JP6935669B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6935669B2 JP6935669B2 JP2016254061A JP2016254061A JP6935669B2 JP 6935669 B2 JP6935669 B2 JP 6935669B2 JP 2016254061 A JP2016254061 A JP 2016254061A JP 2016254061 A JP2016254061 A JP 2016254061A JP 6935669 B2 JP6935669 B2 JP 6935669B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- resist pattern
- film
- resist
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 154
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 69
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 64
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 55
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 52
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 49
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 35
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 20
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 90
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 65
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 27
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 24
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- -1 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group Chemical group 0.000 description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 10
- TYCFGHUTYSLISP-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)=C TYCFGHUTYSLISP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-N 2-chloroacrylic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)=C SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 8
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N hexyl acetate Chemical compound CCCCCCOC(C)=O AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 102100022443 CXADR-like membrane protein Human genes 0.000 description 2
- 101000901723 Homo sapiens CXADR-like membrane protein Proteins 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- AWJZTPWDQYFQPQ-UHFFFAOYSA-N methyl 2-chloroprop-2-enoate Chemical compound COC(=O)C(Cl)=C AWJZTPWDQYFQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- OKIYQFLILPKULA-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3,4,4-nonafluoro-4-methoxybutane Chemical compound COC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F OKIYQFLILPKULA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPVLOYQCFEAE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,2-pentafluoroethoxymethyl 2-chloroprop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)OCOC(=O)C(Cl)=C YLYPVLOYQCFEAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQIREENBGVGCGG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,2-pentafluoroethoxymethyl 