JP6910958B2 - 表示基板および表示基板の製造方法 - Google Patents

表示基板および表示基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6910958B2
JP6910958B2 JP2017557086A JP2017557086A JP6910958B2 JP 6910958 B2 JP6910958 B2 JP 6910958B2 JP 2017557086 A JP2017557086 A JP 2017557086A JP 2017557086 A JP2017557086 A JP 2017557086A JP 6910958 B2 JP6910958 B2 JP 6910958B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base substrate
layer
pixel definition
blocks
sacrificial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017557086A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019515411A (ja
Inventor
ドゥージャン・ジャオ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of JP2019515411A publication Critical patent/JP2019515411A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6910958B2 publication Critical patent/JP6910958B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/84Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

本願は、2016年5月3日に出願された中国特許出願第201610286520.2号の優先権を主張し、上記出願の全ての内容は参照により本明細書の一部として組み込まれた。
本発明は、表示技術、特に、表示基板および表示基板の製造方法に関する。
液晶表示装置(LCD)などの他の表示装置と比べると、有機発光ダイオード(OLED)表示装置はバックライトを必要としない自発光装置である。高速応答、広視野角、高輝度、高演色、薄型、軽量などの様々の利点が存在するので、表示分野において幅広く応用される。
OLED表示装置は、通常に、陽極と、1つまたは2つ以上の有機機能層と、陰極と、を備える。1つまたは2つ以上の有機機能層は、通常に、発光層(EML)と、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、電子輸送層(ETL)、電子注入層(EIL)のうちのいずれの1つまたは2つ以上とを含む。陰極と陽極の間に電圧が印加されると、電荷担体(電子および正孔)は陰極や陽極から発光層に注入される。電子や正孔は、発光層で再結合し、発光する。
一態様では、本発明は、ベース基板上に複数の犠牲ブロックが含まれる犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層を形成した後、前記ベース基板上に画素定義材料層を形成する工程と、複数の画素定義ブロックが含まれる画素定義層を形成するように、前記犠牲層を除去する工程と、を含む表示基板の製造方法であって、複数の犠牲ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有するように形成され、前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鋭角である表示基板の製造方法を提供する。
前記第3側面と前記第2側面とのなす角は、鋭角であってもよい。
前記鋭角は、約30°以上約75°以下であってもよい。
前記複数の犠牲ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、略台形状に形成され、前記台形状は、短い方の辺が前記第1側面にあり、長い方の辺が前記第2側面にあってもよい。
前記複数の画素定義ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有するように形成され、前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鈍角であってもよい。
前記鈍角は、約105°以上約150°以下であってもよい。
前記複数の画素定義ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、略逆台形状に形成され、前記逆台形状は、短い方の辺が前記第2側面にあり、長い方の辺が前記第1側面にあってもよい。
前記複数の画素定義ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、前記ベース基板に近い側にある第1部分と、前記ベース基板から遠い側にある第2部分と、を含み、前記第1部分は、略逆台形状に形成されるとともに、前記略逆台形状の短い方の辺が前記第2側面にあり、前記第2部分は、略長方形状に形成されてもよい。
前記犠牲層を除去した後、インクジェット印刷によって複数のインクジェット印刷ブロックが含まれるインクジェット印刷層を形成する工程をさらに含み、前記複数のインクジェット印刷ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有するように形成され、前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鋭角であってもよい。
前記鋭角は、約30°以上約75°以下であってもよい。
前記画素定義材料層は、前記ベース基板に垂直な方向に沿った最大の厚さが前記犠牲層の厚さよりも小さいまたは等しいように形成され、前記方法は、前記犠牲層を除去する前に、前記画素定義層を硬化させる工程をさらに含んでもよい。
前記画素定義材料層は、前記ベース基板に垂直な方向に沿った最大の厚さが前記犠牲層の厚さよりも大きいように形成され、前記複数の犠牲ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、を含み、前記画素定義材料層は、前記複数の犠牲ブロックの各々の第1側面を被覆する第1部分と、前記第1部分の外にある第2部分と、を有するように形成され、前記方法は、前記犠牲層を除去する前に、前記犠牲層を露出させるように前記第1部分の少なくとも一部を除去する工程と、前記第1部分の少なくとも一部を除去した後、かつ前記犠牲層を除去する前に、前記画素定義材料層を硬化させる工程と、をさらに含んでもよい。
前記犠牲層は、金属材からなり、前記犠牲層を形成する工程は、前記ベース基板上に金属材料層を形成してから、前記金属材料層をパターニングして前記複数の犠牲ブロックを形成するステップを含み、前記犠牲層を除去する工程は、ウエットエッチャントによって前記複数の犠牲層をエッチングするステップを含んでもよい。
前記ウエットエッチャントは、塩酸、硝酸、リン酸からなる群より選択されるエッチャントのうち、1種またはその組み合わせを含んでもよい。
前記金属材料層は、モリブデン、アルミニウム、シルバーからなる群より選択されるメタルのうち、1種またはその組み合わせから得られてもよい。
記複数の犠牲ブロックの各々は、長方形錐台形状、正方形錐台形状、円錐台形状からなる群より選択される形状のうち、1種またはその組み合わせを有するように形成されてもよい。
別の態様では、本発明は、ベース基板と、前記ベース基板上に複数の画素定義ブロックが含まれる画素定義層と、を備える表示基板であって、前記複数の画素定義ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有し、前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鈍角である表示基板を提供する。
前記鈍角は、約105°以上約150°以下であってもよい。
前記複数の画素定義ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、略逆台形状に形成され、前記逆台形状は、短い方の辺が前記第2側面にあり、長い方の辺が前記第1側面にあってもよい。
前記複数の画素定義ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、前記ベース基板に近い側にある第1部分と、前記ベース基板から遠い側にある第2部分と、を含み、前記第1部分は、略逆台形状に形成されるとともに、前記略逆台形状の短い方の辺が前記第2側面にあり、前記第2部分は、略長方形状に形成されてもよい。
