JP6894076B2

JP6894076B2 - Manufacturing method of mounting structure and laminated sheet used for this

Info

Publication number: JP6894076B2
Application number: JP2017071783A
Authority: JP
Inventors: 橋本　卓幸; 卓幸橋本; 浩之岡田
Original assignee: Nagase Chemtex Corp
Current assignee: Nagase Chemtex Corp
Priority date: 2017-03-31
Filing date: 2017-03-31
Publication date: 2021-06-23
Anticipated expiration: 2037-03-31
Also published as: JP2018174242A

Description

本発明は、内部に空間を備える実装構造体の製造方法であって、詳細には、積層シートを用いて封止された実装構造体の製造方法、および、これに用いられる積層シートに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a mounting structure having a space inside, and more particularly to a method for manufacturing a mounting structure sealed by using a laminated sheet, and a laminated sheet used therein.

回路基板に搭載される電子部品（回路部材）の中には、回路基板との間に空間を必要とする場合がある。例えば、携帯電話などのノイズ除去に用いられるＳＡＷチップは、圧電基板（圧電体）上を伝搬する表面波を利用して所望の周波数をフィルタリングするため、圧電体上の電極と、ＳＡＷチップが搭載される回路基板との間に空間が必要である。 Some electronic components (circuit members) mounted on a circuit board may require a space between them and the circuit board. For example, a SAW chip used for noise removal in a mobile phone or the like is equipped with an electrode on the piezoelectric body and a SAW chip in order to filter a desired frequency by using a surface wave propagating on a piezoelectric substrate (piezoelectric body). A space is required between the circuit board and the circuit board.

ところで、回路基板に搭載される回路部材の多くは、電磁波の影響を低減するために、導電性材料を含む導電層で覆われることが望ましい。上記のようなＳＡＷチップの場合、例えば特許文献１では、電磁波シールド性を備えるカバーとグランド回路とを導通させるために、カバーに導電性のバンプを配置するとともに、カバーとグランド回路とを接着する接着シートに、当該バンプに対応する貫通孔を形成することを教示している。この場合、貫通孔からバンプを露出させて、バンプを介してカバーとグランド回路とを接続させることにより、電磁波シールド性能が発揮される。特許文献１によれば、内部の空間を維持しながら回路部材を封止する（中空封止）とともに、外部から侵入しようとする電磁波をシールドすることができる。 By the way, it is desirable that many of the circuit members mounted on the circuit board are covered with a conductive layer containing a conductive material in order to reduce the influence of electromagnetic waves. In the case of the SAW chip as described above, for example, in Patent Document 1, in order to conduct the cover having the electromagnetic wave shielding property and the ground circuit, a conductive bump is arranged on the cover and the cover and the ground circuit are adhered to each other. It teaches that a through hole corresponding to the bump is formed in the adhesive sheet. In this case, the electromagnetic wave shielding performance is exhibited by exposing the bumps from the through holes and connecting the cover and the ground circuit via the bumps. According to Patent Document 1, it is possible to seal the circuit member (hollow sealing) while maintaining the internal space, and to shield the electromagnetic wave that is about to enter from the outside.

特開２０１２−１６０４８９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-160489

特許文献１のように、予めカバーを成型する場合、製造工程が増えるため、製造コストの増大につながる。さらに、カバーとＳＡＷチップとの位置合わせが必要になるため、生産性が低下し易い。加えて、ＳＡＷチップを損傷しないようにカバーに余裕を持たせて成型する必要があるため、得られる実装構造体の低背化が困難である。 When the cover is molded in advance as in Patent Document 1, the number of manufacturing processes increases, which leads to an increase in manufacturing cost. Further, since it is necessary to align the cover and the SAW chip, the productivity tends to decrease. In addition, since it is necessary to mold the cover with a margin so as not to damage the SAW chip, it is difficult to reduce the height of the obtained mounting structure.

上記に鑑み、本発明の一局面は、第１回路部材と、前記第１回路部材に搭載される複数の第２回路部材と、前記第１回路部材の前記第２回路部材同士の隙間から露出する導体と、を備えるとともに、前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に空間が形成された実装部材を準備する工程と、絶縁層と導電層とを備え、前記絶縁層が、少なくとも一方の最外に配置されている積層シートを準備する工程と、前記絶縁層が前記導体と対向するように、前記積層シートを前記実装部材に配置する配置工程と、前記積層シートを前記第１回路部材に対して押圧するとともに、前記積層シートを加熱して、前記空間を維持しながら、前記第２回路部材を封止する封止工程と、を具備し、前記絶縁層は、前記導体に対応する位置に開口を備え、前記封止工程では、前記開口から前記導電層を露出させて、前記導体と前記導電層とを電気的に接続させる、実装構造体の製造方法に関する。 In view of the above, one aspect of the present invention is exposed from the gap between the first circuit member, the plurality of second circuit members mounted on the first circuit member, and the second circuit member of the first circuit member. A step of preparing a mounting member having a conductor and a space formed between the first circuit member and the second circuit member, and an insulating layer and a conductive layer. A step of preparing at least one outermost laminated sheet, an arrangement step of arranging the laminated sheet on the mounting member so that the insulating layer faces the conductor, and the step of arranging the laminated sheet on the mounting member. The insulating layer comprises a sealing step of sealing the second circuit member while pressing the one circuit member and heating the laminated sheet to maintain the space, and the insulating layer is the conductor. The present invention relates to a method for manufacturing a mounting structure, which comprises an opening at a position corresponding to the above, and in the sealing step, the conductive layer is exposed from the opening to electrically connect the conductor and the conductive layer.

本発明の別の局面は、第１回路部材と、前記第１回路部材に搭載される複数の第２回路部材と、を備えるとともに、前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に空間が形成された実装部材を封止するために用いられる積層シートであって、絶縁層と導電層とを備え、前記絶縁層が、少なくとも一方の最外に配置されるとともに、開口を備えており、前記第２回路部材が封止されるときの温度ｔにおいて、前記絶縁層の損失正接ｔａｎδ１が、１以下である、積層シートに関する。 Another aspect of the present invention includes a first circuit member and a plurality of second circuit members mounted on the first circuit member, and between the first circuit member and the second circuit member. A laminated sheet used to seal a mounting member in which a space is formed, comprising an insulating layer and a conductive layer, the insulating layer being arranged at least one of the outermost layers and having an opening. The present invention relates to a laminated sheet in which the loss positive contact tan δ1 of the insulating layer is 1 or less at a temperature t when the second circuit member is sealed.

本発明によれば、内部の空間を維持しながら、生産性よく、積層シートの導電層とグランド電極に導通する導体とを接続させることができる。 According to the present invention, it is possible to connect the conductive layer of the laminated sheet and the conductor conductive to the ground electrode with high productivity while maintaining the internal space.

本発明の一実施形態にかかる実装構造体を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the mounting structure which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態にかかる積層シートを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the laminated sheet which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態にかかる製造方法を、実装部材あるいは実装構造体の断面により模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the manufacturing method which concerns on one Embodiment of this invention by the cross section of the mounting member or the mounting structure.

本実施形態に係る方法により製造される実装構造体の一例を、図１に示す。図１は、実装構造体１０を模式的に示す断面図である。
実装構造体１０は、第１回路部材１と、例えばバンプ３を介して第１回路部材１に搭載される複数の第２回路部材２と、第２回路部材２を封止する封止材４と、を備える。第１回路部材１と第２回路部材２との間には、空間（内部空間Ｓ）が形成されている。第１回路部材１の第２回路部材２同士の隙間からは、導体６が露出しており、封止材４の内部の層（後述する導電層４２Ｐの硬化物層４２）と当接している。封止材４は、内部空間Ｓを維持しながら第２回路部材２を封止して、第２回路部材２の短絡を防止するため、および、電磁波シールドのために設けられる。なお、本実施形態では、第２回路部材２を、バンプ３を介して第１回路部材１に搭載しているが、第１回路部材１への搭載方法は、これに限定されない。 An example of the mounting structure manufactured by the method according to the present embodiment is shown in FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the mounting structure 10.
The mounting structure 10 is a sealing material 4 that seals the first circuit member 1, a plurality of second circuit members 2 mounted on the first circuit member 1 via, for example, bumps 3, and the second circuit member 2. And. A space (internal space S) is formed between the first circuit member 1 and the second circuit member 2. The conductor 6 is exposed from the gap between the second circuit members 2 of the first circuit member 1 and is in contact with the inner layer of the sealing material 4 (the cured product layer 42 of the conductive layer 42P described later). .. The sealing material 4 is provided to seal the second circuit member 2 while maintaining the internal space S to prevent a short circuit of the second circuit member 2 and to shield the electromagnetic wave. In the present embodiment, the second circuit member 2 is mounted on the first circuit member 1 via the bump 3, but the mounting method on the first circuit member 1 is not limited to this.

