JP6870090B2 - 半導体基板処理システムのための先進インシトゥ粒子検出システム - Google Patents

半導体基板処理システムのための先進インシトゥ粒子検出システム Download PDF

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Description

本明細書で開示される態様は、半導体製造のためのシステム及び方法に関し、より具体的には、インシトゥ粒子検出のためのシステム及び方法に関する。
半導体製造では、清浄な汚染なしの処理環境が、プロセス全体の歩留まりを最大化することに寄与する。これは、粒子が欠陥及び歩留まり損失を引き起こす可能性が高くなるので、基板回路及び形状がナノメートル（nm）スケールに縮小した場合に特に当てはまる。ファクリトリインターフェース（FI）を含む処理システム内の処理環境の各々において粒子を検出することは、システム内の粒子汚染を低減させ又は消去する助けとなる。FIに対する従来の粒子検出方法は、手持ち式（handheld）粒子検出デバイスの使用を含む。
手持ち粒子検出デバイスの使用における１つの問題は、検出が、例えば最初の設置において又は予防保守中に、FIが開いているときにのみ行われることである。更に、粒子検出の読み取りが頻繁には行われないので、粒子汚染の源を特定すること及び問題をトラブルシューティングすることが、かなりの量の時間を必要とする。その時間中に、システムは停止し、FI内の他のセンサは動作していない可能性がある。
したがって、FI内の粒子モニタリングのための改善されたシステム及び方法が必要である。
インシトゥ粒子検出器を有するFI、及びFI内で粒子を検出するための方法が提供される。一態様では、FIが、ファン、基板支持体、粒子検出器、及び排気口を含む。動作中に、ファンが、空気を排気口に向けて且つ基板支持体上の基板の上に向けて層流を生成するように、ファン、基板支持体、及び粒子検出器が配置される。基板支持体から下流に且つ排気口から上流に位置決めされた粒子検出器は、粒子が排気される前に、空気を解析し粒子濃度を検出する。収集された粒子検出データは、FI内の他のセンサからのデータと組み合され、より効率的なトラブルシューティングのために粒子汚染の源を特定するように使用され得る。粒子検出器は、内部の粒子濃度を検出するために、ロードロック又はバッファチャンバを含む他のシステム構成要素の中にも組み込まれ得るが、それらに限定されるものではない。
一態様では、ファクリトリインターフェースが開示される。ファクリトリインターフェースは、ファン、ファンから下流に位置決めされた基板支持体、ファクトリインターフェースの内面に連結され且つ基板支持体から下流に位置決めされた粒子検出器、粒子検出器に連結され且つファクトリインターフェース内の場所に対して開いている粒子検出器チューブ、及び粒子検出器から下流に位置決めされた排気口を含む。
別の一態様では、粒子検出システムが開示される。粒子検出システムは、ファクトリインターフェース内でファン及び基板支持体から下流に位置決めされた粒子検出器、粒子検出器に接続されたサーバであって、ファクトリインターフェース内に位置決めされた１以上の更なるセンサに接続され且つファクトリインターフェース内の粒子検出器及び１以上の更なるセンサから粒子濃度データを収集するように構成されたサーバ、並びにサーバに接続されたネットワークであって、粒子濃度データを１以上の機器オペレータに通信するように構成されたネットワークを含む。
更に別の一態様では、半導体製造システム内でのインシトゥ粒子検出のための方法が開示される。該方法は、ファクトリインターフェースドアを通してファクトリインターフェース内に基板を受け入れること、ロードロックスリットドアを通してファクトリインターフェースから移送チャンバ又はプロセスチャンバに基板を移動させること、ロードロックスリットドアを通して移送チャンバ又はプロセスチャンバからファクトリインターフェース内の基板支持体に基板を移動させること、並びに、ロードロックスリットドアを通してファクトリインターフェースから移送チャンバ又はプロセスチャンバに、及び、ロードロックスリットドアを通して移送チャンバ又はプロセスチャンバからファクトリインターフェース内の基板支持体に基板を移動させる間に、ファクトリインターフェース内の粒子濃度を連続的にモニタリングすることを含む。
本開示の上述の特徴を詳しく理解し得るように、上記で簡単に要約した本開示のより詳細な説明が、態様を参照することによって得られる。一部の態様は、付随する図面に示されている。しかし、付随する図面は例示的な態様のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な態様も許容し得ることに留意されたい。
本開示の一態様による、基板処理システムである。 本開示の一態様による、インシトゥ粒子検出能力を有するFIの断面図である。 本開示の一態様による、半導体製造システムのFI内での連続的なインシトゥ粒子検出のプロセスフローである。 FI内の粒子検出器によって検出された粒子濃度の経時的なグラフである。 本開示の一態様による、粒子検出システムである。
理解が容易になるよう、可能な場合には、各図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号を使用した。一態様の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の態様に有益に組み込まれ得ると想定される。
インシトゥ粒子検出器を有するFI、及びFI内で粒子を検出するための方法が提供される。一態様では、FIが、ファン、基板支持体、粒子検出器、及び排気口を含む。動作中に、ファンが、空気を排気口に向けて且つ基板支持体上の基板の上に向けて層流を生成するように、ファン、基板支持体、及び粒子検出器が配置される。基板支持体から下流に且つ排気口から上流に位置決めされた粒子検出器は、粒子が排気される前に、空気を解析し粒子濃度を検出する。収集された粒子検出データは、FI内の他のセンサからのデータと組み合され、より効率的なトラブルシューティングのために粒子汚染の源を特定するために使用される。粒子検出器は、内部の粒子濃度を検出するためにロードロック又はバッファチャンバを含む他のシステム構成要素の中にも組み込まれ得るが、それらに限定されるものではない。
図１は、本開示の一態様による、基板処理システム１００である。図１に示すように、一対の前面開口型統一ポッド（FOUP）１０２が基板を供給するが、それらの基板は、基板処理チャンバ１０８ａ‐１０８ｆのうちの１つの中に置かれる前に、ファクトリインターフェース１０３からロボットアーム１０４によって受容され、低圧力保持エリア１０６の中に置かれる。第２のロボットアーム１１０が、低圧力保持エリア１０６から基板処理チャンバ１０８ａ‐１０８ｆに、及びその逆方向に、基板を搬送するために用いられ得る。基板処理チャンバ１０８ａ‐１０８ｆは、基板上に形成される膜の、堆積、アニール処理、硬化、及び／又はエッチングのための、１以上のシステム構成要素を含み得る。
図２は、インシトゥ粒子検出能力を有するFI２０３の断面図である。FI２０３は、図１のFI１０３の代わりに使用されてよい。FI２０３は、ファン２１０、フィルタ２２０、基板支持体２３０、ロードロックスリットドア２４０ａ、２４０ｂ、FIドア２５０、粒子検出器２６０、粒子検出器チューブ２７０、第１の基板ホルダ・エフェクタロボット２８０ａ、第２の基板ホルダ・エフェクタロボット２８０ｂ、及び排気口２９０を含む。FI２０３は、任意選択的に、ファン速度センサ及び／又は圧力センサ（図示せず）を含むセンサを更に含むが、それらに限定されるものではない。前述の構成要素の各々は、概して、任意の適切な連結手段によってFI２０３の１以上の壁に連結されている。例えば、粒子検出器２６０は、粒子検出器２６０を特定のFIに連結するように製造されたブラケットによって、FI２０３の１以上の壁に連結され得る。FI２０３は、基板支持体２３０の下方に冷却ステーションなどの更なる構成要素も含んでよい。
図２の態様では、ファン２１０、基板支持体２３０、及び粒子検出器２６０が、垂直な構成で配置されている。より具体的には、ファン２１０が、FI２０３の上側部分に配置され、ファン２１０の下に位置決めされた開口（図示せず）を通して下向きに空気を向け、その空気がフィルタ２２０を通ってFI２０３の下側部分に至るように構成されており、基板支持体２３０は、ファン２１０の下方に位置決めされ、粒子検出器２６０は、基板支持体２３０の下方に位置決めされている。基板支持体２３０は、FI内で空気が垂直方向に流れることを容易にするように基板支持体の間に開口を有する、マルチブレード支持体を含む。粒子検出器２６０は、基板支持体２３０の下方、数インチなどの、例えば、約５と約１５インチの間などの、約１と約２４インチの間などの、基板支持体２３０の下方の任意の適切な距離に位置決めされてよい。更に、基板支持体２３０は、第１の基板ホルダ・エフェクタロボット２８０ａと第２の基板ホルダ・エフェクタロボット２８０ｂの近傍且つそれらの間に位置決めされる。図２は、垂直な構成を示しているが、基板支持体２３０がファン２１０から下流に位置決めされ、粒子検出器２６０が基板支持体２３０から下流に位置決めされる、水平な構成などの他の構成も、本明細書で考慮される。他の構成は、ファン２１０、基板支持体２３０、粒子検出器２６０、及び排気口２９０の相対的な位置が適切な結果を提供する配置を含む。
フィルタ２２０は、FI２０３内の粒子汚染を防止するための第１のバリアとして作用する。フィルタ２２０は、概して、任意の適切なフィルタ、例えば、FI２０３の中への粒子の下向きの流れを抑制するようにサイズ決定された孔を有するプラスチック材料の多孔性プレートである。フィルタ２２０は、ファン２１０によって下向きに向けられた空気又は他のガスからの粒子の除去を容易にする。
粒子検出器２６０は、約５０nmの小ささから約２５マイクロメートル（μm）の大きさまでの粒子を検出するための遠隔検出器である。粒子検出器２６０の一実施例は、散乱レーザー検出器である。粒子検出器２６０は、概して、FI２０３内の環境から粒子検出器２６０の中に空気を引き込むためのポンプ、サンプル空気を解析するためのセンサ、レーザー、及び散乱レーザーの検出器を含む。粒子検出器２６０は、粒子検出器２６０の中へ空気を導入するための少なくとも１つの粒子検出器チューブ２７０を更に含む。図２は、単一の粒子検出器チューブ２７０を示しているが、粒子検出器２６０は、概して、任意の適切な構成内に配置された任意の適切な数の粒子検出器チューブ２７０を含む。図２で示されている実施例では、粒子検出器チューブが、粒子検出器２６０の上側表面からファン２１０に向けて上向きに延在している。レーザー及び検出器は、粒子検出器チューブ２７０の下流に位置決めされている。概して、空気が、レーザーによって生成されたレーザービームを通過するときに、粒子が、レーザー散乱をもたらす。粒子検出器２６０は、粒子濃度を特定するために散乱レーザー放出物（scattered laser emission）を解析する。更なる実施例では、粒子検出器２６０が、マルチチャネルシステム、例えば、６つのチャネルを含み、各チャネルは、特定のサイズ範囲内の粒子を検出するように構成されている。チャネルの各々の粒子サイズ範囲の一部は、他のチャネルと重なっていてよい。図２の態様は、１つの粒子検出器２６０を含むが、他の態様は、ファクトリインターフェースを通して位置付けられる複数の検出器を含んでよい。更に、粒子検出器２６０は、概して、任意の適切な粒子検出器であることが考慮される。
上述されたように、一実施例として、図２の粒子検出器チューブ２７０は、任意の長さの直線的なチューブである。一態様では、FI２０３を通る空気の流れの方向を整列させるために且つ検出感度を高めるために、そのチューブは曲がっていない。粒子検出器チューブ２７０は、チューブの上端、すなわち、粒子検出器２６０の遠位端における開口、及び／又はFI２０３内のある場所に向けられたチューブの長さに沿った開口を含んでよい。一態様では、ロードロックスリットドア２４０ａ又は２４０ｂのエリアから来る粒子をモニタするために、開口が、ロードロックスリットドア２４０ａ、２４０ｂのうちの一方に向けられている。別の一態様では、フィルタ２２０を通過する粒子などのFI２０３の上端から来る粒子をモニタするために、開口が基板支持体２３０の下方にある。更に別の一態様では、FIドア２５０から来る粒子をモニタするために、開口がFIドア２５０に向けられている。１つの粒子検出器チューブ２７０が示されているが、粒子検出器２６０は、FI２０３内に位置決めされ且つFI２０３に対して開いており、又はそれ以外の方法でFI２０３内の種々の場所に向けられている、複数の粒子検出器チューブ２７０を含んでよい。
図２の実施例で上述されているように、粒子検出器チューブ２７０又は複数の粒子検出器チューブ２７０は、概して、粒子検出器２６０に連結された端と粒子検出のための位置にある開口との間で実質的に直線的である。しかし、FI２０３内の種々の場所に対して開くために、複数の粒子検出器チューブは、それぞれの場所に到達するように様々な曲げ及びターンを含み得る。しかし、開口は、FI２０３を通る空気の移動の方向と整列するように構成された位置にあるままである。検出のためのFI２０３内の種々の場所は、概して、プロセス及びハードウェアを考慮して、FI２０３内の粒子全体の汚染及び動きを最も効果的にキャプチャするために使用され得る（それらの）場所であるように選択される。
図２で示されている実施例では、排気口２９０が、複数の孔２９３を有するバッフルプレート２９１を含む。それらの孔を通って、粒子はガス出口を通ってＦＩ２０３から出るように向けられる。排気口のプレート・孔構成は、欠けた又は壊れた基板などのより大きな汚染をキャプチャして、それらが不必要に排気システムに入ることを防止する一方で、空気がその構成を通って流れることを可能にする。
図３は、処理システム１００などの半導体製造システムのFI内での連続的なインシトゥ粒子検出のプロセスフロー３００である。プロセスフロー３００は、動作３１０で、FIスリットドアを通してFI内に基板を受け入れることによって開始する。動作３２０では、ロードロックスリットドアを通して、半導体製造システム内でFIから移送チャンバ又はプロセスチャンバに基板が移動される。次に、動作３３０では、ロードロックスリットドアを通して、移送チャンバ又はプロセスチャンバからFI内の基板支持体に基板が移動される。より具体的には、基板の処理後の冷却のために、移送チャンバ又はプロセスチャンバからFIの中へ基板が戻されるように移動される。しばしば、処理後の冷却のために、基板は、FI内の基板支持体上で最も長い時間を費やす。動作３４０で示されているように、FI内の粒子濃度は、基板移動動作中に連続的にモニタされる。連続的に粒子をモニタリングすることによって、初めから存在する又はスリットドアを開くことにより入って来た粒子、又はロボットが基板を掴んでいるときにロボット上に持ち込まれた粒子の検出が可能になる。したがって、冷却中にファンによって基板から吹き飛ばされた粒子をモニタリングすることに加えて、本開示は、基板が存在しない状態で生じる他の時点での粒子のモニタリングのためのシステム及び方法を提供する。
動作中、FI内の粒子濃度を連続的にモニタリングすることは、ファン２１０を介して空気を排気口２９０に向けて層流を生成することによって開始する。図２の垂直な構成で示されているように、ファン２１０は、空気を下向きに排気口２９０に向けて、つまり、その空気を基板支持体２３０及び粒子検出器２６０上に向ける。他の構成では、ファン２１０が、水平な方向において、空気を基板支持体２３０及び粒子検出器２６０上に向けてよい。環境空気（例えば、製作施設内の周囲環境から受け取られた空気）は、先ず、フィルタ２２０を通るように向けられて、フィルタ２２０の下方のFIの中へ入る前に、空気の流れから任意の粒子を除去する。基板が基板支持体２３０上に位置決めされたときに、基板の表面上の粒子は、空気の流れに取り込まれ、基板表面から離れることになる。その後、空気の流れ及び取り込まれた粒子は、空気の流れが排気口２９０に向けられる際に、粒子検出器２６０上に向けられる。空気の流れは、チューブ２７０によって受け取られ、粒子検出器２６０によって解析される。
図４は、FI内の粒子検出器によって検出された粒子濃度の経時的なグラフ４００を示しているスライドである。ｙ軸は粒子の数又は濃度に対応し、ｘ軸は時間に対応する。それによって、グラフ４００は、FI内の経時的な粒子濃度を示している。データライン４０２は、図２の粒子検出器２６０などの粒子検出器によって検出された粒子濃度を示している。第１の期間４０４にわたり、データライン４０２は、直線的であり、FI２０３内に粒子濃度がほとんど存在しないことを示している。言い換えると、データライン４０２は、第１の期間４０４にわたり、FI２０３がほとんど粒子の汚染なしに動作していることを示している。第２の期間４０６にわたり、粒子濃度は、データライン４０２のピークによって示されているように増加している。FI２０３内の粒子濃度は、低減されたファン速度、圧力差、FIドアを開いたこと、又は欠陥シールを含む、多くのイベントの結果であり得るが、それらに限定されるものではない。
図４で示されているデータなどの、粒子検出器２６０によって収集されたデータは、システムモニタリングサーバに供給され、ファン速度センサ及び圧力センサなどのファクトリインターフェース内の他のセンサによって収集された他のデータと組み合されて、粒子汚染の源を特定することができる。例えば、粒子検出器２６０からのデータが、ある期間にわたり粒子濃度が増加したことを示すならば、サーバは、そのデータをファン速度センサなどのセンサから収集されたデータと比較して、ファン速度が同じ期間に低減されて粒子汚染の増加をもたらしたか否かを判断する。その後、組み合されたデータは、粒子汚染の根本原因を素早く特定し、半導体処理システムの効率的なトラブルシューティングのための時間を短くするために使用され得る。
更に、連続的に収集された粒子検出データは、図５で示されているような粒子検出システム５００の中へ統合され、機器オペレータへ粒子汚染の警報を提供するために使用され得る。粒子検出システム５００は、FI２０３内に粒子検出器２６０を含む。粒子検出器２６０は、電源５１０及びサーバ５２０に接続されている。サーバ５２０は、概して、通信のためにネットワーク５３０に、例えば、機器オペレータに接続されている。FI２０３の内部で粒子濃度が高過ぎるときに、素早いトラブルシューティングを可能にする助けとなるように、他のFI検出器も粒子検出システム５００に接続され得る。例えば、一態様では、１以上の更なる検出器が、FI２０３内に位置決めされ、粒子検出システム５００に接続されてよい。別の一態様では、１以上の更なる検出器が、第２のFI内に位置決めされ、粒子検出システム５００に接続されてよい。更に、更なる態様では、粒子検出システム５００が、FI２０３内の粒子濃度が所定の閾値を超えたときに、ネットワーク５３０を通じて警告メッセージを送信するように構成されている。警告メッセージは、粒子濃度又はその根底課題の重大度を示してよい。種々の警報及び／又は警告メッセージは、粒子汚染の重大度に応じて利用され得ることが考慮される。
説明された連続的なインシトゥ粒子検出のためのシステム及び方法の利点は、粒子検出中のシステムのダウンタイム（休止時間）を低減させるか又は消去すること、及び、FIに対する粒子汚染の源を特定するために、他のセンサデータと組み合された粒子検出器によって収集されたデータによってトラブルシューティング効率を高めることを含むが、それらに限定されるものではない。更に、本明細書で説明されるシステム及び方法は、プロセスの歩留まりを高めること及び基板のスクラップ率を低減させることをもたらす。
前述の説明はFI内に粒子検出器を位置決めすることを考慮していたが、粒子検出器は、非限定的に、ロードロックチャンバ又はバッファチャンバを含む、他のシステム構成要素の中にも組み込まれ得る。
以上の説明は本開示の態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱しなければ、本開示の他の態様及び更なる態様が考案されてよく、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決まる。

Claims (21)

  1. ファクトリインターフェースであって、
    空気の流れ方向に空気を向けるように構成されたファン、
    前記ファンから前記空気の流れ方向で下流に位置決めされた基板支持体、
    前記ファクトリインターフェースの内面に連結され且つ前記基板支持体から前記空気の流れ方向で下流に位置決めされた粒子検出器、
    前記粒子検出器に連結され且つ前記ファクトリインターフェース内の場所に対して開いていて、前記空気の流れ方向と整列されたまっすぐなチューブである粒子検出器チューブ、及び
    前記粒子検出器から前記空気の流れ方向で下流に位置決めされた排気口を備える、ファクトリインターフェース。
  2. １以上のロードロックスリットドアを更に備え、前記粒子検出器が、前記１以上のロードロックスリットドアから下流に位置決めされている、請求項１に記載のファクトリインターフェース。
  3. 第１の基板ホルダ・エフェクタロボット及び第２の基板ホルダ・エフェクタロボットを更に備え、前記粒子検出器が、前記第１の基板ホルダ・エフェクタロボット及び前記第２の基板ホルダ・エフェクタロボット近傍に、且つ、前記第１の基板ホルダ・エフェクタロボットと前記第２の基板ホルダ・エフェクタロボットとの間に位置決めされている、請求項１に記載のファクトリインターフェース。
  4. 複数の粒子検出器チューブを更に備え、前記複数の粒子検出器チューブの各々が、前記ファクトリインターフェース内の種々の場所の粒子検出のために、それぞれの前記種々の場所に対して開いている、請求項１に記載のファクトリインターフェース。
  5. 前記粒子検出器チューブが、前記粒子検出器チューブの軸方向長さに沿って開口を含む、請求項１に記載のファクトリインターフェース。
  6. 前記粒子検出器チューブの端の開口が前記基板支持体の下方の位置に配置されている、請求項５に記載のファクトリインターフェース。
  7. １以上のロードロックドアを更に備え、前記開口が、前記１以上のロードロックドアに隣接した位置に配置されている、請求項６に記載のファクトリインターフェース。
  8. 前記ファクトリインターフェースの１以上の壁を通るファクトリインターフェースドアを更に備え、前記開口が、前記ファクトリインターフェースドアに隣接した位置に配置されている、請求項６に記載のファクトリインターフェース。
  9. 前記粒子検出器が、前記ファンと前記排気口との間の前記空気の粒子濃度を検出するように構成されている、請求項１に記載のファクトリインターフェース。
  10. ファクトリインターフェース内でファン及び基板支持体から空気の流れ方向で下流に位置決めされた粒子検出器であって、前記ファンが前記空気の流れ方向に空気を向けるように構成され、前記基板支持体が前記ファンから前記空気の流れ方向で下流に位置決めされ、前記粒子検出器が、前記ファクトリインターフェース内の１以上の場所の粒子検出のために、前記１以上の場所に対して開いていて、前記空気の流れ方向と整列されたまっすぐなチューブである、１以上の粒子検出器チューブを含む、前記粒子検出器、
    前記粒子検出器に接続されたサーバであって、前記ファクトリインターフェース内に位置決めされた１以上のセンサに接続され且つ前記ファクトリインターフェース内の前記粒子検出器及び前記１以上のセンサから粒子濃度データを収集するように構成されたサーバ、並びに
    前記サーバに接続されたネットワークであって、粒子濃度データ及び前記１以上のセンサからのデータを１以上の機器オペレータに通信するように構成されたネットワークを備える、粒子検出システム。
  11. 第２のファクトリインターフェース内で第２の基板支持体から下流に位置決めされた第２の粒子検出器を更に備え、前記サーバが、前記第２の粒子検出器に接続されている、請求項１０に記載の粒子検出システム。
  12. 半導体製造システム内でのインシトゥ粒子検出のための方法であって、
    ファクトリインターフェーススリットドアを通してファクトリインターフェース内に基板を受け入れること、
    ロードロックスリットドアを通して前記ファクトリインターフェースから移送チャンバ又はプロセスチャンバに前記基板を移動させること、
    前記ロードロックスリットドアを通して前記移送チャンバ又は前記プロセスチャンバから前記ファクトリインターフェース内の基板支持体に前記基板を移動させること、並びに
    前記ロードロックスリットドアを通して前記ファクトリインターフェースから前記移送チャンバ又は前記プロセスチャンバに、及び、前記ロードロックスリットドアを通して前記移送チャンバ又は前記プロセスチャンバから前記ファクトリインターフェース内の前記基板支持体に前記基板を移動させる間に、前記ファクトリインターフェース内の粒子濃度を連続的にモニタリングすることを含む方法であって、前記粒子濃度を連続的にモニタリングすることが、
    前記基板支持体の上方のファンによって空気の流れ方向に空気を向けることであって、前記基板支持体が前記ファンから前記空気の流れ方向で下流に位置決めされていて、粒子検出器が前記基板支持体から前記空気の流れ方向で下流に位置決めされており、粒子検出器チューブが前記粒子検出器に連結されて前記ファクトリインターフェース内の場所に対して開いていて、前記粒子検出器チューブが前記空気の流れ方向と整列されたまっすぐなチューブである、前記基板支持体の上方のファンによって空気の流れ方向に空気を向けることと、
    前記粒子検出器を使用して前記空気中の粒子濃度を検出することとを含む、方法。
  13. 前記粒子検出器から粒子濃度データを収集すること、及び
    前記収集された粒子濃度データを、前記粒子濃度の重大度を示す警告メッセージの形態で機器オペレータに通信することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記粒子検出器チューブが、前記粒子検出器の上側表面から前記ファンに向けて上向きに延在している、請求項１に記載のファクトリインターフェース。
  15. 前記内面が前記ファクトリインターフェースの壁の面である、請求項１に記載のファクトリインターフェース。
  16. 前記粒子検出器が前記ファクトリインターフェースの壁の内面に連結された、請求項１０に記載の粒子検出システム。
  17. 前記粒子検出器が前記ファクトリインターフェースの壁の内面に連結された、請求項１２に記載の方法。
  18. 前記空気が前記ファンによって前記空気の流れ方向に向けられて層流を生成する、請求項１７に記載の方法。
  19. ファクトリインターフェースであって、
    空気の流れ方向に空気を向けるためのファンと、
    前記ファンから前記空気の流れ方向で下流に位置決めされた基板支持体と、
    前記ファクトリインターフェースの内面に連結され前記基板支持体から前記空気の流れ方向で下流に位置決めされた粒子検出器と、
    前記粒子検出器に連結されて前記ファクトリインターフェース内の場所に対して開いていて、前記空気の流れ方向と整列されたまっすぐなチューブであり、前記粒子検出器の上側表面から前記ファンに向けて上向きに延在している、粒子検出器チューブと、
    前記粒子検出器から前記空気の流れ方向で下流に位置決めされた排気口とを含む、ファクトリインターフェース。
  20. 粒子検出器が前記基板支持体から、約２．５４センチメートル（約１インチ）と約６０．９６センチメートル（約２４インチ）の間の距離に配置された、請求項１９に記載のファクトリインターフェース。
  21. 前記粒子検出器チューブが１以上の曲げを含む、請求項１９に記載のファクトリインターフェース。
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