JP6906210B2 - 積層体、有機薄膜太陽電池、積層体の製造方法および有機薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 15
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 53
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- ZORYZEVTIVPMPO-UHFFFAOYSA-H hexapotassium hexafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[K+] ZORYZEVTIVPMPO-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 4
- APPXAPLOULWUGO-UHFFFAOYSA-H hexasodium hexafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+] APPXAPLOULWUGO-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 4
- AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 2-hydroxypropanoate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 3
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JRFKUVDHIAAEOU-UHFFFAOYSA-N [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+] JRFKUVDHIAAEOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZHHHHWLNNWAEML-UHFFFAOYSA-L dipotassium;oxalate;dihydrate Chemical compound O.O.[K+].[K+].[O-]C(=O)C([O-])=O ZHHHHWLNNWAEML-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 12
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 10
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 10
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 7
- -1 polyparaphenylene Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000002186 photoelectron spectrum Methods 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 4
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- DMEDNTFWIHCBRK-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2-methylbenzene Chemical compound CC1=C(Cl)C=CC=C1Cl DMEDNTFWIHCBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYMMNSVHOKXTNN-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-5-methyl-benzene Natural products CC1=CC(Cl)=CC(Cl)=C1 RYMMNSVHOKXTNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Chemical compound [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVFORMHKBFWUNT-UHFFFAOYSA-N O.O.O.O.[K] Chemical compound O.O.O.O.[K] WVFORMHKBFWUNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XLORJRJHBLHPPD-UHFFFAOYSA-J [F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[K+].[K+] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[K+].[K+] XLORJRJHBLHPPD-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- PFSXARRIPPWGNC-UHFFFAOYSA-J hexafluorotitanium(2-);hydron Chemical compound [H+].