封止材４は、積層シート４Ｐの硬化物である。本発明は、この積層シート４Ｐを包含する。積層シート４Ｐは、図２に示すように、少なくとも一方の最外に配置された絶縁層４１Ｐと導電層４２Ｐとを備える。よって、得られる封止材４は、少なくとも絶縁層４１Ｐの硬化物層４１と導電層４２Ｐの硬化物層４２とを備える。図２は、積層シート４Ｐを模式的に示す断面図である。 The sealing material 4 is a cured product of the laminated sheet 4P. The present invention includes this laminated sheet 4P. As shown in FIG. 2, the laminated sheet 4P includes at least one outermost insulating layer 41P and a conductive layer 42P. Therefore, the obtained sealing material 4 includes at least a cured product layer 41 of the insulating layer 41P and a cured product layer 42 of the conductive layer 42P. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the laminated sheet 4P.

［積層シート］
積層シート４Ｐの絶縁層４１Ｐは、開口Ａを備える。封止工程において、積層シート４Ｐは、絶縁層４１Ｐが第２回路部材２と対向するように配置されて、第１回路部材１に向かって押圧される。これにより、積層シート４Ｐは、第２回路部材２の表面に密着する。さらに、積層シート４Ｐは、第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面にまで到達するとともに、開口Ａから導電層４２Ｐが露出して、導電層４２Ｐと導体６とが電気的に接続される。その結果、導電層４２Ｐ（導電層の硬化物層４２）による電磁波シールド性が発揮される。一方、絶縁層４１Ｐにより、第２回路部材２の短絡は予防される。 [Laminated sheet]
The insulating layer 41P of the laminated sheet 4P includes an opening A. In the sealing step, the laminated sheet 4P is arranged so that the insulating layer 41P faces the second circuit member 2 and is pressed toward the first circuit member 1. As a result, the laminated sheet 4P comes into close contact with the surface of the second circuit member 2. Further, the laminated sheet 4P reaches the surface of the first circuit member 1 between the second circuit members 2, and the conductive layer 42P is exposed from the opening A, so that the conductive layer 42P and the conductor 6 are electrically connected. Connected to. As a result, the electromagnetic wave shielding property of the conductive layer 42P (cured product layer 42 of the conductive layer) is exhibited. On the other hand, the insulating layer 41P prevents a short circuit of the second circuit member 2.

つまり、積層シート４Ｐは、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２の表面および第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に密着でき、かつ、中空封止性を確保できる（内部空間Ｓへの積層シート４Ｐの侵入を抑制できる）程度の弾性を有する絶縁層４１Ｐと、封止工程において開口Ａから露出できる程度の粘性を有する導電層４２Ｐと、を備える。少なくとも上記の２層を有する積層シート４Ｐを用いることにより、内部空間Ｓを維持しながら回路部材を封止する（中空封止）ことと、電磁波シールド性能の発揮とを、同じタイミングで達成することができる。よって、生産性が向上する。さらに、封止材４を第１回路部材１および第２回路部材２に密着させることができるため、低背化が可能である。 That is, the laminated sheet 4P can adhere to the surface of the second circuit member 2 and the surface of the first circuit member 1 between the second circuit members 2 while maintaining the internal space S, and has a hollow sealing property. It includes an insulating layer 41P having elasticity enough to be secured (invasion of the laminated sheet 4P into the internal space S can be suppressed), and a conductive layer 42P having viscosity enough to be exposed from the opening A in the sealing step. By using the laminated sheet 4P having at least the above two layers, it is possible to achieve the sealing of the circuit member (hollow sealing) while maintaining the internal space S and the exertion of the electromagnetic wave shielding performance at the same timing. Can be done. Therefore, productivity is improved. Further, since the sealing material 4 can be brought into close contact with the first circuit member 1 and the second circuit member 2, the height can be reduced.

（絶縁層）
絶縁層４１Ｐは、第２回路部材２の短絡を防止するために設けられる。さらに、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２の表面および第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に密着できる程度の弾性を有する。 (Insulation layer)
The insulating layer 41P is provided to prevent a short circuit of the second circuit member 2. Further, it has enough elasticity to be in close contact with the surface of the second circuit member 2 and the surface of the first circuit member 1 between the second circuit members 2 while maintaining the internal space S.

このような絶縁層４１Ｐの封止工程での温度ｔにおける損失正接ｔａｎδ１は、１以下であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．７以下であることが特に好ましい。損失正接ｔａｎδ１の下限は特に限定されないが、例えば、０．１である。このような損失正接ｔａｎδを有する絶縁層４１Ｐは、単独で、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２を封止することができる。よって、絶縁層４１Ｐの積層シート４Ｐが粘性の高い導電層４２Ｐを備えていても、内部空間Ｓは維持される。 The loss tangent tan δ1 at the temperature t in the sealing step of the insulating layer 41P is preferably 1 or less, more preferably 0.9 or less, and particularly preferably 0.7 or less. The lower limit of the loss tangent tan δ1 is not particularly limited, but is, for example, 0.1. The insulating layer 41P having such a loss tangent tan δ can independently seal the second circuit member 2 while maintaining the internal space S. Therefore, even if the laminated sheet 4P of the insulating layer 41P includes the highly viscous conductive layer 42P, the internal space S is maintained.

第２回路部材２が封止されるときの温度ｔとは、内部空間Ｓが維持された状態で、第２回路部材２の表面が積層シート４Ｐによって覆われたときの積層シート４Ｐの温度である。積層シート４Ｐの温度は、封止工程における積層シート４Ｐに対する加熱手段の設定温度に代替できる。積層シート４Ｐの加熱手段がプレス機である場合、加熱手段の温度とは、プレス機の設定温度である。積層シート４Ｐの加熱手段が第１回路部材１を加熱する加熱機である場合、加熱手段の温度とは、第１回路部材１の加熱機の設定温度である。温度ｔは、積層シート４Ｐの材質等に応じて変更し得るが、例えば、室温＋１５℃（４０℃）から、２００℃までの間である。具体的には、温度ｔは、例えば５０〜１８０℃である。第２回路部材２が封止されるとき、積層シート４Ｐは未硬化状態であってもよいし、半硬化状態であってもよいし、硬化状態であってもよい。 The temperature t when the second circuit member 2 is sealed is the temperature of the laminated sheet 4P when the surface of the second circuit member 2 is covered with the laminated sheet 4P while the internal space S is maintained. is there. The temperature of the laminated sheet 4P can be replaced with the set temperature of the heating means for the laminated sheet 4P in the sealing step. When the heating means of the laminated sheet 4P is a press machine, the temperature of the heating means is the set temperature of the press machine. When the heating means of the laminated sheet 4P is a heater that heats the first circuit member 1, the temperature of the heating means is a set temperature of the heater of the first circuit member 1. The temperature t can be changed depending on the material of the laminated sheet 4P and the like, and is, for example, between room temperature + 15 ° C. (40 ° C.) and 200 ° C. Specifically, the temperature t is, for example, 50 to 180 ° C. When the second circuit member 2 is sealed, the laminated sheet 4P may be in an uncured state, a semi-cured state, or a cured state.

損失正接ｔａｎδ１は、温度ｔにおける絶縁層４１Ｐの貯蔵せん断弾性率（Ｇ１’）と損失せん断弾性率（Ｇ１”）の比：Ｇ１”／Ｇ１’である。貯蔵せん断弾性率Ｇ１’および損失せん断弾性率Ｇ１”は、ＪＩＳＫ７２４４に準拠した粘弾性計測定装置により測定することができる。具体的には、貯蔵せん断弾性率Ｇ１’および損失せん断弾性率Ｇ１”は、直径８ｍｍ×１ｍｍの試験片について、粘弾性計測定装置（例えば、ＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、ＡＲＥＳ−ＬＳ２）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で測定される。導電層４２Ｐおよび被覆層４３Ｐの損失正接ｔａｎδについても同様である。 The loss tangent tan δ1 is the ratio of the storage shear modulus (G1 ′) of the insulating layer 41P to the loss shear modulus (G1 ″) at the temperature t: G1 ″ / G1 ′. The storage shear modulus G1'and the loss shear modulus G1'can be measured by a viscoelastic meter measuring device conforming to JIS K 7244. Specifically, the storage shear modulus G1'and the loss shear modulus G1' Is measured on a test piece having a diameter of 8 mm × 1 mm using a viscoelastic meter measuring device (for example, ARES-LS2 manufactured by TA Instruments) under the conditions of a frequency of 1 Hz and a heating rate of 10 ° C./min. The same applies to the loss tangent tan δ of the conductive layer 42P and the coating layer 43P.