2-fluoroprop-2-enoate Chemical compound FC(C(F)(F)F)(OCOC(C(=C)F)=O)F VQIREENBGVGCGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- ODRGCPHAHMWMFG-UHFFFAOYSA-N 2-(1,1,2,2,2-pentafluoroethoxy)ethenyl 2-fluoroprop-2-enoate Chemical compound FC(C(F)(F)F)(OC=COC(C(=C)F)=O)F ODRGCPHAHMWMFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQDOHEQFVILSKC-UHFFFAOYSA-N 2-(1,1,2,2,2-pentafluoroethoxy)ethyl 2-fluoroprop-2-enoate Chemical compound FC(C(F)(F)F)(OCCOC(C(=C)F)=O)F YQDOHEQFVILSKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSUIRDORMCYOBS-UHFFFAOYSA-N 3-chloro-2-methylprop-2-enoic acid Chemical group ClC=C(C)C(O)=O WSUIRDORMCYOBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000004205 trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
下記一般式(II):
なお、本発明において、式(II)中のpが2以上の場合には、複数あるR6は互いに同一でも異なっていてもよく、また、式(II)中のqが2以上の場合には、複数あるR7は互いに同一でも異なっていてもよい。
なお、本発明において、現像液の表面張力は、例えば、25℃において、輪環法を用いて測定することができる。
ここで、本発明のレジストパターン形成方法は、フッ素原子を3つ以上含有する所定の単量体を用いて形成した所定の重合体を含むポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程(レジスト膜形成工程)、レジスト膜を露光する工程(露光工程)、露光後のレジスト膜を現像液と接触させて現像し、現像膜を得る工程(現像工程)、および、現像膜を乾燥させて、現像膜表面に残存する現像液を除去する工程(乾燥工程)を、少なくとも含む。そして、本発明のレジストパターン形成方法は、例えば、ビルドアップ基板などのプリント基板の製造プロセスにおいてレジストパターンを形成する際に用いることができる。
レジスト膜形成工程では、レジストパターンを利用して加工される基板などの被加工物の上に、ポジ型レジスト組成物を塗布し、塗布したポジ型レジスト組成物を乾燥させてレジスト膜を形成する。ここで、基板としては、特に限定されることなく、プリント基板の製造等に用いられる、絶縁層と、絶縁層上に設けられた銅箔とを有する基板などを用いることができる。また、ポジ型レジスト組成物の塗布方法および乾燥方法としては、特に限定されることなく、レジスト膜の形成に一般的に用いられている方法を用いることができる。そして、本発明のパターン形成方法では、以下のポジ型レジスト組成物を使用する。
ポジ型レジスト組成物は、以下に詳述するフッ素原子を含有する所定の重合体と、溶剤とを含み、任意に、レジスト組成物に配合され得る既知の添加剤を更に含有する。
本発明のレジストパターン形成方法で用いられる重合体は、電子線などの電離放射線や紫外線などの短波長の光の照射により主鎖が切断されて低分子量化する、主鎖切断型のポジ型レジストとして良好に使用することができる重合体である。そして、重合体は、下記の一般式(I):
下記の一般式(II):
また、式(I)および式(III)中のR3、R4を構成し得る非置換のアルキル基としては、特に限定されることなく、非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基が挙げられる。中でも、R3、R4を構成し得る非置換のアルキル基としては、メチル基またはエチル基が好ましい。
なお、R2の炭素数は、2以上10以下であることが好ましく、3以上4以下であることがより好ましく、3であることが更に好ましい。炭素数が少な過ぎると、現像液に対する溶解度が向上しないことがあり、炭素数が多過ぎると、ガラス転移点が低下して、パターンの明瞭性が担保できないことがある。
ここで、前記フルオロアルキル基としては、2,2,2−トリフルオロエチル基(フッ素原子の数が3、炭素数が2)、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基(フッ素原子の数が5、炭素数が3)、3,3,4,4,4−ペンタフルオロブチル基(フッ素原子の数が5、炭素数が4)、2−(パーフルオロブチル)エチル基(フッ素原子の数が9、炭素数が6)、1H,1H,3H−テトラフルオロプロピル基(フッ素原子の数が4、炭素数が3)、1H,1H,5H−オクタフルオロペンチル基(フッ素原子の数が8、炭素数が5)、1H−1−(トリフルオロメチル)トリフルオロエチル基(フッ素原子の数が6、炭素数が3)、1H,1H,3H−ヘキサフルオロブチル基(フッ素原子の数が6、炭素数が4)、2,2,3,3,4,4,4−へプタフルオロブチル基(フッ素原子の数が7、炭素数が4)、または1,2,2,2−テトラフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル基(フッ素原子の数が7、炭素数が3)であることが好ましく、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、1H−1−(トリフルオロメチル)トリフルオロエチル基、1H,1H,3H−ヘキサフルオロブチル基、2,2,3,3,4,4,4−へプタフルオロブチル基、または1,2,2,2−テトラフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチル基であることがより好ましく、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基であることが更に好ましい。