[H+].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] PFSXARRIPPWGNC-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004502 linear sweep voltammetry Methods 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- WAOWQLJJQBDGQC-UHFFFAOYSA-N tetraazanium;tetrafluoride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[F-].[F-].[F-].[F-] WAOWQLJJQBDGQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);disulfate Chemical compound [Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H10K30/81—Electrodes
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- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
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- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
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- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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Description
また、近年、耐久性の向上等の観点から、光透過性電極層、電子輸送層、有機半導体層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する「逆型」の有機薄膜太陽電池が提案されている(特許文献1を参照)。
このような有機薄膜太陽電池を実際の生活環境下で使用するに当たって、良好な出力特性を発揮することが要求される。
しかし、本発明者らが検討したところ、ゾルゲル法を用いて電子輸送層を形成した有機薄膜太陽電池は、出力特性が不十分である場合があった。
更に、本発明は、上記積層体を製造する新規な方法を提供することを目的とする。
[1]光透過性電極層、電子輸送層、有機半導体層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する有機薄膜太陽電池の上記光透過性電極層および上記電子輸送層となる積層体であって、上記光透過性電極層となる部材と、上記光透過性電極層となる部材の上に配置された、上記電子輸送層となる酸化チタン層と、を有し、上記酸化チタン層の厚さが、1.0nm以上200.0nm以下であり、上記酸化チタン層が、酸化インジウムおよび金属インジウムを含有し、チタン元素の含有量をTi、酸化インジウムの含有量をInOx、金属インジウムの含有量をInMとしたとき、InOx/Tiが原子比で0.50以上20.00以下であり、InM/Tiが原子比で0.100未満である、積層体。
[2]上記[1]に記載の積層体を用いた、光透過性電極層、電子輸送層、有機半導体層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する有機薄膜太陽電池。
[3]上記[1]に記載の積層体を製造する方法であって、Ti成分を含有する処理液中で、上記光透過性電極層となる部材をカソード分極し、次いで、アノード分極することにより、上記光透過性電極層となる部材の上に、上記酸化チタン層を形成する、積層体の製造方法。
[4]上記処理液中のTi含有量が、0.004mol/L以上1.300mol/L以下である、上記[3]に記載の積層体の製造方法。
[5]上記Ti成分が、六フッ化チタン水素酸、六フッ化チタン酸カリウム、六フッ化チタン酸ナトリウム、六フッ化チタン酸アンモニウム、シュウ酸チタニルアンモニウム、シュウ酸チタニルカリウム二水和物、硫酸チタン、および、チタンラクテートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、上記[3]または[4]に記載の積層体の製造方法。
[6]上記光透過性電極層となる部材をカソードとして、0.01A/dm2以上5.00A/dm2以下の電流密度で通電し、次いで、上記光透過性電極層となる部材をアノードとして、0.01A/dm2以上5.00A/dm2以下の電流密度で通電する、上記[3]〜[5]のいずれかに記載の積層体の製造方法。
[7]上記[1]に記載の積層体を用いて、光透過性電極層、電子輸送層、有機半導体層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する有機薄膜太陽電池を製造する、有機薄膜太陽電池の製造方法。
更に、本発明によれば、上記積層体を製造する新規な方法を提供できる。
