JP6935175B2 - 膜、光デバイス、電子デバイス、光電変換装置、および膜の製造方法 - Google Patents
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Description
一般式AnBmXzで表される組成を有する結晶を含み、
Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数であり、
Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数であり、
Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数であり、
(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2が成り立ち、
前記結晶は、
Xに含まれる元素または元素群の第1イオンを含み、
それぞれ六つの前記第1イオンからなる複数の八面体単位が稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった構造を有する膜
が提供される。
上記の膜を含む光デバイス
が提供される。
上記の膜を含む電子デバイス
が提供される。
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極の間に位置する光電変換層とを備え、
前記光電変換層は、上記の膜を含む光電変換装置
が提供される。
結晶を含む膜の製造方法であって、
それぞれ一以上の元素又は元素群であるA、B、およびXと、溶媒とを含む前駆体膜を形成する工程と、
前記前駆体膜を第1温度で乾燥させる工程と、
前記第1温度よりも高い第2温度で前記前駆体膜を加熱処理する工程とを含み、
Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数であり、
Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数であり、
Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数であり、
前記結晶は一般式AnBmXzで表される組成を有し、
(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2が成り立ち、
前記結晶は、
Xに含まれる元素または元素群の第1イオンを含み、
それぞれ六つの前記第1イオンからなる複数の八面体単位が稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった構造を有する、膜の製造方法
が提供される。
一般式AnBmXzで表される組成を有する結晶を含み、
Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数であり、
Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数であり、
Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数であり、
(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2かつn/m≧0.8が成り立つ膜
が提供される。
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極の間に位置する光電変換層とを備え、
前記光電変換層は、上記の膜を有する光電変換装置
が提供される。
結晶を含む膜の製造方法であって、
それぞれ一以上の元素又は元素群であるA、B、およびXと、溶媒とを含む前駆体膜を形成する工程と、
前記前駆体膜を第1温度で乾燥させる工程と、
前記第1温度よりも高い第2温度で前記前駆体膜を加熱処理する工程とを含み、
Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数であり、
Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数であり、
Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数であり、
前記結晶は一般式AnBmXzで表される組成を有し、
(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2かつn/m≧0.8が成り立つ膜の製造方法
が提供される。
図1は、第1の実施形態に係る膜に含まれる結晶CLの構造を例示する図である。本実施形態に係る膜は、一般式AnBmXzで表される組成を有する結晶CLを含む。Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数である。Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数である。Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数である。ここで、(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2が成り立つ。以下に詳しく説明する。
(測定条件)
X線源:Cu Kα
X線波長:1.5405Å、1.5443Å
読取幅:0.02°
走査速度:5deg/min
測定範囲:2θ=10〜70°
測定温度:室温
図7は、第2の実施形態に係る光電変換装置20の構造を例示する断面図である。光電変換装置20は、第1電極210、第2電極220、および光電変換層230を備える。光電変換層230は、第1電極210および第2電極220の間に位置する。光電変換層230は、第1の実施形態に係る膜FLを有する。すなわち、光電変換層230は、一般式AnBmXzで表される組成を有する結晶CLを含む膜FLを有する。ここで、Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数である。Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数である。Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数である。また、(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2が成り立つ。以下に詳しく説明する。
<実施例1>
実施例1では、以下のようにして2cm角のglass(1.7mm)の上に、FTO(1μm)、TiO2(20nm)、m−TiO2とAg3BiI6との混合層(120nm)、Ag3BiI6(650nm)、PTAA(50nm)、
Au(50nm)がこの順で形成されたセル構造を有する太陽電池素子(光電変換装置)を大気下にて作製した。
実施例2では、溶液B1の代わりに、CuIおよびBiI3を溶媒に溶かした溶液B2を用いた点以外は、実施例1と同様にして2cm角のglass(1.7mm)の上に、FTO(1μm)、TiO2(20nm)、m−TiO2とCuBiI4との混合層(120nm)、CuBiI4(650nm)、PTAA(50nm)、Au(50nm)がこの順で形成されたセル構造を有する光電変換装置を大気下にて作製した。
比較例1では、以下に説明する点以外は、実施例1と同様にして2cm角のglass(1.7mm)の上に、FTO(1μm)、TiO2(20nm)、m−TiO2とMaPbI3との混合層(120nm)、MaPbI3(650nm)、PTAA(50nm)、Au(50nm)がこの順で形成されたセル構造を有する光電変換装置を大気下にて作製した。すなわち、比較例1では、溶液B1の代わりに、MaIおよびPbI2を溶媒に溶かした溶液B3を用いた。また、溶液B3をスピンコートする前の基板を70℃に温め、加熱処理は70℃10分間、さらに80℃10分間の条件で行った。なお、MaはCH3NH3を示す。
比較例2では、溶液B3の代わりに、MaIおよびSnI2を溶媒に溶かした溶液B4を用いた点以外は、比較例1と同様にして2cm角のglass(1.7mm)の上に、FTO(1μm)、TiO2(20nm)、m−TiO2とMaSnI3との混合層(120nm)、MaSnI3(650nm)、PTAA(50nm)、Au(50nm)がこの順で形成されたセル構造を有する光電変換装置を大気下にて作製した。
光電変換層に含まれる結晶の組成および構造を評価した。評価は光電変換層の形成後、正孔輸送層用溶液を塗布する前に、光電変換層の露出面に対してX線回折法を用いて行った。評価には、X線回折装置(リガク社製、RIGAKU Rad B−system)を用い、測定条件は以下の通りとした。
(測定条件)
X線源:Cu Kα
X線波長:1.5405Å、1.5443Å
読取幅:0.02°
走査速度:5deg/min
測定範囲:2θ=10〜70°
測定温度:室温
光電変換装置を大気下で2時間放置したのち、光電変換装置の電流−電圧特性(I−V特性)を測定した。得られた電流−電圧特性から、光電変換装置のエネルギー変換効率(PCE)を求めた。その結果、表2に示すように、実施例1および実施例2の光電変換装置において、高いエネルギー変換効率を実現できた。
上記の変換効率の評価を行った直後の光電変換装置の表面の色と、さらに2日間大気下に放置した後の光電変換装置の表面の色との違いを目視で観察した。その結果、黒色から黄色への変化(黄変退色,黄変劣化)が見られた場合を×、見られなかった場合を○として評価した。その結果、表2に示すように、実施例1および実施例2では大気安定性が高く、比較例1及び比較例2では大気安定性が低かった。
1−1. 一般式AnBmXzで表される組成を有する結晶を含み、
Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数であり、
Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数であり、
Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数であり、
(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2が成り立つ膜。
1−2. 1−1.に記載の膜において、
n/m≧0.8が成り立つ膜。
1−3. 1−1.または1−2.に記載の膜において、
前記結晶は、
Xに含まれる元素または元素群の第1イオンを含み、
それぞれ六つの前記第1イオンからなる複数の八面体単位が稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった構造を有する膜。
1−4. 1−3.に記載の膜において、
前記結晶は、
中心にイオンが存在しない第1の前記八面体単位と、
Aに含まれる元素または元素群の第2イオンが中心に位置する第2の前記八面体単位と、
Bに含まれる元素の第3イオンが中心に位置する第3の前記八面体単位とを含む膜。
1−5. 1−4.に記載の膜において、
前記結晶は、前記複数の八面体単位が、稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった板状単位を含む膜。
1−6. 1−5.に記載の膜において、
前記結晶は、複数の前記板状単位が積層した構造を含む膜。
1−7. 1−6.に記載の膜において、
前記複数の板状単位は、第1の前記板状単位と第2の前記板状単位とを含み、
前記第1の板状単位における、前記第1の板状単位を構成する八面体単位の総数に対する、前記第1の八面体単位の比率をv'、前記第2の八面体単位の比率をa'、前記第3の八面体単位の比率をb'とし、
前記第2の板状単位における、前記第2の板状単位を構成する八面体単位の総数に対する、前記第1の八面体単位の比率をv''、前記第2の八面体単位の比率をa''、前記第3の八面体単位の比率をb''としたとき、
a':b':v'で表される比とa'':b'':v''で表される比とが互いに異なり、
前記結晶は、前記第1の板状単位と、前記第2の板状単位とが交互に積層した構造を含む膜。
1−8. 1−7.に記載の膜において、
v'およびv''の少なくとも一方が0.1以下である膜。
1−9. 1−7.または1−8.に記載の膜において、
a'およびa''の少なくとも一方が0.1以下である膜。
1−10. 1−1.から1−9.のいずれか一つに記載の膜において、
0.8≦n/m≦1.2または2.4≦n/m≦3.6が成り立つ膜。
1−11. 1−1.から1−10.のいずれか一つに記載の膜において、
AがAgであり、BがBiであり、XがIであり、
2.4≦n/m≦3.6であり、
X線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる膜。
1−12. 1−1.から1−10.のいずれか一つに記載の膜において、
AがCuであり、BがBiであり、XがIであり、
0.8≦n/m≦1.2であり、
X線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる膜。
1−13. 1−1.から1−12.のいずれか一つに記載の膜において、
多結晶膜である膜。
1−14. 1−1.から1−13.のいずれか一つに記載の膜を含む光デバイス。
1−15. 1−1.から1−13.のいずれか一つに記載の膜を含む電子デバイス。
2−1. 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極の間に位置する光電変換層とを備え、
前記光電変換層は、一般式AnBmXzで表される組成を有する結晶を含む膜を有し、
Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数であり、
Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数であり、
Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数であり、
(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2が成り立つ光電変換装置。
2−2. 2−1.に記載の光電変換装置において、
n/m≧0.8が成り立つ光電変換装置。
2−3. 2−1.または2−2.に記載の光電変換装置において、
前記結晶は、
Xに含まれる元素または元素群の第1イオンを含み、
それぞれ六つの前記第1イオンからなる複数の八面体単位が稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった構造を有する光電変換装置。
2−4. 2−3.に記載の光電変換装置において、
前記結晶は、
中心にイオンが位置しない第1の前記八面体単位と、
Aに含まれる元素または元素群の第2イオンが中心に位置する第2の前記八面体単位と、
Bに含まれる元素の第3イオンが中心に位置する第3の前記八面体単位とを含む光電変換装置。
2−5. 2−4.に記載の光電変換装置において、
前記結晶は、前記複数の八面体単位が、稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった板状単位を含む光電変換装置。
2−6. 2−5.に記載の光電変換装置において、
前記結晶は、複数の前記板状単位が積層した構造を含む光電変換装置。
2−7. 2−6.に記載の光電変換装置において、
前記複数の板状単位は、第1の前記板状単位と第2の前記板状単位とを含み、
前記第1の板状単位における、前記第1の板状単位を構成する八面体単位の総数に対する、前記第1の八面体単位の比率をv'、前記第2の八面体単位の比率をa'、前記第3の八面体単位の比率をb'とし、
前記第2の板状単位における、前記第2の板状単位を構成する八面体単位の総数に対する、前記第1の八面体単位の比率をv''、前記第2の八面体単位の比率をa''、前記第3の八面体単位の比率をb''としたとき、
a':b':v'で表される比とa'':b'':v''で表される比とが互いに異なり、
前記結晶は、前記第1の板状単位と、前記第2の板状単位とが交互に積層した構造を含む光電変換装置。
2−8. 2−7.に記載の光電変換装置において、
v'およびv''の少なくとも一方が0.1以下である光電変換装置。
2−9. 2−7.または2−8.に記載の光電変換装置において、
a'およびa''の少なくとも一方が0.1以下である光電変換装置。
2−10. 2−1.から2−9.のいずれか一つに記載の光電変換装置において、
0.8≦n/m≦1.2または2.4≦n/m≦3.6が成り立つ光電変換装置。
2−11. 2−1.から2−10.のいずれか一つに記載の光電変換装置において、
AがAgであり、BがBiであり、XがIであり、
2.4≦n/m≦3.6であり、
前記膜をX線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる光電変換装置。
2−12. 2−1.から2−10.のいずれか一つに記載の光電変換装置において、
AがCuであり、BがBiであり、XがIであり、
0.8≦n/m≦1.2であり、
前記膜をX線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる光電変換装置。
2−13. 2−1.から2−12.のいずれか一つに記載の光電変換装置において、
前記膜が多結晶膜である光電変換装置。
2−14. 2−1.から2−13.のいずれか一つに記載の光電変換装置において、
エネルギー変換効率が0.1%以上である光電変換装置。
3−1. 結晶を含む膜の製造方法であって、
それぞれ一以上の元素又は元素群であるA、B、およびXと、溶媒とを含む前駆体膜を形成する工程と、
前記前駆体膜を第1温度で乾燥させる工程と、
前記第1温度よりも高い第2温度で前記前駆体膜を加熱処理する工程とを含み、
Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数であり、
Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数であり、
Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数であり、
前記結晶は一般式AnBmXzで表される組成を有し、
(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2が成り立つ、膜の製造方法。
3−2. 3−1.に記載の膜の製造方法において、
n/m≧0.8が成り立つ膜の製造方法。
3−3. 3−1.または3−2.に記載の膜の製造方法において、
前記結晶は、
Xに含まれる元素または元素群の第1イオンを含み、
それぞれ六つの前記第1イオンからなる複数の八面体単位が稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった構造を有する膜の製造方法。
3−4. 3−3.に記載の膜の製造方法において、
前記結晶は、
中心にイオンが位置しない第1の前記八面体単位と、
Aに含まれる元素または元素群の第2イオンが中心に位置する第2の前記八面体単位と、
Bに含まれる元素の第3イオンが中心に位置する第3の前記八面体単位とを含む膜の製造方法。
3−5. 3−4.に記載の膜の製造方法において、
前記結晶は、前記複数の八面体単位が、稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった板状単位を含む膜の製造方法。
3−6. 3−5.に記載の膜の製造方法において、
前記結晶は、複数の前記板状単位が積層した構造を含む膜の製造方法。
3−7. 3−6.に記載の膜の製造方法において、
前記複数の板状単位は、第1の前記板状単位と第2の前記板状単位とを含み、
前記第1の板状単位における、前記第1の板状単位を構成する八面体単位の総数に対する、前記第1の八面体単位の比率をv'、前記第2の八面体単位の比率をa'、前記第3の八面体単位の比率をb'とし、
前記第2の板状単位における、前記第2の板状単位を構成する八面体単位の総数に対する、前記第1の八面体単位の比率をv''、前記第2の八面体単位の比率をa''、前記第3の八面体単位の比率をb''としたとき、
a':b':v'で表される比とa'':b'':v''で表される比とが互いに異なり、
前記結晶は、前記第1の板状単位と、前記第2の板状単位とが交互に積層した構造を含む膜の製造方法。
3−8. 3−7.に記載の膜の製造方法において、
v'およびv''の少なくとも一方が0.1以下である膜の製造方法。
3−9. 3−7.または3−8.に記載の膜の製造方法において、
a'およびa''の少なくとも一方が0.1以下である膜の製造方法。
3−10. 3−1.から3−9.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
0.8≦n/m≦1.2または2.4≦n/m≦3.6が成り立つ膜の製造方法。
3−11. 3−1.から3−10.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
AがAgであり、BがBiであり、XがIであり、
2.4≦n/m≦3.6であり、
当該膜をX線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる、膜の製造方法。
3−12. 3−1.から3−10.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
AがCuであり、BがBiであり、XがIであり、
0.8≦n/m≦1.2であり、
当該膜をX線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる、膜の製造方法。
3−13. 3−1.から3−12.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
当該膜が多結晶膜である、膜の製造方法。
3−14. 3−1.から3−13.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
前記前駆体膜に含まれるAの物質量をp、Bの物質量をq、Xの物質量をrとしたとき、
(p+3q)×0.8≦r≦(p+3q)×1.2が成り立つ、膜の製造方法。
3−15. 3−1.から3−14.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
前記溶媒は、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、および1−N−メチル−2−ピロリドンからなる群から選択される一以上である、膜の製造方法。
3−16. 3−1.から3−15.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
前記前駆体膜を形成する工程では、Aと、Bと、Xと、前記溶媒とを含む溶液を基材上に塗布する、膜の製造方法。
3−17. 3−1.から3−16.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
前記第1温度は室温である、膜の製造方法。
3−18. 3−1.から3−16.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
前記第1温度は50℃以上100℃未満である、膜の製造方法。
3−19. 3−1.から3−18.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
前記第2温度は100℃以上200℃未満である、膜の製造方法。
3−20. 3−1.から3−19.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
前記乾燥させる工程では、前記前駆体膜における前記溶媒の含有量が50重量%以下になるまで乾燥させる、膜の製造方法。
3−21. 3−1.から3−20.のいずれか一つに記載の膜の製造方法において、
前記加熱処理する工程前の前記前駆体膜の色が、前記加熱処理する工程後に得られる当該膜の色と異なる、膜の製造方法。
30 電子デバイス
100 板状単位
101 第1の板状単位
102 第2の板状単位
120 八面体単位
140 第1イオン
142 カチオン
200 基材
210 第1電極
220 第2電極
230 光電変換層
231 緻密電子輸送層
232 多孔質電子輸送層
233 ホール輸送層
300 基材
310 チャネル層
320 ソース
330 ドレイン
340 絶縁層
350 ゲート
Claims (10)
- 一般式AnBmXzで表される組成を有する結晶を含み、
Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまたは複数であり、
Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数であり、
Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数であり、
(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2が成り立ち、
前記結晶は、
Xに含まれる元素または元素群の第1イオンを含み、
それぞれ六つの前記第1イオンからなる複数の八面体単位が稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった構造を有する膜であって、
前記膜は、AがAgであり、BがBiであり、XがIであり、2.4≦n/m≦3.6であり、X線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる膜、またはAがCuであり、BがBiであり、XがIであり、0.8≦n/m≦1.2であり、X線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる膜である、膜。 - 請求項1に記載の膜において、
前記結晶は、
中心にイオンが存在しない第1の前記八面体単位と、
Aに含まれる元素または元素群の第2イオンが中心に位置する第2の前記八面体単位と、
Bに含まれる元素の第3イオンが中心に位置する第3の前記八面体単位とを含む膜。 - 請求項2に記載の膜において、
前記結晶は、前記複数の八面体単位が、稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった板状単位を含み、
前記結晶は、複数の前記板状単位が積層した構造を含む膜。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の膜を含む光デバイス。
- 請求項1から3のいずれか一項に記載の膜を含む電子デバイス。
- 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極の間に位置する光電変換層とを備え、
前記光電変換層は、請求項1から3のいずれか一項に記載の膜を含む光電変換装置。 - 結晶を含む膜の製造方法であって、
それぞれ一以上の元素又は元素群であるA、B、およびXと、溶媒とを含む前駆体膜を形成する工程と、
前記前駆体膜を第1温度で乾燥させる工程と、
前記第1温度よりも高い第2温度で前記前駆体膜を加熱処理する工程とを含み、
Aは、Ag、Cu、In、Na、K、およびNH4からなる群から選択される一つまた
は複数であり、
Bは、Bi、Sb、およびLaからなる群から選択される一つまたは複数であり、
Xは、F、Cl、Br、I、CN、およびSCNからなる群から選択される一つまたは複数であり、
前記結晶は一般式AnBmXzで表される組成を有し、
(n+3m)×0.8≦z≦(n+3m)×1.2が成り立ち、
前記結晶は、
Xに含まれる元素または元素群の第1イオンを含み、
それぞれ六つの前記第1イオンからなる複数の八面体単位が稜上の二つの前記第1イオンを互いに共有して連なった構造を有する、膜の製造方法であって、
前記膜は、AがAgであり、BがBiであり、XがIであり、2.4≦n/m≦3.6であり、X線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる膜、またはAがCuであり、BがBiであり、XがIであり、0.8≦n/m≦1.2であり、X線回折で測定したとき、最大の回折ピークが25°≦2θ≦35°の範囲に現れる膜である、方法。 - 請求項7に記載の膜の製造方法において、
前記溶媒は、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、および1−N−メチル−2−ピロリドンからなる群から選択される一以上である、膜の製造方法。 - 請求項7または8に記載の膜の製造方法において、
前記前駆体膜を形成する工程では、Aと、Bと、Xと、前記溶媒とを含む溶液を基材上に塗布する、膜の製造方法。 - 請求項7から9のいずれか一項に記載の膜の製造方法において、
前記乾燥させる工程では、前記前駆体膜における前記溶媒の含有量が50重量%以下になるまで乾燥させる、膜の製造方法。
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