また、前記フルオロアルコキシアルキル基としては、例えば、ペンタフルオロエトキシメチル基(フッ素原子の数が5、炭素数が3)またはペンタフルオロエトキシエチル基(フッ素原子の数が5、炭素数が4)であることが好ましい。
また、前記フルオロアルコキシアルケニル基としては、例えば、ペンタフルオロエトキシビニル基(フッ素原子の数が5、炭素数が4)であることが好ましい。
また、式(II)および式(IV)中のR5〜R9を構成し得る非置換のアルキル基としては、特に限定されることなく、非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基が挙げられる。中でも、R5〜R9を構成し得る非置換のアルキル基としては、メチル基またはエチル基が好ましい。
なお、重合体の調製の容易性を向上させる観点からは、式(II)および式(IV)中のpが5であり、qが0であり、5つあるR6の全てが水素原子または非置換のアルキル基であることが好ましく、5つあるR6の全てが水素原子または非置換の炭素数1以上5以下のアルキル基であることがより好ましく、5つあるR6の全てが水素原子であることが更に好ましい。
また、現像液に対する溶解性の観点からは、式(II)及び式(IV)中に複数存在するR6及びR7のいずれかにフッ素原子を1つ含有させることが好ましい。
ここで、重合体の重量平均分子量(Mw)は、10,000以上であることが好ましく、20,000以上であることがより好ましい。重合体の重量平均分子量(Mw)が10,000以上であれば、低い照射量でレジスト膜の現像液に対する溶解性が過剰に高まることを抑制することができ、明瞭性が過度に低下することを抑制することができる。
また、重合体の数平均分子量(Mn)は、5000以上であることが好ましく、10000以上であることがより好ましい。重合体の数平均分子量(Mn)が5000以上であれば、低い照射量でレジスト膜の現像液に対する溶解性が過剰に高まることを抑制することができ、明瞭性が過度に低下することを抑制することができる。
そして、重合体の分子量分布(Mw/Mn)は、1.15以上であることが好ましく、1.20以上であることがより好ましく、1.70以下であることが好ましく、1.65以下であることがより好ましい。重合体の分子量分布(Mw/Mn)が1.15以上であれば、重合体の製造容易性を高めることができる。一方、重合体の分子量分布(Mw/Mn)が1.70以下であれば、ポジ型レジストとして使用した際に、得られるレジストパターンの明瞭性を高めることができる。
ここで、重合体を用いて作製したフィルム(膜)は、表面自由エネルギーが15mJ/m2以上であることが好ましく、20mJ/m2以上であることがより好ましく、30mJ/m2以下であることが好ましく、25mJ/m2以下であることがより好ましい。表面自由エネルギーが15mJ/m2以上であれば、濡れ性を担保した現像液を選択することができる。表面自由エネルギーが30mJ/m2以下であれば、選択的に照射領域を溶解させることができる。
なお、上記表面自由エネルギーは、接触角計を使用して、表面張力、極性項(p)および分散力項(d)が既知の2種類の溶媒(水とジヨードメタン)の接触角を以下の条件で測定し、Owens−Wendt(拡張Fowkes式)の方法による表面自由エネルギーの評価を行い、重合体の表面自由エネルギーを算出することができる。
そして、上述した単量体単位(A)および単量体単位(B)を有する重合体は、例えば、単量体(a)と単量体(b)とを含む単量体組成物を重合させた後、任意に得られた重合物を精製することにより調製することができる。
なお、重合体の組成、分子量分布、重量平均分子量および数平均分子量は、重合条件および精製条件を変更することにより調整することができる。具体的には、例えば、重合体の組成は、重合に使用する単量体組成物中の各単量体の含有割合を変更することにより調整することができる。また、重量平均分子量および数平均分子量は、重合温度を高くすれば、小さくすることができる。更に、重量平均分子量および数平均分子量は、重合時間を短くすれば、小さくすることができる。
ここで、重合体の調製に用いる単量体組成物としては、単量体(a)および単量体(b)を含む単量体成分と、任意で使用可能な溶媒と、重合開始剤と、任意に添加される添加剤との混合物を用いることができる。そして、単量体組成物の重合は、既知の方法を用いて行うことができる。中でも、溶媒を使用する場合には、溶媒としてシクロペンタノンなどを用いることが好ましい。また、重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルなどのラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。なお、重合体の重量平均分子量および数平均分子量は、重合開始剤の配合量を変更することによっても調整することができる。具体的には、重量平均分子量および数平均分子量は、重合開始剤の配合量を少なくすれば、大きくすることができ、反対に、重合開始剤の配合量を多くすれば、小さくすることができる。
得られた重合物を精製する場合に用いる精製方法としては、特に限定されることなく、再沈殿法やカラムクロマトグラフィー法などの既知の精製方法が挙げられる。中でも、精製方法としては、再沈殿法を用いることが好ましい。
なお、重合物の精製は、複数回繰り返して実施してもよい。
