JP6941618B2 - 付加製造で製造される形状の補正 - Google Patents

付加製造で製造される形状の補正 Download PDF

Info

Publication number
JP6941618B2
JP6941618B2 JP2018546662A JP2018546662A JP6941618B2 JP 6941618 B2 JP6941618 B2 JP 6941618B2 JP 2018546662 A JP2018546662 A JP 2018546662A JP 2018546662 A JP2018546662 A JP 2018546662A JP 6941618 B2 JP6941618 B2 JP 6941618B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing pad
pattern
distortion
feed material
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018546662A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019510648A (ja
Inventor
マユ フェリシア ヤマムラ,
マユ フェリシア ヤマムラ,
ジェイソン ガーチュン ファン,
ジェイソン ガーチュン ファン,
ダニエル レッドフィールド,
ダニエル レッドフィールド,
ラジーブ バジャージ,
ラジーブ バジャージ,
ホウ ティ−. ウン,
ホウ ティ−. ウン,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2019510648A publication Critical patent/JP2019510648A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6941618B2 publication Critical patent/JP6941618B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • B24D18/009Tools not otherwise provided for
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/10Processes of additive manufacturing
    • B29C64/106Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material
    • B29C64/112Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material using individual droplets, e.g. from jetting heads
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/10Processes of additive manufacturing
    • B29C64/165Processes of additive manufacturing using a combination of solid and fluid materials, e.g. a powder selectively bound by a liquid binder, catalyst, inhibitor or energy absorber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/30Auxiliary operations or equipment
    • B29C64/386Data acquisition or data processing for additive manufacturing
    • B29C64/393Data acquisition or data processing for additive manufacturing for controlling or regulating additive manufacturing processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33YADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00Processes of additive manufacturing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33YADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y30/00Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33YADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y50/00Data acquisition or data processing for additive manufacturing
    • B33Y50/02Data acquisition or data processing for additive manufacturing for controlling or regulating additive manufacturing processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33YADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00Products made by additive manufacturing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H01L21/32125Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP] by simultaneously passing an electrical current, i.e. electrochemical mechanical polishing, e.g. ECMP
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00Other particular articles
    • B29L2031/736Grinding or polishing equipment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