まず、図1に基づいて、有機薄膜太陽電池1を説明する。
図1は、有機薄膜太陽電池1を模式的に示す断面図である。有機薄膜太陽電池1は、例えば、光透過性電極層2、電子輸送層3、有機半導体層4、ホール輸送層5および集電極層6をこの順に有する。
光透過性電極層2の厚さは、後述する部材8(図2参照)の厚さに準ずる。
電子輸送層3の厚さは、後述する酸化チタン層9(図2参照)の厚さに準ずる。
有機半導体層4、ホール輸送層5および集電極層6の厚さは、適宜設定される。
P3HTとPCBMとの質量比(P3HT:PCBM)は、5:3〜5:6が好ましく、5:3〜5:4がより好ましい。
このような有機半導体層4は、導電性材料、色素などの添加剤を更に含有してもよい。
導電性材料としては、例えば、ポリアセチレン系、ポリピロール系、ポリチオフェン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニンビニレン系、ポリチエニレンビニロン系、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)系、ポリフルオレン系、ポリアニリン系、ポリアセン系の導電性材料が挙げられる(ただし、後述するPEDOT/PSSは除く)。
色素としては、例えば、シアニン系、メロシアニン系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、アゾ系、キノン系、キノイシン系、キナクドリン系、スクアリリウム系、トリフェニルメタン系、キサンテン系、ポルフィリン系、ペリレン系、インジコ系の色素が挙げられる。
添加剤の含有量は、P3HTとPCBMとの合計100質量部に対して、1〜100質量部が好ましく、1〜40質量部がより好ましい。
PEDOT/PSSは、PEDOT(ポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェン)と、PSS(ポリスチレンスルホン酸)とが一体化した高分子化合物であり、PEDOT:PSSと表記される場合もある。
次に、図2に基づいて、有機薄膜太陽電池1(図1参照)の光透過性電極層2および電子輸送層3となる積層体7を説明する。
図2は、積層体7を模式的に示す断面図である。積層体7は、光透過性電極層2(図1参照)となる部材8と、部材8の上に配置された、電子輸送層3(図1参照)となる酸化チタン層9と、を有する。
光透過性電極層2(図1参照)となる部材8は、導電性を有する部材であることが好ましく、酸化インジウムを含有する部材であることがより好ましい。
部材8は、酸化インジウムを含有する部材である場合、酸化インジウムスズ(ITO)を含有する部材であることが更に好ましく、ITO膜であることが特に好ましい。
部材8は、ガラス基板、樹脂フィルムなどの透明性基板の上に配置されていてもよい。
部材8の厚さは、集束イオンビームによって部材8の断面を形成し、形成した断面を、走査型電子顕微鏡を用いて測定することにより得られる値である。
酸化チタン層9は、酸化チタンを含有する層である。
更に、酸化チタン層9は、後述するように、酸化インジウムおよび金属インジウムを含有する。
酸化チタン層9の厚さは、1.0nm以上である。酸化チタン層9の厚さがこの範囲であれば、酸化チタン層9の欠陥による漏れ電流が発生しにくくなり、積層体7を用いた有機薄膜太陽電池1は、出力特性が優れる。
出力特性がより優れるという理由から、酸化チタン層9の厚さは、2.0nm以上が好ましく、3.0nm以上がより好ましく、4.0nm以上が更に好ましい。
出力特性、透過性および生産性がより優れるという理由から、酸化チタン層9の厚さは、100.0nm以下が好ましく、50.0nm以下がより好ましく、30.0nm以下が更に好ましい。
まず、酸化チタン層9の任意の部位について、X線光電子分光分析装置(XPS装置)を用いて、下記条件で、Ti3sおよびIn3dの狭域光電子スペクトルの測定と、アルゴンイオン(Ar+)によるスパッタとを繰返し行なう。これにより、酸化チタン層9における、スパッタ深さ方向の元素組成比(単位:原子%)を求める。元素組成比を求める際には、相対感度係数法を用いる。狭域光電子スペクトルの各ピーク面積における相対感度係数として、Ti3s:0.150、In3d:4.530をそれぞれ用いる。測定開始位置である酸化チタン層9の最表面から、チタン(Ti)の元素組成比が最大値の1/10の値となる深さ位置までを、酸化チタン層9の厚さとする。
・XPS装置:Quantera SXM(ULVAC−PHI社製)
・X線源:単色化Al−Kα線(電圧:15kV、出力:25.0W)
・X線ビーム径:100μmφ
・測定領域:100μmφ
・狭域光電子スペクトル測定Pass Energy:140eV
・狭域光電子スペクトル測定Energy Step:0.125eV
・スパッタレート:5.4nm/min(SiO2換算)
・Ar+加速エネルギー:1keV
・帯電中和:電子線+Ar+
・光電子取出し角:試料面法線方向から45°(X線入射角は試料面法線方向)
酸化チタン層9は、酸化インジウムを含有する。
そして、チタン元素の含有量を「Ti」、酸化インジウムの含有量を「InOx」としたとき、酸化チタン層9は、原子比(InOx/Ti)が、0.50以上20.00以下である。
このような酸化チタン層9は、後述する方法により得られるが、この場合、従来のゾルゲル法(例えば特許文献1を参照)を用いて形成される酸化チタン層よりも、In3+が多く存在し、酸素欠損が多く導入されていると考えられる。そして、酸素欠損によって過剰の電子が生成し、その一部がキャリアとして導電性に寄与する。
こうして、酸化チタン層9を有する積層体7を用いた有機薄膜太陽電池1は、出力特性に優れる。
ただし、これ以外のメカニズムであっても本発明の範囲内であるとする。
一方、上限に関して、原子比(InOx/Ti)は、18.00以下が好ましく、16.00以下がより好ましく、14.00以下が更に好ましい。
酸化チタン層9は、更に、金属インジウムを含有する。
そして、チタン元素の含有量を「Ti」、金属インジウムの含有量を「InM」としたとき、原子比(InM/Ti)は、0.100未満である。これにより、酸化チタン層9(電子輸送層3)の透過性が優れる。
透過性がより優れるという理由から、原子比(InM/Ti)は、0.050以下が好ましく、0.030以下がより好ましく、0.010以下が更に好ましい。
一方、下限に関して、原子比(InM/Ti)は、0.001以上が好ましい。
まず、酸化チタン層9について、上述した方法と同様に、XPS装置を用いた測定を行なう。次いで、得られるIn3dの狭域光電子スペクトルを、酸化物成分と金属成分とにピーク分離する。より詳細には、ピーク分離では、ソフトウェアとしてMultiPak(Ver.8.2C)を用い、関数フィッティングを行なう。
酸化物に対しては、ガウス−ローレンツ関数を適用する。金属成分に対しては、非対称関数(Tail Length:14.85±3.00、Tail Scale:0.23±0.10)を適用する。
なお、酸化インジウムと金属インジウムとは、互いに、ピーク位置が近接する。このため、下記範囲に固定して、ピーク高さ、半価幅およびガウス関数比率を可変パラメータとして、実測のスペクトルとの残差二乗和が最小となるように収束計算を行なう。
・酸化インジウム:444.6±0.5eV
・金属インジウム:443.8±0.5eV
チタン(Ti)、酸化インジウム、および、金属インジウムの元素組成比(単位:原子%)を、酸化チタン層9の最表面から、チタン(Ti)の元素組成比が最大値の1/10の値となる深さ位置まで積分し、積分値を得る。
酸化インジウムの積分値(InOx)および金属インジウムの積分値(InM)の積分値を、それぞれ、チタンの積分値(Ti)で除する。これにより、原子比(InOx/Ti)および原子比(InM/Ti)を求める。
上述した積層体7を製造するために、Ti成分を含有する処理液中で、部材8をカソード分極し、次いで、部材8をアノード分極する。なお、対極としては、白金電極などの不溶性電極が適している。部材8のカソード分極およびアノード分極は、例えば、後述する電解処理槽において実施される。
部材8は、上述したように、ガラス基板、樹脂フィルムなどの透明性基板の上に配置されていてもよい。この場合、部材8付き透明性基板(例えば、ITO膜付きガラス基板)をカソード分極し、次いで、アノード分極する。この場合、得られる積層体も、更に、この透明性基板を有する。
Ti成分としては、六フッ化チタン水素酸(H2TiF6)、六フッ化チタン酸カリウム(K2TiF6)、六フッ化チタン酸ナトリウム(Na2TiF6)、六フッ化チタン酸アンモニウム((NH4)2TiF6)、シュウ酸チタニルアンモニウム((NH4)2[TiO(C2O4)2])、シュウ酸チタニルカリウム二水和物(K2[TiO(C2O4)2]・2H2O)、硫酸チタン(Ti(SO4)2)、および、チタンラクテート(Ti(OH)2[OCH(CH3)COOH]2)からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。
これらのうち、処理液の安定性、入手の容易性などの観点から、六フッ化チタン水素酸および/またはその塩(六フッ化チタン酸カリウム、六フッ化チタン酸ナトリウム、六フッ化チタン酸アンモニウム)が好ましい。
処理液中のTi含有量は、0.004mol/L以上が好ましく、0.010mol/L以上がより好ましく、0.020mol/L以上が更に好ましい。
一方、処理液中のTi含有量は、1.300mol/L以下が好ましく、1.000mol/L以下がより好ましく、0.700mol/L以下が更に好ましく、0.300mol/L以下が特に好ましく、0.150mol/L以下が最も好ましい。
処理液のpHは、特に限定されず、例えば、pH2.0〜5.0である。pHの調整には公知の酸成分(例えば、リン酸、硫酸など)、または、アルカリ成分(例えば、水酸化ナトリウム、アンモニア水など)を使用できる。
処理液には、必要に応じて、ラウリル硫酸ナトリウム、アセチレングリコールなどの界面活性剤が含まれていてもよい。付着挙動の経時的な安定性の観点から、処理液には、ピロリン酸塩などの縮合リン酸塩が含まれていてもよい。
処理液の液温は、20〜80℃が好ましく、40〜60℃がより好ましい。
伝導助剤としては、例えば、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウムなどの硫酸塩;硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウムなどの硝酸塩;塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化マグネシウム、塩化カルシウムなどの塩化物塩;等が挙げられる。
