JP6819172B2 - Manufacturing method of uneven structure, base material for manufacturing imprint mold, and manufacturing method of imprint mold - Google Patents

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Description

本発明は、インプリント法を用いた凹凸構造体の製造方法、インプリントモールド製造用基材、および該インプリントモールド製造用基材を用いたインプリントモールドの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an uneven structure using an imprint method, a base material for manufacturing an imprint mold, and a method for manufacturing an imprint mold using the base material for manufacturing an imprint mold.

近年、フォトリソグラフィー技術に替わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたインプリントリソグラフィーによるパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（以下「モールド」という。）を用いて凹凸構造を被成型物に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。 In recent years, as a fine pattern forming technique that replaces the photolithography technique, a pattern forming technique by imprint lithography using an imprint method has attracted attention. The imprint method is a pattern forming technique for transferring a fine structure to an object to be molded by using a mold member having a fine uneven structure (hereinafter referred to as “mold”) to transfer the fine structure to the same size.

例えば光インプリント法を用いて凹凸構造体を成型するには、成型対象となる基板上にハードマスク層を形成し、該ハードマスク層上に光硬化性の樹脂を塗布して樹脂層を形成し、該樹脂層にモールドを押し当て、モールドの背面から光を照射して該樹脂層を硬化させ、樹脂パターンを形成する。その後、樹脂パターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングし、ハードマスクパターンを形成し、該ハードマスクパターンをエッチングマスクとして基板をエッチングし、洗浄等によりハードマスクパターンを剥離することで、パターニングされた基板が得られる。 For example, in order to mold a concavo-convex structure using the optical imprint method, a hard mask layer is formed on a substrate to be molded, and a photocurable resin is applied onto the hard mask layer to form a resin layer. Then, the mold is pressed against the resin layer, and light is irradiated from the back surface of the mold to cure the resin layer and form a resin pattern. Then, the hard mask layer was etched using the resin pattern as an etching mask to form a hard mask pattern, the substrate was etched using the hard mask pattern as an etching mask, and the hard mask pattern was peeled off by cleaning or the like to perform patterning. A substrate is obtained.

ところで、上記のハードマスク層には基板をエッチングする際のハードマスクとして高い耐性が要求される。また、基板には、一般的なエッチング条件においてエッチングレートが低いものが多く、このようなエッチングレートが低い基板はハードマスク層とのエッチング選択比を高く設定することが困難である。そこで従来から、基板をエッチングして所望の深さのパターンを形成するにあたり、エッチング中にハードマスク層の一部または全部の消失を防ぐためハードマスク層を厚くする方法が行われている。 By the way, the hard mask layer is required to have high resistance as a hard mask when etching a substrate. Further, many substrates have a low etching rate under general etching conditions, and it is difficult to set a high etching selectivity with the hard mask layer for a substrate having such a low etching rate. Therefore, conventionally, when etching a substrate to form a pattern having a desired depth, a method of thickening the hard mask layer in order to prevent a part or all of the hard mask layer from disappearing during etching has been performed.

しかし、樹脂パターンをエッチングマスクとして厚いハードマスク層をエッチングすると、エッチング中に樹脂パターンの高さや幅が減少し、ハードマスク層に形成されるハードマスクパターンが要求される寸法や形状を満たさなくなり、基板を精度よくパターニングすることが困難となる。また、樹脂パターンを形成するための樹脂膜を厚くしてハードマスク層のエッチングマスクとした場合、樹脂パターンのアスペクト比が高くなり、倒壊しやすくなるという問題がある。 However, when a thick hard mask layer is etched using the resin pattern as an etching mask, the height and width of the resin pattern are reduced during etching, and the hard mask pattern formed on the hard mask layer does not satisfy the required dimensions and shape. It becomes difficult to accurately pattern the substrate. Further, when the resin film for forming the resin pattern is thickened to form an etching mask of the hard mask layer, there is a problem that the aspect ratio of the resin pattern becomes high and the resin pattern is easily collapsed.

そのため、例えば特許文献１に記載されているように、上記のハードマスク層（以下「第１のハードマスク層」という。）の上にさらに別のハードマスク層（以下「第２のハードマスク層」という。）を積層し、まず第２のハードマスク層上に樹脂層を形成し、樹脂層をインプリント法によりパターニングして樹脂パターンを形成した後、樹脂パターンをエッチングマスクとして第２のハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターン（以下「第２のハードマスクパターン」という。）を形成し、第２のハードマスクパターンをエッチングマスクとして第１のハードマスク層をエッチングして第２のハードマスクパターンと異なる別のハードマスクパターン（以下「第１のハードマスクパターン」という。）を形成し、第１のハードマスクパターンをエッチングマスクとして基板をエッチングする方法が行われている。 Therefore, for example, as described in Patent Document 1, another hard mask layer (hereinafter referred to as “second hard mask layer”) is placed on the above hard mask layer (hereinafter referred to as “first hard mask layer”). A resin layer is first formed on the second hard mask layer, the resin layer is patterned by the imprint method to form a resin pattern, and then the resin pattern is used as an etching mask for the second hard. The mask layer is etched to form a hard mask pattern (hereinafter referred to as "second hard mask pattern"), and the first hard mask layer is etched using the second hard mask pattern as an etching mask to form a second hard. A method of forming another hard mask pattern different from the mask pattern (hereinafter referred to as “first hard mask pattern”) and etching the substrate using the first hard mask pattern as an etching mask is performed.

これにより、樹脂パターンをエッチングマスクとして厚いハードマスク層をエッチングする際に樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなるような状況を回避して、基板を精度よくパターニングすることができる。 This avoids a situation in which the resin pattern does not maintain the desired height and width when etching a thick hard mask layer using the resin pattern as an etching mask, and the formed hard mask pattern does not satisfy the desired shape. Therefore, the substrate can be patterned with high accuracy.

特開２０１４−１５７８５３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-157853

ところで、ハードマスク層上に形成した樹脂層にモールドを押し当てて所望のインプリント法により樹脂層にパターニングして樹脂パターンを形成した後、樹脂パターンからモールドを引き離す際、樹脂パターンとハードマスク層との間に密着性を良くするための密着層を形成し、樹脂パターンとモールドとの間に離型性を良くするための離型層を形成するようなことが行われている。また、樹脂パターンとモールドとの間の離型性を良くするため、例えば界面活性剤等の離型剤を光硬化性樹脂組成物に添加することが知られている。 By the way, when the mold is pressed against the resin layer formed on the hard mask layer to pattern the resin layer by a desired imprint method to form a resin pattern, and then the mold is separated from the resin pattern, the resin pattern and the hard mask layer are formed. An adhesion layer for improving the adhesion is formed between the resin pattern and the mold, and a release layer for improving the mold release property is formed between the resin pattern and the mold. Further, it is known that a mold release agent such as a surfactant is added to the photocurable resin composition in order to improve the mold release property between the resin pattern and the mold.

しかし、上記のように密着層や離型層を形成するような場合であっても、それに加えて、離型剤が添加された光硬化性樹脂組成物を用いる場合であっても、例えば、モールドに用いられる材料とハードマスク層に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク層に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなる。このため、密着層や離型層を形成しても、モールドが樹脂パターンから離型され難くなったり、または樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなったりして所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。 However, even when the adhesion layer or the release layer is formed as described above, or when the photocurable resin composition to which the release agent is added is used, for example, When the material used for the mold and the material used for the hard mask layer are similar materials, the adhesion of the resin pattern to the mold and the adhesion of the resin pattern to the hard mask layer are close to each other. Therefore, even if the adhesion layer or the mold release layer is formed, the mold is difficult to be released from the resin pattern, or the resin pattern is easily peeled off from the hard mask layer, and a desired resin pattern cannot be formed. There is a problem in forming a substrate that is accurately patterned.

また、従来のようにハードマスク層を２層構造にするにあたり、例えば、ニオブ酸リチウム基板を用いた場合の望ましいハードマスク層として、第１のハードマスク層にクロム（Ｃｒ）からなる層、第２のハードマスク層にシリコン（Ｓｉ）からなる層を用いるような場合、各層を構成する材料が異なるため、各層をエッチングし、または各層をエッチングマスクとして機能させるには、各層をエッチングするためのエッチング条件を異ならせる必要がある。このことは、ハードマスク層としての層構成が増えると、各エッチング条件によるエッチング工程に加えて、エッチング後に残存するエッチングマスクを除去する工程も増えるということに繋がる。よって全体として工程が複雑になるという問題がある。 Further, when the hard mask layer has a two-layer structure as in the conventional case, for example, as a desirable hard mask layer when a lithium niobate substrate is used, the first hard mask layer is a layer made of chromium (Cr), the first. When a layer made of silicon (Si) is used as the hard mask layer of 2, the materials constituting each layer are different. Therefore, in order to etch each layer or to make each layer function as an etching mask, it is necessary to etch each layer. It is necessary to make the etching conditions different. This leads to an increase in the layer structure as the hard mask layer, in addition to the etching process under each etching condition, the number of steps for removing the etching mask remaining after etching. Therefore, there is a problem that the process becomes complicated as a whole.

本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、インプリント法を用いた精度の高い凹凸構造体を簡便に製造するための凹凸構造体の製造方法、インプリントモールド製造用基材、およびそのような基材を用いたインプリントモールドの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a method for manufacturing a concavo-convex structure for easily manufacturing a highly accurate concavo-convex structure using an imprint method, a group for manufacturing an imprint mold. It is an object of the present invention to provide a method for producing an imprint mold using a material and such a base material.

このような目的を達成するために、本発明の凹凸構造体の製造方法は、基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層とが当該順序で積層しており、前記第１層および第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なるような凹凸構造体製造用基材を準備する基材準備工程と、前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと、前記凹凸構造体製造用基材とを近接させて、前記モールドと凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、前記第１のハードマスクを介して前記凹凸構造体製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有し、前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置し、前記凸構造部に側壁面には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層しているような構成とした。
また、本発明の凹凸構造体の製造方法は、基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層とが当該順序で積層しており、前記第１層および第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なるような凹凸構造体製造用基材を準備する基材準備工程と、前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと、前記凹凸構造体製造用基材とを近接させて、前記モールドと凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、前記第１のハードマスクを介して前記凹凸構造体製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有し、前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は少なくとも前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置し、前記凸構造部の前記上平面の周縁部には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層しているような構成とした。
To achieve the above object, a manufacturing method of the concave-convex structure of the present invention, organic and group member, and the hard mask material layer positioned to cover the desired site in one surface of the base body, the In the hard mask material layer, the first layer, the second layer, and the third layer are laminated in this order from the substrate side, and the first layer and the third layer contain a metal or a metal compound. The second layer contains silicon or a silicon compound, and the substrate is exposed to the hard mask material layer and a substrate preparation step of preparing a substrate for manufacturing an uneven structure having different etching resistance from the first layer. A droplet supply step for supplying droplets of a sex resist, a mold having a concavo-convex structure and containing silicon or a silicon compound, and a base material for manufacturing the concavo-convex structure are brought close to each other, and the mold and the concavo-convex structure are brought close to each other. The resist layer is formed by a contact step of developing the resist with the hard mask material layer located on the substrate of the body manufacturing base material to form a resist layer, and by irradiating the resist layer with light. The curing step of curing and the cured resist layer and the mold are separated so that the resist pattern layer is positioned on the hard mask material layer located on the substrate of the base material for producing an uneven structure. A mold release step, a residual film removing step of removing the residual film located in the concave portion of the resist pattern layer to form a resist pattern, and etching the third layer of the hard mask material layer through the resist pattern. A third hard mask is formed, and then the second layer of the hard mask material layer is etched through the third hard mask to form a second hard mask, and then the second hard mask is formed. A hard mask forming step of etching the first layer of the hard mask material layer through a hard mask to form a first hard mask, and a base material for manufacturing the concave-convex structure via the first hard mask. The hard mask has a base material etching step of etching the base material to form a concave-convex structure pattern, and the base material integrally has a base portion and a convex structure portion protruding from the upper plane of the base portion. The material layer is located so as to cover a desired portion on the upper plane of the convex structure portion, and the third layer constituting the hard mask material layer does not exist on the side wall surface of the convex structure portion and the hard The structure is such that the first layer and the second layer constituting the mask material layer are laminated.
Further, the method for producing an uneven structure of the present invention includes a substrate and a hard mask material layer located so as to cover a desired portion on one surface of the substrate, and the hard mask material layer is the above-mentioned. The first layer, the second layer, and the third layer are laminated in this order from the substrate side, the first layer and the third layer contain a metal or a metal compound, and the second layer is silicon or a silicon compound. The base material prepares a base material for producing an uneven structure having different etching resistance from the first layer, and supplies a droplet of a photosensitive resist to the hard mask material layer. The droplet supply step, the mold having a concavo-convex structure and containing silicon or a silicon compound, and the base material for manufacturing the concavo-convex structure are brought close to each other to form the mold and the base material for manufacturing the concavo-convex structure. A contact step of developing the resist with the located hard mask material layer to form a resist layer, a curing step of curing the resist layer by irradiating the resist layer with light, and curing. A mold release step in which the resist layer and the mold are separated from each other so that the resist pattern layer is positioned on the hard mask material layer located on the substrate of the base material for manufacturing an uneven structure, and the resist pattern layer. A residual film removing step of removing the residual film located in the concave portion of the above to form a resist pattern, and etching the third layer of the hard mask material layer through the resist pattern to form a third hard mask. Then, the second layer of the hard mask material layer is etched through the third hard mask to form a second hard mask, and then the hard mask material is formed through the second hard mask. A hard mask forming step of etching the first layer of the layer to form a first hard mask, and etching the substrate of the base material for manufacturing the concave-convex structure through the first hard mask to form a concave-convex structure. It has a substrate etching step of forming a pattern, the substrate integrally having a base portion and a convex structure portion protruding from the upper plane of the base portion, and the hard mask material layer is at least of the convex structure portion. The hard mask material layer is located so as to cover a desired portion of the upper plane, and the third layer constituting the hard mask material layer does not exist at the peripheral edge of the upper plane of the convex structure portion. The structure is such that the first layer and the second layer are laminated.

また、本発明のインプリントモールド製造用基材は、基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層とが当該順序で積層しており、前記第１層および前記第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なり、前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置し、前記凸構造部の前記上平面の周縁部には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず、前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層しているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記凸構造部の側壁面には、前記ハードマスク材料層が存在せず前記基体が露出しているような構成とした。
また、本発明のインプリントモールド製造用基材は、基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層とが当該順序で積層しており、前記第１層および前記第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なり、前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置し、前記凸構造部の側壁面には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず、前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層しているような構成とした。
Further, the base material for producing an imprint mold of the present invention has a base material and a hard mask material layer located so as to cover a desired portion on one surface of the base material, and the hard mask material layer is The first layer, the second layer, and the third layer are laminated in this order from the substrate side, the first layer and the third layer contain a metal or a metal compound, and the second layer is silicon or containing silicon compound, the substrate different the first layer and the etching resistance, before Symbol substrate integrally having a convex structure protruding from the plane on the base and the base portion, the hard mask material layer The third layer, which is located so as to cover a desired portion on the upper plane of the convex structure portion and constitutes the hard mask material layer, does not exist on the peripheral edge of the upper plane of the convex structure portion. The structure is such that the first layer and the second layer constituting the hard mask material layer are laminated.
As another aspect of the present invention, the side wall surface of the convex structure portion is configured such that the hard mask material layer does not exist and the substrate is exposed.
Further, the base material for producing an imprint mold of the present invention has a base material and a hard mask material layer located so as to cover a desired portion on one surface of the base material, and the hard mask material layer is The first layer, the second layer, and the third layer are laminated in this order from the substrate side, the first layer and the third layer contain a metal or a metal compound, and the second layer is silicon or containing silicon compound, the substrate different the first layer and the etching resistance, before Symbol substrate integrally having a convex structure protruding from the plane on the base and the base portion, the hard mask material layer The third layer is not present on the side wall surface of the convex structure portion so as to cover a desired portion in the upper plane of the convex structure portion, and the hard mask material is not present. The structure is such that the first layer and the second layer constituting the layer are laminated.

本発明の他の態様として、前記凸構造部の前記上平面の周縁部には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず、前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層しているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記第３層の厚みは、１〜３ｎｍの範囲であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記基部の上平面の所望の部位を被覆するように位置する前記ハードマスク材料層を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記第１層および前記第３層は、クロムあるいはクロム化合物を含有するような構成とした。 As another aspect of the present invention, the third layer constituting the hard mask material layer does not exist at the peripheral edge of the upper plane of the convex structure portion, and the first layer forming the hard mask material layer is formed. The structure is such that the layer and the second layer are laminated.
As another aspect of the present invention, the thickness of the third layer is set to be in the range of 1 to 3 nm.
As another aspect of the present invention, the hard mask material layer is configured to have the hard mask material layer located so as to cover a desired portion of the upper plane of the base.
As another aspect of the present invention, the first layer and the third layer are configured to contain chromium or a chromium compound.

