JP6843846B2 - 硫化水素を選択的に除去するための環状アミン - Google Patents

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Description

本発明は、流体ストリームからの酸性気体の除去のための、特に硫化水素の選択的除去のための環状アミンの使用方法、及び、流体ストリームから酸性気体を除去するための、特に二酸化炭素に対してより優先される硫化水素の選択的除去のための吸収剤及び方法に関する。本発明はまた、硫化水素の選択的除去に適した、新規物質である特定のアミンにも関する。
天然ガス、製油所ガス又は合成ガス等の流体ストリームからの酸性ガス、例えばCO、HS、SO、CS、HCN、COS又はメルカプタンの除去は、様々な理由により重要である。硫黄化合物が、天然ガス中に高頻度で同伴している水の中に腐食作用を有する酸を形成するため、天然ガス中の硫黄化合物の含量は、適切な処理手段を用いて天然ガス供給源において直接低減しなければならない。従って、パイプライン内での天然ガスの輸送又は天然ガス液化プラント内での天然ガスのさらなる処理(LNG=液化天然ガス)のためには、硫黄含有不純物に関する所与の限度を観測しなければならない。さらに、数多くの硫黄化合物は、低濃度においてさえ悪臭を放ち、有毒である。
二酸化炭素は、他の物質の中でもとりわけ天然ガスから除去しなければならない。それは、パイプラインガス又は販売ガス(sales gas)として使用する場合に高濃度のCOが気体の発熱量を低減するからである。さらに、COは、流体ストリーム中に高頻度で同伴している水分と一緒になって、パイプ及び弁の中に腐食を起こし得る。その一方、低すぎる濃度のCOも同様に、この結果として気体の発熱量が高くなり過ぎる可能性があるため、望ましくない。一般的に、パイプラインガス又は販売ガスのCO濃度は、1.5体積%と3.5体積%の間である。
酸性ガスは、無機塩基又は有機塩基の水溶液によるスクラビング操作を用いて除去される。酸性ガスが吸収剤に溶解すると、塩基と一緒になってイオンを形成する。吸収媒体は、より低い圧力への減圧及び/又はストリッピングによって再生することができる、この場合、上記イオン種は、逆反応して、酸性ガスを形成し、及び/又は水蒸気によってストリッピングされる。再生工程後、吸収剤は、再使用することができる。
すべての酸性ガス、特にCO及びHSを真に実質的に除去する方法は、「全吸収」と呼ばれる。特定の場合においては対照的に、例えば下流側のクラウスプラント用として発熱量に関して最適化されたCO/HS比を得るために、COよりHSを優先的に吸収することが望ましいこともある。この場合は、「選択的スクラビング」について言及している。好ましくないCO/HS比は、COS/CSが形成され、クラウス触媒がコーキングすること、又は発熱量が小さくなりすぎることにより、クラウスプラントの性能及び効率を損なう可能性がある。
硫化水素の選択的除去は、低い酸性ガス分圧を有する流体ストリームの場合に、例えばテールガス中に利用されることが多く、又は酸性ガス富化(AGE)の場合に、例えばクラウス法前のHSの富化のために利用されることが多い。
パイプラインガス用の天然ガス処理の場合においてもまた、COに対してより優先されるHSの選択的除去が望ましいこともある。大抵の場合、天然ガス処理の目的は、HSとCOとを同時に除去することであり、このとき、所与のHS限度を観測しなければならないが、COの完全な除去は不要である。パイプラインガスに一般的な仕様は、約1.5体積%から約3.5体積%のCO及び4ppmv未満のHSとなるような酸性ガス除去を要求する。この場合、最大のHS選択性は、望ましくない。
2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エタノール(TABEE)等の大きな立体障害のある第二級アミン及びメチルジエタノールアミン(MDEA)等の大きな立体障害のある第三級アミンは、COに対してより優先されるHSへの速度論的な選択性を示す。上記大きな立体障害のあるアミンは、COと直接反応せず、代わりにCOが、ゆっくりした反応でアミン及び水と反応して、重炭酸塩を生成する。対照的に、HSは、アミン水溶液中で直ちに反応する。従って、このような大きな立体障害のあるアミンは、CO及びHSを含む気体混合物からのHSの選択的除去に特に適している。
特に、MDEAをベースとする吸収剤は、広い実用性を有する。吸収剤のHS選択性は、酸性ガスの分圧及び取り込みに依存する。例えば、酸性ガス分圧が低い場合、MDEAは、TBAEEと比較して低いHS選択性を示す。
ピペリジン誘導体等の環状第二級アミンもまた、ガススクラビングに使用される。WO2012/062830A1、WO2013/167367A1、WO2010/089257A1、WO2012/168094A1、WO2012/168095A1及びWO2012/168067A1は、気体混合物からの酸性ガス吸収のための、ピペリジン誘導体を含む水性吸収媒体を記載している。硫化水素の選択的除去は論じられていない。
US2014/0079613A1は、第三級アミノ基のみを有する環状アミン及び少なくとも1個の立体障害のないアミノ基を含む環状アミンを含む、気体混合物からの酸性ガス吸収のための水性吸収媒体について記載している。DE102005043142A1は、少なくとも2個の第一級、第二級若しくは第三級アミノ基を有するポリアミン及び脂肪族若しくは脂環式アミンを含む水性吸収剤を記載している。これらの文献も、選択的HS除去については記載していない。
WO2012/062830A1 WO2013/167367A1 WO2010/089257A1 WO2012/168094A1 WO2012/168095A1 WO2012/168067A1 US2014/0079613A1 DE102005043142A1
本発明の目的は、流体ストリームからの硫化水素及び二酸化炭素の選択的除去のためのさらなるアミン、吸収剤及び方法を提供することである。アミンをベースとする吸収剤は、高い選択性、高い取り込み容量及び良好な再生能を有するべきである。
第一の態様において、本発明は、式(I)
Figure 0006843846
(式中、
、R、R及びRは独立してC〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択され、
はNR、O(CR)xNR及びOR10から選択され、
は水素、C〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択され、RはC〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択されるが、ただし、Rが水素である場合には、Rは第二級又は第三級炭素原子を介して窒素原子に結合したC〜C−アルキルであり、
及びRはそれぞれ独立して水素、C〜C−アルキルから選択され、
xは2から5までの整数であり、及び
10は水素、C〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択される。)のアミンを、
二酸化炭素及び硫化水素を含む流体ストリームからの硫化水素の選択的除去のために使用する方法に関する。
更なる態様において、本発明は、二酸化炭素及び硫化水素を含む流体ストリームから硫化水素を選択的に除去する方法であって、該流体ストリームを上記式(I)のアミンを含む吸収剤と接触させて、処理済み流体ストリーム及び取り込み済み吸収剤を得る方法に関する。
更なる態様において、本発明はまた、二酸化炭素及び硫化水素を含む流体ストリームからの硫化水素の選択的除去のための吸収剤であって、
a)式(Ia)
Figure 0006843846
(式中、
、R、R及びRは独立してC〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択され、
はNR、O(CR)xNR6’7’及びOR10から選択され、
は水素であり、
は第二級又は第三級炭素原子を介して窒素原子に結合したC〜C−アルキルであり、
6’は水素、C〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択され、R7’はC〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択されるが、ただし、R6’が水素である場合には、R7’は第二級又は第三級炭素原子を介して窒素原子に結合したC〜C−アルキルであり、
及びRはそれぞれ独立して水素、C〜C−アルキルから選択され、
xは2から5までの整数であり、及び
10は水素、C〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択される。)のアミン、及び、
b)第三級アミン及び/又は大きな立体障害のあるアミン、
を含む吸収剤に関する。
好ましくは、アミンa)は、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンである。好ましくは、アミンb)は、メチルジエタノールアミン(MDEA)及び2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エタノール(TBAEE)から選択される。
更なる態様において、本発明はまた、式(Ib)
Figure 0006843846
(式中、
、R、R及びRは独立してC〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択され、
はNR及びO(CR)xNRから選択され、
は水素であり、
は第二級又は第三級炭素原子を介して窒素原子に結合したC〜C−アルキルであり、
及びRはそれぞれ独立して水素、C〜C−アルキルから選択され、及び、
xは2から5までの整数である。)のアミン
にも関する。
更なる態様において、本発明は、二酸化炭素及び硫化水素を含む流体ストリームからの硫化水素の選択的除去のための、上記式(Ib)の少なくとも1種のアミンを含む吸収剤に関する。
文脈から逆のことが明らかでない限り、以下の詳細は、本発明の使用方法、本発明の吸収剤、本発明の方法及び本発明のアミンに適用される。
、R、R及びRは独立して、C〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択される。好ましくは、R、R、R及びRは同じであり、メチルである。
〜C−アルキルは、好ましくはメチル又はエチルである。C〜C−ヒドロキシアルキルは、好ましくは2−ヒドロキシエチルである。第二級又は第三級炭素原子を介して窒素原子に結合したC〜C−アルキルは、好ましくはイソプロピル(2−プロピル)又はtert−ブチル(2−メチル−2−プロピル)である。
及びRは、好ましくは水素である。
記号xは、2〜5の、好ましくは2〜4の、より好ましくは2〜3の整数であり、最も好ましくは2である。
式(I)のアミンは、高い熱安定性及び化学的安定性を有する。置換基Rは、HS選択性の程度及び水溶解性の両方に影響を及ぼす。従って、置換基Rを適切に選択することにより、流体ストリームからの硫化水素の除去のための特定の分離作業に最適な吸収剤を選択することが可能である。
一般式(I)のアミンは、立体障害のある第二級アミノ基及び任意に1個以上の第三級アミノ基及び/又は立体障害のあるさらなる第二級アミノ基を含む化合物である。この種類の化合物は、硫化水素を脱プロトン化してイオン生成物を形成することができる。この化合物は、COと直接反応しないが、水等のプロトン供与体の存在下で緩やかなトランスプロトネーション(transprotonation)をするのみである。これにより、COと比較してHS除去の速度論的な選択性が達成される。
式(I)のアミン中の第二級環窒素原子は、直接隣の炭素原子上のR、R、R及びRラジカルに起因して立体障害がある。アミンがさらなる第二級アミノ基を含む場合、これら第二級アミノ基はその置換基に起因して立体障害がある。第二級アミノ基の立体障害は、アミノ基の窒素原子の直接隣の少なくとも1個の非環式第二級又は第三級炭素原子の存在を意味すると理解される。
第二級炭素原子は、立体障害のある位置への結合とは別に、2つの炭素−炭素結合を有する炭素原子を意味すると理解される。第三級炭素原子は、立体障害のある位置への結合とは別に、3つの炭素−炭素結合を有する炭素原子を意味すると理解される。第二級アミンは、水素以外の2個の有機ラジカルで置換された窒素原子を有する化合物を意味すると理解される。
一実施形態において、Rは、NR又はO(CR)xNRであり、式中、Rは水素及びC〜C−アルキルから選択され、RはC〜C−アルキルであるが、ただし、Rが水素である場合には、Rは第二級又は第三級炭素原子を介して窒素原子に結合したC〜C−アルキルであり、R及びRはそれぞれ独立して水素、C〜C−アルキルから選択され、xは2から4までの整数である。例示的な代表例としては、
4−(N,N−ジメチルアミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(N,N−ジエチルアミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(N,N−ジ−(3’−ヒドロキシプロピル)アミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(N,N−ジ−(4’−ヒドロキシブチル)アミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(3’−(N,N−ジメチルアミノ)プロポキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(4’−(N,N−ジメチルアミノ)ブトキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−イソプロピルアミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(tert−ブチルアミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(2−(イソプロピルアミノ)エトキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(2−(tert−ブチルアミノ)エトキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン及び
4−(ジ−(2−ヒドロキシエチル)アミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
が挙げられる。
一実施形態において、RはOR10である。例示的な代表例としては、
4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン(TAAol)、
4−エトキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−プロポキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−ブトキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(2’−ヒドロキシエトキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
4−(3’−ヒドロキシプロポキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン及び
4−(4’−ヒドロキシブトキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
が挙げられる。
4−(N,N−ジメチルアミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン(DATP)、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン(TAAol)、4−(tert−ブチルアミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−(2−(tert−ブチルアミノ)エトキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン及び4−(ジ−(2−ヒドロキシエチル)アミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンが最も好ましい。
式(I)のアミンは、一般に、少なくとも5質量%程度まで、より好ましくは少なくとも10質量%、及び最も好ましくは少なくとも15質量%程度まで、水に溶ける。
一般式(I)のアミンは、顕著なpKAの温度依存性を示す。この結果、吸収工程において存在する比較的低い温度では、pKAが高くなるほど、効率的な酸性ガス吸収が促進されるが、脱着工程において存在する比較的高い温度では、pKAが低くなるほど、吸収された酸性ガスの放出が支援される。吸収温度における一般式(I)のアミンのpKA値と、脱着温度における一般式(I)のアミンのpKA値との差異が大きいと、再生エネルギーが比較的低くなることが予想されている。
pK値は、例えば、実施例によって示されるように、半当量点でのpHを決定することにより、特定の温度で0.01〜0.05mol/kgのアミン濃度を有する水溶液中で、適切に測定される。
一実施形態では、式(I)のアミンは、第三級アミン及び/又は大きな立体障害のあるアミンと組み合わせて使用されるか、又は、吸収剤は、式(I)のアミンだけでなく、第三級アミン若しくは大きな立体障害のあるアミンを含む。第三級アミン又は大きな立体障害のあるアミンは、式(I)のアミンとは異なる。大きな立体障害は、第一級又は第二級窒素原子の直接隣の第三級炭素原子を意味すると理解される。
一般に、水溶液中の式(I)のアミンの濃度は、10質量%から60質量%までであり、好ましくは20質量%から50質量%までであり、より好ましくは30質量%から50質量%までである。吸収剤が式(I)のアミンだけでなく、式(I)のアミン以外のアミンも含む場合、水溶液中のアミンの総濃度は、好ましくは10質量%から60質量%までであり、より好ましくは20質量%から50質量%までであり、最も好ましくは30質量%から50質量%までである。
式(I)のアミン以外のアミンに対する一般式(I)のアミンのモル比は、好ましくは0.05〜1.0の範囲であり、好ましくは0.1〜0.9の範囲である。
一般式(I)のアミン以外の適切な第三級アミンa)には、
1. ビス(2−ヒドロキシエチル)メチルアミン(メチルジエタノールアミン、MDEA)、トリス(2−ヒドロキシエチル)アミン(トリエタノールアミン、TEA)、トリブタノールアミン、2−ジエチルアミノエタノール(ジエチルエタノールアミン、DEEA)、2−ジメチルアミノエタノール(ジメチルエタノールアミン、DMEA)、3−ジメチルアミノ−1−プロパノール(N,N−ジメチルプロパノールアミン)、3−ジエチルアミノ−1−プロパノール、2−ジイソプロピルアミノエタノール(DIEA)、N,N−ビス(2−ヒドロキシプロピル)メチルアミン(メチルジイソプロパノールアミン、MDIPA)等の第三級アルカノールアミン;
2. 3−メトキシプロピルジメチルアミン等のターシャリーアミノエーテル;
3. N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N,N−ジエチル−N’,N’−ジメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラエチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチル−1,3−プロパンジアミン(TMPDA)、N,N,N’,N’−テトラエチル−1,3−プロパンジアミン(TEPDA)、N,N,N’,N’−テトラメチル−1,6−ヘキサンジアミン、N,N−ジメチル−N’,N’−ジエチルエチレンジアミン(DMDEEDA)、1−ジメチルアミノ−2−ジメチルアミノエトキシエタン(ビス[2−(ジメチルアミノ)エチル]エーテル)、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(TEDA)、テトラメチル−1,6−ヘキサンジアミン等のターシャリーポリアミン、例えばビス−ターシャリージアミン;
及びこれらの混合物が特に挙げられる。
第三級アルカノールアミン、すなわち、窒素原子に結合した少なくとも1個のヒドロキシアルキル基を有するアミンが一般に、好ましい。メチルジエタノールアミン(MDEA)が、特に好ましい。
一般式(I)のアミン以外の適切な大きな立体障害のあるアミン(すなわち、第一級又は第二級窒素原子の直接隣に第三級炭素原子を有するアミン)には、
1. 2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エタノール(TBAEE)、2−(2−tert−ブチルアミノ)プロポキシエタノール、2−(2−tert−アミルアミノエトキシ)エタノール、2−(2−(1−メチル−1−エチルプロピルアミノ)エトキシ)エタノール、2−(tert−ブチルアミノ)エタノール、2−tert−ブチルアミノ−1−プロパノール、3−tert−ブチルアミノ−1−プロパノール、3−tert−ブチルアミノ−1−ブタノール、及び3−アザ−2,2−ジメチルヘキサン−1,6−ジオール等の大きな立体障害のある第二級アルカノールアミン;
2. 2−アミノ−2−メチルプロパノール(2−AMP);2−アミノ−2−エチルプロパノール;及び2−アミノ−2−プロピルプロパノール等の大きな立体障害のある第一級アルカノールアミン;
3. 1,2−ビス(tert−ブチルアミノエトキシ)エタン、ビス(tert−ブチルアミノエチル)エーテル等の大きな立体障害のあるアミノエーテル;
及びこれらの混合物が特に挙げられる。
大きな立体障害のある第二級アルカノールアミンが一般に好ましい。2−(2−tert−ブチルアミノエトキシ)エタノール(TBAEE)が、特に好ましい。
好ましくは、吸収剤は、立体障害のない第一級アミン又は立体障害のない第二級アミンを全く含まない。この種類の化合物は、CO吸収の強力な活性剤として作用する。結果として、吸収剤のHS選択性が失われる可能性がある。
立体障害のない第一級アミンは、水素原子又は第一級若しくは第二級炭素原子のみが結合している第一級アミノ基を有する、化合物を意味すると理解されている。立体障害のない第二級アミンは、水素原子又は第一級炭素原子のみが結合している第二級アミノ基を有する、化合物を意味すると理解されている。
好ましい実施形態において、吸収剤は水溶液である。
一実施形態において、吸収剤は少なくとも1種の有機溶媒を含む。吸収剤の水含有量を、吸収剤の質量を基準として例えば最大40質量%、又は最大30質量%、又は最大20質量%、又は最大10質量%、又は最大5質量%までに制限することが望ましい場合がある。
有機溶媒は、好ましくは、
〜C10アルコール、例えばn−ブタノール、n−ペンタノール及びn−ヘキサノール;
ケトン、例えばシクロヘキサノン;
エステル、例えば酢酸エチル及び酢酸ブチル;
ラクトン、例えばγ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン及びε−カプロラクトン;
第三級カルボキサミドのようなアミド、例えばN,N−ジメチルホルムアミド;又はN−ホルミルモルホリン及びN−アセチルモルホリン;
ラクタム、例えばγ−ブチロラクタム、δ−バレロラクタム及びε−カプロラクタム及びN−メチル−2−ピロリドン(NMP);
スルホン、例えばスルホラン;
スルホキシド、例えばジメチルスルホキシド(DMSO);
ジオール、例えばエチレングリコール(EG)及びプロピレングリコール等のグリコール;
ポリアルキレングリコール、例えばジエチレングリコール(DEG)及びトリエチレングリコール(TEG);
ジ−又はモノ(C−アルキルエーテル)グリコール、例えばエチレングリコールジメチルエーテル;
ジ−又はモノ(C−アルキルエーテル)ポリアルキレングリコール、例えばジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル及びトリエチレングリコールジメチルエーテル;
環状尿素、例えばN,N−ジメチルイミダゾリジン−2−オン及びジメチルプロピレン尿素(DMPU);
チオアルカノール、例えばエチレンジチオエタノール、チオジエチレングリコール(チオジグリコール、TDG)及びメチルチオエタノール;
及びそれらの混合物、から選択される。
より好ましくは、有機溶媒は、スルホン、ジオール、ジ−又はモノ(C1〜4−アルキルエーテル)ポリアルキレングリコール及びポリアルキレングリコールから選択される。最も好ましくは、有機溶媒はスルホンから選択される。好ましい有機溶媒はスルホランである。
一実施形態において、式(I)のアミンは、6未満、特に5未満のpKを有する酸と組み合わせて使用され、又は、吸収剤は、6未満、特に5未満のpKを有する少なくとも1種の酸を含む。1つより多い解離段階を有し、したがって、1つより多いpKを有する酸の場合、この要件は、pK値のうちの1つが、指定した範囲内である場合に満たされる。酸はプロトン酸(ブレンステッド酸)から適切に選択される。
酸は、好ましくは、120℃で測定する水溶液のpHが7.9〜8.8未満、好ましくは8.0〜8.8未満、より好ましくは8.0〜8.5未満、最も好ましくは8.0〜8.2未満となるような量で添加される。
プロトン化の平衡は、酸と一般式(I)のアミンとの間に形成する。平衡の位置は温度依存性であり、平衡は、より高い温度では、プロトン化のエンタルピーがより低い遊離オキソニウムイオン及び/又はアミン塩の方に向かって移動する。吸収温度における一般式(I)のアミンのpKA値と、脱着温度における一般式(I)のアミンのpKA値との大きな差異は、酸の添加によるpH調整と共に、再生エネルギーを特に低減する。
酸は、有機酸及び無機酸から選択される。適切な有機酸は例えば、ホスホン酸、スルホン酸、カルボン酸及びアミノ酸を含む。特定の実施形態において、酸は、多塩基酸である。
適切な酸は例えば、
鉱酸、例えば塩酸、硫酸、アミド硫酸、リン酸、リン酸の部分エステル、例えばモノ−及びジアルキルホスフェート並びにモノ−及びジアリールホスフェート、例えばトリデシルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジフェニルホスフェート及びビス(2−エチルヘキシル)ホスフェート;ホウ酸;
カルボン酸、例えば飽和脂肪族モノカルボン酸、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、n−ヘプタン酸、カプリル酸、2−エチルヘキサン酸、ペラルゴン酸、ネオデカン酸、ウンデカン酸、ラウリン酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸、アラキン酸、ベヘン酸;飽和脂肪族ポリカルボン酸、例えばシュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸;脂環式モノ−及びポリカルボン酸、例えばシクロヘキサンカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、樹脂酸、ナフテン酸;脂肪族ヒドロキシカルボン酸、例えばグリコール酸、乳酸、マンデル酸、ヒドロキシ酪酸、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸;ハロゲン化脂肪族カルボン酸、例えばトリクロロ酢酸又は2−クロロプロピオン酸;芳香族モノ−及びポリカルボン酸、例えば安息香酸、サリチル酸、没食子酸、位置異性体型トルイル酸、メトキシ安息香酸、クロロ安息香酸、ニトロ安息香酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸;工業用のカルボン酸混合物、例えばバーサチック酸;
スルホン酸、例えばメチルスルホン酸、ブチルスルホン酸、3−ヒドロキシプロピルスルホン酸、スルホ酢酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、p−キシレンスルホン酸、4−ドデシルベンゼンスルホン酸、1−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸及びジノニルナフタレンジスルホン酸、トリフルオロメチル−又はノナフルオロ−n−ブチルスルホン酸、ショウノウスルホン酸、2−(4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニル)エタンスルホン酸(HEPES);
有機ホスホン酸、例えば式(II)
11−POH (II)
(式中、R11は、カルボキシル、カルボキサミド、ヒドロキシル及びアミノから独立に選択される最大4個の置換基によって任意に置換されているC1〜18−アルキルである。)のホスホン酸である。
上記有機ホスホン酸には、アルキルホスホン酸、例えばメチルホスホン酸、プロピルホスホン酸、2−メチルプロピルホスホン酸、t−ブチルホスホン酸、n−ブチルホスホン酸、2,3−ジメチルブチルホスホン酸、オクチルホスホン酸;ヒドロキシアルキルホスホン酸、例えばヒドロキシメチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチルホスホン酸、2−ヒドロキシエチルホスホン酸;アリールホスホン酸、例えばフェニルホスホン酸、トリルホスホン酸、キシリルホスホン酸、アミノアルキルホスホン酸、例えばアミノメチルホスホン酸、1−アミノエチルホスホン酸、1−ジメチルアミノエチルホスホン酸、2−アミノエチルホスホン酸、2−(N−メチルアミノ)エチルホスホン酸、3−アミノプロピルホスホン酸、2−アミノプロピルホスホン酸、1−アミノプロピルホスホン酸、1−アミノプロピル−2−クロロプロピルホスホン酸、2−アミノブチルホスホン酸、3−アミノブチルホスホン酸、1−アミノブチルホスホン酸、4−アミノブチルホスホン酸、2−アミノペンチルホスホン酸、5−アミノペンチルホスホン酸、2−アミノヘキシルホスホン酸、5−アミノヘキシルホスホン酸、2−アミノオクチルホスホン酸、1−アミノオクチルホスホン酸、1−アミノブチルホスホン酸;アミドアルキルホスホン酸、例えば3−ヒドロキシメチルアミノ−3−オキソプロピルホスホン酸;及びホスホノカルボン酸、例えば2−ヒドロキシホスホノ酢酸及び2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸;
式(III)
Figure 0006843846
(式中、R12は、H又はC1〜−アルキルであり、Qは、H、OH又はTLであり、Tは、H又はCHPOであり、例えば1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸である。)のホスホン酸;
式(IV)
Figure 0006843846
(式中、Zは、C2〜−アルキレン、シクロアルカンジイル、フェニレン、又はシクロアルカンジイル又はフェニレンによって割り込まれているC2〜−アルキレンであり、Lは、CHPOであり、mは、0から4までであり、例えばエチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)及びビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)である。)のホスホン酸;
式(V)
13−NA (V)
(式中、R13は、C1〜−アルキル、C2〜−ヒドロキシアルキル又はAであり、Aは、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)及び2−ヒドロキシエチルイミノビス(メチレンホスホン酸)等のCHPOである。)のホスホン酸;
第三級アミノ基又は、アミノ基のすぐ隣に少なくとも1個の第二級若しくは第三級炭素原子を有するアミノ基、を有するアミノカルボン酸、例えば
第三級アミノ基又はアミノ基のすぐ隣に少なくとも1個の第二級若しくは第三級炭素原子を有するアミノ基を有するα−アミノ酸、例えばN,N−ジメチルグリシン(ジメチルアミノ酢酸)、N,N−ジエチルグリシン、アラニン(2−アミノプロピオン酸)、N−メチルアラニン(2−(メチルアミノ)プロピオン酸)、N,N−ジメチルアラニン、N−エチルアラニン、2−メチルアラニン(2−アミノイソ酪酸)、ロイシン(2−アミノ−4−メチルペンタ−1−酸)、N−メチルロイシン、N,N−ジメチルロイシン、イソロイシン(1−アミノ−2−メチルペンタン酸)、N−メチルイソロイシン、N,N−ジメチルイソロイシン、バリン(2−アミノイソ吉草酸)、α−メチルバリン(2−アミノ−2−メチルイソ吉草酸)、N−メチルバリン(2−メチルアミノイソ吉草酸)、N,N−ジメチルバリン、プロリン(ピロリジン−2−カルボン酸)、N−メチルプロリン、N−メチルセリン、N,N−ジメチルセリン、2−(メチルアミノ)イソ酪酸、ピペリジン−2−カルボン酸、N−メチルピペリジン−2−カルボン酸、
第三級アミノ基又はアミノ基のすぐ隣に少なくとも1個の第二級若しくは第三級炭素原子を有するアミノ基を有するβ−アミノ酸、例えば3−ジメチルアミノプロピオン酸、N−メチルイミノジプロピオン酸、N−メチルピペリジン−3−カルボン酸、
第三級アミノ基又はアミノ基のすぐ隣に少なくとも1個の第二級若しくは第三級炭素原子を有するアミノ基を有するγ−アミノ酸、例えば4−ジメチルアミノ酪酸、
又は、第三級アミノ基又はアミノ基のすぐ隣に少なくとも1個の第二級若しくは第三級炭素原子を有するアミノ基を有するアミノカルボン酸、例えばN−メチルピペリジン−4−カルボン酸が挙げられる。
無機酸の中でも特に、リン酸及び硫酸が好ましい。
カルボン酸の中でも特に、ギ酸、酢酸、安息香酸、コハク酸及びアジピン酸が好ましい。
スルホン酸の中でも特に、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸及び2−(4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニル)エタンスルホン酸(HEPES)が好ましい。
ホスホン酸の中でも特に、2−ヒドロキシホスホノ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(HDTMP)及びニトリロトリス(メチレンホスホン酸)が好ましく、これらの中でもとりわけ、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸が特に好ましい。
第三級アミノ基又はアミノ基のすぐ隣に少なくとも1個の第二級若しくは第三級炭素原子を有するアミノ基を有するアミノカルボン酸の中でも特に、N,N−ジメチルグリシン及びN−メチルアラニンが好ましい。
より好ましくは、酸は、無機酸である。
吸収剤は、防食剤、酵素等の添加剤をさらに含んでいてもよい。一般に、このような添加剤の量は、吸収剤に対して約0.01質量%から約3質量%までの範囲である。
式(I)のアミンの溶液又は吸収剤は、少なくとも1、より好ましくは少なくとも1.2、更により好ましくは少なくとも2、及び最も好ましくは少なくとも3のHS:CO取り込み容量比を有することが好ましい。
S:CO取り込み容量比は、40℃及び周囲圧力(約1bar)でCO及びHSを吸収剤に取り込んだ場合に、平衡状態下で最大HS取り込みを最大CO取り込みで割った商を意味すると理解される。適切な試験方法については、実施例に明記する。HS:CO取り込み容量比は、予測されるHS選択性の指標として役立つ。HS:CO取り込み容量比が高いほど、予測されるHS選択性は高い。
好ましい実施形態では、式(I)のアミンの溶液又は吸収剤の最大のHS取り込み容量は、実施例で測定して、少なくとも5m(STP)/t、より好ましくは少なくとも15m(STP)/t、さらにより好ましくは少なくとも25m(STP)/t、及び最も好ましくは少なくとも40m(STP)/tである。
本発明による方法は、すべての種類の流体の処理に適している。流体は、第一には、天然ガス、合成ガス、コークス炉ガス、クラッキングガス、石炭ガス化ガス、サイクルガス、ランドフィルガス及び燃焼ガス等の気体であり、第二には、LPG(液化石油ガス)又はNGL(天然ガス液体)等の吸収剤と本質的に混和しない流体である。本発明による方法は、炭化水素含有流体ストリームの処理に特に適している。存在する炭化水素は例えば、メタン等のC1〜4炭化水素、エチレン若しくはプロピレン等の不飽和炭化水素、又はベンゼン、トルエン若しくはキシレン等の芳香族炭化水素等、脂肪族炭化水素である。
本発明による吸収剤又は方法は、CO及びHSの除去に適している。二酸化炭素及び硫化水素に加えて、COS及びメルカプタン等の他の酸性気体も流体ストリーム中に存在することができる。さらに、SO、SO、CS及びHCNを除去することもできる。
本発明による方法は、COに対してより優先される硫化水素の選択的除去に適している。本文脈で、「硫化水素に対する選択性」は、次の商
Figure 0006843846
の値を意味すると理解されている。
標準的なガススクラビング工程において、液相は吸収器底部の取り込み済み吸収剤であり、気相は処理されることとなる流体ストリームである。
ガススクラビング工程は、選択性が1より大きいときに選択的であるとみなされる。硫化水素に対する選択性は、好ましくは少なくとも1.3、より好ましくは少なくとも2、さらにより好ましくは少なくとも3である。報告する選択性の値は、0.2以上、又は0.4以上の酸性ガス取り込み(mol(CO+HS)/mol(アミン))で確立される。
いくつかの場合、例えば、パイプラインガス又は販売ガスとして使用するために天然ガスから酸性ガスを除去する場合、二酸化炭素の全吸収は望ましくない。一実施形態において、処理済み流体ストリーム中の残留二酸化炭素含量は、少なくとも0.5体積%、好ましくは少なくとも1.0体積%、及びより好ましくは少なくとも1.5体積%である。
好ましい複数の実施形態において、流体ストリームは、炭化水素を含む流体ストリーム、特に天然ガスストリームである。より好ましくは、流体ストリームは、1.0体積%を超える炭化水素、さらにより好ましくは5.0体積%を超える炭化水素、最も好ましくは15体積%を超える炭化水素を含む。
流体ストリーム中での硫化水素分圧は一般的に、少なくとも2.5mbarである。好ましい複数の実施形態において、少なくとも0.1bar、特に少なくとも1barの硫化水素分圧が、及び少なくとも0.2bar、特に少なくとも1barの二酸化炭素分圧が、流体ストリーム中に存在する。記載した分圧は、吸収工程において吸収剤と最初に接触するときの流体ストリームに基づいている。
好ましい複数の実施形態において、少なくとも1.0bar、より好ましくは少なくとも3.0bar、さらにより好ましくは少なくとも5.0bar、及び最も好ましくは少なくとも20barの全圧が、流体ストリーム中に存在する。好ましい複数の実施形態において、最大180barの全圧が、流体ストリーム中に存在する。全圧は、吸収工程において吸収剤と最初に接触するときの流体ストリームに基づいている。
本発明による方法において、流体ストリームが、吸収工程において吸収器内で吸収剤と接触し、この結果、二酸化炭素及び硫化水素が、少なくとも部分的にスクラビングされる。これにより、CO及びHSが激減した流体ストリーム並びにCO及びHSを取り込んだ吸収剤が得られる。
使用される吸収器は、慣例的なガススクラビング工程において使用されるスクラビング装置である。適切なスクラビング装置は例えば、不規則充填物、規則充填物を有する塔並びにトレー、メンブレンコンタクター、半径流スクラバー、ジェットスクラバー、ベンチュリスクラバー及び回転噴霧式スクラバーを有する塔であり、好ましくは、規則充填物を有する塔、不規則充填物を有する塔及びトレーを有する塔であり、より好ましくは、トレーを有する塔及び不規則充填物を有する塔である。流体ストリームは好ましくは、塔内で向流の状態の吸収剤によって処理される。一般に、流体は、塔の下部領域に供給され、吸収剤は、塔の上部領域に供給される。トレー塔内には、液体が流れ伝うことになるシーブトレー、バブルキャップトレー又はバルブトレーが据え付けられている。不規則充填物を有する塔には、相異なる成形品を充填することができる。熱及び物質移動は、通常約25mmから約80mmまでのサイズの成形品に起因する、表面積の増大によって改良される。公知の例は、ラシヒリング(中空シリンダー)、ポールリング、Hiflowリング及びIntaloxサドル等である。不規則充填物は、塔内に(層として)整然とした態様で導入することもできるし、又は不規則的に導入することもできる。可能な材料には、ガラス、セラミック、金属及びプラスチックが挙げられる。規則充填物は、整然とした不規則充填物のさらなる発展形である。規則充填物は、一定の構造を有する。この結果、充填物の場合、気体流中の圧力損失を低減することができる。規則充填物、例えば織物型充填物又はシート金属充填物には、様々な設計が存在する。使用される材料は、金属、プラスチック、ガラス及びセラミックであってよい。
吸収工程における吸収剤の温度は一般に、約30℃から100℃までであり、塔が使用される場合は、例えば、塔の頂部において30℃から70℃までであり、塔の底部において50℃から100℃までである。
本発明による方法は、1つ又は複数の吸収工程、特に連続する2つの吸収工程を含んでもよい。吸収は、連続する複数の構成要素工程において実施してもよく、この場合、酸性気体成分を含む粗製ガスが、構成要素工程のそれぞれにおいて吸収剤の部分ストリームと接触する。粗製ガスが接触する吸収剤は、酸性気体をあらかじめ部分的に取り込んでいてもよく、このことは、粗製ガスが接触する吸収剤が例えば、下流側の吸収工程から第1の吸収工程にリサイクルされた吸収剤であってもよいし、又は部分的に再生済みの吸収剤であってもよいことを意味する。2段階吸収の性能に関しては、公報EP0159495、EP0190434、EP0359991及びWO00100271を参照する。
当業者は、吸収工程における条件、例えば、特に詳細には吸収剤/流体ストリーム比、吸収器の塔の高さ、不規則充填物やトレー若しくは規則充填物のような吸収器内の接触促進用内部部材の種類、及び/又は再生した吸収剤の取り込み残分等の、条件を変化させることにより、定義した選択性で高レベルの硫化水素除去を達成することができる。
吸収剤/流体ストリーム比が小さいと、選択性が高まる。吸収剤/流体ストリーム比がより大きいと、選択的吸収が低下する。COはHSよりも緩慢にしか吸収されないため、滞留時間が短いときよりも長いときに、より多くのCOが吸収される。従って、塔が高いほど、選択的吸収の低下がもたらされる。液ホールドアップが比較的高いトレー又は規則充填物も同様に、選択的吸収を低下させる。再生時に導入した加熱エネルギーを、再生した吸収剤の取り込み残留分を調整するのに使用することができる。再生した吸収剤の取り込み残留分量が低いほど、吸収が改善される。
本方法は、好ましくはCO及びHSを取り込んだ吸収剤を再生する再生工程を含む。再生工程において、CO及びHS及び任意にさらなる酸性気体成分を、CO及びHSを取り込んだ吸収剤から放出して、再生済み吸収剤を得る。再生済み吸収剤は続いて、吸収工程に循環処理されるのが好ましい。一般に、再生工程は、加熱する手段、減圧する手段及び不活性流体によってストリッピングする手段のうちの少なくとも1つを含む。
再生工程は好ましくは、例えばボイラー、自然循環蒸発装置、強制循環蒸発装置又は強制循環フラッシュ蒸発装置による、酸性気体成分を取り込んだ吸収剤の加熱を含む。吸収された酸性ガスは、溶液の加熱によって得られた水蒸気によってストリッピングされる。水蒸気ではなく、窒素等の不活性流体を使用することもできる。脱着装置内の絶対圧力は、通常0.1barから3.5barまでであり、好ましくは1.0barから2.5barまでである。温度は、通常50℃から170℃までであり、好ましくは80℃から130℃までであるが、温度は当然ながら、圧力に依存する。
再生工程は、減圧を代替的に又はさらに含み得る。この減圧は、吸収工程の実施のときに存在する高い圧力から低い方の圧力となるように、取り込み済み吸収剤を少なくとも1回減圧することを含む。減圧は例えば、スロットルバルブ及び/又は減圧タービンによって達成することができる。減圧段階を伴う再生は、例えば公報US4,537,753及びUS4,553,984に記載されている。
酸性気体成分は再生工程において例えば、減圧塔、例えば垂直に若しくは水平に据え付けられたフラッシュ容器の中で放出され得、又はインターナル入りの向流塔の中で放出され得る。
再生塔も同様に、不規則充填物を有する塔、規則充填物を有する塔又はトレーを有する塔であってよい。再生塔は、加熱装置、例えば循環ポンプ付きの強制循環蒸発装置を底部に有する。再生塔は、放出された酸性ガス用の出口を頂部に有する。同伴している吸収剤蒸気は、凝縮器内で凝縮し、塔に再循環される。
再生が相異なる圧力で実施される複数の減圧塔を、直列に接続することができる。例えば、再生は、吸収工程における酸性気体成分の分圧より約1.5bar高いのが一般的な高圧の予備減圧塔、及び低圧、例えば絶対圧力として1barから2barまでの主減圧塔の中で実施することができる。2つ以上の減圧段階を伴う再生は、公報US4,537、753、US4,553、984、EP0159495、EP0202600、EP0190434及びEP0121109に記載されている。
アミン成分の含量と酸の含量とが最適に調和しているため、吸収剤は、大きな酸性気体の取り込み容量を有するが、容易に再度脱着することもできる。このようにして、本発明による方法におけるエネルギー消費及び溶媒循環を著しく抑制することができる。
吸収剤の再生における最低のエネルギー要件に関しては、吸収温度におけるpHと脱着温度におけるpHとの差異が最大である場合が、この結果として吸収剤からの酸性ガスの分離が促進されるため、有利である。
本発明を、添付の図面及び下記の例によって詳細に説明する。
本発明による方法の実施に適したプラントの概略図である。 図2は、4−ブチルアミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン(ブチルTAD)、4−ジメチルアミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン(DATP)、メチルジエタノールアミン(MDEA)、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン(TAD)、及び4−ヒドロキシ2,2,6,6−テトラメチルピペリジンとMDEA(TAAol+MDEA)の混合物の、様々な酸性ガス取り込みにおけるHS選択性を示す。
図1によれば、入口Zを経由して、硫化水素及び二酸化炭素を含む適切に前処理された気体が、吸収剤用管路1.01を経由して供給された再生済み吸収剤と吸収器A1内で向流の状態で接触する。吸収剤が、気体から硫化水素及び二酸化炭素を吸収によって除去し、これにより、硫化水素及び二酸化炭素が激減した清浄な気体が、オフガス管路1.02を経由して送り出される。
吸収剤用管路1.03と、CO及びHSを取り込んだ吸収剤が、吸収剤用管路1.05の中を通って誘導された再生済み吸収剤からの熱によって加熱されることになる熱交換器1.04と、吸収剤用管路1.06とを経由して、CO及びHSを取り込んだ吸収剤が、脱着塔Dに供給され、再生される。
吸収器A1と熱交換器1.04との間には、フラッシュ容器が設けられていてもよく(図1には図示せず)、フラッシュ容器において、CO及びHSを取り込んだ吸収剤は、例えば3barから15barまでとなるように減圧される。
脱着塔Dの下側部分からは、吸収剤が、ボイラー1.07内に誘導され、加熱される。水を主に含有する蒸気は、脱着塔Dにリサイクルされるが、再生済み吸収剤は、吸収剤用管路1.05と、再生済み吸収剤がCO及びHSを取り込んだ吸収剤を加熱し、同時に、再生済み吸収剤自体は冷えることになる熱交換器1.04と、吸収剤用管路1.08、冷却装置1.09と、吸収剤用管路1.01とを経由して、吸収器A1に送り戻される。示したボイラーの代わりに、自然循環蒸発装置、強制循環蒸発装置又は強制循環フラッシュ蒸発装置等、ストリッピング蒸気を生成するための他の熱交換器方式を使用することもできる。これらの蒸発装置方式の場合、再生済み吸収剤とストリッピング蒸気との混相ストリームを、脱着塔Dの底部に帰還させて、蒸気と吸収剤との相分離を実施する。熱交換器1.04に向かう再生済み吸収剤は、脱着塔Dの底部から蒸発装置への循環ストリームから抜き出され、又は、脱着塔Dの底部から別個の管路を経由して熱交換器1.04に直接至るように誘導される。
脱着塔Dにおいて放出されたCO及びHSを含有する気体は、オフガス管路1.10を経由して脱着塔Dを退出する。CO及びHSを含有する気体は、相分離を統合した凝縮器1.11内に誘導され、同伴している吸収剤蒸気から分離される。このプラント及び本発明による方法の実施に適した他のすべてプラントにおいて、凝縮及び相分離は、互いに対して離れたところに存在してもよい。続いて、水から主になる液体が、吸収剤用管路1.12の中を通って脱着塔Dの上部領域に誘導され、CO及びHSを含有する気体が、気体用管路1.13を経由して排出される。
これらの例において、次の略が使用された。
ブチル−TAD: 4−ブチルアミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
DATP: 4−ジメチルアミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
MDEA: メチルジエタノールアミン
TAAol: 4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
TAD: 4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
TBATP: 4−(tert−ブチルアミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
パーセントの値は、全体を通じて質量%である。
実施例1―pK
様々なアミンのpK値は半当量法によって測定した。この目的のために、アミンを0.01〜0.5mol/Lの濃度で水に溶解し、塩酸のモル量の半分(0.005〜0.025mol/L)で部分的に中和した。アミン溶液の質量は250gであった。測定されたpHは、pKaに対応した。測定は20℃及び120℃で行った。使用したpH電極は、pH7及びpH12の緩衝液で較正した「Hamilton Polylite Plus 120」モデルであった。測定は、窒素封入を有する恒温のジャケット付き閉塞容器で行った。
Figure 0006843846
吸収温度におけるDATP及びTAAolのpK値と、脱着温度におけるDATP及びTAAolのpK値との差異が大きいと、比較的小さい再生エネルギーがもたらされることが予想されている。
実施例2―選択性
恒温ジャケット及び撹拌器(撹拌速度=200rpm)を備えたガラス反応器に、未取り込みの水性吸収剤(TAAol+MDEA:TAAol:0.77M;MDEA:0.63M;残留吸収剤:1.4M)約200mLを最初に充填した。ガラスシリンダーの上部に、5℃で動作するガラス凝縮器を取り付けた。これにより、吸収剤の部分蒸発による試験結果の歪みを防止した。吸収容量を測定するために、周囲圧力及び40℃で、216L(STP)/hの酸性ガス(1.0体積%のHS、10体積%のCO及び89体積%のN)を、浸漬したチューブを介して吸収液に通過させた。一定の時間間隔でガラス反応器からサンプルを採取し、CO及びHSの取り込みを以下のように測定した:
Sの測定は、硝酸銀溶液による滴定によって行った。この目的のために、分析するサンプルを約2質量%の酢酸ナトリウム及び約3質量%のアンモニアと一緒に水溶液中に秤量した。続いて、HS含有量を硝酸銀溶液による電位差変曲点滴定によって測定した。変曲点において、HSはAgSとして完全に結合する。CO含量は全無機炭素(TOC−Vシリーズ、島津製作所)として測定した。
選択性は、
Figure 0006843846
のように計算した。
結果を図2に示す。TAAol+MDEA及びDATPをベースとする吸収剤は、特に高い酸性ガス取り込みで、比較例よりも高い選択性を有することが明らかである。
実施例3―取り込み及びストリッピング実験
恒温ジャケットを備えたガラスシリンダーに、最初に約100mLの未取り込みの吸収剤(30質量%)を充填した。ガラスシリンダーの上部に、5℃で動作するガラス凝縮器を取り付けた。これにより、吸収剤の部分蒸発による試験結果の歪みを防止した。吸収容量を測定するために、周囲圧力及び40℃で、8L(STP)/hの酸性ガスHS又はCOをフリットを介して吸収液に通過させた。続いて、CO又はHSの取り込みを実施例2のように測定した。
同一の装置構成を80℃に加熱し、取り込み済み吸収剤を導入してNストリーム(8L(STP)/h)によりストリッピングすることによって、取り込んだ溶液をストリッピングした。60分後、サンプルを採取し、吸収剤のCO又はHS取り込みを実施例2のように測定した。
取り込み実験終了時の取り込みとストリッピング実験終了時の取り込みの差で、それぞれの循環容量が求められる。結果を表1に示す。
Figure 0006843846
実施例3−1及び3−2の比較から明らかなように、DATPは、より高いCO取り込み容量及びより高いHS取り込み容量の両方と、より高い循環CO及びHS容量を有している。上昇したHS:CO取り込み容量比もまた明らかである。
非水溶媒が低減したCO及びHS取り込み容量とより低い循環CO及びHS容量をもたらしたことも明らかであるが、より高いHS選択性を引き起こしている。
実施例4―pH勾配/再生エネルギー
アミン水溶液又は部分的に中和されたアミン溶液のpHの温度依存性を、50℃から120℃までの温度範囲内で測定した。Hamilton Polylite Plus 120 pH電極を使用し、これをpH7及びpH12の緩衝液で較正した。最大120℃までpHを測定することができる窒素封入を有する加圧装置を使用した。
表2は、例示する水性組成物の50℃におけるpH、120℃におけるpH、及び50℃におけるpHと120℃におけるpHとの差異を報告している。水性組成物が4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンを含む複数の実施例において、50℃のpH値と120℃のpH値との差異がより大きいことが明白である。
パイロットプラントにおいて、清浄化された気体に関して規定のHS濃度におけるCO吸収、及び再生の途中で導入された加熱エネルギーを、水性吸収剤の場合で検査した。パイロットプラントは、図1に対応する。吸収器内には、規則充填物を使用した。圧力は、60barだった。吸収器内の充填物高さは3.2mであり、塔直径は0.0531mだった。脱着装置内には、規則充填物を使用した。圧力は、1.8barだった。脱着装置内の充填物高さは、6.0mであり、0.085mの直径だった。
93体積%のN、5体積%のCO及び2体積%のHSの気体混合物を、47kg/hの質量流量及び40℃の温度で吸収器内に誘導した。吸収器において、吸収剤循環速度は、60kg/hだった。吸収剤の温度は、50℃だった。再生エネルギーを、5ppmのHS濃度が、清浄化された気体中に達成されるように調節した。結果を表3に示す。
Figure 0006843846
Figure 0006843846
4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンを含む水性組成物がより小さい再生エネルギー要求量を有することは明白である。

Claims (15)

  1. 流体ストリームから二酸化炭素に対してより優先して硫化水素を選択的に除去するための方法であって、前記流体ストリームを式(I)
    Figure 0006843846
    (式中、
    、R、R及びRはメチルであり、
    はNR及びOR10から選択され、
    はC〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択され、RはC〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択され、及び、
    10は水素、C〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択される。)のアミンを含む吸収剤と吸収器内で接触させて、処理済み流体ストリーム及び取り込み済み吸収剤を得、
    ここで
    Figure 0006843846
    である方法。
  2. がNRであり、RがC〜C−アルキルであり、及びRがC〜C−アルキルである、請求項1に記載の方法。
  3. 式(I)の前記アミンは、
    4−(N,N−ジメチルアミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン及び、
    4−(N,N−ジエチルアミノ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンから選択される、請求項2に記載の方法。
  4. はOR10である、請求項1に記載の方法。
  5. 式(I)の前記アミンは、
    4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
    4−エトキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
    4−プロポキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
    4−ブトキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
    4−(2’−ヒドロキシエトキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、
    4−(3’−ヒドロキシプロポキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン及び
    4−(4’−ヒドロキシブトキシ)−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
    から選択される、請求項4に記載の方法。
  6. 前記吸収剤が水溶液である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記吸収剤が少なくとも1種の有機溶媒を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記吸収剤が、リン酸、硫酸、ギ酸、酢酸、安息香酸、コハク酸、アジピン酸、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、2−(4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニル)エタンスルホン酸、2−ヒドロキシホスホノ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、及びニトリロトリス(メチレンホスホン酸)から選択される酸を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記吸収剤が第三級アミン又は大きな立体障害のあるアミンを含み、大きな立体障害は、第一級又は第二級窒素原子の直接隣の第三級炭素原子を意味すると理解される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 処理済み流体ストリーム中の残留二酸化炭素含有量が少なくとも0.5体積%である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
  11. 取り込み済みの吸収剤を、加熱、減圧、及び不活性流体によるストリッピングの手段のうちの少なくとも1つによって再生する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
  12. 式(I)
    Figure 0006843846
    (式中、
    、R、R及びRはメチルであり、
    はNR及びOR10から選択され、
    はC〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択され、RはC〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択され、及び、
    10は水素、C〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択される。)のアミンの使用方法であって、
    流体ストリームからの、二酸化炭素に対してより優先される硫化水素の選択的除去のために式(I)の前記アミンを含む吸収剤に吸収器内で前記流体ストリームを接触させ、ここで
    Figure 0006843846
    である方法。
  13. 第三級アミン及び/又は大きな立体障害のあるアミンと組み合わせた請求項12に記載の使用方法であって、ここで、大きな立体障害は、第一級又は第二級窒素原子の直接隣の第三級炭素原子を意味すると理解される、使用方法。
  14. 流体ストリームからの二酸化炭素に対してより優先される硫化水素の選択的除去のための吸収剤であって、
    a)式(Ia)のアミン
    Figure 0006843846
    (式中、
    、R、R及びRはメチルであり、
    はOR10であり、及び
    10は水素、C〜C−アルキル及びC〜C−ヒドロキシアルキルから選択される。)及び、
    b)第三級アミン及び/又は大きな立体障害のあるアミン(大きな立体障害は、第一級又は第二級窒素原子の直接隣の第三級炭素原子を意味すると理解される)
    を含む、吸収剤。
  15. c)リン酸、硫酸、ギ酸、酢酸、安息香酸、コハク酸、アジピン酸、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、2−(4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジニル)エタンスルホン酸、2−ヒドロキシホスホノ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、及びニトリロトリス(メチレンホスホン酸)から選択される酸を含む、請求項14に記載の吸収剤。
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