処理液中の伝導助剤の含有量は、0.010〜1.000mol/Lが好ましく、0.020〜0.500mol/Lがより好ましい。
一方、カソード分極を施す際の電流密度は、5.00A/dm2以下が好ましく、4.00A/dm2以下がより好ましく、3.00A/dm2以下が更に好ましい。
通電時間は、所望する酸化チタン層9の厚さを得るために、適宜設定される。
一方、アノード分極を施す際の電流密度は、5.00A/dm2以下が好ましく、4.00A/dm2以下がより好ましく、3.00A/dm2以下が更に好ましい。
通電時間は、酸化チタン層9の内部等に析出した金属インジウムが酸化する(In→In3+)ために、適宜設定される。
水洗の方法は特に限定されず、例えば、カソード分極および/またはアノード分極の後に水に浸漬する方法などが挙げられる。水洗は、例えば、後述する水洗槽において実施される。水洗に用いる水の温度(水温)は、40〜90℃が好ましい。
水洗時間は、0.5秒超が好ましく、1.0〜5.0秒が好ましい。
更に、水洗に代えて、または、水洗の後に、乾燥を行なってもよい。乾燥の際の温度および方式は特に限定されず、例えば、通常のドライヤまたは電気炉を用いた乾燥方式が適用できる。乾燥温度は、100℃以下が好ましい。
この方式は、例えば、部材8が配置されている透明性基板(ガラス基板、樹脂フィルムなど)の種類や形状に応じて、適宜選択される。
この場合、例えば、洗浄処理槽、電解処理槽および水洗槽を用意し、部材8付きガラス基板を、各槽に浸漬させて処理すればよい。
カソード分極およびアノード分極を、1つの電解処理槽で実施してもよく、別れた2つの電解処理槽で実施してもよい。
この場合、例えば、巻き戻し用テンションリールと巻き取り用テンションリールとの間に、洗浄処理槽、電解処理槽、水洗槽および乾燥装置を配置し、適宜ロールを設けて、部材8付き樹脂フィルムを、連続的に、各槽を通過させる。
カソード分極およびアノード分極を、1つの電解処理槽で実施してもよく、別れた2つの電解処理槽で実施してもよい。後者の場合、2つの電解処理槽の間に、更に、水洗槽を設けてもよい。
上述した積層体7を用いて、光透過性電極層2、電子輸送層3、有機半導体層4、ホール輸送層5および集電極層6をこの順に有する有機薄膜太陽電池1を製造する。
例えば、積層体7における酸化チタン層9の上に、有機半導体層4、ホール輸送層5および集電極層6となる層を順次形成する。
有機半導体層4は、例えば、電子輸送層3となる酸化チタン層9の上に、P3HTおよびPCBMを溶解させた溶液をスピンコートし、乾燥することにより形成する。溶液の溶媒としては、例えば、2,6−ジクロロトルエン、クロロホルム、クロロベンゼン、これら2種以上の混合物などが挙げられる。
ホール輸送層5は、例えば、有機半導体層4の上に、PEDOT/PSSの水分散液をスピンコートし、乾燥することにより形成する。
集電極層6は、例えば、ホール輸送層5の上に、Auなどの金属を蒸着することにより形成する。
各層を形成する方法は、これらの方法に限定されず、従来公知の方法を適宜用いることができる。
ガラス基板(30mm×35mm、厚さ0.7mm、無アルカリガラス)の一方の面上にスパッタリングによってITO(Indium Tin Oxide)膜が積層されたITO膜付きガラス基板(シート抵抗値:10Ω/sq、イデアルスター社製)を準備した。ITO膜の厚さは150nmであった。このITO膜付きガラス基板を、光透過性電極層となる部材付き透明性基板として用いた。
準備したITO膜付きガラス基板(光透過性電極層となる部材付き透明性基板)を用いて、次のように、光透過性電極層および電子輸送層となる積層体を作製した。
まず、0.040mol/Lの六フッ化チタン酸カリウム(K2TiF6)および0.10mol/Lの硫酸カリウム(K2SO4)を含有し、水酸化カリウムにてpHを4.0に調整した処理液(以下、単に「処理液」と略記する)を調製した。
次に、準備したITO膜付きガラス基板を、セミクリーンM4(横浜油脂工業社製)をイオン交換水で20倍希釈した洗浄液中に浸漬させて、10分間の超音波洗浄を行なった。その後、ITO膜付きガラス基板を、洗浄液から取り出し、イオン交換水に浸漬させて、10分間の超音波洗浄を行なった。
洗浄したITO膜付きガラス基板を、調製した処理液(液温:50℃)に浸漬させた。処理液中で、ITO膜付きガラス基板を、下記表1に示す条件で、カソード分極し、次いで、アノード分極した。その後、25℃の水槽に2.0秒浸漬させて水洗した後、ブロアを用いて室温で乾燥した。これにより、ITO膜付きガラス基板のITO膜上に、電子輸送層となる酸化チタン層を形成した。こうして、酸化チタン層を形成したITO膜付きガラス基板(光透過性電極層および電子輸送層となる積層体)を作製した。
まず、2−メトキシエタノール12.5mL中に、6.25mmolのチタニウムテトライソプロポキシドを添加し、氷浴中で10分間冷却した。次に、12.5mmolのアセチルアセトンを加えて、氷浴中で10分間撹拌し、混合溶液を得た。得られた混合溶液を、80℃で2時間加熱し、その後、1時間還流した。最後に、混合溶液を、室温まで冷却し、酸化チタン前駆体溶液を得た。各工程の雰囲気は、全て窒素雰囲気とした。
