JP6928199B1 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 346
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000269800 Percidae Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
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- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
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- H01S5/02345—Wire-bonding
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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Abstract
Description
図1は実施の形態1に係る半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図2は図1の半導体レーザ装置の断面図である。図3は図1の半導体レーザにおける半導体構造部の要部を示す断面図であり、図4は実施の形態1に係るサブマウントの他の例を示す断面図である。図2は、図1の破線49を含みz方向に平行に切断した断面である。実施の形態1に係る半導体レーザ装置100は、半導体レーザ1、半導体レーザ1を搭載するサブマウント30を備えている。半導体レーザ1は、半導体基板2と、半導体基板2の表面に形成された、光が生成される活性層5を含む半導体構造部3と、半導体構造部3の半導体基板2と反対側の表面に形成された表面電極である第一電極8と、半導体基板2の裏面側に形成された裏面電極である第二電極9と、を備えている。サブマウント30は、土台31、土台31における半導体レーザ1が搭載される側に形成された金属層32を備えている。半導体レーザ1は、出射端面21から光を光軸20に沿って出射する。また、半導体レーザ1は、出射端面21から光を光軸20に沿って出射し、出射端面21と反対側の端面から光を光軸20に沿って出射する場合もある。光軸20において出射端面21から光が出射される方向に矢印を付している。図において、半導体基板2に垂直な方向はz方向であり、活性層5が延伸する延伸方向に平行な方向はx方向であり、x方向及びz方向に垂直な方向はy方向である。
図5は実施の形態2に係る半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図6は図5の半導体レーザを示す斜視図である。図7は図5の半導体レーザ装置における第一の断面図であり、図8は図5の半導体レーザ装置における第二の断面図である。図9は図5のサブマウントの本体を示す断面図であり、図10は図5のサブマウントの蓋を示す斜視図である。図11は図10のサブマウントの蓋における第一の断面図であり、図12は図10のサブマウントの蓋における第二の断面図である。図13は、図5のサブマウントの他の蓋を示す表面図である。図7は図5の破線54aを含みz方向に平行に切断した断面であり、図8は図5の破線54bを含みz方向に平行に切断した断面である。図11は図10の破線57aを含みz方向に平行に切断した断面であり、図12は図10の破線57bを含みz方向に平行に切断した断面である。なお、図5において、凸部46bにおけるz方向正側の金属層32aのパターンは省略した。また、図10において、z方向正側の金属層32b及び接合部材40bのパターンは省略した。実施の形態2の半導体レーザ装置100は、半導体レーザ1における4つの表面すなわち出射端面21及び出射端面21の反対側の端面以外のz方向の表面及びy方向の表面にてサブマウント30と半導体レーザ1とが接合されている例である。実施の形態2の半導体レーザ装置100は、本体38及び蓋39を備えたサブマウント30の内面すなわちサブマウント30におけるz方向の内面及びy方向の内面にて、サブマウント30と半導体レーザ1とが接合している点で、実施の形態1の半導体レーザ装置100と異なる。実施の形態1の半導体レーザ装置100と異なる部分を主に説明する。
Claims (6)
- 底板部、前記底板部の表面から突出した凸部を備えたサブマウントと、前記サブマウントに接合された半導体レーザと、を備えた半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザは、
半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された、出射端面から出射する光が生成される活性層を含む半導体構造部と、前記半導体構造部における前記半導体基板と反対側の表面に形成された第一電極と、前記半導体基板の裏面に形成された第二電極と、を備えており、
前記半導体レーザにおける前記凸部に対向する側面及び前記第二電極が、それぞれ前記凸部における前記半導体レーザに対向する側面及び前記底板部の表面に接合部材により接合されており、
前記凸部が前記底板部の表面から突出している方向をz方向とし、
前記接合部材は、
前記凸部の側面と前記半導体レーザの側面とを接合している部分における前記z方向の端部が、前記半導体レーザの前記半導体基板の表面よりも前記z方向の遠方に位置しており、
前記サブマウントは、
前記凸部における前記z方向の端部が、前記半導体レーザの前記第一電極の表面よりも前記z方向の遠方に位置している、半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザの前記活性層が延伸する方向をx方向とし、前記x方向及び前記z方向に垂直な方向をy方向とし、
前記活性層は、前記半導体レーザにおける前記y方向の両側面間の中心よりも前記凸部側に配置されている、請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記活性層が延伸する方向の前記活性層の中心軸から前記凸部に対向する前記半導体レーザの側面までの距離は、前記活性層の前記中心軸から前記半導体基板の裏面までの距離よりも短くなっている、請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。
- 底板部、前記底板部の表面から突出した凸部、前記底板部の表面から突出した他の凸部を備えた本体と、前記凸部及び前記他の凸部に接合している蓋と、を備えたサブマウントと、前記サブマウントに接合された半導体レーザと、を備えた半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザは、
半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された、出射端面から出射する光が生成される活性層を含む半導体構造部と、前記半導体構造部における前記半導体基板と反対側の表面に形成された第一電極と、前記半導体基板の裏面に形成された第二電極と、前記半導体構造部の表面及び前記第一電極の表面に形成された保護膜と、を備えており、
前記半導体レーザにおける前記凸部に対向する側面及び前記第二電極が、それぞれ前記凸部における前記半導体レーザに対向する側面及び前記底板部の表面に接合部材により接合されており、
前記半導体レーザにおける前記他の凸部に対向する側面が、前記他の凸部における前記半導体レーザに対向する側面に前記接合部材により接合されており、
前記凸部及び前記他の凸部が前記底板部の表面から突出している方向をz方向とし、
前記接合部材は、
前記凸部の側面と前記半導体レーザの側面とを接合している部分における前記z方向の端部が、前記半導体レーザの前記半導体基板の表面よりも前記z方向の遠方に位置しており、
前記他の凸部の側面と前記半導体レーザの側面とを接合している部分における前記z方向の他の端部が、前記半導体レーザの前記半導体基板の表面よりも前記z方向の遠方に位置しており、
前記蓋は、前記凸部の側面に対向する第一の蓋側面、前記他の凸部の側面に対向する第二の蓋側面、前記半導体レーザの前記保護膜の表面に対向する蓋裏面が、それぞれ対向する前記凸部の側面、前記他の凸部の側面、前記保護膜の表面に他の接合部材により接合されている、半導体レーザ装置。 - 底板部、前記底板部の表面から突出した凸部、前記底板部の表面から突出した他の凸部を備えた本体と、前記凸部及び前記他の凸部に接合している蓋と、を備えたサブマウントと、前記サブマウントに接合された半導体レーザと、を備えた半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザは、
半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された、出射端面から出射する光が生成される活性層を含む半導体構造部と、前記半導体構造部における前記半導体基板と反対側の表面に形成された第一電極と、前記半導体基板の裏面に形成された第二電極と、前記半導体構造部の表面及び前記第一電極の表面に形成された保護膜と、を備えており、
前記半導体レーザにおける前記凸部に対向する側面及び前記第二電極が、それぞれ前記凸部における前記半導体レーザに対向する側面及び前記底板部の表面に接合部材により接合されており、
前記半導体レーザにおける前記他の凸部に対向する側面が、前記他の凸部における前記半導体レーザに対向する側面に前記接合部材により接合されており、
前記凸部及び前記他の凸部が前記底板部の表面から突出している方向をz方向とし、
前記接合部材は、
前記凸部の側面と前記半導体レーザの側面とを接合している部分における前記z方向の端部が、前記半導体レーザの前記半導体基板の表面よりも前記z方向の遠方に位置しており、
前記他の凸部の側面と前記半導体レーザの側面とを接合している部分における前記z方向の他の端部が、前記半導体レーザの前記半導体基板の表面よりも前記z方向の遠方に位置しており、
前記サブマウントは、
前記凸部における前記z方向の端部及び前記他の凸部における前記z方向の他の端部が、前記半導体レーザの前記第一電極の表面よりも前記z方向の遠方に位置しており、
前記蓋は、前記凸部の側面に対向する第一の蓋側面、前記他の凸部の側面に対向する第二の蓋側面、前記半導体レーザの前記保護膜の表面に対向する蓋裏面が、それぞれ対向する前記凸部の側面、前記他の凸部の側面、前記保護膜の表面に他の接合部材により接合されている、半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザの前記保護膜に第一の開口が形成されており、
前記サブマウントの前記蓋に、前記蓋裏面から前記蓋裏面と反対側の蓋表面に貫通する第二の開口が形成されており、
前記第一電極が前記第一の開口及び前記第二の開口により露出している、請求項4または5記載の半導体レーザ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/037439 WO2022070388A1 (ja) | 2020-10-01 | 2020-10-01 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6928199B1 true JP6928199B1 (ja) | 2021-09-01 |
JPWO2022070388A1 JPWO2022070388A1 (ja) | 2022-04-07 |
Family
ID=77456281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021507731A Active JP6928199B1 (ja) | 2020-10-01 | 2020-10-01 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230246412A1 (ja) |
JP (1) | JP6928199B1 (ja) |
CN (1) | CN116235371A (ja) |
WO (1) | WO2022070388A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116759884B (zh) * | 2023-08-21 | 2023-11-24 | 中久光电产业有限公司 | 一种半导体激光器固定装置 |
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-
2020
- 2020-10-01 US US18/002,647 patent/US20230246412A1/en active Pending
- 2020-10-01 WO PCT/JP2020/037439 patent/WO2022070388A1/ja active Application Filing
- 2020-10-01 JP JP2021507731A patent/JP6928199B1/ja active Active
- 2020-10-01 CN CN202080105485.4A patent/CN116235371A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230246412A1 (en) | 2023-08-03 |
JPWO2022070388A1 (ja) | 2022-04-07 |
CN116235371A (zh) | 2023-06-06 |
WO2022070388A1 (ja) | 2022-04-07 |
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Date | Code | Title | Description |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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R250 | Receipt of annual fees |
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