JP6859007B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
本発明に係る成膜装置において、照射手段により前記基板保持面の電位状態を単一電位にしつつ、電位状態の異なる領域が存在し難くなり、さらに基板ホルダで異常放電を発生することを抑制し、薄膜形成過程の安定性を保証し、成膜品質を向上することができる。
一つの実施形態に記載及び/又は示される特徴について、同一又は類似の態様で、一つ又は複数のほかの実施形態で使用され、ほかの実施形態における特徴と組み合わせ、又はほかの実施形態における特徴を代替することができる。
「含む/含める」という用語は、本文で使用される場合、特徴、部材全体、ステップ或いは部材の存在を指すが、一つ又は複数の他の特徴、部材全体、ステップ或いは部材の存在/付加を除外しない。
Claims (10)
- 真空容器と、
前記真空容器内に位置する、基板を保持するための基板保持面を有する基板ホルダと、
前記真空容器内に位置する、前記基板に薄膜を形成するための成膜手段と、
前記真空容器内に位置する、前記基板へイオンを放射するためのイオン源と、
前記真空容器内に位置する、前記基板へ電子を放射するための電子源と、
前記電子源の放射パラメータを調整する調整手段と、を含み、
前記電子源の放射パラメータを調整することによって、前記電子源から前記基板保持面に放射される電子密度を調整し、
前記放射パラメータは、前記電子源の位置、放射口形状、向き、バイアス電流、個数の少なくとも1つを含み、
前記イオン源及び前記電子源により、前記基板保持面の電位状態が単一電位になることを特徴とする、成膜装置。 - 前記単一電位は負電位、正電位及び零電位の1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記イオン源による前記基板保持面における照射領域は、前記電子源による前記基板保持面における照射領域内に位置することを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記電子源は前記基板保持面の全部の領域を照射し、前記イオン源は前記基板保持面の一部の領域を照射することを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記真空容器の鉛直方向または前記基板ホルダの回転軸線方向に沿って、前記電子源は前記基板保持面の投影範囲内に位置することを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記真空容器に、排気部が設けられており、
前記電子源は前記排気部の前記基板ホルダの運動方向に沿った中間位置に近接して設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。 - 前記成膜手段は2つ以上の電子銃を有する蒸着源を含み、
前記電子源は2つの前記電子銃の間に位置することを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。 - 前記成膜手段は2つ以上の電子銃を有する蒸着源を含み、前記2つの電子銃うち一方の電子銃と前記電子源との距離、前記2つの電子銃うち他方の電子銃と前記電子源との距離は、前記2つの電子銃の間の距離よりも小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 鉛直方向または前記基板ホルダの回転軸線方向に沿って、前記イオン源は前記基板保持面の投影範囲内に位置することを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記成膜装置は、電位検出手段を含み、
前記電位検出手段は前記基板保持面の電位状態を検出し、前記電子源は前記電位状態に基づいて、前記基板保持面に放射される電子密度を調整可能であることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
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