュート107,110によって、搬送手段の下方に配置され前記圧縮エアーにより前記フィルム101から除去された研磨スラリーを受け止めて回収する。また、研磨スラリーを供給する方法として、本研磨装置100は、研磨スラリーの新液を定量供給するための研磨スラリー新液送液ポンプ111と、回収された研磨スラリーの旧液(スラリー廃液)を再度、定量送液するための研磨スラリー旧液送液ポンプ112と、を備える。
図4は、実施の形態2に係るフィルムの研磨装置100aの構成を示した概略図である。この研磨装置100aは、実施の形態1に係る研磨装置と対比すると、濃度測定ユニット400と、濃度調整ユニット410と、を備える点で相違する。濃度測定ユニット400によって、回収した研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を測定する。濃度調整ユニット410によって、研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を所定の濃度に調整する。
濃度調整ユニット410は、例えば、研磨スラリー旧液タンク401と、ポンプ406と、攪拌する撹拌プロペラ407とを含む。研磨スラリー旧液タンク401によって、前述の第2研磨ユニット104で回収された研磨スラリーの旧液(スラリー廃液)を一時貯蔵する。濃度測定ユニット400によって、研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度が所定濃度未満であると検出すると、ポンプ406によって一時貯蔵した研磨スラリー旧液タンク401に過酸化水素水を定量供給する。
濃度測定ユニット400は、例えば、滴定用タンク403と、ポンプ404と、酸化還元電位測定ユニット405と、を含む。滴定用タンク403には、測定用に定量を分けるポンプ402によって研磨スラリー旧液タンク401から定量分の研磨スラリーの旧液が取り分けられる。また、滴定用タンク403に、滴定試薬を定量供給するポンプ404が設けられている。酸化還元電位測定ユニット405は、滴定用タンク403に浸けられており、滴定判断するための酸化還元電位を測定する。また、濃度測定ユニット400では、測定した酸化還元電位に基づいて研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を算出する計算部を含んでもよい。この計算部は、例えば、コンピュータ、具体的にはCPUによって実現してもよい。なお、ポンプ402は、濃度測定ユニット400に含んでもよい。
上記各部材から構成される中間処理槽が前述のパイプライン中に設置されている。
図7は、実施の形態3に係る研磨装置100bの構成を示した概略図である。この研磨装置100bは、実施の形態1に係る研磨装置と対比すると、金属イオン測定ユニット700と、廃棄機構710と、をさらに備える点で相違する。金属イオン測定ユニット700によって、回収したCMP研磨スラリーの旧液中の金属を構成する金属イオン成分を測定する。廃棄機構710によって、CMP研磨スラリーの旧液の金属イオン成分が300g/Lを超えた場合に回収したCMP研磨スラリーの旧液を廃棄する。
廃棄機構710は、例えば、研磨スラリー旧液タンク701と、廃液ポンプ706と、を含む。研磨スラリー旧液タンク701によって、前述の第2研磨ユニット104で回収された研磨スラリーの旧液を一時貯蔵する。金属イオン測定ユニット700によって、CMP研磨スラリーの旧液の金属イオン成分が300g/Lを超えたことが検出されると、廃液ポンプ706によって、研磨スラリー旧液タンク701から廃液タンク707に送液する。
金属イオン測定ユニット700は、例えば、滴定用タンク703と、ポンプ704と、酸化還元電位測定ユニット705と、を含む。滴定用タンク703には、測定用に定量を分けるポンプ702によって研磨スラリー旧液タンク701から定量分の研磨スラリーの旧液が取り分けられる。また、滴定用タンク703に滴定試薬を定量供給するポンプ704が設けられている。酸化還元電位測定ユニット705は、滴定用タンク703に浸けられており、滴定判断するための酸化還元電位を測定する。また、金属イオン測定ユニット700では、測定した酸化還元電位に基づいて研磨スラリーの旧液の金属イオン成分を算出する計算部を含んでもよい。この計算部は、例えば、コンピュータ、具体的にはCPUによって実現してもよい。なお、ポンプ702は、金属イオン測定ユニット700に含んでもよい。
上記各部材から構成される中間処理槽が前述のパイプライン中に設置されている。
101 シート状被研磨物
102 フィルム搬送手段
103 第1研磨ユニット
104 第2研磨ユニット
105 第1研磨工具
106 第1エアーノズル
107 第1シュート
108 第2研磨工具
109 第2エアーノズル
110 第2シュート
111 研磨スラリー新液送液ポンプ
112 研磨スラリー旧液送液ポンプ
400 濃度測定ユニット
401 研磨スラリー旧液タンク
402 ポンプ
403 滴定用タンク
404 ポンプ
405 酸化還元電位測定ユニット
406 ポンプ
407 攪拌プロペラ
410 濃度調整ユニット
700 金属イオン測定ユニット
701 研磨スラリー旧液タンク
702 ポンプ
703 滴定用タンク
704 ポンプ
705 酸化還元電位測定ユニット
706 廃液ポンプ
707 廃液タンク
710 廃棄機構
Claims (6)
- 表面に金属を有するシート状の被研磨物を上流から下流に送りながら前記被研磨物の前記表面の金属を連続研磨する研磨装置であって、
上流側で前記被研磨物の研磨を行う第1研磨ユニットと、
下流側で前記被研磨物の研磨を行う第2研磨ユニットと、
前記被研磨物に作用させるためのCMP研磨スラリーの新液を前記第2研磨ユニットに供給する新液スラリーノズルと、
前記第2研磨ユニットでの研磨に用いられた前記CMP研磨スラリーの旧液の回収機構と、
回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を前記第1研磨ユニットに供給する旧液スラリーノズルと、
を備える、研磨装置。 - 回収した前記CMP研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を測定する濃度測定ユニットと、
前記CMP研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を所定の濃度に調整する濃度調整ユニットと、
を更に備える請求項1に記載の研磨装置。 - 過酸化水素の前記所定の濃度は、0.5wt%以上かつ0.82wt%以下である、請求項2に記載の研磨装置。
- 回収した前記CMP研磨スラリーの旧液中の前記金属を構成する金属イオン成分を測定する金属イオン測定ユニットと、
前記CMP研磨スラリーの旧液の前記金属イオン成分が300g/Lを超えた場合に回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を廃棄する廃棄機構と、
を更に備える、請求項1から3のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記金属は、銅で構成される、請求項1から4のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載の前記研磨装置を用いて、被研磨物の研磨を行う研磨方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017244169A JP6946166B2 (ja) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | 研磨装置および研磨方法 |
CN201811528760.4A CN109940504A (zh) | 2017-12-20 | 2018-12-13 | 研磨装置及研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017244169A JP6946166B2 (ja) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | 研磨装置および研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019107755A JP2019107755A (ja) | 2019-07-04 |
JP6946166B2 true JP6946166B2 (ja) | 2021-10-06 |
Family
ID=67005947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017244169A Active JP6946166B2 (ja) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | 研磨装置および研磨方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6946166B2 (ja) |
CN (1) | CN109940504A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115443206B (zh) * | 2020-04-27 | 2024-06-04 | 柯尼卡美能达株式会社 | 研磨*** |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2556988B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1996-11-27 | 三井金属鉱業株式会社 | 石材の連続研削研磨装置 |
JP3384530B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2003-03-10 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの研磨装置および研磨方法 |
JPH11277434A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-12 | Speedfam Co Ltd | Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
JPH11347939A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨システムの制御方法及び研磨システム |
JP2000071172A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Nec Corp | 化学機械研磨用スラリーの再生装置及び再生方法 |
JP2000117635A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨方法及び研磨システム |
JP2000158341A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-13 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨方法及び研磨システム |
JP3708748B2 (ja) * | 1999-04-23 | 2005-10-19 | 松下電器産業株式会社 | 研磨剤の再生装置および研磨剤の再生方法 |
JP2001260006A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨剤調整装置及び研磨剤調整方法 |
JP2002011663A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用支持体の製造方法及び製造装置 |
US6811467B1 (en) * | 2002-09-09 | 2004-11-02 | Seagate Technology Llc | Methods and apparatus for polishing glass substrates |
KR20070001955A (ko) * | 2004-01-26 | 2007-01-04 | 티비더블유 인더스트리즈, 인코포레이티드 | 화학적 연마를 위한 다단계 패드 처리 시스템 및 방법 |
TW200916261A (en) * | 2007-09-07 | 2009-04-16 | Cabot Microelectronics Corp | CMP sensor and control system |
JP5164559B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-03-21 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
CN202742186U (zh) * | 2012-07-13 | 2013-02-20 | 四川天宏不锈钢有限责任公司 | 金属制件连续表面处理装置 |
CN104175211B (zh) * | 2014-08-20 | 2016-08-24 | 上海华力微电子有限公司 | 一种防止化学机械研磨时微观刮伤的研磨方法 |
WO2016093963A1 (en) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | Applied Materials, Inc. | System and process for in situ byproduct removal and platen cooling during cmp |
JP6206388B2 (ja) * | 2014-12-15 | 2017-10-04 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの研磨方法 |
-
2017
- 2017-12-20 JP JP2017244169A patent/JP6946166B2/ja active Active
-
2018
- 2018-12-13 CN CN201811528760.4A patent/CN109940504A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019107755A (ja) | 2019-07-04 |
CN109940504A (zh) | 2019-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1315792B1 (en) | Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus | |
CN107004594B (zh) | 硅晶圆的研磨方法 | |
JP2007520083A (ja) | 現場調整プロセスを使用する化学機械的平坦化プロセス制御 | |
US20090130960A1 (en) | Method For Producing A Semiconductor Wafer With A Polished Edge | |
JP6946166B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
JP6654457B2 (ja) | 基板処理装置用排水システム、排水方法及び排水制御装置並びに記録媒体 | |
US20080166958A1 (en) | Method and System for Point of Use Recycling of ECMP Fluids | |
US20110081840A1 (en) | Method for polishing semiconductor wafers | |
CN104263248B (zh) | 一种适用于低下压力的弱酸性铜抛光液 | |
US8460061B2 (en) | Method for producing large-size synthetic quartz glass substrate | |
CN110962040A (zh) | 清洁方法以及清洁*** | |
JP2008034827A (ja) | 化学的機械研磨材のリサイクル方法及びその装置 | |
KR20160134506A (ko) | 기판의 제조 방법 | |
KR101433622B1 (ko) | 처리 장치 및 처리 방법 | |
TW201033410A (en) | Electro-thinning apparatus for removing excess metal on surface of substrate and removing method using the same | |
US8662963B2 (en) | Chemical mechanical polishing system | |
CN111805433B (zh) | 研磨装置以及研磨方法 | |
JP2016179533A (ja) | 被加工物の研削方法及び研削装置 | |
JP2009297618A (ja) | 微粒子状切粉の回収方法及び回収装置 | |
JP7457913B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
CN112272600A (zh) | 研磨剂再循环处理***及研磨剂回收·再生方法 | |
JP4849660B2 (ja) | スラリ再生方法 | |
JP2019166588A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
JP5721245B2 (ja) | 研磨スラリーに気体を添加する供給系及びこの方法 | |
JP2005131743A (ja) | ワイヤソー |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210824 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210915 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6946166 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |