JP6887313B2 - Wafer processing method - Google Patents
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Description
本発明は、外周縁に面取り部を有するウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a wafer having a chamfered portion on the outer peripheral edge.
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウェーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている。ウェーハは、個々のデバイスに分割される前に、裏面が研削されて所定の厚さに形成される。 Wafers in which devices such as ICs and LSIs are partitioned by scheduled division lines and formed on the surface are divided into individual devices by a dicing device and used in various electronic devices. The back surface of the wafer is ground to form a predetermined thickness before being divided into individual devices.
ウェーハの外周縁においては、製造過程において欠けや割れが生じるのを防止するため、円弧状の面取りが施されている。このため、ウェーハの裏面を研削して薄くすると、面取りされた面の一部が残存してウェーハの周縁がナイフのように尖鋭化し、取り扱いが危険になると共に欠けが生じやすくなるという問題がある。そこで、ウェーハの裏面を研削する前に、ウェーハの表面側から面取り部を切削して除去する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 The outer peripheral edge of the wafer is chamfered in an arc shape to prevent chips and cracks from occurring during the manufacturing process. For this reason, when the back surface of the wafer is ground and thinned, there is a problem that a part of the chamfered surface remains and the peripheral edge of the wafer is sharpened like a knife, which makes handling dangerous and prone to chipping. .. Therefore, a technique has been proposed in which a chamfered portion is cut and removed from the front surface side of the wafer before grinding the back surface of the wafer (see, for example, Patent Document 1).
具体的には、切削ブレードをウェーハの表面から外周縁に切り込ませつつ、ウェーハを回転させて外周縁に円形の切削溝を形成し、この切削溝によりウェーハの外周縁に沿って表面側に段差を形成する。このように段差を形成することで、ウェーハを裏面側から研削しても、表面側の外周縁で尖鋭化する部分をなくすことができる。 Specifically, while cutting the cutting blade from the surface of the wafer to the outer peripheral edge, the wafer is rotated to form a circular cutting groove on the outer peripheral edge, and the cutting groove causes the cutting groove to move toward the surface side along the outer peripheral edge of the wafer. Form a step. By forming the step in this way, even if the wafer is ground from the back surface side, it is possible to eliminate the sharpened portion on the outer peripheral edge on the front surface side.
上記のように面取り部が除去された後、裏面研削を行うためにウェーハの表面側に研削用保護テープを貼着する場合、ウェーハの表面より大きい保護テープを貼着した後、段差の外側となるウェーハの外周縁に沿って研削用保護テープが切断される。この切断によって、図７に示すように、研削用保護テープ（研削テープ）Ｔの外周側がウェーハＷの切削溝Ｗｄに入り込んだり、切削溝Ｗｄの形成面に貼着したりする。この場合、ウェーハＷを裏面Ｗｂ側から研削して円弧状の面取り部Ｗｃが研削されると、段差の内周縁だった部分がウェーハＷの外周縁となるので、図８に示すように、ウェーハＷの外周縁側に研削用保護テープＴがはみ出した状態になる。この状態で、その後の工程のためにウェーハＷの裏面Ｗｂ側に、ウェーハＷの裏面Ｗｂより大きいＤＡＦテープやエキスパンドテープ等の粘着テープＴｐを貼着して転写しようとすると、その粘着層に、はみ出した研削用保護テープＴが張り付いて転写不能になる、という問題がある。 After the chamfered portion is removed as described above, when a protective tape for grinding is attached to the front surface side of the wafer for back surface grinding, after attaching a protective tape larger than the surface of the wafer, the outside of the step The protective tape for grinding is cut along the outer peripheral edge of the wafer. By this cutting, as shown in FIG. 7, the outer peripheral side of the protective tape (grinding tape) T for grinding enters the cutting groove Wd of the wafer W or is attached to the forming surface of the cutting groove Wd. In this case, when the wafer W is ground from the back surface Wb side and the arc-shaped chamfered portion Wc is ground, the portion that was the inner peripheral edge of the step becomes the outer peripheral edge of the wafer W. The protective tape T for grinding is in a state of protruding from the outer peripheral edge side of W. In this state, if an adhesive tape Tp such as a DAF tape or an expanding tape larger than the back surface Wb of the wafer W is attached to the back surface Wb side of the wafer W for the subsequent process and an attempt is made to transfer the adhesive layer. There is a problem that the protruding protective tape T for grinding sticks and cannot be transferred.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ウェーハを保護テープから別の粘着テープに容易に転写することができるウェーハの加工方法を提供することを目的の１つとする。 The present invention has been made in view of this point, and one of the objects of the present invention is to provide a method for processing a wafer in which a wafer can be easily transferred from a protective tape to another adhesive tape.