温度ｔにおける貯蔵せん断弾性率Ｇ１’は、１．０×１０^７Ｐａ以下であることが好ましく、１．０×１０^６Ｐａ以下であることがより好ましい。貯蔵せん断弾性率Ｇ１’の下限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０^４Ｐａである。温度ｔにおける貯蔵せん断弾性率Ｇ１’がこの範囲であれば、絶縁層４１Ｐの封止工程における内部空間Ｓへの侵入が抑制されるとともに、第２回路部材２の表面および第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に密着できる程度に流動することが容易になる。 The storage shear elastic modulus G1'at the temperature t ^{is preferably 1.0 × 10 7} Pa or less, and more preferably 1.0 × 10 ⁶ Pa or less. The lower limit of the storage shear elastic modulus G1'is not particularly limited, but is, for example, 1.0 × 10 ⁴ Pa. When the storage shear elastic modulus G1'at the temperature t is within this range, the invasion of the insulating layer 41P into the internal space S in the sealing process is suppressed, and the surface of the second circuit member 2 and the second circuit member 2 are mutually connected. It becomes easy to flow to the extent that it can be brought into close contact with the surface of the first circuit member 1 between the two.

絶縁層４１Ｐの厚みＴ１は、特に限定されない。厚みＴ１は１０μｍ以上であってよく、３０μｍ以上であってもよい。これにより、封止工程において、内部空間Ｓが維持され易くなるとともに、絶縁性が確保され易くなる。また、低背化の観点から、厚みＴ１は１００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以下であることがより好ましい。絶縁層４１Ｐの厚みＴ１は、絶縁層４１Ｐの主面間の距離である。主面間の距離は、任意の１０箇所における距離を平均化して求めることができる。導電層４２Ｐおよび被覆層４３Ｐの厚みも同様である。 The thickness T1 of the insulating layer 41P is not particularly limited. The thickness T1 may be 10 μm or more, and may be 30 μm or more. As a result, in the sealing step, the internal space S is easily maintained and the insulating property is easily ensured. Further, from the viewpoint of reducing the height, the thickness T1 is preferably 100 μm or less, and more preferably 80 μm or less. The thickness T1 of the insulating layer 41P is the distance between the main surfaces of the insulating layer 41P. The distance between the main surfaces can be obtained by averaging the distances at any 10 points. The same applies to the thickness of the conductive layer 42P and the coating layer 43P.

絶縁性の観点から、絶縁層４１Ｐの体積抵抗率は１×１０^８Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１×１０^１０Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。 From the viewpoint of insulation, the volume resistivity of the insulating layer 41P ^{is preferably 1 × 10 8} Ω · cm or more, and more preferably 1 × 10 ¹⁰ Ω · cm or more.

絶縁層４１Ｐは、絶縁層４１Ｐを貫通する開口Ａを備える。開口Ａは、第１回路部材１から露出する導体６に対応する位置に配置される。開口Ａの形状は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、三角形、矩形、その他の多角形が挙げられる。 The insulating layer 41P includes an opening A penetrating the insulating layer 41P. The opening A is arranged at a position corresponding to the conductor 6 exposed from the first circuit member 1. The shape of the opening A is not particularly limited, and examples thereof include a circle, an ellipse, a triangle, a rectangle, and other polygons.

開口Ａの大きさは特に限定されず、第１回路部材１に搭載された第２回路部材２同士の間に収まり、かつ、第１回路部材１と第２回路部材２との導通が確保できる程度の大きさであればよい。開口Ａの最大径は、例えば、３００μｍ以下であることが好ましい。導体層４２Ｐの損失正接ｔａｎδ２が１よりも大きい場合、開口Ａの最大径Ｒは過度に大きくなくてもよい。開口Ａの最大径Ｒは、例えば、２０μｍ以上、２００μｍ以下であってもよい。最大径Ｒがこの範囲であっても、導電層４２Ｐは、開口Ａから露出することができる。ただし、導通を確実にするためには、開口Ａの最大径Ｒは、５０μｍ以上であることが好ましい。開口Ａの最大径Ｒは、開口Ａを絶縁層４１Ｐの主面の法線方向から見たとき、開口Ａの中心を通る直線の最大の長さである。複数の開口Ａが設けられている場合、最大径Ｒは、これらを平均化して求められる。 The size of the opening A is not particularly limited, and it can be accommodated between the second circuit members 2 mounted on the first circuit member 1 and the continuity between the first circuit member 1 and the second circuit member 2 can be ensured. It may be about the size. The maximum diameter of the opening A is preferably 300 μm or less, for example. When the loss tangent tan δ2 of the conductor layer 42P is larger than 1, the maximum diameter R of the opening A does not have to be excessively large. The maximum diameter R of the opening A may be, for example, 20 μm or more and 200 μm or less. Even if the maximum diameter R is in this range, the conductive layer 42P can be exposed from the opening A. However, in order to ensure continuity, the maximum diameter R of the opening A is preferably 50 μm or more. The maximum diameter R of the opening A is the maximum length of a straight line passing through the center of the opening A when the opening A is viewed from the normal direction of the main surface of the insulating layer 41P. When a plurality of openings A are provided, the maximum diameter R is obtained by averaging these.

絶縁層４１Ｐは、熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物（以下、第１熱硬化性樹脂組成物と称す。）により構成される。第１熱硬化性樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂と硬化剤と熱可塑性樹脂と無機充填剤とを含む。 The insulating layer 41P is composed of a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin (hereinafter, referred to as a first thermosetting resin composition). The first thermosetting resin composition contains, for example, a thermosetting resin, a curing agent, a thermoplastic resin, and an inorganic filler.

熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでもエポキシ樹脂が好ましい。 The thermosetting resin is not particularly limited, but is limited to epoxy resin, (meth) acrylic resin, phenol resin, melamine resin, silicone resin, urea resin, urethane resin, vinyl ester resin, unsaturated polyester resin, diallyl phthalate resin, and polyimide. Examples include resin. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Of these, epoxy resin is preferable.

封止前の熱硬化性樹脂は、未硬化状態でもよく、半硬化状態でもよい。半硬化状態とは、熱硬化性樹脂がモノマーおよび／またはオリゴマーを含む状態であり、熱硬化性樹脂の三次元架橋構造の発達が不十分な状態をいう。半硬化状態の熱硬化性樹脂は、室温（２５℃）では溶剤に溶解しないが硬化は不完全な状態、いわゆるＢステージにある。 The thermosetting resin before sealing may be in an uncured state or a semi-cured state. The semi-cured state is a state in which the thermosetting resin contains a monomer and / or an oligomer, and the development of the three-dimensional crosslinked structure of the thermosetting resin is insufficient. The thermosetting resin in the semi-cured state does not dissolve in the solvent at room temperature (25 ° C.), but the curing is incomplete, that is, the so-called B stage.

エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式脂肪族エポキシ樹脂、有機カルボン酸類のグリシジルエーテルなどを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂は、プレポリマーであってもよく、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂のようなエポキシ樹脂と他のポリマーとの共重合体であってもよい。なかでも、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂および／またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。特に、耐熱性および耐水性に優れ、かつ安価である点で、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。 The epoxy resin is not particularly limited, but for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, naphthalene. Type epoxy resin, alicyclic aliphatic epoxy resin, glycidyl ether of organic carboxylic acids and the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more. The epoxy resin may be a prepolymer, or may be a copolymer of an epoxy resin such as a polyether-modified epoxy resin or a silicone-modified epoxy resin and another polymer. Of these, bisphenol AD type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin and / or bisphenol F type epoxy resin are preferable. In particular, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin are preferable in that they are excellent in heat resistance and water resistance and are inexpensive.

エポキシ樹脂は、樹脂組成物の粘度調節のために、エポキシ基を分子中に１つ有する１官能エポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全体に対して０．１〜３０質量％程度含むことができる。このような１官能エポキシ樹脂としては、フェニルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、エチルジエチレングリコールグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエングリシジルエーテル、２−ヒドロキシエチルグリシジルエーテルなどを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 The epoxy resin can contain about 0.1 to 30% by mass of a monofunctional epoxy resin having one epoxy group in the molecule in order to adjust the viscosity of the resin composition. As such a monofunctional epoxy resin, phenylglycidyl ether, 2-ethylhexyl glycidyl ether, ethyldiethylene glycol glycidyl ether, dicyclopentadiene glycidyl ether, 2-hydroxyethyl glycidyl ether and the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more.

熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂の硬化剤を含む。硬化剤は、特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤（フェノール樹脂等）、ジシアンジアミド系硬化剤（ジシアンジアミド等）、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤、酸無水物系硬化剤、イミダゾール系硬化剤などを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化剤の種類は、熱硬化性樹脂に応じて適宜選択される。なかでも、硬化時の低アウトガス性、耐湿性、耐ヒートサイクル性などの点から、フェノール系硬化剤を用いることが好ましい。 The thermosetting resin composition contains a curing agent for the thermosetting resin. The curing agent is not particularly limited, but for example, a phenol-based curing agent (phenol resin, etc.), a dicyandiamide-based curing agent (dicyandiamide, etc.), a urea-based curing agent, an organic acid hydrazide-based curing agent, a polyamine salt-based curing agent, and an amine adduct. A system curing agent, an acid anhydride type curing agent, an imidazole system curing agent and the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more. The type of curing agent is appropriately selected depending on the thermosetting resin. Among them, it is preferable to use a phenolic curing agent from the viewpoints of low outgassing property at the time of curing, moisture resistance, heat cycle resistance and the like.

硬化剤の量は、硬化剤の種類によって異なる。エポキシ樹脂を用いる場合、例えば、エポキシ基１当量あたり、硬化剤の官能基の当量数が０．００１〜２当量、さらには０．００５〜１．５当量となる量の硬化剤を用いることが好ましい。 The amount of hardener depends on the type of hardener. When an epoxy resin is used, for example, it is possible to use an amount of the curing agent such that the equivalent number of functional groups of the curing agent is 0.001 to 2 equivalents, and further 0.005 to 1.5 equivalents per 1 equivalent of the epoxy group. preferable.

なお、ジシアンジアミド系硬化剤、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤は、潜在性硬化剤である。潜在性硬化剤の活性温度は、６０℃以上、更には８０℃以上であるのが好ましい。また、活性温度は、２５０℃以下、更には１８０℃以下であるのが好ましい。これにより、活性温度以上で迅速に硬化する熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。 The dicyandiamide-based curing agent, urea-based curing agent, organic acid hydrazide-based curing agent, polyamine salt-based curing agent, and amine adduct-based curing agent are latent curing agents. The active temperature of the latent curing agent is preferably 60 ° C. or higher, more preferably 80 ° C. or higher. The active temperature is preferably 250 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. This makes it possible to obtain a thermosetting resin composition that cures rapidly at an active temperature or higher.

熱可塑性樹脂は、シート化剤（例えば、プレゲル化剤）として配合され得る。熱硬化性樹脂組成物がシート化されることにより、封止工程における取り扱い性が向上するとともに、熱硬化性樹脂組成物のダレ等が抑制されて、内部空間Ｓが維持され易くなる。 The thermoplastic resin can be blended as a sheeting agent (eg, a pregelling agent). By forming the thermosetting resin composition into a sheet, the handleability in the sealing step is improved, the sagging of the thermosetting resin composition is suppressed, and the internal space S is easily maintained.

熱可塑性樹脂の種類としては、例えば、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン、ポリウレタン、ブロックイソシアネート、ポリエーテル、ポリエステル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、ポリアミド、塩化ビニル、セルロース、熱可塑性エポキシ樹脂、熱可塑性フェノール樹脂などが挙げられる。なかでも、シート化剤としての機能に優れる点で、アクリル樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂の量は、熱硬化性樹脂１００質量部あたり、５〜２００質量部が好ましく、１０〜１００質量部が特に好ましい。 Examples of the types of thermoplastic resin include acrylic resin, phenoxy resin, polyolefin, polyurethane, blocked isocyanate, polyether, polyester, polyimide, polyvinyl alcohol, butyral resin, polyamide, vinyl chloride, cellulose, thermoplastic epoxy resin, and thermoplastic. Examples include phenol resin. Of these, an acrylic resin is preferable because it has an excellent function as a sheeting agent. The amount of the thermoplastic resin is preferably 5 to 200 parts by mass, particularly preferably 10 to 100 parts by mass, per 100 parts by mass of the thermosetting resin.

熱硬化性樹脂組成物に添加する際の熱可塑性樹脂の形態は、特に限定されない。熱可塑性樹脂は、例えば、重量平均粒子径０．０１〜２００μｍ、好ましくは０．０１〜１００μｍの粒子であってもよい。上記粒子は、コアシェル構造を有していてもよい。この場合、コアは、例えば、ｎ−、ｉ−およびｔ−ブチル（メタ）アクリレートよりなる群から選択される少なくとも１つのモノマー由来のユニットを含む重合体であってもよいし、その他の（メタ）アクリレート由来のユニットを含む重合体であってもよい。シェル層は、例えば、メチル（メタ）アクリレート、ｎ−、ｉ−またはｔ−ブチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸等の単官能モノマーと１，６−ヘキサンジオールジアクリレート等の多官能モノマーとの共重合体であってもよい。また、溶剤に分散あるいは溶解させた高純度熱可塑性樹脂を、熱硬化性樹脂組成物に添加してもよい。 The form of the thermoplastic resin when added to the thermosetting resin composition is not particularly limited. The thermoplastic resin may be, for example, particles having a weight average particle diameter of 0.01 to 200 μm, preferably 0.01 to 100 μm. The particles may have a core-shell structure. In this case, the core may be, for example, a polymer containing a unit derived from at least one monomer selected from the group consisting of n-, i- and t-butyl (meth) acrylates, or other (meth). ) It may be a polymer containing a unit derived from acrylate. The shell layer is composed of, for example, a monofunctional monomer such as methyl (meth) acrylate, n-, i- or t-butyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid and a polyfunctional monomer such as 1,6-hexanediol diacrylate. It may be a copolymer with. Further, a high-purity thermoplastic resin dispersed or dissolved in a solvent may be added to the thermosetting resin composition.

熱硬化性樹脂組成物は、無機充填剤を含む。無機充填剤としては、例えば、溶融シリカなどのシリカ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素（ＢＮ）などを挙げることができる。なかでも、安価である点で、溶融シリカが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば０．０１〜１００μｍである。無機充填剤の量は、熱硬化性樹脂１００質量部あたり、１〜５０００質量部が好ましく、１０〜３０００質量部がより好ましい。 The thermosetting resin composition contains an inorganic filler. Examples of the inorganic filler include silica such as fused silica, talc, calcium carbonate, titanium white, red iron oxide, silicon carbide, and boron nitride (BN). Of these, fused silica is preferable because it is inexpensive. The average particle size of the inorganic filler is, for example, 0.01 to 100 μm. The amount of the inorganic filler is preferably 1 to 5000 parts by mass, more preferably 10 to 3000 parts by mass, per 100 parts by mass of the thermosetting resin.

熱硬化性樹脂組成物は、上記以外の第三成分を含んでもよい。第三成分としては、硬化促進剤、重合開始剤、難燃剤、顔料、シランカップリング剤、チキソ性付与剤などを挙げることができる。 The thermosetting resin composition may contain a third component other than the above. Examples of the third component include a curing accelerator, a polymerization initiator, a flame retardant, a pigment, a silane coupling agent, a thixotropic agent and the like.

硬化促進剤は、特に限定されないが、変性イミダゾール系硬化促進剤、変性脂肪族ポリアミン系促進剤、変性ポリアミン系促進剤などが挙げられる。硬化促進剤は、エポキシ樹脂などの樹脂との反応生成物（アダクト）として使用することが好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤の活性温度は、保存安定性の点から、６０℃以上、更には８０℃以上が好ましい。また、活性温度は、２５０℃以下、更には１８０℃以下であるのが好ましい。ここで、活性温度とは、潜在性硬化剤および／または硬化促進剤の作用により、熱硬化性樹脂の硬化が急速に早められる温度である。 The curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include a modified imidazole-based curing accelerator, a modified aliphatic polyamine-based accelerator, and a modified polyamine-based accelerator. The curing accelerator is preferably used as a reaction product (adduct) with a resin such as an epoxy resin. These may be used alone or in combination of two or more. The active temperature of the curing accelerator is preferably 60 ° C. or higher, more preferably 80 ° C. or higher, from the viewpoint of storage stability. The active temperature is preferably 250 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. Here, the active temperature is a temperature at which the curing of the thermosetting resin is rapidly accelerated by the action of the latent curing agent and / or the curing accelerator.

硬化促進剤の量は、硬化促進剤の種類によって異なる。通常、エポキシ樹脂１００質量部あたり、０．１〜２０質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。なお、硬化促進剤をアダクトとして使用する場合、硬化促進剤の量は、硬化促進剤以外の成分（エポキシ樹脂など）を除いた硬化促進剤の正味の量を意味する。 The amount of the curing accelerator depends on the type of the curing accelerator. Generally, 0.1 to 20 parts by mass is preferable, and 1 to 10 parts by mass is more preferable per 100 parts by mass of the epoxy resin. When the curing accelerator is used as an adduct, the amount of the curing accelerator means the net amount of the curing accelerator excluding components other than the curing accelerator (epoxy resin, etc.).

重合開始剤は、光照射および／または加熱により、硬化性を発現する。重合開始剤としては、ラジカル発生剤、酸発生剤、塩基発生剤などを用いることができる。具体的には、ベンゾフェノン系化合物、ヒドロキシケトン系化合物、アゾ化合物、有機過酸化物、芳香族スルホニウム塩、脂肪族スルホニウム塩などのスルホニウム塩などを用いることができる。重合開始剤の量は、エポキシ樹脂１００質量部あたり、０．１〜２０質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。 The polymerization initiator exhibits curability by light irradiation and / or heating. As the polymerization initiator, a radical generator, an acid generator, a base generator and the like can be used. Specifically, benzophenon compounds, hydroxyketone compounds, azo compounds, organic peroxides, aromatic sulfonium salts, sulfonium salts such as aliphatic sulfonium salts can be used. The amount of the polymerization initiator is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the epoxy resin.

（導電層）
導電層４２Ｐは、電磁波シールドとして機能し得る層であり、導電性を有する。導電層４２Ｐにより、周囲から第２回路部材２への電磁波の影響が低減される、あるいは第２回路部材２から周囲への影響が低減される。 (Conductive layer)
The conductive layer 42P is a layer that can function as an electromagnetic wave shield and has conductivity. The conductive layer 42P reduces the influence of electromagnetic waves from the surroundings on the second circuit member 2, or reduces the influence of the second circuit member 2 on the surroundings.

導電層４２Ｐの温度ｔにおける損失正接ｔａｎδ２は、１よりも大きいことが好ましい。これにより、封止工程において、導電層４２Ｐが開口Ａから露出し易くなる。損失正接ｔａｎδ２の上限は特に限定されないが、例えば、１０であり、好ましくは８である。このような導電層４２Ｐを単独で用いる場合、内部空間Ｓを維持しながら封止することは困難である。 The loss tangent tan δ2 of the conductive layer 42P at the temperature t is preferably larger than 1. As a result, the conductive layer 42P is easily exposed from the opening A in the sealing step. The upper limit of the loss tangent tan δ2 is not particularly limited, but is, for example, 10, preferably 8. When such a conductive layer 42P is used alone, it is difficult to seal it while maintaining the internal space S.

温度ｔにおける導電層４２Ｐの貯蔵せん断弾性率Ｇ２’は、１．０×１０^７Ｐａ以下であることが好ましく、１．０×１０^６Ｐａ以下であることがより好ましい。温度ｔにおける貯蔵せん断弾性率Ｇ２’がこの範囲であれば、封止工程において、導電層４２Ｐが開口Ａから露出し易くなる。貯蔵せん断弾性率Ｇ２’の下限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０^３Ｐａである。 The storage shear elastic modulus G2'of the conductive layer 42P at the temperature t ^{is preferably 1.0 × 10 7} Pa or less, and more preferably 1.0 × 10 ⁶ Pa or less. When the storage shear elastic modulus G2'at the temperature t is in this range, the conductive layer 42P is easily exposed from the opening A in the sealing step. The lower limit of the storage shear elastic modulus G2'is not particularly limited, but is, for example, 1.0 × 10 ³ Pa.

導電層４２Ｐは、熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物（以下、第２熱硬化性樹脂組成物と称す。）および導電性粉末により構成される。第２熱硬化性樹脂組成物の構成は、特に限定されないが、第１熱硬化性樹脂組成物と同様の構成であってもよい。導電性粉末としては、銀、銅、ニッケルなどの金属粉末や炭素粉末を用いることができる。なかでも、銀粉末が好ましい。導電性粉末の平均粒径は、例えば０．０１〜１００μｍである。導電性粉末の量は、熱硬化性樹脂１００質量部あたり、１〜５０００質量部が好ましく、１０〜３０００質量部がより好ましい。 The conductive layer 42P is composed of a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin (hereinafter, referred to as a second thermosetting resin composition) and a conductive powder. The composition of the second thermosetting resin composition is not particularly limited, but may be the same as that of the first thermosetting resin composition. As the conductive powder, a metal powder such as silver, copper or nickel or a carbon powder can be used. Of these, silver powder is preferable. The average particle size of the conductive powder is, for example, 0.01 to 100 μm. The amount of the conductive powder is preferably 1 to 5000 parts by mass, more preferably 10 to 3000 parts by mass, per 100 parts by mass of the thermosetting resin.

粘弾性（つまり、損失正接ｔａｎδ）は、例えば、絶縁層４１Ｐおよび／または導電層４２Ｐの原料によって調整することができる。例えば、シート化剤である熱可塑性樹脂の量や種類を変更することにより、損失正接ｔａｎδを変化させることができる。なかでも、フェノキシ樹脂を用いると、容易に貯蔵せん断弾性率Ｇ２’を小さくして、ｔａｎδを大きくすることができる。第２熱硬化性樹脂組成物に含まれる熱可塑性樹脂の量は、熱硬化性樹脂１００質量部あたり、５〜２００質量部が好ましく、１０〜１００質量部がより好ましい。 Viscoelasticity (ie, loss tangent tan δ) can be adjusted, for example, with the raw materials of the insulating layer 41P and / or the conductive layer 42P. For example, the loss tangent tan δ can be changed by changing the amount and type of the thermoplastic resin which is the sheeting agent. Among them, when a phenoxy resin is used, the storage shear elastic modulus G2'can be easily reduced and tan δ can be increased. The amount of the thermoplastic resin contained in the second thermosetting resin composition is preferably 5 to 200 parts by mass, more preferably 10 to 100 parts by mass per 100 parts by mass of the thermosetting resin.

導電層４２Ｐの厚さＴ２は、１〜４００μｍであることが好ましく、２０〜２５０μｍであることがより好ましい。これにより、封止工程において、内部空間Ｓを維持し易くなるとともに、十分な電磁波シールド性能を発揮することが容易となる。なかでも、内部空間Ｓの維持の観点から、導電層４２Ｐは絶縁層４１Ｐよりも薄いことが好ましい。 The thickness T2 of the conductive layer 42P is preferably 1 to 400 μm, more preferably 20 to 250 μm. As a result, in the sealing step, it becomes easy to maintain the internal space S, and it becomes easy to exhibit sufficient electromagnetic wave shielding performance. Above all, from the viewpoint of maintaining the internal space S, the conductive layer 42P is preferably thinner than the insulating layer 41P.

電磁波シールド性能の観点から、導電層４２Ｐの体積抵抗率は５×１０^−３Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０^−４Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。 From the viewpoint of electromagnetic wave shielding performance, the volume resistivity of the conductive layer 42P ^{is preferably 5 × 10 -3} Ω · cm or less, and preferably 1 × 10 ^-4 Ω · cm or less.

（被覆層）
積層シート４Ｐは、被覆層４３Ｐを備えていてもよい。この場合、封止材４は、さらに、被覆層４３Ｐの硬化物層４３を備える。被覆層４３Ｐは、絶縁層４１Ｐとは反対側の他方の最外に配置される。被覆層４３Ｐは、例えば、実装構造体１０の封止面をフラットにするために用いられる。これにより、実装構造体１０のダイシングが容易になる。 (Coating layer)
The laminated sheet 4P may include a coating layer 43P. In this case, the sealing material 4 further includes a cured product layer 43 of the coating layer 43P. The coating layer 43P is arranged on the outermost side of the other side opposite to the insulating layer 41P. The coating layer 43P is used, for example, to flatten the sealing surface of the mounting structure 10. This facilitates dicing of the mounting structure 10.

被覆層４３Ｐの温度ｔにおける損失正接ｔａｎδ３は、１より大きいことが好ましい。これにより、被覆層４３Ｐが流動し易くなって、良好な中空封止性が実現されるとともに、実装構造体１０の封止面をフラットにすることが容易になる。よって、実装構造体１０のピックアップ性が向上し、また個片化する場合、ダイシングが容易になる。損失正接ｔａｎδ３の上限は特に限定されないが、例えば、１０であることが好ましく、８であることがより好ましい。 The loss tangent tan δ3 of the coating layer 43P at the temperature t is preferably larger than 1. As a result, the coating layer 43P becomes easy to flow, good hollow sealing property is realized, and the sealing surface of the mounting structure 10 can be easily flattened. Therefore, the pick-up property of the mounting structure 10 is improved, and when the mounting structure 10 is individualized, dicing becomes easy. The upper limit of the loss tangent tan δ3 is not particularly limited, but is preferably 10, for example, and more preferably 8.

温度ｔにおける被覆層４３Ｐの貯蔵せん断弾性率Ｇ３’は、１．０×１０^３Ｐａ以上であることが好ましい。貯蔵せん断弾性率Ｇ３’の上限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０^７Ｐａであり、より好ましくは１．０×１０^６Ｐａである。温度ｔにおける貯蔵せん断弾性率Ｇ３’がこの範囲であれば、被覆層４３Ｐは流動し易くなって、封止面がフラットになり易い。 The storage shear elastic modulus G3'of the coating layer 43P at the temperature t ^{is preferably 1.0 × 10 3} Pa or more. The upper limit of the storage shear elastic modulus G3'is not particularly limited, but is, for example, 1.0 × 10 ⁷ Pa, more preferably 1.0 × 10 ⁶ Pa. When the storage shear elastic modulus G3'at the temperature t is in this range, the coating layer 43P tends to flow easily and the sealing surface tends to become flat.

被覆層４３Ｐの厚さＴ３は、１０〜１１５０μｍであることが好ましい。これにより、実装構造体１０の封止面をフラットにすることが容易になる。被覆層４３Ｐの体積抵抗率は特に限定されないが、例えば、絶縁層４１Ｐと同程度であってもよい。 The thickness T3 of the coating layer 43P is preferably 10 to 1150 μm. This makes it easy to flatten the sealing surface of the mounting structure 10. The volume resistivity of the coating layer 43P is not particularly limited, but may be, for example, the same as that of the insulating layer 41P.

被覆層４３Ｐは、熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物（以下、第３熱硬化性樹脂組成物と称す。）により構成される。第３熱硬化性樹脂組成物の構成は、特に限定されないが、第１熱硬化性樹脂組成物と同様の構成であってもよい。 The coating layer 43P is composed of a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin (hereinafter, referred to as a third thermosetting resin composition). The composition of the third thermosetting resin composition is not particularly limited, but may be the same as that of the first thermosetting resin composition.

積層シート４Ｐ全体の厚さＴは特に限定されないが、第２回路部材２の表面に密着させ易い点で、４０〜１５００μｍであることが好ましく、４０〜１０００μｍであることがより好ましく、４０〜５００μｍであることが特に好ましい。 The thickness T of the entire laminated sheet 4P is not particularly limited, but is preferably 40 to 1500 μm, more preferably 40 to 1000 μm, and 40 to 500 μm in that it can be easily brought into close contact with the surface of the second circuit member 2. Is particularly preferable.

積層シート４Ｐは、さらに他の第３の層を備えていてもよい。ただし、一方の最外に絶縁層４１Ｐを配置し、絶縁層４１Ｐに隣接して導電層４２Ｐを配置するとともに、必要に応じて、他方の最外に被覆層４３Ｐを配置する。つまり、第３の層は、導電層４２Ｐと他方の最外層（例えば、被覆層４３Ｐ）との間に配置される。 The laminated sheet 4P may further include another third layer. However, the insulating layer 41P is arranged on the outermost side of one, the conductive layer 42P is arranged adjacent to the insulating layer 41P, and the coating layer 43P is arranged on the outermost side of the other, if necessary. That is, the third layer is arranged between the conductive layer 42P and the other outermost layer (for example, the coating layer 43P).

［実装構造体の製造方法］
本実施形態にかかる製造方法を、図３を参照しながら説明する。図３は、本実施形態にかかる製造方法を、実装部材あるいは実装構造体１０の断面により模式的に示す説明図である。 [Manufacturing method of mounting structure]
The manufacturing method according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an explanatory view schematically showing a manufacturing method according to the present embodiment by a cross section of a mounting member or a mounting structure 10.

実装構造体１０は、第１回路部材１と、例えばバンプ３を介して、第１回路部材１に搭載される複数の第２回路部材２と、第１回路部材１の第２回路部材２同士の隙間から露出する導体６と、を備えるとともに、第１回路部材１と第２回路部材２との間に内部空間Ｓが形成された実装部材を準備する第１準備工程と、積層シート４Ｐを準備する第２準備工程と、積層シート４Ｐの絶縁層４１Ｐが導体６と対向するように、積層シート４Ｐを実装部材に配置する配置工程と、積層シート４Ｐを第１回路部材１に対して押圧するとともに、積層シート４Ｐを加熱して、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２を封止する封止工程と、を具備する方法により製造される。封止工程において、開口Ａから導電層４２Ｐ（あるいはその硬化物層４２）が露出して、導電層４２Ｐと導体６とが電気的に接続する。さらに、得られた実装構造体１０を、第２回路部材２ごとにダイシングする個片化工程を行ってもよい。 The mounting structure 10 includes a first circuit member 1, a plurality of second circuit members 2 mounted on the first circuit member 1 via, for example, bumps 3, and a second circuit member 2 of the first circuit member 1. The first preparation step of preparing the mounting member which includes the conductor 6 exposed from the gap between the first circuit member 1 and the internal space S formed between the first circuit member 1 and the second circuit member 2, and the laminated sheet 4P. The second preparatory step to prepare, the arrangement step of arranging the laminated sheet 4P on the mounting member so that the insulating layer 41P of the laminated sheet 4P faces the conductor 6, and pressing the laminated sheet 4P against the first circuit member 1. It is manufactured by a method including a sealing step of heating the laminated sheet 4P to seal the second circuit member 2 while maintaining the internal space S. In the sealing step, the conductive layer 42P (or the cured product layer 42 thereof) is exposed from the opening A, and the conductive layer 42P and the conductor 6 are electrically connected to each other. Further, an individualization step of dicing the obtained mounting structure 10 for each second circuit member 2 may be performed.

（第１準備工程）
第１回路部材１と、第１回路部材１に搭載される複数の第２回路部材２と、第１回路部材１の第２回路部材２同士の隙間から露出する導体６と、を備える実装部材を準備する（図３（ａ））。第２回路部材２は、例えばバンプ３を介して第１回路部材１に搭載されている。そのため、第１回路部材１と第２回路部材２との間には、内部空間Ｓが形成されている。 (1st preparation process)
A mounting member including a first circuit member 1, a plurality of second circuit members 2 mounted on the first circuit member 1, and a conductor 6 exposed from a gap between the second circuit members 2 of the first circuit member 1. (Fig. 3 (a)). The second circuit member 2 is mounted on the first circuit member 1 via, for example, a bump 3. Therefore, an internal space S is formed between the first circuit member 1 and the second circuit member 2.

第１回路部材１は、例えば、半導体素子、半導体パッケージ、ガラス基板、樹脂基板、セラミック基板およびシリコン基板よりなる群から選択される少なくとも１種である。これら第１回路部材は、その表面に、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）やＡＣＰ（異方性導電ペースト）のような導電材料層を形成したものであってもよい。樹脂基板は、リジッド樹脂基板でもフレキシブル樹脂基板でもよく、例えば、エポキシ樹脂基板（例えば、ガラスエポキシ基板）、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド樹脂基板、フッ素樹脂基板などが挙げられる。第１回路部材１は、内部に半導体チップ等を備える部品内蔵基板であってもよい。 The first circuit member 1 is at least one selected from the group consisting of, for example, a semiconductor element, a semiconductor package, a glass substrate, a resin substrate, a ceramic substrate, and a silicon substrate. These first circuit members may have a conductive material layer such as ACF (anisotropic conductive film) or ACP (anisotropic conductive paste) formed on the surface thereof. The resin substrate may be a rigid resin substrate or a flexible resin substrate, and examples thereof include an epoxy resin substrate (for example, a glass epoxy substrate), a bismaleimide triazine substrate, a polyimide resin substrate, and a fluororesin substrate. The first circuit member 1 may be a component-embedded substrate having a semiconductor chip or the like inside.

第２回路部材２は、第１回路部材１にバンプ３を介して搭載されている。これにより、第１回路部材１と第２回路部材２との間には内部空間Ｓが形成される。第２回路部材２は、この内部空間Ｓを維持した状態で封止（中空封止）されることを要する電子部品である。第２回路部材２としては、例えば、ＲＦＩＣ、ＳＡＷ、センサーチップ（加速度センサー等）、圧電振動子チップ、水晶振動子チップ、ＭＥＭＳデバイスなどが挙げられる。 The second circuit member 2 is mounted on the first circuit member 1 via the bump 3. As a result, an internal space S is formed between the first circuit member 1 and the second circuit member 2. The second circuit member 2 is an electronic component that needs to be sealed (hollow sealed) while maintaining the internal space S. Examples of the second circuit member 2 include RFIC, SAW, a sensor chip (accelerometer, etc.), a piezoelectric vibrator chip, a crystal oscillator chip, a MEMS device, and the like.

バンプ３は導電性を有しており、第１回路部材１と第２回路部材２とは、バンプ３を介して電気的に接続されている。バンプ３の高さは特に限定されないが、例えば、４０〜７０μｍであってもよい。バンプ３の材料も導電性を有する限り特に限定されず、例えば、半田ボールなどが挙げられる。 The bump 3 has conductivity, and the first circuit member 1 and the second circuit member 2 are electrically connected to each other via the bump 3. The height of the bump 3 is not particularly limited, but may be, for example, 40 to 70 μm. The material of the bump 3 is also not particularly limited as long as it has conductivity, and examples thereof include solder balls.

すなわち、実装部材は、各種第１回路部材１上に第２回路部材２が搭載されたチップ・オン・ボード（ＣｏＢ）構造（チップ・オン・ウエハ(ＣｏＷ)、チップ・オン・フィルム（ＣｏＦ）、チップ・オン・グラス（ＣｏＧ）を含む）、チップ・オン・チップ（ＣｏＣ）構造、チップ・オン・パッケージ（ＣｏＰ）構造およびパッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）構造を有することができる。実装部材は、第２回路部材２が搭載された第１回路部材１に、さらに第１回路部材１および／または第２回路部材２を積層したような多層実装部材であってもよい。 That is, the mounting member has a chip-on-board (CoB) structure (chip-on-wafer (CoW), chip-on-film (CoF)) in which the second circuit member 2 is mounted on various first circuit members 1. , Including chip-on-glass (CoG)), chip-on-chip (CoC) structure, chip-on-package (CoP) structure and package-on-package (PoP) structure. The mounting member may be a multi-layer mounting member in which the first circuit member 1 and / or the second circuit member 2 is further laminated on the first circuit member 1 on which the second circuit member 2 is mounted.

導体６は、第１回路部材１の内部に配置されており、例えば図示しないグランド電極と導通している。導体６は、例えば、導電性ペーストや金属粒子などで形成することができる。 The conductor 6 is arranged inside the first circuit member 1, and is electrically connected to, for example, a ground electrode (not shown). The conductor 6 can be formed of, for example, a conductive paste or metal particles.

（第２準備工程）
絶縁層４１Ｐ、導電層４２Ｐ、さらには被覆層４３Ｐを備えるとともに、絶縁層４１Ｐに開口Ａが形成された積層シート４Ｐを準備する（図３（ａ））。
積層シート４Ｐの製造方法は、特に限定されない。積層シート４Ｐは、各層を別途作成した後、積層する（ラミネート法）ことにより形成されてもよいし、各層の材料を順次、コーティングする（コーティング法）ことにより形成されてもよい。 (Second preparation process)
A laminated sheet 4P having an insulating layer 41P, a conductive layer 42P, and a coating layer 43P and having an opening A formed in the insulating layer 41P is prepared (FIG. 3A).
The method for producing the laminated sheet 4P is not particularly limited. The laminated sheet 4P may be formed by separately producing each layer and then laminating (lamination method), or by sequentially coating the materials of each layer (coating method).

ラミネート法において、各層は、例えば、上記熱硬化性樹脂組成物を含む溶剤ペーストあるいは無溶剤ペースト（以下、単にペーストと総称する。）をそれぞれ調製する工程と、上記ペーストから各層を形成する工程（形成工程）と、を含む方法により形成される。この方法により、絶縁層４１Ｐ、導電層４２Ｐ、被覆層４３Ｐをそれぞれ形成した後、この順に積層する。このとき、パンチ加工、レーザ加工等により、絶縁層４１Ｐに開口Ａを形成した後、積層されることが好ましい。ペーストがプレゲル化剤を含む場合、形成工程の際にゲル化が行われる。ゲル化は、ペーストを薄膜化した後、薄膜を熱硬化性樹脂の硬化温度未満（例えば、７０〜１５０℃）で、１〜１０分間加熱することにより行われる。 In the laminating method, each layer is, for example, a step of preparing a solvent paste or a solvent-free paste containing the thermosetting resin composition (hereinafter, simply referred to as a paste), and a step of forming each layer from the paste (hereinafter, simply referred to as a paste). It is formed by a method including (formation step) and. By this method, the insulating layer 41P, the conductive layer 42P, and the coating layer 43P are formed, and then laminated in this order. At this time, it is preferable that the opening A is formed in the insulating layer 41P by punching, laser processing, or the like, and then laminated. If the paste contains a pregelling agent, gelation takes place during the forming process. Gelation is performed by thinning the paste and then heating the thin film at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin (for example, 70 to 150 ° C.) for 1 to 10 minutes.

一方、コーティング法では、上記方法により、例えば絶縁層４１Ｐを形成した後、この絶縁層４１Ｐの表面に、第２熱硬化性樹脂組成物を含むペーストをコーティングして、導電層４２Ｐを形成する。同様にして、導電層４２Ｐの表面に被覆層４３Ｐを形成する。この場合、積層シート４Ｐを形成した後、レーザ加工等により、絶縁層４１Ｐに開口Ａを形成する。この場合も、形成工程の際にゲル化が行われ得る。ゲル化は、各ペーストからそれぞれの薄膜を形成した後、逐次実施されてもよく、薄膜の積層体を形成した後に実施されてもよい。 On the other hand, in the coating method, for example, after forming the insulating layer 41P by the above method, the surface of the insulating layer 41P is coated with a paste containing the second thermosetting resin composition to form the conductive layer 42P. Similarly, the coating layer 43P is formed on the surface of the conductive layer 42P. In this case, after the laminated sheet 4P is formed, the opening A is formed in the insulating layer 41P by laser processing or the like. Again, gelation can occur during the forming step. The gelation may be carried out sequentially after forming each thin film from each paste, or may be carried out after forming a laminate of thin films.

各層（薄膜）は、例えば、ダイ、ロールコーター、ドクターブレードなどにより形成される。この場合、ペーストの粘度を、１０〜１００００ｍＰａ・ｓとなるように調整することが好ましい。溶剤ペーストを用いた場合、その後、７０〜１５０℃、１〜１０分間乾燥して、溶剤を除去してもよい。上記ゲル化と溶剤の除去とは、同時に実施され得る。 Each layer (thin film) is formed by, for example, a die, a roll coater, a doctor blade, or the like. In this case, it is preferable to adjust the viscosity of the paste so as to be 10 to 10000 mPa · s. When the solvent paste is used, the solvent may be removed by drying at 70 to 150 ° C. for 1 to 10 minutes. The gelation and removal of the solvent can be carried out at the same time.

（配置工程）
絶縁層４１Ｐが第２回路部材２に対向するように、積層シート４Ｐを実装部材に配置する（図３（ａ））。
このとき、複数の第２回路部材２を、一枚の積層シート４Ｐで覆ってもよい。これにより、積層シート４Ｐを一括して、複数の第２回路部材２の表面および第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に対向するように配置することができる。 (Placement process)
The laminated sheet 4P is arranged on the mounting member so that the insulating layer 41P faces the second circuit member 2 (FIG. 3A).
At this time, the plurality of second circuit members 2 may be covered with one laminated sheet 4P. As a result, the laminated sheets 4P can be collectively arranged so as to face the surfaces of the plurality of second circuit members 2 and the surface of the first circuit member 1 between the second circuit members 2.

（封止工程）
積層シート４Ｐを第１回路部材１に対して押圧するとともに（図３（ｂ））、積層シート４Ｐを加熱して硬化させる（図３（ｃ））。これにより、内部空間Ｓを維持しながら、第２回路部材２が封止される。さらに、開口Ａから導電層４２Ｐが露出する。導電層４２Ｐの露出は、押圧の際、あるいは硬化のために加熱された際に起こる。 (Seal process)
The laminated sheet 4P is pressed against the first circuit member 1 (FIG. 3 (b)), and the laminated sheet 4P is heated and cured (FIG. 3 (c)). As a result, the second circuit member 2 is sealed while maintaining the internal space S. Further, the conductive layer 42P is exposed from the opening A. The exposure of the conductive layer 42P occurs when pressed or heated for curing.

積層シート４Ｐの第１回路部材１に対する押圧は、例えば、積層シート４Ｐを、積層シート４Ｐに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で加熱しながら行われる(熱プレス)。これにより、積層シート４Ｐは、第２回路部材２の表面に密着するとともに、第２回路部材２同士の間の第１回路部材１の表面に達するまで伸展することが容易となり、第２回路部材２の封止の信頼性を高めることができる。熱プレスは、大気圧下で行ってもよいし、減圧雰囲気（例えば０．００１〜０．０５ＭＰａ）で行ってもよい。押圧時の加熱の条件は、特に限定されず、押圧方法や熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜設定すればよい。上記加熱は、例えば、４０〜２００℃（好ましくは５０〜１８０℃）で、１秒〜３００分間（好ましくは３秒〜３００分間）行われる。 The pressing of the laminated sheet 4P against the first circuit member 1 is performed, for example, while heating the laminated sheet 4P at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin contained in the laminated sheet 4P (heat press). As a result, the laminated sheet 4P adheres to the surface of the second circuit member 2 and easily extends until it reaches the surface of the first circuit member 1 between the second circuit members 2. The reliability of the sealing of 2 can be improved. The hot press may be performed under atmospheric pressure or in a reduced pressure atmosphere (for example, 0.001 to 0.05 MPa). The heating conditions at the time of pressing are not particularly limited, and may be appropriately set according to the pressing method and the type of thermosetting resin. The heating is performed, for example, at 40 to 200 ° C. (preferably 50 to 180 ° C.) for 1 second to 300 minutes (preferably 3 seconds to 300 minutes).

続いて、積層シート４Ｐを上記硬化温度で加熱して、積層シート４Ｐ中の熱硬化性樹脂を硬化させて、封止材４を形成する。これにより、第２回路部材２が封止される。積層シート４Ｐの加熱（熱硬化性樹脂の硬化）の条件は、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜設定すればよい。熱硬化性樹脂の硬化は、例えば、５０〜２００℃（好ましくは１２０〜１８０℃）で、１秒〜３００分間（好ましくは６０分〜３００分間）行われる。 Subsequently, the laminated sheet 4P is heated at the above-mentioned curing temperature to cure the thermosetting resin in the laminated sheet 4P to form the sealing material 4. As a result, the second circuit member 2 is sealed. The conditions for heating the laminated sheet 4P (curing the thermosetting resin) may be appropriately set according to the type of the thermosetting resin. The thermosetting resin is cured, for example, at 50 to 200 ° C. (preferably 120 to 180 ° C.) for 1 second to 300 minutes (preferably 60 minutes to 300 minutes).