本発明のインプリントモールドの製造方法は、上述のいずれかのインプリントモールド製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと前記インプリントモールド製造用基材を近接させて、前記モールドと前記インプリントモールド製造用基材の前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記インプリントモールド製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、前記第１のハードマスクを介して前記インプリントモールド製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記離型工程と前記残膜除去工程との間に、前記レジストパターン層に電子線を照射する照射工程を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記残膜除去工程と前記ハードマスク形成工程との間に、前記レジストパターン層に電子線を照射する照射工程を有するような構成とした。 The method for producing an imprint mold of the present invention includes a droplet supply step of supplying a droplet of a photosensitive resist to the hard mask material layer located on the substrate of any of the above-mentioned substrates for producing an imprint mold. The mold having an uneven structure and containing silicon or a silicon compound and the base material for manufacturing the imprint mold are brought close to each other to form the hard mask material layer of the mold and the base material for manufacturing the imprint mold. A contact step of developing the resist with the third layer to form a resist layer, a curing step of curing the resist layer by irradiating the resist layer with light, and the cured resist layer. A mold release step in which the mold is separated so that the resist pattern layer is positioned on the hard mask material layer located on the substrate of the imprint mold manufacturing base material, and is located in a recess of the resist pattern layer. A residual film removing step of removing the residual film to form a resist pattern, and etching the third layer of the hard mask material layer through the resist pattern to form a third hard mask, and then the above-mentioned The second layer of the hard mask material layer is etched through a third hard mask to form a second hard mask, and then the second layer of the hard mask material layer is formed through the second hard mask. A hard mask forming step of etching one layer to form a first hard mask, and etching the substrate of the base material for imprint mold manufacturing through the first hard mask to form an uneven structure pattern. The configuration is such that it has a base material etching step.
As another aspect of the present invention, the resist pattern layer is provided with an irradiation step of irradiating the resist pattern layer with an electron beam between the mold release step and the residual film removing step.
As another aspect of the present invention, the resist pattern layer is provided with an irradiation step of irradiating the resist pattern layer with an electron beam between the residual film removing step and the hard mask forming step.

本発明の凹凸構造体の製造方法によれば、精度の高い凹凸構造体を簡便に製造することが可能となる。また、本発明のインプリントモールド製造用基材は、高い精度でインプリントモールドを製造することが可能となる。さらに、本発明のインプリントモールド製造方法によれば、精度の高いインプリントモールドを簡便に製造することが可能となる。 According to the method for manufacturing a concavo-convex structure of the present invention, it is possible to easily manufacture a concavo-convex structure with high accuracy. Further, the base material for producing an imprint mold of the present invention enables the production of an imprint mold with high accuracy. Further, according to the imprint mold manufacturing method of the present invention, it is possible to easily manufacture an imprint mold with high accuracy.

図１は、本発明のインプリントモールド製造用基材の一実施形態を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a base material for manufacturing an imprint mold of the present invention. 図２は、図１に示されるインプリントモールド製造用基材のＡ−Ａ線における縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view taken along the line AA of the base material for manufacturing an imprint mold shown in FIG. 図３は、図２において鎖線で囲まれた部位の拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion surrounded by a chain line in FIG. 図４は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. 図５は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. 図６は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. 図７は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. 図８は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. 図９は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。FIG. 9 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. 図１０は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. 図１１は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. 図１２は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing another embodiment of the base material for producing an imprint mold of the present invention. 図１３は、図１２に示されるインプリントモールド製造用基材のＢ−Ｂ線における縦断面図である。FIG. 13 is a vertical cross-sectional view taken along the line BB of the base material for imprint mold manufacturing shown in FIG. 図１４は、本発明のインプリントモールド製造用基材の一実施形態を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing an embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention. 図１５は、図１４に示されるインプリントモールド製造用基材のＣ−Ｃ線における縦断面図である。FIG. 15 is a vertical cross-sectional view taken along the line CC of the base material for imprint mold manufacturing shown in FIG. 図１６は、本発明のインプリントモールド製造用基材の一実施形態を示す平面図およびそのＤ−Ｄ線における縦断面図である。FIG. 16 is a plan view showing an embodiment of a base material for manufacturing an imprint mold of the present invention and a vertical sectional view thereof along the DD line. 図１７は、本発明の凹凸構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。FIG. 17 is a process diagram for explaining an embodiment of the method for manufacturing a concave-convex structure of the present invention. 図１８は、本発明の凹凸構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。FIG. 18 is a process diagram for explaining an embodiment of the method for manufacturing a concave-convex structure of the present invention. 図１９は、本発明の凹凸構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。FIG. 19 is a process diagram for explaining an embodiment of the method for manufacturing a concave-convex structure of the present invention.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the drawings are schematic or conceptual, and the dimensions of each member, the ratio of the sizes between the members, etc. are not necessarily the same as the actual ones, and may represent the same members, etc. However, the dimensions and ratios may differ from each other depending on the drawing.

［インプリントモールド製造用基材］
図１は、本発明のインプリントモールド製造用基材の一実施形態を示す平面図、図２は図１に示されるインプリントモールド製造用基材のＡ−Ａ線における縦断面図、図３は図２において破線で囲まれた部位の拡大断面図である。 [Base material for imprint mold manufacturing]
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the imprint mold manufacturing base material of the present invention, FIG. 2 is a vertical sectional view taken along line AA of the imprint mold manufacturing base material shown in FIG. 1, and FIG. Is an enlarged cross-sectional view of a portion surrounded by a broken line in FIG.

図１〜図３に示される実施形態において、本発明のインプリントモールド製造用基材１１は、基部１３と当該基部１３の上平面１３ａから突出する凸構造部１４を一体的に有する基体１２と、凸構造部１４の上平面１４ａ、側壁面１４ｂ、および、基部１３の上平面１３ａを被覆するように位置するハードマスク材料層１７と、を有している。ハードマスク材料層１７は、基体１２に第１層１７ａと第２層１７ｂと第３層１７ｃが当該順序で積層しており、第１層１７ａおよび第３層１７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層１７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。尚、図１および図２では、ハードマスク材料層１７を省略している。また、本発明においてハードマスク材料層とは、当該層をエッチングすることによりハードマスクを形成するための層であり、ハードマスクとは、ハードマスクよりも下層をエッチングする時の耐エッチングマスクとして機能するものである。 In the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the base material 11 for manufacturing an imprint mold of the present invention integrally has a base portion 13 and a convex structure portion 14 projecting from the upper plane 13a of the base portion 13. It has an upper plane 14a, a side wall surface 14b, and a hard mask material layer 17 located so as to cover the upper plane 13a of the base portion 13. In the hard mask material layer 17, the first layer 17a, the second layer 17b, and the third layer 17c are laminated in this order on the substrate 12, and the first layer 17a and the third layer 17c contain a metal or a metal compound. , The second layer 17b contains silicon or a silicon compound. In addition, in FIG. 1 and FIG. 2, the hard mask material layer 17 is omitted. Further, in the present invention, the hard mask material layer is a layer for forming a hard mask by etching the layer, and the hard mask functions as an etching resistant mask when etching a layer lower than the hard mask. It is something to do.

インプリントモールド製造用基材１１を構成する基体１２は、上記のように、基部１３の上平面１３ａから突出する凸構造部１４を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部１４の突出高さＨは、例えば、３μｍ〜３ｍｍの範囲で適宜設定することができる。また、図示例では、凸構造部１４の上平面１４ａの平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、上平面１４ａの大きさは適宜設定することができる。 As described above, the base material 12 constituting the base material 11 for manufacturing an imprint mold has a so-called mesa structure integrally having a convex structure portion 14 projecting from the upper plane 13a of the base portion 13. The protruding height H of the convex structure portion 14 can be appropriately set in the range of, for example, 3 μm to 3 mm. Further, in the illustrated example, the plan view shape of the upper plane 14a of the convex structure portion 14 is not limited to this, but may be a desired shape such as a circle, and the size of the upper plane 14a is appropriately set. can do.

基体１２の材質は、インプリントモールド製造用基材１１を用いて製造するモールドの使用条件に応じて適宜決定することができる。例えば、被転写材料である樹脂組成物等が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を挙げることができる。また、使用する被転写材料が光硬化性ではない場合や、転写基材側から被転写材料を硬化させるための光を照射可能である場合には、モールドは光透過性を具備する必要がないので、インプリントモールド製造用基材１１の基体１２は光透過性の材料でなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。本発明においては３層構造のハードマスク材料層１７を構成する第１層１７ａと基体１２のエッチング耐性が異なるようにする。エッチング耐性は、所望のエッチング条件で、基体１２をエッチングする際、第１層１７ａのエッチング耐性が基板のエッチング耐性より高く、第１層１７ａがハードマスクとして機能するように異なればよい。 The material of the base 12 can be appropriately determined according to the usage conditions of the mold manufactured by using the base material 11 for manufacturing the imprint mold. For example, when the resin composition or the like to be transferred is photocurable, a material that can transmit irradiation light for curing them can be used, and quartz glass, siliceous glass, calcium fluoride, etc. can be used. , Glasses such as magnesium fluoride and acrylic glass, sapphire and gallium nitride, resins such as polycarbonate, polystyrene, acrylic and polypropylene, and any laminated materials thereof can be mentioned. Further, when the material to be transferred is not photocurable, or when light for curing the material to be transferred can be irradiated from the transfer substrate side, the mold does not need to have light transmission. Therefore, the substrate 12 of the substrate 11 for imprint mold manufacturing does not have to be a light-transmitting material, and in addition to the above materials, for example, metals such as silicon, nickel, titanium, and aluminum, alloys thereof, and oxides thereof. , Nitride, or any laminate of these can be used. In the present invention, the etching resistances of the first layer 17a and the substrate 12 constituting the hard mask material layer 17 having a three-layer structure are made different. The etching resistance may be different so that when the substrate 12 is etched under desired etching conditions, the etching resistance of the first layer 17a is higher than the etching resistance of the substrate, and the first layer 17a functions as a hard mask.

ハードマスク材料層１７は、上述のように、基体１２に第１層１７ａと第２層１７ｂと第３層１７ｃが当該順序で積層しており、第１層１７ａおよび第３層１７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層１７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。 In the hard mask material layer 17, as described above, the first layer 17a, the second layer 17b, and the third layer 17c are laminated in this order on the substrate 12, and the first layer 17a and the third layer 17c are made of metal or metal. It contains a metal compound, and the second layer 17b contains silicon or a silicon compound.

第１層１７ａを構成する金属あるいは金属化合物は、所望のエッチング条件下において第２層１７ｂを構成するシリコンあるいはシリコン化合物よりもエッチングが容易であり、また、所望のエッチング条件下において基体１２の凸構造部１４が第１層１７ａを構成する金属あるいは金属化合物よりもエッチングが容易になるように、エッチング選択比等を考慮して材料を設定することができる。例えば、基体１２が石英ガラスである場合、クロム、タンタル、アルミニウム、モリブデン、チタン、ジルコニウム、タングステン等の金属、これらの金属の合金、酸化クロム、酸化チタン等の金属酸化物、窒化クロム、窒化チタン等の金属窒化物、ガリウム砒素等の金属間化合物等の１種、あるいは、２種以上の組合せを挙げることができる。また、第１層１７ａは積層構造であってもよく、例えば、酸化クロムと窒化クロムの積層であってもよい。特に、クロム、クロム化合物は、基体１２の材質が石英ガラスである場合に、フッ化系ガスを用いた反応性イオンエッチングに対して強い耐性を有し、エッチング選択比が良好で好適である。 The metal or metal compound constituting the first layer 17a is easier to etch than the silicon or silicon compound constituting the second layer 17b under desired etching conditions, and the convexity of the substrate 12 under desired etching conditions. The material can be set in consideration of the etching selectivity and the like so that the structural portion 14 is easier to etch than the metal or metal compound constituting the first layer 17a. For example, when the substrate 12 is quartz glass, metals such as chromium, tantalum, aluminum, molybdenum, titanium, zirconium and tungsten, alloys of these metals, metal oxides such as chromium oxide and titanium oxide, chromium nitride and titanium nitride Such as metal nitrides, intermetallic compounds such as gallium arsenic, etc., or a combination of two or more types can be mentioned. Further, the first layer 17a may have a laminated structure, for example, a laminated structure of chromium oxide and chromium nitride. In particular, chromium and a chromium compound are suitable because they have strong resistance to reactive ion etching using a fluorinated gas and have a good etching selectivity when the material of the substrate 12 is quartz glass.

第３層１７ｃを構成する金属あるいは金属化合物は第１層１７ａを構成する金属あるいは金属化合物と同じ、または、同様な材料とすることが好ましい。例えば、第１層１７ａがクロムあるいは酸化クロムである場合、第３層１７ｃもクロムあるいは酸化クロムであることが好ましい。また、第３層１７ｃを構成する金属あるいは金属化合物は、所望のエッチング条件下においてレジスト層を構成する樹脂組成物よりもエッチングが容易になるように、エッチング選択比等を考慮して材料を設定することができる。 The metal or metal compound constituting the third layer 17c is preferably the same as or the same material as the metal or metal compound constituting the first layer 17a. For example, when the first layer 17a is chromium or chromium oxide, it is preferable that the third layer 17c is also chromium or chromium oxide. Further, for the metal or metal compound constituting the third layer 17c, the material is set in consideration of the etching selection ratio and the like so that etching is easier than the resin composition constituting the resist layer under desired etching conditions. can do.

ハードマスク材料層１７を構成する第１層１７ａ、第２層１７ｂ、第３層１７ｃは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、ハードマスク材料層１７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層１７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層１７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層１７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層１７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層１７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層１７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層１７ｂが、第３層１７ｃで覆われない部分が生じうる。さらに、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層１７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク材料層１７から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。他方、第３層１７ｃの厚みが３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層１７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。そのため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。 The first layer 17a, the second layer 17b, and the third layer 17c constituting the hard mask material layer 17 can be formed by, for example, a vacuum film forming method such as a sputtering method or an ALD (Atomic Layer Deposition) method. The thickness of the hard mask material layer 17 can be set to be, for example, 5 to 203 nm, the thickness of the first layer 17a is in the range of 3 to 180 nm, and the thickness of the second layer 17b is 1 to 20 nm. The range and the thickness of the third layer 17c can be set to be in the range of 1 to 3 nm. However, if the thickness of the third layer 17c is less than 1 nm, the function as a hard mask when etching the second layer 17b may be impaired. Further, when the thickness of the third layer 17c is less than 1 nm, a portion where the second layer 17b is not locally covered by the third layer 17c may occur due to the thickness distribution. Further, when the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 17 are similar materials, the resin pattern is easily peeled off from the hard mask material layer 17, and a desired resin pattern is formed. This is not possible, and there is a problem in forming a substrate that is accurately patterned. On the other hand, when the thickness of the third layer 17c exceeds 3 nm, a large amount of the resin pattern is consumed when etching the third layer 17c using the resin pattern as an etching mask, so that the resin pattern cannot maintain the desired height and width. The hard mask pattern formed does not satisfy the desired shape. Therefore, it is preferable to set it within the above range.

本発明のインプリントモールド製造用基材１１は、上記のようにハードマスク材料層１７を構成する層として第１層１７ａおよび第２層１７ｂに加えて第３層１７ｃを設けている。さらに、ハードマスク材料層１７とレジストとの密着性を高めるため、ハードマスク材料層１７を構成する第３層１７ｃ上に密着層が形成される。密着層を構成する化合物としては、例えば、ハードマスク材料層と樹脂との反応性官能基を含有したシラン化合物や、リン酸化合物、イソシアネート系化合物、チオール系化合物等が挙げられる。ハードマスク材料層上に密着層を形成する方法には、気相成膜法、あるいは、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の溶液法等がある。また、離型成分を含有するレジストとして、例えば、界面活性剤含有光硬化性レジストを用いる場合で、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層１７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク材料層１７に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなり、樹脂パターンがハードマスク材料層１７から剥がれ易くなってしまう。しかし、モールドに用いられる材料とハードマスク材料層１７（第３層１７ｃ）に用いられる材料が異なる本発明の構成にすることにより、インプリントモールドの製造時において、例えば電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールドを介してレジストに光を照射してレジストを硬化させ、レジストに形成された凹凸パターンからマスターモールドを引き離す際、凹凸パターンが形成されたレジストと第３層１７ｃとの密着性を高めることができる。その結果、例えばレジストに形成された凹凸パターンの一部が欠損するようなことがなくなるため、精度の高いインプリントモールドを製造することが可能となる。尚、界面活性剤含有光硬化性レジストに用いる界面活性剤としては、フッ素系、、または、シリコーン系の界面活性剤等がある。 The base material 11 for manufacturing an imprint mold of the present invention is provided with a third layer 17c in addition to the first layer 17a and the second layer 17b as layers constituting the hard mask material layer 17 as described above. Further, in order to improve the adhesion between the hard mask material layer 17 and the resist, an adhesion layer is formed on the third layer 17c constituting the hard mask material layer 17. Examples of the compound constituting the adhesion layer include a silane compound containing a reactive functional group between the hard mask material layer and the resin, a phosphoric acid compound, an isocyanate-based compound, a thiol-based compound, and the like. Examples of the method for forming the adhesion layer on the hard mask material layer include a vapor phase film forming method, a solution method such as a spin coating method, a dip coating method, and a dipping method. Further, when a surfactant-containing photocurable resist is used as the resist containing the release component, for example, the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 17 are similar materials. In this case, the adhesion of the resin pattern to the mold and the adhesion of the resin pattern to the hard mask material layer 17 are close to each other, and the resin pattern is easily peeled off from the hard mask material layer 17. However, by adopting the configuration of the present invention in which the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 17 (third layer 17c) are different, quartz glass is produced by, for example, an electron beam lithography method at the time of manufacturing an imprint mold. When the resist is cured by irradiating the resist with light through the master mold prepared using the above, and the master mold is separated from the uneven pattern formed on the resist, the resist on which the uneven pattern is formed and the third layer 17c Adhesion can be improved. As a result, for example, a part of the uneven pattern formed on the resist is not lost, so that an imprint mold with high accuracy can be manufactured. Examples of the surfactant used in the surfactant-containing photocurable resist include a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and the like.

図４に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材１１では、第１層１７ａ、第２層１７ｂ、第３層１７ｃが積層したハードマスク材料層１７は凸構造部１４の上平面１４ａに位置し、凸構造部１４の側壁面１４ｂには、ハードマスク材料層１７の構成層の中の第３層１７ｃが存在せず、ハードマスク材料層１７の構成層の中の第１層１７ａ、第２層１７ｂが積層して位置するものであってもよい。さらに、基部１３の上平面１３ａを被覆するハードマスク材料層１７についても、第３層１７ｃが存在せず、第１層１７ａ、第２層１７ｂが積層しているものであってもよい。基体１２の凸構造部１４の側壁面１４ｂおよび基部１３の上平面１３ａを被覆するハードマスク材料層１７において第３層１７ｃのみを形成しないようにするには、例えば、第３層１７ｃを形成しない部位をレジストパターンで被覆し、このレジストパターンと露出している第２層１７ｂ上に第３層１７ｃを成膜し、その後、レジストパターンを除去することにより、レジストパターン上の第３層１７ｃをリフトオフして形成することができる。 As shown in FIG. 4, in the base material 11 for manufacturing an imprint mold of the present invention, the hard mask material layer 17 in which the first layer 17a, the second layer 17b, and the third layer 17c are laminated is above the convex structure portion 14. The third layer 17c in the constituent layers of the hard mask material layer 17 does not exist on the side wall surface 14b of the convex structure portion 14 located on the plane 14a, and the first layer in the constituent layers of the hard mask material layer 17 does not exist. The layers 17a and the second layer 17b may be stacked and located. Further, as for the hard mask material layer 17 that covers the upper plane 13a of the base portion 13, the third layer 17c may not exist, and the first layer 17a and the second layer 17b may be laminated. In order to prevent only the third layer 17c from being formed in the hard mask material layer 17 that covers the side wall surface 14b of the convex structure portion 14 of the substrate 12 and the upper plane 13a of the base portion 13, for example, the third layer 17c is not formed. The site is covered with a resist pattern, a third layer 17c is formed on the second layer 17b exposed to the resist pattern, and then the resist pattern is removed to form the third layer 17c on the resist pattern. It can be formed by lifting off.

これにより、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面１４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部１４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部１４の側壁面１４ｂに位置するハードマスク材料層１７の第２層１７ｂに接触するので、レジストの密着性は低いものとなる。したがって、凸構造部１４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部１４の上平面１４ａに付着するような現象が抑制される。尚、図４のように凸構造部１４の上平面１４ａのみ第１層１７ａ、第２層１７ｂ、第３層１７ｃが積層したハードマスク材料層１７としても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層１７ｃとの密着性を高めることができる。 As a result, even if the surplus of the resist supplied to the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 of the base material 11 for manufacturing the imprint mold protrudes from the peripheral edge of the convex structure portion 14 at the time of manufacturing the imprint mold, this resist Since the surplus of the above comes into contact with the second layer 17b of the hard mask material layer 17 located on the side wall surface 14b of the convex structure portion 14, the adhesion of the resist is low. Therefore, the excess resist protruding from the peripheral edge of the convex structure portion 14 can be easily removed by cleaning, and the resist that is not removed by cleaning adheres to the upper plane 14a of the convex structure portion 14. It is suppressed. As shown in FIG. 4, even if the hard mask material layer 17 in which the first layer 17a, the second layer 17b, and the third layer 17c are laminated only on the upper plane 14a of the convex structure portion 14, the master mold is manufactured at the time of manufacturing the imprint mold. The releasability between the resist and the resist can be improved, and the adhesion between the resist and the third layer 17c can be improved.

さらに、図５に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材１１では、凸構造部１４の上平面１４ａの周縁部には、ハードマスク材料層１７の構成層の中の第３層１７ｃが存在せずハードマスク材料層１７の中の第１層１７ａ、第２層１７ｂが積層しているものであってもよい。図５において、凸構造部１４の上平面１４ａの周縁部の、当該上平面１４ａの端部から中央に向かう幅をＷ１とすると、Ｗ１は、インプリントモールドの製造時におけるマスターモールドと対向する領域の外側の領域で設定することができ、例えば、１ｍｍ以下の距離で適宜設定することができる。基体１２の凸構造部１４の上平面１４の周縁部を被覆するハードマスク材料層１７において第３層１７ｃのみを形成しないようにするには、例えば、第３層１７ｃを形成しない部位をレジストパターンで被覆し、このレジストパターンと露出している第２層１７ｂ上に第３層１７ｃを成膜し、その後、レジストパターンを除去することにより、レジストパターン上の第３層１７ｃをリフトオフして形成することができる。 Further, as shown in FIG. 5, in the imprint mold manufacturing base material 11 of the present invention, the peripheral portion of the upper plane 14a of the convex structure portion 14 is a third of the constituent layers of the hard mask material layer 17. The first layer 17a and the second layer 17b in the hard mask material layer 17 may be laminated without the layer 17c. In FIG. 5, assuming that the width of the peripheral edge of the upper plane 14a of the convex structure portion 14 from the end of the upper plane 14a toward the center is W1, W1 is a region facing the master mold at the time of manufacturing the imprint mold. It can be set in the area outside the above, and can be appropriately set at a distance of 1 mm or less, for example. In order to prevent only the third layer 17c from being formed in the hard mask material layer 17 that covers the peripheral edge of the upper plane 14 of the convex structure portion 14 of the substrate 12, for example, a resist pattern is formed on a portion where the third layer 17c is not formed. A third layer 17c is formed on the resist pattern and the exposed second layer 17b, and then the resist pattern is removed to lift off the third layer 17c on the resist pattern. can do.

これにより、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面１４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部１４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部１４の側壁面１４ｂおよび上平面１４ａの周縁部に位置するハードマスク材料層１７の第２層１７ｂに接触するので、レジストの密着性は低いものとなる。したがって、凸構造部１４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部１４の上平面１４ａに付着するような現象が抑制される。尚、図５のように凸構造部１４の上平面１４ａの周縁部を第３層１７ｃが積層しないハードマスク材料層１７としても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層１７ｃとの密着性を高めることができる。 As a result, even if the surplus of the resist supplied to the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 of the base material 11 for manufacturing the imprint mold protrudes from the peripheral edge of the convex structure portion 14 at the time of manufacturing the imprint mold, this resist Since the surplus comes into contact with the side wall surface 14b of the convex structure portion 14 and the second layer 17b of the hard mask material layer 17 located at the peripheral edge of the upper plane 14a, the adhesion of the resist is low. Therefore, the excess resist protruding from the peripheral edge of the convex structure portion 14 can be easily removed by cleaning, and the resist that is not removed by cleaning adheres to the upper plane 14a of the convex structure portion 14. It is suppressed. Even if the hard mask material layer 17 in which the third layer 17c is not laminated on the peripheral edge of the upper plane 14a of the convex structure portion 14 as shown in FIG. 5, the releasability between the master mold and the resist during the imprint mold manufacturing. It is possible to improve the adhesion between the resist and the third layer 17c.

図６は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。図６において、インプリントモールド製造用基材３１は、基部３３と当該基部３３の上平面３３ａから突出する凸構造部３４を一体的に有する基体３２と、凸構造部３４の上平面３４ａ、および、側壁面３４ｂの一部を被覆するように位置するハードマスク材料層３７と、を有している。ハードマスク材料層３７は、基体３２の凸構造部３４の上平面３４ａおよび側壁面３４ｂの一部に第１層３７ａと第２層３７ｂと第３層３７ｃが当該順序で積層しており、第１層３７ａおよび第３層３７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層３７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。また、基体３２の凸構造部３４の側壁面３４ｂの一部と、基部３３の上平面３３ａは、ハードマスク材料層３７に被覆されることなく露出している。 FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. In FIG. 6, the base material 31 for manufacturing an imprint mold includes a base portion 32 integrally having a base portion 33 and a convex structure portion 34 projecting from the upper plane 33a of the base portion 33, an upper plane 34a of the convex structure portion 34, and It has a hard mask material layer 37 located so as to cover a part of the side wall surface 34b. In the hard mask material layer 37, the first layer 37a, the second layer 37b, and the third layer 37c are laminated in this order on a part of the upper plane 34a and the side wall surface 34b of the convex structure portion 34 of the substrate 32. The first layer 37a and the third layer 37c contain a metal or a metal compound, and the second layer 37b contains silicon or a silicon compound. Further, a part of the side wall surface 34b of the convex structure portion 34 of the substrate 32 and the upper plane 33a of the base portion 33 are exposed without being covered with the hard mask material layer 37.

インプリントモールド製造用基材３１を構成する基体３２は、上記のように、基部３３の上平面３３ａから突出する凸構造部３４を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部３４の突出高さＨは、例えば、３μｍ〜３ｍｍの範囲で適宜設定することができる。また、凸構造部３４の上平面３４ａの平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、上平面３４ａの大きさは適宜設定することができる。基体３２の材質は、インプリントモールド製造用基材３１を用いて製造するモールドの使用条件に応じて適宜決定することができるが、本発明においては３層構造のハードマスク材料層３７を構成する第１層３７ａとエッチング耐性が異なるようにする。このような基体３２の材質と第１層３７ａの材質は、上述の基体１２の材質と第１層１７ａの材質と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。 As described above, the substrate 32 constituting the imprint mold manufacturing substrate 31 has a so-called mesa structure integrally having a convex structure portion 34 protruding from the upper plane 33a of the base portion 33. The protruding height H of the convex structure portion 34 can be appropriately set in the range of, for example, 3 μm to 3 mm. Further, the plan view shape of the upper plane 34a of the convex structure portion 34 is not limited to a square shape, but may be a desired shape such as a circle, and the size of the upper plane 34a can be appropriately set. .. The material of the base 32 can be appropriately determined according to the usage conditions of the mold manufactured by using the base material 31 for manufacturing the imprint mold, but in the present invention, the hard mask material layer 37 having a three-layer structure is formed. The etching resistance is different from that of the first layer 37a. The material of the substrate 32 and the material of the first layer 37a can be the same as the material of the substrate 12 and the material of the first layer 17a described above, and the description thereof is omitted here.

ハードマスク材料層３７を構成する第１層３７ａ、第２層３７ｂ、第３層３７ｃは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、基体３２の凸構造部３４の側壁面３４ｂの一部を被覆せずに、凸構造部３４の上平面３４ａと側壁面３４ｂの上記の距離Ｌ分に相当する部分のみにハードマスク材料層３７を形成するには、例えば、基体３２の全面にハードマスク材料層３７を形成し、その後、凸構造部３４の上平面３４ａと側壁面３４ｂの上記の距離Ｌ分に相当する部分に位置するハードマスク材料層３７をエッチングレジストで被覆し、露出しているハードマスク材料層３７をエッチングにより除去する方法を用いることができる。あるいは、凸構造部３４の上平面３４ａと側壁面３４ｂの上記の距離Ｌ分に相当する部分のみを露出するように基体３２にレジストを設け、基体３２の全面にハードマスク材料層３７を形成し、その後、レジストを除去することにより不要のハードマスク材料層３７をリフトオフにより除去する方法を用いてもよい。このようなハードマスク材料層３７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層３７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層３７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層３７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層３７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層３７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層３７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層３７ｂが、第３層３７ｃで覆われない部分が生じうる。モールドに用いられる材料やハードマスク材料層３７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。さらに、第３層３７ｃの厚みが３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層３７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。このため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。 The first layer 37a, the second layer 37b, and the third layer 37c constituting the hard mask material layer 37 can be formed by, for example, a vacuum film forming method such as a sputtering method or an ALD (Atomic Layer Deposition) method. Further, the hard mask material layer is not covered with a part of the side wall surface 34b of the convex structure portion 34 of the substrate 32, and only the portion corresponding to the above distance L between the upper plane 34a and the side wall surface 34b of the convex structure portion 34 is covered. In order to form 37, for example, the hard mask material layer 37 is formed on the entire surface of the substrate 32, and then the hard mask material layer 37 is located at a portion corresponding to the above distance L between the upper plane 34a and the side wall surface 34b of the convex structure portion 34. A method can be used in which the hard mask material layer 37 is covered with an etching resist and the exposed hard mask material layer 37 is removed by etching. Alternatively, a resist is provided on the substrate 32 so as to expose only the portion corresponding to the above distance L between the upper plane 34a and the side wall surface 34b of the convex structure portion 34, and the hard mask material layer 37 is formed on the entire surface of the substrate 32. After that, a method of removing the unnecessary hard mask material layer 37 by lift-off by removing the resist may be used. The thickness of such a hard mask material layer 37 can be set to be, for example, 5 to 203 nm, the thickness of the first layer 37a is in the range of 3 to 180 nm, and the thickness of the second layer 37b is 1 to 20 nm. The thickness of the third layer 37c can be set to be in the range of 1 to 3 nm. However, if the thickness of the third layer 37c is less than 1 nm, the function as a hard mask when etching the second layer 37b may be impaired. Further, when the thickness of the third layer 37c is less than 1 nm, a portion where the second layer 37b is not locally covered by the third layer 37c may occur due to the thickness distribution. When the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 37 are similar materials, the resin pattern is easily peeled off from the hard mask layer, and the desired resin pattern cannot be formed, resulting in accuracy. There is a problem in forming a well-patterned substrate. Further, when the thickness of the third layer 37c exceeds 3 nm, a large amount of the resin pattern is consumed when etching the third layer 37c using the resin pattern as an etching mask, so that the resin pattern cannot maintain the desired height and width. The hard mask pattern formed does not satisfy the desired shape. Therefore, it is preferable to set it within the above range.

図６のように、凸構造部３４の側壁面３４ｂの一部と基部３３の上平面３３ａにハードマスク材料層３７を積層しない形態であっても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層３７ｃとの密着性を高めることができる。 As shown in FIG. 6, even in a form in which the hard mask material layer 37 is not laminated on a part of the side wall surface 34b of the convex structure portion 34 and the upper plane 33a of the base portion 33, the master mold and the resist are used during the imprint mold manufacturing. It is possible to improve the releasability from the resist and the adhesion between the resist and the third layer 37c.

図７に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材３１では、凸構造部３４の側壁面３４ｂにおいて、ハードマスク材料層３７の構成層の中の第３層３７ｃが存在せずハードマスク材料層３７の構成層の中の第１層３７ａと第２層３７ｂが積層しているものであってもよい。尚、凸構造部３４の側壁面３４ｂを被覆するハードマスク材料層３７において第３層３７ｃのみを形成しないようにするには、図４を用いて上述した方法を用いればよいため、ここでの記載を省略する。これにより、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材３１の凸構造部３４の上平面３４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部３４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部３４の側壁面３４ｂに位置するハードマスク材料層３７の第２層３７ｂに接触するので、レジストの密着性は低いものとなる。したがって、凸構造部３４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部３４の上平面３４ａに付着するような現象が抑制される。 As shown in FIG. 7, in the imprint mold manufacturing base material 31 of the present invention, the third layer 37c in the constituent layers of the hard mask material layer 37 does not exist on the side wall surface 34b of the convex structure portion 34. The first layer 37a and the second layer 37b in the constituent layers of the hard mask material layer 37 may be laminated. In order not to form only the third layer 37c in the hard mask material layer 37 covering the side wall surface 34b of the convex structure portion 34, the method described above with reference to FIG. 4 may be used. The description is omitted. As a result, even if the surplus of the resist supplied to the upper flat surface 34a of the convex structure portion 34 of the base material 31 for manufacturing the imprint mold protrudes from the peripheral edge of the convex structure portion 34 at the time of manufacturing the imprint mold, this resist Since the surplus of the above comes into contact with the second layer 37b of the hard mask material layer 37 located on the side wall surface 34b of the convex structure portion 34, the adhesion of the resist is low. Therefore, the excess resist that protrudes from the peripheral edge of the convex structure portion 34 can be easily removed by cleaning, and the resist that is not removed by cleaning adheres to the upper plane 34a of the convex structure portion 34. It is suppressed.

図８に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材３１では、凸構造部３４の上平面３４ａの周縁部において、ハードマスク材料層３７の構成層の中の第３層３７ｃが存在せずハードマスク材料層３７の構成層の中の第１層３７ａと第２層３７ｂが積層しているものであってもよい。図８において、凸構造部３４の上平面３４ａの周縁部の、当該上平面３４ａの端部から中央に向かう幅をＷ２とすると、Ｗ２は、インプリントモールドの製造時におけるマスターモールドと対向する領域の外側の領域で設定することができ、例えば、１ｍｍ以下の距離で適宜設定することができる。尚、凸構造部３４の上平面３４ａの周縁部を被覆するハードマスク材料層３７において第３層３７ｃのみを積層しないようにするには、図４を用いて上述した方法を用いればよいため、ここでの記載を省略する。 As shown in FIG. 8, in the imprint mold manufacturing base material 31 of the present invention, the third layer 37c in the constituent layers of the hard mask material layer 37 is formed at the peripheral edge of the upper plane 34a of the convex structure portion 34. The first layer 37a and the second layer 37b in the constituent layers of the hard mask material layer 37 which do not exist may be laminated. In FIG. 8, assuming that the width of the peripheral edge of the upper plane 34a of the convex structure portion 34 from the end of the upper plane 34a toward the center is W2, W2 is a region facing the master mold at the time of manufacturing the imprint mold. It can be set in the area outside the above, and can be appropriately set at a distance of 1 mm or less, for example. In order to prevent only the third layer 37c from being laminated in the hard mask material layer 37 that covers the peripheral edge of the upper plane 34a of the convex structure portion 34, the method described above with reference to FIG. 4 may be used. The description here is omitted.

これにより、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材３１の凸構造部３４の上平面３４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部３４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部３４の側壁面３４ｂおよび上平面３４ａの周縁部に位置するハードマスク材料層３７の第２層３７ｂに接触するので、レジストの密着性は低いものとなる。したがって、凸構造部３４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部３４の上平面３４ａに付着するような現象が抑制される。 As a result, even if the surplus of the resist supplied to the upper flat surface 34a of the convex structure portion 34 of the base material 31 for manufacturing the imprint mold protrudes from the peripheral edge of the convex structure portion 34 at the time of manufacturing the imprint mold, this resist Since the surplus comes into contact with the side wall surface 34b of the convex structure portion 34 and the second layer 37b of the hard mask material layer 37 located at the peripheral edge of the upper plane 34a, the adhesion of the resist is low. Therefore, the excess resist that protrudes from the peripheral edge of the convex structure portion 34 can be easily removed by cleaning, and the resist that is not removed by cleaning adheres to the upper plane 34a of the convex structure portion 34. It is suppressed.

本発明のインプリントモールド製造用基材３１は、上記のようにハードマスク材料層３７を構成する層として第１層３７ａおよび第２層３７ｂに加えて第３層３７ｃを設けている。さらに、ハードマスク材料層３７とレジストとの密着性を高めるため、ハードマスク材料層３７を構成する第３層３７ｃ上に密着層が形成される。密着層を構成する化合物としては、例えば、ハードマスク材料層と樹脂との反応性官能基を含有したシラン化合物や、リン酸化合物、イソシアネート系化合物、チオール系化合物等が挙げられる。ハードマスク材料層上に密着層を形成する方法には、気相成膜法、あるいは、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の溶液法等がある。また、離型成分を含有するレジストとして、例えば、界面活性剤含有光硬化性レジストを用いる場合で、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層３７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク材料層３７に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなり、樹脂パターンがハードマスク材料層３７から剥がれ易くなってしまう。しかし、モールドに用いられる材料とハードマスク材料層３７（第３層３７ｃ）に用いられる材料が異なる本発明の構成にすることにより、インプリントモールドの製造時において、例えば電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールドを介してレジストに光を照射してレジストを硬化させ、レジストに形成された凹凸パターンからマスターモールドを引き離す際、凹凸パターンが形成されたレジストと第３層３７ｃとの密着性を高めることができる。その結果、例えばレジストに形成された凹凸パターンの一部が欠損するようなことがなくなるため、精度の高いインプリントモールドを製造することが可能となる。尚、界面活性剤含有光硬化性レジストに用いる界面活性剤としては、フッ素系、、または、シリコーン系の界面活性剤等がある。 The base material 31 for manufacturing an imprint mold of the present invention is provided with a third layer 37c in addition to the first layer 37a and the second layer 37b as layers constituting the hard mask material layer 37 as described above. Further, in order to improve the adhesion between the hard mask material layer 37 and the resist, an adhesion layer is formed on the third layer 37c constituting the hard mask material layer 37. Examples of the compound constituting the adhesion layer include a silane compound containing a reactive functional group between the hard mask material layer and the resin, a phosphoric acid compound, an isocyanate-based compound, a thiol-based compound, and the like. Examples of the method for forming the adhesion layer on the hard mask material layer include a vapor phase film forming method, a solution method such as a spin coating method, a dip coating method, and a dipping method. Further, when a surfactant-containing photocurable resist is used as the resist containing the release component, for example, the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 37 are similar materials. In this case, the adhesion of the resin pattern to the mold and the adhesion of the resin pattern to the hard mask material layer 37 become close to each other, and the resin pattern is easily peeled off from the hard mask material layer 37. However, by adopting the configuration of the present invention in which the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 37 (third layer 37c) are different, quartz glass is produced by, for example, an electron beam lithography method at the time of manufacturing an imprint mold. When the resist is cured by irradiating the resist with light through the master mold produced by the above method and the master mold is separated from the uneven pattern formed on the resist, the resist on which the uneven pattern is formed and the third layer 37c Adhesion can be improved. As a result, for example, a part of the uneven pattern formed on the resist is not lost, so that an imprint mold with high accuracy can be manufactured. Examples of the surfactant used in the surfactant-containing photocurable resist include a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and the like.

図９は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。図９において、インプリントモールド製造用基材５１は、基部５３と当該基部５３の上平面５３ａから突出する凸構造部５４を一体的に有する基体５２と、凸構造部５４の上平面５４ａを被覆するように位置するハードマスク材料層５７と、を有している。ハードマスク材料層５７は、基体５２の凸構造部５４の上平面５４ａに第１層５７ａと第２層５７ｂと第３層５７ｃが当該順序で積層しており、第１層５７ａおよび第３層５７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層５７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。また、図９においては、凸構造部５４の側壁面５４ｂと基部５３の上平面５３ａは、ハードマスク材料層５７に被覆されることなく基体５２が露出しているものとなっている。 FIG. 9 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. In FIG. 9, the base material 51 for manufacturing an imprint mold covers a base portion 52 integrally having a base portion 53, a convex structure portion 54 protruding from the upper plane 53a of the base portion 53, and an upper plane 54a of the convex structure portion 54. It has a hard mask material layer 57, which is located so as to. In the hard mask material layer 57, the first layer 57a, the second layer 57b, and the third layer 57c are laminated in this order on the upper plane 54a of the convex structure portion 54 of the substrate 52, and the first layer 57a and the third layer are laminated. 57c contains a metal or a metal compound, and the second layer 57b contains silicon or a silicon compound. Further, in FIG. 9, the side wall surface 54b of the convex structure portion 54 and the upper plane 53a of the base portion 53 are such that the substrate 52 is exposed without being covered with the hard mask material layer 57.

インプリントモールド製造用基材５１を構成する基体５２は、上記のように、基部５３の上平面５３ａから突出する凸構造部５４を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部５４の突出高さＨは、例えば、３μｍ〜３ｍｍの範囲で適宜設定することができる。また、凸構造部５４の上平面５４ａの平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、上平面５４ａの大きさは適宜設定することができる。基体５２の材質は、インプリントモールド製造用基材５１を用いて製造するモールドの使用条件に応じて適宜決定することができるが、本発明においては３層構造のハードマスク材料層５７を構成する第１層５７ａとエッチング耐性が異なるようにする。このような基体５２の材質と第１層５７ａの材質は、上述の基体１２の材質と第１層１７ａの材質と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。 As described above, the substrate 52 constituting the substrate 51 for imprint mold manufacturing has a so-called mesa structure integrally having a convex structure portion 54 protruding from the upper plane 53a of the base portion 53. The protruding height H of the convex structure portion 54 can be appropriately set in the range of, for example, 3 μm to 3 mm. Further, the plan view shape of the upper plane 54a of the convex structure portion 54 is not limited to a square shape, but may be a desired shape such as a circle, and the size of the upper plane 54a can be appropriately set. .. The material of the base 52 can be appropriately determined according to the usage conditions of the mold manufactured by using the base material 51 for manufacturing the imprint mold, but in the present invention, the hard mask material layer 57 having a three-layer structure is formed. The etching resistance is different from that of the first layer 57a. The material of the base 52 and the material of the first layer 57a can be the same as the material of the base 12 and the material of the first layer 17a described above, and the description thereof is omitted here.

ハードマスク材料層５７を構成する第１層５７ａ、第２層５７ｂ、第３層５７ｃは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、基体５２の凸構造部５４の側壁面５４ｂを被覆せずに、凸構造部５４の上平面５４ａのみにハードマスク材料層５７を形成するには、例えば、基体５２の全面にハードマスク材料層５７を形成し、その後、凸構造部５４の上平面５４ａに位置するハードマスク材料層５７をエッチングレジストで被覆し、露出しているハードマスク材料層５７をエッチングにより除去する方法を用いることができる。あるいは、凸構造部５４の上平面５４ａのみを露出するように基体５２にレジストを設け、基体５２の全面にハードマスク材料層５７を形成し、その後、レジストを除去することにより不要のハードマスク材料層５７をリフトオフにより除去する方法を用いてもよい。このようなハードマスク材料層５７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層５７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層５７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層５７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層５７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層５７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層５７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層５７ｂが、第３層５７ｃで覆われない部分が生じうる。モールドに用いられる材料やハードマスク材料層５７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。さらに、第３層５７ｃの厚みが３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層５７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。このため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。 The first layer 57a, the second layer 57b, and the third layer 57c constituting the hard mask material layer 57 can be formed by, for example, a vacuum film forming method such as a sputtering method or an ALD (Atomic Layer Deposition) method. Further, in order to form the hard mask material layer 57 only on the upper plane 54a of the convex structure portion 54 without covering the side wall surface 54b of the convex structure portion 54 of the base 52, for example, the hard mask material is formed on the entire surface of the base 52. A method may be used in which the layer 57 is formed, then the hard mask material layer 57 located on the upper plane 54a of the convex structure portion 54 is covered with an etching resist, and the exposed hard mask material layer 57 is removed by etching. it can. Alternatively, an unnecessary hard mask material is provided by providing a resist on the substrate 52 so as to expose only the upper plane 54a of the convex structure portion 54, forming a hard mask material layer 57 on the entire surface of the substrate 52, and then removing the resist. A method of removing the layer 57 by lift-off may be used. The thickness of such a hard mask material layer 57 can be set to be, for example, 5 to 203 nm, the thickness of the first layer 57a is in the range of 3 to 180 nm, and the thickness of the second layer 57b is 1 to 20 nm. The thickness of the third layer 57c can be set to be in the range of 1 to 3 nm. However, if the thickness of the third layer 57c is less than 1 nm, the function as a hard mask when etching the second layer 57b may be impaired. Further, when the thickness of the third layer 57c is less than 1 nm, a portion where the second layer 57b is not locally covered by the third layer 57c may occur due to the thickness distribution. When the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 57 are similar materials, the resin pattern is easily peeled off from the hard mask layer, and the desired resin pattern cannot be formed, resulting in accuracy. There is a problem in forming a well-patterned substrate. Further, when the thickness of the third layer 57c exceeds 3 nm, a large amount of the resin pattern is consumed when etching the third layer 57c using the resin pattern as an etching mask, so that the resin pattern cannot maintain the desired height and width. The hard mask pattern formed does not satisfy the desired shape. Therefore, it is preferable to set it within the above range.

図９のように凸構造部５４の上平面５４ａのみをハードマスク材料層５７が覆う形態としても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層５７ｃとの密着性を高めることができる。尚、本発明のインプリントモールド製造用基材５１では、メサ構造をなす凸構造部５４の側壁面５４ｂにおいて、基体５２の材質を石英ガラスとした場合、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材５１の凸構造部５４の上平面５４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部５４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は凸構造部５４の側壁面５４ｂとして露出している石英ガラスに密着しにくいものである。したがって、凸構造部５４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部５４の上平面５４ａに付着するような現象が抑制される。 Even if the hard mask material layer 57 covers only the upper plane 54a of the convex structure portion 54 as shown in FIG. 9, the releasability between the master mold and the resist is improved during the imprint mold manufacturing, and the resist and the third layer are formed. Adhesion with 57c can be improved. In the base material 51 for manufacturing an imprint mold of the present invention, when the material of the base 52 is quartz glass on the side wall surface 54b of the convex structure portion 54 forming the mesa structure, the imprint is printed at the time of manufacturing the imprint mold. Even if the surplus of the resist supplied to the upper surface 54a of the convex structure portion 54 of the base material 51 for mold manufacturing protrudes from the peripheral edge of the convex structure portion 54, the surplus of the resist is used as the side wall surface 54b of the convex structure portion 54. It is difficult to adhere to the exposed quartz glass. Therefore, the excess resist protruding from the peripheral edge of the convex structure portion 54 can be easily removed by cleaning, and the resist that is not removed by cleaning adheres to the upper plane 54a of the convex structure portion 54. It is suppressed.

図１０は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す部分断面図であり、図３相当の図である。図１０において、インプリントモールド製造用基材７１は、基部７３と当該基部７３の上平面７３ａから突出する凸構造部７４を一体的に有する基体７２と、凸構造部７４の上平面７４ａを被覆するように位置する３層構造のハードマスク材料層７７と、を有している。ハードマスク材料層７７は、基体７２の凸構造部７４の上平面７４ａに第１層７７ａと第２層７７ｂと第３層７７ｃが当該順序で積層しており、第１層７７ａおよび第３層７７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層７７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。また、基体７２の凸構造部７４の側壁面７４ｂは、ハードマスク材料層７７に被覆されることなく露出している。さらに、この実施形態では、基部７３の上平面７３ａを被覆するように位置する３層構造のハードマスク材料層７７を有している。このハードマスク材料層７７は、基部７３の上平面７３ａに第１層７７ｄと第２層７７ｅと第３層７７ｆが当該順序で積層しており、第１層７７ｄおよび第３層７７ｆは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層７７ｅはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。 FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the base material for manufacturing an imprint mold of the present invention, and is a view corresponding to FIG. In FIG. 10, the base material 71 for manufacturing an imprint mold covers the base portion 72 integrally having the base portion 73 and the convex structure portion 74 protruding from the upper plane 73a of the base portion 73, and the upper plane 74a of the convex structure portion 74. It has a hard mask material layer 77 having a three-layer structure and is located so as to be used. In the hard mask material layer 77, the first layer 77a, the second layer 77b, and the third layer 77c are laminated in this order on the upper plane 74a of the convex structure portion 74 of the substrate 72, and the first layer 77a and the third layer are laminated. 77c contains a metal or a metal compound, and the second layer 77b contains silicon or a silicon compound. Further, the side wall surface 74b of the convex structure portion 74 of the substrate 72 is exposed without being covered with the hard mask material layer 77. Further, in this embodiment, the hard mask material layer 77 having a three-layer structure is provided so as to cover the upper plane 73a of the base portion 73. In the hard mask material layer 77, the first layer 77d, the second layer 77e, and the third layer 77f are laminated in this order on the upper plane 73a of the base 73, and the first layer 77d and the third layer 77f are made of metal or It contains a metal compound, and the second layer 77e contains silicon or a silicon compound.

インプリントモールド製造用基材７１を構成する基体７２は、上記のように、基部７３の上平面７３ａから突出する凸構造部７４を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部７４の突出高さＨは、例えば、３μｍ〜３ｍｍの範囲で適宜設定することができる。また、図示例では、凸構造部７４の上平面７４ａの平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、上平面７４ａの大きさは適宜設定することができる。基体７２の材質は、インプリントモールド製造用基材７１を用いて製造するモールドの使用条件に応じて適宜決定することができるが、本発明においては３層構造のハードマスク材料層７７を構成する第１層７７ａとエッチング耐性が異なるようにする。このような基体７２の材質と第１層７７ａ、第１層７７ｄの材質は、上述の基体１２の材質と第１層１７ａの材質と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。 As described above, the base material 72 constituting the base material 71 for imprint mold manufacturing has a so-called mesa structure integrally having a convex structure portion 74 protruding from the upper plane 73a of the base portion 73. The protruding height H of the convex structure portion 74 can be appropriately set in the range of, for example, 3 μm to 3 mm. Further, in the illustrated example, the plan view shape of the upper plane 74a of the convex structure portion 74 is not limited to this, but may be a desired shape such as a circle, and the size of the upper plane 74a is appropriately set. can do. The material of the base 72 can be appropriately determined according to the usage conditions of the mold manufactured by using the base material 71 for manufacturing the imprint mold, but in the present invention, the hard mask material layer 77 having a three-layer structure is formed. The etching resistance is different from that of the first layer 77a. The material of the substrate 72 and the materials of the first layer 77a and the first layer 77d can be the same as the material of the substrate 12 and the material of the first layer 17a described above, and the description thereof is omitted here.

ハードマスク材料層７７を構成する第１層７７ａおよび第１層７７ｄ、第２層７７ｂおよび第２層７７ｅ、第３層７７ｃおよび第３層７７ｆは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、基体７２の凸構造部７４の側壁面７４ｂを被覆せずに、凸構造部７４の上平面７４ａと基部７３の上平面７３ａのみにハードマスク材料層７７を形成するには、例えば、基体７２の全面にハードマスク材料層７７を形成し、その後、凸構造部７４の上平面７４ａと基部７３の上平面７３ａに位置するハードマスク材料層７７をエッチングレジストで被覆し、露出しているハードマスク材料層７７をエッチングにより除去する方法を用いることができる。あるいは、凸構造部７４の上平面７４ａと基部７３の上平面７３ａのみを露出するように基体７２にレジストを設け、基体７２の全面にハードマスク材料層７７を形成し、その後、レジストを除去することにより不要のハードマスク材料層７７をリフトオフにより除去する方法を用いてもよい。このようなハードマスク材料層７７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層７７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層７７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層７７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層７７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層７７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層７７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層７７ｂが、第３層７７ｃで覆われない部分が生じうる。モールドに用いられる材料やハードマスク材料層７７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。さらに、第３層７７ｃの厚みが１０ｎｍを超える場合、３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層７７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。このため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。 The first layer 77a and the first layer 77d, the second layer 77b and the second layer 77e, the third layer 77c and the third layer 77f constituting the hard mask material layer 77 are described by, for example, a sputtering method, ALD (Atomic Layer Deposition). It can be formed by a vacuum film forming method such as a method. Further, in order to form the hard mask material layer 77 only on the upper plane 74a of the convex structure portion 74 and the upper plane 73a of the base portion 73 without covering the side wall surface 74b of the convex structure portion 74 of the base 72, for example, the base. A hard mask material layer 77 is formed on the entire surface of 72, and then the hard mask material layer 77 located on the upper plane 74a of the convex structure portion 74 and the upper plane 73a of the base portion 73 is coated with an etching resist to expose the hard mask material. A method of removing the mask material layer 77 by etching can be used. Alternatively, a resist is provided on the base 72 so as to expose only the upper plane 74a of the convex structure portion 74 and the upper plane 73a of the base 73, a hard mask material layer 77 is formed on the entire surface of the base 72, and then the resist is removed. Therefore, a method of removing the unnecessary hard mask material layer 77 by lift-off may be used. The thickness of such a hard mask material layer 77 can be set to be, for example, 5 to 203 nm, the thickness of the first layer 77a is in the range of 3 to 180 nm, and the thickness of the second layer 77b is 1 to 20 nm. The thickness of the third layer 77c can be set to be in the range of 1 to 3 nm. However, if the thickness of the third layer 77c is less than 1 nm, the function as a hard mask when etching the second layer 77b may be impaired. Further, when the thickness of the third layer 77c is less than 1 nm, a portion where the second layer 77b is not locally covered by the third layer 77c may occur due to the thickness distribution. When the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 77 are similar materials, the resin pattern is easily peeled off from the hard mask layer, and the desired resin pattern cannot be formed, resulting in accuracy. There is a problem in forming a well-patterned substrate. Further, when the thickness of the third layer 77c exceeds 10 nm or more than 3 nm, a large amount of the resin pattern is consumed when etching the third layer 77c using the resin pattern as an etching mask, so that the resin pattern has a desired height and width. The hard mask pattern formed does not satisfy the desired shape. Therefore, it is preferable to set it within the above range.