本発明の一態様のウェーハの加工方法は、外周縁に面取り部を有し表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、表面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、切削ブレードを保護テープ側からウェーハの外周縁に切り込ませつつウェーハを回転させて、保護テープ及びウェーハ表面側の面取り部を円形に切削除去するトリミングステップと、トリミングステップを実施した後に、保護テープを加工した際に加工エッジに発生する上方へ延びるテープバリの根本に加工エッジを切削ブレードの先端が跨ぐように位置付けてウェーハを回転させて、テープバリを切削除去するバリ除去ステップと、バリ除去ステップを実施した後に、保護テープ側を研削装置のチャックテーブルに保持し、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、研削ステップを実施した後に、研削後のウェーハ裏面に別の粘着テープを貼着して保護テープを剥離して転写を行う転写ステップと、を備えることを特徴とする。 The method for processing a wafer according to one aspect of the present invention is a method for processing a wafer having a chamfered portion on the outer peripheral edge and a plurality of devices formed on the surface, and the protective tape is attached to the surface side. After performing the step, the trimming step of rotating the wafer while cutting the cutting blade from the protective tape side to the outer peripheral edge of the wafer, and cutting and removing the protective tape and the chamfered portion on the wafer surface side in a circular shape, and the trimming step. Deburring step to remove tape burrs by rotating the wafer by positioning the machining edge at the root of the tape burrs that extend upward when the protective tape is machined so that the tip of the cutting blade straddles the burrs. After performing the removal step, the protective tape side is held on the chuck table of the grinding device to grind the back surface of the wafer, and after performing the grinding step, another adhesive tape is attached to the back surface of the wafer after grinding. It is characterized by comprising a transfer step of peeling off the protective tape and performing transfer.
この方法によれば、保護テープを貼着した後、かかる保護テープとウェーハ表面側の面取り部とをトリミングステップで一緒に切削除去している。従って、トリミングステップでの切削によって、ウェーハに形成される段差の内周縁と保護テープの外周縁とを一致させることができる。これにより、研削ステップ後の転写ステップにて、ウェーハの外周縁から研削用保護テープがはみ出すことを回避することができる。この結果、転写ステップで別の粘着テープを貼着するときに、粘着テープに保護テープが張り付くことを防止でき、保護テープを容易に剥離して転写を行うことができる。また、トリミングステップでの切削で保護テープにテープバリが発生しても、そのテープバリをバリ除去ステップで除去することができる。これにより、研削ステップにて、保護テープ側をチャックテーブルに載せてウェーハの裏面を研削するときに、テープバリの突出に起因する研削割れが生じることを防止することができる。 According to this method, after the protective tape is attached, the protective tape and the chamfered portion on the wafer surface side are cut and removed together in a trimming step. Therefore, by cutting in the trimming step, the inner peripheral edge of the step formed on the wafer and the outer peripheral edge of the protective tape can be matched. As a result, it is possible to prevent the protective tape for grinding from protruding from the outer peripheral edge of the wafer in the transfer step after the grinding step. As a result, when another adhesive tape is attached in the transfer step, it is possible to prevent the protective tape from sticking to the adhesive tape, and the protective tape can be easily peeled off to perform transfer. Further, even if tape burrs are generated on the protective tape by cutting in the trimming step, the tape burrs can be removed in the deburring step. Thereby, in the grinding step, when the protective tape side is placed on the chuck table and the back surface of the wafer is ground, it is possible to prevent grinding cracks due to the protrusion of the tape burrs.
本発明によれば、トリミングステップ前に保護テープを貼着してから、保護テープ及びウェーハ表面側の面取り部をトリミングするので、ウェーハを保護テープから別の粘着テープに容易に転写することができる。 According to the present invention, since the protective tape is attached before the trimming step and then the protective tape and the chamfered portion on the wafer surface side are trimmed, the wafer can be easily transferred from the protective tape to another adhesive tape. ..
以下、添付図面を参照して、本実施の形態のウェーハの加工方法について説明する。図１は保護テープ貼着ステップ、図２はトリミングステップ、図３はバリ除去ステップ、図４及び図５は研削ステップ、図６は転写ステップの説明図をそれぞれ示している。なお、上記の各図に示すステップは、あくまでも一例に過ぎず、この構成に限定されるものではない。 Hereinafter, the wafer processing method of the present embodiment will be described with reference to the attached drawings. FIG. 1 shows a protective tape attaching step, FIG. 2 shows a trimming step, FIG. 3 shows a deburring step, FIGS. 4 and 5 show a grinding step, and FIG. 6 shows an explanatory diagram of a transfer step. The steps shown in the above figures are merely examples, and are not limited to this configuration.
図１に示すように、先ず、保護テープＴをウェーハＷの表面Ｗａに貼着する保護テープ貼着ステップを実施する。ウェーハＷの表面Ｗａには、膜層Ｄが形成され、この膜層Ｄには格子状となる不図示の分割予定ラインによって区画された各領域に不図示のデバイスが形成されている。また、ウェーハＷの外周側面には表面Ｗａから裏面Ｗｂに至る円弧面を呈した面取り部Ｗｃが形成されている。 As shown in FIG. 1, first, a protective tape attaching step of attaching the protective tape T to the surface Wa of the wafer W is performed. A film layer D is formed on the surface Wa of the wafer W, and a device (not shown) is formed on the film layer D in each region partitioned by a grid-like division schedule line (not shown). Further, a chamfered portion Wc having an arcuate surface extending from the front surface Wa to the back surface Wb is formed on the outer peripheral side surface of the wafer W.
保護テープ貼着ステップは、例えば、ウェーハＷの外周縁側からウェーハＷの表面Ｗａに保護テープＴを繰り出しつつ、保護テープＴ上で貼着ローラを転動させ、ウェーハＷの表面Ｗａの全面に保護テープＴを貼着する。そして、ウェーハＷの外周縁となる面取り部Ｗｃに沿うように不図示の切断刃を移動し、ウェーハＷと概略同一の平面形状に保護テープＴが切断される。その後、保護テープＴの外側領域がウェーハＷの面取り部Ｗｃに回り込むように貼着する。なお、保護テープＴは、基材シートに積層された粘着層を備えてなり、後述するトリミングステップで切削除去されるので例えば粘着層を５μｍ厚にする等、比較的薄い粘着層とすることが好ましい。 In the protective tape sticking step, for example, while feeding the protective tape T from the outer peripheral edge side of the wafer W to the surface Wa of the wafer W, the sticking roller is rolled on the protective tape T to protect the entire surface Wa of the wafer W. Attach the tape T. Then, a cutting blade (not shown) is moved along the chamfered portion Wc which is the outer peripheral edge of the wafer W, and the protective tape T is cut into a plane shape substantially the same as that of the wafer W. After that, the outer region of the protective tape T is attached so as to wrap around the chamfered portion Wc of the wafer W. The protective tape T is provided with an adhesive layer laminated on the base sheet, and is removed by cutting in a trimming step described later. Therefore, the adhesive layer may be made a relatively thin adhesive layer, for example, by making the adhesive layer 5 μm thick. preferable.
図２に示すように、保護テープ貼着ステップの後にはトリミングステップを実施する。トリミングステップでは、切削装置（不図示）のチャックテーブル１１でウェーハＷの裏面Ｗｂ側を吸引保持し、保護テープＴを上向きとする。このように保持した状態で、回転する切削ブレード１２をウェーハＷの保護テープＴ側となる表面Ｗａ側から外周縁に切り込ませつつ、チャックテーブル１１及びこれに保持されるウェーハＷを回転する。これにより、保護テープＴ及びウェーハＷの表面Ｗａ側の面取り部Ｗｃが円形に切削除去され、ウェーハＷの外周縁に沿って平面視で円形をなす切削溝Ｗｄを形成する。切削溝Ｗｄは、その形成領域で保護テープＴを除去し、ウェーハＷの厚み方向中間に達するまで形成される。
As shown in FIG. 2, a trimming step is performed after the protective tape application step. In the trimming step, the back surface Wb side of the wafer W is sucked and held by the chuck table 11 of the cutting device (not shown), and the protective tape T is turned upward. In the state of being held in this way, the chuck table 11 and the wafer W held by the chuck table 11 are rotated while the rotating
ここで、トリミングステップにおいては、保護テープＴを切削除去する加工を行った際、保護テープＴの外周縁となる加工エッジに上方へ延びるテープバリＢが発生する場合がある。テープバリＢは、図２にて先端が上向きとなる突起状に形成され、また、保護テープＴの外周縁に沿って断続的或いは連続的に形成される。テープバリＢが残存したまま後述する研削ステップを実施すると、ウェーハＷにて研削割れ等の研削不良が発生する可能性が高くなる。 Here, in the trimming step, when the protective tape T is cut and removed, a tape burr B extending upward may be generated on the processed edge which is the outer peripheral edge of the protective tape T. The tape burr B is formed in a protruding shape with the tip facing upward in FIG. 2, and is formed intermittently or continuously along the outer peripheral edge of the protective tape T. If the grinding step described later is carried out with the tape burr B remaining, there is a high possibility that grinding defects such as grinding cracks will occur on the wafer W.
そこで、図３に示すように、トリミングステップを実施した後にはバリ除去ステップを実施する。バリ除去ステップでは、引き続きチャックテーブル１１によりウェーハＷの裏面Ｗｂ側を吸引保持する。この状態で、回転する切削ブレード（加工手段）１４の下端（先端）を保護テープＴの上面高さ位置若しくはその近傍高さ位置とし、テープバリＢの根本（下端）に重なるように位置付ける。具体例としては、保護テープＴのテープ厚みばらつきや装置精度を考慮して、切削ブレード１４の先端を、保護テープＴのテープ上面位置から０〜５０μｍの位置に位置付ける。このとき、切削ブレード１４の下端が保護テープＴの外周縁を跨ぐように位置付ける。このように位置付けつつ、チャックテーブル１１及びこれに保持されるウェーハＷを回転する。これにより、保護テープＴに発生したテープバリＢを切削除去して保護テープＴの上面をフラットにすることができ、また、切削溝Ｗｄの内周縁からテープバリＢがはみ出ることも回避できる。
Therefore, as shown in FIG. 3, a deburring step is performed after the trimming step is performed. In the deburring step, the back surface Wb side of the wafer W is continuously sucked and held by the chuck table 11. In this state, the lower end (tip) of the rotating cutting blade (machining means) 14 is set to the upper surface height position of the protective tape T or a height position near the upper end, and is positioned so as to overlap the root (lower end) of the tape burr B. As a specific example, the tip of the
ここで、トリミングステップで使用する切削ブレード１２と、バリ除去ステップで使用する切削ブレード１４とは、同じものを用いて行ってもよい。このように、複数のステップにて切削除去に用いる加工手段を共通化することで、装置構成の簡略化を図ることができる。
Here, the
図４及び図５に示すように、トリミングステップの後、研削装置２０によって研削ステップを実施する。研削ステップでは、研削装置２０の研削手段２１を用いて、チャックテーブル２２に保持されるウェーハＷを研削することにより、ウェーハＷを裏面Ｗｂ側から仕上げ厚みまで薄厚化する。チャックテーブル２２は、上面を保持面としてウェーハＷを保持し、回転軸２３の軸周りを回転可能となっている。研削手段２１は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル２４と、スピンドル２４の下端に装着された研削ホイール２５と、研削ホイール２５の下部に環状に固着された研削砥石２６とを備えている。研削手段２１は、モータ（不図示）によってスピンドル２４を回転させることで、研削ホイール２５を所定の回転速度で回転させることができる。
As shown in FIGS. 4 and 5, after the trimming step, the grinding step is carried out by the
研削ステップでは、まず、図４に示すように、チャックテーブル２２上に保護テープＴ側を載置してウェーハＷの裏面Ｗｂを上向きに露出させる。その後、図示しない吸引源の作動により、チャックテーブル２２によって保護テープＴを介してウェーハＷを吸引保持するとともに、回転軸２３の軸周りにチャックテーブル２２を回転する。続いて、研削手段２１の研削ホイール２５を回転させながらウェーハＷの裏面Ｗｂに接近する方向に研削手段２１を下降させ、回転する研削砥石２６を裏面Ｗｂに当接する。そして、研削砥石２６でウェーハＷの裏面Ｗｂを押圧しながら切削溝Ｗｄに到達する深さまで研削することにより、ウェーハＷの面取り部Ｗｃが全て除去される（図５参照）。その後、ウェーハＷが仕上げ厚みまで薄化するまで研削砥石２６による研削を継続する。
In the grinding step, first, as shown in FIG. 4, the protective tape T side is placed on the chuck table 22 to expose the back surface Wb of the wafer W upward. After that, by operating a suction source (not shown), the chuck table 22 sucks and holds the wafer W via the protective tape T, and rotates the chuck table 22 around the axis of the
図６に示すように、研削テープ貼着ステップの後には転写ステップを実施する。転写ステップでは、環状となるフレームＦの内部にウェーハＷを配置してから、ウェーハＷの裏面Ｗｂ及びフレームＦに保護テープＴとは別の粘着テープＴｐを繰り出して貼着する。これにより、粘着テープＴｐを介しフレームＦの内側にウェーハＷが支持される。かかる貼着は、例えば、粘着テープＴｐ上で貼着ローラを転動させ、ウェーハＷの研削面となる裏面Ｗｂ全面とフレームＦの一方の面とに粘着テープＴｐを貼着する。粘着テープＴｐの貼着後、ウェーハＷの表面Ｗａに貼着された保護テープＴを剥離することで、ウェーハＷの保護テープＴから粘着テープＴｐへの転写が完了する。 As shown in FIG. 6, a transfer step is performed after the grinding tape attaching step. In the transfer step, the wafer W is arranged inside the annular frame F, and then an adhesive tape Tp different from the protective tape T is fed out and attached to the back surface Wb of the wafer W and the frame F. As a result, the wafer W is supported inside the frame F via the adhesive tape Tp. For such attachment, for example, the attachment roller is rolled on the adhesive tape Tp, and the adhesive tape Tp is attached to the entire back surface Wb, which is the grinding surface of the wafer W, and one surface of the frame F. After the adhesive tape Tp is attached, the protective tape T attached to the surface Wa of the wafer W is peeled off to complete the transfer from the protective tape T of the wafer W to the adhesive tape Tp.
ところで、従来の加工方法では、ウェーハＷの表面Ｗａ側の面取り部Ｗｃを円形に切削除去するトリミングを行った後、保護テープＴを表面Ｗａに貼着する方法を採用している。この貼着では、ウェーハＷの表面Ｗａより大きい保護テープＴを貼着した後、ウェーハＷの外周縁に切断刃を位置合わせしてから外周縁に沿うように切断刃を変位して保護テープＴを円形に切断する。このとき、段差を形成する切削溝Ｗｄの内周縁からはみ出した状態で保護テープＴの外周縁が切断され、図７に示すように、保護テープＴの外周側が切削溝Ｗｄに入り込んだり、切削溝Ｗｄの形成面に貼着したりする状態となる。このような状態で、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削すると、研削後には面取り部Ｗｃが除去されて切削溝Ｗｄの厚さ方向に延びる形成面がウェーハＷの外周縁となるので、かかる外周縁から保護テープＴがはみ出た状態となる。この状態で、ウェーハＷを別の粘着テープＴｐに貼着して転写しようとすると、図８に示すように、はみ出した保護テープＴが粘着テープＴｐの上面の粘着層に張り付いてしまい、保護テープＴが剥離できずに転写できなくなる、という問題がある。 By the way, in the conventional processing method, a method is adopted in which the chamfered portion Wc on the surface Wa side of the wafer W is trimmed by cutting and removing in a circular shape, and then the protective tape T is attached to the surface Wa. In this attachment, after attaching a protective tape T larger than the surface Wa of the wafer W, the cutting blade is aligned with the outer peripheral edge of the wafer W, and then the cutting blade is displaced along the outer peripheral edge to provide the protective tape T. Is cut into a circle. At this time, the outer peripheral edge of the protective tape T is cut in a state of protruding from the inner peripheral edge of the cutting groove Wd forming the step, and as shown in FIG. 7, the outer peripheral side of the protective tape T enters the cutting groove Wd or the cutting groove. It will be in a state of being attached to the forming surface of Wd. When the back surface Wb of the wafer W is ground in such a state, the chamfered portion Wc is removed after grinding and the formed surface extending in the thickness direction of the cutting groove Wd becomes the outer peripheral edge of the wafer W. The protective tape T is in a protruding state. In this state, if the wafer W is attached to another adhesive tape Tp and an attempt is made to transfer the wafer W, as shown in FIG. 8, the protruding protective tape T sticks to the adhesive layer on the upper surface of the adhesive tape Tp to protect the wafer W. There is a problem that the tape T cannot be peeled off and cannot be transferred.
この点、上記実施の形態においては、トリミングステップの前に保護テープＴを貼着し、トリミングによってウェーハＷの面取り部Ｗｃと共に保護テープＴを除去している。これにより、図３に示すように、切削溝Ｗｄの内周縁に保護テープＴの外周縁が揃うようになり、保護テープＴの外周側が切削溝Ｗｄに入り込んだり貼着したりすることを防止することができる。従って、研削ステップによってウェーハＷの面取り部Ｗｃを全て除去した後において、薄厚化したウェーハＷの外周縁から保護テープＴがはみ出すことを回避できる。この結果、転写ステップでウェーハＷの裏面Ｗｂに粘着テープＴｐを貼着するときに、粘着テープＴｐの粘着面に保護テープＴが張り付くことを防止でき、保護テープＴを容易に剥離して転写を行えるようになる。 In this regard, in the above embodiment, the protective tape T is attached before the trimming step, and the protective tape T is removed together with the chamfered portion Wc of the wafer W by trimming. As a result, as shown in FIG. 3, the outer peripheral edge of the protective tape T is aligned with the inner peripheral edge of the cutting groove Wd, and the outer peripheral side of the protective tape T is prevented from entering or sticking to the cutting groove Wd. be able to. Therefore, it is possible to prevent the protective tape T from protruding from the outer peripheral edge of the thinned wafer W after all the chamfered portions Wc of the wafer W have been removed by the grinding step. As a result, when the adhesive tape Tp is attached to the back surface Wb of the wafer W in the transfer step, it is possible to prevent the protective tape T from sticking to the adhesive surface of the adhesive tape Tp, and the protective tape T can be easily peeled off to perform transfer. You will be able to do it.
また、上記実施の形態では、図１に示すように、保護テープＴの外側領域がウェーハＷの面取り部Ｗｃに回り込むように貼着されるので、かかる外側領域の接着状態を良好に保つことができる。これにより、トリミングステップにおける保護テープＴの意図しない捲れや剥がれを防ぐことができ、ウェーハＷの外周に沿う保護テープＴの除去を安定して行うことができる。 Further, in the above embodiment, as shown in FIG. 1, the outer region of the protective tape T is attached so as to wrap around the chamfered portion Wc of the wafer W, so that the adhesive state of the outer region can be kept good. it can. As a result, it is possible to prevent unintentional curling or peeling of the protective tape T in the trimming step, and it is possible to stably remove the protective tape T along the outer periphery of the wafer W.
更に、上記実施の形態では、トリミングステップによって発生した保護テープＴのテープバリＢ（図３参照）をバリ除去ステップで除去することができる。これにより、研削ステップにてウェーハＷの保護テープＴ側をチャックテーブル２２に載置して吸引保持するときに、テープバリＢに起因するエア漏れで保持力が不足したり、テープバリＢが突出することで研削中にウェーハＷに局所的な負荷が加わったりすることを防ぐことができる。この結果、研削ステップでウェーハＷに研削割れが生じる等の研削不良が発生することを防止することができ、製品歩留まりの向上を図ることができる。 Further, in the above embodiment, the tape burr B (see FIG. 3) of the protective tape T generated by the trimming step can be removed by the deburring step. As a result, when the protective tape T side of the wafer W is placed on the chuck table 22 and sucked and held in the grinding step, the holding force is insufficient due to air leakage caused by the tape burr B, or the tape burr B protrudes. It is possible to prevent a local load from being applied to the wafer W during grinding. As a result, it is possible to prevent the occurrence of grinding defects such as grinding cracks in the wafer W in the grinding step, and it is possible to improve the product yield.
なお、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。 The embodiments of the present invention are not limited to the above embodiments, and may be variously modified, replaced, or modified without departing from the spirit of the technical idea of the present invention. Furthermore, if the technical idea of the present invention can be realized in another way by the advancement of technology or another technology derived from it, it may be carried out by using that method. Therefore, the scope of claims covers all embodiments that may be included within the scope of the technical idea of the present invention.
上記トリミングステップでの切削溝Ｗｄの深さは、保護テープＴを切削除去でき且つ研削ステップで面取り部Ｗｃを除去できる限りにおいて、適宜変更可能である。 The depth of the cutting groove Wd in the trimming step can be appropriately changed as long as the protective tape T can be removed by cutting and the chamfered portion Wc can be removed in the grinding step.
また、上記実施の形態の加工方法に加え、ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）加工を行うようにしてもよい。この場合、保護テープ貼着ステップを実施する前に、ウェーハＷの表面Ｗａ側に研削ステップでの仕上げ厚みより深い溝を分割予定ラインに沿ってハーフカットする。そして、研削ステップでウェーハＷを裏面Ｗｂ側から仕上げ厚みまで薄厚化してウェーハＷを個々のチップに分割する。 Further, in addition to the processing method of the above embodiment, DBG (Dicing Before Grinding) processing may be performed. In this case, before carrying out the protective tape attaching step, a groove deeper than the finish thickness in the grinding step is half-cut along the planned division line on the surface Wa side of the wafer W. Then, in the grinding step, the wafer W is thinned from the back surface Wb side to the finish thickness, and the wafer W is divided into individual chips.
以上説明したように、本発明は、ウェーハを保護テープから別の粘着テープに転写するときに保護テープが剥離できなくなることを回避できるという効果を有し、特に、外周縁に面取り部を有するウェーハをトリミング及び研削してから転写する加工方法に有用である。 As described above, the present invention has an effect that the protective tape cannot be peeled off when the wafer is transferred from the protective tape to another adhesive tape, and in particular, a wafer having a chamfered portion on the outer peripheral edge. It is useful for a processing method in which a wafer is trimmed, ground, and then transferred.
１２ 切削ブレード
１４ 切削ブレード（加工手段）
２０ 研削装置
２２ チャックテーブル
Ｂ テープバリ
Ｔ 保護テープ
Ｔｐ 粘着テープ
Ｗ ウェーハ
Ｗａ 表面
Ｗｂ 裏面
Ｗｃ 面取り部
12
20
Claims (1)
表面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、
切削ブレードを該保護テープ側からウェーハの外周縁に切り込ませつつウェーハを回転させて、該保護テープ及びウェーハ表面側の面取り部を円形に切削除去するトリミングステップと、
該トリミングステップを実施した後に、該保護テープを加工した際に加工エッジに発生する上方へ延びるテープバリの根本に該加工エッジを該切削ブレードの先端が跨ぐように位置付けてウェーハを回転させて、該テープバリを切削除去するバリ除去ステップと、
該バリ除去ステップを実施した後に、該保護テープ側を研削装置のチャックテーブルに保持し、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後に、該研削後のウェーハ裏面に別の粘着テープを貼着して該保護テープを剥離して転写を行う転写ステップと、
を備えるウェーハの加工方法。 A method for processing a wafer having a chamfered portion on the outer peripheral edge and a plurality of devices formed on the surface.
Protective tape application step to apply protective tape on the front side,
A trimming step in which the wafer is rotated while the cutting blade is cut into the outer peripheral edge of the wafer from the protective tape side, and the chamfered portion on the protective tape and the wafer surface side is cut and removed in a circular shape.
After performing the trimming step, the wafer is rotated by positioning the processing edge at the root of the tape burr extending upward generated at the processing edge when the protective tape is processed so that the tip of the cutting blade straddles the processing edge. Deburring step to cut and remove tape burrs,
After performing the deburring step, the protective tape side is held on the chuck table of the grinding device, and the back surface of the wafer is ground.
After performing the grinding step, another adhesive tape is attached to the back surface of the wafer after grinding, the protective tape is peeled off, and transfer is performed.
Wafer processing method.
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