この明細書は、付加製造に関する。
集積回路は、典型的には、シリコンウェハに導電層、半導電層、又は絶縁層を連続して堆積させることによって、基板上に形成される。多種多様な製造プロセスで、基板上の層の平坦化が必要とされる。パターニングされた層のトレンチ内にビア、プラグ、及びラインを形成するために金属層を研磨するようなある種の応用では、パターニングされた層の上面が露出するまで、その上層が平坦化される。フォトリソグラフィのために誘電体層が平坦化されるような、その他の用途においては、下層の上に望ましい厚さが残るまで、上層が研磨される。
化学機械研磨(CMP)は、認知されている平坦化方法の1つである。この平坦化方法では、典型的には、基板がキャリアヘッドに装着されることが必要になる。典型的には、基板の露出面が、回転している研磨パッドに当接するように置かれる。キャリアヘッドは、基板に制御可能な荷重をかけて、基板を研磨パッドに押し付ける。研磨粒子を伴うスラリなどの研磨液が、典型的には、研磨パッドの表面に供給される。
化学機械研磨プロセスの目的の1つは、研磨均一性である。基板の異なるエリアが異なる速度で研磨される場合、基板の一部のエリアでは、材料が過剰に除去される(「過剰研磨」)か、又は、材料の除去が少なすぎる(「研磨不足」)ということになりうる。研磨パッドは、平坦化に加えて、バフ仕上げなどの仕上げ工程にも使用されうる。
研磨パッドは、典型的には、ポリウレタン材料を成型、キャスティング、又は焼結することによって作製される。成型の場合、研磨パッドは、例えば射出成型によって、一度に1つずつ作製されうる。キャスティングの場合、液状前駆体がキャストされ、硬化されて固形物になり、その後この固形物が、個別のパッド片にスライスされる。これらのパッド片は次いで、最終的な厚さに機械加工されうる。溝が、研磨面に機械加工されうるか、又は、射出成形プロセスの一部として形成されうる。
一態様では、付加製造システムを使用して研磨パッドを製造する方法は、液滴吐出によって製造される研磨パッドの望ましい形状を示すデータを受信することを含む。この望ましい形状が、研磨パッド上の研磨面と一又は複数の溝とを含むプロファイル(輪郭)を画定する。付加製造システムによって生じるプロファイルのゆがみを少なくとも部分的に補償するために、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータが生成され、複数層の供給材料は、修正後のパターンにしたがって、液滴吐出により分配される。
別の態様では、付加製造システムを使用して対象物を製造する方法は、液滴吐出によって製造される対象物の、望ましい形状を示すデータを受信することを含む。この望ましい形状が、上面と一又は複数の凹部とを含むプロファイルを画定する。付加製造システムによって生じるプロファイルのゆがみを少なくとも部分的に補償するために、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータが生成され、複数層の供給材料は、修正後のパターンにしたがって、液滴吐出により分配される。
別の態様では、コンピュータ可読媒体において有形に具現化されるコンピュータプログラム製品は、付加製造システムにおいて液滴吐出により製造される研磨パッドの望ましい形状を示すデータを受信することを、プロセッサに実行させるための指令を含む。この望ましい形状が、研磨パッド上の研磨面と一又は複数の溝とを含むプロファイルを画定する。付加製造システムによって生じるプロファイルのゆがみを少なくとも部分的に補償するために、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータが生成され、付加製造システムは、複数層の供給材料が、修正後のパターンにしたがって、液滴吐出により分配されるよう、実行される。
別の態様では、コンピュータ可読媒体において有形に具現化されるコンピュータプログラム製品は、付加製造システムにおいて液滴吐出により製造される対象物の、望ましい形状を示すデータを受信することを、プロセッサに実行させるための指令を含む。この望ましい形状が、上面と一又は複数の凹部とを含む、プロファイルを画定する。付加製造システムによって生じるプロファイルのゆがみを少なくとも部分的に補償するために、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータが生成され、付加製造システムは、複数層の供給材料が、修正後のパターンにしたがって、液滴吐出により分配されるよう、実行される。
別の態様では、付加製造システムは、製造中の研磨パッドを保持するための、プラットフォームと、プラットフォーム又は既に堆積された研磨パッドの層の上に、液滴吐出によって複数層を形成するための、プリントヘッドと、研磨パッドの望ましい形状を示すデータを受信することであって、望ましい形状が、研磨パッド上の研磨面と一又は複数の溝とを含むプロファイルを画定する、データを受信することと、付加製造システムによって生じるプロファイルのゆがみを少なくとも部分的に補償するために、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータを生成することと、プリントヘッドに、修正後のパターンにしたがって、液滴吐出によって複数層の供給材料を分配させることとを、実行するよう設定されたコントローラとを、含む。
別の態様では、付加製造システムは、製造中の研磨パッドを保持するための、プラットフォームと、プラットフォーム又は既に堆積された研磨パッドの層の上に、液滴吐出によって複数層を形成するための、プリントヘッドと、研磨パッド上の研磨面と一又は複数の溝とを含むプロファイルを画定する研磨パッドの望ましい形状を示す、データを受信することと、付加製造システムによって生じるプロファイルのゆがみを少なくとも部分的に補償するために、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータを生成することと、プリントヘッドに、修正後のパターンにしたがって、液滴吐出によって複数層の供給材料を分配させることとを、実行するよう設定された、コントローラとを、含む。
実行形態は、以下の特徴のうちの一又は複数を含みうる。
研磨パッド上の一又は複数の溝は、複数層に対して実質的に垂直な側壁によって画定されうる。一又は複数の溝のゆがみは、研磨面に対する側壁の垂直度のゆがみを含みうる。
研磨面は、複数層に実質的に平行でありうる。修正後のパターンは、付加製造システムによって生じる研磨パッドの研磨面のゆがみを少なくとも部分的に補償するよう、構成されうる。研磨パッドの研磨面のゆがみは、研磨面の平坦度のゆがみを含みうる。
研磨パッドの望ましい形状を示すデータは、複数層の供給材料を分配するパターンを示すデータを含んでよく、このパターンを示すデータは、平坦な上面を表わすデータを含む。修正後のパターンを示すデータは、平坦な上面を表わすデータに基づいて生成される、凹型上面を表わすデータを含みうる。凹型上面を表わすデータは、パターンを示すデータを使用して形成された研磨パッドの研磨面の平坦度のゆがみを少なくとも部分的に補償するよう、生成されうる。
修正後のパターンを示すデータを生成することは、研磨パッドの望ましい形状を形成するために、当初のパターンを示すデータを修正することを含みうる。当初のパターンを示すデータは、当初のパターンの補正プロファイルに基づいて修正されうる。補正プロファイルは、当初のパターンの幅を越えて延在する部分を含みうる。補正プロファイルは、少なくとも部分的にゆがみによって画定されている当初の形状と、望ましい形状との差異を特定することによって、決定されうる。当初のパターンを示すデータを修正することは、ボクセルごとに堆積される供給材料の量を修正することを含みうる。
研磨面は、少なくとも2つの溝を分離する仕切り部を含んでよく、当初のパターンを示すデータを修正することは、溝に隣接した仕切り部のエッジ部分の近位に分配される材料の第1の体積を決定することと、仕切り部の中心部分に分配される材料の第2の体積を決定することと、第2の体積が第1の体積よりも大きくなるように、第1の体積及び第2の体積に基づいて供給材料の体積分布を修正することとを、含みうる。
