JP6884505B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付すものとし、適宜重複した説明は省略する。
次に、本発明の第2実施形態について図5を用いて説明する。本実施形態では、昇温成長工程の後にもラストバリア層14cの成長を継続する点が第1実施形態と異なっており、重複する説明は省略する。図5は、本実施形態におけるラストバリア層14cからp型GaNコンタクト層16までの成長工程を示すタイミングチャートである。
第1実施形態および第2実施形態では、ラストバリア層14cをGaNとし電子ブロック層15をAlGaNとしたが、両者をAl組成が異なるAlGaNとして、電子ブロック層15のバンドギャップがラストバリア層14cよりも大きい構成としてもよい。また、他の材料系としてAl、In、B、Gaを含めた多元系材料であってもよい。
10…サファイア基板
11…GaNバッファ層
12…GaN下地層
13…n型GaN下地層
14…発光層
14a…バリア層
14b…井戸層
14c…ラストバリア層
15…電子ブロック層
16…p型GaNコンタクト層
Claims (4)
- 障壁層と井戸層を交互に積層した多重量子井戸活性層を成長させ、前記多重量子井戸活性層の上に電子ブロック層を成長させる半導体発光素子の製造方法であって、
前記障壁層のうち最上層であるラストバリア層を成長させる工程は、他の前記障壁層と同じ第1温度で結晶成長させる定温成長工程と、前記定温成長工程の後に前記第1温度から前記電子ブロック層の成長温度である第2温度まで上昇させながら結晶成長を継続する昇温成長工程とを備え、
前記ラストバリア層をGaNで構成し、
前記電子ブロック層をp型AlGaNで構成し、前記ラストバリア層に接触して形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記ラストバリア層の膜厚は、前記他の障壁層の膜厚よりも厚いことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1または2に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記定温成長工程で成長させる前記ラストバリア層の膜厚は、前記他の障壁層の膜厚以上であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一つに記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記電子ブロック層の成長時および成長後に、前記電子ブロック層から前記ラストバリア層に不純物の拡散が生じ、前記ラストバリア層に前記電子ブロック層からの不純物が拡散されている拡散領域と、前記電子ブロック層からの不純物が到達していない非拡散領域とを形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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