図１０のように凸構造部７４の上平面７４ａと基部７３の上平面７３ａをハードマスク材料層７７が覆う形態としても、インプリントモールド製造時において、マスターモールドとレジストとの離型性を高め、レジストと第３層７７ｃとの密着性を高めることができる。また、基部７３の上平面７３ａに設けた３層構造のハードマスク材料層７７を、製造したインプリントモールドにおいて遮光膜として機能させてもよい。 Even if the hard mask material layer 77 covers the upper plane 74a of the convex structure portion 74 and the upper plane 73a of the base portion 73 as shown in FIG. 10, the releasability between the master mold and the resist is improved during the imprint mold manufacturing. , The adhesion between the resist and the third layer 77c can be improved. Further, the hard mask material layer 77 having a three-layer structure provided on the upper plane 73a of the base portion 73 may function as a light-shielding film in the manufactured imprint mold.

図１１に示されるように、本発明のインプリントモールド製造用基材７１は、基部７３の上平面７３ａに位置しているハードマスク材料層７７において、ハードマスク材料層７７の構成層の中の第３層７７ｆが存在せずハードマスク材料層７７の構成層の中の第１層７７ｄ、第２層７７ｅが積層しているものであってもよい。これにより、２層構造のハードマスク材料層７７を、製造したインプリントモールドにおいて遮光膜として機能させることができる。さらに、インプリントモールドの製造時において、インプリントモールド製造用基材７１の凸構造部７４の上平面７４ａに供給されたレジストの余剰分が凸構造部７４の周縁からはみ出しても、このレジストの余剰分は基部７３の上平面７３ａにおけるハードマスク材料層７７の表面に露出する第２層７７ｅに密着しにくいものである。したがって、凸構造部７４の周縁からはみ出したレジストの余剰分は、洗浄により容易に除去することが可能であり、洗浄で除去されないレジストが凸構造部７４の上平面７４ａに付着するような現象が抑制される。 As shown in FIG. 11, the base material 71 for manufacturing an imprint mold of the present invention is a hard mask material layer 77 located on the upper plane 73a of the base 73, and is included in the constituent layers of the hard mask material layer 77. The first layer 77d and the second layer 77e in the constituent layers of the hard mask material layer 77 may be laminated without the third layer 77f. As a result, the hard mask material layer 77 having a two-layer structure can function as a light-shielding film in the manufactured imprint mold. Further, during the manufacture of the imprint mold, even if the surplus portion of the resist supplied to the upper flat surface 74a of the convex structure portion 74 of the base material 71 for manufacturing the imprint mold protrudes from the peripheral edge of the convex structure portion 74, the resist The surplus is difficult to adhere to the second layer 77e exposed on the surface of the hard mask material layer 77 on the upper plane 73a of the base 73. Therefore, the excess resist that protrudes from the peripheral edge of the convex structure portion 74 can be easily removed by cleaning, and the resist that is not removed by cleaning adheres to the upper plane 74a of the convex structure portion 74. It is suppressed.

本発明のインプリントモールド製造用基材７１は、上記のようにハードマスク材料層７７を構成する層として第１層７７ａおよび第２層７７ｂに加えて第３層７７ｃを設けている。さらに、ハードマスク材料層７７とレジストとの密着性を高めるため、ハードマスク材料層７７を構成する第３層７７ｃ上に密着層が形成される。密着層を構成する化合物としては、例えば、ハードマスク材料層と樹脂との反応性官能基を含有したシラン化合物や、リン酸化合物、イソシアネート系化合物、チオール系化合物等が挙げられる。ハードマスク材料層上に密着層を形成する方法には、気相成膜法、あるいは、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の溶液法等がある。また、離型成分を含有するレジストとして、例えば、界面活性剤含有光硬化性レジストを用いる場合で、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層７７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク材料層７７に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなり、樹脂パターンがハードマスク材料層７７から剥がれ易くなってしまう。しかし、モールドに用いられる材料とハードマスク材料層７７（第３層７７ｃ）に用いられる材料が異なる本発明の構成にすることにより、インプリントモールドの製造時において、例えば電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールドを介してレジストに光を照射してレジストを硬化させ、レジストに形成された凹凸パターンからマスターモールドを引き離す際、凹凸パターンが形成されたレジストと第３層７７ｃとの密着性を高めることができる。その結果、例えばレジストに形成された凹凸パターンの一部が欠損するようなことがなくなるため、精度の高いインプリントモールドを製造することが可能となる。尚、界面活性剤含有光硬化性レジストに用いる界面活性剤としては、フッ素系、、または、シリコーン系の界面活性剤等がある。 The base material 71 for manufacturing an imprint mold of the present invention is provided with a third layer 77c in addition to the first layer 77a and the second layer 77b as layers constituting the hard mask material layer 77 as described above. Further, in order to improve the adhesion between the hard mask material layer 77 and the resist, an adhesion layer is formed on the third layer 77c constituting the hard mask material layer 77. Examples of the compound constituting the adhesion layer include a silane compound containing a reactive functional group between the hard mask material layer and the resin, a phosphoric acid compound, an isocyanate-based compound, a thiol-based compound, and the like. Examples of the method for forming the adhesion layer on the hard mask material layer include a vapor phase film forming method, a solution method such as a spin coating method, a dip coating method, and a dipping method. Further, when a surfactant-containing photocurable resist is used as the resist containing the release component, for example, the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 77 are similar materials. In this case, the adhesion of the resin pattern to the mold and the adhesion of the resin pattern to the hard mask material layer 77 become close to each other, and the resin pattern is easily peeled off from the hard mask material layer 77. However, by adopting the configuration of the present invention in which the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 77 (third layer 77c) are different, quartz glass is produced by, for example, an electron beam lithography method at the time of manufacturing an imprint mold. When the resist is cured by irradiating the resist with light through the master mold produced by the above method and the master mold is separated from the uneven pattern formed on the resist, the resist on which the uneven pattern is formed and the third layer 77c Adhesion can be improved. As a result, for example, a part of the uneven pattern formed on the resist is not lost, so that an imprint mold with high accuracy can be manufactured. Examples of the surfactant used in the surfactant-containing photocurable resist include a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and the like.

上述のインプリントモールド製造用基材の実施形態は例示であり、本発明のインプリントモールド製造用基材はこれらの例に限定されるものではない。例えば、インプリントモールド製造用基材１１は、凸構造部１４の上平面１４ａにおいて、インプリントモールドの凹凸構造を形成する領域よりも外側の領域であって、上平面１４ａの周縁部の一部に、ハードマスク材料層１７を構成する第３層１７ｃおよび第２層１７ｂが存在せず、第１層１７ａが露出するものであってもよい。このように上平面１４ａの周縁部の一部において第１層１７ａが露出する割合は、周縁部の１０％以下、好ましくは５％以下である。第１層１７ａが露出する割合が、このような範囲内であれば、供給されたレジストの余剰分がハードマスク材料層１７からはみ出したとしても、はみ出し箇所は第１層１７ａが存在するので、レジストとの密着性が高く、マスターモールドとレジストとの離型性を高い状態とすることができる。このように凸構造部１４の上平面１４ａの周縁部のわずかな部位に露出した第１層１７ａは、天地上下方向の認識のためのマークや、アースを取るための除電部位としてもよい。このような第１層１７ａが露出する位置は、上平面１４ａの周縁部が矩形の場合には、矩形の角部や、角部の近傍とすることができる。上述のインプリントモールド製造用基材３１やインプリントモールド製造用基材５１やインプリントモールド製造用基材７１においても同様である。 The above-described embodiment of the imprint mold manufacturing base material is an example, and the imprint mold manufacturing base material of the present invention is not limited to these examples. For example, the base material 11 for manufacturing an imprint mold is a region outside the region forming the uneven structure of the imprint mold on the upper plane 14a of the convex structure portion 14, and is a part of the peripheral edge portion of the upper plane 14a. The third layer 17c and the second layer 17b constituting the hard mask material layer 17 may not be present, and the first layer 17a may be exposed. As described above, the ratio of the first layer 17a exposed in a part of the peripheral edge portion of the upper plane 14a is 10% or less, preferably 5% or less of the peripheral edge portion. If the proportion of the first layer 17a exposed is within such a range, even if the surplus of the supplied resist protrudes from the hard mask material layer 17, the first layer 17a exists at the protruding portion. The adhesion to the resist is high, and the releasability between the master mold and the resist can be made high. The first layer 17a exposed on a slight portion of the peripheral edge of the upper plane 14a of the convex structure portion 14 may be used as a mark for recognizing the vertical direction of the top and bottom and a static elimination portion for grounding. When the peripheral edge of the upper plane 14a is rectangular, the position where the first layer 17a is exposed can be a rectangular corner or a vicinity of the corner. The same applies to the above-mentioned imprint mold manufacturing base material 31, the imprint mold manufacturing base material 51, and the imprint mold manufacturing base material 71.

また、例えば、図１２および図１３に示されるように、基体１２が、基部１３の凸構造部１４の位置する上平面１３ａと反対側の面１３ｂに、凹構造部１５を有するものであってもよい。この凹構造部１５の平面視形状（図１２に２点鎖線で示す形状）は、凸構造部１４の平面視形状を包含するものである。図示例では、凹構造部１５の平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよい。上述のインプリントモールド製造用基材３１やインプリントモールド製造用基材５１やインプリントモールド製造用基材７１も、同様に凹構造部を有するものであってよい。 Further, for example, as shown in FIGS. 12 and 13, the substrate 12 has a concave structure portion 15 on a surface 13b opposite to the upper plane 13a where the convex structure portion 14 of the base portion 13 is located. May be good. The plan view shape of the concave structure portion 15 (the shape shown by the alternate long and short dash line in FIG. 12) includes the plan view shape of the convex structure portion 14. In the illustrated example, the plan view shape of the concave structure portion 15 is square, but the shape is not limited to this, and may be a desired shape such as a circle. The imprint mold manufacturing base material 31, the imprint mold manufacturing base material 51, and the imprint mold manufacturing base material 71 may also have a concave structure portion in the same manner.

図１４〜図１５に示される実施形態において、本発明のインプリントモールド製造用基材８１は、基体８２と、当該基体８２の上平面８２ａにおける所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層８７と、を有している。ハードマスク材料層８７は、基体８２の上平面８２ａから第１層８７ａと第２層８７ｂと第３層８７ｃが当該順序で積層しており、第１層８７ａおよび第３層８７ｃは金属あるいは金属化合物を含有し、第２層８７ｂはシリコンあるいはシリコン化合物を含有するものである。 In the embodiments shown in FIGS. 14 to 15, the substrate 81 for manufacturing an imprint mold of the present invention is a hard mask material located so as to cover the substrate 82 and a desired portion on the upper plane 82a of the substrate 82. It has a layer 87 and. In the hard mask material layer 87, the first layer 87a, the second layer 87b, and the third layer 87c are laminated in this order from the upper plane 82a of the substrate 82, and the first layer 87a and the third layer 87c are made of metal or metal. It contains a compound, and the second layer 87b contains silicon or a silicon compound.

インプリントモールド製造用基材８１を構成する基体８２や当該基体８２の上平面８２ａの所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層８７の平面視形状は正方形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、基体８２やハードマスク材料層８７の大きさは適宜設定することができる。また、図１４においては、ハードマスク材料層８７は基体８２の上平面８２ａの略中央に位置しているが、これに限定されず、例えば基体８２の上平面８２ａの端部側に位置するものであっても、基体８２の上平面８２ａの全域に位置するものであってもよい。 The plan view shape of the base 82 constituting the base material 81 for manufacturing an imprint mold and the hard mask material layer 87 located so as to cover a desired portion of the upper plane 82a of the base 82 is square, but is limited to this. It may have a desired shape such as a circular shape, and the size of the substrate 82 and the hard mask material layer 87 can be appropriately set. Further, in FIG. 14, the hard mask material layer 87 is located substantially in the center of the upper plane 82a of the substrate 82, but is not limited to this, and is located, for example, on the end side of the upper plane 82a of the substrate 82. However, it may be located in the entire area of the upper plane 82a of the substrate 82.

基体８２の材質は、インプリントモールド製造用基材８１を用いて製造するインプリントモールドの使用条件に応じて適宜決定することができるが、３層構造のハードマスク材料層８７を構成する第１層８７ａとエッチング耐性が異なるようにする。このような基体８２の材質と第１層８７ａの材質は、上述の基体１２の材質と第１層１７ａの材質と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。 The material of the base 82 can be appropriately determined according to the usage conditions of the imprint mold manufactured by using the base material 81 for manufacturing the imprint mold, but the first hard mask material layer 87 having a three-layer structure is formed. The etching resistance is different from that of the layer 87a. The material of the substrate 82 and the material of the first layer 87a can be the same as the material of the substrate 12 and the material of the first layer 17a described above, and the description thereof is omitted here.

ハードマスク材料層８７を構成する第１層８７ａ、第２層８７ｂ、第３層８７ｃは、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法により形成することができる。また、ハードマスク材料層８７の厚みは、例えば、５〜２０３ｎｍとなるように設定することができ、第１層８７ａの厚みは３〜１８０ｎｍの範囲、第２層８７ｂの厚みは１〜２０ｎｍの範囲、第３層８７ｃの厚みは１〜３ｎｍの範囲となるように設定することができる。ただし、第３層８７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、第２層８７ｂをエッチングする際のハードマスクとしての機能が損なわれる場合がある。また、第３層８７ｃの厚みが１ｎｍ未満である場合、厚みの分布により局所的に第２層８７ｂが、第３層８７ｃで覆われない部分が生じうる。モールドに用いられる材料やハードマスク材料層８７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、樹脂パターンがハードマスク層から剥がれ易くなってしまい、所望の樹脂パターンを形成できず、精度よくパターニングされた基板の形成に支障がある。さらに、第３層８７ｃの厚みが３ｎｍを超える場合、樹脂パターンをエッチングマスクとして第３層８７ｃをエッチングする際に樹脂パターンを多く消費するため、樹脂パターンが所望の高さや幅を保てず、形成されるハードマスクパターンが所望の形状を満たさなくなる。このため、上記の範囲となるように設定することが好ましい。 The first layer 87a, the second layer 87b, and the third layer 87c constituting the hard mask material layer 87 can be formed by, for example, a vacuum film forming method such as a sputtering method or an ALD (Atomic Layer Deposition) method. The thickness of the hard mask material layer 87 can be set to be, for example, 5 to 203 nm, the thickness of the first layer 87a is in the range of 3 to 180 nm, and the thickness of the second layer 87b is 1 to 20 nm. The range and the thickness of the third layer 87c can be set to be in the range of 1 to 3 nm. However, if the thickness of the third layer 87c is less than 1 nm, the function as a hard mask when etching the second layer 87b may be impaired. Further, when the thickness of the third layer 87c is less than 1 nm, a portion where the second layer 87b is not locally covered by the third layer 87c may occur due to the thickness distribution. If the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 87 are similar materials, the resin pattern tends to peel off from the hard mask layer, and the desired resin pattern cannot be formed, resulting in accuracy. There is a problem in forming a well-patterned substrate. Further, when the thickness of the third layer 87c exceeds 3 nm, a large amount of the resin pattern is consumed when etching the third layer 87c using the resin pattern as an etching mask, so that the resin pattern cannot maintain the desired height and width. The hard mask pattern formed does not satisfy the desired shape. Therefore, it is preferable to set it within the above range.

本発明のインプリントモールド製造用基材８１は、上記のようにハードマスク材料層８７を構成する層として第１層８７ａおよび第２層８７ｂに加えて金属あるいは金属化合物を含有する第３層８７ｃを設けている。さらに、ハードマスク材料層８７とレジストとの密着性を高めるため、ハードマスク材料層８７を構成する第３層８７ｃ上に密着層が形成される。密着層を構成する化合物としては、例えば、ハードマスク材料層と樹脂との反応性官能基を含有したシラン化合物や、リン酸化合物、イソシアネート系化合物、チオール系化合物等が挙げられる。ハードマスク材料層上に密着層を形成する方法には、気相成膜法、あるいは、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の溶液法等がある。また、離型成分を含有するレジストとして、例えば、界面活性剤含有光硬化性レジストを用いる場合で、モールドに用いられる材料やハードマスク材料層８７に用いられる材料が同じような材料であるような場合は、モールドに対する樹脂パターンの密着性と、ハードマスク材料層８７に対する樹脂パターンの密着性が近いものとなり、樹脂パターンがハードマスク材料層８７から剥がれ易くなってしまう。しかし、モールドに用いられる材料とハードマスク材料層８７（第３層８７ｃ）に用いられる材料が異なる本発明の構成にすることにより、インプリントモールドの製造時において、例えば電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールドを介してレジストに光を照射してレジストを硬化させ、レジストに形成された凹凸パターンからマスターモールドを引き離す際、凹凸パターンが形成されたレジストと第３層８７ｃとの密着性を高めることができる。その結果、例えばレジストに形成された凹凸パターンの一部が欠損するようなことがなくなるため、精度の高いインプリントモールドを製造することが可能となる。尚、界面活性剤含有光硬化性レジストに用いる界面活性剤としては、フッ素系、、または、シリコーン系の界面活性剤等がある。 The base material 81 for manufacturing an imprint mold of the present invention is a third layer 87c containing a metal or a metal compound in addition to the first layer 87a and the second layer 87b as the layers constituting the hard mask material layer 87 as described above. Is provided. Further, in order to improve the adhesion between the hard mask material layer 87 and the resist, an adhesion layer is formed on the third layer 87c constituting the hard mask material layer 87. Examples of the compound constituting the adhesion layer include a silane compound containing a reactive functional group between the hard mask material layer and the resin, a phosphoric acid compound, an isocyanate-based compound, a thiol-based compound, and the like. Examples of the method for forming the adhesion layer on the hard mask material layer include a vapor phase film forming method, a solution method such as a spin coating method, a dip coating method, and a dipping method. Further, when a surfactant-containing photocurable resist is used as the resist containing the release component, for example, the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 87 are similar materials. In this case, the adhesion of the resin pattern to the mold and the adhesion of the resin pattern to the hard mask material layer 87 become close to each other, and the resin pattern is easily peeled off from the hard mask material layer 87. However, by adopting the configuration of the present invention in which the material used for the mold and the material used for the hard mask material layer 87 (third layer 87c) are different, quartz glass is produced by, for example, an electron beam lithography method at the time of manufacturing an imprint mold. When the resist is cured by irradiating the resist with light through the master mold produced using the above, and the master mold is separated from the uneven pattern formed on the resist, the resist on which the uneven pattern is formed and the third layer 87c Adhesion can be improved. As a result, for example, a part of the uneven pattern formed on the resist is not lost, so that an imprint mold with high accuracy can be manufactured. Examples of the surfactant used in the surfactant-containing photocurable resist include a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and the like.

図１６は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す図である。図１６（Ａ）は、本発明のインプリントモールド製造用基材の他の実施形態を示す平面図であり、図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）に示されるインプリントモールド製造用基材のＤ−Ｄ線における縦断面図である。 FIG. 16 is a diagram showing another embodiment of the base material for producing an imprint mold of the present invention. 16 (A) is a plan view showing another embodiment of the base material for imprint mold manufacturing of the present invention, and FIG. 16 (B) is a base for manufacturing imprint mold shown in FIG. 16 (A). It is a vertical sectional view of the material in line DD.

図１６に示されるインプリントモールド製造用基材９１は、基体９２と、当該基体９２の上平面９２ａにおける所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層９７と、を有している。「所望の部位」とは、インプリント法により所望のパターンを形成したい部位のことをいう。つまり、ここでは、ハードマスク材料層９７は所望のパターンを形成したい部位を被覆するように位置するものであればよい。尚、図１６では、上下左右に等間隔を空けて計９つのハードマスク材料層９７が基体９２の上平面９２ａ上に位置するように示されているが、これは一例であり、ハードマスク材料層９７の総数や相互の間隔の態様が本例に限定されるものではない。 The base material 91 for producing an imprint mold shown in FIG. 16 has a base material 92 and a hard mask material layer 97 located so as to cover a desired portion on the upper plane 92a of the base material 92. The "desired part" refers to a part where a desired pattern is desired to be formed by the imprint method. That is, here, the hard mask material layer 97 may be positioned so as to cover the portion where the desired pattern is desired to be formed. In FIG. 16, a total of nine hard mask material layers 97 are shown to be located on the upper plane 92a of the substrate 92 at equal intervals in the vertical and horizontal directions, but this is an example and is a hard mask material. The total number of layers 97 and the mode of mutual spacing are not limited to this example.

［凹凸構造体製造用基材］
本発明の凹凸構造体の製造方法に使用する凹凸構造体製造用基材は、上述のインプリントモールド製造用基材を使用することができる。また、凹凸構造体の用途に応じて、インプリントモールド製造用基材の基体の材質を変更したものを、凹凸構造体製造用基材として使用することができる。但し、使用する基体は３層構造のハードマスク材料層の第１層とエッチング耐性が異なる材質からなるものである。また、凹凸構造体製造用基材は、例えば半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等のパターン構造物が形成されたものであってもよい。 [Base material for manufacturing uneven structures]
As the base material for manufacturing an uneven structure used in the method for manufacturing a concave-convex structure of the present invention, the above-mentioned base material for manufacturing an imprint mold can be used. In addition, a material in which the material of the base material for imprint mold manufacturing is changed according to the use of the uneven structure can be used as the base material for manufacturing the uneven structure. However, the substrate used is made of a material having a different etching resistance from the first layer of the hard mask material layer having a three-layer structure. Further, the base material for manufacturing an uneven structure is a base material on which a fine wiring used for a semiconductor, a display, or the like, or a pattern structure such as a photonic crystal structure, an optical waveguide, or an optical structure such as holography is formed. You may.

［凹凸構造体の製造方法］
図１７〜図１９は、本発明の凹凸構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、凹凸構造体として図１〜図３に示される本発明のインプリントモールド製造用基材１１を用いたインプリントモールドの製造方法を例として説明するものである。尚、図１７では、インプリントモールド製造用基材１１を図２相当として示しており、ハードマスク材料層１７を省略している。また、図１８および図１９では、インプリントモールド製造用基材１１を図３相当として示している。 [Manufacturing method of uneven structure]
17 to 19 are process diagrams for explaining one embodiment of the method for manufacturing the concavo-convex structure of the present invention, and are for manufacturing the imprint mold of the present invention shown as the concavo-convex structure in FIGS. 1 to 3. A method of manufacturing an imprint mold using the base material 11 will be described as an example. In FIG. 17, the base material 11 for manufacturing the imprint mold is shown as corresponding to FIG. 2, and the hard mask material layer 17 is omitted. Further, in FIGS. 18 and 19, the base material 11 for manufacturing an imprint mold is shown as corresponding to FIG.

この実施形態では、まず基材準備工程において、上述した基体１２と３層構造のハードマスク材料層１７とを有するインプリントモールド製造用基材１１を準備する。インプリントモールド製造用基材１１を準備する基材準備工程には、例えば、インプリントモールド製造用基材１１を作製する工程や、前もって製造しておいたインプリントモールド製造用基材１１に対して所望の前処理を施すような工程や、インプリントモールドを製造するための所望の装置にセットするような工程などが含まれる。例えば、インプリントモールド製造用基材１１を作製する工程においては、スパッタリング法やＡＬＤ法によりハードマスク材料層を構成する各層を形成するような工程が含まれる。 In this embodiment, first, in the base material preparation step, the base material 11 for imprint mold manufacturing having the above-mentioned base material 12 and the hard mask material layer 17 having a three-layer structure is prepared. In the base material preparation step for preparing the imprint mold manufacturing base material 11, for example, the step of producing the imprint mold manufacturing base material 11 or the imprint mold manufacturing base material 11 manufactured in advance is used. The process includes a step of performing a desired pretreatment, a step of setting the imprint mold in a desired device, and the like. For example, the step of producing the base material 11 for manufacturing an imprint mold includes a step of forming each layer constituting the hard mask material layer by a sputtering method or an ALD method.

次に、液滴供給工程において、本発明のインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面に位置するハードマスク材料層１７（図示せず）に光硬化性のレジスト１０１の液滴を供給する（図１７（Ａ））。使用する光硬化性のレジストには特に制限はなく、公知の光硬化性レジストを使用することができる。 Next, in the droplet supply step, a liquid of the photocurable resist 101 is applied to the hard mask material layer 17 (not shown) located on the upper plane of the convex structure portion 14 of the base material 11 for manufacturing the imprint mold of the present invention. Drops are supplied (FIG. 17 (A)). The photocurable resist to be used is not particularly limited, and a known photocurable resist can be used.

供給するレジスト１０１の液滴量は、後工程において使用する電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールド１１１の凹部容積の総和、マスターモールド１１１とインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４との近接時の間隙部の体積、レジスト１０１からの揮発量の合計量を考慮して設定することができる。レジスト１０１の液滴量が不足する場合、マスターモールド１１１の凹部へのレジスト１０１の充填不良が発生するので、通常、供給するレジスト１０１の液滴量は上記の合計量より多い量に設定する。 The amount of droplets of the resist 101 to be supplied is the sum of the concave volumes of the master mold 111 produced by using quartz glass by the electron beam lithography method used in the subsequent process, and the convexity of the master mold 111 and the base material 11 for manufacturing the imprint mold. It can be set in consideration of the volume of the gap portion when it is close to the structural portion 14 and the total amount of volatilization from the resist 101. If the amount of droplets of the resist 101 is insufficient, the recesses of the master mold 111 will be poorly filled with the resist 101. Therefore, the amount of droplets of the resist 101 to be supplied is usually set to be larger than the total amount described above.

次に、接触工程において、所望の凹凸構造を有するマスターモールド１１１とインプリントモールド製造用基材１１を近接させて、マスターモールド１１１とインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面に位置するハードマスク材料層１７（図示せず）との間にレジスト１０１を展開してレジスト層１０２を形成する（図１７（Ｂ））。図示例では、マスターモールド１１１は、一の面１１１ａに複数の凸部１１２を有するモールドである。 Next, in the contact step, the master mold 111 having a desired uneven structure and the imprint mold manufacturing base material 11 are brought close to each other, and the upper plane of the convex structure portion 14 of the master mold 111 and the imprint mold manufacturing base material 11 is brought close to each other. A resist 101 is developed between the hard mask material layer 17 (not shown) located in the above to form a resist layer 102 (FIG. 17 (B)). In the illustrated example, the master mold 111 is a mold having a plurality of convex portions 112 on one surface 111a.

次いで、硬化工程において、レジスト層１０２に光を照射することにより、レジスト層１０２を硬化させ、その後、離型工程において、硬化させたレジスト層１０２とマスターモールド１１１を引き離して、レジストパターン層１０３をインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４上に位置させた状態とする（図１７（Ｃ））。 Next, in the curing step, the resist layer 102 is cured by irradiating the resist layer 102 with light, and then in the mold release step, the cured resist layer 102 and the master mold 111 are separated to form the resist pattern layer 103. It is in a state of being positioned on the convex structure portion 14 of the base material 11 for manufacturing an imprint mold (FIG. 17 (C)).

次に、残膜除去工程において、レジストパターン層１０３の凹部に位置する残膜を除去して、インプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４の上平面１４ａを被覆しているハードマスク材料層１７上にレジストパターン１０４を形成する（図１７（Ｄ）、図１８（Ａ））。 Next, in the residual film removing step, the hard mask material that removes the residual film located in the concave portion of the resist pattern layer 103 and covers the upper plane 14a of the convex structure portion 14 of the base material 11 for imprint mold manufacturing. A resist pattern 104 is formed on the layer 17 (FIGS. 17 (D) and 18 (A)).

次に、ハードマスク形成工程において、レジストパターン１０４を介してハードマスク材料層１７の第３層１７ｃをエッチングして第３のハードマスク１０５ｃを形成し（図１８（Ｂ））、その後、この第３のハードマスク１０５ｃを介してハードマスク材料層１７の第２層１７ｂをエッチングして第２のハードマスク１０５ｂを形成する（図１８（Ｃ））。さらにその後、この第２のハードマスク１０５ｂを介してハードマスク材料層１７の第１層１７ａをエッチングして第１のハードマスク１０５ａを形成する（図１９（Ａ））。レジストパターン１０４を介したハードマスク材料層１７の第３層１７ｃのエッチングは、例えば、塩素系ガスと酸素を用いた反応性イオンエッチングとすることができる。また、第３のハードマスク１０５ｃを介したハードマスク材料層１７の第２層１７ｂのエッチングは、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングとすることができる。また、第２のハードマスク１０５ｂを介したハードマスク材料層１７の第１層１７ａのエッチングは、塩素系ガスと酸素を用いた反応性イオンエッチングとすることができる。 Next, in the hard mask forming step, the third layer 17c of the hard mask material layer 17 is etched through the resist pattern 104 to form the third hard mask 105c (FIG. 18B), and then the third layer 17c is formed. The second layer 17b of the hard mask material layer 17 is etched through the hard mask 105c of No. 3 to form the second hard mask 105b (FIG. 18C). After that, the first layer 17a of the hard mask material layer 17 is etched through the second hard mask 105b to form the first hard mask 105a (FIG. 19A). The etching of the third layer 17c of the hard mask material layer 17 via the resist pattern 104 can be, for example, reactive ion etching using chlorine-based gas and oxygen. Further, the etching of the second layer 17b of the hard mask material layer 17 via the third hard mask 105c can be reactive ion etching using a fluorine-based gas. Further, the etching of the first layer 17a of the hard mask material layer 17 via the second hard mask 105b can be a reactive ion etching using a chlorine-based gas and oxygen.

次に、基材エッチング工程において、第１のハードマスク１０５ａを介してインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４をエッチングすることにより、凹部１８を備えた凹凸構造パターンを凸構造部１４に形成する（図１９（Ｂ））。第１のハードマスク１０５ａを介したインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４のエッチングは、例えば、基体１２が石英ガラスである場合、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングとすることができる。 Next, in the base material etching step, by etching the convex structure portion 14 of the base material 11 for imprint mold manufacturing via the first hard mask 105a, the convex structure portion 14 having the concave portion 18 is formed. (Fig. 19 (B)). The etching of the convex structure portion 14 of the base material 11 for imprint mold manufacturing via the first hard mask 105a is, for example, reactive ion etching using a fluorine-based gas when the base material 12 is quartz glass. Can be done.

尚、図１９（Ｂ）において残存する第１のハードマスク１０５ａについては、所望の洗浄工程および検査工程を経た後に除去することにより、凸構造部１４に凹凸構造パターンが形成された凹凸構造体であるインプリントモールド１１０を得ることができる（図１９（Ｃ））。尚、凸構造部１４の側壁面１４ｂにハードマスク材料層１７が残存していてもよい。 The first hard mask 105a remaining in FIG. 19B is a concavo-convex structure in which a concavo-convex structure pattern is formed in the convex structure portion 14 by removing the first hard mask 105a after undergoing a desired cleaning step and inspection step. A certain imprint mold 110 can be obtained (FIG. 19 (C)). The hard mask material layer 17 may remain on the side wall surface 14b of the convex structure portion 14.

本発明のインプリントモールドの製造方法は、これに使用するインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４を被覆するハードマスク材料層１７の最上層を金属あるいは金属化合物を含有する第３層１７ｃとしているため、これにより、第３層１７ｃと供給されるレジスト１０１との密着性がよく、かつ、離型工程において、電子線リソグラフィー法により石英ガラスを用いて作製したマスターモールド１１１をレジスト層１０２から離型しやすくすることができる。 In the method for manufacturing an imprint mold of the present invention, the uppermost layer of the hard mask material layer 17 that covers the convex structure portion 14 of the base material 11 for manufacturing the imprint mold used for this is a third layer containing a metal or a metal compound. Since the thickness is 17c, the adhesion between the third layer 17c and the supplied resist 101 is good, and the master mold 111 manufactured by the electron beam lithography method using quartz glass in the mold release step is used as the resist layer. It can be easily removed from the 102.

また、本発明のインプリントモールドの製造方法は、ハードマスク材料層１７の第１層１７ａと第３層１７ｃを金属あるいは金属化合物を含有する同じまたは同様の材料としているため、ハードマスク形成工程において、第２のハードマスク１０５ｂを介してハードマスク材料層１７の第１層１７ａをエッチングする際に、第２のハードマスク１０５ｂ上に第３のハードマスク１０５ｃが残存していても、第１層１７ａのエッチングに応じて第３のハードマスク１０５ｃの剥離も進行する。 Further, in the method for producing an imprint mold of the present invention, since the first layer 17a and the third layer 17c of the hard mask material layer 17 are made of the same or similar material containing a metal or a metal compound, in the hard mask forming step. When the first layer 17a of the hard mask material layer 17 is etched via the second hard mask 105b, even if the third hard mask 105c remains on the second hard mask 105b, the first layer The peeling of the third hard mask 105c also proceeds according to the etching of 17a.

同様に、本発明のインプリントモールドの製造方法は、ハードマスク材料層１７の第２層１７ｂと基体１２をシリコンあるいはシリコン化合物を含有する同じまたは同様の材料としているため、基材エッチング工程において、第１のハードマスク１０５ａを介してインプリントモールド製造用基材１１の凸構造部１４をエッチングする際に、第１のハードマスク１０５ａ上に第２のハードマスク１０５ｂが残存していても、凸構造部１４のエッチングに応じて第２のハードマスク１０５ｂの剥離も進行する。 Similarly, in the method for producing an imprint mold of the present invention, since the second layer 17b of the hard mask material layer 17 and the substrate 12 are made of the same or similar material containing silicon or a silicon compound, in the substrate etching step, When the convex structure portion 14 of the base material 11 for manufacturing an imprint mold is etched through the first hard mask 105a, even if the second hard mask 105b remains on the first hard mask 105a, it is convex. The peeling of the second hard mask 105b also proceeds according to the etching of the structural portion 14.

したがって、ハードマスク形成工程の後に、残存する各ハードマスクを除去する除去工程やハードマスクの除去のための検査工程等を減らすことができ、全体としてインプリントモールドの製造工程時間を短縮することができ、工程自体も簡便にすることができる。 Therefore, after the hard mask forming step, the removal step for removing each remaining hard mask, the inspection step for removing the hard mask, and the like can be reduced, and the manufacturing process time of the imprint mold can be shortened as a whole. The process itself can be simplified.

上述のインプリントモールドの製造方法の実施形態は例示であり、本発明のインプリントモールドの製造法はこれらの例に限定されるものではない。例えば、上記の離型工程と残膜除去工程との間に、レジストパターン層１０３に電子線を照射する照射工程を有するものであってもよい。また、上記の残膜除去工程とハードマスク形成工程との間に、レジストパターン１０４に電子線を照射する照射工程を有するものであってもよい。このような照射工程を有することにより、例えば電子線リソグラフィーを使用して製造したマスターモールドにおいて、パターンの側端部の粗さが大きい場合であっても、このマスターモールドを使用して形成したレジストパターン層１０３、あるいは、レジストパターン１０４の側端部の粗さを低減することができる。ただし、この照射工程によって、レジストパターン層１０３、あるいは、レジストパターン１０４に収縮が発生する場合がある。したがって、照射工程を採用する場合、これによる収縮を考慮したパターン寸法を備えるマスターモールドを使用することが好ましい。 The above-described embodiment of the imprint mold manufacturing method is an example, and the imprint mold manufacturing method of the present invention is not limited to these examples. For example, the resist pattern layer 103 may be provided with an irradiation step of irradiating the resist pattern layer 103 with an electron beam between the above-mentioned mold release step and the residual film removing step. Further, an irradiation step of irradiating the resist pattern 104 with an electron beam may be provided between the residual film removing step and the hard mask forming step. By having such an irradiation step, for example, in a master mold manufactured by using electron beam lithography, a resist formed by using this master mold even when the roughness of the side end portion of the pattern is large. The roughness of the side end portion of the pattern layer 103 or the resist pattern 104 can be reduced. However, this irradiation step may cause shrinkage in the resist pattern layer 103 or the resist pattern 104. Therefore, when the irradiation step is adopted, it is preferable to use a master mold having a pattern size in consideration of shrinkage due to the irradiation step.

［実施例１］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
基部（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚み６．３５ｍｍ）と、この基部の上平面の中央から突出する凸構造部（３５ｍｍ角、高さ２０μｍ）を一体的に有する基体（石英ガラス）を準備した。この基体の凸構造部が位置する側の面にスパッタリング法によりクロム（Ｃｒ）を成膜（厚み１５ｎｍ）して第１層とし、次いで、ＡＬＤ法により酸化シリコン（ＳｉＯ2）を成膜（厚み３ｎｍ）して第２層とし、さらに、スパッタリング法によりクロム（Ｃｒ）を成膜（厚み１ｎｍ）して第３層として、３層構造のハードマスク材料層を基部の上平面、凸構造部の上平面、凸構造部の側壁面に形成し、インプリントモールド製造用基材（図１〜図３相当）を作製した。 [Example 1]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
A substrate (quartz glass) having a base portion (152 mm × 152 mm, thickness 6.35 mm) and a convex structure portion (35 mm square, height 20 μm) protruding from the center of the upper plane of the base portion was prepared. Chromium (Cr) is deposited (thickness 15 nm) on the surface of the substrate on the side where the convex structure is located to form the first layer, and then silicon oxide (SiO 2 ) is deposited (thickness) by the ALD method. 3 nm) to form a second layer, and chromium (Cr) is formed into a film (thickness 1 nm) by a sputtering method to form a third layer. A base material for imprint mold production (corresponding to FIGS. 1 to 3) was produced by forming it on the upper plane and the side wall surface of the convex structure portion.

＜インプリントモールドの作製＞
上記のインプリントモールド製造用基材の凸構造部のハードマスク材料層上に、密着層を形成した後、光硬化性のレジストの液滴をインクジェット方式で供給した。なお、光硬化性のレジストには離型剤を含有させたものを用いた。 <Making an imprint mold>
After forming an adhesion layer on the hard mask material layer of the convex structure portion of the above-mentioned base material for imprint mold production, droplets of a photocurable resist were supplied by an inkjet method. As the photocurable resist, a resist containing a release agent was used.

次に、インプリントモールド製造用基材とマスターモールドを近接させ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部とモールドとの間にレジストの液滴を展開して、レジスト層を形成した。 Next, the base material for imprint mold production and the master mold were brought close to each other, and a resist droplet was developed between the convex structure portion of the base material for imprint mold production and the mold to form a resist layer.

次いで、インプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をマスターモールド側に１５０ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射した。これにより、レジスト層を硬化させて、マスターモールドの凹凸構造パターンの凹凸が反転した凹凸構造パターンが形成されたレジストパターンとした。 Next, parallel light (ultraviolet rays having a peak wavelength of 365 nm) was irradiated from the illumination optical system of the imprint apparatus to the master mold side under the condition of 150 mJ / cm 2 . As a result, the resist layer was cured to obtain a resist pattern in which the uneven structure pattern in which the uneven structure pattern of the master mold was inverted was formed.

次に、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態とした。この状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。 Next, the resist pattern layer and the master mold were separated from each other so that the resist pattern layer was positioned on the convex structure portion of the base material for imprint mold production. When the convex structure of the imprint mold manufacturing base material and the uneven structure pattern of the master mold were observed in this state, no chipping or tearing was observed in the convex structure of the imprint mold manufacturing base material, and the master It was confirmed that no adhesion was observed on the uneven structure pattern of the mold, which was considered to be a part of the convex structure part of the base material for imprint mold manufacturing.

次いで、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングにより、レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去して、インプリントモールド製造用基材の凸構造部の上面を被覆しているハードマスク材料層にレジストパターンを形成した。 Next, by plasma etching using a fluorine-based gas, the residual film located in the concave portion of the resist pattern layer is removed, and the hard mask material layer covering the upper surface of the convex structure portion of the base material for imprint mold manufacturing is formed. A resist pattern was formed.

上記のように形成したレジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスと酸素の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングでハードマスク材料層の第３層（クロム（Ｃｒ）薄膜）をエッチングして第３のハードマスクを形成した。次いで、この第３のハードマスクをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングでハードマスク材料層の第２層（酸化シリコン（ＳｉＯ2））をエッチングして第２のハードマスクを形成した。次いで、この第２のハードマスクをエッチングマスクとして、塩素系ガスと酸素の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングでハードマスク材料層の第１層（クロム（Ｃｒ）薄膜）をエッチングして第１のハードマスクを形成した。 Using the resist pattern formed as described above as an etching mask, the third layer (chromium (Cr) thin film) of the hard mask material layer is etched by reactive ion etching using a mixed gas of chlorine-based gas and oxygen. Formed a hard mask. Next, using this third hard mask as an etching mask, the second layer (silicon oxide (SiO 2 )) of the hard mask material layer is etched by reactive ion etching using a fluorine-based gas to obtain a second hard mask. Formed. Next, using this second hard mask as an etching mask, the first layer (chromium (Cr) thin film) of the hard mask material layer is etched by reactive ion etching using a mixed gas of chlorine-based gas and oxygen. Formed a hard mask.

次に、上記のように形成した第１のハードマスクをエッチングマスクとしてインプリントモールド製造用基材の凸構造部をフッ素系ガスによる反応性イオンエッチングでエッチングすることにより、凸構造部に凹凸構造パターンを形成した。 Next, using the first hard mask formed as described above as an etching mask, the convex structure portion of the base material for manufacturing an imprint mold is etched by reactive ion etching with a fluorine-based gas, whereby the convex structure portion has a concave-convex structure. Formed a pattern.

このように凹凸構造パターンを形成したインプリントモールド製造用基材を、フォトマスク洗浄装置（（株）ワコム製）を用いて洗浄し、その後、フォトマスク用の光欠陥検査装置（レーザーテック（株）製）を用いて、形成した凹凸構造パターンを検査した。 The substrate for imprint mold manufacturing in which the uneven structure pattern is formed in this way is cleaned using a photomask cleaning device (manufactured by Wacom Co., Ltd.), and then an optical defect inspection device for photomasks (Lasertec Co., Ltd.). The formed uneven structure pattern was inspected using (manufactured by).

検査後、塩素系ガスと酸素の混合ガスを用いたプラズマエッチングにより、残存する第１のハードマスクを除去して、インプリントモールドを作製した。 After the inspection, the remaining first hard mask was removed by plasma etching using a mixed gas of chlorine-based gas and oxygen to prepare an imprint mold.

このようにして２０個のインプリントモールドを作成した。各インプリントの作製において、凹凸構造パターンの検査では、凹凸構造パターンを構成する凹部や凸部に欠けや裂損は認められなかった。また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。 In this way, 20 imprint molds were created. In the production of each imprint, in the inspection of the uneven structure pattern, no chipping or tearing was found in the concave or convex portions constituting the uneven structure pattern. Further, except for the removal of the first hard mask performed after the inspection, in the hard mask forming step, the first hard mask and the second hard mask used as the etching mask need not be removed. No residue of the second hard mask and the third hard mask was observed on the hard mask.

［実施例２］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の上平面には第１層、第２層、第３層を積層した３層構造のハードマスク材料層が位置し、凸構造部の側壁面と基部の上平面には３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第１層、第２層が積層して位置するようにハードマスク材料層（図４相当）を形成した他は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。 [Example 2]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
A hard mask material layer having a three-layer structure in which the first layer, the second layer, and the third layer are laminated is located on the upper plane of the convex structure portion, and the three-layer structure is located on the side wall surface of the convex structure portion and the upper plane of the base. In the same manner as in Example 1, the hard mask material layer (corresponding to FIG. 4) was formed so that the first layer and the second layer in the constituent layers of the hard mask material layer of No. 1 were laminated. A base material for producing a print mold was produced.

＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。 <Making an imprint mold>
Twenty imprint molds were produced in the same manner as in Example 1 except that the base material for producing imprint molds produced as described above was used.

このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。 Also in the production of this imprint mold, the resist pattern layer and the master mold are separated from each other, and the resist pattern layer is positioned on the convex structure portion of the base material for imprint mold manufacturing. When the uneven structure pattern of the structural part and the master mold was observed, no chipping or tearing was observed in the convex structure part of the base material for imprint mold manufacturing, and the uneven structure pattern of the master mold was found to be the base for imprint mold manufacturing. It was confirmed that no adhesion was observed in the part that seems to be a part of the convex structure part of the material.

また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。 Further, except for the removal of the first hard mask performed after the inspection, in the hard mask forming step, the first hard mask and the second hard mask used as the etching mask need not be removed. No residue of the second hard mask and the third hard mask was observed on the hard mask.

［実施例３］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の上平面の周縁部と側壁面と基部の上平面には３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第３層を積層することなく、ハードマスク材料層の構成層の中の第１層および第２層が積層して位置するようにハードマスク材料層（図５相当）を形成した他は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。 [Example 3]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
The constituent layers of the hard mask material layer without stacking the third layer among the constituent layers of the hard mask material layer having a three-layer structure on the peripheral edge portion, the side wall surface, and the upper plane of the base of the convex structure portion. A base material for imprint mold production was produced in the same manner as in Example 1 except that the hard mask material layer (corresponding to FIG. 5) was formed so that the first layer and the second layer inside were laminated and located. ..

＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。 <Making an imprint mold>
Twenty imprint molds were produced in the same manner as in Example 1 except that the base material for producing imprint molds produced as described above was used.

このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。 Also in the production of this imprint mold, the resist pattern layer and the master mold are separated from each other, and the resist pattern layer is positioned on the convex structure portion of the base material for imprint mold manufacturing. When the uneven structure pattern of the structural part and the master mold was observed, no chipping or tearing was observed in the convex structure part of the base material for imprint mold manufacturing, and the uneven structure pattern of the master mold was found to be the base for imprint mold manufacturing. It was confirmed that no adhesion was observed in the part that seems to be a part of the convex structure part of the material.

また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。 Further, except for the removal of the first hard mask performed after the inspection, in the hard mask forming step, the first hard mask and the second hard mask used as the etching mask need not be removed. No residue of the second hard mask and the third hard mask was observed on the hard mask.

［実施例４］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の上平面と側壁面の一部に第１層、第２層、第３層を積層した３層構造のハードマスク材料層が位置し、基部は基体を露出させるようにハードマスク材料層（図６相当）を形成した以外は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。 [Example 4]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
A hard mask material layer having a three-layer structure in which the first layer, the second layer, and the third layer are laminated is located on a part of the upper plane and the side wall surface of the convex structure portion, and the base is a hard mask material so as to expose the substrate. A substrate for imprint mold production was produced in the same manner as in Example 1 except that a layer (corresponding to FIG. 6) was formed.

＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。 <Making an imprint mold>
Twenty imprint molds were produced in the same manner as in Example 1 except that the base material for producing imprint molds produced as described above was used.

このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。 Also in the production of this imprint mold, the resist pattern layer and the master mold are separated from each other, and the resist pattern layer is positioned on the convex structure portion of the base material for imprint mold manufacturing. When the uneven structure pattern of the structural part and the master mold was observed, no chipping or tearing was observed in the convex structure part of the base material for imprint mold manufacturing, and the uneven structure pattern of the master mold was found to be the base for imprint mold manufacturing. It was confirmed that no adhesion was observed in the part that seems to be a part of the convex structure part of the material.

また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。 Further, except for the removal of the first hard mask performed after the inspection, in the hard mask forming step, the first hard mask and the second hard mask used as the etching mask need not be removed. No residue of the second hard mask and the third hard mask was observed on the hard mask.

［実施例５］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の側壁面において３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第１層、第２層が積層して位置するようにハードマスク材料層（図７相当）を形成した以外は、実施例４と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。 [Example 5]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
A hard mask material layer (corresponding to FIG. 7) was formed so that the first layer and the second layer in the constituent layers of the three-layer structure hard mask material layer were laminated on the side wall surface of the convex structure portion. , A substrate for imprint mold production was produced in the same manner as in Example 4.

＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。 <Making an imprint mold>
Twenty imprint molds were produced in the same manner as in Example 1 except that the base material for producing imprint molds produced as described above was used.

このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。 Also in the production of this imprint mold, the resist pattern layer and the master mold are separated from each other, and the resist pattern layer is positioned on the convex structure portion of the base material for imprint mold manufacturing. When the uneven structure pattern of the structural part and the master mold was observed, no chipping or tearing was observed in the convex structure part of the base material for imprint mold manufacturing, and the uneven structure pattern of the master mold was found to be the base for imprint mold manufacturing. It was confirmed that no adhesion was observed in the part that seems to be a part of the convex structure part of the material.

また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。 Further, except for the removal of the first hard mask performed after the inspection, in the hard mask forming step, the first hard mask and the second hard mask used as the etching mask need not be removed. No residue of the second hard mask and the third hard mask was observed on the hard mask.

［実施例６］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の上平面の周縁部のみ３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第１層、第２層が積層して位置するようにハードマスク材料層（図８相当）を形成した以外は、実施例５と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。 [Example 6]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
A hard mask material layer (corresponding to FIG. 8) is formed so that the first layer and the second layer in the constituent layers of the hard mask material layer having a three-layer structure are located in a laminated manner only at the peripheral edge of the upper plane of the convex structure portion. A base material for producing an imprint mold was produced in the same manner as in Example 5 except for the above.

＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。 <Making an imprint mold>
Twenty imprint molds were produced in the same manner as in Example 1 except that the base material for producing imprint molds produced as described above was used.

このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。 Also in the production of this imprint mold, the resist pattern layer and the master mold are separated from each other, and the resist pattern layer is positioned on the convex structure portion of the base material for imprint mold manufacturing. When the uneven structure pattern of the structural part and the master mold was observed, no chipping or tearing was observed in the convex structure part of the base material for imprint mold manufacturing, and the uneven structure pattern of the master mold was found to be the base for imprint mold manufacturing. It was confirmed that no adhesion was observed in the part that seems to be a part of the convex structure part of the material.

また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。 Further, except for the removal of the first hard mask performed after the inspection, in the hard mask forming step, the first hard mask and the second hard mask used as the etching mask need not be removed. No residue of the second hard mask and the third hard mask was observed on the hard mask.

［実施例７］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
凸構造部の側壁面と基部の上平面にハードマスク材料層を形成することなく基材を露出させ、凸構造部の上面にのみ３層構造のハードマスク材料層（図９相当）を形成するようにした以外は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。 [Example 7]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
The base material is exposed without forming the hard mask material layer on the side wall surface of the convex structure portion and the upper plane of the base portion, and the hard mask material layer having a three-layer structure (corresponding to FIG. 9) is formed only on the upper surface of the convex structure portion. A base material for producing an imprint mold was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。 <Making an imprint mold>
Twenty imprint molds were produced in the same manner as in Example 1 except that the base material for producing imprint molds produced as described above was used.

このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。 Also in the production of this imprint mold, the resist pattern layer and the master mold are separated from each other, and the resist pattern layer is positioned on the convex structure portion of the base material for imprint mold manufacturing. When the uneven structure pattern of the structural part and the master mold was observed, no chipping or tearing was observed in the convex structure part of the base material for imprint mold manufacturing, and the uneven structure pattern of the master mold was found to be the base for imprint mold manufacturing. It was confirmed that no adhesion was observed in the part that seems to be a part of the convex structure part of the material.

また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。 Further, except for the removal of the first hard mask performed after the inspection, in the hard mask forming step, the first hard mask and the second hard mask used as the etching mask need not be removed. No residue of the second hard mask and the third hard mask was observed on the hard mask.

［実施例８］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
インプリントモールド製造用基材の基部の上平面に３層構造のハードマスク材料層（図１０相当）を形成した以外は、実施例７と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。 [Example 8]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
An imprint mold manufacturing base material was produced in the same manner as in Example 7 except that a hard mask material layer (corresponding to FIG. 10) having a three-layer structure was formed on the upper plane of the base portion of the imprint mold manufacturing base material. ..

＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。 <Making an imprint mold>
Twenty imprint molds were produced in the same manner as in Example 1 except that the base material for producing imprint molds produced as described above was used.

このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。 Also in the production of this imprint mold, the resist pattern layer and the master mold are separated from each other, and the resist pattern layer is positioned on the convex structure portion of the base material for imprint mold manufacturing. When the uneven structure pattern of the structural part and the master mold was observed, no chipping or tearing was observed in the convex structure part of the base material for imprint mold manufacturing, and the uneven structure pattern of the master mold was found to be the base for imprint mold manufacturing. It was confirmed that no adhesion was observed in the part that seems to be a part of the convex structure part of the material.

また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。 Further, except for the removal of the first hard mask performed after the inspection, in the hard mask forming step, the first hard mask and the second hard mask used as the etching mask need not be removed. No residue of the second hard mask and the third hard mask was observed on the hard mask.

［実施例９］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
インプリントモールド製造用基材の基部の上平面において、３層構造のハードマスク材料層の構成層の中の第１層、第２層が積層して位置するように、ハードマスク材料層（図１１相当）を形成した以外は、実施例８と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。 [Example 9]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
The hard mask material layer (Fig.) So that the first layer and the second layer in the constituent layers of the hard mask material layer having a three-layer structure are stacked and located on the upper surface of the base of the base material for imprint mold manufacturing. A base material for producing an imprint mold was produced in the same manner as in Example 8 except that (corresponding to 11) was formed.

＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。 <Making an imprint mold>
Twenty imprint molds were produced in the same manner as in Example 1 except that the base material for producing imprint molds produced as described above was used.

このインプリントモールドの作製においても、レジストパターン層とマスターモールドを引き離して、レジストパターン層をインプリントモールド製造用基材の凸構造部上に位置させた状態のインプリントモールド製造用基材の凸構造部やマスターモールドの凹凸構造パターンを観察したところ、インプリントモールド製造用基材の凸構造部に欠けや裂損は認められず、また、マスターモールドの凹凸構造パターンにインプリントモールド製造用基材の凸構造部の一部と見られるような部分の付着は認められないことが確認された。 Also in the production of this imprint mold, the resist pattern layer and the master mold are separated from each other, and the resist pattern layer is positioned on the convex structure portion of the base material for imprint mold manufacturing. When the uneven structure pattern of the structural part and the master mold was observed, no chipping or tearing was observed in the convex structure part of the base material for imprint mold manufacturing, and the uneven structure pattern of the master mold was found to be the base for imprint mold manufacturing. It was confirmed that no adhesion was observed in the part that seems to be a part of the convex structure part of the material.

また、検査後に行う第１のハードマスクの除去を除いて、ハードマスク形成工程において、エッチングマスクとして使用した第３のハードマスクや第２のハードマスクの除去を特段行わなくても、第１のハードマスク上に第２のハードマスクおよび第３のハードマスクの残渣は認められなかった。 Further, except for the removal of the first hard mask performed after the inspection, in the hard mask forming step, the first hard mask and the second hard mask used as the etching mask need not be removed. No residue of the second hard mask and the third hard mask was observed on the hard mask.

［比較例１］
＜インプリントモールド製造用基材の作製＞
第３層を積層させることなく、凸構造部の上平面に位置する２層構造のハードマスク材料層を形成した他は、実施例１と同様にして、インプリントモールド製造用基材を作製した。 [Comparative Example 1]
<Manufacturing of base material for imprint mold manufacturing>
A base material for imprint mold production was produced in the same manner as in Example 1 except that the hard mask material layer having a two-layer structure located on the upper plane of the convex structure portion was formed without laminating the third layer. ..

＜インプリントモールドの作製＞
上記のように作製したインプリントモールド製造用基材を使用した他は、実施例１と同様にして、２０個のインプリントモールドを作製した。 <Making an imprint mold>
Twenty imprint molds were produced in the same manner as in Example 1 except that the base material for producing imprint molds produced as described above was used.

このインプリントモールドの作製においては、レジストパターン層からマスターモールドを引き離した後、レジストパターン層に形成された凹凸構造パターンに欠けが認められた。また、マスターモールドを引き離す際にレジストパターン層の凹凸構造の一部が欠け、その欠けた一部がマスターモールドの凹凸構造パターンに付着していることも認められた。 In the production of this imprint mold, after the master mold was separated from the resist pattern layer, a chip was observed in the uneven structure pattern formed on the resist pattern layer. It was also found that when the master mold was pulled apart, a part of the uneven structure of the resist pattern layer was chipped, and the chipped part was attached to the uneven structure pattern of the master mold.

マスターモールドを用いたインプリントモールド、所謂レプリカモールドの製造に有用である。 It is useful for manufacturing imprint molds, so-called replica molds, using a master mold.

１１，３１，５１，７１，９１…インプリントモールド製造用基材
１２，３２，５２，７２，８２，９２…基体
１３，３３，５３，７３…基部
１４，３４，５４，７４…凸構造部
１４ａ，３４ａ，５４ａ，７４ａ…凸構造部の上平面
１４ｂ，３４ｂ，５４ｂ，７４ｂ…凸構造部の側壁面
１５…凹構造部
１７，３７，５７，７７，８７，９７…ハードマスク材料層
１７ａ，３７ａ，５７ａ，７７ａ，８７ａ…ハードマスク材料層の第１層
１７ｂ，３７ｂ，５７ｂ，７７ｂ，８７ｂ…ハードマスク材料層の第２層
１７ｃ，３７ｃ，５７ｃ，７７ｃ，８７ｃ…ハードマスク材料層の第３層 11, 31, 51, 71, 91 ... Base material for imprint mold manufacturing 12, 32, 52, 72, 82, 92 ... Base 13, 33, 53, 73 ... Base 14, 34, 54, 74 ... Convex structure part 14a, 34a, 54a, 74a ... Upper plane of convex structure 14b, 34b, 54b, 74b ... Side wall surface of convex structure 15 ... Concave structure 17, 37, 57, 77, 87, 97 ... Hard mask material layer 17a , 37a, 57a, 77a, 87a ... First layer of hard mask material layer 17b, 37b, 57b, 77b, 87b ... Second layer of hard mask material layer 17c, 37c, 57c, 77c, 87c ... Hard mask material layer Third layer

Claims (12)

基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層とが当該順序で積層しており、前記第１層および第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なるような凹凸構造体製造用基材を準備する基材準備工程と、
前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、
凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと、前記凹凸構造体製造用基材とを近接させて、前記モールドと凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、
前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、
硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、
前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、
前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、
前記第１のハードマスクを介して前記凹凸構造体製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有し、
前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置し、前記凸構造部に側壁面には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層していることを特徴とする凹凸構造体の製造方法。 It has a substrate and a hard mask material layer located so as to cover a desired portion on one surface of the substrate, and the hard mask material layer is a first layer, a second layer, and a third layer from the substrate side. The layers are laminated in this order, the first layer and the third layer contain a metal or a metal compound, the second layer contains silicon or a silicon compound, and the substrate is etched with the first layer. A base material preparation process for preparing a base material for manufacturing an uneven structure having different resistances,
A droplet supply step of supplying photosensitive resist droplets to the hard mask material layer, and
The hard mask material having a concavo-convex structure and containing silicon or a silicon compound and the base material for manufacturing the concavo-convex structure in close proximity to the mold and the base material for manufacturing the concavo-convex structure. A contact step of developing the resist between the layers to form a resist layer,
A curing step of curing the resist layer by irradiating the resist layer with light,
A mold release step in which the cured resist layer and the mold are separated from each other so that the resist pattern layer is positioned on the hard mask material layer located on the substrate of the concave-convex structure manufacturing substrate.
A residual film removing step of removing a residual film located in a recess of the resist pattern layer to form a resist pattern,
The third layer of the hard mask material layer is etched through the resist pattern to form a third hard mask, and then the second layer of the hard mask material layer is formed through the third hard mask. To form a second hard mask, and then the first layer of the hard mask material layer is etched through the second hard mask to form a first hard mask. When,
It has a base material etching step of etching the base material of the base material for manufacturing an uneven structure through the first hard mask to form an uneven structure pattern.
The substrate integrally has a base portion and a convex structure portion protruding from the upper plane of the base portion, and the hard mask material layer is located so as to cover a desired portion on the upper plane of the convex structure portion. The third layer constituting the hard mask material layer does not exist on the side wall surface of the convex structure portion, and the first layer and the second layer constituting the hard mask material layer are laminated. A method for manufacturing a characteristic uneven structure. 基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層とが当該順序で積層しており、前記第１層および第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なるような凹凸構造体製造用基材を準備する基材準備工程と、
前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、
凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと、前記凹凸構造体製造用基材とを近接させて、前記モールドと凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、
前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、
硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記凹凸構造体製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、
前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、
前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、
前記第１のハードマスクを介して前記凹凸構造体製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有し、
前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、前記ハードマスク材料層は少なくとも前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置し、前記凸構造部の前記上平面の周縁部には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層していることを特徴とする凹凸構造体の製造方法。 It has a substrate and a hard mask material layer located so as to cover a desired portion on one surface of the substrate, and the hard mask material layer is a first layer, a second layer, and a third layer from the substrate side. The layers are laminated in this order, the first layer and the third layer contain a metal or a metal compound, the second layer contains silicon or a silicon compound, and the substrate is etched with the first layer. A base material preparation process for preparing a base material for manufacturing an uneven structure having different resistances,
A droplet supply step of supplying photosensitive resist droplets to the hard mask material layer, and
The hard mask material having a concavo-convex structure and containing silicon or a silicon compound and the base material for manufacturing the concavo-convex structure in close proximity to the mold and the base material for manufacturing the concavo-convex structure. A contact step of developing the resist between the layers to form a resist layer,
A curing step of curing the resist layer by irradiating the resist layer with light,
A mold release step in which the cured resist layer and the mold are separated from each other so that the resist pattern layer is positioned on the hard mask material layer located on the substrate of the concave-convex structure manufacturing substrate.
A residual film removing step of removing a residual film located in a recess of the resist pattern layer to form a resist pattern,
The third layer of the hard mask material layer is etched through the resist pattern to form a third hard mask, and then the second layer of the hard mask material layer is formed through the third hard mask. To form a second hard mask, and then the first layer of the hard mask material layer is etched through the second hard mask to form a first hard mask. When,
It has a base material etching step of etching the base material of the base material for manufacturing an uneven structure through the first hard mask to form an uneven structure pattern.
The substrate integrally has a base portion and a convex structure portion protruding from the upper plane of the base portion, and the hard mask material layer is positioned so as to cover at least a desired portion on the upper plane of the convex structure portion. The third layer constituting the hard mask material layer does not exist on the peripheral edge of the upper plane of the convex structure portion, and the first layer and the second layer constituting the hard mask material layer are laminated. A method for manufacturing a concavo-convex structure, which is characterized by being 基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、
該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層とが当該順序で積層しており、
前記第１層および前記第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、
前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、
前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なり、
前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、
前記ハードマスク材料層は前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置し、
前記凸構造部の前記上平面の周縁部には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず、前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層していることを特徴とするインプリントモールド製造用基材。 It has a substrate and a hardmask material layer located so as to cover a desired site on one surface of the substrate.
In the hard mask material layer, the first layer, the second layer, and the third layer are laminated in this order from the substrate side.
The first layer and the third layer contain a metal or a metal compound, and
The second layer contains silicon or a silicon compound and contains
The substrate has different etching resistance from the first layer.
The substrate integrally has a base portion and a convex structure portion protruding from the upper plane of the base portion.
The hard mask material layer is located so as to cover a desired portion in the upper plane of the convex structure portion.
The third layer constituting the hard mask material layer does not exist on the peripheral edge of the upper plane of the convex structure portion, and the first layer and the second layer constituting the hard mask material layer are present. A base material for manufacturing an imprint mold, which is characterized by being laminated. 前記凸構造部の側壁面には、前記ハードマスク材料層が存在せず前記基体が露出していることを特徴とする請求項３に記載のインプリントモールド製造用基材。 The substrate for imprint mold manufacturing according to claim 3 , wherein the hard mask material layer does not exist on the side wall surface of the convex structure portion, and the substrate is exposed. 基体と、該基体の一の面における所望の部位を被覆するように位置するハードマスク材料層と、を有し、
該ハードマスク材料層は前記基体側から第１層と第２層と第３層とが当該順序で積層しており、
前記第１層および前記第３層は金属あるいは金属化合物を含有し、
前記第２層はシリコンあるいはシリコン化合物を含有し、
前記基体は前記第１層とエッチング耐性が異なり、
前記基体は基部と該基部の上平面から突出する凸構造部とを一体的に有し、
前記ハードマスク材料層は前記凸構造部の上平面における所望の部位を被覆するように位置し、
前記凸構造部の側壁面には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず、前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層していることを特徴とするインプリントモールド製造用基材。 It has a substrate and a hardmask material layer located so as to cover a desired site on one surface of the substrate.
In the hard mask material layer, the first layer, the second layer, and the third layer are laminated in this order from the substrate side.
The first layer and the third layer contain a metal or a metal compound, and
The second layer contains silicon or a silicon compound and contains
The substrate has different etching resistance from the first layer.
The substrate integrally has a base portion and a convex structure portion protruding from the upper plane of the base portion.
The hard mask material layer is located so as to cover a desired portion in the upper plane of the convex structure portion.
The third layer constituting the hard mask material layer does not exist on the side wall surface of the convex structure portion, and the first layer and the second layer constituting the hard mask material layer are laminated. A base material for manufacturing an imprint mold. 前記凸構造部の前記上平面の周縁部には、前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層が存在せず、前記ハードマスク材料層を構成する前記第１層と前記第２層とが積層していることを特徴とする請求項５に記載のインプリントモールド製造用基材。 The third layer constituting the hard mask material layer does not exist at the peripheral edge of the upper plane of the convex structure portion, and the first layer and the second layer constituting the hard mask material layer are present. The substrate for manufacturing an imprint mold according to claim 5 , wherein the substrate is laminated. 前記第３層の厚みは、１〜３ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれかに記載のインプリントモールド製造用基材。The substrate for imprint mold manufacturing according to any one of claims 3 to 6, wherein the thickness of the third layer is in the range of 1 to 3 nm. 前記基部の上平面の所望の部位を被覆するように位置する前記ハードマスク材料層を有することを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載のインプリントモールド製造用基材。 Imprint mold for manufacturing a substrate according to any one of claims 3 to 7, characterized in that it has the hard mask material layer positioned to cover the desired portion of the upper flat surface of the base. 前記第１層および前記第３層は、クロムあるいはクロム化合物を含有することを特徴とすることを特徴とする請求項３乃至請求項８のいずれかに記載のインプリントモールド製造用基材。 The first layer and the third layer, the imprint mold for manufacturing a substrate according to any one of claims 3 to 8, characterized in that characterized in that it contains chromium or chromium compounds. 請求項３乃至請求項９のいずれかに記載のインプリントモールド製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層に感光性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、
凹凸構造を有し、シリコンあるいはシリコン化合物を含有するモールドと前記インプリントモールド用基材の前記ハードマスク材料層を構成する前記第３層との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、
前記レジスト層に光を照射することにより、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、
硬化させた前記レジスト層と前記モールドを引き離して、レジストパターン層を前記インプリントモールド製造用基材の前記基体に位置する前記ハードマスク材料層上に位置させた状態とする離型工程と、
前記レジストパターン層の凹部に位置する残膜を除去してレジストパターンを形成する残膜除去工程と、
前記レジストパターンを介して前記ハードマスク材料層の前記第３層をエッチングして第３のハードマスクを形成し、次いで、前記第３のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第２層をエッチングして第２のハードマスクを形成し、次いで、前記第２のハードマスクを介して前記ハードマスク材料層の前記第１層をエッチングして第１のハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、
前記第１のハードマスクを介して前記インプリントモールド製造用基材の前記基体をエッチングして凹凸構造パターンを形成する基材エッチング工程と、を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 And the hard mask material layer droplet supplying step of supplying a photosensitive resist droplet located at the base of the imprint mold for manufacturing a substrate according to any one of claims 3 to 9,
The resist is developed to form a resist layer between a mold having an uneven structure and containing silicon or a silicon compound and the third layer constituting the hard mask material layer of the base material for imprint molding. Contact process and
A curing step of curing the resist layer by irradiating the resist layer with light,
A mold release step in which the cured resist layer and the mold are separated from each other so that the resist pattern layer is positioned on the hard mask material layer located on the substrate of the imprint mold manufacturing substrate.
A residual film removing step of removing a residual film located in a recess of the resist pattern layer to form a resist pattern,
The third layer of the hard mask material layer is etched through the resist pattern to form a third hard mask, and then the second layer of the hard mask material layer is formed through the third hard mask. To form a second hard mask, and then the first layer of the hard mask material layer is etched through the second hard mask to form a first hard mask. When,
A method for manufacturing an imprint mold, which comprises a base material etching step of etching the base material of the base material for manufacturing the imprint mold through the first hard mask to form an uneven structure pattern. 前記離型工程と前記残膜除去工程との間に、前記レジストパターン層に電子線を照射する照射工程を有することを特徴とする請求項１０に記載のインプリントモールドの製造方法。 The method for manufacturing an imprint mold according to claim 10 , further comprising an irradiation step of irradiating the resist pattern layer with an electron beam between the mold release step and the residual film removing step. 前記残膜除去工程と前記ハードマスク形成工程との間に、前記レジストパターン層に電子線を照射する照射工程を有することを特徴とする請求項１０に記載のインプリントモールドの製造方法。
The method for manufacturing an imprint mold according to claim 10 , further comprising an irradiation step of irradiating the resist pattern layer with an electron beam between the residual film removing step and the hard mask forming step.
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