JP6821327B2 - オンデマンド充填アンプルの補充 - Google Patents
オンデマンド充填アンプルの補充 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6821327B2 JP6821327B2 JP2016096649A JP2016096649A JP6821327B2 JP 6821327 B2 JP6821327 B2 JP 6821327B2 JP 2016096649 A JP2016096649 A JP 2016096649A JP 2016096649 A JP2016096649 A JP 2016096649A JP 6821327 B2 JP6821327 B2 JP 6821327B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ampoule
- filling
- precursor
- substrate processing
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003708 ampul Substances 0.000 title claims description 363
- 238000011049 filling Methods 0.000 title claims description 299
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 242
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 223
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 217
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 165
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 113
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 113
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 claims description 51
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 51
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 25
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 15
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 238000009533 lab test Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- -1 oxides Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65B—MACHINES, APPARATUS OR DEVICES FOR, OR METHODS OF, PACKAGING ARTICLES OR MATERIALS; UNPACKING
- B65B3/00—Packaging plastic material, semiliquids, liquids or mixed solids and liquids, in individual containers or receptacles, e.g. bags, sacks, boxes, cartons, cans, or jars
- B65B3/04—Methods of, or means for, filling the material into the containers or receptacles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
いくつかの実装形態では、アンプル充填開始条件は、堆積操作のためのセットアップがその時点で行われているという判断を含む。いくつかの実装形態では、アンプル充填開始条件が、アンプルの充填と同時に行われる1つの他の基板処理操作を含み、上記の基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前駆体および/または基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される。
特定の実施形態では、アンプル液体レベルセンサの動作不良など、起こり得る機器の問題に対応するために、追加の保護が用意される。上述したように、アンプルは、1つまたは複数のセンサを有していてよい。いくつかの実施形態では、それらは、アンプル内の液体の1つまたは複数のレベルを検知する。特定の実装形態では、ただ1つのセンサが2つ以上のレベルを検知し、さらなる実施形態では、ただ1つのセンサが3つ以上のレベルを検知する。図6は、アンプル601が、3つのセンサレベル、すなわち満杯センサレベル603、低センサレベル605、および枯渇センサレベル607を検知するように構成された1つまたは複数のセンサを有する一実施形態を示す。
特定の実施形態では、エラーが発生したときに、この節または本特許出願の他の箇所で述べる保護手段を使用して、ALDツールまたは他の堆積ツールが「ソフトシャットダウン」を受ける。特定の実施形態では、ソフトシャットダウンは、さらなる堆積ステップ、または通常のALD処理中に通常行われる他の処置をALDシステムが行うのを停止させる。いくつかの実装形態では、ソフトシャットダウンは、チャンバ内での現在のウェハ処理を終了し、ウェハを取り出し、モジュールをOFFLINEモードにすることを試みる。その後、モジュールに関する問題が解決されるまで、さらなるウェハは処理されない。また、充填が行われている場合、ソフトシャットダウンは、さらなるアンプル充填を停止してもよい。
特定の実装形態では、アンプル充填手順は、満杯センサが「オン」であると予想されるようにシステムが動作しているときに、「オン」でないことを満杯センサが示すことによって引き起こされる問題に対処するためのルーチンまたは他の論理を含む。一例として、故障または動作不良を起こしているセンサは、実際には液体がセンサのレベルに達しており、したがってセンサが「オン」を示すべきときに、「オフ」を示すことがある。図6のセンサレベル603を参照されたい。この起こり得る問題に対処するために、アンプル充填論理は、アンプルが充填された最終回の終了時点からの累積補充時間を維持する。例えば、累積タイマは、満杯センサがオンになり、アンプルへの液体が停止されたときはいつでもリセットしてよい。累積補充時間が閾値を超え、センサがまだ「オン」状態に達していない場合、論理は、ソフトシャットダウンを開始する。すなわち、アンプルが充填される必要があるときは常に、その充填は、時間{T}よりも長くはかからないと仮定される。この時間は、複数の充填時間(累積的な充填の要求)からの合計の時間である。アンプル充填論理は、合計の充填時間長さを追跡し、{T}を超えた場合に、現在進行中のルーチンにおいてエラー状態になる。例えば、F1=12秒、F2=40秒、およびF3=12秒である場合、(例えば)T=60秒のとき、論理は、F3の終了の4秒前にエラー状態になる。
特定の実施形態でのアンプル制御論理は、実際には液体が液体レベルセンサのレベルに達していないときに「オン」であることを示すという、液体レベルセンサによって引き起こされる生じ得る問題に対処するように設計されてよい。そのような場合、センサは、正しくは「オフ」を示すべきである。センサのこの動作不良により、液体レベルが危険なほど低くなったときにアンプルを補充することができなくなることがある。過少充填に対する一次保護は、液体レベルがセンサの読取りレベル未満に落ちたときにセンサが「オフ」を示すことに依拠する。特定の実装形態では、制御論理は、アンプル充填が実行された最終回から前駆体サイクルを追跡することによって二次保護を提供する。そのようなサイクルの回数が閾値の回数よりも大きい場合、システムは、ソフトシャットダウンを実行してよい。
・定常状態動作中、{N}回の堆積サイクル毎に少なくとも1回アンプルが充填されると仮定される。
・制御論理は、最後の充填からのサイクルの回数を追跡する。
・プロセスモジュールは、カウントが{N}を超えた場合に、ソフトシャットダウンに進められる。
・充填が実際に実行される場合、カウントはゼロ(0)にリセットされる。
・{N}は、5000サイクルと推定される(この値はプロセス特有であり、実際のツールに基づいて調節することができる)。
いくつかの実装形態では、制御装置は、本明細書で述べた例の一部でよいシステムの一部である。制御装置は、アンプル充填論理、または本明細書で論じる他の制御論理などの「論理」を含んでいてよい。そのようなシステムは、処理ツール、チャンバ、処理用プラットフォーム、および/または特定の処理構成要素(ウェハペデスタル、ガスフローシステム、アンプルなど)を含めた半導体処理機器を含んでいてよい。これらのシステムは、半導体ウェハまたは基板の処理前、処理中、および処理後にそれらの動作を制御するための電子回路と一体化されてよい。電子回路は「制御装置」と称されてよく、これは、システムの様々な構成要素またはサブパートを制御してよい。制御装置は、処理要件および/またはシステムのタイプに応じて、本明細書で開示する任意のプロセスを制御するようにプログラムされてよく、そのようなプロセスは、処理ガスの送給、温度設定(例えば加熱および/または冷却)、圧力設定、真空設定、出力設定、高周波(RF)発生器の設定、RF整合回路の設定、周波数設定、流量設定、流体送給設定、位置および動作の設定、アンプルの補充、ツール内外へのウェハ移送、および特定のシステムに接続またはインターフェースされた他の移送ツールおよび/またはロードロック内外へのウェハ移送を含む。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
基板処理装置のアンプルを充填するための方法であって、
(a)前記アンプルに液体前駆体を充填するためのアンプル充填開始条件が満たされているか判断するステップと、
(b)前記アンプルに前駆体を充填するステップであって、前記アンプルに前記前駆体を充填することが、少なくとも1つの他の基板処理操作と同時に行われる、ステップと、
(c)前記充填がまだ完了していないことを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取るステップと、
(d)二次充填停止条件が満たされているか判断するステップと、
(e)前記二次充填停止条件が満たされているという判断に応答して、前記アンプルへの前記前駆体の充填を中止するステップと、を含む方法。
適用例2:
適用例1の方法であって、
さらに、前記アンプルが前記前駆体を受け取った最終回の終了時点に始まる累積充填時間を維持するステップを含み、
前記二次充填停止条件が、前記累積充填時間が閾値を超えているという判断を含む、方法。
適用例3:
適用例2の方法であって、
アンプル補充が一時的に中止されて堆積が始まる1回または複数回のときに前記累積充填時間が一時的に停止されるが、充填が再開されたときに前記累積充填時間が再スタートする、方法。
適用例4:
適用例1の方法であって、
前記閾値が、約50秒〜90秒の間である、方法。
適用例5:
適用例1の方法であって、
さらに、ステップ(e)で前記充填を中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するステップを含む、方法。
適用例6:
適用例1の方法であって、
前記アンプル内の前記センサレベルを生成する前記センサが動作不良を起こしている、方法。
適用例7:
適用例1の方法であって、
前記アンプルに前記液体前駆体を提供するシステムが動作不良を起こしている、方法。
適用例8:
適用例1の方法であって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、方法。
適用例9:
適用例1の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、方法。
適用例10:
適用例9の方法であって、
堆積操作の前記シーケンスが、原子層堆積に関連付けられた堆積操作である、方法。
適用例11:
適用例1の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、前記前駆体の体積が閾値体積未満であるという判断を含む、方法。
適用例12:
適用例1の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のためのセットアップが行われているという判断を含む、方法。
適用例13:
適用例1の方法であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも1つの他の基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作を含む、方法。
適用例14:
適用例1の方法であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも1つの他の基板処理操作が、前記前駆体および/または基板の温度ソークを含む、方法。
適用例15:
適用例1の方法であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも1つの他の基板処理操作が、ベース圧力への排気操作を含む、方法。
適用例16:
基板処理装置のアンプルの充填を制御するための方法であって、
(a)前記アンプル内に液体状態で貯蔵されている前駆体が前記基板処理装置の反応チャンバに送給される堆積サイクルの数のカウンタを始動させるステップと、
(b)アンプル充填開始条件が満たされているか判断するステップと、
(c)前記液体前駆体が前記アンプルに提供されるべきでないほど十分に、前記アンプルが満杯であることを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取るステップと、
(d)前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの数が閾値を超えているか判断するステップと、
(e)前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの前記数が閾値を超えているという判断に応答して、前記堆積サイクルを中止するステップと
を含む方法。
適用例17:
適用例16の方法であって、
前記閾値が、約3000〜6000の堆積サイクルを含む、方法。
適用例18:
適用例16の方法であって、
ステップ(a)での前記カウンタを始動させるステップが、前記液体前駆体が前記アンプルに送給されるときに行われ、前記カウンタが、液体前駆体が前記アンプルに再び送給されるまでカウントし続ける、方法。
適用例19:
適用例16の方法であって、
さらに、ステップ(e)で前記堆積サイクルを中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するステップを含む、方法。
適用例20:
適用例16の方法であって、
前記アンプル内の前記センサレベルを生成するセンサが動作不良を起こしている、方法。
適用例21:
適用例16の方法であって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、方法。
適用例22:
適用例16の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、方法。
適用例23:
適用例16の方法であって、
堆積操作の前記シーケンスが、原子層堆積に関連付けられた堆積操作である、方法。
適用例24:
適用例16の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のためのセットアップが行われているという判断を含む、方法。
適用例25:
適用例16の方法であって、
前記アンプル充填条件が、前記アンプルの充填と同時に行われる1つの他の基板処理操作を含み、前記基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前記前駆体および/または基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される、方法。
適用例26:
前駆体補充システムであって、
前駆体送給システムおよび前駆体源に流体接続されるように構成され、液体前駆体を収容するように構成されたアンプルと、
1つまたは複数の制御装置と、を備え、
前記1つまたは複数の制御装置が、
(a)前記アンプル内に液体状態で貯蔵されている前駆体が基板処理装置の反応チャンバに送給される堆積サイクルの数のカウンタを始動させ、
(b)アンプル充填開始条件が満たされているか判断し、
(c)前記液体前駆体が前記アンプルに提供されるべきでないほど十分に前記アンプルが満杯であることを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取り、
(d)前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの数が閾値を超えているか判断し、
(e)前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの前記数が閾値を超えているという判断に応答して、前記堆積サイクルを中止する
ように構成される前駆体補充システム。
適用例27:
適用例26の前駆体補充システムであって、
前記閾値が、約3000〜6000の堆積サイクルを含む、前駆体補充システム。
適用例28:
適用例26の前駆体補充システムであって、
前記1つまたは複数の制御装置が、さらに、前記液体前駆体が前記アンプルに送給されるときにステップ(a)で前記カウンタを始動させ、液体前駆体が前記アンプルに再び送給されるまでカウントし続けるように構成される、前駆体補充システム。
適用例29:
適用例26の前駆体補充システムであって、
前記1つまたは複数の制御装置が、さらに、ステップ(e)で前記堆積サイクルを中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するように構成される、前駆体補充システム。
適用例30:
適用例26の前駆体補充システムであって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、前駆体補充システム。
適用例31:
適用例26の前駆体補充システムであって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、前駆体補充システム。
適用例32:
適用例26の前駆体補充システムであって、
前記アンプル充填条件が、前記アンプルの充填と同時に行われる1つの他の基板処理操作を含み、前記基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前記前駆体および/または前記基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される、前駆体補充システム。
適用例33:
適用例26の基板処理装置であって、
さらに、
堆積チャンバと、
前記堆積チャンバ内に収容された基板処理ステーションと、を備え、
前記基板処理ステーションが、基板を受け取るように構成された基板ホルダを含み、前記前駆体送給システムが、前記基板処理ステーションによって受け取られた前記基板の処理中に前駆体を送給するように構成される、基板処理装置。
適用例34:
前駆体送給システムおよび前駆体源に流体接続されるように構成され、液体前駆体を収容するように構成されたアンプルと、
1つまたは複数の制御装置と、を備える前駆体補充システムであって、
前記1つまたは複数の制御装置が、
(a)前記アンプルに液体前駆体を充填するためのアンプル充填開始条件が満たされているか判断し、
(b)少なくとも1つの他の基板処理操作と同時に、前記アンプルに前記前駆体を充填する処理を行い、
(c)前記充填がまだ完了していないことを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取り、
(d)二次充填停止条件が満たされているか判断し、
(e)前記二次充填停止条件が満たされているという判断に応答して、前記アンプルへの前記前駆体の充填を中止する
ように構成される前駆体補充システム。
適用例35:
適用例34の基板処理装置であって、
前記1つまたは複数の制御装置が、さらに、前記アンプルが前記前駆体を受け取った最終回の終了時点に始まる累積充填時間を維持するように構成され、
前記二次充填停止条件が、前記累積充填時間が閾値を超えているという判断を含む、基板処理装置。
適用例36:
前記1つまたは複数の制御装置が、さらに、アンプル補充が一時的に中止されて堆積が始まる1回または複数回のときに前記累積充填時間が一時的に停止されるように構成される請求項35の基板処理装置。
適用例37:
適用例34の基板処理装置であって、
前記閾値が、約50秒〜90秒の間である、基板処理装置。
適用例38:
適用例34の基板処理装置であって、
前記1つまたは複数の制御装置が、さらに、ステップ(e)で前記充填を中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するように構成される、基板処理装置。
適用例39:
適用例34の基板処理装置であって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、基板処理装置。
適用例40:
適用例34の基板処理装置であって、
前記アンプル充填開始条件が、前記前駆体の体積が閾値体積未満であるという判断を含む、基板処理装置。
適用例41:
適用例34の基板処理装置であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも1つの他の基板処理操作が、前記前駆体および/または基板の温度ソークを含む、基板処理装置。
適用例42:
適用例34の基板処理装置であって、
さらに、
堆積チャンバと、
前記堆積チャンバ内に収容された基板処理ステーションと、を備え、
前記基板処理ステーションが、基板を受け取るように構成された基板ホルダを含み、前記前駆体送給システムが、前記基板処理ステーションによって受け取られた前記基板の処理中に前駆体を送給するように構成される
請求項34の基板処理装置。
Claims (40)
- 基板処理装置のアンプルを充填するための方法であって、
(a)前記アンプルに液体前駆体を充填するためのアンプル充填開始条件が満たされているか判断するステップと、
(b)前記アンプルに前駆体を充填するステップであって、前記アンプルに前記前駆体を充填することが、少なくとも1つの他の基板処理操作と同時に行われる、ステップと、
(c)前記アンプル内のセンサレベルが前記アンプルが満杯ではないことを示すか判断するステップであって、前記アンプル内のセンサレベルが前記アンプルが満杯であることを示す場合に、一次充填停止条件が満たされるステップと、
(d)前記アンプルの充填の累積充填時間を維持するステップであって、前記アンプルの充填の前記累積充填時間は、前記アンプルの充填の前記累積充填時間が最後にリセットされてからの、前記前駆体が前記アンプルへ流れる時間のすべてであり、前記アンプル内のセンサレベルが前記アンプルが満杯であることを示す場合に、前記アンプルの充填の前記累積充填時間はリセットされる、ステップと、
(e)二次充填停止条件が満たされているか判断するステップであって、前記二次充填停止条件は、充填の前記累積充填時間が閾値を超えるという判断を含む、ステップと、
(f)前記二次充填停止条件が満たされているという判断に応答して、および前記アンプル内のセンサレベルが前記アンプルが満杯ではないことを示すという判断に応答して、前記アンプルへの前記前駆体の充填を中止するステップと、を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
アンプル補充が一時的に中止されて堆積が始まる1回または複数回のときに前記累積充填時間が一時的に停止されるが、充填が再開されたときに前記累積充填時間が再スタートする、方法。 - 請求項1記載の方法であって、
前記閾値が、約50秒〜90秒の間である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
さらに、ステップ(e)で前記充填を中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するステップを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アンプル内の前記センサレベルを生成するセンサが動作不良を起こしている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アンプルに前記液体前駆体を提供するシステムが動作不良を起こしている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
堆積操作の前記シーケンスが、原子層堆積に関連付けられた堆積操作である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、前記前駆体の体積が閾値体積未満であるという判断を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のためのセットアップが行われているという判断を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも1つの他の基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも1つの他の基板処理操作が、前記前駆体および/または基板の温度ソークを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも1つの他の基板処理操作が、ベース圧力への排気操作を含む、方法。 - 基板処理装置のアンプルの充填を制御するための方法であって、
(a)前記アンプル内に液体状態で貯蔵されている前駆体が前記基板処理装置の反応チャンバに送給される堆積サイクルの数のカウンタを始動させるステップと、
(b)アンプル充填開始条件が満たされているか判断するステップと、
(c)液体前駆体が前記アンプルに提供されるべきでないほど十分に、前記アンプルが満杯であることを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取るステップと、
(d)前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの数が閾値を超えているか判断するステップと、
(e)前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの前記数が閾値を超えているという判断に応答して、前記堆積サイクルを中止するステップと
を含む方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記閾値が、約3000〜6000の堆積サイクルを含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
ステップ(a)での前記カウンタを始動させるステップが、前記液体前駆体が前記アンプルに送給されるときに行われ、前記カウンタが、液体前駆体が前記アンプルに再び送給されるまでカウントし続ける、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
さらに、ステップ(e)で前記堆積サイクルを中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するステップを含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記アンプル内の前記センサレベルを生成するセンサが動作不良を起こしている、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、方法。 - 請求項21に記載の方法であって、
堆積操作のシーケンスが、原子層堆積に関連付けられた堆積操作である、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のためのセットアップが行われているという判断を含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記アンプル充填開始条件が、前記アンプルの充填と同時に行われる1つの他の基板処理操作を含み、前記基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前記前駆体および/または基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される、方法。 - 前駆体補充システムであって、
前駆体送給システムおよび前駆体源に流体接続されるように構成され、液体前駆体を収容するように構成されたアンプルと、
1つまたは複数の制御装置と、を備え、
前記1つまたは複数の制御装置が、
(a)前記アンプル内に液体状態で貯蔵されている前駆体が基板処理装置の反応チャンバに送給される堆積サイクルの数のカウンタを始動させ、
(b)アンプル充填開始条件が満たされているか判断し、
(c)前記液体前駆体が前記アンプルに提供されるべきでないほど十分に前記アンプルが満杯であることを示す、前記アンプル内のセンサレベルを読み取り、
(d)前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの数が閾値を超えているか判断し、
(e)前記カウンタによってカウントされた堆積サイクルの前記数が閾値を超えているという判断に応答して、前記堆積サイクルを中止する
ように構成される前駆体補充システム。 - 請求項25に記載の前駆体補充システムであって、
前記閾値が、約3000〜6000の堆積サイクルを含む、前駆体補充システム。 - 請求項25に記載の前駆体補充システムであって、
前記1つまたは複数の制御装置が、さらに、前記液体前駆体が前記アンプルに送給されるときにステップ(a)で前記カウンタを始動させ、液体前駆体が前記アンプルに再び送給されるまでカウントし続けるように構成される、前駆体補充システム。 - 請求項25に記載の前駆体補充システムであって、
前記1つまたは複数の制御装置が、さらに、ステップ(e)で前記堆積サイクルを中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するように構成される、前駆体補充システム。 - 請求項25に記載の前駆体補充システムであって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、前駆体補充システム。 - 請求項25に記載の前駆体補充システムであって、
前記アンプル充填開始条件が、堆積操作のシーケンスが前記基板処理装置内に含まれる基板上で完了しているという判断を含む、前駆体補充システム。 - 請求項25に記載の前駆体補充システムであって、
前記アンプル充填開始条件が、前記アンプルの充填と同時に行われる1つの他の基板処理操作を含み、前記基板処理操作が、ウェハ・インデキシング操作、前記前駆体および/または基板の温度ソーク、およびベース圧力への排気操作からなる群から選択される、前駆体補充システム。 - 請求項25に記載の前駆体補充システムであって、
さらに、
堆積チャンバと、
前記堆積チャンバ内に収容された基板処理ステーションと、を備え、
前記基板処理ステーションが、基板を受け取るように構成された基板ホルダを含み、前記前駆体送給システムが、前記基板処理ステーションによって受け取られた前記基板の処理中に前駆体を送給するように構成される、前駆体補充システム。 - 前駆体送給システムおよび前駆体源に流体接続されるように構成され、液体前駆体を収容するように構成されたアンプルと、
1つまたは複数の制御装置と、を備える基板処理装置であって、
前記1つまたは複数の制御装置が、
(a)前記アンプルに液体前駆体を充填するためのアンプル充填開始条件が満たされているか判断し、
(b)少なくとも1つの他の基板処理操作と同時に、前記アンプルに前記前駆体を充填する処理を行い、
(c)前記アンプル内のセンサレベルが前記アンプルが満杯ではないことを示すか判断する処理であって、前記アンプル内のセンサレベルが前記アンプルが満杯であることを示す場合に、一次充填停止条件が満たされる、処理を行い、
(d)前記アンプルの充填の累積充填時間を維持する処理であって、前記アンプルの充填の前記累積充填時間は、前記アンプルの充填の前記累積充填時間が最後にリセットされてからの、前記前駆体が前記アンプルへ流れる時間のすべてであり、前記アンプル内のセンサレベルが前記アンプルが満杯であることを示す場合に、前記アンプルの充填の前記累積充填時間はリセットされる、処理を行い、
(e)二次充填停止条件が満たされているか判断する処理であって、前記二次充填停止条件は、充填の前記累積充填時間が閾値を超えるという判断を含む、処理を行い、
(f)前記二次充填停止条件が満たされているという判断に応答して、および前記アンプル内のセンサレベルが前記アンプルが満杯ではないことを示すという判断に応答して、前記アンプルへの前記前駆体の充填を中止する
ように構成される基板処理装置。 - 前記1つまたは複数の制御装置が、さらに、アンプル補充が一時的に中止されて堆積が始まる1回または複数回のときに前記累積充填時間が一時的に停止されるように構成される請求項33に記載の基板処理装置。
- 請求項33に記載の基板処理装置であって、
前記閾値が、約50秒〜90秒の間である、基板処理装置。 - 請求項33に記載の基板処理装置であって、
前記1つまたは複数の制御装置が、さらに、ステップ(e)で前記充填を中止したときに、ソフトシャットダウンを開始するように構成される、基板処理装置。 - 請求項33に記載の基板処理装置であって、
前記アンプルに前記前駆体を充填することによって引き起こされる前記液体前駆体の撹拌が、前記基板処理装置によって処理される基板の一貫性に対して最小限の影響しか及ぼさない段階に、前記基板処理装置がなっている、または間もなく至る、という判断を、前記アンプル充填開始条件が含む、基板処理装置。 - 請求項33に記載の基板処理装置であって、
前記アンプル充填開始条件が、前記前駆体の体積が閾値体積未満であるという判断を含む、基板処理装置。 - 請求項33に記載の基板処理装置であって、
前記アンプルの充填と同時に行われる前記少なくとも1つの他の基板処理操作が、前記前駆体および/または基板の温度ソークを含む、基板処理装置。 - 請求項33に記載の基板処理装置であって、
さらに、
堆積チャンバと、
前記堆積チャンバ内に収容された基板処理ステーションと、を備え、
前記基板処理ステーションが、基板を受け取るように構成された基板ホルダを含み、前記前駆体送給システムが、前記基板処理ステーションによって受け取られた前記基板の処理中に前駆体を送給するように構成される、基板処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/720,595 | 2015-05-22 | ||
US14/720,595 US11072860B2 (en) | 2014-08-22 | 2015-05-22 | Fill on demand ampoule refill |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017014614A JP2017014614A (ja) | 2017-01-19 |
JP2017014614A5 JP2017014614A5 (ja) | 2019-06-13 |
JP6821327B2 true JP6821327B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=57359190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016096649A Active JP6821327B2 (ja) | 2015-05-22 | 2016-05-13 | オンデマンド充填アンプルの補充 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6821327B2 (ja) |
KR (1) | KR102647515B1 (ja) |
CN (2) | CN111508870B (ja) |
SG (2) | SG10201910926YA (ja) |
TW (1) | TWI713524B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10351953B2 (en) * | 2017-03-16 | 2019-07-16 | Lam Research Corporation | Systems and methods for flow monitoring in a precursor vapor supply system of a substrate processing system |
CN108962781B (zh) * | 2017-05-23 | 2020-12-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种药液供给*** |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63136614A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
JP2742327B2 (ja) * | 1990-10-19 | 1998-04-22 | 富士写真フイルム株式会社 | 現像装置運転方法 |
US5465766A (en) * | 1993-04-28 | 1995-11-14 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. | Chemical refill system for high purity chemicals |
JP3409910B2 (ja) * | 1994-02-20 | 2003-05-26 | 株式会社エステック | 液体材料気化供給装置 |
US5944940A (en) * | 1996-07-09 | 1999-08-31 | Gamma Precision Technology, Inc. | Wafer transfer system and method of using the same |
US6443435B1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Vaporization of precursors at point of use |
US20040093938A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-05-20 | Chung-Te Tsai | Liquid in pipeline and liquid level detection and warning system |
JP2006016641A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude | 金属シリコンオキサイドの製造方法、金属シリコンオキシナイトライドの製造方法、およびシリコンドープされた金属ナイトライドの製造方法 |
US8268078B2 (en) * | 2006-03-16 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system |
WO2008013665A2 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-31 | The Boc Group, Inc. | Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition |
KR100855582B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2008-09-03 | 삼성전자주식회사 | 액 공급 장치 및 방법, 상기 장치를 가지는 기판 처리설비, 그리고 기판 처리 방법 |
US20090214777A1 (en) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Demetrius Sarigiannis | Multiple ampoule delivery systems |
KR20110088564A (ko) * | 2008-11-11 | 2011-08-03 | 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드 | 반응물 분배 장치 및 전달 방법 |
GB2479322A (en) * | 2009-01-16 | 2011-10-05 | Veeco Instr Inc | Composition and method for low temperature deposition of ruthenium |
EP2715781B1 (en) * | 2011-05-28 | 2020-07-01 | Entegris Inc. | Refillable ampoule with purge capability |
CN103041954A (zh) * | 2011-10-13 | 2013-04-17 | 北大方正集团有限公司 | 一种用于旋涂设备的液位报警*** |
JP5841007B2 (ja) * | 2012-05-28 | 2016-01-06 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 薬液供給方法と基板処理装置 |
JP6199037B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2017-09-20 | 鳴香株式会社 | 液肥供給システム及び自動潅水機 |
-
2016
- 2016-05-13 JP JP2016096649A patent/JP6821327B2/ja active Active
- 2016-05-19 KR KR1020160061379A patent/KR102647515B1/ko active IP Right Grant
- 2016-05-19 TW TW105115410A patent/TWI713524B/zh active
- 2016-05-20 SG SG10201910926YA patent/SG10201910926YA/en unknown
- 2016-05-20 SG SG10201604041SA patent/SG10201604041SA/en unknown
- 2016-05-23 CN CN202010098763.XA patent/CN111508870B/zh active Active
- 2016-05-23 CN CN201610345105.XA patent/CN106169432B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG10201604041SA (en) | 2016-12-29 |
TW201708599A (zh) | 2017-03-01 |
CN106169432B (zh) | 2020-03-17 |
KR20160137400A (ko) | 2016-11-30 |
JP2017014614A (ja) | 2017-01-19 |
CN106169432A (zh) | 2016-11-30 |
KR102647515B1 (ko) | 2024-03-13 |
TWI713524B (zh) | 2020-12-21 |
CN111508870A (zh) | 2020-08-07 |
CN111508870B (zh) | 2024-03-01 |
SG10201910926YA (en) | 2020-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11959175B2 (en) | Fill on demand ampoule refill | |
TWI737630B (zh) | 原子層沉積用之動態前驅物注入 | |
US10385457B2 (en) | Raw material gas supply apparatus, raw material gas supply method and storage medium | |
KR102414284B1 (ko) | 온 디맨드 충진 앰플 | |
US20160097127A1 (en) | Systems and methods for measuring entrained vapor | |
TW201631204A (zh) | 電漿輔助原子層沉積中之射頻補償用方法及設備 | |
CN108630581B (zh) | 衬底处理***的前体蒸气供应***中流监测的***和方法 | |
JP6721693B2 (ja) | 基板処理装置、液体原料補充システム、半導体装置の製造方法、プログラム | |
JP2018050041A (ja) | ポンプ排気システムにおける廃物の蓄積を低減するためのシステムおよび方法 | |
JP6821327B2 (ja) | オンデマンド充填アンプルの補充 | |
TW202223147A (zh) | 使用起泡器的濃度控制 | |
US20240240316A1 (en) | Dynamic precursor dosing for atomic layer deposition | |
US20200381268A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium | |
TW202235673A (zh) | 用於原子層沉積的具有管線填充容積容器之前驅物分配系統 | |
WO2022070955A1 (ja) | 固体原料の残存量を推定する方法、成膜を行う方法、原料ガスを供給する装置、及び成膜を行う装置 | |
JP2010236048A (ja) | ガス処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190508 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6821327 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |