JP6861084B2 - Substrate processing method, substrate processing equipment and recording medium - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a recording medium.

特許文献１には、基板の回転中に、回転軸と基板の周縁との間で吐出ノズルを移動させながら、塗布液を吐出ノズルから吐出することにより、基板の表面において塗布液をスパイラル状に塗布する液塗布方法が開示されている。 According to Patent Document 1, the coating liquid is spirally formed on the surface of the substrate by discharging the coating liquid from the discharge nozzle while moving the discharge nozzle between the rotating shaft and the peripheral edge of the substrate during the rotation of the substrate. A liquid coating method for coating is disclosed.

特開２０１６−１０７９６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-10996

本開示は、塗布膜の膜厚の均一性向上に有効な基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供することを目的とする。 An object of the present disclosure is to provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recording medium effective for improving the uniformity of the film thickness of a coating film.

本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板に処理液を吐出するノズルと、ノズル側に処理液を圧送する圧送部と、圧送部側からノズル側に並ぶ第一バルブ及び第二バルブを有し、圧送部からノズルに処理液を導く送液管路と、コントローラとを備え、コントローラは、第二バルブが閉じ、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことと、第一バルブが開くことで低下した第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるように圧送部を制御することと、第一バルブが開くことで第一バルブと第二バルブとの間の圧力が低下した後に第二バルブを開くことと、を実行するように構成されている。 The substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a nozzle that discharges the processing liquid to the substrate, a pressure feeding unit that pumps the processing liquid to the nozzle side, and a first valve and a second valve that are lined up from the pressure feeding unit side to the nozzle side. It has a liquid feed pipeline that guides the processing liquid from the pressure feed unit to the nozzle, and a controller. The controller has the second valve closed and the first valve compared to the pressure between the pressure feed unit and the first valve. The pressure feed unit opens the first valve when the pressure between the valve and the second valve is high, and increases the pressure between the first valve and the second valve, which has decreased due to the opening of the first valve. It is configured to control and open the second valve after the pressure between the first valve and the second valve drops due to the opening of the first valve.

この基板処理装置によれば、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブが開かれるので、第一バルブから圧送部側に処理液の逆流が生じて第一バルブと第二バルブとの間の圧力が低下する。圧送部が第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させる際には、上記処理液の逆流によって、第一バルブと第二バルブとの間への処理液の急な流入が抑制される。このため、第一バルブと第二バルブとの間の圧力の急上昇が抑制される。これにより、第二バルブを開く際において、処理液の吐出量のオーバーシュートが抑制される。従って、上記オーバーシュートに起因する処理液の膜厚の乱れを抑制できるので、膜厚の均一性向上に有効である。 According to this substrate processing device, the first valve is opened when the pressure between the first valve and the second valve is higher than the pressure between the pumping unit and the first valve. A backflow of the processing liquid occurs from the valve to the pressure feeding part side, and the pressure between the first valve and the second valve decreases. When the pumping unit raises the pressure between the first valve and the second valve, the backflow of the treatment liquid suppresses the sudden inflow of the treatment liquid between the first valve and the second valve. To. Therefore, a sudden rise in pressure between the first valve and the second valve is suppressed. As a result, when the second valve is opened, overshoot of the discharge amount of the processing liquid is suppressed. Therefore, it is possible to suppress the disturbance of the film thickness of the treatment liquid due to the overshoot, which is effective in improving the uniformity of the film thickness.

コントローラは、第一バルブと第二バルブとが閉じた状態にて、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、ノズルからの処理液の吐出を開始する度に、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことを容易に実行できる。 The controller should reduce the pressure between the pumping section and the first valve compared to the pressure between the first valve and the second valve when the first valve and the second valve are closed. It may be configured to further control the pumping unit. In this case, each time the discharge of the processing liquid from the nozzle is started, the pressure between the first valve and the second valve is higher than the pressure between the pumping unit and the first valve. It is easy to open the valve.

圧送部は、処理液を収容するタンクと、タンク内の処理液をノズル側に加圧する加圧部と、タンク内の圧力を解放するための第三バルブとを有し、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することは、第三バルブを開くことを含んでもよい。この場合、第三バルブを開くことにより、圧送部と第一バルブとの間の圧力を迅速に低下させることができる。これにより、圧力の調整に要する時間を短縮し、スループットを向上させることができる。 The pressure feeding unit has a tank for accommodating the processing liquid, a pressure unit for pressurizing the processing liquid in the tank to the nozzle side, and a third valve for releasing the pressure in the tank, and the first valve and the first valve. Controlling the pumping section to lower the pressure between the pumping section and the first valve relative to the pressure between the two valves may include opening the third valve. In this case, by opening the third valve, the pressure between the pumping unit and the first valve can be quickly reduced. As a result, the time required for adjusting the pressure can be shortened and the throughput can be improved.

第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することは、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを含んでもよく、コントローラは、第二バルブが閉じ、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことを、圧送部と第一バルブとの間の圧力が第一圧力となっている状態で実行してもよい。この場合、第一バルブを開く際における圧力を安定させることにより、第一バルブを開いた後、第二バルブを開くまでの処理液の圧力推移の再現性を高めることができる。従って、膜厚の均一性向上に対する有効性を安定して活かすことができる。 Controlling the pumping section so that the pressure between the pumping section and the first valve is lower than the pressure between the first valve and the second valve is between the first valve and the second valve. The controller may include controlling the pressurizing section to pressurize the treatment liquid in the tank with a first pressure lower than the pressure of the second valve, and the pressure feed section and the first valve are closed. Opening the first valve when the pressure between the first valve and the second valve is higher than the pressure between them, the pressure between the pumping part and the first valve becomes the first pressure. You may execute it while you are there. In this case, by stabilizing the pressure at the time of opening the first valve, it is possible to improve the reproducibility of the pressure transition of the processing liquid from the opening of the first valve to the opening of the second valve. Therefore, the effectiveness for improving the uniformity of the film thickness can be stably utilized.

第一バルブが開くことで低下した第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるように圧送部を制御することは、第二バルブが開く前において処理液に作用する圧力に比較して、第二バルブが開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部を制御することを含んでもよい。この場合、第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるタイミングを加圧部により調整することで、第一バルブと第二バルブとの間における圧力の急上昇をより確実に抑制できる。 Controlling the pumping section to increase the pressure between the first valve and the second valve, which was reduced by the opening of the first valve, is compared to the pressure acting on the treatment liquid before the second valve is opened. Therefore, it may include controlling the pressurizing portion so that the pressure acting on the processing liquid becomes high after the second valve is opened. In this case, by adjusting the timing of increasing the pressure between the first valve and the second valve by the pressurizing unit, it is possible to more reliably suppress the sudden increase in pressure between the first valve and the second valve.

コントローラは、第一バルブが開き、第二バルブが閉じた状態にて、第一圧力に比較して高い第二圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することと、第一バルブと第二バルブとの間の圧力が第二圧力となった状態で第一バルブを閉じることと、を更に実行するように構成され、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを、第一バルブと第二バルブとの間の圧力が第二圧力となっている状態で実行してもよい。この場合、第一バルブを開く際における圧力を、圧送部と第一バルブとの間、及び第一バルブと第二バルブとの間の両方で安定させることにより、第一バルブを開いた後、第二バルブを開くまでの処理液の圧力推移の再現性を更に高めることができる。 The controller controls the pressurizing unit so as to pressurize the processing liquid in the tank at a second pressure higher than the first pressure when the first valve is open and the second valve is closed. Closing the first valve with the pressure between the first valve and the second valve at the second pressure is further performed, and the pressure between the first valve and the second valve. Controlling the pressurizing part so as to pressurize the processing liquid in the tank with a lower first pressure than in the state where the pressure between the first valve and the second valve is the second pressure. You may do it. In this case, after opening the first valve, the pressure at the time of opening the first valve is stabilized both between the pumping part and the first valve and between the first valve and the second valve. The reproducibility of the pressure transition of the processing liquid until the second valve is opened can be further improved.

コントローラは、第一バルブ及び第二バルブが開いた状態にて、第三圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを更に実行するように構成されていてもよく、第二圧力は第三圧力に比較して低くてもよい。この場合、第一バルブを開く際における圧力の急変を抑制することで、第一バルブを開いた後、第二バルブを開くまでの処理液の圧力推移の再現性を更に高めることができる。 The controller may be configured to further control the pressurizing section to pressurize the treatment liquid in the tank with a third pressure while the first and second valves are open. , The second pressure may be lower than the third pressure. In this case, by suppressing a sudden change in pressure when the first valve is opened, the reproducibility of the pressure transition of the processing liquid from the opening of the first valve to the opening of the second valve can be further improved.

圧送部は、加圧部による圧力を遮断するための第四バルブを更に有し、第三バルブを開くことは、第三バルブが閉じて第四バルブが開いた状態を、第四バルブが閉じて第三バルブが開いた状態に切り替えることを含んでもよい。この場合、加圧部によるタンク内の加圧を遮断した状態でタンク内の圧力を解放することで、圧送部と第一バルブとの間の圧力をより迅速に低下させることができる。 The pumping section further has a fourth valve for shutting off the pressure generated by the pressurizing section, and opening the third valve means that the third valve is closed and the fourth valve is open, and the fourth valve is closed. It may include switching to the open state of the third valve. In this case, the pressure in the tank can be reduced more quickly by releasing the pressure in the tank while the pressurization in the tank by the pressurizing unit is cut off.

圧送部は、それぞれがタンク、第三バルブ及び第四バルブを有する複数の圧送系統を有し、送液管路は、複数の圧送系統にそれぞれ対応する複数の第一バルブを有し、コントローラは、複数の圧送系統のうち、ノズルに処理液を供給する圧送系統を第一バルブ及び第四バルブにより切り替えることを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、第一バルブ及び第四バルブを、アクティブ状態の圧送系統の切り替えと、処理液の吐出開始時における圧力の調整とに兼用することで、装置構成の簡素化を図ることができる。 The pumping section has a plurality of pumping systems, each having a tank, a third valve and a fourth valve, the liquid feed pipeline has a plurality of first valves corresponding to the plurality of pumping systems, and the controller has a controller. , Of the plurality of pumping systems, the pumping system that supplies the processing liquid to the nozzle may be further switched by the first valve and the fourth valve. In this case, the apparatus configuration can be simplified by using the first valve and the fourth valve for both switching the pressure feeding system in the active state and adjusting the pressure at the start of discharging the processing liquid.

基板処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持機構と、ノズルを移動させるノズル移動機構とを更に備え、コントローラは、基板を回転させながらノズルを移動させることで、ノズルから吐出された処理液が基板にらせん状に塗布されるように回転保持機構及びノズル移動機構を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、処理液を基板にらせん状に塗布する方式（以下、「スパイラル塗布方式」という。）で液膜を形成することが実行される。スパイラル塗布方式においては、基板の回転中心に供給した処理液を遠心力により外周側に塗り広げる方式で液膜を形成する場合に比較して、処理液の供給量の乱れが膜厚の均一性に影響し易い。このため、コントローラがスパイラル塗布方式の制御を実行する場合、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。 The substrate processing device further includes a rotation holding mechanism for holding and rotating the substrate and a nozzle moving mechanism for moving the nozzles, and the controller moves the nozzles while rotating the substrate to process the nozzles. It may be configured to further control the rotation holding mechanism and the nozzle moving mechanism so that the liquid is spirally applied to the substrate. In this case, the liquid film is formed by a method of spirally applying the treatment liquid to the substrate (hereinafter, referred to as “spiral coating method”). In the spiral coating method, the turbulence in the supply amount of the treatment liquid is more uniform in the film thickness than in the case where the treatment liquid supplied to the center of rotation of the substrate is spread on the outer peripheral side by centrifugal force. Is easy to affect. Therefore, when the controller executes the control of the spiral coating method, it is more beneficial to be able to suppress the overshoot of the discharge amount of the processing liquid.

ノズルから吐出された処理液がらせん状に塗布されるように回転保持機構及びノズル移動機構を制御することは、処理液の吐出を開始したノズルを基板の回転中心から外周側に移動させるようにノズル移動機構を制御することを含んでもよい。 Controlling the rotation holding mechanism and the nozzle movement mechanism so that the treatment liquid discharged from the nozzle is spirally applied is to move the nozzle that has started discharging the treatment liquid from the rotation center of the substrate to the outer peripheral side. It may include controlling the nozzle movement mechanism.

ノズルを基板の回転中心側から外周側に移動させる場合には、ノズルからの吐出開始時における処理液が基板の回転中心に塗布されることになる。このため、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。 When the nozzle is moved from the rotation center side of the substrate to the outer peripheral side, the processing liquid at the start of ejection from the nozzle is applied to the rotation center of the substrate. Therefore, it is more beneficial to be able to suppress the overshoot of the discharge amount of the treatment liquid.

なお、スパイラル方式で処理液を塗布する場合には、膜厚の均一性を向上させるために、基板を基準としたノズルの移動速度を一定にするのが望ましい。そのためには、基板の回転中心に処理液を供給する際に比較して、基板の外周側に処理液を供給する際の基板の回転速度を高くする必要がある。このような制御を前提とする場合、処理液をらせん状に塗布するためにノズルを基板の外周側から回転中心側に移動させると、基板の外周側に供給された処理液に作用する遠心力は、ノズルが基板の回転中心に近付くにつれて大きくなる。このため、既に塗布した処理液の流動が生じ易くなる。これに対し、ノズルを基板の回転中心側から外周側に移動させると、基板の回転中心側に供給された処理液に作用する遠心力は、ノズルが基板の外周側に移動するにつれて小さくなる。このため、既に塗布した処理液の流動が生じ難くなる。このような観点でも、ノズルを基板の回転中心側から外周側に移動させることは膜厚の均一性向上に有効である。 When the treatment liquid is applied by the spiral method, it is desirable to keep the moving speed of the nozzles with respect to the substrate constant in order to improve the uniformity of the film thickness. For that purpose, it is necessary to increase the rotation speed of the substrate when the treatment liquid is supplied to the outer peripheral side of the substrate as compared with the case where the treatment liquid is supplied to the rotation center of the substrate. On the premise of such control, when the nozzle is moved from the outer peripheral side of the substrate to the rotation center side in order to apply the treatment liquid in a spiral shape, the centrifugal force acting on the treatment liquid supplied to the outer peripheral side of the substrate is applied. Increases as the nozzle approaches the center of rotation of the substrate. Therefore, the already applied treatment liquid tends to flow. On the other hand, when the nozzle is moved from the rotation center side of the substrate to the outer peripheral side, the centrifugal force acting on the processing liquid supplied to the rotation center side of the substrate becomes smaller as the nozzle moves to the outer peripheral side of the substrate. Therefore, it becomes difficult for the already applied treatment liquid to flow. From this point of view, moving the nozzle from the rotation center side to the outer peripheral side of the substrate is effective in improving the uniformity of the film thickness.

基板処理装置は、ノズルから吐出された処理液が基板に到達したことを検出する接液検出機構を更に備え、ノズルから吐出された処理液がらせん状に塗布されるように回転保持機構及びノズル移動機構を制御することは、接液検出機構により処理液の到達が検出された後に、ノズルの移動を開始するようにノズル移動機構を制御することを含んでもよい。この場合、処理液が基板に到達する前にノズルが移動してしまうこと、又は処理液が基板に到達した後にノズルの移動が遅れることに起因して、基板の回転中心近傍における膜厚の乱れが生じることが抑制される。従って、膜厚の均一性を更に向上させることができる。 The substrate processing apparatus further includes a wetted contact detection mechanism for detecting that the processing liquid discharged from the nozzle has reached the substrate, and a rotation holding mechanism and a nozzle so that the processing liquid discharged from the nozzle is spirally applied. Controlling the movement mechanism may include controlling the nozzle movement mechanism to start the movement of the nozzle after the arrival of the treatment liquid is detected by the liquid contact detection mechanism. In this case, the film thickness is disturbed near the center of rotation of the substrate due to the nozzle moving before the treatment liquid reaches the substrate or the nozzle movement being delayed after the treatment liquid reaches the substrate. Is suppressed. Therefore, the uniformity of the film thickness can be further improved.

圧送部は、粘度が５００〜７０００ｃＰの処理液を圧送するように構成されていてもよい。粘度が５００〜７０００ｃＰの処理液を用いる場合、これよりも粘度の低い処理液を用いる場合に比較して、ノズルからの処理液の吐出量に制御上の応答遅れが生じ易いので、吐出量が不安定になり易い。このため、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。 The pumping unit may be configured to pump a treatment liquid having a viscosity of 500 to 7000 cP. When a treatment liquid having a viscosity of 500 to 7000 cP is used, a control response delay is likely to occur in the discharge amount of the treatment liquid from the nozzle as compared with the case where a treatment liquid having a lower viscosity is used. It tends to be unstable. Therefore, it is more beneficial to be able to suppress the overshoot of the discharge amount of the treatment liquid.

本開示の一側面に係る基板処理方法は、基板に処理液を吐出するノズルと、ノズル側に処理液を圧送する圧送部と、圧送部側からノズル側に並ぶ第一バルブ及び第二バルブを有し、圧送部からノズルに処理液を導く送液管路とを備える基板処理装置を用い、第二バルブが閉じ、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことと、第一バルブが開くことで低下した第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるように圧送部を制御することと、第一バルブが開くことで第一バルブと第二バルブとの間の圧力が低下した後に第二バルブを開くことと、を含んでもよい。 The substrate processing method according to one aspect of the present disclosure includes a nozzle that discharges the processing liquid to the substrate, a pressure feeding unit that pumps the processing liquid to the nozzle side, and a first valve and a second valve that are lined up from the pressure feeding unit side to the nozzle side. Using a substrate processing device that has a liquid feeding line that guides the processing liquid from the pressure feeding part to the nozzle, the second valve is closed, and the pressure between the pressure feeding part and the first valve is compared with that of the first valve. Opening the first valve when the pressure between the second valve is high, and increasing the pressure between the first valve and the second valve, which has decreased due to the opening of the first valve, It may include controlling and opening the second valve after the pressure between the first valve and the second valve has dropped due to the opening of the first valve.

第一バルブと第二バルブとが閉じた状態にて、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することを更に含んでもよい。 With the first valve and the second valve closed, the pressure feeding part is set so that the pressure between the pumping part and the first valve is lower than the pressure between the first valve and the second valve. It may further include controlling.

圧送部は、処理液を収容するタンクと、タンク内の処理液をノズル側に加圧する加圧部と、タンク内の圧力を解放するための第三バルブとを有し、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することは、第三バルブを開くことを含んでもよい。 The pressure feeding unit has a tank for accommodating the processing liquid, a pressure unit for pressurizing the processing liquid in the tank to the nozzle side, and a third valve for releasing the pressure in the tank, and the first valve and the first valve. Controlling the pumping section to lower the pressure between the pumping section and the first valve relative to the pressure between the two valves may include opening the third valve.

第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して圧送部と第一バルブとの間の圧力を低くするように圧送部を制御することは、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを含んでもよく、第二バルブが閉じ、圧送部と第一バルブとの間の圧力に比較して第一バルブと第二バルブとの間の圧力が高い状態にて第一バルブを開くことを、圧送部と第一バルブとの間の圧力が第一圧力となっている状態で実行してもよい。 Controlling the pumping section so that the pressure between the pumping section and the first valve is lower than the pressure between the first valve and the second valve is between the first valve and the second valve. It may include controlling the pressurizing part to pressurize the treatment liquid in the tank with a first pressure lower than the pressure of the second valve, and the pressure between the pumping part and the first valve is closed. Opening the first valve when the pressure between the first valve and the second valve is higher than that of the first valve, when the pressure between the pumping part and the first valve is the first pressure. You may do it.

第一バルブが開くことで低下した第一バルブと第二バルブとの間の圧力を上昇させるように圧送部を制御することは、第二バルブが開く前において処理液に作用する圧力に比較して、第二バルブが開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部を制御することを含んでもよい。 Controlling the pumping section to increase the pressure between the first valve and the second valve, which was reduced by the opening of the first valve, is compared to the pressure acting on the treatment liquid before the second valve is opened. Therefore, it may include controlling the pressurizing portion so that the pressure acting on the processing liquid becomes high after the second valve is opened.

第一バルブが開き、第二バルブが閉じた状態にて、第一圧力に比較して高い第二圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することと、第一バルブと第二バルブとの間の圧力が第二圧力となった状態で第一バルブを閉じることと、を更に含んでもよく、第一バルブと第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを、第一バルブと第二バルブとの間の圧力が第二圧力となっている状態で実行してもよい。 When the first valve is open and the second valve is closed, the pressurizing part is controlled so as to pressurize the processing liquid in the tank at a second pressure higher than the first pressure, and the first valve. Closing the first valve with the pressure between the first valve and the second valve at the second pressure may further be included, which is lower than the pressure between the first valve and the second valve. Controlling the pressurizing unit so as to pressurize the processing liquid in the tank with one pressure may be performed in a state where the pressure between the first valve and the second valve is the second pressure.

第一バルブ及び第二バルブが開いた状態にて、第三圧力でタンク内の処理液を加圧するように加圧部を制御することを更に含んでもよく、第二圧力は第三圧力に比較して低くてもよい。 It may further include controlling the pressurizing section to pressurize the treatment liquid in the tank with a third pressure while the first and second valves are open, the second pressure being compared to the third pressure. It may be low.

粘度が５００〜７０００ｃＰの処理液を用いてもよい。 A treatment liquid having a viscosity of 500 to 7000 cP may be used.

本開示の一側面に係る記録媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。 The recording medium according to one aspect of the present disclosure is a computer-readable recording medium on which a program for causing the apparatus to execute the substrate processing method is recorded.

本開示によれば、塗布膜の膜厚の均一性向上に有効な基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供することができる。 According to the present disclosure, it is possible to provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recording medium that are effective in improving the uniformity of the film thickness of the coating film.

基板処理システムの斜視図である。It is a perspective view of the substrate processing system. 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the line II-II in FIG. 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the line III-III in FIG. 塗布ユニットの模式図である。It is a schematic diagram of a coating unit. 処理液供給部の模式図である。It is a schematic diagram of the processing liquid supply part. 接液検知機構の模式図である。It is a schematic diagram of the liquid contact detection mechanism. コントローラのハードウェア構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the hardware configuration of a controller. 塗布制御手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the coating control procedure. 基板に処理液を塗布している状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which the processing liquid is applied to a substrate. 処理液の供給開始手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the supply start procedure of a processing liquid. 処理液の供給停止手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of stopping the supply of a processing liquid. コントローラの変形例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the controller. 液供給制御部の変形例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the liquid supply control part. 処理液の供給開始手順の変形例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the modification of the process liquid supply start procedure. 処理液の供給停止手順の変形例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the modification of the procedure of stopping the supply of a processing liquid. 処理液の供給停止手順の変形例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the modification of the procedure of stopping the supply of a processing liquid.

以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the description, the same elements or elements having the same function are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。 [Board processing system]
The substrate processing system 1 is a system that forms a photosensitive film, exposes the photosensitive film, and develops the photosensitive film on the substrate. The substrate to be processed is, for example, a semiconductor wafer W. The photosensitive film is, for example, a resist film.

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。 The substrate processing system 1 includes a coating / developing device 2 and an exposure device 3. The exposure apparatus 3 exposes the resist film formed on the wafer W. Specifically, the exposed portion of the resist film is irradiated with energy rays by a method such as immersion exposure. The coating / developing device 2 performs a process of forming a resist film on the surface of the wafer W before the exposure process by the exposure device 3, and develops the resist film after the exposure process.

（塗布・現像装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。 (Applying / developing equipment)
Hereinafter, the configuration of the coating / developing device 2 will be described as an example of the substrate processing device. As shown in FIGS. 1 to 3, the coating / developing device 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, an interface block 6, and a controller 100.

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。 The carrier block 4 introduces the wafer W into the coating / developing device 2 and derives the wafer W from the coating / developing device 2. For example, the carrier block 4 can support a plurality of carriers 11 for the wafer W, and has a built-in transfer arm A1. The carrier 11 accommodates, for example, a plurality of circular wafers W. The transfer arm A1 takes out the wafer W from the carrier 11 and passes it to the processing block 5, receives the wafer W from the processing block 5, and returns it to the carrier 11.

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。 The processing block 5 has a plurality of processing modules 14, 15, 16, and 17. As shown in FIGS. 2 and 3, the processing modules 14, 15, 16 and 17 include a plurality of liquid processing units U1, a plurality of heat treatment units U2, and a transfer arm A3 for transporting the wafer W to these units. Built-in. The processing module 17 further incorporates a direct transfer arm A6 that transfers the wafer W without passing through the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2. The liquid treatment unit U1 applies the treatment liquid to the surface of the wafer W. The heat treatment unit U2 has, for example, a hot plate and a cooling plate built-in, and heats the wafer W by the hot plate, and cools the heated wafer W by the cooling plate to perform heat treatment.

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。 The processing module 14 forms an underlayer film on the surface of the wafer W by the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2. The liquid treatment unit U1 of the treatment module 14 coats the treatment liquid for forming the underlayer film on the wafer W. The heat treatment unit U2 of the processing module 14 performs various heat treatments accompanying the formation of the underlayer film.

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。 The treatment module 15 forms a resist film on the lower layer film by the liquid treatment unit U1 and the heat treatment unit U2. The liquid treatment unit U1 of the treatment module 15 applies a treatment liquid for forming a resist film on the lower layer film. The heat treatment unit U2 of the processing module 15 performs various heat treatments accompanying the formation of the resist film.

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。 The treatment module 16 forms an upper layer film on the resist film by the liquid treatment unit U1 and the heat treatment unit U2. The liquid treatment unit U1 of the treatment module 16 applies a treatment liquid for forming an upper layer film on the resist film. The heat treatment unit U2 of the processing module 16 performs various heat treatments accompanying the formation of the upper layer film.

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。 The processing module 17 develops the resist film after exposure by the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2. The liquid processing unit U1 of the processing module 17 applies a developing solution on the surface of the exposed wafer W and then rinses it with a rinsing solution to develop a resist film. The heat treatment unit U2 of the processing module 17 performs various heat treatments associated with the development process. Specific examples of the heat treatment include heat treatment before development treatment (PEB: Post Exposure Bake), heat treatment after development treatment (PB: Post Bake), and the like.

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。 A shelf unit U10 is provided on the carrier block 4 side in the processing block 5. The shelf unit U10 is divided into a plurality of cells arranged in the vertical direction. An elevating arm A7 is provided in the vicinity of the shelf unit U10. The elevating arm A7 elevates the wafer W between the cells of the shelf unit U10. A shelf unit U11 is provided on the interface block 6 side in the processing block 5. The shelf unit U11 is divided into a plurality of cells arranged in the vertical direction.

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。 The interface block 6 transfers the wafer W to and from the exposure apparatus 3. For example, the interface block 6 has a built-in transfer arm A8 and is connected to the exposure device 3. The transfer arm A8 passes the wafer W arranged on the shelf unit U11 to the exposure device 3, receives the wafer W from the exposure device 3, and returns the wafer W to the shelf unit U11.

コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。 The controller 100 controls the coating / developing device 2 so as to execute the coating / developing process in the following procedure, for example.

まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。 First, the controller 100 controls the transfer arm A1 so as to convey the wafer W in the carrier 11 to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 so as to arrange the wafer W in the cell for the processing module 14.

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。 Next, the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 14, and forms an underlayer film on the surface of the wafer W. The liquid treatment unit U1 and the heat treatment unit U2 are controlled in this way. After that, the controller 100 controls the transport arm A3 so as to return the wafer W on which the underlayer film is formed to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 so as to arrange the wafer W in the cell for the processing module 15.

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。 Next, the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the liquid processing unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 15, and forms a resist film on the lower film of the wafer W. The liquid treatment unit U1 and the heat treatment unit U2 are controlled so as to do so. After that, the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 so as to arrange the wafer W in the cell for the processing module 16.

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。 Next, the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to each unit in the processing module 16, and the liquid processing unit so as to form an upper layer film on the resist film of the wafer W. Controls U1 and heat treatment unit U2. After that, the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 so as to arrange the wafer W in the cell for the processing module 17.

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。 Next, the controller 100 directly controls the transfer arm A6 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the shelf unit U11, and controls the transfer arm A8 so as to send the wafer W to the exposure apparatus 3. After that, the controller 100 controls the transfer arm A8 so as to receive the exposed wafer W from the exposure apparatus 3 and return it to the shelf unit U11.

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。 Next, the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U11 to each unit in the processing module 17, and the liquid processing unit U1 and the liquid processing unit U1 and the liquid processing unit U1 so as to develop the resist film of the wafer W. The heat treatment unit U2 is controlled. After that, the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 and the transfer arm A1 so as to return the wafer W to the carrier 11. This completes the coating / developing process.

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、被膜形成用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１４，１５，１６の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。 The specific configuration of the substrate processing apparatus is not limited to the configuration of the coating / developing apparatus 2 illustrated above. The substrate processing apparatus may be any as long as it includes a liquid processing unit U1 for film formation (liquid processing units U1 of the processing modules 14, 15 and 16) and a controller 100 capable of controlling the liquid processing unit U1. Good.

（塗布ユニット）
続いて、処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１について詳細に説明する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、塗布ユニット２０を含む。図４に示すように、塗布ユニット２０は、回転保持機構２１と、ノズル２２と、ノズル移動機構２３と、処理液供給部３０とを備える。 (Applying unit)
Subsequently, the liquid processing unit U1 of the processing module 15 will be described in detail. The liquid treatment unit U1 of the treatment module 15 includes a coating unit 20. As shown in FIG. 4, the coating unit 20 includes a rotation holding mechanism 21, a nozzle 22, a nozzle moving mechanism 23, and a processing liquid supply unit 30.

回転保持機構２１は、基板の一例として、半導体のウェハＷを保持して回転させる。回転保持機構２１は、例えば保持部２４と回転駆動部２５とを有する。保持部２４は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。 The rotation holding mechanism 21 holds and rotates the semiconductor wafer W as an example of the substrate. The rotation holding mechanism 21 has, for example, a holding unit 24 and a rotation driving unit 25. The holding portion 24 supports the central portion of the wafer W arranged horizontally with the surface Wa facing up, and holds the wafer W by, for example, vacuum suction.

回転駆動部２５は、例えば電動モータ等を動力源としたアクチュエータであり、鉛直な回転中心ＲＣまわりに保持部２４を回転させる。これにより、回転中心ＲＣまわりにウェハＷが回転する。 The rotation drive unit 25 is an actuator powered by, for example, an electric motor or the like, and rotates the holding unit 24 around a vertical rotation center RC. As a result, the wafer W rotates around the rotation center RC.

ノズル２２は、ウェハＷに処理液を吐出する。処理液は、例えば感光性のレジスト剤を含むレジスト液である。ノズル２２は、ウェハＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。 The nozzle 22 discharges the processing liquid onto the wafer W. The treatment liquid is, for example, a resist liquid containing a photosensitive resist agent. The nozzle 22 is arranged above the wafer W and discharges the processing liquid downward.

ノズル移動機構２３は、ノズル２２を移動させる。例えばノズル移動機構２３は、電動モータ等を動力源とし、回転中心ＲＣを通る水平な直線に沿ってノズル２２を移動させる。 The nozzle moving mechanism 23 moves the nozzle 22. For example, the nozzle moving mechanism 23 uses an electric motor or the like as a power source to move the nozzle 22 along a horizontal straight line passing through the rotation center RC.

処理液供給部３０は、ノズル２２に処理液を供給する。図５に示すように、処理液供給部３０は、圧送部４０と送液管路５０とを有する。圧送部４０は、ノズル２２側に処理液を圧送する。一例として、圧送部４０は、加圧部６０と、複数の圧送系統７０と、液補給部８０とを有する。 The treatment liquid supply unit 30 supplies the treatment liquid to the nozzle 22. As shown in FIG. 5, the processing liquid supply unit 30 has a pressure feeding unit 40 and a liquid feeding pipe line 50. The pumping unit 40 pumps the processing liquid to the nozzle 22 side. As an example, the pressure feeding unit 40 includes a pressurizing unit 60, a plurality of pumping systems 70, and a liquid replenishing unit 80.

加圧部６０は、タンク７１（後述）内の処理液をノズル２２側に加圧する。例えば加圧部６０は、加圧管６２を介して加圧源ＧＳに接続された調圧バルブ６１を有する。加圧源ＧＳは、加圧用の不活性ガス（例えば窒素ガス）を送出する。調圧バルブ６１は、例えば電子バルブであり、加圧源ＧＳからタンク７１（後述）内への不活性ガスの流量を調節することで、タンク７１内の圧力を調節する。 The pressurizing unit 60 pressurizes the processing liquid in the tank 71 (described later) to the nozzle 22 side. For example, the pressurizing unit 60 has a pressure regulating valve 61 connected to the pressurizing source GS via a pressurizing pipe 62. The pressurizing source GS delivers an inert gas for pressurization (eg, nitrogen gas). The pressure adjusting valve 61 is, for example, an electronic valve, and adjusts the pressure in the tank 71 by adjusting the flow rate of the inert gas from the pressurizing source GS into the tank 71 (described later).

複数の圧送系統７０のそれぞれは、タンク７１と、バルブ７４，７５とを有する。タンク７１は、処理液を収容する。なお、タンク７１が収容する処理液の粘度は、例えば５００〜７０００ｃＰであってもよい。すなわち圧送部４０は、粘度が５００〜７０００ｃPの処理液を圧送するように構成されていてもよい。タンク７１の上部は、加圧管７２を介して調圧バルブ６１に接続されている。これにより、加圧部６０を用いてタンク７１内を加圧することが可能となっている。また、タンク７１の上部は、脱気管７３に接続されている。脱気管７３の端部はタンク７１外に開放されている。 Each of the plurality of pumping systems 70 has a tank 71 and valves 74 and 75. The tank 71 contains the treatment liquid. The viscosity of the treatment liquid contained in the tank 71 may be, for example, 500 to 7000 cP. That is, the pumping unit 40 may be configured to pump a treatment liquid having a viscosity of 500 to 7000 cP. The upper part of the tank 71 is connected to the pressure regulating valve 61 via a pressure pipe 72. This makes it possible to pressurize the inside of the tank 71 using the pressurizing unit 60. Further, the upper portion of the tank 71 is connected to the degassing pipe 73. The end of the degassing pipe 73 is open to the outside of the tank 71.

バルブ７４（第三バルブ）は、脱気管７３に設けられている。バルブ７４は例えばエアオペレーションバルブであり、脱気管７３内の流路を開閉する。バルブ７４を開くことにより、タンク７１内の圧力がタンク７１外に解放することが可能である。 The valve 74 (third valve) is provided in the degassing pipe 73. The valve 74 is, for example, an air operation valve, which opens and closes the flow path in the degassing pipe 73. By opening the valve 74, the pressure inside the tank 71 can be released to the outside of the tank 71.

バルブ７５（第四バルブ）は、加圧管７２に設けられている。バルブ７５は例えばエアオペレーションバルブであり、加圧管７２内の流路を開閉する。バルブ７５を閉じることにより、加圧部６０による圧力を遮断することが可能である。 The valve 75 (fourth valve) is provided on the pressurizing pipe 72. The valve 75 is, for example, an air operation valve, which opens and closes the flow path in the pressurizing pipe 72. By closing the valve 75, it is possible to shut off the pressure generated by the pressurizing unit 60.

液補給部８０は、タンク７１に処理液を補給する。液補給部８０は、タンク８１と、調圧バルブ８３と、フィルタ８７と、バルブ８８と、複数のバルブ８９とを有する。タンク８１は、補給用の処理液を収容する。タンク８１の上部は、加圧管８２を介して加圧源ＧＳに接続されている。タンク８１内の処理液は、加圧源ＧＳからの圧力により補給管８４を経てタンク７１に圧送される。補給管８４は、タンク８１内の底部近傍からタンク８１外に延びた第一部分８５と、第一部分８５から分岐して複数の圧送系統７０のタンク７１にそれぞれ接続された複数の第二部分８６とを有する。 The liquid replenishment unit 80 replenishes the tank 71 with the processing liquid. The liquid supply unit 80 includes a tank 81, a pressure regulating valve 83, a filter 87, a valve 88, and a plurality of valves 89. The tank 81 contains a replenishment treatment liquid. The upper part of the tank 81 is connected to the pressurizing source GS via the pressurizing pipe 82. The treatment liquid in the tank 81 is pressure-fed to the tank 71 via the supply pipe 84 by the pressure from the pressurizing source GS. The supply pipe 84 includes a first portion 85 extending from the vicinity of the bottom of the tank 81 to the outside of the tank 81, and a plurality of second portions 86 branched from the first portion 85 and connected to the tanks 71 of the plurality of pumping systems 70, respectively. Has.

調圧バルブ８３は、加圧管８２に設けられ、タンク８１内の圧力を調節する。例えば、調圧バルブ８３は電子バルブであり、加圧源ＧＳからタンク８１内への不活性ガスの流量を調節することで、タンク８１内の圧力を調節する。 The pressure adjusting valve 83 is provided in the pressurizing pipe 82 and adjusts the pressure in the tank 81. For example, the pressure adjusting valve 83 is an electronic valve, and adjusts the pressure in the tank 81 by adjusting the flow rate of the inert gas from the pressurizing source GS into the tank 81.

フィルタ８７は、補給管８４の第一部分８５に設けられており、処理液中のダストを捕集する。 The filter 87 is provided in the first portion 85 of the supply pipe 84 and collects dust in the treatment liquid.

バルブ８８は、第一部分８５においてタンク８１とフィルタ８７との間に設けられている。バルブ８８は例えばエアオペレーションバルブであり、第一部分８５内の流路を開閉する。バルブ８８を閉じることにより、タンク８１からの処理液の送出を遮断することが可能である。 The valve 88 is provided between the tank 81 and the filter 87 in the first portion 85. The valve 88 is, for example, an air operation valve that opens and closes the flow path in the first portion 85. By closing the valve 88, it is possible to block the delivery of the processing liquid from the tank 81.

複数のバルブ８９は、補給管８４の複数の第二部分８６にそれぞれ設けられている。バルブ８９は例えばエアオペレーションバルブであり、第二部分８６内の流路を開閉する。バルブ８９を閉じることにより、タンク７１内への処理液の流れを遮断することが可能である。 The plurality of valves 89 are provided in the plurality of second portions 86 of the supply pipe 84, respectively. The valve 89 is, for example, an air operation valve that opens and closes the flow path in the second portion 86. By closing the valve 89, it is possible to block the flow of the processing liquid into the tank 71.

送液管路５０は、圧送部４０側からノズル２２側に並ぶバルブ５３，５４を有し、圧送部４０からノズル２２に処理液を導く。例えば送液管路５０は、複数の送液管５１と、送液管５２と、複数のバルブ５３と、バルブ５４とを有する。 The liquid feeding pipe line 50 has valves 53 and 54 arranged from the pressure feeding unit 40 side to the nozzle 22 side, and guides the processing liquid from the pressure feeding unit 40 to the nozzle 22. For example, the liquid feed pipe line 50 has a plurality of liquid feed pipes 51, a liquid feed pipe 52, a plurality of valves 53, and a valve 54.

複数の送液管５１は、複数の圧送系統７０のタンク７１からの処理液をそれぞれ導く。複数の送液管５１のそれぞれは、タンク７１の底部近傍からタンク７１外に延びている。複数の送液管５１は、ノズル２２側において合流している。送液管５２は、複数の送液管５１の合流部からノズル２２に処理液を導く。 The plurality of liquid feeding pipes 51 guide the processing liquids from the tanks 71 of the plurality of pumping systems 70, respectively. Each of the plurality of liquid feeding pipes 51 extends from the vicinity of the bottom of the tank 71 to the outside of the tank 71. The plurality of liquid feeding pipes 51 merge on the nozzle 22 side. The liquid feeding pipe 52 guides the processing liquid from the confluence portion of the plurality of liquid feeding pipes 51 to the nozzle 22.

複数のバルブ５３（第一バルブ）は、複数の送液管５１にそれぞれ設けられている。すなわち複数のバルブ５３は、複数の圧送系統７０にそれぞれ対応している。バルブ５３は例えばエアオペレーションバルブであり、送液管５１内の流路を開閉する。バルブ５４（第二バルブ）は、送液管５２に設けられている。バルブ５４は例えばエアオペレーションバルブであり、送液管５２内の流路を開閉する。 The plurality of valves 53 (first valves) are provided in the plurality of liquid feeding pipes 51, respectively. That is, the plurality of valves 53 correspond to the plurality of pumping systems 70, respectively. The valve 53 is, for example, an air operation valve, which opens and closes the flow path in the liquid feed pipe 51. The valve 54 (second valve) is provided in the liquid feeding pipe 52. The valve 54 is, for example, an air operation valve, which opens and closes the flow path in the liquid feeding pipe 52.

図６に示すように、塗布ユニット２０は接液検出機構９０を更に備えてもよい。接液検出機構９０は、ノズル２２から吐出された処理液がウェハＷに到達したことを検出する。接液検出機構９０の具体例としては、図６の（ａ）に示すように、表面Ｗａの表面を撮影するカメラ９１を有し、カメラ９１により取得した画像に基づいて処理液の到達を検出するものが挙げられる。また、図６の（ｂ）に示すように、ウェハＷの裏面の温度を検出するように設けられた温度センサ９２を有し、ウェハＷの温度低下に基づいて処理液の到達を検出するものも挙げられる。 As shown in FIG. 6, the coating unit 20 may further include a liquid contact detection mechanism 90. The liquid contact detection mechanism 90 detects that the processing liquid discharged from the nozzle 22 has reached the wafer W. As a specific example of the liquid contact detection mechanism 90, as shown in FIG. 6A, the camera 91 for photographing the surface of the surface Wa is provided, and the arrival of the processing liquid is detected based on the image acquired by the camera 91. There are things to do. Further, as shown in FIG. 6B, it has a temperature sensor 92 provided to detect the temperature of the back surface of the wafer W, and detects the arrival of the processing liquid based on the temperature drop of the wafer W. Can also be mentioned.

（コントローラ）
塗布ユニット２０は、上述のコントローラ１００により制御される。以下、塗布ユニット２０を制御するためのコントローラ１００の構成を説明する。コントローラ１００は、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことと、バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御することと、バルブ５３が開くことでバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下した後にバルブ５４を開くことと、を実行するように構成されている。 (controller)
The coating unit 20 is controlled by the controller 100 described above. Hereinafter, the configuration of the controller 100 for controlling the coating unit 20 will be described. The controller 100 opens the valve 53 when the valve 54 is closed and the pressure between the valve 53 and the valve 54 is higher than the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53. By controlling the pumping unit 40 so as to increase the pressure between the valve 53 and the valve 54, which has decreased, and after the pressure between the valve 53 and the valve 54 has decreased due to the opening of the valve 53, the valve 54 It is configured to open and run.

コントローラ１００は、バルブ５３，５４が閉じた状態にて、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御することを更に実行するように構成されていてもよく、複数の圧送系統７０のうち、ノズル２２に処理液を供給する圧送系統７０をバルブ５３及びバルブ７５により切り替えることを更に実行するように構成されていてもよく、ウェハＷを回転させながらノズル２２を移動させることで、ノズル２２から吐出された処理液がウェハＷにらせん状に塗布されるように回転保持機構２１及びノズル移動機構２３を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。 The controller 100 controls the pressure feeding unit 40 so that the pressure between the pressure feeding unit 40 and the valve 53 is lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54 when the valves 53 and 54 are closed. It may be configured to further execute the above, and among the plurality of pumping systems 70, the pumping system 70 that supplies the processing liquid to the nozzle 22 is further configured to be switched by the valve 53 and the valve 75. By moving the nozzle 22 while rotating the wafer W, the rotation holding mechanism 21 and the nozzle moving mechanism 23 are arranged so that the processing liquid discharged from the nozzle 22 is spirally applied to the wafer W. It may be configured to perform further control.

図４に例示するように、コントローラ１００は、機能上のモジュール（以下、「機能モジュール」という。）として、液供給制御部１１１と、回転制御部１１２と、ノズル移動制御部１１３とを有する。 As illustrated in FIG. 4, the controller 100 has a liquid supply control unit 111, a rotation control unit 112, and a nozzle movement control unit 113 as functional modules (hereinafter, referred to as “functional modules”).

液供給制御部１１１は、ノズル２２に処理液を供給するように処理液供給部３０を制御する。図５に例示するように、液供給制御部１１１は、機能モジュールとして、吐出制御部１１５と、加圧制御部１１６と、降圧制御部１１７と、系統切替制御部１１８とを有する。 The liquid supply control unit 111 controls the processing liquid supply unit 30 so as to supply the processing liquid to the nozzle 22. As illustrated in FIG. 5, the liquid supply control unit 111 includes a discharge control unit 115, a pressurization control unit 116, a step-down control unit 117, and a system switching control unit 118 as functional modules.

吐出制御部１１５は、ノズル２２からの処理液の吐出状態を切り替えるようにバルブ５３及びバルブ５４を開閉させる。例えば吐出制御部１１５は、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことと、バルブ５３が開くことでバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下した後にバルブ５４を開くことと、を実行する。 The discharge control unit 115 opens and closes the valve 53 and the valve 54 so as to switch the discharge state of the processing liquid from the nozzle 22. For example, the discharge control unit 115 opens the valve 53 when the valve 54 is closed and the pressure between the valve 53 and the valve 54 is higher than the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53. Opening the valve 54 after the pressure between the valve 53 and the valve 54 is reduced by opening the 53 is executed.

加圧制御部１１６は、タンク７１内の加圧状態を調節するように圧送部４０を制御する。例えば加圧制御部１１６は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御する。より具体的に、加圧制御部１１６は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御する。また、加圧制御部１１６は、バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御する。より具体的に、加圧制御部１１６は、バルブ５４が開く前において処理液に作用する圧力に比較して、バルブ５４が開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部６０を制御する。 The pressurization control unit 116 controls the pumping unit 40 so as to adjust the pressurization state in the tank 71. For example, the pressure feeding unit 116 controls the pressure feeding unit 40 so that the pressure between the pressure feeding unit 40 and the valve 53 is lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54. More specifically, the pressurizing control unit 116 controls the pressurizing unit 60 so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 at a pressure lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54. Further, the pressurization control unit 116 controls the pressure feeding unit 40 so as to increase the pressure between the valve 53 and the valve 54, which is lowered by opening the valve 53. More specifically, the pressurizing control unit 116 presses the pressure unit 116 so that the pressure acting on the processing liquid after the valve 54 opens is higher than the pressure acting on the processing liquid before the valve 54 opens. 60 is controlled.

降圧制御部１１７は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするようにバルブ７４，７５を開閉する。例えば降圧制御部１１７は、タンク７１内の圧力を低下させるようにバルブ７４を開く。より具体的に降圧制御部１１７は、バルブ７４が閉じてバルブ７５が開いた状態を、バルブ７５が閉じてバルブ７４が開いた状態に切り替えることでタンク７１内の圧力を低下させる。 The step-down control unit 117 opens and closes the valves 74 and 75 so that the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53 is lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54. For example, the step-down control unit 117 opens the valve 74 so as to reduce the pressure in the tank 71. More specifically, the step-down control unit 117 reduces the pressure in the tank 71 by switching the state in which the valve 74 is closed and the valve 75 is open to the state in which the valve 75 is closed and the valve 74 is open.

系統切替制御部１１８は、複数の圧送系統７０のうち、ノズル２２に処理液を供給する圧送系統７０をバルブ５３及びバルブ７５により切り替える。例えば系統切替制御部１１８は、それぞれの圧送系統７０の状態を、ノズル２２に処理液を供給可能な状態（以下、「アクティブ状態」という。）、又はノズル２２に処理液を供給不能な状態（以下、「非アクティブ状態」という。）に切り替える。圧送系統７０を非アクティブ状態にする際に、系統切替制御部１１８は、当該圧送系統７０のバルブ７５を閉じ、当該圧送系統７０に対応するバルブ５３を閉じ、当該圧送系統７０が再度アクティブ状態となるまで当該バルブ７５，５３を開閉不可とする。圧送系統７０をアクティブ状態にする際に、系統切替制御部１１８は、ノズル２２に処理液を供給するために当該圧送系統７０のバルブ７５を開閉可能にし、当該圧送系統７０に対応するバルブ５３を開閉可能にする。更に系統切替制御部１１８は、非アクティブ状態とした圧送系統７０のタンク７１に処理液を補給するように液補給部８０を制御する。 The system switching control unit 118 switches the pumping system 70 that supplies the processing liquid to the nozzle 22 by the valve 53 and the valve 75 among the plurality of pumping systems 70. For example, the system switching control unit 118 sets the state of each pumping system 70 to a state in which the processing liquid can be supplied to the nozzle 22 (hereinafter referred to as “active state”) or a state in which the processing liquid cannot be supplied to the nozzle 22 (hereinafter referred to as “active state”). Hereinafter, it is referred to as "inactive state"). When the pumping system 70 is deactivated, the system switching control unit 118 closes the valve 75 of the pumping system 70, closes the valve 53 corresponding to the pumping system 70, and the pumping system 70 is in the active state again. Until then, the valves 75 and 53 cannot be opened or closed. When the pumping system 70 is activated, the system switching control unit 118 enables the valve 75 of the pumping system 70 to be opened and closed in order to supply the processing liquid to the nozzle 22, and the valve 53 corresponding to the pumping system 70 is opened and closed. Make it openable and closable. Further, the system switching control unit 118 controls the liquid replenishment unit 80 so as to replenish the processing liquid to the tank 71 of the pumping system 70 in the inactive state.

図４に戻り、回転制御部１１２は、ウェハＷを回転させるように回転保持機構２１を制御する。 Returning to FIG. 4, the rotation control unit 112 controls the rotation holding mechanism 21 so as to rotate the wafer W.

ノズル移動制御部１１３は、処理液を吐出しているノズル２２を移動させるようにノズル移動機構２３を制御する。例えばノズル移動制御部１１３は、処理液の吐出を開始したノズル２２をウェハＷの回転中心ＲＣから外周側に移動させるようにノズル移動機構２３を制御する。塗布ユニット２０が上述の接液検出機構９０を備える場合、ノズル移動制御部１１３は、接液検出機構９０により処理液の到達が検出された後に、ノズル２２の移動を開始するようにノズル移動機構２３を制御してもよい。 The nozzle movement control unit 113 controls the nozzle movement mechanism 23 so as to move the nozzle 22 that discharges the processing liquid. For example, the nozzle movement control unit 113 controls the nozzle movement mechanism 23 so as to move the nozzle 22 that has started discharging the processing liquid from the rotation center RC of the wafer W to the outer peripheral side. When the coating unit 20 includes the above-mentioned liquid contact detection mechanism 90, the nozzle movement control unit 113 starts the movement of the nozzle 22 after the arrival of the processing liquid is detected by the liquid contact detection mechanism 90. 23 may be controlled.

コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図７に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。 The controller 100 is composed of one or a plurality of control computers. For example, the controller 100 has a circuit 120 shown in FIG. The circuit 120 has one or more processors 121, a memory 122, a storage 123, an input / output port 124, and a timer 125.

入出力ポート１２４は、調圧バルブ６１及びバルブ５３，５４，７４，７５，８９等との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を有する。記録媒体は、後述の基板処理手順を塗布ユニット２０に実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記録媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。 The input / output port 124 inputs / outputs an electric signal to / from the pressure regulating valve 61 and the valves 53, 54, 74, 75, 89 and the like. The timer 125 measures the elapsed time, for example, by counting a reference pulse having a fixed cycle. The storage 123 has a computer-readable recording medium such as a hard disk. The recording medium records a program for causing the coating unit 20 to execute the substrate processing procedure described later. The recording medium may be a removable medium such as a non-volatile semiconductor memory, a magnetic disk, or an optical disk. The memory 122 temporarily records the program loaded from the recording medium of the storage 123 and the calculation result by the processor 121. The processor 121 constitutes each of the above-mentioned functional modules by executing the above program in cooperation with the memory 122.

なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。 The hardware configuration of the controller 100 is not necessarily limited to the one in which each functional module is configured by a program. For example, each functional module of the controller 100 may be configured by a dedicated logic circuit or an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) in which the logic circuit is integrated.

〔基板処理手順〕
続いて、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて塗布ユニット２０が実行する処理液塗布手順を説明する。 [Board processing procedure]
Subsequently, as an example of the substrate processing method, the processing liquid coating procedure executed by the coating unit 20 under the control of the controller 100 will be described.

（処理液塗布手順）
図８に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、搬送アームＡ３により塗布ユニット２０内に搬入され、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中央部を保持部２４により下方から保持するように、回転制御部１１２が回転保持機構２１を制御する。 (Treatment liquid application procedure)
As shown in FIG. 8, the controller 100 first executes step S01. In step S01, the rotation control unit 112 rotates so that the central portion of the wafer W, which is carried into the coating unit 20 by the transport arm A3 and is horizontally arranged with the surface Wa facing up, is held from below by the holding portion 24. Controls the holding mechanism 21.

次に、コントローラ１００はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、回転制御部１１２が、回転駆動部２５により保持部２４及びウェハＷの回転を開始するように回転保持機構２１を制御する。 Next, the controller 100 executes step S02. In step S02, the rotation control unit 112 controls the rotation holding mechanism 21 so that the rotation driving unit 25 starts the rotation of the holding unit 24 and the wafer W.

次に、コントローラ１００はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、ノズル移動制御部１１３が、ノズル２２を初期位置（処理液の供給を開始する位置）に配置するようにノズル移動機構２３を制御する。例えば初期位置は、ウェハＷの回転中心ＲＣの鉛直上方である。なお、コントローラ１００は、ステップＳ０２の実行前にステップＳ０３を実行してもよい。 Next, the controller 100 executes step S03. In step S03, the nozzle movement control unit 113 controls the nozzle movement mechanism 23 so that the nozzle 22 is arranged at the initial position (the position where the supply of the processing liquid is started). For example, the initial position is vertically above the rotation center RC of the wafer W. The controller 100 may execute step S03 before executing step S02.

次に、コントローラ１００はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、液供給制御部１１１が、ノズル２２からウェハＷの表面Ｗａへの処理液の供給を開始するように処理液供給部３０を制御する。ステップＳ０４における具体的な処理内容については後述する。 Next, the controller 100 executes step S04. In step S04, the liquid supply control unit 111 controls the processing liquid supply unit 30 so as to start supplying the processing liquid from the nozzle 22 to the surface Wa of the wafer W. The specific processing content in step S04 will be described later.

次に、コントローラ１００はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、ノズル移動制御部１１３が、ノズル２２の外周側への移動を開始するようにノズル移動機構２３を制御する。塗布ユニット２０が上述の接液検出機構９０を備える場合、ノズル移動制御部１１３は、接液検出機構９０により処理液の到達が検出された後に、ノズル２２の移動を開始するようにノズル移動機構２３を制御してもよい。 Next, the controller 100 executes step S05. In step S05, the nozzle movement control unit 113 controls the nozzle movement mechanism 23 so as to start the movement of the nozzle 22 to the outer peripheral side. When the coating unit 20 includes the above-mentioned liquid contact detection mechanism 90, the nozzle movement control unit 113 starts the movement of the nozzle 22 after the arrival of the processing liquid is detected by the liquid contact detection mechanism 90. 23 may be controlled.

図９に示すように、ノズル２２から吐出された処理液は、ウェハＷの回転及びノズル２２の移動により、ウェハＷの表面Ｗａにらせん状に塗布される。以後、回転制御部１１２及びノズル移動制御部１１３は、ウェハＷを基準としたノズル移動制御部１１３の相対的な移動の速さが一定となるように、回転保持機構２１によるウェハＷの回転速度及びノズル移動機構２３によるウェハＷの移動速度をそれぞれ制御してもよい。なお、ここでの一定は実質的な一定を意味し、構造上の要因及び制御上の要因等による誤差の範囲内に収まっていることを意味する。 As shown in FIG. 9, the processing liquid discharged from the nozzle 22 is spirally applied to the surface Wa of the wafer W by the rotation of the wafer W and the movement of the nozzle 22. After that, the rotation control unit 112 and the nozzle movement control unit 113 use the rotation holding mechanism 21 to rotate the wafer W so that the relative movement speed of the nozzle movement control unit 113 with respect to the wafer W becomes constant. And the moving speed of the wafer W by the nozzle moving mechanism 23 may be controlled respectively. It should be noted that the constant here means a substantially constant, and means that it is within the range of error due to structural factors, control factors, and the like.

図８に戻り、コントローラ１００は、次にステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、表面Ｗａに対する処理液の塗布の完了を液供給制御部１１１が待機する。例えば液供給制御部１１１は、表面Ｗａにおいて処理液を塗布すべき範囲の最外周にノズル２２が到達するのを待機する。 Returning to FIG. 8, the controller 100 then executes step S06. In step S06, the liquid supply control unit 111 waits for the completion of application of the treatment liquid to the surface Wa. For example, the liquid supply control unit 111 waits for the nozzle 22 to reach the outermost circumference of the range on which the treatment liquid should be applied on the surface Wa.

次に、コントローラ１００はステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、液供給制御部１１１が、ノズル２２からウェハＷの表面Ｗａへの処理液の供給を停止するように処理液供給部３０を制御する。ステップＳ０７における具体的な処理内容については後述する。 Next, the controller 100 executes step S07. In step S07, the liquid supply control unit 111 controls the processing liquid supply unit 30 so as to stop the supply of the processing liquid from the nozzle 22 to the surface Wa of the wafer W. The specific processing content in step S07 will be described later.

次に、コントローラ１００はステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、ノズル移動制御部１１３が、ノズル２２の移動を停止するようにノズル移動機構２３を制御する。例えばノズル移動制御部１１３は、ウェハＷの表面Ｗａ上から退避した位置にてノズル２２の移動を停止するようにノズル移動機構２３を制御する。 Next, the controller 100 executes step S08. In step S08, the nozzle movement control unit 113 controls the nozzle movement mechanism 23 so as to stop the movement of the nozzle 22. For example, the nozzle movement control unit 113 controls the nozzle movement mechanism 23 so as to stop the movement of the nozzle 22 at a position retracted from the surface Wa of the wafer W.

次に、コントローラ１００はステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９では、回転制御部１１２が、回転駆動部２５による保持部２４及びウェハＷの回転を停止するように回転保持機構２１を制御する。 Next, the controller 100 executes step S09. In step S09, the rotation control unit 112 controls the rotation holding mechanism 21 so as to stop the rotation of the holding unit 24 and the wafer W by the rotation driving unit 25.

次に、コントローラ１００はステップＳ１０を実行する。ステップＳ１０では、回転制御部１１２が、保持部２４によるウェハＷの保持を解除し、搬送アームＡ３によるウェハＷの搬出が可能な状態にする。その後、搬送アームＡ３が塗布ユニット２０内からウェハＷを搬出する。以上で処理液塗布手順が完了する。 Next, the controller 100 executes step S10. In step S10, the rotation control unit 112 releases the holding of the wafer W by the holding unit 24 so that the wafer W can be carried out by the transfer arm A3. After that, the transfer arm A3 carries out the wafer W from the coating unit 20. This completes the treatment liquid application procedure.

なお、上述の手順は一例であり、ウェハＷの表面Ｗａ上に処理液を塗布可能な手順である限りにおいて適宜変更可能である。例えば、ステップＳ０３においては、ウェハＷの周縁の鉛直上方を初期位置とし、ステップＳ０５〜Ｓ０７においてはウェハＷの回転中心ＲＣ側にノズル２２を移動させるようにノズル移動機構２３を制御してもよい。また、ステップＳ０５〜Ｓ０７におけるノズル２２の移動を行わずに、ウェハＷの回転中心ＲＣに供給された処理液を遠心力によりウェハＷの外周側に塗り広げるように回転保持機構２１を制御してもよい。 The above procedure is an example, and can be appropriately changed as long as the procedure can apply the treatment liquid on the surface Wa of the wafer W. For example, in step S03, the initial position may be vertically above the peripheral edge of the wafer W, and in steps S05 to S07, the nozzle moving mechanism 23 may be controlled so as to move the nozzle 22 toward the rotation center RC side of the wafer W. .. Further, the rotation holding mechanism 21 is controlled so that the processing liquid supplied to the rotation center RC of the wafer W is spread on the outer peripheral side of the wafer W by centrifugal force without moving the nozzles 22 in steps S05 to S07. May be good.

（処理液供給開始手順）
以下、ステップＳ０４における処理液の供給開始手順について詳述する。なお、ステップＳ０４の実行直前においては、複数の圧送系統７０のいずれか一つが上記アクティブ状態とされ、他の圧送系統７０は非アクティブ状態とされている。以下においては、アクティブ状態の圧送系統７０のタンク７１及びバルブ７４，７５を単に「タンク７１」及び「バルブ７４，７５」といい、アクティブ状態の圧送系統７０に対応するバルブ５３を単に「バルブ５３」という。 (Procedure for starting treatment liquid supply)
Hereinafter, the procedure for starting the supply of the treatment liquid in step S04 will be described in detail. Immediately before the execution of step S04, any one of the plurality of pumping systems 70 is in the active state, and the other pumping system 70 is in the inactive state. In the following, the tank 71 and valves 74, 75 of the active pumping system 70 are simply referred to as “tank 71” and “valve 74, 75”, and the valve 53 corresponding to the active pumping system 70 is simply “valve 53”. ".

ステップＳ０４の実行直前においては、バルブ５３，５４，７４，７５の全てが閉じており、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力（以下、これを「待機圧力」という。）が高くなっている。待機圧力は、ノズル２２から処理液を吐出する際のタンク７１内の圧力（以下、これを「吐出圧力」という。）と同等以下である。 Immediately before the execution of step S04, all of the valves 53, 54, 74, 75 are closed, and the pressure between the valve 53 and the valve 54 (hereinafter referred to as the pressure) is compared with the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53. , This is called "standby pressure") is high. The standby pressure is equal to or lower than the pressure in the tank 71 when the treatment liquid is discharged from the nozzle 22 (hereinafter, this is referred to as “discharge pressure”).

図１０に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ２１，Ｓ２２を実行する。ステップＳ２１では、吐出制御部１１５が、バルブ７５を開く。ステップＳ２２では、加圧制御部１１６が、タンク７１内の圧力を、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力（上記待機圧力）に比較して低い圧力（以下、この圧力を「制定圧力」という。）とするように調圧バルブ６１を制御する。制定圧力（第一圧力）は、例えば上記吐出圧力の８０％以下であり、６０％以下であってもよい。 As shown in FIG. 10, the controller 100 first executes steps S21 and S22. In step S21, the discharge control unit 115 opens the valve 75. In step S22, the pressure control unit 116 lowers the pressure in the tank 71 with respect to the pressure between the valve 53 and the valve 54 (the standby pressure) (hereinafter, this pressure is referred to as “established pressure”). The pressure adjusting valve 61 is controlled so as to be.). The established pressure (first pressure) is, for example, 80% or less of the discharge pressure, and may be 60% or less.

次に、コントローラ１００はステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、吐出制御部１１５が、バルブ５３を開く。ステップＳ２３の直前において、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低くなっている。このため、バルブ５３が開くと、バルブ５３とバルブ５４との間の処理液が圧送部４０側流動し（以下、これを「処理液の逆流」という。）、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下する。 Next, the controller 100 executes step S23. In step S23, the discharge control unit 115 opens the valve 53. Immediately before step S23, the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53 is lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54. Therefore, when the valve 53 is opened, the processing liquid between the valve 53 and the valve 54 flows toward the pumping unit 40 (hereinafter, this is referred to as “backflow of the processing liquid”), and between the valve 53 and the valve 54. Pressure drops.

次に、コントローラ１００はステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、吐出制御部１１５が所定時間の経過を待機する。所定時間は、ノズル２２からの処理液の吐出開始時における吐出量のオーバーシュートを抑制するように最適化されている。当該所定時間は、事前の条件出し又はシミュレーション等によって適宜設定可能である。 Next, the controller 100 executes step S24. In step S24, the discharge control unit 115 waits for the elapse of a predetermined time. The predetermined time is optimized to suppress an overshoot of the discharge amount at the start of discharge of the processing liquid from the nozzle 22. The predetermined time can be appropriately set by setting conditions in advance, simulation, or the like.

次に、コントローラ１００はステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５では、加圧制御部１１６が、タンク７１内の圧力を上記制定圧力から上記吐出圧力（第三圧力）に上昇させるように調圧バルブ６１を制御する。 Next, the controller 100 executes step S25. In step S25, the pressure control unit 116 controls the pressure adjusting valve 61 so as to raise the pressure in the tank 71 from the established pressure to the discharge pressure (third pressure).

タンク７１内の圧力の上昇に伴い、タンク７１からバルブ５４側への処理液の流れが生じる。この流れは、上述の処理液の逆流によって弱められるので、バルブ５３とバルブ５４との間への処理液の急な流入が抑制される。従って、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力は緩やかに上昇する。 As the pressure in the tank 71 rises, the treatment liquid flows from the tank 71 to the valve 54 side. Since this flow is weakened by the backflow of the treatment liquid described above, the sudden inflow of the treatment liquid between the valve 53 and the valve 54 is suppressed. Therefore, the pressure between the valve 53 and the valve 54 gradually increases.

次に、コントローラ１００はステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、吐出制御部１１５が、バルブ５４を開く。これにより、ノズル２２からの処理液の吐出が開始される。 Next, the controller 100 executes step S26. In step S26, the discharge control unit 115 opens the valve 54. As a result, the discharge of the processing liquid from the nozzle 22 is started.

なお、上述の手順は一例であり、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことと、バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御することと、バルブ５３が開くことでバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下した後にバルブ５４を開くことと、を含む限りにおいて適宜変更可能である。 The above procedure is an example, in which the valve 54 is closed and the valve 53 is opened when the pressure between the valve 53 and the valve 54 is higher than the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53. The pressure feeding unit 40 is controlled so as to increase the pressure between the valve 53 and the valve 54, which is lowered by opening the valve 53, and the pressure between the valve 53 and the valve 54 is increased by opening the valve 53. It can be changed as appropriate as long as the valve 54 is opened after the decrease.

例えば、コントローラ１００は、ステップＳ２５の実行に先立ってステップＳ２６を実行してもよい。すなわち、タンク７１内の圧力を制定圧力から吐出圧力に変更するように加圧制御部１１６が調圧バルブ６１を制御するのに先立って、吐出制御部１１５がバルブ５４を開いてもよい。 For example, the controller 100 may execute step S26 prior to executing step S25. That is, the discharge control unit 115 may open the valve 54 before the pressure control unit 116 controls the pressure adjusting valve 61 so as to change the pressure in the tank 71 from the established pressure to the discharge pressure.

また、コントローラ１００は、ステップＳ２１，Ｓ２２の実行に先立ってステップＳ２３，Ｓ２４を実行してもよい。すなわち吐出制御部１１５は、バルブ５３を開いて所定時間が経過した後にバルブ７５を開いてもよい。この場合、バルブ７５を開くことによって、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させることが可能なので、コントローラ１００はステップＳ２２，Ｓ２５を実行しなくてもよい。 Further, the controller 100 may execute steps S23 and S24 prior to the execution of steps S21 and S22. That is, the discharge control unit 115 may open the valve 75 after a predetermined time has elapsed after opening the valve 53. In this case, since the pressure between the valve 53 and the valve 54 can be increased by opening the valve 75, the controller 100 does not have to execute steps S22 and S25.

（処理液供給停止手順）
以下、ステップＳ０７における処理液の供給停止手順について詳述する。図１１に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ３１を実行する。ステップＳ３１では、吐出制御部１１５が、バルブ５３，５４，７５を閉じる。これにより、ノズル２２からの処理液の吐出が停止し、ウェハＷの表面Ｗａへの処理液の供給が停止する。以下の手順は、次回の処理液の供給への準備手順に相当する。 (Procedure for stopping the supply of processing liquid)
Hereinafter, the procedure for stopping the supply of the processing liquid in step S07 will be described in detail. As shown in FIG. 11, the controller 100 first executes step S31. In step S31, the discharge control unit 115 closes the valves 53, 54, 75. As a result, the discharge of the processing liquid from the nozzle 22 is stopped, and the supply of the processing liquid to the surface Wa of the wafer W is stopped. The following procedure corresponds to the preparation procedure for the next supply of the treatment liquid.

次に、コントローラ１００は、ステップＳ３２を実行する。ステップＳ３２では、降圧制御部１１７がバルブ７４を開く。これにより、タンク７１内の圧力が解放され、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力がバルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低くなる。 Next, the controller 100 executes step S32. In step S32, the step-down control unit 117 opens the valve 74. As a result, the pressure in the tank 71 is released, and the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53 becomes lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54.

次に、コントローラ１００は、ステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３では、降圧制御部１１７が所定時間の経過を待機する。所定時間は、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を十分に低下させるように最適化されている。当該所定時間は、事前の条件出し又はシミュレーション等によって適宜設定可能である。 Next, the controller 100 executes step S33. In step S33, the step-down control unit 117 waits for the elapse of a predetermined time. The predetermined time is optimized to sufficiently reduce the pressure between the pumping section 40 and the valve 53. The predetermined time can be appropriately set by setting conditions in advance, simulation, or the like.

次に、コントローラ１００はステップＳ３４を実行する。ステップＳ３４では、降圧制御部１１７がバルブ７４を閉じる。以後、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力は、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低く保たれる。 Next, the controller 100 executes step S34. In step S34, the step-down control unit 117 closes the valve 74. After that, the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53 is kept lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54.

次に、コントローラ１００はステップＳ３５を実行する。ステップＳ３５では、系統切替制御部１１８が、現在アクティブ状態となっている圧送系統７０（以下、「アクティブ系統」をという。）のタンク７１に処理液の補給が必要であるか否かを確認する。例えば系統切替制御部１１８は、タンク７１における処理液の残量が、次回の処理液の供給における必要量を下回っているか否かを確認する。 Next, the controller 100 executes step S35. In step S35, the system switching control unit 118 confirms whether or not the tank 71 of the pumping system 70 (hereinafter, referred to as “active system”) currently in the active state needs to be replenished with the processing liquid. .. For example, the system switching control unit 118 confirms whether or not the remaining amount of the processing liquid in the tank 71 is less than the required amount in the next supply of the treatment liquid.

ステップＳ３５において、アクティブ系統のタンク７１に処理液の補給が必要であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３６を実行する。ステップＳ３６では、系統切替制御部１１８がアクティブ系統を切り替える。すなわち系統切替制御部１１８は、複数の圧送系統７０のうちアクティブ状態とする圧送系統７０を切り替える。例えば系統切替制御部１１８は、アクティブ状態であった圧送系統７０のバルブ７５と、当該圧送系統７０に対応するバルブ５３とを開閉不可とする。これにより、当該圧送系統７０が非アクティブ状態となる。また、系統切替制御部１１８は、非アクティブ状態であった圧送系統７０のバルブ７５と、当該圧送系統７０に対応するバルブ５３とを開閉可能とする。これにより、当該圧送系統７０がアクティブ状態となる。 If it is determined in step S35 that the tank 71 of the active system needs to be replenished with the treatment liquid, the controller 100 executes step S36. In step S36, the system switching control unit 118 switches the active system. That is, the system switching control unit 118 switches the pumping system 70 to be activated among the plurality of pumping systems 70. For example, the system switching control unit 118 makes it impossible to open and close the valve 75 of the pumping system 70 that was in the active state and the valve 53 corresponding to the pumping system 70. As a result, the pumping system 70 becomes inactive. Further, the system switching control unit 118 makes it possible to open and close the valve 75 of the pumping system 70 that was in the inactive state and the valve 53 corresponding to the pumping system 70. As a result, the pumping system 70 becomes active.

次に、コントローラ１００はステップＳ３７を実行する。ステップＳ３７では、系統切替制御部１１８が、ステップＳ３６において非アクティブ状態とした圧送系統７０のタンク７１に処理液を補給するように液補給部８０を制御する。例えば系統切替制御部１１８は、ステップＳ３６において非アクティブ状態とした圧送系統７０のタンク７１に対応するバルブ８９と、バルブ８８とを開く。これにより、タンク８１からタンク７１に処理液が補給される。以上で処理液の供給停止手順が完了する。 Next, the controller 100 executes step S37. In step S37, the system switching control unit 118 controls the liquid replenishment unit 80 so as to replenish the processing liquid to the tank 71 of the pumping system 70 which was inactive in step S36. For example, the system switching control unit 118 opens the valve 89 and the valve 88 corresponding to the tank 71 of the pumping system 70 which was inactive in step S36. As a result, the treatment liquid is replenished from the tank 81 to the tank 71. This completes the procedure for stopping the supply of the processing liquid.

ステップＳ３５において、アクティブ系統のタンク７１に対する処理液の補給は不要であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３６，Ｓ３７を実行することなく処理液の供給停止手順を完了する。 If it is determined in step S35 that it is not necessary to replenish the processing liquid to the tank 71 of the active system, the controller 100 completes the procedure for stopping the supply of the processing liquid without executing steps S36 and S37.

〔変形例〕
以下、コントローラの変形例を説明する。図１２は、コントローラの変形例を示す模式図である。図１２に示すコントローラ１００Ａは、以下の点でコントローラ１００と相違する。
ｉ） コントローラ１００Ａは、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御する際に、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御する。
ｉｉ） コントローラ１００Ａは、バルブ５３が開き、バルブ５４が閉じた状態にて、第一圧力に比較して高い第二圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することと、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となった状態でバルブ５３を閉じることと、を更に実行するように構成され、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となっている状態で実行する。
ｉｉｉ） コントローラ１００Ａは、バルブ５３及びバルブ５４が開いた状態にて、第三圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを更に実行するように構成されている。上記第二圧力は第三圧力に比較して低い。 [Modification example]
A modified example of the controller will be described below. FIG. 12 is a schematic view showing a modified example of the controller. The controller 100A shown in FIG. 12 differs from the controller 100 in the following points.
i) When the controller 100A controls the pressure feeding unit 40 so that the pressure between the pressure feeding unit 40 and the valve 53 is lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54, the valve 53 and the valve 54 The pressurizing unit 60 is controlled so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with a first pressure lower than the pressure between the two.
ii) The controller 100A controls the pressurizing unit 60 so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with a second pressure higher than the first pressure in a state where the valve 53 is open and the valve 54 is closed. It is configured to further execute that and closing the valve 53 with the pressure between the valve 53 and the valve 54 being the second pressure, compared to the pressure between the valve 53 and the valve 54. Then, the pressurizing unit 60 is controlled so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with a low first pressure in a state where the pressure between the valve 53 and the valve 54 is the second pressure. ..
iii) The controller 100A is configured to further control the pressurizing unit 60 so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with a third pressure while the valve 53 and the valve 54 are open. There is. The second pressure is lower than the third pressure.

図１２に例示するように、コントローラ１００Ａは、機能モジュールとして、液供給制御部１１１Ａと、回転制御部１１２及びノズル移動制御部１１３とを有する。回転制御部１１２及びノズル移動制御部１１３はコントローラ１００と同じである。 As illustrated in FIG. 12, the controller 100A has a liquid supply control unit 111A, a rotation control unit 112, and a nozzle movement control unit 113 as functional modules. The rotation control unit 112 and the nozzle movement control unit 113 are the same as the controller 100.

液供給制御部１１１Ａは、ノズル２２に処理液を供給するように処理液供給部３０を制御する。図１３に例示するように、液供給制御部１１１Ａは、機能モジュールとして、吐出制御部１１５と、加圧制御部１１６Ａと、系統切替制御部１１８と、第一調圧制御部１１９Ａと、第二調圧制御部１１９Ｂとを有する。吐出制御部１１５及び系統切替制御部１１８は液供給制御部１１１と同じである。 The liquid supply control unit 111A controls the processing liquid supply unit 30 so as to supply the processing liquid to the nozzle 22. As illustrated in FIG. 13, the liquid supply control unit 111A has, as functional modules, a discharge control unit 115, a pressurization control unit 116A, a system switching control unit 118, a first pressure adjustment control unit 119A, and a second. It has a pressure regulation control unit 119B. The discharge control unit 115 and the system switching control unit 118 are the same as the liquid supply control unit 111.

第一調圧制御部１１９Ａは、バルブ５３とバルブ５４とが閉じた状態にて、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御する。例えば第一調圧制御部１１９Ａは、タンク７１内の圧力を低下させるようにバルブ７４を開く。より具体的に第一調圧制御部１１９Ａは、バルブ７４が閉じてバルブ７５が開いた状態を、バルブ７５が閉じてバルブ７４が開いた状態に切り替えることでタンク７１内の圧力を低下させる。その後、第一調圧制御部１１９Ａは、上記第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御する。 The first pressure adjusting control unit 119A lowers the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53 as compared with the pressure between the valve 53 and the valve 54 when the valve 53 and the valve 54 are closed. The pumping unit 40 is controlled so as to. For example, the first pressure adjusting control unit 119A opens the valve 74 so as to reduce the pressure in the tank 71. More specifically, the first pressure adjusting control unit 119A reduces the pressure in the tank 71 by switching the state in which the valve 74 is closed and the valve 75 is open to the state in which the valve 75 is closed and the valve 74 is open. After that, the first pressure adjusting control unit 119A controls the pressurizing unit 60 so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with the first pressure.

第二調圧制御部１１９Ｂは、バルブ５３が開き、バルブ５４が閉じた状態にて、上記第二圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することと、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となった状態でバルブ５３を閉じることと、を実行する。 The second pressure adjusting control unit 119B controls the pressurizing unit 60 so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with the second pressure while the valve 53 is open and the valve 54 is closed, and the valve. Closing the valve 53 with the pressure between the 53 and the valve 54 becoming the second pressure is executed.

加圧制御部１１６Ａは、吐出制御部１１５がバルブ５３を開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御する。例えば加圧制御部１１６Ａは、バルブ５４が開く前において処理液に作用する圧力に比較して、バルブ５４が開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部６０を制御する。また、加圧制御部１１６Ａは、バルブ５３及びバルブ５４が開いた状態にて、上記第三圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御する。 The pressurization control unit 116A controls the pressure feeding unit 40 so that the discharge control unit 115 raises the pressure between the valve 53 and the valve 54, which is lowered by opening the valve 53. For example, the pressurizing control unit 116A controls the pressurizing unit 60 so that the pressure acting on the processing liquid after the valve 54 opens is higher than the pressure acting on the processing liquid before the valve 54 opens. .. Further, the pressurizing control unit 116A controls the pressurizing unit 60 so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with the third pressure while the valve 53 and the valve 54 are open.

（処理液供給開始手順）
続いて、処理液供給開始手順の変形例として、コントローラ１００Ａが実行する処理液供給開始手順を説明する。 (Procedure for starting treatment liquid supply)
Subsequently, as a modification of the processing liquid supply starting procedure, the processing liquid supply starting procedure executed by the controller 100A will be described.

図１４に示すように、コントローラ１００Ａは、まずステップＳ４１，Ｓ４２を実行する。ステップＳ４１では、ステップＳ２１と同様に、吐出制御部１１５がバルブ７５を開く。ステップＳ４２では、第一調圧制御部１１９Ａが、タンク７１内の圧力を、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力（上記待機圧力）に比較して低い第一圧力（上記制定圧力）とするように調圧バルブ６１を制御する。 As shown in FIG. 14, the controller 100A first executes steps S41 and S42. In step S41, the discharge control unit 115 opens the valve 75 as in step S21. In step S42, the first pressure adjusting control unit 119A sets the pressure in the tank 71 to a lower first pressure (the established pressure) than the pressure between the valve 53 and the valve 54 (the standby pressure). The pressure adjusting valve 61 is controlled in this way.

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ４３を実行する。ステップＳ４３では、ステップＳ２３と同様に、吐出制御部１１５がバルブ５３を開く。 Next, the controller 100A executes step S43. In step S43, the discharge control unit 115 opens the valve 53 as in step S23.

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ４４を実行する。ステップＳ４４では、ステップＳ２４と同様に、吐出制御部１１５が所定時間の経過を待機する。 Next, the controller 100A executes step S44. In step S44, as in step S24, the discharge control unit 115 waits for the elapse of a predetermined time.

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ４５を実行する。ステップＳ４５では、加圧制御部１１６Ａが、タンク７１内の圧力を上記第一圧力から上記第三圧力（上記吐出圧力）に上昇させるように調圧バルブ６１を制御する。 Next, the controller 100A executes step S45. In step S45, the pressure control unit 116A controls the pressure adjusting valve 61 so as to raise the pressure in the tank 71 from the first pressure to the third pressure (discharge pressure).

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ４６を実行する。ステップＳ４６では、ステップＳ２６と同様に、吐出制御部１１５がバルブ５４を開く。これにより、ノズル２２からの処理液の吐出が開始される。以後、加圧制御部１１６Ａは、タンク７１内の圧力を第三圧力に維持するように調圧バルブ６１を制御する。すなわち加圧制御部１１６Ａは、バルブ５３及びバルブ５４が開いた状態にて、タンク７１内の処理液を第三圧力で加圧するように加圧部６０を制御する。 Next, the controller 100A executes step S46. In step S46, the discharge control unit 115 opens the valve 54 as in step S26. As a result, the discharge of the processing liquid from the nozzle 22 is started. After that, the pressure control unit 116A controls the pressure adjusting valve 61 so as to maintain the pressure in the tank 71 at the third pressure. That is, the pressurization control unit 116A controls the pressurizing unit 60 so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with a third pressure while the valve 53 and the valve 54 are open.

（処理液供給停止手順）
続いて、処理液供給停止手順の変形例として、コントローラ１００Ａが実行する処理液供給停止手順を説明する。 (Procedure for stopping the supply of processing liquid)
Subsequently, as a modification of the processing liquid supply stop procedure, the processing liquid supply stop procedure executed by the controller 100A will be described.

図１５及び図１６に示すように、コントローラ１００Ａは、まずステップＳ５１を実行する。ステップＳ５１では、ステップＳ３１と同様に、吐出制御部１１５がバルブ５３，５４，７５を閉じる。 As shown in FIGS. 15 and 16, the controller 100A first executes step S51. In step S51, the discharge control unit 115 closes the valves 53, 54, 75 as in step S31.

次に、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５２を実行する。ステップＳ５２では、第二調圧制御部１１９Ｂがバルブ７４を開く。これにより、タンク７１内の圧力が解放され、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力がバルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低くなる。 Next, the controller 100A executes step S52. In step S52, the second pressure regulation control unit 119B opens the valve 74. As a result, the pressure in the tank 71 is released, and the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53 becomes lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54.

次に、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５３を実行する。ステップＳ５３では、第二調圧制御部１１９Ｂが所定時間の経過を待機する。所定時間は、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を十分に低下させるように最適化されている。当該所定時間は、事前の条件出し又はシミュレーション等によって適宜設定可能である。 Next, the controller 100A executes step S53. In step S53, the second pressure regulation control unit 119B waits for the elapse of a predetermined time. The predetermined time is optimized to sufficiently reduce the pressure between the pumping section 40 and the valve 53. The predetermined time can be appropriately set by setting conditions in advance, simulation, or the like.

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ５４を実行する。ステップＳ５４では、第二調圧制御部１１９Ｂがバルブ７４を閉じる。 Next, the controller 100A executes step S54. In step S54, the second pressure regulation control unit 119B closes the valve 74.

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ５５を実行する。ステップＳ５５では、第二調圧制御部１１９Ｂがバルブ５３及びバルブ７５を開く。 Next, the controller 100A executes step S55. In step S55, the second pressure regulation control unit 119B opens the valve 53 and the valve 75.

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ５６を実行する。ステップＳ５６では、第二調圧制御部１１９Ｂが、タンク７１内の圧力を、上記第一圧力に比較して高い上記第二圧力とするように調圧バルブ６１を制御する。なお、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５６における調圧制御をステップＳ５５に先立って開始してもよい。 Next, the controller 100A executes step S56. In step S56, the second pressure adjusting control unit 119B controls the pressure adjusting valve 61 so that the pressure in the tank 71 becomes the second pressure higher than the first pressure. The controller 100A may start the pressure adjustment control in step S56 prior to step S55.

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ５７を実行する。ステップＳ５７では、第二調圧制御部１１９Ｂがバルブ５３及びバルブ７５を閉じる。 Next, the controller 100A executes step S57. In step S57, the second pressure regulation control unit 119B closes the valve 53 and the valve 75.

次に、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５８を実行する。ステップＳ５８では、第一調圧制御部１１９Ａがバルブ７４を開く。これにより、タンク７１内の圧力が再度解放され、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力がバルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低くなる。 Next, the controller 100A executes step S58. In step S58, the first pressure regulation control unit 119A opens the valve 74. As a result, the pressure in the tank 71 is released again, and the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53 becomes lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54.

次に、コントローラ１００Ａは、ステップＳ５９を実行する。ステップＳ５９では、第一調圧制御部１１９Ａが所定時間の経過を待機する。所定時間は、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を十分に低下させるように最適化されている。当該所定時間は、事前の条件出し又はシミュレーション等によって適宜設定可能である。 Next, the controller 100A executes step S59. In step S59, the first pressure adjusting control unit 119A waits for the elapse of a predetermined time. The predetermined time is optimized to sufficiently reduce the pressure between the pumping section 40 and the valve 53. The predetermined time can be appropriately set by setting conditions in advance, simulation, or the like.

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ６０を実行する。ステップＳ６０では、第一調圧制御部１１９Ａがバルブ７４を閉じる。 Next, the controller 100A executes step S60. In step S60, the first pressure regulation control unit 119A closes the valve 74.

次に、コントローラ１００ＡはステップＳ６１，Ｓ６２，Ｓ６３を実行する。ステップＳ６１，Ｓ６２，Ｓ６３は、ステップＳ３５，Ｓ３６，Ｓ３７と同じである。以上で処理液の供給停止手順が完了する。 Next, the controller 100A executes steps S61, S62, and S63. Steps S61, S62 and S63 are the same as steps S35, S36 and S37. This completes the procedure for stopping the supply of the processing liquid.

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、ウェハＷに処理液を吐出するノズル２２と、ノズル２２側に処理液を圧送する圧送部４０と、圧送部４０側からノズル２２側に並ぶバルブ５３，５４を有し、圧送部４０からノズル２２に処理液を導く送液管路５０と、コントローラ１００とを備える。コントローラ１００は、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことと、バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御することと、バルブ５３が開くことでバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下した後にバルブ５４を開くことと、を実行するように構成されている。 [Effect of this embodiment]
As described above, the coating / developing apparatus 2 is arranged with the nozzle 22 for discharging the processing liquid to the wafer W, the pumping unit 40 for pumping the processing liquid to the nozzle 22 side, and the pumping unit 40 side to the nozzle 22 side. It has valves 53 and 54, and includes a liquid feeding line 50 for guiding a processing liquid from a pumping unit 40 to a nozzle 22, and a controller 100. The controller 100 opens the valve 53 when the valve 54 is closed and the pressure between the valve 53 and the valve 54 is higher than the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53. By controlling the pumping unit 40 so as to increase the pressure between the valve 53 and the valve 54, which has decreased, and after the pressure between the valve 53 and the valve 54 has decreased due to the opening of the valve 53, the valve 54 It is configured to open and run.

塗布・現像装置２によれば、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３が開かれるので、バルブ５３から圧送部４０側に処理液の逆流が生じてバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が低下する。
圧送部４０がバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させる際には、上記処理液の逆流によって、バルブ５３とバルブ５４との間への処理液の急な流入が抑制される。このため、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力の急上昇が抑制される。これにより、バルブ５４を開く際において、処理液の吐出量のオーバーシュートが抑制される。従って、上記オーバーシュートに起因する処理液の膜厚の乱れを抑制できるので、膜厚の均一性向上に有効である。 According to the coating / developing device 2, since the valve 53 is opened in a state where the pressure between the valve 53 and the valve 54 is higher than the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53, the valve 53 is pumped. A backflow of the treatment liquid occurs on the portion 40 side, and the pressure between the valve 53 and the valve 54 decreases.
When the pressure feeding unit 40 raises the pressure between the valve 53 and the valve 54, the backflow of the treatment liquid suppresses the sudden inflow of the treatment liquid between the valve 53 and the valve 54. Therefore, a sudden rise in pressure between the valve 53 and the valve 54 is suppressed. As a result, when the valve 54 is opened, overshoot of the discharge amount of the processing liquid is suppressed. Therefore, it is possible to suppress the disturbance of the film thickness of the treatment liquid due to the overshoot, which is effective in improving the uniformity of the film thickness.

コントローラ１００は、バルブ５３，５４が閉じた状態にて、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、ノズル２２からの処理液の吐出を開始する度に、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことを容易に実行できる。 The controller 100 controls the pressure feeding unit 40 so that the pressure between the pressure feeding unit 40 and the valve 53 is lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54 when the valves 53 and 54 are closed. It may be configured to do more. In this case, each time the discharge of the processing liquid from the nozzle 22 is started, the valve 53 is pressed in a state where the pressure between the valve 53 and the valve 54 is higher than the pressure between the pressure feeding unit 40 and the valve 53. Easy to open.

圧送部４０は、処理液を収容するタンク７１と、タンク７１内の処理液をノズル２２側に加圧する加圧部６０と、タンク７１内の圧力を解放するためのバルブ７４とを有し、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御することは、バルブ７４を開くことを含んでもよい。この場合、バルブ７４を開くことにより、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を迅速に低下させることができる。これにより、圧力の調整に要する時間を短縮し、スループットを向上させることができる。 The pressure feeding unit 40 has a tank 71 for accommodating the processing liquid, a pressurizing unit 60 for pressurizing the processing liquid in the tank 71 toward the nozzle 22, and a valve 74 for releasing the pressure in the tank 71. Controlling the pumping section 40 to lower the pressure between the pumping section 40 and the valve 53 relative to the pressure between the valve 53 and the valve 54 may include opening the valve 74. In this case, by opening the valve 74, the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53 can be quickly reduced. As a result, the time required for adjusting the pressure can be shortened and the throughput can be improved.

バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して圧送部４０とバルブ５３との間の圧力を低くするように圧送部４０を制御することは、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを含んでもよく、コントローラ１００は、バルブ５４が閉じ、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力に比較してバルブ５３とバルブ５４との間の圧力が高い状態にてバルブ５３を開くことを、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力が第一圧力となっている状態で実行してもよい。この場合、バルブ５３を開く際における圧力を安定させることにより、バルブ５３を開いた後、バルブ５４を開くまでの処理液の圧力推移の再現性を高めることができる。従って、膜厚の均一性向上に対する有効性をより安定して活かすことができる。 Controlling the pumping section 40 so that the pressure between the pumping section 40 and the valve 53 is lower than the pressure between the valve 53 and the valve 54 is a pressure between the valve 53 and the valve 54. The pressurizing unit 60 may be controlled to pressurize the processing liquid in the tank 71 with a relatively lower first pressure, and the controller 100 may include a valve 54 closed between the pumping unit 40 and the valve 53. Opening the valve 53 in a state where the pressure between the valve 53 and the valve 54 is higher than the pressure in the above is executed in a state where the pressure between the pumping unit 40 and the valve 53 is the first pressure. You may. In this case, by stabilizing the pressure when opening the valve 53, it is possible to improve the reproducibility of the pressure transition of the processing liquid after opening the valve 53 until the valve 54 is opened. Therefore, the effectiveness for improving the uniformity of the film thickness can be utilized more stably.

バルブ５３が開くことで低下したバルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるように圧送部４０を制御することは、バルブ５４が開く前において処理液に作用する圧力に比較して、バルブ５４が開いた後において処理液に作用する圧力が高くなるように加圧部６０を制御することを含んでもよい。この場合、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力を上昇させるタイミングを加圧部６０により調整することで、バルブ５３とバルブ５４との間における圧力の急上昇をより確実に抑制できる。 Controlling the pumping section 40 to increase the pressure between the valve 53 and the valve 54, which is reduced by opening the valve 53, is a valve as compared to the pressure acting on the treatment liquid before the valve 54 is opened. It may include controlling the pressurizing section 60 so that the pressure acting on the treatment liquid increases after the 54 is opened. In this case, by adjusting the timing for increasing the pressure between the valve 53 and the valve 54 by the pressurizing unit 60, it is possible to more reliably suppress the sudden increase in the pressure between the valve 53 and the valve 54.

コントローラ１００Ａとして例示したように、コントローラ１００は、バルブ５３が開き、バルブ５４が閉じた状態にて、第一圧力に比較して高い第二圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することと、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となった状態でバルブ５３を閉じることと、を更に実行するように構成され、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力に比較して低い第一圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを、バルブ５３とバルブ５４との間の圧力が第二圧力となっている状態で実行してもよい。この場合、バルブ５３を開く際における圧力を、圧送部４０とバルブ５３との間、及びバルブ５３とバルブ５４との間の両方で安定させることにより、バルブ５３を開いた後、バルブ５４を開くまでの処理液の圧力推移の再現性を更に高めることができる。 As illustrated as the controller 100A, the controller 100 applies pressure to the treatment liquid in the tank 71 with a second pressure higher than the first pressure in a state where the valve 53 is open and the valve 54 is closed. It is configured to further execute the control of the pressure unit 60 and the closing of the valve 53 when the pressure between the valve 53 and the valve 54 becomes the second pressure, and the valve 53 and the valve 54 Controlling the pressurizing unit 60 so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with a first pressure lower than the pressure between the two, the pressure between the valve 53 and the valve 54 becomes the second pressure. You may execute it in the state of. In this case, by stabilizing the pressure at the time of opening the valve 53 both between the pumping unit 40 and the valve 53 and between the valve 53 and the valve 54, the valve 53 is opened and then the valve 54 is opened. It is possible to further improve the reproducibility of the pressure transition of the treatment liquid up to.

コントローラ１００は、バルブ５３及びバルブ５４が開いた状態にて、第三圧力でタンク７１内の処理液を加圧するように加圧部６０を制御することを更に実行するように構成されていてもよく、第二圧力は第三圧力に比較して低くてもよい。この場合、バルブ５３を開く際における圧力の急変を抑制することで、バルブ５３を開いた後、バルブ５４を開くまでの処理液の圧力推移の再現性を更に高めることができる。 Even if the controller 100 is configured to further control the pressurizing unit 60 so as to pressurize the processing liquid in the tank 71 with the third pressure while the valve 53 and the valve 54 are open. Often, the second pressure may be lower than the third pressure. In this case, by suppressing a sudden change in pressure when the valve 53 is opened, it is possible to further improve the reproducibility of the pressure transition of the processing liquid after opening the valve 53 until the valve 54 is opened.

圧送部４０は、加圧部６０による圧力を遮断するためのバルブ７５を更に有し、バルブ７４を開くことは、バルブ７４が閉じてバルブ７５が開いた状態を、バルブ７５が閉じてバルブ７４が開いた状態に切り替えることを含んでもよい。この場合、加圧部６０によるタンク７１内の加圧を遮断した状態でタンク７１内の圧力を解放することで、圧送部４０とバルブ５３との間の圧力をより迅速に低下させることができる。 The pumping unit 40 further has a valve 75 for shutting off the pressure generated by the pressurizing unit 60, and opening the valve 74 means that the valve 74 is closed and the valve 75 is open, and the valve 75 is closed and the valve 74 is opened. May include switching to the open state. In this case, the pressure in the tank 71 can be reduced more quickly by releasing the pressure in the tank 71 while the pressurization in the tank 71 by the pressurizing unit 60 is cut off. ..

圧送部４０は、それぞれがタンク７１及びバルブ７４，７５を有する複数の圧送系統７０を有し、送液管路５０は、複数の圧送系統７０にそれぞれ対応する複数のバルブ５３を有してもよい。コントローラ１００は、複数の圧送系統７０のうち、アクティブ状態の圧送系統７０をバルブ５３及びバルブ７５により切り替えることを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、バルブ５３及びバルブ７５を、アクティブ状態の圧送系統７０の切り替えと、処理液の吐出開始時における圧力の調整とに兼用することで、装置構成の簡素化を図ることができる。 Even if the pumping unit 40 has a plurality of pumping systems 70 each having a tank 71 and valves 74 and 75, and the liquid feeding line 50 has a plurality of valves 53 corresponding to the plurality of pumping systems 70, respectively. Good. The controller 100 may be configured to further switch the active pumping system 70 among the plurality of pumping systems 70 by the valves 53 and 75. In this case, the valve 53 and the valve 75 are also used for switching the pumping system 70 in the active state and adjusting the pressure at the start of discharging the processing liquid, so that the device configuration can be simplified.

塗布ユニット２０は、ウェハＷを保持して回転させる回転保持機構２１と、ノズル２２を移動させるノズル移動機構２３とを更に備えてもよい。コントローラ１００は、ウェハＷを回転させながらノズル２２を移動させることで、ノズル２２から吐出された処理液がウェハＷにらせん状に塗布されるように回転保持機構２１及びノズル移動機構２３を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、処理液をウェハＷにらせん状に塗布する方式（以下、「スパイラル塗布方式」という。）で液膜を形成することが実行される。スパイラル塗布方式においては、ウェハＷの回転中心ＲＣに供給した処理液を遠心力により外周側に塗り広げる方式で液膜を形成する場合に比較して、処理液の供給量の乱れが膜厚の均一性に影響し易い。このため、コントローラ１００がスパイラル塗布方式の制御を実行する場合、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。 The coating unit 20 may further include a rotation holding mechanism 21 for holding and rotating the wafer W, and a nozzle moving mechanism 23 for moving the nozzle 22. The controller 100 controls the rotation holding mechanism 21 and the nozzle moving mechanism 23 so that the processing liquid discharged from the nozzle 22 is spirally applied to the wafer W by moving the nozzle 22 while rotating the wafer W. It may be configured to do more. In this case, the liquid film is formed by a method of spirally applying the processing liquid to the wafer W (hereinafter, referred to as “spiral coating method”). In the spiral coating method, the turbulence in the supply amount of the treatment liquid is more turbulent than in the case of forming a liquid film by spreading the treatment liquid supplied to the rotation center RC of the wafer W to the outer peripheral side by centrifugal force. It easily affects the uniformity. Therefore, when the controller 100 executes the control of the spiral coating method, it is more beneficial to be able to suppress the overshoot of the discharge amount of the processing liquid.

ノズル２２から吐出された処理液がらせん状に塗布されるように回転保持機構２１及びノズル移動機構２３を制御することは、処理液の吐出を開始したノズル２２をウェハＷの回転中心ＲＣから外周側に移動させるようにノズル移動機構２３を制御することを含んでもよい。 Controlling the rotation holding mechanism 21 and the nozzle moving mechanism 23 so that the processing liquid discharged from the nozzle 22 is spirally applied causes the nozzle 22 that has started discharging the treatment liquid to be outer circumference from the rotation center RC of the wafer W. It may include controlling the nozzle moving mechanism 23 so as to move it to the side.

ノズル２２を回転保持機構２１の回転中心ＲＣ側から外周側に移動させる場合には、ノズル２２からの吐出開始時における処理液がウェハＷの回転中心ＲＣに塗布されることになる。このため、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。 When the nozzle 22 is moved from the rotation center RC side of the rotation holding mechanism 21 to the outer peripheral side, the processing liquid at the start of ejection from the nozzle 22 is applied to the rotation center RC of the wafer W. Therefore, it is more beneficial to be able to suppress the overshoot of the discharge amount of the treatment liquid.

なお、スパイラル方式で処理液を塗布する場合には、膜厚の均一性を向上させるために、ウェハＷを基準としたノズル２２の移動速度を一定にするのが望ましい。そのためには、ウェハＷの回転中心ＲＣに処理液を供給する際に比較して、ウェハＷの外周側に処理液を供給する際のウェハＷの回転速度を高くする必要がある。このような制御を前提とする場合、処理液をらせん状に塗布するためにノズル２２をウェハＷの外周側から回転中心ＲＣ側に移動させると、ウェハＷの外周側に供給された処理液に作用する遠心力は、ノズル２２がウェハＷの回転中心ＲＣに近付くにつれて大きくなる。このため、既に塗布した処理液の流動が生じ易くなる。これに対し、ノズル２２を回転保持機構２１の回転中心ＲＣ側から外周側に移動させると、ウェハＷの回転中心ＲＣ側に供給された処理液に作用する遠心力は、ノズル２２がウェハＷの外周側に移動するにつれて小さくなる。このため、既に塗布した処理液の流動が生じ難くなる。このような観点でも、ノズル２２をウェハＷの回転中心ＲＣ側から外周側に移動させることは膜厚の均一性向上に有効である。 When the treatment liquid is applied by the spiral method, it is desirable to keep the moving speed of the nozzle 22 with respect to the wafer W constant in order to improve the uniformity of the film thickness. For that purpose, it is necessary to increase the rotation speed of the wafer W when supplying the processing liquid to the outer peripheral side of the wafer W as compared with the case of supplying the processing liquid to the rotation center RC of the wafer W. On the premise of such control, when the nozzle 22 is moved from the outer peripheral side of the wafer W to the rotation center RC side in order to apply the processing liquid in a spiral shape, the processing liquid supplied to the outer peripheral side of the wafer W is supplied. The acting centrifugal force increases as the nozzle 22 approaches the rotation center RC of the wafer W. Therefore, the already applied treatment liquid tends to flow. On the other hand, when the nozzle 22 is moved from the rotation center RC side of the rotation holding mechanism 21 to the outer peripheral side, the centrifugal force acting on the processing liquid supplied to the rotation center RC side of the wafer W is such that the nozzle 22 has the wafer W. It becomes smaller as it moves to the outer peripheral side. Therefore, it becomes difficult for the already applied treatment liquid to flow. From this point of view, moving the nozzle 22 from the rotation center RC side of the wafer W to the outer peripheral side is effective in improving the uniformity of the film thickness.

塗布ユニット２０は、ノズル２２から吐出された処理液がウェハＷに到達したことを検出する接液検出機構９０を更に備えてもよく、ノズル２２から吐出された処理液がらせん状に塗布されるように回転保持機構２１及びノズル移動機構２３を制御することは、接液検出機構９０により処理液の到達が検出された後に、ノズル２２の移動を開始するようにノズル移動機構２３を制御することを含んでもよい。この場合、処理液がウェハＷに到達する前にノズル２２が移動してしまうこと、又は処理液がウェハＷに到達した後にノズル２２の移動が遅れることに起因して、ウェハＷの回転中心ＲＣ近傍における膜厚の乱れが生じることが抑制される。従って、膜厚の均一性を更に向上させることができる。 The coating unit 20 may further include a liquid contact detection mechanism 90 for detecting that the processing liquid discharged from the nozzle 22 has reached the wafer W, and the processing liquid discharged from the nozzle 22 is spirally applied. To control the rotation holding mechanism 21 and the nozzle moving mechanism 23 as described above, the nozzle moving mechanism 23 is controlled so as to start the movement of the nozzle 22 after the arrival of the processing liquid is detected by the liquid contact detection mechanism 90. May include. In this case, the rotation center RC of the wafer W is caused by the nozzle 22 moving before the processing liquid reaches the wafer W, or the movement of the nozzle 22 being delayed after the processing liquid reaches the wafer W. Disturbance of the film thickness in the vicinity is suppressed. Therefore, the uniformity of the film thickness can be further improved.

圧送部４０は、粘度が５００〜７０００ｃPの処理液を圧送するように構成されていてもよい。粘度が５００〜７０００ｃＰの処理液を用いる場合、これよりも粘度の低い処理液を用いる場合に比較して、ノズル２２からの処理液の吐出量に制御上の応答遅れが生じ易いので、吐出量が不安定になり易い。このため、処理液の吐出量のオーバーシュートを抑制できることがより有益である。 The pumping unit 40 may be configured to pump a treatment liquid having a viscosity of 500 to 7000 cP. When a treatment liquid having a viscosity of 500 to 7000 cP is used, a control response delay is likely to occur in the discharge amount of the treatment liquid from the nozzle 22 as compared with the case where a treatment liquid having a viscosity lower than this is used. Is prone to instability. Therefore, it is more beneficial to be able to suppress the overshoot of the discharge amount of the treatment liquid.

以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。上述した塗布手順の適用対象は必ずしもレジスト液の塗布ユニットに限られず、基板の表面に処理液の液膜を形成する装置であればどのような装置にも適用可能である。処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。 Although the embodiments have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist thereof. The application target of the above-mentioned coating procedure is not necessarily limited to the coating unit of the resist liquid, and can be applied to any device as long as it forms a liquid film of the treatment liquid on the surface of the substrate. The substrate to be processed is not limited to the semiconductor wafer, and may be, for example, a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display), or the like.

２…塗布・現像装置（基板処理装置）、１００，１００Ａ…コントローラ、２１…回転保持機構、２２…ノズル、２３…ノズル移動機構、４０…圧送部、５０…送液管路、６０…加圧部、７０…圧送系統、７１…タンク、６１…調圧バルブ、７４…バルブ（第三バルブ）、７５…バルブ（第四バルブ）、５３…バルブ（第一バルブ）、５４…バルブ（第二バルブ）、９０…接液検出機構。 2 ... Coating / developing device (board processing device), 100, 100A ... Controller, 21 ... Rotation holding mechanism, 22 ... Nozzle, 23 ... Nozzle moving mechanism, 40 ... Pumping section, 50 ... Liquid feeding conduit, 60 ... Pressurizing Part, 70 ... Pumping system, 71 ... Tank, 61 ... Pressure regulating valve, 74 ... Valve (third valve), 75 ... Valve (fourth valve), 53 ... Valve (first valve), 54 ... Valve (second valve) Valve), 90 ... Liquid contact detection mechanism.

Claims (22)

基板に処理液を吐出するノズルと、
前記ノズル側に前記処理液を圧送する圧送部と、
前記圧送部側から前記ノズル側に並ぶ第一バルブ及び第二バルブを有し、前記圧送部から前記ノズルに前記処理液を導く送液管路と、
コントローラとを備え、
前記コントローラは、
前記第二バルブが閉じ、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力に比較して前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が高い状態にて前記第一バルブを開くことと、
前記第一バルブが開くことで前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が低下している際に前記圧送部における前記処理液の圧力を上昇させることと、
前記圧送部における前記処理液の圧力を上昇させた後に、前記第二バルブを開くことと、を実行するように構成されている、基板処理装置。 A nozzle that discharges the processing liquid to the substrate and
A pumping unit that pumps the treatment liquid to the nozzle side,
A liquid feeding pipeline having a first valve and a second valve lined up from the pumping section side to the nozzle side and guiding the processing liquid from the pumping section to the nozzle.
Equipped with a controller
The controller
The first valve is opened when the second valve is closed and the pressure between the first valve and the second valve is higher than the pressure between the pumping unit and the first valve. When,
And Turkey raises the pressure of the treatment liquid in the pumping unit when the pressure is reduced between the first valve and the second valve by the first valve is opened,
Wherein after increasing the pressure of the treatment liquid in the pumping unit is configured to perform, and to open the second valve, the substrate processing apparatus. 前記コントローラは、前記第一バルブと前記第二バルブとが閉じた状態にて、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することを更に実行するように構成されている、請求項１記載の基板処理装置。 In the state where the first valve and the second valve are closed, the controller is located between the pumping unit and the first valve as compared with the pressure between the first valve and the second valve. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising controlling the pumping unit so as to reduce the pressure of the valve. 前記圧送部は、前記処理液を収容するタンクと、前記タンク内の前記処理液を前記ノズル側に加圧する加圧部と、前記タンク内の圧力を解放するための第三バルブとを有し、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することは、前記第三バルブを開くことを含む、請求項２記載の基板処理装置。 The pressure feeding unit has a tank for accommodating the processing liquid, a pressure unit for pressurizing the processing liquid in the tank to the nozzle side, and a third valve for releasing the pressure in the tank. ,
Controlling the pumping section so that the pressure between the pumping section and the first valve is lower than the pressure between the first valve and the second valve causes the third valve to be controlled. The substrate processing apparatus according to claim 2, which comprises opening. 前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することは、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを含み、
前記コントローラは、前記第二バルブが閉じ、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力に比較して前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が高い状態にて前記第一バルブを開くことを、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力が前記第一圧力となっている状態で実行する、請求項３記載の基板処理装置。 Controlling the pressure feeding unit so that the pressure between the pressure feeding unit and the first valve is lower than the pressure between the first valve and the second valve is the same as that of the first valve. Including controlling the pressurizing section to pressurize the treatment liquid in the tank with a first pressure lower than the pressure between the second valve.
In the controller, the first valve is closed and the pressure between the first valve and the second valve is higher than the pressure between the pumping unit and the first valve. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the valve is opened in a state where the pressure between the pumping unit and the first valve is the first pressure. 前記第一バルブが開くことで前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が低下している際に前記圧送部における前記処理液の圧力を上昇させることは、前記タンク内の前記処理液に作用する圧力を上昇させるように前記加圧部を制御することを含む、請求項４記載の基板処理装置。 Wherein the first Turkey to increase the pressure of the treatment liquid in the pumping unit when the pressure between the valve and the first valve by opening said second valve is reduced, in the tank The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising controlling the pressurizing unit so as to increase the pressure acting on the processing liquid. 前記コントローラは、
前記第一バルブが開き、前記第二バルブが閉じた状態にて、前記第一圧力に比較して高い第二圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することと、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が前記第二圧力となった状態で前記第一バルブを閉じることと、を更に実行するように構成され、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が前記第二圧力となっている状態で実行する、請求項４又は５記載の基板処理装置。 The controller
With the first valve open and the second valve closed, the pressurizing section is controlled so as to pressurize the treatment liquid in the tank with a second pressure higher than the first pressure. That and
It is configured to further perform closing the first valve with the pressure between the first valve and the second valve becoming the second pressure.
Controlling the pressurizing portion so as to pressurize the processing liquid in the tank with a first pressure lower than the pressure between the first valve and the second valve is defined as the first valve. The substrate processing apparatus according to claim 4 or 5, which is executed in a state where the pressure between the second valve and the second valve is the second pressure. 前記コントローラは、
前記第一バルブ及び前記第二バルブが開いた状態にて、第三圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを更に実行するように構成され、
前記第二圧力は前記第三圧力に比較して低い、請求項６記載の基板処理装置。 The controller
With the first valve and the second valve open, it is configured to further control the pressurizing section so as to pressurize the treatment liquid in the tank with a third pressure.
The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the second pressure is lower than the third pressure. 前記圧送部は、前記加圧部による圧力を遮断するための第四バルブを更に有し、
前記第三バルブを開くことは、前記第三バルブが閉じて前記第四バルブが開いた状態を、前記第四バルブが閉じて前記第三バルブが開いた状態に切り替えることを含む、請求項３〜７のいずれか一項記載の基板処理装置。 The pumping section further has a fourth valve for shutting off the pressure generated by the pressurizing section.
3. The opening of the third valve includes switching the state in which the third valve is closed and the fourth valve is open to the state in which the fourth valve is closed and the third valve is open. 7. The substrate processing apparatus according to any one of 7. 前記圧送部は、それぞれが前記タンク、前記第三バルブ及び前記第四バルブを有する複数の圧送系統を有し、
前記送液管路は、前記複数の圧送系統にそれぞれ対応する複数の前記第一バルブを有し、
前記コントローラは、
前記複数の圧送系統のうち、前記ノズルに前記処理液を供給する圧送系統を前記第一バルブ及び前記第四バルブにより切り替えることを更に実行するように構成されている、請求項８記載の基板処理装置。 The pumping unit has a plurality of pumping systems, each having the tank, the third valve and the fourth valve.
The liquid feed line has a plurality of the first valves corresponding to the plurality of pumping systems, respectively.
The controller
The substrate treatment according to claim 8, wherein among the plurality of pumping systems, the pumping system for supplying the processing liquid to the nozzle is further switched by the first valve and the fourth valve. apparatus. 前記基板を保持して回転させる回転保持機構と、
前記ノズルを移動させるノズル移動機構とを更に備え、
前記コントローラは、
前記基板を回転させながら前記ノズルを移動させることで、前記ノズルから吐出された前記処理液が前記基板にらせん状に塗布されるように前記回転保持機構及び前記ノズル移動機構を制御することを更に実行するように構成されている、請求項１〜９のいずれか一項記載の基板処理装置。 A rotation holding mechanism that holds and rotates the substrate,
Further equipped with a nozzle moving mechanism for moving the nozzle,
The controller
Further, by moving the nozzle while rotating the substrate, the rotation holding mechanism and the nozzle moving mechanism are further controlled so that the processing liquid discharged from the nozzle is spirally applied to the substrate. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, which is configured to be executed. 前記ノズルから吐出された前記処理液がらせん状に塗布されるように前記回転保持機構及び前記ノズル移動機構を制御することは、前記処理液の吐出を開始した前記ノズルを前記基板の回転中心から外周側に移動させるように前記ノズル移動機構を制御することを含む、請求項１０記載の基板処理装置。 Controlling the rotation holding mechanism and the nozzle moving mechanism so that the treatment liquid discharged from the nozzle is spirally applied means that the nozzle that has started discharging the treatment liquid is ejected from the rotation center of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 10, further comprising controlling the nozzle moving mechanism so as to move the nozzle to the outer peripheral side. 前記ノズルから吐出された前記処理液が前記基板に到達したことを検出する接液検出機構を更に備え、
前記ノズルから吐出された前記処理液がらせん状に塗布されるように前記回転保持機構及び前記ノズル移動機構を制御することは、前記接液検出機構により前記処理液の到達が検出された後に、前記ノズルの移動を開始するように前記ノズル移動機構を制御することを含む、請求項１１記載の基板処理装置。 A liquid contact detection mechanism for detecting that the treatment liquid discharged from the nozzle has reached the substrate is further provided.
Controlling the rotation holding mechanism and the nozzle moving mechanism so that the treatment liquid discharged from the nozzle is spirally applied is performed after the arrival of the treatment liquid is detected by the liquid contact detection mechanism. The substrate processing apparatus according to claim 11, further comprising controlling the nozzle movement mechanism so as to start the movement of the nozzle. 前記圧送部は、粘度が５００〜７０００ｃPの前記処理液を圧送するように構成されている、請求項１〜１２のいずれか一項記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 12, wherein the pumping unit is configured to pump the processing liquid having a viscosity of 500 to 7000 cP. 基板に処理液を吐出するノズルと、前記ノズル側に前記処理液を圧送する圧送部と、前記圧送部側から前記ノズル側に並ぶ第一バルブ及び第二バルブを有し、前記圧送部から前記ノズルに前記処理液を導く送液管路とを備える基板処理装置を用い、
前記第二バルブが閉じ、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力に比較して前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が高い状態にて前記第一バルブを開くことと、
前記第一バルブが開くことで前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が低下している際に前記圧送部における前記処理液の圧力を上昇させることと、
前記圧送部における前記処理液の圧力を上昇させた後に、前記第二バルブを開くことと、を含む基板処理方法。 It has a nozzle that discharges the processing liquid to the substrate, a pumping unit that pumps the processing liquid to the nozzle side, and a first valve and a second valve that are lined up from the pumping unit side to the nozzle side. Using a substrate processing device provided with a liquid feeding line for guiding the processing liquid to the nozzle,
The first valve is opened when the second valve is closed and the pressure between the first valve and the second valve is higher than the pressure between the pumping unit and the first valve. When,
And Turkey raises the pressure of the treatment liquid in the pumping unit when the pressure is reduced between the first valve and the second valve by the first valve is opened,
The substrate processing method comprising after increasing the pressure of the treatment liquid in the pumping unit, and opening the second valve, the. 前記第一バルブと前記第二バルブとが閉じた状態にて、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することを更に含む、請求項１４記載の基板処理方法。 With the first valve and the second valve closed, the pressure between the pumping unit and the first valve is lower than the pressure between the first valve and the second valve. The substrate processing method according to claim 14, further comprising controlling the pumping unit as described above. 前記圧送部は、前記処理液を収容するタンクと、前記タンク内の前記処理液を前記ノズル側に加圧する加圧部と、前記タンク内の圧力を解放するための第三バルブとを有し、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することは、前記第三バルブを開くことを含む、請求項１５記載の基板処理方法。 The pressure feeding unit has a tank for accommodating the processing liquid, a pressure unit for pressurizing the processing liquid in the tank to the nozzle side, and a third valve for releasing the pressure in the tank. ,
Controlling the pumping section so that the pressure between the pumping section and the first valve is lower than the pressure between the first valve and the second valve causes the third valve to be controlled. The substrate processing method according to claim 15, which comprises opening. 前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力を低くするように前記圧送部を制御することは、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを含み、
前記第二バルブが閉じ、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力に比較して前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が高い状態にて前記第一バルブを開くことを、前記圧送部と前記第一バルブとの間の圧力が前記第一圧力となっている状態で実行する、請求項１６記載の基板処理方法。 Controlling the pressure feeding unit so that the pressure between the pressure feeding unit and the first valve is lower than the pressure between the first valve and the second valve is the same as that of the first valve. Including controlling the pressurizing section to pressurize the treatment liquid in the tank with a first pressure lower than the pressure between the second valve.
The first valve is opened when the second valve is closed and the pressure between the first valve and the second valve is higher than the pressure between the pumping unit and the first valve. 16. The substrate processing method according to claim 16, wherein the pressure between the pumping unit and the first valve is the first pressure. 前記第一バルブが開くことで前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が低下している際に前記圧送部における前記処理液の圧力を上昇させることは、前記タンク内の前記処理液に作用する圧力を上昇させるように前記加圧部を制御することを含む、請求項１７記載の基板処理方法。 Wherein the first Turkey to increase the pressure of the treatment liquid in the pumping unit when the pressure between the valve and the first valve by opening said second valve is reduced, in the tank The substrate processing method according to claim 17, further comprising controlling the pressurizing portion so as to increase the pressure acting on the processing liquid. 前記第一バルブが開き、前記第二バルブが閉じた状態にて、前記第一圧力に比較して高い第二圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することと、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が前記第二圧力となった状態で前記第一バルブを閉じることと、を更に含み、
前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力に比較して低い第一圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを、前記第一バルブと前記第二バルブとの間の圧力が前記第二圧力となっている状態で実行する、請求項１７又は１８記載の基板処理方法。 With the first valve open and the second valve closed, the pressurizing section is controlled so as to pressurize the treatment liquid in the tank with a second pressure higher than the first pressure. That and
Further including closing the first valve when the pressure between the first valve and the second valve becomes the second pressure.
Controlling the pressurizing portion so as to pressurize the processing liquid in the tank with a first pressure lower than the pressure between the first valve and the second valve is defined as the first valve. The substrate processing method according to claim 17 or 18, which is carried out in a state where the pressure between the second valve and the second valve is the second pressure. 前記第一バルブ及び前記第二バルブが開いた状態にて、第三圧力で前記タンク内の前記処理液を加圧するように前記加圧部を制御することを更に含み、
前記第二圧力は前記第三圧力に比較して低い、請求項１９記載の基板処理方法。 Further including controlling the pressurizing portion so as to pressurize the processing liquid in the tank with a third pressure while the first valve and the second valve are open.
The substrate processing method according to claim 19, wherein the second pressure is lower than the third pressure. 粘度が５００〜７０００ｃPの前記処理液を用いる、請求項１５〜２０のいずれか一項記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 15 to 20, wherein the treatment liquid having a viscosity of 500 to 7000 cP is used. 請求項１５〜２１のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。 A computer-readable recording medium on which a program for causing an apparatus to execute the substrate processing method according to any one of claims 15 to 21 is recorded.
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