JP6874314B2 - Object holding device, exposure device, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、物体保持装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法係り、更に詳しくは、物体を保持する物体保持装置前記物体保持装置を備える露光装置、並びに前記露光装置を用いてフラットパネルディスプレイ又はデバイスの製造方法に関する。 The invention, object-holding device, an exposure device, a method of manufacturing a flat panel display, and relates to a device manufacturing method, more particularly, an object holding device for holding an object, an exposure apparatus provided with the object-holding device, and the exposure apparatus The present invention relates to a method for manufacturing a flat panel display or a device.

従来、液晶表示素子、半導体素子(集積回路等)等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下、「マスク」と総称する)に形成されたパターンを、エネルギビームを用いてガラスプレート又はウエハ(以下、「基板」と総称する)に転写する露光装置が用いられている。 Conventionally, in a lithography process for manufacturing electronic devices (microdevices) such as liquid crystal display elements and semiconductor elements (integrated circuits, etc.), a pattern formed on a mask or reticle (hereinafter collectively referred to as “mask”) is formed into an energy beam. An exposure apparatus is used to transfer to a glass plate or a wafer (hereinafter, collectively referred to as a “substrate”) using the above.

この種の露光装置としては、基板ステージ装置が有する基板ホルダが、基板を真空吸着保持するものが知られている(例えば、特許文献1参照)。 As an exposure apparatus of this type, a substrate holder included in the substrate stage apparatus is known to hold the substrate by vacuum suction (see, for example, Patent Document 1).

基板ホルダには、基板表面に皺、あるいは凹凸などが形成されないように基板を保持することが求められている。 The substrate holder is required to hold the substrate so that wrinkles or irregularities are not formed on the surface of the substrate.

米国特許出願公開第2010/0266961号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2010/0266961

本発明は、上述の事情の下でなされたもので、第1の態様によれば、物体を保持する物体保持装置であって、物体を保持する保持部を備え、物体を第1方向から支持する複数の第1支持部と、物体の、保持部に保持されていない部分を、第1方向から非接触で支持する第2支持部と、を有し、第1支持部は、第1方向と交差する方向に移動する物体保持装置が、提供される。 The present invention has been made under the above-mentioned circumstances, and according to the first aspect, it is an object holding device that holds an object, includes a holding portion for holding the object, and supports the object from the first direction. It has a plurality of first support portions and a second support portion that non-contactly supports a portion of the object that is not held by the holding portion from the first direction, and the first support portion is in the first direction. An object holding device that moves in a direction intersecting with is provided.

第2の態様によれば、第1の態様に係る物体保持装置と、前記物体保持装置に保持された前記物体に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成するパターン形成装置と、を備える露光装置が、提供される。 According to the second aspect, the object holding device according to the first aspect and a pattern forming device for forming a predetermined pattern on the object held by the object holding device by using an energy beam are provided. An exposure apparatus is provided.

第3の態様によれば、第2の態様に係る露光装置を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。 According to a third aspect, there is provided a method for manufacturing a flat panel display including exposing the object using the exposure apparatus according to the second aspect and developing the exposed object. To.

第4の態様によれば、第2の態様に係る露光装置を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。 According to the fourth aspect, there is provided a device manufacturing method including exposing the object using the exposure apparatus according to the second aspect and developing the exposed object.

第5の態様によれば、物体を保持する物体保持方法であって、物体を保持する保持部を備え、物体を第1方向から支持する複数の第1支持部を用いて物体を支持することと、物体の、保持部に保持されていない部分を、第1方向から非接触で支持する第2支持部を用いて物体を支持することと、第1支持部は、第1方向と交差する方向に移動することと、を含む物体保持方法が、提供される。 According to a fifth aspect, it is an object holding method for holding an object, wherein the holding portion for holding the object is provided, and the object is supported by a plurality of first supporting portions that support the object from the first direction. The object is supported by the second support portion that non-contactly supports the portion of the object that is not held by the holding portion from the first direction, and the first support portion intersects the first direction. A method of holding an object, including moving in a direction, is provided.

第1の実施形態に係る液晶露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematic the structure of the liquid crystal exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 図2(A)及び図2(B)は、図1の液晶露光装置が備える基板ホルダの平面図及び側面図である。2 (A) and 2 (B) are a plan view and a side view of a substrate holder included in the liquid crystal exposure apparatus of FIG. 図2(A)の基板ホルダの断面図である。It is sectional drawing of the substrate holder of FIG. 2A. 図4(A)及び図4(B)は、基板ホルダが有するチャック部の断面図、及び平面図である。4 (A) and 4 (B) are a cross-sectional view and a plan view of a chuck portion of the substrate holder. 図5(A)は、基板ホルダの動作を説明するための図、図5(B)は、チャック部の動作を説明するための図である。FIG. 5A is a diagram for explaining the operation of the substrate holder, and FIG. 5B is a diagram for explaining the operation of the chuck portion. 図6(A)及び図6(B)は、第2の実施形態に係る基板ホルダの平面図及び側面図、図6(C)は、第2の実施形態に係るチャック部の断面図である。6 (A) and 6 (B) are a plan view and a side view of the substrate holder according to the second embodiment, and FIG. 6 (C) is a cross-sectional view of the chuck portion according to the second embodiment. .. 図7(A)及び図7(B)は、第2の実施形態の変形例に係る基板ホルダの平面図及び側面図である。7 (A) and 7 (B) are a plan view and a side view of the substrate holder according to the modified example of the second embodiment.

《第1の実施形態》
以下、第1の実施形態について、図1〜図5(B)を用いて説明する。
<< First Embodiment >>
Hereinafter, the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5 (B).

図1には、第1の実施形態に係る露光装置(ここでは液晶露光装置10)の構成が概略的に示されている。液晶露光装置10は、物体(ここではガラス基板P)を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。ガラス基板P(以下、単に「基板P」と称する)は、平面視矩形(角型)に形成され、液晶表示装置(フラットパネルディスプレイ)などに用いられる。 FIG. 1 schematically shows the configuration of the exposure apparatus (here, the liquid crystal exposure apparatus 10) according to the first embodiment. The liquid crystal exposure apparatus 10 is a so-called scanner, which is a step-and-scan type projection exposure apparatus in which an object (here, a glass substrate P) is an object to be exposed. The glass substrate P (hereinafter, simply referred to as “substrate P”) is formed in a rectangular shape (square shape) in a plan view, and is used for a liquid crystal display device (flat panel display) or the like.

液晶露光装置10は、照明系12、マスクMを保持するマスクステージ装置14、投影光学系16、表面(図1で+Z側を向いた面)にレジスト(感応剤)が塗布された基板Pを保持する基板ステージ装置20、及びこれらの制御系等を有している。以下、露光時にマスクMと基板Pとが投影光学系16に対してそれぞれ相対走査される方向をX軸方向とし、水平面内でX軸に直交する方向をY軸方向、X軸及びY軸に直交する方向をZ軸方向として説明を行う。 The liquid crystal exposure device 10 comprises a lighting system 12, a mask stage device 14 for holding the mask M, a projection optical system 16, and a substrate P on which a resist (sensitizer) is applied to the surface (the surface facing the + Z side in FIG. 1). It has a substrate stage device 20 for holding, a control system for these, and the like. Hereinafter, the direction in which the mask M and the substrate P are relatively scanned with respect to the projection optical system 16 during exposure is defined as the X-axis direction, and the directions orthogonal to the X-axis in the horizontal plane are defined as the Y-axis direction, the X-axis, and the Y-axis. The direction perpendicular to the Z-axis direction will be described as the Z-axis direction.

照明系12は、米国特許第5,729,331号明細書などに開示される照明系と同様に構成されており、露光用照明光(照明光)ILをマスクMに照射する。照明光ILとしては、i線(波長365nm)、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)などの光(あるいは、上記i線、g線、h線の合成光)が用いられる。 The illumination system 12 is configured in the same manner as the illumination system disclosed in US Pat. No. 5,729,331 and the like, and irradiates the mask M with exposure illumination light (illumination light) IL. As the illumination light IL, light such as i-line (wavelength 365 nm), g-line (wavelength 436 nm), and h-line (wavelength 405 nm) (or the composite light of the i-line, g-line, and h-line) is used.

マスクステージ装置14は、マスクMを、例えば真空吸着により保持している。マスクステージ装置14は、リニアモータなどのアクチュエータを含むマスクステージ駆動系(不図示)により、少なくとも走査方向(X軸方向)に所定の長ストロークで駆動される。マスクステージ装置14の位置情報は、リニアエンコーダシステム、あるいは光干渉計システムを含むマスクステージ計測系(不図示)により求められる。 The mask stage device 14 holds the mask M by, for example, vacuum suction. The mask stage device 14 is driven by a mask stage drive system (not shown) including an actuator such as a linear motor with a predetermined long stroke at least in the scanning direction (X-axis direction). The position information of the mask stage device 14 is obtained by a mask stage measurement system (not shown) including a linear encoder system or an optical interferometer system.

投影光学系16は、マスクステージ装置14の下方に配置されている。投影光学系16は、例えば米国特許第6,552,775号明細書などに開示される投影光学系と同様な構成の、いわゆるマルチレンズ投影光学系であり、例えば両側テレセントリックな等倍系で正立正像を形成する複数の投影光学系を備えている。 The projection optical system 16 is arranged below the mask stage device 14. The projection optical system 16 is a so-called multi-lens projection optical system having the same configuration as the projection optical system disclosed in, for example, US Pat. No. 6,552,775. It is equipped with a plurality of projection optical systems that form an erect image.

液晶露光装置10では、照明系12からの照明光ILによってマスクM上の照明領域が照明されると、マスクMを通過した照明光により、投影光学系16を介してその照明領域内のマスクMの回路パターンの投影像(部分正立像)が、基板P上の照明領域に共役な照明光の照射領域(露光領域)に形成される。そして、照明領域(照明光IL)に対してマスクMが走査方向に相対移動するとともに、露光領域(照明光IL)に対して基板Pが走査方向に相対移動することで、基板P上の1つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にマスクMに形成されたパターンが転写される。 In the liquid crystal exposure apparatus 10, when the illumination region on the mask M is illuminated by the illumination light IL from the illumination system 12, the illumination light passing through the mask M causes the mask M in the illumination region via the projection optical system 16. A projected image (partially upright image) of the circuit pattern of is formed in an irradiation region (exposure region) of illumination light conjugate to the illumination region on the substrate P. Then, the mask M moves relative to the illumination region (illumination light IL) in the scanning direction, and the substrate P moves relative to the exposure region (illumination light IL) in the scanning direction. Scanning exposure is performed on one shot area, and the pattern formed on the mask M is transferred to the shot area.

基板ステージ装置20は、定盤22、基板テーブル24、自重支持装置26、及び基板ホルダ30を備えている。 The board stage device 20 includes a surface plate 22, a board table 24, a self-weight support device 26, and a board holder 30.

定盤22は、平面視(+Z側から見て)矩形の板状の部材から成り、床F上に設置されている。基板テーブル24は、平面視矩形の厚みの薄い箱形の部材から成る。自重支持装置26は、定盤22上に非接触状態で載置され、基板テーブル24、及び基板ホルダ30の自重を下方から支持している。基板ホルダ30は、基板テーブル24の上面に固定されている。また、不図示であるが、基板ステージ装置20は、例えばリニアモータなどのアクチュエータを含み、基板テーブル24をX軸、及びY軸方向に(XY平面に沿って)所定の長ストロークで駆動するとともに、基板テーブル24を6自由度(X軸、Y軸、Z軸、θx、θy、及びθz)方向に微小駆動する基板ステージ駆動系、及びエンコーダシステム、光干渉計システムなどを含み、基板ホルダ30の上記6自由度方向の位置情報を求めるための基板ステージ計測系などを備えている。基板ステージ駆動系、基板ステージ計測系としては、米国特許出願公開第2010/0018950号明細書に開示される露光装置(定盤22が固定)、国際公開第2015/147319号(定盤22が可動)に開示される露光装置などと同様に構成することが可能であるが、これに限定されない。 The surface plate 22 is made of a rectangular plate-shaped member in a plan view (when viewed from the + Z side), and is installed on the floor F. The substrate table 24 is made of a thin box-shaped member having a rectangular shape in a plan view. The self-weight support device 26 is placed on the surface plate 22 in a non-contact state, and supports the self-weight of the substrate table 24 and the substrate holder 30 from below. The board holder 30 is fixed to the upper surface of the board table 24. Further, although not shown, the board stage device 20 includes an actuator such as a linear motor, and drives the board table 24 in the X-axis and Y-axis directions (along the XY plane) with a predetermined long stroke. The board holder 30 includes a board stage drive system that microdrives the board table 24 in six degrees of freedom (X-axis, Y-axis, Z-axis, θx, θy, and θz) directions, an encoder system, an optical interferometer system, and the like. It is equipped with a board stage measurement system for obtaining position information in the above 6 degrees of freedom direction. As the substrate stage drive system and the substrate stage measurement system, the exposure apparatus (surface plate 22 is fixed) disclosed in US Patent Application Publication No. 2010/0018950 and International Publication No. 2015/147319 (surface plate 22 is movable). ), But the present invention is not limited to this.

基板ホルダ30は、平面視矩形の板状の部材から成り、上面(+Z側の面)に基板Pが載置される。図2(A)に示されるように、基板ホルダ30の上面は、X軸方向を長手方向とする長方形に形成されており、その縦横比は、基板Pとほぼ同じである。ただし、基板ホルダ30の上面の長辺及び短辺の長さは、基板Pの長辺及び短辺の長さに対して、それぞれ幾分短く設定されており、基板Pが基板ホルダ30の上面に載置された状態で、基板Pの4辺の端部近傍が、基板ホルダ30から外側にはみ出すようになっている。 The substrate holder 30 is made of a plate-shaped member having a rectangular shape in a plan view, and the substrate P is placed on the upper surface (the surface on the + Z side). As shown in FIG. 2A, the upper surface of the substrate holder 30 is formed in a rectangular shape with the X-axis direction as the longitudinal direction, and the aspect ratio thereof is substantially the same as that of the substrate P. However, the lengths of the long side and the short side of the upper surface of the substrate holder 30 are set to be slightly shorter than the lengths of the long side and the short side of the substrate P, respectively, and the substrate P is the upper surface of the substrate holder 30. In the state of being placed on the substrate P, the vicinity of the four side ends of the substrate P protrudes outward from the substrate holder 30.

図2(A)は、図1の液晶露光装置が備える基板ホルダ30の平面図(+Z方向から見下ろした上面図)であり、図2(B)は基板ホルダ30を−Y方向から見た側面図である。図2(A)及び2(B)から分かるように、基板ホルダ30は、ベース部32、中間部34、保持面部36、及び9つのチャック部40を備えている。 FIG. 2A is a plan view of the substrate holder 30 included in the liquid crystal exposure apparatus of FIG. 1 (top view looking down from the + Z direction), and FIG. 2B is a side surface of the substrate holder 30 viewed from the −Y direction. It is a figure. As can be seen from FIGS. 2A and 2B, the substrate holder 30 includes a base portion 32, an intermediate portion 34, a holding surface portion 36, and nine chuck portions 40.

ベース部32、中間部34、及び保持面部36は、それぞれ平面視矩形の板状(あるいは箱形)の部材である。基板ホルダ30は、ベース部32が最下層、中間部34が中間層、保持面部36が最上層の3層構造となっている。基板ホルダ30は、保持面部36上に載置された基板Pを、複数のチャック部40が真空吸着保持する。また、基板ホルダ30では、保持面部36から基板Pの下面に対して加圧気体が噴出されるとともに、基板Pの下面と保持面部36の上面部との間に真空吸引力が供給される。ベース部32、及び中間部34には、上記真空吸引力、あるいは加圧気体を供給するための管路などが形成されている。なお中間部34は、例えば黒みかげ石(斑レイ岩)、あるいはセラミックスなどにより形成されており、その表面(保持面部36が載置(対向配置)される方の面、上面)は、全面に渡って極めて平坦に仕上げられている。またこの中間部34は、表面が平坦に仕上げられた複数の平板を組み合わせて構成しても良い。以下、基板ホルダ30を構成する各要素の構造、及び動作について説明する。 The base portion 32, the intermediate portion 34, and the holding surface portion 36 are plate-shaped (or box-shaped) members having a rectangular shape in a plan view, respectively. The substrate holder 30 has a three-layer structure in which the base portion 32 is the lowermost layer, the intermediate portion 34 is the intermediate layer, and the holding surface portion 36 is the uppermost layer. In the substrate holder 30, a plurality of chuck portions 40 vacuum suction and hold the substrate P placed on the holding surface portion 36. Further, in the substrate holder 30, the pressurized gas is ejected from the holding surface portion 36 to the lower surface portion of the substrate P, and a vacuum suction force is supplied between the lower surface portion of the substrate P and the upper surface portion of the holding surface portion 36. The base portion 32 and the intermediate portion 34 are formed with the vacuum suction force, a conduit for supplying a pressurized gas, and the like. The intermediate portion 34 is formed of, for example, black granite (gabbro) or ceramics, and its surface (the surface on which the holding surface portion 36 is placed (opposed), the upper surface) covers the entire surface. It is finished extremely flat. Further, the intermediate portion 34 may be formed by combining a plurality of flat plates having a flat surface. Hereinafter, the structure and operation of each element constituting the substrate holder 30 will be described.

保持面部36は、多孔質材料によって形成されている。なお、保持面部36を形成する多孔質材料は、特に限定されず、金属、セラミックス、合成樹脂などを用いることができる。保持面部36の内部には、9つ(図2(A)参照)の収納部38が形成されている。図3に示されるように、保持面部36内には、収納部38によって保持面部36の上面側に開口した空間が形成され、該空間内には、チャック部40が収納されている。9つのチャック部40の数、及び配置は、特に限定されないが、基板Pの中心部(重心位置)を吸着保持(図2(A)参照)することが可能となるように、基板ホルダ30の中央部(中心部)に配置された1つのチャック部40を含むことが好ましい。以下、特に区別する必要がある場合には、基板ホルダ30の中央部に配置されたチャック部40を、適宜センタ−チャック部40Cと称して説明する。 The holding surface portion 36 is formed of a porous material. The porous material forming the holding surface portion 36 is not particularly limited, and metals, ceramics, synthetic resins and the like can be used. Nine storage portions 38 (see FIG. 2A) are formed inside the holding surface portion 36. As shown in FIG. 3, a space opened by the storage portion 38 on the upper surface side of the holding surface portion 36 is formed in the holding surface portion 36, and the chuck portion 40 is housed in the space. The number and arrangement of the nine chuck portions 40 are not particularly limited, but the substrate holder 30 can hold the central portion (center of gravity position) of the substrate P by suction (see FIG. 2A). It is preferable to include one chuck portion 40 arranged in the central portion (central portion). Hereinafter, when it is necessary to make a distinction, the chuck portion 40 arranged in the central portion of the substrate holder 30 will be appropriately referred to as a center-chuck portion 40C.

図3は、図2(A)の基板ホルダ30を−Y方向から見た場合のXZ断面図である。図4(A)及び図4(B)は、基板ホルダ30が有するチャック部40の、−Y方向から見たXZ断面図と、+Z方向から見下ろした平面図(上面図)である。 FIG. 3 is an XZ cross-sectional view of the substrate holder 30 of FIG. 2A when viewed from the −Y direction. 4 (A) and 4 (B) are an XZ cross-sectional view of the chuck portion 40 of the substrate holder 30 seen from the −Y direction and a plan view (top view) looking down from the + Z direction.

チャック部40は、図4(A)及び図4(B)から分かるように、Z方向に突出する円筒形状に形成された突出部42と、突出部42の下端に一体的に接続されたフランジ部44とを備えている。 As can be seen from FIGS. 4 (A) and 4 (B), the chuck portion 40 has a protruding portion 42 formed in a cylindrical shape protruding in the Z direction and a flange integrally connected to the lower end of the protruding portion 42. It is provided with a part 44.

チャック部40は、図3に示されるように、収納部38に収納された状態で、突出部42の先端が、保持面部36の上面から僅かに突出するように(数十マイクロメートル程度突き出すように)高さ寸法が設定されている。なお、この突出部42の先端が保持面部36から突出する量は、チャック部40の突出部42の先端部において吸着支持された基板Pを、後述する保持面部36からの気体の吹き付けによって保持面部36上で浮上支持させることができる程度の突出量以内に設定されている。 As shown in FIG. 3, the chuck portion 40 is housed in the storage portion 38 so that the tip of the protruding portion 42 slightly protrudes from the upper surface of the holding surface portion 36 (protrudes by about several tens of micrometers). The height dimension is set. The amount of the tip of the protruding portion 42 protruding from the holding surface portion 36 is such that the substrate P attracted and supported by the tip of the protruding portion 42 of the chuck portion 40 is sprayed with gas from the holding surface portion 36, which will be described later. It is set within a protrusion amount that can be floated and supported on the 36.

フランジ部44は、チャック部40が収納部38に収納された状態を維持できるように、抜け止めの機能を果たすものである。このフランジ部44によって、チャック部40がXY面内を移動しても、またZ方向に移動しても収納部38から抜け出ることが無い。またフランジ部44は、後述するチャック部40のXY面内の移動およびZ方向の移動を制御するためにチャック部40に作用する力(加圧気体)を受ける部位としても機能する。 The flange portion 44 serves to prevent the chuck portion 40 from coming off so that the chuck portion 40 can be maintained in the storage portion 38. With the flange portion 44, even if the chuck portion 40 moves in the XY plane or moves in the Z direction, the chuck portion does not come out of the storage portion 38. The flange portion 44 also functions as a portion that receives a force (pressurized gas) acting on the chuck portion 40 in order to control the movement of the chuck portion 40 in the XY plane and the movement in the Z direction, which will be described later.

また、図3に示されているように、チャック部40が収納部38に収納された状態で、収納部38(空間)を形成する壁面と、チャック部40の外周面との間に所定の隙間が形成されるように、収納部38、及びチャック部40の寸法が設定されている。このような寸法構成とともに、後述する加圧気体によるチャック部40の位置制御とによって、チャック部40は、収納部38に収納された状態で、XY平面に平行な方向(チャック部40の突出部42が突出しているZ方向に対して交差する面内の方向)に関して、保持面部36に対して拘束されていない状態(XY面内の位置に対して非拘束な状態、換言すれば保持面部36に対してXY平面と平行な方向に相対移動自在な状態)となっている。また、上述したセンターチャック部40Cを除く他の複数のチャック部40は、多孔質部材によって形成された円環状の部材46上に載置されている。 Further, as shown in FIG. 3, in a state where the chuck portion 40 is stored in the storage portion 38, a predetermined value is provided between the wall surface forming the storage portion 38 (space) and the outer peripheral surface of the chuck portion 40. The dimensions of the storage portion 38 and the chuck portion 40 are set so that a gap is formed. With such a dimensional configuration and the position control of the chuck portion 40 by the pressurized gas described later, the chuck portion 40 is stored in the storage portion 38 in a direction parallel to the XY plane (the protruding portion of the chuck portion 40). With respect to the direction in the plane where 42 protrudes with respect to the Z direction), the state of being unconstrained with respect to the holding surface portion 36 (the state of being unconstrained with respect to the position in the XY plane, in other words, the holding surface portion 36). It is in a state where it can move relative to the direction parallel to the XY plane). Further, the plurality of chuck portions 40 other than the center chuck portion 40C described above are placed on the annular member 46 formed of the porous member.

図4(A)及び図4(B)から分かるように、突出部42の+Z方向の先端部には、円環状に形成された周壁部48aと、該周壁部48aの内径側に配置された複数(本実施形態では4本)のピン(ピン部)48bが形成されている。周壁部48aの先端部と、ピン48bの先端部とは、高さ方向(Z軸方向)の位置が実質的に同じとなるように精度良く加工されている。また突出部42の先端部には、周壁部48aの内側の空間の気体を吸引するための孔部48c(吸引孔)が、ピン48bに囲まれた位置のほぼ中央の位置(周壁部46aに囲まれたエリアのほぼ中央の位置)に設けられている。基板ホルダ30(図3参照)は、チャック部40の周壁部48aと複数のピン48bとが基板P(図3参照)を下方から支持した状態で、孔部48cを介した真空吸引動作によって、周壁部48aの内径側に真空吸引力が作用する。これにより、基板Pが、合計で9つの箇所(図2(A)参照)で吸着保持される。なお、図2(A)などでは、理解を容易にするためにチャック部40が実際よりも大きく図示されているが、実際には、チャック部40の突出部42の直径は、数mm(10mm以下)程度であり、基板P(1辺の長さが500mm以上)は、複数のチャック部40の各支持位置において、実質的にそれぞれ点支持される。従って、本実施形態の基板ホルダ30は、基板Pを9点で吸着保持できる。なお、本実施形態では、周壁部48aに囲まれた空間内に孔部48cを介して真空吸引力が作用するるが、これに限られず、各ピン48bを筒状に形成し、該ピン48bの先端部が(筒状の先端の開口によって)基板Pを吸着保持するように構成しても良い。 As can be seen from FIGS. 4 (A) and 4 (B), at the tip of the protruding portion 42 in the + Z direction, a peripheral wall portion 48a formed in an annular shape and an inner diameter side of the peripheral wall portion 48a are arranged. A plurality of (four in this embodiment) pins (pin portions) 48b are formed. The tip of the peripheral wall portion 48a and the tip of the pin 48b are processed with high accuracy so that the positions in the height direction (Z-axis direction) are substantially the same. Further, at the tip of the protrusion 42, a hole 48c (suction hole) for sucking gas in the space inside the peripheral wall 48a is located at a substantially central position (at the peripheral wall 46a) surrounded by the pins 48b. It is located in the center of the enclosed area). The substrate holder 30 (see FIG. 3) is subjected to a vacuum suction operation through the hole 48c in a state where the peripheral wall portion 48a of the chuck portion 40 and the plurality of pins 48b support the substrate P (see FIG. 3) from below. A vacuum suction force acts on the inner diameter side of the peripheral wall portion 48a. As a result, the substrate P is adsorbed and held at a total of nine locations (see FIG. 2A). In FIG. 2A and the like, the chuck portion 40 is shown larger than the actual one for easy understanding, but in reality, the diameter of the protruding portion 42 of the chuck portion 40 is several mm (10 mm). The substrate P (one side length of 500 mm or more) is substantially point-supported at each support position of the plurality of chuck portions 40. Therefore, the substrate holder 30 of the present embodiment can suck and hold the substrate P at nine points. In the present embodiment, a vacuum suction force acts through the hole 48c in the space surrounded by the peripheral wall portion 48a, but the present invention is not limited to this, and each pin 48b is formed into a tubular shape, and the pin 48b is formed. The tip of the substrate P may be configured to attract and hold the substrate P (by the opening of the tubular tip).

図3に戻り、ベース部32の側面には、加圧気体供給用の継手60と、真空吸引力供給用の継手62とが接続されている。ベース部32、及び中間部34内には、複数の管路が形成されており、継手60を介してベース部32に供給される加圧気体は、上記複数の管路を介して多孔質材料によって形成された保持面部36、及び部材46に供給される(図3の小矢印参照)。保持面部36、及び部材46は、加圧気体をチャック部40(センターチャック部40Cを除く)の外周面(突出部42やフランジ部44の表面)、及び底面に噴出し、該加圧気体の静圧によって、保持面部36の収納部38とチャック部40との間に隙間を介した状態、すなわち収納部38内において機械的に非拘束な状態で保持する。図3において、チャック部40に対してX,Y(不図示),Z方向のそれぞれから示されている複数の黒矢印は、それぞれ加圧気体の流れを示している。 Returning to FIG. 3, a joint 60 for supplying a pressurized gas and a joint 62 for supplying a vacuum suction force are connected to the side surface of the base portion 32. A plurality of pipelines are formed in the base portion 32 and the intermediate portion 34, and the pressurized gas supplied to the base portion 32 via the joint 60 is a porous material through the plurality of pipelines. It is supplied to the holding surface portion 36 and the member 46 formed by the above (see the small arrow in FIG. 3). The holding surface portion 36 and the member 46 eject the pressurized gas onto the outer peripheral surface (the surface of the protruding portion 42 and the flange portion 44) and the bottom surface of the chuck portion 40 (excluding the center chuck portion 40C), and of the pressurized gas. By static pressure, the holding surface portion 36 is held in a state where a gap is provided between the storage portion 38 and the chuck portion 40, that is, in a mechanically unconstrained state in the storage portion 38. In FIG. 3, a plurality of black arrows shown from each of the X, Y (not shown), and Z directions with respect to the chuck portion 40 indicate the flow of the pressurized gas.

なお本実施形態では、チャック部40を、収納部38内において機械的に非拘束な状態にするために、XY方向からチャック部40に作用する各加圧気体の圧力や風量をほぼ同じに制御する。これにより、チャック部40を収納部38内の中立位置(収納部38を形成する壁面とチャック部40の外周面との隙間がほぼ均一な位置)に自動的に配置することができる。しかしながらチャック部40を必ずしも中立位置に配置しなくとも良く、チャック部40がXY面内において移動可能な位置に配置されていれば良い。 In the present embodiment, in order to bring the chuck portion 40 into a mechanically unconstrained state in the storage portion 38, the pressure and air volume of each pressurized gas acting on the chuck portion 40 are controlled to be substantially the same from the XY directions. To do. As a result, the chuck portion 40 can be automatically arranged at a neutral position in the storage portion 38 (a position where the gap between the wall surface forming the storage portion 38 and the outer peripheral surface of the chuck portion 40 is substantially uniform). However, the chuck portion 40 does not necessarily have to be arranged in the neutral position, and the chuck portion 40 may be arranged in a movable position in the XY plane.

図3において、チャック部40のZ方向の位置を制御するための加圧気体の噴出は、基板PのXY面内の位置を拘束させないために(チャック部40を収納部38内においてZ方向に浮かせておき、収納部38内でチャック部40を摩擦なくXY移動させるようにするために)継続される。そして、図3に示されるようにチャック部40のフランジ部には下から(部材46から)、および上から(保持面部36から)、狭い隙間に加圧気体を噴出させることによって、チャック部40をZ方向の剛性が比較的高い状態で中間部34上に浮上維持(浮上支持)させることができるようになっている。このため、すべてのチャック部40の先端高さは同一平面に揃い安定している。 In FIG. 3, the ejection of the pressurized gas for controlling the position of the chuck portion 40 in the Z direction does not constrain the position of the substrate P in the XY plane (the chuck portion 40 is placed in the storage portion 38 in the Z direction). It is kept floating (in order to move the chuck portion 40 XY within the storage portion 38 without friction). Then, as shown in FIG. 3, the flange portion of the chuck portion 40 is ejected from below (from the member 46) and from above (from the holding surface portion 36) into a narrow gap by ejecting a pressurized gas into the chuck portion 40. Can be maintained (floating and supported) on the intermediate portion 34 in a state where the rigidity in the Z direction is relatively high. Therefore, the heights of the tips of all the chuck portions 40 are aligned on the same plane and are stable.

一方、チャック部40のXY方向の位置を制御するための加圧気体の噴出(図3中のX,Y方向からチャック部40に作用する加圧気体)は、チャック部40が収納部38を形成する壁面と接触しない状態にした後で(チャック部40がXY面内において何れの方向にも移動可能な状態にした後で)、且つ基板Pを受け取る前に停止しても良い。これはチャック部40のXY方向の位置を、XY方向からの加圧気体によって全く拘束しないようにするためである。なお、基板Pを受け取る前のチャック部40に対する、上述したXY方向からの加圧気体の噴出自体も、必ずしも必要では無い。チャック部40のXY位置が、収納部38の壁部に接触していない状況を認識できれば、このXY方向からの加圧気体の噴出を行う必要は無い。例えば、露光装置内に、チャック部40の収納部38内におけるXY位置をモニターするセンサー機構を設ければ、そのセンサー出力に基づいて(収納部38の壁部とのXY方向における間隔が所定間隔以上無い時に)、XY方向の加圧気体を噴出する制御を行えば良い。 On the other hand, in the ejection of the pressurized gas for controlling the position of the chuck portion 40 in the XY direction (the pressurized gas acting on the chuck portion 40 from the XY directions in FIG. 3), the chuck portion 40 holds the storage portion 38. It may be stopped after making it out of contact with the wall surface to be formed (after making the chuck portion 40 movable in any direction in the XY plane) and before receiving the substrate P. This is so that the position of the chuck portion 40 in the XY direction is not constrained by the pressurized gas from the XY direction at all. It should be noted that the above-mentioned ejection of the pressurized gas from the XY direction to the chuck portion 40 before receiving the substrate P is not always necessary. If it is possible to recognize that the XY position of the chuck portion 40 is not in contact with the wall portion of the storage portion 38, it is not necessary to eject the pressurized gas from this XY direction. For example, if a sensor mechanism for monitoring the XY position in the storage portion 38 of the chuck portion 40 is provided in the exposure apparatus, the distance from the wall portion of the storage portion 38 in the XY direction is a predetermined interval based on the sensor output. (When there is no more than that), it is sufficient to control the ejection of the pressurized gas in the XY direction.

これにより、チャック部40(センターチャック部40Cを除く)は、保持面部36に対して水平面内3自由度(X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転方向)に移動自在となっている。すなわち、センターチャック部40Cを除く複数のチャック部40は、基板Pを吸着保持するが、基板Pを保持面部36に対して拘束しない。また、センターチャック部40Cを除く複数のチャック部40が基板Pを吸着保持した状態で、基板Pの一部(又は全体)に対してXY平面に平行な応力、すなわち基板Pに皺などを発生させる方向の応力が作用している場合、チャック部40はその応力を受けてXY面内を移動することができる。これにより基板Pに生じている作用している応力(歪、皺)を解放することができる。なお、この場合において、基板Pに生じている応力の解放を、XY方向からチャック部40に作用する加圧気体を用いて手助けするようにしても良い。この場合には、該応力によってチャック部40が水平面内で保持面部36に対して相対移動する程度に、上記加圧気体の圧力が設定されている。 As a result, the chuck portion 40 (excluding the center chuck portion 40C) is movable with respect to the holding surface portion 36 in three degrees of freedom in the horizontal plane (rotational directions around the X-axis, Y-axis, and Z-axis). That is, the plurality of chuck portions 40 other than the center chuck portion 40C attract and hold the substrate P, but do not restrain the substrate P with respect to the holding surface portion 36. Further, in a state where a plurality of chuck portions 40 other than the center chuck portion 40C attract and hold the substrate P, stress parallel to the XY plane with respect to a part (or the whole) of the substrate P, that is, wrinkles are generated on the substrate P. When a stress in the direction of causing the crease is applied, the chuck portion 40 can move in the XY plane by receiving the stress. As a result, the acting stress (strain, wrinkles) generated on the substrate P can be released. In this case, the release of stress generated in the substrate P may be assisted by using a pressurized gas acting on the chuck portion 40 from the XY directions. In this case, the pressure of the pressurized gas is set to such an extent that the chuck portion 40 moves relative to the holding surface portion 36 in the horizontal plane due to the stress.

上述した構成により、基板Pの溜まった歪、応力やその他影響(例えば熱変形等)による歪を基板Pに留めることなく解放できるので、基板を平坦に支持することが可能になる。 With the above-described configuration, the strain accumulated on the substrate P, the strain due to stress and other influences (for example, thermal deformation, etc.) can be released without being retained on the substrate P, so that the substrate can be supported flat.

また、保持面部36に供給された加圧気体は、保持面部36の上面から噴出し、保持面部36上に載置された基板Pに対して重力方向上向きの力を作用させる(図3の+Z方向の小矢印参照)。基板Pは、保持面部36の上面から先端部が突き出した複数のチャック部40に下方から支持されており、該チャック部40に支持された部分と保持面部36の上面との間には隙間が形成されているが、上記加圧気体が下面側に供給されることによって、自重による垂れ下がり、及び基板Pの下面と保持面部36の上面との接触が防止される。 Further, the pressurized gas supplied to the holding surface portion 36 is ejected from the upper surface of the holding surface portion 36 and exerts an upward force in the gravity direction on the substrate P placed on the holding surface portion 36 (+ Z in FIG. 3). See the small arrow in the direction). The substrate P is supported from below by a plurality of chuck portions 40 whose tip portions protrude from the upper surface of the holding surface portion 36, and there is a gap between the portion supported by the chuck portion 40 and the upper surface of the holding surface portion 36. Although it is formed, by supplying the pressurized gas to the lower surface side, it is prevented from hanging down due to its own weight and contact between the lower surface of the substrate P and the upper surface of the holding surface portion 36.

真空吸引力供給用の継手62を介してベース部32に供給される真空吸引力は、複数の管路を介して、保持面部36の上面に供給される。保持面部36の上面には、微少な孔部が複数形成されている(図2(A)などでは不図示)。これらの複数の孔部は、保持面部36(多孔質材)が有する微少な孔部とは別に、機械的に加工されたものである。図3に示される例では、真空吸引用の孔部が、隣接するチャック部40間に2つ形成されているが、該真空吸引用の孔部の数は、これに限定されない。また、真空吸引力供給用の管路は、該管路内に上記加圧気体が供給されないように内壁面に所定の処理が施されていても良い。基板ホルダ30では、上記真空吸引力によって、複数のチャック部40上に載置された基板Pに対して重力方向下向きの力を作用させる(図3の大矢印参照)。基板ホルダ30では、基板Pの表面が、水平面と平行となるように、上記加圧気体が基板Pに作用させる重力方向上向きの力と、真空吸引力が基板Pに作用させる重力方向下向きの力とのバランスが設定されている。基板Pの表面の平面度は、基板ホルダ30に内蔵されたセンサによって、基板Pの裏面側から計測しても良いし、基板Pの上面側から計測しても良い。 The vacuum suction force supplied to the base portion 32 via the joint 62 for supplying the vacuum suction force is supplied to the upper surface of the holding surface portion 36 via the plurality of pipelines. A plurality of minute holes are formed on the upper surface of the holding surface portion 36 (not shown in FIG. 2A and the like). These plurality of holes are mechanically processed separately from the minute holes of the holding surface portion 36 (porous material). In the example shown in FIG. 3, two holes for vacuum suction are formed between the adjacent chuck portions 40, but the number of holes for vacuum suction is not limited to this. Further, the inner wall surface of the pipe line for supplying the vacuum suction force may be subjected to a predetermined treatment so that the pressurized gas is not supplied into the pipe line. In the substrate holder 30, a downward force in the direction of gravity is applied to the substrates P placed on the plurality of chuck portions 40 by the vacuum suction force (see the large arrow in FIG. 3). In the substrate holder 30, the upward force in the gravity direction that the pressurized gas acts on the substrate P and the downward force in the gravity direction that the vacuum suction force acts on the substrate P so that the surface of the substrate P is parallel to the horizontal plane. The balance with is set. The flatness of the surface of the substrate P may be measured from the back surface side of the substrate P or from the upper surface side of the substrate P by a sensor built in the substrate holder 30.

なお、継手62を介して供給される真空吸引力と、チャック部40に供給される真空吸引力とは、別系統で供給されるため、チャック部40による基板Pの保持(及びその解除)と、保持面部36による基板Pの平面矯正(及びその解除)とは、任意のタイミングで独立に制御することができる。 Since the vacuum suction force supplied through the joint 62 and the vacuum suction force supplied to the chuck portion 40 are supplied by different systems, the chuck portion 40 holds (and releases) the substrate P. , The plane correction (and its release) of the substrate P by the holding surface portion 36 can be controlled independently at an arbitrary timing.

また、中間部34は、継手62を介して供給される真空吸引力によってセンターチャック部40Cを吸着保持する。これによって、複数のチャック部40のうち、センターチャック部40Cのみが、保持面部36に対して水平面内3自由度方向の位置が拘束される。なお、センターチャック部40Cの保持面部36に対する拘束、非拘束を切り換える必要がない場合、センターチャック部40Cは、保持面部36、あるいは中間部34に対して予め機械的に拘束されていても良い。また、センターチャック部40Cは基板ホルダ30に対する基板のX、Y、θz方向の位置ずれを防ぐために他のチャック部40よりも真空吸引力を強くしてもよい。そのために突出部42の径を大きくしたり、センターチャック部40Cを近接して複数配置したりしてもよい。なお、センターチャック部40Cの高さ(Z方向)は他のチャック部40のように中間部34上で浮上しないので、他のチャック部の高さよりも幾分(数マイクロメートル〜数十マイクロメートル)高くなっている。 Further, the intermediate portion 34 sucks and holds the center chuck portion 40C by the vacuum suction force supplied through the joint 62. As a result, of the plurality of chuck portions 40, only the center chuck portion 40C is constrained in the position in the horizontal plane in the direction of three degrees of freedom with respect to the holding surface portion 36. When it is not necessary to switch between restraining and non-constraining of the center chuck portion 40C with respect to the holding surface portion 36, the center chuck portion 40C may be mechanically restrained with respect to the holding surface portion 36 or the intermediate portion 34 in advance. Further, the center chuck portion 40C may have a stronger vacuum suction force than the other chuck portions 40 in order to prevent the displacement of the substrate with respect to the substrate holder 30 in the X, Y, and θz directions. Therefore, the diameter of the protruding portion 42 may be increased, or a plurality of center chuck portions 40C may be arranged in close proximity to each other. Since the height (Z direction) of the center chuck portion 40C does not rise on the intermediate portion 34 like the other chuck portions 40, it is somewhat higher than the height of the other chuck portions (several micrometers to several tens of micrometers). ) It's getting higher.

以上のようにして構成された液晶露光装置10(図1参照)では、不図示の主制御装置の管理の下、不図示のマスクローダによって、マスクステージ装置14上へのマスクMのロードが行われるとともに、不図示のプレートローダによって、基板ホルダ30上への基板Pのロードが行なわれる。その後、主制御装置により、不図示のアライメント検出系を用いてアライメント計測が実行され、そのアライメント計測の終了後、基板P上に設定された複数のショット領域に逐次ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。この露光動作は従来から行われているステップ・アンド・スキャン方式の露光動作と同様であるので、その詳細な説明は省略するものとする。 In the liquid crystal exposure apparatus 10 (see FIG. 1) configured as described above, the mask M is loaded onto the mask stage apparatus 14 by the mask loader (not shown) under the control of the main control apparatus (not shown). At the same time, the substrate P is loaded onto the substrate holder 30 by a plate loader (not shown). After that, the main control device executes alignment measurement using an alignment detection system (not shown), and after the alignment measurement is completed, a plurality of shot regions set on the substrate P are sequentially exposed by a step-and-scan method. The operation is performed. Since this exposure operation is the same as the conventional step-and-scan exposure operation, detailed description thereof will be omitted.

以上説明した第1の実施形態では、上記アライメント動作時、及びステップ・アンド・スキャン方式の露光動作時において、基板ホルダ30は、投影光学系16に対してX軸方向、及びY軸方向に所定のストローク、及び所定の速度(加速、及び減速を含む)で駆動される。この際、基板ホルダ30では、センターチャック部40Cが保持面部36に対する基板Pの水平面内の位置を拘束しているので、基板Pの水平面内の位置ずれは生じない。 In the first embodiment described above, the substrate holder 30 is predetermined in the X-axis direction and the Y-axis direction with respect to the projection optical system 16 during the alignment operation and the step-and-scan exposure operation. Stroke and drive at a given speed (including acceleration and deceleration). At this time, in the substrate holder 30, since the center chuck portion 40C restrains the position of the substrate P in the horizontal plane with respect to the holding surface portion 36, the positional deviation of the substrate P in the horizontal plane does not occur.

また、基板PのZ軸方向の変形(凹凸、皺の発生)は、センターチャック部40Cを除くチャック部40が水平面内で保持面部36に対して相対移動する(上記凹凸、皺の原因となる応力を相殺する)ことによって抑制される。従って、仮に基板のローディング時などに、基板Pに皺が発生した状態で、基板Pが基板ホルダ30上に載置された場合であっても、該皺が自動的に除去される。また、保持面部36が基板Pの下面に加圧気体を噴出するとともに、基板Pの下面側に真空吸引力を作用させるので、基板Pの自重による撓みを抑制し、全体的な平面度を向上させることができる。 Further, deformation of the substrate P in the Z-axis direction (occurrence of unevenness and wrinkles) causes the chuck portion 40 excluding the center chuck portion 40C to move relative to the holding surface portion 36 in the horizontal plane (causing the unevenness and wrinkles described above). It is suppressed by canceling the stress). Therefore, even if the substrate P is placed on the substrate holder 30 in a state where the substrate P is wrinkled at the time of loading the substrate, the wrinkles are automatically removed. Further, since the holding surface portion 36 ejects pressurized gas onto the lower surface of the substrate P and exerts a vacuum suction force on the lower surface side of the substrate P, bending due to the weight of the substrate P is suppressed and the overall flatness is improved. Can be made to.

また、基板Pの全体平面度は、個々に調整が可能で、あらかじめ正確に高さ(Z方向)調整され、Z方向が高剛性で安定維持される複数のチャック部と各チャック部間を非接触支持される比較的剛性の低い保持面部によって形成されるので、完全非接触で基板を浮上支持するよりも基板の平面度及び平面安定性を高くしやすい。また、完全非接触のホルダでは、基板の外周部などに基板のずれ防止対策(XY方向流れ止め)が必要になるが、そのようなものも必要ない。また、基板ホルダ30は、基板Pを9点で支持(吸着保持)する構造であるので、仮に基板Pの下面の全面を複数のピンによって支持する基板ホルダ(いわゆるピンチャックホルダ)に比べて、基板Pの下面とピンの先端部との間にゴミなどが挟み込まれる可能性を低減できる。したがって、基板Pを平面度良く保持できる。 Further, the overall flatness of the substrate P can be individually adjusted, and the height (Z direction) is accurately adjusted in advance, and the Z direction is highly rigid and stable. Since it is formed by a holding surface portion having relatively low rigidity that is contact-supported, it is easy to improve the flatness and plane stability of the substrate as compared with the case where the substrate is floated and supported in a completely non-contact manner. Further, in the completely non-contact holder, it is necessary to take measures to prevent the substrate from slipping (flow prevention in the XY direction) on the outer peripheral portion of the substrate, but such a measure is not necessary. Further, since the substrate holder 30 has a structure of supporting (adsorbing and holding) the substrate P at nine points, it is compared with a substrate holder (so-called pin chuck holder) in which the entire lower surface of the substrate P is supported by a plurality of pins. It is possible to reduce the possibility that dust or the like is caught between the lower surface of the substrate P and the tip of the pin. Therefore, the substrate P can be held with good flatness.

なお、本第1の実施形態において、センターチャック部40Cを除くチャック部40は、チャック部40に対して水平面内の力が作用しない限りは、収納部38内の中立位置(収納部38を形成する壁面とチャック部40の外周面との隙間がほぼ均一な位置)に自動的に配置される構成(既述した、XY方向から各加圧気体の圧力や風量をほぼ同じに制御する構成)であるが、これに限られず、図5(A)及び図5(B)に示されるように、チャック部40の外周面に対して噴出される加圧気体の圧力、流量などを制御する(図5(B)の白矢印参照)ことによって、チャック部40を保持面部36に対して駆動する(図5(B)の黒矢印参照)ことができるようにしても良い。なお図5(B)の白矢印は、加圧気体がチャック部40の側面に吹き付けられている様子を表すものであり、図5(B)中のチャック部40の左側に記載された右向きの矢印(右矢印)の方が、チャック部40の右側に記載された左向き矢印(左矢印)よりもチャック部40に作用する力(加圧気体の流量および/又は圧力)が大きいことを示している。この場合には、チャック部40を介して、チャック部40に吸着保持されている基板Pに対して水平面に平行な方向(本図5(B)の場合は右方向)に強制的に力(張力)を付与することができる。これによって、基板Pの表面に生じた皺、凹凸などを強制的に除去(平面矯正)することができる。図5(A)では、チャック部40をセンターチャック部40C(基板Pの中央部)に対して基板ホルダ30の外側に移動させることで基板Pの皺などを抑制する例が示されているが、各チャック部40の移動方向は、これに限定されず、基板Pに内向き方向の張力を作用させても良いし、チャック部40をZ軸回りの回転方向に回転させても良い。また、センターチャック部40Cを除く複数のチャック部40のうちの一部のみを移動させても良い。また、センターチャック部40Cを除くチャック部40を下方から非接触支持する部材46(図3参照)に対して供給される加圧気体の圧力、流量を制御することによって、チャック部40に対してZ軸方向の力を付与しても良い。これにより、チャック部40の先端部の高さ位置(Z軸方向の位置)を制御することが可能となり、基板Pの表面の高さ位置の調整を行うことが可能となる。 In the first embodiment, the chuck portion 40 excluding the center chuck portion 40C is in a neutral position (the storage portion 38 is formed) in the storage portion 38 unless a force in the horizontal plane acts on the chuck portion 40. The configuration is automatically arranged at a position where the gap between the wall surface and the outer peripheral surface of the chuck portion 40 is almost uniform (the above-mentioned configuration in which the pressure and air volume of each pressurized gas are controlled to be substantially the same from the XY directions). However, the pressure and flow rate of the pressurized gas ejected to the outer peripheral surface of the chuck portion 40 are controlled as shown in FIGS. 5 (A) and 5 (B). By (see the white arrow in FIG. 5B), the chuck portion 40 may be driven with respect to the holding surface portion 36 (see the black arrow in FIG. 5B). The white arrow in FIG. 5 (B) indicates that the pressurized gas is sprayed on the side surface of the chuck portion 40, and is described on the left side of the chuck portion 40 in FIG. 5 (B) in the right direction. The arrow (right arrow) indicates that the force (flow rate and / or pressure of pressurized gas) acting on the chuck portion 40 is larger than the left-pointing arrow (left arrow) described on the right side of the chuck portion 40. There is. In this case, a force (in the case of FIG. 5B, to the right) is forcibly applied through the chuck portion 40 in a direction parallel to the horizontal plane with respect to the substrate P attracted and held by the chuck portion 40. Tension) can be applied. As a result, wrinkles, irregularities, etc. generated on the surface of the substrate P can be forcibly removed (plane correction). FIG. 5A shows an example in which wrinkles and the like of the substrate P are suppressed by moving the chuck portion 40 to the outside of the substrate holder 30 with respect to the center chuck portion 40C (the central portion of the substrate P). The moving direction of each chuck portion 40 is not limited to this, and an inward tension may be applied to the substrate P, or the chuck portion 40 may be rotated in the rotation direction around the Z axis. Further, only a part of the plurality of chuck portions 40 excluding the center chuck portion 40C may be moved. Further, by controlling the pressure and flow rate of the pressurized gas supplied to the member 46 (see FIG. 3) that non-contactly supports the chuck portion 40 excluding the center chuck portion 40C from below, the chuck portion 40 is subjected to. A force in the Z-axis direction may be applied. As a result, it is possible to control the height position (position in the Z-axis direction) of the tip portion of the chuck portion 40, and it is possible to adjust the height position of the surface of the substrate P.

《第2の実施形態》
次に第2の実施形態に係る液晶露光装置について、図6(A)〜図6(C)を用いて説明する。第2の実施形態に係る液晶露光装置の構成は、基板ホルダ230の構成が異なる点を除き、上記第1の実施形態と同じであるので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第1の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
<< Second Embodiment >>
Next, the liquid crystal exposure apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 6 (A) to 6 (C). The configuration of the liquid crystal exposure apparatus according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment except that the configuration of the substrate holder 230 is different. Therefore, only the differences will be described below. Elements having the same configuration and function as those of the embodiment are designated by the same reference numerals as those of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

本第2の実施形態の基板ホルダ230は、チャック部240を除き、上記第1の実施形態の基板ホルダ30(図2(A)など参照)と同様に構成されている。チャック部240は、円筒形状に形成され、先端部が保持面部36の上面から上方に突出する(図6(B)参照)突出部242と、突出部242の下端に一体的に接続されたフランジ部244とを備えている。ただし、上記第1の実施形態の基板ホルダ30において、突出部42の先端には、周壁部48a、及び複数のピン48b(図4(A)など参照)が形成された(凹凸が形成された)のに対し、本第2の実施形態において、突出部242は、多孔質材料によって形成され、先端部が平坦となってきる。また、突出部242の外周面は、真空吸引力が発生しないように、コーティングなどの加工が施されている。なおフランジ部244の上記以外の構成や機能は、上述したフランジ部44と同様のため、ここでの詳細な説明は省略する。 The substrate holder 230 of the second embodiment is configured in the same manner as the substrate holder 30 of the first embodiment (see FIG. 2A and the like) except for the chuck portion 240. The chuck portion 240 is formed in a cylindrical shape, and a flange whose tip portion projects upward from the upper surface of the holding surface portion 36 (see FIG. 6B) and a flange integrally connected to the lower end of the protruding portion 242. It is provided with a unit 244. However, in the substrate holder 30 of the first embodiment, the peripheral wall portion 48a and a plurality of pins 48b (see FIG. 4A and the like) are formed at the tip of the protruding portion 42 (concavities and convexities are formed). ) On the other hand, in the second embodiment, the protruding portion 242 is formed of a porous material, and the tip portion becomes flat. Further, the outer peripheral surface of the protruding portion 242 is subjected to processing such as coating so that a vacuum suction force is not generated. Since the configuration and function of the flange portion 244 other than the above are the same as those of the flange portion 44 described above, detailed description thereof will be omitted here.

チャック部240には、上記第1の実施形態と同様に、真空吸引力が供給され、チャック部240は、平坦に形成された突出部242の先端部で基板Pを吸着保持する。なお、第2の実施形態に係るチャック部240も、突出部242の直径は数mm程度と、基板Pに比べて十分に小さく設定されており、基板Pが実質的に点支持されることは第1の実施形態と同じである。複数のチャック部240のうち、基板Pの中央部を吸着保持するセンターチャック部240Cが、保持面部36に対して相対移動不可とされている点、及びセンターチャック部240Cを除くチャック部240が保持面部36に対して水平面内3自由度に非拘束である点も、上記第1の実施形態と同じである。なお、図6(A)〜図6(C)に示される例では、突出部242の先端中央部に開口部240a(図6(C)参照)が形成され、基板Pに対して真空吸引力を直接作用させる構成になっているが、チャック部240は、開口部240aが形成されず、多孔質部材からの吸引力のみによって基板Pを吸着保持しても良い。 A vacuum suction force is supplied to the chuck portion 240 as in the first embodiment, and the chuck portion 240 attracts and holds the substrate P at the tip of the flatly formed protrusion 242. The chuck portion 240 according to the second embodiment also has a protruding portion 242 having a diameter of about several mm, which is set sufficiently smaller than that of the substrate P, so that the substrate P is substantially point-supported. It is the same as the first embodiment. Of the plurality of chuck portions 240, the center chuck portion 240C that attracts and holds the central portion of the substrate P is not movable relative to the holding surface portion 36, and the chuck portion 240 excluding the center chuck portion 240C holds the chuck portion 240. The point that the surface portion 36 is not constrained to three degrees of freedom in the horizontal plane is the same as that of the first embodiment. In the examples shown in FIGS. 6 (A) to 6 (C), an opening 240a (see FIG. 6 (C)) is formed at the center of the tip of the protruding portion 242, and a vacuum suction force is applied to the substrate P. However, the chuck portion 240 may not form the opening 240a and may adsorb and hold the substrate P only by the suction force from the porous member.

本第2の実施形態でも、上記第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、チャック部240は、先端部にピンなどの凹凸を形成(機械的な加工などを)する必要がないので、コストダウンが可能となる。また、チャック部240内での真空吸引力による基板の凹凸(吸着歪み)を抑えることができる。 Also in the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, since it is not necessary to form irregularities such as pins (mechanically processed) on the tip portion of the chuck portion 240, the cost can be reduced. In addition, unevenness (adsorption distortion) of the substrate due to the vacuum suction force in the chuck portion 240 can be suppressed.

なお、上記第1及び第2の実施形態に係る基板ホルダ30、230の構成は、一例であって、適宜変更が可能である。すなわち、基板ホルダ30、230において、チャック部40、240は、それぞれ9つ配置されたが、チャック部40、240の数、及び配置は、これに限定されない。図7(A)及び図7(B)には、第2の実施形態の基板ホルダ230の変形例として、基板ホルダ330が、チャック部240を合計で63(7×9)有する例が図示されている。基板ホルダ330では、チャック部240の数が基板ホルダ230よりも多いので、基板Pの自重に起因する撓みを抑制することができる。チャック部240の数、及び配置は、基板Pの大きさ、厚さなどに応じて、適宜設定すると良い。 The configurations of the substrate holders 30 and 230 according to the first and second embodiments are examples, and can be changed as appropriate. That is, in the substrate holders 30 and 230, nine chuck portions 40 and 240 are arranged, respectively, but the number and arrangement of the chuck portions 40 and 240 are not limited to this. 7 (A) and 7 (B) show an example in which the substrate holder 330 has a total of 63 (7 × 9) chuck portions 240 as a modification of the substrate holder 230 of the second embodiment. ing. Since the number of chuck portions 240 in the substrate holder 330 is larger than that in the substrate holder 230, bending due to the weight of the substrate P can be suppressed. The number and arrangement of the chuck portions 240 may be appropriately set according to the size, thickness, and the like of the substrate P.

また、第1の実施形態に係るチャック部40(ピン保持タイプ)と、第2の実施形態に係るチャック部240(平面保持タイプ)とを混在させ、基板Pの吸着保持力を、部位によって異ならせても良い。 Further, if the chuck portion 40 (pin holding type) according to the first embodiment and the chuck portion 240 (plane holding type) according to the second embodiment are mixed and the suction holding force of the substrate P differs depending on the part. You may let me.

また、固定(拘束)されるチャック部としてのセンターチャック部40C、240Cは、各実施形態において、1つのみであったが、基板Pの中央部近傍を保持する複数のチャック部40、240を中間部34に対して拘束しても良い。また、中間部34に対して拘束されるチャック部40、240は、基板Pの中央部に対応する位置に配置されたものに限られない。 Further, although there was only one center chuck portion 40C, 240C as the chuck portion to be fixed (restrained) in each embodiment, a plurality of chuck portions 40, 240 holding the vicinity of the central portion of the substrate P may be used. It may be restrained with respect to the intermediate portion 34. Further, the chuck portions 40 and 240 constrained with respect to the intermediate portion 34 are not limited to those arranged at positions corresponding to the central portion of the substrate P.

また、全てのチャック部40、240の中間部34に対する拘束、非拘束の切り替えができるように構成しても良い。この切り替えは、センターチャック部40C、240Cと同様に、真空吸引保持によって行ってもよいが、機械的、磁気的な装置を用いても良い。チャック部40、240を非拘束状態とするのは、基板Pにおける皺、凹凸の発生を抑制するためであるので、基板Pに皺、凹凸が発生しても問題ない部位(露光対象ショット以外の領域など)は、当該部位を吸着保持するチャック部40、240を非拘束状態とし、基板Pの保持力を高めても良い。 Further, it may be configured so that the intermediate portion 34 of all the chuck portions 40 and 240 can be switched between restraint and non-constraint. This switching may be performed by vacuum suction holding as in the center chuck portions 40C and 240C, but a mechanical or magnetic device may be used. The reason why the chuck portions 40 and 240 are not restrained is to suppress the occurrence of wrinkles and irregularities on the substrate P, so that there is no problem even if wrinkles and irregularities occur on the substrate P (other than the shot to be exposed). For the region, etc.), the chuck portions 40 and 240 that attract and hold the portion may be placed in an unconstrained state to increase the holding force of the substrate P.

また上記実施形態では、保持面部36を多孔質材で構成するものとしたが、基板Pに非接触で支持力(浮上力)を与えられる構成であれば他の構成でも良い。例えば比較的小さい開口径で気体を吹き出す吹き出し用の開口(および気体を吸引する吸引用の開口)を保持面部36上に多数配置しておき、それらを用いて気体によって基板Pを浮上支持させる構成にしても良い。なお、センターチャック部40C、240Cを、フランジのない形状にして上(+Z側)から容易に交換が可能な構成にしてもよい。また、他のチャック部も突出部とフランジ部とを分離可能にして、突出部を上(+Z側)から容易に交換可能な構成にしてもよい。 Further, in the above embodiment, the holding surface portion 36 is made of a porous material, but other configurations may be used as long as the supporting force (levitation force) can be given to the substrate P in a non-contact manner. For example, a large number of openings (and suction openings for sucking gas) for blowing out gas with a relatively small opening diameter are arranged on the holding surface portion 36, and the substrate P is floated and supported by the gas using them. You can do it. The center chuck portions 40C and 240C may have a shape without a flange so that they can be easily replaced from above (+ Z side). Further, other chuck portions may also have a configuration in which the protruding portion and the flange portion can be separated so that the protruding portion can be easily replaced from above (+ Z side).

また上記実施形態では、X、Y方向に移動可能な(X、Y方向に非拘束な状態にある)チャック部40を、加圧気体を用いて中間部34上に浮上させることによりXY方向に非拘束な状態で支持する構成にしているが、チャック部40はX、Y方向に非拘束で支持される構成であれば別の構成でも良い。例えば、チャック部40の下方(底面部)を、弾性部材で支持することでX、Y方向に移動できるように構成しても良い。この場合、弾性変形によりチャック部40のZ方向の位置が変動しないように、チャック部40の側面部分(突出部42の側面部、またはフランジ部44の側面部)を、弾性部材(X、Y方向には変位するがZ方向には変位しないように構成又は配置された弾性部材)で支持するように構成する。 Further, in the above embodiment, the chuck portion 40 that can move in the X and Y directions (in an unconstrained state in the X and Y directions) is floated on the intermediate portion 34 by using a pressurized gas to move in the XY directions. Although the chuck portion 40 is supported in an unconstrained state, another configuration may be used as long as the chuck portion 40 is supported in the X and Y directions without restraint. For example, the lower part (bottom surface portion) of the chuck portion 40 may be supported by an elastic member so that it can move in the X and Y directions. In this case, the side surface portion of the chuck portion 40 (the side surface portion of the protruding portion 42 or the side surface portion of the flange portion 44) is replaced with an elastic member (X, Y) so that the position of the chuck portion 40 in the Z direction does not change due to elastic deformation. It is configured to be supported by an elastic member) that is configured or arranged so as to be displaced in the direction but not in the Z direction.

また上記実施形態では、チャック部40全体をX、Y、Z方向に移動するように構成しているが、チャック部40の一部のみ(例えば突出部42)をX、Y方向に移動できるように構成しても良い。例えば突出部42をフランジ部44に対して、X、Y方向に相対的に移動できるように、突出部42とフランジ部44との境目部分(突出部42の底面に相当する部分)に、上述したような弾性部材を設けるようにすれば良い。この場合も突出部42のZ方向の位置が変動しないように、突出部42の側面部分を弾性部材(X、Y方向には変位するがZ方向には変位しない弾性部材)で支持するように構成する。 Further, in the above embodiment, the entire chuck portion 40 is configured to move in the X, Y, and Z directions, but only a part of the chuck portion 40 (for example, the protruding portion 42) can be moved in the X and Y directions. It may be configured as. For example, the above-mentioned is formed at the boundary portion between the protruding portion 42 and the flange portion 44 (the portion corresponding to the bottom surface of the protruding portion 42) so that the protruding portion 42 can move relative to the flange portion 44 in the X and Y directions. It suffices to provide the elastic member as described above. In this case as well, the side surface portion of the protruding portion 42 is supported by an elastic member (an elastic member that is displaced in the X and Y directions but not in the Z direction) so that the position of the protruding portion 42 in the Z direction does not fluctuate. Configure.

また、照明光は、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。また、照明光としては、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、エルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、固体レーザ(波長:355nm、266nm)などを使用しても良い。 The illumination light may be ultraviolet light such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) or KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), or vacuum ultraviolet light such as F 2 laser light (wavelength 157 nm). As the illumination light, the single wavelength laser light in the infrared region or the visible region oscillated from the DFB semiconductor laser or the fiber laser is amplified by a fiber amplifier doped with erbium (or both erbium and itterbium). A harmonic whose wavelength is converted to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used. Further, a solid-state laser (wavelength: 355 nm, 266 nm) or the like may be used.

また、投影光学系16が複数本の光学系を備えたマルチレンズ方式の投影光学系である場合について説明したが、投影光学系の本数はこれに限らず、1本以上あれば良い。また、マルチレンズ方式の投影光学系に限らず、オフナー型の大型ミラーを用いた投影光学系などであっても良い。また、投影光学系16としては、拡大系、又は縮小系であっても良い。 Further, the case where the projection optical system 16 is a multi-lens type projection optical system including a plurality of optical systems has been described, but the number of projection optical systems is not limited to this, and one or more projection optical systems may be used. Further, the projection optical system is not limited to the multi-lens type, and may be a projection optical system using a large mirror of the Offner type. Further, the projection optical system 16 may be an expansion system or a reduction system.

また、露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、有機EL(Electro-Luminescence)パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。 Further, the application of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for liquid crystal that transfers the liquid crystal display element pattern to the square glass plate, but is not limited to the exposure apparatus for manufacturing organic EL (Electro-Luminescence) panels, and for manufacturing semiconductors. It can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a thin film magnetic head, a micromachine, a DNA chip, and the like. Further, in order to manufacture masks or reticle used not only in microdevices such as semiconductor elements but also in optical exposure equipment, EUV exposure equipment, X-ray exposure equipment, electron beam exposure equipment, etc., glass substrates, silicon wafers, etc. It can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern to a wafer.

また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、ウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、フィルム状(可撓性を有するシート状の部材)のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が500mm以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。 Further, the object to be exposed is not limited to the glass plate, but may be another object such as a wafer, a ceramic substrate, a film member, or a mask blank. When the object to be exposed is a substrate for a flat panel display, the thickness of the substrate is not particularly limited, and a film-like (flexible sheet-like member) is also included. The exposure apparatus of the present embodiment is particularly effective when a substrate having a side length or a diagonal length of 500 mm or more is an exposure target.

液晶表示素子(あるいは半導体素子)などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク(あるいはレチクル)を製作するステップ、ガラス基板(あるいはウエハ)を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。 For electronic devices such as liquid crystal display elements (or semiconductor elements), a step of designing the function and performance of the device, a step of manufacturing a mask (or reticle) based on this design step, and a step of manufacturing a glass substrate (or wafer). Except for the etching apparatus of each of the above-described embodiments, the lithography step of transferring the mask (reticle) pattern to the glass substrate by the exposure method, the developing step of developing the exposed glass substrate, and the portion where the resist remains. It is manufactured through an etching step of removing exposed members by etching, a resist removing step of removing a resist that is no longer needed after etching, a device assembly step, an inspection step, and the like. In this case, in the lithography step, the above-mentioned exposure method is executed using the exposure apparatus of the above embodiment, and the device pattern is formed on the glass substrate, so that a device having a high degree of integration can be manufactured with high productivity. ..

以上説明したように、本発明の物体保持装置及び方法は、物体を保持するのに適している。また、本発明の露光装置は、物体を露光するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの製造に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの製造に適している。 As described above, the object holding device and method of the present invention are suitable for holding an object. Further, the exposure apparatus of the present invention is suitable for exposing an object. Further, the method for manufacturing a flat panel display of the present invention is suitable for manufacturing a flat panel display. In addition, the device manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing microdevices.

10…液晶露光装置、20…基板ステージ装置、30…基板ホルダ、36…保持面部、40…チャック部、P…基板。 10 ... Liquid crystal exposure apparatus, 20 ... Substrate stage apparatus, 30 ... Substrate holder, 36 ... Holding surface portion, 40 ... Chuck portion, P ... Substrate.

Claims (19)

物体を保持する物体保持装置であって、
前記物体の下面のうち、互いに離間した領域を第1方向からそれぞれ支持する複数の第1支持部と、
前記下面のうち、前記第1支持部に支持された領域外を、前記第1方向から非接触で支持する第2支持部と、を備え
複数の前記第1支持部のそれぞれは、前記物体の下面を複数点で支持可能な複数のピン部と、前記複数のピン部を囲む壁部と、前記壁部の内側に形成された孔部とを有し、前記孔部を介して前記壁部内の気体を吸引し前記物体を吸着保持し、前記物体を吸着保持しながら前記第1方向と交差する方向に移動する物体保持装置。
An object holding device that holds an object
Of the lower surface of the object, a first support portion a plurality of supporting respective areas spaced apart from the first direction,
The lower surface is provided with a second support portion that non-contactly supports the outside of the region supported by the first support portion from the first direction.
Each of the plurality of first support portions includes a plurality of pin portions capable of supporting the lower surface of the object at a plurality of points, a wall portion surrounding the plurality of pin portions, and a hole formed inside the wall portion. An object holding device that sucks gas in the wall portion through the hole portion, adsorbs and holds the object, and moves in a direction intersecting with the first direction while adsorbing and holding the object.
前記第1支持部は、前記第1方向と交差する面内の何れの方向にも移動する請求項1に記載の物体保持装置。 The object holding device according to claim 1, wherein the first support portion moves in any direction in a plane intersecting with the first direction. 前記第1支持部は、前記面内における前記第1支持部の移動範囲の中立位置に配置される請求項2に記載の物体保持装置。 The object holding device according to claim 2, wherein the first support portion is arranged at a neutral position in a movement range of the first support portion in the plane. 前記第2支持部は、前記第1支持部に支持されている前記物体の下面に対して支持力を付与する請求項1〜3の何れか一項に記載の物体保持装置。 The object holding device according to any one of claims 1 to 3, wherein the second support portion applies a supporting force to the lower surface of the object supported by the first support portion. 前記第2支持部は、前記物体の下面に対して、気体を吹き付ける請求項4に記載の物体保持装置。 The object holding device according to claim 4, wherein the second support portion blows a gas onto the lower surface of the object. 前記複数の第1支持部のうちの少なくとも一部の第1支持部は、前記面内での位置を拘束される請求項1〜5の何れか一項に記載の物体保持装置。 The object holding device according to any one of claims 1 to 5, wherein the first support portion, which is at least a part of the plurality of first support portions, is constrained in position in the plane. 前記複数の第1支持部を、前記第1方向と交差する面内の互いに離れた位置で、且つ前記面内における前記第1支持部の位置を拘束せずに支持する第3支持部を更に有し
前記第3支持部は、前記複数の第1支持部のうちの一部の第1支持部を吸着する吸着部を備え、前記吸着部において前記一部の第1支持部の前記面内の位置を拘束して支持する請求項6に記載の物体保持装置。
Further, a third support portion that supports the plurality of first support portions at positions separated from each other in a plane intersecting the first direction and without restraining the position of the first support portion in the plane. The third support portion includes a suction portion that adsorbs a part of the first support portion of the plurality of first support portions, and the suction portion includes the in-plane of the first support portion of the part. The object holding device according to claim 6, wherein the position of the object is constrained and supported.
前記第1支持部のうち、前記面内での位置を拘束されない第1支持部に対して、前記面内に平行な方向の力を付与する付与部を備える請求項2〜7の何れか一項に記載の物体保持装置。 Any one of claims 2 to 7, wherein the first support portion is provided with an imparting portion that applies a force in a direction parallel to the plane to the first support portion whose position in the plane is not constrained. The object holding device according to the section. 前記付与部は、前記第1支持部に対して、前記第1支持部が前記面内に平行な方向に移動せしめるよう作用する気体を吹き付ける請求項8に記載の物体保持装置。 The object holding device according to claim 8, wherein the imparting portion blows a gas that acts on the first supporting portion so as to move the first supporting portion in a direction parallel to the plane. 前記付与部は、前記面内での位置を拘束されない前記第1支持部に対して、前記第1方向に平行な方向の力を付与する請求項8又は9に記載の物体保持装置。 The object holding device according to claim 8 or 9, wherein the granting portion applies a force in a direction parallel to the first direction to the first supporting portion whose position in the plane is not constrained. 前記付与部は、前記第1支持部に対して下方から気体を吹き付ける請求項10に記載の物体保持装置。 The object holding device according to claim 10, wherein the imparting portion blows gas onto the first supporting portion from below. 前記第1支持部は、多孔質体によって形成され、該多孔質体を介して前記物体に吸引力を作用させることによって前記物体を吸着保持する請求項1〜11の何れか一項に記載の物体保持装置。 The first support portion is formed by a porous body, and according to any one of claims 1 to 11, the object is adsorbed and held by applying a suction force to the object through the porous body. Object holding device. 前記第3支持部は、多孔質体によって形成されている請求項7に記載の物体保持装置。 The object holding device according to claim 7, wherein the third support portion is formed of a porous body. 前記付与部は、多孔質体によって形成されている請求項8〜11の何れか一項に記載の物体保持装置。 The object holding device according to any one of claims 8 to 11, wherein the imparting portion is formed of a porous body. 請求項1〜14の何れか一項に記載の物体保持装置と、
前記物体保持装置に保持された前記物体に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成するパターン形成装置と、を備える露光装置。
The object holding device according to any one of claims 1 to 14,
An exposure apparatus including a pattern forming apparatus that forms a predetermined pattern on the object held by the object holding apparatus by using an energy beam.
前記物体は、フラットパネルディスプレイに用いられる基板である請求項15に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 15, wherein the object is a substrate used for a flat panel display. 前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が500mm以上である請求項16に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 16, wherein the substrate has at least one side length or a diagonal length of 500 mm or more. 請求項16又は17に記載の露光装置を用いて前記基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
To expose the substrate using the exposure apparatus according to claim 16 or 17.
A method of manufacturing a flat panel display, comprising developing the exposed substrate.
請求項17に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
To expose the object using the exposure apparatus according to claim 17.
A device manufacturing method comprising developing the exposed object.
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