なお、溶剤としては、上述した重合体を溶解可能な溶剤であれば既知の溶剤を用いることができる。中でも、適度な粘度のポジ型レジスト組成物を得てポジ型レジスト組成物の塗工性を向上させる観点からは、溶剤としては、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA);酢酸n−ペンチルなどの、有機酸のn−ペンチルエステル;酢酸n−ヘキシルなどの、有機酸のn−ヘキシルエステル;が挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、複数種類を混合して使用してもよい。
露光工程では、レジスト膜形成工程で形成したレジスト膜に対し、電離放射線や光を照射して、所望のパターンを描画する。なお、電離放射線や光の照射には、電子線描画装置やレーザー描画装置などの既知の描画装置を用いることができる。
現像工程では、露光工程で露光されたレジスト膜と、現像液とを接触させてレジスト膜を現像し、被加工物上に現像膜を形成する。
ここで、レジスト膜と現像液とを接触させる方法は、特に限定されることなく、現像液中へのレジスト膜の浸漬やレジスト膜への現像液の塗布等の既知の手法を用いることができる。
現像液は、表面張力が17mN/m以下であることが好ましく、16.5mN/m以下であることがより好ましく、15mN/m以下であることが更に好ましい。上述した所定の重合体を含むポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジスト膜は表面エネルギーが低くなるが、現像液の表面張力が17mN/m以下であれば、現像対象とするレジストパターンが微細な場合であっても、微細な間隙に現像液が進入し易い。そのため、そのため、表面張力が17mN/m以下である現像液を用いて現像を行えば、得られるレジストパターンの明瞭性を向上させることができる。さらに、現像液としては、沸点が63℃以下である溶剤を使用することが好ましく、60℃以下である溶剤を使用することがより好ましく、58℃以下である溶剤を使用することが更に好ましい。沸点が63℃以下である溶剤を現像液として使用すれば、続く乾燥工程における現像膜の乾燥が容易となる。
表面張力が17mN/m以下である現像液としては、フッ素系溶剤を用いることができる。そしてフッ素系溶剤としては、例えば、CF3CFHCFHCF2CF3(表面張力:14.1mN/m)、CF3CF2CHCl2(表面張力16.2mN/m)、CClF2CF2CHClF(表面張力16.2mN/m)、CF3CF2CF2CF2OCH3(表面張力13.6mN/m)、C8F18(表面張力13.6mN/m)、C4F9OC2H5(表面張力13.6mN/m)、C2F5CF(OCH3)C3F7(表面張力15.1mN/m)等のフルオロカーボン、及びこれらの混合物を用いることができ、中でも、CF3CFHCFHCF2CF3を用いることが好ましい。なお、現像液として使用可能なフッ素系溶剤の選定にあたり、露光工程を実施する前のレジスト膜を溶解しないフッ素系溶剤を選択することが好ましい。さらに、現像液としての表面張力が17mN/m以下となる限りにおいて、表面張力が17超えの溶剤を17以下の溶剤と混合して用いてもよい。混合可能な溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール;2−プロパノール(イソプロピルアルコール)等のアルコール;酢酸アミル、酢酸ヘキシルなどのアルキル基を有する酢酸エステル;などが挙げられる。現像液全体としての表面張力が17mN/m以下となる限りにおいて、上述した重合体を用いて形成されたレジスト膜の溶解性が種々異なるこれらの溶剤を混合することで、レジストパターンの微細な間隙に対する侵入容易性と、レジスト膜の溶解性とを両立させることができる。一方、単一種の溶剤を用いると、回収乃至再利用がし易い点で有利である。また、現像液のSP値は、6.2〜7.3であることが好ましい。現像液のSP値が6.2〜7.3であると、ポリマーを速やかに溶解し、明瞭なパターンを形成することができる。なお、フッ素系溶剤を含む複数の溶剤の混合物を現像液とする場合に、現像液全体に対するフッ素系溶剤の占める比率は、50体積%超であることが好ましく、75体積%超であることがより好ましく、90体積%以上であることがさらに好ましく、95体積%以上であることが特に好ましい。
現像条件は、所望の品質のレジストパターンを得るように適宜設定することができる。上述した現像液の温度は、例えば、21℃以上25℃以下とすることができる。また現像時間は、例えば、現像液としてCF3CFHCFHCF2CF3等の表面張力が17mN/m以下の現像液を使用した場合、10秒以上好ましく、30秒以上がより好ましく、30分以下が好ましく、20分以下がより好ましく、10分以下が更に好ましく、5分以下が特に好ましい。
乾燥工程では、上述した現像工程で得られた現像膜を乾燥させて、現像膜表面に残存する現像液を除去する。このような乾燥工程を行うことで、リンス処理を行わずに現像液を除去することができ、結果として、リンス処理に起因するレジストパターン表面への残渣の付着を抑制することができる。
また、吹き付ける気体の温度は、特に限定されないが、5℃以上50℃以下とすることができる。そして、気体を吹き付ける時間は、特に限定されないが、0.1秒以上10分以下とすることができる。
ここで、リンス液としては、使用する現像液よりも未露光部のレジストを溶解させ難く、且つ現像液と混ざり易いリンス液を選択することが好ましい。例えば、現像液としてCF3CFHCFHCF2CF3を用いた際にリンス工程を実施する場合は、リンス液として、フルオロカーボン(例えば、CF2CF2CF2CF2OCH3、C4F9OC2H5、C2F5CF(OCH3)C3F7等のハイドロフルオロエーテルや、C8F18等のパーフルオロカーボン)を用いることができる。
ここで、実施例および比較例において、重合体の重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布、重合体を用いて作製したフィルム(膜)の表面自由エネルギーは、下記の方法で測定した。
<重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布>
得られた重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を測定し、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。具体的には、ゲル浸透クロマトグラフ(東ソー製、HLC−8220)を使用し、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用いて、重合体の重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)を標準ポリスチレン換算値として求めた。そして、分子量分布(Mw/Mn)を算出した。
<表面自由エネルギー>
得られた重合体を用いて以下の方法で作製したフィルム(膜)について、接触角計(協和界面科学製、Drop Master700)を使用して、表面張力、極性項(p)および分散力項(d)が既知の2種類の溶媒(水とジヨードメタン)の接触角を以下の条件で測定し、Owens−Wendt(拡張Fowkes式)の方法による表面自由エネルギーの評価を行い、重合体の表面自由エネルギーを算出した。
<<フィルム(膜)の作製方法>>
スピンコーター(ミカサ製、MS−A150)を使用し、ポジ型レジスト組成物を直径4インチのシリコンウェハ上に厚さ500nmになるように塗布した。そして、塗布したポジ型レジスト組成物を温度180℃のホットプレートで3分間加熱して、シリコンウェハ上にフィルム(膜)を形成した。
<<接触角測定の測定条件>>
針:金属針22G(水)、テフロン(登録商標)コーティング22G(ジヨードメタン)
待機時間:1000ms
液量:1.8μL
着液認識:水50dat、ジヨードメタン100dat
温度:23℃
<重合体の調製>
単量体(a)としてのα−クロロアクリル酸2,2,2−トリフルオロエチル(ACATFE)3.0gおよび単量体(b)としてのα−メチルスチレン4.40gと、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル0.006975gと、溶媒としてのシクロペンタノン1.85gを含む単量体組成物をガラス容器に入れ、ガラス容器を密閉および窒素置換して、窒素雰囲気下、78℃の恒温槽内で6時間撹拌した。その後、室温に戻し、ガラス容器内を大気解放した後、得られた溶液にテトラヒドロフラン(THF)10gを加えた。そして、THFを加えた溶液を、メタノール300g中に滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の凝固物(重合物)を得た。この重合物を、そのまま重合体とした。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)、および分子量分布(Mw/Mn)を測定した。加えて、得られた重合体を用いて作製したフィルム(膜)の表面自由エネルギーを測定した。結果を表1に示す。また、得られた重合体は、α−クロロアクリル酸2,2,2−トリフルオロエチル単位を50mol%、α−メチルスチレン単位を50mol%含んでいた。
<ポジ型レジスト組成物の調製>
得られた重合体を溶剤としてのPGMEA(東京化成工業製)に溶解させ、重合体の濃度が11質量%であるレジスト溶液(ポジ型レジスト組成物)を調製した。そして、レジストパターン表面の残渣の有無、γ値(明瞭性)、およびEth(感度)を以下に従って評価した。結果を表1に示す。
<レジストパターン表面の残渣の有無>
スピンコーター(ミカサ製、MS−A150)を使用し、ポジ型レジスト組成物を直径4インチのシリコンウェハ上に塗布した。次いで、塗布したポジ型レジスト組成物を温度180℃のホットプレートで3分間加熱して、シリコンウェハ上に厚さ50nmのレジスト膜を形成した(レジスト膜形成工程)。そして、電子線描画装置(エリオニクス社製、ELS−S50)を用いてレジスト膜を最適露光量(Eop)で露光して、パターンを描画した(露光工程)。その後、レジスト用現像液として表面張力が14.1mN/mであるフッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、バートレルXF(登録商標)、CF3CFHCFHCF2CF3)を用いて温度23℃で1分間の現像処理を行った(現像工程)。そして、現像処理後の現像膜に対し、温度23℃の空気を5秒間吹き付けることで現像膜を乾燥させて、レジストパターンを形成した(乾燥工程)。形成したレジストパターンを断面出しし、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて斜め上方向から撮影し、パターンとパターン間の底面にレジストの残渣の有無を確認した。なお、最適露光量(Eop)は、それぞれEthの約2倍の値を目安として、適宜設定した。また、レジストパターンのライン(未露光領域)とスペース(露光領域)は、それぞれ25nmとした。
<γ値(明瞭性)>
スピンコーター(ミカサ製、MS−A150)を使用し、ポジ型レジスト組成物を直径4インチのシリコンウェハ上に厚さ500nmになるように塗布した。そして、塗布したポジ型レジスト組成物を温度180℃のホットプレートで3分間加熱して、シリコンウェハ上にレジスト膜を形成した(レジスト膜形成工程)。そして、電子線描画装置(エリオニクス社製、ELS−S50)を用いて、電子線の照射量が互いに異なるパターン(寸法500μm×500μm)をレジスト膜上に複数描画し(露光工程)、レジスト用現像液として、表面張力が14.1mN/mであるフッ素系溶剤(三井・デュポンフロロケミカル株式会社製、バートレルXF(登録商標)、CF3CFHCFHCF2CF3)を用いて、温度23℃で1分間の現像処理を行った(現像工程)。そして、現像処理後の現像膜に対し、温度23℃の空気を5秒間吹き付けることで、現像膜を乾燥させた(乾燥工程)。なお、電子線の照射量は、4μC/cm2から200μC/cm2の範囲内で4μC/cm2ずつ異ならせた。次に、描画した部分のレジスト膜の厚みを光学式膜厚計(大日本スクリーン製、ラムダエース)で測定し、電子線の総照射量の常用対数と、現像後のレジスト膜の残膜率(=(現像後のレジスト膜の膜厚/シリコンウェハ上に形成したレジスト膜の膜厚)との関係を示す感度曲線を作成した。そして、得られた感度曲線(横軸:電子線の総照射量の常用対数、縦軸:レジスト膜の残膜率(0≦残膜率≦1.00))について、下記の式を用いてγ値を求めた。なお、下記の式中、E0は、残膜率0.20〜0.80の範囲において感度曲線を二次関数にフィッティングし、得られた二次関数(残膜率と総照射量の常用対数との関数)に対して残膜率0を代入した際に得られる総照射量の対数である。また、E1は、得られた二次関数上の残膜率0の点と残膜率0.50の点とを結ぶ直線(感度曲線の傾きの近似線)を作成し、得られた直線(残膜率と総照射量の常用対数との関数)に対して残膜率1.00を代入した際に得られる総照射量の対数である。そして、下記式は、残膜率0と1.00との間での上記直線の傾きを表している。
<Eth(感度)>
「γ値(明瞭性)」の評価方法と同様にしてシリコンウェハ上にレジスト膜を形成した。得られたレジスト膜の初期厚みT0を光学式膜厚計(大日本スクリーン製、ラムダエース)で測定した。また、γ値の算出の際に得られた直線(感度曲線の傾きの近似線)の残膜率が0となる際の、電子線の総照射量Eth(μC/cm2)を求めた。なお、Ethの値が小さいほど、レジスト膜の感度が高く、レジストパターンの形成効率が高いことを意味する。
実施例1と同様にして得られた重合物を、100gのTHFに溶解させ、得られた溶液をTHF150gとメタノール850gとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物(重合体)を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。得られた重合体について各種測定を行った。また、得られた重合体を用いた以外は実施例1と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製し、そしてレジストパターンを形成して各種評価を行った。結果を表1に示す。
重合開始剤であるアゾビスイソブチロニトリルの配合量を0.005231gに変更し、溶媒を添加しなかった以外は実施例1と同様にして重合物を得た。得られた重合物の重量平均分子量(Mw)は49744であり、数平均分子量(Mn)は30184であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.65であった。また、得られた重合物は、α−クロロアクリル酸2,2,2−トリフルオロエチル単位を50mol%、α−メチルスチレン単位を50mol%含んでいた。
得られた重合物を、100gのTHFに溶解させ、得られた溶液をTHF200gとメタノール800gとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物(重合体)を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。得られた重合体について各種測定を行った。また、得られた重合体を用いた以外は実施例1と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製し、そしてレジストパターンを形成して各種評価を行った。結果を表1に示す。
重合開始剤であるアゾビスイソブチロニトリルの配合量を0.069751gに変更し、溶媒であるシクロペンタノンの配合量を1.87gに変更した以外は実施例1と同様にして、重合物を得た。得られた重合物は、α−クロロアクリル酸2,2,2−トリフルオロエチル単位を50mol%、α−メチルスチレン単位を50mol%含んでいた。この重合物を、そのまま重合体とした。得られた重合体について各種測定を行った。また、得られた重合体を用いた以外は実施例1と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製し、そしてレジストパターンを形成して各種評価を行った。結果を表1に示す。
実施例4と同様にして得られた重合物を、100gのTHFに溶解させ、得られた溶液をTHF100gとメタノール900gとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物(重合体)を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。そして、得られた重合体について各種測定を行った。さらに、得られた重合体を用いた以外は実施例1と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製し、そしてレジストパターンを形成して各種評価を行った。結果を表1に示す。
<重合体の調製>
単量体(a)としてのα−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル(ACAPFP)3.0gおよび単量体(b)としてのα−メチルスチレン(AMS)3.4764gと、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル0.0055gと、溶媒としてのシクロペンタノン1.6205gを含む単量体組成物をガラス容器に入れ、ガラス容器を密閉および窒素置換して、窒素雰囲気下、78℃の恒温槽内で6時間撹拌した。その後、室温に戻し、ガラス容器内を大気解放した後、得られた溶液にテトラヒドロフラン(THF)10gを加えた。そして、THFを加えた溶液を、メタノール300g中に滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の凝固物(重合物)を得た。この重合物を、そのまま重合体とした。得られた重合体について各種測定を行った。また、得られた重合体は、α−クロロアクリル酸2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル単位を50mol%、α−メチルスチレン単位を50mol%含んでいた。