熱プレスと熱硬化性樹脂の硬化とは、別々に実施してもよく、同時に実施してもよい。例えば、減圧雰囲気下、積層シート４Ｐに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で熱プレスした後、減圧を解除して、大気圧下でさらに高温で加熱して、熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。あるいは、大気圧下で、積層シート４Ｐに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で熱プレスした後、さらに高温で加熱して、熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。また、減圧雰囲気下、硬化温度で熱プレスすることにより、減圧中に熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。 The heat pressing and the curing of the thermosetting resin may be performed separately or at the same time. For example, under a reduced pressure atmosphere, the thermosetting resin contained in the laminated sheet 4P is hot-pressed at a temperature lower than the curing temperature, then the reduced pressure is released, and the heat-curable resin is heated at a higher temperature under atmospheric pressure to cure the thermosetting resin. You may. Alternatively, the thermosetting resin may be cured by hot pressing at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin contained in the laminated sheet 4P under atmospheric pressure and then heating at a higher temperature. Further, the thermosetting resin may be cured during the reduced pressure by hot pressing at the curing temperature in a reduced pressure atmosphere.

（個片化工程）
得られた実装構造体１０を、第２回路部材２ごとにダイシングする個片化工程を行ってもよい（図３（ｄ））。これにより、チップレベルの実装構造体（実装チップ２０）が得られる。 (Individualization process)
An individualization step of dicing the obtained mounting structure 10 for each second circuit member 2 may be performed (FIG. 3 (d)). As a result, a chip-level mounting structure (mounting chip 20) is obtained.

本発明の実装構造体の製造方法は、内部空間を維持しながら、生産性よく、積層シートの導電層とグランド電極とを接続させることができるため、電磁波シールドを要する様々な実装構造体の製造方法として有用である。また、この方法に用いられる本発明の積層シートも、電磁波シールドを要する様々な実装構造体の製造に適している。 The method for manufacturing a mounting structure of the present invention can connect the conductive layer of the laminated sheet and the ground electrode with high productivity while maintaining the internal space, so that various mounting structures requiring an electromagnetic wave shield can be manufactured. It is useful as a method. The laminated sheet of the present invention used in this method is also suitable for manufacturing various mounting structures that require an electromagnetic wave shield.

１０：実装構造体
１：第１回路部材
２：第２回路部材
３：バンプ
４Ｐ：積層シート
Ａ：開口
４１Ｐ：絶縁層
４２Ｐ：導電層
４３Ｐ：被覆層
４：封止材（積層シートの硬化物）
４１：絶縁層の硬化物層
４２：導電層の硬化物層
４３：被覆層の硬化物層
６：導体
２０：実装チップ 10: Mounting structure 1: First circuit member 2: Second circuit member 3: Bump 4P: Laminated sheet A: Opening 41P: Insulating layer 42P: Conductive layer 43P: Coating layer 4: Encapsulant (cured product of laminated sheet) )
41: Hardened material layer of insulating layer 42: Hardened material layer of conductive layer 43: Hardened material layer of coating layer 6: Conductor 20: Mounting chip

Claims

第１回路部材と、前記第１回路部材に搭載される複数の第２回路部材と、前記第１回路部材の前記第２回路部材同士の隙間から露出する導体と、を備えるとともに、前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に空間が形成された実装部材を準備する工程と、
絶縁層と導電層とを備え、前記絶縁層が、少なくとも一方の最外に配置されている積層シートを準備する工程と、
前記絶縁層が前記導体と対向するように、前記積層シートを前記実装部材に配置する配置工程と、
前記積層シートを前記第１回路部材に対して押圧するとともに、前記積層シートを加熱して、前記空間を維持しながら、前記第２回路部材を封止する封止工程と、を具備し、
前記絶縁層は、前記導体に対応する位置に開口を備え、
前記封止工程では、前記開口から前記導電層を露出させて、前記導体と前記導電層とを電気的に接続させ、
前記第２回路部材が封止されるときの温度ｔにおいて、前記絶縁層の損失正接ｔａｎδ１が、１以下であり、
前記温度ｔにおいて、前記導電層の損失正接ｔａｎδ２が、１よりも大きく、かつ、貯蔵せん断弾性率が１．０×１０ ^７Ｐａ以下である、実装構造体の製造方法。 The first circuit member, a plurality of second circuit members mounted on the first circuit member, and a conductor exposed from a gap between the second circuit members of the first circuit member are provided, and the first circuit member is provided. The process of preparing a mounting member in which a space is formed between the circuit member and the second circuit member, and
A step of preparing a laminated sheet provided with an insulating layer and a conductive layer, wherein the insulating layer is arranged at least one of the outermost layers.
An arrangement step of arranging the laminated sheet on the mounting member so that the insulating layer faces the conductor.
A sealing step of pressing the laminated sheet against the first circuit member and heating the laminated sheet to seal the second circuit member while maintaining the space is provided.
The insulating layer has an opening at a position corresponding to the conductor.
In the sealing step, the conductive layer is exposed from the opening, and the conductor and the conductive layer are electrically connected to each other .
At the temperature t when the second circuit member is sealed, the loss tangent tan δ1 of the insulating layer is 1 or less.
In the temperature t, the loss tangent tanδ2 of the conductive layer is greater than 1, and the storage shear modulus is less than 1.0 × ¹⁰ 7 Pa, the manufacturing method of the mounting structure.

前記絶縁層の厚みＴ１が１００μｍ以下であり、
前記絶縁層の前記開口の最大径Ｒが３００μｍ以下である、請求項１に記載の実装構造体の製造方法。 The thickness T1 of the insulating layer is 100 μm or less, and the thickness T1 is 100 μm or less.
The method for manufacturing a mounting structure according to claim 1 , wherein the maximum diameter R of the opening of the insulating layer is 300 μm or less.

前記導電層の体積抵抗率が５×１０^−３Ω・ｃｍ以下である、請求項１または２に記載の実装構造体の製造方法。 The method for manufacturing a mounting structure according to claim 1 or 2 , wherein the volume resistivity of the conductive layer is 5 × 10 ^-3 Ω · cm or less.

前記積層シートが、他方の最外に配置された被覆層を備え、
前記温度ｔにおいて、
前記被覆層の損失正接ｔａｎδ３が、１よりも大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の実装構造体の製造方法。 The laminated sheet comprises the other outermost covering layer.
At the temperature t
The method for manufacturing a mounting structure according to any one of claims 1 to 3 , wherein the loss tangent tan δ3 of the coating layer is larger than 1.

請求項１に記載の製造方法により得られた実装構造体を、前記第２回路部材ごとにダイシングして個片化する工程を具備する、個片化実装構造体の製造方法。 A method for manufacturing an individualized mounting structure, comprising a step of dicing and individualizing the mounting structure obtained by the manufacturing method according to claim 1 for each of the second circuit members.

第１回路部材と、前記第１回路部材に搭載される複数の第２回路部材と、を備えるとともに、前記第１回路部材と前記第２回路部材との間に空間が形成された実装部材を封止するために用いられる積層シートであって、
絶縁層と導電層とを備え、
前記絶縁層が、少なくとも一方の最外に配置されるとともに、開口を備えており、
前記第２回路部材が封止されるときの温度ｔにおいて、前記絶縁層の損失正接ｔａｎδ１が、１以下であり、
前記温度ｔにおいて、前記導電層の損失正接ｔａｎδ２が、１よりも大きく、かつ、貯蔵せん断弾性率が１．０×１０ ^７Ｐａ以下である、積層シート。 A mounting member including a first circuit member and a plurality of second circuit members mounted on the first circuit member, and a space is formed between the first circuit member and the second circuit member. Laminated sheet used for sealing,
It has an insulating layer and a conductive layer,
The insulating layer is arranged on at least one of the outermost layers and has an opening.
At a temperature t when said second circuit member is sealed, the loss tangent tanδ1 before Symbol insulating layer state, and are 1 or less,
Wherein at a temperature t, the loss tangent tanδ2 of the conductive layer is greater than 1, and the storage shear modulus is less than 1.0 × ¹⁰ 7 Pa, the laminated sheet.

前記絶縁層の厚みＴ１が１００μｍ以下であり、
前記絶縁層の前記開口の最大径Ｒが３００μｍ以下である、請求項６に記載の積層シート。 The thickness T1 of the insulating layer is 100 μm or less, and the thickness T1 is 100 μm or less.
The laminated sheet according to claim 6 , wherein the maximum diameter R of the opening of the insulating layer is 300 μm or less.

前記導電層の体積抵抗率が５×１０^−３Ω・ｃｍ以下である、請求項６または７に記載の積層シート。 The laminated sheet according to claim 6 or 7 , wherein the volume resistivity of the conductive layer is 5 × 10 ^-3 Ω · cm or less.

さらに他方の最外に配置された被覆層を備え、
前記温度ｔにおいて、
前記被覆層の損失正接ｔａｎδ３が、１よりも大きい、請求項６〜８のいずれか一項に記載の積層シート。 It also has an outermost covering layer on the other side.
At the temperature t
The laminated sheet according to any one of claims 6 to 8 , wherein the loss tangent tan δ3 of the coating layer is larger than 1.