前記表示基板の副画素領域において複数のインクジェット印刷ブロックが含まれるインクジェット印刷層をさらに備え、前記複数のインクジェット印刷ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有し、前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鋭角であってもよい。
前記鋭角は、約30°以上約75°以下であってもよい。
前記複数のインクジェット印刷ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、略台形状に形成され、前記台形状は、短い方の辺が前記第1側面にあり、長い方の辺が前記第2側面にあってもよい。
前記インクジェット印刷層は、有機発光材を含み、前記表示基板は、アレイ基板であってもよい。
前記インクジェット印刷層は、色フィルター層であり、前記表示基板は、色フィルター基板であってもよい。
前記画素定義層は、樹脂材を含み、前記表示基板は、アレイ基板であってもよい。
前記画素定義層は、樹脂材と黒色顔料を含み、前記表示基板は、色フィルター基板であってもよい。
別の態様では、本発明は、上述した表示基板を備える表示装置を提供する。
以下の図面は、単なる開示された各実施形態を説明するための例であり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
図1は、従来の画素定義層を有する表示基板の構成を示す模式図である。 図2は、本発明の実施形態に係る表示基板の製造方法を示すフローチャートである。 図3Aは、本発明の実施形態に係る表示基板上に形成される犠牲層の構成を示す模式図である。 図3Bは、図3AのA−A’線に沿った断面図である。 図4Aは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。 図4Bは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。 図4Cは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。 図5Aは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。 図5Bは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。 図5Cは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。 図6Aは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。 図6Bは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。 図6Cは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。 図7は、本発明の実施形態に係る犠牲層の形成プロセスを示す図である。
以下、本発明について、いくつかの実施形態を参照しながらより具体的に説明する。なお、以下で説明される実施形態は、例示または説明を目的とするものに過ぎず、本発明の構成などについても網羅や限定することを意図しない。
図1は、従来の画素定義層を有する表示基板の構成を示す模式図である。図1に示すように、該表示基板は、副画素領域101において、インクジェット印刷法により形成可能な有機発光層20を具備する。具体的には、ベース基板上に画素定義層10を形成することで副画素領域101が定義され、続いてこの副画素領域101にインクを分配することで有機発光層20が形成される。本開示では、副画素領域101に分配されたインク溶液は常に画素定義層の側壁に沿ってはい上がる。インクが乾燥すると、当該方法によって形成された有機発光層20は、不均一な厚さ分布を持つ。例えば、有機発光層20は、中央部分よりも周辺部分が厚くなる場合がある。そこで、従来の表示基板が用いられる表示パネルは、出射される光線の輝度分布が不均一となり、表示品質に悪影響を及ぼす。
従って、本発明は、とりわけ、関連技術の制限や欠点による問題の1つまたは2つ以上を大幅に解消する表示基板および表示基板の製造方法を提供する。一態様では、本発明は表示基板の製造方法を提供する。いくつかの実施形態では、当該方法は、ベース基板上に複数の犠牲ブロックが含まれる犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層を形成した後、前記ベース基板上に画素定義材料層を形成する工程と、複数の画素定義ブロックが含まれる画素定義層を形成するように、前記犠牲層を除去する工程と、を含む。複数の犠牲ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有するように形成されてもよい。前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鋭角であってもよい。
図2は、本発明の実施形態に係る表示基板の製造方法を示すフローチャートである。いくつかの実施形態における方法は、図2に示すように、予め指定されたインクジェット印刷領域を有するベース基板を提供することと、前記予め指定されたインクジェット印刷領域において犠牲層を形成することと、前記犠牲層を有するベース基板上に画素定義層を形成することと、前記犠牲層を除去することと、前記予め指定されたインクジェット印刷領域においてインクジェット印刷層をインクジェット印刷することと、を含む。
いくつかの実施形態では、前記予め指定されたインクジェット印刷領域は、表示基板の副画素領域に対応しており、前記画素定義層は、表示基板の副画素間の領域に対応する領域にある。
副画素領域は、ここで、液晶ディスプレイにおいて画素電極に対応する領域、有機発光ダイオード表示パネルにおいて発光層に対応する領域、本発明に係るインクジェット印刷層に対応する領域などのような副画素の発光領域を指す。画素は、画素における若干の副画素に対応する若干の離れた発光領域を含んでもよい。副画素領域は、赤色の副画素の発光領域であってもよい。また、副画素領域は、緑色の副画素の発光領域であってもよい。また、副画素領域は、青色の副画素の発光領域であってもよい。また、副画素領域は、白色の副画素の発光領域であってもよい。
副画素間の領域は、ここで、液晶ディスプレイにおいてブラック・マトリックスに対応する領域、有機発光ダイオード表示パネルにおいて画素定義層に対応する領域、本発明に係る画素定義層に対応する領域などのような隣接する副画素間の領域を指す。副画素間の領域は、同じ画素にあって隣接する副画素領域間の領域であってもよい。また、副画素間の領域は、隣接する2つの画素からの隣接する2つの副画素領域間の領域であってもよい。また、副画素間の領域は、赤色の副画素の副画素領域と、隣接する緑色の副画素の副画素領域との間の領域であってもよい。また、副画素間の領域は、赤色の副画素の副画素領域と、隣接する青色の副画素の副画素領域との間の領域であってもよい。また、副画素間の領域は、緑色の副画素の副画素領域と、隣接する青色の副画素の副画素領域との間の領域であってもよい。
図3Aは、本発明の実施形態に係る表示基板上に形成される犠牲層の構成を示す模式図である。ベース基板01は、図3Aに示すように、マトリクス状に形成された複数の予め指定されたインクジェット印刷領域40を含む。予め指定されたインクジェット印刷領域40の各々は、副画素領域に対応してもよい。犠牲層は、ベース基板01上に形成された複数の犠牲ブロック21を有する。犠牲ブロック21の各々は、1つの予め指定されたインクジェット印刷領域40に形成される。
図3Bは、図3AのA−A’線に沿った断面図である。図3Bに示すように、複数の犠牲ブロック21の各々は、中央部分P1と、中央部分P1を取り囲む周辺部分P2と、を含む。周辺部分P2は、ベース基板01に垂直な方向に沿った厚さが中央部分P1から周辺部分P2へ向かうに従って小さくなる。各犠牲ブロック21は、ベース基板01から遠い側にある第1側面A1と、第1側面A1に対向しベース基板01に近い側にある第2側面A2を有してもよい。第1側面A1と第2側面A2とは、互いに実質的に平行になってもよい。第1側面A1の面積は、第2側面A2の面積よりも小さくさせてもよい。複数の犠牲ブロック21の各々は、第1側面A1と第2側面A2が接続された第3側面A3を有し、第2側面A2に対する第3側面A3の接線の平均傾斜角度が鋭角αであってもよい。第3側面A3と第2側面A2とのなす角は、鋭角αであってもよい。鋭角αは、約30°以上約75°以下であってもよい。第1側面A1に対する第3側面A3の接線の平均傾斜角度は、鈍角であってもよい。第3側面A3と第1側面A1とのなす角は、鈍角であってもよい。上記した鈍角は、約105°以上約150°以下であってもよい。複数の犠牲ブロック21の各々は、長方形錐台形状、正方形錐台形状、円錐台形状からなる群より選択される形状のうち、1種またはその組み合わせを有するように形成されてもよい。
いくつかの実施形態では、複数の犠牲ブロック21の各々は、図3Bに示すように、ベース基板01に垂直な平面に沿った断面が実質的に台形状をしている。その台形状は、短い方の辺が第1側面A1にあり、長い方の辺が第2側面A2にある。
いくつかの実施形態では、ベース基板01は、透明基板11を含んでおり、また、透明基板11上に薄膜12を含んでもよい。ベース基板01は、有機発光表示基板におけるベース基板であってもよく、薄膜12は、インジウムスズ酸化物のような透明導電性材料であってもよい。薄膜12は、有機発光表示基板のアノードであってもよい。
犠牲層の形成に続いて、いくつかの実施形態における方法は、画素定義層を形成するステップをさらに含む。図4A〜図4Bは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す。図4Aに示すように、画素定義層を形成するステップは、ベース基板01上に画層定義材料層24を形成することを含む。
いくつかの実施形態では、表示基板は、アレイ基板であり、画素定義層は、アレイ基板において隣接した副画素を分離するように機能する。画素定義材料層24は、樹脂材料によって構成されてもよい。いくつかの実施形態では、表示基板は、色フィルター基板である。画素定義材料層24は、樹脂材料によって構成されるとともに、黒色顔料をさらに含んでもよい。色フィルター基板における画素定義層は、ブラックマトリクスとして機能してもよい。適切な樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂が挙げられるが、これに限定されるものではない。
いくつかの実施形態では、画素定義層を形成するステップは、複数の画素定義ブロックが含まれる画素定義層を形成するように犠牲層を除去することを含む。図4Bに示すように、犠牲層の除去に続いて、複数の画素定義ブロック10が含まれる画素定義層は、ベース基板01上に形成される。複数の画素定義ブロック10の各々は、中央部分P1’と、中央部分P1’を取り囲む周辺部分P2’とを含む。周辺部分P2’のベース基板01に垂直な方向に沿った厚さは、中央部分P1’から周辺部分P2’に向かうに従い小さくなる。複数の画素定義ブロック10の各々は、ベース基板01から遠い側にある第1側面A1’と、第1側面A1’に対向しベース基板01に近い側にある第2側面A2’と、を有してもよい。第2側面A2’の面積を、第1側面A1’の面積よりも小さくしてもよい。第1側面A1’と第2側面A2’とは、互いに実質的に平行であってもよい。複数の画素定義ブロック10の各々は、第1側面A1’と第2側面A2’を接続する第3側面A3’を有し、第2側面A2’に対する第3側面A3’の接線の平均傾斜角度は、鈍角α’であってもよい。第3側面A3’と第2側面A2’とのなす角は、鈍角α’であってもよい。鈍角α’は、約105°以上約150°以下であってもよい。第1側面A1’に対する第3側面A3’の接線の平均傾斜角度は、鋭角であってもよい。第3側面A3’と第1側面A1’とのなす角は、鋭角であってもよい。その鋭角は、約30°以上約75°以下であってもよい。
いくつかの実施形態では、複数の画素犠牲ブロック10の各々は、図4Bに示すように、ベース基板01に垂直な平面に沿った断面が実質的に逆台形状をしている。その逆台形状は、短い方の辺が第2側面A2’にあり、長い方の辺が第1側面A1’にある。
犠牲層の除去に続いて、いくつかの実施形態における方法は、インクジェット印刷によってインクジェット印刷層を形成するステップをさらに含む。図4Bに示すように、インクジェット印刷層は、複数のインクジェット印刷ブロック23を含む。図4Cは、インクジェット印刷ブロック23の拡大図である。図4Cに示すように、複数のインクジェット印刷ブロック23の各々は、中央部分P1’’と、中央部分P1’’を取り囲む周辺部分P2’’とを含む。周辺部分P2’’のベース基板に垂直な方向に沿った厚さは、中央部分P1’’から周辺部分P2’’に向かうに従い小さくなる。そして、複数のインクジェット印刷ブロック23の各々は、ベース基板から遠い側にある第1側面A1’’と、第1側面A1’’に対向しベース基板に近い側にある第2側面A2’’と、を有する。第1側面A1’’の面積は、第2側面A2’’の面積よりも小さい。第1側面A1’’と第2側面A2’’とは、互いに実質的に平行であってもよい。複数のインクジェット印刷ブロック23の各々は、第1側面A1’’と第2側面A2’’を接続する第3側面A3’’を有し、第2側面A2’’に対する第3側面A3’’の接線の平均傾斜角度は、鋭角α’’であってもよい。第3側面A3’’と第2側面A2’’とのなす角は、鋭角α’’であってもよい。鋭角α’’は、約30°以上約75°以下であってもよい。第1側面A1’’に対する第3側面A3’’の接線の平均傾斜角度は、鈍角であってもよい。第3側面A3’’と第1側面A1’’とのなす角は、鈍角であってもよい。その鈍角は、約105°以上約150°以下であってもよい。
α、α’、α’’は、実質的に同じであってもよい。
犠牲層およびインクジェット印刷層は、表示基板の副画素領域に形成される。
いくつかの実施形態では、表示基板は、アレイ基板であり、画素定義層は、アレイ基板において隣接した副画素を分離するように機能する。インクジェット印刷層は、有機発光層を形成するように有機発光材料を含んでもよい。いくつかの実施形態では、表示基板は、色フィルター基板である。色フィルター基板における画素定義層は、ブラックマトリクスとして機能してもよい。インクジェット印刷層は、例えば、赤色の色フィルター層、緑色の色フィルター層、青色の色フィルター層のような色フィルター層であってもよい。
いくつかの実施形態では、第2側面A2に対する第3側面A3の接線の平均傾斜角度は、鋭角αである。犠牲層における第3側面A3と第2側面A2とのなす角は、鋭角αであってもよい。図4Bおよび図4Cに示すように、犠牲層が除去されインクジェット印刷層が形成されると、画素定義ブロック10の第3側面A3’は、インクジェット印刷ブロック23の第3側面A3’に接触している。ベース基板01に対するインクジェット印刷ブロックの第3側面A3’’の接線の平均傾斜角度は、上記したなす角αと実質的に同じである。インクジェット印刷ブロックの第3側面A3’’とベース基板01とのなす角は、上記したなす角αと実質的に同じである。このように、犠牲層が除去されインクジェット印刷層が形成されると、画素定義ブロック10の第3側面A3’は、インク乾燥プロセスの際に、インクジェット印刷ブロック23におけるインクが画素定義ブロック10の第3側面A3’における側壁を這い上がるのを防ぎ、それによって、周辺部分よりも薄い中央部分を有するインクジェット印刷ブロック23の形成可能性を低減させる。このように、実質的均一な厚さを持つインクジェット印刷ブロック23を実現することで、本発明による表示基板を有する表示パネルにおける輝度分布の均一な発光が図れる。
いくつかの実施形態では、図4Aに示すように、画素定義材料層24は、犠牲ブロック21のベース基板01に垂直な方向に沿った最大厚さH2以下のベース基板01に垂直な方向に沿った最大厚さH1を有するように形成される。この方法は、犠牲層を除去する前に、画素定義材料層24を硬化させるステップをさらに含んでもよい。画素定義材料層24は、ポジ型フォトレジスト材料によって構成され、画素定義材料層24を硬化させるステップは、画素定義材料層24を加熱することを含んでもよい。また、画素定義材料層24は、ネガ型フォトレジスト材料によって構成され、画素定義材料層24を硬化させるステップは、画素定義材料層24を露光することを含んでもよい。画素定義材料層24を露光するステップは、画素定義材料層24を硬化させるように、マスクプレート、マスクプレートの画素定義材料層24に対応する光透過部分、およびマスクプレートの犠牲層に対応する遮光部分を用いて行われる。
画素定義材料層24の硬化に続いて、犠牲層は、画素定義層を形成するように除去される。図4Bに示すように、本方法は、インクジェット印刷によってインクジェット印刷層を形成することをさらに含む。
図4Bおよび図4Cに示すように、犠牲層が除去されインクジェット印刷層が形成されると、画素定義ブロック10の第3側面A3’は、インク乾燥プロセスの際に、インクジェット印刷ブロック23におけるインクが画素定義ブロック10の第3側面A3’における側壁を這い上がるのを防ぎ、それによって、周辺部分よりも薄い中央部分を有するインクジェット印刷ブロック23の形成可能性を低減させる。このように、実質的均一な厚さを持つインクジェット印刷ブロック23を実現することで、本発明による表示基板を有する表示パネルにおける輝度分布の均一な発光が図れる。
図5A〜5Cは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す図である。図5Aに示すように、画素定義材料層24は、犠牲層のベース基板01に垂直な方向に沿った最大厚さH2よりも大きいベース基板01に垂直な方向に沿った最大厚さH1を有するように形成される。図5Aに示すように、画素定義材料層24は、複数の犠牲ブロック21の各々の第1側面A1を被覆する第1区間S1と、第1区間S1の外側にある第2区間S2とを有するように形成される。第1区間S1は、表示基板の副画素領域にあってもよい。第2区間S2は、表示基板の副画素間の領域にあってもよい。画素定義材料層24は、犠牲層を被覆するように形成される。
いくつかの実施形態では、犠牲層を除去する前に、本方法は、犠牲層を露光するように第1区間S1の少なくとも一部を除去することと、第1区域S1の少なくとも一部の除去の後でかつ犠牲層の除去の前に画素定義材料層24を硬化させることと、を含む。図5Bに示すように、第1区間S1のすべては、犠牲ブロック21の第1側面A1のすべてを露光するように除去される。
いくつかの実施形態では、画素定義材料層24は、ポジ型フォトレジスト材料によって構成される。本方法は、画素定義材料層24の第1区域S1の少なくとも一部を露光することを含んでもよい。露光するステップは、マスクプレートを用いて行われてもよい。本方法は、マスクプレート、画素定義材料層24の第1区域S1の少なくとも一部に対応するマスクプレートの光透過部分、および画素定義材料層24の残りの部分に対応するマスクプレートの遮光部分を用いて画素定義材料層24を露光することを含んでもよい。本方法は、画素定義材料層24の露光された部分を溶解(除去)するように、露光された画素定義材料層24を現像することをさらに含んでもよい。図5Bに示すように、第1区域S1のすべては、犠牲ブロック21の第1側面A1のすべてを露光するように除去される。露光および現像後に、本方法は、画素定義材料層24を硬化させるように、残りの画素定義材料層24を加熱することをさらに含む。
いくつかの実施形態では、画素定義材料層24は、ネガ型フォトレジスト材料によって構成される。本方法は、画素定義材料層24の第2区域S2を露光することを含んでもよい。本方法は、画素定義材料層24の第1区域S1の一部を露光することをさらに含んでもよい。露光するステップは、マスクプレートを用いて行われてもよい。本方法は、マスクプレート、画素定義材料層24の第1区域S1の少なくとも一部に対応するマスクプレートの遮光部分、および画素定義材料層24の残りの部分に対応するマスクプレートの光透過部分を用いて画素定義材料層24を露光することを含んでもよい。本方法は、画素定義材料層24の未露光部分を溶解(除去)するように、露光された画素定義材料層24を現像することをさらに含んでもよい。図5Bに示すように、第1区域S1のすべては、犠牲ブロック21の第1側面A1のすべてを露光するように除去される。
画素定義材料層24の硬化に続いて、犠牲層は、画素定義層を形成するように除去される。図5Cに示すように、本方法は、インクジェット印刷によってインクジェット印刷層を形成することをさらに含む。
図5Cに示すように、犠牲層が除去されインクジェット印刷層が形成されると、画素定義ブロック10の第3側面A3’は、インク乾燥プロセスの際に、インクジェット印刷ブロック23におけるインクが画素定義ブロック10の第3側面A3’における側壁を這い上がるのを防ぎ、それによって、周辺部分よりも薄い中央部分を有するインクジェット印刷ブロック23の形成可能性を低減させる。このように、実質的均一な厚さを持つインクジェット印刷ブロック23を実現することで、本発明による表示基板を有する表示パネルにおける輝度分布の均一な発光が図れる。
図5Cに示すように、複数の画素定義ブロック10の各々の、ベース基板01に垂直な平面に沿った断面は、ベース基板01に近い側にある第1区域(下部区域)と、ベース基板01から遠い側にある第2区域(上部区域)と、を含む。第1区域は、実質的に逆台形状をしているとともに、その逆台形状の短い方の辺が第2側面A2’にある。第2区域は、実質的に長方形状をしている。
図5Cに示すように、犠牲層の除去に続いて、ビアVは、隣接する画素定義ブロック10の間に形成される。ビアVのベース基板01に垂直な平面に沿った断面は、ベース基板01に近い側にある第1区域(下部区域)と、ベース基板から遠い側にある第2区域(上部区域)と、を含む。第1区域は、実質的に台形状をしているとともに、その台形状の長い方の辺がベース基板01に近い側にあり短い方の辺がベース基板01から遠い側にある。第2区域は、実質的に長方形状をしている。
図6A〜6Cは、本発明の実施形態に係る表示基板の製造プロセスを示す。図6Aに示すように、画素定義材料層24は、犠牲層のベース基板01に垂直な方向に沿った最大厚さH2よりも大きいベース基板01に垂直な方向に沿った最大厚さH1を有するように形成される。図6Aに示すように、画素定義材料層24は、複数の犠牲ブロック21の各々の第1側面A1を被覆する第1区域S1と、第1区域S1の外側にある第2区域S2とを有するように形成される。第2区域S2は、表示基板の副画素間の領域にあってもよい。画素定義材料層24は、犠牲層を被覆するように形成される。
いくつかの実施形態では、犠牲層を除去する前に、本方法は、犠牲層を露光するように第1区域S1の少なくとも一部を除去し、第1区域S1の少なくとも一部の除去の後でかつ犠牲層の除去の前に、画素定義材料層24を硬化させることをさらに含む。図6Bに示すように、第1区域S1の一部のみは、犠牲ブロック21の第1側面A1の一部を露光するように除去される。
いくつかの実施形態では、画素定義材料層24は、ポジ型フォトレジスト材料によって構成される。本方法は、画素定義材料層24の第1区域S1の少なくとも一部を露光することを含んでもよい。露光するステップは、マスクプレートを用いて行われてもよい。本方法は、マスクプレート、画素定義材料層24の第1区域S1の少なくとも一部に対応するマスクプレートの光透過部分、および画素定義材料層24の残りの部分に対応するマスクプレートの遮光部分を用いて画素定義材料層24を露光することを含んでもよい。本方法は、画素定義材料層24の露光された部分を溶解するように、露光された画素定義材料層24を現像することをさらに含んでもよい。図6Bに示すように、第1区域S1の一部のみは、犠牲ブロック21の第1側面A1の一部を露光するように除去される。露光および現像後に、本方法は、画素定義材料層24を硬化させるように、残りの画素定義材料層24を加熱することをさらに含む。
いくつかの実施形態では、画素定義材料層24は、ネガ型フォトレジスト材料によって構成される。本方法は、画素定義材料層24の第2区域S2を露光することを含んでもよい。本方法は、画素定義材料層24の第1区域S1の一部および第2区域S2を露光することをさらに含んでもよい。露光するステップは、マスクプレートを用いて行われてもよい。本方法は、マスクプレート、画素定義材料層24の第1区域S1の少なくとも一部に対応するマスクプレートの遮光部分、および画素定義材料層24の残りの部分に対応するマスクプレートの光透過部分を用いて画素定義材料層24を露光することを含んでもよい。本方法は、画素定義材料層24の未露光部分を溶解(除去)するように、露光された画素定義材料層24を現像することをさらに含んでもよい。図6Bに示すように、第1区域S1の一部のみは、犠牲ブロック21の第1側面A1の一部を露光するように除去される。
画素定義材料層24の硬化に続いて、犠牲層は、画素定義層を形成するように除去される。図6Cに示すように、本方法は、インクジェット印刷によってインクジェット印刷層を形成することをさらに含む。
図6Cに示すように、犠牲層が除去されインクジェット印刷層が形成されると、画素定義ブロック10の第3側面A3’は、インク乾燥プロセスの際に、インクジェット印刷ブロック23におけるインクが画素定義ブロック10の第3側面A3’における側壁を這い上がるのを防ぎ、それによって、周辺部分よりも薄い中央部分を有するインクジェット印刷ブロック23の形成可能性を低減させる。このように、実質的均一な厚さを持つインクジェット印刷ブロック23を実現することで、本発明による表示基板を有する表示パネルにおける輝度分布の均一な発光が図れる。
図6Cに示すように、複数の画素定義ブロック10の各々の、ベース基板01に垂直な平面に沿った断面は、ベース基板01に近い側にある第1区域(下部区域)と、ベース基板01から遠い側にある第2区域(上部区域)と、を含む。第1区域は、実質的に逆台形状をしているとともに、その逆台形状の短い方の辺が第2側面A2’にある。第2区域は、実質的に長方形状をしている。
図6Cに示すように、犠牲層の除去に続いて、ビアVは、隣接する画素定義ブロック10の間に形成される。ビアVのベース基板01に垂直な平面に沿った断面は、ベース基板01に近い側にある第1区域(下部区域)と、ベース基板から遠い側にある第2区域(上部区域)と、を含む。第1区域は、実質的に台形状をしているとともに、その台形状の長い方の辺がベース基板01に近い側にあり短い方の辺がベース基板01から遠い側にある。第2区域は、実質的に長方形状をしている。
本発明の方法によって製造された表示基板を有する表示基板の開口率は、画素定義材料層の第1区域の少なくとも一部を除去することによって調整可能になる。一例では、画素定義材料層の第1区域のすべては除去される(図5Bに示される)。別の例では、画素定義材料層の一部のみは除去される(図6Bに示される)。画素定義材料層の第1区域の除去された部分が大きいほど開口率は大きくなる。例として、図6A〜6Cに示されるプロセスによって製造された表示基板に比べると、図5A〜5Cに示されるプロセスによって製造された表示基板は、より高い開口率を有する。
また、図4A〜4Cに示されるプロセスによって製造された表示基板に比べると、図5A〜5Cに示されるプロセスによって製造された表示基板には、より高い開口率が図られる。図4A〜4Cに示されるプロセスによって製造された表示基板は、犠牲層の除去の後で、隣接する画素定義ブロック10の間に形成されたビアの断面が、実質的に台形状をしている。そのビアの幅は、下部から上部へ、例えば、ベース基板01から離れる方向に沿って漸減する。図5A〜5Cに示されるプロセスによって製造された表示基板は、犠牲層の除去の後で、隣接する画素定義ブロック10の間に形成されたビアの断面が、ベース基板01に近い側にある第1区域(下部区域)と、ベース基板01から遠い側にある第2区域(上部区域)とを有する。第1区域は、実質的に台形状をしているとともに、その台形状の長い方の辺がベース基板01に近い側にあり短い方の辺がベース基板01から遠い側にある。第2区域は、実質的に長方形状をしている。第2区域が実質的に長方形状をしているので、ビアの上部分の幅は、図4A〜4Cに示されるプロセスによって製造された表示基板におけるビアよりも大きい。
いくつかの実施形態では、表示基板は、アレイ基板であり、画素定義材料層の厚さは、各種の有機機能層(例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層)の厚さの合計以上である。画素定義材料層の厚さが同じままであると、犠牲層の厚さ以下の厚さを有する画素定義材料層に係る製造プロセス(例えば、図4A〜4Cに示されるプロセス)は、犠牲層の厚さ以上の厚さを有する画素定義材料層に係る製造プロセスと比較してより多量の犠牲層材料が必要とされる。従って、犠牲層よりも大きい厚さを有する画素定義材料層に係るプロセスを採用することで、製造コストの減少が図られる。
画素定義材料層がポジ型フォトレジストによって構成されると、図4A〜4Cに示されるプロセスによる画素定義材料層を硬化させるステップは、画素定義材料層を単に加熱することが必要とされる。図5A〜5Cや図6A〜6Cに示されるプロセスによる画素定義材料層を硬化させるステップは、画素定義材料層を加熱する前に画素定義材料層を露光・現像することが必要とされる。従って、図4A〜4Cに示されるプロセスは、図5A〜5Cや図6A〜6Cに示されるプロセスと比較して簡易な製造プロセスが図られる。
いくつかの実施形態では、犠牲層は、金属材料によって構成される。犠牲層を形成ステップは、ベース基板上に金属材料層を形成することと、金属材料層をパターニングして複数の犠牲ブロックを形成することと、を含む。犠牲層を除去するステップは、ウエットエッチャントによって犠牲層をエッチングすることを含んでもよい。図7は、本発明の実施形態に係る犠牲層の形成プロセスを示す。図7に示すように、いくつかの実施形態における方法は、ベース基板01上に金属材料層30を形成することと、金属材料層30をパターニングして複数の犠牲ブロックを形成することと、を含む。具体的には、金属材料層30を形成するステップは、金属材料層30のベース基板01から遠い側にフォトレジスト層を形成することと、フォトレジスト層を露光かつ現像して、犠牲ブロックに対応するフォトレジストブロック31を複数形成することと、複数の犠牲ブロック(例えば、図3Bに示される犠牲ブロック21)を形成するように、マスクプレートとして複数のフォトレジストブロック31を用いて金属材料層30をエッチングすることと、を含む。
いくつかの実施形態では、図3Bに示すように、犠牲ブロック21の第2側面A2に対する第3側面A3の接線の平均傾斜角度(犠牲ブロック21の第3側面A3と第2側面A2とのなす角であってもよい)は、鋭角、例えば、約30°以上約75°以下の鋭角である。約75°以下の接線の平均傾斜角度(またはなす角)とさせることで、画素定義層によってインクが画素定義層の側壁を這い上がるのをより効果的に防止することができる。約30°以上の接線の平均傾斜角度(またはなす角)とさせることで、隣接する副画素領域(例えば、図4Bに示される副画素領域101)の間の距離が減少されて、表示基板の1インチ当たりの画素数(PPI)が向上する。
犠牲ブロック21の第2側面A2に対する第3側面A3の接線の平均傾斜角度(犠牲ブロック21の第3側面A3と第2側面A2とのなす角であってもよい)は、製造プロセスの制御プロセスに関わる変量によって調整可能になる。いくつかの実施形態では、図7に示すように、フォトレジスト層を露光かつ現像して複数のフォトレジストブロック31を形成した後、金属材料層30をパターニングするステップは、加熱期間で複数のフォトレジストブロック31を加熱することをさらに含む。加熱期間が長いほど接線の平均傾斜角度または第3側面A3と第2側面A2とのなす角が大きくなる一方、加熱期間が短いほど接線の平均傾斜角度または第3側面A3と第2側面A2とのなす角が小さくなる。いくつかの実施形態では、金属材料層30をエッチングするステップには、例えばエッチング液のようなウエットエッチャントが用いられる。複数の犠牲ブロック21を形成するように金属材料層30をエッチングするステップは、表示基板上にエッチング液を噴霧して金属材料層30をエッチングすることによって行われてもよく、表示基板をエッチング液中に浸漬して金属材料層30をエッチングすることによって行われてもよい。浸漬エッチング工程に比べると、噴霧エッチング工程により形成された、接線の平均傾斜角度または犠牲ブロック21の第3側面A3と第2側面A2とのなす角は、比較的大きくなる。
複数の犠牲ブロックを有する犠牲層の形成および画素定義材料層の形成に続いて、本方法は、複数の犠牲ブロック21を除去することを含む。犠牲層は、金属材料によって構成され、複数の犠牲ブロック21を除去するステップは、複数の犠牲ブロック21を完全に除去するように、ウエットエッチャントを用いて複数の犠牲ブロック21をエッチングすることを含んでもよい。ウエットエッチャントは、塩酸、硝酸、リン酸からなる群より選択されるエッチャントのうち、1種またはその組み合わせを含んでもよい。複数の犠牲ブロック21をエッチングするステップは、表示基板上にエッチング液を噴霧して複数の犠牲ブロック21をエッチングすることによって行われてもよく、表示基板をエッチング液中に浸漬して複数の犠牲ブロック21をエッチングすることによって行われてもよい。
いくつかの実施形態では、金属材料層30(および複数の犠牲ブロック21)は、モリブデン、アルミニウム、シルバーからなる群より選択されるメタルのうち、1種またはその組み合わせから得られる。好ましくは、金属材料層30(および複数の犠牲ブロック21)は、より速いエッチング速度を有するモリブデンによって構成される。
また、本発明は、表示基板を提供する。いくつかの実施形態では、表示基板は、ベース基板と、ベース基板上に複数の画素定義ブロックが含まれる画素定義層と、を有する。本発明に係る表示基板において、複数の画素定義ブロックの各々は、中央部分と、中央部分を取り囲む周辺部分と、を含んでおり、周辺部分は、ベース基板に垂直な方向に沿った厚さが中央部分から周辺部分へ向かうに従って小さくなる。各画素定義ブロックは、ベース基板から遠い側にある第1側面と、第1側面に対向しベース基板に近い側にある第2側面を有してもよい。第2側面の面積は、第1側面の面積よりも小さくさせてもよい。第1側面と第2側面とは、互いに実質的に平行になってもよい。複数の画素定義ブロックの各々は、第1側面と第2側面が接続された第3側面を有し、第2側面に対する第3側面の接線の平均傾斜角度が鈍角であってもよい。第3側面と第2側面とのなす角は、鈍角であってもよい。その鈍角は、約105°以上約150°以下であってもよい。第1側面に対する第3側面の接線の平均傾斜角度は、鋭角であってもよい。第3側面と第1側面とのなす角は、鋭角であってもよい。その鋭角は、約30°以上約75°以下であってもよい。複数の画素定義ブロックの各々は、ベース基板に垂直な平面に沿った断面が、実質的に逆台形状をしているとともに、その台形状の短い方の辺が第2側面にあり長い方の辺が第1側面にあってもよい。複数の画素定義ブロック10の各々の、ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、ベース基板に近い側にある第1区域と、ベース基板から遠い側にある第2区域と、を含む。第1区域は、実質的に逆台形状をしているとともに、その逆台形状の短い方の辺が第2側面にある。第2区域は、実質的に長方形状をしている。
表示基板は、アレイ基板であってもよい。表示基板は、色フィルター基板であってもよい。
いくつかの実施形態では、表示基板は、表示基板の副画素領域において複数のインクジェット印刷ブロックを有するインクジェット印刷層を含む。複数のインクジェット印刷ブロックの各々は、中央部分と、中央部分を取り囲む周辺部分とを含んでおり、周辺部分のベース基板に垂直な方向に沿った厚さは、中央部分から周辺部分に向かう従い小さくなってもよい。複数のインクジェット印刷ブロックの各々は、ベース基板から遠い側にある第1側面と、第1側面に対向しベース基板に近い側にある第2側面と、を有しており、第1側面の面積は、第2側面の面積よりも小さくなってもよい。第1側面と第2側面とは、互いに実質的に平行であってもよい。複数のインクジェット印刷ブロックの各々は、第1側面と第2側面を接続する第3側面を有し、第2側面に対する第3側面の接線の平均傾斜角度は、鋭角であってもよい。第3側面と第2側面とのなす角は、鋭角であってもよい。その鋭角は、約30°以上約75°以下であってもよい。第1側面に対する第3側面の接線の平均傾斜角度は、鈍角であってもよい。第3側面と第1側面とのなす角は、鈍角であってもよい。その鈍角は、約105°以上約150°以下であってもよい。複数のインクジェットブロックの各々は、ベース基板に垂直な平面に沿った断面が、実質的に台形状をしているとともに、その台形状の短い方の辺が第2側面にあり長い方の辺が第1側面にあってもよい。
いくつかの実施形態では、表示基板は、アレイ基板であり、画素定義層は、アレイ基板において隣接した副画素を分離するように機能する。画素定義層は、樹脂材料によって構成されてもよい。いくつかの実施形態では、表示基板は、色フィルター基板である。画素定義層は、樹脂材料によって構成されるとともに、黒色顔料をさらに含んでもよい。色フィルター基板における画素定義層は、ブラックマトリックスとして機能する。適切な樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂が挙げられるが、これに限定されるものではない。
いくつかの実施形態では、表示基板は、インクジェット印刷ブロックを形成するため、隣接する画素定義ブロックの間にビアを含む。ビアは、隣接する画素定義ブロックの第3側面とベース基板によって少なくともある程度規定される。ビアのベース基板に垂直な平面に沿った断面は、実質的に台形状をしている。ビアのベース基板に垂直な平面に沿った断面は、ベース基板に近い側にある第1区域(下部区域)と、ベース基板から遠い側にある第2区域(上部区域)と、を含む。第1区域は、実質的に台形状をしているとともに、その台形状の短い方の辺がベース基板から遠い側にある。第2区域は、実質的に長方形状をしている。
本発明の表示基板によれば、インクジェット印刷ブロックは、実質的均一な厚さを有する。従来の表示パネルに比べると、本発明の表示基板を有する表示パネルには、輝度分布の均一な発光が図られる。
別の態様では、本発明は、上記した方法によって製造された表示基板を提供する。
別の態様では、本発明は、上記した表示基板または上記した方法によって製造された表示基板を有する表示パネルを提供する。
別の態様では、本発明は、上記した表示パネルを有する表示装置を提供する。適切な表示装置としては、例えば、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニタ、ノートパソコン、デジタルアルバム、GPSなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の実施形態について前述した説明は、例示または説明するためのものである。前述した説明は、本発明を網羅すること、または、詳細な形態や例示的実施例に限定することを意図していない。従って、前述した説明は、限定ではなく例示とみなされるべきである。当業者であれば、様々な変形や変更が行えることは明らかであろう。実施形態は、本発明の原理または本発明を実行する最良の態様を説明する目的で提供されたものであり、それにより、当業者にとっては、実際的または意図的な適用に応じて、本発明が様々な実施形態および変更態様として実施することができることは明らかである。本発明の範囲は、添付した特許請求の範囲及びその均等物によって定義されることが意図されており、ここで使用されるすべての用語は特に説明しない限り、それらの最も広くて合理的な意味を表す。従って、「発明」、「本発明」などのような用語は、必ずしも請求の範囲を特定の実施形態に限定するものではない。本発明の実施形態に関する記載は、特に限定する意味ではなく、そのような限定も推測されるべきではない。本発明は、添付した特許請求の範囲の精神や範囲のみによって限定されるものである。また、これらの請求項は、名詞または構成要素が続く「第1」、「第2」などを使用する場合がある。数を特定しない限り、そのような用語は、名称と理解されるべき、構成要素の数量を制限するように解釈されるものではない。上記した利点および効果のいずれかは、すべての実施形態に適用されない場合がある。当業者であれば、特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲から逸脱することなしに、前述した実施形態に様々な変更を行うことができるのが好ましい。また、本開示における構成要素または部品は、クレームされているかどうかに関係なく、公衆に献呈されたとはいえない。
01 ベース基板
10 画素定義ブロック
11 透明基板
12 薄膜
20 有機発光層
21 犠牲ブロック
23 インクジェット印刷ブロック
24 画素定義材料層
30 金属材料層
31 フォトレジストブロック
40 インクジェット印刷領域
101 副画素領域

Claims (24)

  1. ベース基板上に複数の犠牲ブロックが含まれる犠牲層を形成する工程と、
    前記犠牲層を形成した後、前記ベース基板上に画素定義材料層を形成する工程と、
    複数の画素定義ブロックが含まれる画素定義層を形成するように、前記犠牲層を除去する工程と、を含む表示基板の製造方法であって、
    複数の犠牲ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有するように形成され、
    前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鋭角であり、
    前記画素定義材料層は、前記ベース基板に垂直な方向に沿った最大の厚さが前記犠牲層の厚さよりも大きいように形成され、
    前記複数の犠牲ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、を含み、
    前記画素定義材料層は、前記複数の犠牲ブロックの各々の第1側面を被覆する第1部分と、前記第1部分の外にある第2部分と、を有するように形成され、
    前記方法は、
    前記犠牲層を除去する前に、前記犠牲層の一部を露出させるように前記第1部分の一部を除去する工程と、
    前記第1部分の一部を除去した後、かつ前記犠牲層を除去する前に、前記画素定義材料層を硬化させる工程と、をさらに含む
    表示基板の製造方法。
  2. 前記第3側面と前記第2側面とのなす角は、鋭角である
    請求項1に記載の方法。
  3. 前記鋭角は、約30°以上約75°以下である
    請求項1に記載の方法。
  4. 前記複数の犠牲ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、略台形状に形成され、
    前記台形状は、短い方の辺が前記第1側面にあり、長い方の辺が前記第2側面にある
    請求項2に記載の方法。
  5. 前記複数の画素定義ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有するように形成され、
    前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鈍角である
    請求項1に記載の方法。
  6. 前記鈍角は、約105°以上約150°以下である
    請求項5に記載の方法。
  7. 前記複数の画素定義ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、略逆台形状に形成され、
    前記逆台形状は、短い方の辺が前記第2側面にあり、長い方の辺が前記第1側面にある
    請求項5に記載の方法。
  8. 前記複数の画素定義ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、前記ベース基板に近い側にある第1部分と、前記ベース基板から遠い側にある第2部分と、を含み、
    前記第1部分は、略逆台形状に形成されるとともに、前記略逆台形状の短い方の辺が前記第2側面にあり、
    前記第2部分は、略長方形状に形成される
    請求項5に記載の方法。
  9. 前記犠牲層を除去した後、インクジェット印刷によって複数のインクジェット印刷ブロックが含まれるインクジェット印刷層を形成する工程をさらに含み、
    前記複数のインクジェット印刷ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有するように形成され、
    前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鋭角である
    請求項1に記載の方法。
  10. 前記鋭角は、約30°以上約75°以下である
    請求項9に記載の方法。
  11. 前記犠牲層は、金属材からなり、
    前記犠牲層を形成する工程は、前記ベース基板上に金属材料層を形成してから、前記金属材料層をパターニングして前記複数の犠牲ブロックを形成するステップを含み、
    前記犠牲層を除去する工程は、ウエットエッチャントによって前記複数の犠牲層をエッチングするステップを含む
    請求項1に記載の方法。
  12. 前記ウエットエッチャントは、塩酸、硝酸、リン酸からなる群より選択されるエッチャントのうち、1種またはその組み合わせを含む
    請求項11に記載の方法。
  13. 前記金属材料層は、モリブデン、アルミニウム、シルバーからなる群より選択されるメタルのうち、1種またはその組み合わせから得られる
    請求項11に記載の方法。
  14. 前記複数の犠牲ブロックの各々は、長方形錐台形状、正方形錐台形状、円錐台形状からなる群より選択される形状のうち、1種またはその組み合わせを有するように形成される
    請求項1に記載の方法。
  15. ベース基板と、
    前記ベース基板上に複数の画素定義ブロックが含まれる画素定義層と、を備える表示基板であって、
    前記複数の画素定義ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有し、
    前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鈍角であり、
    前記複数の画素定義ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、前記ベース基板に近い側にある第1部分と、前記ベース基板から遠い側にある第2部分と、を含み、
    前記第1部分は、略逆台形状に形成されるとともに、前記略逆台形状の短い方の辺が前記第2側面にあり、
    前記第2部分は、略長方形状に形成され、前記第1部分の前記略逆台形状の長い方の辺の外へ水平に部分的に延在し、前記画素定義層内に逆T字形状の開口を形成している
    表示基板。
  16. 前記鈍角は、約105°以上約150°以下である
    請求項15に記載の表示基板。
  17. 前記表示基板の副画素領域において複数のインクジェット印刷ブロックが含まれるインクジェット印刷層をさらに備え、
    前記複数のインクジェット印刷ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い側にある第1側面と、前記第1側面に対向し前記ベース基板に近い側にある第2側面と、前記第1側面と前記第2側面が接続された第3側面と、を有し、
    前記第2側面に対する前記第3側面の接線の平均傾斜角度は、鋭角である
    請求項15に記載の表示基板。
  18. 前記鋭角は、約30°以上約75°以下である
    請求項17に記載の表示基板。
  19. 前記複数のインクジェット印刷ブロック毎の前記ベース基板に垂直な平面に沿った断面は、略台形状に形成され、
    前記台形状は、短い方の辺が前記第1側面にあり、長い方の辺が前記第2側面にある
    請求項17に記載の表示基板。
  20. 前記インクジェット印刷層は、有機発光材を含み、
    前記表示基板は、アレイ基板である
    請求項17に記載の表示基板。
  21. 前記インクジェット印刷層は、色フィルター層であり、
    前記表示基板は、色フィルター基板である
    請求項17に記載の表示基板。
  22. 前記画素定義層は、樹脂材を含み、
    前記表示基板は、アレイ基板である
    請求項15に記載の表示基板。
  23. 前記画素定義層は、樹脂材と黒色顔料を含み、
    前記表示基板は、色フィルター基板である
    請求項15に記載の表示基板。
  24. 請求項15から請求項23のいずれか一項に記載の表示基板を備える
    表示装置。
JP2017557086A 2016-05-03 2017-04-17 表示基板および表示基板の製造方法 Active JP6910958B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610286520.2A CN105826355B (zh) 2016-05-03 2016-05-03 一种显示面板的制作方法
CN201610286520.2 2016-05-03
PCT/CN2017/080760 WO2017190585A1 (en) 2016-05-03 2017-04-17 Display substrate and method of fabricating display substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019515411A JP2019515411A (ja) 2019-06-06
JP6910958B2 true JP6910958B2 (ja) 2021-07-28

Family

ID=56527946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017557086A Active JP6910958B2 (ja) 2016-05-03 2017-04-17 表示基板および表示基板の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10304915B2 (ja)
EP (1) EP3453052A4 (ja)
JP (1) JP6910958B2 (ja)
CN (1) CN105826355B (ja)
WO (1) WO2017190585A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105826355B (zh) 2016-05-03 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法
CN107093681B (zh) * 2017-05-04 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层制备方法、像素界定层及显示面板
CN107331681B (zh) 2017-06-21 2020-04-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示器件
CN107393946B (zh) * 2017-07-31 2020-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法
CN107706317A (zh) 2017-09-26 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板的制备方法
CN108091675B (zh) * 2017-12-13 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法
CN108281467A (zh) * 2018-01-22 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、显示基板及其制作方法、显示装置
CN108666347B (zh) * 2018-04-26 2021-07-30 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108899345B (zh) * 2018-07-02 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构及其制造方法、显示面板和显示装置
CN110346960A (zh) * 2019-07-02 2019-10-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种玻璃基板上的黑色矩阵的制备方法及其应用
CN110854171B (zh) * 2019-11-21 2022-09-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN111312779B (zh) * 2020-02-27 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种用于优化喷墨打印封装制程的结构及方法、显示屏
CN111370586A (zh) * 2020-03-18 2020-07-03 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112968114B (zh) * 2021-02-01 2022-07-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW522577B (en) * 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP5324103B2 (ja) * 2004-12-29 2013-10-23 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 基体構造を有する閉じ込め構造、電子デバイス及びその形成方法
KR101091743B1 (ko) 2005-02-23 2011-12-08 엘지디스플레이 주식회사 잉크젯 방식을 이용한 스페이서 형성방법
GB0618698D0 (en) * 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
CN101029947A (zh) 2007-04-10 2007-09-05 友达光电股份有限公司 彩色滤光片
KR101431466B1 (ko) * 2008-07-30 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자의 제조 방법
KR101073561B1 (ko) * 2009-02-05 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
CN102428395A (zh) * 2009-05-20 2012-04-25 旭硝子株式会社 光学元件的制造方法
CN103811593B (zh) * 2012-11-12 2018-06-19 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
US9444050B2 (en) * 2013-01-17 2016-09-13 Kateeva, Inc. High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related method
KR20140120713A (ko) * 2013-04-04 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103413819B (zh) 2013-07-22 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、像素界定层及其制作方法
KR102084400B1 (ko) * 2013-08-30 2020-03-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광장치 및 그 제조방법
KR20150095024A (ko) * 2014-02-12 2015-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104167430B (zh) 2014-08-08 2017-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN104409652B (zh) * 2014-10-23 2017-08-01 京东方科技集团股份有限公司 玻璃薄膜的制备方法、光电器件及其封装方法、显示装置
CN104393192A (zh) 2014-12-04 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层及其制作方法、显示面板、显示装置
CN105826355B (zh) 2016-05-03 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180204891A1 (en) 2018-07-19
EP3453052A1 (en) 2019-03-13
CN105826355A (zh) 2016-08-03
JP2019515411A (ja) 2019-06-06
CN105826355B (zh) 2017-03-08
WO2017190585A1 (en) 2017-11-09
US10304915B2 (en) 2019-05-28
EP3453052A4 (en) 2019-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6910958B2 (ja) 表示基板および表示基板の製造方法
EP3179513B1 (en) Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor, and display device
US10886343B2 (en) Pixel defining layer and method for manufacturing the same, display panel and method for manufacturing the same, and display device
US10957751B2 (en) Pixel defining layer and manufacturing method thereof, display substrate, display panel
US11127798B2 (en) Pixel definition layer and manufacturing method thereof, display substrate, and display panel
US9653526B2 (en) Pixel defining layer and manufacturing method thereof, display panel and display device
US10283576B2 (en) Organic light emitting display substrate in which light emitted from light emitting unit has increased uniformity, manufacturing method thereof and display device
CN107623022B (zh) 像素界定层及其制备方法、显示基板及其制备方法、显示装置
US10720588B2 (en) Substrate and method of manufacturing the same, display panel and display device
US20200303687A1 (en) Manufacturing method of oled display panel
CN107706226B (zh) 对向基板、其制作方法、有机发光显示面板及显示装置
CN108281476B (zh) 像素界定层和显示面板及其制作方法、显示装置
JP2008243773A (ja) 電気発光装置、その製造方法、電子機器、薄膜構造体、薄膜形成方法
EP3678181B1 (en) Manufacturing method for light-emitting layer, electroluminescent device and display device
WO2019201096A1 (zh) 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置
US11233115B2 (en) Display panel and manufacturing method thereof, and display device
US20170271419A1 (en) Polymer light-emitting diode structure, related display substrate and display apparatus, and fabrication method thereof
US11672147B2 (en) Display substrate, method for manufacturing display substrate, and display apparatus
CN111524953B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US11404505B2 (en) Display substrate, ink-jet printing method thereof, and display apparatus
JP2007018775A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
CN110828484A (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
US20240023377A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
JP2020527275A (ja) アレイ基板、それを有する表示パネル、並びにアレイ基板の製造方法
CN113871442A (zh) 显示面板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200319

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210507

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210607

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210707

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6910958

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150