JP6849764B2 - Circuit board and electronic devices equipped with it - Google Patents
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Description
本発明は、回路基板およびこれを備える電子装置に関するものである。 The present invention relates to a circuit board and an electronic device including the circuit board.
周波数をフィルタリングする弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタが、携帯電話やスマートフォン等の移動体通信機器に使用されている。このＳＡＷフィルタは通常、電子部品であるＳＡＷ素子を実装した回路基板をカバーにより封止した構造となっており、ＳＡＷフィルタ内部は真空状態となっている。 Surface Acoustic Wave (SAW) filters that filter frequencies are used in mobile communication devices such as mobile phones and smartphones. This SAW filter usually has a structure in which a circuit board on which a SAW element, which is an electronic component, is mounted is sealed with a cover, and the inside of the SAW filter is in a vacuum state.
このような用途において使用される回路基板は、貫通孔を有する基体と、貫通孔内に位置する導体（以降、貫通導体と記載する）とからなり、この貫通導体がＳＡＷ素子と電気的に接合されている。そして、この貫通導体を介して、外部からＳＡＷ素子に電気信号が入力され、ＳＡＷ素子から外部に電気信号が出力される。 A circuit board used in such an application consists of a substrate having a through hole and a conductor located in the through hole (hereinafter referred to as a through conductor), and this through conductor is electrically bonded to a SAW element. Has been done. Then, an electric signal is input to the SAW element from the outside through the through conductor, and an electric signal is output from the SAW element to the outside.
この構成においては、貫通導体の気密性が十分でない場合、外部から水分や空気等が、貫通導体内を通って、ＳＡＷフィルタ内部へ侵入することで、ＳＡＷ素子の性能が低下するおそれがある。そのため、貫通導体には高い気密性が必要とされている。 In this configuration, if the airtightness of the through conductor is not sufficient, moisture, air, etc. from the outside may enter the inside of the SAW filter through the inside of the through conductor, and the performance of the SAW element may deteriorate. Therefore, the penetrating conductor is required to have high airtightness.
例えば、特許文献１には、貫通導体と貫通孔との間に樹脂を備える構成の回路基板が提案されている。 For example, Patent Document 1 proposes a circuit board having a structure in which a resin is provided between a through conductor and a through hole.
近年、電子装置の薄型化および小型化に向けて、回路基板を構成する基体の厚みを薄くし、貫通孔の径を小さくする傾向にある。しかしながら、基体の厚みを薄くすれば、必然的に貫通孔の長さが短くなる。このように、貫通孔の長さが短くなれば、貫通導体の長さが短くなり、水分や空気等が貫通導体を通り抜け易くなる。それ故、今般において貫通導体には、より高い気密性が求められている。また、貫通孔の径が小さくなっても、貫通導体を介して電気信号を良好に伝達できるように、貫通導体には、電気抵抗が低いことが求められている。 In recent years, there has been a tendency to reduce the thickness of the substrate constituting the circuit board and the diameter of the through hole in order to reduce the thickness and size of the electronic device. However, if the thickness of the substrate is reduced, the length of the through hole is inevitably shortened. As described above, when the length of the through hole is shortened, the length of the through conductor is shortened, and moisture, air, etc. can easily pass through the through conductor. Therefore, the penetrating conductor is now required to have higher airtightness. Further, the through conductor is required to have low electric resistance so that an electric signal can be satisfactorily transmitted through the through conductor even if the diameter of the through hole is reduced.
本発明は、上記課題を解決すべく案出されたものであり、電気信号を良好に伝達できるとともに、搭載素子が有する性能を維持することができる回路基板およびこれを備える電子装置を提供するものである。 The present invention has been devised to solve the above problems, and provides a circuit board capable of transmitting electric signals satisfactorily and maintaining the performance of the mounted element, and an electronic device including the same. Is.
本発明の回路基板は、貫通孔を有するセラミック基体と、前記貫通孔内に位置し、ＡｇまたはＣｕが主成分である貫通導体とを有する回路基板であり、前記貫通導体は、粒径が２μｍ以上の第１の粒子と粒径が３００ｎｍ以下の第２の粒子とを含有し、該第２の粒子が、前記第１の粒子同士の間および前記第１の粒子と前記貫通孔の内壁との間に存在することを特徴とするものである。 The circuit board of the present invention is a circuit board having a ceramic substrate having a through hole and a through conductor located in the through hole and containing Ag or Cu as a main component, and the through conductor has a particle size of 2 μm. The first particles and the second particles having a particle size of 300 nm or less are contained, and the second particles are between the first particles and between the first particles and the inner wall of the through hole. It is characterized by being present between.
また、本発明の電子装置は、上記回路基板と、該回路基板上に位置する金属部材と、該
金属部材上に位置する電子部品とを備えることを特徴とするものである。
Further, the electronic device of the present invention is characterized by including the circuit board, a metal member located on the circuit board, and an electronic component located on the metal member.
本発明の回路基板は、電気信号を良好に伝達できるとともに、搭載素子が有する性能を維持することができる。 The circuit board of the present invention can satisfactorily transmit an electric signal and can maintain the performance of the mounted element.
また、本発明の電子装置は、上記回路基板を備えるものであることから、長期間にわたって電子部品が保有する性能を発揮することができるため、高い信頼性を有する。 Further, since the electronic device of the present invention includes the above circuit board, it can exhibit the performance possessed by the electronic component for a long period of time, and therefore has high reliability.
以下に本実施形態の回路基板およびこれを備える電子装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, the circuit board of the present embodiment and the electronic device provided with the circuit board will be described in detail with reference to the drawings.
まず、本実施形態の回路基板を備える電子装置の一例について、図１を参照しながら説明する。 First, an example of an electronic device including the circuit board of the present embodiment will be described with reference to FIG.
本実施形態の電子装置２０は、回路基板１０と、回路基板１０上に位置する金属部材６と、金属部材６上に位置する電子部品７とを備えている。そして、回路基板１０は、セラミック基体２と、セラミック基体２を厚み方向に貫通する貫通孔１と、貫通孔１内に位置する貫通導体３とを有している。ここで、金属部材６は、貫通孔１内に位置する貫通導体３と電気的に接合されている。
The
そして、図１においては、電子部品７と金属部材６との間に電気端子８を備え、回路基板１０とケース１１とが封止部材９を介して接合されている例を示している。
Then, FIG. 1 shows an example in which an electric terminal 8 is provided between the
本実施形態の電子装置２０は、本実施形態の回路基板１０を備えている構成であることにより、長期間にわたって電子部品７が保有する性能を発揮することができるため、高い信頼性を有する。
Since the
ここで、電子部品７としては、例えば、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料に配線層が形成されてなるＳＡＷ素子等の圧電素子を用いることができる。
Here, as the
また、セラミック基体２には、サファイア、酸化アルミニウム質セラミックス、酸化ジルコニウム質セラミックス、窒化珪素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、またはムライト質セラミックスからなる基体を用いることができる。なお、酸化アルミニウム質セラミックスとは、酸化アルミニウムを主成分としたセラミックスであり、酸化アルミニウムを、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち７０質量％以上含有するものである。他のセラミックスについても同様である。
Further, as the
また、貫通導体３は、ＡｇまたはＣｕを主成分とするものである。貫通導体３における主成分とは、貫通導体３を構成する全成分１００質量％のうち９０質量％以上含有する成分のことである。 Further, the penetrating conductor 3 contains Ag or Cu as a main component. The main component of the through conductor 3 is a component contained in an amount of 90% by mass or more out of 100% by mass of all the components constituting the through conductor 3.
また、金属部材６は、主成分がＡｇ、Ｓｎのいずれかからなればよい。なお、ここでの主成分とは、金属部材６を構成する全成分１００質量％のうち５０質量％を超えて含有する成分のことである。このような金属部材６としては、例えばＡｇ−Ｓｎ系のはんだが挙
げられる。
Further, the main component of the metal member 6 may be either Ag or Sn. The main component here is a component contained in excess of 50% by mass out of 100% by mass of all the components constituting the metal member 6. Examples of such a metal member 6 include Ag—Sn-based solder.
また、ケース１１の材質は、特に限定されるものではないが、セラミック基体２と同じ材質であるか、コバールからなることが好ましい。そして、封止部材９は、セラミック基体２とケース１１とを接合できればよく、ガラスや樹脂等であればよい。
The material of the
なお、セラミック基体２に、金属部材６以外の非常に細い配線層（図示しない）を形成する場合には、セラミック基体２としてサファイアからなる基体を用いることが好ましい。これは、サファイアからなる基体は、表面の開気孔が少ないため、配線層を非常に細く形成することができるためである。
When a very thin wiring layer (not shown) other than the metal member 6 is formed on the
次に、本実施形態の回路基板を構成する貫通導体について、図１のＳ部の拡大図である図２を参照しながら説明する。 Next, the through conductor constituting the circuit board of the present embodiment will be described with reference to FIG. 2, which is an enlarged view of the S portion of FIG.
本実施形態の回路基板１０を構成する貫通導体３は、上述したようにＡｇまたはＣｕを主成分とするものである。そして、図２に示すように、貫通導体３は、粒径が２μｍ以上の第１の粒子４と粒径が３００ｎｍ以下の第２の粒子５とを含有し、第２の粒子５が、第１の粒子４同士の間および第１の粒子４と貫通孔１の内壁との間に存在する。なお、第１の粒子４および第２の粒子５は、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属粒子である。このような構成を満たすことで、貫通導体３は、電気抵抗が低く、高い気密性を有する。このように、電気抵抗が低くなるのは、ＡｇまたはＣｕを主成分とする粒径が大きい第１の粒子４が存在することによる。また、高い気密性を有するのは、隙間となる第１の粒子４同士の間および第１の粒子４と貫通孔１の内壁との間を粒径が小さい第２の粒子５で埋めていることによる。 As described above, the through conductor 3 constituting the circuit board 10 of the present embodiment contains Ag or Cu as a main component. Then, as shown in FIG. 2, the through conductor 3 contains a first particle 4 having a particle size of 2 μm or more and a second particle 5 having a particle size of 300 nm or less, and the second particle 5 is a second particle. It exists between the particles 4 of 1 and between the first particle 4 and the inner wall of the through hole 1. The first particle 4 and the second particle 5 are metal particles containing Ag or Cu as a main component. By satisfying such a configuration, the through conductor 3 has low electrical resistance and high airtightness. As described above, the low electric resistance is due to the presence of the first particles 4 having a large particle size containing Ag or Cu as a main component. Further, what has high airtightness is that the gap between the first particles 4 and the space between the first particle 4 and the inner wall of the through hole 1 are filled with the second particle 5 having a small particle size. It depends.
これにより、本実施形態の回路基板１０は、電気信号を良好に伝達できるとともに、搭載素子が有する性能を維持することができる。 As a result, the circuit board 10 of the present embodiment can satisfactorily transmit an electric signal and can maintain the performance of the mounted element.
そして、第１の粒子４および第２の粒子５は、副成分として、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＳｎまたはＺｎのうち少なくとも１種を含有していてもよい。なお、第１の粒子４および第２の粒子５は、主成分とする金属が異なっていても構わないが、貫通導体３を緻密化させる観点からは、同一であることが好ましい。 The first particle 4 and the second particle 5 may contain at least one of Zr, Ti, Mo, Sn or Zn as a sub-component. The first particle 4 and the second particle 5 may have different metals as main components, but are preferably the same from the viewpoint of densifying the through conductor 3.
ここで、第１の粒子４および第２の粒子５の存在の確認は、以下の方法で行なえばよい。まず、図２に示すような断面形状となるように、回路基板１０を切断し、クロスセクションポリッシャー（ＣＰ）を用いて研磨することで研磨面を得る。次に、この研磨面を測定面とし、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）を用いて面分析を行なう。そして、面分析のカラーマッピングにより、ＡｇまたはＣｕの存在が確認され、その存在位置において、他の領域よりも多くＯ（酸素）が存在していない粒子を、ＡｇまたはＣｕが主成分である粒子とみなす。 Here, the existence of the first particle 4 and the second particle 5 may be confirmed by the following method. First, the circuit board 10 is cut so as to have a cross-sectional shape as shown in FIG. 2, and polished with a cross section polisher (CP) to obtain a polished surface. Next, using this polished surface as the measurement surface, surface analysis is performed using an electron probe microanalyzer (EPMA). Then, the presence of Ag or Cu is confirmed by the color mapping of the surface analysis, and the particles in which O (oxygen) is not present in the presence position more than in other regions are selected as the particles containing Ag or Cu as the main component. Consider it as.
次に、上述した面分析を行なった範囲と同じ箇所について走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した画像または写真を用いて、カラーマッピングの結果からみなした粒子の輪郭を黒く縁取る。次に、縁取りを行なった画像または写真を用いて、画像解析ソフト「Ａ像くん」（登録商標、旭化成エンジニアリング（株）製、なお、以降に画像解析ソフト「Ａ像くん」と記した場合、旭化成エンジニアリング（株）製の画像解析ソフトを示すものとする。）の粒子解析という手法を適用して画像解析することにより、粒子の粒径を算出する。そして、粒径が２μｍ以上の粒子が第１の粒子４であり、粒径が３００ｎｍ以下の粒子が第２の粒子５である。なお、「Ａ像くん」の解析条件としては、例えば粒子の明度を「暗」、２値化の方法を「自動」とすればよい。 Next, using an image or a photograph taken with a scanning electron microscope (SEM) for the same area as the area where the surface analysis was performed described above, the outline of the particles determined from the result of color mapping is outlined in black. Next, when the image analysis software "A image-kun" (registered trademark, manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd., and subsequently referred to as the image analysis software "A image-kun"" is described using the image or photograph with the border. Image analysis software manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.) is applied to perform image analysis to calculate the particle size of the particles. The particles having a particle size of 2 μm or more are the first particles 4, and the particles having a particle size of 300 nm or less are the second particles 5. As the analysis condition of "A image-kun", for example, the brightness of the particles may be "dark" and the binarization method may be "automatic".
また、貫通導体３において、第１の粒子４と第２の粒子５とにおける面積比は、９８．５：１．５〜９２．５：７．５であることが好ましい。なお、この面積比は、観察領域における第１の粒子４および第２の粒子５のそれぞれの面積を求め、各面積の合計から百分率を算出すればよい。 Further, in the through conductor 3, the area ratio of the first particle 4 to the second particle 5 is preferably 98.5: 1.5 to 92.5: 7.5. For this area ratio, the area of each of the first particle 4 and the second particle 5 in the observation region may be obtained, and the percentage may be calculated from the total of each area.
また、本実施形態の回路基板１０は、第２の粒子５の周囲にＣ（炭素）を主成分とする第３の粒子が存在し、第３の粒子の占める面積が０．５面積％以上１０面積％以下であることが好ましい。このように、第３の粒子が存在し、第３の粒子が占める面積が上記範囲内であるならば、貫通導体３の電気抵抗を高くすることなく、第２の粒子５の周囲に存在する微小な空隙を第３の粒子で埋めることができるため、貫通導体３の気密性がより高くなる。ここで、Ｃを主成分とする第３の粒子とは、第３の粒子を構成する全成分１００質量％のうち、Ｃが６０質量％以上を占めるものである。 Further, in the circuit board 10 of the present embodiment, a third particle containing C (carbon) as a main component is present around the second particle 5, and the area occupied by the third particle is 0.5 area% or more. It is preferably 10 area% or less. As described above, if the third particle exists and the area occupied by the third particle is within the above range, the third particle exists around the second particle 5 without increasing the electric resistance of the through conductor 3. Since the minute voids can be filled with the third particles, the airtightness of the through conductor 3 becomes higher. Here, the third particle containing C as a main component means that C accounts for 60% by mass or more of 100% by mass of all the components constituting the third particle.
また、第３の粒子の存在の確認については、以下の方法で行なえばよい。まず、図２に示すような断面形状となるように、回路基板１０を切断し、ＣＰを用いて研磨することで研磨面を得る。次に、この研磨面を測定面とし、ＥＰＭＡを用いて面分析を行なう。そして、面分析のカラーマッピングにより、Ｃの存在が確認された位置を確認する。次に、上述した面分析を行なった範囲と同じ箇所についてＳＥＭで撮影した画像または写真において、カラーマッピングの結果と照合された粒子を確認する。次に、この粒子の成分を、ＳＥＭ付設のエネルギー分散型Ｘ線分析器（ＥＤＳ）により測定する。そして、得られたＣのピーク強度の半分の高さを超える他の元素のピークが無ければ、この粒子が第３の粒子である。なお、第３の粒子が占める面積は、第３の粒子の輪郭を黒く縁取りした画像または写真を用いて、画像解析ソフト「Ａ像くん」の粒子解析という手法を適用して画像解析することにより、算出することができる。なお、ここで求められる面積は、観察領域における面積を１００面積％とした場合の占有面積のことである。 Further, the existence of the third particle may be confirmed by the following method. First, the circuit board 10 is cut and polished using CP so as to have a cross-sectional shape as shown in FIG. 2 to obtain a polished surface. Next, using this polished surface as the measurement surface, surface analysis is performed using EPMA. Then, the position where the presence of C is confirmed is confirmed by the color mapping of the surface analysis. Next, in the image or photograph taken by SEM about the same area as the area where the surface analysis was performed described above, the particles collated with the result of color mapping are confirmed. Next, the components of the particles are measured by an energy dispersive X-ray analyzer (EDS) attached to the SEM. Then, if there is no peak of another element exceeding half the height of the obtained peak intensity of C, this particle is the third particle. The area occupied by the third particle is obtained by performing image analysis by applying a technique called particle analysis of the image analysis software "A image-kun" using an image or photograph in which the outline of the third particle is bordered in black. , Can be calculated. The area obtained here is the occupied area when the area in the observation area is 100 area%.
また、本実施形態の回路基板１０は、第２の粒子５が、貫通孔１の径の中心側よりも、貫通孔１の径の外周側に多く存在することが好ましい。貫通孔１の径の外周側である第１の粒子４と貫通孔１の内壁との間は、貫通孔１の径の中心側よりも大きな隙間が生じやすいが、第２の粒子５が、貫通孔１の径の外周側に多く存在するときには、第２の粒子５によって大きな隙間が埋められているため、貫通導体３の気密性がより高まる。 Further, in the circuit board 10 of the present embodiment, it is preferable that the second particles 5 are present more on the outer peripheral side of the diameter of the through hole 1 than on the central side of the diameter of the through hole 1. A gap larger than that on the center side of the diameter of the through hole 1 is likely to occur between the first particle 4 on the outer peripheral side of the diameter of the through hole 1 and the inner wall of the through hole 1, but the second particle 5 is formed. When a large amount is present on the outer peripheral side of the diameter of the through hole 1, the large gap is filled with the second particles 5, so that the airtightness of the through conductor 3 is further enhanced.
図２に示すＳ部の拡大図が貫通孔１の中心軸（図示せず）を通る断面であるとき、横方向に確認されるのが貫通孔１の直径であり、中心軸から内壁までが半径であり、中心軸から半径の２／３以内に収まる部分が、貫通導体３における貫通孔１の径の中心側であり、それ以外が貫通孔１の径の外周側である。例えば、貫通孔１の直径が７０μｍである場合は、貫通導体３のうち貫通孔１の径の中心側とは、貫通孔１の径の中心軸から半径２３μｍの円に収まる部分であり、それ以外が、貫通孔１の径の外周側となる。 When the enlarged view of the S portion shown in FIG. 2 is a cross section passing through the central axis (not shown) of the through hole 1, it is the diameter of the through hole 1 that is confirmed in the lateral direction, and the area from the central axis to the inner wall is confirmed. The portion that has a radius and is within 2/3 of the radius from the central axis is the central side of the diameter of the through hole 1 in the through conductor 3, and the other portion is the outer peripheral side of the diameter of the through hole 1. For example, when the diameter of the through hole 1 is 70 μm, the central side of the diameter of the through hole 1 in the through conductor 3 is a portion that fits in a circle with a radius of 23 μm from the central axis of the diameter of the through hole 1. Other than that, it is on the outer peripheral side of the diameter of the through hole 1.
ここで、第２の粒子５が、貫通孔１の径の中心側よりも、貫通孔１の径の外周側に多く存在することの確認は、以下の方法で行なえばよい。まず、図２に示すような断面形状となるように、回路基板１０を切断し、ＣＰを用いて研磨することで研磨面を得る。次に、この研磨面を測定面とし、この測定面のうちで、貫通孔１の径の中心側および貫通孔１の径の外周側のそれぞれにおいて、ＳＥＭを用いて１０００〜５０００倍の倍率で観察する。具体的には、面積が４００μｍ２（例えば、横方向の長さが２０μｍ、縦方向の長さが２０μｍ）となる範囲を撮影する。そして、上述した第２の粒子５の存在の確認のときと同じ方法により、第２の粒子５の存在を確認し、それぞれの観察領域における第２の粒子５の個数を比較すればよい。 Here, it may be confirmed by the following method that more of the second particles 5 are present on the outer peripheral side of the diameter of the through hole 1 than on the central side of the diameter of the through hole 1. First, the circuit board 10 is cut and polished using CP so as to have a cross-sectional shape as shown in FIG. 2 to obtain a polished surface. Next, this polished surface is used as a measurement surface, and among the measurement surfaces, on each of the center side of the diameter of the through hole 1 and the outer peripheral side of the diameter of the through hole 1, SEM is used at a magnification of 1000 to 5000 times. Observe. Specifically, a range in which the area is 400 μm 2 (for example, the length in the horizontal direction is 20 μm and the length in the vertical direction is 20 μm) is photographed. Then, the existence of the second particle 5 may be confirmed and the number of the second particles 5 in each observation region may be compared by the same method as in the case of confirming the existence of the second particle 5 described above.
また、本実施形態の回路基板１０は、貫通導体３が、ＳｎまたはＣｕの酸化物を含有することが好ましい。ここで、Ｓｎの酸化物とは、ＳｎＯのことである。そして、Ｃｕの酸化物とは、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏのことである。このように、貫通導体３が、ＳｎまたはＣｕの酸化物を含有していれば、貫通導体３となる金属ペーストを焼成させてなる貫通導体３において、焼成時の金属ペーストの体積収縮が小さいものとなるため、貫通孔１の内壁と貫通導体３との間の隙間を少なくすることができ、貫通導体３の気密性が向上する。ここで、ＳｎまたはＣｕの酸化物は、その粒径の大きさは、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下である。そして、気密性向上の観点からは、ＳｎまたはＣｕの酸化物の占める面積が、２面積％以上８面積％以下であることから好ましい。 Further, in the circuit board 10 of the present embodiment, it is preferable that the through conductor 3 contains an oxide of Sn or Cu. Here, the oxide of Sn is SnO. Then, the oxide of Cu, is that of CuO, Cu 2 O. As described above, when the penetrating conductor 3 contains an oxide of Sn or Cu, the penetrating conductor 3 formed by firing the metal paste to be the penetrating conductor 3 has a small volume shrinkage of the metal paste at the time of firing. Therefore, the gap between the inner wall of the through hole 1 and the through conductor 3 can be reduced, and the airtightness of the through conductor 3 is improved. Here, the size of the particle size of the Sn or Cu oxide is, for example, 3 μm or more and 10 μm or less. From the viewpoint of improving airtightness, the area occupied by the oxide of Sn or Cu is preferably 2 area% or more and 8 area% or less.
また、ＳｎまたはＣｕの酸化物の存在の確認については、以下の方法で行なえばよい。まず、図２に示すような断面形状となるように、回路基板１０を切断し、ＣＰを用いて研磨することで研磨面を得る。次に、この研磨面を測定面とし、ＥＰＭＡを用いて面分析を行なう。そして、面分析のカラーマッピングにより、ＳｎまたはＣｕとＯとが同じ箇所に存在する粒子が、ＳｎまたはＣｕの酸化物である。なお、ＳｎまたはＣｕの酸化物が占める面積は、上述した方法と同様に、ＳｎまたはＣｕの酸化物の粒子の輪郭を黒く縁取りした画像または写真を用いて、画像解析ソフト「Ａ像くん」を用いて算出すればよい。 Further, the presence of an oxide of Sn or Cu may be confirmed by the following method. First, the circuit board 10 is cut and polished using CP so as to have a cross-sectional shape as shown in FIG. 2 to obtain a polished surface. Next, using this polished surface as the measurement surface, surface analysis is performed using EPMA. Then, according to the color mapping of the surface analysis, the particles in which Sn or Cu and O are present at the same position are the oxides of Sn or Cu. As for the area occupied by the oxide of Sn or Cu, the image analysis software "A image-kun" is used by using an image or a photograph in which the outline of the particles of the oxide of Sn or Cu is bordered in black, as in the above method. It may be calculated using.
また、本実施形態の回路基板１０は、貫通導体３がガラスを含有し、ガラスの占める面積が０．４面積％以上４面積％以下であることが好ましい。ここで、ガラスとは、軟化点が４５０℃以上５５０℃以下である、ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３およびＺｎＯから選択される１種もしくは、これらの混合ガラスであればよい。このように、貫通導体３がガラスを上記範囲内で含有していれば、貫通導体３の電気抵抗を高くすることなく、貫通導体３内に存在する微小な空隙をガラスで埋めることができるため、貫通導体３の気密性が向上する。 Further, in the circuit board 10 of the present embodiment, it is preferable that the through conductor 3 contains glass and the area occupied by the glass is 0.4 area% or more and 4 area% or less. Here, the glass may be one kind selected from SiO 2 , Bi 2 O 3 , B 2 O 3 and Zn O having a softening point of 450 ° C. or higher and 550 ° C. or lower, or a mixed glass thereof. As described above, if the penetrating conductor 3 contains glass within the above range, the minute voids existing in the penetrating conductor 3 can be filled with glass without increasing the electric resistance of the penetrating conductor 3. , The airtightness of the penetrating conductor 3 is improved.
ここで、ガラスが占める面積は、以下の方法で算出すればよい。まず、図２に示すような断面形状となるように、回路基板１０を切断し、ＣＰを用いて研磨することで研磨面を得る。次に、ＳＥＭを用いて観察し、付設のＥＤＳにより、粒子の存在しない領域において、上述したガラス成分の存在を確認する。そして、数カ所この確認を行ない、ガラスが存在する領域の色調等を確認し、この領域をガラス領域とみなす。次に、ＳＥＭで撮影した画像または写真を用いて、ガラスが存在するとみなした領域を黒く塗りつぶし、この研磨面を測定面とし、画像解析ソフト「Ａ像くん」を用いて算出すればよい。なお、面分析のカラーマッピングによっても算出することができる。 Here, the area occupied by the glass may be calculated by the following method. First, the circuit board 10 is cut and polished using CP so as to have a cross-sectional shape as shown in FIG. 2 to obtain a polished surface. Next, observation is performed using SEM, and the presence of the above-mentioned glass component is confirmed in the region where particles do not exist by the attached EDS. Then, this confirmation is performed in several places, the color tone of the region where the glass exists is confirmed, and this region is regarded as the glass region. Next, using an image or a photograph taken by SEM, the area where the glass is considered to exist may be painted black, and this polished surface may be used as the measurement surface, and the calculation may be performed using the image analysis software "A image-kun". It can also be calculated by color mapping of surface analysis.
以下、本実施形態の回路基板１０の製造方法の一例について説明する。 Hereinafter, an example of the manufacturing method of the circuit board 10 of the present embodiment will be described.
なお、ここでは、貫通導体３の主成分がＡｇである例を用いて説明する。 Here, an example in which the main component of the through conductor 3 is Ag will be described.
まず、セラミック基体２を準備し、貫通孔１を形成する。セラミック基体２に対して貫通孔１を形成する方法としては、ブラストまたはレーザーによる加工によって形成すればよい。
First, the
次に、貫通導体３を形成するための金属ペーストとして、金属ペーストＡおよび金属ペーストＢを準備する。 Next, the metal paste A and the metal paste B are prepared as the metal paste for forming the through conductor 3.
まず、金属ペーストＡは、平均粒径が１μｍ以上のＡｇ粉末と、有機ビヒクルとを含有している。そして、Ａｇ粉末、有機ビヒクルの配合比としては、例えば、金属ペーストＡ１００質量％のうち、有機ビヒクルを５質量％以上１５質量％以下とし、残部をＡｇ粉末とすればよい。ここで、有機ビヒクルとは、有機バインダを有機溶剤に溶解したものであ
り、例えば、有機バインダと有機溶剤との配合比は、２０：１〜１０：１の範囲内であればよい。
First, the metal paste A contains Ag powder having an average particle size of 1 μm or more and an organic vehicle. The blending ratio of the Ag powder and the organic vehicle may be, for example, 5% by mass or more and 15% by mass or less of the organic vehicle and the remaining amount of the Ag powder in 100% by mass of the metal paste A. Here, the organic vehicle is obtained by dissolving an organic binder in an organic solvent. For example, the compounding ratio of the organic binder and the organic solvent may be in the range of 20: 1 to 10: 1.
また、貫通導体３に、ＳｎまたはＣｕの酸化物を含有させる場合には、Ｓｎ粉末またはＣｕ粉末を、金属ペーストＡに添加すればよい。 When the penetrating conductor 3 contains an oxide of Sn or Cu, Sn powder or Cu powder may be added to the metal paste A.
また、貫通導体３に、ガラスを含有させる場合には、ガラス粉末を、金属ペーストＡに添加すればよい。なお、ガラス粉末としては、軟化点が４５０℃以上５５０℃以下となるように配合された、ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３およびＺｎＯから選択される１種もしくは、これらの混合ガラスを用いればよい。 When the penetrating conductor 3 contains glass, glass powder may be added to the metal paste A. The glass powder is one selected from SiO 2 , Bi 2 O 3 , B 2 O 3, and Zn O, which is blended so that the softening point is 450 ° C. or higher and 550 ° C. or lower, or a mixed glass thereof. Should be used.
次に、金属ペーストＢは、平均粒径が２００ｎｍ以下のＡｇ金属錯体と、有機溶媒と、分散剤とを含有している。そして、Ａｇ金属錯体、有機溶媒、分散剤の配合比としては、金属ペーストＢ１００質量％のうち、Ａｇ金属錯体を４０質量％以上７０質量％以下、有機溶媒を２０質量％以上５０質量％以下、分散剤を５質量％以上１０質量％以下とすればよい。 Next, the metal paste B contains an Ag metal complex having an average particle size of 200 nm or less, an organic solvent, and a dispersant. As for the compounding ratio of the Ag metal complex, the organic solvent, and the dispersant, 40% by mass or more and 70% by mass or less of the Ag metal complex and 20% by mass or more and 50% by mass or less of the organic solvent in 100% by mass of the metal paste B. The dispersant may be 5% by mass or more and 10% by mass or less.
そして、公知の印刷法により、金属ペーストＡをセラミック基体２の貫通孔１に充填し、８０℃以上１５０℃以下の温度で乾燥し、大気雰囲気中で４００℃以上５００℃以下の温度で６分以上３０分以下保持して脱脂し、８５０℃以上９００℃以下の最高温度で６分以上１５分以下保持して熱処理する。この工程により、貫通孔１内に、Ａｇを主成分とする第１の粒子４が形成される。なお、金属ペーストＡとして、Ａｇ粉末の代わりにＣｕ粉末を用いた場合には、窒素雰囲気中で熱処理を行なえばよい。
Then, the metal paste A is filled in the through hole 1 of the
次に、貫通孔１内に金属ペーストＢを滴下することで、金属ペーストＢを含浸させる。このとき、貫通孔１において、金属ペーストＢを滴下する面とは反対側の面からの吸引を行なうことによって、金属ペーストＢを含浸させやすくなり、製造時間を短縮することができる。 Next, the metal paste B is impregnated by dropping the metal paste B into the through hole 1. At this time, by sucking the metal paste B from the surface opposite to the surface on which the metal paste B is dropped in the through hole 1, the metal paste B can be easily impregnated and the production time can be shortened.
その後、大気雰囲気中で、１５０℃以上３００℃以下の最高温度で３０分以上１２０分以下保持して熱処理する。なお、金属ペーストＢとして、Ａｇ金属錯体の代わりにＣｕ金属錯体を用いた場合には、窒素雰囲気中で熱処理をすればよい。以上により、第２の粒子５が、第１の粒子４同士の間および第１の粒子４と貫通孔１の内壁との間に存在した本実施形態の回路基板１０が得られる。 Then, heat treatment is performed by holding at a maximum temperature of 150 ° C. or higher and 300 ° C. or lower for 30 minutes or longer and 120 minutes or shorter in an atmospheric atmosphere. When a Cu metal complex is used instead of the Ag metal complex as the metal paste B, the heat treatment may be performed in a nitrogen atmosphere. As described above, the circuit board 10 of the present embodiment in which the second particles 5 are present between the first particles 4 and between the first particles 4 and the inner wall of the through hole 1 can be obtained.
なお、金属ペーストＢの熱処理において、熱処理の最高温度を下げるか、または熱処理時間を短くすることで、貫通導体３において、Ｃを主成分とする第３の粒子の存在させることがきる。 In the heat treatment of the metal paste B, by lowering the maximum temperature of the heat treatment or shortening the heat treatment time, it is possible to make the third particles containing C as a main component exist in the through conductor 3.
また、吸引を行なう際に、吸引力が強すぎると貫通孔１の径の中心側に金属ペーストＢが含浸しやすくなるため、吸引力を調整することによって、第２の粒子５を貫通孔１の径の外周側に多く存在させることができる。 Further, when suction is performed, if the suction force is too strong, the metal paste B is likely to be impregnated on the center side of the diameter of the through hole 1. Therefore, by adjusting the suction force, the second particle 5 is inserted into the through hole 1. Many can be present on the outer peripheral side of the diameter of.
以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, examples of the present invention will be specifically described, but the present invention is not limited to these examples.
まず、厚み０．１ｍｍの酸化アルミニウム質セラミックスからなるセラミック基体を準備した。そして、このセラミック基体に対して、レーザーにより直径が０．０７ｍｍの貫通孔を形成した。 First, a ceramic substrate made of aluminum oxide ceramics having a thickness of 0.1 mm was prepared. Then, a through hole having a diameter of 0.07 mm was formed in the ceramic substrate by a laser.
次に、金属ペーストＡを準備した。この金属ペーストＡは、金属ペーストＡ１００質量％のうち、平均粒径が１．６μｍのＡｇ粉末が９０質量％、有機ビヒクルが１０質量％となるように調整して作製した。ここで、有機ビヒクルは、有機バインダと有機溶剤とが１５：１の配合比となるように、有機バインダとしてのエチルセルロースを有機溶剤としてのα-テルピネオールに溶解させたものを用いた。 Next, the metal paste A was prepared. This metal paste A was prepared by adjusting so that the Ag powder having an average particle size of 1.6 μm was 90% by mass and the organic vehicle was 10% by mass in 100% by mass of the metal paste A. Here, as the organic vehicle, ethyl cellulose as an organic binder was dissolved in α-terpineol as an organic solvent so that the blending ratio of the organic binder and the organic solvent was 15: 1.
次に、金属ペーストＢを準備した。金属ペーストＢは、金属ペーストＢ１００質量％のうち、平均粒径が１００ｎｍのＡｇ金属錯体を６０質量％、有機溶剤としてのα−テルピネオールを３５質量％、アニオン系の分散剤を５質量％となるように調整して作製した。 Next, the metal paste B was prepared. The metal paste B contains 60% by mass of an Ag metal complex having an average particle size of 100 nm, 35% by mass of α-terpineol as an organic solvent, and 5% by mass of an anionic dispersant in 100% by mass of the metal paste B. It was prepared by adjusting as follows.
次に、公知の印刷法により、金属ペーストＡをセラミック基体の貫通孔に充填し、１２０℃の温度で乾燥し、大気雰囲気中で４５０℃の温度で１５分保持して脱脂し、８５０℃の最高温度で１５分保持して熱処理を行なった。 Next, the metal paste A is filled in the through holes of the ceramic substrate by a known printing method, dried at a temperature of 120 ° C., held at a temperature of 450 ° C. for 15 minutes in an air atmosphere to degrease, and degreased at 850 ° C. The heat treatment was carried out by holding at the maximum temperature for 15 minutes.
次に、試料Ｎｏ．１以外の試料につき、貫通孔内に金属ペーストＢを滴下し、貫通孔において、金属ペーストＢを滴下する面とは反対側の面からの吸引を行なうことによって、金属ペーストＢを含浸させた。その後、大気雰囲気中で、熱処理を行なうことで、各試料を作製した。 Next, sample No. For the samples other than 1, the metal paste B was dropped into the through hole, and the metal paste B was impregnated in the through hole by sucking from the surface opposite to the surface on which the metal paste B was dropped. Then, each sample was prepared by performing heat treatment in the atmosphere.
ここで、試料Ｎｏ．２〜７において、貫通孔内に充填する金属ペーストＡおよび金属ペーストＢの量は、第２の粒子の占める面積が表１に示す値となるように調整した。また、試料Ｎｏ．２〜７は、金属ペーストＢを含浸させ後の熱処理において、第３の粒子の占める面積が表１に示す値となるように、最高温度および保持時間を調整した。 Here, the sample No. In Nos. 2 to 7, the amounts of the metal paste A and the metal paste B filled in the through holes were adjusted so that the area occupied by the second particles was the value shown in Table 1. In addition, sample No. In Nos. 2 to 7, the maximum temperature and the holding time were adjusted so that the area occupied by the third particles would be the values shown in Table 1 in the heat treatment after impregnation with the metal paste B.
次に、各試料の貫通導体におけるリーク量を測定するため、ＪＩＳ Ｚ ２３３１−２００６で規定する真空吹付け法（スプレー法）に準拠して、貫通導体におけるヘリウムガスのリーク量を常温で測定した。 Next, in order to measure the amount of leakage in the through conductor of each sample, the amount of leakage of helium gas in the through conductor was measured at room temperature in accordance with the vacuum spray method (spray method) specified in JIS Z 2331-2006. ..
また、各試料の貫通導体における比抵抗を測定するため、貫通孔内の貫通導体に電気抵抗測定器の端子を接触させ、１０Ｖの電圧を加えることで貫通導体の比抵抗を測定した。 Further, in order to measure the specific resistance of the through conductor of each sample, the terminal of the electric resistance measuring instrument was brought into contact with the through conductor in the through hole, and a voltage of 10 V was applied to measure the specific resistance of the through conductor.
結果を表１に示す。 The results are shown in Table 1.
表１に示す結果から、第２の粒子を含有しない試料Ｎｏ．１と比べて、第２の粒子を含有する試料Ｎｏ．２は、リーク量が２桁程小さく、貫通導体の気密性が優れていることが分かった。また、第３の粒子を含有するとともに、第３の粒子の占める面積が０．５面積％以上１０面積％以下である試料Ｎｏ．４〜６は、リーク量が５．４×１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ以下であるとともに、比抵抗が３．４μΩ・ｃｍ以下であることから、貫通導体の電気抵抗を低く維持しつつ、より優れた気密性を有することが分かった。 From the results shown in Table 1, the sample No. that does not contain the second particle. Sample No. 1 containing the second particle as compared with 1. It was found that in No. 2, the amount of leakage was about two orders of magnitude smaller, and the airtightness of the through conductor was excellent. Further, the sample No. which contains the third particle and the area occupied by the third particle is 0.5 area% or more and 10 area% or less. In Nos. 4 to 6, the leak amount is 5.4 × 10-8 Pa · m 3 / sec or less, and the specific resistance is 3.4 μΩ · cm or less, so that the electrical resistance of the through conductor is kept low. , It was found to have better airtightness.
次に、貫通孔の径の中心側と貫通孔の径の外周側で第２の粒子の含有量を異ならせた試料を作製し、リーク量および比抵抗を評価した。試料Ｎｏ．９の作製方法としては、吸引を行なう際に、吸引力を弱くしたこと以外は実施例１の試料Ｎｏ．５の作製方法と同様の方法により作製した。なお、試料Ｎо．８は実施例１の試料Ｎо．５と同じ試料である。 Next, samples having different contents of the second particles on the central side of the diameter of the through hole and the outer peripheral side of the diameter of the through hole were prepared, and the leak amount and the specific resistance were evaluated. Sample No. As a method for producing No. 9, the sample No. 1 of Example 1 was prepared except that the suction force was weakened when suction was performed. It was prepared by the same method as the production method of 5. In addition, sample Nо. 8 is the sample Nо. Of Example 1. It is the same sample as 5.
そして、実施例１と同様に、リーク量および比抵抗の測定を行なった。 Then, the leak amount and the specific resistance were measured in the same manner as in Example 1.
その後、各試料において、第２の粒子が貫通孔の径の中心側または外周側のどちらの方に多く存在するかを調べた。まず。図２に示すような断面形状となるように、各試料を切断し、ＣＰを用いて研磨することで研磨面を得た。次に、この研磨面を測定面とし、この測定面のうちで、貫通孔の径の中心側および貫通孔の径の外周側のそれぞれにおいて、ＳＥＭを用いて５０００倍の倍率で、面積が４００μｍ２（横方向の長さが２０μｍ、縦方向の長さが２０μｍ）となる範囲について、ＥＰＭＡを用いて面分析を行なった。そして、面分析のカラーマッピングにより、第２の粒子の存在を確認し、面分析を行なった範囲と同じ箇所についてＳＥＭで撮影した写真と照合して、第２の粒子の個数を数えて、その数を比較した。 Then, in each sample, it was investigated whether the second particles were more abundant on the central side or the outer peripheral side of the diameter of the through hole. First. Each sample was cut so as to have a cross-sectional shape as shown in FIG. 2, and polished using CP to obtain a polished surface. Next, this polished surface is used as a measurement surface, and the area of the measurement surface is 400 μm at a magnification of 5000 times using SEM on each of the central side of the diameter of the through hole and the outer peripheral side of the diameter of the through hole. A surface analysis was performed using EPMA in the range of 2 (horizontal length is 20 μm and vertical length is 20 μm). Then, the presence of the second particle is confirmed by the color mapping of the surface analysis, the same part as the area where the surface analysis is performed is collated with the photograph taken by SEM, the number of the second particles is counted, and the number of the second particles is counted. The numbers were compared.
結果を表２に示す。 The results are shown in Table 2.
表２に示す結果から、試料Ｎｏ．８に比べて試料Ｎｏ．９は、比抵抗の値は同じであるものの、リーク量が５．４×１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃと小さかった。このことから、第２の粒子が、貫通孔の径の中心側よりも、貫通孔の径の外周側に多く存在することで、より貫通導体の気密性が高まることが分かった。 From the results shown in Table 2, the sample No. Sample No. 8 compared to 8. In No. 9, although the specific resistance value was the same, the leak amount was as small as 5.4 × 10-8 Pa · m 3 / sec. From this, it was found that the airtightness of the through conductor is further enhanced by the presence of the second particles more on the outer peripheral side of the diameter of the through hole than on the center side of the diameter of the through hole.
次に、ＳｎまたはＣｕの酸化物を含有させた試料を作製し、リーク量および比抵抗を評価した。試料Ｎｏ．１１の作製方法としては、金属ペーストＡに、金属ペーストＡ１００質量％に対して、Ｓｎ粉末を０．８質量％添加したこと以外は実施例１の試料Ｎｏ．５の作製方法と同様の方法により作製した。また、試料Ｎｏ．１２の作製方法としては、金属ペーストＡに、金属ペーストＡ１００質量％に対して、Ｃｕ粉末を０．８質量％添加したこと以外は実施例１の試料Ｎｏ．５の作製方法と同様の方法により作製した。なお、試料Ｎо．１０は実施例１の試料Ｎо．５と同じ試料である。 Next, a sample containing an oxide of Sn or Cu was prepared, and the amount of leakage and the specific resistance were evaluated. Sample No. As the production method of No. 11, the sample No. 1 of Example 1 was prepared except that 0.8% by mass of Sn powder was added to 100% by mass of the metal paste A to the metal paste A. It was prepared by the same method as the production method of 5. In addition, sample No. As a method for producing No. 12, the sample No. 1 of Example 1 was prepared except that 0.8% by mass of Cu powder was added to 100% by mass of the metal paste A to the metal paste A. It was prepared by the same method as the production method of 5. In addition, sample Nо. 10 is the sample Nо. Of Example 1. It is the same sample as 5.
そして、実施例１と同様に、リーク量および比抵抗の測定を行なった。 Then, the leak amount and the specific resistance were measured in the same manner as in Example 1.
その後、各試料において、貫通導体がＳｎまたはＣｕの酸化物を含有するか否かを調べた。まず、図２に示すような断面形状となるように、各試料を切断し、ＣＰを用いて研磨することで研磨面を得た。次に、この研磨面を測定面とし、ＥＰＭＡを用いて面分析を行ない、面分析のカラーマッピングにより、ＳｎまたはＣｕとＯとが同じ箇所に存在する領域があるか否かを確認し、同じ箇所に存在する領域がある場合を、ＳｎまたはＣｕの酸化物を含有するとした。 Then, in each sample, it was examined whether or not the penetrating conductor contained an oxide of Sn or Cu. First, each sample was cut so as to have a cross-sectional shape as shown in FIG. 2, and polished using CP to obtain a polished surface. Next, using this polished surface as the measurement surface, surface analysis is performed using EPMA, and it is confirmed by color mapping of the surface analysis whether or not there is a region where Sn or Cu and O exist in the same place, and the same. When there is a region existing at the site, it is assumed that the oxide of Sn or Cu is contained.
結果を表３に示す。 The results are shown in Table 3.
表３に示す結果から、試料Ｎｏ．１０に比べて、試料Ｎｏ．１１および１２は、比抵抗の値が少し大きいものの、リーク量が２．６×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ以下と小さかった。このことから、貫通導体がＳｎまたはＣｕの酸化物を含有することで、より貫通孔の気密性を高められることが分かった。 From the results shown in Table 3, the sample No. Compared with No. 10, sample No. Although the specific resistance values of 11 and 12 were slightly large, the leak amount was as small as 2.6 × 10 -9 Pa · m 3 / sec or less. From this, it was found that the airtightness of the through hole can be further enhanced by containing the oxide of Sn or Cu in the through conductor.
次に、貫通導体において、ガラスの占める面積を異ならせた試料を作製し、リーク量および比抵抗を評価した。試料Ｎｏ．１４〜１７の作製方法としては、貫通導体においてガラスの占める面積が表４の値となるように、金属ペーストＡにガラス粉末を添加した以外は実施例１の試料Ｎｏ．５の作製方法と同様の方法により作製した。なお、試料Ｎо．１３は実施例１の試料Ｎо．５と同じ試料である。 Next, in the through conductor, samples with different areas occupied by glass were prepared, and the amount of leakage and the specific resistance were evaluated. Sample No. As the method for producing 14 to 17, the sample No. 1 of Example 1 was prepared except that the glass powder was added to the metal paste A so that the area occupied by the glass in the through conductor was as shown in Table 4. It was prepared by the same method as the production method of 5. In addition, sample Nо. Reference numeral 13 is a sample Nо. Of Example 1. It is the same sample as 5.
そして、実施例１と同様に、リーク量および比抵抗の測定を行なった。 Then, the leak amount and the specific resistance were measured in the same manner as in Example 1.
結果を表４に示す。 The results are shown in Table 4.
表４に示す結果から、試料Ｎｏ．１４〜１６は、比抵抗が４μΩ・ｃｍ以下であるとともに、リーク量が２．１×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓｅｃ以下と小さかった。このことから、貫通導体がガラスを含有し、ガラスの占める面積が０．４面積％以上４面積％以下であれば、貫通導体の気密性を高められることが分かった。 From the results shown in Table 4, the sample No. In 14 to 16, the specific resistance was 4 μΩ · cm or less, and the leak amount was as small as 2.1 × 10 -9 Pa · m 3 / sec or less. From this, it was found that if the penetrating conductor contains glass and the area occupied by the glass is 0.4 area% or more and 4 area% or less, the airtightness of the penetrating conductor can be enhanced.
１：貫通孔
２：セラミック基体
３：貫通導体
４：第１の粒子
５：第２の粒子
６：金属部材
７：電子部品
８：電気端子
９：封止部材
１０：回路基板
１１：ケース
２０：電子装置
1: Through hole 2: Ceramic substrate 3: Through conductor 4: First particle 5: Second particle 6: Metal member 7: Electronic component 8: Electrical terminal 9: Sealing member 10: Circuit board 11: Case 20: Electronic device
Claims (1)
前記第１ステップの後に、前記金属粒子が２μｍ以上の粒径を有する第１の粒子になる温度で熱処理する第２ステップと、
前記第２ステップの後に、前記第１の粒子同士の隙間および前記第１の粒子と前記貫通孔の内壁との間に充填できる大きさのＡｇまたはＣｕの金属錯体を有するペーストを前記貫通孔に滴下し、滴下する面とは反対側の面から吸引することで含侵させる第３ステップと、
前記第３ステップの後に、前記金属錯体が３００ｎｍ以下の粒径を有する第２の粒子になる温度で熱処理する第４ステップと、を有する回路基板の製造方法。 The first step of filling the through holes in the ceramic substrate with a paste having metal particles having Ag or Cu and having a particle size smaller than the diameter of the through holes.
After the first step, a second step of heat-treating the metal particles at a temperature at which the metal particles become the first particles having a particle size of 2 μm or more,
After the second step, a paste having a metal complex of Ag or Cu having a size that can be filled between the gap between the first particles and between the first particle and the inner wall of the through hole is applied to the through hole. The third step of dropping and impregnating by sucking from the surface opposite to the surface to be dropped,
A method for producing a circuit board, comprising: after the third step, a fourth step of heat-treating the metal complex at a temperature at which it becomes second particles having a particle size of 300 nm or less.
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