JP6939895B2 - サーミスタ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
素体を作製する素体作製工程と、
第1外部電極と第2外部電極を作製する外部電極作製工程とを含み、
前記外部電極作製工程は、さらに下地層を形成する下地層形成工程を含み、前記下地層形成工程は、
前記第1外部電極の前記下地層の前記第2外部電極側に、薄肉で隣接する2つの第2外部電極側角部を形成すること、および前記第2外部電極の前記下地層の前記第1外部電極側に、薄肉で隣接する2つの第1外部電極側角部を形成することを含む、製造方法により製造することができる。
まず、セラミックスの素材を混合粉砕して混合粉体を作製し、混合粉体に仮焼処理を施して仮焼粉を作製する。その後、仮焼粉をシート状に形成してシート体を作製し、シート体と内部電極21,22の材料とを交互に積層して積層体を作製する。その後、積層体を還元雰囲気で焼成して、内部に内部電極21,22が設けられた素体10を作製する。必要に応じて、バレル加工等の面取り加工を行い、素体10の角部や稜線部の面取りを行ってもよい。
その後、素体10の表面に下地層を形成し、その上に電解めっき法により金属めっき層を形成して、第1外部電極41と第2外部電極42を作製する。これにより、サーミスタ素子1を作製する。
10 素体
10a セラミックス層
11 第1側面
12 第2側面
13 第3側面
14 第4側面
15 第1端面
16 第2端面
17 周面
21 第1内部電極
22 第2内部電極
41 第1外部電極
42 第2外部電極
41a 下地層
41b 金属めっき層
42a 下地層
42b 金属めっき層
141 第1面部
142 第2面部
143 第3面部
144 第4面部
141a 側辺
141b 端辺
141c 端辺
141d 第1外部電極の第2外部電極側角部
141e 第1外部電極の第2外部電極側角部
141f 第2外部電極の第1外部電極側角部
141g 第2外部電極の第1外部電極側角部
141h 角部
141i 角部
241 下地層の第1面部
241a 下地層の側辺
241b 下地層の端辺
241c 下地層の端辺
241d 下地層の第2外部電極側角部
241e 下地層の第2外部電極側角部
241f 下地層の第1外部電極側角部
241g 下地層の第1外部電極側角部
241h 下地層の第1縁部
241i 下地層の第2縁部
Claims (12)
- セラミックスから構成され、対向する第1端面および第2端面と、前記第1端面と前記第2端面との間に配置される周面とを有する素体と、
前記第1端面と前記周面の前記第1端面側とを覆う第1外部電極と、
前記第2端面と前記周面の前記第2端面側とを覆う第2外部電極と、を備えるサーミスタ素子であって、
前記第1外部電極と前記第2外部電極は、最下層の下地層と最上層の金属めっき層を含む複数の電極層から構成され、
前記第1外部電極の下地層は、前記第2外部電極の側に、薄肉で隣接する2つの第2外部電極側角部を有し、
前記第2外部電極の下地層は、前記第1外部電極の側に、薄肉で隣接する2つの第1外部電極側角部を有する、該サーミスタ素子。 - 前記第1外部電極の下地層は、前記2つの第2外部電極側角部につながる薄肉の第1縁部を有し、前記第2外部電極の下地層は、前記2つの第1外部電極側角部につながる薄肉の第2縁部を有する、請求項1記載のサーミスタ素子。
- 前記下地層は硬化した導電ペーストからなる、請求項1または2に記載のサーミスタ素子。
- 前記第1外部電極は、平面視で、中央部が前記第1端面側に向かって凹む弓形凹部を有し、前記第2外部電極は、平面視で、中央部が前記第2端面側に向かって凹む弓形凹部を有する、請求項1から3のいずれか1項に記載のサーミスタ素子。
- 前記第1外部電極と前記第2外部電極は、それぞれ、平面視で、前記第1端面から前記第2端面に向かって延在する長さ方向に交差する一対の端辺と、前記長さ方向に沿った一対の側辺とを有し、前記第1外部電極と前記第2外部電極の中央部における前記一対の端辺間の長さをそれぞれL1とL2とし、前記第1外部電極と前記第2外部電極の側辺の長さをそれぞれE1とE2とした時、L1<E1、かつL2<E2である、請求項1から4のいずれか1項に記載のサーミスタ素子。
- 前記L1および前記L2が95μm以上285μm以下であり、前記E1および前記E2が100μm以上290μm以下である、請求項5記載のサーミスタ素子。
- 前記L1と前記E1および前記L2と前記E2が、それぞれ、
0.770≦(L1/E1)≦0.975、0.770≦(L2/E2)≦0.975、
の関係を満たす、請求項5または6に記載のサーミスタ素子。 - 前記第1外部電極の前記第1端面側の隣接する角部がR形状を有し、前記第2外部電極の前記第2端面側の隣接する角部がR形状を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のサーミスタ素子。
- セラミックスから構成され、対向する第1端面および第2端面と、前記第1端面と前記第2端面との間に配置される周面とを有する素体と、
前記第1端面と前記周面の前記第1端面側とを覆う第1外部電極と、
前記第2端面と前記周面の前記第2端面側とを覆う第2外部電極と、を備えるサーミスタ素子の製造方法であって、
素体を作製する素体作製工程と、
第1外部電極と第2外部電極を作製する外部電極作製工程とを含み、
前記外部電極作製工程は、さらに下地層を形成する下地層形成工程を含み、前記下地層形成工程は、
前記第1外部電極の前記下地層の前記第2外部電極側に、薄肉で隣接する2つの第2外部電極側角部を形成すること、および前記第2外部電極の前記下地層の前記第1外部電極側に、薄肉で隣接する2つの第1外部電極側角部を形成することを含む、該製造方法。 - 前記第1外部電極の下地層に前記2つの第2外部電極側角部につながる薄肉の第1縁部を設けるとともに、前記第2外部電極の下地層に前記2つの第1外部電極側角部につながる薄肉の第2縁部を設ける、請求項9記載の製造方法。
- 前記下地層形成工程は、浸漬法を用いて前記素体に電極ペーストを塗布し、焼き付けて前記下地層を形成することを含む、請求項9または10に記載の製造方法。
- 前記下地層形成工程は、前記第1外部電極と前記第2外部電極の前記下地層の中央部における一対の端辺間の長さが、前記下地層の側辺の長さより小さくなるように、浸漬法を用いて前記素体に電極ペーストを塗布し、焼き付けて前記下地層を形成することを含む、請求項9〜11のいずれか1項に記載の製造方法。
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US5750264A (en) * | 1994-10-19 | 1998-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Inc. | Electronic component and method for fabricating the same |
JPH08236308A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品とその特性値調整方法 |
US6157289A (en) * | 1995-09-20 | 2000-12-05 | Mitsushita Electric Industrial Co., Ltd. | PTC thermistor |
WO2004001774A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Rohm Co., Ltd. | 低い抵抗値を有するチップ抵抗器とその製造方法 |
JP2004087717A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
JP2005005373A (ja) | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
JP4111340B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2008-07-02 | Tdk株式会社 | チップ型電子部品 |
JP2006173270A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Tdk Corp | チップ型電子部品 |
EP2549491B1 (en) * | 2005-02-08 | 2017-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface mountable negative coefficient characteristic ceramic thermistor based on Mn, Co and Ti |
US20060202794A1 (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Chang-Wei Ho | Resettable over-current protection device and method for producing the same |
JP4586831B2 (ja) * | 2007-08-08 | 2010-11-24 | Tdk株式会社 | セラミックグリーンシート構造、及び、積層セラミック電子部品の製造方法 |
CN101567264A (zh) * | 2008-04-24 | 2009-10-28 | 广州三则电子材料有限公司 | 一种微波多层片式陶瓷电容器的贱金属镍内部电极浆料 |
JP5246215B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2013-07-24 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及び配線基板 |
JP2012216699A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Murata Mfg Co Ltd | チップptcサーミスタ |
JP2013058558A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Tdk Corp | 電子部品 |
JP5510479B2 (ja) * | 2012-03-03 | 2014-06-04 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ用半導体磁器組成物 |
JP5673595B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2015-02-18 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその実装構造体 |
JP2015109415A (ja) * | 2013-10-24 | 2015-06-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品、テーピング電子部品連及び積層セラミック電子部品の製造方法 |
WO2016002305A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ素子および電子部品 |
JP2017022232A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
JP6693125B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2020-05-13 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
JP6756484B2 (ja) * | 2016-01-20 | 2020-09-16 | 株式会社日立製作所 | 電圧非直線抵抗体 |
KR101883042B1 (ko) * | 2016-02-15 | 2018-07-27 | 삼성전기주식회사 | 칩 저항 소자 및 칩 저항 소자 어셈블리 |
JP7065735B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-05-12 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
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