JP6941981B2 - Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers - Google Patents
Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers Download PDFInfo
- Publication number
- JP6941981B2 JP6941981B2 JP2017124887A JP2017124887A JP6941981B2 JP 6941981 B2 JP6941981 B2 JP 6941981B2 JP 2017124887 A JP2017124887 A JP 2017124887A JP 2017124887 A JP2017124887 A JP 2017124887A JP 6941981 B2 JP6941981 B2 JP 6941981B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- thin film
- piezoelectric thin
- substrate
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明は、圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば基板と下部電極との間に空隙が設けられた圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。 The present invention relates to piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers, for example, piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers in which a gap is provided between a substrate and a lower electrode.
圧電薄膜共振器は、例えば携帯電話等の無線機器のフィルタおよびデュプレクサとして用いられている。圧電薄膜共振器では、基板上に空隙を介し下部電極、圧電膜および上部電極が積層されている。基板と下部電極との間に空隙を形成する方法として、基板上に犠牲層を形成し犠牲層上に下部電極を形成する。その後、下部電極に形成された貫通孔を介し犠牲層にエッチング液を導入し、犠牲層を除去することで空隙を形成することが知られている(例えば特許文献1)。 Piezoelectric thin film resonators are used as filters and duplexers for wireless devices such as mobile phones. In the piezoelectric thin film resonator, a lower electrode, a piezoelectric film, and an upper electrode are laminated on a substrate via a gap. As a method of forming a gap between the substrate and the lower electrode, a sacrificial layer is formed on the substrate and a lower electrode is formed on the sacrificial layer. After that, it is known that an etching solution is introduced into the sacrificial layer through a through hole formed in the lower electrode to remove the sacrificial layer to form a void (for example, Patent Document 1).
エッチング液を導入するためには、下部電極に設けられた貫通孔の面積を大きくすることが好ましい。しかしながら、貫通孔を大きくするとチップ面積が大きくなる。 In order to introduce the etching solution, it is preferable to increase the area of the through hole provided in the lower electrode. However, increasing the through hole increases the chip area.
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、圧電薄膜共振器を小型化することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reduce the size of a piezoelectric thin film resonator.
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた圧電膜と、前記圧電膜上に設けられた上部電極と、前記上部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域を形成するように、前記基板と前記圧電膜との間に、前記基板との間に空隙を介し設けられ、前記空隙とつながる第1貫通孔および第2貫通孔を前記共振領域外に有する下部電極と、を具備し、前記共振領域の外周のうち前記第1貫通孔に最も近い箇所における前記外周に沿った第1方向における前記第1貫通孔の第1幅は、前記第1方向に直交する第1直交方向における前記第1貫通孔の第2幅より大きく、前記外周のうち前記第2貫通孔に最も近い箇所における前記外周に沿った第2方向における前記第2貫通孔の第3幅は前記第1幅より小さく、前記第2方向に直交する第2直交方向における前記第2貫通孔の第4幅は前記第2幅より大きい圧電薄膜共振器である。 The present invention forms a resonance region in which at least a part of the piezoelectric film is sandwiched between the substrate, the piezoelectric film provided on the substrate, the upper electrode provided on the piezoelectric film, and the upper electrode. in, between the substrate and the piezoelectric film, provided through a gap between the substrate, a lower electrode having a first through-hole and the second through-hole leads the space outside the resonance region, the The first width of the first through hole in the first direction along the outer circumference at the portion of the outer circumference of the resonance region closest to the first through hole is the first orthogonality orthogonal to the first direction. The third width of the second through hole in the second direction along the outer circumference at a portion of the outer circumference closest to the second through hole, which is larger than the second width of the first through hole in the direction, is the first. The fourth width of the second through hole in the second orthogonal direction smaller than the width and orthogonal to the second direction is a piezoelectric thin film resonator larger than the second width.
上記構成において、前記第3幅と前記第4幅は等しい構成とすることができる。 In the above configuration, the third width and the fourth width can be equal to each other.
上記構成において、前記第1貫通孔および前記第2貫通孔は前記共振領域の中心を挟んで設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the first through hole and the second through hole may be provided with the center of the resonance region interposed therebetween.
上記構成において、前記共振領域は長手方向と短手方向を有し、前記第1貫通孔と前記第2貫通孔は前記長手方向に設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the resonance region has a longitudinal direction and a lateral direction, and the first through hole and the second through hole may be provided in the longitudinal direction.
上記構成において、前記第1貫通孔は前記共振領域に最も近い前記基板の端部と前記共振領域との間に設けられ、前記基板の端部と前記共振領域との間には、他の圧電薄膜共振器は設けられておらず、前記第2貫通孔と、前記第2貫通孔に対し前記共振領域と反対側の前記基板の端部と、の間には、他の圧電薄膜共振器が設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the first through hole is provided between the end of the substrate closest to the resonance region and the resonance region, and another piezoelectric is provided between the end of the substrate and the resonance region. A thin film resonator is not provided, and another piezoelectric thin film resonator is provided between the second through hole and the end portion of the substrate opposite to the resonance region with respect to the second through hole. It can be configured to be provided.
上記構成において、前記第1貫通孔は隣接する第1他の圧電薄膜共振器との間に設けられ、前記第1貫通孔と、前記第1他の圧電薄膜共振器が有する貫通孔のうち前記第1貫通孔に最も近い貫通孔と、の第1距離は、前記第2貫通孔と、前記第2貫通孔に最も近い第2他の圧電薄膜共振器が有する貫通孔のうち前記第2貫通孔に最も近い貫通孔と、の第2距離より短い構成とすることができる。
In the above structure, the first through-hole is found interposed between the first other piezoelectric thin-film resonators adjacent one of the the first through-hole, the first other through holes piezoelectric thin-film resonator has The first distance between the through hole closest to the first through hole is the second of the through holes of the second through hole and the second other piezoelectric thin film resonator closest to the second through hole. The configuration may be shorter than the second distance between the through hole closest to the through hole and the through hole.
上記構成において、前記第1貫通孔と前記第2貫通孔の面積は略同じである構成とすることができる。 In the above configuration, the areas of the first through hole and the second through hole can be substantially the same.
本発明は、上記圧電薄膜共振器を含むフィルタである。 The present invention is a filter including the piezoelectric thin film resonator.
本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。 The present invention is a multiplexer including the above filter.
本発明によれば、圧電薄膜共振器を小型化することができる。 According to the present invention, the piezoelectric thin film resonator can be miniaturized.
以下、図面を参照し実施例について説明する。 Hereinafter, examples will be described with reference to the drawings.
図1(a)は、実施例1における圧電薄膜共振器の平面図、図1(b)は、図1(a)のA−A断面図である。共振領域50の長軸方向および短軸方向をX方向およびY方向、基板の法線方向をZ方向とすする。
1 (a) is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment, and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1 (a). The major axis direction and the minor axis direction of the
図1(a)および図1(b)に示すように、基板10上に、下部電極12が設けられている。基板10の平坦主面と下部電極12との間にドーム状の膨らみを有する空隙30が形成されている。ドーム状の膨らみとは、例えば空隙30の周辺では空隙30の高さが小さく、空隙30の内部ほど空隙30の高さが大きくなるような形状の膨らみである。
As shown in FIGS. 1A and 1B, a
下部電極12上に、圧電膜14が設けられている。圧電膜14上に上部電極16が設けられている。圧電膜14を挟み下部電極12と上部電極16とが対向する領域は共振領域50である。共振領域50の平面形状は、長軸52と短軸54を有する楕円形状である。長軸長はL1である。共振領域50は厚み縦振動モードの弾性波が共振する領域である。下部電極12上に配線26が設けられている。平面視において、共振領域50は空隙30に含まれている。
A
空隙30は共振領域50の外まで設けられている。下部電極12は、共振領域50の外において空隙30につながる貫通孔35aを有している。貫通孔35aは共振領域50の長軸52の延長線上に共振領域50を挟み一対設けられている。貫通孔35aの平面形状は、共振領域50に沿った方向(Y方向)の幅R1がX方向の幅R2より大きい細長である。貫通孔35aは後述するように、犠牲層をエッチングするためのエッチング剤を導入するための導入路である。貫通孔35aを含む圧電薄膜共振器のX方向の長さはL0である。長さL0は長軸長L1と幅R2の2倍にその他の領域αを加えたL0=L1+2×R2+αである。
The
基板10は、例えば膜厚が280μmのSi(シリコン)基板である。基板10としては、Si基板以外に、サファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、石英基板、ガラス基板、セラミック基板またはGaAs基板等を用いることができる。
The
下部電極12は、例えば合計の膜厚が200nmであり、基板10側からCr(クロム)膜およびRu(ルテニウム)膜である。上部電極16は、例えば合計の膜厚が200nmであり、圧電膜14側からRu膜およびCr膜である。下部電極12および上部電極16としては、RuおよびCr以外にもAl(アルミニウム)、Ti(チタン)、Cu(銅)、Mo(モリブデン)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Pt(白金)、Rh(ロジウム)またはIr(イリジウム)等の単層膜またはこれらの積層膜を用いることができる。
The
圧電膜14は、例えば膜厚が1000nmの(002)方向を主軸とする窒化アルミニウム(AlN)を主成分とする窒化アルミニウム膜である。圧電膜14は、窒化アルミニウム以外にも、ZnO(酸化亜鉛)、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)、PbTiO3(チタン酸鉛)等を用いることができる。また、例えば、圧電膜14は、窒化アルミニウムを主成分とし、共振特性の向上または圧電性の向上のため他の元素を含んでもよい。例えば、添加元素として、Sc(スカンジウム)、2族または12族の元素と4族の元素との2つの元素、または2族または12族と5族との2つの元素を用いることにより、圧電膜14の圧電性が向上する。このため、圧電薄膜共振器の実効的電気機械結合係数を向上できる。2族の元素は、例えばCa(カルシウム)、Mg(マグネシウム)、Sr(ストロンチウム)であり12族元素は例えばZn(亜鉛)である。4族の元素は、例えばTi、Zr(ジルコニウム)またはHf(ハフニウム)である。5族の元素は、例えばTa、Nb(ニオブ)またはV(バナジウム)である。さらに、圧電膜14は、窒化アルミニウムを主成分とし、B(ボロン)を含んでもよい。
The
配線26は、例えば下部電極12側から膜厚が100nmのTi膜および膜厚が600nmのAu(金)膜である。配線26は、Cu(銅)膜およびAl(アルミニウム)膜等の低抵抗の膜が含まれればよい。空隙30の高さは例えば数10nmから数100nmである。貫通孔35aの幅R1およびR2は例えばそれぞれ16μmおよび4μmである。各層の膜厚は、所望の共振特性を得るため適宜設定することができる。
The
[実施例1の製造方法]
図2(a)から図2(d)は、実施例1に係る圧電薄膜共振器の製造方法を示す断面図である。図2(a)に示すように、基板10上に、犠牲層38を例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用い形成する。犠牲層38は、例えば膜厚が60nmのMgO(酸化マグネシウム)膜である。犠牲層38は、例えばZnO膜、Ge膜または酸化シリコン膜でもよい。犠牲層38の膜厚は例えば10nmから100nmでもよい。犠牲層38を例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。犠牲層38は空隙30となる領域に設けられる。
[Manufacturing method of Example 1]
2 (a) to 2 (d) are cross-sectional views showing a method of manufacturing the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment. As shown in FIG. 2A, the
図2(b)に示すように、基板10上に犠牲層38を覆うように下部電極12を例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはCVD法を用い形成する。下部電極12を例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。これにより下部電極12に貫通孔35aが形成される。下部電極12は、リフトオフ法により形成してもよい。
As shown in FIG. 2B, the
図2(c)に示すように、基板10上に下部電極12を覆うように圧電膜14および上部電極16を例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはCVD法を用い形成する。
As shown in FIG. 2C, the
図2(d)に示すように、上部電極16および圧電膜14を例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。上部電極16は、リフトオフ法により形成してもよい。下部電極12上に配線26を例えば真空蒸着法およびリフトオフ法を用い形成する。配線26は、スパッタリング法、真空蒸着法またはCVD法、並びにフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い形成してもよい。
As shown in FIG. 2D, the
貫通孔35aを介し、犠牲層38をエッチング液により除去する。下部電極12、圧電膜14および上部電極16の内部応力を圧縮応力としておくことで、下部電極12が基板10の反対側に基板10から離れるように膨れる。下部電極12と基板10との間にドーム状の膨らみを有する空隙30が形成される。犠牲層38がMgOの場合、犠牲層38のエッチング液として例えば硝酸系溶液を用いる。以上により、実施例1の圧電薄膜共振器が作製される。
The
[比較例1]
図3は、比較例1に係る圧電薄膜共振器の平面図である。図3に示すように、貫通孔35bの平面形状は円形であり、幅R1とR2とは略同じである。貫通孔35bの平面視の面積が小さくなると、貫通孔35bを介し犠牲層38にエッチング液が効率よく導入できない。また、フォトリソグラフィおよびエッチングが難しくなる。このため、貫通孔35bの面積は一定以上であることが好ましい。
[Comparative Example 1]
FIG. 3 is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to Comparative Example 1. As shown in FIG. 3, the planar shape of the through
しかしながら、比較例1のように貫通孔35bを円形とすると、幅R2が大きくなる。このため、圧電薄膜共振器の長軸方向の長さL0=L1+2×R2+αが大きくなってしまう。
However, if the through
[実施例1の効果]
実施例1によれば、貫通孔35a(第1貫通孔)は、X方向(共振領域50に沿う方向)の幅R1がY方向(沿う方向に交差する方向)の幅R2より大きい。これにより、貫通孔35aの面積が比較例1の貫通孔35bの面積とほぼ同じであっても幅R2を小さくできる。よって、圧電薄膜共振器のX方向の長さL0=L1+2×R2+αを比較例1より小さくできる。例えば実施例1および比較例1の幅R2をそれぞれ4μmおよび8μmとすると、L0を8μm小さくできる。よって、圧電薄膜共振器を小型化できる。また、比較例1と貫通孔35aの面積がほぼ同じであるため、犠牲層38のエッチング液を効率よく導入できる。
[Effect of Example 1]
According to the first embodiment, in the through
貫通孔35aの平面形状として外周は曲線の形状(円をつぶしたような形状)を例に説明したが、貫通孔35aは長方形等の多角形でもよい。貫通孔35aは共振領域50の外にあれば、貫通孔35aの位置はいずれでもよい。また、貫通孔35aの個数は1個でもよく3個以上でもよい。共振領域50の平面形状が楕円形状のように細長い場合、エッチング液を効率的に犠牲層38に導入するためには、貫通孔35aは長軸の延長線上に2個あることが好ましい。
As the planar shape of the through
図4(a)および図4(b)は、実施例2に係る圧電薄膜共振器の平面図である。図4(a)および図4(b)のように、2つの貫通孔35aおよび35bの形状が異なる。貫通孔35aの幅R1は貫通孔35bの幅R1より大きく、貫通孔35aの幅R2は貫通孔35bの幅R2より小さい。例えば、図4(a)では、貫通孔35aの幅R1およびR2はそれぞれ16μmおよび4μmである。図4(b)では、貫通孔35aの幅R1およびR2はそれぞれ32μmおよび2μmである。図4(a)および図4(b)では、貫通孔35aの幅R1およびR2はいずれも8μmである。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
4 (a) and 4 (b) are plan views of the piezoelectric thin film resonator according to the second embodiment. As shown in FIGS. 4A and 4B, the shapes of the two through
図5は、実施例3に係るフィルタの平面図である。図6(a)および図6(b)は、図5の領域AおよびBの拡大図である。図5に示すように、基板10上に圧電薄膜共振器18、配線26およびパッド22が設けられている。圧電薄膜共振器18は実施例1、2および比較例1に係る圧電薄膜共振器である。配線26は圧電薄膜共振器18間を電気的に接続する。パッド22は、外部と接続するための端子であり、例えばバンプまたはボンディングワイヤ等が接合する。配線26およびパッド22は、例えば金膜、アルミニウム膜または銅膜等の金属層である。
FIG. 5 is a plan view of the filter according to the third embodiment. 6 (a) and 6 (b) are enlarged views of regions A and B of FIG. As shown in FIG. 5, a piezoelectric
圧電薄膜共振器18は、直列共振器S1からS4および並列共振器P1からP4を含む。パッド22は、入力端子In、出力端子Outおよびグランド端子Gndを含む。入力端子Inと出力端子Outとの間に直列共振器S1からS4が直列に、並列共振器P1からP4が並列に接続されている。直列共振器S4は直列に分割されている。
The piezoelectric
図6(a)に示すように、隣接する直列共振器S3と並列共振器P3との間で貫通孔35aが近接する。貫通孔35aが円形の場合、直列共振器S3と並列共振器P3の貫通孔35aが一体となってしまう。この場合、犠牲層38の除去が安定化しない。貫通孔35aを近接させないためには直列共振器S3と並列共振器P3とを離すことになり、チップサイズが大きくなる。そこで、貫通孔35aの平面形状を円形でなく実施例1または2のように細長い形状とする。これにより、チップサイズを大きくすることなく、直列共振器S3と並列共振器P3の貫通孔35aが一体となることを抑制でき、チップ面積を小さくできる。
As shown in FIG. 6A, the through
図6(b)に示すように、基板10(すなわちチップ)の端部にはスクライブライン11が設けられている。スクライブライン11はチップを個片化するときの切断領域である。直列共振器S2と並列共振器P3の貫通孔35aが基板10の端部に近接している。スクライブライン11から一定距離L3は、パターンの配置を許容しない領域である。パターンが基板10の端部に形成されると、パターン欠け等が生じる可能性があるため、このような配置を許可しない領域を設ける。比較例1のように円形の貫通孔35bの場合、スクライブライン11から距離L3を確保しようとすると、直列共振器S2と並列共振器P3をスクライブライン11から離すことになり、チップ面積が大きくなる。貫通孔35aを実施例1または2のように細長い形状とする。これにより、チップ面積を小さくできる。
As shown in FIG. 6B, a
細長い貫通孔35aの反対側の貫通孔は細長い貫通孔35aでもよいし、円形の貫通孔35bでもよい。
The through hole on the opposite side of the elongated through
実施例2のように、貫通孔35b(第2貫通孔)の幅R1は貫通孔35a(第1貫通孔)の幅R1より小さく、貫通孔35bの幅R2は貫通孔35aの幅R2より小さい。このように、貫通孔の形状を異ならせることで、貫通孔の形状を柔軟にすることができ、チップサイズを小さくできる。
As in the second embodiment, the width R1 of the through
貫通孔35aおよび35bは共振領域50の中心を挟んで設けられている。これにより、犠牲層38を効率よく除去できる。しかし、貫通孔の分圧電薄膜共振器が長くなる。よって、貫通孔の少なくとも一方を細長い貫通孔35aとすることが好ましい。なお、共振領域50の中心は幾何学的な中心でなくてもよい。
The through
特に、共振領域50は長手方向と短手方向を有し、貫通孔35aおよび35bが長手方向に設けられている。これにより、犠牲層38を効率よく除去できる。しかし、圧電薄膜共振器の長さL0が大きくなる。よって、貫通孔の少なくとも一方を貫通孔35aとすることが好ましい。共振領域50は楕円形状以外に長方形等の長手方向を有する形状であればよい。
In particular, the
図6(a)のように、直列共振器S3の貫通孔35aは隣接する他の圧電薄膜共振器である並列共振器P3との間に設けられている。このように、圧電薄膜共振器の間に位置する貫通孔35aを細長くすることで、チップ面積を小さくできる。
As shown in FIG. 6A, the through
図6(b)のように、並列共振器P3の貫通孔35aは共振領域50に最も近い基板10の端部と共振領域50との間に設けられている。基板10の端部と共振領域50との間には、他の圧電薄膜共振器は設けられていない。このように、基板10の端部に近い貫通孔35aを細長くすることで、チップ面積を小さくできる。
As shown in FIG. 6B, the through
実施例3では、ラダー型フィルタを例に説明した。ラダー型フィルタの直列共振器および並列共振器の個数は適宜設定できる。実施例1から2およびその変形例の圧電薄膜共振器はラダー型フィルタ以外に適用してもよい。 In Example 3, a ladder type filter has been described as an example. The number of series resonators and parallel resonators of the ladder type filter can be set as appropriate. The piezoelectric thin film resonators of Examples 1 and 2 and their modifications may be applied to other than the ladder type filter.
実施例4は、空隙の構成を変えた例である。図7は、実施例4に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図7に示すように、基板10の上面に窪みが形成されている。下部電極12は、基板10上に平坦に形成されている。これにより、空隙30が、基板10の窪みに形成されている。空隙30は共振領域50を含むように形成されている。その他の構成は、実施例1および2と同じであり説明を省略する。実施例4のように空隙30の形状は任意である。
Example 4 is an example in which the configuration of the void is changed. FIG. 7 is a cross-sectional view of the piezoelectric thin film resonator according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 7, a recess is formed on the upper surface of the
実施例5はマルチプレクサの例である。図8は、実施例5に係るデュプレクサの回路図である。図5に示すように、共通端子Antと送信端子Txとの間に送信フィルタ40が接続されている。共通端子Antと受信端子Rxとの間に受信フィルタ42が接続されている。送信フィルタ40は、送信端子Txから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Antに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ42は、共通端子Antから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Rxに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ40および受信フィルタ42の少なくとも一方を実施例3のフィルタまたは実施例1、2および3の圧電薄膜共振器を含むフィルタとすることができる。
Example 5 is an example of a multiplexer. FIG. 8 is a circuit diagram of the duplexer according to the fifth embodiment. As shown in FIG. 5, a
マルチプレクサの例としてデュプレクサを説明したが、トリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。 Although the duplexer has been described as an example of the multiplexer, it may be a triplexer or a quadplexer.
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the examples of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific examples, and various modifications and modifications are made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.
10 基板
12 下部電極
14 圧電膜
16 上部電極
18 圧電薄膜共振器
22 パッド
26 配線
30 空隙
40 送信フィルタ
42 受信フィルタ
50 共振領域
10
Claims (9)
前記基板上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に設けられた上部電極と、
前記上部電極とで前記圧電膜の少なくとも一部を挟む共振領域を形成するように、前記基板と前記圧電膜との間に、前記基板との間に空隙を介し設けられ、前記空隙とつながる第1貫通孔および第2貫通孔を前記共振領域外に有する下部電極と、
を具備し、
前記共振領域の外周のうち前記第1貫通孔に最も近い箇所における前記外周に沿った第1方向における前記第1貫通孔の第1幅は、前記第1方向に直交する第1直交方向における前記第1貫通孔の第2幅より大きく、
前記外周のうち前記第2貫通孔に最も近い箇所における前記外周に沿った第2方向における前記第2貫通孔の第3幅は前記第1幅より小さく、前記第2方向に直交する第2直交方向における前記第2貫通孔の第4幅は前記第2幅より大きい圧電薄膜共振器。 With the board
With the piezoelectric film provided on the substrate,
The upper electrode provided on the piezoelectric film and
To form at least a portion of the sandwich resonance region of the piezoelectric film and the upper electrode, between the substrate and the piezoelectric film, provided through a gap between the substrate, the leads and the air gap A lower electrode having a first through hole and a second through hole outside the resonance region,
Equipped with
The first width of the first through hole in the first direction along the outer circumference at the portion closest to the first through hole in the outer circumference of the resonance region is the said in the first orthogonal direction orthogonal to the first direction. Larger than the second width of the first through hole,
The third width of the second through hole in the second direction along the outer circumference at the portion of the outer circumference closest to the second through hole is smaller than the first width and is orthogonal to the second direction. A piezoelectric thin film resonator in which the fourth width of the second through hole in the direction is larger than the second width.
前記基板の端部と前記共振領域との間には、他の圧電薄膜共振器は設けられておらず、
前記第2貫通孔と、前記第2貫通孔に対し前記共振領域と反対側の前記基板の端部と、の間には、他の圧電薄膜共振器が設けられている請求項1から4のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。 The first through hole is provided between the edge of the substrate closest to the resonance region and the resonance region.
No other piezoelectric thin film resonator is provided between the edge of the substrate and the resonance region .
Said second through hole, the second through-hole with respect to the resonance region and the opposite side of the end portion of the substrate, between, claims 1 to 4 in which the other piezoelectric thin-film resonators are provided The piezoelectric thin film resonator according to any one item.
前記第1貫通孔と、前記第1他の圧電薄膜共振器が有する貫通孔のうち前記第1貫通孔に最も近い貫通孔と、の第1距離は、前記第2貫通孔と、前記第2貫通孔に最も近い第2他の圧電薄膜共振器が有する貫通孔のうち前記第2貫通孔に最も近い貫通孔と、の第2距離より短い請求項1から4のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。 The first through hole et provided between the first other piezoelectric thin-film resonators adjacent is,
The first distance between the first through hole and the through hole closest to the first through hole among the through holes of the first and other piezoelectric thin film resonators is the second through hole and the second through hole. The piezoelectric according to any one of claims 1 to 4, which is shorter than the second distance between the through hole of the second other piezoelectric thin film resonator closest to the through hole and the through hole closest to the second through hole. Thin film resonator.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017124887A JP6941981B2 (en) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017124887A JP6941981B2 (en) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019009671A JP2019009671A (en) | 2019-01-17 |
JP6941981B2 true JP6941981B2 (en) | 2021-09-29 |
Family
ID=65029840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017124887A Active JP6941981B2 (en) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6941981B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11595022B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk-acoustic wave resonator |
WO2022080406A1 (en) * | 2020-10-14 | 2022-04-21 | 株式会社村田製作所 | Acoustic wave device |
WO2022210378A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device |
CN117121380A (en) * | 2021-03-31 | 2023-11-24 | 株式会社村田制作所 | Elastic wave device |
WO2022210859A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device |
WO2022210694A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004357100A (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Kyocera Kinseki Corp | Thin film bulk acoustic resonator element |
JP5220503B2 (en) * | 2008-07-23 | 2013-06-26 | 太陽誘電株式会社 | Elastic wave device |
JP2010147875A (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Baw resonance device and method of manufacturing the same |
CN102122939B (en) * | 2010-11-01 | 2013-12-04 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | Preset cavity type SOI (silicon on insulator) substrate film bulk acoustic wave filter and manufacturing method thereof |
JP6423782B2 (en) * | 2015-12-09 | 2018-11-14 | 太陽誘電株式会社 | Piezoelectric thin film resonator and filter |
-
2017
- 2017-06-27 JP JP2017124887A patent/JP6941981B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019009671A (en) | 2019-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6941981B2 (en) | Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers | |
JP6886357B2 (en) | Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers | |
JP6510987B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer | |
JP7017364B2 (en) | Ladder type filter, piezoelectric thin film resonator and its manufacturing method | |
US10404230B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer | |
US20180219528A1 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer | |
JP6556113B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter and multiplexer | |
JP6298796B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator and manufacturing method thereof | |
JP6538007B2 (en) | Elastic wave device | |
US10250218B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator and filter | |
US10862448B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer | |
US9787282B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer | |
JP6556173B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter and multiplexer | |
US10680576B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer | |
JP6368298B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer | |
US20190149123A1 (en) | Acoustic wave device and method of fabricating the same, filter and multiplexer | |
JP7456737B2 (en) | Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers | |
US10270422B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer | |
JP7068047B2 (en) | Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers | |
JP6923365B2 (en) | Elastic wave device | |
JP7344011B2 (en) | Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers | |
JP6909059B2 (en) | Piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers | |
JP7075232B2 (en) | Piezoelectric thin film resonators, filters and duplexers | |
JP7494420B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator and filter | |
JP2018117194A (en) | Piezoelectric thin film resonator and manufacturing method thereof, filter, and multiplexer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6941981 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |