JP6935468B2 - 発光素子、発光モジュール、照明装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
器に関する。
より詳しくは、本発明は、色純度に優れ、寿命の長い発光素子に関する。さらに、色純
度に優れ寿命の長い発光装置及び電子機器に関する。
開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の
物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質
からの発光を得ることができる。
く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として
好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できること
も大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
成することにより、面状の発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やLE
Dに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、
照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
るか、無機化合物であるかによって大別できるが、本発明は、発光性の物質に有機化合物
を用いるものである。
その場合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそ
れぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア
(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、
その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。
なお、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態
が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼
ばれている。
が多く、これらを克服するために素子構造の改良や材料開発等が行われている。
例えば、特許文献1では、発光層を二層とし、色系統の異なる蛍光性物質を複数種類ド
ーピングすることにより、色安定性を確保し、長寿命の有機EL素子を開示している。し
かしながら、特許文献1では、色系統の異なる蛍光性物質を複数種類ドーピングしている
ため、色安定性の良い白色発光を得ることはできるが、色純度の良い発光は得られない。
に比べ、低電圧での駆動が可能であるが、素子の寿命が短いという問題を有している。よ
って、発光素子のさらなる長寿命化が望まれている。
、寿命の長い発光素子を提供することを課題とする。また、色純度に優れ寿命の長い発光
装置及び電子機器を提供することも課題とする。
題を解決できることを見出した。
すなわち、両電極の間に正孔輸送層と電子輸送層がある場合には、発光領域を発光層と
正孔輸送層との界面や発光層と電子輸送層との界面ではなく、発光層の中央付近にするこ
とで、課題を解決できることを見出した。
また、正孔輸送層と電子輸送層がない場合にも、両電極と発光層との界面ではなく、発
光層の中央付近にすることで、課題を解決できることを見出した。
本発明は、前記のような知見に基づいて開発されたものであり、本発明の発光素子には
多くの態様がある。
と第2の層を有し、第1の層は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物とを有し、第2
の層は、第3の有機化合物と、第4の有機化合物とを有し、第1の層は、第2の層の第1
の電極側に設けられており、第2の有機化合物は電子輸送性を有し、第3の有機化合物は
電子トラップ性を有し、第4の有機化合物は電子輸送性を有し、第1の有機化合物の発光
色と第3の有機化合物の発光色は、同じ色系統であり、第1の電極の方が第2の電極より
も電位が高くなるように、第1の電極と第2の電極とに電圧を印加することにより、第1
の有機化合物からの発光が得られることを特徴とするものである。
第2の層を有し、第1の層は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物とを有し、第2の
層は、第3の有機化合物と、第4の有機化合物とを有し、第1の層は、第2の層の第1の
電極側に設けられており、第2の有機化合物は電子輸送性を有し、第3の有機化合物は第
4の有機化合物の最低空軌道準位より0.3eV以上低い最低空軌道準位を有し、第4の
有機化合物は電子輸送性を有し、第1の有機化合物の発光色と第3の有機化合物の発光色
は、同じ色系統であり、第1の電極の方が第2の電極よりも電位が高くなるように、第1
の電極と第2の電極とに電圧を印加することにより、第1の有機化合物からの発光が得ら
れることを特徴とするものである。
第2の層を有し、第1の層は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物とを有し、第2の
層は、第3の有機化合物と、第4の有機化合物とを有し、第1の層は、第2の層の第1の
電極側に設けられており、第2の有機化合物は電子輸送性を有し、第3の有機化合物は第
4の有機化合物の最低空軌道準位より0.3eV以上低い最低空軌道準位を有し、第4の
有機化合物は電子輸送性を有し、第1の有機化合物の発光スペクトルのピーク値と、第3
の有機化合物の発光スペクトルのピーク値の差は30nm以内であり、第1の電極の方が
第2の電極よりも電位が高くなるように、第1の電極と第2の電極とに電圧を印加するこ
とにより、第1の有機化合物からの発光が得られることを特徴とするものである。
輸送層と正孔輸送層との間に、第1の層と第2の層を有し、第1の層は、第1の有機化合
物と、第2の有機化合物とを有し、第2の層は、第3の有機化合物と、第4の有機化合物
とを有し、第1の層は、第2の層の第1の電極側に設けられており、第2の有機化合物は
電子輸送性を有し、第3の有機化合物は電子トラップ性を有し、第4の有機化合物は電子
輸送性を有し、第1の有機化合物の発光色と第3の有機化合物の発光色は、同じ色系統で
あり、第1の電極の方が第2の電極よりも電位が高くなるように、第1の電極と第2の電
極とに電圧を印加することにより、第1の有機化合物からの発光が得られることを特徴と
するものである。
輸送層と正孔輸送層との間に、第1の層と第2の層を有し、第1の層は、第1の有機化合
物と、第2の有機化合物とを有し、第2の層は、第3の有機化合物と、第4の有機化合物
とを有し、第1の層は、第2の層の第1の電極側に設けられており、第2の有機化合物は
電子輸送性を有し、第3の有機化合物は第4の有機化合物の最低空軌道準位より0.3e
V以上低い最低空軌道準位を有し、第4の有機化合物は電子輸送性を有し第1の有機化合
物の発光色と第3の有機化合物の発光色は、同じ色系統であり、第1の電極の方が第2の
電極よりも電位が高くなるように、第1の電極と第2の電極とに電圧を印加することによ
り、第1の有機化合物からの発光が得られることを特徴とするものである。
輸送層と正孔輸送層との間に、第1の層と第2の層を有し、第1の層は、第1の有機化合
物と、第2の有機化合物とを有し、第2の層は、第3の有機化合物と、第4の有機化合物
とを有し、第1の層は、第2の層の第1の電極側に設けられており、第2の有機化合物は
電子輸送性を有し、第3の有機化合物は第4の有機化合物の最低空軌道準位より0.3e
V以上低い最低空軌道準位を有し、第4の有機化合物は電子輸送性を有し、第1の有機化
合物の発光スペクトルのピーク値と、第3の有機化合物の発光スペクトルのピーク値の差
は30nm以内であり、第1の電極の方が第2の電極よりも電位が高くなるように、第1
の電極と第2の電極とに電圧を印加することにより、第1の有機化合物からの発光が得ら
れることを特徴とするものである。
ことが好ましい。
書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源(照明装置
を含む)等を含む。また、発光素子が形成されたパネルにコネクター、例えばFPC(Fl
exible printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding)テープもしくはT
CP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先
にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG(Chip On Glass)
方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュール等も全て発光装置に含むもので
ある。
さらに、発光素子がその発光を制御する制御手段を具備する場合についても本発明の発
光装置に含むものである。
さらに、本発明の電子機器は、表示部を有し、該表示部は、上述した発光素子と発光素子
の発光を制御する制御手段とを備えたものを含むことを特徴とする。
ではなく、発光層の中央付近に発光領域が形成されているため、素子が劣化しにくく、寿
命の長い発光素子を得ることができる。
なお、正孔輸送層と電子輸送層がない場合にも、両電極と発光層との界面ではなく、発
光層の中央付近にすることで、同様の効果を得ることができる。
同系色であるため、第1の有機化合物だけでなく、第3の有機化合物が発光しても、色純
度の良い発光を得ることができる。
さらに、本発明の発光素子を発光装置および電子機器に適用することにより、色純度に
優れ、寿命の長い発光装置および電子機器を得ることができる。
いて図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣
旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更することが可能であ
る。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではな
い。
本発明の発光素子の一態様について図1(A)を用いて以下に説明する。
本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。当該複数の層は、電極から離
れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結
合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層
を組み合わせて積層されたものである。
102と第2の電極104との間に設けられたEL層103とから構成されている。なお
、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極104は陰極として機能
するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極102の方が第2の電極104よ
りも電位が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電圧を印加したとき
に、発光が得られるものとして、以下説明をする。
、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の作製工程において支
持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には
、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化
珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO:Indium
Zinc Oxide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)
等が挙げられる。
を応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO)は、酸化
インジウムに対し1〜20wt%の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング
法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化イ
ンジウム(IWZO)は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、
酸化亜鉛を0.1〜1wt%含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成す
ることができる。
)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)
、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン:TiN)等が挙
げられる。
孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、またはバイポーラ
性(電子及び正孔の輸送性の高い物質)の物質等から成る層と、本実施の形態で示す発光
層とを適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電
子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。各層を構成する材料
について以下に具体的に示す。図1では、一例として、第1の電極102、正孔輸送層1
12、発光層111、電子輸送層113、第2の電極104が順に積層した構成を示して
いる。
は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン
酸化物(MoOx)やバナジウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タン
グステン酸化物(WOx)、マンガン酸化物(MnOx)等を用いることができる。この他
にも、フタロシアニン(略称:H2Pc)や銅フタロシアニン(略称:CuPc)等のフ
タロシアニン系の化合物、或いはポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(3,4−
スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層を形成
することができる。
合材料を用いることができる。このように正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を
含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶ
ことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事
関数の小さい材料を用いることができる。
なお、本明細書中において、複合とは、単に複数の材料を混合させるだけでなく、混合
することによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。
ラフルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる
。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8
族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオ
ブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸
化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも
安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など
、種々の化合物を用いることができる。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる正孔輸
送性の高い有機化合物を具体的に列挙する。
N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’−ビス[
N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DP
AB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−N’−フェニル
アミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,
5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(
略称:DPA3B)等を挙げることができる。
(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバ
ゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3
−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)
、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]
−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等を挙げることができる。
ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−
カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(N−カルバゾリル
)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)、1,4−ビス[4−(
N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等を用いるこ
とができる。
−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−
tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,
5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9
,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,1
0−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラ
セン(略称:DPAnth)等が挙げられる。
ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、9,10−ビス[
2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert−ブチル−アントラセン、9,10−ビ
ス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9
,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−
ジ(2−ナフチル)アントラセン等が挙げられる。
アントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、
10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−
ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テ
トラ(tert−ブチル)ペリレン等が挙げられる。さらに、この他、ペンタセン、コロ
ネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を
有し、炭素数14〜42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
く、そのような芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル
ビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニル
ビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
さらに、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフ
ェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。
しては、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニル(略称:NPBまたはα−NPD)やN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,
N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、
4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:T
DATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルア
ミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9
,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB
)などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層を
二層以上積層したものとしてもよい。
層は、第1の層121と第2の層122を有する。第1の層121は、第1の有機化合物
と第2の有機化合物とを有し、第2の層122は、第3の有機化合物と第4の有機化合物
を有する。
を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、N,N’−ビス[4−(
9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4
’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(
10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)などが挙げ
られる。
,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、N−[9
,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9−ジフェ
ニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9,10−
ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジ
アミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イ
ル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン
(略称:2DPABPhA)、9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−N
−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアントラセン−2
−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェニルアントラセン−9−ア
ミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる。
4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。さら
に、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)
テトラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,13−ジフェニル−N
,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオ
ランテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。
い物質であり、また、上述した発光性の高い物質を分散させる物質である。好ましくは正
孔と電子の移動度の差が10倍以内である、いわゆるバイポーラ性の材料である。具体的
には、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール
(略称:CzPA)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq
)、4,4’−(キノキサリン−2,3−ジイル)ビス(N,N−ジフェニルアニリン)
(略称:TPAQn)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、N
,N’−(キノキサリン−2,3−ジイルジ−4,1−フェニレン)ビス(N−フェニル
−1,1’−ビフェニル−4−アミン)(略称:BPAPQ)、4,4’−(キノキサリ
ン−2,3−ジイル)ビス{N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−
N−フェニルアニリン}(略称:YGAPQ)、9,10−ジフェニルアントラセン(略
称:DPAnth)などが挙げられる。
化合物である。したがって、第3の有機化合物は、第2の層122に含まれる第4の有機
化合物の最低空軌道準位(LUMO準位)より0.3eV以上低い最低空軌道準位(LU
MO準位)を有する有機化合物であることが好ましい。また、第3の有機化合物は発光し
てもよいが、その場合は発光素子の色純度を保つため、第1の有機化合物の発光色と第3
の有機化合物の発光色は同系色であることが好ましい。
すなわち、例えば前記第1の有機化合物がYGA2SやYGAPAのような青色系の発
光を示す場合、第3の有機化合物はアクリドン、クマリン102、クマリン6H、クマリ
ン480D、クマリン30などの青色〜青緑色の発光を示す物質が好ましい。
DPABPhA、2YGABPhA、DPhAPhAのような緑色系の発光を示す場合、
第3の有機化合物はN,N’−ジメチルキナクリドン(略称:DMQd)、N,N’−ジ
フェニルキナクリドン(略称:DPQd)、9,18−ジヒドロベンゾ[h]ベンゾ[7
,8]キノ[2,3−b]アクリジン−7,16−ジオン(略称:DMNQd−1)、9
,18−ジメチル−9,18−ジヒドロベンゾ[h]ベンゾ[7,8]キノ[2,3−b
]アクリジン−7,16−ジオン(略称:DMNQd−2)、クマリン30、クマリン6
、クマリン545T、クマリン153などの青緑色〜黄緑色の発光を示す物質が好ましい
。
3の有機化合物はDMQd、(2−{2−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェ
ニル]エテニル}−6−メチル−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略
称:DCMCz)などの黄緑色〜黄橙色の発光を示す物質が好ましい。
発光を示す場合、第3の有機化合物は(2−{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]
エテニル}−6−メチル−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:D
CM1)、{2−メチル−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベ
ンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパ
ンジニトリル(略称:DCM2)、{2−(1,1−ジメチルエチル)−6−[2−(2
,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ[i
j]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニト
リル(略称:DCJTB)、ナイルレッドなどの橙色〜赤色の発光を示す物質が好ましい
。上述した化合物は、発光素子に用いられる化合物の中でもLUMO準位が低い化合物で
あり、後述する第4の有機化合物に添加することで良好な電子トラップ性を示す。
、DMQd、DPQd、DMNQd−1、DMNQd−2のようなキナクリドン誘導体が
化学的に安定であるため好ましい。すなわち、キナクリドン誘導体を適用することにより
、特に発光素子を長寿命化することができる。また、キナクリドン誘導体は緑色系の発光
を示すため、本発明の発光素子の素子構造は、緑色系の発光素子に対して特に有効である
。緑色は、フルカラーディスプレイを作製する際には最も輝度が必要な色であるため、劣
化が他の色に比して大きくなってしまう場合があるが、本発明を適用することによりそれ
を改善することができる。
まり、正孔輸送性よりも電子輸送性の方が高い物質である。具体的には、トリス(8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(I
I)(略称:Znq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラ
ト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)
フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フ
ェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)等が挙げられる。
UMO準位より0.3eV以上低いことが好ましい。したがって、用いる第3の有機化合
物の種類に応じて、そのような条件を満たすように適宜第4の有機化合物を選択すればよ
い。例えば、実施例にて後述するように、第3の有機化合物としてDPQdを用いる場合
、第4の有機化合物としてAlqを用いることで、上述の条件を満たすようになる。
ましいため、第1の有機化合物の発光スペクトルのピーク値と第3の有機化合物の発光ス
ペクトルのピーク値との差は、30nm以内であることが好ましい。30nm以内である
ことにより、第1の有機化合物の発光色と第3の有機化合物の発光色は、同系色となる。
よって、電圧等の変化により、第3の有機化合物が発光した場合にも、発光素子の発光色
の変化を抑制することができる。
の方が発光効率が高い場合は、実質的に第1の有機化合物の発光のみが得られるように、
第2の層122における第3の有機化合物の濃度を調節する(第3の有機化合物の発光が
抑制されるように、その濃度を若干低くする)ことが好ましい。この場合、第1の有機化
合物の発光色と第3の有機化合物の発光色は同系色である(すなわち、同程度のエネルギ
ーギャップを持つ)ため、第1の有機化合物から第3の有機化合物へのエネルギー移動は
生じにくく、高い発光効率が得られる。
ノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリ
ノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h
]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト
)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)など、キノリン
骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。
さらに、この他ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称
:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:
ZnBTZ)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いる
ことができる。
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p
−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(
略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−
ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン
(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いることができる。
ここに述べた物質は、主に10-6cm3/Vs以上の電子移動度を有する物質である。
なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として
用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層を
二層以上積層したものとしてもよい。
である電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ化リチウム(LiF)、フ
ッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等のようなアルカリ金属もしく
はアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質か
らなる層中にアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を含有させたもの、例えばAlq中
にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いることもできる。なお、電子注入層と
して、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有
させたものを用いることにより、第2の電極104からの電子注入が効率良く行われるた
めより好ましい。
以下が好ましい。)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いる
ことができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族
に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、マグネ
シウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、
及びこれらを含む合金(MgAg、AlLi)、並びにユウロピウム(Eu)、イッテル
ビウム(Yb)等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第
2の電極104と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小
に関わらず、Al、Ag、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸
化スズ等様々な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。
ることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用い
ても構わない。さらに、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わ
ない。
との間に生じた電位差により電流が流れ、EL層103において正孔と電子とが再結合し
、発光するものである。より具体的には、EL層103中の発光層111において、第1
の層121および第1の層121と第2の層122との界面付近にかけて発光領域が形成
されるような構成となっている。この原理に関し、以下に説明する。
第1の電極102から注入された正孔は、正孔輸送層112を通り第1の層121に注入
される。ここで、第1の層121を構成する第2の有機化合物は、正孔輸送性よりも電子
輸送性の方が高い物質であり、好ましくは正孔と電子の移動度の差が10倍以内である、
いわゆるバイポーラ性の材料であるため、第1の層121に注入された正孔は移動が遅く
なる。
輸送層112と第1の層121との界面近傍に形成される。その場合、電子が正孔輸送層
112にまで達してしまい、正孔輸送層112を劣化させる恐れがある。また、経時的に
正孔輸送層112にまで達してしまう電子の量が増えていくと、経時的に再結合確率が低
下していくことになるため、輝度の経時劣化が起こってしまう。その結果、素子寿命の低
下に繋がってしまう。
れている点が特徴である。第2の電極104から注入された電子は、電子輸送層113を
通り第2の層122に注入される。ここで、第2の層122は、電子輸送性を有する第4
の有機化合物に、電子をトラップする機能を有する第3の有機化合物を添加した構成とな
っている。そのため、第2の層122に注入された電子は、その移動が遅くなり、第1の
層121への電子注入が制御される。
の発光領域が、本発明の発光素子においては、第1の層121から、第1の層121と第
2の層122との界面付近にかけて形成されることになる。したがって、電子が正孔輸送
層112にまで達してしまい、正孔輸送層112を劣化させる可能性が低くなる。また正
孔に関しても、第1の層121における第2の有機化合物が電子輸送性であるため、正孔
が電子輸送層113にまで達して電子輸送層113を劣化させる可能性は低い。
用するのではなく、電子輸送性を有する有機化合物に電子をトラップする機能を有する有
機化合物を添加している点が重要である。このような構成とすることで、単に第1の層1
21への電子注入を制御するだけではなく、その制御された電子注入量が経時的に変化す
るのを抑制することができる。また、第1の層121における第2の有機化合物が電子輸
送性であり、かつ第1の層121には発光物質である第1の有機化合物が添加されている
ため、第1の層121における正孔の量に関しても経時的に変化しにくい。以上のことか
ら本発明の発光素子は、発光素子において経時的にキャリアバランスが悪化して再結合確
率が低下していく現象を防ぐことができるため、輝度の経時劣化を抑制することができる
。したがって、素子寿命の向上に繋がる。
機化合物、第3の有機化合物及び第4の有機化合物の組み合わせにより、発光素子におい
て経時的にキャリアバランスが悪化して再結合確率が低下していく現象を防ぐことができ
、その結果輝度の経時劣化を抑制することができる長所を発現することについて、正孔輸
送層112及び電子輸送層113の存在する場合を例にして述べたが、この長所について
は正孔輸送層112及び電子輸送層113の存否にかかわりなく発現するものであり、そ
のことは以上の説明から自ずと理解できるところである。
外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方
または両方は、透光性を有する電極である。第1の電極102のみが透光性を有する電極
である場合、図1(A)に示すように、発光は第1の電極102を通って基板側から取り
出される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、図1(B)に
示すように、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極
102および第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、図1(C)に
示すように、発光は第1の電極102および第2の電極104を通って、基板側および基
板と逆側の両方から取り出される。
のには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように
、第1の電極102および第2の電極104から離れた部位に正孔と電子とが再結合する
発光領域を設けた構成であり、発光層が第1の層121と第2の層122とを有する構成
であれば、上記以外のものでもよい。
つまり、EL層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質、正孔輸
送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、またはバイポーラ性(
電子及び正孔の輸送性の高い物質)の物質等から成る層を、本発明の発光層と自由に組み
合わせて構成すればよい。
層303、陽極として機能する第1の電極302とが順に積層された構成となっている。
EL層303は、正孔輸送層312、発光層311、電子輸送層313を有し、発光層3
11は第1の層321と第2の層322を有する。第1の層321は、第2の層322よ
りも陽極として機能する第1の電極側に設けられている。
している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブ型の発光装置
を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば、
薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を
作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマト
リクス型の発光装置を作製できる。
のTFTでもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP
型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれ
か一方からのみなるものであってもよい。また、TFTに用いられる半導体膜の結晶性に
ついても特に限定されない。非晶質半導体膜を用いてもよいし、結晶性半導体膜を用いて
もよい。
の界面に発光領域が形成されているのではなく、発光層の中央付近に発光領域が形成され
ている。そのため、正孔輸送層や電子輸送層に発光領域が近接することによる、正孔輸送
層や電子輸送層の劣化の影響を受けることがない。また、キャリアバランスの経時的な変
化(特に電子注入量の経時的変化)を抑制することができる。したがって、劣化しにくく
、寿命の長い発光素子を得ることができる。
同系色であるため、第1の有機化合物だけでなく、第3の有機化合物が発光しても、色純
度の良い発光を得ることができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子(以下、
積層型素子という)の態様について、図3を参照して説明する。この発光素子は、第1の
電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する積層型発光素子である。発光ユ
ニットとしては、実施の形態1で示したEL層103と同様な構成を用いることができる
。つまり、実施の形態1で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であ
り、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子について説明する。
511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2
の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極501
と第2の電極502は実施の形態1と同様なものを適用することができる。また、第1の
発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であっ
てもよく、その構成は実施の形態1と同様なものを適用することができる。
化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態1で示した複合材料であり、有機化合物と
バナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機
化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化
合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができ
る。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10-6cm2
/Vs以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い
物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は
、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現す
ることができる。
より構成される層を組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複
合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合
物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材
料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。
荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方
の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い
。例えば、図3において、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるよう
に電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し
、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。
上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本
実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で
仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現
できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくでき
るので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発
光装置を実現することができる。
て、所望の色の発光を得ることができる。例えば2つの発光ユニットを有する発光素子に
おいて、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になる
ようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。
なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係に
ある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また
、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニ
ットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニ
ットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
また、本実施の形態においても他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
本実施の形態では、本発明の発光素子を有する発光装置について説明する。
本実施の形態では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図4を用いて
説明する。なお、図4(A)は、発光装置を示す上面図、図4(B)は図4(A)をA−
A’およびB−B’で切断した断面図である。点線で示された601は駆動回路部(ソー
ス側駆動回路)、602は画素部、603は駆動回路部(ゲート側駆動回路)である。ま
た、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空
間607になっている。
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプ
リントサーキット)609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント
配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光
装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものと
する。
部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601
と、画素部602中の一つの画素が示されている。
なお、ソース側駆動回路601はNチャネル型TFT623とPチャネル型TFT62
4とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路
、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板
上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を
基板上ではなく外部に形成することもできる。
ドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。
なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ
型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性ア
クリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有
する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッ
チャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となる
ポジ型のいずれも使用することができる。
ている。ここで、第1の電極613に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気
伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第1の電極を陽極として用
いる場合には、その中でも、仕事関数の大きい(仕事関数4.0eV以上)金属、合金、
電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。
窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタ
ンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とす
る膜と窒化チタン膜との3層構造等の積層膜を用いることができる。なお、積層構造とす
ると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として
機能させることができる。
法等の種々の方法によって形成される。EL層616は、実施の形態1及び実施の形態2
で示した発光層を有している。また、EL層616を構成する他の材料としては、低分子
化合物、または高分子化合物(オリゴマー、デンドリマーを含む)であっても良い。また
、EL層に用いる材料としては、有機化合物だけでなく、無機化合物を用いてもよい。
合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第2の電極を陰極として用いる場合
には、その中でも、仕事関数の小さい(仕事関数3.8eV以下)金属、合金、電気伝導
性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第
1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアル
カリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)
等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(MgAg、AlLi)等が挙げられる
。
617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜(酸化インジウム−酸化スズ(I
TO)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−
酸化亜鉛(IZO)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZ
O)等)との積層を用いることも可能である。
素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素
子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されてお
り、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材605が充填され
る場合もある。
料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板60
4に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass-Reinforced Plas
tics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラ
スチック基板を用いることができる。
その発光装置は、実施の形態1及び実施の形態2で示した発光素子を有する。そのため
、寿命の長い本発明の発光素子を含むことによって、寿命の長い発光装置を得ることがで
きる。また、色純度に優れた発光装置を得ることができる。
クティブ型の発光装置について説明したが、この他、トランジスタ等の駆動用の素子を特
に設けずに発光素子を駆動させるパッシブ型の発光装置であってもよい。図5には本発明
を適用して作製したパッシブ型の発光装置の斜視図を示す。
設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層95
3上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴
って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、
隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺(絶縁層953の面方向と同様の
方向を向き、絶縁層953と接する辺)の方が上辺(絶縁層953の面方向と同様の方向
を向き、絶縁層953と接しない辺)よりも短い。このように、隔壁層954を設けるこ
とで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブ型の発光
装置においても、寿命の長い本発明の発光素子を含むことによって、寿命の長い発光装置
を得ることができる。また、色純度に優れた発光装置を得ることができる。
本実施の形態では、実施の形態3に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器に
ついて説明する。本発明の電子機器は、実施の形態1及び実施の形態2で示した発光素子
を有する、寿命の長い表示部を有する。また、色純度に優れた発光素子を有するため、色
再現性に優れた表示部を得ることができる。
、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、
オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具
体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しう
る表示装置を備えた装置)などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図6に示す。
9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置に
おいて、表示部9103は、実施の形態1及び実施の形態2で説明したものと同様の発光
素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、寿命が長いという特徴
を有している。その発光素子で構成される表示部9103も同様の特徴を有するため、こ
のテレビ装置は寿命が長いという特徴を有している。つまり、長時間の使用に耐えうるテ
レビ装置を提供することができる。また、色純度に優れた発光素子を有するため、色再現
性に優れた表示部を有するテレビ装置を得ることができる。
9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングマウス920
6等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態1及び実施の形
態2で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発
光素子は、寿命が長いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部920
3も同様の特徴を有するため、このコンピュータは寿命が長いという特徴を有している。
つまり、長時間の使用に耐えうるコンピュータを提供することができる。また、色純度に
優れた発光素子を有するため、色再現性に優れた表示部を有するコンピュータを得ること
ができる。
03、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9
407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の
形態1及び実施の形態2で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成
されている。当該発光素子は、寿命が長いという特徴を有している。その発光素子で構成
される表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯電話は寿命が長いという特徴
を有している。つまり、長時間の使用に耐えうる携帯電話を提供することができる。また
、色純度に優れた発光素子を有するため、色再現性に優れた表示部を有する携帯電話を得
ることができる。
3、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9
507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラ
において、表示部9502は、実施の形態1及び実施の形態2で説明したものと同様の発
光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、寿命が長いという特
徴を有している。その発光素子で構成される表示部9502も同様の特徴を有するため、
このカメラは寿命が長いという特徴を有している。つまり、長時間の使用に耐えうるカメ
ラを提供することができる。また、色純度に優れた発光素子を有するため、色再現性に優
れた表示部を有するカメラを得ることができる。
の電子機器に適用することが可能である。本発明の発光装置を用いることにより、長時間
の使用に耐えうる、寿命の長い表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。ま
た、色再現性に優れた表示部を有する電子機器を得ることができる。
照明装置として用いる一態様を、図7を用いて説明する。
図7は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図
7に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体90
4を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト
903には、本発明の発光装置が用いられており、端子906により、電流が供給されて
いる。
バックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化
も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可
能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化
、低消費電力化も可能となる。
ある。図8に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002
として、本発明の発光装置が用いられている。本発明の発光装置は長寿命であるため、電
気スタンドも長寿命となる。
。本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることが
できる。また、本発明の発光装置は、長寿命であるため、長寿命の照明装置として用いる
ことが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001
として用いた部屋に、図6(A)で説明したような、本発明に係るテレビ装置3002を
設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は長寿命であ
るので、照明装置やテレビ装置の買い換え回数を減らすことができ、環境への負荷を低減
することができる。
で用いる有機化合物の構造式を以下に示す。
まず、ガラス基板2101上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタ
リング法にて成膜し、第1の電極2102を形成した。なお、その膜厚は110nmとし
、電極面積は2mm×2mmとした。
形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度ま
で減圧した後、第1の電極2102上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着するこ
とにより、複合材料を含む層2103を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸
化モリブデン(VI)の比率は、重量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるよう
に調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源を用いて同時に蒸着を
行う蒸着法である。
続いて、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、
正孔輸送層2104を形成した。
4上に、第1の有機化合物である9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニ
ル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)と、第2の有機化合物であるN−(9,1
0−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−ア
ミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、第1の発光層2121を30n
mの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=
CzPA:2PCAPA)となるように調節した。
アルミニウム(III)(略称:Alq)と、第3の有機化合物であるN,N’−ジフェニ
ルキナクリドン(略称:DPQd)とを共蒸着することにより、第2の層2122を10
nmの膜厚で形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005(=A
lq:DPQd)となるように調節した。
略称:BPhen)を30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層2106を形成し
、その後電子輸送層2106上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるよう
に成膜することにより、電子注入層2107を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極2108を形成し、発光素子1を作製した。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法
にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2m
m×2mmとした。
真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、第
1の電極上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、複合材料を含む
層を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデン(VI)の比率は、重量
比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。
その後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、
正孔輸送層を形成した。
リル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とN−(9,10−ジフェニ
ル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:
2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層を40nmの膜厚で形成した。ここで
、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=CzPA:2PCAPA)と
なるように調節した。
hen)を30nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層を形成した。
その電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜する
ことにより、電子注入層を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極を形成し、比較発光素子2を作製した。
す。また、輝度−電流効率特性を図13に示す。また、1mAの電流を流したときの発光
スペクトルを図14に示す。
発光素子1は、輝度3000cd/m2のときのCIE色度座標は(x=0.29、y
=0.62)であり、緑色の発光を示した。また、輝度3000cd/m2のときの電流
効率は10.7cd/Aであり、電圧は5.8V、電流密度は、29.4mA/cm2で
あった。
続点灯試験を行ったところ、640時間後でも初期輝度の89%の輝度を保っており、長
寿命な発光素子であることがわかった。一方、比較発光素子2に関し、同様に初期輝度を
3000cd/m2とした連続点灯試験を行ったところ、640時間後では輝度が初期輝
度の76%にまで低下しており、発光素子1よりも寿命が短かった。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
本実施例2では、本発明の発光素子について図10を用いて具体的に説明する。
まず、ガラス基板2101上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタ
リング法にて成膜し、第1の電極2102を形成した。なお、その膜厚は110nmとし
、電極面積は2mm×2mmとした。
形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度ま
で減圧した後、第1の電極2102上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着するこ
とにより、複合材料を含む層2103を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸
化モリブデン(VI)の比率は、重量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるよう
に調節した。
その後、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、
正孔輸送層2104を形成した。
4上に、第2の有機化合物である9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニ
ル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)と、第1の有機化合物であるN−(9,1
0−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−ア
ミン(略称:2PCAPA)とを共蒸着することにより、第1の発光層2121を30n
mの膜厚で形成した。ここで、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=
CzPA:2PCAPA)となるように調節した。
アルミニウム(III)(略称:Alq)と、第3の有機化合物であるN,N’−ジフェニ
ルキナクリドン(略称:DPQd)とを共蒸着することにより、第2の層2122を10
nmの膜厚で形成した。ここで、AlqとDPQdとの重量比は、1:0.005(=A
lq:DPQd)となるように調節した。
なるように成膜し、電子輸送層2106を形成した。
さらに、電子輸送層2106上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるよ
うに成膜することにより、電子注入層2107を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極2108を形成し、発光素子3を作製した。
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含む酸化インジウム−酸化スズをスパッタリング法
にて成膜し、第1の電極を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2m
m×2mmとした。
続いて、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板
を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、
第1の電極上に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニル(略称:NPB)と酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、複合材料を含
む層を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデン(VI)の比率は、重
量比で4:1=(NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)を10nmの膜厚となるように成膜し、正
孔輸送層を形成した。
続いて、正孔輸送層上に、発光層を形成した。9−[4−(10−フェニル−9−アン
トリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)とN−(9,10−ジフェ
ニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称
:2PCAPA)とを共蒸着することにより、発光層を40nmの膜厚で形成した。ここ
で、CzPAと2PCAPAとの重量比は、1:0.05(=CzPA:2PCAPA)
となるように調節した。
に成膜し、電子輸送層を形成した。
さらに、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように成膜
することにより、電子注入層を形成した。
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、アルミニウムを200nmの膜厚となるように
成膜することにより、第2の電極を形成し、比較発光素子4を作製した。
す。また、輝度−電流効率特性を図17に示す。また、1mAの電流を流したときの発光
スペクトルを図18に示す。
発光素子3は、輝度3000cd/m2のときのCIE色度座標は(x=0.29、y
=0.62)であり、緑色の発光を示した。また、輝度3000cd/m2のときの電流
効率は11.0cd/Aであり、電圧は8.0V、電流密度は、28.3mA/cm2で
あった。
続点灯試験を行ったところ、640時間後でも初期輝度の90%の輝度を保っており、長
寿命な発光素子であることがわかった。一方、比較発光素子4に関し、同様に初期輝度を
3000cd/m2とした連続点灯試験を行ったところ、470時間後には初期輝度の8
8%にまで輝度が低下しており、発光素子3よりも寿命が短かった。
よって、本発明を適用することにより、長寿命な発光素子が得られることがわかった。
る第2の層に用いた、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq
)と、N,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)の還元反応特性について、
サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。また、その測定から、Alq
およびDPQdのLUMO準位を求めた。なお測定には、電気化学アナライザー(ビー・
エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A)を用いた。
ルドリッチ製、99.8%、カタログ番号;22705−6)を用い、支持電解質である
過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−Bu4NClO4)((株)東京化成製、
カタログ番号;T0836)を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに
測定対象を1mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極とし
ては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金
電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照
電極としてはAg/Ag+電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極
)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温(20〜25℃)で行った。
まず、本実施例3で用いる参照電極(Ag/Ag+電極)の真空準位に対するポテンシ
ャルエネルギー(eV)を算出した。つまり、Ag/Ag+電極のフェルミ準位を算出し
た。メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位は、標準水素電極に対して+0.6
10[V vs. SHE]であることが知られている(参考文献;Christian R.Goldsm
ith et al., J.Am.Chem.Soc., Vol.124, No.1,83-96, 2002)。一方、本実施例3で用い
る参照電極を用いて、メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位を求めたところ、
+0.20V[vs.Ag/Ag+]であった。したがって、本実施例3で用いる参照電
極のポテンシャルエネルギーは、標準水素電極に対して0.41[eV]低くなっている
ことがわかった。
ることが知られている(参考文献;大西敏博・小山珠美著、高分子EL材料(共立出版)
、p.64−67)。以上のことから、本実施例3で用いる参照電極の真空準位に対する
ポテンシャルエネルギーは、−4.44−0.41=−4.85[eV]であると算出で
きた。
本測定例1では、Alqの還元反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(CV
)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図19に示
す。なお、還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.69Vから
−2.40Vまで走査した後、−2.40Vから−0.69Vまで走査することにより行
った。
.12Vと読み取ることができる。したがって、半波電位(EpcとEpaの中間の電位)は
−2.16Vと算出できる。このことは、Alqは−2.16[V vs.Ag/Ag+
]の電気エネルギーにより還元されることを示しており、このエネルギーはLUMO準位
に相当する。ここで、上述した通り、本実施例3で用いる参照電極の真空準位に対するポ
テンシャルエネルギーは、−4.85[eV]であるため、AlqのLUMO準位は、−
4.85−(−2.16)=−2.69[eV]であることがわかった。
本測定例2では、DPQdの還元反応特性について、サイクリックボルタンメトリ(C
V)測定によって調べた。スキャン速度は0.1V/secとした。測定結果を図20に
示す。なお、還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.40Vか
ら−2.10Vまで走査した後、−2.10Vから−0.40Vまで走査することにより
行った。また、DPQdは溶解性が悪く、1mmol/Lの濃度となるように溶液を調製
しようとしても溶け残りが生じたため、溶け残りが沈殿した状態で上澄み液を採取し、測
定に使用した。
.63Vと読み取ることができる。したがって、半波電位(EpcとEpaの中間の電位)は
−1.66Vと算出できる。このことは、DPQdは−1.66[V vs.Ag/Ag
+]の電気エネルギーにより還元されることを示しており、このエネルギーはLUMO準
位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例3で用いる参照電極の真空準位に対する
ポテンシャルエネルギーは、−4.85[eV]であるため、DPQdのLUMO準位は
、−4.85−(−1.66)=−3.19[eV]であることがわかった。
dのLUMO準位はAlqよりも0.50[eV]も低いことがわかる。このことは、D
PQdをAlq中に添加することにより、DPQdが電子トラップとして作用することを
意味する。したがって、本発明の発光素子の第2の層において、第3の有機化合物として
DPQdを、第4の有機化合物としてAlqを用いた実施例1および実施例2の素子構造
は、本発明に好適な構造である。
102 第1の電極
103 EL層
104 第2の電極
111 発光層
112 正孔輸送層
113 電子輸送層
121 第1の層
122 第2の層
301 基板
302 第1の電極
303 EL層
304 第2の電極
311 発光層
312 正孔輸送層
313 電子輸送層
321 第1の層
322 第2の層
501 第1の電極
502 第2の電極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 ソース側駆動回路
602 画素部
603 ゲート側駆動回路
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 引き回し配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用TFT
612 電流制御用TFT
613 第1の電極
614 絶縁物
616 EL層
617 第2の電極
618 発光素子
623 Nチャネル型TFT
624 Pチャネル型TFT
901 筐体
902 液晶層
903 バックライト
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 EL層
956 電極
2001 筐体
2002 光源
2101 ガラス基板
2102 第1の電極
2103 複合材料を含む層
2104 正孔輸送層
2105 発光層
2106 電子輸送層
2107 電子注入層
2108 第2の電極
2121 第1の発光層
2122 第2の発光層
3001 照明装置
3002 テレビ装置
9101 筐体
9102 支持台
9103 表示部
9104 スピーカー部
9105 ビデオ入力端子
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングマウス
9401 本体
9402 筐体
9403 表示部
9404 音声入力部
9405 音声出力部
9406 操作キー
9407 外部接続ポート
9408 アンテナ
9501 本体
9502 表示部
9503 筐体
9504 外部接続ポート
9505 リモコン受信部
9506 受像部
9507 バッテリー
9508 音声入力部
9509 操作キー
9510 接眼部
Claims (7)
- 陽極と陰極との間に、アクセプター性物質を有する層と、発光層とを有し、
前記発光層は、第1の層と、第2の層と、を有し、
前記第1の層と前記第2の層とは接しており、
前記アクセプター性物質を有する層は、前記陽極と前記第1の層との間に位置し、
前記第1の層は、発光性を有する第1の有機化合物と、電子輸送性を有する第2の有機化合物とを有し、
前記第2の層は、発光性を有する第3の有機化合物と、電子輸送性を有する第4の有機化合物とを有し、
前記第3の有機化合物は、電子トラップ性を有し、
前記第1の有機化合物の発光スペクトルのピーク値と、前記第3の有機化合物の発光スペクトルのピーク値の差は30nm以内である発光素子。 - 陽極と陰極との間に、アクセプター性物質を有する層と、発光層とを有し、
前記発光層は、第1の層と、第2の層と、を有し、
前記第1の層と前記第2の層とは接しており、
前記アクセプター性物質を有する層は、前記陽極と前記第1の層との間に位置し、
前記第1の層は、発光性を有する第1の有機化合物と、電子輸送性を有する第2の有機化合物とを有し、
前記第2の層は、発光性を有する第3の有機化合物と、電子輸送性を有する第4の有機化合物とを有し、
前記第3の有機化合物のLUMO準位は、前記第4の有機化合物のLUMO準位よりも0.3eV以上低く、
前記第1の有機化合物の発光スペクトルのピーク値と、前記第3の有機化合物の発光スペクトルのピーク値の差は30nm以内である発光素子。 - 陽極と陰極との間に、アクセプター性物質を有する層と、発光層とを有し、
前記発光層は、第1の層と、第2の層と、を有し、
前記第1の層と前記第2の層とは接しており、
前記アクセプター性物質を有する層は、前記陽極と前記第1の層との間に位置し、
前記第1の層は、発光性を有する第1の有機化合物と、電子輸送性を有する第2の有機化合物とを有し、
前記第2の層は、発光性を有する第3の有機化合物と、電子輸送性を有する第4の有機化合物とを有し、
前記第3の有機化合物は、電子トラップ性を有し、
前記第1の有機化合物の発光色と、前記第3の有機化合物の発光色とは、同じ色系統である発光素子。 - 陽極と陰極との間に、アクセプター性物質を有する層と、発光層とを有し、
前記発光層は、第1の層と、第2の層と、を有し、
前記第1の層と前記第2の層とは接しており、
前記アクセプター性物質を有する層は、前記陽極と前記第1の層との間に位置し、
前記第1の層は、発光性を有する第1の有機化合物と、電子輸送性を有する第2の有機化合物とを有し、
前記第2の層は、発光性を有する第3の有機化合物と、電子輸送性を有する第4の有機化合物とを有し、
前記第3の有機化合物のLUMO準位は、前記第4の有機化合物のLUMO準位よりも0.3eV以上低く、
前記第1の有機化合物の発光色と、前記第3の有機化合物の発光色とは、同じ色系統である発光素子。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光素子と、プリント配線基板またはフレキシブルプリントサーキットとを有する発光モジュール。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光素子または請求項5に記載の発光モジュールと、筐体とを有する照明装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光素子または請求項5に記載の発光モジュールと、操作キー、アンテナ、キーボード、バッテリー、音声入力部、またはスピーカーとを有する電子機器。
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US8564215B2 (en) * | 2009-09-25 | 2013-10-22 | Panasonic Corporation | Light emitting module device, light emitting module used in the device, and lighting apparatus provided with the device |
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US11917840B2 (en) | 2018-05-18 | 2024-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device with reflective electrode and light-emitting layer |
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CN111244293B (zh) * | 2018-11-28 | 2021-10-22 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3332491B2 (ja) | 1993-08-27 | 2002-10-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子 |
JP2795194B2 (ja) * | 1994-09-22 | 1998-09-10 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
WO1998008360A1 (fr) * | 1996-08-19 | 1998-02-26 | Tdk Corporation | Dispositif electroluminescent organique |
JP3949214B2 (ja) | 1997-03-18 | 2007-07-25 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3525034B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2004-05-10 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3370011B2 (ja) | 1998-05-19 | 2003-01-27 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2000068057A (ja) | 1998-06-12 | 2000-03-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3287344B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2002-06-04 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
US6936485B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device |
US6475648B1 (en) * | 2000-06-08 | 2002-11-05 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency |
JP2002072963A (ja) | 2000-06-12 | 2002-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ |
JP2002075654A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US7030847B2 (en) | 2000-11-07 | 2006-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
JP4101863B2 (ja) | 2000-11-07 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、半導体装置及び電子機器 |
JP2002184575A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-28 | Tdk Corp | 有機elディスプレイ装置 |
JP4566453B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2010-10-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機電界発光素子 |
JP2002373787A (ja) * | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4329305B2 (ja) | 2001-08-27 | 2009-09-09 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
JP3855999B2 (ja) * | 2001-10-26 | 2006-12-13 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6759146B2 (en) | 2001-11-08 | 2004-07-06 | Xerox Corporation | Organic devices |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
CA2483650A1 (en) | 2002-05-31 | 2003-12-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Copolymers having tunable energy levels and color of emission |
US20040001969A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-01 | Eastman Kodak Company | Device containing green organic light-emitting diode |
US6720092B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-04-13 | Eastman Kodak Company | White organic light-emitting devices using rubrene layer |
JP4287198B2 (ja) | 2002-11-18 | 2009-07-01 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7052351B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-05-30 | Eastman Kodak Company | Using hole- or electron-blocking layers in color OLEDS |
JP4531342B2 (ja) | 2003-03-17 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 白色有機発光素子および発光装置 |
US7037601B2 (en) * | 2003-05-28 | 2006-05-02 | Eastman Kodak Company | White light-emitting device structures |
WO2004107471A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Eastman Kodak Company | White light-emitting device structures |
JP2005038763A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
JP4899284B2 (ja) | 2003-07-18 | 2012-03-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
US6963081B2 (en) | 2003-09-30 | 2005-11-08 | Osram Otpo Semiconductors Gmbh | Interfacial trap layer to improve carrier injection |
US20050100760A1 (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-12 | Pentax Corporation | White organic electroluminescent device |
TWI224943B (en) * | 2003-10-29 | 2004-12-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescence device and fabricating method thereof |
JP2005174675A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Sony Corp | 有機電界発光素子及び発光装置 |
US7045952B2 (en) * | 2004-03-04 | 2006-05-16 | Universal Display Corporation | OLEDs with mixed host emissive layer |
JP4408382B2 (ja) | 2004-03-18 | 2010-02-03 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
JP2005310742A (ja) | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4947909B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2012-06-06 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4393249B2 (ja) | 2004-03-31 | 2010-01-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光素子,画像表示装置、及びその製造方法 |
JP4610408B2 (ja) | 2004-04-28 | 2011-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子およびその作製方法、並びに発光装置 |
US7772596B2 (en) | 2004-04-28 | 2010-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light-emitting element and method of manufacturing the same, and light-emitting device using the light-emitting element |
TW200537970A (en) * | 2004-05-03 | 2005-11-16 | Wintek Corp | White organic electroluminescence device |
US7622200B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element |
JP4823566B2 (ja) | 2004-05-21 | 2011-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、表示装置及びテレビ受像器 |
KR101215279B1 (ko) | 2004-05-21 | 2012-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명 장치 |
US7245297B2 (en) * | 2004-05-22 | 2007-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US7288330B2 (en) | 2004-07-01 | 2007-10-30 | Eaastman Kodak Company | High performance white light-emitting OLED device |
JP4916137B2 (ja) | 2004-07-29 | 2012-04-11 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4315874B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2009-08-19 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
TWI382079B (zh) | 2004-07-30 | 2013-01-11 | Sanyo Electric Co | 有機電場發光元件及有機電場發光顯示裝置 |
JP2006066380A (ja) | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
KR100595928B1 (ko) * | 2004-07-30 | 2006-07-03 | 학교법인 대양학원 | 혼합 호스트 재료를 채용한 점선 도핑 구조의 발광층을갖는 유기발광소자 |
US7273663B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-09-25 | Eastman Kodak Company | White OLED having multiple white electroluminescence units |
KR101362468B1 (ko) | 2004-09-13 | 2014-02-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
JP4956893B2 (ja) | 2004-10-19 | 2012-06-20 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2006127969A (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機el素子 |
JP4653469B2 (ja) | 2004-12-01 | 2011-03-16 | 出光興産株式会社 | 有機電界発光素子 |
TWI249971B (en) * | 2005-02-05 | 2006-02-21 | Au Optronics Corp | Organic light emitting diode and display apparatus including the same |
JP2006328223A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 高分子有機電子材料の製造方法、高分子有機電子材料及び有機電界発光素子 |
TWI316082B (en) * | 2005-10-26 | 2009-10-21 | Au Optronics Corp | Phosphorescent organic light-emitting diodes |
WO2007069741A1 (ja) | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP1876658A3 (en) * | 2006-07-04 | 2014-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
DE502007005506D1 (de) | 2006-12-28 | 2010-12-09 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum beheizen eines in einem abgasbereich eines verbrennungsprozesses angeordneten katalysators und vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
US20080284318A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Deaton Joseph C | Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds |
-
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