次に、洗浄したITO膜付きガラス基板のITO膜上に、酸化チタン前駆体溶液を、回転速度2000rpm、回転時間60秒の条件で、スピンコートして、塗膜を形成した。その後、空気中に放置して、塗膜中の酸化チタン前駆体を加水分解させた。次に、150℃で1時間の加熱処理をして、厚さ30nmの酸化チタン層を得た。
このようにして作製した積層体(比較用積層体)は、後述するNo.9に用いた。
上述した方法に従って、酸化チタン層の厚さ、原子比(InOx/Ti)、および、原子比(InM/Ti)を求めた。結果を下記表1に示す。
作製した積層体の可視光透過率(単位:%)を、下記条件にて測定した。結果を下記表1に示す。可視光透過率の値が大きいほど、透過性に優れると評価できる。
・測定装置:分光色彩計SD7000(日本電色工業社製)
・測定領域:5mmφ
・測定波長:600nm
作製した積層体を用いて、以下のようにして、4mm×25mm、すなわち1.0cm2の光電変換面積を有する有機薄膜太陽電池を作製した。
2,6−ジクロロトルエンとクロロホルムとを、体積比1:1で混合して、混合溶液を得た。この混合溶液に、P3HT(Aldrich社製)とPCBM(フロンティアカーボン社製)とを、質量比5:4で、合計濃度が3.9質量%となるように、溶解させた。
酸化チタン層の上に、上記混合溶液を、1500rpm、60秒の条件でスピンコートし、室温にて約10分間乾燥して、厚さ250nmの有機半導体層を形成した。
ポリオキシエチレントリデシルエーテル(C13H27(OCH2CH2)6OH)を1質量%およびキシレンを1質量%含有し、水およびイソプロパノールを溶媒とする非イオン性界面活性剤(Aldrich社製)を用意した。1.3質量%PEDOT/PSS水分散液(Aldrich社製)100質量部に対して、この非イオン性界面活性剤を0.5質量部混合して、PTE含有PEDOT/PSS水分散液を調製した。
PTE含有PEDOT/PSS水分散液を、50〜90℃に加温し、これを有機半導体層の上に、6000rpm、60秒の条件でスピンコートし、室温にて自然乾燥して、厚さ80nmのホール輸送層を形成した。
ホール輸送層の上に、Au電極層(集電極層)を、厚さ約100nmになるように真空蒸着した。
より詳細には、4mm×25mmの電極形状に対応するシャドウマスクおよびホール輸送層までが形成されたガラス基板を、チャンバー内に設置した。ロータリーポンプおよびターボ分子ポンプを用いてチャンバー内を減圧とし、チャンバー内圧力を2×10−3Pa以下にした。このチャンバー内で金線を抵抗加熱し、シャドウマスクを介して、ホール輸送層の上に金を100nm成膜した。成膜速度は10〜15nm/minとし、成膜時の圧力は1×10−2Pa以下であった。
作製した有機薄膜太陽電池に対して、次の評価を行なった。
太陽擬似光源装置(SAN−EI Electric社製、XES−502S)を用いて、AM1.5G(IEC規格 60904−3)のスペクトル分布を有し、100mW/cm2の光強度を有する擬似太陽光を、有機薄膜太陽電池に対して、ITO膜側から照射した。この状態で、リニアスイープボルタンメトリー(LSV)測定装置(Hokuto Denko社製、HZ−5000)を用いて、有機薄膜太陽電池の光電流−電圧プロフィールを測定した。得られたプロフィールから最大出力を求め、以下の基準にて評価した。結果を下記表1に示す。最大出力の値が大きいほど出力特性に優れると評価できる。
A:最大出力 2.40mW/cm2以上
B:最大出力 1.70mW/cm2以上2.40mW/cm2未満
C:最大出力 1.70mW/cm2未満
上記表1に示すように、原子比(InOx/Ti)が0.50以上20.00以下であるNo.1〜No.7は、これを満たさないNo.9よりも、出力特性が良好であった。
No.1〜No.7を対比すると、No.2〜No.5およびNo.7よりも原子比(InOx/Ti)の値が大きいNo.1およびNo.6は、出力特性が更に優れていた。
2:光透過性電極層
3:電子輸送層
4:有機半導体層
5:ホール輸送層
6:集電極層
7:積層体
8:光透過性電極層となる部材
9:酸化チタン層
Claims (7)
- 光透過性電極層、電子輸送層、有機半導体層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する有機薄膜太陽電池の前記光透過性電極層および前記電子輸送層となる積層体であって、
前記光透過性電極層となる部材と、
前記光透過性電極層となる部材の上に配置された、前記電子輸送層となる酸化チタン層と、を有し、
前記酸化チタン層の厚さが、1.0nm以上200.0nm以下であり、
前記酸化チタン層が、酸化インジウムおよび金属インジウムを含有し、チタン元素の含有量をTi、酸化インジウムの含有量をInOx、金属インジウムの含有量をInMとしたとき、InOx/Tiが原子比で0.50以上20.00以下であり、InM/Tiが原子比で0.100未満である、積層体。 - 請求項1に記載の積層体を用いた、光透過性電極層、電子輸送層、有機半導体層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する有機薄膜太陽電池。
- 請求項1に記載の積層体を製造する方法であって、
Ti成分を含有する処理液中で、前記光透過性電極層となる部材をカソード分極し、次いで、アノード分極することにより、前記光透過性電極層となる部材の上に、前記酸化チタン層を形成する、積層体の製造方法。 - 前記処理液中のTi含有量が、0.004mol/L以上1.300mol/L以下である、請求項3に記載の積層体の製造方法。
- 前記Ti成分が、六フッ化チタン水素酸、六フッ化チタン酸カリウム、六フッ化チタン酸ナトリウム、六フッ化チタン酸アンモニウム、シュウ酸チタニルアンモニウム、シュウ酸チタニルカリウム二水和物、硫酸チタン、および、チタンラクテートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項3または4に記載の積層体の製造方法。
- 前記光透過性電極層となる部材をカソードとして、0.01A/dm2以上5.00A/dm2以下の電流密度で通電し、次いで、前記光透過性電極層となる部材をアノードとして、0.01A/dm2以上5.00A/dm2以下の電流密度で通電する、請求項3〜5のいずれか1項に記載の積層体の製造方法。
- 請求項1に記載の積層体を用いて、光透過性電極層、電子輸送層、有機半導体層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する有機薄膜太陽電池を製造する、有機薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019185052A JP6906210B2 (ja) | 2019-10-08 | 2019-10-08 | 積層体、有機薄膜太陽電池、積層体の製造方法および有機薄膜太陽電池の製造方法 |
CN202080069292.8A CN114514622A (zh) | 2019-10-08 | 2020-09-28 | 层叠体、有机薄膜太阳能电池、层叠体的制造方法和有机薄膜太阳能电池的制造方法 |
PCT/JP2020/036512 WO2021070647A1 (ja) | 2019-10-08 | 2020-09-28 | 積層体、有機薄膜太陽電池、積層体の製造方法および有機薄膜太陽電池の製造方法 |
US17/760,631 US11683944B2 (en) | 2019-10-08 | 2020-09-28 | Laminate, organic thin film solar cell, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing organic thin film solar cell |
KR1020227009279A KR20220051220A (ko) | 2019-10-08 | 2020-09-28 | 적층체, 유기 박막 태양전지, 적층체의 제조 방법 및 유기 박막 태양전지의 제조 방법 |
BR112022006148A BR112022006148A2 (pt) | 2019-10-08 | 2020-09-28 | Laminado, célula solar de película fina orgânica, método de produção de laminado e método de produção de célula solar de película fina orgânica |
EP20873810.4A EP4024487A4 (en) | 2019-10-08 | 2020-09-28 | LAMINATE, ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL, METHOD OF MAKING A LAMINATE AND METHOD OF MAKING AN ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL |
TW109134671A TWI747546B (zh) | 2019-10-08 | 2020-10-07 | 積層體、有機薄膜太陽電池、積層體之製造方法及有機薄膜太陽電池之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019185052A JP6906210B2 (ja) | 2019-10-08 | 2019-10-08 | 積層体、有機薄膜太陽電池、積層体の製造方法および有機薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021061334A JP2021061334A (ja) | 2021-04-15 |
JP6906210B2 true JP6906210B2 (ja) | 2021-07-21 |
Family
ID=75380468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019185052A Active JP6906210B2 (ja) | 2019-10-08 | 2019-10-08 | 積層体、有機薄膜太陽電池、積層体の製造方法および有機薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11683944B2 (ja) |
EP (1) | EP4024487A4 (ja) |
JP (1) | JP6906210B2 (ja) |
KR (1) | KR20220051220A (ja) |
CN (1) | CN114514622A (ja) |
TW (1) | TWI747546B (ja) |
WO (1) | WO2021070647A1 (ja) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005243379A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
KR101290894B1 (ko) | 2005-01-27 | 2013-07-29 | 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 | 수식 산화 티탄 미립자 및 그것을 사용한 광전 변환 소자 |
JP2009146981A (ja) | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Kanazawa Univ | 有機薄膜太陽電池及び有機薄膜太陽電池筐体封止パネル |
EP2490235B1 (en) | 2011-02-16 | 2014-04-02 | Imec | Electron transporting titanium oxide layer |
JP2013089807A (ja) | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池モジュール、および有機薄膜太陽電池の製造方法 |
JP5701784B2 (ja) * | 2012-01-16 | 2015-04-15 | 株式会社東芝 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置 |
JP6340758B2 (ja) | 2013-06-13 | 2018-06-13 | 株式会社リコー | 光電変換素子の製造方法 |
JP2015133466A (ja) | 2013-12-11 | 2015-07-23 | 積水化学工業株式会社 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
US20170125171A1 (en) * | 2014-04-23 | 2017-05-04 | Lg Chem, Ltd. | Organic-inorganic hybrid solar cell |
CN107369766B (zh) | 2017-07-10 | 2020-08-04 | 陕西师范大学 | 一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
JP2019145621A (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-29 | 公立大学法人 滋賀県立大学 | 太陽電池およびその太陽電池の製造方法 |
JP6741187B1 (ja) | 2018-12-12 | 2020-08-19 | Jfeスチール株式会社 | 積層体、有機薄膜太陽電池、積層体の製造方法および有機薄膜太陽電池の製造方法 |
-
2019
- 2019-10-08 JP JP2019185052A patent/JP6906210B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-28 US US17/760,631 patent/US11683944B2/en active Active
- 2020-09-28 EP EP20873810.4A patent/EP4024487A4/en active Pending
- 2020-09-28 CN CN202080069292.8A patent/CN114514622A/zh active Pending
- 2020-09-28 WO PCT/JP2020/036512 patent/WO2021070647A1/ja unknown
- 2020-09-28 KR KR1020227009279A patent/KR20220051220A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-10-07 TW TW109134671A patent/TWI747546B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220336763A1 (en) | 2022-10-20 |
TW202119667A (zh) | 2021-05-16 |
EP4024487A4 (en) | 2022-11-02 |
TWI747546B (zh) | 2021-11-21 |
EP4024487A1 (en) | 2022-07-06 |
WO2021070647A1 (ja) | 2021-04-15 |
CN114514622A (zh) | 2022-05-17 |
US11683944B2 (en) | 2023-06-20 |
JP2021061334A (ja) | 2021-04-15 |
KR20220051220A (ko) | 2022-04-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |