JP6844973B2 - 接合用の導電性ペースト - Google Patents

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本発明は、接合用の導電性ペーストおよびこれを用いた電子デバイスの製造方法に関する。
電子デバイスは半導体チップのような電子部品を有し、その電子部品は基板の導電層に導電性ペーストで接合されている。電子部品は、導電層の上に塗布された導電性ペーストの上にマウントされた後、導電性ペーストを加熱することで、基板の導電層と物理的にも電気的にも接合する。製造工程において、マウントされた電子部品と導電性ペーストの層との接着が不十分だと、電子部品が剥離して、電子デバイスに欠陥を与える原因になる問題があった。特許文献1は、電子デバイスの製造のための接合材を開示している。接合材は、粒径が1〜200nmである銀ナノ粒子とオクタンジオールからなる。
特開2016−069710号公報
本発明の目的の1つは、製造プロセス中に、電子部品と十分に接着する導電性ペースト、およびこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供することである。
本発明の課題を解決するための手段の一例は、
導電層を含む基板を準備する工程と、
導電層の上に導電性ペーストを塗布する工程であって、導電性ペーストが、金属粉および溶媒を含む、接合用の導電性ペーストであり、溶媒が、第1溶媒および第2溶媒を含み、第1溶媒の沸点が100〜280℃であり、第2溶媒の沸点が285〜500℃である、工程と、
塗布された導電性ペーストの上に電子部品を搭載する工程と、
導電性ペーストを加熱して、導電層と電子部品とを接合する工程とを含む、電子デバイスの製造方法、である。
ここで、ある実施態様では、第1溶媒が、ブチルカルビトール、テキサノール、1−フェノキシ−2−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、2,2,4−トリメチル1,3−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される。
また、ある実施態様では、第2溶媒が、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される。
また、ある実施態様では、第1溶媒および第2溶媒の重量比(第1溶媒:第2溶媒)が、0.1:1〜10:1である。
また、ある実施態様では、第2溶媒の沸点が、第1溶媒の沸点よりも50℃以上大きい。
また、ある実施態様では、第1溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、1:1〜1:20である。
ここで、ある実施態様では、電子部品が、半導体チップである。ある実施態様では、電子部品が、ニッケル、金、およびそれらの合金からなる群から選択されるメッキ層を含む。
また、ある実施態様では、導電層の上に導電性ペーストを塗布した後、塗布された導電性ペーストの上に電子部品を搭載する前に、40〜150℃で乾燥する工程を更に含む。
本発明の課題を解決するための手段の別の例は、金属粉および溶媒を含む、接合用の導電性ペーストであって、溶媒が、第1溶媒および第2溶媒を含み、第1溶媒の沸点が100〜280℃であり、第2溶媒の沸点が285〜500℃である、導電性ペーストである。
ここで、ある実施態様では、第1溶媒が、ブチルカルビトール、テキサノール、1−フェノキシ−2−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、2,2,4−トリメチル1,3−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される。
また、ある実施態様では、第2溶媒が、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される。
また、ある実施態様では、第1溶媒および第2溶媒の重量比(第1溶媒:第2溶媒)が、0.1:1〜10:1である。
また、ある実施態様では、第2溶媒の沸点が、第1溶媒の沸点よりも50℃以上大きい。
また、ある実施態様では、第1溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、1:1〜1:20である。
本発明の接合用の導電性ペーストおよびこれを用いた電子デバイスの製造方法によれば、製造プロセス中に、電子部品を導電性ペーストの層に十分に接着させることができる。
電子デバイスの断面の一例を示す概念図である。
電子デバイスは、少なくとも導電層を有する基板と電子部品を含んでいる。基板の導電層と電子部品は、導電性ペーストによって接合される。以下、図1を参照して、電子デバイス100の製造方法の一例を説明する。なお、ある実施態様における数値範囲の下限値および上限値は、それぞれ別の実施態様における数値範囲の上限値および下限値と組み合わせることができる。
まず、導電層103を有する基板101を準備する。導電層103は、良導体および半導体を含む概念である。ある実施態様において、導電層103は、電子回路、電極、または電子パットである。ある実施態様において、導電層103は、金属層である。別の実施態様では、金属層は、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、プラチナ、これらの合金を含む。別の実施態様では、導電層103は、銅層または銀層である。
導電性ペースト105は、接合用の導電性ペーストである。導電性ペースト105は、良導体と良導体、良導体と半導体、または半導体と半導体を接合することができる。導電性ペースト105は、導電層103の上に塗布される。塗布された導電性ペースト105は、ある実施態様において50〜500μmの厚さ、別の実施態様において80〜300μmの厚さ、別の実施態様において100〜200μmの厚さ、を有する。ある実施態様において、導電性ペースト105は、スクリーン印刷で塗布される。別の実施態様において、スクリーン印刷のためにメタルマスクが用いられる。
塗布された導電性ペースト105の層は、任意で、乾燥される。乾燥温度は、ある実施態様において40〜150℃、別の実施態様において50〜120℃、別の実施態様において60〜100℃である。乾燥時間は、ある実施態様において10〜150分、別の実施態様において15〜80分、別の実施態様において20〜30分である。
導電性ペースト105の層の上に電子部品107を搭載する。電子部品107は、電気的に機能するものであれば、特に限定されない。ある実施態様において、電子部品107は、半導体チップ、ICチップ、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ、センサーチップ、およびこれらの組合せからなる群より選択される。別の実施態様では、電子部品107は、半導体チップである。別の実施態様では、半導体チップは、SiチップまたはSiCチップである。
ある実施態様において、電子部品107は、メタライゼーション層を含んでいる。別の実施態様において、メタライゼーション層は、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、プラチナ、これらの合金、およびこれらの組合せからなる群より選択される。別の実施態様において、メタライゼーション層は、金および/またはニッケルを含んでいる。別の実施態様において、メタライゼーション層は、金層およびニッケル層の積層構造を含んでいる。ある実施態様において、電子部品107がメタライゼーション層を有する場合、メタライゼーション層は、導電性ペースト105の層と接する。別の実施態様において、メタライゼーション層は、メッキである。
導電性ペースト105の層は加熱される。加熱の温度は、ある実施態様において150〜400℃、別の実施態様において180〜310℃、別の実施態様において220〜290℃である。加熱時間は、ある実施態様において0.1〜30分、別の実施態様において0.5〜20分、別の実施態様において3〜15分、別の実施態様において5〜10分、ある実施態様において0.1〜5分、ある実施態様において0.5〜3分、ある実施態様において5〜20分、ある実施態様において10〜20分である。導電性ペースト105は、比較的低温で接合させることができるため、電子部品107の熱によるダメージを抑えられる。
ある実施態様において、加熱雰囲気は、還元雰囲気またはエアー雰囲気である。別の実施態様では、還元雰囲気は、N2雰囲気である。別の実施態様では、加熱雰囲気は、エアー雰囲気である。
ある実施態様において、任意で、加熱中に電子部品107を加圧する。加圧により電子部品107は、導電性ペースト105の層により強く接合しうる。加圧は、ある実施態様において少なくとも0.1MPa、別の実施態様において少なくとも1MPa、別の実施態様において少なくとも5MPa、別の実施態様において少なくとも7MPa、別の実施態様において少なくとも15MPa、別の実施態様において少なくとも25MPa、である。加圧は、ある実施態様において45MPa以下、別の実施態様において40MPa、別の実施態様において36MPa以下、別の実施態様において25MPa以下、別の実施態様において15MPa以下、である。別の実施態様において、電子部品107は、加圧することなく接合される。加熱には、オーブンまたはダイボンダーを用いることが出来る。
以下、導電性ペースト105の組成について説明する。導電性ペースト105は、金属粉および溶媒を含む。
金属粉
ある実施態様において、金属粉は、銀、銅、金、パラジウム、プラチナ、ロジウム、ニッケル、アルミニウム、それらの合金、および、それらの組合せからなる群から選択される。別の実施態様において、金属粉は、銀、銅、ニッケル、それらの合金、および、それらの組合せからなる群から選択される。別の実施態様において、金属粉は、銀である。
ある実施態様において、金属粉の形状は、フレーク状、球形、不定形、あるいはそれらの混合粉である。別の実施態様において、金属粉の形状は、フレーク状および球形の混合粉である。
ある実施態様において、金属粉の粒径(D50)は少なくとも0.01μm、別の実施態様において、少なくとも0.05μm、別の実施態様において、少なくとも0.07μm、別の実施態様において、少なくとも0.1μm、別の実施態様において、少なくとも0.2μm、別の実施態様において、少なくとも0.3μmである。ある実施態様において、金属粉の粒径(D50)は5μm以下、別の実施態様において3μm以下、別の実施態様において2μm以下である。このような粒径であると溶媒に良好に分散する。なお、本願における粒径(D50)は、マイクロトラックX−100型を用いてレーザー回折法で測定する体積平均粒子径(D50)である。
ある実施態様において、金属粉は、導電性ペースト105の総重量に対して、少なくとも60重量%、別の実施態様では少なくとも72重量%、別の実施態様では少なくとも80重量%、別の実施態様では少なくとも85重量%である。ある実施態様において、金属粉は、導電性ペースト105の総重量に対して、97重量%以下、別の実施態様では95重量%以下、別の実施態様では93重量%以下である。
溶媒
金属粉は、溶媒に分散して導電性ペースト105を構成する。溶媒は、導電性ペースト105を基板101あるいは導電層103の上に塗布しやすいように粘度を調節するためにも使える。溶媒の全てもしくは多くは、乾燥工程もしくは加熱工程において、導電性ペースト105から蒸発する。
溶媒は、第1溶媒および第2溶媒を含み、第1溶媒の沸点が100〜280℃であり、第2溶媒の沸点が285〜500℃である。
第1溶媒の沸点は、別の実施態様において130〜270℃、別の実施態様において140〜260℃、別の実施態様において180〜250℃、別の実施態様において210〜240℃である。
第1溶媒は、ある実施態様においてブチルカルビトール、テキサノール、1−フェノキシ−2−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、2,2,4−トリメチル1,3−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される。第1溶媒は、別の実施態様において少なくともテキサノールを含む。第1溶媒は、別の実施態様において少なくともブチルカルビトールを含む。第1溶媒は、別の実施態様においてブチルカルビトールである。第1溶媒は、別の実施態様においてテキサノールである。第1溶媒は、別の実施態様においてブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物である。
第1溶媒の分子量は、ある実施態様において600以下、別の実施態様において520以下、別の実施態様において480以下、別の実施態様において400以下である。第1溶媒の分子量は、ある実施態様において少なくとも10、別の実施態様において少なくとも100、別の実施態様において少なくとも150、別の実施態様において少なくとも180である。
第1溶媒は、金属粉を100重量部としたとき、ある実施態様において少なくとも0.1重量部、別の実施態様では少なくとも0.5重量部、別の実施態様では少なくとも1.2重量部、別の実施態様では少なくとも2重量部、別の実施態様では少なくとも4重量部、である。第1溶媒は、金属粉を100重量部としたとき、ある実施態様において10重量部以下、別の実施態様では8重量部以下、別の実施態様では6重量部以下である。
第2溶媒の沸点は、別の実施態様において295〜460℃、別の実施態様において300〜440℃、別の実施態様において310〜410℃、別の実施態様において380〜400℃、である。
第2溶媒は、ある実施態様において、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される。第2溶媒は、別の実施態様において1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステルである。
第2溶媒の分子量は、ある実施態様において600以下、別の実施態様において520以下、別の実施態様において480以下、別の実施態様において400以下である。第2溶媒の分子量は、ある実施態様において少なくとも10、別の実施態様において少なくとも100、別の実施態様において少なくとも150、別の実施態様において少なくとも180である。
第2溶媒は、金属粉を100重量部としたとき、ある実施態様において少なくとも0.5重量部、別の実施態様では少なくとも1.2重量部、別の実施態様では少なくとも3重量部、別の実施態様では少なくとも5.5重量部、別の実施態様では少なくとも6重量部、である。第2溶媒は、金属粉を100重量部としたとき、ある実施態様において16重量部以下、別の実施態様では12重量部以下、別の実施態様では9重量部以下、別の実施態様では6重量部以下である。
ある実施態様では、第2溶媒の沸点は、第1溶媒の沸点よりも50℃以上大きい。別の実施態様では、第2溶媒の沸点は、第1溶媒の沸点よりも80℃以上大きく、別の実施態様では100℃以上大きく、別の実施態様では140℃以上大きく、別の実施態様では150℃以上大きく、別の実施態様では160℃以上大きい。
ある実施態様では、第1溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、1:1〜1:20であり、別の実施態様では1:1〜1:18であり、別の実施態様では1:1〜1:10であり、別の実施態様では1:1〜1:6であり、別の実施態様では1:1〜1:5である。
溶媒の総量は、金属粉を100重量部としたとき、ある実施態様において少なくとも3重量部、別の実施態様では少なくとも4重量部、別の実施態様では少なくとも6重量部、別の実施態様では少なくとも8重量部である。溶媒の総量は、金属粉を100重量部としたとき、ある実施態様において20重量部以下、別の実施態様では17重量部以下、別の実施態様では14重量部以下である。
第1溶媒および第2溶媒の量および種類は、導電性ペースト105の所望する粘度に合わせて調整できる。ある実施態様における導電性ペースト105の粘度は、チタン製コーンプレートC20/1°を用いたレオメータ(HAAKETM MARSTMIII、Thermo Fisher Scientific Inc.)で測定したとき、シアレート10s-1において10〜300Pa・s、別の実施態様では15〜100Pa・s、別の実施態様では20〜50Pa・sである。
ポリマー
任意で、導電性ペースト105は、ポリマーを含む。ポリマーは、溶媒に可溶性である。ポリマーは、1,000以上の分子量(Mw)をもつ。ポリマーの分子量は、ある実施態様においては5,000〜900,000、別の実施態様においては8,000〜780,000、別の実施態様では10,000〜610,000、別の実施態様では18,000〜480,000、別の実施態様では25,000〜350,000、別の実施態様では32,000〜200,000、である。なお、本願における分子量(Mw)は、重量平均分子量を意味する。分子量は、高速液体クロマトグラフィー(Alliance 2695、日本ウォーターズ株式会社)等で測定されうる。
ポリマーは、ある実施態様において、エチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリビニルブチラール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリウレタン樹脂、および、それらの混合物からなる群から選択される。ポリマーは、別の実施態様において、エチルセルロースである。
ポリマーのガラス転移点は、ある実施態様において−30〜250℃、別の実施態様において10〜180℃、別の実施態様において80〜150℃、である。
ポリマーは、金属粉を100重量部としたとき、ある実施態様において少なくとも0.02重量部、別の実施態様では少なくとも0.1重量部、別の実施態様では少なくとも0.2重量部、である。ポリマーは、金属粉を100重量部としたとき、ある実施態様において4重量部以下、別の実施態様では2.8重量部以下、別の実施態様では1.8重量部以下、別の実施態様では1.0重量部以下、別の実施態様では0.7重量部以下、である。
ポリマーは、導電性ペースト105の総重量に対して、少なくとも0.01重量%、別の実施態様では少なくとも0.05重量%、別の実施態様では少なくとも0.1重量%、別の実施態様では少なくとも0.15重量%である。ある実施態様において、ポリマーは、導電性ペースト105の総重量に対して、2重量%以下、別の実施態様では1重量%以下、別の実施態様では0.5重量%以下、である。
添加剤
導電性ペースト105の所望する特性に合わせて、界面活性剤、分散剤、乳化剤、安定剤、可塑剤などの添加剤をさらに含めることができる。ある実施態様において、導電性ペースト105は、ガラスフリットを含まない。ある実施態様において、導電性ペースト105は、硬化剤または架橋材を含まない。
特定の理論に限定されないが、従来は、加熱工程で完全に蒸発するような低沸点の溶媒が主に使われていたが、本発明においては、低沸点の第1溶媒を、高沸点の第2溶媒に一部置き換えることで、塗布された導電性ペーストに粘着性が付与されることとなり、結果として製造プロセス中に、電子部品を導電性ペーストの層に十分に接着させることができるようになったと考えられる。なお、導電性ペーストの加熱後も、電子部品が導電性ペーストの層に十分に接合されていることが確認された。高沸点の第2溶媒を、低沸点の第1溶媒とともに用いれば、第2溶媒は、第1溶媒と共に十分に蒸発されるとともに、電子部品と導電性ペーストの層との十分な接合にも寄与し得ることが確認された。
本発明は以下の実施例によって説明されるが、それらに限定されない。
導電性ペーストを以下の手順によって調製した。
銀粉を、有機溶媒、ポリマーおよび界面活性剤の混合物に分散させた。分散は、ミキサーで各材料を混ぜた後、三本ロールミルにかけて行った。銀粉は、粒径(D50)が0.4μmである球形銀粉および粒径(D50)が1.6μmであるフレーク状銀粉の混合粉であった。有機溶媒は、第1表に示すとおり、ブチルカルビトール(沸点:231℃)、テキサノール(沸点:254℃、フタル酸ジブチル(沸点:340℃)、イソステアリルアルコール(沸点:316℃)、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル(沸点:394℃)、または、イソステアリン酸(沸点:331℃)のいずれか、または組合せを混合した。ポリマーはエチルセルロースであった。なお、ブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物を第1溶媒として用いたが、第1溶媒は、これらのいずれか1種でも良い。ポリマーを添加する場合、第1溶媒はポリマーの溶解性を考慮して適宜選択され得る。各材料の含有量は、第1表に示す。界面活性剤の含有量は、0.01重量部であった。
銀粉を分散させて得た導電性ペーストの粘度は、25〜30Pa・sであった。粘度の測定には、レオメータ(HAAKETM MARSTM III、チタン製コーンプレート:C20/1°、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製)を用いた。
次に、導電性ペーストをガラス基板に塗布して、導電性ペーストの層を得た。なお、このガラス基板を、導電層を含むガラス基板としても、同様な結果が得られると考えられる。ガラス基板(50mm幅、75mm長さ、1mm厚)に、15mm幅の間隔を空けてスコッチテープを貼った。スコッチテープの間にスクレーパーを用いて導電性ペーストを塗布した後、スコッチテープを剥がして、角型パターン(15mm幅、40mm長さ、150μm厚)の導電性ペーストの層を形成した。導電性ペーストの層をオーブンにて70℃25分乾燥させた。
乾燥後、導電性ペーストの層の上表面の接着性を、引張試験機(CHATILLON(登録商標) TCM 201−SS、Wagner Instruments)で測定した。装置のヘッドを、100gfの力で5秒間、導電性ペーストの層の表面にプレスした後、0.1インチ/分のスピードで、引上げた。装置のヘッドが導電性ペーストの層の表面から離れたときの張力を剥離強度とした。
結果を、第1表に示す。剥離強度は、比較例1の結果を100としたときの相対値で表した。
100 電子デバイス
101 基板
103 導電層
105 導電性ペースト
107 電子部品

Claims (13)

  1. 導電層を含む基板を準備する工程と、
    導電層の上に導電性ペーストを塗布する工程であって、導電性ペーストが、金属粉および溶媒を含む、接合用の導電性ペーストであり、溶媒が、第1溶媒および第2溶媒を含み、第1溶媒の沸点が100〜280℃であり、第2溶媒の沸点が285〜500℃である、工程と、
    塗布された導電性ペーストの上に電子部品を搭載する工程と、
    導電性ペーストを加熱して、導電層と電子部品とを接合する工程とを含み、
    第2溶媒が、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される、電子デバイスの製造方法。
  2. 第1溶媒が、ブチルカルビトール、テキサノール、1−フェノキシ−2−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、2,2,4−トリメチル1,3−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の製造方法。
  3. 第1溶媒および第2溶媒の重量比(第1溶媒:第2溶媒)が、0.1:1〜10:1である、請求項1または2に記載の製造方法。
  4. 第2溶媒の沸点が、第1溶媒の沸点よりも50℃以上大きい、請求項1〜のいずれか1項に記載の製造方法。
  5. 第1溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、1:1〜1:20である、請求項1〜のいずれか1項に記載の製造方法。
  6. 電子部品が、半導体チップである、請求項1〜のいずれか1項に記載の製造方法。
  7. 電子部品が、ニッケル、金、およびそれらの合金からなる群から選択されるメッキ層を含む、請求項1〜のいずれか1項に記載の製造方法。
  8. 導電層の上に導電性ペーストを塗布した後、塗布された導電性ペーストの上に電子部品を搭載する前に、40〜150℃で乾燥する工程を更に含む、請求項1〜のいずれか1項に記載の製造方法。
  9. 金属粉および溶媒を含基板の導電層と電子部品とを接合するための導電性ペーストであって、溶媒が、第1溶媒および第2溶媒を含み、第1溶媒の沸点が100〜280℃であり、第2溶媒の沸点が285〜500℃であり、
    第2溶媒が、フタル酸ジブチル、イソステアリルアルコール、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル、イソステアリン酸、および、それらの混合物からなる群から選択される、導電性ペースト。
  10. 第1溶媒が、ブチルカルビトール、テキサノール、1−フェノキシ−2−プロパノール、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、ジブチルカルビトール、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレンレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコール、エチレングリコールフェニルエーテル、2,2,4−トリメチル1,3−ペンタジオールモノイソブチレート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、および、それらの混合物からなる群から選択される、請求項に記載の導電性ペースト。
  11. 第1溶媒および第2溶媒の重量比(第1溶媒:第2溶媒)が、0.1:1〜10:1である、請求項9または10に記載の導電性ペースト。
  12. 第2溶媒の沸点が、第1溶媒の沸点よりも50℃以上大きい、請求項〜1のいずれか1項に記載の導電性ペースト。
  13. 第1溶媒がブチルカルビトールおよびテキサノールの混合物であり、ブチルカルビトールおよびテキサノールの重量比が、1:1〜1:20である、請求項〜1のいずれか1項に記載の導電性ペースト。
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