<ポジ型レジスト組成物の調製>
得られた重合体を溶剤としての酢酸n−ヘキシル(日本ゼオン社製、ZED−N60、製造上不可避的に混入した不純物を含む)に溶解させ、重合体の濃度が4質量%であるレジスト溶液(ポジ型レジスト組成物)を調製した。そして、実施例1と同様にしてレジストパターンを形成して、各種評価を行った。結果を表1に示す。
実施例6と同様にして得られた重合物を100gのTHFに溶解させ、得られた溶液をTHF150gとメタノール850gとの混合溶媒に滴下し、白色の凝固物(重合体)を析出させた。その後、析出した重合体を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の重合体を得た。そして、得られた重合体について各種測定を行った。さらに、得られた重合体を用いた以外は実施例6と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製し、そしてレジストパターンを形成して各種評価を行った。結果を表1に示す。
<重合体の調製>
単量体としてのα−クロロアクリル酸メチル(ACAM)3.0gおよびα−メチルスチレン(AMS)6.88gと、溶媒としてのシクロペンタノン2.47gと、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル0.01091gとを含む単量体組成物をガラス容器に入れ、ガラス容器を密閉および窒素置換して、窒素雰囲気下、78℃の恒温槽内で6.5時間撹拌した。その後、室温に戻し、ガラス容器内を大気解放した後、得られた溶液にテトラヒドロフラン(THF)30gを加えた。そして、THFを加えた溶液をメタノール300g中に滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液をキリヤマ漏斗によりろ過し、白色の凝固物(重合物)を得た。この重合物を、そのまま重合体とした。得られた重合体について各種測定を行った。また、得られた重合体は、α−メチルスチレン単位とα−クロロアクリル酸メチル単位とを50mol%ずつ含んでいた。
<ポジ型レジスト組成物の調製>
得られた重合体を溶剤としてのアニソールに溶解させ、重合体の濃度が11質量%であるレジスト溶液(ポジ型レジスト組成物)を調製した。そして、実施例1と同様にしてレジストパターンを形成して、各種評価を行った。結果を表1に示す。
比較例1と同様にして、ポジ型レジスト組成物を調製した。そして、レジスト用現像液として酢酸アミルを使用し、且つ、現像工程後に得られた現像膜をリンス液としてのイソプロピルアルコール(IPA)で10秒間リンスした後、現像膜表面に残存するリンス液を、空気を吹き付けることで除去した以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンを形成し、各種評価を行った。結果を表1に示す。
一方、ポジ型レジストとしてα−メチルスチレン・α−クロロアクリル酸メチル共重合体を用いた比較例1では、Ethが高く、低照射量で良好なレジストパターンが形成できないことがわかる。
また、ポジ型レジストとしてα−メチルスチレン・α−クロロアクリル酸メチル共重合体を用いると共に、現像液の除去を乾燥工程に替えてリンス工程で行った比較例2では、レジストパターン表面の残渣の生成を抑制できないことがわかる。
Claims (5)
- 下記一般式(I):
下記一般式(II):
前記レジスト膜を露光する工程と、
露光された前記レジスト膜を、表面張力が17mN/m以下であり且つフッ素系溶剤である現像液と接触させて現像し、現像膜を得る工程と、
前記現像膜表面に残存する前記現像液を乾燥により除去する工程と、
を含む、レジストパターン形成方法。 - 前記乾燥を、気体を吹き付けることにより行う、請求項1に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記R1が塩素原子である、請求項1または2に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記R3およびR4が水素原子または非置換のアルキル基である、請求項1〜3の何れかに記載のレジストパターン形成方法。
- 前記R5〜R9が水素原子または非置換のアルキル基である、請求項1〜4の何れかに記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016254061A JP6935669B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016254061A JP6935669B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018106066A JP2018106066A (ja) | 2018-07-05 |
JP6935669B2 true JP6935669B2 (ja) | 2021-09-15 |
Family
ID=62787149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016254061A Active JP6935669B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6935669B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7131292B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2022-09-06 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP7172495B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2022-11-16 | 日本ゼオン株式会社 | 重合体及びポジ型レジスト組成物 |
WO2023228692A1 (ja) * | 2022-05-27 | 2023-11-30 | 日本ゼオン株式会社 | 共重合体、共重合体混合物、及びポジ型レジスト組成物 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57118243A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | Toshiba Corp | Formation of fine resist pattern |
JPS5949536A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-22 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
JPS61170735A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Toray Ind Inc | ポリ(フルオロアルキルα−クロロアクリラ−ト)ないしそのコポリマの製造法 |
JP5937028B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2016-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、現像処理装置及び現像処理用記録媒体 |
-
2016
- 2016-12-27 JP JP2016254061A patent/JP6935669B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018106066A (ja) | 2018-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6958572B2 (ja) | 重合体、ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法 | |
JP6958362B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP6801679B2 (ja) | 重合体、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法 | |
JP6699203B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP7310275B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP6939571B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP6935669B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP6958040B2 (ja) | 積層体 | |
JP7207332B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP2018106062A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP7238454B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP2018106065A (ja) | ポジ型レジスト溶液及びレジストパターン形成方法 | |
TW202210537A (zh) | 共聚物、正型光阻組成物及光阻圖案形成方法 | |
JP7131292B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP2018106060A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP7121943B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP7172495B2 (ja) | 重合体及びポジ型レジスト組成物 | |
JP2021033293A (ja) | ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成キット | |
JP2021067811A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP2018106064A (ja) | ポジ型レジスト溶液及びレジストパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191023 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210727 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210809 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6935669 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |