JP6824112B2 - 導波素子、発光装置及び導波素子の製造方法 - Google Patents
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Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)〜図1(c)は、第1実施形態に係る導波素子を例示する模式図である。
図1(a)及び図1(b)は、斜視図である。図1(c)は、図1(b)のA1−A2線断面図である。
これらの図において、入射光(第1光L1)の波長は、1064nmである。図3(a)は、導波素子110のモード分散曲線の例を示す。図3(a)の横軸は、導波路10の幅W(μm)である。縦軸は、実効屈折率neffである。図3(a)には、基本波のTE0モードTE0 ω、第2高調波のTE0モードTE0 2ω、第2高調波のTE1モードTE1 2ω、第2高調波のTE2モードTE2 2ω、及び、第2高調波のTE3モードTE3 2ωのそれぞれ特性が示されている。
この例では、第1結晶領域11及び第2結晶領域12は、AlNである。第1結晶領域11の<0001>方向、及び、第2結晶領域12の<0001>方向は、X軸方向に対して平行である。第1結晶領域11の<0001>方向は、第1結晶領域11から第2結晶領域12に向かう。第2結晶領域12の<0001>方向は、第2結晶領域12から第1結晶領域11に向かう。第1層50は、c面サファイア基板である。第2層60は、酸化アルミニウム(AlOx)である。
図5(a)に示すように、参考例の導波素子119aにおいては、導波路10Aとして、結晶領域11A及び12Aが設けられる。結晶領域11Aから結晶領域12Aに向かう方向が、X軸方向である。結晶領域11Aにおける結晶の極性の第1向きCO1(例えば<0001>方向)は、+Y方向である。結晶領域12Aにおける結晶の極性の第2向きCO2(例えば<0001>方向)は、−Y方向である。このような参考例においては、図3(b)及び図4(b)に関して説明したように、波長変換の効率が不十分である。さらに、参考例の導波素子119aの構造を作製することは容易ではない。
図6(a)は、導波素子110を例示する模式的斜視図である。図6(b)は、導波素子110の特性を例示するグラフ図である。図6(c)〜図6(g)は、導波素子110の特性を例示するグラフ図である。
図7(a)は、参考例の導波素子119dを例示する模式的斜視図である。図7(b)は、導波素子119dの特性を例示するグラフ図である。図7(c)〜図7(g)は、導波素子119dの特性を例示するグラフ図である。
図8に示すように、本実施形態に係る別の導波素子110aは、第1結晶領域11及び第2結晶領域12に加えて、第3結晶領域13及び第4結晶領域14をさらに含む。導波素子110aは、例えば、図2(f)に関して説明した方法により形成できる。
本実施形態は、発光装置に係る。発光装置は、第1実施形態に係る導波素子(及びその変形)と、光源部と、を含む。以下の例では、導波素子110が用いられる。
図9に示すように、本実施形態に係る発光装置310は、導波素子110と、光源部210と、を含む。光源部210は、第1波長の第1光L1を出射する。
図10(a)に示すように、導波素子111において、複数の導波路10が設けられる。このような導波素子111に、光源部210からの第1光L1が入射する。この例では、複数の導波路10は、互いに離れている。
このように、導波路、及び、光源部において、種々の変形が可能である。
本実施形態は、導波素子の製造方法に係る。本製造方法は、例えば、図2(a)〜図2(f)に関して説明した処理の少なくとも一部を含む。
上記の第1実施形態においては、第1結晶領域11及び第2結晶領域12は、窒化物半導体を含む。第4実施形態においては、第1結晶領域11及び第2結晶領域12は、窒化物半導体以外の材料を含んでも良い。これ以外は、第1実施形態と同様である。
(構成1)
第1方向に延び、第1窒化物半導体を含む第1結晶領域と、
前記第1方向に延び、第2窒化物半導体を含み前記第1結晶領域と連続した第2結晶領域と、
を備え、
前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かう第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記第1結晶領域の<0001>方向は、前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かい、
前記第2結晶領域の<0001>方向は、前記第2結晶領域から前記第1結晶領域に向かう、導波素子。
(構成2)
前記第1方向は、前記第1結晶領域のm軸方向に沿い、前記第2結晶領域のm軸方向に沿う、構成1記載の導波素子。
(構成3)
前記第1結晶領域は、第1部分と、第2部分と、を含み、
前記第1部分と前記第2結晶領域との間に前記第2部分が位置し、
前記第2部分における転位密度は、前記第1部分における転位密度よりも低く、
前記第2結晶領域は、第3部分と、第4部分と、を含み、
前記第3部分と前記第1結晶領域との間に前記第4部分が位置し、
前記第4部分における転位密度は、前記第3部分における転位密度よりも低い、構成1または2に記載の導波素子。
(構成4)
前記第1結晶領域に含まれる第1元素の第1濃度は、前記第2結晶領域に含まれる前記第1元素の第2濃度の0.01倍超100倍未満であり、
前記第1元素は、酸素、炭素及びシリコンからなる群から選択された1つである、構成1〜3のいずれか1つに記載の導波素子。
(構成5)
前記第1結晶領域の前記第2方向に沿う長さは、前記第2結晶領域の前記第2方向に沿う長さの0.9倍以上1.1倍以下である、構成1〜4のいずれか1つに記載の導波素子。
(構成6)
前記第1結晶領域の前記第2方向に沿う長さと、前記第2結晶領域の前記第2方向に沿う長さと、の和は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差する第3方向に沿う前記第1結晶領域の長さの0.1倍以上2倍以下である、構成1〜4のいずれか1つに記載の導波素子。
(構成7)
前記第1結晶領域の前記第1方向に沿う長さは、前記第1結晶領域の前記第2方向に沿う長さよりも長く、
前記第2結晶領域の前記第1方向に沿う長さは、前記第2結晶領域の前記第2方向に沿う長さよりも長い、構成1〜4のいずれか1つに記載の導波素子。
(構成8)
前記第1結晶領域の前記第1方向に沿う前記長さは、前記第1結晶領域の第3方向に沿う長さよりも長く、
前記第2結晶領域の前記第1方向に沿う前記長さは、前記第2結晶領域の前記第3方向に沿う長さよりも長く、
前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差した、構成7記載の導波素子。
(構成9)
第1部分領域、第2部分領域、第3部分領域及び第4部分領域を含む第1層をさらに備え、
前記第2方向において、前記第1部分領域と、前記第2部分領域と、の間に前記第1結晶領域の少なくとも一部が位置し、
前記第2方向において、前記第1結晶領域の前記少なくとも一部と、前記第2部分領域と、の間に、前記第2結晶領域の少なくとも一部が位置し、
前記第3部分領域から前記第1結晶領域に向かう方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差する第3方向に沿い、
前記第4部分領域から前記第2結晶領域に向かう方向は、前記第3方向に沿う、構成1〜7のいずれか1つに記載の導波素子。
(構成10)
前記第1層は、酸化アルミニウム、シリコン、窒化アルミニウム及び炭化ケイ素からなる群から選択された少なくとも1つを含む、構成9記載の導波素子。
(構成11)
前記第1層の屈折率は、前記第1結晶領域の屈折率よりも低く、前記第2結晶領域の屈折率よりも低い、構成9記載の導波素子。
(構成12)
第5部分領域、第6部分領域、第7部分領域及び第8部分領域を含む第2層をさらに備え、
前記第2層の屈折率は、前記第1結晶領域の屈折率よりも低く、前記第2結晶領域の屈折率よりも低く、
前記第2方向において、前記第5部分領域と、前記第6部分領域と、の間に前記第1結晶領域の別の一部が位置し、
前記第2方向において、前記第1結晶領域の前記別の一部と、前記第6部分領域と、の間に、前記第2結晶領域の別の一部が位置し、
前記第1結晶領域から前記第7部分領域に向かう方向は、前記第3方向に沿い、
前記第2結晶領域から前記第8部分領域に向かう方向は、前記第3方向に沿う、構成9〜11のいずれか1つに記載の導波素子。
(構成13)
前記第1結晶領域及び前記第2結晶領域は、Alx1Ga1−x1N(0≦x1<1)を含み、
前記第2層は、Alx2Ga1−x2N(0<x2≦1、x1<x2)を含む、構成12記載の導波素子。
(構成14)
前記第2層は、酸化シリコン、酸化亜鉛、窒化シリコン、酸窒化シリコン及び酸化アルミニウムからなる群から選択された少なくとも1つを含む、構成12記載の導波素子。
(構成15)
前記第1方向に延び、第3窒化物半導体を含む第3結晶領域と、
前記第1方向に延び、第4窒化物半導体を含み前記第3結晶領域と連続した第4結晶領域と、
をさらに備え、
前記第2方向において、前記第1結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第2結晶領域が位置し、
前記第2方向において、前記第2結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第3結晶領域が位置し、
前記第3結晶領域の<0001>方向は、前記第3結晶領域から前記第4結晶領域に向かい、
前記第4結晶領域の<0001>方向は、前記第4結晶領域から前記第3結晶領域に向かう、構成1〜14のいずれか1つに記載の導波素子。
(構成16)
前記第3結晶領域は前記第2結晶領域と連続した、構成15記載の導波素子。
(構成17)
前記第1結晶領域及び前記第2結晶領域は、Alx1Ga1−x1N(0≦x1≦1)を含む、請求項1〜16のいずれか1つに記載の導波素子。
(構成18)
構成1〜14のいずれか1つに記載の導波素子と、
第1波長の第1光を出射する光源部と、
を備え、
前記第1結晶領域は、第1端部と第2端部とを含み、前記第1端部から前記第2端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第2結晶領域は、第3端部と第4端部とを含み、前記第3端部から前記第4端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第1光は、前記第1端部及び前記第3端部に入射し、
前記第2端部及び前記第4端部から出射する第2光の第2波長は、前記第1波長とは異なる、発光装置。
(構成19)
前記第1波長は、前記第2波長の実質的に2倍である、構成18記載の発光装置。
(構成20)
前記第1波長は、400ナノメートル以上900ナノメートル以下であり、
前記第2波長は、200ナノメートル以上450ナノメートル以下である、構成18または19に記載の発光装置。
(構成21)
前記導波素子は、
前記第1方向に延び、第3窒化物半導体を含む第3結晶領域と、
前記第1方向に延び、第4窒化物半導体を含み前記第3結晶領域と連続した第4結晶領域と、
をさらに含み、
前記第2方向において、前記第1結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第2結晶領域が位置し、
前記第2方向において、前記第2結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第3結晶領域が位置し、
前記第3結晶領域の<0001>方向は、前記第3結晶領域から前記第4結晶領域に向かい、
前記第4結晶領域の<0001>方向は、前記第4結晶領域から前記第3結晶領域に向かい、
前記第3結晶領域は、第5端部と第6端部とを含み、前記第5端部から前記第6端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第4結晶領域は、第7端部と第8端部とを含み、前記第7端部から前記第8端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第1光は、前記第5端部及び前記第7端部に入射する、構成18〜20のいずれか1つに記載の発光装置。
(構成22)
前記第3結晶領域は前記第2結晶領域と連続した、構成21記載の発光装置。
(構成23)
第1方向に延びる第1結晶領域と、
前記第1方向に延び前記第1結晶領域と連続した第2結晶領域と、
を備え、
前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かう第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記第1結晶領域の極性の第1向き、及び、前記第2結晶領域の極性の第2向きは、前記第2方向に沿い、
前記第1向きは、前記第2向きと、逆である、導波素子。
(構成24)
前記第1方向に延びる第3結晶領域と、
前記第1方向に延び前記第3結晶領域と連続した第4結晶領域と、
をさらに備え、
前記第2方向において、前記第1結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第2結晶領域が位置し、
前記第2方向において、前記第2結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第3結晶領域が位置し、
前記第3結晶領域の極性の第3向き、及び、前記第4結晶領域の極性の第4向きは、前記第2方向に沿い、
前記第3向きは、前記第1向きと同じであり、
前記第4向きは、前記第2向きと同じである、構成23記載の導波素子。
(構成25)
前記第3結晶領域は前記第2結晶領域と連続した、構成24記載の導波素子。
(構成26)
第1方向に延びる凹部を有する結晶性の第1層であって、前記凹部は、前記第1方向と交差する第2方向において互いに対向する第1側面及び第2側面を有した、前記第1層を用意し、
前記第1側面から窒化物半導体を含む第1結晶層を成長させ、前記第2側面から窒化物半導体を含む第2結晶層を成長させ、
前記第1結晶層と前記第2結晶層とを互いに接触させ、前記第1結晶層を含む第1結晶領域、及び、前記第2結晶層を含む第2結晶領域を形成する、導波素子の製造方法。
Claims (18)
- 第1方向に延び、第1窒化物半導体を含む第1結晶領域と、
前記第1方向に延び、第2窒化物半導体を含み前記第1結晶領域と連続した第2結晶領域と、
第1部分領域、第2部分領域、第3部分領域及び第4部分領域を含む第1層と、
前記第1方向に延び、第3窒化物半導体を含む第3結晶領域と、
前記第1方向に延び、第4窒化物半導体を含み前記第3結晶領域と連続した第4結晶領域と、
を備え、
前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かう第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記第1結晶領域の<0001>方向は、前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かい、
前記第2結晶領域の<0001>方向は、前記第2結晶領域から前記第1結晶領域に向かい、
前記第2方向において、前記第1部分領域と、前記第2部分領域と、の間に前記第1結晶領域の少なくとも一部が位置し、
前記第2方向において、前記第1結晶領域の前記少なくとも一部と、前記第2部分領域と、の間に、前記第2結晶領域の少なくとも一部が位置し、
前記第3部分領域から前記第1結晶領域に向かう方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差する第3方向に沿い、
前記第4部分領域から前記第2結晶領域に向かう方向は、前記第3方向に沿い、
前記第2方向において、前記第1結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第2結晶領域が位置し、
前記第2方向において、前記第2結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第3結晶領域が位置し、
前記第3結晶領域の<0001>方向は、前記第3結晶領域から前記第4結晶領域に向かい、
前記第4結晶領域の<0001>方向は、前記第4結晶領域から前記第3結晶領域に向かう、導波素子。 - 前記第3結晶領域は前記第2結晶領域と連続した、請求項1記載の導波素子。
- 第5部分領域、第6部分領域、第7部分領域及び第8部分領域を含む第2層をさらに備え、
前記第2層の屈折率は、前記第1結晶領域の屈折率よりも低く、前記第2結晶領域の屈折率よりも低く、
前記第2方向において、前記第5部分領域と、前記第6部分領域と、の間に前記第1結晶領域の別の一部が位置し、
前記第2方向において、前記第1結晶領域の前記別の一部と、前記第6部分領域と、の間に、前記第2結晶領域の別の一部が位置し、
前記第1結晶領域から前記第7部分領域に向かう方向は、前記第3方向に沿い、
前記第2結晶領域から前記第8部分領域に向かう方向は、前記第3方向に沿う、請求項1または2に記載の導波素子。 - 第1方向に延び、第1窒化物半導体を含む第1結晶領域と、
前記第1方向に延び、第2窒化物半導体を含み前記第1結晶領域と連続した第2結晶領域と、
前記第1方向に延び、第3窒化物半導体を含む第3結晶領域と、
前記第1方向に延び、第4窒化物半導体を含み前記第3結晶領域と連続した第4結晶領域と、
を備え、
前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かう第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記第1結晶領域の<0001>方向は、前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かい、
前記第2結晶領域の<0001>方向は、前記第2結晶領域から前記第1結晶領域に向かい、
前記第2方向において、前記第1結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第2結晶領域が位置し、
前記第2方向において、前記第2結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第3結晶領域が位置し、
前記第3結晶領域の<0001>方向は、前記第3結晶領域から前記第4結晶領域に向かい、
前記第4結晶領域の<0001>方向は、前記第4結晶領域から前記第3結晶領域に向かう、導波素子。 - 前記第3結晶領域は前記第2結晶領域と連続した、請求項4記載の導波素子。
- 前記第1結晶領域は、第1部分と、第2部分と、を含み、
前記第1部分と前記第2結晶領域との間に前記第2部分が位置し、
前記第2部分における転位密度は、前記第1部分における転位密度よりも低く、
前記第2結晶領域は、第3部分と、第4部分と、を含み、
前記第3部分と前記第1結晶領域との間に前記第4部分が位置し、
前記第4部分における転位密度は、前記第3部分における転位密度よりも低い、請求項1〜5のいずれか1つに記載の導波素子。 - 前記第1結晶領域に含まれる第1元素の第1濃度は、前記第2結晶領域に含まれる前記第1元素の第2濃度の0.01倍超100倍未満であり、
前記第1元素は、酸素、炭素及びシリコンからなる群から選択された1つである、請求項1〜6のいずれか1つに記載の導波素子。 - 前記第1結晶領域の前記第2方向に沿う長さは、前記第2結晶領域の前記第2方向に沿う長さの0.9倍以上1.1倍以下である、請求項1〜7のいずれか1つに記載の導波素子。
- 前記第1結晶領域及び前記第2結晶領域は、Alx1Ga1−x1N(0≦x1≦1)を含む、請求項1〜8のいずれか1つに記載の導波素子。
- 請求項1〜9のいずれか1つに記載の導波素子と、
第1波長の第1光を出射する光源部と、
を備え、
前記第1結晶領域は、第1端部と第2端部とを含み、前記第1端部から前記第2端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第2結晶領域は、第3端部と第4端部とを含み、前記第3端部から前記第4端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第1光は、前記第1端部及び前記第3端部に入射し、
前記第2端部及び前記第4端部から出射する第2光の第2波長は、前記第1波長とは異なる、発光装置。 - 前記第3結晶領域は、第5端部と第6端部とを含み、前記第5端部から前記第6端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第4結晶領域は、第7端部と第8端部とを含み、前記第7端部から前記第8端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第1光は、前記第5端部及び前記第7端部に入射する、請求項10記載の発光装置。 - 導波素子と、
第1波長の第1光を出射する光源部と、
を備え、
前記導波素子は、
第1方向に延び、第1窒化物半導体を含む第1結晶領域と、
前記第1方向に延び、第2窒化物半導体を含み前記第1結晶領域と連続した第2結晶領域と、
前記第1方向に延び、第3窒化物半導体を含む第3結晶領域と、
前記第1方向に延び、第4窒化物半導体を含み前記第3結晶領域と連続した第4結晶領域と、
を備え、
前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かう第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記第1結晶領域の<0001>方向は、前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かい、
前記第2結晶領域の<0001>方向は、前記第2結晶領域から前記第1結晶領域に向かい、
前記第1結晶領域は、第1端部と第2端部とを含み、前記第1端部から前記第2端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第2結晶領域は、第3端部と第4端部とを含み、前記第3端部から前記第4端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第1光は、前記第1端部及び前記第3端部に入射し、
前記第2端部及び前記第4端部から出射する第2光の第2波長は、前記第1波長とは異なり、
前記第2方向において、前記第1結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第2結晶領域が位置し、
前記第2方向において、前記第2結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第3結晶領域が位置し、
前記第3結晶領域の<0001>方向は、前記第3結晶領域から前記第4結晶領域に向かい、
前記第4結晶領域の<0001>方向は、前記第4結晶領域から前記第3結晶領域に向かい、
前記第3結晶領域は、第5端部と第6端部とを含み、前記第5端部から前記第6端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第4結晶領域は、第7端部と第8端部とを含み、前記第7端部から前記第8端部に向かう方向は前記第1方向に沿い、
前記第1光は、前記第5端部及び前記第7端部に入射する、発光装置。 - 第1方向に延びる第1結晶領域と、
前記第1方向に延び前記第1結晶領域と連続した第2結晶領域と、
前記第1方向に延び、第3窒化物半導体を含む第3結晶領域と、
前記第1方向に延び、第4窒化物半導体を含み前記第3結晶領域と連続した第4結晶領域と、
を備え、
前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かう第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記第1結晶領域の極性の第1向き、及び、前記第2結晶領域の極性の第2向きは、前記第2方向に沿い、
前記第1向きは、前記第2向きと、逆であり、
前記第2方向において、前記第1結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第2結晶領域が位置し、
前記第2方向において、前記第2結晶領域と前記第4結晶領域との間に前記第3結晶領域が位置し、
前記第3結晶領域の極性の第3向き、及び、前記第4結晶領域の極性の第4向きは、前記第2方向に沿い、
前記第3向きは、前記第1向きと同じであり
前記第4向きは、前記第2向きと同じである、導波素子。 - 第1方向に延びる凹部を有する結晶性の第1層であって、前記凹部は、前記第1方向と交差する第2方向において互いに対向する第1側面及び第2側面を有した、前記第1層を用意し、
前記第1側面から窒化物半導体を含む第1結晶層を成長させ、前記第2側面から窒化物半導体を含む第2結晶層を成長させ、
前記第1結晶層と前記第2結晶層とを互いに接触させ、前記第1結晶層を含む第1結晶領域、及び、前記第2結晶層を含む第2結晶領域を形成し、
前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かう第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記第1結晶領域の<0001>方向は、前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かい、
前記第2結晶領域の<0001>方向は、前記第2結晶領域から前記第1結晶領域に向かう、導波素子の製造方法。 - 第1方向に延びる凹部を有する結晶性の第1層であって、前記凹部は、前記第1方向と交差する第2方向において互いに対向する第1側面及び第2側面を有した、前記第1層を用意し、
前記第1側面から窒化物半導体を含む第1結晶層を成長させ、前記第2側面から窒化物半導体を含む第2結晶層を成長させ、
前記第1結晶層と前記第2結晶層とを互いに接触させ、前記第1結晶層を含む第1結晶領域、及び、前記第2結晶層を含む第2結晶領域を形成し、
前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かう第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記第1結晶領域の極性の第1向き、及び、前記第2結晶領域の極性の第2向きは、前記第2方向に沿い、
前記第1向きは、前記第2向きと、逆である、導波素子の製造方法。 - 第1方向に延びる凹部を有する結晶性の第1層であって、前記凹部は、前記第1方向と交差する第2方向において互いに対向する第1側面及び第2側面を有した、前記第1層を用意し、
前記第1側面から窒化物半導体を含む第1結晶層を前記第1結晶層の<0001>方向に成長させ、前記第2側面から窒化物半導体を含む第2結晶層を前記第2結晶層の<0001>方向に成長させ、
前記第1結晶層と前記第2結晶層とを互いに接触させ、前記第1結晶層を含む第1結晶領域、及び、前記第2結晶層を含む第2結晶領域を形成し、
前記第1結晶層の前記<0001>方向は、前記第1側面から前記第2側面に向かい、
前記第2結晶層の前記<0001>方向は、前記第2側面から前記第1側面に向かう、導波素子の製造方法。 - 第1方向に延び、第1窒化物半導体を含む第1結晶領域と、
前記第1方向に延び、第2窒化物半導体を含み前記第1結晶領域と連続した第2結晶領域と、
第1部分領域、第2部分領域、第3部分領域及び第4部分領域を含む第1層と、
を備え、
前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かう第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記第1結晶領域の<0001>方向は、前記第1結晶領域から前記第2結晶領域に向かい、
前記第2結晶領域の<0001>方向は、前記第2結晶領域から前記第1結晶領域に向かい、
前記第2方向において、前記第1部分領域と、前記第2部分領域と、の間に前記第1結晶領域の一部が位置し、
前記第2方向において、前記第1結晶領域の前記一部と、前記第2部分領域と、の間に、前記第2結晶領域の一部が位置し、
前記第3部分領域から前記第1結晶領域に向かう方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差する第3方向に沿い、
前記第4部分領域から前記第2結晶領域に向かう方向は、前記第3方向に沿い、
前記第1層は、前記第2方向において前記第1結晶領域の別の一部と重ならず、前記第2方向において前記第2結晶領域の別の一部と重ならない、導波素子。 - 第5部分領域、第6部分領域、第7部分領域及び第8部分領域を含む第2層をさらに備え、
前記第2層の屈折率は、前記第1結晶領域の屈折率よりも低く、前記第2結晶領域の屈折率よりも低く、
前記第2方向において、前記第5部分領域と、前記第6部分領域と、の間に前記第1結晶領域の前記別の一部が位置し、
前記第2方向において、前記第1結晶領域の前記別の一部と、前記第6部分領域と、の間に、前記第2結晶領域の前記別の一部が位置し、
前記第1結晶領域から前記第7部分領域に向かう方向は、前記第3方向に沿い、
前記第2結晶領域から前記第8部分領域に向かう方向は、前記第3方向に沿う、請求項17記載の導波素子。
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