付加製造装置によって生じるプロファイルのゆがみは、製造中のフィーチャ上に吐出された液滴の流れによって生じるゆがみを含みうる。プロファイルのゆがみは、一又は複数の溝の深さのゆがみを含みうる。研磨パッドの望ましい形状は研磨面を画定する平面を含み、修正後のパターンは、この平面に対応する非平面部分を含みうる。非平面部分は、付加製造システムによって生じる研磨面のゆがみを少なくとも部分的に補償するよう、構成されうる。
前述のものについての利点は、以下の事項を含みうるが、それらに限定されるわけではない。研磨パッドの形状寸法がより正確に制御されることにより、研磨パッドの研磨効率が向上しうる。更に、補正プロファイルは、物品がまず形成された後に材料を除去することではなく、付加製造装置が物品(研磨パッドなど)を形成するために使用するデータを調整することによって、発生可能性があるゆがみを補償しうる。物品が付加製造装置によって形成された後の、物品の後処理の量が減少しうる。その結果として、無駄になる供給材料の量が減少し、歩留まり及びスループットが向上しうる。
この明細書に記載されている主題の一又は複数の実行形態の詳細について、添付図面及び以下の説明において明示する。その他の実現可能な特徴、態様、及び利点は、本明細書、図面、及び特許請求の範囲から自明となろう。
研磨システムの概略的な側断面図である。 付加製造装置の概略側面図である。 研磨パッドの一例の上面図である。 図3Aの研磨パッドマークの側面図である。 物品を形成するためのプロセスのフロー図である。 望ましい形状に基づいて形成された実際の形状の一例を示す。 図5の望ましい形状の修正に基づいて形成された、実際の形状を示す。 望ましい形状に基づいて形成された実際の形状の別の例を示す。 図8Aから図8Cは、分配される供給材料のパターンのビットマップ図である。 図8Aから図8Cのビットマップ図を使用して形成することによって得られた形状を示す。 修正後の形状を示すデータを生成するプロセスを表す。 分配される供給材料の層の順序が調整された、分配される供給材料のパターンのビットマップ図の一例である。 ビットマップ図の一部分が、形成されるべき望ましい形状の当初の幅を越えて延在する、分配される供給材料のパターンのビットマップ図の一例である。
様々な図面における類似の参照番号及び記号表示は、類似の要素を示している。
研磨パッドを形成するために、付加製造装置が使用されうる。付加製造装置には、供給材料を分配するための初期パターンが提供されうる。初期パターンは、形成される研磨パッドの望ましい形状に対応する。初期パターンを使用して、付加製造装置によって研磨パッドが形成されても、研磨パッドの実際の形状は、研磨パッドの望ましい形状と比べて、ゆがみを含みうる。本書で説明しているように、修正後のパターンを生成して、このようなゆがみを少なくとも部分的に補正するために、付加製造装置に提供された初期パターンが、補正プロファイルによって修正されうる。ゆえに、修正後のパターンを使用して形成することによって得られる形状は、研磨パッドの望ましい形状に、よりぴったりと合致しうる。
ここで図1を参照するに、研磨システム100は、一又は複数の基板104を研磨するために使用されうる、研磨パッド102を含む。好適な研磨装置についての説明は、参照によって開示全体が本書に援用される、米国特許第5,738,574号に見いだされうる。研磨システム100は、回転可能なプラテン106であって、その上に研磨パッド102が置かれる、プラテン106を含みうる。研磨ステップにおいて、研磨液108(例えば研磨スラリ)が、スラリ供給ポート又はスラリ/リンス複合アーム110によって、研磨パッド102の研磨面103に供給されうる。研磨液108は、研磨粒子、pH調節剤、又は化学活性成分を含有しうる。
基板104は、キャリアヘッド112によって研磨パッド102に当接して保持される。キャリアヘッド112は、支持構造物(例えばカルーセル)から懸架されており、かつ、キャリアヘッドが軸116の周りで回転しうるように、キャリア駆動シャフト114によってキャリアヘッド回転モータに接続される。研磨液108の存在時の研磨パッド102と基板104との相対運動により、基板104の研磨がもたらされる。
図2を参照するに、一部の例では、研磨パッド102を形成するために、供給材料の連続層を分配する付加製造装置120が使用されうる。図1及び図2を参照するに、付加製造装置120は、研磨パッド102の少なくとも研磨層122を形成するよう、操作される。この製造プロセスでは、供給材料の薄層が漸進的に分配され、硬化される。例えば、供給材料(研磨パッド前駆体材料など)の液滴124が、分配器128(液滴吐出用プリンタなど)のノズル126から吐出されて、供給材料の層130を形成しうる。分配器128は、インクジェットプリンタに類似しているが、インクではなく、研磨パッド102を形成するための供給材料を使用する。
コントローラ129は、分配器128の分配動作を制御すると共に、適宜、ランプやレーザなどのエネルギー源131を使用する硬化動作を制御するよう、動作可能である。ノズル126は、支持体134上の構築エリアの任意の部分に供給材料を分配するために、支持体134の端から端まで平行移動する(矢印Aで示す)。
一部の実行形態では、ノズル126を通って分配される供給材料が即座に硬化されうるように、ノズル126が支持体134の端から端まで平行移動するにつれて、エネルギー源131がノズル126を追跡する。一部の実行形態では、ノズル126が、支持体134の端から端まで第1スキャン方向に平行移動しつつ、供給材料を分配する際に、エネルギー源131はノズル126を導く。エネルギー源131は、例えば、第1スキャン方向とは逆の第2スキャン方向に、支持体134の端から端までスキャンされるにつれて、この分配された供給材料を硬化することが可能であり、これにより、供給材料には、エネルギー源131の照射に暴露される前に安定状態に到達するための、追加時間がもたらされる。一部の実行形態では、エネルギー源131は、ノズル126が支持体134の端から端まで第1スキャン方向に平行移動する際には、ノズル126を導き、かつ、エネルギー源が第1スキャン方向にスキャンされる際には、分配された供給材料を硬化するために使用される。ゆえに、既に分配された供給材料の層は、ほとんど即座に、ノズル126を通って別の層が分配される前に硬化されうる。一部の実行形態では、複数のエネルギー源が存在し、1つのエネルギー源131はノズル126を追跡し、1つのエネルギー源131はノズル126を導くものである。
第1層130aを堆積するために、ノズル126は、支持体134の上に供給材料を吐出しうる。続いて堆積される層130bのために、ノズル126は、既に固化した供給材料132の上に吐出を行いうる。三次元研磨層122が完全に製造されるまで、各層130が固化した後に、次いで新たな層が、既に堆積された層の上に堆積される。各層は、ノズル126によって、コンピュータ60で実行される3D描画コンピュータプログラムに記憶されたパターンに配置される。各層130は、研磨層122の総厚の50%未満(例えば10%未満、例えば5%未満、例えば1%未満)である。
研磨層122は、支持体134上に形成されうる。一部の例では、支持体134は、剛性ベースを含むか、又は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)の層などの可撓膜を含む。支持体134が可撓膜を含む場合には、支持体134は、研磨パッド102の一部分を形成する。例えば、支持体134は、研磨パッド102のバッキング層136(図1に示す)、又は、バッキング層と研磨層122との間の層を含みうる。支持体134が研磨パッド102のバッキング層136を含む場合、支持体134は、研磨パッド102の製造が完了した後に研磨パッド102から取り外されるわけではない。図1を参照するに、研磨パッド102は、回転可能なプラテン106に面しているバッキング層136(例えば支持体134)で研磨システム100に装着される。あるいは、支持体134が研磨パッド102のバッキング層136を含まない場合、研磨層122は、研磨パッド102の製造が完了した後に、支持体134から取り外されうる。
供給材料の層130の固化は、重合化によって実現されうる。例えば、供給材料の層130はモノマーであってよく、このモノマーは、紫外(UV)硬化によってインシトゥ(その場)で重合化されうる。供給材料は堆積された直後に有効に硬化されうるか、又は、パッド前駆体材料の層130の全体が堆積されてから、この層130全体が同時に硬化されうる。あるいは、液滴124は、冷却されると固化するポリマー融体でありうる。更なる実行形態では、装置120は、粉末層を広げ、この粉末層の上にバインダ材料の液滴を吐出することによって、研磨層122を作り出す。この場合、粉末は添加物(研磨粒子など)を含みうる。
一部の実行形態では、バッキング層136も、3D印刷プロセスによって製造されうる。例えば、バッキング層136と研磨層122とは、装置120によって、1つの連続工程で製造されることも可能である。研磨層122とは異なる硬度を有するバッキング層136が、異なる硬化量(例えば異なるUV照射強度)を使用することによって、又は異なる材料を使用することによって、提供されうる。他の実行形態では、バッキング層136は、従来型のプロセスによって製造されてから、研磨層122に固定される。例えば、研磨層122は、感圧接着剤などである薄型接着層によって、バッキング層136に固定されうる。
一部の実行形態では、図2、図3A、及び図3Bを参照するに、研磨層122が形成される時、装置120は、研磨層122に溝138を形成するために、供給材料の複数の部分を選択的に分配し、かつ/又は選択的に硬化させうる。溝138は、研磨液108(図1に示す)を保有しうる。溝138は、同心円、直線、クロスハッチング、螺旋などといった、ほぼあらゆるパターンのものでありうる。溝があるとすれば、溝138の間の仕切り部140が、研磨面103を画定する。例えば溝138間の仕切り部140を含む、研磨面103は、研磨パッド102の水平表面積全体の約25〜90%(例えば70〜90%)でありうる。ゆえに、溝138は、研磨パッド102の水平表面積全体の10〜75%(例えば10〜30%)を占めることがある。溝138間の仕切り部は、約0.1mm〜2.5mmの横幅を有しうる。
図3A及び図3Bに示している例を参照するに、一部の実行形態では、溝138は同心円の溝を含む。このような溝138は、ある一定のピッチPを伴って、均一に離間しうる。ピッチPは、隣接する溝138同士の間の径方向距離である。溝138間の仕切り部140は、幅Wを有する。各溝138は、溝138の底面144から延在する側壁142によって画定され、研磨面103に(例えば仕切り部140に)おいて終端する。各溝138は、深さD及び幅Wを有しうる。
側壁142は、研磨面102から下向きに、かつ、研磨面103に対して概して垂直に、延在しうる。そのため、側壁は、支持体134上に分配される供給材料の層130に対して、実質的に垂直になる。加えて、仕切り部140は、支持体134上に分配された供給材料の層130に実質的に平行に延在する。
研磨サイクルの各々により、通常、研磨面103が擦り減るにつれて研磨パッド102が薄化するという形態で、研磨パッド102の摩耗がもたらされる。実質的に垂直な側壁142を有する溝の幅Wは、研磨パッドが摩耗しても変化しない。ゆえに、概して垂直な側壁142により、研磨パッド102が、その動作寿命の全てにわたり、実質的に均一な表面積を有することが、確実になる。本書で説明しているように、研磨パッド102を形成するための製造プロセスは、研磨面103が非平面になることを防止するため(例えば、研磨面103の平坦度又は平面度を確保するため)、及び、側壁142を研磨面103に対して垂直なものとして製造するための、補償工程を含みうる。
溝138は、約0.34mmの最小幅Wを有しうる。各溝138は、0.34mm〜2.71mm(例えば約0.38mm〜1.02mm)の幅Wを有しうる。具体的には、溝138は、およそ0.51mm又は0.68mmの幅Wを有しうる。溝138間のピッチPは、約0.68mm〜6.10mm(例えば約2.29mm〜5.40mm)でありうる。具体的には、ピッチはおよそ2.03mm又は3.05mmでありうる。溝138間の各仕切り部140は、少なくとも0.34mmの幅Wを有しうる。仕切り部の幅Wに対する溝幅Wの比率は、約0.10〜0.4になるよう選択されうる。この比率はおよそ0.2又は0.3でありうる。
一部の実行形態では、研磨パッド102がバッキング層136を含む場合、溝138は、研磨層122を全貫通して延在することがある。一部の実行形態では、溝138は、研磨層122の厚さの約20〜80%(例えば40%)を通って延在しうる。溝138の深さDは、0.25mm〜1mmでありうる。研磨層122は、約1mm〜3mmの厚さTを有しうる。厚さTは、溝138の底面144とバッキング層136との間の距離Dが約0.5mm〜4mmになるように、選択されるべきである。具体的には、距離Dは約1mm又は2mmでありうる。
図4を参照するに、研磨パッド102を形成するための製造プロセス200が示されている。例えば、コントローラ129を含む付加製造装置120は、製造プロセス200の工程を実施しうる。
工程202において、製造される研磨パッド102の望ましい形状を示すデータが受信される。望ましい形状を示すデータを含む、形状を示すデータは、二次元又は三次元のビットマップによって画定されうる。一部の実行形態では、この形状データは、コンピュータ支援設計(CAD)モデルを表わすデータを含む。例えば、形状データが望ましい形状を示すデータに対応している場合、CADモデルは、製造される研磨パッド102を表わすものになる。
一部の例では、図5を参照するに、望ましい形状は望ましいフィーチャ(特徴)300を含む。望ましい形状を示すデータが更に操作されることがなければ、付加製造装置120がこの望ましい形状を形成する(例えば、供給材料を分配し、かつ、供給材料を硬化させるか又はその硬化を可能にして、望ましい形状を形成する)時に、望ましいフィーチャ300を含む望ましい形状を示すデータに基づいて、実際のフィーチャ310が形成されうる。例えば、長方形の望ましいフィーチャ300を形成するために、分配器128は、供給材料の複数の平行な層130を分配するよう制御される。各層では、供給材料の、長方形の望ましいフィーチャ300の幅に対応する均一な幅を有する選択された部分が、硬化される。
この分配及び硬化のプロセスにおいて、材料特性及び付加製造装置120の分解能(resolution)により、実際のフィーチャ310のエッジが不必要に丸みを帯びるか、又は斜角化するということが起こりうる。詳細には、供給材料の層130が、望ましい形状を示すデータに基づいて決定された当初のパターンにしたがって分配されても、結果として得られる形状は、実際のフィーチャ310に関して図示しているように、丸み又は斜角を含む。図5に示しているように、望ましいフィーチャ300の上面302は平面であるが、それに対応する、実際のフィーチャ310の上面312は非平面である。上面312に対する斜角化の影響により、望ましいフィーチャ300の側部エッジ304a、304bは、付加製造装置120によって形成される実際のフィーチャの実際の側部エッジ314a,314bよりも長い、長さを有することになる。望ましいフィーチャ300は、溝138間の仕切り部140(図3A及び図3Bに示す)に対応しうる。そのため、上面312に対する丸み又は斜角化の影響により、仕切り部140によって画定される研磨面103が非平面になりうる。何らかの特定の理論に限定されるものではないが、既に堆積された層の上に吐出される供給材料の液体液滴(例えば、液体のパッド前駆体材料)は、例えば、濡れ性によって広がり、フィーチャ300の側部を流れ落ちて、丸みをもたらすことがある。
この丸み又は斜角化の影響を低減するために、望ましい形状を示すデータは修正されうる。そのため、図4を再度参照するに、工程204において、研磨パッドのゆがみを補償するための、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータが、生成されるか、又は受信される。このゆがみは、研磨パッド102の研磨面103のゆがみを含む。このようなゆがみは、場合によっては、本書で説明しているように、付加製造装置120によって生じる。供給材料を分配する修正後のパターンは当初のパターンとは異なっており、修正後のパターンは、望ましいフィーチャと比べての、実際のフィーチャ310におけるゆがみを明らかにするものである。そのため、一部の実行形態では、修正後のパターンを示すデータは、実際のフィーチャ310と望ましいフィーチャ300との間の相違に基づいて決定される。
例えば、図6に示しているように、修正後の形状を示すデータは、修正後のフィーチャ320を示すデータを含む。望ましいフィーチャ300の上面302が平面であっても、当初のパターンから形成された実際のフィーチャ310の上面312のゆがみを補償するために、修正後のフィーチャ320の上面322は非平面になる。修正後のフィーチャ320は、望ましいフィーチャ300と実際のフィーチャ310との間の相違に基づいて決定される。修正後のフィーチャ320の上面322は、実際のフィーチャ310の上面312の凸性を補償するために、凹型になる。そのため、修正後の形状を示すデータは、望ましい形状を示すデータと、当初のパターンを使用して形成される実際の形状を示すデータとの組み合わせに基づいて、決定される。
図4を再度参照するに、工程206において、供給材料の層130が、修正後のパターンにしたがって、液滴吐出により分配される。結果として得られる実際のフィーチャ330は、供給材料を分配するための修正後のパターンを示すデータに基づいて形成され、この修正後のパターンは、修正後の形状を示すデータに基づいて決定される。
分配器128が、修正後のパターンを示すデータにしたがって供給材料の層130を分配するよう制御されると、供給材料の層130の、硬化される、選択される部分のサイズ及び形状は、フィーチャの高さによって変動しうる。このことは、望ましいフィーチャ300の幅が層ごとに変わらないので硬化される供給材料の選択される部分も層ごとに変わらない、実際のフィーチャ310を形成するためのプロセスとは、対照的である。修正後のフィーチャ320は、層ごとに変動する幅を有する、凹部326を含む。凹部326を形成するよう供給材料を分配するための修正後のパターンは、望ましいフィーチャ300の上部を形成するための、当初のパターンの対応する部分とは異なっており、修正後のパターン向けに選択される、供給材料の層130の硬化される部分の幅及び形状は、変動する。幅及び形状のこのような変動が、実際のフィーチャ310に存在するゆがみを補償し、それにより、修正後のパターンを使用して形成することによって得られる実際のフィーチャ330の凸性は、当初のパターンを使用して形成された実際のフィーチャ310と比べて減少した。例えば、実際のフィーチャ310の上面312と比較して、実際のフィーチャ330の上面332の平坦度及び平面度は向上した。供給材料がどこに分配され、どこで硬化されるかを、意図的に制御することによって、修正後のパターンによって規定されるこの補正は、結果として得られる研磨パッド102の形状を、研磨パッド102の当初の望ましい形状に、より良好に合致させうる。
例えば、コントローラ129が、データオブジェクト(例えば、初期の又は将来のビットマップを特定する、コンピュータ支援設計(CAD)対応型ファイル)を受信しうる。このデータオブジェクトは、非一過性のコンピュータ可読媒体に記憶されうる。コントローラ129は、望ましいビットマップに基づいて、丸み又は斜角化を減少させるフィーチャを含む、修正後のビットマップを生成するよう、プログラムされうる。ゆえに、修正後のビットマップを使用して研磨パッド102が製造されると、この研磨パッドは、望ましい設計によりぴったりと合致する。
図7は、望ましいフィーチャ400、並びに、望ましいフィーチャ400を示すデータにしたがって決定された分配及び硬化のパターンに基づいて形成された、実際のフィーチャ410の、別の例を示している。この特定の例では、望ましいフィーチャ400は、680μmの幅と500μmの高さとを有していたが、その他の寸法は、実装されるプロセスにおいて適切なものになる。図示しているように、実際のフィーチャ410は、非平面の上面と、傾いた側壁とを有していた。
望ましいフィーチャ400は、幅が変動しないフィーチャ(例えば、研磨パッド102の溝138を分離する仕切り部140)である。仕切り部140の幅が変動しないことで、ウエハ間の研磨均一性が向上しうる。更に、研磨パッド102の研磨効率は、研磨面103の平坦度に依存するものでありうる。本書に記載のプロセスを使用することで、修正後のパターンを示すデータは、修正後のパターンを使用して形成することによって得られる実際のフィーチャが、望ましいフィーチャ400によりぴったりと合致するように、生成されうる。詳細には、修正後のパターンは、本書に記載のプロセスを使用して決定された追加の補正プロファイルを伴う当初のパターンに対応する。追加の補正プロファイルにより、当初のパターンを使用して形成される実際のフィーチャ410の歪みが補償される。
図8Aから図8Cの例は、供給材料を分配し、硬化させるために付加製造装置120によって使用される、形状を示すデータを表わしている。一部の実行形態では、本書に記載の形状を示すデータは、形成されるべき形状又は形成された形状の、ビットマップ図を含む。ビットマップの各ビットは、形成される研磨パッド102のフィーチャのボクセルに対応しうる。例えば、図8Aは、望ましいフィーチャ400に基づいて生成された、ビットマップ図500を示している。図8B及び図8Cは、実際のフィーチャ410のゆがみを補償するために生成された、ビットマップ図502,504を示している。ゆえに、ビットマップ部502,504は、望ましいフィーチャ400及び実際のフィーチャ410に基づいて生成された、修正後のフィーチャを表わす。ビットマップ図502,504は、実際のフィーチャ410の凸性を補償する修正後のフィーチャの凹性に近似するよう、階段状部分506,508を含む。階段状部分506が近似している凹性は、階段状部分508が近似している凹性よりも小さい。
図9は、ビットマップ図500,502,504のそれぞれに概して対応している修正後のパターンを使用して形成することで得られる、実際のフィーチャ510,512,514を示している。実際のフィーチャ510,512,514はそれぞれ、可変幅部分516,518,520を含み、実際のフィーチャ510の可変幅部分が最大の高さを有している。可変幅部分518は、可変幅部分520を上回る高さを有する。ゆえに、ビットマップ図500を使用して形成される実際のフィーチャ510のゆがみを補償する幅が一定ではないパターンを含む、ビットマップ図502,504を通じて、一定の幅がより容易に実現されうる。
図10は、修正後のフィーチャを決定し、ひいては、望ましいフィーチャにより良好に合致するフィーチャを形成するよう供給材料を分配するために用いられる修正後のパターンを決定する、例示的なプロセスを示している。実際の形状が、望ましい形状600を表わすデータに基づいて(例えば、本書で説明している付加製造装置120を使用して)形成され、次いで、実際の形状の測定された形状602を表わすデータが決定される。測定された形状602を表わすデータは、例えば、実際の形状の高さプロファイルを測定するための共焦点レーザ顕微鏡を使用して、決定されうる。次いで、測定された形状602と望ましい形状600との間の差異604を表わすデータが決定される。差異604は、望ましい形状600と比べての、測定された形状602のゆがみ及び/又は実際の形状のゆがみを示すものでありうる。差異604は、望ましい形状600から測定された形状602を取り除いたものに対応しうる。差異604を表わすデータは、例えば、測定された形状602の、望ましい形状600に合致しない部分を表わす。
反転された差異606を表わすデータが、差異604を表わすデータに基づいて決定される。反転された差異606を表わすデータは、差異604を補完するものであり、これによって、測定された形状602のゆがみが補償される。一部の実行形態では、反転された差異606を表わすデータを形成するために、反転された差異は1〜3倍の範囲内でスケールされうる。反転された差異606は、当初の望ましい形状600を修正するために使用される補正プロファイルに対応する。そのため、修正後の形状608を表すデータを形成するために、反転された差異606を表わすデータが、望ましい形状600を表わすデータに追加される。この例で説明しているデータは、本書に記載のビットマップに対応しうる。
コントローラ(コントローラ129など)は、デジタル電子回路において、又はコンピュータのソフトウェア、ファームウェア、若しくはハードウェアにおいて、又はそれらの組み合わせにおいて、実装されうる。コントローラは、一又は複数のコンピュータプログラム製品、すなわち、情報キャリアにおいて(例えば、非一過性のマシン可読記憶媒体又は伝播信号において)有形に具現化され、データ処理装置(例えば、プログラマブルプロセッサ、コンピュータ、又は、複数のプロセッサ若しくはコンピュータ)によって実行されるか、又は、かかるデータ処理装置の動作を制御するための、一又は複数のコンピュータプログラムを、含みうる。コンピュータプログラム(プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーション、又はコードとしても既知である)は、コンパイラ型又はインタープリタ型の言語を含む、任意の形態のプログラミング言語で書かれてよく、かつ、任意の形態で展開されうる(スタンドアロンプログラムとして、又は、モジュール、コンポーネント、サブルーチン、若しくは、演算環境での使用に適したその他のユニットとして、展開されることを含む)。コンピュータプログラムは、1つの場所の1台のコンピュータで実行されるよう、又は、複数の場所に分散され、通信ネットワークによって相互接続された複数のコンピュータで実行されるよう、展開されうる。
この明細書に記載のプロセス及び論理フローは、入力データで動作すること及び出力を生成することによって機能を実施するよう一又は複数のコンピュータプログラムを実行する、一又は複数のプログラマブルプロセッサによって実施されうる。プロセス及び論理フローは、特殊用途論理回路(例えば、FPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ)、又はASIC(特定用途向け集積回路))によって実施されることも可能であり、かつ、装置が、かかる特殊用途論理回路として実装されることもある。
上述のシステムのコントローラ129及びその他の演算デバイス部分は、データオブジェクト(例えば、供給材料が各層として形成されるべきパターンを特定する、コンピュータ支援設計(CAD)対応型ファイル)を記憶するための、非一過性のコンピュータ可読媒体を含みうる。例えば、このデータオブジェクトは、STLフォーマットのファイル、3D製造フォーマット(3MF)のファイル、又は、付加製造ファイルフォーマット(AMF)のファイルであることが可能である。例えば、コントローラは、遠隔コンピュータからデータオブジェクトを受信することもある。例えばファームウェア又はソフトウェアによって制御されている、コントローラ129のプロセッサは、コンピュータから受信したデータオブジェクトを解釈して、望ましいパターンに各層を堆積させ、かつ/又は硬化させるよう、付加製造装置120の構成要素を制御するために必要な、信号の組を生成しうる。
いくつかの実行形態について説明してきた。それでもやはり、様々な変更が行われうることが理解されよう。
一部の実行形態では、図12を参照するに、補正プロファイルが、当初の望ましいフィーチャの幅を越えて延在する部分を含む。修正後のビットマップ図800は、望ましいフィーチャのビットマップ図500の幅を越えて延在している、突出部分802を含む。突出部分802は、例えば供給材料の最上層を用いて、分配される。供給材料の最上層の下にある複数層の供給材料は、分配中の材料のロールオフにより、幅拡張されうる。その結果として、図7を簡単に参照するに、供給材料の複数の下層が、望ましいフィーチャの幅よりも広い幅を有する、幅拡張部分402を画定する。突出部分802は、幅拡張部分402の可変幅を補償し、かつ、幅拡張部分402におけるフィーチャの幅の不変性を向上させるために、幅拡張部分402の上部に分配される供給材料に対応しうる。
図8B及び図8Cに示している手法は、供給材料の一又は複数の追加の層を堆積させて、望ましい高さを下回っているフィーチャの高さを補償するためのものである。例えば、供給材料の一又は複数の追加の層が、丸み又は斜角化が発生する領域内に堆積されうる。しかし、代替的又は追加的には、1つの層に堆積される供給材料の量により、望ましい高さを下回っているフィーチャの高さが補償される。例えば、フィーチャの高さが望ましい高さを下回っている(例えば、丸み又は斜角化が発生する)領域内にあるボクセルについて、吐出される液滴のサイズ、又は液滴の数を増大させることが可能である。
一部の実行形態では、供給材料の体積分布は、液滴124が分配される場所に応じて修正される。供給材料の液滴124の体積は、分配工程中に変動する。例えば、図6を再度参照するに、フィーチャのエッジ322a,322bを形成するための液滴124の体積は、フィーチャの内側部分322cを形成するための液滴124の体積を下回りうる。コントローラ129は、供給材料の材料特性に基づいて、エッジ322a,322bを形成するのに適切な重量、及び、内側部分322cを形成するのに適切な重量を決定する。供給材料のロールオフを最小化するために、分配器128は、より少ない供給材料を分配しうる。分配器128が動いてフィーチャの内側部分322cを形成する際には、液滴の体積が増大する。一部の実行形態では、液滴124の体積により、フィーチャのエッジ322a,322bから中心までの勾配が画定される。この種の体積制御は、供給材料の濡れ性効果に応じて、エネルギー源131(もしあれば)が動作している時に硬化される供給材料の量を調節するために、使用されうる。例えば、エネルギー源131が、分配された供給材料の種々の部分を硬化させるために、支持体134の端から端までスキャンされる場合、滴体積制御により、エネルギー源131の通過ごとの供給材料のロールオフを減少させると共に、フィーチャのエッジ322a,322bに吐出される供給材料を増加させて、本書に記載の斜角化の影響を低減することが、可能になりうる。
一部の実行形態では、複数種の供給材料が分配される。付加製造装置120は、例えば2つ以上の分配器を含み、各分配器が別種の供給材料を分配する。場合によっては、単一の分配器(分配器128など)が、複数種の供給材料を受容し、この複数種の供給材料の混合物を分配する。第1の種類の供給材料の特性は、第2の種類の供給材料の特性とは異なっていることがあるので、第1の種類の供給材料を分配するための当初のパターンに対する修正は、第2の種類の供給材料を分配するための当初のパターンに対する修正よりも多く又は少なくスケールすることを、含みうる。あるいは、液滴の重量が制御されるのであれば、第1の種類の供給材料の液滴の重量は、第2の種類の供給材料の液滴の重量よりも重く又は軽くなるよう、制御されうる。場合によっては、第1の種類の供給材料の液滴のサイズが、第2の種類の供給材料の液滴のサイズよりも大きく又は小さくなるよう、制御されうる。
一部の実行形態では、複数種の供給材料は、例えば研磨層122とバッキング層136とを形成するために、研磨パッド102の種々の部分を形成するか、又は、例えば研磨特性が研磨面の端から端まで横方向に変動する研磨層を提供するために、研磨層122の種々の部分を形成する。第2の種類の供給材料は、第1の種類の供給材料と比べて第2の種類の供給材料の特性を変化させる添加物を有する、第1の種類の供給材料を含みうる。この添加物は、例えば、ゼータ電位や親水性などといった未硬化の供給材料の特性を調整しうる、界面活性剤を含む。
供給材料の層の各層の厚さ、及び、ボクセルの各々のサイズは、実行形態ごとに変動しうる。一部の実行形態では、支持体134上に分配が行われる時に、各ボクセルは、例えば10μm〜50μm(10μm〜30μm,20μm〜40μm,30μm〜50μm,およそ20μm,およそ30μm,又はおよそ50μmなど)の幅を有しうる。各層は、所定の厚さを有しうる。この厚さは、例えば、1〜80um、例としては2〜40μm(2μm〜4μm,5μm〜7μm,10μm〜20μm,25μm〜40μmなど)でありうる。
研磨パッドの製造に関連して方法及び装置について説明してきたが、この方法及び装置は、付加製造によるその他の物品の製造にも適合しうる。この場合、研磨面ではなく、製造されている物体の単なる上面が存在し、この上面に凹部が存在することになる。修正後のパターンは、少なくとも部分的に、付加製造システムによって生じるゆがみを補償しうる。
加えて、液滴吐出による製造に関連して方法及び装置について説明してきたが、この方法と装置は、その他の付加製造技術(例えば、粉末の選択的分配とその後の焼結)による製造にも適合しうる。
したがって、他の実行形態も特許請求の範囲に含まれる。

Claims (14)

  1. 付加製造システムを使用して研磨パッドを製造する方法であって、
    液滴吐出によって製造される前記研磨パッドの望ましい形状を示すデータを受信することであって、前記望ましい形状が、前記研磨パッド上の研磨面と一又は複数の溝とを含むプロファイルを画定する、データを受信することと、
    前記付加製造システムによって生じる前記プロファイルのゆがみを少なくとも部分的に補償するために、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータを生成することと、
    前記修正後のパターンにしたがって、液滴吐出により、複数層の前記供給材料を分配することとを含み、
    前記付加製造システムによって生じる前記プロファイルの前記ゆがみが、製造中のフィーチャ上に吐出された液滴の流れによって生じるゆがみを含む、方法。
  2. 前記研磨パッド上の前記一又は複数の溝が、前記複数層に対して実質的に垂直な側壁によって画定され、前記一又は複数の溝のゆがみが、前記研磨面に対する前記側壁の垂直度のゆがみを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記研磨面が前記複数層に実質的に平行であり、前記研磨パッドの前記研磨面のゆがみが、前記研磨面の平坦度のゆがみを含む、請求項1に記載の方法。
  4. 前記研磨パッドの前記望ましい形状が、前記研磨面を画定する平面を含み、前記修正後のパターンが、前記平面に対応する非平面部分を含み、前記非平面部分は、前記付加製造システムによって生じる前記研磨面のゆがみを、少なくとも部分的に補償するよう構成される、請求項1に記載の方法。
  5. 非一過性のコンピュータ可読媒体において有形に具現化されるコンピュータプログラム製品であって、プロセッサに、
    付加製造システムにおいて液滴吐出によって製造される研磨パッドの望ましい形状を示すデータを受信することであって、前記望ましい形状が、前記研磨パッド上の研磨面と一又は複数の溝とを含むプロファイルを画定する、データを受信することと、
    前記付加製造システムによって生じる前記プロファイルのゆがみを少なくとも部分的に補償するために、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータを生成することと、
    前記付加製造システムに、前記修正後のパターンにしたがって、液滴吐出により、複数層の前記供給材料を分配させることとを、実行させるための指令を含み、
    前記付加製造システムによって生じる前記プロファイルの前記ゆがみが、製造中のフィーチャ上に吐出された液滴の流れによって生じるゆがみを含む、コンピュータプログラム製品。
  6. 前記研磨パッドの前記望ましい形状を示す前記データが、前記複数層の供給材料を分配するパターンを示すデータを含み、前記パターンを示す前記データは、平坦な上面を表わすデータを含み、
    前記修正後のパターンを示す前記データが、前記平坦な上面を表わす前記データに基づいて生成される凹型上面を表わすデータを含む、請求項に記載のコンピュータプログラム製品。
  7. 前記凹型上面を表わす前記データが、前記パターンを示す前記データを使用して形成された前記研磨パッドの研磨面の平坦度のゆがみを少なくとも部分的に補償するために生成される、請求項に記載のコンピュータプログラム製品。
  8. 前記修正後のパターンを示す前記データを生成するための前記指令が、前記研磨パッドの前記望ましい形状を形成するために、当初のパターンを示すデータを修正するための指令を含む、請求項に記載のコンピュータプログラム製品。
  9. 前記当初のパターンを示す前記データが、前記当初のパターンに対する補正プロファイルに基づいて修正される、請求項に記載のコンピュータプログラム製品。
  10. 前記補正プロファイルが、前記当初のパターンの幅を越えて延在する部分を含む、請求項に記載のコンピュータプログラム製品。
  11. 前記補正プロファイルが、前記ゆがみによって少なくとも部分的に画定されている当初の形状と、前記望ましい形状との間の差異を特定することによって決定される、請求項に記載のコンピュータプログラム製品。
  12. 前記当初のパターンを示す前記データを修正するための前記指令が、ボクセルごとに堆積される前記供給材料の量を修正するための指令を含む、請求項に記載のコンピュータプログラム製品。
  13. 前記当初のパターンが、少なくとも2つの溝を分離させる仕切り部を含む研磨面を表わすデータを含み、前記当初のパターンを示す前記データを修正するための前記指令が、
    前記溝に隣接した前記仕切り部のエッジ部分の近位に分配される材料の第1の体積を決定するため、
    前記仕切り部の中心部分に分配される材料の第2の体積を決定するため、及び、
    前記第2の体積が前記第1の体積よりも大きくなるように、前記第1の体積及び前記第2の体積に基づいて前記供給材料の体積分布を修正するための指令を含む、請求項に記載のコンピュータプログラム製品。
  14. 付加製造システムであって、
    製造中の研磨パッドを保持するための、プラットフォームと、
    前記プラットフォーム、又は前記研磨パッドの既に堆積された層の上に、液滴吐出によって複数層を形成するための、プリントヘッドと、
    前記研磨パッドの望ましい形状を示すデータを受信することであって、前記望ましい形状が、前記研磨パッド上の研磨面と一又は複数の溝とを含むプロファイルを画定する、データを受信することと、
    前記付加製造システムによって生じる前記プロファイルのゆがみを少なくとも部分的に補償するために、供給材料を分配する修正後のパターンを示すデータを生成することと、
    前記プリントヘッドに、前記修正後のパターンにしたがって、液滴吐出により、複数層の前記供給材料を分配させることとを、実行するよう設定されたコントローラとを備え
    前記付加製造システムによって生じる前記プロファイルの前記ゆがみが、製造中のフィーチャ上に吐出された液滴の流れによって生じるゆがみを含む、
    付加製造システム。
JP2018546662A 2016-03-09 2017-03-09 付加製造で製造される形状の補正 Active JP6941618B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662305973P 2016-03-09 2016-03-09
US62/305,973 2016-03-09
PCT/US2017/021686 WO2017156342A1 (en) 2016-03-09 2017-03-09 Correction of fabricated shapes in additive manufacturing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019510648A JP2019510648A (ja) 2019-04-18
JP6941618B2 true JP6941618B2 (ja) 2021-09-29

Family

ID=59787721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018546662A Active JP6941618B2 (ja) 2016-03-09 2017-03-09 付加製造で製造される形状の補正

Country Status (8)

Country Link
US (3) US10537973B2 (ja)
EP (2) EP3427288B1 (ja)
JP (1) JP6941618B2 (ja)
KR (2) KR102334828B1 (ja)
CN (1) CN108701610B (ja)
SG (1) SG11201806820UA (ja)
TW (2) TWI765655B (ja)
WO (1) WO2017156342A1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6241244B2 (ja) * 2013-12-10 2017-12-06 セイコーエプソン株式会社 三次元造形物製造装置、三次元造形物の製造方法および三次元造形物
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
WO2017074773A1 (en) 2015-10-30 2017-05-04 Applied Materials, Inc. An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
JP2017113979A (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 キヤノン株式会社 造形装置、造形方法及びプログラム
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
EP3427288B1 (en) 2016-03-09 2021-04-28 Applied Materials, Inc. Correction of fabricated shapes in additive manufacturing
US10864612B2 (en) * 2016-12-14 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing pad and method of using
US11084143B2 (en) 2017-05-25 2021-08-10 Applied Materials, Inc. Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using modified edge
US10967482B2 (en) 2017-05-25 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
CN110570512B (zh) 2018-06-06 2024-02-02 哈米尔顿森德斯特兰德公司 包括利用形状变换的补偿建模方法的增材制造
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US11851570B2 (en) 2019-04-12 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Anionic polishing pads formed by printing processes
WO2021231427A1 (en) * 2020-05-14 2021-11-18 Applied Materials, Inc. Technique for training neural network for use in in-situ monitoring during polishing and polishing system
US11759860B2 (en) 2020-11-09 2023-09-19 General Electric Company Systems and methods for compensating a geometry of a green body part based on sintering-induced distortion
US11878389B2 (en) * 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5463653A (en) 1977-10-29 1979-05-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Dielectric resonator
US5387380A (en) 1989-12-08 1995-02-07 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional printing techniques
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5906863A (en) 1994-08-08 1999-05-25 Lombardi; John Methods for the preparation of reinforced three-dimensional bodies
JPH0950974A (ja) 1995-08-07 1997-02-18 Sony Corp 研磨布及び半導体装置の製造方法
US6270335B2 (en) 1995-09-27 2001-08-07 3D Systems, Inc. Selective deposition modeling method and apparatus for forming three-dimensional objects and supports
US5738574A (en) 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US6244575B1 (en) 1996-10-02 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same
US5940674A (en) 1997-04-09 1999-08-17 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional product manufacture using masks
US5921855A (en) 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US6522386B1 (en) * 1997-07-24 2003-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element
DE19834559A1 (de) 1998-07-31 2000-02-03 Friedrich Schiller Uni Jena Bu Verfahren zur Herstellung von Werkzeugen für die Bearbeitung von Oberflächen
JP2000061817A (ja) * 1998-08-24 2000-02-29 Nikon Corp 研磨パッド
US20010046834A1 (en) 2000-02-28 2001-11-29 Anuradha Ramana Pad surface texture formed by solid phase droplets
US7300619B2 (en) 2000-03-13 2007-11-27 Objet Geometries Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US6569373B2 (en) 2000-03-13 2003-05-27 Object Geometries Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
EP1268165B1 (en) 2000-03-24 2004-10-06 GENERIS GmbH Method and apparatus for manufacturing a structural part by a multi-layer deposition technique, and mold or core as manufactured by the method
JP2002028849A (ja) 2000-07-17 2002-01-29 Jsr Corp 研磨パッド
US6736869B1 (en) 2000-08-28 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method for forming a planarizing pad for planarization of microelectronic substrates
US6641471B1 (en) 2000-09-19 2003-11-04 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
US7192340B2 (en) 2000-12-01 2007-03-20 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad, method of producing the same, and cushion layer for polishing pad
US20020111707A1 (en) 2000-12-20 2002-08-15 Zhimin Li Droplet deposition method for rapid formation of 3-D objects from non-cross-linking reactive polymers
GB0103754D0 (en) 2001-02-15 2001-04-04 Vantico Ltd Three-dimensional structured printing
JP3727261B2 (ja) * 2001-09-28 2005-12-14 日本写真印刷株式会社 凹凸シートの製造方法
DE10224981B4 (de) 2002-06-05 2004-08-19 Generis Gmbh Verfahren zum schichtweisen Aufbau von Modellen
AU2003260938A1 (en) 2002-09-12 2004-04-30 Objet Geometries Ltd. Device, system and method for calibration in three-dimensional model printing
US7497977B2 (en) * 2003-01-29 2009-03-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Methods and systems for producing an object through solid freeform fabrication by varying a concentration of ejected material applied to an object layer
US7377840B2 (en) 2004-07-21 2008-05-27 Neopad Technologies Corporation Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs
IL156094A0 (en) 2003-05-25 2003-12-23 J G Systems Inc Fixed abrasive cmp pad with built-in additives
US20050012247A1 (en) 2003-07-18 2005-01-20 Laura Kramer Systems and methods for using multi-part curable materials
US7120512B2 (en) 2003-08-25 2006-10-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and a system for solid freeform fabricating using non-reactive powder
WO2005021248A1 (ja) 2003-08-27 2005-03-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. 三次元造形物の製造方法
US20050074596A1 (en) 2003-10-06 2005-04-07 Nielsen Jeffrey A. Method and system for using porous structures in solid freeform fabrication
GB0323462D0 (en) 2003-10-07 2003-11-05 Fujifilm Electronic Imaging Providing a surface layer or structure on a substrate
KR100576465B1 (ko) 2003-12-01 2006-05-08 주식회사 하이닉스반도체 연마입자 함침 조성물을 이용한 연마 패드
JP2005319634A (ja) 2004-05-07 2005-11-17 Roland Dg Corp 三次元造形装置および三次元造形方法
US7216009B2 (en) 2004-06-14 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Machine vision systems for use with programmable material consolidation system and associated methods and structures
JP2006095680A (ja) 2004-09-14 2006-04-13 Zhiguo Long 切割研磨シートとその製造方法
KR100606457B1 (ko) 2004-11-11 2006-11-23 한국기계연구원 3차원 프린팅 조형시스템
GB0426126D0 (en) 2004-11-29 2004-12-29 Plastic Logic Ltd Distortion compensation for multiple head printing
US7182677B2 (en) * 2005-01-14 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution
US7524345B2 (en) 2005-02-22 2009-04-28 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
US7829000B2 (en) 2005-02-25 2010-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Core-shell solid freeform fabrication
JP2007019434A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨パッド形状修正装置および研磨装置
US20070128991A1 (en) 2005-12-07 2007-06-07 Yoon Il-Young Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same
WO2007104063A1 (en) 2006-03-09 2007-09-13 Rimpad Tech Ltd. Composite polishing pad
US7354779B2 (en) * 2006-03-10 2008-04-08 International Business Machines Corporation Topography compensated film application methods
US20070235904A1 (en) 2006-04-06 2007-10-11 Saikin Alan H Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering
KR100842486B1 (ko) 2006-10-30 2008-07-01 동부일렉트로닉스 주식회사 Cmp 장비의 폴리싱패드와 이의 제조장치
US8784723B2 (en) * 2007-04-01 2014-07-22 Stratasys Ltd. Method and system for three-dimensional fabrication
US7862320B2 (en) 2007-07-17 2011-01-04 Seiko Epson Corporation Three-dimensional object forming apparatus and method for forming three dimensional object
WO2009013751A2 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Objet Geometries Ltd. Solid freeform fabrication using a plurality of modeling materials
EP2305454B1 (en) 2008-05-26 2017-03-22 Sony Corporation Shaping apparatus and shaping method
US8282866B2 (en) 2008-06-30 2012-10-09 Seiko Epson Corporation Method and device for forming three-dimensional model, sheet material processing method, and sheet material processing device
JP5463653B2 (ja) * 2008-11-18 2014-04-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置の吐出パターンデータ補正方法および液滴吐出装置
JP2011207722A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Jx Nippon Oil & Energy Corp 電気二重層キャパシタ電極用活性炭およびその製造方法
JP2012094559A (ja) 2010-10-22 2012-05-17 Sumco Corp 硬脆性ウェーハの平坦化加工方法および平坦化加工用パッド
US8968058B2 (en) * 2011-05-05 2015-03-03 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment feature
CN103917348B (zh) 2011-06-28 2016-12-21 环球过滤***商业用名海湾过滤***股份有限公司 使用线性固化来成型三维物体的装置和方法
US8920219B2 (en) * 2011-07-15 2014-12-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment aperture
KR101304143B1 (ko) 2011-08-01 2013-09-05 배은식 연마 패드 제조 방법
WO2013128452A1 (en) 2012-03-01 2013-09-06 Stratasys Ltd. Cationic polymerizable compositions and methods of use thereof
JP2013201046A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Toppan Printing Co Ltd 凹型欠陥の修正方法及びそれを用いた有機el素子の製造方法
EP2831040A1 (en) * 2012-03-27 2015-02-04 Eastman Chemical Company Process for recovering and recycling an acid catalyst
US9067299B2 (en) 2012-04-25 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad
US9886526B2 (en) * 2012-10-11 2018-02-06 University Of Southern California 3D printing shrinkage compensation using radial and angular layer perimeter point information
CN104968500B (zh) * 2012-11-05 2017-06-13 斯特拉塔西斯公司 三维部件直接喷墨打印的***及方法
US9649742B2 (en) * 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
KR102207743B1 (ko) 2013-08-10 2021-01-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 제어된 컨디셔닝을 용이하게 하는 재료 조성을 갖는 cmp 패드들
TWI599447B (zh) * 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的cmp拋光墊
US9421666B2 (en) 2013-11-04 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein
US9993907B2 (en) * 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window
JP2015128884A (ja) 2014-01-09 2015-07-16 セイコーエプソン株式会社 三次元造形物の製造方法および三次元造形物
EP3094471B1 (en) * 2014-01-16 2021-06-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Processing three-dimensional object data of an object to be generated by an additive manufacturing process
EP2918395B1 (en) * 2014-03-12 2018-07-04 Rolls-Royce Corporation Additive manufacturing including layer-by-layer imaging
US9427867B2 (en) 2014-04-02 2016-08-30 The Boeing Company Localization within an environment using sensor fusion
US9327537B2 (en) * 2014-06-06 2016-05-03 Xerox Corporation System for adjusting operation of a printer during three-dimensional object printing using an optical sensor
US9542525B2 (en) 2014-06-24 2017-01-10 Siemens Product Lifecycle Management Software Inc. Additive smoothing of sharp concave edges on designed 3D printable polygonal mesh models
US10252466B2 (en) * 2014-07-28 2019-04-09 Massachusetts Institute Of Technology Systems and methods of machine vision assisted additive fabrication
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US9908287B2 (en) 2014-11-20 2018-03-06 Ut-Battelle, Llc Build platform that provides mechanical engagement with additive manufacturing prints
US9676145B2 (en) 2015-11-06 2017-06-13 Velo3D, Inc. Adept three-dimensional printing
JP6612122B2 (ja) 2015-12-14 2019-11-27 株式会社ミマキエンジニアリング 造形物の製造装置及び制御方法
JP6839509B2 (ja) 2016-02-29 2021-03-10 株式会社ミマキエンジニアリング 三次元造形物製造方法および造形装置
EP3427288B1 (en) 2016-03-09 2021-04-28 Applied Materials, Inc. Correction of fabricated shapes in additive manufacturing
US10391757B2 (en) 2016-09-29 2019-08-27 Xerox Corporation Device for facilitating repetitive manufacture of parts having precisionally positioned components with a three-dimensional object printer
US11084143B2 (en) 2017-05-25 2021-08-10 Applied Materials, Inc. Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using modified edge
US10967482B2 (en) 2017-05-25 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold

Also Published As

Publication number Publication date
TWI727011B (zh) 2021-05-11
TW201731635A (zh) 2017-09-16
US20200139507A1 (en) 2020-05-07
SG11201806820UA (en) 2018-09-27
WO2017156342A1 (en) 2017-09-14
US20170259396A1 (en) 2017-09-14
TW202128358A (zh) 2021-08-01
KR20180114552A (ko) 2018-10-18
JP2019510648A (ja) 2019-04-18
EP3427288B1 (en) 2021-04-28
US20220001507A1 (en) 2022-01-06
US10537973B2 (en) 2020-01-21
US11597054B2 (en) 2023-03-07
CN108701610B (zh) 2023-06-02
TWI765655B (zh) 2022-05-21
EP3427288A1 (en) 2019-01-16
KR20210151238A (ko) 2021-12-13
EP3427288A4 (en) 2019-11-20
US11154961B2 (en) 2021-10-26
KR102334828B1 (ko) 2021-12-06
CN108701610A (zh) 2018-10-23
KR102377436B1 (ko) 2022-03-23
EP3869538A1 (en) 2021-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6941618B2 (ja) 付加製造で製造される形状の補正
US11642757B2 (en) Using sacrificial material in additive manufacturing of polishing pads
US10967482B2 (en) Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold
US12011801B2 (en) Printing a chemical mechanical polishing pad
KR102534731B1 (ko) 초기 층을 사용한 적층 제조에서 제조된 형상들의 보정

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200302

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210315

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210727

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210810

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6941618

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150